CN217183269U - 弹性波滤波器装置 - Google Patents

弹性波滤波器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN217183269U
CN217183269U CN202090000782.8U CN202090000782U CN217183269U CN 217183269 U CN217183269 U CN 217183269U CN 202090000782 U CN202090000782 U CN 202090000782U CN 217183269 U CN217183269 U CN 217183269U
Authority
CN
China
Prior art keywords
series
arm resonator
arm
elastic wave
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202090000782.8U
Other languages
English (en)
Inventor
竹内裕太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN217183269U publication Critical patent/CN217183269U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/566Electric coupling means therefor
    • H03H9/568Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

提供一种能够改善陡峭性并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量的弹性波滤波器装置。弹性波滤波器装置(1)具备:第1信号端子(A1);第2信号端子(A2);串联臂电路(A),连接在第1信号端子(A1)与第2信号端子(A2)之间,包含多个串联臂谐振器;和并联臂电路,串联连接在串联臂电路(A)与接地电位之间,包含至少一个并联臂谐振器。多个串联臂谐振器包含反谐振频率相互不同的第1串联臂谐振器(S16)和第2串联臂谐振器(S17)。第1串联臂谐振器(S16)的反谐振频率在多个串联臂谐振器的反谐振频率中最低。第1串联臂谐振器(S16)和第2串联臂谐振器(S17)不经由其他电路元件地连接。

Description

弹性波滤波器装置
技术领域
本实用新型涉及弹性波滤波器装置。
背景技术
以往,弹性波滤波器装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1中公开了弹性波滤波器装置的一例。该弹性波滤波器装置是包含多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器的梯型滤波器。串联臂谐振器以及并联臂谐振器均为声表面波谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-343168号公报
实用新型内容
实用新型要解决的课题
以往,上述那样的梯型滤波器特别作为双工器的发送滤波器而被广泛利用。在双工器中,上述梯型滤波器和其他滤波器公共连接于天线等。为了增大上述其他滤波器的通带中的衰减量,要求上述梯型滤波器的滤波器特性中的高陡峭性。为了改善陡峭性,已知例如通过减小谐振器的有效机电耦合系数从而缩窄谐振器的相对带宽。然而,在现有的技术中,若提高陡峭性,则难以得到通带外的充分的衰减特性。
本实用新型的目的在于,提供一种能够改善陡峭性并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量的弹性波滤波器装置。
用于解决课题的手段
在本实用新型涉及的弹性波滤波器装置的某个广泛的方式中,具备:第1信号端子;第2信号端子;串联臂电路,连接在所述第1信号端子与所述第2信号端子之间,包含多个串联臂谐振器;和并联臂电路,串联连接在所述串联臂电路与接地电位之间,包含至少一个并联臂谐振器,所述多个串联臂谐振器包含反谐振频率相互不同的第1串联臂谐振器和第2串联臂谐振器,所述第1串联臂谐振器的反谐振频率在所述多个串联臂谐振器的反谐振频率中最低,所述第1串联臂谐振器和所述第2串联臂谐振器不经由其他电路元件地连接。
在本实用新型涉及的弹性波滤波器装置的其他广泛的方式中,具备:第1信号端子;第2信号端子;串联臂电路,连接在所述第1信号端子与所述第2信号端子之间,包含至少一个串联臂谐振器;和并联臂电路,串联连接在所述串联臂电路与接地电位之间,包含多个并联臂谐振器,所述多个并联臂谐振器包含谐振频率相互不同的第1并联臂谐振器和第2并联臂谐振器,所述第1并联臂谐振器的谐振频率在所述多个并联臂谐振器的谐振频率中最高,所述第1并联臂谐振器和所述第2并联臂谐振器不经由其他电路元件地连接。
实用新型效果
根据本实用新型涉及的弹性波滤波器装置,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。
附图说明
图1是本实用新型的第1实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
