WO2023048280A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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WO2023048280A1
WO2023048280A1 PCT/JP2022/035672 JP2022035672W WO2023048280A1 WO 2023048280 A1 WO2023048280 A1 WO 2023048280A1 JP 2022035672 W JP2022035672 W JP 2022035672W WO 2023048280 A1 WO2023048280 A1 WO 2023048280A1
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region
resonators
series arm
divided
arm resonator
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PCT/JP2022/035672
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English (en)
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Inventor
裕太 竹内
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a filter device having a plurality of elastic wave resonators.
  • Patent Literature 1 discloses an example of a surface acoustic wave filter.
  • Each surface acoustic wave resonator in the surface acoustic wave filter has a pair of comb electrodes formed on a piezoelectric substrate. In comb-shaped electrodes, thinning is performed by not providing some electrode fingers or by inverting the polarity of the electrode fingers.
  • a surface acoustic wave filter is a ladder filter.
  • Patent Document 1 discloses a configuration in which all series arm resonators are thinned out and a configuration in which all parallel arm resonators are thinned out.
  • An object of the present invention is to provide a filter device capable of improving out-of-band attenuation characteristics without deteriorating characteristics within the passband.
  • a filter device includes a plurality of elastic wave resonators, each of which has a piezoelectric layer and an IDT electrode provided on the piezoelectric layer, and at least The IDT electrodes of the two elastic wave resonators have a plurality of regions arranged along the direction of propagation of the elastic wave, and each of the regions is weighted periodically for thinning out, and at least two the acoustic wave resonators are region-divided resonators in which the thinning-weighted IDT electrodes have different thinning-weighting periods between the plurality of regions, and the IDTs of the region-dividing resonators
  • the number of regions in an electrode is defined as the number of region divisions
  • the number of region divisions differs between at least two of the IDT electrodes of the plurality of region-divided resonators.
  • the filter device of the present invention it is possible to improve the out-of-band attenuation characteristics without degrading the characteristics within the passband.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a series arm resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view along line II in FIG.
  • FIG. 4 is a plan view showing part of the IDT electrodes of the series arm resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5(a) is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the filter devices of the first embodiment and the comparative example of the present invention, and FIG. 5(b) is an enlarged view of FIG. 5(a).
  • FIG. 5(a) is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the filter devices of the first embodiment and the comparative example of the present invention
  • FIG. 5(b) is an enlarged view of FIG. 5(a).
  • FIG. 6 is a plan view showing part of the IDT electrodes of the series arm resonator in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing part of the IDT electrodes of the series arm resonator in the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing part of the IDT electrodes of the series arm resonator in the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of a filter device according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing the return loss between the IDT electrodes of two split resonators when the number of divided regions is the same and when the number is different.
  • FIG. 10 is a diagram showing the return loss between the IDT electrodes of two split resonators when the number of divided regions is the same and when the number is different.
  • FIG. 11 is a diagram showing impedance frequency characteristics between the IDT electrodes of two split resonators when the number of divided regions is the same and when the number of divided regions is different.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of a filter device according to a modification of the second embodiment of the invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an IDT electrode for explaining regions and thinning weighting periods in the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 of this embodiment is a ladder filter.
  • the filter device 1 has a first signal terminal 13, a second signal terminal 14, a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the first signal terminal 13 and the second signal terminal 14 may be configured as electrode pads or may be configured as wiring.
  • the filter device 1 is a Band 25 transmission filter. More specifically, the pass band of the filter device 1 is 1850-1915 MHz. However, the pass band of the filter device 1 is not limited to the above. Furthermore, the filter device 1 is not limited to a transmission filter, and may be a reception filter.
  • all series arm resonators and all parallel arm resonators are elastic wave resonators.
  • the filter device 1 has five series arm resonators and four parallel arm resonators. However, in the filter device 1, some series arm resonators among the plurality of series arm resonators are serially divided. Therefore, the number of elements in the series arm resonator is more than five. More specifically, the plurality of series arm resonators of the filter device 1 include a series arm resonator S1a, a series arm resonator S1b, a series arm resonator S1c, a series arm resonator S2, a series arm resonator S3a, and a series arm resonator S1a.
  • the plurality of parallel arm resonators of the filter device 1 are a parallel arm resonator P1, a parallel arm resonator P2, a parallel arm resonator P3 and a parallel arm resonator P4.
  • the series arm resonator S1a, the series arm resonator S1b, and the series arm resonator S1c are divided resonators obtained by dividing the same series arm resonator in series.
  • the series arm resonator S3a, the series arm resonator S3b, and the series arm resonator S3c are divided resonators obtained by dividing the same series arm resonator in series.
  • the series arm resonator S4a and the series arm resonator S4b are divided resonators obtained by dividing the same series arm resonator in series.
  • the series arm resonator S5a and the series arm resonator S5b are divided resonators obtained by dividing the same series arm resonator in series. At least one series arm resonator may be divided in parallel. Alternatively, all series arm resonators may not be serially divided and parallelly divided.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the series arm resonator in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view along line II in FIG. 2 and 3, an IDT electrode and a reflector, which will be described later, are shown by schematic diagrams in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the series arm resonator S2 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 has a support substrate 3, a dielectric film 4, and a piezoelectric layer 5.
  • dielectric film 4 is provided on support substrate 3 .
  • a piezoelectric layer 5 is provided on the dielectric film 4 .
  • the support substrate 3 is made of silicon.
  • Dielectric film 4 is made of silicon oxide.
  • the piezoelectric layer 5 is made of lithium tantalate.
  • the material of each layer in the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above. In this specification, "a certain member is made of a certain material” includes the case where a minute amount of impurity is contained to such an extent that the electrical characteristics of the acoustic wave resonator are not degraded.
  • An IDT (Interdigital Transducer) electrode 6 is provided on the piezoelectric layer 5 of the piezoelectric substrate 2 . By applying an AC voltage to the IDT electrodes 6, elastic waves are excited.
  • a pair of reflectors 7 and 8 are provided on both sides of the IDT electrode 6 on the piezoelectric layer 5 in the acoustic wave propagation direction.
  • the IDT electrode 6, the reflector 7 and the reflector 8 may be composed of a single-layer metal film, or may be composed of a laminated metal film.
  • the IDT electrode 6 of the series arm resonator S2 has a plurality of regions. A plurality of regions are arranged along the acoustic wave propagation direction. Specifically, the IDT electrode 6 has a first region 6A, a second region 6B and a third region 6C.
  • FIG. 4 is a plan view showing part of the IDT electrodes of the series arm resonator in the first embodiment. In FIG. 4, part of the first region 6A of the IDT electrode 6 is shown.
  • the IDT electrode 6 has a first busbar 16 and a second busbar 17 and a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19 .
  • the first busbar 16 and the second busbar 17 face each other.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16 .
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17 .
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 may be simply referred to as electrode fingers.
  • the elastic wave propagation direction is orthogonal to the electrode finger extension direction. That is, the plurality of regions are arranged along the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers.
  • thinning-out weighting is performed periodically. Thinning-out weighting refers to thinning out some of the plurality of electrode fingers so as not to contribute to the excitation of elastic waves.
  • the configuration of the first region 6A of the series arm resonator S2 corresponds to a configuration in which the second electrode fingers 19 are periodically thinned out. More specifically, the first electrode fingers 18A are provided periodically.
  • the first electrode fingers 18A correspond to a structure in which adjacent first electrode fingers 18 are metallized. More specifically, the first electrode finger 18A corresponds to a structure in which the first electrode finger 18 and the first electrode fingers 18 on both sides of the first electrode finger 18 are each metallized. .
  • the first electrode fingers 18A correspond to a structure in which the portions where the three first electrode fingers 18 are provided are continuously metallized. Therefore, the width of the first electrode finger 18A is wider than the width of the other first electrode fingers 18A.
  • thinning-out weighting is applied to one out of 24 electrode fingers.
  • the mode of thinning-out weighting shown in FIG. 4 is merely an example, and the present invention is not limited to this.
  • the series arm resonator S2 is a region-divided resonator in the present invention.
  • the region-divided resonator refers to an elastic wave resonator in which the periods of thinning weighting among a plurality of regions are different from each other in the IDT electrodes subjected to thinning weighting.
