CN105940605B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供利用活塞模式且能实现小型化的弹性波装置。弹性波装置(1)被串联分割为具有第一IDT电极(11)的第一弹性波谐振器单元和具有第二IDT电极(12)的第二弹性波谐振器单元，在将第一IDT电极(11)中被设置于第一汇流条(11a)侧的高声速区域在电极指延伸的方向上的尺寸设为Wa，将第二IDT电极(12)中被设置于第四汇流条(12a)侧的高声速区域在电极指延伸的方向上的尺寸设为Wb，将级间连接部(17)的尺寸设为Wc之时，设Wc＜(Wa+Wb)。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及谐振器、带通滤波器等所采用的弹性波装置，尤其涉及利用了活塞模式(piston mode)的弹性波装置。
背景技术
在下述的专利文献1中公开了利用所谓的活塞模式的弹性波装置。在专利文献1中，与IDT电极中的电极指交叉部的声速相比，电极指前端侧部分中的声速被降低。由此，形成活塞模式，能够抑制横模式引起的脉动。
在下述的专利文献2中也公开了利用活塞模式的弹性波装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2011-101350号公报
专利文献2：JP特表2013-518455号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在便携式电话机的发送滤波器等中，要求提高耐电力性或改善IMD等。为了达成这种目的，大多将谐振器串联地多级分割。
若将专利文献1所记载的弹性波谐振器串联分割，则存在与弹性波传播方向正交的方向的尺寸变大的问题。参照图6进行说明。
图6是表示将专利文献1所记载的弹性波装置串联分割时的电极构成的示意性俯视图。在弹性波装置1000中，被分割为具有第一IDT电极1001的第一弹性波谐振器单元、和具有第二IDT电极1002的弹性波谐振器单元。在图6中，电极构造的右侧部分示意性地表示各区域的弹性波的声速。例如，第一IDT电极1001的中央区域的声速为V1，其两侧的低声速区域的声速为V2A、V2B。越往右侧，则表示声速越高。
级间汇流条1007被设置在第一IDT电极1001与第二IDT电极1002之间，由此第一IDT电极1001与第二IDT电极1002被串联地连接。
另外，作为中央区域的两侧的声速V2A、V2B的区域为低声速区域。在低声速区域内，声速降低膜1005被设置于电极指1003、1004上。由此声速被降低。第二IDT电极1002中也是同样的。
根据图6可知，在将第一IDT电极1001与第二IDT电极1002连接的部分中，必须设置声速V3B的高声速区域、级间汇流条1007及声速V13A的高声速区域。即，必须将图6中的尺寸Wc的长度加长某种程度。因此，在弹性波装置1000中，电极指延伸的方向的尺寸变长，难以小型化。
本发明的目的在于，提供一种利用活塞模式且能实现小型化的弹性波装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的弹性波装置是通过将弹性波谐振器串联地多级分割为多级的弹性波谐振器单元而构成。本发明涉及的弹性波装置具备：压电基板；形成于所述压电基板上且构成第一弹性波谐振器单元的第一IDT电极；形成于所述压电基板上且构成与所述第一弹性波谐振器单元串联连接的第二弹性波谐振器单元的第二IDT电极；以及对所述第一弹性波谐振器单元与所述第二弹性波谐振器单元进行连接的级间连接部。
在本发明中，所述第一IDT电极具有第一汇流条及与所述第一汇流条间隔开配置的第二汇流条。
所述第一IDT电极具有：基端与所述第一汇流条电连接且向所述第二汇流条侧延伸的多根第一电极指；以及基端与所述第二汇流条连接且朝向所述第一汇流条侧延伸的多根第二电极指。
所述第二IDT电极具有第三汇流条及与所述第三汇流条间隔开配置的第四汇流条。所述第二IDT电极具有：基端与所述第三汇流条电连接且向所述第四汇流条侧延伸的多根第三电极指；以及基端与所述第四汇流条连接且朝向所述第三汇流条侧延伸的多根第四电极指。
所述第一IDT电极和所述第二IDT电极经由所述级间连接部而在电极指延伸的方向上相连。
在本发明中，在所述第一IDT电极及第二IDT电极的每一个IDT电极中，在电极指延伸的方向的中央设置中央区域，在所述电极指延伸的方向上于所述中央区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域低的低声速区域，在所述电极指延伸的方向上于所述低声速区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域高的高声速区域。而且，在将所述第一IDT电极中被设置于所述第一汇流条侧的所述高声速区域在所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wa，将所述第二IDT电极中被设置于所述第四汇流条侧的所述高声速区域在所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wb，将所述电极指延伸的方向上的所述级间连接部的尺寸设为Wc之时，Wc＜(Wa+Wb)。