图2是本实用新型的第1实施方式中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
图3是本实用新型的第1实施方式中的第1串联臂谐振器的俯视图。
图4是示出本实用新型的第1实施方式以及比较例的弹性波滤波器装置的衰减量频率特性的图。
图5是示出本实用新型的第1实施方式中的第1串联臂谐振器以及第 2串联臂谐振器的阻抗特性的图。
图6是本实用新型的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
图7是本实用新型的第1实施方式的第2变形例中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
图8是本实用新型的第1实施方式的第3变形例中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
图9是本实用新型的第1实施方式的第4变形例中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
图10是本实用新型的第1实施方式的第5变形例中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
图11是本实用新型的第1实施方式的第6变形例中的第1串联臂谐振器的俯视图。
图12是本实用新型的第2实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
具体实施方式
以下,通过参照附图对本实用新型的具体的实施方式进行说明,从而明确本实用新型。
另外,需要指出的是,本说明书中记载的各实施方式是例示性的,在不同的实施方式间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是本实用新型的第1实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
弹性波滤波器装置1是具有多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器的梯型滤波器。更具体地,弹性波滤波器装置1是通带为2401MHz~ 2483MHz的带通型滤波器。另外,弹性波滤波器装置1的通带不限定于上述。
弹性波滤波器装置1具有配置于串联臂电路A的串联臂谐振器S1、串联臂谐振器S2a、串联臂谐振器S2b、第1串联臂谐振器S16、第2串联臂谐振器S17、串联臂谐振器S4a、串联臂谐振器S4b以及串联臂谐振器S5。
第1串联臂谐振器S16在多个串联臂谐振器中反谐振频率最低。第2 串联臂谐振器S17在多个串联臂谐振器中反谐振频率最高。第1串联臂谐振器S16和第2串联臂谐振器S17不经由其他电路元件地相互串联连接。在此,所谓其他电路元件,除了串联臂电路A上的电路元件之外,还包含将串联臂电路A和接地电位连接的并联臂电路上的电路元件。另外,第2串联臂谐振器S17的反谐振频率在多个串联臂谐振器的反谐振频率中也可以不是最高。只要第1串联臂谐振器S16的反谐振频率和第2串联臂谐振器S17的反谐振频率不同即可。
另外,串联臂谐振器S2a以及串联臂谐振器S2b是被串联分割的串联臂谐振器。同样地,串联臂谐振器S4a以及串联臂谐振器S4b也是被串联分割的串联臂谐振器。即,串联臂谐振器S2a以及串联臂谐振器S2b的电特性大致相等。串联臂谐振器S4a以及串联臂谐振器S4b的电特性也大致相等。另一方面,第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17不是被串联分割的串联臂谐振器,而是相互独立的串联臂谐振器。即,第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17的电特性相互不同。
串联臂电路A的一端以及另一端分别是与信号电位连接的第1信号端子A1以及第2信号端子A2。第1信号端子A1是与天线连接的天线端子。本实施方式的弹性波滤波器装置1是与天线连接的发送滤波器。不过,弹性波滤波器装置1不必一定与天线连接,也可以不是发送滤波器。弹性波滤波器装置1也可以是接收滤波器。第1信号端子A1以及第2信号端子A2可以构成为布线,也可以构成为焊盘部。另外,串联臂谐振器S1在多个串联臂谐振器中配置于最靠第1信号端子A1侧。
在将串联臂电路A和接地电位连接的多个并联臂电路配置有多个并联臂谐振器。更具体地,并联臂电路B1将串联臂谐振器S1与串联臂谐振器S2a之间的连接点和接地电位连接。并联臂电路B2将串联臂谐振器S2b 与第1串联臂谐振器S16之间的连接点和接地电位连接。并联臂电路B3 将第2串联臂谐振器S17与串联臂谐振器S4a之间的连接点和接地电位连接。并联臂电路B4将串联臂谐振器S4b与串联臂谐振器S5之间的连接点和接地电位连接。在并联臂电路B1配置有并联臂谐振器P1。在并联臂电路B2配置有并联臂谐振器P2a以及并联臂谐振器P2b。另外,并联臂谐振器P2a以及并联臂谐振器P2b是被串联分割的并联臂谐振器。在并联臂电路B3配置有并联臂谐振器P3。在并联臂电路B4配置有并联臂谐振器 P4。
并联臂电路B1、并联臂电路B2以及并联臂电路B3在接地电位侧被捆扎。进而,并联臂电路B1、并联臂电路B2以及并联臂电路B3和并联臂电路B4公共连接于接地电位。
