JPH10341135A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH10341135A JPH10341135A JP10066507A JP6650798A JPH10341135A JP H10341135 A JPH10341135 A JP H10341135A JP 10066507 A JP10066507 A JP 10066507A JP 6650798 A JP6650798 A JP 6650798A JP H10341135 A JPH10341135 A JP H10341135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saw
- port
- acoustic wave
- surface acoustic
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/30—Time-delay networks
- H03H9/42—Time-delay networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
- H03H9/0042—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インピーダンス整合のための伝送線路を用い
る必要がなく、小型で低損失であり、通過帯域内ＶＳＷ
Ｒの劣化が生じ難い、２以上の帯域をカバーし得る弾性
表面波装置を提供する。 【解決手段】 入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 に、それぞれ、
通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷ
フィルタ２２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のＳＡＷフィルタ２３とを接続し、第１，第２
のＳＡＷフィルタ２２，２３の出力側を接続点２４で接
続して出力端子ＯＵＴに接続し、第１のＳＡＷフィルタ
２２と接続点２４との間に、反共振周波数が第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側となるよう
に第１の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７を接続し、第
２のＳＡＷフィルタ２３と接続点２４との間に反共振周
波数が第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域よりも高周
波数側となるように第２の一端子対ＳＡＷ共振子２５を
接続してなる弾性表面波装置２１。
る必要がなく、小型で低損失であり、通過帯域内ＶＳＷ
Ｒの劣化が生じ難い、２以上の帯域をカバーし得る弾性
表面波装置を提供する。 【解決手段】 入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 に、それぞれ、
通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷ
フィルタ２２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のＳＡＷフィルタ２３とを接続し、第１，第２
のＳＡＷフィルタ２２，２３の出力側を接続点２４で接
続して出力端子ＯＵＴに接続し、第１のＳＡＷフィルタ
２２と接続点２４との間に、反共振周波数が第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側となるよう
に第１の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７を接続し、第
２のＳＡＷフィルタ２３と接続点２４との間に反共振周
波数が第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域よりも高周
波数側となるように第２の一端子対ＳＡＷ共振子２５を
接続してなる弾性表面波装置２１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のＳＡＷフィ
ルタを組み合わせてなる弾性表面波装置に関し、より詳
細には、２以上の通過帯域を有するフィルタとして用い
ることができ、例えば移動体通信機器等に好適に利用可
能な弾性表面波装置に関する。
ルタを組み合わせてなる弾性表面波装置に関し、より詳
細には、２以上の通過帯域を有するフィルタとして用い
ることができ、例えば移動体通信機器等に好適に利用可
能な弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器の高機能化が進ん
でおり、例えば、２つ以上の通信システムを持つマルチ
バンド対応の携帯電話が検討されている。このような携
帯電話を実現するには、２つ以上の帯域をカバーし得る
広帯域のバンドパスフィルタが必要となる。しかしなが
ら、２つ以上の帯域をカバーし得る、低損失かつ広帯域
のフィルタを単一の素子で実現することは困難であっ
た。
でおり、例えば、２つ以上の通信システムを持つマルチ
バンド対応の携帯電話が検討されている。このような携
帯電話を実現するには、２つ以上の帯域をカバーし得る
広帯域のバンドパスフィルタが必要となる。しかしなが
ら、２つ以上の帯域をカバーし得る、低損失かつ広帯域
のフィルタを単一の素子で実現することは困難であっ
た。
【０００３】そこで、複数のバンドパスフィルタを組み
合わせて１つの部品とすることにより、２つ以上の帯域
をカバーし得るフィルタ装置を構成することが試みられ
ている。
合わせて１つの部品とすることにより、２つ以上の帯域
をカバーし得るフィルタ装置を構成することが試みられ
ている。
【０００４】例えば、特開平７−６６６７９号公報に
は、複数のバンドパスフィルタを組み合わせてなる分波
器が開示されている。この先行技術に開示されている分
波器の構成を略図的に図１に示す。
は、複数のバンドパスフィルタを組み合わせてなる分波
器が開示されている。この先行技術に開示されている分
波器の構成を略図的に図１に示す。
【０００５】すなわち、入力端ＩＮ1 ，ＩＮ2 に、通過
帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のバンドパス
フィルタ２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあ
る第２のバンドパスフィルタ３とが、それぞれ、接続さ
れている。第１，第２のバンドパスフィルタ２，３の出
力端は、接続点４で接続されている。なお、第１，第２
のバンドパスフィルタ２，３のうち、少なくとも第２の
バンドパスフィルタ３がＳＡＷフィルタにより構成され
ている。
帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のバンドパス
フィルタ２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあ
る第２のバンドパスフィルタ３とが、それぞれ、接続さ
れている。第１，第２のバンドパスフィルタ２，３の出
力端は、接続点４で接続されている。なお、第１，第２
のバンドパスフィルタ２，３のうち、少なくとも第２の
バンドパスフィルタ３がＳＡＷフィルタにより構成され
ている。
【０００６】ここでは、第２のバンドパスフィルタ３に
少なくとも１個の一端子対ＳＡＷ共振子５が直列接続さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子５の反共振周波数は、
第１のバンドパスフィルタ２の通過帯域内または第１，
第２のバンドパスフィルタ２，３の通過帯域間に位置す
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子５を用いることに
より、通過帯域の異なる第１，第２のバンドパスフィル
タ２，３のうち、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のバンドパスフィルタ３の高域側における減衰
量の拡大が図られるとされている。さらに、第２のバン
ドパスフィルタ３側のインピーダンス整合用外部回路を
簡略化することができるとされている。従って、インピ
ーダンス整合用伝送線路６を、第１のバンドパスフィル
タ２側に設けるだけでよく、第２のバンドパスフィルタ
３側にはインピーダンス整合のための大きな伝送線路を
形成する必要がない。
少なくとも１個の一端子対ＳＡＷ共振子５が直列接続さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子５の反共振周波数は、
第１のバンドパスフィルタ２の通過帯域内または第１，
第２のバンドパスフィルタ２，３の通過帯域間に位置す
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子５を用いることに
より、通過帯域の異なる第１，第２のバンドパスフィル
タ２，３のうち、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のバンドパスフィルタ３の高域側における減衰
量の拡大が図られるとされている。さらに、第２のバン
ドパスフィルタ３側のインピーダンス整合用外部回路を
簡略化することができるとされている。従って、インピ
ーダンス整合用伝送線路６を、第１のバンドパスフィル
タ２側に設けるだけでよく、第２のバンドパスフィルタ
３側にはインピーダンス整合のための大きな伝送線路を
形成する必要がない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記先行技術に記載の
分波器において、第１のバンドパスフィルタ２側に、イ
ンピーダンス整合用の伝送線路６を接続する場合、所望
の電気長の伝送線路を形成するには比較的大きなスペー
スが必要となる。従って、分波器全体のサイズが大きく
なるという問題があった。
分波器において、第１のバンドパスフィルタ２側に、イ
ンピーダンス整合用の伝送線路６を接続する場合、所望
の電気長の伝送線路を形成するには比較的大きなスペー
スが必要となる。従って、分波器全体のサイズが大きく
なるという問題があった。
【０００８】また、小型化及び高機能化のために、ＳＡ
Ｗ装置用パッケージに上記先行技術に記載の構成を内蔵
した場合には、所望の特性インピーダンスを得るには伝
送線路６の幅を極端に細くする必要がある。その結果、
線路長分の抵抗損失により挿入損失が劣化するおそれが
あった。加えて、パッケージの面積または高さが大きく
なり、その点からもコストが増大するという問題もあっ
た。
Ｗ装置用パッケージに上記先行技術に記載の構成を内蔵
した場合には、所望の特性インピーダンスを得るには伝
送線路６の幅を極端に細くする必要がある。その結果、
線路長分の抵抗損失により挿入損失が劣化するおそれが
あった。加えて、パッケージの面積または高さが大きく
なり、その点からもコストが増大するという問題もあっ
た。
【０００９】本発明の目的は、上述した先行技術の欠点
を解消し、２以上のバンドパスフィルタを組み合わせる
ことにより２以上の帯域をカバーし得るように構成され
ている弾性表面波装置であって、インピーダンス整合の
ための伝送線路を用いる必要がなく、小型でかつ低損失
であり、さらに安価な弾性表面波装置を提供することに
ある。
を解消し、２以上のバンドパスフィルタを組み合わせる
ことにより２以上の帯域をカバーし得るように構成され
ている弾性表面波装置であって、インピーダンス整合の
ための伝送線路を用いる必要がなく、小型でかつ低損失
であり、さらに安価な弾性表面波装置を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】未だ公知ではないが、特
願平８−５８０３６号には、異なる通過帯域周波数特性
を有する２つのＳＡＷフィルタの入力または出力を接続
点で接続し、さらに、通過帯域が高い周波数領域にある
ＳＡＷフィルタと接続点との間に、相手方ＳＡＷフィル
タのインピーダンスを高くするための手段として、一端
子対ＳＡＷ共振子及びコンデンサを設けることにより、
挿入損失の低減及びインピーダンス整合用伝送線路の省
略を果たした弾性表面波装置が提案されている。この構
成を、図２を参照して説明する。
願平８−５８０３６号には、異なる通過帯域周波数特性
を有する２つのＳＡＷフィルタの入力または出力を接続
点で接続し、さらに、通過帯域が高い周波数領域にある
ＳＡＷフィルタと接続点との間に、相手方ＳＡＷフィル