在本发明涉及的弹性波装置的某一特定的方面中，在将由所述第一IDT电极和第二IDT电极的电极指周期决定的波长设为λ时，Wc＜6λ。
在本发明涉及的弹性波装置的其他特定的方面中，在将由所述第一IDT电极和第二IDT电极的电极指周期决定的波长设为λ时，Wc＜4λ。
在本发明涉及的弹性波装置的另一特定的方面中，所述第一IDT电极的所述第二汇流条与所述第二IDT电极的所述第三汇流条被公共化为公共汇流条。
在本发明涉及的弹性波装置的其他特定的方面中，在所述公共汇流条设置沿着所述弹性波传播方向配置的多个开口部，在设置有该开口部的区域，设置所述弹性波传播速度比所述中央区域高的高声速区域，在所述公共汇流条中，在所述电极指延伸的方向上于所述开口部的两外侧设置所述低声速区域。
在本发明涉及的弹性波装置的又一特定的方面中，所述低声速区域内的所述第一IDT电极和第二IDT电极的形状被设为弹性波的传播速度变得比所述中央区域慢的形状。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置，由于设为所述Wc＜(Wa+Wb)，故能够实现利用了活塞模式的弹性波装置的小型化。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
图2是本发明的第一实施方式的弹性波装置的简略性俯视图。
图3是具有本发明的第一实施方式的弹性波装置的带通型滤波器的电路图。
图4是表示本发明的第一实施方式的实施例和比较例的带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的俯视图。
图6是表示将现有的弹性波谐振器串联分割时的电极构造的示意性俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的具体的实施方式，从而使本发明变得明了。
图1是表示作为本发明的第一实施方式的弹性波装置的声表面波谐振器的电极构造的示意性俯视图。图2是简略性表示本实施方式的弹性波装置的整体的俯视图。
在图2所示的弹性波装置10中，在LiTaO3、LiNbO3等的压电基板上设置有图示的电极构造。该电极构造能通过Al、Ag、Cu、Mo、Pt、Au、Ti、W等适当的金属或者合金形成。此外，也可以层叠这些金属。
更详细的是，在压电基板10A上设置有第一、第二1DT电极11、12。在第一IDT电极11的弹性波传播方向两侧设置有反射器13、14。此外，在第二1DT电极12的弹性波传播方向两侧设置有反射器15、16。通过第一IDT电极11及反射器13、14来构成第一弹性波谐振器单元。通过IDT电极12及反射器15、16来构成第二弹性波谐振器单元。换言之，形成将一个弹性波谐振器串联分割为两级的第一、第二弹性波谐振器单元的构造。在将一个弹性波谐振器串联分割为多级的弹性波谐振器单元的构造中，能够改善耐电力性、IMD特性。
在本实施方式的弹性波装置10中，能缩小上述IDT电极11、12经由级间连接部17而被连接的部分的尺寸。参照图1更具体地说明上述内容。图1是表示图2简略性示出的第一IDT电极11、第二IDT电极12及级间连接部17的详细内容的俯视图。
如图1所示，第一IDT电极11具有第一汇流条11a、及与第一汇流条11a间隔开的第二汇流条11b。第一、第二汇流条11a、11b在弹性波传播方向上延伸。第一汇流条11a具有沿着弹性波传播方向配置的多个开口部11a3。比开口部11a3更靠近第二汇流条11b侧的部分是汇流条端部11a1。汇流条端部11a1通过在电极指延伸的方向上被延伸的连结部11a4而与汇流条主体部11a2相连。将开口部11a3与连结部11a4合在一起设为第一汇流条高声速部。
第一汇流条11a连接着多根第一电极指11c的基端。各电极指11c朝向第二汇流条11b侧被延伸。
多根第二电极指11d的基端与第二汇流条11b连接。第二电极指11d朝向第一汇流条11a侧被延伸。
多根第一电极指11c和多根第二电极指11d互相交错插入。
此外，第一电极指11c及第二电极指11d在前端侧具有电极指宽度比剩余部分宽的宽幅部11c1、11d1。
第二IDT电极12具有与第一IDT电极11同样的构造。第三汇流条12b及第四汇流条12a分别连接有多根第三电极指12c及多根第四电极指12d。第三电极指12c在前端具有宽幅部12c1。第四电极指12d也在前端具有宽幅部12d1。第四汇流条12a与第一汇流条11a同样地具有汇流条端部12a1及汇流条主体部12a2。此外，设置有多个开口部12a3。汇流条主体部12a2和汇流条端部12a1通过多根连结部12a4而被连结。将汇流条开口部12a3与连结部12a4合在一起设为第二汇流条高声速部。
