KR102448414B1 - 탄성파 장치 - Google Patents

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히로무 오꾸나가
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

고정밀도로 음속을 조정할 수 있고, 음향 손실이 발생하기 어려운, 탄성파 장치를 제공한다. 지지 기판(2) 상에 에너지 가둠층(3), 압전막(4) 및 IDT 전극(7)이 적층되어 있고, 압전막(4)과, 지지 기판(2) 사이의 적어도 일부에 마련되어 있고, 또한 압전막(4)과 다른 재료로 이루어지는 음속 조정막(11, 12)이 마련되어 있는, 탄성파 장치(1).

Description

탄성파 장치
본 발명은, 음속 조정막을 갖는 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파의 음속을 부분적으로 다르게 하기 위한 음속 조정막을 갖는 탄성파 장치가 알려져 있다. 예를 들어 하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거가 탄성파 전파 방향에서 본 경우에 겹쳐 있는 교차 영역 내의 양단부 근방에, 제1, 제2 에지 영역이 마련되어 있다. 이 제1, 제2 에지 영역의 음속을 낮추기 위해, 제1, 제2 에지 영역에 있어서, 제1, 제2 전극 핑거에, 질량을 부가하기 위한 금속막이 적층되어 있다. 또한, 하기의 특허문헌 2에서는, 에지 영역에 있어서, 제1, 제2 전극 핑거에, 유전체막을 적층한 구조가 나타내어져 있다.
WO 2011/088904 A1 일본 특허 공개 제2015-111923호 공보
특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 탄성파 장치에서는, 금속이나 유전체로 이루어지는 음속 조정막을, 제1, 제2 전극 핑거 상에 적층하고 있는 것이므로, 고정밀도로 음속 조정막을 형성하는 것이 곤란하였다. 그 때문에, 고정밀도로 음속을 조정하는 것이 곤란하였다. 또한, 전극 핑거에 비교적 두꺼운 음속 조정막을 적층하면, 음향 손실이 커진다. 그 때문에, 전기 기계 결합 계수나 Q 특성이 열화될 우려도 있었다.
본 발명의 목적은, 고정밀도로 음속을 조정할 수 있고, 음향 손실이 발생하기 어려운, 탄성파 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 지지 기판과, 압전막과, 상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 압전막과 상기 지지 기판 사이에 마련되어 있고, 상기 압전막에 에너지를 가두기 위한 에너지 가둠층과, 상기 압전막과 상기 지지 기판 사이의 적어도 일부에 마련되어 있고, 또한 상기 압전막과 다른 재료로 이루어지는 음속 조정막을 구비하는, 탄성파 장치이다.
본 발명에 따르면, 고정밀도로 음속을 조정할 수 있으며, 또한 음향 손실이 발생하기 어려운, 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 평면도 및 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태 탄성파 장치의 전극 구조를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 주요부를 도시하는 정면 단면도이다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 본 발명의 제3 실시 형태 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 평면도 및 정면 단면도이다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 본 발명의 제4 실시 형태 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 평면도 및 정면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시 형태 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 정면 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 주요부를 도시하는 정면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명확하게 할 것이다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는, 예시적인 것이며, 다른 실시 형태간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 주요부를 도시하는 평면도 및 정면 단면도이며, 도 2는 본 실시 형태의 탄성파 장치의 전극 구조를 나타내는 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 갖는다. 지지 기판(2) 상에 에너지 가둠층(3)이 적층되어 있다. 에너지 가둠층(3) 상에 압전막(4)이 적층되어 있다. 압전막(4)은 서로 대향하는 제1 주면(4a)과, 제2 주면(4b)을 갖는다. 제2 주면(4b)이 에너지 가둠층(3)에 접하도록 압전막(4)이 에너지 가둠층(3)에 적층되어 있다. 압전막(4)의 제1 주면(4a) 상에 IDT 전극(7)이 마련되어 있다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에서는, IDT 전극(7)이 마련되어 있는 부분을 나타내고 있지만, 실제로는, 도 2에 도시한 바와 같이, IDT 전극(7)의 탄성파 전파 방향 양측에, 반사기(8, 9)가 마련되어 있다. 그에 의해, 탄성파 공진자가 구성되어 있다.
또한, 탄성파 장치(1)에서는, 음속 조정막(11, 12)이 마련되어 있다. 음속 조정막(11, 12)은 전파하는 탄성파의 음속을 조정하기 위해 마련되어 있다. 본 실시 형태의 탄성파 장치(1)에서는, 음속 조정막(11, 12)을 마련함으로써, 부분적으로 음속을 다르게 하는 것이 가능하게 되어 있다. 게다가, 후술하는 바와 같이, 음향 손실이 발생하기 어렵고, 따라서, 전기 기계 결합 계수나 Q 특성의 열화가 발생하기 어렵다. 이하, 탄성파 장치(1)의 상세를 설명한다.