タのインピーダンスを高くするための手段として、一端
子対ＳＡＷ共振子及びコンデンサを設けることにより、
挿入損失の低減及びインピーダンス整合用伝送線路の省
略を果たした弾性表面波装置が提案されている。この構
成を、図２を参照して説明する。
【００１１】弾性表面波装置１１では、通過帯域が相対
的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタ１２
と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある第２のＳ
ＡＷフィルタ１３とが用いられている。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３は、出力側の接続点１４で接続
されている。なお、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は入力端を、ＯＵＴ
は出力端を示す。従って、第１，第２のＳＡＷフィルタ
１２，１３は、出力端側の接続点１４と、入力端ＩＮ
1 ，ＩＮ2 との間で並列に接続されている。ここでは、
第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３と接続点１４と
の間に、それぞれ、一端子対ＳＡＷ共振子１５，１６が
直列に接続されている。さらに、一端子対ＳＡＷ共振子
１５と接続点１４との間にコンデンサ１７が直列に接続
されている。
的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタ１２
と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある第２のＳ
ＡＷフィルタ１３とが用いられている。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３は、出力側の接続点１４で接続
されている。なお、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は入力端を、ＯＵＴ
は出力端を示す。従って、第１，第２のＳＡＷフィルタ
１２，１３は、出力端側の接続点１４と、入力端ＩＮ
1 ，ＩＮ2 との間で並列に接続されている。ここでは、
第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３と接続点１４と
の間に、それぞれ、一端子対ＳＡＷ共振子１５，１６が
直列に接続されている。さらに、一端子対ＳＡＷ共振子
１５と接続点１４との間にコンデンサ１７が直列に接続
されている。
【００１２】上記一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデ
ンサ１７は、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側端子に
おいて、相手方フィルタすなわち第２のＳＡＷフィルタ
１３のインピーダンスを高くするための手段として設け
られており、該一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデン
サ１７により、第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３
の挿入損失の劣化が抑制され、第１のＳＡＷフィルタ１
２において通過帯域よりも高周波数側における減衰量の
拡大が図られるとされている。さらに、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３、一端子対ＳＡＷ共振子１５，
１６及びコンデンサ１７を単一の圧電基板上に構成する
ことにより、小型化及び低コスト化を進めることが可能
であるとされている。
ンサ１７は、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側端子に
おいて、相手方フィルタすなわち第２のＳＡＷフィルタ
１３のインピーダンスを高くするための手段として設け
られており、該一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデン
サ１７により、第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３
の挿入損失の劣化が抑制され、第１のＳＡＷフィルタ１
２において通過帯域よりも高周波数側における減衰量の
拡大が図られるとされている。さらに、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３、一端子対ＳＡＷ共振子１５，
１６及びコンデンサ１７を単一の圧電基板上に構成する
ことにより、小型化及び低コスト化を進めることが可能
であるとされている。
【００１３】しかしながら、コンデンサ１７を、例え
ば、インターデジタル電極構造により圧電基板上に構成
した場合、上記作用を果たすための十分な静電容量を得
るには、大きな面積を必要とし、圧電基板のサイズが大
きくならざるを得なかった。加えて、同一圧電基板上の
他のＳＡＷフィルタ１３などへの影響がないように、コ
ンデンサ１７を構成しなければならないため、チップ上
における各素子の配置が複雑になるという問題もあっ
た。従って、インピーダンス整合用の伝送線路を用いる
必要はないものの、やはり、弾性表面波装置のチップサ
イズの低減には限界があった。
ば、インターデジタル電極構造により圧電基板上に構成
した場合、上記作用を果たすための十分な静電容量を得
るには、大きな面積を必要とし、圧電基板のサイズが大
きくならざるを得なかった。加えて、同一圧電基板上の
他のＳＡＷフィルタ１３などへの影響がないように、コ
ンデンサ１７を構成しなければならないため、チップ上
における各素子の配置が複雑になるという問題もあっ
た。従って、インピーダンス整合用の伝送線路を用いる
必要はないものの、やはり、弾性表面波装置のチップサ
イズの低減には限界があった。
【００１４】また、相手方のＳＡＷフィルタ、すなわち
第２のＳＡＷフィルタ１３の損失の劣化をより低減する
ために、コンデンサ１７の静電容量を小さくした場合に
は、通過帯域におけるＶＳＷＲが劣化するという問題も
あった。
第２のＳＡＷフィルタ１３の損失の劣化をより低減する
ために、コンデンサ１７の静電容量を小さくした場合に
は、通過帯域におけるＶＳＷＲが劣化するという問題も
あった。
【００１５】本願発明者は、上記未だ公知ではない弾性
表面波装置の問題点に鑑み、より一層小型に構成するこ
とができ、低損失であり、かつ通過帯域におけるＶＳＷ
Ｒなどの特性の劣化が生じ難い弾性表面波装置について
鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
表面波装置の問題点に鑑み、より一層小型に構成するこ
とができ、低損失であり、かつ通過帯域におけるＶＳＷ
Ｒなどの特性の劣化が生じ難い弾性表面波装置について
鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
【００１６】すなわち、請求項１に記載の発明は、複数
のＳＡＷフィルタを接続してなる弾性表面波装置であっ
て、通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳ
ＡＷフィルタと、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のＳＡＷフィルタとを備え、第１，第２のＳＡ
Ｗフィルタの一端が、それぞれ第１，第２の入力端また
は出力端とされており、第１，第２のＳＡＷフィルタの
他端が接続点で接続され出力端または入力端とされてお
り、前記第１のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直
列接続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構成さ
れている少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子
と、前記第２のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直
列接続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構成さ
れている少なくとも１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子
とをさらに備えることを特徴とする。
のＳＡＷフィルタを接続してなる弾性表面波装置であっ
て、通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳ
ＡＷフィルタと、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のＳＡＷフィルタとを備え、第１，第２のＳＡ
Ｗフィルタの一端が、それぞれ第１，第２の入力端また
は出力端とされており、第１，第２のＳＡＷフィルタの
他端が接続点で接続され出力端または入力端とされてお
り、前記第１のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直
列接続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構成さ
れている少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子
と、前記第２のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直
列接続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように構成さ
れている少なくとも１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子
とをさらに備えることを特徴とする。
【００１７】請求項２に記載の発明は、第１の一端子対
ＳＡＷ共振子及び第２の一端子対ＳＡＷ共振子のうち少
なくとも一方が複数段構成を有し、該複数段の一端子対
ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ
共振子のインターデジタルトランスデューサの波長が、
該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子の残りの一端子対ＳＡ
Ｗ共振子のインターデジタルトランスデューサの波長と
異なることを特徴とする。
ＳＡＷ共振子及び第２の一端子対ＳＡＷ共振子のうち少
なくとも一方が複数段構成を有し、該複数段の一端子対
ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ
共振子のインターデジタルトランスデューサの波長が、
該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子の残りの一端子対ＳＡ
Ｗ共振子のインターデジタルトランスデューサの波長と
異なることを特徴とする。
【００１８】請求項３に記載の発明では、前記第１の一
端子対ＳＡＷ共振子及び第２の一端子対ＳＡＷ共振子の
うち少なくとも一方が複数段構成を有し、該複数段構成
の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも１つの一端
子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数が、該複数段
の一端子対ＳＡＷ共振子の残りの一端子対ＳＡＷ共振子
の反射器の電極指の本数と異なることを特徴とする。
端子対ＳＡＷ共振子及び第２の一端子対ＳＡＷ共振子の
うち少なくとも一方が複数段構成を有し、該複数段構成
の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも１つの一端
子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数が、該複数段
の一端子対ＳＡＷ共振子の残りの一端子対ＳＡＷ共振子
の反射器の電極指の本数と異なることを特徴とする。
【００１９】好ましくは、請求項４に記載のように、第
１，第２のＳＡＷフィルタ、第１，第２の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子は、同一圧電基板に構成され、それによってよ
り一層小型化が図られる。
１，第２のＳＡＷフィルタ、第１，第２の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子は、同一圧電基板に構成され、それによってよ
