JP2010192961A - Sawデバイス - Google Patents
Sawデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010192961A JP2010192961A JP2009032340A JP2009032340A JP2010192961A JP 2010192961 A JP2010192961 A JP 2010192961A JP 2009032340 A JP2009032340 A JP 2009032340A JP 2009032340 A JP2009032340 A JP 2009032340A JP 2010192961 A JP2010192961 A JP 2010192961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saw
- frequency
- elements
- piezoelectric substrate
- output end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のSAW素子を2個備え、SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、発振動作点における各々の寄生インピーダンスが大きく異なることにより生じ各々の周波数可変特性の差異を抑制する。
【解決手段】出力端3の長さL1と、出力端4の長さL2とを異ならせることで、SAW素子1,2に接続されるインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数との相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数のとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数とを共に周波数ΔF調整することができ、周波数精度の良いマルチチャンネルのSAW共振子10を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】出力端3の長さL1と、出力端4の長さL2とを異ならせることで、SAW素子1,2に接続されるインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数との相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数のとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数とを共に周波数ΔF調整することができ、周波数精度の良いマルチチャンネルのSAW共振子10を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、SAW共振子などのSAWデバイスに関する。
従来から圧電基板上に単一の共振周波数のSAW(Surface Acoustic Wave)素子を備えたシングルチャンネルのSAW共振子などのSAWデバイスが、無線データ伝送手段として一般的に用いられている。そして、伝送されるデータ量の増加に伴い、異なる共振周波数のSAW素子を複数、たとえば2個必要とされている。そこで、2個の異なる共振周波数のSAW素子と、それぞれ個別の共振回路とを備えたマルチチャンネルのSAW共振子を構成すると、このSAW共振子が大型化してしまう。このため、これらのSAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたマルチチャンネルのSAW共振子が検討されている。
一方で、特定の範囲(通過帯域)内の周波数を通し、特定の範囲(通過帯域)外の周波数を通さないまたは減衰させるSAWフィルターにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるSAW素子を複数備えたマルチバンドのSAWフィルターが開示されており、SAW素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている(たとえば、特許文献1参照)。
一方で、特定の範囲(通過帯域)内の周波数を通し、特定の範囲(通過帯域)外の周波数を通さないまたは減衰させるSAWフィルターにおいては、圧電基板上に中心周波数が互いに異なるSAW素子を複数備えたマルチバンドのSAWフィルターが開示されており、SAW素子を構成する反射器の隣り合う電極指のピッチまたはライン比を調整することによりスプリアスの抑制を図っている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、圧電基板上に異なる共振周波数のSAW素子を2個備え、SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたことにより、発振動作点における各々の寄生インピーダンスが大きく異なる。このため、2個のSAW素子において、それぞれ周波数可変特性が異なり、それぞれの発振周波数を精度良く制御することができず、このような発振デバイスを用いた通信において、通信品質の著しい劣化が起こってしまうという課題がある。この課題は、SAWフィルターでは周波数特性が多少歪む程度なので、フィルターとしての機能が損なわれるほどの問題ではないが、特定の共振周波数で発振させるクロック源としてのSAW共振子などのSAWデバイスでは大きな問題となる。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかるSAWデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に複数のSAW素子とを有し、複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される配線パターンの長さがそれぞれ異なることを要旨とする。
これによれば、配線パターンの長さを適宜異ならせることで、各々のSAW素子に接続されるインダクタンス値を調整できるので、負荷容量と高周波側共振周波数との相関、および負荷容量と低周波側共振周波数との相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数をたとえば周波数ΔFだけ調整するとともに、低周波側共振周波数を同じく周波数ΔFだけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数および低周波側共振周波数を発振するマルチチャンネルのSAWデバイスを提供することができる。