级间连接部17具有多根连结部17a。各连结部17a与第一、第二IDT电极11、12一体地形成。各连结部17a在电极指延伸的方向上被延伸。因此，在弹性波传播方向上，相邻的连结部17a之间设置有开口部17b。将开口部17b和连结部17a合在一起设为第三汇流条高声速部17e。在第一IDT电极11与第二IDT电极12的级间，共用第一IDT电极11与第二IDT电极12的汇流条高声速部。
虽然并非是必须的，但在本实施方式中，连结部17a被设置在第二电极指11d的延长线上。另一方面，前述的连结部11a4被设置在第一电极指11c的延长线上。不过，各连结部17a、11a4的位置并未限定于此。
在图1中，电极构造的右侧表示电极指延伸的方向上的各区域的弹性波的传播速度。即，在图1的右侧以沿纵向延伸的粗线表示的V1～V16分别表示弹性波装置10的电极指延伸的方向上的各区域的弹性波传播速度。越往右侧，则表示声速越高。
更详细的是，在第一IDT电极11中，在电极指延伸的方向上，在中央区域，声速为V1。该中央区域是第一电极指11c与第二电极指11d交叉的区域。
在电极指延伸的方向上，在中央区域的两外侧设置有低声速区域。这些低声速区域的声速为V2A、V2B。低声速区域相当于设置有上述宽幅部11c1、11d1的部分。宽幅部11c1、11d1根据其形状而相对地降低声速。即，在本实施方式中，决定电极指的形状，以形成声速比中央区域低的低声速区域。因此，仅通过电极图案化之际的形状的变更就能容易地形成低声速区域。
在电极指延伸的方向上，在上述低声速区域的两外侧设置有声速V3A、V3B的高声速区域。在这些高声速区域内，在弹性波传播方向上仅存在第一电极指11c或第二电极指11d的一方。
在第一汇流条11a的汇流条端部11a1，弹性波传播速度为V4A，被设为低声速区域。在设置有开口部11a3的部分，声速被提高，由此被设为高声速区域V5A。此外，汇流条主体部11a2成为声速V6的低声速区域。
设置有第二汇流条11b的部分，由于沿着弹性波传播方向仅存在金属，故成为声速V4B。
第二IDT电极12中也是同样的。此外，在级间连接部17中，由于存在多根连结部17a与开口部17b，故成为声速V10的高声速区域。
在第二IDT电极12侧，中央区域的声速也为V11。声速V12A、V12B的低声速区域位于其两侧，进而声速V13A、V13B的高声速区域存在于该声速V12A、V12B的低声速区域的两侧。此外，设置有第三汇流条12b的部分为低声速区域，其声速变为V14A。在第四汇流条12a中声速为V14B、V15B及V16的各区域相连。
在弹性波装置10中，如上所述，与中央区域相比，声速低的低声速区域被设置在中央区域的两侧，进而在低声速区域的两侧设置有高声速区域。即，利用的是活塞模式。因此，可以抑制横模式脉动，还能够制作低损耗的谐振器。
除此之外，在本实施方式中，图1的尺寸Wa与尺寸Wb之和大于尺寸Wc。因此，能实现小型化。尺寸Wa是在第一IDT电极11中被设置于第一汇流条11a侧的高声速区域在电极指延伸的方向上的尺寸。尺寸Wb指的是在第二IDT电极12中被设置于第四汇流条12a侧的高声速区域的尺寸，尺寸Wc是级间连接部17中的电极指延伸的方向的尺寸。此外，尺寸Wc比尺寸Wa、Wb的任意一方大。在本实施方式的弹性波装置10中，如上所述能够使级间连接部17的电极指延伸的方向的尺寸比图6示出的弹性波装置1000小。因此，能够实现弹性波装置10的小型化。而且，如以下的实验例所示，电气特性的劣化也难以产生。
图3是包括上述实施方式的弹性波装置的带通型滤波器的电路图。图3所示的带通型滤波器21具有梯型电路构成。
在图4中以实线表示使用了本实施方式的声表面波谐振器的梯型滤波器的衰减量频率特性。另外，图4的虚线表示除采用了图6示出的构造以外都与上述实施例同样地构成的带通型滤波器的衰减量频率特性。
根据图4可知，实施例的滤波器特性与比较例相比，几乎没有劣化。在弹性波装置10中，在串联地多级分割的构造中，与图6的比较例相比，能够将电极指延伸的方向的尺寸缩小10～20％程度。因此，能够不使滤波器特性劣化地实现弹性波谐振器、使用了弹性波谐振器的滤波器装置的小型化。
通常，在利用了活塞模式的弹性波谐振器中，为了维持谐振器的Q，需要在中央区域的外侧设置电极指延伸的方向的尺寸至少为2λ以上、优选为3λ以上的高声速区域。因而，在2级分割构造的情况下，在级间的两侧各需要设置2λ以上或3λ以上的尺寸的高声速区域。因此，在图6示出的弹性波装置1000中，级间连接部的尺寸为4λ以上或6λ以上。另外，λ是由第一、第二IDT电极11、12的电极指周期决定的弹性波的波长。
如上所述，本申请发明人们发现：在串联地多级分割的构造中，即便使级间连接部17的尺寸Wc缩小，也难以产生滤波器特性的下降，由此得出了本发明。以往，如上所述在串联地多级分割的构造中利用了活塞模式的情况下，认为必须充分地增大高声速区域的尺寸。因而，难以小型化。
在上述实施方式的弹性波装置10中，能够使Wc比6λ小，优选能够设为Wc＜4λ。
