KR20060113512A - 탄성 표면파 필터 및 분파기 - Google Patents

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KR20060113512A
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후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
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Abstract

필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 다중 모드형 탄성 표면파 필터 및 안테나 분파기를 제공한다. 본 발명은, 압전 기판(10) 상에 형성되고, 입출력 전극(61)과 그라운드 전극(66) 사이에 부유 도체(71)를 개재하여 복수로 직렬 접속된 IDT(51, 56)를 갖는 IDT군(41)을 복수 구비하고, 인접하는 IDT(51, 52)의 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽(74a)이 부유 도체(71)에 접속되어 있는 경우에는, 다른 한쪽의 전극 핑거(65a)는, 입출력 전극(62)에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터 또는 그것을 이용한 안테나 분파기이다.
압전 기판, 입출력 전극, 그라운드 전극, 부유 도체, 인터디지털 트랜스듀서(IDT)

Description

탄성 표면파 필터 및 분파기{SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER AND DUPLEXER USING THE SAME}
도 1은 안테나 분파기의 구성을 나타내며, 종래의 과제에 대하여 설명하기 위한 도면.
도 2는 종래예 및 비교예에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면으로, 도 2의 (a)는 종래예, 도 2의 (b)는 비교예의 구성을 도시하는 도면.
도 3은 종래예 및 비교예의 주파수에 대한 삽입 손실의 계산 결과를 도시하는 도면으로, 도 3의 (a)는 통과 대역 부근, 도 3의 (b)는 노치가 발생하는 주파수 부근의 도면.
도 4는 실시예 1에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 5는 종래예, 비교예 및 실시예 1의 주파수에 대한 삽입 손실의 계산 결과를 도시하는 도면으로, 도 5의 (a)는 통과 대역 부근, 도 5의 (b)는 노치가 발생하는 주파수 부근의 도면.
도 6은 실시예 1의 변형예 1에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 7은 실시예 1의 변형예 2에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 8은 실시예 1의 변형예 3에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 9는 실시예 1의 변형예 4에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 10은 도 10은 실시예 1의 변형예 5에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 11은 실시예 1의 변형예 6에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 12는 실시예 1의 변형예 7에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 13은 실시예 1의 변형예 8에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 14는 실시예 1의 변형예 9에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 15는 실시예 2에 따른 DMS의 구성을 도시하는 도면.
도 16은 실시예 3에 따른 필터의 모식도.
도 17은 실시예 4에 따른 필터의 모식도.
도 18은 실시예 5에 따른 안테나 분파기의 모식도.
도 19는 CM 시험의 조건을 설명하기 위한 도면.
도 20은 CM 시험의 스펙트럼을 측정한 일례를 설명하기 위한 도면.
도 21은 종래예에 따른 안테나 분파기의 모식도.
도 22는 비교예에 따른 안테나 분파기의 모식도.
도 23은 종래예, 비교예 및 실시예 5에 따른 안테나 분파기의 CM 시험의 결과를 도시하는 도면.
도 24의 (a)는 종래예, 비교예 및 실시예 5에 따른 안테나 분파기의 주파수에 대한 삽입 손실을 도시한 도면이고, 도 24의 (b)는 수신 대역 부근의 도면.
도 25는 실시예 6에 따른 밸런스형 필터의 구성을 도시하는 도면.
도 26은 실시예 7에 따른 밸런스형 필터의 구성을 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 압전 기판
11, 120a, 120b, 120c : 수신용 필터
12, 123 : 정합 회로
13, 128 : 송신 단자
14, 125 : 안테나 단자
15, 124 : 수신 단자
16, 126 : 송신용 필터
20a, 20b, 30a, 30b, 40, 45, 40a, 45a, 130a, 130b, 150, 155 : 반사기
21a, 21b, 21c, 32a, 32b, 32c, 33a, 33b, 33c, 51, 52, 53, 56, 57, 58, 51a, 56a, 132a, 132b, 132c, 133a, 133b, 133c, 134a, 134b, 134c, 151, 152a, 152b, 153 : IDT
22a, 22b, 22c, 34a, 34b, 34c, 61, 62, 63, 61a, 63a, 62b, 135a, 135b, 135c, 167a, 167b : 입출력 전극
23a, 23b, 23c, 36a, 36b, 36c, 66, 67, 68, 66a, 67a, 68a, 66b, 68b, 136a, 136b, 136c, 136d, 166, 168 : 그라운드 전극
31a, 31b, 31c, 41, 42, 43, 41a, 42a, 43a, 131a, 131b, 131c : IDT군
35a, 35b, 35c, 71, 72, 73, 71a, 72a, 73a, 71b, 72b, 73b, 71c, 72c, 73c, 71d, 137a, 137b, 137c, 138a, 138b, 138c, 161, 162, 163 : 부유 도체
46 : 접속 전극
47 : 그라운드 버스 바
48a, 48b, 48c : 접속선
64a, 65a, 65b, 69a, 69b, 69c, 69d, 69e, 74a, 74b, 74c, 74d, 74e, 74f, 75a, 75b, 76a, 76b, 77a, 77b, 77c, 77d, 77e, 78a, 78b, 78c, 78d, 79, 139a, 139b, 139c, 139d, 140a, 142a, 141a, 141b, 141c : 전극 핑거
90, 107 : 입력 단자
91, 92, 93, 94, 103, 104, 105, 106, 121a, 121b, 121c, 122a, 122b, 122c : DMS
95, 108 : 출력 단자
100 : 제1 필터
102 : 제2 필터
[특허 문헌1] 일본 특개 2003-249842호 공보
[특허 문헌2] 일본 특개 2004-194269호 공보
본 발명은 탄성 표면파 필터 및 분파기에 관한 것으로, 특히 직렬 분해된 IDT를 갖는 탄성 표면파 필터 및 분파기에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화 단말기 등의 무선 장치의 고주파 회로에는 탄성 표면파 장치에서 형성된 필터가 사용되고 있다. 탄성 표면파 장치에서 형성되는 필터(이하, SAW 필터: Surface Acoustic Wave 필터)는, 송신용 필터, 수신용 필터, 송신용 필터와 수신용 필터가 1개의 패키지 내에 형성된 안테나 분파기 등에 이용된다.
도 1에 휴대 전화 단말기에 사용되는 안테나 분파기의 블록도를 나타낸다. 송신 단자(13)로부터 입력된 송신 신호는, 송신용 필터(16)를 통과하여 안테나 단자(14)로부터 출력된다. 한편, 안테나 단자(14)로부터 입력된 수신 신호는, 정합 회로(12) 및 수신용 필터(11)를 통과하여 수신 단자(15)로부터 출력된다.
예를 들면, 특허 문헌1의 도 6, 특허 문헌2의 도 30에는, 송신용 필터에 래더형 SAW 필터를 사용하고, 수신용 필터에 다중 모드형 SAW 필터를 사용한 안테나 분파기가 개시되어 있다. 대전력이 인가되는 송신용 필터에는, 높은 내 전력성을 갖는 래더형 SAW 필터를 이용하고, 높은 대역 외 감쇠량과 급경사인 컷오프 특성을 얻기 위해 수신측 필터에는, 다중 모드형 SAW 필터를 이용하는 것이다.
다중 모드형 SAW 필터의 기본 구성은, 예를 들면 특허 문헌2의 도 5에 개시되어 있다. 압전 기판 상에 형성된 일조의 반사기와, 반사기 사이에 입력용 IDT(인터디지털 트랜스듀서: 발 형상 전극)과 출력용 IDT를 갖는다. 입력용 IDT에 구동 전압을 인가하면, 반사기 사이에 여진된 탄성 표면파가 전파하여, 반사기 사이에 복수의 정상파가 발생한다. 이 정상파에 따른 주파수의 전압이 출력용 IDT에 나타난다. 이와 같이, 다중 모드형 SAW 필터는 대역 통과 필터로서 기능한다.
그러나, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에서 개시된 안테나 분파기에서는 이하의 과제가 있었다. 도 1에서, 송신 단자(13)에 입력된 송신 신호의 입력 전력은 실선 화살표와 같이 송신용 필터(16)를 통과하여 안테나 단자(14)에 이른다. 그러나, 파선 화살표와 같이, 그 일부는 누설 전력으로 되어, 정합 회로(12)를 통과하여 수신용 필터(11)에 이른다. 다중성 모드형 SAW 필터는 내 전력성이 부족하기 때문에, 이 누설 전력에 의해, 수신용 필터(11)가 파괴된다. 혹은, 누설 전력이 수신용 필터(11)의 비선형 효과를 가져와, 수신 신호의 검출 감도를 저하시킨다.
