CN1855713A - 表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器 - Google Patents

表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器 Download PDF

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Abstract

表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器。多模式型表面声波滤波器包括压电基板以及形成在该压电基板上的多个叉指型换能器组，所述多个叉指型换能器组各自具有串联连接的多个叉指型换能器，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合。所述多个叉指型换能器组的多个叉指型换能器中的相邻叉指型换能器之间的相邻电极指包括连接到一个叉指型换能器组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个叉指型换能器组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。

Description

表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器
技术领域
本发明总体上涉及表面声波滤波器和使用该表面声波滤波器的双工器，更具体地，涉及一种其中将一个IDT(叉指型换能器)分为串联连接的多个IDT的表面声波滤波器和使用这种滤波器的双工器。
背景技术
近来，在诸如便携电话的无线电设备的RF电路中已经应用了表面声波装置的滤波器。表面声波装置的滤波器(以下称为SAW滤波器)可以是发送滤波器、接收滤波器、或者配备有封装为单个装置的发送滤波器和接收滤波器的天线双工器。
图1是在便携电话中使用的常规天线双工器的框图。经由发送端子13施加的发送信号通过发送滤波器16，并经由天线端子14输出。经由天线端子14接收的接收信号通过匹配电路12和接收滤波器11，并经由接收端子15输出。
在日本特开2003-249842号公报(以下称为文献1)的图6和日本特开2004-194269号公报(以下称为文献2)的图30中公开了天线双工器。这些天线双工器具有由梯形SAW滤波器形成的发送滤波器，以及由多模式(multimode)型SAW滤波器形成的接收滤波器。发送滤波器可能接收强电力，因此由具有高耐电性的SAW滤波器形成。接收滤波器需要具有很高的带外衰减和陡峻的截止特性，因此由多模式型SAW滤波器形成。
例如，在文献2的图5中公开了多模式型SAW滤波器的基本结构，其包括形成在压电基板上的一对反射器、输入IDT(由梳状电极构成)和输出IDT。输入IDT和输出IDT插在所述一对反射器之间。向输入IDT施加驱动电压，得到的SAW在反射器之间传播。在反射器之间存在多个驻波。在输出IDT出现与驻波的频率对应的电压。多模式型SAW滤波器起到带通滤波器的作用。
然而，文献1和2中公开的双工器具有以下问题。参照图1，经由发送端子13施加的发送信号的输入功率通过发送滤波器16，如实线箭头所示地到达天线端子14。然而，如虚线箭头所示，一些输入功率作为泄漏功率通过匹配电路12并到达接收滤波器11。多模式型SAW滤波器的耐电性差，泄漏功率可能破坏接收滤波器，或者可能导致接收滤波器11的非线性。这使接收灵敏度劣化。
发明内容
鉴于上述情况做出了本发明，并且本发明的目的是提供改进了耐电性并抑制了非线性的多模式型SAW滤波器、以及使用这种多模式型SAW滤波器的天线双工器。
根据本发明的一方面，提供了一种多模式型SAW滤波器，其包括：压电基板；以及形成在压电基板上的多个IDT组，所述多个IDT组各自具有串联连接的多个IDT，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，所述多个IDT组的多个IDT中的相邻IDT之间的相邻电极指包括：连接到一个IDT组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个IDT组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
根据本发明的另一方面，提供了一种多模式型SAW滤波器，其包括：压电基板；并联连接并且形成在压电基板上的多个滤波器；所述多个滤波器中的每一个包括：形成在压电基板上的多个IDT组，所述多个IDT组各自具有串联连接的多个IDT，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，所述多个IDT组的多个IDT中的相邻IDT之间的相邻电极指包括：连接到一个IDT组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个IDT组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
根据本发明的另一方面，提供了一种多模式型SAW滤波器，其包括：第一滤波器；以及第一滤波器之后的并且为一多模式型SAW滤波器的第二滤波器，第一滤波器包括：形成在压电基板上的多个IDT组，所述多个IDT组各自具有串联连接的多个IDT，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，所述多个IDT组的多个IDT中的相邻IDT之间的相邻电极指包括：连接到一个IDT组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个IDT组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
根据本发明的另一方面，提供了一种天线双工器，包括：连接到一公共端子的发送滤波器；以及连接到该公共端子的接收滤波器，接收滤波器包括：压电基板；以及形成在压电基板上的多个IDT组，所述多个IDT组各自具有串联连接的多个IDT，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，所述多个IDT组的多个IDT中的相邻IDT之间的相邻电极指包括：连接到一个IDT组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个IDT组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
附图说明
根据以下附图来详细说明本发明的优选实施例，在附图中：
图1是在便携电话中使用的常规天线双工器的框图；
图2A示出了作为一种多模式型SAW滤波器的常规双模式型SAW(DMS)滤波器；
图2B示出了对比多模式SAW滤波器；
图3A示出了第一对比滤波器的带通特性；
图3B是图3A所示的圆圈包围的部分的放大图；
图4示出了本发明的第一实施例的结构；
图5A是仿真滤波器的通带的频率特性的曲线图；
图5B是图5A所示的圆圈包围的部分的放大图；
图6示出了第一实施例的第一变型例；
图7示出了第一实施例的第二变型例；
图8示出了第一实施例的第三变型例；
图9示出了第一实施例的第四变型例；
图10示出了第一实施例的第五变型例；
图11示出了第一实施例的第六变型例；
图12示出了第一实施例的第七变型例；
图13示出了第一实施例的第八变型例；
图14示出了第一实施例的第九变型例；
图15示出了本发明的第二实施例；
图16示出了本发明的第三实施例；
图17示出了本发明的第四实施例；
图18示出了根据本发明第五实施例的天线双工器；
图19A示出了交叉调制测试的环境；
图19B示出了交叉调制测试中的测试频率的条件；
图20示出了在接收端子观察到的干扰波的频谱；
