JPH05167384A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH05167384A JPH05167384A JP32732991A JP32732991A JPH05167384A JP H05167384 A JPH05167384 A JP H05167384A JP 32732991 A JP32732991 A JP 32732991A JP 32732991 A JP32732991 A JP 32732991A JP H05167384 A JPH05167384 A JP H05167384A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- capacitance
- wave device
- electrode
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】パッケージ入り弾性表面波装置１のＩＤＴ型共
振子２とパッケージの導電性底面との間に生ずる浮遊容
量の影響を抑圧し、反共振Ｑ値を大きく改善し、インピ
ーダンス特性良好な弾性表面波装置を提供することにあ
る。 【構成】弾性表面波装置のアドミタンス特性の実部が、
反共振点で極小になるように容量値を設定した容量パタ
ーン５を、同一パッケージ内でＩＤＴ２に並列に接続す
る。
振子２とパッケージの導電性底面との間に生ずる浮遊容
量の影響を抑圧し、反共振Ｑ値を大きく改善し、インピ
ーダンス特性良好な弾性表面波装置を提供することにあ
る。 【構成】弾性表面波装置のアドミタンス特性の実部が、
反共振点で極小になるように容量値を設定した容量パタ
ーン５を、同一パッケージ内でＩＤＴ２に並列に接続す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置とくに
ＩＤＴ型共振子により構成した弾性表面波装置の反共振
Ｑ値の改善、インピーダンス特性の向上に関する。
ＩＤＴ型共振子により構成した弾性表面波装置の反共振
Ｑ値の改善、インピーダンス特性の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置は極めて大量に生産され
ているＬＳＩと同様にフォトリソグラフィ技術を用いて
製造できるので量産性に優れ、ＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ
帯に好適な信号処理装置として、テレビジョン受信機の
中間周波数フィルタやＶＴＲの局部発振器用共振子とし
て広く用いられている。また、最近では弾性表面波装置
の小形軽量という特徴から、ポケットベルや携帯電話機
等の移動体通信分野で高周波部のフィルタとして利用さ
れている。
ているＬＳＩと同様にフォトリソグラフィ技術を用いて
製造できるので量産性に優れ、ＶＨＦ帯あるいはＵＨＦ
帯に好適な信号処理装置として、テレビジョン受信機の
中間周波数フィルタやＶＴＲの局部発振器用共振子とし
て広く用いられている。また、最近では弾性表面波装置
の小形軽量という特徴から、ポケットベルや携帯電話機
等の移動体通信分野で高周波部のフィルタとして利用さ
れている。
【０００３】特に、携帯電話機は単一のアンテナで送信
と受信を行うため、送信信号と受信信号を分けるアンテ
ナ分波器に、弾性表面波装置で構成したフィルタが用い
られる。このフィルタの特性として低損失で帯域外抑圧
度の大きいことが要求される。このような特性を実現す
るために、弾性表面波装置として、多電極型フィルタや
インターディジタル（ＩＤＴ）型共振子を用いるものが
ある。これらのうち、ＩＤＴ型共振子で構成したフィル
タは低損失化の点で有利である。
と受信を行うため、送信信号と受信信号を分けるアンテ
ナ分波器に、弾性表面波装置で構成したフィルタが用い
られる。このフィルタの特性として低損失で帯域外抑圧
度の大きいことが要求される。このような特性を実現す
るために、弾性表面波装置として、多電極型フィルタや
インターディジタル（ＩＤＴ）型共振子を用いるものが
ある。これらのうち、ＩＤＴ型共振子で構成したフィル
タは低損失化の点で有利である。
【０００４】ＩＤＴ型共振子は図２に示すように、圧電
性基板上に多数対のＩＤＴを形成して構成される。但