  • Each acoustic wave resonator other than the series arm resonator S2 also has an IDT electrode and a pair of reflectors, similar to the series arm resonator S2.
  • elastic wave resonators other than the elastic wave resonators enclosed by the dashed line, the one-dot chain line, or the two-dot chain line shown in FIG. 1 are not thinned out and weighted. More specifically, in the filter device 1, decimation weighting is applied to the series arm resonator S2, the series arm resonator S3a, the series arm resonator S3b, the series arm resonator S5a, and the series arm resonator S5b. Further, each series arm resonator is a region-divided resonator. However, at least two acoustic wave resonators may be region-divided resonators.
  • all elastic wave resonators share the same piezoelectric substrate 2.
  • Each acoustic wave resonator may have a separate piezoelectric substrate.
  • the IDT electrode 6 of the series arm resonator S2 has the first area 6A, the second area 6B and the third area 6C. Therefore, when the number of regions in the IDT electrode subjected to thinning weighting is defined as the number of region divisions, the number of region divisions of the IDT electrode 6 is three. On the other hand, the number of region divisions in each IDT electrode of the series arm resonator S3a and the series arm resonator S3b is four. The number of area divisions in each IDT electrode of the series arm resonator S5a and the series arm resonator S5b is five.
  • the features of this embodiment are the IDT electrode 6 of the series arm resonator S2, the IDT electrodes of the series arm resonator S3a and the series arm resonator S3b, and the IDT electrodes of the series arm resonator S5a and the series arm resonator S5b. and the number of area divisions is different between them. At least two of the IDT electrodes of the plurality of region-divided resonators may have different numbers of region divisions. As a result, out-of-band attenuation characteristics can be improved without deteriorating characteristics within the passband. This will be shown below by comparing this embodiment with a comparative example.
  • the circuit configuration of the comparative example is the same as the circuit configuration of the first embodiment.
  • Comparative examples are the IDT electrodes of elastic wave resonators corresponding to the series arm resonator S2, the series arm resonator S3a, the series arm resonator S3b, the series arm resonator S5a, and the series arm resonator S5b in the first embodiment. is different from the first embodiment in that the number of region divisions in is all three.
  • the attenuation frequency characteristics were compared between the first embodiment and the comparative example.
  • the passbands of the filter devices of the first embodiment and the comparative example according to the comparison are 1850 to 1915 MHz.
  • FIG. 5(a) is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the filter devices of the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 5(b) is an enlarged view of FIG. 5(a). More specifically, FIG. 5(b) shows an enlarged view of a portion surrounded by a dashed line in FIG. 5(a).
  • the filter device of the comparative example has a plurality of segmented resonators. However, in a plurality of region-divided resonators, the number of region divisions of all IDT electrodes is the same. Therefore, out-of-band responses occur at substantially the same frequency in a plurality of segmented resonators. This increases the out-of-band response of the filter device.
  • the filter device 1 of the first embodiment also has a plurality of region-divided resonators.
  • the periods of thinning-out weighting between regions are different from each other, so deterioration of characteristics within the passband is suppressed.
  • the number of divided regions differs between the IDT electrodes of the plurality of region-divided resonators.
  • decimation weighting is performed in a plurality of series arm resonators. At least one parallel arm resonator may be thinned out. At least one parallel arm resonator may be a region dividing resonator. Irrespective of whether the resonator is a series arm resonator or a parallel arm resonator, it suffices if the number of divided regions is different between at least two IDT electrodes in at least two region-divided resonators.
  • At least two series arm resonators are region-divided resonators, and among the series arm resonators that are region-divided resonators, between the IDT electrodes of at least two series-arm resonators, the number of region divisions is preferably different. In this case, the out-of-band attenuation characteristic can be improved more reliably.
  • a series arm resonator S1a As shown in FIG. 1, between the first signal terminal 13 and the second signal terminal 14, a series arm resonator S1a, a series arm resonator S1b, a series arm resonator S1c, a series arm resonator S2, and a series arm A resonator S3a, a series arm resonator S3b, a series arm resonator S3c, a series arm resonator S4a, a series arm resonator S4b, a series arm resonator S5a, and a series arm resonator S5b are connected in series.
  • a capacitive element 9 is connected in parallel with the series arm resonator S1a, the series arm resonator S1b, and the series arm resonator S1c.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonator S1c and the series arm resonator S2 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3a and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonator S3c and the series arm resonator S4a and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonator S4b and the series arm resonator S5a and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P2, the parallel arm resonator P3, and the parallel arm resonator P4 are commonly connected to the ground potential.
  • the circuit configuration of the filter device 1 is not limited to the above.
  • the IDT electrode 6 has an intersecting region A.
  • the intersecting region A is a region where adjacent electrode fingers overlap each other when viewed from the elastic wave propagation direction.
  • the intersection region A has a central region C, a first edge region E1 and a second edge region E2.
  • the first edge region E1 and the second edge region E2 are arranged so as to sandwich the central region C in the extending direction of the electrode fingers.
  • the first edge region E1 is located on the first busbar 16 side.
  • the second edge region E2 is located on the second busbar 17 side.
  • a plurality of openings 16d are provided in the first bus bar 16 along the elastic wave propagation direction. More specifically, the first busbar 16 has an inner busbar portion 16a, an outer busbar portion 16b, and a plurality of connection electrodes 16c.
  • the inner busbar portion 16a is located closer to the intersection region A than the opening 16d and the outer busbar portion 16b.
  • the inner busbar portion 16a and the outer busbar portion 16b are connected by a plurality of connection electrodes 16c.
  • the plurality of connection electrodes 16c extend parallel to the direction in which the electrode fingers extend.
  • the plurality of openings 16d are openings surrounded by the inner busbar portion 16a, the plurality of connection electrodes 16c, and the outer busbar portion 16b.
  • Each connection electrode 16 c is provided on an extension line of each first electrode finger 18 and is not provided on an extension line of each second electrode finger 19 .
  • the second busbar 17 is also configured similarly to the first busbar 16 .
  • the second bus bar 17 is provided with a plurality of openings 17d along the elastic wave propagation direction.
  • the second busbar 17 has an inner busbar portion 17a, an outer busbar portion 17b, and a plurality of connection electrodes 17c.
  • Each electrode finger has a wide portion in the first edge region E1 and the second edge region E2.
  • the width of the electrode fingers in the wide portion is wider than the width of the electrode fingers in the central region C.
  • the first electrode finger 18 has a wide portion 18a in the first edge region E1.
  • the first electrode finger 18 has a wide portion 18b in the second edge region E2.
  • the second electrode finger 19 has a wide portion 19a in the first edge region E1.
  • the second electrode finger 19 has a wide portion 19b in the second edge region E2. Accordingly, the speed of sound in the first edge region E1 and the second edge region E2 is lower than the speed of sound in the central region C.
  • the width of the electrode finger is the dimension along the elastic wave propagation direction of the electrode finger.
  • the average sound velocity from the first edge region E1 to the inner busbar portion 16a of the first busbar 16 is low because each of the plurality of electrode fingers has a wide portion in the first edge region E1.
  • a low sound velocity region L1 is formed in a region including the inner busbar portion 16a of the first busbar 16 from the first edge region E1.
  • a low sound velocity region L2 is formed in a region including the inner busbar portion 17a of the second busbar 17 from the second edge region E2.
  • the low sound velocity region is a region in which the speed of sound or the average speed of sound is lower than the speed of sound in the central region C.
  • each bus bar a region in which a plurality of openings are provided is defined as an opening formation region.
  • each connection electrode 16c of the first bus bar 16 is provided on the extension line of each first electrode finger 18 and is not provided on the extension line of each second electrode finger 19. .
  • a high sound velocity region H1 is formed in the opening forming region of the first bus bar 16 .
  • a high sound velocity region H2 is formed in the opening forming region of the second bus bar 17 .
  • the high sound velocity region is a region in which the sound velocity is higher than the sound velocity in the central region C. As shown in FIG.
  • FIG. 4 shows part of the first region 6A in the IDT electrode 6.
  • FIG. 4 shows part of the first region 6A in the IDT electrode 6.