图21示出了交叉调制测试中评估的天线双工器；
图22示出了交叉调制测试中评估的另一天线双工器；
图23示出了交叉调制测试的结果；
图24A和24B示出了交叉调制测试评估的天线双工器的通带特性；
图25示出了本发明的第六实施例；以及
图26示出了本发明的第七实施例。
具体实施方式
根据本发明的一方面，在输入或输出电极与接地电极之间设置有通过浮置导体串联连接的多个IDT。根据该设置，可以改进多模式型SAW的耐电性。
图2A示出了作为一种多模式型SAW滤波器的常规双模式型SAW(DMS)滤波器。参照图2A，在压电基板10上的反射器20a与20b之间，沿SAW传播方向并排设置有三个IDT 21a、21b和21c。中央IDT 21b的输入/输出电极22b连接到输入端子22，左IDT 21a和右IDT 21c的输入/输出电极22a和22c分别连接到输出端子。IDT 21a、21b和21c的接地电极23a、23b和23c连接到地。符号AP代表孔径长度，孔径长度是接地电极和输入/输出电极的电极指的交错部分的长度。
图2B示出了对比多模式SAW滤波器，其为具有多个IDT组的双模式型SAW滤波器，每个IDT组都具有串联连接的多个IDT。参照图2B，在反射器30a与30b之间，在SAW传播方向上并排设置有IDT组31a、31b和31c。IDT组31a具有串联连接的IDT 32a和33a。IDT 32a由输入/输出电极34a和浮置导体35a组成。IDT 33a由浮置导体35a和接地电极36a组成。类似地，IDT组31b具有串联连接的IDT 32b和33b。IDT 32b由输入/输出电极34b和浮置导体35b组成。IDT 33b由浮置导体35b和接地电极36b组成。类似地，IDT组31c具有串联连接的IDT 32c和33c。IDT 32c由输入/输出电极34c和浮置导体35c组成。IDT 33c由浮置导体35c和接地电极36c组成。输入/输出电极与浮置导体之间的孔径长度表示为AP1，浮置导体与接地电极之间的孔径长度表示为AP2。
为了将图2A所示的常规DMS滤波器替换为图2B所示的对比DMS滤波器，对比DMS滤波器具有与常规DMS滤波器的输入/输出阻抗相同的输入/输出阻抗。为了实现该阻抗关系，优选地，对比DMS滤波器的IDT组31a、31b和31c的合成静电电容分别等于IDT 21a、21b和21c的合成静电电容。
在对比DMS滤波器的IDT组中，假定将具有孔径长度AP1的上IDT的静电电容表示为C1，将具有孔径长度AP2的下IDT的静电电容表示为C2。各个IDT组的合成静电电容表示为1/(1/C1+1/C2)。假定IDT的静电电容与孔径长度成比例，为了实现IDT的静电电容等于IDT组的静电电容的关系，应该满足以下等式：
AP1×AP2＝(AP1+AP2)×AP    (1)
串联分段定义为将一个IDT转换为由串联连接的多个IDT组成的IDT组的方式。在图2b所示的对比滤波器中，AP1＝1.5×AP且AP2＝3×AP。施加到对比滤波器的上IDT的电压等于施加到常规滤波器的IDT的电压的0.66倍，即，AP2/(AP1+AP2)＝0.66。施加到对比滤波器的下IDT的电压等于施加到常规滤波器的IDT电压的0.33倍，即，AP1/(AP1+AP2)＝0.33。
当如上所述地减小施加到IDT的电压时，可以减小IDT中的单位面积SAW强度。这改进了耐电性并抑制了非线性。
本发明者在上述表达式(1)的范围内改变对比滤波器的孔径长度AP1和AP2，并研究其带通特性。图3A示出了AP1＝1.5AP且AP2＝3.0AP的第一对比滤波器、AP1＝1.8AP且AP2＝2.25AP的第二对比滤波器、以及AP1＝2.0AP且AP2＝2.0AP的第三对比滤波器的带通特性，以及常规滤波器的带通特性。图3B是图3A所示的被圆圈包围的部分(其中出现凹陷)的放大图。
在对比示例中，凹陷在大约1,926MHz增加插入损耗。凹陷随着孔径长度AP1增大而增大。在按串联分段设置的上IDT与下IDT之间施加等于常规滤波器中所使用电压的一半的电压的第三对比滤波器中，可以获得对耐电性的最大改进和对非线性的最大抑制。然而，图3A和3B示出了第三对比滤波器具有很大的凹陷。在通带中存在凹陷的情况下，在诸如便携电话的不同信道中可能获得不同的接收灵敏度。这阻止了按均等的服务提供使用。考虑以上因素，无法使用具有最小凹陷的第一对比滤波器。
通带中的凹陷是由浮置导体35a、35b和35c之间的静电电容而导致的。例如，IDT组31a的浮置导体35a与IDT组31b的浮置导体35b之间的静电电容主要形成在浮置导体35a的较接近(面对)IDT组31b的电极指与浮置导体35b的较接近(面对)IDT组31a的电极指之间。根据本发明的一方面，提供了一种具有串联连接的多个IDT的多模式型SAW滤波器，其中可以减小浮置导体之间的静电电容。
(第一实施例)
图4示出了第一实施例的结构，其为示例性双模式型SAW滤波器，双模式型SAW滤波器是一种多模式型SAW滤波器，并具有其中多个IDT串联连接的IDT组。参照图4，在形成在压电基板10上的反射器40与45之间沿着SAW传播方向设置有IDT组41、42和43。
IDT组41具有串联连接的IDT 51和56。IDT 51由输入/输出电极61和浮置导体71组成。IDT 56由接地电极66和浮置导体71组成。即，IDT组41被构造为使得IDT 51和56通过浮置导体71串联连接。类似地，IDT组42具有由输入/输出电极62和浮置导体72组成的IDT 52、以及由接地电极67和浮置导体72组成的IDT 57。IDT 52和57通过浮置导体72串联连接。IDT组43具有由输入/输出电极63和浮置导体73组成的IDT 53、以及由接地电极68和浮置导体73组成的IDT 58。IDT 53和58通过浮置导体73串联连接。在各个IDT组中，输入/输出电极和接地电极通过浮置导体串联连接。
上IDT是沿SAW传播方向设置的IDT 51(第一IDT)、IDT 52(第二IDT)和IDT 53(第三IDT)。下IDT是IDT 56(第一IDT)、IDT 57(第二IDT)和IDT 58(第三IDT)。IDT组42的IDT输入/输出电极62连接到输入端子，IDT组41和43的输入/输出电极61和63连接到输出端子。接地电极66、67和68连接到接地端子。压电基板10可以是LiNbO3基板或LiTaO3，输入/输出电极、接地电极和浮置导体可以由A1制成。
当向输入端子(即，IDT组42)施加输入信号时，在反射器40与45之间激励的SAW向这些反射器传播，从而在反射器40与45之间出现多个驻波。在IDT组41的IDT 51与56之间、以及IDT组43的IDT 53与58之间，出现与驻波的频率对应的电压。这样，只有与驻波对应的期望频率可以输出到输出端子。即，根据第一实施例的DMS起到带通滤波器的作用。
在IDT组41和42中，IDT 51的浮置导体71的电极指74a最接近IDT 52。IDT 52的输入/输出电极62的电极指65a最接近IDT 51。IDT 56的浮置导体71的电极指75a最接近IDT 57。IDT 57的接地电极67的电极指69a最接近IDT 56。在IDT组42和43中可以获得与IDT 51和52的关系相同的关系。
如上所述，在相邻IDT之间的相邻电极指之一连接到浮置导体的情况下，另一个电极指连接到并非浮置导体的导体(输入/输出电极或接地电极)。这样，在浮置导体71与72之间设置有输入/输出电极或接地电极的电极指，从而可以减小浮置导体71与72之间的静电电容。因此，可以抑制通带中的凹陷，如稍后详细说明。
随着连接浮置导体71、72和73各自的电极指的连接线变短，浮置导体71、72和73之间的静电电容变小。优选地，连接线的长度等于或小于IDT的电极间距或周期的五倍。
