WO2018070369A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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idt electrode
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piezoelectric substrate
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田中　宏行
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京セラ株式会社
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    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • a SAW (Surface Acoustic Wave) element having a piezoelectric substrate and an IDT (InterDigital Transducer) provided on the main surface of the piezoelectric substrate is known (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-214902).
  • a SAW element is used, for example, as a duplexer reception filter or transmission filter.
  • a piezoelectric substrate is not used alone for a SAW element, but a bonded substrate obtained by bonding a piezoelectric substrate and a support substrate having a smaller thermal expansion coefficient than that of the piezoelectric substrate is used for the SAW element. .
  • a bonded substrate for example, a temperature change in the electrical characteristics of the SAW element is compensated.
  • the spurious that may not occur when the bonded substrate is not used may occur with respect to the electrical characteristics of the SAW element. Therefore, it is desirable to provide a surface acoustic wave device that can reduce such spurious.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric substrate including a first surface and a second surface, a support substrate bonded to the second surface, a first filter located on the first surface, and a second filter. Provide a filter.
  • the second filter has a higher pass band than the first filter.
  • the first filter includes at least one first IDT electrode
  • the second filter includes at least one second IDT electrode
  • the thickness of the first IDT electrode is different from the thickness of the second IDT electrode
  • the elastic wave device according to one aspect of the present disclosure described above has reduced spurious.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. It is a diagram which shows the correlation with a piezoelectric substrate thickness and the frequency of a bulk wave spurious. It is a diagram which shows a frequency characteristic when the film thickness of an IDT electrode is varied.
  • FIG. 6A to FIG. 6C are conceptual diagrams showing an IDT electrode design method for an acoustic wave device.
  • any direction may be set to the upper side or the lower side.
  • the D1 direction, the D2 direction, and the D3 direction that are orthogonal to each other are defined for convenience and the positive side of the D3 direction is defined as follows.
  • the upper part terms such as an upper surface and a lower surface are used.
  • the orthogonal coordinate system defined by the D1, D2, and D3 directions described above is defined based on the shape of the acoustic wave device, and the crystal axis (X axis) of the piezoelectric crystal constituting the piezoelectric substrate. , Y axis, Z axis).
  • FIG. 1 is a plan view of an acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of an IDT electrode 3
  • FIG. 3 is taken along a line III-III in FIG. It is arrow sectional drawing.
  • the acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 2 made of a piezoelectric crystal, a support substrate 6, a first filter 10a, and a second filter 10b.
  • the piezoelectric substrate 2 is composed of a single crystal (piezoelectric crystal) having piezoelectricity made of LN (lithium niobate: LiNbO 3 ) crystal or LT (lithium tantalate: LiTaO 3 ) crystal.
  • the piezoelectric substrate 2 is configured by a 36 ° to 48 ° YX cut LT substrate.
  • the planar shape and various dimensions of the piezoelectric substrate 2 may be set as appropriate.
  • the thickness (D3 direction) of the piezoelectric substrate 2 is 1 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the piezoelectric crystal of the piezoelectric substrate 2 has XYZ axes as crystal axes, and when the X propagation substrate is used, the X axis and the D1 direction coincide with each other. That is, the X-axis direction and the D1 direction are the propagation directions of elastic waves. Further, the Y axis and the Z axis do not have a component in the D1 direction, but have components in the D2 direction and the D3 direction.
  • Such a piezoelectric substrate 2 includes a first surface 2A and a second surface 2B orthogonal to the D3 direction.
  • a support substrate 6 is disposed on the second surface (lower surface) 2 ⁇ / b> B of the piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 6 constitute an element substrate.
  • the support substrate 6 is not particularly limited as long as it has strength to support the thin piezoelectric substrate 2.
  • the support substrate 6 is formed of a material having a smaller thermal expansion coefficient than the material of the piezoelectric substrate 2. According to the element substrate having such a configuration, when a temperature change occurs, a thermal stress is generated in the piezoelectric substrate 2, and at this time, the temperature dependence and the stress dependence of the elastic constant cancel each other. The temperature change of the electrical characteristics is compensated. Examples of such materials include single crystals such as sapphire, semiconductors such as silicon, ceramics such as an aluminum oxide sintered body, and crystals.
  • the support substrate 6 may be configured by laminating a plurality of layers made of different materials.
  • the thickness of the support substrate 6 is, for example, constant, and the thickness may be appropriately set similarly to the thickness of the piezoelectric substrate 2.
  • the thickness of the support substrate 6 is set in consideration of the thickness of the piezoelectric substrate 2 so that temperature compensation is suitably performed.
  • the thickness of the support substrate 6 is 75 to 300 ⁇ m while the thickness of the piezoelectric substrate 2 is 1 to 30 ⁇ m.
  • the piezoelectric substrate 2 and the support substrate 6 are bonded to each other through an adhesive layer (not shown), for example.
  • the material of the adhesive layer may be an organic material or an inorganic material.
  • the organic material include a resin such as a thermosetting resin.
  • An example of the inorganic material is SiO2.
  • the two substrates may be bonded by so-called direct bonding, in which the bonding surfaces are bonded together without an adhesive layer after activation treatment with plasma, ion gun, neutron gun or the like.
  • a first filter 10a and a second filter 10b having a different pass band from the first filter 10a are located on the first surface (upper surface) 2A of the piezoelectric substrate 2.
  • the first filter 10 a and the second filter 10 b are each configured by an electrode group including the IDT electrode 3. More specifically, the first filter 10a includes at least one first IDT electrode 3A, and the second filter 10b includes at least one second IDT electrode 3B. As will be described later, since the basic structure of the first IDT electrode 3A and the second IDT electrode 3B is the same, the common part will be described without distinguishing both as the IDT electrode 3.
  • each of the first filter 10a and the second filter 10b includes a plurality of resonators 11 (11a to 11e) each including the IDT electrode 3, and these are connected to each other to form a ladder type filter.
  • the IDT electrode 3 constituting a part of the resonator 11 will be described with reference to FIG.
  • the IDT electrode 3 includes a first comb electrode 30a and a second comb electrode 30b.
  • the first comb-teeth electrode 30a and the second comb-teeth electrode 30b are simply referred to as the comb-teeth electrode 30 and may not be distinguished from each other.
  • the comb-teeth electrode 30 includes two bus bars 31 (first bus bar 31 a and second bus bar 31 b) facing each other, and a plurality of electrode fingers 32 extending from each bus bar 31 to the other bus bar 31 side. (First electrode finger 32a, second electrode finger 32b).