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的主要部分的俯视图。第二实施方式的弹性波装置30具有第一IDT电极31与第二IDT电极32。第一IDT电极31具有第一汇流条31a。与第一汇流条31a间隔开而配置有公共汇流条40。公共汇流条40是使第二汇流条与第二IDT电极32的第三汇流条进行公共化的部分。即，在本实施方式中，第二汇流条与第三汇流条被公共化为公共汇流条40。
第一汇流条31a连接有多根第一电极指31c。公共汇流条40连接有多根第二电极指31d。电极指31c的前端层叠有声速降低膜31c1。电极指31d的前端也层叠有声速降低膜31d1。由此，与第一实施方式同样，在电极指交叉部中央，构成声速V1的中央区域，在该中央区域的两侧设置有声速V2A、V2B的低声速区域。
在电极指延伸的方向上，在低声速区域的两侧设置有仅存在电极指31c或电极指31d的高声速区域。即，设置有声速V3、V3B的高声速区域。汇流条31a成为低声速区域，其声速为V4。
在第二IDT电极32中，第四汇流条32b与公共汇流条40间隔开地设置。多根第三电极指32c与公共汇流条40连接。多根第四电极指32d与第四汇流条32b连接。第三、第四电极指32c、32d的前端也分别设置有声速降低膜32c1、32d1。由此，在声速V11的中央区域的两侧设置有声速V12A、V12B的低声速区域。此外，在这些声速V12A、V12B的低声速区域的外侧分别设置有声速V13A、V13B的高声速区域。汇流条32b成为声速V14的低声速区域。
公共汇流条40由金属构成，因此构成声速V10的低声速区域。
在本实施方式中，由于尺寸Wc也比尺寸Wa+尺寸Wb小，故也能够实现小型化。
也可以如本实施方式那样使用公共汇流条40而将第二汇流条与第三汇流条公共化。由此，能够实现更进一步的小型化。此外，也可以如此在第一弹性波谐振器与第二弹性波谐振器的级间连接部侧的高声速区域之间设置公共汇流条40所构成的低声速区域。
另外，本发明未被限定于串联2级分割构造，也能够适用于串联地分割为3级以上的多级而形成的构造的弹性波谐振器。此外，未限于声表面波，也可以使用声边界波。
此外，本发明的滤波器装置未限于具有图3示出的梯型电路构成的装置，能够将本发明适用于使用了各种弹性波谐振器的滤波器装置中。
符号说明
1...弹性波装置
10...弹性波装置
10A...压电基板
11...第一IDT电极
11a...第一汇流条
11a1...汇流条端部
11a2...汇流条主体部
11a3...开口部
11a4...连结部
11b...第二汇流条
11c...第一电极指
11c1...宽幅部
11d...第二电极指
11d1...宽幅部
12...第二IDT电极
12a...第四汇流条
12a1...汇流条端部
12a2...汇流条主体部
12a3...开口部
12a4...连结部
12b...第三汇流条
12c...第三电极指
12c1...宽幅部
12d...第四电极指
12d1...宽幅部
13、14...反射器
15、16...反射器
17...级间连接部
17a...连结部
17b...开口部
20...滤波器装置
21...带通型滤波器
30...弹性波装置
31...第一IDT电极
31a...第一汇流条
31c...第一电极指
31c1...声速降低膜
31d...第二电极指
31d1...声速降低膜
32...第二IDT电极
32b...第四汇流条
32c...第三电极指
32c1...声速降低膜
32d...第四电极指
32d1...声速降低膜
40...公共汇流条
V1...声速
V2A、V2B...声速
V3A、V3B...声速
V4...声速
V4A...声速
V4B...声速
V5A...声速
V6...声速
V10...声速
V11...声速
V12A、V12B...声速
V13A、V13B...声速
V14...声速
V14A、V14B...声速
V15B...声速
V16...声速
1000...弹性波装置
1001...第一IDT电极
1002...第二IDT电极
1003...电极指
1004...电极指
1005...声速降低膜
1007...级间汇流条

Claims (4)

1.一种弹性波装置，通过将弹性波谐振器串联地多级分割为多级的弹性波谐振器单元而构成，其中，
所述弹性波装置具备：
压电基板；
第一IDT电极，其形成于所述压电基板上且构成第一弹性波谐振器单元；以及
第二IDT电极，其形成于所述压电基板上且构成与所述第一弹性波谐振器单元串联连接的第二弹性波谐振器单元，
所述第一IDT电极具有：第一汇流条；与所述第一汇流条间隔开配置的第二汇流条；基端与所述第一汇流条电连接且向所述第二汇流条侧延伸的多根第一电极指；以及基端与所述第二汇流条连接且朝向所述第一汇流条侧延伸的多根第二电极指，
所述第二IDT电极具有：第三汇流条；与所述第三汇流条间隔开配置的第四汇流条；基端与所述第三汇流条电连接且向所述第四汇流条侧延伸的多根第三电极指；以及基端与所述第四汇流条连接且朝向所述第三汇流条侧延伸的多根第四电极指，