在本实施方式中,在串联臂电路A中的连接了并联臂电路B2以及并联臂电路B3的部分之间,配置有第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17。另外,第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17在串联臂电路A中的位置不限定于上述。弹性波滤波器装置1的电路结构不限定于上述,只要具有第1串联臂谐振器S16、第2串联臂谐振器S17以及至少一个并联臂谐振器即可。
弹性波滤波器装置1的各串联臂谐振器以及各并联臂谐振器是弹性波谐振器。以下,对本实施方式中的串联臂谐振器以及并联臂谐振器的具体的结构进行说明。
图2是第1实施方式中的第1串联臂谐振器的主视剖视图。
第1串联臂谐振器S16具有压电性基板2。压电性基板2是依次层叠了作为高声速材料层的高声速支承基板4、低声速膜5和压电体层6的层叠基板。在压电性基板2的压电体层6上设置有IDT电极7。另外,压电性基板2也可以是仅由压电体层6构成的压电基板。
通过对IDT电极7施加交流电压,从而激励弹性波。在压电性基板2 上的IDT电极7的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器8以及反射器9。
作为压电体层6的材料,例如,能够使用钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或PZT等。
低声速膜5是相对而言低声速的膜。更具体地,在低声速膜5传播的体波(bulkwave)的声速比在压电体层6传播的体波的声速低。在本实施方式中,低声速膜5是氧化硅膜。氧化硅能够由SiOx来表示。在本实施方式中,低声速膜5是SiO2膜。另外,低声速膜5的材料不限定于上述,例如,还能够使用玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物作为主要成分的材料。
高声速材料层是相对而言高声速的层。更具体地,在高声速材料层传播的体波的声速比在压电体层6传播的弹性波的声速高。在本实施方式中,高声速材料层是高声速支承基板4。在本实施方式中,高声速支承基板4 是硅基板。另外,高声速支承基板4的材料不限定于上述,例如,还能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC (类金刚石碳)膜或金刚石等、以上述材料为主要成分的介质。
本实施方式的弹性波滤波器装置1具有依次层叠了高声速支承基板 4、低声速膜5以及压电体层6的层叠构造,因此能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。
图3是第1实施方式中的第1串联臂谐振器的俯视图。另外,在图3 中,省略了与第1串联臂谐振器连接的布线等。
IDT电极7具有相互对置的第1汇流条16以及第2汇流条17、和多个第1电极指18以及多个第2电极指19。多个第1电极指18各自的一端与第1汇流条16连接。多个第2电极指19各自的一端与第2汇流条17 连接。多个第1电极指18和多个第2电极指19相互交错对插。IDT电极7、反射器8以及反射器9可以由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成,也可以由单层的金属膜构成。
第1串联臂谐振器S16以外的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器也与第1串联臂谐振器S16同样地构成。本实施方式中的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器是SAW(Surface Acoustic Wave,声表面波) 元件。另外,能够使多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器的设计参数根据希望的特性而分别不同。
本实施方式的特征在于,第1串联臂谐振器S16的反谐振频率在多个串联臂谐振器的反谐振频率中最低,第1串联臂谐振器S16和第2串联臂谐振器S17不经由其他电路元件地连接。由此,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。另外,所谓陡峭性,是指比通带更靠高频侧或低频侧的端部等处的、插入损耗的变化相对于频率的变化的大小。在本说明书中,所谓通带附近,是指从通带的高频侧或低频侧的端部起10%程度的范围。以下说明上述效果的详情。
对第1实施方式的弹性波滤波器装置和比较例的弹性波滤波器装置的衰减量频率特性进行了比较。另外,比较例的弹性波滤波器装置与第1实施方式的不同点在于,不具有第2串联臂谐振器,且第1串联臂谐振器被串联分割。
图4是示出第1实施方式以及比较例的弹性波滤波器装置的衰减量频率特性的图。在图4中,实线示出第1实施方式的结果,虚线示出比较例的结果。图4中的单点划线示出通带的低频侧以及高频侧的端部。
如图4中的箭头C1所示可知,与比较例相比,第1实施方式中的比通带更靠高频侧的陡峭性得到了改善。进而,如箭头C2所示可知,在比通带更靠高频侧的通带附近的宽频率范围内,第1实施方式中的衰减量大于比较例中的衰减量。以下说明可得到这样的效果的理由。
