JPH04271611A - 弾性表面波コンボルバ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、圧電膜／絶縁体／半導
体構造を有する弾性表面波コンボルバ（以下、ＳＡＷコ
ンボルバと略す）装置の中で、ゲート電極に印加するバ
イアス電圧がゼロボルトの時も動作するＳＡＷコンボル
バ（以下、ゼロバイアス型コンボルバと称す）装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】圧電膜／絶縁体／半導体構造を有する従
来のゼロバイアス型コンボルバの構造を図１０、図１１
および図１２に示す。

【０００３】図１０は、ゼロバイアス型コンボルバの斜
視図、図１１はその断面図であり、図１２は他の構造に
よるゼロバイアス型コンボルバの断面図である。同図に
おいて、１は圧電膜、２は絶縁体、３は半導体、４はｐ
型半導体またはｎ型半導体、５はｎ型半導体またはｐ型
半導体、６は半導体エピタキシャル層、７はゲート電極
、８は裏面電極、９は入力トランスデューサのくし形電
極、１０は高濃度ｎ型半導体基板または高濃度ｐ型半導
体基板、１１は入力端子、１２は出力端子である。

【０００４】図１１と図１２は、半導体３の構造が異な
っている。図１１の構造において、半導体３はｐ型半導
体／ｎ型半導体／高濃度ｎ型半導体基板、あるいはｎ型
半導体／ｐ型半導体／高濃度ｐ型半導体基板なる３層構
造を有しており、通常、高濃度ｎ型半導体基板または高
濃度ｐ型半導体基板１０上の２層の半導体（４と５）は
、半導体基板１０上に堆積して形成した半導体エピタキ
シャル層６であり、半導体の最上層４はイオン注入法で
形成される場合が多い。図１１の構造は、典型的なゼロ
バイアス型コンボルバである。それは、半導体の最上層
４のみを、他の半導体層（５と１０）と異なる導電型の
半導体とすることによって、コンボルバのコンボリュー
ション効率Ｆｔが最大となる時のゲート電圧（動作点）
をゼロボルト近傍とすることが可能であるからである。 図１１の構造に関する詳細は、次の文献［１］と［２］
を参照されたい。 文献［１］三塚秀一、他 「ゼロバイアス動作型モノリシックＺｎＯ／ＳｉＯ２／
Ｓｉコンボルバの試作」昭和６１年秋季応用物理学会講
演予稿集、第９０５頁 文献［２］特開昭６２−６４１１３号公報（昭和６２年
３月２３日公開）

【０００５】一方、図１２の構造では、半導体３は、半
導体エピタキシャル層／高濃度半導体基板なる２層構造
である。高濃度半導体基板とは、ｎ型半導体またはｐ型
半導体基板１０のことである。この図１２の構造では、
コンボリューション効率Ｆｔが最大となる時のゲート電
圧（動作点）は、絶縁体２中に固定電荷が無く、さらに
絶縁体／半導体界面の界面準位の密度が無視できるほど
少ないような理想状態では、ゼロボルト以外の値となる
。よって、図１２の構造の理想的な素子では、ゲート電
圧（ゲート電極７と裏面電極８間の電圧）がゼロボルト
の時は、コンボリューション効率Ｆｔは低い値となる。 しかし、現実的な素子では、圧電膜１を形成する過程（
通常、スパッタリング法、ＣＶＤ法等が用いられる）で
、絶縁体２中に固定電荷が入ったり、界面準位が形成さ
れるので、Ｆｔが最大となるゲート電圧がゼロボルト近
傍になることがあり得る。そのような場合、図１２の構
造でも、ゼロバイアス駆動が可能となる。図１２の構造
に関する詳細は、次の文献［３］と［４］を参照された
い。 文献［３］特開昭６３−６２２８１号公報（昭和６３年
３月１８日公開） 文献［４］特開昭６３−１９７１１１号公報（昭和６３
年８月１６日公開）

【０００６】以上に説明した図１０のＳＡＷコンボルバ
は、実際の使用時に際しては、通常のＳＡＷフィルター
と同様に、耐環境性やハンドリングを考慮して、パッケ
ージの中に入れられる。図１３に、ＳＡＷコンボルバの
従来のパッケージ構造の例を示す。同図において、１３
はＳＡＷコンボルバ、１４はシールド電極、１５は吸音
剤、１６はパッケージの蓋、１７はパッケージの台座、
１８は入力信号ピン、１９は出力信号ピン、２０は接地
ピンである。

