JP2019180064A - 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタ特性を向上させることができる弾性波フィルタを提供する。【解決手段】ＳＡＷフィルタ１は、支持基板３１と、支持基板３１上に位置している圧電体層３３と、圧電体層３３上に位置している複数のＩＤＴ電極２７とを有している。複数のＩＤＴ電極２７は、ラダー型フィルタの直列共振子１７および並列共振子１９を構成している。各ＩＤＴ電極２７において、一方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９と、他方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９とは、それぞれの先端を結ぶ第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２との間で互いに噛み合っている。直列共振子１７の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２は、伝搬方向に対して一方側へ傾斜している。並列共振子１９の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２は、伝搬方向に対して他方側へ傾斜している。【選択図】図１

Description

本開示は、電気信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）である。

複数の弾性波共振子をラダー型に接続することによって構成された弾性波フィルタが知られている（例えば特許文献１及び２）。具体的には、ラダー型の弾性波フィルタは、信号を通過させる直列共振子（弾性波共振子）と、信号に含まれる不要成分を基準電位へ逃がす並列共振子（弾性波共振子）とを有している。直列共振子および並列共振子は、それぞれ、圧電体層（圧電基板）上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を含んで構成されている。

ＩＤＴ電極は、互いに噛み合う１対の櫛歯電極からなる。すなわち、ＩＤＴ電極は、互いに対向している１対のバスバーと、１対のバスバーの一方から他方へ互いに並列に延びている複数の第１電極指と、１対のバスバーの他方から一方へ互いに並列に延びている複数の第２電極指とを有している。複数の第１電極指の先端を結ぶ第１仮想線と、複数の第２電極指の先端を結ぶ第２仮想線との間の領域は、複数の第１電極指および複数の第２電極指が互いに交差する（互いに噛み合う）交差領域となっている。また、複数の第１電極指および複数の第２電極指に直交する方向は、弾性波の伝搬方向となる。

弾性波共振子は、典型的には、交差領域（第１仮想線および第２仮想線）が弾性波の伝搬方向に平行に延びるように形成される。ただし、交差領域を伝搬方向に対して傾斜させることによって、共振子および／またはフィルタとしての特性が向上する場合があることが知られている。特許文献１では、伝搬方向に対して互いに逆側へ傾斜している直列共振子および並列共振子が開示されている。特許文献２では、高音速部材と、その上に積層された圧電膜と、その上に設けられ、伝搬方向に対する傾斜角が互いに異なる直列共振子および並列共振子とが開示されている。

国際公開第２０１２／１４０８３１号 国際公開第２０１６／２０８２３６号

フィルタ特性を向上させることができる弾性波フィルタ、分波器および通信装置が提供されることが望まれる。

本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、支持基板と、前記支持基板上に位置している圧電体層と、前記圧電体層上に位置しており、ラダー型フィルタの直列共振子を構成している直列ＩＤＴ電極と、前記圧電体層上に位置しており、前記ラダー型フィルタの並列共振子を構成している並列ＩＤＴ電極と、を有しており、前記圧電体層の平面視において、前記直列ＩＤＴ電極および前記並列ＩＤＴ電極それぞれは、所定の伝搬方向に交差する方向において互いに対向している第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ、互いに並列に前記伝搬方向に直交する方向に延びている複数の第１電極指と、前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ、互いに並列に前記伝搬方向に直交する方向に延びている複数の第２電極指と、を有しており、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とは、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ第１仮想線と、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ第２仮想線との間で互いに噛み合っており、前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記第２仮想線は、前記伝搬方向に対して一方側へ傾斜しており、前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記第２仮想線は、前記伝搬方向に対して他方側へ傾斜している。

一例において、前記圧電体層の厚さは、前記直列ＩＤＴ電極における前記複数の第１電極指および前記複数の第２電極指のピッチの２倍以下である。

一例において、前記圧電体層の厚さは、７．５μｍ以下である。

一例において、前記直列ＩＤＴ電極および前記並列ＩＤＴ電極それぞれにおいて、前記第１仮想線および前記第２仮想線それぞれの前記伝搬方向に対する傾斜角の絶対値は、２°以上９°以下である。

一例において、前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線、前記直列ＩＤＴ電極の前記第２仮想線、前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記並列ＩＤＴ電極の前記第２仮想線の、前記伝搬方向に対する傾斜角の絶対値は互いに同一である。

一例において、前記圧電体層は、３０°以上６０°以下回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ_３の単結晶からなり、前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線及び前記第２仮想線は、平面視において伝搬方向に対して左回りの方向に傾斜しており、前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線及び前記第２仮想線は、平面視において伝搬方向に対して右回りの方向に傾斜している。

本開示の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、を有しており、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、上記弾性波フィルタによって構成されている。

本開示の一態様に係る通信装置は、上記の弾性波フィルタと、前記弾性波フィルタに接続されているアンテナと、前記弾性波フィルタに接続されているＩＣ（Integrated Circuit）と、を有している。

上記の構成によれば、フィルタ特性を向上させることができる。

実施形態に係るＳＡＷフィルタの要部構成を示す模式図である。 図２（ａ）は図１のＳＡＷフィルタの直列共振子の要部構成を示す模式的な平面図であり、図２（ｂ）は図１のＳＡＷフィルタの並列共振子の要部構成を示す模式的な平面図である。 図２（ａ）のIII−III線における断面図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は比較例および実施例に係るＳＡＷフィルタの特性を示す図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は実施例に係るＳＡＷ共振子の特性を示す図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）は実施例に係るＳＡＷフィルタ内の互いに異なる位置に配される３つの直列共振子の特性の例を示す図であり、図６（ｄ）、図６（ｅ）および図６（ｆ）は図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）の領域VIｄ、VIｅおよびVIｆの拡大図である。 図７（ａ）、図７（ｂ）および図７（ｃ）は実施例に係るＳＡＷフィルタ内の互いに異なる位置に配される３つの並列共振子の特性の例を示す図であり、図７（ｄ）、図７（ｅ）および図７（ｆ）は図７（ａ）、図７（ｂ）および図７（ｃ）の領域VIIｄ、VIIｅおよびVIIｆの拡大図である。 図１のＳＡＷフィルタの利用例としての分波器を模式的に示す図である。 図８の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。