所述第一IDT电极和所述第二IDT电极在电极指延伸的方向上相连，
在所述第一IDT电极及第二IDT电极的每一个IDT电极中，在所述电极指延伸的方向的中央设置中央区域，在所述电极指延伸的方向上于所述中央区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域低的低声速区域，在所述电极指延伸的方向上于所述低声速区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域高的多个高声速区域，
所述第一IDT电极的所述第二汇流条和所述第二IDT电极的所述第三汇流条被公共化为公共汇流条，
在所述公共汇流条设置沿着弹性波传播方向配置的多个开口部，在设置有该开口部的区域，设置所述弹性波传播速度比所述中央区域高的高声速区域，在所述公共汇流条中，在所述电极指延伸的方向上于所述开口部的两外侧设置所述低声速区域，
在将所述第一IDT电极中被设置于所述第一汇流条侧的所述电极指延伸的方向的最外侧的所述高声速区域在所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wa，将所述第二IDT电极中被设置于所述第四汇流条侧的所述电极指延伸的方向的最外侧的所述高声速区域在所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wb，将所述电极指延伸的方向上的所述开口部的尺寸设为Wc之时，设Wc＜(Wa+Wb)。
2.一种弹性波装置，通过将弹性波谐振器串联地多级分割为多级的弹性波谐振器单元而构成，其中，
所述弹性波装置具备：
压电基板；
第一IDT电极，其形成于所述压电基板上且构成第一弹性波谐振器单元；以及
第二IDT电极，其形成于所述压电基板上且构成与所述第一弹性波谐振器单元串联连接的第二弹性波谐振器单元，
所述第一IDT电极具有：第一汇流条；与所述第一汇流条间隔开配置的第二汇流条；基端与所述第一汇流条电连接且向所述第二汇流条侧延伸的多根第一电极指；以及基端与所述第二汇流条连接且朝向所述第一汇流条侧延伸的多根第二电极指，
所述第二IDT电极具有：第三汇流条；与所述第三汇流条间隔开配置的第四汇流条；基端与所述第三汇流条电连接且向所述第四汇流条侧延伸的多根第三电极指；以及基端与所述第四汇流条连接且朝向所述第三汇流条侧延伸的多根第四电极指，
所述第一IDT电极和所述第二IDT电极在电极指延伸的方向上相连，
在所述第一IDT电极及第二IDT电极的每一个IDT电极中，在所述电极指延伸的方向的中央设置中央区域，在所述电极指延伸的方向上于所述中央区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域低的低声速区域，在所述电极指延伸的方向上于所述低声速区域的两外侧设置弹性波传播速度比所述中央区域高的高声速区域，
所述第一IDT电极的所述第二汇流条和所述第二IDT电极的所述第三汇流条被公共化为公共汇流条，
在将所述第一IDT电极中的所述第一汇流条侧的高声速区域设为第一高声速区域，将所述第一IDT电极中的所述公共汇流条侧的高声速区域设为第二高声速区域，将所述第二IDT电极中的所述公共汇流条侧的高声速区域设为第三高声速区域，将所述第二IDT电极中的所述第四汇流条侧的高声速区域设为第四高声速区域时，
在将从所述第二高声速区域的所述第一汇流条侧的端部到所述第三高声速区域的所述第四汇流条侧的端部为止的所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wc，将所述第一高声速区域的所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wa，将所述第四高声速区域的所述电极指延伸的方向上的尺寸设为Wb之时，设Wc＜(Wa+Wb)。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
在将由所述第一IDT电极和第二IDT电极的电极指周期决定的波长设为λ时，Wc＜4λ。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述低声速区域内的所述第一IDT电极和第二IDT电极的形状被设为弹性波的传播速度变得比所述中央区域慢的形状。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10097158B2 (en) 2014-10-16 2018-10-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and duplexer
JP6411295B2 (ja) * 2014-10-16 2018-10-24 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタ、及び分波器