  • a pair of low sound velocity regions and a pair of high sound velocity regions are similarly formed.
  • each acoustic wave resonator other than the series arm resonator S2 is similarly configured to establish a piston mode.
  • the pair of low-pitched sound velocity regions may be configured by providing mass addition films in the first edge region E1 and the second edge region E2.
  • each electrode finger does not have to have a wide portion.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 may not necessarily have openings.
  • the gap region between the first edge region E1 and the first bus bar 16 and the gap region between the second edge region E2 and the second bus bar 17 may be high sound velocity regions.
  • an acoustic wave resonator using an IDT electrode in which a piston mode is established is shown as an example.
  • an IDT electrode that does not establish a piston mode may be used.
  • the number of divided regions should be different between at least two of the IDT electrodes of the plurality of region-divided resonators.
  • the piezoelectric substrate 2 has a support substrate 3, a dielectric film 4, and a piezoelectric layer 5. More specifically, the support substrate 3 is a high acoustic velocity support substrate as a high acoustic velocity material layer.
  • the dielectric film 4 is a low sound velocity film.
  • the high acoustic velocity material layer is a relatively high acoustic velocity layer.
  • the high acoustic velocity material layer is the support substrate 3 as a high acoustic velocity support substrate.
  • the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 5 .
  • Materials for the high-speed material layer include aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, and forsterite.
  • the above spinel includes an aluminum compound containing one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc. and oxygen.
  • the spinels include MgAl2O4 , FeAl2O4 , ZnAl2O4 , and MnAl2O4 .
  • the main component means a component that accounts for more than 50 wt %.
  • the material of the main component may exist in a single crystal, polycrystal, or amorphous state, or in a state in which these are mixed.
  • a low sound velocity film is a relatively low sound velocity film. More specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low velocity film is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 5 .
  • the material of the low sound velocity film for example, glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum pentoxide, or a material whose main component is a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide can be used. can.
  • the piezoelectric layer 5 is made of lithium tantalate in the first embodiment.
  • the material of the piezoelectric layer for example, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), or the like can also be used.
  • a supporting substrate 3 as a high acoustic velocity supporting substrate, a dielectric film 4 as a low acoustic velocity film, and a piezoelectric layer 5 are laminated in this order. Thereby, the elastic wave energy can be effectively confined on the piezoelectric layer 5 side.
  • the laminated structure of the piezoelectric substrate is not limited to the above.
  • the piezoelectric substrate may be a laminated substrate of a support substrate as a high acoustic velocity support substrate and a piezoelectric layer.
  • the high acoustic velocity material layer may be a high acoustic velocity film.
  • the support substrate may not be the high acoustic velocity support substrate.
  • the piezoelectric substrate may be a support substrate, a high acoustic velocity film, a laminated substrate of a dielectric film and a piezoelectric layer as a low acoustic velocity film, or a laminated substrate of a support substrate, a high acoustic velocity film and a piezoelectric layer. may be In these cases as well, the energy of the elastic wave can be effectively confined to the piezoelectric layer 5 side.
  • the supporting substrate may not be a high acoustic velocity supporting substrate.
  • materials for the supporting substrate include, for example, silicon, aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, and cordierite. , various ceramics such as mullite, steatite, and forsterite; dielectric materials such as diamond and glass; semiconductors such as silicon and gallium nitride; and resins.
  • the piezoelectric substrate may be a substrate consisting only of a piezoelectric layer. Even when the piezoelectric substrate has any of the above configurations, the number of divided regions should be different between at least two of the IDT electrodes of the plurality of region-divided resonators. As a result, out-of-band attenuation characteristics can be improved without deteriorating characteristics within the passband.
  • thinning-out weighting is performed by metallizing adjacent first electrode fingers 18 .
  • the mode of thinning weighting is not limited to the above.
  • a first modification and a second modification of the first embodiment which differ from the first embodiment only in the aspect of thinning-out weighting, will be shown.
  • the first and second modifications can improve the out-of-band attenuation characteristics without degrading the characteristics in the passband.
  • floating electrodes 28A are provided periodically.
  • the floating electrodes 28A are hatched.
  • the floating electrode 28A is an electrode that is connected neither to the signal potential nor to the ground potential.
  • the second electrode finger 19 is not provided in the portion where the floating electrode 28A is provided. As a result, thinning-out weighting is performed periodically.
  • first electrode fingers 28B are periodically provided instead of the second electrode fingers 19.
  • the first electrode fingers 28B are hatched.
  • the configuration of the first electrode finger 28B is the same as that of the other first electrode fingers 18.
  • One end of each first electrode finger 28B is connected to the first bus bar 16, respectively.
  • the polarities are periodically inverted in the portions corresponding to the portions where the second electrode fingers 19 are located.
  • thinning-out weighting is performed periodically.
  • the configuration of the IDT electrode 6 is not limited to the configuration that establishes the piston mode.
  • the IDT electrode in this modified example has a plurality of first dummy electrode fingers 34 and a plurality of second dummy electrode fingers 35 .
  • One ends of the plurality of first dummy electrode fingers 34 are each connected to a first bus bar 36 .
  • the other ends of the plurality of first dummy electrode fingers 34 face the plurality of second electrode fingers 39 respectively.
  • One ends of the plurality of second dummy electrode fingers 35 are each connected to the second bus bar 37 .
  • the other ends of the plurality of second dummy electrode fingers 35 are opposed to the plurality of first electrode fingers 38, respectively.
  • the first bus bar 36 and the second bus bar 37 are not provided with openings.
  • the widths of the first electrode fingers 38 and the second electrode fingers 39 are uniform.
  • second electrode fingers 39A are provided periodically.
  • the second electrode fingers 39A correspond to a structure in which adjacent second electrode fingers 39 are metallized.
  • thinning-out weighting is performed periodically.
  • the out-of-band attenuation characteristic can be improved without deteriorating the characteristic within the passband.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of an acoustic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the arrangement of elastic wave resonators with different numbers of divided regions. Except for the above points, the filter device of this embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment.
  • the number of region divisions of the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3a is three.
  • the number of region divisions of the series arm resonator S3b and the series arm resonator S5a is four.
  • the number of divided regions of the series arm resonator S5b is five.
  • the series arm resonator S3a and the series arm resonator S3b are divided resonators obtained by dividing the same series arm resonator in series. different. Furthermore, the series arm resonator S5a and the series arm resonator S5b are divided resonators in which the same series arm resonator is divided in series, and between the IDT electrodes of the series arm resonator S5a and the series arm resonator S5b, the area division different numbers. In this way, the number of divided regions may be different between the IDT electrodes of at least two divided resonators which are region-divided resonators and which are obtained by dividing the same acoustic wave resonator into series or parallel division. As a result, the out-of-band attenuation characteristic can be effectively improved without deteriorating the in-passband characteristic.
  • the same elastic wave resonator being divided in series or parallel means that the elastic wave resonators having the same design parameters in the case where thinning-out weighting is not performed are divided in series or parallel. It means that for example, elastic wave resonators whose IDT electrodes are not thinned out and weighted may be thinned out and weighted at IDT electrodes in each of the divided resonators divided in series or parallel.
  • the series arm resonator S3a and the series arm resonator S3b in this embodiment are divided resonators obtained by dividing the same elastic wave resonator in series and giving different thinning weights to the respective IDT electrodes. Therefore, the series arm resonator S3a and the series arm resonator S3b are divided resonators in which the same elastic wave resonator is divided in series. are different from each other.
  • FIGS. 10 and 11 show that the number of divided regions of the divided resonators for comparison is the following three. 1) When the number of divided regions is 3 in the IDT electrodes of both split resonators. This is designated as 3-3 in FIGS. 10 and 11.
  • FIG. 2 When the number of divided regions is 4 in the IDT electrodes of both split resonators. This is designated as 4-4 in FIGS. 10 and 11.
  • FIG. 3 A case where the number of divided regions in the IDT electrode of one divided resonator is 3, and the number of divided regions in the IDT electrode of the other divided resonator is 4. This is designated as 3-4 in FIGS. 10 and 11.