（ＳＡＷフィルタの構成）
図１は、ＳＡＷフィルタ１の要部構成を示す模式図である。なお、図１等の図面には、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を付している。Ｄ１軸は、後述する圧電体層に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電体層に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電体層に直交するように定義されている。

ＳＡＷフィルタ１は、複合基板１１と、複合基板１１の主面１１ａ上に配置された導体パターンとを有している。ただし、図１において、導体パターンは、回路図のように模式的に示されている。複合基板１１の平面視における大きさは、主面１１ａ上に構成される回路に応じて適宜に設定されてよい。一例を挙げると、複合基板１１の１辺の長さは０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。

ＳＡＷフィルタ１は、例えば、入力端子３Ｉに入力された電気信号をフィルタリングして出力端子３Ｏへ出力するフィルタとして構成されている。フィルタリングの際、信号に含まれる不要成分は、基準電位部５へ逃がされる。入力端子３Ｉおよび出力端子３Ｏは、例えば、複合基板１１の主面１１ａ上に設けられたパッドによって構成されている。基準電位部５は、例えば、主面１１ａ上に設けられたパッドおよび当該パッドに接続されている導体パターンによって構成されている。

また、ＳＡＷフィルタ１は、例えば、いわゆるラダー型共振子フィルタによって構成されている。ラダー型共振子フィルタは、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとを接続している直列腕７と、直列腕７の複数位置と基準電位部５とを互いに並列に接続している複数の並列腕９とを有している。なお、並列腕９は、１つのみとされてもよい。直列腕７及び並列腕９は、複合基板１１の主面１１ａ上に構成されている。

直列腕７は、例えば、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとの間で互いに直列に接続されている複数の直列共振子部１３を有している。なお、直列共振子部１３は、１つのみとされてもよい。各並列腕９は、いずれかの直列共振子部１３の入力側（入力端子３Ｉ側）または出力側（出力端子３Ｏ側）と基準電位部５とを接続している並列共振子部１５を有している。複数の並列腕９（並列共振子部１５）は、直列腕７に対して電気的に互いに異なる位置（直列共振子部１３に対する相対関係が互いに異なる位置）に接続されている。

なお、本実施形態の説明において、直列腕７（別の観点では１以上の直列共振子部１３）および並列腕９（別の観点では１以上の並列共振子部１５）がラダー型に接続されているという場合、上記のように、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとの間に直列腕７（別の観点では１つの直列共振子部１３または直列に接続された複数の直列共振子部１３）が接続され、１以上の直列共振子部１３の入力側または出力側と基準電位部５との間に１以上の並列腕９（別の観点では１以上の並列共振子部１５）とが接続されている状態を指す。

直列共振子部１３の数および並列共振子部１５の数は、適宜に設定されてよく、図１に示す数は一例に過ぎない。図示の例では、最も入力端子３Ｉ側の直列共振子部１３の入力側の位置には並列共振子部１５が接続されていないが、当該位置に並列共振子部１５が接続されていてもよい。同様に、最も出力端子３Ｏ側の直列共振子部１３の出力側の位置には並列共振子部１５が接続されていないが、当該位置に並列共振子部１５が接続されていてもよい。複数の並列共振子部１５は、互いに短絡されていない複数の基準電位部５（例えば基準電位端子）に個別に（１対１で）接続されていてもよいし、その全部又は一部が、同一の基準電位部５または互いに短絡されている複数の基準電位部５に接続されていてもよい。

各直列共振子部１３は、例えば、図示の例のように、互いに直列に接続されている複数の直列共振子１７を含んでいる。別の観点では、直列共振子部１３は、複数の直列共振子１７に分割されている。なお、特に図示しないが、複数の直列共振子部１３の一部又は全部の各々は、１つの直列共振子１７のみを含んでいてもよい。直列共振子部１３は、複数の直列共振子１７に分割されて構成されていることによって、分圧が印加されることになり、耐電力性が向上する。１つの直列共振子部１３が含む直列共振子１７の数は、適宜に設定されてよい。

同様に、各並列共振子部１５は、１つの並列共振子１９によって構成されていてもよいし、互いに直列に接続された複数の並列共振子１９によって構成されていてもよい。図示の例では、３つの並列共振子部１５のうち１つのみ、複数（図示の例では２つ）の並列共振子１９を含んでいる。１つの並列共振子部１５が含む並列共振子１９の数は、適宜に設定されてよい。

なお、直列腕７内で、直列に接続されている複数の直列共振子１７が設けられている場合において、各直列共振子１７が、単体で直列共振子部１３を構成しているのか否かは、例えば、並列腕９との接続位置を基準に特定してよい。例えば、互いに直列に接続されている２つの直列共振子１７間に並列腕９が接続されていなければ、その２つの直列共振子１７は、共に１つの直列共振子部１３を構成しているとみなされてよい。

直列共振子部１３および並列共振子部１５のそれぞれのインピーダンスの周波数特性においては、インピーダンスが極小値となる共振点と、インピーダンスが極大値となる反共振点が現れる。共振点および反共振点が現れる周波数を共振周波数（ｆｓｒ、ｆｐｒ）および反共振周波数（ｆｓａ、ｆｐａ）とする。直列共振子部１３および並列共振子部１５のそれぞれにおいて、例えば、反共振周波数は共振周波数よりも高い。