WO2017086004A1 (ja) 2015-11-17 2017-05-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP6421748B2 (ja) * 2015-12-25 2018-11-14 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6509151B2 (ja) * 2016-03-11 2019-05-08 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2018003338A1 (ja) * 2016-06-27 2018-01-04 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
KR102132777B1 (ko) * 2016-09-13 2020-07-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN110024286B (zh) * 2016-11-22 2024-02-06 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置
WO2018116602A1 (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN110140295B (zh) * 2017-01-13 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP6935220B2 (ja) * 2017-04-13 2021-09-15 太陽誘電株式会社 弾性波素子、フィルタおよびマルチプレクサ
US10873313B2 (en) * 2017-09-01 2020-12-22 Skyworks Solutions, Inc. Piston mode lamb wave resonators
WO2019065666A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6816834B2 (ja) * 2018-01-12 2021-01-20 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
CN108155916A (zh) * 2018-01-31 2018-06-12 深圳市盛路物联通讯技术有限公司 射频信号接收电路、电路板、芯片及终端
DE102018131952A1 (de) * 2018-12-12 2020-06-18 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator mit unterdrückter Anregungtransversaler Spaltmoden und verringerten transversalen Moden
CN113994594A (zh) * 2019-06-24 2022-01-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
US11811392B2 (en) 2019-10-23 2023-11-07 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using selective dielectric removal
US11870421B2 (en) 2019-10-23 2024-01-09 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave resonator with suppressed transverse modes using second bus bar
DE102019132304B4 (de) * 2019-11-28 2021-11-18 RF360 Europe GmbH Akustische Oberflächenwellen-Resonator-Kaskade
JP7188402B2 (ja) * 2020-01-31 2022-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2023090172A1 (ja) * 2021-11-18 2023-05-25 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347897A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 横結合二重モードｓａｗフィルタ
CN1855713A (zh) * 2005-04-28 2006-11-01 富士通媒体部品株式会社 表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器