  • the pair of comb-shaped electrodes 30 are arranged so that the first electrode fingers 32a and the second electrode fingers 32b mesh with each other in the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 31a and the second bus bar 31b are connected to different potentials.
  • the comb electrode 30 has dummy electrode fingers 33 facing the respective electrode fingers 32.
  • the first dummy electrode finger 33a extends from the first bus bar 31a toward the second electrode finger 32b.
  • the second dummy electrode finger 33b extends from the second bus bar 31b toward the first electrode finger 32a.
  • the plurality of electrode fingers 32 of the pair of comb electrodes 30 constituting the IDT electrode 3 are set to have a pitch Pt1.
  • the pitch Pt1 is provided, for example, so as to be equal to a half wavelength of the wavelength ⁇ of the elastic wave at the frequency to be resonated.
  • the wavelength ⁇ (that is, 2 ⁇ Pt1) is, for example, not less than 1.4 ⁇ m and not more than 6 ⁇ m.
  • the IDT electrode 3 is arranged so that most of the plurality of electrode fingers 32 have a pitch Pt1, so that the plurality of electrode fingers 32 have a constant period, and therefore elastic waves can be generated efficiently. Can do.
  • the pitch Pt1 indicates a distance from the center of the first electrode finger 32a to the center of the second electrode finger 32b adjacent to the first electrode finger 32a in the propagation direction (D1 direction, X direction). .
  • the IDT electrode 3 is composed of, for example, a metal conductive layer 15.
  • the metal include Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy), an alloy containing Cu, Mg, and the like, and a combination thereof.
  • the Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy.
  • the IDT electrode 3 may be composed of a plurality of metal layers. Various dimensions of the IDT electrode 3 are appropriately set according to electrical characteristics required for the SAW element 1. The thickness (D3 direction) of the IDT electrode 3 will be described later.
  • the IDT electrode 3 may be directly disposed on the first surface 2A of the piezoelectric substrate 2 or may be disposed on the first surface 2A of the piezoelectric substrate 2 via a base layer made of another member.
  • Another member is made of, for example, Ti, Cr, or an alloy thereof.
  • the thickness of another member has a thickness that does not substantially affect the electrical characteristics of the IDT electrode 3 (for example, in the case of Ti, IDT 5% of the thickness of the electrode 3).
  • a mass-added film may be laminated on the electrode fingers 32 constituting the IDT electrode 3 in order to improve the temperature characteristics of the SAW element 1.
  • the mass addition film for example, SiO 2 can be used.
  • the IDT electrode 3 excites an elastic wave propagating in the D1 direction in the vicinity of the upper surface 2A of the piezoelectric substrate 2 when a voltage is applied.
  • the excited elastic wave is reflected at the boundary with the non-arranged region of the electrode fingers 32 (the long region between the adjacent electrode fingers 32).
  • the standing wave which makes the pitch Pt1 of the electrode finger 32 a half wavelength is formed.
  • the standing wave is converted into an electric signal having the same frequency as that of the standing wave, and is taken out by the electrode finger 32.
  • the reflector 4 is disposed so as to sandwich the IDT electrode 3 in the propagation direction of the elastic wave.
  • the reflector 4 is generally formed in a slit shape. That is, the reflector 4 includes reflector bus bars 41 facing each other in a direction intersecting the propagation direction of the elastic wave, and a plurality of reflective electrode fingers 42 extending between the bus bars 41 in a direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave.
  • the reflector bus bar 41 is formed in an elongated shape extending in a straight line with a substantially constant width, and is disposed in parallel with the propagation direction of the elastic wave.
  • a protective layer (not shown) covers the IDT electrode 3 and the reflector 4, and the protective layer provided on the piezoelectric substrate 2 is made of an insulating material, for example, a material such as SiO 2.
  • the generation frequency of the bulk wave spurious in the elastic wave device 1 is examined.
  • the modes in the vibration direction are, for example, a mode that vibrates in the D3 axis direction, a mode that vibrates in the D2 axis direction, and a mode that vibrates in the D1 axis direction.
  • Each mode in each vibration direction has a plurality of order modes. This order mode is defined, for example, by the number of nodes and antinodes in the depth direction (D3 axis direction).
  • the generation frequency of bulk wave spurious is determined by the pitch of the IDT electrodes 3 and the thickness of the piezoelectric substrate 2.
  • the influence of the thickness of the piezoelectric substrate 2 on the frequency of the bulk wave in each mode was examined assuming a plurality of acoustic wave devices 1 having different thicknesses ts of the piezoelectric substrate 2. Specifically, the frequency of the bulk wave of each mode generated in the piezoelectric substrate 2 having various thicknesses was calculated by simulation calculation.
  • FIG. 4 is a diagram showing the result of the simulation calculation as described above at a certain pitch.
  • the horizontal axis (ts) indicates the thickness of the piezoelectric substrate 2.
  • the vertical axis (f) indicates the frequency of the bulk wave.
  • a plurality of lines L11 to L17 indicate frequencies of a plurality of types of bulk waves in which at least one of the vibration direction mode and the order mode is different from each other.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 2 is 20 ⁇ m.
  • the frequency band to be used that is, a thicker side than the thickness range shown in FIG. 4 crosses innumerable lines (L11 to L17, etc.). Therefore, bulk wave spurious occurs throughout the frequency band to be used.
  • the bulk wave of any mode increases in frequency when the thickness of the piezoelectric substrate 2 is reduced.
  • the frequency interval of the bulk wave spurious also increases.
  • the region surrounded by the lines L11, L12, and L13 there is a region where bulk wave spurious is not generated over a relatively wide range.
  • FIG. 5 shows the frequency characteristics of the resonator when the film thickness of the IDT electrode 3 is changed.
  • the horizontal axis is frequency
  • the vertical axis is impedance.
  • Lines L51 to L57 are lines showing frequency characteristics when the thickness of the IDT electrode when normalized with the wavelength of the elastic wave is changed by 0.06 from 0.075 to 0.111.
  • Rr surrounded by a dotted line indicates a region where a resonance point appears
  • Ra indicates a region where an anti-resonance point appears
  • R1 to R4 indicated by arrows indicate regions where bulk wave spurious occurs.
  • the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa are shifted by changing the film thickness. Specifically, when the film thickness is increased, the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa are shifted to the lower frequency side. On the other hand, it can be seen that the frequency position of the bulk wave spurious is not shifted.