본 발명은, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 다중 모드형 탄성 표면파 필터 및 안테나 분파기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 압전 기판 상에 형성되고, 입출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 복수로 직렬 접속된 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는 IDT군을 복수 구비하고, 인접하는 상기 IDT의 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우에는, 다른 한쪽의 전극 핑거는, 상기 입출력 전극과 상기 그라운드 전극 중 어느 한 쪽에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터이다. 본 발명에 따르면, 복수로 직렬 접속된 IDT를 이용함으로써 내 전력성을 향상할 수 있고, 또한 비선형 효과를 억제할 수 있다. 또한, 인접하는 부유 도체 사이의 정전 용량을 저감함으로써, 통과 대역 내에 발생하는 노치를 억제하여, 필터 특성을 열화시키는 일이 없다. 이상에 의해, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
본 발명은, 상기 인접하는 상기 IDT의 그 사이에 인접하는 상기 전극 핑거 중 적어도 한 쪽은, 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 연속하여 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다.
본 발명은, 상기 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 구성하는 모든 IDT는 입출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 직렬 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명은, 상기 인접하는 IDT는 탄성 표면파의 전파 방향으로 인접한 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명은, 상기 동일 전위인 복수의 전극 핑거는, 상기 부유 도체에 접속된 것을 특징으로 하는 것 다중 모드형 탄성파 표면 필터로 할 수 있다. 본 발명은, 상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴은, 탄성 표면파의 전파 방향의 연장하는 축에 대하여 경면 대칭인 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명은, 상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴은, 탄성 표면파의 전파 방향에 대하여 수직 방향으로 평행 이동한 패턴인 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다.
본 발명은, 상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT는 개구 길이가 대략 동일한 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 더욱 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 출력 단자에 접속된 상기 입출력 전극과 입력 단자에 접 속된 상기 입출력 전극은 동일 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 입력 단자와 출력 단자의 커플링 용량을 부가할 수 있으며, 대역 외 억압도를 향상할 수 있다.
본 발명은, 상기 IDT에 접속된 각 그라운드 전극은 상기 압전 기판 상에서 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 또한, 상기 그라운드 전극의 전극 핑거는 단일의 그라운드 버스 바에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 공통 그라운드 인덕턴스의 제어를 용이하게 할 수 있다.
본 발명은, 출력 단자에 접속된 상기 입출력 전극과 입력 단자에 접속된 상기 입출력 단자는 서로 다른 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다.
본 발명은, 인접하는 2개의 직렬 접속된 상기 IDT의 인접하는 상기 부유 도체의 접속선 사이에, 상기 접속선에 접속되어 있지 않은 전극 핑거가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 통과 대역 내에 발생하는 노치를 더욱 억제할 수 있다.
본 발명은, 탄성 표면파의 전파 방향으로 순서대로 제1 IDT, 제2 IDT 및 제3 IDT이 배치된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 하는 것이 가능하다. 본 발명은, 상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 형성되고, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명은, 상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거와, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거는 상호 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다.
본 발명은, 상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거와, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거는 서로 다른 전위의 도체에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 하는 것이 가능하다. 본 발명에 따르면, 필터의 통과 대역 폭을 넓게 할 수 있다.
본 발명은, 상기 제1 IDT의 상기 입출력 전극 및 상기 제3 IDT의 상기 입출력 전극은 입력 단자에 접속되고, 상기 제2 IDT의 입출력 전극은 출력 단자에 접속된 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다.
본 발명은, 복수의 전술한 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 병렬로 접속한 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터이다. 본 발명에 따르면, 전극 핑거의 저항을 저감할 수 있고, 삽입 손실이 작은 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
본 발명은, 제1 필터와, 상기 제1 필터의 출력 단자가 입력 단자에 접속된 제2 필터를 구비하고, 상기 제1 필터가 전술한 다중 모드형 탄성 표면파 필터이며, 상기 제2 필터가 다중 모드형 탄성 표면파 필터인 다중 모드형 탄성 표면파 필터이다. 본 발명에 따르면, 통과 대역 외의 억압도를 대폭 향상시킬 수 있다. 또한, 내 전력성 및 비선형 경화에 주로 영향을 주는 제1 필터를 전술한 다중 모드형 탄 성 표면파 필터로 함으로써, 내 전력성을 향상하여, 비선형 효과를 억제할 수 있다.
본 발명은, 상기 제2 필터는, 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 다중 모드형 탄성 표면파 필터인 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 내 전력성 및 비선형 효과에의 영향이 작은 제2 필터는 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 다중 모드형 탄성 표면파 필터로 함으로써 필터의 면적을 작게 할 수 있다.
본 발명은, 전술한 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 사용한 밸런스형 탄성 표면파 필터이다. 본 발명에 따르면, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 밸런스형 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.
본 발명은, 전술한 다중 모드형 탄성 표면파 필터 또는 전술한 밸런스형 탄성 표면파 필터를 사용한 안테나 분파기이다. 본 발명에 따르면, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 안테나 분파기를 제공할 수 있다.
<실시 형태>
입력 전극 또는 출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 복수로 직렬 접속된 복수의 IDT를 형성함으로써, 다중 모드형 SAW 필터의 내 전력성을 향상시킬 수 있다. 이하, 도 2를 이용하여 설명한다.
도 2의 (a)는 다중 모드형 SAW 필터의 종래예로서, 더블 모드형 SAW 필터 (DMS)를 도시하는 도면이다. 압전 기판(10) 상의 반사기(20a, 20b) 사이에, 탄성 표면파의 전파 방향으로, IDT1(21a), IDT2(21b) 및 IDT3(21c)가 형성되어 있다. 중앙의 IDT2(21b)의 입출력 전극(22b)이 입력 단자에, 좌우의 IDT1(21a), IDT3(21c)의 입출력 전극(22a 및 22c)이 출력 단자에, 그라운드 전극(23a, 23b 및 23c)이 그라운드에 접속되어 있다. 입출력 전극과 그라운드 전극의 전극 핑거의 중첩 길이인 개구 길이는 AP이다.
도 2의 (b)는, 다중 모드형 SAW 필터의 비교예로서, 복수의 IDT를 직렬 접속한 IDT군을 갖는 더블 모드형 SAW 필터(DMS)의 예이다. 반사기(30a, 30b) 사이에, 탄성 표면파의 전파 방향으로, IDT군 1(31a), IDT군 2(31b), IDT군 3(31c)이 배치되어 있다. IDT군 1(31a)은, 입출력 전극(34a) 및 부유 도체(35a)를 갖는 IDT(32a) 및 부유 도체(35a) 및 그라운드 전극(36a)을 갖는 IDT(33a)가 직렬 접속되어 있다. 마찬가지로 IDT군 2(31b)는, 입출력 전극(34b) 및 부유 도체(35b)를 갖는 IDT(32b) 및 부유 도체(35b) 및 그라운드 전극(36b)을 갖는 IDT(33b)가 직렬 접속되고, IDT군 3(31c)은, 입출력 전극(34c) 및 부유 도체(35c)를 갖는 IDT(32c) 및 부유 도체(35c) 및 그라운드 전극(36c)을 갖는 IDT(33c)가 직렬 접속되어 있다. 입출력 전극과 부유 도체의 개구 길이는 AP1, 부유 도체와 그라운드 전극의 개구 길이는 AP2이다.
종래예(도 2의 (a))의 DMS를 비교예(도 2의 (b))의 DMS로 치환하기 위해서는, 필터의 입출력 임피던스를 바꾸지 않는 것이 바람직하다. 그를 위해서는, 비교예의 각 IDT군(31a, 31b, 31c)의 합성 정전 용량이, 종래예의 각 IDT(21a, 21b, 21c)의 정전 용량과 각각 동일한 것이 바람직하다.
비교예의 IDT군에서, AP1의 개구 길이를 갖는 상단의 IDT의 정전 용량을 C1, AP2의 개구 길이를 갖는 하단의 IDT의 정전 용량을 C2로 한다. 이 때, IDT군의 합성 정전 용량은 1/(1/C1+1/C2)로 된다. IDT의 정전 용량이 개구 길이에 비례한다고 하면, 종래예의 IDT와 비교예의 IDT군의 정전 용량이 동등하게 되기 위해서는 수학식 1을 만족할 필요가 있다.