지지 기판(2)은 절연체나 반도체 등으로 이루어진다. 이와 같은 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 Si, Al2O3 등을 들 수 있다. 에너지 가둠층(3)은 상대적으로 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스층(3a, 3c, 3e)과, 상대적으로 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스층(3b, 3d)을 갖는다. 저음향 임피던스층(3a, 3c, 3e)과, 고음향 임피던스층(3b, 3d)이 교대로 적층되어 있다.
저음향 임피던스층(3a, 3c, 3e)을 구성하는 재료 및 고음향 임피던스층(3b, 3d)을 구성하는 재료는, 상기 음향 임피던스 관계를 충족하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 저음향 임피던스층(3a, 3c, 3e)의 재료로서는, 예를 들어 산화 규소, 산질화 규소 등을 들 수 있다. 고음향 임피던스층(3b, 3d)의 재료로서는, 금속이나, Al2O3 등의 유전체를 들 수 있다.
에너지 가둠층(3)의 상면에, 압전막(4)이 적층되어 있다. 압전막(4)은 LiNbO3이나 LiTaO3 등의 압전 단결정 또는 압전 세라믹스에 의해 구성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, LiNbO3이 사용되고 있다.
IDT 전극(7)은 제1, 제2 빗살형 전극(5, 6)을 갖는다. 제1 빗살형 전극(5)은 복수개의 제1 전극 핑거(5a)와, 제1 버스 바(5b)를 갖는다. 제2 빗살형 전극(6)은 복수개의 제2 전극 핑거(6a)와, 제2 버스 바(6b)를 갖는다. 복수개의 제1 전극 핑거(5a)와, 복수개의 제2 전극 핑거(6a)가 서로 맞물려 있다.
IDT 전극(7)은 Al, Cu, W, Mo 등의 금속 또는 이들의 금속을 주체로 하는 합금에 의해 구성할 수 있다. 또한, 복수의 금속막을 적층하여 이루어지는 적층 금속막을 사용해도 된다. 그러나, IDT 전극(7)의 재료는 특별히 한정되지 않는다.
IDT 전극(7)에 있어서의 전극 핑거 피치로 정해지는 파장을 λ로 한다. 압전막(4)의 두께는, 바람직하게는 1.5λ 이하로 된다. 이와 같은 얇은 압전막(4)의 경우, 발생한 탄성파를, 에너지 가둠층(3)을 사용하여 압전막(4) 내에 효과적으로 가둘 수 있다. 에너지 가둠층(3)에서는, 저음향 임피던스층(3a, 3c, 3e) 중 적어도 1층이, 고음향 임피던스층(3b, 3d) 중 적어도 1층보다도 압전막(4)측에 위치하고 있으면 된다. 그에 의해, 탄성파를 반사하고, 압전막(4)에 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
또한, 에너지 가둠층(3)에 있어서의 저음향 임피던스층 및 고음향 임피던스층의 적층수는 특별히 한정되지 않는다.
음속 조정막(11, 12)은 IDT 전극(7)에 있어서, 교차 폭 방향에 있어서, 음속이 상이한 영역을 마련하기 위해 배치되어 있다. IDT 전극(7)에 있어서는, 탄성파 전파 방향에서 보았을 때에, 제1 전극 핑거(5a)와, 제2 전극 핑거(6a)가 겹쳐져 있는 영역이 교차 영역이다. 이 교차 영역에 있어서, 탄성파가 여진된다.
교차 영역에 있어서, 제1, 제2 전극 핑거(5a, 6a)가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역에 비해, 중앙 영역의 양측에 위치하는 제1, 제2 에지 영역 A, B의 음속이, 음속 조정막(11, 12)에 의해 낮아져 있다. 즉, 음속 조정막(11, 12)이 마련되어 있는 영역이, 제1, 제2 에지 영역 A, B이며, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 에지 영역 A, B는, 탄성파 전파 방향을 따라서 연장되어 있는 직사각형의 형상을 갖는 영역으로 되어 있다. 이 영역에, 음속 조정막(11, 12)이 마련되어 있다.