り一層小型化が図られる。
【００２０】請求項５に記載の発明は、本発明に係る弾
性表面波装置を用いた通信機であって、一端側にアンテ
ナに接続される第１のポートと、他端側に送信機または
受信機に接続される第２，第３のポートが設けられてい
る弾性表面波装置と、前記弾性表面波装置の第２，第３
のポートに接続された送信または受信回路とを備え、前
記弾性表面波装置が、第１，第２のポート間に接続され
ており、通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１
のＳＡＷフィルタと、第１，第３のポート間に接続され
ており、かつ通過帯域が相対的に低い周波数領域にある
第２のＳＡＷフィルタと、第１のポートと第２のポート
との間において、前記第１のＳＡＷフィルタに直列に接
続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高周波数側となるように構成されて
いる少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子と、
第１のポートと第３のポートの間において前記第２のＳ
ＡＷフィルタに直列に接続されており、かつ反共振周波
数が第２のＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波側と
なるように構成されている少なくとも１つの第２の一端
子対ＳＡＷ共振子とを備えることを特徴とする、通信機
である。
性表面波装置を用いた通信機であって、一端側にアンテ
ナに接続される第１のポートと、他端側に送信機または
受信機に接続される第２，第３のポートが設けられてい
る弾性表面波装置と、前記弾性表面波装置の第２，第３
のポートに接続された送信または受信回路とを備え、前
記弾性表面波装置が、第１，第２のポート間に接続され
ており、通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１
のＳＡＷフィルタと、第１，第３のポート間に接続され
ており、かつ通過帯域が相対的に低い周波数領域にある
第２のＳＡＷフィルタと、第１のポートと第２のポート
との間において、前記第１のＳＡＷフィルタに直列に接
続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高周波数側となるように構成されて
いる少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子と、
第１のポートと第３のポートの間において前記第２のＳ
ＡＷフィルタに直列に接続されており、かつ反共振周波
数が第２のＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波側と
なるように構成されている少なくとも１つの第２の一端
子対ＳＡＷ共振子とを備えることを特徴とする、通信機
である。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る弾性表面波装置の非限定的な実施例につき説明す
る。
係る弾性表面波装置の非限定的な実施例につき説明す
る。
【００２２】図３は、本発明の一実施例に係る弾性表面
波装置の回路構成を示す図である。弾性表面波装置２１
は、通過帯域が異なる第１のＳＡＷフィルタ２２と、第
２のＳＡＷフィルタ２３とを出力側で接続点２４におい
て接続した構成を有する。すなわち、入力端ＩＮ1 に、
相対的に通過帯域が高周波数領域にある第１のＳＡＷフ
ィルタ２２が接続されており、入力端ＩＮ2 に相対的に
通過帯域が低周波数領域にある第２のＳＡＷフィルタ２
３が接続されている。
波装置の回路構成を示す図である。弾性表面波装置２１
は、通過帯域が異なる第１のＳＡＷフィルタ２２と、第
２のＳＡＷフィルタ２３とを出力側で接続点２４におい
て接続した構成を有する。すなわち、入力端ＩＮ1 に、
相対的に通過帯域が高周波数領域にある第１のＳＡＷフ
ィルタ２２が接続されており、入力端ＩＮ2 に相対的に
通過帯域が低周波数領域にある第２のＳＡＷフィルタ２
３が接続されている。
【００２３】図１７は、本発明の一実施例に係る弾性表
面波装置の具体的な構成を示す模式的平面図であり、図
１８は、該弾性表面波装置をパッケージ内に収納してな
る構造を示す断面図である。
面波装置の具体的な構成を示す模式的平面図であり、図
１８は、該弾性表面波装置をパッケージ内に収納してな
る構造を示す断面図である。
【００２４】図１７から明らかなように、弾性表面波装
置２１は、矩形の圧電基板３１を用いて構成されてい
る。圧電基板３１は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミッ
クスなどの圧電セラミックス、あるいは水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶により構成するこ
とができ、本実施例では、３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3
基板により構成されている。
置２１は、矩形の圧電基板３１を用いて構成されてい
る。圧電基板３１は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミッ
クスなどの圧電セラミックス、あるいは水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶により構成するこ
とができ、本実施例では、３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3
基板により構成されている。
【００２５】圧電基板３１上には、入力端子ＩＮ1 ，Ｉ
Ｎ2 が導電膜を形成することにより構成されている。入
力端子ＩＮ1 には、第１のＳＡＷフィルタ２２が接続さ
れている。ＳＡＷフィルタ２２は、３個のＩＤＴ２２ａ
〜２２ｃを有する。中央のＩＤＴ２２ｂの一方のくし歯
電極が入力端ＩＮ1 に接続されており、他方のくし歯電
極は接地されている。また、ＩＤＴ２２ａ，２２ｃの一
方のくし歯電極が接地されており、他方のくし歯電極
は、接続点３２に接続されている。ＩＤＴ２２ａ〜２２
ｃの設けられている領域の表面波伝搬方向両側には反射
器２２ｄ，２２ｅが形成されている。
Ｎ2 が導電膜を形成することにより構成されている。入
力端子ＩＮ1 には、第１のＳＡＷフィルタ２２が接続さ
れている。ＳＡＷフィルタ２２は、３個のＩＤＴ２２ａ
〜２２ｃを有する。中央のＩＤＴ２２ｂの一方のくし歯
電極が入力端ＩＮ1 に接続されており、他方のくし歯電
極は接地されている。また、ＩＤＴ２２ａ，２２ｃの一
方のくし歯電極が接地されており、他方のくし歯電極
は、接続点３２に接続されている。ＩＤＴ２２ａ〜２２
ｃの設けられている領域の表面波伝搬方向両側には反射
器２２ｄ，２２ｅが形成されている。
【００２６】他方、入力端子ＩＮ2 には、第２のＳＡＷ
フィルタ２３が接続されている。第２のＳＡＷフィルタ
２３は、３個のＩＤＴ２３ａ〜２３ｃを有する。中央の
ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極が接地されており、他
方のくし歯電極は、後述するＳＡＷ共振子２５に接続さ
れている。ＩＤＴ２３ａ，２３ｃの一方のくし歯電極が
接地されており、他方のくし歯電極が接続点３３に接続
されており、該接続点３３が入力端子ＩＮ2 に接続され
ている。
フィルタ２３が接続されている。第２のＳＡＷフィルタ
２３は、３個のＩＤＴ２３ａ〜２３ｃを有する。中央の
ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極が接地されており、他
方のくし歯電極は、後述するＳＡＷ共振子２５に接続さ
れている。ＩＤＴ２３ａ，２３ｃの一方のくし歯電極が
接地されており、他方のくし歯電極が接続点３３に接続
されており、該接続点３３が入力端子ＩＮ2 に接続され
ている。
【００２７】ＩＤＴ２３ａ〜２３ｃが設けられている領
域の表面波伝搬方向両側には、反射器２３ｄ，２３ｅが
形成されている。また、接続点３２と接続点２４との間
に一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７が直列に接続されて
いる。一端子対ＳＡＷ共振子２６は、ＩＤＴ２６ａと、
ＩＤＴ２６ａの表面波伝搬方向両側に配置された反射器
２６ｂ，２６ｃとを有する。一端子対ＳＡＷ共振子２７
についても、同様に、中央に配置されたＩＤＴ２７ａ
と、両側に配置された反射器２７ｂ，２７ｃとを有す
る。一端子対ＳＡＷ共振子２７の一端が接続点２４に接
続されている。
域の表面波伝搬方向両側には、反射器２３ｄ，２３ｅが
形成されている。また、接続点３２と接続点２４との間
に一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７が直列に接続されて
いる。一端子対ＳＡＷ共振子２６は、ＩＤＴ２６ａと、
ＩＤＴ２６ａの表面波伝搬方向両側に配置された反射器
２６ｂ，２６ｃとを有する。一端子対ＳＡＷ共振子２７
についても、同様に、中央に配置されたＩＤＴ２７ａ
と、両側に配置された反射器２７ｂ，２７ｃとを有す
る。一端子対ＳＡＷ共振子２７の一端が接続点２４に接
続されている。
【００２８】また、第２のＳＡＷフィルタ２３の中央の
ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極と、接続点２４との間
に、一端子対ＳＡＷ共振子２５が接続されている。一端
子対ＳＡＷ共振子２５は、中央に配置されたＩＤＴ２５
ａと、その両側に配置された反射器２５ｂ，２５ｃとを
有する。
ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極と、接続点２４との間
に、一端子対ＳＡＷ共振子２５が接続されている。一端
子対ＳＡＷ共振子２５は、中央に配置されたＩＤＴ２５
ａと、その両側に配置された反射器２５ｂ，２５ｃとを
有する。
【００２９】接続点２４は、出力端子ＯＵＴに接続され
ている。上記圧電基板３１上に形成された第１，第２の
ＳＡＷフィルタ２２，２３、一端子対ＳＡＷ共振子２５
〜２７、入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 及び出力端子ＯＵＴ
は、何れも、圧電基板３１上に、Ａｌなどの導電性材料
をパターニングすることにより形成されている。
ている。上記圧電基板３１上に形成された第１，第２の
ＳＡＷフィルタ２２，２３、一端子対ＳＡＷ共振子２５
〜２７、入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 及び出力端子ＯＵＴ
は、何れも、圧電基板３１上に、Ａｌなどの導電性材料
をパターニングすることにより形成されている。
【００３０】このように、単一の圧電基板３１上に、上
述した実施例の各素子を構成することにより、複数の通
過帯域を有する弾性表面波装置２１の小型化を容易に図
ることができる。また、上記各電極は、Ａｌなどの導電
性材料を圧電基板３１上においてパターニングすること
により同時に形成することができるため、製造工程が煩
雑化することもない。
述した実施例の各素子を構成することにより、複数の通
過帯域を有する弾性表面波装置２１の小型化を容易に図
ることができる。また、上記各電極は、Ａｌなどの導電
性材料を圧電基板３１上においてパターニングすること
により同時に形成することができるため、製造工程が煩
雑化することもない。
【００３１】上記弾性表面波装置２１は、例えば図１８
に示すように、通常の弾性表面波フィルタと同様にパッ
ケージに内蔵させることができる。すなわち、図１８に
示す弾性表面波装置３４では、絶縁性セラミックスより
なるパッケージ３５内に弾性表面波装置２１が収納され
ている。パッケージ３５は、絶縁性セラミックスよりな
るセラミック基板３５ａ上に矩形枠状の枠材３５ｂ，３
５ｃを積層してなるパッケージ本体３５ｄを有する。パ
ッケージ本体３５ｄの開口３５ｅ内に弾性表面波装置２
１が配置され、かつセラミック基板３５ａに固定されて
いる。弾性表面波装置２１の入力端子、出力端子並びに
アース電位に接続される電極（図１７に斜線のハッチン
グを付して示した電極）は、適宜、ボンディングワイア
３６ａ，３６ｂなどにより、パッケージ本体３５ｄに形
成されている外部との接続のための電極に電気的に接続
される。なお、開口３５ｅは、金属よりなる蓋材３７に
より閉成されている。
に示すように、通常の弾性表面波フィルタと同様にパッ