[適用例2]本適用例にかかるSAWデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に複数のSAW素子とを有し、複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される配線パターンの幅員がそれぞれ異なることを要旨とする。
これによれば、配線パターンの幅員を適宜異ならせることで、各々のSAW素子に接続されるインダクタンス値を調整できるので、負荷容量と高周波側共振周波数との相関、および負荷容量と低周波側共振周波数との相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数を同じ周波数だけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数および低周波側共振周波数を発振するマルチチャンネルのSAWデバイスを提供することができる。
[適用例3]本適用例にかかるSAWデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に複数のSAW素子と、前記圧電基板を収納するパッケージと、前記パッケージに前記SAW素子を電気的に接続する複数のボンディングワイヤーとを有し、複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続された前記ボンディングワイヤーの長さがそれぞれ異なることを要旨とする。
これによれば、ボンディングワイヤーの長さを適宜異ならせることで、各々のSAW素子に接続されるインダクタンス値を調整できるので、負荷容量と高周波側共振周波数との相関、および負荷容量と低周波側共振周波数との相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数を同じ周波数だけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数および低周波側共振周波数を発振するマルチチャンネルのSAWデバイスを提供することができる。
[適用例4]本適用例にかかるSAWデバイスは、圧電基板と、前記圧電基板上に複数のSAW素子と、前記圧電基板を収納するパッケージと、前記パッケージに形成され、前記SAW素子へ電気的に接続される複数の内部配線とを有し、複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される前記内部配線の長さまたは幅員がそれぞれ異なることを要旨とする。
これによれば、内部配線の長さまたは幅員を適宜異ならせることで、各々のSAW素子に接続されるインダクタンス値を調整できるので、負荷容量と高周波側共振周波数との相関、および負荷容量と低周波側共振周波数との相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を変更することで、高周波側共振周波数と低周波側共振周波数を同じ周波数だけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数および低周波側共振周波数を発振するマルチチャンネルのSAWデバイスを提供することができる。
以下の実施形態では、SAWデバイスとしてSAW共振子を一例に挙げて説明する。
(第1実施形態)
以下、第1実施形態について、図1を参照して説明する。
図1は、第1実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。図1(a)は、SAW素子1,2と概略平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A概略断面図である。図1(c)は、図1(a)のB−B概略断面図である。
以下、第1実施形態について、図1を参照して説明する。
図1は、第1実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。図1(a)は、SAW素子1,2と概略平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A概略断面図である。図1(c)は、図1(a)のB−B概略断面図である。
図1(a)に示すようにSAW共振子10は、圧電基板11と、2個のSAW素子1,2と、出力側端子部OUT1,2と、入力側端子部INとを備えている。
圧電基板11は、圧電効果を有する水晶からなる。SAW素子1,2は、たとえばアルミニウム(Al)などの導電性金属材料で形成されている。SAW素子1,2は、同一膜厚tで形成されている。ここで、同一膜厚tは設計値を示し、蒸着またはスパッタリングなどの製造方法によって形成される際の製造誤差が含まれる。そして、入力側端子部INおよび出力側端子部OUT1,2は、たとえばアルミニウム(Al)などの導電性金属材料で形成されている。
SAW素子1は、出力端3と入力端5とを備えている。SAW素子2は、出力端4と入力端5とを備えている。このようにして、SAW素子1,2の入力端5は、共通化されている。
SAW素子1は、入力端5へ電気的に接続され、共通化された入力端5の端部5Tから、入力側端子部INへ電気的に接続されている。さらに、SAW素子1は、長さL1で幅員W1の出力端3へ電気的に接続され、出力端3の端部3Tから、出力側端子部OUT1へ電気的に接続されている。
SAW素子2は、入力端5へ電気的に接続され、共通化された入力端5の端部5Tから、入力側端子部INへ電気的に接続されている。さらに、SAW素子2は、長さL2で幅員W2の出力端4へ電気的に接続され、出力端4の端部4Tから、出力側端子部OUT2へ電気的に接続されている。
ここで、出力端3の長さL1と、出力端4の長さL2とは、異なる長さに形成されている。また、出力端3の幅員W1と、出力端4の幅員W2とは、同値とする。
このようにして構成されたSAW素子1,2は、それぞれ異なる共振周波数を発振する。このため、以下では、SAW素子1が低周波側共振周波数Flrを発振するとし、SAW素子2が高周波側共振周波数Fhrを発振するとして説明する。
低周波側のSAW素子1は、IDT電極12と反射器13とを備えている。
IDT電極12は、複数の電極指14,15とバスバー16,17とを備えている。電極指14と電極指15とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指14は、バスバー16に連結されている。複数の電極指15は、バスバー17に連結されている。