음속 조정막(11, 12)은 에너지 가둠층(3)의 상면에 위치하고 있다. 음속 조정막(11, 12)은 에너지 가둠층(3) 상에서의 패턴 형성에 의해 마련할 수 있다. 따라서, 음속 조정막(11, 12)을 고정밀도로 형성할 수 있고, 음속을 고정밀도로 조정하는 것이 가능하게 된다. 게다가, 제1, 제2 전극 핑거(5a, 6a) 상에 다른 막을 부가하는 것이 아니므로, 음향 손실에 의한, 전기 기계 결합 계수나 Q 특성의 열화도 발생하기 어렵다. 이와 같은 음속 조정막(11, 12)의 재료로서는, 적절한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, Au, Pt, Pd, Ta, Nb 또는 W 등의 금속 또는 이들의 금속을 주체로 하는 합금, 또는 이들의 금속의 산화물 등을 적합하게 사용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 음속 조정막(11, 12)에 의한 질량 부가 작용에 의해, 제1, 제2 에지 영역 A, B에 있어서의 음속을, 중앙 영역에 있어서의 음속보다도 낮게 하는 것이 가능하게 되어 있다. 그에 의해, 가로 모드에 의한 리플을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 음속 조정막(11, 12)은 에너지 가둠층(3)과, 압전막(4)의 계면에 있어서, 압전막(4)에 접하도록 마련되어 있었다. 따라서, 제1, 제2 에지 영역 A, B에 있어서의 음속을 효과적으로 낮출 수 있다. 이와 같은 음속 조정막(11, 12)은 에너지 가둠층(3)의 상면에 적층하도록 형성해도 되고, 혹은, 압전막(4)의 제2 주면(4b) 상에 패턴 형성하고, 에너지 가둠층(3)을 형성한 후에, 지지 기판(2)과 적층해도 된다. 어느 형성 방법에 있어서도, 평탄한 면 위에 음속 조정막(11, 12)을 패턴 형성하면 된다. 따라서, 음속 조정막(11, 12)을 고정밀도로 형성할 수 있다. 또한, 음속 조정막(11, 12)과, 압전막(4) 사이에는, 밀착층이 형성되어 있어도 된다.
도 3은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 주요부를 도시하는 정면 단면도이다. 제2 실시 형태의 탄성파 장치(21)에서는, 음속 조정막(11, 12)이 에너지 가둠층(3) 내에 마련되어 있다. 도 3에서는, 에너지 가둠층(3)은 개략적으로 나타내어져 있지만, 실제로는, 제1 실시 형태의 에너지 가둠층(3)과, 마찬가지로 구성되어 있다. 따라서, 복수의 고음향 임피던스와, 복수의 저음향 임피던스층이 교대로 적층되어 있다.
제2 실시 형태의 탄성파 장치(21)에서는, 음속 조정막(11, 12)이 에너지 가둠층(3) 내에 마련되어 있다. 즉, 음속 조정막(11, 12)은 압전막(4)의 제2 주면(4b)에 직접 접하고 있지 않다. 이와 같이, 음속 조정막(11, 12)은 압전막(4)의 제2 주면(4b)과, 지지 기판(2) 사이의 임의의 위치에 형성할 수 있지만, 압전막(4)으로부터 1/2λ 내지 1λ의 거리에 형성하면, 보다 바람직하다.
또한, 탄성파 장치(21)에서는, 음속 조정막(11, 12)은 제1, 제2 에지 영역 A, B가 아니라, 제1, 제2 버스 바(5b, 6b)가 마련되어 있는 부분의 하방에 위치하고 있다. 이와 같이 본 발명에 따른 탄성파 장치에서는, 제1, 제2 에지 영역 A, B에 한정되지 않고, 다른 부분의 음속을 다르게 하도록, 음속 조정막(11, 12)이 마련되어도 된다. 또한, 음속 조정막(11, 12)은 음속을 높게 하기 위해 마련되어도 된다. 재료로서는, 알루미나, SiC, 다이아몬드 등을 사용할 수 있다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 제3 실시 형태에 따른 탄성파 장치(31)의 주요부를 도시하는 평면도 및 정면 단면도이다.
탄성파 장치(31)에서는, 탄성파 장치(21)와 마찬가지로, 음속 조정막(11, 12)이 제1, 제2 버스 바(5b, 6b)의 하방에 위치하도록 마련되어 있다. 그러나, 음속 조정막(11, 12)은 압전막(4)의 제2 주면(4b)에 접하도록 마련되어 있다. 이와 같이, 음속 조정막(11, 12)은 제1, 제2 에지 영역 A, B 이외의 부분의 음속을 다르게 하는 경우에도, 압전막(4)의 제2 주면(4b)에 접하도록 마련되어 있어도 된다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 제4 실시 형태에 따른 탄성파 장치(41)의 주요부를 도시하는 평면도 및 정면 단면도이다.