Figure 112006029781108-PAT00001
이와 같이, 1개의 IDT를, 복수의 IDT를 직렬 접속한 IDT군으로 변환하는 것을, IDT의 직렬 분해라고 한다. 도 2의 (b)의 비교예에서는, AP1=1.5×AP 및 AP2=3×AP로 하고 있다. 이 경우, 비교예의 상단의 IDT에 인가되는 전압은, 종래예의 IDT에 인가되는 전압의 AP2/(AP1+AP2)=0.66배로 된다. 또한, 비교예의 하단의 IDT에 인가되는 전압은, 종래예의 IDT에 인가되는 전압의 AP1/(APl+AP2)=0.33배로 된다.
이와 같이, IDT에 인가되는 전압을 저감할 수 있으면, IDT에서의 단위 면적당 표면 탄성파 강도를 저감할 수 있다. 이에 의해, 내 전력성을 향상할 수 있다. 또한, 비선형 효과를 억제할 수 있다.
비교예에서, 개구 길이인 AP1 및 AP2를 수학식 1의 범위에서 바꾸어, 필터의 통과 특성을 계산했다. 도 3은 비교예 1(AP1=1.5A와 AP2=3.0AP), 비교예 2(AP1=1.8AP와 AP2=2.25AP), 비교예 3(AP1=2.0AP와 AP2=2.0AP) 및 종래예의 계산 결과이다. 도 3의 (a)는 통과 대역에서의 도면이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a) 내의 원으로 둘러싼 노치 발생 개소의 확대도이다.
비교예에서는 1926㎒ 부근에서 삽입 손실이 증가하는 노치가 발생하고 있다. 노치는 AP1이 커지면 커진다. 한편, 가장 내 전력성을 향상할 수 있으며, 가장 비선형 효과를 억제할 수 있는 것은, 직렬 분해된 상하단의 IDT에 가해지는 전압이 종래예의 1/2로 되는 비교예 3일 때이다. 그러나, 도 3에 의해, 비교예 3은 노치가 커지게 된다. 통과 대역 내에 노치가 있으면, 예를 들면 휴대 전화 단말기의 사용 채널마다의 수신 감도가 변화한다. 따라서, 전체 유저에게 균등한 서비스를 제공할 수 없게 되어 버린다. 그 때문에, 비교예에서는, 노치의 발생이 작은 비교예 1의 필터를 사용하지 않을 수 없다.
통과 대역 내의 노치는, 도 2의 (b)에서의, 부유 도체(35a, 35b, 35c) 사이에 발생하는 정전 용량에 의해 발생한다. 예를 들면, IDT군 1(31a)의 부유 도체(35a)와 IDT군 2(31b)의 부유 도체(35b) 사이의 정전 용량은, 주로 부유 도체(35a)의 IDT군 2(31b)측의 전극 핑거와 부유 도체(35b)의 IDT군 1(31b)측의 전극 핑거 사이에서 발생한다. 본 발명은, 이하의 실시예에서 예시한 바와 같이, 부유 도체 사이의 정전 용량이 작고, 복수로 직렬 접속된 IDT을 갖는 다중 모드형 SAW 필터를 제공하는 것이다.
(실시예 1)
도 4는 실시예 1의 구성을 도시하는 도면이다. 실시예 1은, 다중 모드형 SAW 필터로서, 복수의 IDT를 직렬 접속한 IDT군을 갖는 더블 모드형 SAW 필터(DMS) 의 예이다. 압전 기판(10) 상에 형성된 반사기(40, 45) 사이에, 탄성 표면파의 전파 방향으로, IDT군 1(41), IDT군 2(42) 및 IDT군 3(43)이 배치되어 있다.
IDT군 1(41)은, 입출력 전극(61)과 부유 도체(71)를 갖는 IDT(51)와, 그라운드 전극(66)과 부유 도체(71)를 갖는 IDT(56)가 직렬 접속되어 있다. 즉, IDT군 1(41)은 입출력 전극(61)과 그라운드 전극(66)의 사이에 부유 도체(71)을 통하여 복수로 직렬 접속된 IDT(51, 56)을 갖고 있다. 마찬가지로, IDT군 2(42)은, 입출력 전극(62)과 부유 도체(72를 갖는 IDT(52)와, 그라운드 전극(67)과 부유 도체(72를 갖는 IDT(57)가 직렬 접속되어 있다. 또한, IDT군 3(43)은, 입출력 전극(63)과 부유 도체(73)를 갖는 IDT(53)와, 그라운드 전극(68)과 부유 도체(73)를 갖는 IDT(58)가 직렬 접속되어 있다. 이와 같이, 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 구성하는 모든 IDT는 입출력 전극과 그라운드 전극의 사이에 부유 도체를 개재하여 직렬 접속되어 있다.
상단의 IDT는, 탄성 표면파의 전파 방향으로 IDT(51)(제1 IDT), IDT(52)(제2 IDT) 및 IDT(53)(제3 IDT)가 배치되어 있다. 또한, 하단의 IDT는, 탄성 표면파의 전파 방향으로 IDT(56)(제1 IDT), IDT(57)(제2 IDT) 및 IDT(58)(제3 IDT)가 배치되어 있다. IDT군 2(42)의 입출력 전극(62)은 입력 단자에 접속되고, IDT군 1(41) 및 IDT군 3(43)의 입출력 전극(61 및 63)은 출력 단자에 접속되어 있다. 그라운드 전극(66, 67, 68)은 그라운드 단자에 접속되어 있다. 압전 기판(10)으로서는, 예를 들면 LiNbO3 기판 또는 LiTaO3 기판을 이용하고, 각 전극, 부유 도체는 예를 들 면 Al을 이용한다.
입력 단자(즉 IDT군 2(42))에 입력 신호를 입력하면, 반사기(40와 45) 사이에 여진된 탄성 표면파가 반사기(40와 45) 사이의 방향으로 전파하고, 반사기(40와 45) 사이에 복수의 정상파가 발생한다. 이 정상파에 따른 주파수의 전압이, 출력 단자에 접속된 IDT군 1(41)의 IDT(51 및 56) 및 IDT군 3(43)의 IDT(53 및 58)에 나타난다. 이에 의해, 정상파에 상당하는 원하는 주파수만이 출력 신호로서 출력 단자에 출력된다. 이와 같이, 실시예 1에 따른 DMS는, 밴드 패스 필터로서 기능한다.
인접하는 IDT(51)와 IDT(52)에서, IDT(51)의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(71)의 전극 핑거(74a)이다. 또한, IDT(52)의 IDT(51)에 인접하는 전극 핑거는 입출력 전극(62)의 전극 핑거(65a)이다. 마찬가지로, 인접하는 IDT(56)와 IDT(57)에서, IDT(56)의 IDT(57)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(71)의 전극 핑거(75a)이며, IDT(57)의 IDT(56)에 인접하는 전극 핑거는 그라운드 전극(67)의 전극 핑거(69a)이다. IDT군 2(42)와 IDT군 3(43)의 인접하는 전극 핑거도 마찬가지의 관계로 되어 있다.
이와 같이, 인접하는 IDT의, 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우, 다른 한쪽은 부유 도체 이외(입출력 전극 또는 그라운드 전극)에 접속되어 있다. 이에 의해, 인접하는 부유 도체(71과 72) 사이에는, 입출력 전극 또는 그라운드 전극의 전극 핑거가 배치되어 있고, 부유 도체(71과 72) 사이의 정전 용량을 저감할 수 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 통과 대역 내의 노치를 억제할 수 있다.
부유 도체(71, 72, 73)의 전극 핑거를 접속하는 접속선의 접속선 길이는 작은 쪽이 인접하는 부유 도체 사이(71과 72, 72와 73)의 정전 용량을 삭감할 수 있다. 예를 들면, 부유 도체의 접속선 길이는, IDT의 전극 주기의 5배 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, IDT(51)의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거에는, 부유 도체(71)의 전극 핑거(74a) 외에, 동일한 부유 도체(71)의 전극 핑거(74b)가 연속하여 형성되어 있다. 마찬가지로, IDT(56)의 IDT(57)에 인접하는 전극 핑거에는, 부유 도체(76)의 전극 핑거(75a) 외에, 동일한 부유 도체(71)의 전극 핑거(75b)가 연속하여 형성되어 있다. 즉, 인접하는 IDT의 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 적어도 한 쪽은, 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 연속하여 형성되어 있다. 바꿔 말하면, IDT(51)(제1 IDT)와 IDT(52)(제2 IDT) 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거(74a, 74b)가 형성되고, IDT(52)(제2 IDT)와. IDT(53)(제3 IDT) 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거(78a, 78b)가 형성되어 있다.