在图4所示的IDT 51中，浮置导体71除了电极指74a之外还具有电极指74b。电极指74b在SAW传播方向上邻近电极指74a。类似地，在IDT 56中，浮置导体71除了电极指75a之外还按如下方式具有电极指75b：电极指75a与75b在SAW传播方向上相邻。即，位于相邻IDT之间的两种相邻电极指之一由多个处于相同电势的相邻电极指组成。换句话说，在IDT 51(第一IDT)与IDT 52(第二IDT)之间设置有处于相同电势的多个电极指74a和74b，在IDT 52(第二IDT)与IDT 53(第三IDT)之间设置有处于相同电势的多个电极指78a和78b。
在形成多模式型SAW滤波器的所有IDT的每一个中，输入/输出电极和接地电极都通过浮置导体串联连接。因此，可以改进耐电性并有效抑制非线性。电极指74a和74b连接到处于与输入/输出电极61和接地电极66的电势不同的电势的导体71，电极指78a和78b连接到处于与输入/输出电极63和接地电极68的电势不同的电势的导体73。因此，可以加宽通带范围。
IDT 51和52在SAW传播方向上彼此相邻。处于相同电势的多个电极指74a和74b连接到浮置导体71。类似地，处于相同电势的多个电极指75a和75b连接到浮置导体71。
各个IDT组中的串联连接的IDT的两个电极指图案关于沿着SAW传播方向延伸的轴具有镜面对称性。例如，IDT组41的IDT 51和IDT 56关于线A-A具有镜面对称性。即，输入/输出电极61和接地电极66关于线A-A具有镜面对称性，浮置导体71关于线A-A具有镜面对称性。
连接到输出端子的输入/输出电极61和63设置在图4的上侧，连接到输入端子的输入/输出电极62设置在图4的上侧。接地电极66、67和68设置在图4的下侧。即，连接到输出端子的输入/输出电极61和63以及连接到输入端子的输入/输出电极62设置在相同方向。因此，可以增大输入端子与输出端子之间的耦合电容，并改进带外抑制。
IDT 51、52和53的孔径长度AP1以及输入IDT 56、57和58的孔径长度AP2等于2.0×AP。按照该设置，耐电性得到最大改进且非线性得到最大抑制。
本发明者对图2A所示的常规滤波器、图2B所示的AP1＝AP2＝2×AP的对比滤波器、以及图4所示的AP1＝AP2＝2×AP的第一实施例的通带特性进行仿真。在图5A和5B示出了仿真结果。图5A是仿真滤波器的通带频率特性的曲线图，图5B是图5A所示的圆圈包围的部分的放大图。
如在图3A和3B的情况那样，在对比滤波器中，在大约1,926MHz出现增大插入损耗的凹陷。相反，在第一实施例中不发生凹陷。这是因为第一实施例能够抑制浮置导体71与72之间的静电电容以及浮置导体72与73之间的静电电容。因此，使得具有多个IDT组(各个IDT组具有串联连接的多个IDT)的多模式型SAW滤波器可以具有AP1＝AP2的关系，这导致最大地改进了耐电性并且最大地抑制了非线性而不降低滤波器特性。因此，可以改进耐电性和非线性而不降低滤波器特性。优选地，应当满足AP1＝AP2。然而，不一定要满足AP1＝AP2。即使在AP1不等于AP2时，也可以实现没有凹陷的滤波器特性。
不但可以通过第一实施例来减小相邻IDT的浮置导体之间的静电电容，而且可以通过第一实施例的变型例来减小相邻IDT的浮置导体之间的静电电容。现在，说明这些变型例。
图6示出了第一实施例的第一变型例，其与第一实施例的不同之处在于浮置导体71a、72a和73a与浮置导体71、72和73不同。该变型例的其他结构与第一实施例的其他结构相同。在相邻IDT 51和52中，IDT51的邻近IDT 52的电极指是输入/输出电极61的电极指64a，IDT 52的邻近IDT 51的电极指是浮置导体72a的电极指76a。类似地，在相邻IDT56和57中，IDT 56的邻近IDT 57的电极指是接地电极66的电极指69b，IDT 57的邻近IDT 56的电极指是浮置导体72a的电极指77a。此外，电极指77b连接到浮置导体72a并被设置为靠近电极指77a。IDT组42和43的相邻电极指具有与以上关系类似的关系。
以上述方式，处于相同电势的多个电极指可以连接到IDT组42的浮置导体72a。在处于相同电势并位于IDT 51(第一IDT)和IDT 52(第二IDT)之间的多个电极指76a和76b之间、以及处于相同电势并位于IDT 52(第二IDT)和IDT 53(第三IDT)之间的多个电极指78c和78d之间进行互相连接。
图7示出了第一实施例的第二变型例，其与第一实施例的不同之处在于浮置导体71b、72b和73b具有与第一实施例的浮置导体不同的结构。在相邻的IDT 51和52中，IDT 51的邻近IDT 52的电极指是浮置导体71b的电极指74c，附加地设置有靠近电极指74c的电极指74d。IDT 52的邻近IDT 51的电极指是输入/输出电极的电极指65a。类似地，在相邻的IDT 56和57中，IDT 56的邻近IDT 57的电极指是接地电极66的电极指69b，IDT 57的邻近IDT 56的电极指是浮置导体72b的电极指77c，附加地设置有靠近电极指77c的电极指77d。IDT组42和43的相邻电极指具有与上述关系类似的关系。如上所述，位于输入/输出侧并处于相同电势的多个电极指可以连接到相对侧的浮置导体71b和73b，位于接地侧并处于相同电势的多个电极指可以连接到中央浮置导体72b。
图8示出了第一实施例的第三变型例，其具有如下设置：串联连接的多个IDT中的两个IDT的电极指图案在垂直于SAW传播方向的方向上平行移动。IDT 56、57和58具有通过在垂直于SAW传播方向的方向上平行移动IDT 51、52和53而获得的电极图案。即，接地电极66a具有通过平行移动浮置导体71c的上部而获得的电极图案，浮置导体71c的下部具有通过移动输入/输出电极61而获得的电极图案。类似地，接地电极67a具有通过移动浮置导体72c的上部而获得的电极图案，浮置导体72c的下部具有通过平行移动输入/输出电极62而获得的电极图案。接地电极68c具有通过平行移动浮置导体73c的上部而获得的电极图案，浮置导体73c的下部具有通过平行移动输入/输出电极63而获得的电极图案。
根据以上设置，在相邻的IDT 51和52中，IDT 51的邻近IDT 52的电极指是浮置导体71c的电极指74e，附加地设置有接近电极指74e电极指74f。IDT 52的邻近IDT 51的电极指是输入/输出电极52的电极指65a。类似地，在相邻的IDT 56和57中，IDT 56的邻近IDT 57的电极指是接地电极66a的电极指69c，IDT 57的邻近IDT 56的电极指是浮置导体72c的电极指77e。如IDT 56的情况一样，处于相同电势的多个电极指69c和69d连接到接地电极66a。这表示处于相同电势的多个电极指可以连接到并非浮置导体的导体，只要该导体位于与所述多个电极指的电势相等的电势。
图9示出了第一实施例的第四变型例。第四变型例具有通过连接线46将接地电极66、67和68连接在压电基板10上的设置。第四变型例的其他结构与第一实施例的结构相同。应当注意，IDT的接地电极一起连接在压电基板上。这使得很容易控制增加到连接到输入端子的IDT组42以及连接到输出端子的IDT组41和43的公共地电感。
图10示出了第一实施例的第五变型例。接地电极66、67和68合成为一体，接地电极66、67和68的电极指直接连接到单个接地汇流条(busbar)47。接地汇流条47是电极指直接连接到的直线形电极。IDT 56、57和58的接地电极的所有电极指都连接到该单个汇流条，第五变型例的其他结构与第一实施例的结构相同。因此，可以使得很容易控制增加到连接到输入端子的IDT组42和连接到输出端子的IDT 41和43的公共地电感。