ケージに内蔵させることができる。すなわち、図１８に
示す弾性表面波装置３４では、絶縁性セラミックスより
なるパッケージ３５内に弾性表面波装置２１が収納され
ている。パッケージ３５は、絶縁性セラミックスよりな
るセラミック基板３５ａ上に矩形枠状の枠材３５ｂ，３
５ｃを積層してなるパッケージ本体３５ｄを有する。パ
ッケージ本体３５ｄの開口３５ｅ内に弾性表面波装置２
１が配置され、かつセラミック基板３５ａに固定されて
いる。弾性表面波装置２１の入力端子、出力端子並びに
アース電位に接続される電極（図１７に斜線のハッチン
グを付して示した電極）は、適宜、ボンディングワイア
３６ａ，３６ｂなどにより、パッケージ本体３５ｄに形
成されている外部との接続のための電極に電気的に接続
される。なお、開口３５ｅは、金属よりなる蓋材３７に
より閉成されている。
【００３２】図１８から明らかなように、本実施例の弾
性表面波装置２１は、従来から慣用されている弾性表面
波装置をパッケージ化するためのパッケージ３５を用い
て通常の弾性表面波装置と同様にパッケージ内蔵型電子
部品として提供することができる。
性表面波装置２１は、従来から慣用されている弾性表面
波装置をパッケージ化するためのパッケージ３５を用い
て通常の弾性表面波装置と同様にパッケージ内蔵型電子
部品として提供することができる。
【００３３】第１のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域は、
８７０〜８８５ＭＨｚであり、図４に、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。ま
た、図５（ａ）及び（ｂ）は、第１のＳＡＷフィルタ２
２の、それぞれ、入力側及び出力側におけるインピーダ
ンススミスチャートを示す。
８７０〜８８５ＭＨｚであり、図４に、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。ま
た、図５（ａ）及び（ｂ）は、第１のＳＡＷフィルタ２
２の、それぞれ、入力側及び出力側におけるインピーダ
ンススミスチャートを示す。
【００３４】第２のＳＡＷフィルタ２３は、その通過帯
域が８１０〜８２８ＭＨｚであり、図６に第２のＳＡＷ
フィルタ２３の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。
また、図７（ａ）及び（ｂ）は、第２のＳＡＷフィルタ
２３の、それぞれ、入力側及び出力側におけるインピー
ダンススミスチャートを示す図である。
域が８１０〜８２８ＭＨｚであり、図６に第２のＳＡＷ
フィルタ２３の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。
また、図７（ａ）及び（ｂ）は、第２のＳＡＷフィルタ
２３の、それぞれ、入力側及び出力側におけるインピー
ダンススミスチャートを示す図である。
【００３５】図３に戻り、第１のＳＡＷフィルタ２２
と、接続点２４との間には、複数段の一端子対ＳＡＷ共
振子、すなわち第１の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７
が直列に接続されている。ここで、一端子対ＳＡＷ共振
子２６，２７は、その反共振周波数が、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側に位置するよう
に、第１のＳＡＷフィルタ２２に直列に接続されてい
る。
と、接続点２４との間には、複数段の一端子対ＳＡＷ共
振子、すなわち第１の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７
が直列に接続されている。ここで、一端子対ＳＡＷ共振
子２６，２７は、その反共振周波数が、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側に位置するよう
に、第１のＳＡＷフィルタ２２に直列に接続されてい
る。
【００３６】上記一端子対ＳＡＷ共振子２６と一端子対
ＳＡＷ共振子２７とは同様に構成されており、図８に一
端子対ＳＡＷ共振子２６の周波数振幅特性を代表して示
すこととする。
ＳＡＷ共振子２７とは同様に構成されており、図８に一
端子対ＳＡＷ共振子２６の周波数振幅特性を代表して示
すこととする。
【００３７】また、図９（ａ）及び（ｂ）は、第１のＳ
ＡＷフィルタ２２の出力側に、上記２段の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７を直列接続した構成の、それぞれ、
入力端及び出力端における通過帯域内外のインピーダン
ススミスチャートを示す図である。
ＡＷフィルタ２２の出力側に、上記２段の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７を直列接続した構成の、それぞれ、
入力端及び出力端における通過帯域内外のインピーダン
ススミスチャートを示す図である。
【００３８】第１のＳＡＷフィルタ２２自体の出力側イ
ンピーダンススミスチャートを示す図５（ｂ）と図９
（ｂ）とを比較すると、図９（ｂ）では、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７を接続したことにより、８１０〜８
２８ＭＨｚにおけるインピーダンスが高くなっているこ
とがわかる。
ンピーダンススミスチャートを示す図５（ｂ）と図９
（ｂ）とを比較すると、図９（ｂ）では、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７を接続したことにより、８１０〜８
２８ＭＨｚにおけるインピーダンスが高くなっているこ
とがわかる。
【００３９】図１０は、図３に示したように第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２が接続されている本実施例における第１
のＳＡＷフィルタ２２側における通過帯域内外の周波数
振幅特性及びＶＳＷＲを示す。ここで、接続点２４とア
ース電位との間には、１０ｎＨのインピーダンス整合用
インダクタンス素子２８が接続されている。また、第２
のＳＡＷフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
Ｗフィルタ２２が接続されている本実施例における第１
のＳＡＷフィルタ２２側における通過帯域内外の周波数
振幅特性及びＶＳＷＲを示す。ここで、接続点２４とア
ース電位との間には、１０ｎＨのインピーダンス整合用
インダクタンス素子２８が接続されている。また、第２
のＳＡＷフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
【００４０】なお、破線で示す周波数振幅特性は、縦軸
の右側に示すスケールで拡大した特性であり、以下の図
１２〜図１６においても同様に、破線は拡大された周波
数振幅特性を示すものとする。
の右側に示すスケールで拡大した特性であり、以下の図
１２〜図１６においても同様に、破線は拡大された周波
数振幅特性を示すものとする。
【００４１】他方、図１１（ａ）及び（ｂ）は、図２に
示したように、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側に一
端子対ＳＡＷ共振子１５を直列接続し、さらに５．５ｐ
Ｆのコンデンサ１７を直列接続した場合の、それぞれ、
入力側及び出力側の通過帯域内外のインピーダンススミ
スチャートを示す。ここで、一端子対ＳＡＷ共振子１５
としては、一端子対ＳＡＷ共振子２６と同一の特性のも
のが用いられている。
示したように、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側に一
端子対ＳＡＷ共振子１５を直列接続し、さらに５．５ｐ
Ｆのコンデンサ１７を直列接続した場合の、それぞれ、
入力側及び出力側の通過帯域内外のインピーダンススミ
スチャートを示す。ここで、一端子対ＳＡＷ共振子１５
としては、一端子対ＳＡＷ共振子２６と同一の特性のも
のが用いられている。
【００４２】図１１（ｂ）では、一端子対ＳＡＷ共振子
１５及びコンデンサ１７を接続したことにより、８１０
〜８２８ＭＨｚにおけるインピーダンスが、図９（ｂ）
に示すインピーダンススミスチャートの場合と同様に高
くなっていることがわかる。しかしながら、図１１
（ｂ）に示すインピーダンススミスチャートでは、通過
帯域のインピーダンスでは、５０Ω純抵抗から容量性へ
のインピーダンスのずれが、図９（ｂ）に示すインピー
ダンススミスチャートの場合に比べて大きくなっている
ことがわかる。
１５及びコンデンサ１７を接続したことにより、８１０
〜８２８ＭＨｚにおけるインピーダンスが、図９（ｂ）
に示すインピーダンススミスチャートの場合と同様に高
くなっていることがわかる。しかしながら、図１１
（ｂ）に示すインピーダンススミスチャートでは、通過
帯域のインピーダンスでは、５０Ω純抵抗から容量性へ
のインピーダンスのずれが、図９（ｂ）に示すインピー
ダンススミスチャートの場合に比べて大きくなっている
ことがわかる。
【００４３】図１２は、図２に示した従来の回路構成に
おける第１のＳＡＷフィルタ１２側における通過帯域内
外の周波数振幅特性である。ここでは、並列接続点１４
とアース電位との間には１０ｎＨのインピーダンス整合
用インダクタンス素子１８が接続されており、かつ第２
のＳＡＷフィルタ１３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
おける第１のＳＡＷフィルタ１２側における通過帯域内
外の周波数振幅特性である。ここでは、並列接続点１４
とアース電位との間には１０ｎＨのインピーダンス整合
用インダクタンス素子１８が接続されており、かつ第２
のＳＡＷフィルタ１３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
【００４４】図１２を、図１０と比較すれば、図１０に
示す本実施例の弾性表面波装置では、一端子対ＳＡＷ共
振子のみを用いることにより、ＳＡＷフィルタ及びコン
デンサを用いた従来例に比べて、挿入損失を同程度以下
に抑制し得ることがわかる。また、通過帯域におけるＶ
ＳＷＲについては、図１０に示した本実施例の弾性表面
波装置の方が、図１２に示した従来例に比べて小さく、
その差が０．５となっていることがわかる。さらに、図
１０に示した本実施例の弾性表面波装置の周波数振幅特
性では、通過帯域における高周波数側の減衰量も、図１
２に示した従来例の場合に比べて約３ｄＢ大きいことが
わかる。
示す本実施例の弾性表面波装置では、一端子対ＳＡＷ共
振子のみを用いることにより、ＳＡＷフィルタ及びコン
デンサを用いた従来例に比べて、挿入損失を同程度以下
に抑制し得ることがわかる。また、通過帯域におけるＶ
ＳＷＲについては、図１０に示した本実施例の弾性表面
波装置の方が、図１２に示した従来例に比べて小さく、
その差が０．５となっていることがわかる。さらに、図
１０に示した本実施例の弾性表面波装置の周波数振幅特
性では、通過帯域における高周波数側の減衰量も、図１
２に示した従来例の場合に比べて約３ｄＢ大きいことが
わかる。
【００４５】図１３は、図３に示すように構成された弾
性表面波装置における第２のＳＡＷフィルタ２３の通過
帯域内外の周波数振幅特性を示す。ここで、並列接続点
２４とアース電位との間には、１０ｎＨのインピーダン
ス整合用インダクタンス素子２８が接続されており、か
つ第１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ωで終端さ
れている。
性表面波装置における第２のＳＡＷフィルタ２３の通過
帯域内外の周波数振幅特性を示す。ここで、並列接続点
２４とアース電位との間には、１０ｎＨのインピーダン
ス整合用インダクタンス素子２８が接続されており、か
つ第１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ωで終端さ
れている。
【００４６】図１３から、一端子対ＳＡＷ共振子２６，
２７を用い、第１のＳＡＷフィルタ２２の出力側の８１
０〜８２８ＭＨｚにおけるインピーダンスを高めること
により、第２のＳＡＷフィルタ２３側においても、良好
な通過帯域特性及び減衰特性が得られていることがわか
る。
２７を用い、第１のＳＡＷフィルタ２２の出力側の８１
０〜８２８ＭＨｚにおけるインピーダンスを高めること
により、第２のＳＡＷフィルタ２３側においても、良好
な通過帯域特性及び減衰特性が得られていることがわか
る。
【００４７】他方、図１４は、図３に示した実施例の回
路図に従って接続された際の第１のＳＡＷフィルタ側に