【０００７】図１３のＳＡＷコンボルバ１３には、図１
０で省略してあるシールド電極１４と吸音剤１５を示し
てある。シールド電極１４は、くし形電極９とゲート電
極７の間に設定され、パッケージの中では、図１３のよ
うに接地される（パッケージの台座とボンディングワイ
ヤーで接続）。シールド電極１４は、くし形電極９に入
力した入力信号の一部が、電磁気的なカップリングによ
ってゲート電極７に直接漏れ、コンボリューション出力
信号に入力信号の一部が重畳することを防ぐために設け
るものである。このシールド電極はＳＡＷコンボルバ素
子では常識であるから、図１０の構造には、特に示して
ない。また、吸音剤１５はＳＡＷ素子の端面からの不要
な表面波の反射波を防ぐために設けるものであり、これ
もＳＡＷ素子では常識であるから、図１０の構造には示
してない。

【０００８】図１３の従来のパッケージでは、パッケー
ジの台座１７は金属であり、ＳＡＷコンボルバ１３は、
上述した台座１７の上にコンボルバの裏面電極８と台座
１７が電気的に接続し、かつ機械的に互いに固定される
ように設置される（ダイボンディング工程）。通常、前
記ダイボンディング工程は導電性接着剤を用いて行なわ
れることが多い。したがってパッケージの台座１７は、
コンボルバにとって接地面となる。この時、入力信号ピ
ン１８と出力信号ピン１９は台座１７と電気的に絶縁さ
れており、出力信号ピン１９はコンボルバのゲート電極
７上の複数点と接続されている。また、パッケージには
、上述した入力信号ピン以外に、台座１７と電気的に接
続している接地ピン２０も設けられている。パッケージ
の蓋１６は、通常、台座１７と同様に金属であり、蓋１
６と台座はパッケージ中にＮガス等の不活性ガスを入れ
て、通常、電気抵抗溶接法によって溶接され、その結果
、パッケージ内は気密封止される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１３で示したパッケ
ージ構造を、図１０に示したようなゼロバイアス型ＳＡ
Ｗコンボルバのパッケージに用いると、次のような問題
がある。

【００１０】圧電膜／絶縁体／半導体構造のＳＡＷコン
ボルバでは、ゲート電極７と裏面電極８の間に直接バイ
アス電圧を印加すると、圧電膜１中に、電荷の注入また
は放出が生じる。そのような電荷の注入または放出があ
ると、一般にコンボルバの動作点（コンボリューション
効率Ｆｔが最大となるゲート電圧）がシフトする。した
がって、ゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバにおいて、本
来、動作点がゼロボルト近傍にあった場合でも、前述し
たような直流バイアス電圧の印加があると、圧電膜中に
電荷の注入または放出が生じ、動作点がゼロボルト近傍
以外の電圧にシフトしてしまう。そのような場合、ゼロ
バイアス型ＳＡＷコンボルバとは言え、ゲート電圧をゼ
ロボルトにしても、コンボリューション効率Ｆｔは、本
来の値より大きく低下してしまう。そのようなＦｔの低
下は、上述した注入電荷や放出電荷が、再放出または再
注入されて、直流バイアス電圧印加前の熱平衡状態に戻
るまで続く。しかし、室温以下の温度では、一般に圧電
膜１の比抵抗が大きいので、一度注入、放出された電荷
が、もとの熱平衡状態の電荷分布に戻るまでは、少なく
とも数時間以上の時間を要することが多い。

【００１１】図１０のゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバ
の以上述べたような特性を考えたとき、図１３で示した
従来のパッケージ構造では、出力信号ピン１９が接地面
であるパッケージの台座１７と電気的に絶縁されている
ために、静電気による電圧や、パッケージの取り扱い上
での偶発的な電圧が印加される危険性がある。そのよう
な電圧が印加されると、前述したように本来、ゼロボル
トで大きなコンボリューション効率Ｆｔが得られるＳＡ
Ｗコンボルバでも、長時間の間は、低いＦｔしか得られ
ないという結果になる。すなわち、図１３で示した従来
のパッケージ構造をゼロバイアス型コンボルバに用いる
場合は、ＳＡＷコンボルバの特性の長期安定性や信頼性
の点で問題がある。