し、図２中で、１は圧電性基板、２は導電性薄膜よりな
るすだれ状電極である。この共振子は従来からの水晶振
動子と同様に、図３に示すような等価回路で表される。
従って、水晶振動子と同様に発振器やフィルタを構成す
ることが可能である。
性基板上に多数対のＩＤＴを形成して構成される。但
し、図２中で、１は圧電性基板、２は導電性薄膜よりな
るすだれ状電極である。この共振子は従来からの水晶振
動子と同様に、図３に示すような等価回路で表される。
従って、水晶振動子と同様に発振器やフィルタを構成す
ることが可能である。
【０００５】上記のような弾性表面波装置に関しては、
例えば、特開昭５８−１３１８１０号公報、特開昭５８
−１００５２１号公報、特開昭５８−１４５２１５号公
報等に開示された技術が知られている。また、米国電気
電子学会１９７５年、ウルトラソニックス・シンポジウ
ム，プロシーディングス，第３８１〜３８４頁（ＩＥＥ
Ｅ，１９７５，ＵＬＴＬＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳ
ＩＵＭ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ，ｐｐ．３８１〜３８
４）記載の技術がある。
例えば、特開昭５８−１３１８１０号公報、特開昭５８
−１００５２１号公報、特開昭５８−１４５２１５号公
報等に開示された技術が知られている。また、米国電気
電子学会１９７５年、ウルトラソニックス・シンポジウ
ム，プロシーディングス，第３８１〜３８４頁（ＩＥＥ
Ｅ，１９７５，ＵＬＴＬＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳ
ＩＵＭ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ，ｐｐ．３８１〜３８
４）記載の技術がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＩＤＴ型共振子でフィ
ルタを構成する場合、インピーダンス特性の共振Ｑ値お
よび反共振Ｑ値が重要である。この共振子では、アドミ
タンス特性の実部が極小となる周波数が存在し、この周
波数を反共振点とすることにより、非常に大きな反共振
Ｑ値が得られることが知られている。このような大きな
反共振Ｑ値が得られる条件として、上記文献では、ｓｉ
ｎ（４ｋ2Ｎ／π）＝０となるように電極対数Ｎを設定
することが示されている。図４は横軸に周波数を、縦軸
にインピーダンス値をとってＩＤＴ型共振子のインピー
ダンス特性を示しており、共振周波数ｆrと反共振周波
数ｆaとがかなり狭い間隔で存在していることが判る。
ルタを構成する場合、インピーダンス特性の共振Ｑ値お
よび反共振Ｑ値が重要である。この共振子では、アドミ
タンス特性の実部が極小となる周波数が存在し、この周
波数を反共振点とすることにより、非常に大きな反共振
Ｑ値が得られることが知られている。このような大きな
反共振Ｑ値が得られる条件として、上記文献では、ｓｉ
ｎ（４ｋ2Ｎ／π）＝０となるように電極対数Ｎを設定
することが示されている。図４は横軸に周波数を、縦軸
にインピーダンス値をとってＩＤＴ型共振子のインピー
ダンス特性を示しており、共振周波数ｆrと反共振周波
数ｆaとがかなり狭い間隔で存在していることが判る。
【０００７】しかし、実際の弾性表面波装置は、ＩＤＴ
を形成した圧電性基板を、図５に示すように、パッケー
ジに装着して使用するため、浮遊素子の影響が加わり、
上記の条件では反共振Ｑ値を大きくすることはできな
い。
を形成した圧電性基板を、図５に示すように、パッケー
ジに装着して使用するため、浮遊素子の影響が加わり、
上記の条件では反共振Ｑ値を大きくすることはできな
い。
【０００８】本発明は、上記従来の問題を解決し、ＩＤ
Ｔ型共振子を形成した圧電性基板をパッケージ内に装
着，格納した場合の浮遊素子の影響を考慮に入れて対策
し、反共振Ｑ値を大きくした弾性表面波装置を提供する
ことを目的とする。
Ｔ型共振子を形成した圧電性基板をパッケージ内に装
着，格納した場合の浮遊素子の影響を考慮に入れて対策
し、反共振Ｑ値を大きくした弾性表面波装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、圧電性基板上に導電性薄膜よりな