おける通過帯域内外の周波数振幅特性であり、ここで
は、２段の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７のうち、一
方の一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長を他方の一端
子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長と異ならせ、周波数を
２．５ＭＨｚ高くしている。また、並列接続点２４とア
ース電位との間には、１０ｎＨのインピーダンス整合用
インダクタンス素子２８が接続されており、かつ第２の
ＳＡＷフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
路図に従って接続された際の第１のＳＡＷフィルタ側に
おける通過帯域内外の周波数振幅特性であり、ここで
は、２段の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７のうち、一
方の一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長を他方の一端
子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長と異ならせ、周波数を
２．５ＭＨｚ高くしている。また、並列接続点２４とア
ース電位との間には、１０ｎＨのインピーダンス整合用
インダクタンス素子２８が接続されており、かつ第２の
ＳＡＷフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されてい
る。
【００４８】図１４と図１０とを比較すれば、図１４で
は、通過帯域内のリップルが低減されていることがわか
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子では、ＩＤＴの両
側に備えられた反射器の影響により、第１のＳＡＷフィ
ルタ２２の通過帯域内にリップルが発生する。従って、
同一特性の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７を直列接続
し２段構成とすると、そのリップルがより強く表れるこ
とになる。そこで、図１４に示す変形例では、一端子対
ＳＡＷ共振子２６と、一端子対ＳＡＷ共振子２７との周
波数を異ならせることにより、上記通過帯域内のリップ
ルが相殺されており、結果として、通過帯域内リップル
が低減されている。なお、本変形例では、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７におけるＩＤＴの波長を異ならせて
いたが、それに代えて、あるいはこれに加えて、一端子
対ＳＡＷ共振子２６の反射器の電極指の本数を、一端子
対ＳＡＷ共振子２７の反射器の電極指の本数と異ならせ
てもよく、同様に通過帯域内リップルを低減することが
できる。
は、通過帯域内のリップルが低減されていることがわか
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子では、ＩＤＴの両
側に備えられた反射器の影響により、第１のＳＡＷフィ
ルタ２２の通過帯域内にリップルが発生する。従って、
同一特性の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７を直列接続
し２段構成とすると、そのリップルがより強く表れるこ
とになる。そこで、図１４に示す変形例では、一端子対
ＳＡＷ共振子２６と、一端子対ＳＡＷ共振子２７との周
波数を異ならせることにより、上記通過帯域内のリップ
ルが相殺されており、結果として、通過帯域内リップル
が低減されている。なお、本変形例では、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７におけるＩＤＴの波長を異ならせて
いたが、それに代えて、あるいはこれに加えて、一端子
対ＳＡＷ共振子２６の反射器の電極指の本数を、一端子
対ＳＡＷ共振子２７の反射器の電極指の本数と異ならせ
てもよく、同様に通過帯域内リップルを低減することが
できる。
【００４９】図１５は、比較のために作成した弾性表面
波装置の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。この弾
性表面波装置は、第１のＳＡＷフィルタ２２の出力端
と、第２のＳＡＷフィルタ２３の出力端とを直接接続し
た構成を有し、図１５は、この場合の第１のＳＡＷフィ
ルタ２２側における通過帯域内外の周波数振幅特性を示
す。なお、ここで、第１，第２のＳＡＷフィルタの接続
点とアースとの間には、１０ｎＨインピーダンス整合用
インダクタンス素子が接続されており、かつ第２のＳＡ
Ｗフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されている。
波装置の通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。この弾
性表面波装置は、第１のＳＡＷフィルタ２２の出力端
と、第２のＳＡＷフィルタ２３の出力端とを直接接続し
た構成を有し、図１５は、この場合の第１のＳＡＷフィ
ルタ２２側における通過帯域内外の周波数振幅特性を示
す。なお、ここで、第１，第２のＳＡＷフィルタの接続
点とアースとの間には、１０ｎＨインピーダンス整合用
インダクタンス素子が接続されており、かつ第２のＳＡ
Ｗフィルタ２３の入力側は５０Ωで終端されている。
【００５０】図１０，図１４及び図１５を比較すれば明
らかなように、図１５に示す周波数振幅特性では、第１
のＳＡＷフィルタにおける損失の劣化は小さいものの、
通過帯域内ＶＳＷＲが大きくなり及び通過帯域の高周波
数側における減衰量が小さくなっていることがわかる。
らかなように、図１５に示す周波数振幅特性では、第１
のＳＡＷフィルタにおける損失の劣化は小さいものの、
通過帯域内ＶＳＷＲが大きくなり及び通過帯域の高周波
数側における減衰量が小さくなっていることがわかる。
【００５１】図１６は、図１５に示した特性を有する比
較のために用意した弾性表面波装置の第２のＳＡＷフィ
ルタ側における通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。
ここで、並列接続点とアース電位との間には１０ｎＨの
インピーダンス整合用インダクタンス素子が接続されて
おり、かつ第１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ω
で終端されている。
較のために用意した弾性表面波装置の第２のＳＡＷフィ
ルタ側における通過帯域内外の周波数振幅特性を示す。
ここで、並列接続点とアース電位との間には１０ｎＨの
インピーダンス整合用インダクタンス素子が接続されて
おり、かつ第１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ω
で終端されている。
【００５２】また、図１３と図１６とを比較すれば明ら
かなように、図１６では、第２のＳＡＷフィルタ２３に
おける挿入損失が大きいことがわかる。図１９は、本発
明に係る弾性表面波装置を用いた構成された通信機の一
例を示す回路図である。
かなように、図１６では、第２のＳＡＷフィルタ２３に
おける挿入損失が大きいことがわかる。図１９は、本発
明に係る弾性表面波装置を用いた構成された通信機の一
例を示す回路図である。
【００５３】本実施例の通信機４１では、弾性表面波装
置２１と、送信もしくは受信回路４５，４６とが備えら
れている。弾性表面波装置２１は、アンテナ４２に接続
される第１のポート２１Ａを有する。ポート２１Ａは、
入力端または出力端を構成する。また、弾性表面波装置
２１は、第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃを備える。
第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃは、出力端または入
力端を構成するものである。
置２１と、送信もしくは受信回路４５，４６とが備えら
れている。弾性表面波装置２１は、アンテナ４２に接続
される第１のポート２１Ａを有する。ポート２１Ａは、
入力端または出力端を構成する。また、弾性表面波装置
２１は、第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃを備える。
第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃは、出力端または入
力端を構成するものである。
【００５４】また、弾性表面波装置２１では、図３に示
した実施例の弾性表面波装置と同様に、通過帯域が異な
る第１のＳＡＷフィルタ２２と、第２のＳＡＷフィルタ
２３とが構成されている。
した実施例の弾性表面波装置と同様に、通過帯域が異な
る第１のＳＡＷフィルタ２２と、第２のＳＡＷフィルタ
２３とが構成されている。
【００５５】第１のＳＡＷフィルタ２２は、通過帯域が
相対的に高い周波数領域にあり、第２のＳＡＷフィルタ
２３は、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある。前
述した第１のポート２１Ａと、第２のポート２１Ｂとの
間には、上記第１のＳＡＷフィルタ２２が接続されてい
る。また、第１のＳＡＷフィルタ２２と直列に、少なく
とも１つの、本実施例では、２個の第１の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７が直列に接続されている。この一端
子対ＳＡＷ共振子２６，２７は、反共振周波数が、第１
のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側とな
るように構成されている。
相対的に高い周波数領域にあり、第２のＳＡＷフィルタ
２３は、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある。前
述した第１のポート２１Ａと、第２のポート２１Ｂとの
間には、上記第１のＳＡＷフィルタ２２が接続されてい
る。また、第１のＳＡＷフィルタ２２と直列に、少なく
とも１つの、本実施例では、２個の第１の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７が直列に接続されている。この一端
子対ＳＡＷ共振子２６，２７は、反共振周波数が、第１
のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域よりも高周波数側とな
るように構成されている。
【００５６】他方、第１ポート２１Ａと、第３のポート
２１Ｃとの間には、上記第２のＳＡＷフィルタ２３が接
続されており、かつ第２のＳＡＷフィルタ２３と直列に
第２の一端子対ＳＡＷ共振子２５が接続されている。第
２の一端子対ＳＡＷ共振子２５は、その反共振周波数
が、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域よりも高周波
側となるように構成されている。また、第２の一端子対
ＳＡＷ共振子２５は、複数直列に接続されていてもよ
い。
２１Ｃとの間には、上記第２のＳＡＷフィルタ２３が接
続されており、かつ第２のＳＡＷフィルタ２３と直列に
第２の一端子対ＳＡＷ共振子２５が接続されている。第
２の一端子対ＳＡＷ共振子２５は、その反共振周波数
が、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域よりも高周波
側となるように構成されている。また、第２の一端子対
ＳＡＷ共振子２５は、複数直列に接続されていてもよ
い。
【００５７】従って、この弾性表面波装置２１は、図３
に示した弾性表面波装置とほぼ同様に構成されているの
で、弾性表面波装置２１の具体的な構成及び作用につい
ては、図３を参照して行った説明を引用することによ
り、省略する。
に示した弾性表面波装置とほぼ同様に構成されているの
で、弾性表面波装置２１の具体的な構成及び作用につい
ては、図３を参照して行った説明を引用することによ
り、省略する。
【００５８】本実施例の通信機では、弾性表面波装置２
１の第１のポート２１Ａが、アンテナ４２に対し、アン
テナ線４３により接続されている。他方、第２，第３の
ポート２１Ｂ，２１Ｃが、送信または受信回路４５，４
６に接続されている。なお、送信または受信回路とは、
送信回路及び受信回路のいずれであってもよいことを意
味する。すなわち、第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃ
には、送信回路４５，４６が接続されてもよく、受信回
路４５，４６が接続されてもよく、送信回路４５及び受
信回路４６あるいは送信回路４６及び受信回路４５が接
続されていてもよい。このように、弾性表面波装置２１
を用いることにより、小型であり、かつ弾性表面波装置
２１の利点を活かした通信機を容易に構成することがで
きる。
１の第１のポート２１Ａが、アンテナ４２に対し、アン
テナ線４３により接続されている。他方、第２，第３の
ポート２１Ｂ，２１Ｃが、送信または受信回路４５，４
６に接続されている。なお、送信または受信回路とは、
送信回路及び受信回路のいずれであってもよいことを意
味する。すなわち、第２，第３のポート２１Ｂ，２１Ｃ
には、送信回路４５，４６が接続されてもよく、受信回
路４５，４６が接続されてもよく、送信回路４５及び受
信回路４６あるいは送信回路４６及び受信回路４５が接
続されていてもよい。このように、弾性表面波装置２１
を用いることにより、小型であり、かつ弾性表面波装置
２１の利点を活かした通信機を容易に構成することがで
きる。
【００５９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る弾性表面波
装置では、通過帯域が異なる第１，第２のＳＡＷフィル
タの一端が、それぞれ第１，第２の入力端または出力端
とされており、他端が接続点で接続されて出力端または
入力端とされている構成において、第１のＳＡＷフィル
タと上記接続点との間に、反共振周波数が第１のＳＡＷ
フィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように少な
くとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子が接続されて
おり、第２のＳＡＷフィルタと上記接続点との間に、そ
の反共振周波数が第２のＳＡＷフィルタの通過帯域より
も高周波数側となるように少なくとも１つの第２の一端
子対ＳＡＷ共振子が直列に接続されているため、第１の
一端子対ＳＡＷ共振子により、第２のＳＡＷフィルタの
通過帯域における第１のＳＡＷフィルタのインピーダン
スが高められ、第２の一端子対ＳＡＷ共振子により第１
のＳＡＷフィルタの通過帯域における第２のＳＡＷフィ
ルタのインピーダンスが高められる。従って、第１，第
２のＳＡＷフィルタの挿入損失の劣化を抑制しつつ、そ
れぞれの通過帯域よりも高周波数側における減衰量の拡
大が図られる。
装置では、通過帯域が異なる第１，第２のＳＡＷフィル
タの一端が、それぞれ第１，第２の入力端または出力端
とされており、他端が接続点で接続されて出力端または
入力端とされている構成において、第１のＳＡＷフィル
タと上記接続点との間に、反共振周波数が第１のＳＡＷ
フィルタの通過帯域よりも高周波数側となるように少な
くとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子が接続されて
おり、第２のＳＡＷフィルタと上記接続点との間に、そ
の反共振周波数が第２のＳＡＷフィルタの通過帯域より
も高周波数側となるように少なくとも１つの第２の一端
子対ＳＡＷ共振子が直列に接続されているため、第１の
一端子対ＳＡＷ共振子により、第２のＳＡＷフィルタの
通過帯域における第１のＳＡＷフィルタのインピーダン
スが高められ、第２の一端子対ＳＡＷ共振子により第１
のＳＡＷフィルタの通過帯域における第２のＳＡＷフィ
ルタのインピーダンスが高められる。従って、第１，第
２のＳＡＷフィルタの挿入損失の劣化を抑制しつつ、そ
れぞれの通過帯域よりも高周波数側における減衰量の拡
大が図られる。
【００６０】加えて、前述した一端子対ＳＡＷ共振子と
コンデンサとを用いた未だ公知ではない先行技術に記載
の構成では、コンデンサ構成部分により圧電基板サイズ
が大きくなるという問題があったのに対し、一端子対Ｓ
ＡＷ共振子を用いた本発明の構成によれば、圧電基板の
サイズを大きくすることなく、第１のＳＡＷフィルタの
挿入損失の低減及び通過帯域内ＶＳＷＲの劣化を抑制す
ることができる。
コンデンサとを用いた未だ公知ではない先行技術に記載
の構成では、コンデンサ構成部分により圧電基板サイズ
が大きくなるという問題があったのに対し、一端子対Ｓ
ＡＷ共振子を用いた本発明の構成によれば、圧電基板の
サイズを大きくすることなく、第１のＳＡＷフィルタの
挿入損失の低減及び通過帯域内ＶＳＷＲの劣化を抑制す
ることができる。
【００６１】また、請求項２に記載のように、第１，第
２の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも一方を複
数段構成とし、該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子におい
て、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの
波長を、他の一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長と異
ならせた場合には、第１のＳＡＷフィルタの通過帯域内
リップルを効果的に低減することができる。
２の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも一方を複
数段構成とし、該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子におい
て、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの
波長を、他の一端子対ＳＡＷ共振子のＩＤＴの波長と異
ならせた場合には、第１のＳＡＷフィルタの通過帯域内
リップルを効果的に低減することができる。
【００６２】さらに、請求項３に記載のように、一端子
対ＳＡＷ共振子を複数段備えた構成において、少なくと
も１つの一端子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数
を、他の一端子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数
と異ならせた場合においても、同様に、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタの通過帯域内リップルを効果的に低減する
ことができる。
対ＳＡＷ共振子を複数段備えた構成において、少なくと
も１つの一端子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数
を、他の一端子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数
と異ならせた場合においても、同様に、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタの通過帯域内リップルを効果的に低減する
ことができる。
【００６３】請求項４に記載のように、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共振子を
単一の圧電基板に構成した場合には、圧電基板１０にお
いて、各素子を構成するための電極を容易に形成し得る
ため、製造工程を煩雑化させることなく、本発明の弾性
表面波装置を構成することができると共に、本発明に係
る弾性表面波装置の小型化及び低コスト化をより一層進
めることが可能となる。
ＡＷフィルタ及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共振子を
単一の圧電基板に構成した場合には、圧電基板１０にお
いて、各素子を構成するための電極を容易に形成し得る
ため、製造工程を煩雑化させることなく、本発明の弾性
表面波装置を構成することができると共に、本発明に係
る弾性表面波装置の小型化及び低コスト化をより一層進
めることが可能となる。
【００６４】請求項５に記載のように、請求項１に記載
の発明に係る弾性表面波装置を２つの送信または受信回
路と接続することにより、ダイバーシティ方式の通信機
に適した通信機を構成することができる。この場合、本
発明に係る弾性表面波装置を用いているため、通過帯域
近傍における素子域の減衰量を増大させることができ、
従って、選択度に優れた通信機を構成することができる
と共に、各ＳＡＷフィルタ及び一端子対ＳＡＷ共振子を
単一の圧電基板上に構成することができるので、その場
合には、小型であり、かつ選択度に優れた通信機を容易
に構成することができる。
の発明に係る弾性表面波装置を２つの送信または受信回
路と接続することにより、ダイバーシティ方式の通信機
に適した通信機を構成することができる。この場合、本
発明に係る弾性表面波装置を用いているため、通過帯域
近傍における素子域の減衰量を増大させることができ、
従って、選択度に優れた通信機を構成することができる
と共に、各ＳＡＷフィルタ及び一端子対ＳＡＷ共振子を
単一の圧電基板上に構成することができるので、その場
合には、小型であり、かつ選択度に優れた通信機を容易
に構成することができる。
【図１】通過帯域が異なる２個のバンドパスフィルタを
接続してなる従来の弾性表面波装置を説明するための回
路図。
接続してなる従来の弾性表面波装置を説明するための回
路図。
【図２】通過帯域の異なる２つのバンドパスフィルタを
接続してなる従来の弾性表面波装置の他の例を示す回路
図。
接続してなる従来の弾性表面波装置の他の例を示す回路
図。
【図３】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の回路
図。
図。
【図４】図３に示した実施例における第１のＳＡＷフィ
ルタの周波数振幅特性を示す図。
ルタの周波数振幅特性を示す図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、図２に示した実施例にお
ける第１のＳＡＷフィルタの外側の２個のＩＤＴを含む
側の端子とその反対側の端子におけるインピーダンスス
ミスチャートを示す図。
ける第１のＳＡＷフィルタの外側の２個のＩＤＴを含む
側の端子とその反対側の端子におけるインピーダンスス
ミスチャートを示す図。
【図６】図３に示した実施例における第２のＳＡＷフィ
ルタの周波数振幅特性を示す図。
ルタの周波数振幅特性を示す図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、図３に示した実施例にお
ける第２のＳＡＷフィルタ側の２個の外側のＩＤＴを含
む側の端子及びその反対側の端子におけるインピーダン
ススミスチャートを示す図。
ける第２のＳＡＷフィルタ側の２個の外側のＩＤＴを含
む側の端子及びその反対側の端子におけるインピーダン
ススミスチャートを示す図。
【図８】図３に示した実施例における第１の一端子対Ｓ
ＡＷ共振子の周波数振幅特性を示す図。
ＡＷ共振子の周波数振幅特性を示す図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図３に示した
実施例において、第１のＳＡＷフィルタに第１の一端子
対ＳＡＷ共振子２段を直列接続した構成の入力端及び出
力端におけるインピーダンススミスチャートを示す図。
実施例において、第１のＳＡＷフィルタに第１の一端子
対ＳＡＷ共振子２段を直列接続した構成の入力端及び出
力端におけるインピーダンススミスチャートを示す図。
【図１０】図３に示した実施例における第１のＳＡＷフ
ィルタ２２側における周波数振幅特性及びＶＳＷＲを示
す図。
ィルタ２２側における周波数振幅特性及びＶＳＷＲを示
す図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、図２に示した弾性表面
波装置において、第１のＳＡＷフィルタの出力側に一端
子対ＳＡＷ共振子を接続し、さらにコンデンサを直列接
続した場合の通過帯域内外のインピーダンススミスチャ
ートを示す図。
波装置において、第１のＳＡＷフィルタの出力側に一端
子対ＳＡＷ共振子を接続し、さらにコンデンサを直列接
続した場合の通過帯域内外のインピーダンススミスチャ
ートを示す図。
【図１２】図２に示した弾性表面波装置における第１の
ＳＡＷフィルタ側における通過帯域内外の周波数振幅特
性及びＶＳＷＲを示す図。
ＳＡＷフィルタ側における通過帯域内外の周波数振幅特
性及びＶＳＷＲを示す図。
【図１３】図３に示した実施例の弾性表面波装置におけ
る第２のＳＡＷフィルタの周波数振幅特性及びＶＳＷＲ
を示す図。
る第２のＳＡＷフィルタの周波数振幅特性及びＶＳＷＲ
を示す図。
【図１４】図３に示した実施例に従って接続された変形
