KR102426210B1 - 체적 음향 공진기를 포함하는 필터 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 필터는 복수의 막으로 구성되어, 복수의 체적 음향 공진기를 구성하는 적층 구조체, 상기 복수의 체적 음향 공진기를 수용하고, 상기 적층 구조체와 접합되는 캡, 상기 적층 구조체와 상기 캡의 접합 영역에 마련되고, 적어도 하나의 접합층을 포함하는 접합제, 및 상기 캡의 내부면에 마련되고, 상기 적어도 하나의 접합층 중 일부와 동일한 물질로 형성되는 쉴드층을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 체적 음향 공진기를 포함하는 필터에 관한 것이다.
최근 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 급속한 발달에 따라, 이러한 기기에서 사용되는 소형 경량필터, 오실레이터(Oscillator), 공진소자(Resonant element), 음향공진 질량센서(Acoustic Resonant Mass Sensor) 등의 수요도 증대하고 있다.
이러한 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 구현하는 수단으로는 박막 체적 음향 공진기(FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator)가 알려져 있다. 박막 체적 음향 공진기는 최소한의 비용으로 대량 생산이 가능하며, 초소형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질 계수(Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 마이크로주파수 대역에서도 사용이 가능하며, 특히 PCS(Personal Communication System)와 DCS(Digital Cordless System) 대역까지도 구현할 수 있다는 장점이 있다.
일반적으로, 박막 체적 음향 공진기는 기판상에 제1 전극, 압전층(Piezoelectric layer) 및 제2 전극을 차례로 적층하여 구현되는 공진부를 포함하는 구조로 이루어진다. 박막 체적 음향 공진기의 동작원리를 살펴보면, 먼저 제1 및 2 전극에 인가되는 전기에너지에 의해 압전층 내에 전계가 유기되고, 유기된 전계에 의해 압전층에서 압전 현상이 발생하여 공진부가 소정 방향으로 진동한다. 그 결과, 진동방향과 동일한 방향으로 음향파(Bulk Acoustic Wave)가 발생하여 공진을 일으키게 된다.
본 발명의 과제는 전자기 간섭을 방지할 수 있는 체적 음향 공진기를 포함하는 필터를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 필터는 복수의 막으로 구성되어, 복수의 체적 음향 공진기를 구성하는 적층 구조체, 상기 복수의 체적 음향 공진기를 수용하고, 상기 적층 구조체와 접합되는 캡, 상기 적층 구조체와 상기 캡의 접합 영역에 마련되고, 적어도 하나의 접합층을 포함하는 접합제, 및 상기 캡의 내부면에 마련되고, 상기 적어도 하나의 접합층 중 일부와 동일한 물질로 형성되는 쉴드층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 포함하는 필터는 전자기 간섭을 방지하여, 롤 오프(Roll-off)가 열화되는 것을 방지할 수 있고, 삽입 손실을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시뮬레이션 그래프이다.
도 3 및 도 4은 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시뮬레이션 그래프이다.
도 3 및 도 4은 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(10)는 복수의 체적 음향 공진기(100) 및 캡(200)을 포함할 수 있다. 체적 음향 공진기(100)는 박막 체적 음향파 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR)일 수 있다.
체적 음향 공진기(100)는 복수의 막으로 구성되는 적층 구조체에 의해 구현될 수 있다. 체적 음향 공진기(100)는 기판(110), 절연층(120), 에어 캐비티(112), 및 공진부(135)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 통상의 실리콘 기판으로 구성될 수 있고, 기판(110)의 상면에는 기판(110)에 대해 공진부(135)를 전기적으로 격리시키는 절연층(120)이 마련될 수 있다. 절연층(120)은 이산화규소(SiO2) 및 산화알루미늄(Al2O2) 중 하나를 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 또는 에바포레이션(Evaporation)하여 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
절연층(120) 상에는 에어 캐비티(112)가 배치될 수 있다. 에어 캐비티(112)는 공진부(135)가 소정 방향으로 진동할 수 있도록 공진부(135)의 하부에 위치할 수 있다. 에어 캐비티(112)는 절연층(120) 상에 에어 캐비티 희생층 패턴을 형성한 다음, 에어 캐비티 희생층 패턴 상에 멤브레인(130)을 형성한 후 에어 캐비티 희생층 패턴을 에칭하여 제거하는 공정에 의해 형성된다. 멤브레인(130)은 산화 보호막으로 기능하거나, 기판(110)을 보호하는 보호층으로 기능할 수 있다.