  • FIG. 4 can be regarded as a frequency characteristic of only bulk wave spurious. That is, when the thickness of a certain piezoelectric substrate 2 is viewed, by changing the film thickness of the IDT electrode 3, the resonant frequency fr and the anti-resonant frequency fa that can be realized have a wide range without changing the frequency position of the bulk wave spurious. It can show that
  • the frequency at which the bulk wave frequency is generated is controlled by the pitch of the IDT electrode 3, and it can be adjusted to have a desired resonance characteristic by the film thickness.
  • the first IDT electrode 3A constituting the first filter 10a and the second IDT electrode 3B constituting the second filter 10b are bulked to a desired frequency.
  • the film thickness is varied to prevent wave spurious.
  • the thickness of the IDT electrode 3 is about 0.07, normalized by the wavelength, in consideration of the propagation loss of surface acoustic waves. For this reason, the optimum electrode thickness varies depending on the frequency. However, in the case of using a bonded substrate, the influence of such a loss can be ignored, so that it is usually unnecessary to change the thickness. Under such circumstances, in the present embodiment, the thickness of at least one IDT electrode 3 of the first filter 10a and the second filter 10b is changed in consideration of the bulk wave.
  • the thickness of the conductor layer 15 may be varied, or the base layer and the conductor layer 15 may be repeatedly laminated to be varied.
  • the electrode thickness is increased in the entire region of the resonator 11 (the IDT electrode 3 and the reflector 4 sandwiching it).
  • pitch of the IDT electrodes 3 of the first filter 10a and the pitch of the IDT electrodes 3 of the second filter 10b may be the same or different.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 2 and the pitch of the IDT electrodes 3 are set to values that do not generate bulk wave spurious at a desired frequency. Just decide.
  • the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa can be shifted by 100 MHz or more. Therefore, the two filters 10a and 10b having different pass bands can be realized with the same pitch. I understand.
  • the pitch of the IDT electrode 3 is the same in the first filter 10a and the second filter 10b, bulk filters spurious in the same mode are generated at the same frequency in both filters, and the design becomes easy.
  • the pitch of the IDT electrode 3 is determined to such a value that no bulk wave spurious is generated at the desired frequency by the two filters 10a and 10b, and then the IDT electrode 3 is obtained so as to obtain a desired frequency characteristic.
  • the film thickness may be adjusted. Such a configuration is preferable because an optimum design can be realized for both the filters 10a and 10b.
  • the filters 10 having two different pass bands can be formed on the same piezoelectric substrate 2 as described above, the acoustic wave device 1 can be downsized as compared with the case where the filters 10 are provided on separate substrates.
  • the relationship between the level of the pass band of the first filter 10a and the second filter 10b and the film thickness of each IDT electrode 3 is not specified, but the second filter 10b is not the first filter 10a.
  • the IDT electrode 3 may be thicker than the first filter 10a.
  • the pass bandwidths of the first filter 10a and the second filter 10b are substantially the same. If these are ladder filters, the relationship between the pitches of the IDT electrodes 3 of the resonators 11a to 11e constituting the first filter 10a, and the resonators 11a to 11e constituting the second filter 10b, respectively.
  • the pitch relationship of the IDT electrodes 3 is very similar.
  • the thickness of the IDT electrode 3 of the first filter 10a and that of the second filter 10b are the same, the thickness of the piezoelectric substrate 2 set to eliminate the influence of bulk wave spurious as the first filter 10a In the two-filter 10b, bulk wave spurious is generated on the relatively low frequency side.
  • the second filter 10b having a higher frequency has a shorter SAW wavelength, and therefore the thickness of the piezoelectric substrate 2 with respect to the wavelength is effectively thicker in the second filter 10b than in the first filter 10a. For this reason, the frequency of the bulk wave spurious on the waveform of the frequency characteristic of the second filter 10b is shifted to the low frequency side.
  • a bulk wave spurious control method for this will be described with reference to FIG.
  • the horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents impedance.
  • a line L100 is a line showing the frequency characteristics of the first filter 10a
  • a line L200 is a diagram showing the frequency characteristics of the second filter 10b.
  • R10 and R20 indicate bulk wave spurious peaks.
  • B1 and B2 indicate the pass bands of the first filter 10a and the second filter 10b, respectively.
  • FIG. 6A shows the frequency characteristics of the filter 10 before adjustment.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 2 is selected so that the bulk wave spurious R10 is positioned at the center of the pass band B1.
  • the bulk wave spurious R20 is lower than the center of the pass band B2, and is generated at the shoulder of the pass band B2. In this case, the transmission characteristics of the filter are significantly deteriorated.
  • the film thickness of the IDT electrode 3 of the second filter 10b is increased.
  • the frequency of the bulk wave spurious R20 does not change.
  • the bulk wave spurious R20 can be positioned at the center of the line L200 of the second filter 10b.
  • the pitch of the IDT electrodes 3 is reduced and shifted to the high frequency side.
  • the position of the bulk wave spurious R20 slightly shifts to the lower frequency side as the pitch is reduced, but the frequency shift amount of the waveform of the second filter 10b when the film thickness of the IDT electrode 3 is increased. Is larger and the impact is smaller.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 2 is selected in accordance with the frequency on the second filter 10b side, the thickness of the IDT electrode 3 of the first filter 10a is reduced by performing the same adjustment as described above. In any case, the film thickness of the IDT electrode 3 of the second filter 10b is increased.
  • the IDT electrode 3 rather than adjusting the bulk wave spurious position by reducing the thickness of the IDT electrode 3 and increasing the pitch, adjusting the IDT electrode 3 by increasing the thickness and decreasing the pitch can reduce the element size. Therefore, from the viewpoint of miniaturization, it is preferable to increase the IDT electrode thickness of the high frequency filter. In order to confirm whether or not the thickness is increased, the frequency estimated from the pitch is compared with the frequency as an actual resonator, and when the former value is higher, it can be estimated that the thickness is increased.
  • the film thickness of the IDT electrode 3 is not mentioned in the same filter 10, but it may be constant or different. . That is, the IDT electrodes 3 having different film thicknesses may be provided in one filter 10.
  • the first filter 10a includes a plurality of resonators 11 (11a to 11e)
  • the resonators 11a to 11c are series resonators connected in series between the terminals T1 and T2.
  • the resonators 11d and 11e are parallel resonators connected between the wiring connecting the series resonators in series between the terminals T1 and T2 and the reference potential terminal Tg.