图11示出了第一实施例的第六变型例，其中连接到输出端子的输入/输出电极61a和63a设置在与设置有连接到输入端子的输入/输出电极62的方向不同的方向。IDT组42具有下段IDT 57以及上段IDT 52，IDT57具有接地电极67和浮置导体72，IDT 52具有连接到输入端子的输入/输出电极和浮置导体72。相反，IDT组41和43具有下段IDT 51a和53a以及上段IDT 56a和58a，IDT 51a和53a分别具有连接到输出端子的输入/输出电极61a和63a以及浮置导体71和73，IDT 56a和58a分别具有接地电极66b和68b以及浮置导体71和73。第六实施例的其他结构与第一实施例的结构相同。根据以上设置，可以改进耐电性并抑制非线性。
图12示出了第一实施例的第七变型例。关于位于相对侧的IDT组41和43，IDT 51的输入/输出电极61和IDT 53的输入/输出电极63连接到输入端子，IDT组42的IDT 52的输入/输出端子62连接到输出端子。第七变型例的其他结构与第一实施例的结构相同。与第一实施例相比，第一变型例更多地改进了耐电性并且更多地抑制了非线性。
图13示出了第一实施例的第八变型例，其中去除了浮置导体的连接线。在反射器40a与45a之间在SAW传播方向上设置有IDT组41a、42a和43a。IDT组41a具有输入/输出电极61和接地电极66，浮置导体的电极指79插在电极61与66的电极指之间。类似地，IDT组42a具有输入/输出电极62和接地电极67，浮置导体的电极指79插在电极62与67的电极指之间。IDT组43a具有输入/输出电极63和接地电极68，浮置导体的电极指79插在电极63与68的电极指之间。此外，在输入/输出电极61与62以及接地电极66与67之间设置有用作浮置导体的两个电极指79以运作。类似地，在输入/输出电极62与63以及接地电极67与68之间设置有用作浮置导体的两个电极指79以运作。第八变型例的其他结构与第一实施例的结构相同。除去浮置导体的连接线进一步抑制了通带中的凹陷。
图14示出了第一实施例的第九变型例，其中在相邻IDT的相邻的浮置导体的连接线之间设置有电极指，该电极指不连接到上述连接线。第九变型例的其他结构与第一实施例的结构相同。在IDT 51和56的浮置导体71的连接线48a与IDT 52和57的浮置导体72的连接线48b之间设置有电极指65b和69e。此外，电极指65b连接到输入/输出电极62b，电极指69e连接到接地电极67b。即，电极指65b和69e不连接到浮置导体71和72，而与其隔离。IDT组42和43的连接线48b和48c具有与上述关系相同的关系。即，在两个相邻的串联连接IDT的相邻浮置导体的连接线之间设置有电极指，这些电极指不连接到上述连接线。因此，可以减小连接线48a与48b之间以及连接线48b与48c之间的静电电容。更具体地，可以减小浮置导体71与72之间的静电电容以及浮置导体72与73之间的静电电容。因此，可以进一步抑制通带中的凹陷。
第一实施例及其变型例是示例性的DMS滤波器。然而，本发明并不限于DMS滤波器，而是可以包括在SAW传播方向上设置有多个IDT组的多模式SAW滤波器。即使多模式SAW滤波器也具有与以上优点类似的优点。处于相同电势的电极指的数量并不限于两个，而是可以使用多于两个的任意数量的电极指以获得类似的优点。
(第二实施例)
本发明的第二实施例是具有串联连接的三个IDT的示例性滤波器。图15是第二实施例的顶视图。三个IDT组131a、131b和131c设置在压电基板10上，并位于也设置于压电基板10上的反射器130a与130b之间。IDT组131a具有串联连接的IDT 132a、133a和134a。IDT 132a具有输入/输出电极135a和浮置导体137a。IDT 133a具有浮置导体137a和另一浮置导体138a。IDT 134a具有接地电极136a和浮置导体138a。类似地，IDT组131b具有串联连接的IDT 132b、133b和134b。IDT 132b具有输入/输出电极135b和浮置导体137b。IDT 133b具有浮置导体137b和另一浮置导体138b。IDT 134b具有接地电极136b和浮置导体138b。IDT组131c具有串联连接的IDT 132c、133c和134c。IDT 132c具有输入/输出电极135c和浮置导体137c。IDT 134c具有浮置导体137c和另一浮置导体138c。IDT 134c具有接地电极136c和浮置导体138c。
在相邻IDT 132a和132b中，IDT 132a的邻近IDT 132b的电极指是浮置导体137a的电极指139a。IDT 132b的邻近IDT 132a的电极指是输入/输出电极135b的电极指140a。类似地，在相邻IDT 133a和133b中，IDT 133a的邻近IDT 133b的电极指是浮置导体137a的电极指139c。IDT133b的邻近IDT 133a的电极指是浮置导体138b的电极指141c。在相邻IDT 134a和134b中，IDT 134a的邻近IDT 134b的电极指是接地电极136a的电极指142a。IDT 134b的邻近IDT 134a的电极指是浮置导体138b的电极指141a。IDT组131b和131c具有与以上关系类似的关系。
中段的IDT 133a、133b和133c与上段的IDT 132a、132b和132c关于沿着SAW传播方向延伸的轴具有镜面对称关系。下段的IDT 134a、134b和134c具有通过将中段的IDT 133a、133b和133c在与SAW传播方向垂直的方向上平行移动而获得的电极图案。
如上所述，相邻IDT之间的相邻电极指中的一个连接到浮置导体，另一电极指连接到并非上述浮置导体的导体，例如输入/输出电极或接地电极。在相邻的浮置导体137a与137b之间设置有输入/输出电极135b的电极指140a，在相邻的浮置导体138a与138b之间设置有接地电极136a的电极指142a。因此，如第一实施例的情况一样，可以减小浮置导体137a与137b之间的静电电容以及浮置导体138a与138b之间的静电电容，并抑制通带中的凹陷。
靠近IDT 132a的浮置导体137a的电极指139a地附加设置其电极指139b。电极指139a和139b是邻近IDT 132b的电极指。类似地，IDT 133a的邻近IDT 133b的相邻电极指除了浮置导体137a的电极指139c之外还按如下方式包括其电极指139d：电极指139c和139d并排设置并且彼此相邻。IDT 134b的邻近IDT 134a的相邻电极指除了浮置导体138b的电极指141a之外还按如下方式包括其电极指141b：电极指141a和141b并排设置并且彼此相邻。位于相邻IDT之间的相邻电极指的两种类型之一由处于相同电势的多个相邻电极指组成。
优选地，具有串联连接的三个分解IDT的第二实施例与图2A所示的常规滤波器具有相同的阻抗。因此，优选地，IDT组131a、131b和131c的合成静电电容分别等于IDT 21a、22b和23c的静电电容。因此，优选地满足以下等式：
AP1×AP2×AP3＝(AP1×AP2+AP1×AP3+AP2×AP3)×AP
其中，AP1是上段的IDT 132a、132b和132c的孔径长度，AP2是中段的IDT 133a、133b和133c的孔径长度，AP3是下段的IDT 134a、134b和134c的孔径长度。当API＝AP2＝AP3＝3.0AP时，对各个IDT施加的电压最低。因此，可以获得对耐电性的最大改进和对非线性的最大抑制。第二实施例假定AP1＝AP2＝AP3＝3.0AP。
在具有API＝AP2＝AP3＝3.0AP的关系的第二实施例中，对各个IDT施加的电压等于对常规滤波器的各个IDT施加的电压的1/3。第一实施例中的电压等于常规电压的1/2。因此，第二实施例进一步改进了耐电性并进一步抑制了非线性。随着由于串联分段而得到的段数增大，可以进一步改进耐电性并且可以进一步抑制非线性。然而，滤波器面积增大。可以考虑滤波器的芯片面积、耐电性和非线性来确定串联分段引起的段数。
(第三实施例)