图5是示出第1实施方式中的第1串联臂谐振器以及第2串联臂谐振器的阻抗特性的图。在图5中,实线示出不经由其他电路元件地将第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17连接的情况下的结果。虚线示出第1串联臂谐振器S16单独的结果。单点划线示出第2串联臂谐振器单独的结果。
如图5中的实线所示,在不经由其他电路元件地将第1串联臂谐振器 S16以及第2串联臂谐振器S17连接的情况下,谐振频率高于第1串联臂谐振器S16单独的谐振频率,且低于第2串联臂谐振器S17单独的谐振频率。这是由于在第1串联臂谐振器S16直接地串联连接了第2串联臂谐振器S17的情况下,从第1串联臂谐振器S16来看,第2串联臂谐振器S17 作为与第1串联臂谐振器S16串联连接的电容器而进行动作。由此,第1 串联臂谐振器S16的相对带宽变窄。因此,在第1串联臂谐振器S16直接地串联连接了第2串联臂谐振器S17的情况下的谐振频率变得比作为单体的第1串联臂谐振器S16的谐振频率高。第1串联臂谐振器S16构成了弹性波滤波器装置1的通带,并且第1串联臂谐振器S16的反谐振频率在多个串联臂谐振器的反谐振频率中最低。因此,第1串联臂谐振器S16的反谐振频率位于通带的高频侧的端部的附近。通过缩窄这样的谐振器的相对带宽,从而能够改善通带的高频侧的端部的附近的陡峭性。
进而,可知在不经由其他电路元件地将第1串联臂谐振器S16以及第 2串联臂谐振器S17串联连接的情况下,反谐振点分裂,产生了图5中的箭头D1所示的第1反谐振点以及箭头D2所示的第2反谐振点。第1反谐振点的频率与作为单体的第1串联臂谐振器S16的反谐振频率大致相同。第2反谐振点的频率与作为单体的第2串联臂谐振器S17的反谐振频率大致相同。像这样,反谐振点分裂,会产生从通带向高频侧远离的第2 反谐振点。通过该第2反谐振点而产生衰减极,因此能够在比通带更靠高频侧的通带附近的宽频率范围内增大衰减量。
如本实施方式这样,第2串联臂谐振器S17的反谐振频率优选在多个串联臂谐振器的反谐振频率中最高。由此,能够有效地增大第1串联臂谐振器S16的反谐振频率与第2串联臂谐振器S17的反谐振频率之差。由此,能够使衰减极产生在更加远离通带的频率处。因此,能够在比通带更靠高频侧的通带附近的宽频率范围内更加可靠地增大衰减量。
如上所述,第1串联臂谐振器S16以及第2串联臂谐振器S17的位置不限定于图1所示的位置。例如,在图6所示的第1实施方式的第1变形例中,第1串联臂谐振器S16是多个串联臂谐振器中配置于最靠天线侧即最靠第1信号端子A1侧的串联臂谐振器。第1串联臂谐振器S16以及第 2串联臂谐振器S17配置在第1信号端子A1与连接了串联臂电路A以及并联臂电路B1的部分之间。在串联臂电路A中的连接了并联臂电路B2 以及并联臂电路B3的部分之间,配置有串联臂谐振器S23。在该情况下,也与第1实施方式同样地,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。另外,第2串联臂谐振器S17也可以是多个串联臂谐振器中配置于最靠第1信号端子A1侧的串联臂谐振器。
第1实施方式的弹性波滤波器装置1是梯型滤波器。不过,本实用新型涉及的弹性波滤波器装置例如也可以是包含第1实施方式的梯型滤波器以及与该梯型滤波器公共连接于天线等的滤波器装置在内的双工器、多工器。在该情况下,能够增大上述梯型滤波器的通带外的衰减量,因此能够抑制上述滤波器装置对滤波器特性的影响。
如上所述,在第1实施方式的压电性基板2中,在高声速支承基板4 上隔着低声速膜5间接地设置有压电体层6。不过,压电性基板2的结构不限定于上述。以下,示出仅压电性基板的结构与第1实施方式不同的第 1实施方式的第2~第4变形例。在第2~第4变形例中,也与第1实施方式同样地,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。而且,能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层侧。
在图7所示的第2变形例中,高声速材料层是高声速膜24。压电性基板22A具有支承基板23、设置在支承基板23上的高声速膜24、设置在高声速膜24上的低声速膜5、和设置在低声速膜5上的压电体层6。在压电性基板22A具有高声速膜24的情况下,不需要对支承基板23使用相对而言高声速的材料。
作为支承基板23的材料,例如,能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、蓝宝石、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或树脂等。
作为高声速膜24的材料,例如,能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石等、以上述材料为主要成分的介质。
在图8所示的第3变形例中,压电性基板22B具有支承基板23、设置在支承基板23上的高声速膜24、和设置在高声速膜24上的压电体层6。
在图9所示的第4变形例中,压电性基板22C具有高声速支承基板4 和直接地设置在高声速支承基板4上的压电体层6。
另一方面,在图10所示的第5变形例中,压电性基板22D是仅由压电体层构成的压电基板。在本变形例中,也与第1实施方式同样地,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。