또한, 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 구성하는 모든 IDT는 입출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 직렬 접속되어 있다. 이에 의해, 보다 내 전력성이 향상하고, 보다 비선형 효과의 억제가 가능하게 된다. 전극 핑거(74a, 74b)와 전극 핑거(78a, 78b)는 서로 다른 전위의 도체, 즉 각각 부유 도체(71과 73)에 접속되어 있다. 이에 의해, 필터의 통과 대역폭을 넓게 할 수 있다.
또한, 인접하는 IDT(51와 52)는 탄성 표면파의 전파 방향으로 인접하고 있 다. 또한, 동일 전위인 복수의 전극 핑거(74a와 74b)는 부유 도체(71)에 접속되어 있다. 마찬가지로, 동일 전위인 복수의 전극 핑거(75a와 75b)도 부유 도체(71)에 접속되어 있다.
또한, IDT군의 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴은, 탄성 표면파의 전파 방향이 연장하는 축에 대하여 경면 대칭이다. 예를 들면 IDT군 1(41) 중의 IDT(51)와 IDT(56)는, A-A선에 대해 경면 대칭이다. 즉, 입출력 전극(61)과 그라운드 전극(66)은, A-A선에 대하여 경면 대칭이며, 부유 도체(71)는 A-A선에 대해 경면 대칭이다.
또한, 출력 단자에 접속된 입출력 전극(61 및 63)은 도 4의 상측에 형성되고, 입력 단자에 접속된 입출력 전극(62)은 도 4의 상측에 형성되어 있다. 그라운드 전극(66, 67, 68)은 도 4의 하측에 형성되어 있다. 즉, 출력 단자에 접속된 입출력 전극(61, 63)과 입력 단자에 접속된 입출력 전극(62)은 동일한 방향으로 형성되어 있다. 이에 의해, 입력 단자와 출력 단자 간에 커플링 용량을 부가할 수 있어, 대역 외 억압도를 향상할 수 있다.
또한, IDT(51), IDT(52) 및 IDT(53)의 개구 길이 AP1과 IDT(56), IDT(57), IDT(58)의 개구 길이 AP2는 모두 2.0×AP로 대략 동일하다. 이에 의해, 가장 내 전력성을 향상할 수 있으며, 가장 비선형 효과를 억제할 수 있다.
도 2의 (a)의 종래예, 도 2의 (b)에서 AP1=AP2=2×AP로 한 비교예, 도 4에서 AP1=AP2=2×AP로 한 실시예 1(도면 중에서 실시예)에서, 필터의 통과 특성을 계산했다. 결과를 도 5에 도시한다. 도 5의 (a)는 통과 대역에서의 도면이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a) 내의 원으로 나타낸 노치 발생 개소의 확대도이다.
도 3과 마찬가지로, 비교예에서는 1926㎒ 부근에서 삽입 손실이 증가하는 노치가 발생하고 있다. 실시예 1에서는, 종래예와 마찬가지로 노치는 발생하지 않는다. 이것은, 부유 도체(71과 72) 사이 및 부유 도체(72과 73) 사이의 정전 용량을 억제할 수 있었기 때문이다. 이에 의해, 복수의 IDT를 직렬 접속한 IDT군을 갖는 다중 모드형 SAW 필터에서, 필터 특성을 열화시키지 않고, 가장 내 전력성을 향상할 수 있어, 가장 비선형 효과를 억제할 수 있는 AP1=AP2로 할 수 있다. 따라서, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성을 향상시켜, 비선형 효과를 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 개구 길이는 반드시 AP1=AP2일 필요는 없고, 임의의 조합으로 하여도, 노치가 없는 필터 특성을 실현할 수 있다.
인접하는 IDT의 부유 도체 사이의 정전 용량을 저감하는 구성은 실시예 1에 한정되지 않는다. 예를 들면, 이하의 변형예를 이용할 수 있다. 이하, 각종 변형예에 대하여 설명한다.
도 6은 변형예 1을 도시하는 도면이다. 변형예 1은 실시예 1에 대하여 부유 도체(71a, 72a, 73a)의 구성이 실시예 1과 상이하다. 다른 구성은 실시예 1과 동일하다. 인접하는 IDT(51)와 IDT(52)에서, IDT(51)의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거는 입출력 전극(61)의 전극 핑거(64a)이며, IDT(52)의 IDT(51)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(72a)의 전극 핑거(76a)이다. 마찬가지로, 인접하는 IDT(56)와 IDT(57)에서, IDT(56)의 IDT(57)에 인접하는 전극 핑거는 그라운드 전극(66)의 전극 핑거(69b)이며, IDT(57)의 IDT(56)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(72a)의 전극 핑거(77a)로, 연속하여 전극 핑거(77b)도 접속되어 있다. IDT군 2(42)와 IDT군 3(43)의 인접하는 전극 핑거도 마찬가지의 관계로 되어 있다.
이와 같이, 동일 전위인 복수의 전극 핑거를 IDT군 2(42)의 부유 도체(72a)에 접속할 수도 있다. IDT(51)(제1 IDT)와 IDT(52)(제2 IDT) 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거(76a, 76b)와, IDT(52)(제2 IDT)와 IDT(53)(제3 IDT) 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거(78c, 78d)는, 상호 접속되어 있다.
도 7은 변형예 2를 도시하는 도면이다. 변형예 2는 실시예 1에 대하여, 부유 도체(71b, 72b, 73b)의 구성이 실시예 1과 상이하다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다. 인접하는 IDT(51)와 IDT(52)에서, IDT(51)의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(71b)의 전극 핑거(74c)이고, 연속하여 전극 핑거(74d)가 접속된다. IDT(52)의 IDT(51)에 인접하는 전극 핑거는 입출력 전극(52)의 전극 핑거(65a)이다. 마찬가지로, 인접하는 IDT(56)와 IDT(57)에서, IDT(56)의 IDT(57)에 인접하는 전극 핑거는 그라운드 전극(66)의 전극 핑거(69b)이며, IDT(57)의 IDT(56)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(72b)의 전극 핑거(77c)로, 연속하여 전극 핑거(77d)가 접속된다. IDT군 2(42)과 IDT군 3(43)의 인접하는 전극 핑거도 마찬가지의 관계로 되어 있다. 이와 같이, 입출력측의 IDT의 동일 전위인 복수의 전극 핑거는 양측의 부유 도체(71b, 73b)에 접속하고, 그라운드측의 IDT의 동일 전위인 복수의 전극 핑거는 중앙의 부유 도체(72b)에 접속하는 것도 가능하다.
도 8은 변형예 3을 도시하는 도면이다. 변형예 3은, 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴이, 탄성 표면파의 전파 방향에 대하여 수직 방향으로 평행 이동한 패턴인 예이다. IDT(56, 57 및, 58)는, 각각, IDT(51, 52 및 53)를 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 방향으로 평행한 전극 패턴을 갖는다. 즉, 그라운드 전극(66a)은 부유 도체(71c)의 상부를 평행 이동한 전극 패턴이고, 부유 도체(71c)의 하부는 입출력 전극(61)을 평행 이동한 전극 패턴이다. 마찬가지로, 그라운드 전극(67a)은 부유 도체(72c)의 상부를 평행 이동한 전극 패턴이고, 부유 도체(72c)의 하부는 입출력 전극(62)을 평행 이동한 전극 패턴이다. 그라운드 전극(68c)은 부유 도체(73c)의 상부를 평행 이동한 전극 패턴이고, 부유 도체(73c)의 하부는 입출력 전극(63)을 평행 이동한 전극 패턴이다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다.
이에 의해, 인접하는 IDT(51)와 IDT(52)에서, IDT(51)의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(71c)의 전극 핑거(74e)이며, 연속하여 전극 핑거(74f)가 접속된다. IDT(52)의 IDT(51)에 인접하는 전극 핑거는 입출력 전극(52)의 전극 핑거(65a)이다. 마찬가지로, 인접하는 IDT(56)와 IDT(57)에서, IDT(56)의 IDT(57)에 인접하는 전극 핑거는 그라운드 전극(66a)의 전극 핑거(69c)이며, IDT(57)의 IDT(56)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(72c)의 전극 핑거(77e)이다. IDT(56)와 같이, 동일 전위인 복수의 전극 핑거(69c, 69d)는 그라운드 전극(66a)에 접속되어 있다. 이와 같이, 동일 전위인 복수의 전극 핑거는, 동일 전위이면, 부유 도체 이외에 접속되어 있어도 된다.