  • Such a ladder type filter is designed so that the resonance frequency of the series resonator and the anti-resonance frequency of the parallel resonator substantially coincide with each other, so that the resonance frequencies of the resonators are naturally different. Therefore, the difference in resonance frequency between the series resonator and the parallel resonator may be adjusted by adding the pitch of the IDT electrodes 3 to make the film thickness different. In this case, the thickness of the IDT electrode 3 of the series resonator having a high resonance frequency may be increased.
  • the frequencies of the bulk wave spurious generated at both resonators in the first filter 10a match.
  • the bulk wave spurious can be easily shifted from the frequency position where the bulk wave spurious is not desired to be generated only by setting the pitch of both resonators to a constant value.
  • the resonance frequency may be gradually changed between the plurality of series resonators, or the resonance frequency may be slightly changed between the plurality of parallel resonators. Even in such a case, the resonance frequency may be different by changing the film thickness between the series resonators, or the resonance frequency may be different by changing the film thickness between the parallel resonators.
  • resonators having different film thicknesses in the first filter are referred to as a first resonator and a second resonator.
  • the thickness of the IDT electrode 3 of the first resonator is thicker than the thickness of the IDT electrode of the second resonator.
  • the resonance frequency of the first resonator may be higher than the resonance frequency of the second resonator.
  • the second filter 10b may include resonators having different film thicknesses.
  • the resonators having different film thicknesses are referred to as a third resonator and a fourth resonator.
  • the thickness of the IDT electrode 3 of the third resonator is thicker than the thickness of the IDT electrode of the fourth resonator.
  • the resonance frequency of the third resonator may be higher than the resonance frequency of the fourth resonator.
  • the thickness of the IDT electrode 3 of the first filter 10a refers to the average of the thicknesses of the plurality of IDT electrodes 3.
  • the thickness of the IDT electrode 3 of the second filter 10b refers to the thickness of the IDT electrode 3 of the second filter 10b.
  • the example in which the relationship between the frequency of the bulk wave spurious and the passband as a filter (or the resonance / antiresonance frequency as a resonator) is adjusted by the thickness and pitch of the IDT electrode 3 has been described. The same adjustment may be made according to the duty and the pitch.
  • the first filter 10a and the second filter 10b are provided with separate terminals, but some of the terminals may be shared. For example, a terminal connected to the antenna may be shared.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a separate piezoelectric substrate 2 having the same thickness.
  • Elastic wave device 2 Piezoelectric substrate 10: Filter 10a: First filter 10b: Second filter 3: IDT electrode 32: Electrode finger 32a: First electrode finger 32b: Second electrode finger 6: Support substrate

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Abstract