るすだれ状電極を設けた弾性表面波素子をパッケージ内
に格納した弾性表面波装置において、上記すだれ状電極
と並列に接続した容量素子を上記パッケージ内に設ける
ことにした。実際には、すだれ状電極を設けた圧電性基
板とは別個の基板上に上記容量素子を設けたり、圧電性
基板上ですだれ状電極の正負の共通電極を延長して、こ
の延長部分に上記容量素子のパターンを設けるとかすれ
ば良い。すだれ状電極のパターンと並列に付加設置する
容量素子の値は、ＩＤＴの電極対数などから定まる特定
値とする。
に本発明においては、圧電性基板上に導電性薄膜よりな
るすだれ状電極を設けた弾性表面波素子をパッケージ内
に格納した弾性表面波装置において、上記すだれ状電極
と並列に接続した容量素子を上記パッケージ内に設ける
ことにした。実際には、すだれ状電極を設けた圧電性基
板とは別個の基板上に上記容量素子を設けたり、圧電性
基板上ですだれ状電極の正負の共通電極を延長して、こ
の延長部分に上記容量素子のパターンを設けるとかすれ
ば良い。すだれ状電極のパターンと並列に付加設置する
容量素子の値は、ＩＤＴの電極対数などから定まる特定
値とする。
【００１０】
【作用】弾性表面波装置の電極パターンを形成した圧電
性基板をパッケージ内に装着、格納した場合、上記電極
パターンとパッケージの導電性底面すなわち接地面との
間に容量が存在するため、これが浮遊容量として弾性表
面波装置のインピーダンス特性に影響する。本発明で
は、ＩＤＴの電極対数を適切に設計し、上記のようにＩ
ＤＴに適当な容量を並列に付加することにより、弾性表
面波装置のアドミタンス特性を所望の特性に設計可能と
し、反共振Ｑ値の大きい弾性表面波装置を実現できるよ
うにしたのである。
性基板をパッケージ内に装着、格納した場合、上記電極
パターンとパッケージの導電性底面すなわち接地面との
間に容量が存在するため、これが浮遊容量として弾性表
面波装置のインピーダンス特性に影響する。本発明で
は、ＩＤＴの電極対数を適切に設計し、上記のようにＩ
ＤＴに適当な容量を並列に付加することにより、弾性表
面波装置のアドミタンス特性を所望の特性に設計可能と
し、反共振Ｑ値の大きい弾性表面波装置を実現できるよ
うにしたのである。
【００１１】
【実施例】まず、反共振Ｑ値に関する条件について説明
する。ＩＤＴのアドミタンス特性は一般に次式で与えら
れる。
する。ＩＤＴのアドミタンス特性は一般に次式で与えら
れる。
【００１２】
【数２】
【００１３】 ここで、Ｇａ：中心周波数における放射コンダクタンス Ｃ0 ：制動容量 ｘ ：ｘ＝Ｎπ（（ω−ω0）／ω0） Ｎ ：電極対数通常、反共振周波数を与えるｘの条件
は、上式からｘ＝４ｋ2Ｎ／πで与えられている。した
がって、この時アドミタンス特性の実部が極小となる条
件、すなわち、ｓｉｎ（４ｋ2Ｎ／π）＝０となるよう
に電極対数を設定すれば、反共振Ｑ値を大きくすること
ができるはずである。
は、上式からｘ＝４ｋ2Ｎ／πで与えられている。した
がって、この時アドミタンス特性の実部が極小となる条
件、すなわち、ｓｉｎ（４ｋ2Ｎ／π）＝０となるよう
に電極対数を設定すれば、反共振Ｑ値を大きくすること
ができるはずである。
【００１４】しかし、通常図５に示すように、ＩＤＴを
形成した圧電性基板はパッケージの導電性底面すなわち
接地面上に装着され、ＩＤＴと接地面間に容量を持って
しまう。したがって、実際の弾性表面波装置では電極対
数の条件は上述の条件から外れた値となってしまい、反
共振Ｑ値を大きくすることはできない。また、電極対数
は整数または整数＋０．５という不連続な値しか採り得
ないため、常に上記の条件を満足する値が実現できると
は限らない。なお、図５のなかで、１は表面にＩＤＴを
形成させた圧電性基板、６はパッケージ、７は蓋、８は
ＩＤＴとパッケージの電気端子を結ぶ接続線である。
形成した圧電性基板はパッケージの導電性底面すなわち
接地面上に装着され、ＩＤＴと接地面間に容量を持って
しまう。したがって、実際の弾性表面波装置では電極対
数の条件は上述の条件から外れた値となってしまい、反
共振Ｑ値を大きくすることはできない。また、電極対数
は整数または整数＋０．５という不連続な値しか採り得