第三实施例具有根据第一实施例构造并且并联连接的四个多模式SAW滤波器。图16示出了第三实施例。图16所示的滤波器具有四个DMS滤波器91、92、93和94，这些DMS滤波器各自具有与第一实施例的第五变型例相同的结构。第三实施例的孔径长度等于第五变型例的孔径长度的1/4。DMS滤波器91、92、93和94的输入端子并联连接，并连接到公共输入端子90。DMS滤波器91到94的输出端子并联连接，并连接到公共输出端子95。如果DMS滤波器91至94各自的孔径长度等于第一实施例的第五变型例的孔径长度的1/4，则四个DMS滤波器并联连接的第三实施例将具有与第一实施例的第五变型例的输入/输出阻抗相等的输入/输出阻抗。减小到1/4的孔径长度减小了电极指的电阻和插入损耗。
在第三实施例中使用的DMS滤波器91至94并不限于第一实施例的第五变型例，而是可以具有另一结构。第三实施例中使用的DMS滤波器的数量并不限于四个，而是可以采用任意数量的DMS滤波器。随着并联连接的DMS滤波器的数量增大，可以使用减小的孔径长度，并且可以获得降低的插入损耗。然而，滤波器的尺寸变大。可以考虑滤波器尺寸和插入损耗来选择并联连接的DMS滤波器的数量。
(第四实施例)
第四实施例是通过将仅仅具有并非由串联分段形成的IDT的多模式型SAW滤波器连接到根据第三实施例构造的多模式型SAW滤波器的输出端子而构成的。图17示出了第四实施例，其具有第三实施例的第一滤波器100、以及输入端子107连接到第一滤波器100的输出端子95的第二滤波器102。第一滤波器100是第三实施例的多模式型SAW滤波器，第二滤波器102由并联连接且没有串联分段的常规DMS滤波器103、104、105和106组成。DMS滤波器103、104、105和106的输入端子连接到第二滤波器102的公共输入端子107，DMS滤波器103、104、105和106的输出端子连接到第二滤波器102的公共输出端子108。
级联第一和第二滤波器100和102，从而可以大大改进带外抑制。连接到输入端子90的第一滤波器100主要影响耐电性和非线性。由第三实施例形成的第一滤波器100改进了耐电性并抑制了非线性。第二滤波器102仅仅具有未经串联分段的IDT，占用压电基板上很小的面积。
如上所述，优选地，第二滤波器102仅具有未经串联分段的IDT。另选地，第二滤波器102可以具有诸如第三实施例的由分段形成的IDT。第一滤波器100可以是第一实施例或其任何变型例。第二实施例102可以是由一个或者并联连接的多个多模式型SAW滤波器组成的多模式型SAW滤波器。
(第五实施例)
第五实施例是应用了第四实施例的滤波器的用于便携电话的天线双工器。图18示出了第五实施例的天线双工器。该天线双工器具有由第四实施例形成的接收滤波器120a，由第一实施例的第五变型例形成的四个DMS滤波器121a并联连接并且连接到接收滤波器120a的输入滤波器。此外，接收滤波器120a包括连接到四个DMS滤波器121a的公共输出端子的四个常规DMS滤波器122a。
发送端子128连接到由梯形SAW滤波器形成的发送滤波器126的输入端子，所述梯形SAW滤波器126具有连接到天线端子125的输出端子。施加到天线端子128的发送信号施加到发送滤波器126，发送滤波器126只允许期望的频率分量从其通过。这些频率分量通过连接有天线的天线端子125而发送。天线端子125连接到匹配电路123，匹配电路123连接到接收滤波器120a的输入端子。接收滤波器120a的输出端子连接到接收端子124。通过天线端子125接收的接收信号通过匹配电路123，只有其中的期望频率分量可以通过接收滤波器120a，并施加到接收端子124。
发送滤波器126由具有高耐电性的梯形SAW滤波器形成，并因此能够经受高功率的发送信号。接收滤波器120a由本发明的多模式型SAW滤波器形成，由此可以获得很高的带外衰减和陡峻的截止特性。此外，如已经参照图1所述的，即时在来自发送滤波器126的发送信号的一部分向接收滤波器120a泄露的情况下，接收滤波器120a也具有改进的耐电性并且几乎不会被泄露功率破坏。此外，接收滤波器120a抑制了非线性并改进了接收灵敏度。
为了确认对非线性的抑制效果，发明者进行了交叉调制测试(CM测试)，CM测试是用于评估天线双工器的性能的一个因素。
图19A示出了CM测试的环境。天线双工器的框结构与图1所示的框结构相同。为了在天线端子14获得25dBm的功率，向发送端子13施加功率大且发送频率为fTx的调制信号(发送信号)。同时，向天线端子14提供-30dBm微弱的且接收频率为fTx+ΔG+Δf的非调制信号(干扰波)。然后，测量在接收端子15获得的信号频谱。
图19B示出了CM测试中的测试频率的条件。横轴代表频率，纵轴表示信号通过量。图19B中的实线表示发送滤波器16的滤波器特性，虚线表示接收滤波器11的滤波器特性。具有天线双工器的便携电话的通信系统的发送频率范围和接收频率范围分别包括在发送滤波器16和接收滤波器11的通带中。参数ΔG表示发送频率范围的中心频率与接收频率范围的中心频率之间的差(固定值)。参数Δf是针对各个通信系统而限定的信道间隔(等于几MHz)。在以上条件下，测量在接收端子15获得的干扰波的信号频谱。在CM测试中，不仅向接收滤波器11提供干扰波而且向其提供没有施加到天线端子14的一部分发送信号(泄漏功率)。
图20示出了在接收端子15观察到的干扰波的频谱。图20的横轴表示频率，纵轴表示在接收端子15测量到的输出功率(dBm)。图20中的虚线表示在没有发送信号时测量到的在接收端子15的输出功率频谱。这对应于接收滤波器11没有非线性的情况。在这种情况下，陡峻的峰仅出现在接收频率fTx+ΔG+Δf(此频率的干扰波)。相反，图20中的实线是在输入发送信号时测量到的在接收端子15的输出功率频谱。在这种情况下，如果接收滤波器11具有非线性，则泄漏功率对接收信号(干扰波)进行调制，扩宽频谱，从而不利地产生调制信号。该调制信号的频率扩展到相邻信道，接收信号fTx+ΔG可能埋藏在该调制信号中。这降低了接收灵敏度。以此方式，用调制信号的大小来评估接收滤波器11的非线性。调制信号小的接收滤波器具有小的非线性并适用于天线双工器。
除第五实施例之外，还通过CM测试来评估图21和22所示的天线双工器。图21示出了具有与第五实施例的接收滤波器不同的接收滤波器120b的常规天线双工器。图21所示的滤波器的其他结构与第五实施例的结构相同。输入端子侧的DMS滤波器121b和输出端子侧的DMS滤波器122b都是没有串联分段的常规DMS滤波器。图22所示的天线双工器(对比滤波器)具有与第五实施例的接收滤波器不同的接收滤波器120c，该天线双工器的其他结构与第五实施例的结构相同。输入端子侧的DMS滤波器121c是图2B所示的对比DMS滤波器，输出端子侧的DMS滤波器122c是图2A所示的常规DMS滤波器，其中各个IDT仅由一对梳状电极组成。
图23示出了CM测试的结果。横轴表示频率，纵轴表示在接收端子获得的输出功率。图23中的点线、断线和实线分别表示在常规滤波器、对比滤波器和第五实施例的接收端子的输出功率的频谱。在测试中使用的发送频率是发送频率范围内的最低频率。第五实施例的天线双工器对于相邻信道具有改进最大的调制信号强度。这是因为串联连接的两个IDT的孔径长度等于2.0×AP，由此可以向各个IDT施加减小的电压，并可以减小每单位面积激励的SAW强度。这使得不容易引起非线性。
图24A和24B示出了上述三个不同天线双工器的通带特性。图24B是图24A中接收频带的放大图。点线、断线和实线表示常规滤波器、对比滤波器和第五实施例的插入损耗。第五实施例的天线双工器在通带中没有凹陷，并展示与常规滤波器和对比滤波器的滤波器特性等同的滤波器特性。