절연층(120)과 에어 캐비티(112) 사이에는 식각 저지층(125)이 추가적으로 형성될 수 있다. 식각 저지층(125)은 식각 공정으로부터 기판(110) 및 절연층(120)을 보호하는 역할을 하고, 식각 저지층(125) 상에 다른 여러 층이 증착되는데 필요한 기단 역할을 할 수 있다.
공진부(135)는 멤브레인(130) 상에 차례로 적층된 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)을 포함할 수 있다. 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)의 수직 방향으로 중첩된 공통 영역은 에어 캐비티(112)의 상부에 위치할 수 있다. 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)은 금(Au), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 이리듐(Ir) 및 니켈(Ni) 중 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.
압전층(150)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 부분으로, 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 및 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 또한, 압전층(150)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 압전층(150)은 1~20at%의 희토류 금속을 포함할 수 있다.
제1 전극(140) 하부에는 압전층(150)의 결정 배향성을 향상시키기 위한 시드(Seed)층이 추가적으로 배치될 수 있다. 시드층은 압전층(150)과 동일한 결정성을 갖는 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다.
공진부(135)는 활성 영역과 비활성 영역으로 구획될 수 있다. 공진부(135)의 활성 영역은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)에 무선 주파수 신호와 같은 전기 에너지가 인가되는 경우 압전층(150)에서 발생하는 압전 현상에 의해 소정 방향으로 진동하여 공진하는 영역으로, 에어 캐비티(112) 상부에서 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)이 수직 방향으로 중첩된 영역에 해당한다. 공진부(135)의 비활성 영역은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)에 전기 에너지가 인가되더라도 압전 현상에 의해 공진하지 않는 영역으로, 활성 영역 외측의 영역에 해당한다.
공진부(135)는 압전 현상을 이용하여 특정 주파수를 가지는 무선 주파수 신호를 출력한다. 구체적으로 공진부(135)는 압전층(150)의 압전 현상에 따른 진동에 대응하는 공진 주파수를 가지는 무선 주파수 신호를 출력할 수 있다.
보호층(170)은 공진부(135)의 제2 전극(160)상에 배치되어, 제2 전극(160)이 외부에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(170)은 실리콘 옥사이드 계열, 실리콘 나이트라이드 계열 및 알루미늄 나이트라이드 계열 중의 하나의 절연 물질로 형성될 수 있다.
기판(110)의 하부면에는 기판(110)을 두께 방향으로 관통하는 비아 홀(113)이 적어도 하나 형성될 수 있다. 비아 홀(113)은 기판(110) 외에도, 절연층(120), 식각 저지층(125), 및 멤브레인(130) 중 일부를 두께 방향으로 관통할 수 있다. 비아 홀(113)의 내부에는 접속 패턴(114)이 형성될 수 있고, 접속 패턴(114)은 비아 홀(113)의 내부면, 즉 내벽 전체에 형성될 수 있다.
접속 패턴(114)은 비아 홀(113)의 내부면에 도전층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 접속 패턴(114)은 비아 홀(113)의 내벽을 따라 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti)-구리(Cu) 합금 중 적어도 하나의 도전성 금속을 증착하거나 도포, 또는 충전하여 형성할 수 있다.