ないため、常に上記の条件を満足する値が実現できると
は限らない。なお、図５のなかで、１は表面にＩＤＴを
形成させた圧電性基板、６はパッケージ、７は蓋、８は
ＩＤＴとパッケージの電気端子を結ぶ接続線である。
【００１５】ＩＤＴとパッケージの接地面間で形成され
る容量値をＣ1、またＩＤＴとパッケージの電気端子を
結ぶ接続線のインダクタンスをＬ1とすると、等価回路
は図６に示すように表せる。この場合、全体としてのア
ドミタンス特性は（数３）式
る容量値をＣ1、またＩＤＴとパッケージの電気端子を
結ぶ接続線のインダクタンスをＬ1とすると、等価回路
は図６に示すように表せる。この場合、全体としてのア
ドミタンス特性は（数３）式
【００１６】
【数３】
【００１７】のようになる。
【００１８】ここで、Ｙ：ＩＤＴのアドミタンス 上式で反共振周波数を与えるｘの条件は、ｘ＝４ｋ2Ｎ
Ｃ0／（π（Ｃ0＋Ｃ1））である。従って、Ｃ1を考慮し
ない場合に比べ、反共振周波数は浮遊容量Ｃ1の分だけ
小さくなり、反共振Ｑ値の極大値を与える条件も従来と
は異なったものになる。さらに、電極対数Ｎは不連続な
値しかとりえないので、常に反共振Ｑ値を大きくできる
条件を満足できるとは限らない。これらの問題を解決す
るために、本発明ではＩＤＴに並列に容量素子を付加す
るように構成したのである。
Ｃ0／（π（Ｃ0＋Ｃ1））である。従って、Ｃ1を考慮し
ない場合に比べ、反共振周波数は浮遊容量Ｃ1の分だけ
小さくなり、反共振Ｑ値の極大値を与える条件も従来と
は異なったものになる。さらに、電極対数Ｎは不連続な
値しかとりえないので、常に反共振Ｑ値を大きくできる
条件を満足できるとは限らない。これらの問題を解決す
るために、本発明ではＩＤＴに並列に容量素子を付加す
るように構成したのである。
【００１９】次に、図１により本発明第１実施例を説明
する。同図の中で、１は３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯの単
結晶よりなる圧電性基板、２はすだれ状電極（ＩＤ
Ｔ）、３はボンディングパッド、４は共通電極（母
線）、５は本発明に係る付設した容量パターンである。
本実施例ではＩＤＴ２に隣接して容量パターン５を形成
させ、これらは共通電極４で電気的に並列に接続してあ
る。ここで、上記ＩＤＴの電極対数と容量パターンの容
量値は上記浮遊容量を考慮した条件式により決める。即
ち、アドミタンス特性の実部が極小になる条件は、ｘ＝
ｎπ（ｎ：整数）であるから、これと上記条件式によ
り、容量パターンの容量値Ｃ2は次の（数４）のように
表せる。
する。同図の中で、１は３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯの単
結晶よりなる圧電性基板、２はすだれ状電極（ＩＤ
Ｔ）、３はボンディングパッド、４は共通電極（母
線）、５は本発明に係る付設した容量パターンである。
本実施例ではＩＤＴ２に隣接して容量パターン５を形成
させ、これらは共通電極４で電気的に並列に接続してあ
る。ここで、上記ＩＤＴの電極対数と容量パターンの容
量値は上記浮遊容量を考慮した条件式により決める。即
ち、アドミタンス特性の実部が極小になる条件は、ｘ＝
ｎπ（ｎ：整数）であるから、これと上記条件式によ
り、容量パターンの容量値Ｃ2は次の（数４）のように
表せる。
【００２０】
【数４】
【００２１】上式でＮは電極対数であるから、整数また
は整数＋０．５の値となり、本実施例では、Ｎは２６１
対、開口長Ｗは５０μｍとして、Ｃ1は約０．４ｐＦで
あるので、上式によりＣ2は４ｐＦとした。図７及び図
８は、それぞれ、上記反共振Ｑ値が大きくなる条件を考
慮してない従来の場合、及び上記条件を考慮した本発明
弾性表面波装置の場合のインピーダンス特性を示す図
で、横軸には周波数を、縦軸にはインピーダンス値を１
Ωを基準としてｄＢ単位で示してある。上記条件を考慮
した本発明の場合、反共振Ｑ値は大幅に改善され、イン
ピーダンスの値でみた場合、従来は５４ｄＢであったも
のが、本発明実施例では６０ｄＢまで改善されている。
は整数＋０．５の値となり、本実施例では、Ｎは２６１
対、開口長Ｗは５０μｍとして、Ｃ1は約０．４ｐＦで
あるので、上式によりＣ2は４ｐＦとした。図７及び図