IDT電極12は、複数の電極指14,15とバスバー16,17とを備えている。電極指14と電極指15とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指14は、バスバー16に連結されている。複数の電極指15は、バスバー17に連結されている。
図1(b)に示すように電極指14と、電極指15を隔てた隣の電極指14とは、間隔(波長)λ1で配置されている。同様に、電極指15と、電極指14を隔てた隣の電極指15とは、間隔(波長)λ1で配置されている。また、電極指14,15の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
電極指14は、バスバー16を経由して共通化された入力端5へ電気的に接続され、端部5Tから入力側端子部INに接続されている。そして、電極指15は、バスバー17を経由して長さL1の出力端3へ電気的に接続され、端部3Tから出力側端子部OUT1に接続されている。このようにして、低周波側共振周波数Flrが出力される。
反射器13は、IDT電極12で励振される弾性表面波が伝播する方向に、IDT電極12を両側から挟むように配置されている。そして、反射器13は、反射器バスバー19と、電極指14,15に対して対向して形成された複数の反射指18とが連結された構造となっている。
次に、高周波側のSAW素子2は、IDT電極22と反射器23とを備えている。
IDT電極22は、複数の電極指24,25とバスバー26,27とを備えている。電極指24と電極指25とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指24は、バスバー26に連結されている。複数の電極指25は、バスバー27に連結されている。
IDT電極22は、複数の電極指24,25とバスバー26,27とを備えている。電極指24と電極指25とが交互に配置されるとともに、接触しないように形成されている。複数の電極指24は、バスバー26に連結されている。複数の電極指25は、バスバー27に連結されている。
図1(c)に示すように電極指24と、電極指25を隔てた隣の電極指24とは、間隔(波長)λ2で配置されている。同様に、電極指25と、電極指24を隔てた隣の電極指25とは、間隔(波長)λ2で配置されている。また、電極指24,25の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
図1(b)、(c)に示すように、高周波側のSAW素子2の間隔(波長)λ2は、低周波側のSAW素子1の間隔(波長)λ1に対して短い。
電極指25は、バスバー27を経由して共通化された入力端5へ電気的に接続され、端部5Tから入力側端子部INに接続されている。そして、電極指24は、バスバー26を経由して長さL2の出力端4へ電気的に接続され、端部4Tから出力側端子部OUT2に接続されている。このようにして、高周波側共振周波数Fhrが出力される。
ここで、出力端3の長さL1は、出力端4の長さL2と比較して短く形成されている。また、入力端5の長さおよび幅員は、適宜決定される。
反射器23は、IDT電極22で励振される弾性表面波が伝播する方向に、IDT電極22を両側から挟むように配置されている。そして、反射器23は、反射器バスバー29と、電極指24,25に対して対向して形成された複数の反射指28とが連結された構造となっている。また、反射指19,29の数量、長さ、および幅員は、適宜決定される。
次に、図2は、出力端4の長さL2と出力端3の長さL1とを同値とし、出力端4の幅員W2と出力端3の幅員W1とを同値とした場合の周波数可変特性を示す図である。低周波側のSAW素子1の周波数可変特性を一点鎖線で示す。高周波側のSAW素子2の周波数可変特性を実線で示す。
本実施形態では、出力端3の長さL1は、出力端4の長さL2と比較して短く形成されている。このため、SAW素子1の寄生インダクタンスを低下させる。これにより、図2において一点鎖線で示した低周波側のSAW素子1の周波数可変特性の傾きを緩やかにし、実線で示した高周波側のSAW素子2の周波数可変特性と同じ傾きにする。
本実施形態では、出力端3の長さL1は、出力端4の長さL2と比較して短く形成されている。このため、SAW素子1の寄生インダクタンスを低下させる。これにより、図2において一点鎖線で示した低周波側のSAW素子1の周波数可変特性の傾きを緩やかにし、実線で示した高周波側のSAW素子2の周波数可変特性と同じ傾きにする。
したがって、本実施形態によれば、出力端3の長さL1と、出力端4の長さL2とを適宜異ならせることで、2個のSAW素子1,2に接続されるインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数Fhrとの相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数Flrのとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数Fhrをたとえば周波数ΔFだけ調整するとともに、低周波側共振周波数Flrを同じく周波数ΔFだけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを発振するマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができる。
また、この効果に関して、周波数可変特性が異なる場合における不具合を対比的に説明する。たとえば負荷容量を容量ΔC変更することで高周波側共振周波数Fhrを周波数ΔF(たとえば100kHz)だけ調整すると、低周波側共振周波数Flrは周波数可変特性が異なることにより、異なる周波数ΔFH(たとえば200kHz)も調整されてしまう。同様にして、低周波側共振周波数Flrを周波数ΔF(たとえば100kHz)だけ調整すると、高周波側共振周波数Fhrは周波数可変特性が異なることにより、異なる周波数ΔFL(たとえば50kHz)しか調整されない。つまり、周波数可変特性が異なる場合では、高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを共に周波数ΔFだけ調整することができない。このため、精度の良いマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができないことになる。