접속 패턴(114)은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 일 예로, 접속 패턴(114)은 기판(110), 멤브레인(130), 제1 전극(140) 및 압전층(150) 중 적어도 일부를 관통하여 제1 전극(140) 및 제2 전극(160) 중 적어도 하나에 전기적으로 연결될 수 있다. 비아 홀(113)의 내부면에 형성된 접속 패턴(114)은 기판(110)의 하부 면 측으로 연장되어, 기판(110)의 하부 면에 마련되는 기판용 접속 패드(115)와 연결될 수 있다. 이로써, 접속 패턴(114)은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)을 기판용 접속 패드(115)와 전기적으로 연결할 수 있다.
기판용 접속 패드(115)는 범프를 통하여 체적 음향 공진기(100)의 하부에 배치될 수 있는 외부 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 기판용 접속 패드(115)를 통해 제1, 2 전극(110, 120)에 인가되는 신호에 의해 체적 음향 공진기(100)는 무선 주파수 신호의 필터링 동작을 수행할 수 있다.
캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)를 형성하는 적층 구조체와 접합되어, 복수의 체적 음향 공진기(100)를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)가 수용되는 내부 공간을 구비하는 커버 형태로 형성될 수 있다. 캡(200)은 하면이 개방된 육면체 형상으로 형성될 수 있고, 따라서, 상면 및 복수의 측면을 포함할 수 있다.
구체적으로, 캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)의 공진부(135)를 수용할 수 있도록 중앙에 수용부가 형성될 수 있으며, 적층 구조체의 접합 영역과 접합될 수 있도록 테두리가 수용부에 비해 단차지게 형성될 수 있다. 적층 구조체의 접합 영역은 적층 구조체의 가장자리에 해당할 수 있다.
도 1을 참조하면, 캡(200)은 기판(110) 상에 적층되는 보호층(170)과 접합되는 것으로 도시되어 있으나, 이 뿐만 아니라, 보호층(170) 외에도 멤브레인(130), 식각 저지층(125), 절연층(120), 및 기판(110) 중 적어도 하나와 접합될 수 있다.
캡(200)은 공융 접합(eutectic bonding)에 의해 적층 구조체와 접합될 수 있다. 공융 접합이 가능한 접합제(250)를 적층 구조체 상에 증착한 후, 적층 구조체와 캡(200)을 가압 및 가열하여 접합할 수 있다.
접합제(250)는 적어도 하나의 접합층으로 구성되어, 적층 구조체와 캡(200)을 공융 접합(eutectic bonding) 할 수 있다. 접합제(250)는 적층 구조체와 캡(200)의 접합 영역에 마련될 수 있다.
접합제(250)는 적층 구조체와 캡(200) 사이에 순차적으로 적층되는 적어도 세 개의 접합층을 포함할 수 있다. 일예로, 접합제(250)는 제1 접합층(251), 제2 접합층(252), 및 제3 접합층(253)을 포함할 수 있다. 제1 접합층(251)은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd) 중 하나를 포함할 수 있고, 제2 접합층(252)은 주석(Sn)을 포함할 수 있고, 제3 접합층(253)은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd) 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 접합층(251) 및 제3 접합층(253)은 동일한 물질로 형성되어 제2 접합층(252)과 함께 공융 접합을 가능하게 할 수 있다.
쉴드층(230)은 캡(200)의 일 면을 따라 형성될 수 있다. 일 예로, 쉴드층(230)은 캡(200)의 내부면을 따라 형성될 수 있고, 쉴드층(230)의 두께는 0.5㎛~1㎛일 수 있다.
쉴드층(230)은 주석(Sn)과 함께 공융 접합(eutectic bonding)이 가능한 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 쉴드층(230)은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 쉴드층(230)은 제1 접합층(251) 및 제3 접합층(253)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
제1 접합층(251) 및 제3 접합층(253)과 동일한 물질로 형성되는 쉴드층(230)은 제1 접합층(251) 및 제3 접합층(253)과 동일 공정에서 제조되어, 공정의 간소화를 도모할 수 있다.