複数の直列共振子部１３は、基本的に、共振周波数ｆｓｒが互いに同等とされるとともに、反共振周波数ｆｓａが互いに同等とされている。複数の並列共振子部１５は、基本的に、共振周波数ｆｐｒが互いに同等とされるとともに、反共振周波数ｆｐａが互いに同等とされている。直列共振子部１３および並列共振子部１５は、直列共振子部１３の共振周波数ｆｓｒと並列共振子部１５の反共振周波数ｆｐａとが概ね一致するように共振周波数および反共振周波数が設定される。これにより、ＳＡＷフィルタ１は、並列共振子部１５の共振周波数ｆｐｒから直列共振子部１３の反共振周波数ｆｓａまでの周波数範囲（減衰域）よりも若干狭い範囲を通過帯域とするフィルタとして機能する。

ＳＡＷフィルタ１は、上述した構成の他、抵抗体、キャパシタおよび／またはインダクタを適宜に有していてよい。図１では、直列共振子部１３に並列に接続されているキャパシタ２１が例示されている。このようなキャパシタ２１を設けることによって、例えば、直列共振子部１３における共振周波数と反共振周波数との周波数差Δｆを小さくし、急峻なフィルタ特性を実現することができる。なお、このようなキャパシタ２１および／またはインダクタを含んで直列共振子部１３または並列共振子部１５が定義されてもよい。

（共振子の構成）
図２（ａ）は、直列共振子１７の要部構成を示す模式的な平面図である。図２（ｂ）は、並列共振子１９の要部構成を示す模式的な平面図である。図３は、図２（ａ）のIII−III線における断面図である。

直列共振子１７及び並列共振子１９は、その構成に共通点が多い。そこで、以下の説明では、便宜上、これらを区別せずにＳＡＷ共振子２３と総称することがある。

ＳＡＷ共振子２３は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されており、紙面両側に模式的に図示された２つの配線２５の一方から電気信号が入力されると所定の周波数において共振を生じ、その共振を生じた信号を２つの配線２５の他方へ出力する。

ＳＡＷ共振子２３は、例えば、既述の複合基板１１と、複合基板１１の主面１１ａに設けられたＩＤＴ電極２７と、ＩＤＴ電極２７の両側に位置する１対の反射器２９とを含んでいる。

なお、上記のように、ＳＡＷ共振子２３は、厳密には、複合基板１１（特に後述する圧電体層３３）を含んで構成されている。ただし、図１に示したように、複合基板１１は、複数のＳＡＷ共振子２３によって共用されている。従って、便宜上、本開示の説明では、ＩＤＴ電極２７および１対の反射器２９のみがＳＡＷ共振子２３を構成しているかのように表現することがある。

また、特に図示しないが、圧電体層３３の上面は、ＩＤＴ電極２７および反射器２９の上から、ＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極２７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極２７および反射器２９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。

（複合基板の構成）
複合基板１１は、例えば、支持基板３１と、支持基板３１上に重なっている圧電体層３３とを有している。複合基板１１の主面１１ａは、圧電体層３３の主面によって構成されている。

圧電体層３３は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３。以下、「ＬＴ」と略すことがある。）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）または水晶（ＳｉＯ_２）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、タンタル酸リチウムであれば、３０°以上６０°以下回転ＹカットＸ伝搬、または４０°以上５５°以下回転ＹカットＸ伝搬となるカット角が採用されてよい。確認的に記載すると、このカット角では、Ｘ軸回りにＹ軸からＺ軸へ３０°以上６０°以下（または４０°以上５５°以下）の角度で回転したＹ′軸に主面１１ａが直交する。

圧電体層３３の厚さｔ_ｓ（図３）は、例えば、一定である。厚さｔ_ｓは、圧電体単体で基板が構成される場合等に比較して薄くされている。例えば、厚さｔ_ｓは、後述する電極指のピッチをｐ（図３）として、０．１ｐ以上３ｐ以下、または０．５ｐ以上２ｐ以下である。一般的に、ＳＡＷを利用したフィルタ１が適用されるこのような厚さは、例えば、７００ＭＨｚ以上の周波数帯では、例えば、厚さｔ_ｓは、０．１μｍ以上８μｍ以下、または０．５μｍ以上５μｍ以下である。

支持基板３１は、例えば、圧電体層３３の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これによって、ＳＡＷ共振子２３の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板３１は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。

支持基板３１の厚みは、例えば、一定であり、厚さの具体的な値は、ＳＡＷフィルタ１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。ただし、支持基板３１の厚みは、温度補償が好適に行われたり、圧電体層３３の強度を補強したりできるように、圧電体層３３の厚みよりも厚くされている。一例として、支持基板３１の厚みは１００μｍ以上３００μｍ以下である。

なお、圧電体層３３の広さと、支持基板３１の広さとは、同一であってもよいし、異なっていてもよい（支持基板３１が圧電体層３３よりも広くてもよい。）。なお、後者の場合、複合基板１１上の導体パターンの一部（例えば入力端子３Ｉ、出力端子３Ｏおよび／または基準電位部５を構成する端子）は、圧電体層３３上ではなく、支持基板３１上に設けられていてもよい。

圧電体層３３および支持基板３１は、直接的に重なっていてもよいし、中間層（不図示）を介して間接的に重なっていてもよい。

直接的に重なる場合、例えば、圧電体層３３となる圧電基板の下面と、支持基板３１の上面とをプラズマまたは中性子線などで活性化処理し、両面を直接的に貼り合わせてよい。また、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成法によって、圧電体層３３となる圧電材料を支持基板３１上に成膜してもよい。