例における第１のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅
特性及びＶＳＷＲを示す図。
例における第１のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅
特性及びＶＳＷＲを示す図。
【図１５】比較のために用意した弾性表面波装置の第１
のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒを示す図。
のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒを示す図。
【図１６】比較のために用意した弾性表面波装置の第２
のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒを示す図。
のＳＡＷフィルタ側における周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒを示す図。
【図１７】図３に示した実施例の弾性表面波装置の具体
的な構造例を説明するための模式的平面図。
的な構造例を説明するための模式的平面図。
【図１８】図１７に示した弾性表面波装置をパッケージ
内に収納した構造を説明するための断面図。
内に収納した構造を説明するための断面図。
【図１９】本発明に係る弾性表面波装置を用いて構成さ
れた通信機の一例を説明するための回路図。
れた通信機の一例を説明するための回路図。
２１…弾性表面波装置 ２１Ａ…第１のポート ２１Ｂ…第２のポート ２１Ｃ…第３のポート ２２…第１のＳＡＷフィルタ ２３…第２のＳＡＷフィルタ ２５…第２の一端子対ＳＡＷ共振子 ２６，２７…第１の一端子対ＳＡＷ共振子 ＩＮ1 ，ＩＮ2 …入力端子 ＯＵＴ…出力端子 ４１…通信機 ４２…アンテナ ４５，４６…送信または受信回路
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のＳＡＷフィルタを接続してなる弾
性表面波装置であって、 通過帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷ
フィルタと、 通過帯域が相対的に低い周波数領域にある第２のＳＡＷ
フィルタとを備え、 第１，第２のＳＡＷフィルタの一端が、それぞれ第１，
第２の入力端または出力端とされており、第１，第２の
ＳＡＷフィルタの他端が接続点で接続され出力端または
入力端とされており、 前記第１のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直列接
続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高周波数側となるように構成されて
いる少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子と、 前記第２のＳＡＷフィルタと前記接続点との間に直列接
続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高周波数側となるように構成されて
いる少なくとも１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子とを
さらに備えることを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項２】 第１の一端子対ＳＡＷ共振子及び第２の
一端子対ＳＡＷ共振子のうち少なくとも一方が複数段構
成を有し、該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少
なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジタ
ルトランスデューサの波長が、該複数段の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子の残りの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジ
タルトランスデューサの波長と異なることを特徴とす
る、請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１の一端子対ＳＡＷ共振子及び第
２の一端子対ＳＡＷ共振子のうち少なくとも一方が複数
段構成を有し、該複数段構成の一端子対ＳＡＷ共振子の
うち、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子の反射器
の電極指の本数が、該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子の
残りの一端子対ＳＡＷ共振子の反射器の電極指の本数と
異なることを特徴とする、請求項１または２に記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項４】 第１，第２のＳＡＷフィルタ及び第１，
第２の一端子対ＳＡＷ共振子が、単一の圧電基板に構成
されていることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 一端側にアンテナに接続される第１のポ
ートと、他端側に送信機または受信機に接続される第
２，第３のポートが設けられている弾性表面波装置と、 前記弾性表面波装置の第２，第３のポートに接続された
送信または受信回路とを備え、 前記弾性表面波装置が、 第１，第２のポート間に接続されており、通過帯域が相
対的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタと、
第１，第３のポート間に接続されており、かつ通過帯域
が相対的に低い周波数領域にある第２のＳＡＷフィルタ
と、 第１のポートと第２のポートとの間において、前記第１
のＳＡＷフィルタに直列に接続されており、かつ反共振
周波数が第１のＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波
数側となるように構成されている少なくとも１つの第１
の一端子対ＳＡＷ共振子と、 第１のポートと第３のポートの間において前記第２のＳ
ＡＷフィルタに直列に接続されており、かつ反共振周波
数が第２のＳＡＷフィルタの通過帯域よりも高周波側と
なるように構成されている少なくとも１つの第２の一端
子対ＳＡＷ共振子とを備えることを特徴とする、通信
機。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06650798A JP3849289B2 (ja) | 1997-04-10 | 1998-03-17 | 弾性表面波装置 |
| US09/056,273 US6057744A (en) | 1997-04-10 | 1998-04-07 | Surface acoustic wave device with mutiple pass bands |
| CA002234513A CA2234513C (en) | 1997-04-10 | 1998-04-09 | Surface acoustic wave device |
| EP98400891A EP0871288B1 (en) | 1997-04-10 | 1998-04-10 | Surface acoustic wave device |
| KR1019980012809A KR100280611B1 (ko) | 1997-04-10 | 1998-04-10 | 탄성표면파장치 |
| DE69841878T DE69841878D1 (de) | 1997-04-10 | 1998-04-10 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9242797 | 1997-04-10 | ||
| JP9-92427 | 1997-04-10 | ||
| JP06650798A JP3849289B2 (ja) | 1997-04-10 | 1998-03-17 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10341135A true JPH10341135A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3849289B2 JP3849289B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=26407691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06650798A Expired - Lifetime JP3849289B2 (ja) | 1997-04-10 | 1998-03-17 | 弾性表面波装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6057744A (ja) |
| EP (1) | EP0871288B1 (ja) |
| JP (1) | JP3849289B2 (ja) |
| KR (1) | KR100280611B1 (ja) |
| CA (1) | CA2234513C (ja) |
| DE (1) | DE69841878D1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693501B2 (en) * | 2001-03-23 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus using filters with overlapped propagation paths and communications unit |
| US6731185B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| JP2009526450A (ja) * | 2006-02-06 | 2009-07-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | デュプレクサ |
| KR100916741B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2009-09-14 | 주식회사 엠티씨 | 하이브리드 필터를 포함하는 전송기 |
| JP2010193135A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Epson Toyocom Corp | Ｓａｗデバイス |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19719467C2 (de) * | 1997-05-07 | 1999-08-19 | Siemens Matsushita Components | OFW-Duplexer |
| US6222426B1 (en) * | 1998-06-09 | 2001-04-24 | Oki Electric Industry, Co., Ltd. | Branching filter with a composite circuit of an LC circuit and a serial arm saw resonator |
| JP2000059176A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子 |
| JP4415360B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2010-02-17 | エプソントヨコム株式会社 | 縦結合弾性表面波フィルタ |
| AU779050B2 (en) | 2000-02-02 | 2005-01-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Programmable surface acoustic wave (SAW) filter |
| JP3478264B2 (ja) | 2000-03-10 | 2003-12-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| DE10012129A1 (de) * | 2000-03-13 | 2001-10-11 | Epcos Ag | Duplexer mit verbesserter Unterdrückung von Harmonischen |