쉴드층(230)은 적층 구조체와 기준 거리만큼 이격될 수 있다. 기준 거리는 캡(200)의 상면의 하부에 마련되는 쉴드층(230)과 적층 구조체의 저면을 기준으로 결정될 수 있다. 따라서, 기준 거리는 쉴드층(230)과 적층 구조체의 이격 거리를 의미할 수 있다. 일 예로, 쉴드층(230)과 적층 구조체가 이격되는 기준 거리는 15㎛~45㎛일 수 있다.
하기의 표 1은 쉴드층(230)의 두께 및 쉴드층(230)과 적층 구조체가 이격되는 기준 거리에 따른 삽입 손실을 나타낸 표이다.
| 두께 / 이격거리 | 삽입 손실[dB] @ 1.83 GHz |
삽입 손실[dB] @ 1.88 GHz |
평균 삽입 손실[dB] | 삽입 손실 차이[dB] | |
| 비교예 | - | -1.558 | -1.028 | -1.288 | - |
| 실시예 1 | 0.5㎛ / 15㎛ | -1.532 | -1.165 | -1.272 | 0.016 |
| 실시예 2 | 0.5㎛ / 30㎛ | -1.508 | -1.120 | -1.239 | 0.049 |
| 실시예 3 | 0.5㎛ / 45㎛ | -1.497 | -1.039 | -1.228 | 0.060 |
| 실시예 4 | 1㎛ / 45㎛ | -1.462 | -1.037 | -1.219 | 0.069 |
상기 표 1을 참조하면, 기준 거리 15㎛~45㎛에서, 실시예 1 내지 실시예 4는 비교예에 비하여 삽입 손실을 0.016dB~0.069dB 만큼 개선하여, 무선 주파수 특성을 개선할 수 있다. 또한, 기준 거리 30㎛~45㎛에서, 실시예 2 내지 실시예 4는 비교예에 비하여 삽입 손실을 0.049dB~0.069dB 만큼 개선하여, 무선 주파수 특성을 현저히 개선할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 시뮬레이션 그래프이다. 도 2(a)는 무선 주파수 신호의 그래프이고, 도 2(b)는 무선 주파수 신호 중 통과 대역(In-band)의 확대 그래프이다. 도 2에서 비교예는 캡에 쉴드층이 형성되지 않은 필터에 해당하고, 실시예는 캡에 쉴드층이 형성된 필터에 해당할 수 있다.
도 2(a)를 참조하여, 비교예와 실시예를 비교하면, 비교예의 경우 약 1.83GHz에서 투과 계수의 롤 오프(Roll-off)가 열화됨을 확인할 수 있다. 롤 오프(Roll-off)가 열화되는 현상은 체적 음향 공진기로의 전자기(Electromagnetic) 간섭에 의해 기인한다. 본 발명의 실시예의 경우, 캡에 쉴드층을 형성하여 전자기(Electromagnetic) 간섭을 배제할 수 있고, 이로써, 롤 오프(Roll-off)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.
도 2(b)를 참조하여, 비교예와 실시예를 비교하면, 비교예의 경우 실시예에 비하여, 통과 대역(In-band)에서 무선 주파수 신호의 그래프가 보다 발진(Oscillate)함을 확인할 수 있다. 본 발명의 일 실시예의 경우, 캡에 쉴드층을 형성하여 통과 대역(In-band)에서의 발진(Oscillate)을 억제할 수 있고, 이로써, 삽입 손실을 개선할 수 있다.
도 3 및 도 4은 본 발명의 일 실시예들에 따른 필터의 개략적인 회로도이다. 도 3 및 도 4의 필터에 채용되는 복수의 체적 음향 공진기 각각은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 체적 음향 공진기가 전기적으로 연결되어 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(1000)는 래더 타입(ladder type)의 필터 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 필터(1000)는 복수의 체적 음향 공진기(1100, 1200)를 포함할 수 있다.