中間層が設けられる場合、中間層は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，Ｓｉ_３Ｎ_４，ＡｌＮ等が挙げられる。また、複数の異なる材料からなる薄層を積層させた積層体を中間層としてもよい。中間層は、圧電体層３３となる圧電基板と支持基板３１とを接着する接着層を含んでもよいし、薄膜形成法で形成される圧電体層３３の下地となるだけであってもよい。また、中間層は、音響的に何らかの効果を奏する層として（例えば反射率を高くする層として）構成されていてもよい。

（ＩＤＴ電極および反射器を構成する導体層）
ＩＤＴ電極２７および反射器２９は、圧電体層３３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極２７を構成する層状導体と、反射器２９を構成する層状導体とは、例えば、平面形状を除いて、互いに同一の構成である。層状導体の材料は、例えば、Ａｌ等の金属である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子２３に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。

（ＩＤＴ電極の基本構成）
ＩＤＴ電極２７は、１対の櫛歯電極３５を含んでいる。各櫛歯電極３５は、例えば、バスバー３７と、バスバー３７から互いに並列に延びる複数の電極指３９と、複数の電極指３９間においてバスバー３７から突出するダミー電極４１とを含んでいる。１対の櫛歯電極３５は、複数の電極指３９が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。

バスバー３７は、例えば、概略、一定の幅で直線状に延びている。そして、１対のバスバー３７は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に交差する方向において互いに対向している。１対のバスバー３７の互いに対向する縁部は、例えば、互いに平行な直線状である。なお、１対のバスバー３７は、例えば、幅が変化したりしてもよい。

各電極指３９は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びている。一方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９と他方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９とは、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）において、基本的には交互に配置されている。複数の電極指３９のピッチｐは、ＩＤＴ電極２７内において基本的に一定である。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指３９の中心間距離であり、また、当該距離は、伝搬方向に平行な距離である。

電極指３９の本数、長さおよび幅等は、ＳＡＷ共振子２３に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。図２（ａ）等は模式図であることから、電極指３９の本数は少なく示されている。ＩＤＴ電極２７は、ＩＤＴ電極２７の一部に狭ピッチ部または広ピッチ部を有するものであってもよいし、いわゆる間引きがなされた部分を有するものであってもよい。間引きは、例えば、１対の櫛歯電極３５の電極指３９が交互に一定のピッチで配置されている構成を基準として、電極指３９を１本以上の適宜な数で無くしたり、１本の電極指３９の幅を２本以上の適宜な数の電極指３９の配列長さに亘る幅としたりすることである。

なお、本開示において、単にピッチｐというとき、狭ピッチ部、広ピッチ部および／または間引き部分のような特異部分を除いた大部分（例えば全ピッチの８割以上）のピッチをいうものとする。また、特異部分を除いても、または特異部分が設けられていない場合であっても、ピッチが一定でない場合がある。例えば、ＩＤＴ電極２７をＤ１軸方向において複数に分割した領域間で互いにピッチが異なっていたり、ＩＤＴ電極２７全体または大部分に亘って、微小な差異で、および／または緩やかにピッチが変化していたりすることがある。このような場合は、単にピッチｐという場合、例えば、特異部分を除いたピッチｐの平均値をいうものとする。

一方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９の先端を結んだ第１仮想線ＶＬ１と、他方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９の先端を結んだ第２仮想線ＶＬ２とで挟まれた領域は、１対の櫛歯電極３５の電極指３９が互いに噛み合う（互いに交差する）交差領域ＣＲとなっている。第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２（以下、両者を区別せずに、単に「仮想線ＶＬ」ということがある。）は、例えば、互いに平行な直線であり（交差領域ＣＲの幅は一定であり）、また、１対のバスバー３７の互いに対向する縁部に平行である。別の観点では、図示の例では、複数の電極指３９の長さは互いに同一である。

ダミー電極４１は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に突出している。その幅は、例えば電極指３９の幅と同等である。また、複数のダミー電極４１は、複数の電極指３９と同等のピッチで配列されており、一方の櫛歯電極３５のダミー電極４１の先端は、他方の櫛歯電極３５の電極指３９の先端とギャップを介して対向している。各櫛歯電極３５において、複数のダミー電極４１の先端を結ぶ仮想線（不図示）は、例えば、仮想線ＶＬに対して平行な直線状である。なお、ＩＤＴ電極２７は、ダミー電極４１を含まないものであってもよい。

（反射器の構成）
１対の反射器２９は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）においてＩＤＴ電極２７の両側に位置している。各反射器２９は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。各反射器２９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器２９は、互いに対向する１対の反射器バスバー４３と、１対の反射器バスバー４３間において延びる複数のストリップ電極４５とを含んでいる。複数のストリップ電極４５のピッチ、および互いに隣接する電極指３９とストリップ電極４５とのピッチは、例えば、複数の電極指３９のピッチと概ね同等である。

ＩＤＴ電極２７によって圧電体層３３の上面に電圧が印加されることによって圧電体層３３の上面をＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが励振され、ピッチｐを半波長とするＳＡＷの定在波が立つ。この定在波により生じた信号は、ＩＤＴ電極２７によって取り出される。このようにして、ＳＡＷ共振子２３における共振が利用される。ＳＡＷ共振子２３の共振周波数は、定在波（ピッチｐを半波長とするＳＡＷ）の周波数と概ね同等となる。反共振周波数は、共振周波数と容量比とによって決定され、容量比は、主として圧電体層３３によって規定され、電極指３９の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。

（ＳＡＷ共振子の傾斜）
ＳＡＷ共振子２３は、第１仮想線ＶＬ１及び第２仮想線ＶＬ２がＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向。電極指３９に直交する方向）に対して同一側へ傾斜している。換言すれば、交差領域ＣＲは、伝搬方向に対して傾斜する方向に延びている。その傾斜角θの大きさは適宜に設定されてよく、例えば、１°以上２０°以下、または２°以上９°以下である。

また、直列共振子１７および並列共振子１９は、ＳＡＷの伝搬方向に対して、互いに逆側に傾斜している。直列共振子１７の傾斜角θおよび並列共振子１９の傾斜角θの絶対値は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

ここで、圧電体層３３として３０°以上６０°以下回転ＹカットＸ伝搬のＬＴを例に取る。この場合、Ｘ軸は、電極指３９に直交するＤ１軸に平行である。Ｄ１軸の正方向がＸ軸の正方向に一致するように右手系の直交座標系Ｄ１−Ｄ２−Ｄ３の向きを定義すると、Ｙ軸はＤ２−Ｄ３平面内で＋Ｄ２側かつ＋Ｄ３側へ延び、Ｚ軸はＤ２−Ｄ３平面内で−Ｄ２側かつ＋Ｄ３側へ延びる。そして、矢印ａｗ１で示すように、直列共振子１７においては、仮想線ＶＬは、例えば、平面視において左回りの方向（＋方向とする。）へ傾斜している。一方、矢印ａｗ２で示すように、並列共振子１９においては、仮想線ＶＬは、例えば、平面視において右回りの方向（−方向とする。）へ傾斜している。

言い換えると、直列共振子１７は、Ｘ軸の正方向に対して、圧電結晶軸のうちＺ軸をＤ２−Ｄ３平面内に投影した成分の負方向に傾いており、並列共振子１９は、Ｘ軸の正方向に対して、圧電結晶軸のうちＺ軸をＤ２−Ｄ３平面内に投影した成分の正方向に傾いている。

図１において、直列共振子１７および並列共振子１９を示す平行四辺形の傾斜は、ＩＤＴ電極２７の伝搬方向に対する傾斜を模式的に示している。この図に示すように、例えば、全ての直列共振子１７及び並列共振子１９が上記のように傾斜していてよい。

ただし、一部の直列共振子１７のみ、および／または一部の並列共振子１９のみが傾斜していても構わない。また、１つの直列共振子部１３内で、全ての直列共振子１７が傾斜していてもよいし、一部の直列共振子１７が傾斜していてもよい。同様に、１つの並列共振子部１５内で、全ての並列共振子１９が傾斜していていもよいし、一部の並列共振子１９が傾斜していてもよい。

上記のように一部のみが傾斜している場合、互いに逆側に傾斜する直列共振子１７および並列共振子１９は、例えば、他の直列共振子部１３を介さずに互いに接続されるものであってもよいし、そうでなくてもよいし、共に同一の直列共振子部１３を構成する他の直列共振子１７および／または共に同一の並列共振子部１５を構成する他の並列共振子１９を介さずに接続されるものであってもよいし、そうでなくてもよい。

上記のように、図示の例では、バスバー３７の内側の縁部、およびダミー電極４１の先端を結んだ仮想線は、仮想線ＶＬに平行である。すなわち、これらも隣接する仮想線ＶＬと同じ向きおよび傾斜角θで傾斜している。ただし、図示の例とは異なり、これらは、仮想線ＶＬと平行でなくてもよい。例えば、Ｄ１軸方向に平行であってもよい。

図２（ａ）および図２（ｂ）において、１対の反射器バスバー４３の互いに対向する縁部は、伝搬方向に対して平行となっている。ただし、図示の例とは異なり、当該縁部は、仮想線ＶＬに対して平行とされてもよい。また、縁部だけでなく、反射器バスバー４３の全体として、仮想線ＶＬおよびバスバー３７に対して平行とされてよく、また、反射器バスバー４３とバスバー３７とは概ね同一線上に位置してもよい。

なお、上記のようにＩＤＴ電極２７だけでなく、反射器２９も傾斜している場合において、複合基板１１は、平面視において、仮想線ＶＬに平行な２辺と、仮想線ＶＬに直交する２辺とを有する矩形とされてもよい。このような場合、例えば、複合基板１１の側面と、バスバー３７および反射器バスバー４３との間に無駄なスペースが生じるおそれを低減できる。

（実施例）
比較例および実施例のＳＡＷフィルタについて、そのフィルタ特性をシミュレーション計算によって求めた。このシミュレーション計算は実測した共振子の特性を利用したものである。その結果の一例を示す。

実施例において、圧電体層３３は、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴとし、その厚さは、１．０μｍ（電極指３９のピッチｐと概ね同等）とした。支持基板３１は、サファイアとした。通過帯域は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）のバンド２５の送信帯域（１８５０ＭＨｚ〜１９１５ＭＨｚ）とした。傾斜角θの絶対値は、直列共振子１７および並列共振子１９のいずれも６°とした。比較例は、実施例において、直列共振子１７及び並列共振子１９のいずれも傾斜角θを＋６°としたもの（比較例１）と、いずれも傾斜角θを−６°としたもの（比較例２）との２種とした。

図４（ａ）〜図４（ｃ）は、シミュレーション結果を示す図である。これらの図において、横軸は、周波数を示し、縦軸は、透過特性を示している。図４（ｂ）は、上述の通過帯域（１８５０ＭＨｚ〜１９１５ＭＨｚ）を含む周波数範囲で透過特性を示している。図４（ａ）は、図４（ｂ）の領域IVａの拡大図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の領域IVｃの拡大図である。これらの図において、線ＬＥ１、ＬＣ１およびＬＣ２は、それぞれ、実施例、第１比較例および第２比較例の透過特性を示している。