  • FIG. 10 and 11 A case where the number of divided regions in the IDT electrode of one divided resonator is 3, and the number of divided regions in the IDT electrode of the other divided resonator is 4. This is designated as 3-4 in FIGS. 10 and 11.
  • FIG. 10 is a diagram showing the return loss between the IDT electrodes of two split resonators when the number of divided regions is the same and when the number is different.
  • FIG. 11 is a diagram showing impedance frequency characteristics between the IDT electrodes of two split resonators when the number of divided regions is the same and when the number of divided regions is different.
  • the maximum ripple level is as high as 3.21 dB.
  • the maximum ripple level is as large as 2.34 dB.
  • the maximum The ripple level is as small as 1.74 dB.
  • the characteristics between the resonance frequency and the anti-resonance frequency are not degraded regardless of whether the number of divided regions is the same or different. Therefore, in any of the above cases, it can be seen that the characteristics within the passband of the filter device are not degraded. Therefore, from FIGS. 10 and 11, in the filter device, by varying the number of divided regions between the IDT electrodes of the split resonators, the out-of-band attenuation characteristics can be effectively improved without deteriorating the characteristics within the passband. I know it can be improved.
  • the filter device of the present invention may include split resonators split in parallel.
  • the modified example of the second embodiment shown in FIG. 12 has a series arm resonator S2a and a series arm resonator S2b obtained by parallel dividing the series arm resonator as the same elastic wave resonator.
  • the circuit configuration of this modification corresponds to a configuration in which the series arm resonator S2 in the circuit configuration of the second embodiment shown in FIG. 9 is replaced with a series arm resonator S2a and a series arm resonator S2b. .
  • the series arm resonator S2a and the series arm resonator S2b are region-divided resonators.
  • the numbers of area divisions are different between the thinned-weighted IDT electrodes of the series arm resonator S2a and the series arm resonator S2b. More specifically, the series arm resonator S2a is divided into three regions.
  • the series arm resonator S2b is divided into four regions. Also in this modified example, similarly to the second embodiment, it is possible to effectively improve the out-of-band attenuation characteristic without deteriorating the characteristic within the passband.
  • each region of the IDT electrodes in the region-divided resonator is periodically thinned out and weighted.
  • the above regions and periods will be explained in more detail.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an IDT electrode for explaining regions and thinning weighting periods in the present invention.
  • thinning electrodes which will be described later, are hatched.
  • the IDT electrode 46 has a plurality of thinning electrodes. By providing a plurality of thinning electrodes, the IDT electrodes 46 are weighted for thinning. Specifically, the thinning electrodes are thinning electrode f1, thinning electrode f2, thinning electrode f3, thinning electrode f4, thinning electrode f5, and thinning electrode f6. In the example shown in FIG. 13, each thinning electrode is a floating electrode. However, each thinned-out electrode may be an electrode corresponding to the first electrode fingers 18A shown in FIG. 4 or the first electrode fingers 28B shown in FIG.
  • a section is defined as a portion between the centers of adjacent thinning electrodes in the IDT electrode 46 in a direction perpendicular to the extending direction of the electrode fingers.
  • the length of the section is defined as the distance between the centers of adjacent thinned-out electrodes in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers.
  • the section may be a portion between the edge portions of the adjacent thinned-out electrodes in the direction perpendicular to the extending direction of the electrode fingers.
  • the length of the section is the distance between the edge portions of the adjacent thinned-out electrodes in the direction perpendicular to the extending direction of the electrode fingers.
  • the entire portion of the IDT electrode 46, in which a plurality of sections of the same length are continuously adjacent to each other, is the region in the present invention.
  • the IDT electrode 46 has multiple sections m and multiple sections n. More specifically, one section m is a portion between the centers of the thinned electrodes f1 and f2 in the direction perpendicular to the extending direction of the electrode fingers. Similarly, the portion between the centers of the thinned electrodes f2 and f3 in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers is another section m. The length of any section m is the same. Two sections m are adjacent to each other. A region M is thus configured.
  • one of the six electrode fingers is a thinning electrode. That is, in the region M, one of the six electrode fingers is the thinning electrode. Therefore, in the region M, thinning-out weighting is performed in a period of 6 as the number of electrode fingers.
  • the portion between the centers of the thinned electrodes f4 and f5 in the direction perpendicular to the extending direction of the electrode fingers is one section n.
  • the portion between the centers of the thinned electrodes f5 and f6 in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers is another section n. Both sections n have the same length. Two sections n are adjacent to each other. A region N is thus configured. In the region N, thinning-out weighting is performed in a period of 8 as the number of electrode fingers. The decimation weighting periods between the regions M and N are different from each other. Therefore, the acoustic wave resonator including the IDT electrodes 46 is the domain-divided resonator of the present invention.
  • the IDT electrode 46 has two sections n and two sections m. Note that the number of sections in each region of the IDT electrode 46 may be three or more. In each area, it is sufficient that a plurality of sections having the same length are continuously adjacent to each other.
  • the IDT electrode 46 has a plurality of non-regional portions.
  • the plurality of non-region portions in the IDT electrode 46 are specifically non-region portion O1, non-region portion O2, and non-region portion O3.
  • a non-region portion is a portion that is not a region in the present invention. Therefore, the non-region portion is a portion in which a plurality of sections having the same length are not continuously adjacent to each other.
  • a plurality of electrode fingers are provided in the non-region portion as well as in the above region.
  • the non-region portion O2 is located between the region M and the region N. More specifically, the non-region portion O2 is a portion between the centers of the thinning electrodes f3 and f4 in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers. Thus, multiple regions in the present invention do not have to be contiguous and adjacent.
  • the non-region portion O1 and the non-region portion O2 are arranged so as to sandwich the region M in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers.
  • the non-region portion O3 and the non-region portion O2 are arranged so as to sandwich the region N in the direction orthogonal to the extending direction of the electrode fingers.
  • the IDT electrodes of the region-divided resonator may include at least one non-region portion.
  • the IDT electrodes of the region-divided resonator in the present invention need not include non-regional portions.
  • the thinning electrode f3 and the thinning electrode f4 in FIG. may be The portion corresponding to the non-region portion O1 may not be provided with the electrode finger, or the portion may be the section m of the region M or the section of another region.
  • electrode fingers may not be provided in the portion corresponding to the non-region portion O3, or the portion may be the section n of the region N or the section of another region.