また、この効果に関して、周波数可変特性が異なる場合における不具合を対比的に説明する。たとえば負荷容量を容量ΔC変更することで高周波側共振周波数Fhrを周波数ΔF(たとえば100kHz)だけ調整すると、低周波側共振周波数Flrは周波数可変特性が異なることにより、異なる周波数ΔFH(たとえば200kHz)も調整されてしまう。同様にして、低周波側共振周波数Flrを周波数ΔF(たとえば100kHz)だけ調整すると、高周波側共振周波数Fhrは周波数可変特性が異なることにより、異なる周波数ΔFL(たとえば50kHz)しか調整されない。つまり、周波数可変特性が異なる場合では、高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを共に周波数ΔFだけ調整することができない。このため、精度の良いマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができないことになる。
(第2実施形態)
以下、第2実施形態について、図3および図2を参照して説明する。
図3は、第2実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
以下、第2実施形態について、図3および図2を参照して説明する。
図3は、第2実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
第2実施形態のSAW共振子は、図1に示した第1実施形態と同様の構成であるが、出力端4の長さL2と出力端3の長さL1とは同値とし、出力端4の幅員W2と出力端3の幅員W1とが異なる。このため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。
図3に示すように、出力端3の幅員W1は、出力端4の長さ幅員W2と比較して太く形成されている。このため、SAW素子1の寄生インダクタンスを低下させる。これにより、図2において一点鎖線で示した低周波側のSAW素子1の周波数可変特性の傾きを緩やかにし、実線で示した高周波側のSAW素子2の周波数可変特性と同じ傾きにする。
したがって、本実施形態によれば、出力端3の幅員W1と、出力端4の長さ幅員W2とを適宜異ならせることで、2個のSAW素子1,2に接続されるインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数Fhrとの相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数Flrのとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数Fhrをたとえば周波数ΔFだけ調整するとともに、低周波側共振周波数Flrを同じく周波数ΔFだけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを発振するマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができる。
(第3実施形態)
以下、第3実施形態について、図4および図2を参照して説明する。
図4は、第3実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
以下、第3実施形態について、図4および図2を参照して説明する。
図4は、第3実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
第3実施形態のSAW共振子は、図1に示した第1実施形態および図3に示した第2実施形態と同様の構成であるが、以下の点が相違する。このため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。
図4に示すように、出力端4の長さL2と出力端3の長さL1とは同値とし、出力端4の幅員W2と出力端3の幅員W1とは同値とする。
SAW共振子10は、圧電基板11と、圧電基板11上に形成される2個のSAW素子1,2と、圧電基板11を収納するパッケージ30と、複数のボンディングワイヤー6a,6b,6cと、出力側端子部OUT1,2と、入力側端子部INとを備えている。パッケージ30には、複数の内部接続端子31a,31b,31cが形成されている。
パッケージ30は、たとえば絶縁材料である酸化アルミニウム質からなるセラミックシートから形成されている。内部接続端子31a,31b,31cは、金(Au)などの導電性金属材料で形成されている。また、パッケージ30と内部接続端子31a,31b,31cとの間に、たとえばタングステンメタライズおよびニッケルメッキを形成していてもよい。ボンディングワイヤー6は、たとえばアルミニウム(Al)または金(Au)などの導電性金属材料からなる。
低周波側のSAW素子1は、共通化された入力端5へ電気的に接続され、ボンディングワイヤー6cにより端部5Tから内部接続端子31c(入力側端子部IN)へ電気的に接続されている。さらに、SAW素子1は、出力端3へ電気的に接続され、長さLaのボンディングワイヤー6aにより端部3Tから内部接続端子31a(出力側端子部OUT1)へ電気的に接続されている。
高周波側のSAW素子2は、共通化された入力端5へ電気的に接続され、ボンディングワイヤー6cにより端部5Tから内部接続端子31c(入力側端子部IN)へ電気的に接続されている。さらに、SAW素子2は、出力端4へ電気的に接続され、長さLbのボンディングワイヤー6bにより端部4Tから内部接続端子31b(出力側端子部OUT2)へ電気的に接続されている。
図4に示すように、ボンディングワイヤー6bの長さLbは、ボンディングワイヤー6aの長さLaと比較して長く形成されている。このため、低周波側のSAW素子1の寄生インダクタンスに対して、高周波側のSAW素子2の寄生インダクタンスの方が大きくなる。これにより、図2において実線で示した高周波側のSAW素子2の周波数可変特性の傾きを急にし、一点鎖線で示した低周波側のSAW素子1の周波数可変特性と同じ傾きにする。ここで、ボンディングワイヤー6cの長さは、適宜決定される。
したがって、本実施形態によれば、ボンディングワイヤー6bの長さLbと、ボンディングワイヤー6aの長さLaとを異ならせることで、2個のSAW素子1,2に接続されるインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数Fhrとの相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数Flrのとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数Fhrをたとえば周波数ΔFだけ調整するとともに、低周波側共振周波数Flrを同じく周波数ΔFだけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを発振するマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができる。