图11是第1实施方式的第6变形例中的第1串联臂谐振器的俯视图。
IDT电极27具有与第1实施方式同样的第1汇流条16、第2汇流条 17、多个第1电极指18以及多个第2电极指19。进而,本变形例的IDT 电极27具有多个第1虚设电极指28以及多个第2虚设电极指29。多个第 1虚设电极指28的一端与第1汇流条16连接。多个第1虚设电极指28 的另一端隔开间隙地与多个第2电极指19对置。多个第2虚设电极指29 的一端与第2汇流条17连接。多个第2虚设电极指29的另一端隔开间隙地与多个第1电极指18对置。在本变形例中,也与第1实施方式同样地,能够改善陡峭性,并且能够在通带附近的宽频率范围内增大通带外的衰减量。
在此,将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ。所谓电极指间距,是相邻的第1电极指间或相邻的第2电极指间的电极指中心间距离。在图11所示的第6变形例中,第1虚设电极指28的沿着第1虚设电极指 28延伸的方向的长度优选为1.3λ以上且2λ以下。同样地,第2虚设电极指29的沿着第2虚设电极指29延伸的方向的长度优选为1.3λ以上且2λ以下。由此,能够使在谐振器交叉宽度方向上泄漏的SSBW(Surface Skimming Bulk Wave,表面掠射体波)减少,能够有效地改善滤波器的通带的高频侧的端部的附近的陡峭性。另外,所谓谐振器交叉宽度方向,是指与弹性波传播方向正交的方向。
图12是第2实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
本实施方式的弹性波滤波器装置31具有配置于串联臂电路A的串联臂谐振器S1、串联臂谐振器S2a、串联臂谐振器S2b、串联臂谐振器S23、串联臂谐振器S4a、串联臂谐振器S4b以及串联臂谐振器S5。
与第1实施方式同样地,在将串联臂电路A和接地电位连接的多个并联臂电路配置有多个并联臂谐振器。在并联臂电路B1配置有并联臂谐振器P1。在并联臂电路B2配置有第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36。在并联臂电路B3配置有并联臂谐振器P3。在并联臂电路B4 配置有并联臂谐振器P4。
另外,第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36不是被串联分割的并联臂谐振器,而是相互独立的并联臂谐振器。第1并联臂谐振器 P35的谐振频率在多个并联臂谐振器的谐振频率中最高。第2并联臂谐振器P36的谐振频率在多个并联臂谐振器的谐振频率中最低。第1并联臂谐振器P35和第2并联臂谐振器P36不经由其他电路元件地相互串联连接。另外,第2并联臂谐振器P36的谐振频率在多个并联臂谐振器的谐振频率中也可以不是最低。只要第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器 P36的谐振频率不同即可。
在本实施方式中,第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36 配置在最靠天线端子侧即最靠第1信号端子A1侧的并联臂电路B1以外的并联臂电路B2。不过,第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器 P36只要不经由其他电路元件地连接即可,第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36的配置没有特别限定。例如,第1并联臂谐振器P35 以及第2并联臂谐振器P36也可以配置在最靠第1信号端子A1侧的并联臂电路B1。或者,弹性波滤波器装置也可以具有连接在串联臂电路A中的第1信号端子A1与多个串联臂谐振器中配置于最靠第1信号端子A1 侧的串联臂谐振器S1之间的并联臂电路。也可以在该并联臂电路配置有第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36。
如本实施方式这样,在第1并联臂谐振器P35直接地串联连接了第2 并联臂谐振器P36的情况下,从第1并联臂谐振器P35来看,第2并联臂谐振器P36作为与第1并联臂谐振器P35串联连接的电容器而进行动作。由此,第1并联臂谐振器P35的相对带宽变窄。第1并联臂谐振器P35构成了弹性波滤波器装置31的通带,并且第1并联臂谐振器P35的谐振频率在多个并联臂谐振器的谐振频率中最高。因此,第1并联臂谐振器P35 的谐振频率位于通带的低频侧的端部的附近。通过缩窄这样的谐振器的相对带宽,从而能够改善通带的低频侧的端部的附近的陡峭性。
进而,在不经由其他电路元件地将第1并联臂谐振器P35以及第2并联臂谐振器P36串联连接的情况下,谐振点分裂,产生第1谐振点以及第 2谐振点。第1谐振点的频率与作为单体的第1并联臂谐振器P35的谐振频率大致相同。第2谐振点的频率与作为单体的第2并联臂谐振器P36的谐振频率大致相同。像这样,谐振点分裂,会产生从通带向低频侧远离的第2谐振点。通过该第2谐振点而产生衰减极,因此能够在比通带更靠低频侧的通带附近的宽频率范围内增大衰减量。
如本实施方式这样,第2并联臂谐振器P36的谐振频率优选在多个并联臂谐振器的谐振频率中最低。由此,能够有效地增大第1并联臂谐振器 P35的谐振频率与第2并联臂谐振器P36的谐振频率之差。由此,能够使衰减极产生在更加远离通带的频率处。因此,能够在比通带更靠低频侧的通带附近的宽频率范围内更加可靠地增大衰减量。