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Abstract

通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる、フィルタ装置を提供する。　フィルタ装置１は複数の弾性波共振子（直列腕共振子Ｓ１ａ～Ｓ１ｃ，Ｓ２，Ｓ３ａ～Ｓ３ｃ，Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ５ａ，Ｓ５ｂ及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４）を備える。複数の弾性波共振子はそれぞれ、圧電体層とＩＤＴ電極とを有する。少なくとも２個の弾性波共振子のＩＤＴ電極が、弾性波伝搬方向に沿って配置された複数の領域を有する。各領域のそれぞれにおいて周期的に間引き重み付けされている。少なくとも２個の弾性波共振子が、間引き重み付けされたＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、複数の領域間における間引き重み付けの周期が互いに異なる、領域分割共振子である。領域分割共振子のＩＤＴ電極における上記領域の数を領域分割数としたとき、複数の領域分割共振子のＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において領域分割数が異なる。

Description

フィルタ装置
　本発明は、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置に関する。
　従来、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置は、携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性表面波フィルタの一例が開示されている。弾性表面波フィルタにおける弾性表面波共振子はそれぞれ、圧電基板上に形成された１対のくし型電極を有する。くし型電極においては、一部の電極指を設けなかったり、電極指の極性を反転させたりすることにより、間引きがなされている。弾性表面波フィルタはラダー型フィルタである。特許文献１においては、全ての直列腕共振子において間引きがなされている構成や、全ての並列腕共振子において間引きがなされている構成が開示されている。
特開２００４－０２３６１１号公報
　特許文献１に記載の弾性表面波フィルタにおいては、反射特性及び減衰特性の改善が図られている。しかしながら、近年では通過帯域内外における特性の改善の要求が高まっており、上記弾性表面波フィルタにおいては、通過帯域内外における特性の十分な改善は困難であった。
　本発明の目的は、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、複数の弾性波共振子を備え、前記複数の弾性波共振子がそれぞれ、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを有し、少なくとも２個の前記弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極が、弾性波伝搬方向に沿って配置された複数の領域を有し、各前記領域のそれぞれにおいて、周期的に間引き重み付けがなされており、少なくとも２個の前記弾性波共振子が、間引き重み付けがなされた前記ＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、前記複数の領域間における間引き重み付けの周期が互いに異なる、領域分割共振子であり、前記領域分割共振子の前記ＩＤＴ電極における前記領域の数を領域分割数としたときに、複数の前記領域分割共振子の前記ＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において、前記領域分割数が異なる。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における直列腕共振子の略図的平面図である。 図３は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う略図的断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における直列腕共振子のＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図５（ａ）は、本発明の第１の実施形態及び比較例のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の拡大図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における直列腕共振子のＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における直列腕共振子のＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における直列腕共振子のＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図１０は、２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とにおける、リターンロスを示す図である。 図１１は、２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とにおける、インピーダンス周波数特性を示す図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の回路図である。 図１３は、本発明における領域、及び間引き重み付けの周期を説明するための、ＩＤＴ電極の模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　本実施形態のフィルタ装置１はラダー型フィルタである。フィルタ装置１は、第１の信号端子１３及び第２の信号端子１４と、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。第１の信号端子１３及び第２の信号端子１４は、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。フィルタ装置１は、Ｂａｎｄ２５の送信フィルタである。より具体的には、フィルタ装置１の通過帯域は１８５０～１９１５ＭＨｚである。もっとも、フィルタ装置１の通過帯域は上記に限定されない。さらに、フィルタ装置１は送信フィルタには限定されず、受信フィルタであってもよい。
　本実施形態においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は弾性波共振子である。フィルタ装置１は５個の直列腕共振子及び４個の並列腕共振子を有する。もっとも、フィルタ装置１においては、複数の直列腕共振子のうち一部の直列腕共振子は直列分割されている。そのため、直列腕共振子の素子の個数としては、５個よりも多い。より具体的には、フィルタ装置１の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ１ｂ、直列腕共振子Ｓ１ｃ、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ３ｃ、直列腕共振子Ｓ４ａ、直列腕共振子Ｓ４ｂ、直列腕共振子Ｓ５ａ、直列腕共振子Ｓ５ｂである。フィルタ装置１の複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。
　直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ１ｂ及び直列腕共振子Ｓ１ｃは、同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子である。直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ及び直列腕共振子Ｓ３ｃは、同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子である。直列腕共振子Ｓ４ａ及び直列腕共振子Ｓ４ｂは、同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子である。直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂは、同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子である。なお、少なくとも１個の直列腕共振子は並列分割されていてもよい。あるいは、全ての直列腕共振子は、直列分割及び並列分割されていなくともよい。
　以下において、本実施形態における弾性波共振子の具体的な構成を示す。
　図２は、第１の実施形態における直列腕共振子の略図的平面図である。図３は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う略図的断面図である。なお、図２及び図３においては、後述するＩＤＴ電極及び反射器を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　図２に示すように、直列腕共振子Ｓ２は圧電性基板２を有する。図３に示すように、圧電性基板２は、支持基板３と、誘電体膜４と、圧電体層５とを有する。より具体的には、支持基板３上に誘電体膜４が設けられている。誘電体膜４上に圧電体層５が設けられている。本実施形態では、支持基板３はシリコンからなる。誘電体膜４は酸化ケイ素からなる。圧電体層５はタンタル酸リチウムからなる。もっとも、圧電性基板２における各層の材料は上記に限定されない。なお、本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波共振子の電気的特性が劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
　圧電性基板２の圧電体層５上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極６が設けられている。ＩＤＴ電極６に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電体層５上における、ＩＤＴ電極６の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器７及び反射器８が設けられている。ＩＤＴ電極６、反射器７及び反射器８は、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。
　図２に示すように、直列腕共振子Ｓ２のＩＤＴ電極６は、複数の領域を有する。複数の領域は弾性波伝搬方向に沿って配置されている。具体的には、ＩＤＴ電極６は、第１の領域６Ａ、第２の領域６Ｂ及び第３の領域６Ｃを有する。
　図４は、第１の実施形態における直列腕共振子のＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。図４においては、ＩＤＴ電極６の第１の領域６Ａの一部を示す。
　ＩＤＴ電極６は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９を、単に電極指と記載することがある。複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向としたときに、本実施形態においては、弾性波伝搬方向は電極指延伸方向と直交する。すなわち、電極指延伸方向と直交する方向に沿って、上記複数の領域が配置されている。