탄성파 장치(41)에서는, IDT 전극(7)에 있어서, 제1 전극 핑거(5a)의 선단을 연결하는 포락선과, 제2 전극 핑거(6a)의 선단끼리를 연결하는 포락선이, 제1, 제2 전극 핑거(5a, 6a)와 직교하는 방향이 아니라, 직교하는 방향에 대하여 경사져 있다. 그에 수반하여, 제1, 제2 버스 바(5b, 6b)가 연장되는 방향도, 탄성파 전파 방향에 대하여 경사져 있다. 음속 조정막(11, 12)에 대해서도, 제1, 제2 에지 영역 A, B가 마찬가지로 경사져 있으므로, 평면에서 보아, 탄성파 전파 방향으로 경사지도록 마련되어 있다. 이와 같이, IDT 전극(7)에 있어서, 제1, 제2 에지 영역 A, B가 탄성파 전파 방향에 대하여 경사져 있는 구조이어도 된다.
여기서, 제1 실시 형태에 있어서의 IDT 전극(7)은 경사 구조를 갖지 않는 정규형의 IDT 전극이다. 본 실시 형태의 탄성파 장치(41)는 상기 IDT 전극(7)에 있어서의 경사 구조를 제외하면, 제1 실시 형태의 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다. 따라서, 음속 조정막(11, 12)에 의해, 음속을 고정밀도로 조정하는 것이 가능하게 되고, 제1, 제2 에지 영역 A, B의 음속을 효과적으로 낮출 수 있다.
도 6은, 제5 실시 형태에 따른 탄성파 장치(51)의 주요부를 도시하는 정면 단면도이다. 탄성파 장치(51)에서는, 고음속 재료층으로서의 고음속막(52)과, 저음속 재료층으로서의 저음속막(53)을 갖는 에너지 가둠층(54)이 사용되고 있다. 에너지 가둠층(3)을 대신해서 에너지 가둠층(54)이 마련되어 있는 것을 제외하고는, 탄성파 장치(51)는 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다.
고음속막(52)으로서는, 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 고음속 재료로 이루어지는 막을 사용할 수 있다. 이와 같은 고음속 재료로서는, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 탄화 규소, 산질화 규소, DLC막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질 등의 다양한 고음속 재료를 사용할 수 있다.
저음속막(53)은 저음속 재료로 이루어진다. 저음속 재료란, 전파하는 벌크파의 음속이, 압전막(4)을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 재료를 말한다. 이와 같은 저음속 재료로서는, 산화 규소, 유리, 산질화 규소, 산화 탄탈 또한 산화 규소에 불소나 탄소나 붕소를 추가한 화합물 등, 상기 재료를 주성분으로 한 매질을 사용할 수 있다.
상기 저음속막(53) 및 고음속막(52)은 반복해서 적층되어 있어도 된다. 적어도 1층의 저음속막(53)보다도, 적어도 1층의 고음속막(52)이 지지 기판(2)측에 위치하고 있으면 된다. 그에 의해, 압전막(4) 내에 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
따라서, 고음속막(52)이 고음속 재료로 이루어지는 지지 기판(2)과 일체로 형성되어 있어도 된다. 그 경우에 있어서도, 고음속 부재 상에, 저음속막(53) 및 압전막(4)이 적층되어 있게 된다. 따라서, 압전막(4) 내에 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다. 또한, 예를 들어, 고음속막(52)과 지지 기판(2)이 동일 재료에 의해 일체로 구성되어 있어도 된다.
탄성파 장치(51)에 있어서도, 음속 조정막(11, 12)이 제1, 제2 에지 영역 A, B의 하방에 마련되어 있으므로, 제1, 제2 에지 영역 A, B에 있어서의 음속을 낮추도록 조정할 수 있다. 게다가, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 음속 조정막(11, 12)을 고정밀도로 형성할 수 있으며, 또한 음향 손실에 의한 전기 기계 결합 계수나 Q 특성의 열화도 발생하기 어렵다.
도 7은, 제6 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 주요부를 도시하는 정면 단면도이다. 탄성파 장치(61)에서는, 에너지 가둠층으로서 캐비티(X)가 중간층(62)에 마련되어 있다. 여기서는, 지지 기판(2) 상에 중간층(62)은 마련되어 있다. 중간층(62)에 있어서, 상방으로 오픈된 오목부가 형성되고, 캐비티(X)가 마련되어 있다. 이 캐비티(X)를 덮도록, 압전막(4)이 중간층(62) 상에 적층되어 있다. 압전막(4)의 제2 주면(4b)에, 음속 조정막(11, 12)이 마련되어 있다. 음속 조정막(11, 12)은 IDT 전극(7)에 있어서의 제1, 제2 에지 영역 A, B의 하방에 마련되어 있다. 따라서, 본 실시 형태의 탄성파 장치(61)에 있어서도, 제1, 제2 에지 영역 A, B의 음속을 효과적으로 낮출 수 있다.