从上述试验结果，确认了可以通过具有串联连接的多个IDT的接收滤波器120a的输入端子侧的DMS滤波器121a来改进天线双工器的耐电性和非线性。此外，通过DMS滤波器121a的相邻IDT之间的相邻电极指之一连接到浮置导体并且另一个连接到并非浮置导体的导体(输入/输出电极或接地电极)的设置，可以减小DMS滤波器121a的相邻浮置导体之间的静电电容，并且可以抑制天线双工器的通带的非线性。因此，可以将DMS滤波器120a的通过串联分段而串联连接的多个IDT的孔径长度设置为使得耐电性改进最大且非线性抑制最大的彼此相等(AP1＝AP2)。根据第五实施例，可以改进耐电性并抑制非线性而不降低天线双工器的滤波器特性。
在第五实施例中，将第四实施例的滤波器应用于接收滤波器120a。另选地，可以将第一实施例、其变型例、第二实施例或者第三实施例应用于接收滤波器120a，在这些情况下可以获得与以上类似的优点。
(第六实施例)
第六实施例是平衡型SAW滤波器。图25是第六实施例的顶视图。按如下方式构造第六实施例的上部：将第一实施例的第六变型例中的左手侧的浮置导体71替换为浮置导体71d，将输入/输出电极61a和63a改为浮置导体161和163。第六实施例的其他结构与第一实施例的第六变型例的结构相同。在反射器150与155之间，浮置导体161和接地电极166形成IDT 151，浮置导体163和接地电极168形成IDT 153。在IDT 151与153之间，设置有由浮置导体162以及输入/输出电极167a和167b组成的IDT 152a和152b，输入/输出电极167a和167b分别连接到平衡输出端子1和平衡输出端子2。
左手侧的浮置导体71d的仅仅一个电极指74a邻近中央的IDT 52和57。相反，右手侧的浮置导体73的两个电极指78a和78b邻近中央的IDT52。因此，分别由IDT 151和153激励的信号具有180°相差。因此，分别由IDT 152a和152b激励的信号也具有180°相差。因此，在平衡输出端子1和2获得的信号具有180°相差，从而第六实施例的滤波器起到平衡型滤波器的作用。
如在第一实施例的第六变型例的情况一样，相邻IDT之间的相邻电极指之一连接到浮置导体，另一个连接到并非该浮置导体的导体(输入/输出电极或接地电极)。因此可以减小浮置导体71d与72之间的静电电容以及浮置导体72与73之间的静电电容，并抑制通带中的凹陷。
(第七实施例)
第七实施例是平衡型SAW滤波器，其中各个IDT组由串联连接的三个IDT组成。图26示出了第七实施例，其中第二实施例的输入/输出电极135a和135c连接到输入端子，其输入/输出电极135b连接到平衡输出端子1，其接地电极134b被替换为输入/输出电极135d并连接到平衡输出端子2。第七实施例的其他结构与第二实施例的结构相同。输入/输出电极135b和浮置导体137b具有180°相差，浮置导体137b和138b具有180°相差。此外，浮置导体138b和输入/输出电极135c具有180°相差。因此，连接到输入/输出电极135b的平衡输出端子1和连接到输入/输出电极135d的平衡输出端子2具有180°相差，第七实施例的滤波器起到平衡型滤波器的作用。
如在第二实施例的情况一样，相邻IDT之间的相邻电极指之一连接到浮置导体，另一个连接到并非浮置导体的导体(输入/输出电极或接地电极)。因此，可以抑制通带中的凹陷，并且可以改进耐用性并抑制非线性，而不降低滤波器特性。
如在第六或第七实施例的情况一样，可以通过应用第一实施例、其变型例、第二、第三或第四实施例的任一个来形成平衡型SAW滤波器。因此，可以改进耐电性并抑制非线性而不降低滤波器特性。具有本发明的平衡型SAW滤波器的天线双工器具有改进的耐电性和抑制的非线性，而不降低滤波器特性。
本发明不限于具体描述的实施例及其变型例，而是可以在不脱离本发明的范围的情况下作出其他实施例和变型例。
本发明基于2005年4月28日提交的日本专利申请第2005-130988号，在此通过引用并入其全部公开内容。

Claims (23)

1、一种多模式型表面声波滤波器，包括：
压电基板；以及
形成在压电基板上的多个叉指型换能器组，所述多个叉指型换能器组各自具有串联连接的多个叉指型换能器，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，
所述多个叉指型换能器组的多个叉指型换能器中的相邻叉指型换能器之间的相邻电极指包括：连接到一个叉指型换能器组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个叉指型换能器组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
2、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，进一步包括与第一电极指和第二电极指中的一个相邻并且电势等于第一电极指和第二电极指中的所述一个的电势的第三电极指。
3、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，每一个叉指型换能器组中的所述多个叉指型换能器全部都通过插在输入/输出电极与接地电极之间的浮置导体而串联连接。
4、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述相邻叉指型换能器是沿表面声波传播方向设置的。
5、根据权利要求2所述的多模式型表面声波滤波器，其中，第一电极指和第三电极指连接到浮置导体。
6、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，每一个叉指型换能器组中的串联连接的所述多个叉指型换能器中的两个叉指型换能器的电极指图案关于沿表面声波传播方向的轴具有镜面对称性。
7、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，每一个叉指型换能器组中的串联连接的所述多个叉指型换能器中的两个叉指型换能器的电极指图案沿与表面声波传播方向垂直的方向平行地移动。
8、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，串联连接的所述多个叉指型换能器中的两个叉指型换能器具有相等的孔径长度。
9、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多个叉指型换能器组的各自连接到输入端子或者输出端子的多个输入/输出电极设置在相同方向。
10、根据权利要求9所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多个叉指型换能器组的多个接地电极连接在压电基板上。
11、根据权利要求10所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多个叉指型换能器组的所述多个接地电极的多个电极指连接到单个接地汇流条。
12、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多个叉指型换能器组的各自连接到输入端子或者输出端子的多个输入/输出电极设置在不同方向。
13、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，进一步包括设置在所述多个叉指型换能器组中的相邻叉指型换能器组的相邻的浮置导体的连接线之间并且与所述相邻浮置导体隔离的电极指。
14、根据权利要求1所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多个叉指型换能器组包括第一叉指型换能器组、第二叉指型换能器组和第三叉指型换能器组，所述第一叉指型换能器组、第二叉指型换能器组和第三叉指型换能器组具有沿表面声波传播方向并排设置的第一叉指型换能器、第二叉指型换能器和第三叉指型换能器。