図４（ａ）に示すように、通過帯域の低周波側の境界付近においては、第２比較例（線ＬＣ２）は、他の例に比較して、通過帯域内の透過特性が低下している。すなわち、いわゆる肩特性が劣化している。なお、図４（ａ）において、線ＬＥ１（実施例）と線ＬＣ１（第１比較例）とは殆ど重なっているが、わずかに実施例の透過特性が高い。一方、図４（ｂ）に示すように、通過帯域の高周波側の境界付近においては、低周波側の境界付近とは逆に、第１比較例（線ＬＣ１）の通過帯域内の透過特性が他の例の通過帯域内の透過特性よりも低下している。なお、図４（ａ）において、線ＬＥ１（実施例）と線ＬＣ２（第２比較例）とはやや重なっているが、実施例の透過特性が高い。

このように、直列共振子１７および並列共振子１９を伝搬方向に対して互いに逆側に傾斜させることによって、直列共振子１７および並列共振子１９を共に＋方向へ傾斜させた第１比較例、および共に−方向へ傾斜させた第２比較例のいずれと比較しても、肩特性の向上効果が得られる。

（圧電体層の厚さの影響）
以下では、上記の実施例の効果について補足説明を行う。

図５（ａ）および図５（ｂ）は、ＳＡＷ共振子２３の特性を示す図である。この特性は、実測によって得られている。これらの図において、横軸は周波数を示している。縦軸はインピーダンスの位相を示している。ＳＡＷ共振子２３において、インピーダンスの位相は、共振周波数と反共振周波数との間においては、９０°に近いほど特性が良く、その外側においては、−９０°に近いほど特性が良い。

図５（ａ）は、第１分析例に係るＳＡＷ共振子２３の特性を示しており、図５（ｂ）は、第２分析例に係るＳＡＷ共振子２３の特性を示している。第１分析例では、圧電体層３３は、厚さｔ_ｓが１９．８μｍの４６．３°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴとされている。また、支持基板３１の材料はシリコンとされている。一方、第２分析例では、圧電体層３３は、厚さｔ_ｓが１．０μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴとされている。また、支持基板３１の材料はサファイアとされている。他の条件は、第１分析例と第２分析例とで同様である。

第１分析例および第２分析例のいずれにおいても、傾斜角θを＋６°としたＳＡＷ共振子２３と、傾斜角θを−６°としたＳＡＷ共振子２３についてシミュレーション計算を行い、図５（ａ）および図５（ｂ）にプロットしている。

図５（ａ）の第１分析例においては、傾斜角θが＋６°の場合の結果と、傾斜角θが−６°の場合の結果とは略一致している。一方、図５（ｂ）の第２分析例においては、傾斜角θが＋６°の場合の結果（線Ｌ１Ｐで示す）と、傾斜角θが−６°の場合の結果（線Ｌ１Ｎで示す）とは一致していない。具体的には、共振周波数側（低周波側）においては、−６°の特性が相対的に良くなっている（ロスが少ない。）。また、反共振周波数側（高周波側）においては、＋６°の結果と−６°の結果とは略一致しているが、わずかに＋６°の特性が相対的に良くなっている。

以上のように、圧電体層３３の厚さが比較的薄いことにより、傾斜角θの正負が互いに逆のＳＡＷ共振子２３の特性が互いに異なるものとなりやすいことがわかる。そして、この相違に起因して、直列共振子１７および並列共振子１９の傾斜を互いに逆にすることにより、フィルタ特性の向上の効果が得られることがわかる。

（位相の裾野の影響）
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、同一のＳＡＷフィルタ１内の互いに異なる位置に配される３つの直列共振子１７の特性の例を示す図である。これらの図において、横軸及び縦軸は、その具体的な範囲を除いては、図５（ａ）および図５（ｂ）と同様である。また、図６（ｄ）〜図６（ｆ）は、図６（ａ）〜図６（ｃ）の領域VIｄ〜領域VIｆの拡大図である。

各図（各直列共振子１７）において、傾斜角θが＋６°の場合と、傾斜角θが−６°の場合とを想定して、その特性についてシミュレーション計算を行った。このシミュレーション計算は実測した共振子の特性を利用したものである。図６（ｄ）〜図６（ｆ）において、線Ｌ２Ｐ、Ｌ３ＰおよびＬ４Ｐは、傾斜角θが＋６°の場合の結果を示し、線Ｌ２Ｎ、Ｌ３ＮおよびＬ４Ｎは、傾斜角θが−６°の場合の結果を示している。

これらの図に示されているように、共振周波数付近（１８５０ＭＨｚ付近）においては、傾斜角θが＋６°である場合の方が、インピーダンスの位相が急峻に０°に近づき、特性が良い（ロスが小さい）。

図７（ａ）〜図７（ｃ）は、同一のＳＡＷフィルタ１内の互いに異なる位置に配される３つの並列共振子１９の特性の例を示す図である。これらの図において、横軸及び縦軸は、その具体的な範囲を除いては、図５（ａ）および図５（ｂ）と同様である。また、図７（ｄ）〜図７（ｆ）は、図７（ａ）〜図７（ｃ）の領域VIIｄ、VIIｅおよびVIIｆの拡大図である。

各図（各並列共振子１９）において、傾斜角θが＋６°の場合と、傾斜角θが−６°の場合とを想定して、その特性についてシミュレーション計算を行った。このシミュレーション計算は実測した共振子の特性を利用したものである。図７（ｄ）〜図７（ｆ）において、線Ｌ５Ｐ、Ｌ６ＰおよびＬ７Ｐは、傾斜角θが＋６°の場合の結果を示し、線Ｌ５Ｎ、Ｌ６ＮおよびＬ７Ｎは、傾斜角θが−６°の場合の結果を示している。