第１面２Ａと第２面２Ｂとを備える圧電基板２と、圧電基板２の第２面２Ｂに貼り合わされた支持基板６と、圧電基板２の第１面２Ａに配置された第１フィルタ１０ａおよび第１フィルタ１０ａより高い通過帯域を備える第２フィルタ１０と、を備える。第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂは、それぞれＩＤＴ電極３を含み、第１フィルタ１０ａのＩＤＴ電極３の厚みと第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３の厚みとが異なる、弾性波装置１である。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関するものである。
　圧電基板と、圧電基板の主面上に設けられたＩＤＴ（InterDigital Transducer）とを有するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：弾性表面波）素子が知られている（例えば特開２００７－２１４９０２号公報）。このようなＳＡＷ素子は、例えば、デュプレクサの受信フィルタまたは送信フィルタに利用されている。特許文献１では、圧電基板を単体でＳＡＷ素子に用いるのではなく、圧電基板と当該圧電基板に比較して熱膨張係数の小さい支持基板とを貼り合せた貼り合せ基板をＳＡＷ素子に用いている。このような貼り合せ基板を利用することによって、例えば、ＳＡＷ素子の電気特性の温度変化が補償される。
　しかし、上述のように貼り合せ基板を用いると、ＳＡＷ素子の電気特性に関して、貼り合せ基板を用いていないときには生じないスプリアスが生じることがある。従って、このようなスプリアスを低減できる弾性表面波装置が提供されることが望ましい。
　本開示の一態様の弾性波装置は、第１面と第２面とを備える圧電基板と、前記第２面に貼り合わされた支持基板と、前記第１面に位置する第１フィルタおよび第２フィルタを備える。
　前記第２フィルタは、前記第１フィルタより高い通過帯域を備える。
　前記第１フィルタは少なくとも１つの第１ＩＤＴ電極を含み、前記第２フィルタは少なくとも１つの第２ＩＤＴ電極を含み、前記第１ＩＤＴ電極の厚みと前記第２ＩＤＴ電極の厚みとが異なる。
　上述の本開示の一態様に係る弾性波装置は、スプリアスを低減したものとなる。
本開示にかかる弾性波装置の一実施形態を示す平面図である。 図１に示す弾性波装置に含まれるＩＤＴ電極の構成を示す要部拡大平面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面図である。 圧電基板厚みとバルク波スプリアスの周波数との相関を示す線図である。 ＩＤＴ電極の膜厚を異ならせたときの周波数特性を示す線図である。 図６（ａ）～図６（ｃ）は弾性波装置のＩＤＴ電極設計方法を示す概念図である。
　以下、本開示の弾性波装置にかかる実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
　また、変形例等の説明において、既に説明された実施形態の構成と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、基本構成が類似しているものは、第１、第２等の記載を省略してこれらを区別せずに説明することがある。
　弾性波装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、互いに直交するＤ１方向、Ｄ２方向、Ｄ３方向を定義するとともにＤ３方向の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。なお、上述のＤ１方向，Ｄ２方向およびＤ３方向で定義される直交座標系は、弾性波装置の形状に基づいて定義されているものであり、圧電基板を構成する圧電結晶の結晶軸（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸）を指すものではない。
　＜弾性波装置＞
　図１は、本開示の一実施形態に係る弾性波装置１の平面図であり、図２は、ＩＤＴ電極３の構成を示す平面図であり、図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線における矢視断面図である。
　弾性波装置１は、圧電結晶からなる圧電基板２と、支持基板６と、第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂを備える。
　圧電基板２は、ＬＮ（ニオブ酸リチウム：ＬｉＮｂＯ３）結晶またはＬＴ（タンタル酸リチウム：ＬｉＴａＯ３）結晶からなる圧電性を有する単結晶（圧電結晶）によって構成されている。具体的には、例えば、圧電基板２は、３６°～４８°Ｙ－ＸカットのＬＴ基板によって構成されている。圧電基板２の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板２の厚み（Ｄ３方向）は、１μｍ以上３０μｍ以下である。
　圧電基板２の圧電結晶は結晶軸としてＸＹＺ軸を有し、Ｘ伝搬基板を用いる場合はＸ軸とＤ１方向とが一致する。すなわち、Ｘ軸およびＤ１方向が弾性波の伝搬方向となる。さらにＹ軸、Ｚ軸はＤ１方向の成分を備えず、Ｄ２方向，Ｄ３方向の成分を備える。
　このような圧電基板２はＤ３方向に直交する第１面２Ａおよび第２面２Ｂを備える。圧電基板２の第２面（下面）２Ｂには支持基板６が配置されている。この圧電基板２と支持基板６とで素子基板を構成している。
　支持基板６は、薄い圧電基板２を支持する強度があれば特に限定されないが、例えば、圧電基板２の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。このような構成の素子基板によれば、温度変化が生じると圧電基板２に熱応力が生じ、この際、弾性定数の温度依存性と応力依存性とが打ち消し合い、ひいては、弾性波装置１の電気特性の温度変化が補償される。このような材料としては、例えば、サファイア等の単結晶、シリコン等の半導体および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック、水晶等を挙げることができる。なお、支持基板６は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。
　支持基板６の厚さは、例えば、一定であり、その厚さは、圧電基板２の厚さと同様に適宜に設定されてよい。例えば、支持基板６の厚さは、温度補償が好適に行われるように、圧電基板２の厚さを考慮して設定される。一例として、圧電基板２の厚さ１～３０μｍに対して、支持基板６の厚さは７５～３００μｍである。
　圧電基板２および支持基板６は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、両基板は、接着面をプラズマやイオンガン，中性子ガンなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていてもよい。
　圧電基板２の第１面（上面）２Ａには、第１フィルタ１０ａと、第１フィルタ１０ａとは通過帯域の異なる第２フィルタ１０ｂとが位置している。第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂは、それぞれＩＤＴ電極３を含む電極群で構成される。より具体的には、第１フィルタ１０ａは少なくとも１つの第１ＩＤＴ電極３Ａを含み、第２フィルタ１０ｂは少なくとも１つの第２ＩＤＴ電極３Ｂを含む。後述するが、第１ＩＤＴ電極３Ａと第２ＩＤＴ電極３Ｂとは、その基本構造は同じあるため、共通する部分について説明するときには、ＩＤＴ電極３として両者を区別せずに説明する。
　そして、この例では、第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂは、それぞれＩＤＴ電極３を含む共振子１１（１１ａ～１１ｅ）を複数備え、これらが互いに接続されてラダー型フィルタを構成している。
　ここで、共振子１１の一部を構成するＩＤＴ電極３について図２を参照しつつ説明する。ＩＤＴ電極３は、図２に示すように、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを有している。なお、以下の説明では、第１櫛歯電極３０ａおよび第２櫛歯電極３０ｂを単に櫛歯電極３０といい、これらを区別しないことがある。