(第4実施形態)
第4実施形態のSAW共振子は、図4に示した第3実施形態と同様の構成であるが、以下の点が相違する。このため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。図5は、第4実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
第4実施形態のSAW共振子は、図4に示した第3実施形態と同様の構成であるが、以下の点が相違する。このため、同様の構成については、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。図5は、第4実施形態のSAW共振子を示す概略構成図である。
図5に示すように、出力端4の長さL2と出力端3の長さL1とは同値とし、出力端4の幅員W2と出力端3の幅員W1とは同値とする。そして、ボンディングワイヤー6bの長さLbとボンディングワイヤー6aの長さLaとは同値とする。
SAW共振子10は、圧電基板11と、圧電基板11上に形成される2個のSAW素子1,2と、圧電基板11を収納するパッケージ40と、複数のボンディングワイヤー6a,6b,6cと、出力側端子部OUT1,2と、入力側端子部INとを備えている。パッケージ40には、複数の内部接続端子31a,31b,31cと外部接続端子43,44と内部配線41,42とが形成されている。
外部接続端子43,44は、内部接続端子31a,31b,31cが形成されたパッケージ40の上面に対向する下面に、形成されている。そして、内部配線41,42は、パッケージ40の上面と下面との間、または下面に形成されている。
内部配線41,42と外部接続端子43,44は、金(Au)などの導電性金属材料で形成されている。また、パッケージ40と内部配線41,42との間、そしてパッケージ40と外部接続端子43,44との間に、たとえばタングステンメタライズおよびニッケルメッキを形成していてもよい。
長さL3の内部配線41は、内部接続端子31aと外部接続端子43(出力側端子部OUT1)とを、図示省略した配線により電気的に接続している。そして、長さL4の内部配線42は、内部接続端子31bと外部接続端子44(出力側端子部OUT2)とを、図示省略した配線により電気的に接続している。また、内部接続端子31cは、図示省略した外部接続端子へ電気的に接続している。
図5に示すように、内部配線42の長さL4は、内部配線41の長さL3と比較して長く形成されている。このため、低周波側のSAW素子1の寄生インダクタンスに対して、高周波側のSAW素子2の寄生インダクタンスの方が大きくなる。これにより、図2において実線で示した高周波側のSAW素子2の周波数可変特性の傾きを急にし、一点鎖線で示した低周波側のSAW素子1の周波数可変特性と同じ傾きにする。
したがって、本実施形態によれば、内部配線42の長さL4と内部配線41の長さL3とを適宜異ならせることで、2個のSAW素子1,2のインダクタンス値を調整できるので、SAW共振子10の負荷容量と高周波側共振周波数Fhrとの相関、およびSAW共振子10の負荷容量と低周波側共振周波数Flrのとの相関を示すそれぞれの周波数可変特性を同じ傾きにすることができる。これにより、負荷容量を容量ΔC変更することで、高周波側共振周波数Fhrをたとえば周波数ΔFだけ調整するとともに、低周波側共振周波数Flrを同じく周波数ΔFだけ調整することができる。これにより、精度良く周波数制御された高周波側共振周波数Fhrおよび低周波側共振周波数Flrを発振するマルチチャンネルのSAW共振子10を提供することができる。
本実施形態では、内部配線41,42の長さL3,4を異ならせる例を示したが、内部配線41,42の幅員を異ならせることによっても同様の効果を奏することができる。
なお、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
たとえば、圧電基板上に異なる共振周波数のSAW素子を2個備え、SAW素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたSAW共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、圧電基板上に異なる共振周波数のSAW素子を3個以上備え、SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたSAW共振子であってもよい。
そして、SAW素子の入力端が共通端子により接続されて共通化されたことを例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、SAW素子の出力端が共通端子により接続されることで共通化されてもよい。また、SAW素子の電極膜厚は互いに異ならせても良い。
また、SAW共振子は、圧電基板およびSAW素子を、パッケージと蓋体(図示省略)とにより、気密に封止されていることが好ましい。
さらに、SAWデバイスとしてSAW共振子を例に挙げて説明したがこれに限るものではなく、発振回路を備えたSAW発振器、またはモジュール化されたSAWモジュールであってもよい。
そして、圧電基板の材料としては、水晶だけに限らず、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)などの圧電体、または、シリコンなどの半導体であってもよい。
1,2…SAW素子、3,4…出力端、5…入力端、6a,6b,6c…ボンディングワイヤー、10…SAW共振子、11…圧電基板、31a,31b,31c…内部接続端子、41,42…内部配線、Flr…低周波側共振周波数、Fhr…高周波側共振周波数、t…膜厚、L1,2,3,4…長さ、La、Lb…長さ、W1,2…幅員、OUT1,2…出力側端子部、IN…入力側端子部。
Claims (4)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に複数のSAW素子とを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される配線パターンの長さがそれぞれ異なることを特徴とするSAWデバイス。 - 圧電基板と、
前記圧電基板上に複数のSAW素子とを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される配線パターンの幅員がそれぞれ異なることを特徴とするSAWデバイス。 - 圧電基板と、