15、根据权利要求14所述的多模式型表面声波滤波器，进一步包括第一叉指型换能器与第二叉指型换能器之间的处于相同电势的多个电极指、以及第二叉指型换能器与第三叉指型换能器之间的处于相同电势的多个电极指。
16、根据权利要求15所述的多模式型表面声波滤波器，其中，第一叉指型换能器与第二叉指型换能器之间的处于相同电势的所述多个电极指彼此连接，第二叉指型换能器与第三叉指型换能器之间的处于相同电势的所述多个电极指彼此连接。
17、根据权利要求15所述的多模式型表面声波滤波器，其中，第一叉指型换能器与第二叉指型换能器之间的处于相同电势的所述多个电极指连接到一导体，第二叉指型换能器与第三叉指型换能器之间的处于相同电势的所述多个电极指连接到处于与所述导体的电势不同的电势的另一导体。
18、根据权利要求14所述的多模式型表面声波滤波器，其中，第一叉指型换能器和第三叉指型换能器的输入/输出电极连接到输入端子，第二叉指型换能器的输入/输出电极连接到输出端子。
19、一种多模式型表面声波滤波器，包括：
压电基板；
并联连接并且形成在压电基板上的多个滤波器；
所述多个滤波器中的每一个包括：
形成在压电基板上的多个叉指型换能器组，所述多个叉指型换能器组各自具有串联连接的多个叉指型换能器，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，
所述多个叉指型换能器组的多个叉指型换能器中的相邻叉指型换能器之间的相邻电极指包括：连接到一个叉指型换能器组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个叉指型换能器组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
20、一种多模式型表面声波滤波器，包括：
第一滤波器；以及
第一滤波器之后的第二滤波器，其为一多模式型表面声波滤波器，
第一滤波器包括：
形成在压电基板上的多个叉指型换能器组，所述多个叉指型换能器组各自具有串联连接的多个叉指型换能器，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，
所述多个叉指型换能器组的多个叉指型换能器中的相邻叉指型换能器之间的相邻电极指包括：连接到一个叉指型换能器组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个叉指型换能器组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
21、根据权利要求20所述的多模式型表面声波滤波器，其中，第二滤波器包括各自仅由一对梳状电极组成的多个叉指型换能器。
22、根据权利要求1至21中的任一项所述的多模式型表面声波滤波器，其中，所述多模式型表面声波滤波器是平衡型滤波器。
23、一种天线双工器，包括：
连接到一公共端子的发送滤波器；以及
连接到该公共端子的接收滤波器，
接收滤波器包括：
压电基板；以及
形成在压电基板上的多个叉指型换能器组，所述多个叉指型换能器组各自具有串联连接的多个叉指型换能器，其中输入/输出电极和接地电极通过浮置导体耦合，
所述多个叉指型换能器组的多个叉指型换能器中的相邻叉指型换能器之间的相邻电极指包括：连接到一个叉指型换能器组中的浮置导体的第一电极指、以及连接到另一个叉指型换能器组中的输入/输出电极和接地电极中的一个的第二电极指。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017406A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 京瓷株式会社 声表面波装置和使用该装置的通信装置
CN102754341A (zh) * 2010-02-09 2012-10-24 京瓷株式会社 弹性波装置
CN103138032A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 太阳诱电株式会社 双工器
CN105940605A (zh) * 2014-02-04 2016-09-14 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106797206A (zh) * 2014-10-21 2017-05-31 株式会社村田制作所 弹性波谐振器以及梯型滤波器
CN108631813A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 株式会社村田制作所 前端模块
CN109478874A (zh) * 2016-07-29 2019-03-15 追踪有限公司 具有减少的板模式的电声滤波器

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2219292B1 (en) * 2006-04-06 2012-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Duplexer
JP4244057B2 (ja) * 2006-08-30 2009-03-25 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
JP4290199B2 (ja) * 2007-01-11 2009-07-01 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタ
US8791773B2 (en) 2008-11-28 2014-07-29 Kyocera Corporation Surface acoustic wave filter and duplexer
DE102009032840B4 (de) * 2009-07-13 2015-02-05 Epcos Ag SAW-Filterschaltung mit verbesserter ESD-Festigkeit
JP5340112B2 (ja) * 2009-10-28 2013-11-13 京セラ株式会社 弾性表面波装置
WO2011092876A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 株式会社村田製作所 分波器
JP5776243B2 (ja) 2011-03-18 2015-09-09 日本電波工業株式会社 弾性波フィルタ
US9576735B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-21 Globalfoundries Inc. Vertical capacitors with spaced conductive lines
US10097158B2 (en) * 2014-10-16 2018-10-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and duplexer
CN114039575A (zh) * 2016-01-29 2022-02-11 京瓷株式会社 弹性波谐振器、弹性波滤波器、分波器及通信装置
JP6465047B2 (ja) * 2016-02-19 2019-02-06 株式会社村田製作所 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
RU201785U1 (ru) * 2020-08-24 2021-01-13 Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") Веерный фильтр на поверхностных акустических волнах