８は、それぞれ、上記反共振Ｑ値が大きくなる条件を考
慮してない従来の場合、及び上記条件を考慮した本発明
弾性表面波装置の場合のインピーダンス特性を示す図
で、横軸には周波数を、縦軸にはインピーダンス値を１
Ωを基準としてｄＢ単位で示してある。上記条件を考慮
した本発明の場合、反共振Ｑ値は大幅に改善され、イン
ピーダンスの値でみた場合、従来は５４ｄＢであったも
のが、本発明実施例では６０ｄＢまで改善されている。
【００２２】図９は本発明の第２実施例図である。電極
対数、容量値等は第１実施例と同様である。本発明第１
実施例では、容量パターンをＩＤＴの弾性表面波伝搬方
向に設けたが、本実施例では伝搬方向と直角な方向にＩ
ＤＴと並べて図示のように設けた。こうすると、基板の
長手方向の寸法を短縮できるので、取扱いやパッケージ
ングが容易になる利点がある。
対数、容量値等は第１実施例と同様である。本発明第１
実施例では、容量パターンをＩＤＴの弾性表面波伝搬方
向に設けたが、本実施例では伝搬方向と直角な方向にＩ
ＤＴと並べて図示のように設けた。こうすると、基板の
長手方向の寸法を短縮できるので、取扱いやパッケージ
ングが容易になる利点がある。
【００２３】図１０は本発明第３実施例図である。上記
第１，第２実施例では、すだれ状の容量パターンで構成
したが、容量値が小さい場合は、本実施例のように、ス
トリップ状の容量パターンで済むこともある。
第１，第２実施例では、すだれ状の容量パターンで構成
したが、容量値が小さい場合は、本実施例のように、ス
トリップ状の容量パターンで済むこともある。
【００２４】図１１は本発明第４実施例図である。本実
施例では、ＩＤＴ２は圧電性基板１の上に形成させ、付
設する容量パターン５は別のガラス基板９の上に形成さ
せ、両者間を接続線８で並列に接続した。こうすれば、
高価な圧電性基板の使用量が少なくて済む利点がある。
施例では、ＩＤＴ２は圧電性基板１の上に形成させ、付
設する容量パターン５は別のガラス基板９の上に形成さ
せ、両者間を接続線８で並列に接続した。こうすれば、
高価な圧電性基板の使用量が少なくて済む利点がある。
【００２５】図１２は本発明のＩＤＴ共振子で構成した
帯域阻止型フィルタを示す図である。フィルタの構成要
素である３個の共振子夫々には、すだれ状の容量パター
ン５が並列に接続してある。本実施例では、容量パター
ン５を弾性表面波の伝搬方向に対して斜めに形成してあ
るため、このパターン部分での弾性表面波の不要な反射
波の悪影響を避けることができる。また、図１３に示す
ように本発明の弾性表面波装置で構成したフィルタで
は、共振周波数と反共振周波数が近付くので、従来の装
置で構成したフィルタに比べ、阻止帯域の肩特性が改善
される効果がある。換言すると、弾性表面波装置をパッ
ケージに格納した場合の浮遊容量の対策をしたので、反
共振Ｑ値を大きくして肩特性を改善できただけでなく、
通過帯域と阻止帯域の間隔の小さなフィルタを構成する
のが非常に容易になった。
帯域阻止型フィルタを示す図である。フィルタの構成要
素である３個の共振子夫々には、すだれ状の容量パター
ン５が並列に接続してある。本実施例では、容量パター
ン５を弾性表面波の伝搬方向に対して斜めに形成してあ
るため、このパターン部分での弾性表面波の不要な反射
波の悪影響を避けることができる。また、図１３に示す
ように本発明の弾性表面波装置で構成したフィルタで
は、共振周波数と反共振周波数が近付くので、従来の装
置で構成したフィルタに比べ、阻止帯域の肩特性が改善
される効果がある。換言すると、弾性表面波装置をパッ
ケージに格納した場合の浮遊容量の対策をしたので、反
共振Ｑ値を大きくして肩特性を改善できただけでなく、
通過帯域と阻止帯域の間隔の小さなフィルタを構成する
のが非常に容易になった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、弾
性表面波装置の反共振Ｑ値を大きく改善でき、インピー
ダンス特性を向上させる効果が得られ、それにより、本
発明弾性表面波装置を用いて性能良好なフィルタを構成
できる。
性表面波装置の反共振Ｑ値を大きく改善でき、インピー
ダンス特性を向上させる効果が得られ、それにより、本
発明弾性表面波装置を用いて性能良好なフィルタを構成
できる。