　櫛歯電極３０は、図２に示すように、互いに対向する２本のバスバー３１（第１バスバー３１ａ，第２バスバー３１ｂ）と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の電極指３２（第１電極指３２ａ，第２電極指３２ｂ）とを有している。そして、１対の櫛歯電極３０は、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとが、弾性波の伝搬方向に互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。第１バスバー３１ａと第２バスバー３１ｂとは、互いに異なる電位に接続されている。
　また、櫛歯電極３０は、それぞれの電極指３２と対向するダミー電極指３３を有している。第１ダミー電極指３３ａは、第１バスバー３１ａから第２電極指３２ｂに向かって延びている。第２ダミー電極指３３ｂは、第２バスバー３１ｂから第１電極指３２ａに向かって延びている。
　ＩＤＴ電極３を構成する一対の櫛歯電極３０の複数の電極指３２は、ピッチＰｔ１となるように設定されている。ピッチＰｔ１は、例えば、共振させたい周波数での弾性波の波長λの半波長と同等となるように設けられている。波長λ（すなわち２×Ｐｔ１）は、例えば、１．４μｍ以上６μｍ以下である。ＩＤＴ電極３は、ほとんどの複数の電極指３２がピッチＰｔ１となるように配置することにより、複数の電極指３２が一定の周期となるような配置となるため、弾性波を効率よく発生させることができる。
　ここでピッチＰｔ１は、伝搬方向（Ｄ１方向，Ｘ方向）において、第１電極指３２ａの中心から、当該第１電極指３２ａに隣接する第２電極指３２ｂの中心までの間隔を指すものである。
　このように電極指３２を配置することで、複数の電極指３２に直交する方向に伝搬する弾性波が発生する。
　ＩＤＴ電極３は、例えば、金属の導電層１５によって構成されている。この金属としては、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）、Ｃｕ、Ｍｇ等を含む合金、およびこれらの組み合せが挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。なお、ＩＤＴ電極３は、複数の金属層から構成されてもよい。ＩＤＴ電極３の各種寸法は、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。ＩＤＴ電極３の厚み（Ｄ３方向）については後述する。
　ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の第１面２Ａに直接配置されていてもよいし、別の部材からなる下地層を介して圧電基板２の第１面２Ａに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、あるいはこれらの合金等からなる。下地層を介してＩＤＴ電極３を圧電基板２の上面２Ａに配置する場合は、別の部材の厚みはＩＤＴ電極３の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み（例えば、Ｔｉの場合はＩＤＴ電極３の厚みの５％の厚み）に設定される。
　また、ＩＤＴ電極３を構成する電極指３２上には、ＳＡＷ素子１の温度特性を向上させるために、質量付加膜を積層してもよい。質量付加膜としては、例えばＳｉＯ２等を用いることができる。
　ＩＤＴ電極３は、電圧が印加されると、圧電基板２の上面２Ａ付近においてＤ１方向に伝搬する弾性波を励起する。励起された弾性波は、電極指３２の非配置領域（隣接する電極指３２間の長尺状の領域）との境界において反射する。そして、電極指３２のピッチＰｔ１を半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指３２によって取り出される。
　反射器４は、弾性波の伝搬方向においてＩＤＴ電極３を挟むように配置されている。反射器４は、概ねスリット状に形成されている。すなわち、反射器４は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する反射器バスバー４１と、これらバスバー４１間において弾性波の伝搬方向に直交する方向に延びる複数の反射電極指４２とを有している。反射器バスバー４１は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、弾性波の伝搬方向に平行に配置されている。
　不図示の保護層は、ＩＤＴ電極３および反射器４上を覆うように、圧電基板２上に設けられている保護層は、絶縁性を有する材料からなり、例えばＳｉＯ２などの材料によって形成される。
　ここで、弾性波装置１における、バルク波スプリアスの発生周波数について検討する。
　ＩＤＴ電極３によって圧電基板２に電圧を印加すると、振動方向のモードおよび次数のモードの少なくとも一方が互いに異なる複数種類のバルク波が生じる。振動方向のモードは、例えば、Ｄ３軸方向に振動するモード、Ｄ２軸方向に振動するモードおよびＤ１軸方向に振動するモードである。各振動方向のモードにはそれぞれ、複数の次数のモードがある。この次数のモードは、例えば、深さ方向（Ｄ３軸方向）における節および腹の数により規定される。なお、バルク波スプリアスはＩＤＴ電極３のピッチと圧電基板２の厚みとによって発生周波数が決まる。
　そこで、圧電基板２の厚みｔｓを互いに異ならせた複数の弾性波装置１を想定して、圧電基板２の厚みが各モードのバルク波の周波数に及ぼす影響を調べた。具体的には、シミュレーション計算によって、種々の厚みの圧電基板２において生じる各モードのバルク波の周波数を計算した。
　図４は、あるピッチにおいて、上記のようなシミュレーション計算を行なった結果を示す図である。
　この図において、横軸（ｔｓ）は、圧電基板２の厚みを示している。縦軸（ｆ）は、バルク波の周波数を示している。複数の線Ｌ１１～Ｌ１７は、振動方向のモードおよび次数のモードの少なくとも一方が互いに異なる複数種類のバルク波の周波数を示している。
　なお、この図において、線Ｌ１５，Ｌ１６，Ｌ１７のプロットは途中までとしたが、実際には線Ｌ１１～Ｌ１４と同様に厚みの増加とともに周波数が低下する線が続く。さらに、図示はしていないが、線Ｌ１７以降（線Ｌ１８、線Ｌ１９・・・）もＬ１１～Ｌ１７と同様の傾向を有する線が無数に存在している。このため、ある厚みにおけるバルク波スプリアスは、縦軸（ｆ）に平行な線分がこれらの線（Ｌ１１～Ｌ１９等）を横切る周波数において発生するものとなる。
　通常の貼り合せ基板において、圧電基板２の厚みは２０μｍが推奨されていることが多い。このため、通常の貼り合せ基板においては、使用する周波数帯（は、図４に示す厚み範囲よりもさらに厚い側において、無数に錯綜する線（Ｌ１１～Ｌ１７等）を横切ることとなる。その結果、使用する周波数帯にくまなくバルク波スプリアスが生じるのである。
　この図の矢印に示されているように、いずれのモードのバルク波も、圧電基板２の厚みを薄くすると、周波数が高くなる。そして、バルク波スプリアスの周波数間隔も広がっていく。特に線Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３で囲まれた領域においては比較的広範囲でバルク波スプリアスが発生しない領域が存在する。しかしながら、例えこのような特異領域であっても、同じ圧電基板２の厚みにおいて、周波数帯の異なる２つフィルタ（１０ａ，１０ｂ）の双方で所望の周波数のバルク波スプリアスを避けることは困難である。
　具体的には、通過帯域が異なると、ＩＤＴ電極３のピッチも異なり、バルク波スプリアスの周波数もシフトする。このため、ある周波数帯において２つフィルタ（１０ａ，１０ｂ）の双方で同時にバルク波スプリアスを避けることは困難である。
　これに対応するために、２つフィルタ（１０ａ，１０ｂ）のそれぞれに合わせて適切な圧電基板２の厚みを選択することが必要であった。