これらの図に示されているように、反共振周波数付近（１９１５ＭＨｚ付近）においては、共振周波数付近とは逆に、傾斜角θが−６°である場合の方が、インピーダンスの位相が急峻に０に近づき、特性が良い（ロスが小さい）。

纏めると、ＳＡＷ共振子２３は、傾斜角θが＋６°の場合は、共振周波数付近における特性が相対的に良く、逆に、傾斜角θが−６°の場合は、反共振周波数付近における特性が相対的に良い。一方、直列共振子１７は、共振周波数が通過帯域内に設定され、並列共振子１９は、反共振周波数が通過帯域内に設定される。このようなことから、直列共振子１７の傾斜角θを正とし、並列共振子１９の傾斜角θを負とした態様の方が、その逆の態様に比較して特性が向上する。

（弾性波装置の利用例：分波器）
図８は、ＳＡＷフィルタ１の利用例としての分波器１０１（例えばデュプレクサ）の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極３５が二叉のフォーク形状によって模式的に示され、反射器２９は両端が屈曲した１本の線で表わされている。また、この図では、図１に比較して、直列共振子１７および並列共振子１９の数は減らされている。直列共振子１７および並列共振子１９それぞれは、単体で直列共振子部１３または並列共振子部１５を構成するものとして図示されている。また、ＳＡＷ共振子２３の傾斜の図示は省略されている。

分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

送信フィルタ１０９は、例えば、実施形態のＳＡＷフィルタ１によって構成されている。送信端子１０５は、入力端子３Ｉまたは当該入力端子３Ｉに接続されている端子である。アンテナ端子１０３は、出力端子３Ｏまたは当該出力端子３Ｏに接続されている端子である。

受信フィルタ１１１は、例えば、ＳＡＷ共振子２３と、多重モード型フィルタ（ダブルモード型フィルタを含むものとする。）１１３とを含んで構成されている。多重モード型フィルタ１１３は、弾性波の伝搬方向に配列された複数（図示の例では３つ）のＩＤＴ電極２７と、その両側に配置された１対の反射器２９とを有している。なお、受信フィルタ１１１を構成するＳＡＷ共振子２３および多重モード型フィルタ１１３は、例えば、同一の複合基板１１（圧電体層３３）に設けられている。

なお、送信フィルタ１０９および受信フィルタ１１１は、同一の複合基板１１に設けられていてもよいし、互いに異なる複合基板１１に設けられていてもよい。図８は、あくまで分波器１０１の構成の一例であり、例えば、受信フィルタ１１１が送信フィルタ１０９と同様にラダー型フィルタによって構成されるなどしてもよい。また、受信フィルタ１１１および送信フィルタ１０９の双方が実施形態に係るＳＡＷフィルタ１（直列共振子１７と並列共振子１９とが互いに逆側に傾斜したラダー型フィルタ）によって構成されていてもよいし、図示とは逆に、受信フィルタ１１１のみが実施形態に係るＳＡＷフィルタ１によって構成されていてもよい。分波器１０１は、デュプレクサに限定されず、３以上のフィルタを含んだマルチプレクサ（例えばトリプレクサまたはクアッドプレクサ）であってもよい。

（弾性波装置の利用例：通信装置）
図９は、ＳＡＷフィルタ１（別の観点では分波器１０１）の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、分波器１０１を含んでいる。

通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１（送信フィルタ１０９）は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（アンテナ端子１０３）に入力される。分波器１０１（受信フィルタ１１１）は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して受信端子１０７から増幅器１６１へ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、公知の各種の規格に従ってよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ１は、支持基板３１と、支持基板３１上に位置している圧電体層３３と、圧電体層３３上に位置している複数のＩＤＴ電極２７とを有している。複数のＩＤＴ電極２７の少なくとも１つは、ラダー型フィルタの直列共振子１７を構成している。また、複数のＩＤＴ電極２７の他の少なくとも１つは、ラダー型フィルタの並列共振子１９を構成している。各ＩＤＴ電極２７において、一方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９と、他方の櫛歯電極３５の複数の電極指３９とは、それぞれの先端を結ぶ第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２との間で互いに噛み合っている。直列共振子１７の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２は、伝搬方向に対して一方側（実施形態では＋方向）へ傾斜している。並列共振子１９の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２は、伝搬方向に対して他方側（実施形態では−方向）へ傾斜している。

従って、例えば、伝搬方向に対する傾斜の向きが逆であることによる、直列共振子１７と並列共振子１９との間の特性の相違を利用して、フィルタ特性を向上させることが可能となる。傾斜角θの正負に起因する共振子特性の相違は、圧電体層３３が薄いほど現れやすい。一方、支持基板３１上に形成される圧電体層３３は、通常、単体で基板を構成する圧電基板に比較して薄い。従って、支持基板３１上の圧電体層３３と、互いに逆側に傾斜した直列共振子１７および並列共振子１９との組み合わせによって、上記のフィルタ特性を向上させることが可能になる効果を得ることができる。より具体的には、通過帯域の低周波側および通過帯域の高周波側それぞれの透過特性の変化を急峻にして、ロスを少なくすることができる。すなわち、肩特性が向上する。

また、本実施形態では、圧電体層３３の厚さは、例えば、直列共振子１７の複数の電極指３９のピッチｐの２倍以下とされてよい。また、当該厚さは、７．５μｍ以下とされてよい。

支持基板３１上に設けられた圧電体層３３を用いる場合、圧電体層３３内におけるバルク波の減衰および／または散乱がなされにくい。その結果、バルク波スプリアスが現れやすい。しかし、圧電体層３３の厚さが上記のような範囲であると、最も低次のバルク波スプリアスであってもその周波数が直列共振子１７の共振周波数よりも高くなりやすい。その結果、ＳＡＷフィルタ１の通過特性が更に向上する。また、圧電体層３３が薄いことから、上述した互いに逆側へ傾斜している直列共振子１７および並列共振子１９の特性の相違が現れやすい。

また、本実施形態では、直列共振子１７および並列共振子１９それぞれにおいて、第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２それぞれの傾斜角θの絶対値は、２°以上９°以下とされてよい。

傾斜角θが２°以上であれば、横モードスプリアスを低減するという傾斜角θの本来の効果が確保される。また、傾斜角θが９°以下であれば、挿入損失が低減される。すなわち、傾斜角θが上記の範囲であれば、トレードオフの関係にあるスプリアスの低減と挿入損失の低減とをバランスさせることができる。

また、本実施形態では、直列共振子１７の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２、ならびに並列共振子１９の第１仮想線ＶＬ１および第２仮想線ＶＬ２の、（４つの）傾斜角θの絶対値は互いに同一とされてよい。

すなわち、直列共振子１７および並列共振子１９の傾斜は、正負のみが異なっていてもよい。この場合、角度の絶対値に依存する特性については直列共振子１７および並列共振子１９で共通に特性を向上させることができる。また、例えば、傾斜の正負の相違によって正負が逆の歪信号が生じて互いに相殺されることが期待され、このような場合に、角度の絶対値が互いに同一であれば、歪信号の相殺が容易化される。

なお、以上の実施形態において、ＳＡＷフィルタ１は弾性波フィルタの一例である。１対の櫛歯電極３５の一方におけるバスバー３７および電極指３９は、第１バスバーおよび第１電極指の一例であり、１対の櫛歯電極３５の他方におけるバスバー３７および電極指３９は、第２バスバーおよび第２電極指の一例である。直列共振子１７のＩＤＴ電極２７は直列ＩＤＴ電極の一例であり、並列共振子１９のＩＤＴ電極２７は並列ＩＤＴ電極の一例である。

本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

例えば、弾性波は、ＳＡＷに限定されず、例えば、バルク波または弾性境界波（ただしＳＡＷの一種と捉えられてよい。）であってもよい。各ＩＤＴ電極において、第１仮想線および第２仮想線は、互いに平行な直線でなくてもよい。例えば、両者は、伝搬方向に対する傾斜角が互いに異なる直線であってもよいし、少なくとも一方が曲線状であってもよい。

また、中間層を備える場合には、圧電体層と中間層とを合わせて２ｐ以下の厚さとなるようにしてもよい。その場合にはＩＤＴ電極の傾斜方向による差異を顕著にすることができる。

１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、１７…直列共振子、１９…並列共振子、３１…支持基板、３３…圧電体層、２７…ＩＤＴ電極（直列ＩＤＴ電極、並列ＩＤＴ電極）、３７…バスバー（第１バスバー、第２バスバー）、３９…電極指（第１電極指、第２電極指）、第ＶＬ１…第１仮想線、第ＶＬ２…第２仮想線。

Claims (8)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に位置している圧電体層と、
   前記圧電体層上に位置しており、ラダー型フィルタの直列共振子を構成している直列ＩＤＴ電極と、
   前記圧電体層上に位置しており、前記ラダー型フィルタの並列共振子を構成している並列ＩＤＴ電極と、
   を有しており、
   前記圧電体層の平面視において、前記直列ＩＤＴ電極および前記並列ＩＤＴ電極それぞれは、
   所定の伝搬方向に交差する方向において互いに対向している第１バスバーおよび第２バスバーと、
   前記第１バスバーから前記第２バスバー側へ、互いに並列に前記伝搬方向に直交する方向に延びている複数の第１電極指と、
   前記第２バスバーから前記第１バスバー側へ、互いに並列に前記伝搬方向に直交する方向に延びている複数の第２電極指と、を有しており、
   前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とは、前記複数の第１電極指の先端を結ぶ第１仮想線と、前記複数の第２電極指の先端を結ぶ第２仮想線との間で互いに噛み合っており、
   前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記第２仮想線は、前記伝搬方向に対して一方側へ傾斜しており、
   前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記第２仮想線は、前記伝搬方向に対して他方側へ傾斜している
   弾性波フィルタ。
2. 前記圧電体層の厚さは、前記直列ＩＤＴ電極における前記複数の第１電極指および前記複数の第２電極指のピッチの２倍以下である
   請求項１に記載の弾性波フィルタ。
3. 前記圧電体層の厚さは、７．５μｍ以下である
   請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
4. 前記直列ＩＤＴ電極および前記並列ＩＤＴ電極それぞれにおいて、前記第１仮想線および前記第２仮想線それぞれの前記伝搬方向に対する傾斜角の絶対値は、２°以上９°以下である
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
5. 前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線、前記直列ＩＤＴ電極の前記第２仮想線、前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線および前記並列ＩＤＴ電極の前記第２仮想線の、前記伝搬方向に対する傾斜角の絶対値は互いに同一である
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
6. 前記圧電体層は、３０°以上６０°以下回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ_３の単結晶からなり、
   前記直列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線及び前記第２仮想線は、平面視において伝搬方向に対して左回りの方向に傾斜しており、
   前記並列ＩＤＴ電極の前記第１仮想線及び前記第２仮想線は、平面視において伝搬方向に対して右回りの方向に傾斜している
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
7. アンテナ端子と、
   前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、
   前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、
   を有しており、
   前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタによって構成されている
   分波器。
8. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
   前記弾性波フィルタに接続されているアンテナと、
   前記弾性波フィルタに接続されているＩＣと、
   を有している通信装置。

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