　第１の領域６Ａにおいては、周期的に間引き重み付けがなされている。間引き重み付けとは、複数の電極指のうち一部を、弾性波の励振において寄与しないように間引くことをいう。直列腕共振子Ｓ２の第１の領域６Ａの構成は、第２の電極指１９が周期的に間引かれた構成に相当する。より具体的には、周期的に第１の電極指１８Ａが設けられている。第１の電極指１８Ａは、隣り合う第１の電極指１８間がメタライズされた構成に相当する。より具体的には、第１の電極指１８Ａは、第１の電極指１８と、該第１の電極指１８の両隣の第１の電極指１８との間がそれぞれメタライズされた構成に相当する。本実施形態では、第１の電極指１８Ａは、３本分の第１の電極指１８が設けられる部分が、連続的にメタライズされた構成に相当する。よって、第１の電極指１８Ａの幅は、他の第１の電極指１８の幅よりも広い。本実施形態では、２４本の電極指のうち１本の割合いにおいて、間引き重み付けがなされている。もっとも、図４に示す間引き重み付けの態様は一例であって、これに限定されるものではない。
　第２の領域６Ｂ及び第３の領域６Ｃにおいても、周期的に間引き重み付けがなされている。第１の領域６Ａ、第２の領域６Ｂ及び第３の領域６Ｃの間においては、間引き重み付けの周期が互いに異なる。直列腕共振子Ｓ２は、本発明における領域分割共振子である。本明細書では、領域分割共振子とは、間引き重み付けがなされたＩＤＴ電極において、複数の領域間における間引き重み付けの周期が互いに異なる弾性波共振子をいう。
　直列腕共振子Ｓ２と同様に、直列腕共振子Ｓ２以外の各弾性波共振子も、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。なお、図１に示す、破線、一点鎖線または二点鎖線により囲まれた弾性波共振子以外の弾性波共振子においては、間引き重み付けはなされていない。より具体的には、フィルタ装置１では、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂにおいて間引き重み付けがなされている。さらに、上記各直列腕共振子は領域分割共振子である。もっとも、少なくとも２個の弾性波共振子が領域分割共振子であればよい。
　本実施形態では、全ての弾性波共振子が同じ圧電性基板２を共有している。なお、各弾性波共振子は、個別に圧電性基板を有していてもよい。
　上記のように、直列腕共振子Ｓ２のＩＤＴ電極６は第１の領域６Ａ、第２の領域６Ｂ及び第３の領域６Ｃを有する。よって、間引き重み付けがなされたＩＤＴ電極における領域の数を領域分割数としたときに、ＩＤＴ電極６の領域分割数は３である。他方、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂの各ＩＤＴ電極における領域分割数は４である。直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂの各ＩＤＴ電極における領域分割数は５である。
　本実施形態の特徴は、直列腕共振子Ｓ２のＩＤＴ電極６と、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂの各ＩＤＴ電極と、直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂの各ＩＤＴ電極との間において、領域分割数が異なることにある。なお、複数の領域分割共振子のＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において、領域分割数が異なっていればよい。それによって、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。これを、本実施形態と比較例とを比較することにより、以下において示す。
　比較例の回路構成は第１の実施形態の回路構成と同じである。比較例は、第１の実施形態における直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂに相当する弾性波共振子の各ＩＤＴ電極における領域分割数が、全て３である点において第１の実施形態と異なる。第１の実施形態及び比較例において、減衰量周波数特性を比較した。当該比較に係る第１の実施形態及び比較例のフィルタ装置の通過帯域は、１８５０～１９１５ＭＨｚである。
　図５（ａ）は、第１の実施形態及び比較例のフィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の拡大図である。より具体的には、図５（ｂ）は、図５（ａ）中の一点鎖線により囲まれた部分を拡大して示す。
　図５（ａ）に示すように、第１の実施形態及び比較例の双方において、通過帯域内の特性は劣化していないことがわかる。一方で、図５（ｂ）中の矢印Ｂに示すように、比較例では、通過帯域の低域側において複数の帯域外レスポンスが生じている。そのため、比較例においては、帯域外減衰特性が劣化している。これに対して、第１の実施形態においては、帯域外レスポンスが抑制されていることがわかる。それによって、第１の実施形態においては、帯域外減衰特性を改善することができている。
　比較例のフィルタ装置は複数の領域分割共振子を有する。しかしながら、複数の領域分割共振子において、いずれのＩＤＴ電極の領域分割数も同じである。そのため、複数の領域分割共振子において、ほぼ同じ周波数に帯域外レスポンスが生じる。これにより、フィルタ装置の帯域外レスポンスが大きくなっている。
　比較例と同様に、第１の実施形態のフィルタ装置１も、複数の領域分割共振子を有する。個々の領域分割共振子のＩＤＴ電極において、各領域間における間引き重み付けの周期が互いに異なるため、通過帯域内における特性の劣化が抑制されている。しかも、比較例とは異なり、第１の実施形態では、複数の領域分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なる。それによって、帯域外レスポンスを分散させることができ、帯域外レスポンスを抑制することができる。従って、帯域外減衰特性を改善することができる。
　図１に戻り、第１の実施形態においては、複数の直列腕共振子において間引き重み付けがなされている。なお、少なくとも１個の並列腕共振子において、間引き重み付けがなされていてもよい。そして、少なくとも１個の並列腕共振子が領域分割共振子であってもよい。直列腕共振子または並列腕共振子に関わらず、少なくとも２個の領域分割共振子における、少なくとも２個のＩＤＴ電極の間において、領域分割数が異なっていればよい。もっとも、少なくとも２個の直列腕共振子が領域分割共振子であり、かつ領域分割共振子である直列腕共振子のうち、少なくとも２個の直列腕共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なることが好ましい。この場合には、帯域外減衰特性をより確実に改善することができる。
　以下において、第１の実施形態における構成をより詳細に説明する。
　図１に示すように、第１の信号端子１３及び第２の信号端子１４の間に、直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ１ｂ、直列腕共振子Ｓ１ｃ、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ、直列腕共振子Ｓ３ｃ、直列腕共振子Ｓ４ａ、直列腕共振子Ｓ４ｂ、直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂが互いに直列に接続されている。さらに、第１の信号端子１３及び直列腕共振子Ｓ２の間には、直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ１ｂ及び直列腕共振子Ｓ１ｃと並列に、容量素子９が接続されている。
　直列腕共振子Ｓ１ｃ及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３ａの間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３ｃ及び直列腕共振子Ｓ４ａの間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４ｂ及び直列腕共振子Ｓ５ａの間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。なお、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４は、グラウンド電位に共通接続されている。もっとも、フィルタ装置１の回路構成は上記に限定されない。
　図４に示すように、ＩＤＴ電極６は交叉領域Ａを有する。交叉領域Ａは、弾性波伝搬方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合う領域である。交叉領域Ａは、中央領域Ｃと、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２とを有する。第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２は、電極指延伸方向において中央領域Ｃを挟むように配置されている。第１のエッジ領域Ｅ１は第１のバスバー１６側に位置する。第２のエッジ領域Ｅ２は第２のバスバー１７側に位置する。交叉領域Ａにおいて弾性波が励振される。
　第１のバスバー１６には、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部１６ｄが設けられている。より具体的には、第１のバスバー１６は、内側バスバー部１６ａと、外側バスバー部１６ｂと、複数の接続電極１６ｃとを有する。内側バスバー部１６ａは、開口部１６ｄ及び外側バスバー部１６ｂよりも交叉領域Ａ側に位置している。内側バスバー部１６ａ及び外側バスバー部１６ｂは、複数の接続電極１６ｃにより接続されている。本実施形態では、複数の接続電極１６ｃは、電極指延伸方向と平行に延びている。複数の開口部１６ｄは、内側バスバー部１６ａ、複数の接続電極１６ｃ及び外側バスバー部１６ｂにより囲まれた開口部である。なお、各接続電極１６ｃは、各第１の電極指１８の延長線上に設けられており、かつ各第２の電極指１９の延長線上には設けられていない。
　第２のバスバー１７も、第１のバスバー１６と同様に構成されている。第２のバスバー１７には、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部１７ｄが設けられている。第２のバスバー１７は、内側バスバー部１７ａと、外側バスバー部１７ｂと、複数の接続電極１７ｃとを有する。
　第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２において、各電極指は幅広部を有する。幅広部における電極指の幅は、中央領域Ｃにおける該電極指の幅よりも広い。より具体的には、第１の電極指１８は、第１のエッジ領域Ｅ１において幅広部１８ａを有する。第１の電極指１８は、第２のエッジ領域Ｅ２において幅広部１８ｂを有する。同様に、第２の電極指１９は、第１のエッジ領域Ｅ１において幅広部１９ａを有する。第２の電極指１９は、第２のエッジ領域Ｅ２において幅広部１９ｂを有する。これにより、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも低い。なお、電極指の幅は、電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法である。
　第１のエッジ領域Ｅ１において、複数の電極指がそれぞれ幅広部を有することにより、第１のエッジ領域Ｅ１から第１のバスバー１６の内側バスバー部１６ａにかけての平均音速が低くなっている。これにより、第１のエッジ領域Ｅ１から第１のバスバー１６の内側バスバー部１６ａを含む領域において、低音速領域Ｌ１が構成されている。同様に、第２のエッジ領域Ｅ２から第２のバスバー１７の内側バスバー部１７ａを含む領域において、低音速領域Ｌ２が構成されている。なお、低音速領域とは、中央領域Ｃにおける音速よりも、音速または平均音速が低い領域である。