　これに対して、発明者が鋭意遂行を重ねた結果、ＩＤＴ電極３の膜厚を変更すると、それに応じて共振周波数等の弾性表面波（ＳＡＷ）の周波数特性は変化するが、バルク波スプリアス（ＢＡＷ）の周波数特性は変化しないことが分かった。
　図５に、ＩＤＴ電極３の膜厚を変えたときの共振子の周波数特性を示す。横軸は周波数であり、縦軸はインピーダンスである。線Ｌ５１～Ｌ５７は弾性波の波長で正規化したときのＩＤＴ電極の厚みを０．０７５～０．１１１まで０．０６ずつ変化させたときの周波数特性を示す線である。点線で囲んだＲｒは共振点が現れている領域を、Ｒａは反共振点が現れている領域を、矢印で示すＲ１～Ｒ４はバルク波スプリアスが生じる領域を示している。
　図５からも明らかなように、共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａは膜厚を変更することで周波数がシフトする。具体的には膜厚を厚くすると共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａは低周波数側にシフトする。一方で、バルク波スプリアスの周波数位置はシフトしていないことが分かる。
　このことは、図４をバルク波スプリアスのみの周波数特性とみることができることを示している。すなわち、ある圧電基板２の厚みにおいてみたときに、ＩＤＴ電極３の膜厚を変化させることで、バルク波スプリアスの周波数位置はそのままで、実現できる共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａ等に幅を持たせることができることを示している。
　逆に言うと、ＩＤＴ電極３のピッチによりバルク波周波数が発生する周波数をコントロールし、膜厚により所望の共振特性を備えるよう調整できることを示している。
　以上を踏まえ、弾性波デバイス１においては、図３に示すように、第１フィルタ１０ａを構成する第１ＩＤＴ電極３Ａと、第２フィルタ１０ｂを構成する第２ＩＤＴ電極３Ｂとで、所望の周波数にバルク波スプリアスが発生しないよう、膜厚を異ならせている。
　通常、ＩＤＴ電極３の膜厚は、弾性表面波の伝搬損失を考慮して、波長で正規化した厚みを０．０７程度としている。このため、周波数に応じて最適な電極厚みは異なることになる。しかしながら、貼り合せ基板を用いる場合にはこのような損失の影響が無視できるため、通常は厚みを異ならせる必要がない。そのような中、本実施形態では、第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂの少なくとも一方のＩＤＴ電極３の厚みをバルク波を考慮して変更したものとなっている。
　なお、厚みを異ならせるには、導体層１５の厚みを異ならせてもよいし、下地層と導体層１５とを繰り返し積層して異ならせてもよい。また、共振子１１（ＩＤＴ電極３とそれを挟む反射器４）の全領域において電極厚みを厚くしている。
　これにより、全く通過帯域の異なる２つのフィルタ１０ａ，１０ｂを同一の厚みの基板（同一圧電基板２）に配置しても、双方ともバルク波スプリアスを避け、周波数特性の優れた弾性波装置１を提供することができる。
　なお、第１フィルタ１０ａのＩＤＴ電極３のピッチと、第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３のピッチとは同じであっても異なっていてもよい。
　同じ場合には、２つのフィルタ１０ａ、１０ｂで同一の周波数にバルク波スプリアスが発生するため、圧電基板２の厚みやＩＤＴ電極３のピッチを所望の周波数においてバルク波スプリアスが発生しないような値に決定すればよい。なお、図４の例では、共振周波数ｆｒおよび反共振周波数ｆａの周波数は、１００ＭＨｚ以上シフトさせることが可能であったことから、通過帯域の異なる２つのフィルタ１０ａ、１０ｂでもピッチ同一で実現できることが分かる。第１フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂとでＩＤＴ電極３のピッチが同一の場合には、両フィルタで同一の周波数に同一モードのバルク波スプリアスが発生するので、設計が容易となる。
　一方、異なる場合には、２つのフィルタ１０ａ、１０ｂでそれぞれ所望の周波数においてバルク波スプリアスが発生しないような値にＩＤＴ電極３のピッチを決定し、その後所望の周波数特性を得るようにＩＤＴ電極３の膜厚を調整すればよい。このような構成により、各フィルタ１０ａ、１０ｂ双方に最適な設計を実現することができるので好ましい。
　また、このように、異なる２つの通過帯域を備えるフィルタ１０を同一の圧電基板２に形成することができるので、別々の基板に設ける場合に比べ弾性波装置１を小型化することができる。
　（他の実施形態）
　上述の例では、第１フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂの通過帯域の高低と、各ＩＤＴ電極３の膜厚の大きさとの関係について特定していないが、第２フィルタ１０ｂが、第１フィルタ１０ａよりも高い通過帯域を備え、そのＩＤＴ電極３の厚みは第１フィルタ１０ａに比べ厚くしてもよい。
　一般には、第1フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂの通過帯域幅は略同一である。そしてこれらがラダー型フィルタである場合には、第1フィルタ１０ａを構成する共振子１１ａ～１１eのそれぞれのＩＤＴ電極３のピッチの関係と、第２フィルタ１０ｂを構成する共振子１１ａ～１１eのそれぞれのＩＤＴ電極３のピッチの関係とは、相対的に酷似する。
　ここで、第１フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂとのＩＤＴ電極３の膜厚が同じ場合には、第１フィルタ１０ａとしてバルク波スプリアスの影響を無くすように設定した圧電基板２の厚みでは、第２フィルタ１０ｂにおいては、バルク波スプリアスが相対的に低周波数側に発生する。これは、周波数が高い第２フィルタ１０ｂの方がＳＡＷの波長が短いため、波長に対する圧電基板２の厚みは、第１フィルタ１０ａよりも、第２フィルタ１０ｂの方が実効的に厚くなる。このため、第２フィルタ１０ｂの周波数特性の波形上のバルク波スプリアスの周波数が低周波数側にシフトするからである。
　これに対するバルク波スプリアス制御方法について、図６を用いて説明する。図６において横軸は周波数、縦軸はインピーダンスを示している。線Ｌ１００は第１フィルタ１０ａの周波数特性を示す線であり、線Ｌ２００は第２フィルタ１０ｂの周波数特性を示す線図である。さらに、Ｒ１０，Ｒ２０はバルク波スプリアスのピークを示している。Ｂ１，Ｂ２は、それぞれ第１フィルタ１０ａ，第２フィルタ１０ｂの通過帯域を示している。
　図６（ａ）は調整前のフィルタ１０の周波数特性である。図６（ａ）に示すように、第１フィルタ１０ａでは、通過帯域Ｂ１の中央にバルク波スプリアスＲ１０を位置させるよう圧電基板２の厚みを選択する。一方、第２フィルタ１０ｂでは、第２フィルタ１０ｂに適した基板厚みではないため、バルク波スプリアスＲ２０が通過帯域Ｂ２の中央よりも低くなり、通過帯域Ｂ２の肩部に発生する。この場合には、フィルタの透過特性を著しく劣化させてしまう。
　そこで、第２フィルタ１０ｂにおいてもバルク波スプリアスの影響を無くすため、次の手法を取る。まず、図６（ｂ）に示すように、第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３の膜厚を厚くする。その場合、第２フィルタ１０ｂの波形を示す線Ｌ２００のみが低周波数側にシフトするが、バルク波スプリアスＲ２０の周波数は変わらない。このため、第２フィルタ１０ｂの線Ｌ２００の中央にバルク波スプリアスＲ２０を位置させることができる。
　次に、図６（ｃ）に示すように、第２フィルタ１０ｂの波形（線Ｌ２００）を通過帯域Ｂ２の所望の周波数位置に戻すため、ＩＤＴ電極３のピッチを小さくして高周波数側にシフトさせる。その際、ピッチを小さくした分、またバルク波スプリアスＲ２０の位置は若干低周波数側にシフトしてしまうが、ＩＤＴ電極３の膜厚を厚くする際の第２フィルタ１０ｂの波形の周波数移動量の方が大きく、影響は小さくなる。