RU208596U1 (ru) * 2021-08-04 2021-12-27 Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") Трехпреобразовательный веерный фильтр на поверхностных акустических волнах

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1413916A (en) * 1973-09-17 1975-11-12 Mullard Ltd Acoustic surface-wave devices
JPS57119509A (en) * 1981-01-19 1982-07-26 Toshiba Corp Surface acoustic wave resonator
GB2117992B (en) * 1982-03-24 1985-09-18 Philips Electronic Associated Parallel-series acoustic wave device arrangement
JPH06268476A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Murata Mfg Co Ltd ２段接続型多電極弾性表面波装置
JPH0774584A (ja) * 1993-09-01 1995-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US5365138A (en) * 1993-12-02 1994-11-15 Northern Telecom Limited Double mode surface wave resonators
JPH098599A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードｓａｗフィルタ
JP3292071B2 (ja) * 1996-12-09 2002-06-17 松下電器産業株式会社 弾性表面波デバイス
JP2950368B2 (ja) * 1996-12-18 1999-09-20 日本電気株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2878671B2 (ja) 1997-10-20 1999-04-05 和彦 山之内 弾性表面波デバイス及び弾性表面波フィルタ
JP2000323953A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Toyo Commun Equip Co Ltd 横結合二重モード圧電フィルタ
DE19938748B4 (de) * 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP2002204139A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
DE10057848B4 (de) * 2000-11-22 2014-01-02 Epcos Ag Reaktanzfilter mit verbesserter Leistungsverträglichkeit
JP3780408B2 (ja) * 2001-01-26 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3520420B2 (ja) * 2001-04-09 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP4734751B2 (ja) 2001-04-16 2011-07-27 エプソントヨコム株式会社 平衡型弾性表面波フィルタ
JP3833569B2 (ja) 2001-12-21 2006-10-11 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及びこれを用いた電子装置
JP4049612B2 (ja) * 2002-04-19 2008-02-20 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
JP3764731B2 (ja) * 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器
CN1497846A (zh) * 2002-10-18 2004-05-19 富士通媒体部品株式会社 多模表面声波滤波器器件和双工器
JP3622758B2 (ja) * 2003-03-28 2005-02-23 松下電器産業株式会社 弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、及びアンテナ共用器
JP2004328387A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP4303178B2 (ja) * 2004-08-31 2009-07-29 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017406A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 京瓷株式会社 声表面波装置和使用该装置的通信装置
CN102754341A (zh) * 2010-02-09 2012-10-24 京瓷株式会社 弹性波装置
CN102754341B (zh) * 2010-02-09 2015-09-02 京瓷株式会社 弹性波装置
CN103138032A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 太阳诱电株式会社 双工器
US9240768B2 (en) 2011-11-22 2016-01-19 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer with transmission and reception filters each including resonators formed on different chips
CN103138032B (zh) * 2011-11-22 2016-06-22 太阳诱电株式会社 双工器
CN105940605A (zh) * 2014-02-04 2016-09-14 株式会社村田制作所 弹性波装置
US9998092B2 (en) 2014-02-04 2018-06-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
CN105940605B (zh) * 2014-02-04 2018-11-09 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN106797206A (zh) * 2014-10-21 2017-05-31 株式会社村田制作所 弹性波谐振器以及梯型滤波器
CN106797206B (zh) * 2014-10-21 2020-11-03 株式会社村田制作所 弹性波谐振器以及梯型滤波器
CN109478874A (zh) * 2016-07-29 2019-03-15 追踪有限公司 具有减少的板模式的电声滤波器
CN108631813A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 株式会社村田制作所 前端模块

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