도 9는 변형예 4를 도시하는 도면이다. 변형예 4는, 그라운드 전극(66, 67 및 68)이 압전 기판(10) 상에서 접속 배선(46)에 의해 접속되어 있다. 그 외의 구 성은 실시예 1과 동일하다. 즉, IDT에 접속된 그라운드 전극이 압전 기판 상에서 접속되어 있다. 이에 의해, 입력 단자에 접속된 IDT군 2(42) 및 출력 단자에 접속된 IDT군 1(41) 및 IDT군 3(43)에 부가되는 공통 그라운드 인덕턴스의 제어를 용이하게 할 수 있다.
도 10은 변형예 5를 도시하는 도면이다. 변형예 5는 그라운드 전극(66, 67, 68)을 일체화하고, 그라운드 전극(66, 67, 68)의 전극 핑거가 단일의 그라운드 버스 바(47)에 직접 접속하고 있다. 그라운드 버스 바(47)는, 그라운드 전극의 전극 핑거가 직접 접속된 직선 형상의 전극이다. 변형예 5에서는, IDT(56), IDT(57), IDT(58)의 그라운드 전극의 전극 핑거 전부가 한개의 그라운드 버스 바에 접속되어 있다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다. 이에 의해, 입력 단자에 접속된 IDT군 2(42) 및 출력 단자에 접속된 IDT군 1(41) 및 IDT군 3(43)에 부가되는 공통 그라운드 인덕턴스의 제어를 용이하게 할 수 있고, 또한 그라운드 저항을 저감할 수 있다.
도 11은 변형예 6을 도시하는 도면이다. 변형예 6은, 출력 단자에 접속된 입출력 전극(61a, 63a)과 입력 단자에 접속된 입출력 전극(62)은 서로 다른 방향으로 형성되어 있다. IDT군 2(42)는, 도 11의 하단이 그라운드 단자(67)와 부유 도체(72)를 갖는 IDT(57)이며, 상단이, 입력 단자에 접속된 입출력 전극(62)과 부유 도체(72)를 갖는 IDT(52)이다. 이에 대하여, IDT군 1(41) 및 IDT군 3(43)은, 도 11의 하단이 출력 단자에 접속한 입출력 전극(61a, 63a)과 부유 도체(71, 73)를 갖는 IDT(51a, 53a)이며, 상단이 그라운드 전극(66b, 68b)과 부유 도체(71, 73)를 갖 는 IDT(56a, 58a)이다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다. 이것에 의해서도, 통과 특성을 열화시키는 일은 없고, 내 전력성을 향상시켜, 비선형 효과를 억제하는 것이 가능하게 된다.
도 12는 변형예 7을 도시하는 도면이다. 변형예 7은, 양측에 위치하는 IDT군 1(41)의 IDT(51)(제1 IDT)의 입출력 전극(61) 및 IDT군 3(43)의 IDT(53)(제3 IDT)의 입출력 전극(63)은 입력 단자에 접속되고, IDT군 2(42)의 IDT(52)(제2 IDT)의 입출력 전극(62)은 출력 단자에 접속되어 있다. 그 외의 구성이 실시예 1과 동일하다. 이에 의해, 실시예 1에 비하여, 내 전력성을 보다 향상시켜, 보다 비선형 억압 효과를 얻을 수 있다.
도 13은 변형예 8을 도시하는 도면이다. 변형예 8은, 부유 도체의 전극 핑거를 접속하는 접속선을 없앤 예이다. 반사기(40a, 45a) 사이에 탄성 표면파의 전파 방향으로 IDT군 1(41a), IDT군 2(42a), IDT군 3(43a)이 배치되어 있다. IDT군 1(41a)은 입출력 전극(61)과 그라운드 전극(66)을 갖고 있고, 전극 핑거 사이에 부유 도체의 전극 핑거(79)가 형성되어 있다. 마찬가지로, IDT군 2(42a)는 입출력 전극(62)과 그라운드 전극(67)을 갖고 있고, 전극 핑거 사이에 부유 도체의 전극 핑거(79)가 형성되어 있어, IDT군 3(43a)은 입출력 전극(63)과 그라운드 전극(68)을 갖고 있고, 전극 핑거 사이에 부유 도체의 전극 핑거(79)가 형성되어 있다. 또한, 인접하는 입출력 전극 사이(61과 62, 62와 63), 및 인접하는 그라운드 전극 사이(66과 67, 67와 68)에는 2개의 부유 도체의 전극 핑거(79)가 형성되어 있다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다. 이와 같이 부유 도체의 접속선을 없앰으로써, 통과 대역 내의 노치를 더욱 억제할 수 있다.
도 14는 변형예 9를 도시하는 도면이다. 변형예 8은, 인접하는 IDT의 인접하는 부유 도체의 접속선 사이에, 접속선에 접속되어 있지 않은 전극 핑거가 형성되어 있다. 그 외의 구성은 실시예 1과 동일하다. IDT(51, 56)의 부유 도체(71)와 IDT(52, 57)의 부유 도체(72)의 접속선(48a, 48b) 사이에, 전극 핑거(65b, 69e)가 형성되어 있다. 또한, 전극 핑거(65b)는 입출력 전극(62b)에 접속되고, 전극 핑거(69e)는 그라운드 전극(67b)에 접속되어 있다. IDT군 2(42), IDT군 3(43)의 부유 도체(72, 73)의 접속선(48b, 48c)의 관계도 마찬가지이다. 즉, 인접하는 2개의 직렬 접속된 IDT의 인접하는 부유 도체의 접속선 사이에, 상기 접속선에 접속되어 있지 않은 전극 핑거가 형성된다. 이에 의해, 접속선(48a와 48b) 사이 및 접속선(48b와 48c) 사이의 정전 용량을 삭감할 수 있다. 즉, 부유 도체(71과 72) 사이의 정전 용량 및 부유 도체(72, 73) 사이의 정전 용량을 삭감할 수 있다. 따라서, 통과 대역 내의 노치를 더욱 억제할 수 있다.
실시예 1 및 그 변형예에서는, DMS의 예를 나타내었지만, DMS에 한정되지 않고, 복수의 IDT군이 탄성 표면파의 전파 방향으로 배치된 다중 모드형 SAW 필터이더라도, 실시예 1 및 그 변형예와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 동일 전위인 복수의 전극 핑거의 예로서 전극 핑거가 2개인 예를 나타내었지만, 복수개이면 그 효과가 얻어진다.
(실시예 2)
실시예 2는 3개에 직렬 접속된 IDT를 갖는 예이다. 도 15는 실시예 2의 상 시도이다. 압전 기판(10) 상에 형성된 반사기(130a, 130b) 사이에, 탄성 표면파의 전파 방향으로, IDT군 1(131a), IDT군 2(131b) 및 IDT군 3(131c)이 배치되어 있다. IDT군 1(131a)은, 입출력 전극(135a)과 부유 도체(137a)를 갖는 IDT(132a)와, 부유 도체(137a)와 부유 도체(138a)를 갖는 IDT(133a)와, 그라운드 전극(136a)과 부유 도체(138a)를 갖는 IDT(134a)가 직렬 접속되어 있다. 마찬가지로, IDT군 2(131b)는, 입출력 전극(135b)과 부유 도체(137b)를 갖는 IDT(132b)와, 부유 도체(137b)와 부유 도체(138b)를 갖는 IDT(133b)와, 그라운드 전극(136b)과 부유 도체(138b)를 갖는 IDT(134b)가 직렬 접속되어 있다. 또한, IDT군 3(131c)은, 입출력 전극(135c)과 부유 도체(137c)를 갖는 IDT(132c)와, 부유 도체(137c)와 부유 도체(138c)를 갖는 IDT(133c)와, 그라운드 전극(136c)과 부유 도체(138c)를 갖는 IDT(134c)가 직렬 접속되어 있다.
인접하는 IDT(132a)와 IDT(132b)에서, IDT(132a)의 IDT(132b)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139a)이다. 또한, IDT(132b)의 IDT(132a)에 인접하는 전극 핑거는 입출력 전극(135b)의 전극 핑거(140a)이다. 마찬가지로, 인접하는 IDT(133a)와 IDT(133b)에서, IDT(133a)의 IDT(133b)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139c)이며, IDT(133b)의 IDT(133a)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(138b)의 전극 핑거(141c)이다. 또한, 인접하는 IDT(134a)와 IDT(134b)에서, IDT(134a)의 IDT(134b)에 인접하는 전극 핑거는 그라운드 전극(136a)의 전극 핑거(142a)이며, IDT(134b)의 IDT(134a)에 인접하는 전극 핑거는 부유 도체(138b)의 전극 핑거(141a)이다. IDT군 2(131b)와 IDT군 3(131c)의 인접하 는 전극 핑거도 마찬가지의 관계로 되어 있다.