본 발명에 있어서, 에너지 가둠층은, 이와 같은 캐비티(X)이어도 된다. 그에 의해, 압전막(4) 내에 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
탄성파 장치(61)에 있어서도, 음속 조정막(11, 12)은 압전막(4)의 제2 주면(4b) 상에 마련하면 되므로, 고정밀도로 형성할 수 있고, 음속을 고정밀도로 조정하는 것이 가능하게 된다. 또한, 음속 조정막(11, 12)의 음향 손실도 발생하기 어렵기 때문에, 전기 기계 결합 계수나 Q 특성의 열화도 발생하기 어렵다.
또한, 상기 중간층(62)을 구성하는 재료로서는, 산화 규소에 한정되지 않고, 다양한 유전체 재료를 사용할 수 있다.
1 : 탄성파 장치
2 : 지지 기판
3 : 에너지 가둠층
3a, 3c, 3e : 저음향 임피던스층
3b, 3d : 고음향 임피던스층
4 : 압전막
4a : 제1 주면
4b : 제2 주면
5 : 제1 빗살형 전극
5a : 제1 전극 핑거
5b : 제1 버스 바
6 : 제2 빗살형 전극
6a : 제2 전극 핑거
6b : 제2 버스 바
7 : IDT 전극
8, 9 : 반사기
11, 12 : 음속 조정막
21, 31, 41, 51, 61 : 탄성파 장치
52 : 고음속막
53 : 저음속막
54 : 에너지 가둠층
62 : 중간층
X : 캐비티

Claims (10)

  1. 지지 기판과,
    압전막과,
    상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극과,
    상기 압전막과 상기 지지 기판 사이에 마련되어 있고, 상기 압전막에 에너지를 가두기 위한 에너지 가둠층과,
    상기 압전막과 상기 지지 기판 사이의 적어도 일부에 마련되어 있고, 또한 상기 압전막과 다른 재료로 이루어지는 음속 조정막을 구비하며,
    상기 압전막과 상기 지지 기판 사이의 적어도 일부에 마련된 상기 음속 조정막이 상기 에너지 가둠층의 상기 압전막 측의 제1 주면, 상기 지지 기판 측의 제2 주면, 상기 제1 주면과 상기 제2 주면의 사이 중 어느 하나에 위치하며, 상기 음속 조정막은 평면에서 볼 때 상기 에너지 가둠층의 상기 제1 주면과 부분적으로 중첩되도록 마련되어 있는, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음속 조정막이, 상기 압전막에 접하도록 마련되어 있는, 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 IDT 전극이, 서로 맞물리는 제1 및 제2 전극 핑거를 갖고, 탄성파 전파 방향에서 보았을 때에 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거가 겹쳐져 있는 영역을 교차 영역으로 한 경우에, 해당 교차 영역이, 상기 제1, 제2 전극 핑거가 연장되는 방향에 있어서 중앙에 위치하고 있는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역의 양측에 배치된 에지 영역을 갖고, 상기 음속 조정막이, 상기 에지 영역의 하방에 있어서, 상기 탄성파 전파 방향으로 연장되도록 마련되어 있는, 탄성파 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 IDT 전극이 정규형의 IDT 전극인, 탄성파 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 에너지 가둠층이, 상대적으로 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스층과, 상기 저음향 임피던스층보다도 상기 지지 기판측에 배치되어 있고, 상대적으로 음향 임피던스가 높은, 고음향 임피던스층을 갖는 탄성파 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 저음향 임피던스층과, 상기 고음향 임피던스층이 교대로 복수층 적층되어 있는, 탄성파 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 에너지 가둠층이, 전파하는 벌크파의 음속이, 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은, 고음속 재료층과,
    전파하는 벌크파의 음속이, 상기 압전막을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은, 저음속 재료로 이루어지는 저음속 재료층을 갖는 탄성파 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지 기판이 고음속 재료로 이루어지고, 상기 고음속 재료층과 상기 지지 기판이 동일 재료에 의해 일체로 구성되어 있는, 탄성파 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 에너지 가둠층이, 상기 압전막측에 있어서, 상기 IDT 전극이 마련되어 있는 부분의 하방에 위치하고 있는 캐비티를 갖는 탄성파 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 에너지 가둠층에 상기 캐비티를 갖는 오목부가 마련되어 있는, 탄성파 장치.
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