JP2015185818A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す斜視図である。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。図3は本発明の実施の形態1に係る半導体チップを示す平面図である。
図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、配線基板1と半導体チップ5をそれぞれ形成する。この際に半導体チップ5のパッド7をガードリング9よりも半導体基板6の主面から突出させる。次に、パッド7を第1の電極2に接合した後にガードリング9を第2の電極3に接合し、半導体チップ5を配線基板1にフリップチップ実装する。
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体チップを示す斜視図である。図8は、本発明の実施の形態3に係る配線基板を示す斜視図である。配線基板1の第2の電極3は連続した一続きの電極である。一方、半導体チップ5のガードリング9は複数の電極が離散的に配置された破線状の半田である。
Claims (5)
- 第1の電極と、前記第1の電極の周囲に設けられた第2の電極とを有する配線基板と、
半導体基板と、前記半導体基板の主面上に設けられ半田を含むパッドを持つ半導体回路パターンと、前記半導体基板の主面上において前記半導体回路パターンの周囲に設けられた半田を含むガードリングとを有する半導体チップとを備え、
前記半導体チップは前記配線基板にフリップチップ実装され、
前記パッドは前記第1の電極に接合され、
前記ガードリングは前記第2の電極に接合され、
前記パッドの半田の融点が前記ガードリングの半田の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 第1の電極と、前記第1の電極の周囲に設けられた第2の電極とを有する配線基板を形成する工程と、
半導体基板と、前記半導体基板の主面上に設けられ半田を含むパッドを持つ半導体回路パターンと、前記半導体基板の主面上において前記半導体回路パターンの周囲に設けられた半田を含むガードリングとを有し、前記パッドの半田の融点が前記ガードリングの半田の融点よりも低い半導体チップを形成する工程と、
前記パッドを前記第1の電極に接合した後に前記ガードリングを前記第2の電極に接合し、前記半導体チップを前記配線基板にフリップチップ実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極と、前記第1の電極の周囲に設けられた第2の電極とを有する配線基板を形成する工程と、
半導体基板と、前記半導体基板の主面上に設けられ半田を含むパッドを持つ半導体回路パターンと、前記半導体基板の主面上において前記半導体回路パターンの周囲に設けられた半田を含むガードリングとを有し、前記パッドが前記ガードリングよりも前記半導体基板の主面から突出している半導体チップを形成する工程と、
前記パッドを前記第1の電極に接合した後に前記ガードリングを前記第2の電極に接合し、前記半導体チップを前記配線基板にフリップチップ実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極と、前記第1の電極の周囲に設けられた連続した一続きの電極である第2の電極とを有する配線基板を形成する工程と、
半導体基板と、前記半導体基板の主面上に設けられ半田を含むパッドを持つ半導体回路パターンと、前記半導体基板の主面上において前記半導体回路パターンの周囲に設けられた破線状の半田を含むガードリングとを有する半導体チップを形成する工程と、
前記パッドを前記第1の電極に接合し、前記ガードリングを前記第2の電極に接合し、前記半導体チップを前記配線基板にフリップチップ実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記フリップチップ実装を不活性ガス雰囲気中で行い、前記フリップチップ実装後に前記ガードリング内において前記配線基板と前記半導体チップの間を不活性ガスで充填することを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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