附图标记说明
1…弹性波滤波器装置;
2…压电性基板;
4…高声速支承基板;
5…低声速膜;
6…压电体层;
7…IDT电极;
8、9…反射器
16、17…第1、第2汇流条;
18、19…第1、第2电极指;
22A~22D…压电性基板;
23…支承基板;
24…高声速膜;
27…IDT电极;
28、29…第1、第2虚设电极指;
31…弹性波滤波器装置;
A…串联臂电路;
A1、A2…第1、第2信号端子;
B1~B4…并联臂电路;
P1、P2a、P2b、P3、P4…并联臂谐振器;
P35、P36…第1、第2并联臂谐振器;
S1、S2a、S2b、S4a、S4b、S5、S23…串联臂谐振器;
S16、S17…第1、第2串联臂谐振器。

Claims (16)

1.一种弹性波滤波器装置,其特征在于,具备:
第1信号端子;
第2信号端子;
串联臂电路,连接在所述第1信号端子与所述第2信号端子之间,包含多个串联臂谐振器;和
并联臂电路,串联连接在所述串联臂电路与接地电位之间,包含至少一个并联臂谐振器,
所述多个串联臂谐振器包含反谐振频率相互不同的第1串联臂谐振器和第2串联臂谐振器,
所述第1串联臂谐振器的反谐振频率在所述多个串联臂谐振器的反谐振频率中最低,
所述第1串联臂谐振器和所述第2串联臂谐振器不经由其他电路元件地连接。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述第2串联臂谐振器的反谐振频率在所述多个串联臂谐振器的反谐振频率中最高。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
具备多个所述并联臂电路,
在多个所述并联臂电路分别配置有所述至少一个并联臂谐振器,
在所述串联臂电路中的连接了两个所述并联臂电路的部分之间,配置有所述第1串联臂谐振器以及所述第2串联臂谐振器。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述弹性波滤波器装置与天线连接,
所述多个串联臂谐振器中配置于最靠所述天线侧的串联臂谐振器是所述第1串联臂谐振器以及所述第2串联臂谐振器中的一者。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器具有压电性基板,
所述压电性基板包含高声速材料层和直接或间接地设置在所述高声速材料层上的压电体层,
在所述高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高。
6.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述压电性基板包含设置在所述高声速材料层与所述压电体层之间的低声速膜,
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
7.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述高声速材料层是高声速支承基板。
8.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述压电性基板包含支承基板,
所述高声速材料层是设置在所述支承基板上的高声速膜。
9.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器具有压电基板,
所述压电基板仅由压电体层构成。
10.一种弹性波滤波器装置,其特征在于,具备:
第1信号端子;
第2信号端子;
串联臂电路,连接在所述第1信号端子与所述第2信号端子之间,包含至少一个串联臂谐振器;和
并联臂电路,串联连接在所述串联臂电路与接地电位之间,包含多个并联臂谐振器,
所述多个并联臂谐振器包含谐振频率相互不同的第1并联臂谐振器和第2并联臂谐振器,
所述第1并联臂谐振器的谐振频率在所述多个并联臂谐振器的谐振频率中最高,
所述第1并联臂谐振器和所述第2并联臂谐振器不经由其他电路元件地连接。
11.根据权利要求10所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述第2并联臂谐振器的谐振频率在所述多个并联臂谐振器的谐振频率中最低。
12.根据权利要求10或11所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器具有压电性基板,
所述压电性基板包含高声速材料层和直接或间接地设置在所述高声速材料层上的压电体层,
在所述高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高。
13.根据权利要求12所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述压电性基板包含设置在所述高声速材料层与所述压电体层之间的低声速膜,
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
14.根据权利要求12所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述高声速材料层是高声速支承基板。
15.根据权利要求12所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述压电性基板包含支承基板,
所述高声速材料层是设置在所述支承基板上的高声速膜。
16.根据权利要求10或11所述的弹性波滤波器装置,其特征在于,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器具有压电基板,
所述压电基板仅由压电体层构成。
CN202090000782.8U 2019-08-06 2020-07-17 弹性波滤波器装置 Active CN217183269U (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-144407 2019-08-06
JP2019144407 2019-08-06
PCT/JP2020/027908 WO2021024762A1 (ja) 2019-08-06 2020-07-17 弾性波フィルタ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217183269U true CN217183269U (zh) 2022-08-12

Family

ID=74503807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202090000782.8U Active CN217183269U (zh) 2019-08-06 2020-07-17 弹性波滤波器装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220158623A1 (zh)
CN (1) CN217183269U (zh)
WO (1) WO2021024762A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007074698A (ja) * 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
JP2016136687A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
JP6656135B2 (ja) * 2016-10-21 2020-03-04 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
JP6950751B2 (ja) * 2018-01-12 2021-10-13 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021024762A1 (ja) 2021-02-11
US20220158623A1 (en) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10469055B2 (en) Filter device including longitudinally coupled resonator elastic wave filter and elastic wave resonator
CN107636961B (zh) 弹性波滤波器装置
CN109845105B (zh) 弹性波滤波器装置
US10958241B2 (en) Extractor
US20220182037A1 (en) Acoustic wave device
US6265808B1 (en) Surface acoustic wave filter
WO2020179906A1 (ja) フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11996828B2 (en) Filter device
CN113228509B (zh) 滤波器装置
US20220416764A1 (en) Acoustic wave device and composite filter device
CN116346081A (zh) 一种声表面波滤波器及滤波元件
CN217183269U (zh) 弹性波滤波器装置
CN114208035A (zh) 弹性波滤波器
JP7416080B2 (ja) 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ
WO2023002909A1 (ja) 複合フィルタ装置
WO2024075517A1 (ja) フィルタ装置
CN110809858A (zh) 多工器
CN112805919B (zh) 弹性波装置、带通型滤波器、双工器以及多工器
WO2023068129A1 (ja) フィルタ装置
WO2023080167A1 (ja) フィルタ装置及びマルチプレクサ
CN118202573A (zh) 滤波器装置
WO2023048280A1 (ja) フィルタ装置
WO2022019169A1 (ja) ラダー型フィルタ
CN117981222A (zh) 弹性波滤波器装置以及多工器
CN116918255A (zh) 弹性波滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant