JP3244032B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP3244032B2 JP3244032B2 JP22590997A JP22590997A JP3244032B2 JP 3244032 B2 JP3244032 B2 JP 3244032B2 JP 22590997 A JP22590997 A JP 22590997A JP 22590997 A JP22590997 A JP 22590997A JP 3244032 B2 JP3244032 B2 JP 3244032B2
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- saw filter
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のＳＡＷフィ
ルタを組み合わせてなる弾性表面波装置に関し、より詳
細には、２つ以上の通過帯域を有するフィルタとして用
いることができ、例えば移動体通信機器等に好適に利用
可能な弾性表面波装置に関する。
ルタを組み合わせてなる弾性表面波装置に関し、より詳
細には、２つ以上の通過帯域を有するフィルタとして用
いることができ、例えば移動体通信機器等に好適に利用
可能な弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器の高機能化が進ん
でおり、例えば、２つ以上の通信システムを持つマルチ
バンド対応の携帯電話が検討されている。このような携
帯電話を実現するには、２つ以上の帯域をカバーし得る
広帯域のバンドパスフィルタが必要となる。しかしなが
ら、２つ以上の帯域をカバーし得る、低損失かつ広帯域
のフィルタを単一の素子で実現することは困難であっ
た。
でおり、例えば、２つ以上の通信システムを持つマルチ
バンド対応の携帯電話が検討されている。このような携
帯電話を実現するには、２つ以上の帯域をカバーし得る
広帯域のバンドパスフィルタが必要となる。しかしなが
ら、２つ以上の帯域をカバーし得る、低損失かつ広帯域
のフィルタを単一の素子で実現することは困難であっ
た。
【０００３】そこで、複数のバンドパスフィルタを組み
合わせて１つの部品とすることにより、２つ以上の帯域
をカバーし得るフィルタ装置を構成することが試みられ
ている。
合わせて１つの部品とすることにより、２つ以上の帯域
をカバーし得るフィルタ装置を構成することが試みられ
ている。
【０００４】例えば、特開平７−６６６７９号公報に
は、複数のバンドパスフィルタを組み合わせてなる分波
器が開示されている。この先行技術に開示されている分
波器の構成を略図的に図１に示す。
は、複数のバンドパスフィルタを組み合わせてなる分波
器が開示されている。この先行技術に開示されている分
波器の構成を略図的に図１に示す。
【０００５】すなわち、入力端ＩＮ1 ，ＩＮ2 に、通過
帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のバンドパス
フィルタ２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあ
る第２のバンドパスフィルタ３とが、それぞれ、接続さ
れている。第１，第２のバンドパスフィルタ２，３の出
力端は、接続点４で接続されている。なお、第１，第２
のバンドパスフィルタ２，３のうち、少なくとも第２の
バンドパスフィルタ３がＳＡＷフィルタにより構成され
ている。
帯域が相対的に高い周波数領域にある第１のバンドパス
フィルタ２と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にあ
る第２のバンドパスフィルタ３とが、それぞれ、接続さ
れている。第１，第２のバンドパスフィルタ２，３の出
力端は、接続点４で接続されている。なお、第１，第２
のバンドパスフィルタ２，３のうち、少なくとも第２の
バンドパスフィルタ３がＳＡＷフィルタにより構成され
ている。
【０００６】ここでは、第２のバンドパスフィルタ３に
少なくとも１個の一端子対ＳＡＷ共振子５が直列接続さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子５の反共振周波数は、
第１のバンドパスフィルタ２の通過帯域内または第１，
第２のバンドパスフィルタ２，３の通過帯域間に位置す
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子５を用いることに
より、通過帯域の異なる第１，第２のバンドパスフィル
タ２，３のうち、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のバンドパスフィルタ３の高域側における減衰
量の拡大が図られるとされている。さらに、第２のバン
ドパスフィルタ３側のインピーダンス整合用外部回路を
簡略化することができるとされている。従って、インピ
ーダンス整合用伝送線路６を、第１のバンドパスフィル
タ２側に設けるだけでよく、第２のバンドパスフィルタ
３側にはインピーダンス整合のための大きな伝送線路を
形成する必要がない。
少なくとも１個の一端子対ＳＡＷ共振子５が直列接続さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子５の反共振周波数は、
第１のバンドパスフィルタ２の通過帯域内または第１，
第２のバンドパスフィルタ２，３の通過帯域間に位置す
る。すなわち、一端子対ＳＡＷ共振子５を用いることに
より、通過帯域の異なる第１，第２のバンドパスフィル
タ２，３のうち、通過帯域が相対的に低い周波数領域に
ある第２のバンドパスフィルタ３の高域側における減衰
量の拡大が図られるとされている。さらに、第２のバン
ドパスフィルタ３側のインピーダンス整合用外部回路を
簡略化することができるとされている。従って、インピ
ーダンス整合用伝送線路６を、第１のバンドパスフィル
タ２側に設けるだけでよく、第２のバンドパスフィルタ
３側にはインピーダンス整合のための大きな伝送線路を
形成する必要がない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記先行技術に記載の
分波器において、第１のバンドパスフィルタ２側に、イ
ンピーダンス整合用の伝送線路６を接続する場合、所望
の電気長の伝送線路を形成するには比較的大きなスペー
スが必要となる。従って、分波器全体のサイズが大きく
なるという問題があった。
分波器において、第１のバンドパスフィルタ２側に、イ
ンピーダンス整合用の伝送線路６を接続する場合、所望
の電気長の伝送線路を形成するには比較的大きなスペー
スが必要となる。従って、分波器全体のサイズが大きく
なるという問題があった。
【０００８】また、小型化及び高機能化のために、ＳＡ
Ｗ装置用パッケージに上記先行技術に記載の構成を内蔵
した場合には、所望の特性インピーダンスを得るには伝
送線路６の幅を極端に細くする必要がある。その結果、
線路長分の抵抗損失により挿入損失が劣化するおそれが
あった。加えて、パッケージの面積または高さが大きく
なり、その点からもコストが増大するという問題もあっ
た。
Ｗ装置用パッケージに上記先行技術に記載の構成を内蔵
した場合には、所望の特性インピーダンスを得るには伝
送線路６の幅を極端に細くする必要がある。その結果、
線路長分の抵抗損失により挿入損失が劣化するおそれが
あった。加えて、パッケージの面積または高さが大きく
なり、その点からもコストが増大するという問題もあっ
た。
【０００９】本発明の目的は、上述した先行技術の欠点
を解消し、２つ以上のバンドパスフィルタを組み合わせ
ることにより２つ以上の帯域をカバーし得るように構成
されている弾性表面波装置であって、インピーダンス整
合のための伝送線路を用いる必要がなく、小型でかつ低
損失であり、さらに安価な弾性表面波装置を提供するこ
とにある。
を解消し、２つ以上のバンドパスフィルタを組み合わせ
ることにより２つ以上の帯域をカバーし得るように構成
されている弾性表面波装置であって、インピーダンス整
合のための伝送線路を用いる必要がなく、小型でかつ低
損失であり、さらに安価な弾性表面波装置を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】未だ公知ではないが、特
願平８−５８０３６号には、異なる通過帯域周波数特性
を有する２つのＳＡＷフィルタの入力または出力を接続
点で接続し、さらに、通過帯域が高い周波数領域にある
ＳＡＷフィルタと接続点との間に、相手方ＳＡＷフィル
タのインピーダンスを高くするための手段として、一端
子対ＳＡＷ共振子及びコンデンサを設けることにより、
挿入損失の低減及びインピーダンス整合用伝送線路の省
略を果たした弾性表面波装置が提案されている。この構
成を、図２を参照して説明する。
願平８−５８０３６号には、異なる通過帯域周波数特性
を有する２つのＳＡＷフィルタの入力または出力を接続
点で接続し、さらに、通過帯域が高い周波数領域にある
ＳＡＷフィルタと接続点との間に、相手方ＳＡＷフィル
タのインピーダンスを高くするための手段として、一端
子対ＳＡＷ共振子及びコンデンサを設けることにより、
挿入損失の低減及びインピーダンス整合用伝送線路の省
略を果たした弾性表面波装置が提案されている。この構
成を、図２を参照して説明する。
【００１１】弾性表面波装置１１では、通過帯域が相対
的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタ１２
と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある第２のＳ
ＡＷフィルタ１３とが用いられている。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３は、出力側の接続点１４で接続
されている。なお、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は入力端を、ＯＵＴ
は出力端を示す。従って、第１，第２のＳＡＷフィルタ
１２，１３は、出力端側の接続点１４と、入力端ＩＮ
1 ，ＩＮ2 との間で並列に接続されている。ここでは、
第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３と接続点１４と
の間に、それぞれ、一端子対ＳＡＷ共振子１５，１６が
直列に接続されている。さらに、一端子対ＳＡＷ共振子
１５と接続点１４との間にコンデンサ１７が直列に接続
されている。なお、１８は、インピーダンス整合用イン
ダクタンスである。
的に高い周波数領域にある第１のＳＡＷフィルタ１２
と、通過帯域が相対的に低い周波数領域にある第２のＳ
ＡＷフィルタ１３とが用いられている。第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３は、出力側の接続点１４で接続
されている。なお、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は入力端を、ＯＵＴ
は出力端を示す。従って、第１，第２のＳＡＷフィルタ
１２，１３は、出力端側の接続点１４と、入力端ＩＮ
1 ，ＩＮ2 との間で並列に接続されている。ここでは、
第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３と接続点１４と
の間に、それぞれ、一端子対ＳＡＷ共振子１５，１６が
直列に接続されている。さらに、一端子対ＳＡＷ共振子
１５と接続点１４との間にコンデンサ１７が直列に接続
されている。なお、１８は、インピーダンス整合用イン
ダクタンスである。
【００１２】上記一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデ
ンサ１７は、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側端子に
おいて、相手方フィルタすなわち第２のＳＡＷフィルタ
１３のインピーダンスを高くするための手段として設け
られており、該一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデン
サ１７により、第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３
の挿入損失の劣化が抑制され、第１のＳＡＷフィルタ１
２において通過帯域よりも高周波数側における減衰量の
拡大が図られるとされている。さらに、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３、一端子対ＳＡＷ共振子１５，
１６及びコンデンサ１７を単一の圧電基板上に構成する
ことにより、小型化及び低コスト化を進めることが可能
であるとされている。
ンサ１７は、第１のＳＡＷフィルタ１２の出力側端子に
おいて、相手方フィルタすなわち第２のＳＡＷフィルタ
１３のインピーダンスを高くするための手段として設け
られており、該一端子対ＳＡＷ共振子１５及びコンデン
サ１７により、第１，第２のＳＡＷフィルタ１２，１３
の挿入損失の劣化が抑制され、第１のＳＡＷフィルタ１
２において通過帯域よりも高周波数側における減衰量の
拡大が図られるとされている。さらに、第１，第２のＳ
ＡＷフィルタ１２，１３、一端子対ＳＡＷ共振子１５，
１６及びコンデンサ１７を単一の圧電基板上に構成する
ことにより、小型化及び低コスト化を進めることが可能
であるとされている。
【００１３】しかしながら、コンデンサ１７を、例え
ば、インターデジタル電極構造により圧電基板上に構成
した場合、上記作用を果たすための十分な静電容量を得
るには、大きな面積を必要とし、圧電基板のサイズが大
きくならざるを得なかった。加えて、同一圧電基板上の
他のＳＡＷフィルタ１３などへの影響がないように、コ
ンデンサ１７を構成しなければならないため、チップ上
における各素子の配置が複雑になるという問題もあっ
た。従って、インピーダンス整合用の伝送線路を用いる
必要はないものの、やはり、弾性表面波装置のチップサ
イズの低減には限界があった。
ば、インターデジタル電極構造により圧電基板上に構成
した場合、上記作用を果たすための十分な静電容量を得
るには、大きな面積を必要とし、圧電基板のサイズが大
きくならざるを得なかった。加えて、同一圧電基板上の
他のＳＡＷフィルタ１３などへの影響がないように、コ
ンデンサ１７を構成しなければならないため、チップ上
における各素子の配置が複雑になるという問題もあっ
た。従って、インピーダンス整合用の伝送線路を用いる
必要はないものの、やはり、弾性表面波装置のチップサ
イズの低減には限界があった。
【００１４】また、相手方のＳＡＷフィルタ、すなわち
第２のＳＡＷフィルタ１３の損失の劣化をより低減する
ために、コンデンサ１７の静電容量を小さくした場合に
は、通過帯域におけるＶＳＷＲが劣化するという問題も
あった。
第２のＳＡＷフィルタ１３の損失の劣化をより低減する
ために、コンデンサ１７の静電容量を小さくした場合に
は、通過帯域におけるＶＳＷＲが劣化するという問題も
あった。
【００１５】加えて、例えば、８００ＭＨｚと１．５Ｇ
Ｈｚ以上の通過帯域の組み合わせのように、互いの周波
数比が大きく異なる場合には、相対的に周波数の低いＳ
ＡＷフィルタ側では、相手側（周波数の高いＳＡＷフィ
ルタ側）の通過帯域におけるインピーダンスが低く、か
つ反射係数が小さいため、インピーダンスを十分に高く
することが困難であった。加えて、上記コンデンサ１７
は周波数特性が十分でないため、上記のように互いの周
波数比が大きく異なる場合には、コンデンサ１７を用い
た場合十分な特性を得ることが困難であった。
Ｈｚ以上の通過帯域の組み合わせのように、互いの周波
数比が大きく異なる場合には、相対的に周波数の低いＳ
ＡＷフィルタ側では、相手側（周波数の高いＳＡＷフィ
ルタ側）の通過帯域におけるインピーダンスが低く、か
つ反射係数が小さいため、インピーダンスを十分に高く
することが困難であった。加えて、上記コンデンサ１７
は周波数特性が十分でないため、上記のように互いの周
波数比が大きく異なる場合には、コンデンサ１７を用い
た場合十分な特性を得ることが困難であった。
【００１６】本願発明者は、上記未だ公知ではない弾性
表面波装置の問題点に鑑み、より一層小型に構成するこ
とができ、低損失であり、かつ通過帯域におけるＶＳＷ
Ｒなどの特性の劣化が生じ難い弾性表面波装置について
鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
表面波装置の問題点に鑑み、より一層小型に構成するこ
とができ、低損失であり、かつ通過帯域におけるＶＳＷ
Ｒなどの特性の劣化が生じ難い弾性表面波装置について
鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
【００１７】すなわち、請求項１に記載の発明は、第
１，第２のＳＡＷフィルタを入力端または出力端の接続
点において並列接続をした構成を備える弾性表面波装置
であって、第２のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるイ
ンピーダンスが容量性であり、通過帯域が相対的に高
い、第１のＳＡＷフィルタと、第１のＳＡＷフィルタの
通過帯域におけるインピーダンスが容量性であり、通過
帯域が相対的に低く、かつ第１のＳＡＷフィルタの入力
端または出力端の接続点において並列接続されている第
２のＳＡＷフィルタとを備え、前記第１のＳＡＷフィル
タの並列接続されている側の端部の第１のＳＡＷフィル
タの通過帯域におけるインピーダンスが、並列接続前に
は、その抵抗分が系の特性インピーダンスＺ0に対し
１．２Ｚ0より高く、かつ前記第２のＳＡＷフィルタの
並列接続されている側の端部の第２のＳＡＷフィルタの
通過帯域におけるインピーダンスよりも高いことを特徴
とする。
１，第２のＳＡＷフィルタを入力端または出力端の接続
点において並列接続をした構成を備える弾性表面波装置
であって、第２のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるイ
ンピーダンスが容量性であり、通過帯域が相対的に高
い、第１のＳＡＷフィルタと、第１のＳＡＷフィルタの
通過帯域におけるインピーダンスが容量性であり、通過
帯域が相対的に低く、かつ第１のＳＡＷフィルタの入力
端または出力端の接続点において並列接続されている第
２のＳＡＷフィルタとを備え、前記第１のＳＡＷフィル
タの並列接続されている側の端部の第１のＳＡＷフィル
タの通過帯域におけるインピーダンスが、並列接続前に
は、その抵抗分が系の特性インピーダンスＺ0に対し
１．２Ｚ0より高く、かつ前記第２のＳＡＷフィルタの
並列接続されている側の端部の第２のＳＡＷフィルタの
通過帯域におけるインピーダンスよりも高いことを特徴
とする。
【００１８】請求項２に記載の発明は、前記第１，第２
のＳＡＷフィルタが、それぞれ、少なくとも２個のイン
ターデジタルトランスデューサを有する縦結合型共振子
フィルタであり、前記第１のＳＡＷフィルタと、前記接
続点との間に直列に接続されており、かつ反共振周波数
が第１のＳＡＷフィルタの通過帯域外となるように構成
されている少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振
子と、前記第２のＳＡＷフィルタと、前記接続点との間
に直列接続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域外となるように構成されている少
なくとも１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子とをさらに
備えることを特徴とする。
のＳＡＷフィルタが、それぞれ、少なくとも２個のイン
ターデジタルトランスデューサを有する縦結合型共振子
フィルタであり、前記第１のＳＡＷフィルタと、前記接
続点との間に直列に接続されており、かつ反共振周波数
が第１のＳＡＷフィルタの通過帯域外となるように構成
されている少なくとも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振
子と、前記第２のＳＡＷフィルタと、前記接続点との間
に直列接続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域外となるように構成されている少
なくとも１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子とをさらに
備えることを特徴とする。
【００１９】請求項３に記載の発明では、前記第１及び
／または第２の一端子対ＳＡＷ共振子が複数段直列接続
されており、複数段の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少
なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジタ
ルトランスデューサの波長が、該複数段の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子の残りの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジ
タルトランスデューサの波長と異なることを特徴とす
る。
／または第２の一端子対ＳＡＷ共振子が複数段直列接続
されており、複数段の一端子対ＳＡＷ共振子のうち、少
なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジタ
ルトランスデューサの波長が、該複数段の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子の残りの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジ
タルトランスデューサの波長と異なることを特徴とす
る。
【００２０】好ましくは、請求項４に記載のように、第
１，第２のＳＡＷフィルタ、第１，第２の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子は、同一圧電基板に構成され、それによって、
より一層の小型化が図られる。
１，第２のＳＡＷフィルタ、第１，第２の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子は、同一圧電基板に構成され、それによって、
より一層の小型化が図られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
一実施例に係る弾性表面波装置を説明する。図３は、本
発明の一実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示す
図である。弾性表面波装置２１は、通過帯域が異なる第
１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を有する。第１の
ＳＡＷフィルタ２２は、通過帯域が相対的に高く、第２
のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域が相対的に低くされて
いる。第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３の出力側
が、接続点２４により接続されて、第１，第２のＳＡＷ
フィルタ２２，２３が出力側で並列接続されている。な
お、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は、それぞれ入力端子を、ＯＵＴは
出力端子を示す。
一実施例に係る弾性表面波装置を説明する。図３は、本
発明の一実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示す
図である。弾性表面波装置２１は、通過帯域が異なる第
１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を有する。第１の
ＳＡＷフィルタ２２は、通過帯域が相対的に高く、第２
のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域が相対的に低くされて
いる。第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３の出力側
が、接続点２４により接続されて、第１，第２のＳＡＷ
フィルタ２２，２３が出力側で並列接続されている。な
お、ＩＮ1 ，ＩＮ2 は、それぞれ入力端子を、ＯＵＴは
出力端子を示す。
【００２２】また、第１のＳＡＷフィルタ２２と接続点
２４との間には、第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５が接
続されている。他方、第２のＳＡＷフィルタ２３と接続
点２４との間には、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，
２７が直列接続されている。
２４との間には、第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５が接
続されている。他方、第２のＳＡＷフィルタ２３と接続
点２４との間には、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，
２７が直列接続されている。
【００２３】図４は、本発明の上記実施例に係る弾性表
面波装置２１の具体的な構成を示す模式的平面図であ
り、図５は、該弾性表面波装置をパッケージ内に収納し
てなる構造を示す断面図である。
面波装置２１の具体的な構成を示す模式的平面図であ
り、図５は、該弾性表面波装置をパッケージ内に収納し
てなる構造を示す断面図である。
【００２４】図４から明らかなように、弾性表面波装置
２１は、矩形の圧電基板３１を用いて構成されている。
圧電基板３１は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックス
などの圧電セラミックス、あるいは水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶により構成するこ
とができ、本発明では、４１°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3 基
板が用いられている。
２１は、矩形の圧電基板３１を用いて構成されている。
圧電基板３１は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックス
などの圧電セラミックス、あるいは水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶により構成するこ
とができ、本発明では、４１°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3 基
板が用いられている。
【００２５】圧電基板３１上には、入力端子ＩＮ1 ，Ｉ
Ｎ2 が導電膜を形成することにより構成されている。入
力端子ＩＮ1 には、第１のＳＡＷフィルタ２２が接続さ
れている。ＳＡＷフィルタ２２は、３個のＩＤＴ２２ａ
〜２２ｃを有する縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタであ
る。外側のＩＤＴ２２ａ，２２ｃの一方のくし歯電極が
接続点３２により共通接続され、かつ入力端子ＩＮ1 に
接続されている。ＩＤＴ２２ａ，２２ｃの他方のくし歯
電極は、アース端子電極３３ａ，３３ｂに接続されてい
る。アース端子電極３３ａ，３３ｂは、図示してないボ
ンディングワイア等によりアース電位に接続される。
Ｎ2 が導電膜を形成することにより構成されている。入
力端子ＩＮ1 には、第１のＳＡＷフィルタ２２が接続さ
れている。ＳＡＷフィルタ２２は、３個のＩＤＴ２２ａ
〜２２ｃを有する縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタであ
る。外側のＩＤＴ２２ａ，２２ｃの一方のくし歯電極が
接続点３２により共通接続され、かつ入力端子ＩＮ1 に
接続されている。ＩＤＴ２２ａ，２２ｃの他方のくし歯
電極は、アース端子電極３３ａ，３３ｂに接続されてい
る。アース端子電極３３ａ，３３ｂは、図示してないボ
ンディングワイア等によりアース電位に接続される。
【００２６】中央のＩＤＴ２２ｂの一方のくし歯電極
も、アース端子電極３３ｃに電気的に接続されている。
ＩＤＴ２２ｂの他方のくし歯電極は、第１の一端子対Ｓ
ＡＷ共振子２５に接続されている。
も、アース端子電極３３ｃに電気的に接続されている。
ＩＤＴ２２ｂの他方のくし歯電極は、第１の一端子対Ｓ
ＡＷ共振子２５に接続されている。
【００２７】また、ＩＤＴ２２ａ〜２２ｃが設けられて
いる領域の表面波伝搬方向両側には、反射器２２ｄ，２
２ｅが形成されている。他方、入力端子ＩＮ2 には、第
２のＳＡＷフィルタ２３が接続されている。第２のＳＡ
Ｗフィルタ２３は、３個のＩＤＴ２３ａ〜２３ｃを有す
る縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタである。外側のＩＤＴ
２３ａ，２３ｃの一方のくし歯電極が入力端子ＩＮ2 に
接続されている。ＩＤＴ２３ａ，２３ｃの他方のくし歯
電極は、アース端子電極３４ａ，３４ｂに接続されてい
る。ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極もアース端子電極
３４ｃに接続されている。ＩＤＴ２３ｂの他方のくし歯
電極は、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６に接続されて
いる。
いる領域の表面波伝搬方向両側には、反射器２２ｄ，２
２ｅが形成されている。他方、入力端子ＩＮ2 には、第
２のＳＡＷフィルタ２３が接続されている。第２のＳＡ
Ｗフィルタ２３は、３個のＩＤＴ２３ａ〜２３ｃを有す
る縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタである。外側のＩＤＴ
２３ａ，２３ｃの一方のくし歯電極が入力端子ＩＮ2 に
接続されている。ＩＤＴ２３ａ，２３ｃの他方のくし歯
電極は、アース端子電極３４ａ，３４ｂに接続されてい
る。ＩＤＴ２３ｂの一方のくし歯電極もアース端子電極
３４ｃに接続されている。ＩＤＴ２３ｂの他方のくし歯
電極は、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６に接続されて
いる。
【００２８】ＩＤＴ２３ａ〜２３ｃの設けられている領
域の表面波伝搬方向両側には、反射器２３ｄ，２３ｅが
形成されている。第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６の一
端は、上記のように第２のＳＡＷフィルタ２３に接続さ
れているが、他端は第２の一端子対ＳＡＷ共振子２７に
接続されている。第２の一端子対ＳＡＷ共振子２７は、
その他端が接続点２４に接続されている。同様に、第１
の一端子対ＳＡＷ共振子フィルタ２５の他端も接続点２
４に接続されている。すなわち、第１，第２のＳＡＷフ
ィルタ２２，２３は、その出力側が接続点２４に接続さ
れて並列接続されている。接続点２４は、出力端子ＯＵ
Ｔに電気的に接続されている。
域の表面波伝搬方向両側には、反射器２３ｄ，２３ｅが
形成されている。第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６の一
端は、上記のように第２のＳＡＷフィルタ２３に接続さ
れているが、他端は第２の一端子対ＳＡＷ共振子２７に
接続されている。第２の一端子対ＳＡＷ共振子２７は、
その他端が接続点２４に接続されている。同様に、第１
の一端子対ＳＡＷ共振子フィルタ２５の他端も接続点２
４に接続されている。すなわち、第１，第２のＳＡＷフ
ィルタ２２，２３は、その出力側が接続点２４に接続さ
れて並列接続されている。接続点２４は、出力端子ＯＵ
Ｔに電気的に接続されている。
【００２９】なお、一端子対ＳＡＷ共振子２５，２６，
２７は、何れも、１つのＩＤＴ２５ａ，２６ａ，２７ａ
の表面波伝搬方向両側に反射器２５ｂ，２５ｃ〜２７
ｂ，２７ｃを配置した構造を有する。
２７は、何れも、１つのＩＤＴ２５ａ，２６ａ，２７ａ
の表面波伝搬方向両側に反射器２５ｂ，２５ｃ〜２７
ｂ，２７ｃを配置した構造を有する。
【００３０】一端子対ＳＡＷ共振子２５において、反射
器２５ｄ，２５ｅは必ずしも設けられずともよい。ま
た、一端子対ＳＡＷ共振子２６において、反射器２６
ｄ，２６ｅは必ずしも設けられずともよく、反射器２７
ｄ，２７ｅについても、必ずしも設けられずともよく、
反射器２７ｄ，２７ｅを設ける場合、その電極指の本数
は少ない方が望ましい。
器２５ｄ，２５ｅは必ずしも設けられずともよい。ま
た、一端子対ＳＡＷ共振子２６において、反射器２６
ｄ，２６ｅは必ずしも設けられずともよく、反射器２７
ｄ，２７ｅについても、必ずしも設けられずともよく、
反射器２７ｄ，２７ｅを設ける場合、その電極指の本数
は少ない方が望ましい。
【００３１】さらに、第１，第２のＳＡＷフィルタ２
２，２３における、両側の反射器２２ｄ，２２ｅ，２３
ｄ，２３ｅについても、必ずしも設けられずともよい。
上記圧電基板３１上に形成された第１，第２のＳＡＷフ
ィルタ２２，２３及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共振
子２５〜２７、入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 及び出力端子Ｏ
ＵＴは、何れも、圧電基板３１上に、Ａｌなどの導電性
材料を付与し、パターニングすることにより形成されて
いる。
２，２３における、両側の反射器２２ｄ，２２ｅ，２３
ｄ，２３ｅについても、必ずしも設けられずともよい。
上記圧電基板３１上に形成された第１，第２のＳＡＷフ
ィルタ２２，２３及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共振
子２５〜２７、入力端子ＩＮ1 ，ＩＮ2 及び出力端子Ｏ
ＵＴは、何れも、圧電基板３１上に、Ａｌなどの導電性
材料を付与し、パターニングすることにより形成されて
いる。
【００３２】このように、単一の圧電基板３１上に上述
した各素子を構成することにより、複数の通過帯域を有
する弾性表面波装置２１の小型化を容易に図ることがで
きる。また、上記各電極は、Ａｌなどの導電性材料を圧
電基板３１上においてパターニングすることにより同時
に形成することができるため、製造工程が煩雑化するこ
ともない。
した各素子を構成することにより、複数の通過帯域を有
する弾性表面波装置２１の小型化を容易に図ることがで
きる。また、上記各電極は、Ａｌなどの導電性材料を圧
電基板３１上においてパターニングすることにより同時
に形成することができるため、製造工程が煩雑化するこ
ともない。
【００３３】上記弾性表面波装置２１は、例えば、図５
に示すように、通常の弾性表面波フィルタと同様にパッ
ケージに内蔵させることができる。すなわち、図５に示
す弾性表面波装置３５には、絶縁性セラミックスよりな
るパッケージ３６内に弾性表面波装置２１が収納されて
いる。パッケージ３６は、絶縁性セラミックスよりなる
セラミック基板３６ａ上に矩形枠状の枠材３６ｂ，３６
ｃを積層してなるパッケージ本体３６ｄを有する。
に示すように、通常の弾性表面波フィルタと同様にパッ
ケージに内蔵させることができる。すなわち、図５に示
す弾性表面波装置３５には、絶縁性セラミックスよりな
るパッケージ３６内に弾性表面波装置２１が収納されて
いる。パッケージ３６は、絶縁性セラミックスよりなる
セラミック基板３６ａ上に矩形枠状の枠材３６ｂ，３６
ｃを積層してなるパッケージ本体３６ｄを有する。
【００３４】パッケージ本体３６ｄの開口３６ｅ内に、
弾性表面波装置２１が配置され、かつセラミック基板３
６ａに固定されている。弾性表面波装置の入力端子、出
力端子及びアース端子は、適宜、ボンディングワイア３
７ａ，３７ｂなどにより、パッケージ本体３６ｄに形成
されている外部との接続のための電極（図示せず）に電
気的に接続される。なお、開口３６ｅは、金属よりなる
蓋材３８により閉成されている。
弾性表面波装置２１が配置され、かつセラミック基板３
６ａに固定されている。弾性表面波装置の入力端子、出
力端子及びアース端子は、適宜、ボンディングワイア３
７ａ，３７ｂなどにより、パッケージ本体３６ｄに形成
されている外部との接続のための電極（図示せず）に電
気的に接続される。なお、開口３６ｅは、金属よりなる
蓋材３８により閉成されている。
【００３５】図５から明らかなように、本発明の弾性表
面波装置３５は、従来から慣用されている弾性表面波装
置をパッケージするためのパッケージ３６を用いて、通
常の弾性表面波装置と同様にパッケージ内蔵型で主部品
として提供することができる。
面波装置３５は、従来から慣用されている弾性表面波装
置をパッケージするためのパッケージ３６を用いて、通
常の弾性表面波装置と同様にパッケージ内蔵型で主部品
として提供することができる。
【００３６】次に、本発明の弾性表面波装置２１におい
て、良好なフィルタ特性の得られることを具体的な実施
例に基づき説明する。本発明において、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域は、１８９５〜１９２５ＭＨｚで
あり、この第１のＳＡＷフィルタ２２自体の通過帯域内
外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を図６に示す。な
お、図６及び以下の図１０，１２，１４及び１６におい
ては、実線で示した周波数減衰量曲線の要部を破線で拡
大して示すこととする。また、図７（ａ）及び（ｂ）
は、第１のＳＡＷフィルタ２２の、それぞれ、入力側及
び出力側におけるインピーダンススミスチャートを示
す。
て、良好なフィルタ特性の得られることを具体的な実施
例に基づき説明する。本発明において、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の通過帯域は、１８９５〜１９２５ＭＨｚで
あり、この第１のＳＡＷフィルタ２２自体の通過帯域内
外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を図６に示す。な
お、図６及び以下の図１０，１２，１４及び１６におい
ては、実線で示した周波数減衰量曲線の要部を破線で拡
大して示すこととする。また、図７（ａ）及び（ｂ）
は、第１のＳＡＷフィルタ２２の、それぞれ、入力側及
び出力側におけるインピーダンススミスチャートを示
す。
【００３７】図７（ｂ）において、すなわち第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２の並列接続側となる出力側においては、
通過帯域のインピーダンスの抵抗分が６０Ωよりも十分
高い。そのため、第１のＳＡＷフィルタ２２単独では、
ＶＳＷＲも３以上と大きく、ミスマッチングによる損失
は大きい。
Ｗフィルタ２２の並列接続側となる出力側においては、
通過帯域のインピーダンスの抵抗分が６０Ωよりも十分
高い。そのため、第１のＳＡＷフィルタ２２単独では、
ＶＳＷＲも３以上と大きく、ミスマッチングによる損失
は大きい。
【００３８】他方、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯
域は、９２５〜９５８ＭＨｚとされており、この第２の
ＳＡＷフィルタ２３単独の通過帯域内外の入力側及び出
力側のインピーダンススミスチャートを、それぞれ、図
８（ａ）及び（ｂ）に示す。
域は、９２５〜９５８ＭＨｚとされており、この第２の
ＳＡＷフィルタ２３単独の通過帯域内外の入力側及び出
力側のインピーダンススミスチャートを、それぞれ、図
８（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００３９】図８（ｂ）から明らかなように、並列接続
側すなわち出力側における、通過帯域のインピーダンス
の抵抗分は、系の特性インピーダンスＺ0 ＝５０Ωとし
た場合、５０Ω付近となっていることがわかる。
側すなわち出力側における、通過帯域のインピーダンス
の抵抗分は、系の特性インピーダンスＺ0 ＝５０Ωとし
た場合、５０Ω付近となっていることがわかる。
【００４０】また、第１のＳＡＷフィルタの第２のＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域（９２５〜９５８ＭＨｚ）におけ
るインピーダンスに対し、第２のＳＡＷフィルタ２３の
第１のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域（１８９５〜１９
２５ＭＨｚ）におけるインピーダンスが低く、その反射
係数も０．８５程度となっている。
Ｗフィルタの通過帯域（９２５〜９５８ＭＨｚ）におけ
るインピーダンスに対し、第２のＳＡＷフィルタ２３の
第１のＳＡＷフィルタ２２の通過帯域（１８９５〜１９
２５ＭＨｚ）におけるインピーダンスが低く、その反射
係数も０．８５程度となっている。
【００４１】他方、図３に戻り、第１の一端子対ＳＡＷ
共振子２５は、その反共振周波数が、第１のＳＡＷフィ
ルタ２２の通過帯域外であり、かつ該通過帯域よりも高
周波数側となるように第１のＳＡＷフィルタ２２に直列
接続されている。この第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５
を第１のＳＡＷフィルタ２２の出力側に直列接続したと
きの通過帯域外の入力側及び出力側のインピーダンスス
ミスチャートを、それぞれ、図９（ａ）及び（ｂ）に示
す。
共振子２５は、その反共振周波数が、第１のＳＡＷフィ
ルタ２２の通過帯域外であり、かつ該通過帯域よりも高
周波数側となるように第１のＳＡＷフィルタ２２に直列
接続されている。この第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５
を第１のＳＡＷフィルタ２２の出力側に直列接続したと
きの通過帯域外の入力側及び出力側のインピーダンスス
ミスチャートを、それぞれ、図９（ａ）及び（ｂ）に示
す。
【００４２】図９（ｂ）と、図７（ｂ）とを比較すれば
明らかなように、図９（ｂ）では、一端子対ＳＡＷ共振
子２５を直列接続したことにより、インピーダンスが全
体に高くなっていることがわかる。
明らかなように、図９（ｂ）では、一端子対ＳＡＷ共振
子２５を直列接続したことにより、インピーダンスが全
体に高くなっていることがわかる。
【００４３】他方、図３において、第２の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２６，２７は、第２のＳＡＷフィルタ２３と接
続点２４との間に直列に挿入されているが、この第２の
一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７は、その反共振周波数
が、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域外となるよう
に直列接続されている。
Ｗ共振子２６，２７は、第２のＳＡＷフィルタ２３と接
続点２４との間に直列に挿入されているが、この第２の
一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７は、その反共振周波数
が、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過帯域外となるよう
に直列接続されている。
【００４４】図１０は、本実施例の弾性表面波装置２１
における、すなわち図３の回路図に示されているように
接続されている場合の、第１のＳＡＷフィルタ２２側に
おける通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性
を示し、図１１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、その入
力側及び出力側のインピーダンススミスチャートを示
す。ここで、並列接続点２４とアース電位との間には、
１２ｎＨのインピーダンス整合用インダクタンス素子２
８が接続されている。また、第２のＳＡＷフィルタ２３
の入力側は５０Ωで終端されている。
における、すなわち図３の回路図に示されているように
接続されている場合の、第１のＳＡＷフィルタ２２側に
おける通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性
を示し、図１１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、その入
力側及び出力側のインピーダンススミスチャートを示
す。ここで、並列接続点２４とアース電位との間には、
１２ｎＨのインピーダンス整合用インダクタンス素子２
８が接続されている。また、第２のＳＡＷフィルタ２３
の入力側は５０Ωで終端されている。
【００４５】第２のＳＡＷフィルタ２３が並列接続され
ており、かつ上記インダクタンスが接続されていること
により、図１０に示されているように、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の接続点２４における通過帯域内ＶＳＷＲが
１．２以下となり、ミスマッチングにより損失が小さく
なっていることがわかる。
ており、かつ上記インダクタンスが接続されていること
により、図１０に示されているように、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２の接続点２４における通過帯域内ＶＳＷＲが
１．２以下となり、ミスマッチングにより損失が小さく
なっていることがわかる。
【００４６】図１２は、本実施例の弾性表面波装置２１
における、すなわち図３に示した回路図に従って接続さ
れている場合の、第２のＳＡＷフィルタ２３側における
通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示
し、図１３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、その入力側
及び出力側のインピーダンススミスチャートを示す。こ
こで、接続点２４とアース電位との間には、第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２と共通の１２ｎＨのインピーダンス整合
用インダクタンス素子２８が用いられている。また、第
１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ωで終端されて
いる。
における、すなわち図３に示した回路図に従って接続さ
れている場合の、第２のＳＡＷフィルタ２３側における
通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示
し、図１３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、その入力側
及び出力側のインピーダンススミスチャートを示す。こ
こで、接続点２４とアース電位との間には、第１のＳＡ
Ｗフィルタ２２と共通の１２ｎＨのインピーダンス整合
用インダクタンス素子２８が用いられている。また、第
１のＳＡＷフィルタ２２の入力側は５０Ωで終端されて
いる。
【００４７】図１２において、第２のＳＡＷフィルタ２
３の接続点２４における通過帯域内ＶＳＷＲが２以下と
小さくなっていることがわかる。他方、図１４は、第１
のＳＡＷフィルタ２２の並列接続前において、通過帯域
のインピーダンスが５０Ωに近いときの通過帯域内外の
周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性であり、図１５（ａ）
及び（ｂ）はその入力側及び出力側のインピーダンスス
ミスチャートをそれぞれ示す。
３の接続点２４における通過帯域内ＶＳＷＲが２以下と
小さくなっていることがわかる。他方、図１４は、第１
のＳＡＷフィルタ２２の並列接続前において、通過帯域
のインピーダンスが５０Ωに近いときの通過帯域内外の
周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性であり、図１５（ａ）
及び（ｂ）はその入力側及び出力側のインピーダンスス
ミスチャートをそれぞれ示す。
【００４８】図１５（ｂ）から明らかなように、第１の
ＳＡＷフィルタ２２の通過帯域インピーダンスは、図８
（ｂ）に示されている通過帯域のインピーダンスよりも
低いことがわかる。このとき、第１のＳＡＷフィルタ２
２単体では、ＶＳＷＲが１．４以下で、通過帯域の損失
も小さいことがわかる。この第１のＳＡＷフィルタ２２
を用い、図３に示した回路図に示したように接続した場
合の通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を
図１６に示す。ここで、並列接続点２４とアース電位と
の間には１２ｎＨのインピーダンス整合用インダクタン
ス素子２８が用いられている。また、第２のＳＡＷフィ
ルタ２３の入力側は５０Ωで終端されている。
ＳＡＷフィルタ２２の通過帯域インピーダンスは、図８
（ｂ）に示されている通過帯域のインピーダンスよりも
低いことがわかる。このとき、第１のＳＡＷフィルタ２
２単体では、ＶＳＷＲが１．４以下で、通過帯域の損失
も小さいことがわかる。この第１のＳＡＷフィルタ２２
を用い、図３に示した回路図に示したように接続した場
合の通過帯域内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を
図１６に示す。ここで、並列接続点２４とアース電位と
の間には１２ｎＨのインピーダンス整合用インダクタン
ス素子２８が用いられている。また、第２のＳＡＷフィ
ルタ２３の入力側は５０Ωで終端されている。
【００４９】図１０に示した周波数振幅特性に比べ、図
１６に示した周波数振幅特性では、通過帯域内ＶＳＷＲ
が２よりも大きく、損失も大きいことが明らかである。
図１７（ａ）及び（ｂ）は、図１６に示した場合の入力
側及び出力側のインピーダンススミスチャートをそれぞ
れ示す。図１７（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、
共通接続端子側において、その抵抗分が５０Ωよりも低
く、かつ誘導性にずれている。この誘導性へのずれを補
正するには、整合用インダクタンス値を大きくすればよ
いが、逆に第２のＳＡＷフィルタ２３においてＶＳＷＲ
が大きくなり、損失が増加することになる。
１６に示した周波数振幅特性では、通過帯域内ＶＳＷＲ
が２よりも大きく、損失も大きいことが明らかである。
図１７（ａ）及び（ｂ）は、図１６に示した場合の入力
側及び出力側のインピーダンススミスチャートをそれぞ
れ示す。図１７（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、
共通接続端子側において、その抵抗分が５０Ωよりも低
く、かつ誘導性にずれている。この誘導性へのずれを補
正するには、整合用インダクタンス値を大きくすればよ
いが、逆に第２のＳＡＷフィルタ２３においてＶＳＷＲ
が大きくなり、損失が増加することになる。
【００５０】従って、上記実施例から明らかなように、
第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を並列接続点２
４で接続してなる弾性表面波装置において、相手側の通
過帯域のインピーダンスが相対的に高い第１のＳＡＷフ
ィルタ２２と相手側の通過帯域のインピーダンスが相対
的に低い第２のＳＡＷフィルタ２３のそれぞれの出力側
を並列接続するに際し、第１のＳＡＷフィルタ２２の通
過帯域のインピーダンスを第２のＳＡＷフィルタ２３の
通過帯域のインピーダンスよりも高くすることにより、
２つのＳＡＷフィルタ２２，２３の接続点２４における
双方の通過帯域のインピーダンスが近づけられ、外部マ
ッチング素子を用いたインピーダンスマッチングを容易
に図り得ることがわかる。
第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を並列接続点２
４で接続してなる弾性表面波装置において、相手側の通
過帯域のインピーダンスが相対的に高い第１のＳＡＷフ
ィルタ２２と相手側の通過帯域のインピーダンスが相対
的に低い第２のＳＡＷフィルタ２３のそれぞれの出力側
を並列接続するに際し、第１のＳＡＷフィルタ２２の通
過帯域のインピーダンスを第２のＳＡＷフィルタ２３の
通過帯域のインピーダンスよりも高くすることにより、
２つのＳＡＷフィルタ２２，２３の接続点２４における
双方の通過帯域のインピーダンスが近づけられ、外部マ
ッチング素子を用いたインピーダンスマッチングを容易
に図り得ることがわかる。
【００５１】さらに、第１のＳＡＷフィルタ２２におい
て、通過帯域のインピーダンスの抵抗分を６０Ωよりも
高く設定しているため、すなわち、系のインピーダンス
をＺ 0 とした場合に、１．２Ｚ0 よりも高く設定してい
るため、第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を並列
接続した際に第２のＳＡＷフィルタ２３のコンダクタン
ス分が加わったとしても、コンダクタンスが０．０２ｍ
Ｓより大きくならないため、並列または直列にインダク
タンスを１個接続するだけでインピーダンスマッチング
を図ることができる。
て、通過帯域のインピーダンスの抵抗分を６０Ωよりも
高く設定しているため、すなわち、系のインピーダンス
をＺ 0 とした場合に、１．２Ｚ0 よりも高く設定してい
るため、第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，２３を並列
接続した際に第２のＳＡＷフィルタ２３のコンダクタン
ス分が加わったとしても、コンダクタンスが０．０２ｍ
Ｓより大きくならないため、並列または直列にインダク
タンスを１個接続するだけでインピーダンスマッチング
を図ることができる。
【００５２】なお、第１，第２のＳＡＷフィルタ２２，
２３は、出力側でなく、入力側で並列接続されていても
よい。さらに、本実施例では、上記第１の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２５が、第１のＳＡＷフィルタ２２と接続点２
４との間に直列に接続されているので、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２において、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過
帯域におけるインピーダンスを高くすることができ、第
２のＳＡＷフィルタ２３の劣化を抑制することができ
る。
２３は、出力側でなく、入力側で並列接続されていても
よい。さらに、本実施例では、上記第１の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子２５が、第１のＳＡＷフィルタ２２と接続点２
４との間に直列に接続されているので、第１のＳＡＷフ
ィルタ２２において、第２のＳＡＷフィルタ２３の通過
帯域におけるインピーダンスを高くすることができ、第
２のＳＡＷフィルタ２３の劣化を抑制することができ
る。
【００５３】同様に、第２のＳＡＷフィルタ２３と並列
接続点２４との間に第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，
２７が接続されているので、第１のＳＡＷフィルタ２２
の劣化を抑制することができる。しかも、第２の一端子
対ＳＡＷ共振子２６，２７においては、共振周波数が異
ならされているため、第１のＳＡＷフィルタ２２の通過
帯域におけるリップルを効果的に低減することができ、
高範囲で減衰量を改善することができる。
接続点２４との間に第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，
２７が接続されているので、第１のＳＡＷフィルタ２２
の劣化を抑制することができる。しかも、第２の一端子
対ＳＡＷ共振子２６，２７においては、共振周波数が異
ならされているため、第１のＳＡＷフィルタ２２の通過
帯域におけるリップルを効果的に低減することができ、
高範囲で減衰量を改善することができる。
【００５４】もっとも、第１，第２の一端子対ＳＡＷ共
振子２５，２６，２７は、必ずしも設けられずともよ
い。また、第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５について
も、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７のように複
数段構成としてもよく、その場合においても、一端子対
ＳＡＷ共振子の周波数を異ならせることにより、第２の
ＳＡＷフィルタ２３の通過帯域内リップルを低減するこ
とができる。
振子２５，２６，２７は、必ずしも設けられずともよ
い。また、第１の一端子対ＳＡＷ共振子２５について
も、第２の一端子対ＳＡＷ共振子２６，２７のように複
数段構成としてもよく、その場合においても、一端子対
ＳＡＷ共振子の周波数を異ならせることにより、第２の
ＳＡＷフィルタ２３の通過帯域内リップルを低減するこ
とができる。
【００５５】また、第２の一端子対ＳＡＷ共振子フィル
タ２６，２７に代えて、単一の一端子対ＳＡＷ共振子を
用いてもよい。さらに、第１，第２のＳＡＷフィルタ２
２，２３は、縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ以外のＳＡ
Ｗフィルタによって構成してもよく、特に限定されるも
のではない。
タ２６，２７に代えて、単一の一端子対ＳＡＷ共振子を
用いてもよい。さらに、第１，第２のＳＡＷフィルタ２
２，２３は、縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ以外のＳＡ
Ｗフィルタによって構成してもよく、特に限定されるも
のではない。
【００５６】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、第２の
ＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピーダンスが容
量性であり、通過帯域が相対的に高い第１のＳＡＷフィ
ルタと、第１のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるイン
ピーダンスが容量性であり、通過帯域が相対的に低く、
かつ第１のＳＡＷフィルタの入力端または出力端側の接
続点において並列接続されている第２のＳＡＷフィルタ
とを備える弾性表面波装置において、第１のＳＡＷフィ
ルタの並列接続されている側の端部の第１のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域におけるインピーダンスが、並列接続前
には、その抵抗分が系の特性インピーダンスＺ0に対し
１．２Ｚ0より高く、かつ第２のＳＡＷフィルタの並列
接続されている側の端部の第２のＳＡＷフィルタの通過
帯域におけるインピーダンスよりも高いため、第１，第
２のＳＡＷフィルタの並列接続点において、インダクタ
ンス素子などの外部インピーダンスマッチングを用いた
インピーダンス整合を容易に行うことができる。
ＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピーダンスが容
量性であり、通過帯域が相対的に高い第１のＳＡＷフィ
ルタと、第１のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるイン
ピーダンスが容量性であり、通過帯域が相対的に低く、
かつ第１のＳＡＷフィルタの入力端または出力端側の接
続点において並列接続されている第２のＳＡＷフィルタ
とを備える弾性表面波装置において、第１のＳＡＷフィ
ルタの並列接続されている側の端部の第１のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域におけるインピーダンスが、並列接続前
には、その抵抗分が系の特性インピーダンスＺ0に対し
１．２Ｚ0より高く、かつ第２のＳＡＷフィルタの並列
接続されている側の端部の第２のＳＡＷフィルタの通過
帯域におけるインピーダンスよりも高いため、第１，第
２のＳＡＷフィルタの並列接続点において、インダクタ
ンス素子などの外部インピーダンスマッチングを用いた
インピーダンス整合を容易に行うことができる。
【００５７】また、第１のＳＡＷフィルタにおいて、並
列接続時に第２のＳＡＷフィルタのコンダクタンス分が
加わるが、該コンダクタンスが大きくなり難いため、イ
ンピーダンスマッチングを、インダクタンス１個を並列
または直列に接続することにより容易に対応することが
できる。
列接続時に第２のＳＡＷフィルタのコンダクタンス分が
加わるが、該コンダクタンスが大きくなり難いため、イ
ンピーダンスマッチングを、インダクタンス１個を並列
または直列に接続することにより容易に対応することが
できる。
【００５８】従って、前述した一端子対ＳＡＷ共振子と
コンデンサとを用いた未だ公知ではない先行技術に記載
の構成では、コンデンサ構成部分により圧電基板サイズ
が大きくなるという問題があったのに対し、請求項１に
記載の発明の構成によれば、圧電基板のサイズを大きく
することなく、通過帯域内ＶＳＷＲの劣化を抑制するこ
とができると共に、インピーダンス整合を容易に図るこ
とができる。
コンデンサとを用いた未だ公知ではない先行技術に記載
の構成では、コンデンサ構成部分により圧電基板サイズ
が大きくなるという問題があったのに対し、請求項１に
記載の発明の構成によれば、圧電基板のサイズを大きく
することなく、通過帯域内ＶＳＷＲの劣化を抑制するこ
とができると共に、インピーダンス整合を容易に図るこ
とができる。
【００５９】また、請求項２に記載のように、第１，第
２の一端子対ＳＡＷ共振子を、第１，第２のＳＡＷフィ
ルタと並列接続点との間に直列に接続した構成によれ
ば、第１のＳＡＷフィルタにおいて、第２のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域におけるインピーダンスを高くすること
ができ、第２のＳＡＷフィルタの劣化を抑制することが
できる。
２の一端子対ＳＡＷ共振子を、第１，第２のＳＡＷフィ
ルタと並列接続点との間に直列に接続した構成によれ
ば、第１のＳＡＷフィルタにおいて、第２のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域におけるインピーダンスを高くすること
ができ、第２のＳＡＷフィルタの劣化を抑制することが
できる。
【００６０】加えて、請求項３に記載のように、第１，
第２の一端子対ＳＡＷ共振子を複数段構成とした場合
に、複数段構成の一端子対ＳＡＷ共振子において少なく
とも１つの一端子対ＳＡＷ共振子の周波数を異ならせる
ことにより、相手側のＳＡＷフィルタの通過帯域内リッ
プルを抑制することができ、広い周波数範囲に渡り減衰
量を改善することが可能となる。
第２の一端子対ＳＡＷ共振子を複数段構成とした場合
に、複数段構成の一端子対ＳＡＷ共振子において少なく
とも１つの一端子対ＳＡＷ共振子の周波数を異ならせる
ことにより、相手側のＳＡＷフィルタの通過帯域内リッ
プルを抑制することができ、広い周波数範囲に渡り減衰
量を改善することが可能となる。
【００６１】請求項４に記載の発明によれば、第１，第
２のＳＡＷフィルタ及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共
振子を単一の圧電基板に構成されているので、複数指を
構成するための電極を容易に形成し得るため、製造工程
を煩雑とすることなく、本発明の弾性表面波装置を構成
することができると共に、弾性表面波装置の小型化及び
低コスト化をより一層進めることが可能となる。
２のＳＡＷフィルタ及び第１，第２の一端子対ＳＡＷ共
振子を単一の圧電基板に構成されているので、複数指を
構成するための電極を容易に形成し得るため、製造工程
を煩雑とすることなく、本発明の弾性表面波装置を構成
することができると共に、弾性表面波装置の小型化及び
低コスト化をより一層進めることが可能となる。
【図１】通過帯域が異なる２個のバンドパスフィルタを
接続してなる従来の弾性表面波装置を説明するための回
路図。
接続してなる従来の弾性表面波装置を説明するための回
路図。
【図２】通過帯域の異なる２つのバンドパスフィルタを
接続してなる従来の弾性表面波装置の他の例を示す回路
図。
接続してなる従来の弾性表面波装置の他の例を示す回路
図。
【図３】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の回路
図。
図。
【図４】図３に示した実施例の弾性表面波装置の具体的
な構造例を説明するための模式的平面図。
な構造例を説明するための模式的平面図。
【図５】図４に示した弾性表面波装置をパッケージ内に
収納した構造を説明するための断面図。
収納した構造を説明するための断面図。
【図６】図３に示した実施例における第１のＳＡＷフィ
ルタ自体の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
ルタ自体の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、第１のＳＡＷフィルタの
入力側及び出力側におけるインピーダンススミスチャー
トを示す図。
入力側及び出力側におけるインピーダンススミスチャー
トを示す図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、第２のＳＡＷフィルタの
入力側及び出力側におけるインピーダンススミスチャー
トを示す図。
入力側及び出力側におけるインピーダンススミスチャー
トを示す図。
【図９】第１のＳＡＷフィルタに直列に第１の一端子対
ＳＡＷ共振子を接続した構成の入力側及び出力側におけ
るインピーダンススミスチャートを示す図。
ＳＡＷ共振子を接続した構成の入力側及び出力側におけ
るインピーダンススミスチャートを示す図。
【図１０】図３に示した実施例における第１のＳＡＷフ
ィルタ２２側における周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性
を示す図。
ィルタ２２側における周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性
を示す図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、図３に示した実施例に
おける第１のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。
おける第１のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。
【図１２】図３に示した実施例の弾性表面波装置におけ
る第２のＳＡＷフィルタ側の周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒ特性を示す図。
る第２のＳＡＷフィルタ側の周波数振幅特性及びＶＳＷ
Ｒ特性を示す図。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、図３に示した実施例に
おける第２のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。
おける第２のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側のイ
ンピーダンススミスチャートを示す図。
【図１４】第１のＳＡＷフィルタの並列接続前における
通過帯域インピーダンスが５０Ωに近いときの通過帯域
内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
通過帯域インピーダンスが５０Ωに近いときの通過帯域
内外の周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は、図１４に示した特性の
ときの、第１のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側の
インピーダンススミスチャートを示す図。
ときの、第１のＳＡＷフィルタ側の入力側及び出力側の
インピーダンススミスチャートを示す図。
【図１６】図３に示した弾性表面波装置において、図１
４に示した特性の第１のＳＡＷフィルタを用いた場合の
周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
４に示した特性の第１のＳＡＷフィルタを用いた場合の
周波数振幅特性及びＶＳＷＲ特性を示す図。
【図１７】（ａ）及び（ｂ）は、図１６に示した特性の
ときの入力側及び出力側のインピーダンススミスチャー
トを示す図。
ときの入力側及び出力側のインピーダンススミスチャー
トを示す図。
２１…弾性表面波装置 ２２…第１のＳＡＷフィルタ ２３…第２のＳＡＷフィルタ ２５…第１の一端子対ＳＡＷ共振子 ２６，２７…第２の一端子対ＳＡＷ共振子 ＩＮ1 ，ＩＮ2 …入力端子 ＯＵＴ…出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−284093（ＪＰ，Ａ) 1997年電子情報通信学会基礎・境界ソ サイエティ大会講演論文集、1997年８月 13日、Ａ−11−５，ｐ．162 1997年電子情報通信学会総合全国大会 講演論文集［基礎・境界］、1997年３月 ６日、Ａ−11−14，ｐ．289 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/72 H03H 9/64
Claims (4)
- 【請求項１】 第１，第２のＳＡＷフィルタを入力端ま
たは出力端の接続点において並列接続した構成を備える
弾性表面波装置であって、 第２のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピーダン
スが容量性であり、通過帯域が相対的に高い、第１のＳ
ＡＷフィルタと、 第１のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピーダン
スが容量性であり、通過帯域が相対的に低く、かつ第１
のＳＡＷフィルタの入力端または出力端側の前記接続点
において並列接続されている第２のＳＡＷフィルタとを
備え、 前記第１のＳＡＷフィルタの並列接続されている側の端
部の第１のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピー
ダンスが、並列接続前には、その抵抗分が系の特性イン
ピーダンスＺ0に対し１．２Ｚ0より高く、かつ前記第２
のＳＡＷフィルタの並列接続されている側の端部の第２
のＳＡＷフィルタの通過帯域におけるインピーダンスよ
りも高いことを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記第１，第２のＳＡＷフィルタが、そ
れぞれ、少なくとも２個のインターデジタルトランスデ
ューサを有する縦結合型共振子フィルタであり、 前記第１のＳＡＷフィルタと、前記接続点との間に直列
に接続されており、かつ反共振周波数が第１のＳＡＷフ
ィルタの通過帯域外となるように構成されている少なく
とも１つの第１の一端子対ＳＡＷ共振子と、 前記第２のＳＡＷフィルタと、前記接続点との間に直列
接続されており、かつ反共振周波数が第２のＳＡＷフィ
ルタの通過帯域外となるように構成されている少なくと
も１つの第２の一端子対ＳＡＷ共振子とをさらに備え
る、請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１及び／または第２の一端子対Ｓ
ＡＷ共振子が複数段直列接続されており、複数段の一端
子対ＳＡＷ共振子のうち、少なくとも１つの一端子対Ｓ
ＡＷ共振子のインターデジタルトランスデューサの波長
が、該複数段の一端子対ＳＡＷ共振子の残りの一端子対
ＳＡＷ共振子のインターデジタルトランスデューサの波
長と異なることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項４】 第１，第２のＳＡＷフィルタ及び第１，
第２の一端子対ＳＡＷ共振子が単一の圧電基板に構成さ
れていることを特徴とする請求項２または３に記載の弾
性表面波装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22590997A JP3244032B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 弾性表面波装置 |
| US09/131,590 US5936483A (en) | 1997-08-22 | 1998-08-10 | Surface acoustic wave device with two filters each having capacitive impedance in the other's passband |
| KR1019980033619A KR100269016B1 (ko) | 1997-08-22 | 1998-08-19 | 탄성표면파장치 |
| CNB981186424A CN1144362C (zh) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | 声表面波器件 |
| EP98402095A EP0898363B1 (en) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Surface acoustic wave device |
| DE69842149T DE69842149D1 (de) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22590997A JP3244032B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 弾性表面波装置 |
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|---|---|
| JPH1168511A JPH1168511A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3244032B2 true JP3244032B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16836798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22590997A Expired - Lifetime JP3244032B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 弾性表面波装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5936483A (ja) |
| EP (1) | EP0898363B1 (ja) |
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| KR (1) | KR100269016B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69842149D1 (ja) |
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| JP3478264B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2003-12-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3454239B2 (ja) | 2000-08-31 | 2003-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP2002353775A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | フィルタユニット及び該フィルタユニットを用いたデュプレクサ |
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| US6798318B1 (en) * | 2001-04-27 | 2004-09-28 | Sawtek, Inc. | Hybrid leaky surface acoustic wave resonator filter |
| US6861927B1 (en) | 2001-04-27 | 2005-03-01 | Sawtek, Inc. | Longitudinally coupled leaky surface acoustic wave resonator filter |
| JP3921355B2 (ja) | 2001-05-08 | 2007-05-30 | 日本電波工業株式会社 | 周波数切替型高周波発振器 |
| GB0116310D0 (en) * | 2001-07-04 | 2001-08-29 | New Transducers Ltd | Contact sensitive device |
| JP3928534B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-06-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP2006186747A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nec Corp | 弾性波デバイスおよび携帯電話 |
| KR100731784B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-06-25 | 박교양 | 낚시용 탐지장치 |
| DE102006005298B4 (de) * | 2006-02-06 | 2017-05-24 | Epcos Ag | Duplexer |
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| CN113162576B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-07-19 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种梯形滤波器的布局方法 |
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| CN117240251B (zh) * | 2023-11-16 | 2024-01-30 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种模组中滤波器的小型化布局结构 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0661783A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP3293671B2 (ja) * | 1992-12-01 | 2002-06-17 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| CA2110362C (en) * | 1992-12-01 | 1998-01-06 | Hiromi Yatsuda | Surface acoustic wave filter and mobile communication system using same |
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- 1997-08-22 JP JP22590997A patent/JP3244032B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-10 US US09/131,590 patent/US5936483A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-19 KR KR1019980033619A patent/KR100269016B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-21 DE DE69842149T patent/DE69842149D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 CN CNB981186424A patent/CN1144362C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 EP EP98402095A patent/EP0898363B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Title |
|---|
| １９９７年電子情報通信学会基礎・境界ソサイエティ大会講演論文集、１９９７年８月１３日、Ａ−１１−５，ｐ．１６２ |
| １９９７年電子情報通信学会総合全国大会講演論文集［基礎・境界］、１９９７年３月６日、Ａ−１１−１４，ｐ．２８９ |
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