　ここで、各バスバーにおいて、複数の開口部が設けられている領域を開口部形成領域とする。上記のように、第１のバスバー１６の各接続電極１６ｃは、各第１の電極指１８の延長線上に設けられており、かつ各第２の電極指１９の延長線上には設けられていない。これにより、第１のバスバー１６の開口部形成領域において、高音速領域Ｈ１が構成されている。同様に、第２のバスバー１７の開口部形成領域において、高音速領域Ｈ２が構成されている。なお、高音速領域とは、中央領域Ｃにおける音速よりも、音速が高い領域である。
　図４においては、ＩＤＴ電極６における第１の領域６Ａの一部を示している。もっとも、ＩＤＴ電極６の他の領域においても同様に、１対の低音速領域及び１対の高音速領域が構成されている。
　電極指延伸方向において、中央領域、１対の低音速領域及び１対の高音速領域が、この順序において配置されている。それによって、ピストンモードが成立する。これにより、横モードによるスプリアスを抑制することができる。第１の実施形態では、直列腕共振子Ｓ２以外の各弾性波共振子も同様に、ピストンモードが成立するように構成されている。
　もっとも、１対の低音速領域は、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２において、質量付加膜が設けられることにより構成されていてもよい。この場合、各電極指は幅広部を有していなくともよい。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７には、必ずしも開口部は設けられていなくともよい。この場合には、第１のエッジ領域Ｅ１及び第１のバスバー１６の間のギャップ領域、並びに第２のエッジ領域Ｅ２及び第２のバスバー１７の間のギャップ領域を高音速領域としてもよい。
　第１の実施形態においては、ピストンモードが成立するＩＤＴ電極を用いた弾性波共振子を例として示した。もっとも、各弾性波共振子においては、ピストンモードが成立しないＩＤＴ電極が用いられていてもよい。この場合においても、複数の領域分割共振子のＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において、領域分割数が異なっていればよい。それによって、第１の実施形態と同様に、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。
　図３に示すように、圧電性基板２は、支持基板３と、誘電体膜４と、圧電体層５とを有する。より詳細には、支持基板３は高音速材料層としての高音速支持基板である。誘電体膜４は低音速膜である。
　高音速材料層は相対的に高音速な層である。本実施形態では、高音速材料層は、高音速支持基板としての支持基板３である。高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速材料層の材料としては、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。なお、本明細書において主成分とは、占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
　低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層５を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
　圧電体層５は、第１の実施形態においては、タンタル酸リチウムからなる。もっとも圧電体層の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。
　第１の実施形態の圧電性基板２では、高音速支持基板としての支持基板３、低音速膜としての誘電体膜４及び圧電体層５がこの順序において積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができる。
　なお、圧電性基板の積層構造は上記に限定されない。例えば、圧電性基板は、高音速支持基板としての支持基板及び圧電体層の積層基板であってもよい。さらに、高音速材料層は、高音速膜であってもよい。この場合には、支持基板は高音速支持基板ではなくともよい。そして、圧電性基板は、支持基板、高音速膜、低音速膜としての誘電体膜及び圧電体層の積層基板であってもよく、あるいは、支持基板、高音速膜及び圧電体層の積層基板であってもよい。これらの場合においても、弾性波のエネルギーを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができる。
　上記のように、高音速材料層が高音速膜である場合、支持基板は高音速支持基板ではなくともよい。この場合、支持基板の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
　なお、圧電性基板は圧電体層のみからなる基板であっても構わない。圧電性基板が上記に挙げたいずれの構成を有する場合であっても、複数の領域分割共振子のＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において、領域分割数が異なっていればよい。それによって、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。
　第１の実施形態においては、間引き重み付けは、隣り合う第１の電極指１８間をメタライズすることによりなされている。もっとも、間引き重み付けの態様は上記に限定されない。以下において、間引き重み付けの態様のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の実施形態と同様に、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。
　図６に示す第１の変形例においては、浮き電極２８Ａが周期的に設けられている。図６においては、浮き電極２８Ａにハッチングを付している。浮き電極２８Ａとは、信号電位にもグラウンド電位にも接続されない電極である。浮き電極２８Ａが設けられている部分においては、第２の電極指１９が設けられていない。これにより、周期的に間引き重み付けがなされている。
　図７に示す第２の変形例においては、周期的に、第２の電極指１９の代わりに第１の電極指２８Ｂが設けられている。図７においては、第１の電極指２８Ｂにハッチングを付している。なお、第１の電極指２８Ｂの構成は他の第１の電極指１８の構成と同じである。各第１の電極指２８Ｂの一端はそれぞれ、第１のバスバー１６に接続されている。このように、第２の電極指１９が位置する部分に相当する部分において、周期的に極性の反転がなされている。これにより、周期的に間引き重み付けがなされている。
　ＩＤＴ電極６の構成は、ピストンモードを成立させる構成には限られない。例えば、図８に示す第３の変形例においては、低音速領域は設けられていない。具体的には、本変形例におけるＩＤＴ電極は、複数の第１のダミー電極指３４及び複数の第２のダミー電極指３５を有する。複数の第１のダミー電極指３４の一端はそれぞれ、第１のバスバー３６に接続されている。複数の第１のダミー電極指３４の他端はそれぞれ、複数の第２の電極指３９に対向している。複数の第２のダミー電極指３５の一端はそれぞれ、第２のバスバー３７に接続されている。複数の第２のダミー電極指３５の他端はそれぞれ、複数の第１の電極指３８に対向している。なお、第１のバスバー３６及び第２のバスバー３７には、開口部は設けられていない。第１の電極指３８及び第２の電極指３９の幅は一様である。
　本変形例においては、周期的に第２の電極指３９Ａが設けられている。第２の電極指３９Ａは、隣り合う第２の電極指３９間がメタライズされた構成に相当する。これにより、周期的に間引き重み付けがなされている。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を改善することができる。
　図９は、第２の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
　本実施形態は、領域分割数が異なる弾性波共振子の配置が第１の実施形態と異なる。上記の点以外にいては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。
　より具体的には、直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３ａの領域分割数は３である。直列腕共振子Ｓ３ｂ及び直列腕共振子Ｓ５ａの領域分割数は４である。直列腕共振子Ｓ５ｂの領域分割数は５である。
　直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂは同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂのＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なる。さらに、直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂは同じ直列腕共振子が直列分割された分割共振子であり、かつ直列腕共振子Ｓ５ａ及び直列腕共振子Ｓ５ｂのＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なる。このように、領域分割共振子であり、かつ同じ弾性波共振子が直列分割または並列分割された少なくとも２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なっていてもよい。それによって、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を効果的に改善することができる。
　なお、本明細書おいて、同じ弾性波共振子が直列分割または並列分割されているとは、間引き重み付けがなされていない場合における設計パラメータが同じである弾性波共振子が、直列分割または並列分割されていることをいう。例えば、ＩＤＴ電極において間引き重み付けがなされていない弾性波共振子が、直列分割または並列分割された分割共振子のそれぞれにおいて、ＩＤＴ電極における間引き重み付けがなされていてもよい。そして例えば、本実施形態における直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂは、同じ弾性波共振子が直列分割され、かつ各ＩＤＴ電極において互いに異なる間引き重み付けがなされた分割共振子である。そのため、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂは、同じ弾性波共振子が直列分割された分割共振子であるが、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂにおけるＩＤＴ電極の領域分割数は互いに異なる。
　ここで、同じ弾性波共振子が直列分割された２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とにおいて、リターンロス及びインピーダンス周波数特性を比較した。この結果を図１０及び図１１に示す。なお、比較に係る分割共振子の領域分割数は以下の３通りである。１）双方の分割共振子のＩＤＴ電極において、領域分割数が３である場合。これを、図１０及び図１１において３－３とする。２）双方の分割共振子のＩＤＴ電極において、領域分割数が４である場合。これを、図１０及び図１１において４－４とする。３）一方の分割共振子のＩＤＴ電極における領域分割数が３であり、他方の分割共振子のＩＤＴ電極における領域分割数が４である場合。これを、図１０及び図１１において３－４とする。
　図１０は、２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とにおける、リターンロスを示す図である。図１１は、２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とにおける、インピーダンス周波数特性を示す図である。
　図１０中の破線で示すように、双方の分割共振子のＩＤＴ電極において領域分割数が３である場合、最大のリップルレベルは３．２１ｄＢと大きい。一点鎖線で示すように、双方の分割共振子のＩＤＴ電極において領域分割数が４である場合においても、最大のリップルレベルは２．３４ｄＢと大きい。これらに対して、実線で示すように、一方の分割共振子のＩＤＴ電極における領域分割数が３であり、他方の分割共振子のＩＤＴ電極における領域分割数が４である場合には、最大のリップルレベルは１．７４ｄＢと小さい。このように、リップルが抑制されていることがわかる。よって、フィルタ装置において、分割共振子のＩＤＴ電極間において領域分割数を異ならせることにより、通過帯域外のリップルを抑制することができ、帯域外減衰特性を改善できることがわかる。
　図１１に示すように、２個の分割共振子のＩＤＴ電極間において、領域分割数が同じ場合と、異なる場合とに関わらず、共振周波数及び反共振周波数の間の特性は劣化していない。そのため、上記のいずれの場合においても、フィルタ装置の通過帯域内における特性を劣化させないことがわかる。従って、図１０及び図１１から、フィルタ装置において、分割共振子のＩＤＴ電極間において領域分割数を異ならせることにより、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を効果的に改善できることがわかる。
　ところで、上記のように、本発明のフィルタ装置は、並列分割された分割共振子を含んでいてもよい。例えば、図１２に示す第２の実施形態の変形例は、同じ弾性波共振子としての直列腕共振子が並列分割された、直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂを有する。本変形例の回路構成は、図９に示す第２の実施形態の回路構成における、直列腕共振子Ｓ２の部分が、直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂに置き換えられた構成に相当する。
　本変形例においては、直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂは領域分割共振子である。直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂの、それぞれ間引き重み付けがなされたＩＤＴ電極間において、領域分割数が異なる。より具体的には、直列腕共振子Ｓ２ａの領域分割数は３である。直列腕共振子Ｓ２ｂの領域分割数は４である。本変形例においても、第２の実施形態と同様に、通過帯域内の特性を劣化させずして、帯域外減衰特性を効果的に改善することができる。
　本発明においては、領域分割共振子におけるＩＤＴ電極の各領域において、周期的に間引き重み付けがなされている。以下において、上記の領域及び周期をより詳細に説明する。
　図１３は、本発明における領域、及び間引き重み付けの周期を説明するための、ＩＤＴ電極の模式的平面図である。図１３においては、後述する間引き電極にハッチングを付している。
　ＩＤＴ電極４６は、複数の間引き電極を有する。複数の間引き電極が設けられていることにより、ＩＤＴ電極４６において間引き重み付けがなされている。複数の間引き電極は、具体的には、間引き電極ｆ１、間引き電極ｆ２、間引き電極ｆ３、間引き電極ｆ４、間引き電極ｆ５及び間引き電極ｆ６である。図１３に示す例においては、各間引き電極は浮き電極である。もっとも、各間引き電極は、図４に示した第１の電極指１８Ａや、図７に示した第１の電極指２８Ｂに相当する電極であってもよい。
　ＩＤＴ電極４６における、隣り合う間引き電極の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分を区間とする。隣り合う間引き電極の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の距離を、区間の長さとする。なお、ＩＤＴ電極４６における、隣り合う間引き電極の、電極指延伸方向と直交する方向における端縁部同士の間の部分を区間としてもよい。この場合、隣り合う間引き電極の、電極指延伸方向と直交する方向における端縁部同士の間の距離が区間の長さである。ＩＤＴ電極４６における、同じ長さの複数の区間が連続して隣接している部分全体が、本発明における領域である。
　図１３に示す例においては、ＩＤＴ電極４６は、複数の区間ｍ及び複数の区間ｎを有する。より具体的には、間引き電極ｆ１及び間引き電極ｆ２の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分が、１つの区間ｍである。同様に、間引き電極ｆ２及び間引き電極ｆ３の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分が、他の１つの区間ｍである。いずれの区間ｍの長さも同じである。そして、２つの区間ｍが隣接している。これにより、領域Ｍが構成されている。
　区間ｍにおいては、６本の電極指のうち１本の電極指が間引き電極である。すなわち、領域Ｍにおいては、６本の電極指のうち１本の電極指が間引き電極である。よって、領域Ｍにおいては、電極指の本数として６本の周期において、間引き重み付けがなされている。
　他方、間引き電極ｆ４及び間引き電極ｆ５の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分が、１つの区間ｎである。同様に、間引き電極ｆ５及び間引き電極ｆ６の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分が、他の１つの区間ｎである。いずれの区間ｎの長さも同じである。そして、２つの区間ｎが隣接している。これにより、領域Ｎが構成されている。領域Ｎにおいては、電極指の本数として８本の周期において、間引き重み付けがなされている。領域Ｍ及び領域Ｎの間における間引き重み付けの周期は、互いに異なる。よって、ＩＤＴ電極４６を含む弾性波共振子は、本発明における領域分割共振子である。
　ＩＤＴ電極４６は、２つずつの区間ｎ及び区間ｍを有する。なお、ＩＤＴ電極４６の各領域における区間は３つ以上であってもよい。各領域において、同じ長さの複数の区間が連続して隣接していればよい。
　ところで、ＩＤＴ電極４６は、複数の非領域部を有する。ＩＤＴ電極４６における複数の非領域部は、具体的には、非領域部Ｏ１、非領域部Ｏ２及び非領域部Ｏ３である。非領域部は、本発明における領域ではない部分である。よって、非領域部は、同じ長さの複数の区間が連続して隣接していない部分である。非領域部においても、上記領域と同様に、複数の電極指が設けられている。
　図１３に示すように、非領域部Ｏ２は、領域Ｍ及び領域Ｎの間に位置している。より具体的には、非領域部Ｏ２は、間引き電極ｆ３及び間引き電極ｆ４の、電極指延伸方向と直交する方向における中心同士の間の部分である。このように、本発明における複数の領域は、連続して隣接していなくともよい。
　なお、非領域部Ｏ１は、非領域部Ｏ２と共に、電極指延伸方向と直交する方向において、領域Ｍを挟むように配置されている。非領域部Ｏ３は、非領域部Ｏ２と共に、電極指延伸方向と直交する方向において、領域Ｎを挟むように配置されている。図１３に示す例のように、領域分割共振子のＩＤＴ電極は、少なくとも１つの非領域部を含んでいてもよい。
　もっとも、本発明における領域分割共振子のＩＤＴ電極は、非領域部を含んでいなくともよい。この場合には、例えば、図１３における間引き電極ｆ３及び間引き電極ｆ４が同一の間引き電極であってもよく、あるいは、非領域部Ｏ２に相当する部分が領域Ｍの区間ｍまたは領域Ｎの区間ｎであってもよい。そして、非領域部Ｏ１に相当する部分に電極指が設けられていなくともよく、あるいは、該部分が領域Ｍの区間ｍまたは他の領域の区間であってもよい。同様に、非領域部Ｏ３に相当する部分に電極指が設けられていなくともよく、あるいは、該部分が領域Ｎの区間ｎまたは他の領域の区間であってもよい。
１…フィルタ装置
２…圧電性基板
３…支持基板
４…誘電体膜
５…圧電体層
６…ＩＤＴ電極
６Ａ～６Ｃ…第１～第３の領域
７，８…反射器
９…容量素子
１３，１４…第１，第２の信号端子
１６，１７…第１，第２のバスバー
１６ａ，１７ａ…内側バスバー部
１６ｂ，１７ｂ…外側バスバー部
１６ｃ，１７ｃ…接続電極
１６ｄ，１７ｄ…開口部
１８，１８Ａ…第１の電極指
１８ａ，１８ｂ…幅広部
１９…第２の電極指
１９ａ，１９ｂ…幅広部
２８Ａ…浮き電極
２８Ｂ…第１の電極指
３４，３５…第１，第２のダミー電極指
３６，３７…第１，第２のバスバー
３８…第１の電極指
３９，３９Ａ…第２の電極指
４６…ＩＤＴ電極
Ａ…交叉領域
Ｃ…中央領域
Ｅ１，Ｅ２…第１，第２のエッジ領域
ｆ１～ｆ６…間引き電極
Ｈ１，Ｈ２…高音速領域
Ｌ１，Ｌ２…低音速領域
Ｍ，Ｎ…領域
ｍ，ｎ…区間
Ｏ１～Ｏ３…非領域部
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１ａ～Ｓ１ｃ，Ｓ２，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａ～Ｓ３ｃ，Ｓ４ａ，Ｓ４ｂ，Ｓ５ａ，Ｓ５ｂ…直列腕共振子

Claims (3)

  1. 　複数の弾性波共振子を備え、
    　前記複数の弾性波共振子がそれぞれ、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、を有し、
    　少なくとも２個の前記弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極が、弾性波伝搬方向に沿って配置された複数の領域を有し、各前記領域のそれぞれにおいて、周期的に間引き重み付けがなされており、
    　少なくとも２個の前記弾性波共振子が、間引き重み付けがなされた前記ＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、前記複数の領域間における間引き重み付けの周期が互いに異なる、領域分割共振子であり、
    　前記領域分割共振子の前記ＩＤＴ電極における前記領域の数を領域分割数としたときに、複数の前記領域分割共振子の前記ＩＤＴ電極のうち少なくとも２個の間において、前記領域分割数が異なる、フィルタ装置。
  2. 　複数の直列腕共振子と、少なくとも１個の並列腕共振子と、を有するラダー型フィルタであり、
    　少なくとも２個の前記直列腕共振子が前記領域分割共振子であり、
    　前記領域分割共振子である前記直列腕共振子のうち、少なくとも２個の直列腕共振子の前記ＩＤＴ電極間において、前記領域分割数が異なる、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記複数の弾性波共振子が、直列分割または並列分割された少なくとも２個の分割共振子を含み、
    　同じ弾性波共振子が直列分割または並列分割された少なくとも２個の前記分割共振子が前記領域分割共振子であり、かつ前記同じ弾性波共振子が直列分割または並列分割された少なくとも２個の前記分割共振子の、それぞれ間引き重み付けがなされた前記ＩＤＴ電極間において、前記領域分割数が異なる、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
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