前記圧電基板上に複数のSAW素子と、
前記圧電基板を収納するパッケージと、
前記パッケージに前記SAW素子を電気的に接続する複数のボンディングワイヤーとを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続された前記ボンディングワイヤーの長さがそれぞれ異なることを特徴とするSAWデバイス。 - 圧電基板と、
前記圧電基板上に複数のSAW素子と、
前記圧電基板を収納するパッケージと、
前記パッケージに形成され、前記SAW素子へ電気的に接続される複数の内部配線とを有し、
複数の前記SAW素子は、それぞれ異なる共振周波数を発振し、
複数の前記SAW素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通化されたSAWデバイスであって、
複数の前記SAW素子のうち共通化されていない入力端または出力端へ電気的に接続される前記内部配線の長さまたは幅員がそれぞれ異なることを特徴とするSAWデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009032340A JP2010192961A (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | Sawデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009032340A JP2010192961A (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | Sawデバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192961A true JP2010192961A (ja) | 2010-09-02 |
Family
ID=42818572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009032340A Withdrawn JP2010192961A (ja) | 2009-02-16 | 2009-02-16 | Sawデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010192961A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029794A1 (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 味の素株式会社 | 分岐鎖含有芳香族化合物 |
-
2009
- 2009-02-16 JP JP2009032340A patent/JP2010192961A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029794A1 (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 味の素株式会社 | 分岐鎖含有芳香族化合物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7169083B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
US20230253951A1 (en) | Laterally Vibrating Bulk Acoustic Wave Resonator | |
JP6856825B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
US8564172B2 (en) | Elastic wave element and electronic apparatus using same | |
KR100719123B1 (ko) | 멀피 밴드 필터모듈 및 그 제조방법 | |
US8860516B2 (en) | Piezoelectric oscillator and transmitter | |
CN113169722A (zh) | 弹性波装置、分波器以及通信装置 | |
US20070267942A1 (en) | Piezoelectric film resonator, radio-frequency filter using them, and radio-frequency module using them | |
KR100341235B1 (ko) | 탄성표면파 필터 | |
JP6994855B2 (ja) | 弾性波素子、分波器および通信装置 | |
JP7278305B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
US10938376B2 (en) | Acoustic wave device | |
CN111937305A (zh) | 弹性波元件、弹性波滤波器、分波器以及通信装置 | |
JP2010193135A (ja) | Sawデバイス | |
JP2004153580A (ja) | 弾性表面波装置 | |
WO2019124316A1 (ja) | 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 | |
JP4841311B2 (ja) | 基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置 | |
JP3677384B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2010192961A (ja) | Sawデバイス | |
CN114556783A (zh) | 弹性波滤波器以及通信装置 | |
WO2005088834A1 (ja) | 1ポート弾性表面波共振子装置 | |
US20220140816A1 (en) | Filter and multi-filter | |
JP2005020547A (ja) | 弾性表面波装置 | |
WO2023171715A1 (ja) | 弾性波装置、分波器、通信装置および弾性波装置の製造方法 | |
JP2022183454A (ja) | 弾性波デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100705 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120501 |