　このようにして、全く通過帯域の異なる２つのフィルタ１０ａ，１０ｂを同一の厚みの基板（同一圧電基板２）に配置しても、双方ともバルク波スプリアスを避け、周波数特性の優れた弾性波装置１を提供することができる。
　なお、第２フィルタ１０ｂ側の周波数に合わせて圧電基板２の厚みを選択した場合には、上述と同様の調整を行なうことにより、第１フィルタ１０ａのＩＤＴ電極３の厚みを薄くすることとなり、いずれにしても第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３の膜厚が厚くなることなる。
　また、ＩＤＴ電極３の厚みを薄くしてピッチを広げてバルク波スプリアス位置を調整するよりも、ＩＤＴ電極３の厚みを厚くしてピッチを狭くして調整する方が素子サイズを小さくすることができるので、小型化の観点からも、高周波数側のフィルタのＩＤＴ電極厚みを厚くすることが好ましい。厚くしているかどうかを確認するためには、ピッチから推測される周波数と実際の共振子としての周波数を比較し、前者の値の方が高い場合に厚くしていると推定することができる。
　（他の実施形態）
　上述の例では、１つのフィルタ１０内で複数の共振子１１がある場合に、同一フィルタ１０内ではそのＩＤＴ電極３の膜厚に言及していないが、一定でもよいし、違っていてもよい。すなわち、１つのフィルタ１０内で異なる膜厚のＩＤＴ電極３を備えていてもよい。
　例えば、図１に示すように、第１フィルタ１０ａが、複数の共振子１１（１１ａ～１１ｅ）を備える場合を例に説明する。共振子１１ａ～１１ｃは端子Ｔ１，Ｔ２の間に直列に接続された、直列共振子である。共振子１１ｄ，１１ｅは、端子Ｔ１，Ｔ２間において直列共振子を直列接続する配線と基準電位端子Ｔｇとの間に接続された並列共振子である。
　このようなラダー型フィルタでは、直列共振子の共振周波数と並列共振子の反共振周波数とが略一致するように設計されることから、当然互いの共振子の共振周波数は異なる。そこで、直列共振子と並列共振子との共振周波数の違いをＩＤＴ電極３のピッチに加え膜厚を異ならせることで調整してもよい。この場合には、共振周波数の高い直列共振子のＩＤＴ電極３の厚みを厚くしてもよい。
　特に、直列共振子と並列共振子とでＩＤＴ電極３のピッチを同じにして膜厚のみを異ならせた場合には、第１フィルタ１０ａにおいて両共振子で発生するバルク波スプリアスの周波数が一致する。これにより、両共振子のピッチを一定の値に設定するのみで、バルク波スプリアスを、バルク波スプリアスを発生させたくない周波数位置から容易にずらすことができる。
　また、ラダー型フィルタにおいては、複数の直列共振子間で少しずつ共振周波数を異ならせたり、複数の並列共振子間で少しずつ共振周波数を異ならせたりすることがある。このような場合においても直列共振子間で膜厚を異ならせて共振周波数を異ならせてもよいし、並列共振子間で膜厚を異ならせて共振周波数を異ならせてもよい。
　上述のように第１フィルタ内で膜厚の異なる共振子を第１共振子と第２共振子という。第１共振子のＩＤＴ電極３の厚みは第２共振子のＩＤＴ電極の厚みに比べて厚くなっている。第１共振子の共振周波数は、第２共振子の共振周波数よりも高くしてもよい。
　第１フィルタ１０ａと同様に、第２フィルタ１０ｂにおいても膜厚の異なる共振子を備えていてもよい。この場合には、膜厚の異なる共振子を第３共振子と第４共振子という。第３共振子のＩＤＴ電極３の厚みは第４共振子のＩＤＴ電極の厚みに比べて厚くなっている。第３共振子の共振周波数は、第４共振子の共振周波数よりも高くしてもよい。
　なお、このように、第１フィルタ１０ａを構成する複数のＩＤＴ電極３の厚みが一定ではない場合、もしくは、第２フィルタ１０ｂを構成する複数のＩＤＴ電極３の厚みが一定ではない場合、およびその両方の場合においては、第１フィルタ１０ａのＩＤＴ電極３の厚みとは、複数のＩＤＴ電極３の厚みの平均をいう。第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３の厚みについても同様である。これにより、第１フィルタ１０ａのＩＤＴ電極３の厚みと第２フィルタ１０ｂのＩＤＴ電極３の厚みとを比較可能となる。
　（他の実施形態）
　上述の例では、第１フィルタ１０ａおよび第２フィルタ１０ｂともにラダー型のフィルタの例を説明したが、一方が多重モード型で他方がラダー型の組み合わせでもよいし、両方とも多重モード型でもよい。
　また、上述の例では、ＩＤＴ電極３の厚みとピッチとでバルク波スプリアスの周波数とフィルタとしての通過帯域（または共振子としての共振・反共振周波数）との関係を調整した例を説明したが、デューティーとピッチとで同様の調整をしてもよい。
　また、上述の例では、第１フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂとで端子を個別に設けた例を示したが、一部の端子を共有としてもよい。例えば、アンテナに接続される端子を共有化してもよい。
　また、上述の例では、第１フィルタ１０ａと第２フィルタ１０ｂとを一つの圧電基板２を共有する例を説明したが、厚みが同一で別体の圧電基板２としてもよい。
１：弾性波装置
２：圧電基板
１０：フィルタ
１０ａ：第１フィルタ
１０ｂ：第２フィルタ
３：ＩＤＴ電極
３２：電極指
３２ａ：第１電極指
３２ｂ：第２電極指
６：支持基板

Claims (7)

  1. 　第１面と第２面とを備える圧電基板と、
    　前記圧電基板の前記第２面に貼り合わされた支持基板と、
    　前記圧電基板の前記第１面に配置された第１フィルタおよび前記第１フィルタより高い通過帯域を備える第２フィルタと、を備え、
    　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、それぞれ少なくとも１つの第１ＩＤＴ電極および少なくとも１つの第２ＩＤＴ電極を含み、前記第１ＩＤＴ電極の厚みと前記第２ＩＤＴ電極の厚みとが異なる、弾性波装置。
  2. 　前記第１ＩＤＴ電極の厚みは、前記第２ＩＤＴ電極の厚みよりも薄い、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１ＩＤＴ電極は複数あり、その厚みは全て同じであり、
    　前記第２ＩＤＴ電極は複数あり、その厚みは全て同じである、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１フィルタは、前記第１ＩＤＴ電極を含む複数の弾性波共振子を接続してなり、複数の前記弾性波共振子は、第１共振子と第２共振子とを備え、前記第１共振子の前記第１ＩＤＴ電極は前記第２共振子に比べて厚い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第２フィルタは、前記第２ＩＤＴ電極を含む複数の弾性波共振子を接続してなり、複数の前記弾性波共振子は、第３共振子と第４共振子とを備え、前記第３共振子の前記第２ＩＤＴ電極は前記第４共振子に比べて厚い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１フィルタは、前記第１ＩＤＴ電極を含む複数の弾性波共振子を接続してなり、複数の前記弾性波共振子は、ラダー型フィルタを構成する直列共振子と並列共振子とを含み、前記直列共振子の前記第１ＩＤＴ電極の厚みは前記並列共振子に比べて厚い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  7. 　前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、前記支持基板は、前記圧電基板よりも線膨張係数の小さい材料の結晶性材料からなる、請求項１乃至６のいずれかに記載の弾性波装置。
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