또한, 도 15의 중단의 IDT(133a, 133b, 133c)는, 상단의 IDT(132a, 132b, 132c)를, 탄성 표면파의 전파 방향으로 연장하는 축에 대하여 경면 대칭의 전극 패턴을 갖는다. 또한, 하단의 IDT(134a, 134b, 134c)는, 인접하는 IDT 사이의 인접하는 전극 핑거를 제외하여, 중단의 IDT(133a, 133b, 133c)를 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 방향으로 평행 이동시킨 전극 패턴을 갖는다.
이와 같이, 인접하는 IDT의, 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우, 다른 한쪽은 부유 도체 이외(입출력 전극 또는 그라운드 전극)에 접속되어 있다. 이에 의해, 인접하는 부유 도체(137a와 137b) 사이에는, 입출력 전극(135b)의 전극 핑거(140a)가 배치되어 있고, 인접하는 부유 도체(138a와 138b) 사이에는, 그라운드 전극(136a)의 전극 핑거(142a)가 배치되어 있다. 따라서, 부유 도체(137a와 137b) 사이 및 부유 도체(138a와 138b) 사이의 정전 용량을 저감할 수 있다. 이에 의해, 실시예 1과 마찬가지로, 통과 대역 내의 노치를 억제할 수 있다.
또한, IDT(132a)의 IDT(132b)에 인접하는 전극 핑거에는, 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139a) 외에, 동일한 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139b)가 연속하여 형성되어 있다. 마찬가지로, IDT(133a)의 IDT(133b)에 인접하는 전극 핑거에는, 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139c) 외에, 동일한 부유 도체(137a)의 전극 핑거(139d)가 연속하여 형성되어 있다. 또한, IDT(134b)의 IDT(134a)에 인접하는 전극 핑거에는, 부유 도체(138b)의 전극 핑거(141a) 외에, 동일한 부유 도체(138b)의 전 극 핑거(141b)가 연속하여 형성되어 있다. 즉, 인접하는 IDT의 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 적어도 한 쪽은, 동일 전위인 복수의 전극 핑거이다.
실시예 2와 같이, 3개의 IDT로 직렬 분해한 경우, 도 2의 (a)의 종래예와 입출력 임피던스를 바꾸지 않는 것이 바람직하다. 따라서, IDT군 1(131a), IDT군 2(131b) 및 IDT군 3(131c)의 각 합성 정전 용량은, 각각, 도 2의 (b)에 기재한 종래예의 IDT1(21a), IDT2(22b) 및 IDT3(23c)의 정전 용량과 동일한 것이 바람직하다. 따라서, 상단의 IDT(132a, 132b 및 132c)의 개구 길이를 AP1, 중단의 IDT(133a, 133b 및 133c)의 개구 길이를 AP2, 하단의 IDT(134a, 134b 및 134c)의 개구 길이를 AP3으로 했을 때, 수학식 2를 만족하는 것이 바람직하다. AP1=AP2=AP3=3.0AP일 때, 각 IDT에 가해지는 전압은 최저로 된다. 따라서, 가장 내 전력성이 향상하고, 또한 가장 비선형 효과를 억제할 수 있다. 따라서, 실시예 2에서는, AP1=AP2=AP3=3.0AP로 하고 있다.
Figure 112006029781108-PAT00002
실시예 2에서는, AP1=AP2=AP3=3.0AP로 함으로써, 각 IDT에 인가되는 전압을 종래예의 1/3로 할 수 있다. 따라서, 실시예 1의 1/2에 비하여, IDT에 인가되는 전압을 더욱 작게 할 수 있다. 이에 의해, 실시예 1에 비하여, 내 전력성을 보다 향상시켜, 비선형 효과를 보다 억제할 수 있다. 이와 같이, 직렬 분해하는 수를 많게 하면, 내 전력성을 보다 향상시켜, 비선형 효과를 보다 억제할 수 있다. 그러나, 필터의 면적이 커진다. 따라서, 필터의 면적과, 내 전력성, 비선형 효과를 고려하여, 직렬 분해하는 수를 결정할 수 있다.
(실시예 3)
실시예 3은 실시예 1에 따른 다중 모드형 SAW 필터를, 4개 병렬로 접속한 예이다. 도 16은 실시예 3을 도시하는 모식도이다. DMS(91, 92, 93 및 94)는 실시예 1의 변형예 5와 동일한 구성으로, 개구 길이를 실시예 1의 변형예 5의 1/4로 한 필터이다. DMS(91, 92, 93 및 94)는 각각의 입력 단자가 병렬로 접속되고, 공통의 입력 단자(90)에 접속되어 있다. 각각의 출력 단자도 병렬로 접속되고, 공통의 출력 단자(95)에 접속되어 있다. 이와 같이, DMS(91, 92, 93 및 94)를 병렬로 접속한 경우, 실시예 3에 따른 필터의 입출력 임피던스가 실시예 1의 변형예 5와 동일하게 되는 것은, 개개의 DMS(91, 92, 93 및 94)의 개구 길이가 실시예 1의 변형예 5의 1/4일 때이다. 이와 같이, 개구 길이를 1/4로 함으로써, 전극 핑거의 저항을 저감할 수 있다. 이에 의해, 필터의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
실시예 3에서는, 실시예 1의 변형예 5에 따른 필터를 이용한 예를 나타내었지만, 변형예 5에 한정되는 것은 아니다. 또한, 병렬의 수는 4개에 한정되지 않는다. 병렬의 수를 늘리면, 개구 길이를 짧게 할 수 있어, 보다 필터의 삽입 손실을 저감할 수 있다. 그러나, 필터의 사이즈는 커지게 된다. 따라서, 병렬의 수는, 필터의 사이즈와 삽입 손실을 고려하여 결정할 수 있다.
(실시예 4)
실시예 4는 실시예 3에 따른 다중 모드형 SAW 필터의 출력 단자에, 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 다중 모드형 SAW 필터의 입력 단자를 접속한 예이 다. 도 17은 실시예 4의 모식도이다. 실시예 3에 따른 제1 필터(100)와, 필터(100)의 출력 단자(95)에 입력 단자(107)가 접속된 제2 필터(102)를 구비하고 있다. 제1 필터(100)는 실시예 2에 따른 다중 모드형 SAW 필터이고, 제2 필터(102)는 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 DMS로서, 도 2의 (a)에 도시하는 종래예의 DMS(103, 104, 105 및 106)(다중 모드형 SAW 필터)가 병렬로 접속된 다중 모드형 SAW 필터이다. DMS(103, 104, 105 및 106) 각각의 입력 단자는, 필터(102)의 공통의 입력 단자(107)에 접속되고, DMS(103, 104, 105 및 106) 각각의 출력 단자는, 필터(102)의 공통의 출력 단자(108)에 접속되어 있다.
필터(100)와 필터(102)를 세로 접속 접속함으로써, 통과 대역 외의 억압도를 대폭으로 향상시킬 수 있다. 또한, 내 전력성 및 비선형 효과에 주로 영향을 주는 것은 입력 단자(90)에 접속된 제1 필터(100)이다. 이 때문에, 제1 필터(100)를 실시예 3에 따른 필터로 함으로써 내 전력성을 향상하고, 비선형 효과를 억제할 수 있다. 제2 필터(102)는, 예를 들면, 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 필터를 사용함으로써, 필터의 면적을 작게 할 수 있다.
이와 같이, 제2 필터(102)는, 예를 들면 실시예 3 등의 직렬 분해한 IDT를 갖는 필터를 사용할 수도 있지만, 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 필터를 사용하는 것이 바람직하다. 제1 필터(100)로서, 실시예 1 또는 그 변형예, 실시예 2를 이용할 수도 있다. 또한, 제2 필터(102)는, 1개 또는 복수의 다중 모드형 SAW 필터가 병렬로 접속된 다중 모드형 SAW 필터를 이용할 수도 있다.
(실시예 5)
실시예 5는 휴대 전화 단말기용의 안테나 분파기에, 실시예 4에 따른 필터를 이용한 예이다. 도 18에 실시예 5에 따른 안테나 분파기의 모식도를 나타낸다. 수신용 필터(120a)에 이용한 실시예 4의 필터는, 입력 단자측에는 실시예 1의 변형예 5의 DMS(121a)가 4개 병렬로 접속되어 있고, 출력 단자측에는 종래예의 DMS(122a)가 4개 병렬로 접속되어 있다.
송신 단자(128)는 래더형 SAW 필터인 송신용 필터(126)의 입력 단자에 접속되고, 송신용 필터(126)의 출력 단자는 안테나 단자(125)에 접속되어 있다. 이에 의해, 송신 단자로부터 입력된 송신 신호는 송신용 필터(126)를 원하는 주파수의 송신 신호가 통과하여 안테나 단자(125)로부터 출력된다. 한편, 안테나 단자(125)는 정합 회로(123)를 통하여 실시예 4에 따른 필터인 수신용 필터(120a)의 입력 단자에 접속되고, 수신용 필터(120a)의 출력 단자는 수신 단자(124)에 접속된다. 이에 의해, 안테나 단자(125)에 입력한 수신 신호는, 정합 회로(123)를 통과하여, 수신용 필터(120a)를 원하는 주파수의 수신 신호가 통과하여 수신 단자(124)로부터 출력된다.
높은 내 전력성을 갖는 래더형 SAW 필터를 송신용 필터(126)에 이용함으로써 대전력이 인가되는 송신 신호에 견딜 수 있다. 또한, 수신측 필터(120a)에, 다중 모드형 SAW 필터를 이용함으로써, 높은 대역 외 감쇠량과 급준한 컷오프 특성을 가질 수 있다. 또한, 도 1에서 설명한 바와 같이, 송신용 필터(126)로부터 출력된 송신 신호의 일부가 누설 전력으로 되어 수신용 필터(120a)에 이르는 경우에도, 필터(120a)는 내 전력성이 향상하고 있어, 누설 전력에 의해, 수신용 필터(120a)가 파괴되기 어렵게 되어 있다. 혹은, 누설 전력이 수신용 필터(120a)의 비선형 효과를 가져와서, 수신 신호의 검출 감도를 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
이러한 실시예 5에 의한 비선형성의 억압 효과를 확인하기 위해서, 안테나 분파기의 선형 성능 평가 규격의 하나인 크로스 모듈레이션(Cross Modulation: CM) 시험을 행하였다.
CM 시험의 시험 조건을 도 19의 (a)에 도시한다. 안테나 분파기의 블록 구성은 도 1과 동일하다. 안테나 단자(14)로부터 25dBm의 전력이 출력되도록, 송신 단자(13)로부터 송신 주파수(fTx)의 대전력의 변조 신호(송신 신호)를 입력한다. 동시에 안테나 단자(14)로부터 -30dBm의 미약한 수신 주파수(fTx+ΔG+Δf)의 무변조 신호(방해파)를 입력한다. 이 때, 수신 단자(15)로부터 출력되는 신호의 스펙트럼을 측정한다.
도 19의 (b)는 이 때의 시험 주파수의 조건을 도시하는 도면으로, 횡축은, 주파수, 종축은 필터의 통과량을 나타내고 있다. 송신용 필터(16)의 필터 특성을 실선, 수신용 필터(11)의 필터 특성을 파선으로 나타내고 있다. 안테나 분파기를 이용하는 휴대 전화 단말기가 사용되는 통신 시스템의 송신 대역 및 수신 대역은, 각각 송신용 필터(16) 및 수신용 필터(11)의 통과 대역 내로 되어 있다. ΔG는 송신 대역의 중심 주파수와 수신 대역의 중심 주파수의 간격(일정값)이다. 또한, Δf는 통신 시스템마다 정해진 채널 간격(일정값)이다(통상수 ㎒ 이하). 이 상태에서 수신 단자에서의 방해파의 신호 스펙트럼을 측정한다. CM 시험 시, 수신용 필 터(11)에는, 방해파뿐만 아니라, 송신 신호 중 안테나 단자에 출력되지 않은 일부 신호(누설 전력)가 입력되고 있다.
수신 단자에서의 방해파의 스펙트럼을 측정한 일례를 도 20에 도시한다. 도 20은 횡축이 주파수, 종축이 수신 단자 출력 전력이다. 도 20 중 파선은, 송신 신호를 입력하지 않은 상태에서 측정한 수신 단자 출력 전력의 스펙트럼이다. 이 때는, 수신용 필터(11)에 비선형성이 없는 상태와 동등하다. 이 상태에서는, 수신(방해파의) 주파수(fTx+ΔG+Δf)에만 뾰족한 피크가 나타난다. 한편, 도 20 중 실선은, 송신 신호를 입력한 상태에서 측정한 수신 단자 출력 전력의 스펙트럼이다. 이 경우, 수신용 필터(11)에 비선형성이 있으면, 누설 전력에 의해 수신 신호(방해파)가 변조를 받아, 스펙트럼이 넓어져 변조 신호를 발생한다. 이 변조 신호의 주파수는, 방해파의 인접 채널에까지 미치기 때문에, 인접 채널의 수신 신호(fTx+ΔG)가 변조 신호에 묻히게 된다. 이에 의해, 수신 감도가 열화한다. 이와 같이, 변조 신호의 크기에 의해, 수신용 필터(11)의 비선형성을 평가할 수 있다. 또한, 변조 신호가 작은 수신용 필터는, 비선형성이 작아, 안테나 분파기에 적합한 필터라고 할 수 있다.
실시예 5에 더하여 도 21, 도 22의 모식도로 나타내는 안테나 분파기에 대해서도 CM 시험을 행하였다. 도 21에 도시한 안테나 분파기(종래예)는, 실시예 5에 대하여, 수신용 필터(120b)의 구성이 상이하다. 그 외의 구성은 실시예 5와 동일하다. 입력 단자측의 DMS(121b), 출력 단자측의 DMS(122b) 모두 도 2의 (a)의 종 래예의 DMS, 즉 직렬 분해하지 않은 IDT만을 갖는 DMS를 이용하고 있다. 도 22에 도시한 안테나 분파기(비교예)는, 실시예 5에 대하여, 수신용 필터(120c)의 구성이 상이하다. 그 외의 구성은 실시예 5와 동일하다. 입력 단자측의 DMS(121c)에는 도 2의 (b)의 비교예의 DMS를, 출력 단자측의 DMS(122c)에는 도 2의 (a)의 종래예의 DMS를 이용하고 있다.
도 23은 CM 시험의 결과이다. 횡축은 주파수, 종축은 수신 단자 출력 전력이다. 종래예, 비교예 및 실시예 5(도면에서는 실시예)의 수신 단자 출력 전력의 스펙트럼을, 각각 점선, 파선 및 실선으로 나타내었다. 또한, 송신 주파수는, 송신 대역의 가장 낮은 주파수를 이용했다. 실시예 5에 따른 안테나 분파기는, 종래예, 비교예의 안테나 분파기에 비하여, 인접 채널의 변조 신호 강도를 대폭으로 저감할 수 있는 것을 알 수 있다. 이것은, 2개 직렬 접속된 IDT의 개구 길이를 모두 2.0×AP로 함으로써, 1개의 IDT당 인가되는 전압이 작아져, 단위 면적당에 여진하는 SAW 강도가 저감하여, 비선형 효과가 발생하기 어렵게 되었기 때문이다.
도 24는 이들의 안테나 분파기의 통과 특성이다. 도 24의 (b)는 도 24의 (a)의 수신 대역 부근의 확대도이다. 종래예, 비교예 및 실시예 5의 삽입 손실을, 각각 점선, 파선 및 실선으로 나타내었다. 실시예 5의 안테나 분파기는 통과 대역 내에 노치가 발생하는 일 없이, 종래예, 비교예의 안테나 분파기와 동등한 필터 특성을 나타내고 있는 것을 알 수 있다.
이상의 실험 결과로부터, 안테나 분파기의 수신용 필터(120a)의 입력 단자측의 DMS(121a)로서, 복수로 직렬 접속된 IDT를 갖는 다중 모드형 SAW 필터를 이용함 으로써, 안테나 분파기의 내 전력성을 향상시켜, 비선형 효과를 억제할 수 있었다. 더구나, DMS(121a)가 갖는 인접하는 IDT의, 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우, 다른 한쪽은 부유 도체 이외(입출력 전극 또는 그라운드 전극)에 접속되어 있다. 이에 의해, DMS(121a)가 갖는 부유 도체 간의 정전 용량을 저감하여, 안테나 분파기의 통과 대역 내의 노치의 발생을 억제할 수 있었다. 이에 의해, DMS(120a)의 직렬 분해된 IDT의 개구 길이로서, 안테나 분파기의 내 전력성을 가장 향상시켜, 비선형 효과를 가장 억제할 수 있는 개구 길이로서 AP1=AP2를 선택할 수 있었다. 이상에 의해, 실시예 5에 따르면, 안테나 분파기의 필터 특성을 열화시키지 않고, 그 내 전력성을 향상시켜, 비선형 효과를 억제할 수 있었다.