【００１２】

【発明の目的】本発明は、圧電膜／絶縁体／半導体構造
を有するゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバにおいて、そ
の特性の長期的安定性と信頼性を向上することのできる
弾性表面波コンボルバ装置を提供することを目的とする
。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、圧電膜／絶縁
体／半導体構造を有し、前記圧電膜に接して形成された
入力トランスデューサおよび出力ゲート電極を備えたＳ
ＡＷコンボルバ素子と、前記ＳＡＷコンボルバ素子を封
止するパッケージとを含むＳＡＷコンボルバ装置におい
て、上記ゲート電極を前記パッケージ内において直流的
に接地したことを要旨としている。

【００１４】

【作用】上記構成の弾性表面波コンボルバ装置において
は、パッケージの中でＳＡＷコンボルバ素子のゲート電
極が直流的に接地されているので、静電気による電圧や
偶発的な電圧がゲート電極に印加されるのを防ぐことが
可能となる。

【００１５】

【実施例】本発明の一実施例を図１に示し、同じく本発
明の他の実施例を図２に示す。図３〜図４、図５〜図７
、および図８〜図９は図２の実施例を実現するために適
したＳＡＷコンボルバの構造例を示す。

【００１６】図１および図２は、いずれもゼロバイアス
型ＳＡＷコンボルバのゲート電極７を、コンボルバのパ
ッケージ中において、直流的に接地したことを特徴とし
ている。ただし、あくまでも直流的な意味での接地であ
り、コンボルバの出力信号の周波数帯域では十分大きな
インピーダンスとなるような素子を通して接地し、出力
信号を外部に取り出す際の出力マッチング回路には影響
を与えないようにしている。

【００１７】図１では、上述したことを実現するために
、ＳＡＷコンボルバ素子１３と別個に絶縁基板２１を同
一パッケージ内に配置し、絶縁基板２１上に抵抗器また
はコイル２２を設置または形成し、コンボルバのゲート
電極７を、前記抵抗またはコイル２２を介して接地（パ
ッケージの台座１７に接続）している。なお、上記の抵
抗またはコイルとしては、チップ抵抗やチップインダク
タンスのような個別部品を用いてもよいし、絶縁基板２
１上に形成した厚膜抵抗、あるいは薄膜抵抗を用いたり
、同じく絶縁基板上で導電体を渦巻状に形成したコイル
としたものであってもよい。

【００１８】一方、図２では、ＳＡＷコンボルバ素子１
３の一部に抵抗部２３を形成し、コンボルバのゲート電
極７を、上記の抵抗部２３を介して接地（パッケージの
台座１７に接続）している。上記のように、図１では、
抵抗またはコイルによってゲート電極７をパッケージ中
で接地しており、図２ではコンボルバ素子内に設けた抵
抗でゲート電極７を接地している。ここで抵抗で接地す
る場合の抵抗値をＲとし、コイルで接地する場合のイン
ダクタンスの値をＬとし、コンボルバのゲート容量（ゲ
ート電極７と裏面電極８間の容量）をＣとするとき、Ｒ
とＬは次の条件を満足するものとする。

【００１９】 　　　　Ｒ≫１／（２πｆ・Ｃ）＋Ｒｂ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１）　　　　
Ｌ≫１／｛（２πｆ）２・Ｃ｝＋Ｒｂ／２πｆ　　　　
　　　　　　　…（２）ここで、ｆはコンボルバの出力
信号の周波数帯内の任意の周波数とする。すなわち出力
信号の周波数帯の下限ｆｌ、上限をｆｈとするとき、 　　　　ｆｌ≦ｆ≦ｆｈ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（
３）とする。またＲｂはゲート下の半導体の抵抗値であ
る。 式（１）〜（３）の条件は、コンボルバの出力信号の周
波数帯において、ＲやＬがコンボルバのゲート部よりも
十分大きなインピーダンスとなるための条件である。

【００２０】上述した条件が満たされなければ、出力マ
ッチング回路側からコンボルバをみたとき、コンボルバ
のインピーダンスはほぼゲート部分のインピーダンスで
決まり、ＲやＬのインピーダンスは無視できる（ＲやＬ
はゲート部のインピーダンスと並列につながっているの
で）。よって式（１）〜（３）の条件が満たされれば、
ＲやＬは、出力信号の周波数帯では出力マッチング回路
にほとんど影響を与えることはなく、その結果として、
コンボリューション効率Ｆｔにもほとんど影響を与える
ことは無い。以上がＲやＬの値として式（１）〜（３）
の条件を満たす必要があることの理由である。具体的数
値例を挙げると、Ｃ＝５００ｐＦ、Ｒｂ＝２Ω、ｆｌ＝
３５０ＭＨｚ、ｆｈ＝４５０ＭＨｚの場合は、Ｒ≫２．
７１〜２．９１Ω、Ｌ≫０．９６〜１．３２ｎＨ程度と
なる。前記のＲやＬの値を満足する抵抗やコイルは、パ
ッケージ中においても十分に実現可能である。

【００２１】次に、本発明において、コンボルバゲート
の電極７をＲやＬを介してパッケージ中で直流的に接地
することの理由を述べる。これは、すでに従来技術の問
題点で示したように、図１３では、静電気による電圧や
パッケージの取り扱い上での偶発的な電圧がゼロバイア
ス型ＳＡＷコンボルバに印加される危険性があり、その
結果としてコンボルバの本来の特性が長期間損なわれる
ことがあるという点を改善しようとしたものである。

【００２２】従来技術で上記のような欠点があるのは、
従来のパッケージ（図１３）の出力信号ピン１９がパッ
ケージの台座１７と電気的に絶縁されている状態でゲー
ト電極７が出力信号ピン１９のみに接続されているため
、結果として、ゲート電極７は接地面（台座１７）と直
流的に絶縁されていることに起因している。すなわち、
図１３で示した従来のパッケージでは、ゲート電極７は
常に電気的にオープン状態にあり、静電気による電圧や
パッケージの取り扱い上での偶発的な電圧をそのまま受
けてしまい、ゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバの特性変
化の原因となり得る。

【００２３】これに対し、図１および図２では、抵抗Ｒ
やコイルＬを介してパッケージ中でゲート電極７を直流
的に接地（台座１７に接続）している。このため、同図
の構成によれば、静電気による電圧や偶発的な電圧がゲ
ート電極７に印加されるのを防ぐことができ、その結果
として、ゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバの特性を長期
的に安定化させることができ、信頼性も従来より向上さ
せることができる。

【００２４】なお、抵抗Ｒを介して接地する場合、静電
気の影響はほぼ完全に無くすことができるが、取り扱い
上で、誤って強制的に電圧が印加された場合は、ゲート
電極７に、ある程度の電圧が印加されることを避けるこ
とはできない。その点では、コイルＬを介して接地した
場合の方が、上述したような誤った電圧印加の生じた場
合でも、ゲート電極７には殆ど電圧が印加されない（コ
イルでは直流抵抗は極めて小さいので）ので有利である
。しかし抵抗Ｒを用いた場合でも、誤った電圧印加後の
、コンボルバの特性の回復時間は、図１３に示した従来
の場合のようなゲート電極７のオープン状態の場合と比
べて、はるかに速く、その点で抵抗Ｒを介して接地して
も、従来方式よりはコンボルバ特性の安定化に非常に大
きな効果がある。次に図３，図４、図５〜図７、図８，
図９について説明する。同図は、図２のＳＡＷコンボル
バ内に設けられた抵抗部２３の具体的構造を示したもの
である。

【００２５】図３および図４は、上述した抵抗部２３を
、コンボルバ上に薄膜抵抗体を形成することによって実
現したものである。図３は、薄膜抵抗体２５を圧電膜１
上に形成した構造であり、図４は、薄膜抵抗体２５を絶
縁体２上に形成した構造である。薄膜抵抗体２５の両端
には金属電極２４が設けられており、ゲート電極７と金
属電極２４の片側、および金属電極２４のもう一方と接
地面（パッケージの台座）が、それぞれボンディングワ
イヤで接続されている。なお、薄膜抵抗体としては、ア
モルファスＳｉなどの半導体や、Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｒ−Ｓ
ｉ，Ｔａなどの合金や金属薄膜を用いることができる。

【００２６】図５〜図７は、図２の抵抗部２３を、ＳＡ
Ｗコンボルバの半導体層の一部に形成した例を示したも
のである。図５〜図７のＳＡＷコンボルバは、図１１の
構造の場合の例を示したものであるが、図１２の構造の
場合にも、同様な抵抗部を設けることができる。

【００２７】図５〜図７は、絶縁体２の直下の半導体部
に、ｐ型半導体またはｎ型半導体の抵抗部２６を形成し
、金属電極２４をその両端に設置して、ゲート電極７と
前記金属電極２４の側、および金属電極２４のもう一方
と接地面（パッケージの台座）を、それぞれボンディン
グワイヤで接続している。ここで、抵抗部２６は、半導
体３がｐ型半導体／ｎ型半導体／高濃度ｎ型半導体基板
なる３層構造のときは、ｐ型の半導体とし、半導体３が
ｎ型半導体／ｐ型半導体／高濃度ｐ型半導体基板なる３
層構造のときは、ｎ型半導体とする。ただし、前記の如
き３層構造の場合は、図５〜図７に示したように、コン
ボルバのゲート電極７の下の半導体の最上層４と、抵抗
部２６が電気的に導通しないように、互いに場所的に分
離するものとする。一方、コンボルバとして、図１２の
構造のＳＡＷコンボルバを用いる場合は、抵抗部２６は
、半導体エピタキシャル層６と異なる導電型の半導体と
する。抵抗部２６の半導体の導電型を以上のようにする
のは、抵抗部２６と周囲の半導体の間に自然空乏層を形
成させるためである。そのような空乏層が形成されてい
れば、金属電極２４と裏面電極８の間が低抵抗で導通す
ることがないため、電流は抵抗部２６を通って流れ、そ
れゆえに抵抗部２６は所望の抵抗体としての役目を果た
すことができる。なお、図５〜図７では、絶縁体２の厚
さが場所的に異なっているが、図５〜図７のゲート電極
下の半導体の最上層４と、抵抗部２６が場所的に十分に
離れており、互いに導通することがないような場合は、
絶縁体２の厚さは一様であってもよい。

【００２８】次に図８および図９について説明する。図
８〜図９は、やはり図２の抵抗部２３をＳＡＷコンボル
バの半導体層の一部に形成した例であるが、図５〜図７
では、半導体の横方向に抵抗を形成したのに対し、図８
〜図９では、半導体の縦方向（厚さ方向）に抵抗を形成
したことが特徴である。図８〜図９は、ＳＡＷコンボル
バとして、図１１の構造を用いた場合の例を示したもの
であるが、図８〜図９では、コンボルバの動作にとって
重要なゲート電極７の周辺部にのみ圧電膜１と半導体の
最上層４を形成し、抵抗部を形成する部分では、圧電膜
１と半導体の最上層４が存在しない構造となっている。 図１２の構造をＳＡＷコンボルバとして用いる場合は、
図８〜図９において、半導体の最上層４のない構造にな
る。図８〜図９では、抵抗部を形成する部分の絶縁体２
を除去し、金属電極２４を設置して、ゲート電極７と金
属電極２４をボンディングワイヤで接続している。この
とき、金属電極２４と半導体層５の間（図１２の構造を
用いる場合は、金属電極２４と半導体エピタキシャル層
６の間）には、オーミック接合が形成されるようにする
ものとする。この場合、図８〜図９に示したように、金
属電極２４と裏面電極８の間の厚さ方向が、抵抗Ｒに相
当する。この構造では、抵抗Ｒの一端が裏面電極８にな
るので、自動的に接地されることになり、ワイヤボンデ
ィングはゲート電極７と金属電極２４の間の１ヵ所で済
むという利点がある。図８〜図９では、抵抗部を形成す
る部分の半導体層５（図１２の構造を用いる場合は半導
体エピタキシャル層６）が厚くなっているが、その半導
体層の比抵抗が十分に大きい場合は、そのように部分的
に厚くする必要がなく、全体の半導体３が一様の厚さで
あるようにすることができる。

【００２９】なお、本発明に用いる圧電膜／絶縁体／半
導体構造のモノリシックＳＡＷコンボルバの材質は特に
限定しない。圧電膜としては、ＺｎＯやＡｌＮ等、絶縁
体としては、ＳｉＯ２やＳｉＮｘ等、半導体としては、
ＳｉやＧａＡｓ等を用いることができる。特にコンボリ
ューション効率Ｆｔが高い構造としては、ＺｎＯ／Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ構造が知られており、本発明を実施する場合
は、そのような材質と構造を有するゼロバイアス型ＳＡ
Ｗコンボルバを用いるのが特に有利である。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、従来のパッケージ手段
によって封止した圧電膜／絶縁体／半導体構造を有する
ゼロバイアス型ＳＡＷコンボルバの特性と比較して、Ｓ
ＡＷコンボルバの特性の長期安定性や信頼性を、より向
上できるようなパッケージ手段を提供することができる
。

【００３１】さらに本発明では、パッケージ内で、すで
にゲート電極が直流的に接地されているので、ＳＡＷコ
ンボルバを応用する際の周辺回路において、ゼロバイア
ス駆動するために必要なゲート電極の接地用素子（抵抗
またはコイル）が不要となり、周辺回路の小型化に寄与
するという点でも有用である。

【００３２】なお、本発明を適用したＳＡＷコンボルバ
は、ＳＡＷコンボルバを用いる装置全般に応用できる。 具体的には、スペクトラム拡散通信機、相関器、レーダ
ー、画像処理、フーリエ変換器などに応用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す弾性表面波コンボルバ
の斜視図である。

【図２】他の実施例を示す弾性表面波コンボルバの斜視
図である。

【図３】圧電膜上に抵抗部を形成した構造の斜視図であ
る。

【図４】絶縁体上に抵抗部を形成した構造の斜視図であ
る。

【図５】他の実施例による抵抗部の構造の上面図である
。

【図６】図５のＡ−Ａ’線の断面図である。

【図７】図５のＢ−Ｂ’線の断面図である。

【図８】他の実施例による抵抗部の構造の上面図である
。

【図９】図８のＡ−Ａ’線の断面図である。

【図１０】従来のＳＡＷコンボルバの斜視図である。

【図１１】上記ＳＡＷコンボルバの断面図である。

【図１２】従来の他のＳＡＷコンボルバの断面図である
。

【図１３】従来のＳＡＷコンボルバのパッケージ構造を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１　　圧電膜 ２　　絶縁膜 ３　　半導体 ４　　ｐ型半導体またはｎ型半導体 ５　　ｎ型半導体またはｐ型半導体 ６　　半導体エピタキシャル層、 ７　　ゲート電極、 ８　　裏面電極、 ９　　くし形電極、 １０　　高濃度ｎ型半導体基板または高濃度ｐ型半導体
基板、 １１　　入力端子、 １２　　出力端子 １３　　弾性表面波（ＳＡＷ）コンボルバ、１４　　シ
ールド電極、 １５　　吸音剤 １６　　パッケージの蓋 １７　　台座 １８　　入力信号ピン １９　　出力信号ピン ２０　　接地ピン ２１　　絶縁基板 ２２　　抵抗またはコイル ２３　　抵抗部 ２４　　金属電極 ２５　　薄膜抵抗体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　圧電膜／絶縁体／半導体構造を有し、
   前記圧電膜に接して形成された入力トランスデューサお
   よび出力ゲート電極を備えたＳＡＷコンボルバ素子と、
   前記ＳＡＷコンボルバ素子を封止するパッケージとを含
   む弾性表面波コンボルバ装置において、前記ゲート電極
   が前記パッケージ内において直流的に接地されているこ
   とを特徴とする弾性表面波コンボルバ装置。
2. 【請求項２】　　前記パッケージ内に前記コンボルバ素
   子とは別個に抵抗器またはコイルを備えた絶縁基板が配
   置され、前記ゲート電極が前記抵抗器またはコイルを介
   して直流的に接地されている請求項１に記載の弾性表面
   波コンボルバ装置。
3. 【請求項３】　　前記コンボルバ素子に一体的に抵抗部
   が形成され、前記ゲート電極が前記抵抗部を介して直流
   的に接地されている請求項１に記載の弾性表面波コンボ
   ルバ装置。