【図１】本発明第１実施例の弾性表面波装置の平面図で
ある。
ある。
【図２】従来の弾性表面波装置の平面図である。
【図３】従来の弾性表面波装置の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図４】ＩＤＴ型共振子のインピーダンス特性を示す図
である。
である。
【図５】パッケージに装着された弾性表面波装置の斜視
図である。
図である。
【図６】パッケージに装着された弾性表面波装置の等価
回路図である。
回路図である。
【図７】従来の弾性表面波装置のインピーダンス特性を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明の弾性表面波装置のインピーダンス特性
を示す図である。
を示す図である。
【図９】本発明の第２実施例弾性表面波装置の平面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の第３実施例弾性表面波装置の平面図
である。
である。
【図１１】本発明の第４実施例弾性表面波装置の平面図
である。
である。
【図１２】本発明の弾性表面波装置で構成した帯域阻止
フィルタの平面図である。
フィルタの平面図である。
【図１３】本発明の弾性表面波装置で構成した帯域阻止
フィルタの周波数特性と、従来の弾性表面波装置で構成
した帯域阻止フィルタの周波数特性とを比較して示す図
である。
フィルタの周波数特性と、従来の弾性表面波装置で構成
した帯域阻止フィルタの周波数特性とを比較して示す図
である。
１…圧電性基板、２…すだれ状電極、３…ボンディング
パッド、４…共通電極、５…容量パターン、６…パッケ
ージ、７…蓋、８…接続線、９…ガラス基板。
パッド、４…共通電極、５…容量パターン、６…パッケ
ージ、７…蓋、８…接続線、９…ガラス基板。
Claims (4)
- 【請求項１】圧電性基板上に導電性薄膜よりなるすだれ
状電極を設けた弾性表面波素子をパッケージ内に格納し
た弾性表面波装置において、上記すだれ状電極と並列に
接続した容量素子を上記パッケージ内に設けたことを特
徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】上記容量素子は上記すだれ状電極を設けた
圧電性基板とは別個の基板上に設けたことを特徴とする
請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】上記圧電性基板上で上記すだれ状電極の正
負の共通電極を延長して、この延長部分に上記容量素子
を設けたことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項４】上記容量素子の容量値が下記（数１）式を
満足する値であることを特徴とする請求項１，２または
３に記載の弾性表面波装置。 【数１】 ここで、Ｃ2：容量素子の容量、ｋ2：電気機械結合係
数、Ｎ：電極対数 Ｗ：電極指交差幅、 ＣS：電極１対の単位長当りの容
量 ｎ：任意の整数、 Ｃ1：浮遊容量（Ｃ1≠０）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32732991A JPH05167384A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32732991A JPH05167384A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167384A true JPH05167384A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18197928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32732991A Pending JPH05167384A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05167384A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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