실시예 5는 수신용 필터(120a)에 실시예 4에 따른 필터를 사용했지만, 실시예 1 또는 그 변형예, 실시예 2 혹은 실시예 3의 필터를 이용할 수 있다. 이 경우에도, 실시예 5와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 6)
실시예 6은 밸런스형 SAW 필터의 예이다. 도 25에 실시예 6의 상시도를 나타낸다. 실시예 6의 상부의 부분은, 실시예 1의 변형예 6의 좌측의 부유 도체(71)을 부유 도체(71d)로 변경하고, 입출력 전극(61a, 63a)를 부유 도체(161, 163)로 변경한 것이다. 다른 구성은 실시예 1의 변형예 6과 동일하다. 반사기(150과 155) 사이에서, 부유 도체(161)와 그라운드 전극(166)은 IDT(151)를 구성하고, 부유 전극(163)과 그라운드 전극(168)은 IDT(153)를 구성한다. IDT(151)와 IDT(153) 사이에는 부유 전극(162)과 입출력 전극(167a, 167b)으로 각각 구성되는 IDT(152a, 152b)가 형성되어 있다. 입출력 전극(167a, 167b)에는 각각 밸런스 출력 단자(1)와 밸런스 출력 단자(2)가 접속되어 있다.
좌측의 부유 도체(71d)는, 중앙의 IDT(52, 57)에 인접하는 전극 핑거는 참조 부호 74a의 1개이다. 한편, 우측의 부유 전극(73)의 중앙의 IDT(52)에 인접하는 전극 핑거는 참조 부호 78a와 참조 부호 78b의 2개를 형성하고 있다. 이에 의해, 부유 도체(161와 163)에 여기되는 신호의 위상은 180° 반전하고 있다. 이 때문에, IDT(151)와 IDT(153)에 여기되는 신호는 180° 반전하고, IDT(152a)와 IDT(152b)에 여기되는 신호의 위상도 180° 반전한다. 따라서, 밸런스 출력 단자(1)와 밸런스 출력 단자(2)에 출력되는 신호의 위상은 180° 반전하여, 실시예 6에 따른 필터는 밸런스형 필터로서 기능한다.
실시예 1의 변형예 6과 마찬가지로, 인접하는 IDT의, 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우, 또 한 쪽은 부유 도체 이외(입출력 전극 또는 그라운드 전극)에 접속되어 있다. 이에 의해, 부유 도체(71d, 72) 사이 및 부유 도체(72, 73) 사이의 정전 용량을 저감할 수 있다. 이에 의해, 통과 대역 내의 노치를 억제할 수 있다.
(실시예 7)
실시예 7은 3개의 IDT로 직렬 분해한 밸런스형 SAW 필터의 예이다. 도 26에 실시예 7을 나타낸다. 실시예 7은, 실시예 2의 입출력 전극(135a, 135c)을 입력 단자에, 입출력 전극(135b)을 밸런스 출력 단자(1)에 접속하고, 그라운드 전극 (134b)을 입출력 전극(135d)으로 변경하여 밸런스 출력 단자(2)에 접속하고 있다. 이들 이외에는 실시예 2와 동일한 구성이다. 입출력 단자(135b)와 부유 도체(137b), 부유 도체(137b)와 부유 도체(138b), 부유 도체(138b)와 입출력 전극(15d)은, 각각 위상이 180° 반전한다. 이에 의해, 입출력 전극(135b)에 접속된 밸런스 출력 단자(1)와 입출력 전극(135d)에 접속된 밸런스 출력 단자(2)는, 위상이 180° 반전하여, 실시예 7에 따른 필터는 밸런스형 필터로서 기능한다.
실시예 2와 마찬가지로, 인접하는 IDT의, 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우, 다른 한쪽은 부유 도체 이외(입출력 전극 또는 그라운드 전극)에 접속되어 있다. 이에 의해, 통과 대역 내의 노치를 억제할 수 있다. 따라서, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성을 향상시키고, 비선형 효과를 억제하는 것이 가능하게 된다.
실시예 6 및 실시예 7과 같이, 밸런스형 SAW 필터에 실시예 1 또는 그 변형예, 실시예 2, 실시예 3 혹은 실시예 4에 따른 필터를 이용함으로써, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성을 향상시키고, 비선형 효과를 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이들의 밸런스형 SAW 필터를 안테나 분파기에 이용함으로써, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성을 향상시키고, 비선형 효과를 억제하는 것이 가능하게 된다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 상술했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 여러가지의 변형·변경이 가능하다.
본 발명에 따르면, 필터 특성을 열화시키지 않고, 내 전력성의 향상 또는 비선형 효과의 억제가 가능한 다중 모드형 탄성 표면파 필터 및 안테나 분파기를 제공할 수 있다.

Claims (23)

  1. 압전 기판 상에 형성되고, 입출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 복수로 직렬 접속된 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 갖는 IDT군을 복수 구비하고,
    인접하는 상기 IDT의 그 사이에 인접하는 전극 핑거 중 한 쪽이 부유 도체에 접속되어 있는 경우에는, 다른 한쪽의 전극 핑거는, 상기 입출력 전극과 상기 그라운드 전극 중 어느 한 쪽에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인접하는 상기 IDT의 그 사이에 인접하는 상기 전극 핑거 중 적어도 한 쪽은, 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 연속하여 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 구성하는 모든 IDT는, 입출력 전극과 그라운드 전극 사이에 부유 도체를 개재하여 직렬 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 인접하는 IDT는 탄성 표면파의 전파 방향에 인접한 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 동일 전위인 복수의 전극 핑거는, 상기 부유 도체에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성파 표면 필터.
  6. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴은, 탄성 표면파의 전파 방향으로 연장하는 축에 대하여 경면 대칭인 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  7. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT의 전극 핑거 패턴은, 탄성 표면파의 전파 방향에 대하여 수직 방향으로 평행 이동한 패턴인 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  8. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 직렬 접속된 IDT 중 2개의 IDT는 개구 길이가 대략 동일한 것을 특징으 로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  9. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    출력 단자에 접속된 상기 입출력 전극과 입력 단자에 접속된 상기 입출력 전극은 같은 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 IDT에 접속된 각 그라운드 전극은 상기 압전 기판 상에서 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 그라운드 전극의 전극 핑거는 단일의 그라운드 버스 바에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  12. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    출력 단자에 접속된 상기 입출력 전극과 입력 단자에 접속된 상기 입출력 단자는 서로 다른 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  13. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    인접하는 2개의 직렬 접속된 상기 IDT의 인접하는 상기 부유 도체의 접속선 사이에, 상기 접속선에 접속되어 있지 않은 전극 핑거가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  14. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    탄성 표면파의 전파 방향으로 순서대로 제1 IDT, 제2 IDT 및 제3 IDT가 배치된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 형성되고, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 복수의 전극 핑거가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거와, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거는 상호 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 IDT와 상기 제2 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거와, 상기 제2 IDT와 상기 제3 IDT 사이에 동일 전위인 상기 복수의 전극 핑거는 서로 다른 전위의 도체에 접속된 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 IDT의 입출력 전극 및 상기 제3 IDT의 상기 입출력 전극은 입력 단자에 접속되고, 상기 제2 IDT의 상기 입출력 전극은 출력 단자에 접속된 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  19. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항의 복수의 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 병렬로 접속한 것을 특징으로 하는 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  20. 제1 필터와, 상기 제1필터의 출력 단자가 입력 단자에 접속된 제2 필터를 구비하고,
    상기 제1 필터는 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항의 다중 모드형 탄성 표면파 필터이고,
    상기 제2 필터는 다중 모드형 탄성 표면파 필터인 다중 모드형 탄성 표면파 필터.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제2 필터는, 직렬 분해되어 있지 않은 IDT만을 갖는 다중 모드형 탄성 표면파 필터인 탄성 표면파 필터.
  22. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항의 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 사용한 밸런스형 탄성 표면파 필터.
  23. 제1항, 제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 기재된 다중 모드형 탄성 표면파 필터 또는 상기 다중 모드형 탄성 표면파 필터를 사용한 밸런스형 탄성 표면파 필터를 사용한 안테나 분파기.
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