JP2010193135A - Sawデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低周波側に位置するSAW素子を第1のSAW素子、高周波側に位置するSAW素子を第2のSAW素子とした時に、前記第1のSAW素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第2のSAW素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は0.9Flr≦Fhs≦0.9999Flr、及びFla≦Fhs≦1.1Flaであることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
一方で、特定の範囲(通過帯域)内の周波数を通し、特定の範囲(通過帯域)外の周波数を通さないまたは減衰させるSAWフィルタにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるSAW素子を複数備えたマルチバンドSAWフィルタが開示されており、SAW素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている(たとえば、特許文献1参照)。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、1.1×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のSAW素子の波長換算膜厚差に起因するSAW素子間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、0.9×低周波側共振周波数Flr以上、0.9999×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、1.1×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
以下、第1実施形態について、図1を参照して説明する。
図1は、第1実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。図1(a)は、SAW素子1,2と概略平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A概略断面図である。図1(c)は、図1(a)のB−B概略断面図である。
SAW素子2は、入力端5へ接続され、共通化された入力端5の端部5Tから、入力側端子部INに電気的に接続されている。SAW素子2は、出力端4へ接続され、出力端4の端部4Tから、出力側端子部OUT2に電気的に接続されている。
IDT電極12は、複数の電極指14,15とバスバー16,17とを備えている。電極指14と電極指15とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指14は、バスバー16に連結されている。複数の電極指15は、バスバー17に連結されている。
図1(b)に示すように電極指14と、電極指15を隔てた隣の電極指14とは、間隔(波長)λ1で配置されている。同様に、電極指15と、電極指14を隔てた隣の電極指15とは、間隔(波長)λ1で配置されている。また、電極指14,15の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
IDT電極22は、複数の電極指24,25とバスバー26,27とを備えている。電極指24と電極指25とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指24は、バスバー26に連結されている。複数の電極指25は、バスバー27に連結されている。
図1(c)に示すように電極指24と、電極指25を隔てた隣の電極指24とは、間隔(波長)λ2で配置されている。同様に、電極指25と、電極指24を隔てた隣の電極指25とは、間隔(波長)λ2で配置されている。また、電極指24,25の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
または、低周波側共振周波数Flrが、高周波側共振周波数Fhrから100ppm以上離れて(つまり0.9999Fhr以下)、高周波側共振周波数Fhrの10%以内(0.9Fhr以上)の範囲内である。
また、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Fla以上であれば、高次モードスプリアスFhsによる低周波側共振周波数Flrへの影響が低減されるので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。そして、高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側反共振周波数Flaから10%以内、つまり1.1×低周波側反共振周波数Fla以下であれば、圧電基板11上に同一膜厚tで形成された複数のSAW素子1,2の波長換算膜厚t差に起因するSAW素子1,2間の周波数温度特性、容量比、および抵抗値の差などが低周波側共振周波数Flrへ及ぼす影響を抑制するので、低周波側共振周波数Flrの異常発振を抑制することができる。
このため、高次モードスプリアス周波数Fhsが、0.9×低周波側共振周波数Flr以上、0.9999×低周波側共振周波数Flr以下の範囲内、または低周波側反共振周波数Fla以上、1.1×低周波側反共振周波数Fla以下の範囲内であれば、異常発振を抑制し低周波側共振周波数Flrを精度良く発振させることができる。
以下に、本実施形態の実施例1について、図2を参照して説明する。
以下に、本実施形態の実施例2について、図3を参照して説明する。
以下に、本実施形態の実施例3について、図4を参照して説明する。
図5は、高周波側SAW素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrから100ppm未満離れて(つまり0.9999Flrを超えて)、低周波側共振周波数Flr未満の範囲内であるとしたSAW共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するSAW素子1の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するSAW素子2の周波数特性を破線で示す。
図6は、高周波側SAW素子の共振周波数Fhrから低周波側に現れる高次モードスプリアス周波数Fhsが、低周波側共振周波数Flrを超えて、低周波側反共振周波数Fla未満の範囲内であるとしたSAW共振子の周波数特性を計測した結果を示す図である。低周波側共振周波数Flrを発振するSAW素子1の周波数特性を実線で示し、高周波側共振周波数Fhrを発振するSAW素子2の周波数特性を破線で示す。
Claims (2)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のSAW素子とを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち、低周波側に位置するSAW素子を第1のSAW素子、高周波側に位置するSAW素子を第2のSAW素子とした時に、前記第1のSAW素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第2のSAW素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は0.9Flr≦Fhs≦0.9999Flr、及びFla≦Fhs≦1.1Flaであることを特徴とするSAWデバイス。 - 圧電基板と、
前記圧電基板上に同一膜厚で形成された複数のSAW素子とを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち、低周波側に位置するSAW素子を第1のSAW素子、高周波側に位置するSAW素子を第2のSAW素子とした時に、前記第1のSAW素子の共振周波数Flrと、前記第2のSAW素子の共振周波数Fhrとの位置関係は、0.9Fhr≦Flr≦0.9999Fhrであることを特徴とするSAWデバイス。
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