CN101902211A (zh) * 2009-05-27 2010-12-01 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN102684639A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 特里奎恩特半导体公司 使微调影响和活塞波型不稳定性最小化的声波导器件和方法
CN102714490A (zh) * 2010-01-25 2012-10-03 埃普科斯股份有限公司 具有通过横向发射减小的损耗和通过抑制横向模态改善的性能的电声转换器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600710A (en) * 1968-08-12 1971-08-17 Zenith Radio Corp Acoustic surface wave filter
JPS59131213A (ja) * 1982-07-26 1984-07-28 Toyo Commun Equip Co Ltd 高周波狭帯域多重モ−ド・フイルタ
JP3226472B2 (ja) * 1996-05-14 2001-11-05 富士通株式会社 弾性表面波多重モードフィルタ
JPH10303682A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波共振器及び共振器形弾性表面波フィルタ
JPH11225038A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3890740B2 (ja) * 1998-04-10 2007-03-07 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波導波路構造及びそれを用いたデバイス
DE10331323B4 (de) * 2003-07-10 2013-09-05 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Wandler mit Unterdrückung transversaler Moden
DE102005061800A1 (de) * 2005-12-23 2007-06-28 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Wandler und Filter mit dem Wandler
US8294331B2 (en) 2009-09-22 2012-10-23 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave guide device and method for minimizing trimming effects and piston mode instabilities
US7939989B2 (en) 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347897A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 横結合二重モードｓａｗフィルタ
CN1855713A (zh) * 2005-04-28 2006-11-01 富士通媒体部品株式会社 表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器
CN101902211A (zh) * 2009-05-27 2010-12-01 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN102714490A (zh) * 2010-01-25 2012-10-03 埃普科斯股份有限公司 具有通过横向发射减小的损耗和通过抑制横向模态改善的性能的电声转换器
CN102684639A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 特里奎恩特半导体公司 使微调影响和活塞波型不稳定性最小化的声波导器件和方法

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Publication number Publication date
US20160336919A1 (en) 2016-11-17
CN105940605A (zh) 2016-09-14
KR101924025B1 (ko) 2018-11-30
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US9998092B2 (en) 2018-06-12
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