제1 체적 음향 공진기(1100)는 입력 신호(RFin)가 입력되는 신호 입력단과 출력 신호(RFout)가 출력되는 신호 출력단 사이에 직렬 연결될 수 있고, 제2 체적 음향 공진기(1200)는 상기 신호 출력단과 접지 사이에 연결된다. 도 4을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(2000)는 래티스 타입(lattice type)의 필터 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 필터(2000)는 복수의 체적 음향 공진기(2100, 2200, 2300, 2400)를 포함하여, 밸런스드(balanced) 입력 신호(RFin+, RFin-)를 필터링하여 밸런스드 출력 신호(RFout+, RFout-)를 출력할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110: 기판
112: 에어 캐비티
113: 비아홀
114: 접속 패턴
115: 기판용 접속 패드
125: 식각 저지층
130: 멤브레인
135: 공진부
140: 제1 전극
150: 압전층
160: 제2 전극
170: 보호층
200: 캡
230: 쉴드층
250: 접합제
1000, 2000: 필터
10, 20, 1100, 1200, 2100, 2200, 2300, 2400: 체적 음향 공진기
112: 에어 캐비티
113: 비아홀
114: 접속 패턴
115: 기판용 접속 패드
125: 식각 저지층
130: 멤브레인
135: 공진부
140: 제1 전극
150: 압전층
160: 제2 전극
170: 보호층
200: 캡
230: 쉴드층
250: 접합제
1000, 2000: 필터
10, 20, 1100, 1200, 2100, 2200, 2300, 2400: 체적 음향 공진기
Claims (16)
- 복수의 막으로 구성되어, 복수의 체적 음향 공진기를 구성하는 적층 구조체;
상기 복수의 체적 음향 공진기를 수용하고, 상기 적층 구조체와 접합되는 캡;
상기 적층 구조체와 상기 캡의 접합 영역에 마련되고, 적어도 하나의 접합층을 포함하는 접합제; 및
상기 캡의 내부면에 마련되고, 상기 적어도 하나의 접합층 중 일부와 동일한 물질로 형성되는 쉴드층; 을 포함하고,
상기 접합제는 상기 적층 구조체와 상기 캡 사이에 순차적으로 적층되는 적어도 세 개의 접합층을 포함하고, 상기 적어도 세 개의 접합층 중 외곽에 배치되는 두 개의 접합층은 상기 쉴드층과 동일한 물질로 형성되는 필터.
- 제1항에 있어서, 상기 쉴드층은,
금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd) 중 하나를 포함하는 필터.
- 제1항에 있어서,
상기 접합제는 상기 적층 구조체와 상기 캡을 공융 접합(eutectic bonding)하는 필터.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 접합층은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 및 팔라듐(Pd) 중 하나를 포함하는 필터.
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 접합층 사이에 배치되는 접합층은 주석(Sn)을 포함하는 필터.
- 제1항에 있어서,
상기 캡의 쉴드층과 상기 적층 구조체의 이격 거리는 15㎛~45㎛인 필터.
- 제1항에 있어서,
상기 쉴드층은 상기 복수의 체적 음향 공진기로 유입되는 전자기 간섭을 배제하는 필터.
- 제1항에 있어서,
상기 캡은 하면이 개방된 육면체 형상으로 형성되는 필터.
- 제9항에 있어서,
상기 쉴드층과 상기 적층 구조체의 이격 거리는 30㎛~45㎛인 필터.
- 제9항에 있어서,
상기 쉴드층과 상기 적층 구조체의 이격 거리는 상기 캡의 상면의 하부에 마련되는 쉴드층과 상기 적층 구조체의 저면에 따라 결정되는 필터.
- 제9항에 있어서,
상기 쉴드층은 0.5㎛~1㎛의 두께를 가지는 필터.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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