| JP2002353775A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | フィルタユニット及び該フィルタユニットを用いたデュプレクサ |
| JP3528049B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2004-05-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
| CN100386005C (zh) * | 2002-01-24 | 2008-04-30 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 印刷电路板及具有屏蔽结构的电子器件和无线通信装置 |
| US6975180B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
| CN100342581C (zh) * | 2003-04-25 | 2007-10-10 | 松下电器产业株式会社 | 天线双工器及其设计方法、制造方法和通信设备 |
| EP1583254B1 (en) * | 2004-03-30 | 2009-06-17 | TDK Corporation | Diplexer and matching circuit |
| WO2008108113A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
| US7821360B2 (en) * | 2008-08-28 | 2010-10-26 | Northrop Grumman Systems Corporation | Multi-channel surface acoustic wave filter device with voltage controlled tunable frequency response |
| JP4816710B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2011-11-16 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
| JP6302394B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2018-03-28 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| US10541713B2 (en) * | 2015-06-29 | 2020-01-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiplexers having hybrid circuits with resonators |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3388475B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 分波器 |
| DE69323163T2 (de) * | 1992-12-01 | 1999-06-02 | Japan Radio Co Ltd | Akustischer Oberflächenwellenfilter und mobiles Kommunikationssystem mit solchem Filter |
| JP3139225B2 (ja) * | 1993-07-08 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP3259459B2 (ja) * | 1993-08-23 | 2002-02-25 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
| JPH08265087A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
| US5632909A (en) * | 1995-06-19 | 1997-05-27 | Motorola, Inc. | Filter |
| DE69614463T2 (de) * | 1995-07-25 | 2002-05-29 | Murata Manufacturing Co | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
-
1998
- 1998-03-17 JP JP06650798A patent/JP3849289B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-07 US US09/056,273 patent/US6057744A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-09 CA CA002234513A patent/CA2234513C/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-10 EP EP98400891A patent/EP0871288B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-10 KR KR1019980012809A patent/KR100280611B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-10 DE DE69841878T patent/DE69841878D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479845B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-01-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7602263B2 (en) | 1998-06-09 | 2009-10-13 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7679472B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-03-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7859362B2 (en) | 1998-06-09 | 2010-12-28 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US7893794B2 (en) | 1998-06-09 | 2011-02-22 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Branching filter package |
| US6693501B2 (en) * | 2001-03-23 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus using filters with overlapped propagation paths and communications unit |
| EP2372910A1 (en) | 2001-03-23 | 2011-10-05 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communications unit |
| US6731185B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
| JP2009526450A (ja) * | 2006-02-06 | 2009-07-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | デュプレクサ |
| JP2010193135A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Epson Toyocom Corp | Ｓａｗデバイス |
| KR100916741B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2009-09-14 | 주식회사 엠티씨 | 하이브리드 필터를 포함하는 전송기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0871288B1 (en) | 2010-09-08 |
| KR19980081296A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100280611B1 (ko) | 2001-02-01 |
| EP0871288A3 (en) | 1999-06-16 |
| EP0871288A2 (en) | 1998-10-14 |
| JP3849289B2 (ja) | 2006-11-22 |
| CA2234513A1 (en) | 1998-10-10 |
| CA2234513C (en) | 2001-02-06 |
| DE69841878D1 (de) | 2010-10-21 |
| US6057744A (en) | 2000-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100434411B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| JP3849289B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US8531252B2 (en) | Antenna duplexer and communication apparatus employing the same | |
| EP0897218A2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| US7515017B2 (en) | Surface acoustic wave device utilizing a terminal routing pattern | |
| US7211925B2 (en) | Surface acoustic wave device and branching filter | |
| JP2003289234A (ja) | 弾性表面波装置、通信装置 | |
| JP3244032B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4541853B2 (ja) | アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ | |
| JP3528049B2 (ja) | 弾性表面波装置、通信装置 | |
| US8106725B2 (en) | Acoustic wave filter device | |
| US6946772B2 (en) | Saw element, saw device and branching filter | |
| JP4053038B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3175581B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09135145A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| KR100697764B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| JPH08181566A (ja) | 弾性表面波フィルタ装置 | |
| WO2003001668A1 (fr) | Dispositif a ondes acoustiques de surface | |
| JP2000341085A (ja) | 平衡型横結合二重モードフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060808 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060821 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |