JP3533665B1 - 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。 - Google Patents

電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。

Info

Publication number
JP3533665B1
JP3533665B1 JP2002364920A JP2002364920A JP3533665B1 JP 3533665 B1 JP3533665 B1 JP 3533665B1 JP 2002364920 A JP2002364920 A JP 2002364920A JP 2002364920 A JP2002364920 A JP 2002364920A JP 3533665 B1 JP3533665 B1 JP 3533665B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin coating
thermosetting resin
thermoplastic resin
manufacturing
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002364920A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004200281A (ja
Inventor
若浩 川井
憲章 佐藤
Original Assignee
オムロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to JP2002364920A priority Critical patent/JP3533665B1/ja
Priority to US10/724,202 priority patent/US7276436B2/en
Priority to AU2003264651A priority patent/AU2003264651B2/en
Priority to TW092134023A priority patent/TWI278870B/zh
Priority to EP03257934A priority patent/EP1432021A3/en
Priority to KR10-2003-0092022A priority patent/KR100536978B1/ko
Priority to CNB2003101237872A priority patent/CN1270363C/zh
Application granted granted Critical
Publication of JP3533665B1 publication Critical patent/JP3533665B1/ja
Publication of JP2004200281A publication Critical patent/JP2004200281A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H01L2224/29082—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29388—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/8182—Diffusion bonding
    • H01L2224/8183—Solid-solid interdiffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211—Parallel connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0212—Resin particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0571—Dual purpose resist, e.g. etch resist used as solder resist, solder resist used as plating resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1189—Pressing leads, bumps or a die through an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding

Abstract

【要約】 【課題】 配線基板上に半導体ベアチップを迅速に、電
気的にも機械的にも確実に、更に低コストに実装可能で
あり、かつ、半導体ベアチップの実装部に高温並びに高
圧の負荷が加わる状況下にあっても、半導体ベアチップ
と配線基板上の電極領域との接触による短絡の発生を防
止可能とした電子部品モジュールの製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 配線パターンと、配線パターン上の電極
領域を覆い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂
被膜と、当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜
とを具備する配線基板に、高熱を加えつつ、バンプを有
する半導体ベアチップを超音波を付与しながら当該配線
基板の上面側から押し付けることにより、半導体ベアチ
ップのバンプを熱可塑性樹脂被膜並びに熱硬化性樹脂被
膜を挿通させて、その先端部と電極領域とを接合させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、航空タグ、物流管
理用ラベル、無人改札用パス等として機能する電磁波読
み取り可能なデータキャリアの製造等に好適な電子部品
モジュールの製造方法に係り、特に、配線基板上に半導
体ベアチップをフリップチップ接続方式で低コストに実
装可能とするとともに、半導体ベアチップの実装部に高
熱並びに高圧の負荷が加わる状況下にあっても、半導体
ベアチップと配線基板上の電極領域との接触による短絡
を防止可能とした電子部品モジュールの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の電磁波読み取り可能なデータキ
ャリアとしては、所謂『航空タグ』が知られている。こ
の航空タグは、近い将来、空港における顧客荷物の管理
等に使い捨て方式で使用されることが予測され、その際
には、例えば世界的規模の航空会社の場合、その１社だ
けでも月産８５０万枚と言った膨大の需要が見込まれ
る。そのため、この種の航空タグに関しては、超低コス
トな大量生産技術の確立が望まれている。
【０００３】例えば、長方形状を有するＰＥＴフィルム
製基体の片面に、アンテナコイルとなる渦巻状導体パタ
ーンと、送受信回路やメモリ等となるＩＣ部品を搭載し
て構成された航空タグが知られている。この航空タグに
あっては、アンテナコイルとなる渦巻状導体パターンを
保持する航空タグ本体は、ＰＥＴフィルムの片面に被着
された銅箔やアルミ箔をエッチング処理にて選択腐食さ
せることで形成される。そのため、公知のフォトリソ技
術によるレジスト形成工程、それに続く湿式エッチング
工程等により、ＲＴＲ（Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ）に
よる連続生産ラインを容易に実現することができる。一
方、航空タグ本体に搭載されるべき送受信回路やメモリ
等となる回路部品は半導体集積技術を用いて１チップ化
されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】また、本出願人は、先に、上述の送受信回
路やメモリ等を構成する半導体ベアチップを、フィルム
状の絶縁性小片（一種の配線基板）に予め実装すること
でモジュール化を行い、この電子部品モジュールを航空
タグ本体を構成するＰＥＴフィルム上に接着すること
で、航空タグの生産性を向上させることを提案している
（特許文献２参照）。
【０００５】ところで、航空タグに接着される上述の電
子部品モジュールのように、高度の薄型化を要求される
電子部品搭載シートにおいては、配線基板上にベアの半
導体チップを直接実装するフリップチップ接続方式に関
する提案が盛んになされている。
【０００６】フリップチップ接続方式の一例（以下、第
１従来方式と言う）が図１７に示されている。この第１
従来方式にあっては、半導体ベアチップａの底面電極
（図示せず）にあらかじめ接続用の突起状端子（以下、
バンプと言う）ｂを形成しておき、このバンプｂと配線
基板ｃ上の配線パターン上の電極領域（バンプｂとの接
続予定領域）ｄとを位置合わせした後、両者間をハン
ダ、導電性ペースト等の接合材ｅにより接続するように
している。
【０００７】この第１従来方式にあっては、（１）バン
プｂと配線パターン上の電極領域ｄとを接続するための
接合材ｅの供給、硬化等の工程が複雑であること、
（２）バンプ接続部分の耐湿信頼性や半導体の搭載強度
を得るため、チップａと配線基板ｃとの間にアンダーフ
ィルと呼ばれる絶縁樹脂ｆを充填してバンプ接続部分を
封止する必要があること、（３）アンダーフィルとなる
絶縁樹脂ｆを充填硬化させる工程が必要となること、等
のために製造コストが高くなると言った問題が指摘され
ている。
【０００８】フリップチップ接続方式の他の一例（以
下、第２従来方式と言う）が図１８に示されている。こ
の第２従来方式は第１従来方式の問題点を解決するもの
であり、異方導電シートを用いて配線基板上に半導体ベ
アチップを実装するものである。この第２従来方式にあ
っては、熱可塑性や熱硬化性の樹脂中に導電性の微粒子
を分散させた異方導電シートｇを半導体ベアチップａと
配線基板ｃとの間に介在させ、熱圧着によって樹脂を流
動させ、バンプｂと配線パターン上の電極領域ｄとの間
に挟まれた導電性の微粒子ｈによって厚さ方向の電気的
接続を得るようにしている（例えば特許文献３参照）。
【０００９】この方法では、半導体を配線基板上に実装
する際の配線パターンとの位置合わせが比較的ラフに行
える上に、樹脂硬化時間が１０〜２０秒と短く、アンダ
ーフィル等の封止材を用いる必要がなく、低製造コスト
化が狙えると言った効果がある。その反面、（１）異方
導電シートｇは比較的高価であること、（２）その硬化
には２００℃以上という高い温度が必要なため、耐熱性
のない基板には用いることができないこと、（３）比較
的短時間ではあるものの、樹脂材の硬化には１０〜２０
秒を要し、さらなる工程の簡略化、高速化というのは困
難であること、（４）バンプと配線パターン間の電気的
接続は、樹脂材内に分散された導電微粒子の接触により
行うため、接続の信頼性に乏しいこと、等の問題がなお
も指摘されている。
【００１０】そこで、本出願人は、先に、新たなフリッ
プチップ接続方式を提案している（以下、第３従来方式
と言う）。第３従来方式におけるフリップチップ接続方
式が図１９に示されている。この第３従来方式は、配線
基板ｃと、配線基板ｃ上に形成された配線パターン上の
電極領域ｄと、電極領域ｄを覆う熱可塑性樹脂被膜（樹
脂性接着剤）ｉとを有するフリップチップ接続用配線基
板に、断面半円状のバンプｂが形成された半導体ベアチ
ップａを実装するものである。
【００１１】より具体的には、ベアチップａ側（バンプ
ｂ）と配線基板ｃ（電極領域ｄ）との位置決めを行う工
程（位置決め工程）と、ヒータテーブル等を用いて熱可
塑性樹脂被膜ｉを加熱した状態で、バンプｂに超音波を
付与しつつ導体ベアチップａを同図下方（矢印方向）に
押し付けることにより、溶融状態にある熱可塑性樹脂被
膜ｉを部分的に押し退けてバンプｂと電極領域ｄとを接
触させる工程（熱可塑性樹脂被膜の除去工程）と、バン
プｂと電極領域ｄが接触した状態において、超音波を更
に継続的に付与することにより、バンプｂと電極領域ｄ
とを超音波接合（金属溶融接合）する工程（超音波接
合）と、溶融した熱可塑性樹脂被膜ｉを冷却固化させ
て、半導体ベアチップ本体を配線基板上に接着させる工
程（図示省略）と、を具備するものである（特許文献４
参照）。
【００１２】この第３従来方式によれば、熱可塑性樹脂
被膜ｉの溶融、バンプｂへの超音波付与によるバンプｂ
と電極領域ｄとの接合及び熱可塑性樹脂被膜ｉの硬化
（冷却固化）までの一連の実装工程が、１〜２秒以内で
実行でき、製造時間の大幅な短縮が図られる。また、バ
ンプｂと電極領域ｄとの金属溶融接合により、電気的接
続に関しても高い信頼性を得ることができる。
【００１３】しかしながら、この第３従来方式にあって
は、以下に示す問題点が指摘されている。
【００１４】図２０は、半導体ベアチップが搭載された
データキャリア内蔵のカード乃至トークンの加工方法の
例を示す図である。同図において、（ａ）は積層プレス
によるデータキャリア内蔵カードの加工方法を、（ｂ）
は射出成型によるデータキャリア内蔵トークンの加工方
法をそれぞれ示している。より具体的には、同図（ａ）
に示される加工方法は、半導体ベアチップｊが搭載され
たデータキャリア本体ｋを２枚の樹脂製フィルムｌ−ｌ
で挟み込み、この状態で例えば１２０℃程度に熱せられ
た１組の金属プレートｍ−ｍで上下方向から例えば圧力
１００〜２００Ｋｇ／ｃｍ２で押圧することにより、２
枚のフィルムｌ−ｌとデータキャリアとを一体的に接合
させてデータキャリア内蔵のカードを製造するものであ
る。また、同図（ｂ）に示される加工方法は、半導体ベ
アチップｊが搭載されたデータキャリア本体ｋを金型ｎ
の内部空洞の所定位置に配置し、この状態で、金型ｎの
樹脂流入孔ｐから、例えば２５０℃の樹脂を圧力４０〜
８０Ｋｇ／ｍｍ２で注入することにより、データキャリ
ア内蔵のトークンを製造するものである。
【００１５】すなわち、上記した第３従来方式により製
造される電子部品モジュールにあっては、図２１（ａ）
に示されるように、半導体ベアチップａと電極領域ｄと
の間の絶縁は、熱可塑性樹脂被膜ｉのみによって行われ
ているため、上述したような積層プレス、射出成型等の
加工時に必要とされる高温負荷が半導体ベアチップａの
実装部に加わると、熱可塑性樹脂被膜ｉの溶融が発生す
る場合がある。この状態で、更に、同図（ｂ）の矢印で
示される方向に高圧力が加わると、電極領域ｄ及び配線
基板ｃが部分的に湾曲すると共に、半導体ベアチップａ
が熱可塑性樹脂被膜ｉに埋もれ込み、結果、半導体ベア
チップａと電極領域ｄとが接触して短絡が発生するとい
った不具合が指摘されている。
【００１６】
【特許文献１】特開平０６−２４３３５８号公報
【特許文献２】特開２００１−００７５１１号公報
【特許文献３】特開平０３−０２９２０７号公報
【特許文献４】特開２００１−１５６１１０号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上述の問
題点に着目して成されたものであり、その目的とすると
ころは、配線基板上に半導体ベアチップを迅速に、電気
的にも機械的にも確実に、更に低コストに実装可能であ
り、かつ、半導体ベアチップの実装部に高温並びに高圧
の負荷が加わる状況下にあっても、半導体ベアチップと
配線基板上の電極領域との接触による短絡の発生を防止
可能とした電子部品モジュールの製造方法を提供するこ
とにある。
【００１８】また、この発明の他の目的とするところ
は、上記の電子部品モジュールの製造方法に好適なフリ
ップチップ接続用配線基板を提供することにある。
【００１９】また、この発明の他の目的とするところ
は、上記の配線基板を簡単かつ低コストに製造可能なフ
リップチップ接続用配線基板の製造方法を提供すること
にある。
【００２０】さらに、この発明の他の目的とするところ
は、上記のフリップチップ接続用配線基板を使用して、
航空タグ、物流管理用ラベル、無人改札用パス等として
機能する電磁波読み取り可能なデータキャリアを低コス
トに大量生産することが可能な電磁波読み取り可能なデ
ータキャリアの製造方法を提供することにある。
【００２１】本発明のさらに他の目的並びに効果につい
ては、実施の形態の記載等を参照することにより、当業
者であれば容易に理解されるであろう。
【００２２】
【課題を解決するための手段】この発明の電子部品モジ
ュールの製造方法は、半導体ベアチップを配線基板上に
実装してなる電子部品モジュールの製造方法であって、
（ａ）配線パターンと、配線パターン上の電極領域を覆
い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜と、
当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜とを具備
する配線基板を用意する工程と、（ｂ）前記熱可塑性樹
脂被膜を加熱軟化させた状態において、その溶融状態に
ある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベアチップのバンプ
を超音波を付与しつつ押し付けることにより、溶融した
熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを前記熱硬化性樹
脂被膜表面に到達させる工程と、（ｃ）前記バンプに更
に継続的に超音波を付与してバンプを前記熱硬化性樹脂
被膜に押し付けることにより、前記絶縁性粒子を熱硬化
性樹脂被膜内から離脱させつつ熱硬化性樹脂被膜を押し
退けてバンプと電極領域とを接触させる工程と、（ｄ）
前記バンプと電極領域とが接触した状態において、超音
波を更に継続的に付与することにより、バンプと電極領
域とを超音波接合させる工程と、（ｅ）前記溶融した熱
可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベアチップ本体を
配線基板上に接着させる工程と、を具備する。
【００２３】工程（ａ）から明らかであるように、この
発明で使用される配線基板の配線パターン上の電極領域
には、予め、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂
被膜が形成されている。更に、この熱硬化性樹脂被膜上
には、熱可塑性樹脂被膜が形成されている。熱硬化性樹
脂被膜は、配線パターンの電極領域のみを覆うものであ
ってもよく、また配線パターン表面の全部を覆うもので
あってもよい。
【００２４】ここで言う『電極領域』とは、電子部品の
端子等が接続される予定位置を含む配線パターン上の一
定小領域を意味する。この電極領域には配線パターン上
の一般にはランド等と称される部分が含まれるであろ
う。
【００２５】『加熱軟化』とあるのは、熱可塑性樹脂被
膜が加熱されてある程度まで軟化している状態と加熱さ
れて溶融している状態との双方を含む概念を意味してい
る。さらに、ここで言う『熱可塑性樹脂』は、接着剤と
しての良好な特性を有するものであることが好ましい。
【００２６】『分散含有』とあるように、絶縁性粒子
は、熱硬化性樹脂被膜内に均一に分散されているのが好
ましい。この絶縁性粒子は、バンプの超音波振動により
熱硬化性樹脂被膜から当該絶縁性粒子を離脱させること
により、熱硬化性樹脂被膜内に空孔を生じさせるために
含有されるものである。すなわち、熱硬化性樹脂被膜内
に空孔が生じることで、熱硬化性樹脂被膜が耐性上脆く
なり、これにより、バンプを熱硬化性樹脂被膜に容易に
挿通させることが可能となる。したがって、『分散含
有』とあるが、熱硬化性樹脂被膜内の全領域に亘って絶
縁性粒子が均一に存在する必要は必ずしもなく、少なく
とも、電極領域付近（熱硬化性樹脂被膜中におけるバン
プ挿通予定付近）に所定量の絶縁性粒子が存在すればよ
いものと考えられる。
【００２７】尚、『絶縁性粒子を熱硬化性樹脂被膜内か
ら離脱させつつ』には、絶縁性粒子が熱硬化性樹脂被膜
から完全に離脱される場合と、絶縁性粒子の一部分が熱
硬化性樹脂被膜から突出されるような場合の双方が含ま
れる。
【００２８】本発明の電子部品モジュールの製造方法に
よれば、（１）バンプと電極領域との接合は超音波によ
る拡散接合となるため、確実な電気的導通が図れるこ
と、（２）バンプと電極領域との接合部が樹脂封止され
るため、耐湿性が良好となること、（３）半導体ベアチ
ップと配線基板とが熱可塑性樹脂被膜の硬化の際に接着
されるため、引っ張り等に対する機械的な実装強度が高
いこと、（４）電気的導通と機械的結合とを短時間で同
時になし得ること、（５）特別な封止乃至接着工程、並
びに、接着材料が不要なため製造コストが格段に低いこ
と、（６）基板表面が露出している部分については熱可
塑性樹脂被膜は存在しないから、加熱時に基板表面が必
要以上にべた付くことがないこと、等の作用効果が得ら
れる。
【００２９】もっとも、上記（１）〜（６）に示される
作用効果は、熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜
の存在に因るところが多く、本出願人が先に提案した第
３従来方式（特開２００１−１５６１１０号公報）で得
られる作用効果とほぼ同様である。すなわち、本発明の
特筆すべき点は、上記（１）〜（６）に示される作用効
果に加え、更に、以下の（７），（８）に示す作用効果
が得られることにある。
【００３０】（７）本発明により製造される電子部品モ
ジュールにあっては、半導体ベアチップと電極領域（配
線パターン）との間に、一般に高温下では溶融されない
熱硬化性樹脂被膜が介在されるため、先に図２０を用い
て説明したような高温及び高圧負荷が半導体ベアチップ
の実装部に加わっても、熱硬化性樹脂被膜の存在によ
り、先に図２１に示したように半導体ベアチップと配線
パターンが直に接触するといった事態を未然に防止する
ことができる。したがって、そのような短絡の心配のな
い信頼性の高い電子部品モジュールが実現される。
【００３１】（８）熱硬化性樹脂被膜は絶縁性粒子が分
散含有されたものであるため、バンプを熱硬化性樹脂被
膜中に挿通させるための熱硬化性樹脂被膜に対する工程
は、バンプに超音波振動を付加して熱硬化性樹皮被膜に
押し付けるといった簡易なものとすることができる。す
なわち、例えば、上述したような短絡を防止するため
に、熱可塑性樹脂被膜と配線パターンとの間に、絶縁性
粒子を含まない絶縁性被膜（絶縁層）を設けた場合を想
定すると、バンプの超音波振動のみでは絶縁層を容易に
挿通（部分除去）することはできない。これに対し、本
発明では、バンプの超音波振動により絶縁性粒子が熱硬
化性樹脂被膜から離脱され、熱硬化性樹脂層内に空孔が
生じて樹脂層が耐性上脆くなるという作用が得られるた
め、バンプを熱硬化性樹脂被膜に容易に、かつ短時間で
潜り込ませてその先端部を電極領域に到達させることが
可能となるのである。
【００３２】次に、この発明のフリップチップ接続用配
線基板は、配線パターンと、配線パターン上の電極領域
を覆い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜
と、当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜と、
を具備する。
【００３３】このような構成の配線基板を使用すれば、
半導体ベアチップに所定のバンプを設けるだけで、上述
したように、当該半導体ベアチップを超音波実装により
容易に配線基板上に搭載することができる。そして、そ
れにより上述した（１）〜（８）の作用効果を奏する良
好な電子部品モジュールを得ることができる。
【００３４】尚、そのようなフリップチップ接続用配線
基板は、配線パターンをエッチング処理にて形成する際
に、エッチングマスク材として絶縁性粒子が分散含有さ
れた熱硬化性樹脂が使用され、当該熱硬化性樹脂が更に
熱可塑性樹脂により覆われることにより製造されるのが
好ましい。
【００３５】このような製造方法によれば、一般的なエ
ッチングレジストの剥離工程が不要となり、製造工程の
簡略化が図られる。さらにエッチングレジストが配線パ
ターン表面の絶縁性保護層としても機能するという効果
も得られる。
【００３６】次に、本発明の電磁波読み取り可能なデー
タキャリアの製造方法は、フィルム状、シート状、乃至
薄板状の絶縁性基体にアンテナを構成する導体パターン
を保持させてなるデータキャリア本体と、フィルム状、
シート状、又は薄板状配線基板の配線パターン上に送受
信回路やメモリ等を構成する半導体ベアチップを実装し
てなる電子部品モジュールとを一体化してなる電磁波読
み取り可能なデータキャリアの製造方法であって、前記
フィルム状、シート状、又は薄板状配線基板の配線パタ
ーン上に半導体ベアチップを実装してなる電子部品モジ
ュールを製造する工程は、（ａ）前記配線パターンと、
配線パターン上の電極領域を覆い、絶縁性粒子が分散含
有された熱硬化性樹脂被膜と、当該熱硬化性樹脂被膜を
覆う熱可塑性樹脂被膜とを具備するフィルム状、シート
状、又は薄板状配線基板を用意する工程と、（ｂ）前記
熱可塑性樹脂被膜を加熱軟化させた状態において、その
溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベアチッ
プのバンプを超音波を付与しつつ押し付けることによ
り、溶融した熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを前
記熱硬化性樹脂被膜表面に到達させる工程と、（ｃ）前
記バンプに更に継続的に超音波を付与してバンプを前記
熱硬化性樹脂被膜に押し付けることにより、前記絶縁性
粒子を熱硬化性樹脂被膜内から離脱させつつ熱硬化性樹
脂被膜を押し退けてバンプと電極領域とを接触させる工
程と、（ｄ）前記バンプと電極領域とが接触した状態に
おいて、超音波を更に継続的に付与することにより、バ
ンプと電極領域とを超音波接合させる工程と、（ｅ）前
記溶融した熱可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベア
チップ本体を配線基板上に接着させる工程と、を具備す
る。
【００３７】このような構成によれば、電子モジュール
部品の製造方法に関する先述した（１）〜（８）の作用
効果を通じて、航空タグ、物流管理用ラベル、無人改札
用パス等として機能する高性能な電磁波読み取り可能な
データキャリアを大量に生産することができる。
【００３８】尚、本発明の電磁波読み取り可能なデータ
キャリアの製造方法のより好ましい実施形態は、フィル
ム状樹脂製基体にアンテナコイルを構成する金属パター
ンを保持させてなるデータキャリア本体と、フィルム状
樹脂製基体表面のアルミ箔配線パターンに送受信回路や
メモリ等を構成する半導体ベアチップを実装してなる電
子部品モジュールとを一体化して構成される電磁波読み
取り可能なデータキャリアの製造方法であって、前記フ
ィルム状樹脂製基体表面のアルミ箔配線パターン上に半
導体ベアチップを実装してなる電子部品モジュールを製
造する工程は、（ａ）前記アルミ箔配線パターンと、ア
ルミ箔配線パターン上の電極領域を覆い、絶縁性粒子が
分散含有された熱硬化性樹脂被膜と、当該熱硬化性樹脂
被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜とを具備する配線基板を用
意する工程と、（２）前記熱可塑性樹脂被膜を加熱軟化
させた状態において、その溶融状態にある熱可塑性樹脂
被膜の上に半導体ベアチップのバンプを超音波を付与し
つつ押し付けることにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜
を押し退けてバンプを前記熱硬化性樹脂被膜表面に到達
させる工程と、（ｃ）前記バンプに更に継続的に超音波
を付与してバンプを前記熱硬化性樹脂被膜に押し付ける
ことにより、前記絶縁性粒子を熱硬化性樹脂被膜内から
離脱させつつ熱硬化性樹脂被膜を押し退けてバンプと電
極領域とを接触させる工程と、（ｄ）前記バンプと電極
領域とが接触した状態において、超音波を更に継続的に
付与することにより、バンプと電極領域とを超音波接合
させる工程と、（ｅ） 前記溶融した熱可塑性樹脂を冷
却固化させて、半導体ベアチップ本体を配線基板上に接
着させる工程と、を含んでなる。
【００３９】発明者の知見によれば、このように、電子
部品モジュール側の配線パターンとしてアルミ箔を適用
すれば、他の金属を使用する場合に比して、エッチング
処理や上記工程（ｄ）における超音波接合を比較的容易
かつ低コストで行うことができることが確認されてい
る。
【００４０】尚、本発明における『絶縁性粒子』の材料
としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、四
フッ化エチレン等を挙げることができる。耐圧性の観点
からすると、比較的硬度の高い無機系酸化物である酸化
ケイ素、酸化アルミニウムが好ましいと思われる。もっ
とも、酸化アルミニウムは比較的誘電率が高いため、半
導体ベアチップ直下にコンデンサ成分が入ることを極端
に嫌うような用途であれば、酸化ケイ素の方がより好ま
しいであろう。但し、用途により配線基板を切断する必
要があるような場合には、熱硬化性樹脂被膜内に酸化ケ
イ素粒子や酸化アルミニウム粒子等の酸化物系の堅い粒
子を含有させると、カット刃の寿命を縮める虞がある。
このような場合には、比較的柔らかい四フッ化エチレン
を使用するのが好ましいと思われる。
【００４１】本発明において、好ましくは、熱硬化性樹
脂被膜中における絶縁性粒子の含有量が、樹脂１００重
量％に対して１０乃至３０重量％とされる。これは、鋭
意研究の結果知見されたものであり、１０重量％に満た
ないと、バンプの熱硬化性樹脂被膜への挿通（すなわち
半導体ベアチップと電極領域との電気的接続）が困難と
なり、一方、３０重量％を越えると、樹脂としての加工
性が劣化することが確認されている。
【００４２】また、本発明においては、絶縁性粒子の径
は、熱硬化性樹脂被膜の厚みの７０％以上であることが
好ましいことも知見されている。これは、言うまでもな
く、絶縁性粒子の径が大きくなれば、その分、熱硬化性
樹脂被膜から当該絶縁性粒子が離脱した際に生じる樹脂
内空孔が大きくなり、バンプの挿通がより一層容易とな
るためである。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下に、この発明に係る電子部品
モジュールの製造方法の好適な実施の一形態を添付図面
に従って詳細に説明する。尚、以下の実施形態は本発明
の一部を示すものに過ぎず、本発明の及ぶ範囲は、明細
書の特許請求の範囲の記載によってのみ規定されること
は言うまでもない。
【００４４】以下に示される実施形態は、半導体ベアチ
ップを配線基板上に実装してなる電子部品モジュールの
製造方法であり、配線パターン、配線パターン上の電極
領域を覆い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂
被膜、並びに当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂
被膜を具備する配線基板を用意する工程と、熱可塑性樹
脂被膜を加熱軟化させた状態において、その溶融状態に
ある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベアチップのバンプ
を超音波を付与しつつ押し付けることにより、溶融した
熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを熱硬化性樹脂被
膜表面に到達させる工程と、バンプに更に継続的に超音
波を付与してバンプを熱硬化性樹脂被膜に押し付けるこ
とにより、絶縁性粒子を熱硬化性樹脂被膜内から離脱さ
せつつ熱硬化性樹脂被膜を押し退けてバンプと電極領域
とを接触させる工程と、バンプと電極領域とが接触した
状態において、超音波を更に継続的に付与することによ
り、バンプと電極領域とを超音波接合させる工程と、溶
融した熱可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベアチッ
プ本体を配線基板上に接着させる工程と、を具備する。
【００４５】斯かる製造方法を含む一連の工程の概略が
図１の工程図に示されている。この一連の工程には、金
属箔積層材製造工程（Ａ）、エッチングマスク印刷工程
（Ｂ）、配線パターン形成のためのエッチング工程
（Ｃ）、熱可塑性樹脂被膜形成工程（Ｄ）、超音波実装
工程（Ｅ）と、接着工程（Ｆ）とが含まれている。以
下、それら各工程の詳細を順に説明する。
【００４６】［金属箔積層材製造工程（Ａ）］この工程
では、フィルム状配線基板の原材を成すＡｌ−ＰＥＴ積
層材１を製造する。このＡｌ−ＰＥＴ積層材１は、例え
ば、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム２の片面（図では上
面）に、ウレタン系接着剤を介して３５μｍ厚の硬質ア
ルミ箔３を重ね、これを１５０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２
の条件で熱ラミネートを経て積層接着させる工程を経て
製造される。
【００４７】［エッチングマスク印刷工程（Ｂ）］この
工程では、Ａｌ−ＰＥＴ積層材１の硬質アルミ箔３の表
面に所要配線パターン形状のエッチングレジストパター
ンを形成する。この例では、レジストパターンは、同図
中『●』で示されるＳｉＯ２粒子（絶縁性粒子）が分散
含有されたエポキシ系熱硬化性樹脂被膜４として形成さ
れる。詳細には、このエポキシ系熱硬化性樹脂被膜（エ
ッチングレジストパターン）４は、トルエン３０％、メ
チルエチルケトン６．１％及びブチルセルソルブ１２％
を含有する溶剤に、エポキシ樹脂１００重量部と粒子径
３〜４μｍのＳｉ０２粒子３０重量部とを混合して成る
インクを、グラビア印刷等の方法により上記Ａｌ−ＰＥ
Ｔ積層材１の表面に塗布し、これを１３０℃〜２００℃
の温度で２０秒〜６０秒程度乾燥させることにより４〜
６μｍ程度の厚さに形成される。
【００４８】［エッチング工程（Ｃ）］この工程では、
熱硬化性樹脂被膜（エッチングレジストパターン）４か
ら露出するアルミ箔部分５を従来公知のエッチング処理
で除去することにより、硬質アルミ箔３からなる配線パ
ターン６を形成する。この例では、配線パターン６の形
成は、熱硬化性樹脂被膜４から露出するアルミ箔部分５
を、エッチング液であるＮａＯＨ（１２０ｇ／ｌ）に温
度５０℃の条件にて晒すことによって行われる。これに
より、このエッチング工程で得られる配線基板完成途中
品８ａの表面には、硬質アルミ箔３からなる配線パター
ンが出現される。そして、この配線パターン６の表面
は、その全面に亘って、エッチングレジストパターン
（エッチングマスク）として使用したエポキシ系の熱硬
化性樹脂被膜４により覆われている。すなわち、この配
線パターン６の少なくとも電極領域（後述する半導体ベ
アチップのバンプとの接続予定領域）の表面は熱硬化性
樹脂被膜４により覆われていることとなる。尚、熱硬化
性樹脂被膜４の塗布厚は、搭載されるベアチップのバン
プサイズ乃至形状に応じて調整することができる。
【００４９】［熱可塑性樹脂被膜形成工程（Ｄ）］この
工程では、エッチングレジストパターンとしての熱硬化
性樹脂被膜４の表面全体に、接着層としての熱可塑性樹
脂被膜７を形成する。この熱可塑性樹脂被膜７の形成
は、９０℃〜１００℃程度の温度で溶融するポリオレフ
ィン系の熱可塑性樹脂製接着剤を、グラビア印刷等の方
法によって熱硬化性樹脂被膜４の表面に厚さ４〜６μｍ
程度塗布することによって行われる。すなわち、熱硬化
性樹脂被膜４の表面は、その全面に亘って熱可塑性樹脂
被膜７により覆われることとなる。そして、これによ
り、フリップチップ接続用配線基板（半導体ベアチップ
実装用配線基板）８が完成する。尚、この熱可塑性樹脂
被膜７の塗布厚は、搭載されるベアチップのバンプサイ
ズ乃至形状に応じて調整することができる。
【００５０】［超音波実装工程（Ｄ）］この工程では、
超音波を付与しつつ、半導体ベアチップ９を配線基板８
上に実装する。この工程は、熱可塑性樹脂被膜７を加熱
軟化させた状態において、その溶融状態にある熱可塑性
樹脂被膜７の上に、半導体ベアチップ９のバンプ１０を
超音波を付与しつつ押し付けることにより、溶融した熱
可塑性樹脂被膜７を押し退けてバンプ１０を熱硬化性樹
脂被膜４の表面に到達させる工程（第１工程）と、バン
プ１０に更に継続的に超音波を付与してバンプ１０を熱
硬化性樹脂被膜４に押し付けることにより、ＳｉＯ２粒
子を熱硬化性樹脂被膜４内から離脱させつつ熱硬化性樹
脂被膜４を押し退けてバンプ１０と電極領域１１とを接
触させる工程（第２工程）と、バンプ１０と電極領域１
１とが接触した状態において、超音波を更に継続的に付
与することにより、バンプ１０と電極領域１１とを超音
波接合させる工程（第３工程）と、を含んでいる。
【００５１】尚、この例では、半導体ベアチップ９は厚
さ１５０μｍであって、その底面から接続用の金属端子
であるバンプ１０を突出させた所謂表面実装型部品とし
て構成されている。尚、バンプ１０は、金メッキが施さ
れたものであり、その高さは１４μｍｍ、幅は８０μｍ
ｍ（８０×８０μｍｍ）とされている。
【００５２】超音波実装工程の詳細が図２に示されてい
る。第１の工程では、バンプ１０は、超音波振動が付加
された状態で、１５０℃の加熱により溶融した熱可塑性
樹脂被膜７に押し当てられる。すると、溶融した熱可塑
性樹脂被膜７は、バンプ１０の超音波振動により、図２
（ａ）に示されるようにバンプ１０の先端位置より部分
的に押し退けられて除去され、その結果、バンプ１０は
ＳｉＯ２粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜４の表
面に到達する。第２の工程では、更にバンプ１０に超音
波振動を付加した状態で、バンプ１０を熱硬化性樹脂被
膜４に押し当てる。すると、図２（ｂ）に示されるよう
に、『●』で示されるＳｉＯ２粒子がバンプ１０により
熱硬化性樹脂被膜４内から掃き出され（離脱され）、そ
れにより、熱硬化性樹脂被膜４内には、『○』で示され
る空孔が形成される。尚、熱硬化性樹脂被膜４から離脱
されたＳｉＯ２粒子は、溶融状態にある熱可塑性樹脂被
膜７内に吸収される（潜り込む）ものと思われる。この
空孔の発生により、熱硬化性樹脂層７は耐性上脆くな
り、バンプ１０は、熱硬化性樹脂被膜４を容易に押し退
けて（部分的に除去して）、アルミ箔配線パターン６表
面（電極領域１１）に到達することができる。このと
き、さらにアルミ箔配線パターン６表面上の酸化物層等
もバンプ１０の超音波振動により機械的に除去される。
その結果、バンプ１０と電極領域１１とが接触させられ
る。図２（ｃ）に示されるように、第３の工程では、そ
の後、さらにバンプの超音波振動による摩擦熱によりバ
ンプ１０と配線パターン６の電極領域１１とが加熱さ
れ、金原子がアルミ箔内に拡散した金属融着部が形成さ
れて両者の超音波接合が完了する。
【００５３】以上の超音波実装工程における第１乃至第
３の工程は、半導体ベアチップ９を所定位置に配置した
後、例えば、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振動数
６３ＫＨｚの超音波振動を１．５秒程度加えることによ
り完了される。
【００５４】この超音波実装工程の更なる詳細が図３及
び図４の工程図に示されている。図３は上記第１工程の
詳細を説明するための図、図４は上記第２工程及び第３
工程の詳細を説明するための図である。
【００５５】まず、上記第１工程の詳細について図３を
参照しつつ説明する。実装準備段階としての位置決め工
程では、同図（ａ）に示されるように、それぞれ真空吸
着機能を有する超音波ホーン１２とヒータテーブル兼用
アンビル１３とを上下に対向配置した状態において、超
音波ホーン１２には矢印１２ａに示されるようにベアチ
ップ９を吸着保持させ、またヒータテーブル兼用アンビ
ル１３には矢印１３ａに示されるように配線基板８を吸
着保持させる。この状態において、超音波ホーン１２と
ヒータテーブル兼用アンビル１３とを水平方向へと相対
移動させつつ、ベアチップ９側のバンプ１０と配線基板
８側の配線パターン６の電極領域１１との位置決めを行
い、同時にヒータテーブル兼用アンビル１３によって配
線基板８を１５０°Ｃに加熱する。
【００５６】同図（ｂ）に示される熱可塑性樹脂被膜の
部分除去工程では、超音波ホーン１２とヒータテーブル
兼用アンビル１３とによって、矢印ｖに示されるよう
に、超音波振動（６３．５ＫＨｚ、２Ｗ）を付与しつ
つ、矢印Ｐに示されるように、負荷圧力（０．１〜０．
３Ｋｇｆ）により、ベアチップ９のバンプ１０を加熱軟
化状態にある熱可塑性樹脂被膜７に押し当てる。これに
より、熱可塑性樹脂被膜７を部分的に押し退けて（除去
して）、熱可塑性樹脂被膜７にバンプ１０先端部を埋設
させ、同図（ｃ）に示されるようにバンプ１０の先端部
を熱硬化性樹脂被膜４の表面に接触（到達）させる。
【００５７】次に、上記第２工程及び第３工程の詳細に
ついて図４を参照しつつ説明する。同図（ａ）に示され
るように、熱硬化性樹脂被膜４の表面に接触（到達）さ
れたバンプ１０には、矢印ｖに示される超音波振動（６
３．５ＫＨｚ、２Ｗ）と、矢印Ｐに示される負荷圧力
（０．１〜０．３Ｋｇｆ）とが更に継続的に付与され
る。それにより、先述したように、ＳｉＯ２粒子を熱硬
化性樹脂被膜４内から離脱させつつ、熱硬化性樹脂被膜
を押し退けて（同図（ｂ）参照）、バンプ１０を電極領
域１１（アルミ箔配線パターン６の表面）に接触（到
達）させる。続く超音波接合工程（同図（ｃ）参照）で
は、更に超音波振動ｖを継続的に付与することにより、
バンプ１０先端部と電極領域との間で金属間拡散接合を
進行させて、バンプ１０と電極領域１１とを超音波接合
させる。
【００５８】再び、図１に戻って、説明を続ける。
【００５９】［接着工程（Ｅ）］この工程では、配線基
板８に付与された１５０℃の加熱を除去することによ
り、溶融した熱可塑性樹脂被膜７を自然冷却又は強制冷
却により再硬化させて、半導体ベアチップ９本体と配線
パターン６との間を接着させる。すなわち、半導体ベア
チップ９の底面と配線基板８との間に介在された溶融状
態にある熱可塑性樹脂被膜７が冷却固化されて、半導体
ベアチップ９と配線基板８とが強固に接着固定されるの
である。
【００６０】以上の工程（Ａ）〜（Ｅ）を経て完成され
た電子部品モジュールの構造が図５の断面図に示されて
いる。この電子部品モジュールの製造方法によれば、
（１）バンプ１０と電極領域１１との接合は超音波によ
る拡散接合であるため、確実な電気的導通が図れるこ
と、（２）バンプ１０と電極領域１１との接合部が、樹
脂封止されるため、耐湿性が良好となること、（３）半
導体ベアチップ９と配線基板８とが熱可塑性樹脂被膜７
の硬化の際に接着されるため、引っ張り等に対する機械
的な実装強度が高いこと、（４）電気的導通と機械的結
合とを短時間で同時になし得ること、（５）特別な封止
乃至接着工程、並びに、接着材料が不要なため製造コス
トが格段に低いこと、（６）基板表面が露出している部
分については熱可塑性樹脂被膜は存在しないから、加熱
時に基板表面が必要以上にべた付くことがないこと、等
の作用効果が得られる。
【００６１】もっとも、上記（１）〜（６）に示される
作用効果は、熱可塑性樹脂被膜７の存在に因るところが
大きく、本出願人が先に提案した第３従来方式（特開平
１１−３３３４０９号公報）で得られる作用効果とほぼ
同様である。すなわち、特筆すべき点は、本実施形態の
電子部品モジュールの製造方法によれば、上記（１）〜
（６）に示される作用効果に加え、更に、以下に示す作
用効果が得られることにある。（７）半導体ベアチップ
９とアルミ箔配線パターン６との間には、高温下（この
例では少なくとも１５０℃〜２５０℃の範囲内）では溶
融しない熱硬化性樹脂被膜４が介在されているため、先
に図２０を用いて説明したような高温及び高圧負荷が半
導体実装部に加わっても、熱硬化性樹脂被膜４の存在に
より、先に図２１に示したように半導体ベアチップとア
ルミ箔配線パターンが接触するといった事態が防止され
る。したがって、そのような短絡の心配のない信頼性の
高い電子部品モジュールが実現される。（８）上記電子
部品モジュールを製造するにあたり形成される熱硬化性
樹脂被膜４はＳｉＯ２粒子が分散含有されたものである
ため、バンプ１０を潜り込ませるための熱硬化性樹脂被
膜４に対する部分除去工程は、バンプ１０に超音波振動
を付加して熱硬化性樹皮被膜４に押し付けるといった簡
易なものとすることができる。例えば、上述したような
短絡を防止するために、熱可塑性樹脂被膜７とアルミ箔
配線パターン６との間に、ＳｉＯ２粒子等の絶縁性粒子
を含まない絶縁性被膜（絶縁層）を設けた場合を想定す
ると、バンプ１０の超音波振動のみでは絶縁層を容易に
除去することはできない。これに対し、上記実施形態に
よれば、先にも説明したように、バンプ１０の超音波振
動により絶縁性粒子（ＳｉＯ２粒子）が熱硬化性樹脂被
膜４から離脱され、熱硬化性樹脂層４内に空孔が生じて
樹脂層４が耐性上脆くなるため、バンプ１０を熱硬化性
樹脂層４に容易に、かつ短時間（１秒程度）で潜り込ま
せてその先端部をアルミ箔配線パターン６（電極領域）
に到達させることが可能となるのである。
【００６２】尚、本実施形態により実現される電子部品
モジュールにおける半導体ベアチップ９と配線パターン
６との間の接合強度を、超音波接合のみを用いた場合に
おけるそれと比較して図６（ａ）に示す。同図から明ら
かなように、本発明の電子部品モジュールの製造方法を
使用した場合には、超音波接合のみの場合に比較して、
約７倍（５．６〜８．５倍）のもの強力な接合強度を有
する電子部品モジュールが得られた。これは、半導体ベ
アチップ９と配線基板８とが熱可塑性樹脂被膜７の硬化
の際に接着されることによるところが大きいことは言う
までもないが、熱硬化性樹脂被膜４の存在も寄与してい
るものと考えられる。
【００６３】また、第３従来方式により製造される電子
部品モジュール（ＳｉＯ２粒子を分散させた熱硬化性樹
脂被膜４が無い電子部品モジュール）と、本実施形態に
より製造される電子部品モジュールとのそれぞれに、１
５０℃、圧力２Ｋｇ／ｃｍ２の積層プレス加工を施した
際の短絡不良発生率を図６（ｂ）に比較して示す。同図
（ｂ）に示されるように、第３従来方式の場合にあって
は、試験対象モジュール数１００個の内、５個（５％）
の割合で短絡不良が発生したのに対し、本実施形態の場
合にあっては短絡不良が発生したものは確認されなかっ
た（短絡不良発生率０％）。このように、本実施形態に
よれば、高温、高圧力負荷を伴う加工に十分耐え得る電
子部品モジュールが得られることがわかる。
【００６４】また、熱可塑性樹脂被膜７とアルミ箔配線
パターン６との間の絶縁層として、熱硬化性樹脂被膜４
（ＳｉＯ２粒子を分散含有させた絶縁層）を適用した本
実施形態における半導体ベアチップの接合不良発生率
と、絶縁層としてＳｉＯ２粒子を含有しない熱硬化性樹
脂被膜を適用した場合における半導体ベアチップの接合
不良発生率とを図７（ａ）に比較して示す。同図（ａ）
から明らかなように、バンプ１０への超音波付与による
半導体ベアチップ９の配線基板８への実装は、ＳｉＯ２
粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜４を適用したこ
とにより可能とされていることが分かる（ＳｉＯ２粒子
無し：不良発生率９６％、ＳｉＯ２粒子有り：不良発生
率０％）。
【００６５】また、上記実施形態において、熱硬化性樹
脂被膜４に分散含有されるＳｉＯ２粒子の径の違いによ
る半導体チップの接合不良発生率を図７（ｂ）に示す。
同図（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ２粒子径を１〜２
μｍｍ（熱硬化性樹脂被膜４の厚さ（４〜６μｍｍ）の
３０％程度）とした場合には、接合不良が５０％の割合
で発生した。一方、ＳｉＯ２粒子径を３〜４μｍｍ（熱
硬化性樹脂被膜４の厚さ（４〜６μｍｍ）の７０％以
上）とした場合には、接合不良の発生は認められなかっ
た。このことから、ＳｉＯ２の粒子径は、熱硬化性樹脂
被膜４の厚さの７０％以上の大きさのものとするのが好
ましいとの知見が得られた。
【００６６】尚、上記の実施形態では、積層材１を構成
する樹脂基材としてＰＥＴフィルム２を使用したが、Ｐ
ＥＴフィルムの代わりにポリイミドフィルム等を使用す
ることもできる。
【００６７】また、上記の実施形態では、熱硬化性樹脂
被膜４を形成するにあたり、エポキシ樹脂１００重量％
に対してＳｉＯ２粒子３０重量％を混合したインクを使
用したが、鋭意研究の結果得られた発明者の知見による
と、インク中におけるエポキシ樹脂とＳｉＯ２粒子の混
合比率は、エポキシ樹脂１００重量％に対して、ＳｉＯ
２粒子が１０〜３０重量％の間であれば、上記した半導
体ベアチップの超音波実装が良好に実施されることが確
認されている。
【００６８】また、上記の実施形態では、熱硬化性樹脂
被膜４に分散含有させる絶縁性粒子の材料として、Ｓｉ
Ｏ２（シリカ）を使用したが、ＡｌＯ３（アルミナ）や
四フッ化エチレンを使用することもできる。付言すれ
ば、用途により配線基板８を切断する必要があるような
場合には、熱硬化性樹脂被膜４内にＳｉＯ２粒子やＡｌ
Ｏ３粒子等の酸化物系の堅い粒子を含有させると、カッ
ト刃の寿命を縮める虞がある。このような場合には、比
較的柔らかい四フッ化エチレンを使用するのが好まし
い。
【００６９】また、上記の実施形態では、熱可塑性樹脂
被膜７とアルミ箔配線パターン６との間の絶縁層とし
て、熱硬化性樹脂被膜４を示したが、絶縁層は、熱可塑
性樹脂被膜７よりも再軟化点温度が十分高い（すなわ
ち、図２０で示したような積層プレスや射出成型等の加
工で必要とされる高温が付加されて熱可塑性樹脂被膜７
が溶融される状況下にあっても、硬化状態を保持でき
る）熱可塑性樹脂被膜とすることも可能である。無論、
この場合にも、絶縁層にはＳｉＯ２粒子（絶縁性粒子）
が含有されることは言うまでもない。尚、このような場
合の配線基板は、配線パターンと、配線パターン上の電
極領域を覆い、絶縁性粒子が分散含有された第１の熱可
塑性樹脂被膜と、第１の熱可塑性樹脂被膜を覆う第２の
熱可塑性樹脂被膜と、を有し、第１の熱可塑性樹脂被膜
の再軟化点温度は、前記第２の熱可塑性樹脂被膜の再軟
化点温度よりも十分高いフリップチップ接続用半導体チ
ップとして一般化することができる。一方、本実施形態
で示した配線基板８は、配線パターン６と、配線パター
ン６上の電極領域１１を覆い、絶縁性粒子が分散含有さ
れた熱硬化性樹脂被膜４と、当該熱硬化性樹脂被膜を覆
う熱可塑性樹脂被膜７と、を具備するフリップチップ接
続用配線基板として一般化することができる。これら配
線基板によれば、バンプ付半導体ベアチップ９を超音波
付与により容易かつ低コストで実装することができると
共に、それにより、高い接合強度並びに高温高圧負荷が
加えられたときにも短絡が生じない信頼性の高い電子部
品モジュールを製造することができる。
【００７０】また、図１（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示さ
れる配線基板の製造方法は、換言すれば、配線パターン
をエッチング処理にて形成する際に、エッチングマスク
材として絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂が使
用され、当該熱硬化性樹脂が更に熱可塑性樹脂により覆
われるフリップチップ接続用配線基板の製造方法として
一般化することができる。そして、このような構成によ
れば、配線パターンの形成のためのエッチング処理に使
用されたエッチングマスク材がそのまま上記フリップチ
ップ接続用配線基板を構成する熱硬化性樹脂被膜となる
ため、エッチングマスク材の除去処理等が不要で手間が
掛からず、低コストで配線基板を製造できる。
【００７１】次に、図８〜図１２を参照しつつ、本発明
にかかるデータキャリアの製造方法の一実施形態につい
て説明する。なお、このデータキャリアは、航空タグ、
物流管理用ラベル、無人改札用パス等として機能する電
磁波読み取り可能なものである。そして、このデータキ
ャリアは、フィルム状樹脂製基体にアンテナコイルを構
成する金属パターンを保持させてなるデータキャリア本
体と、フィルム状樹脂製基体表面のアルミ箔配線パター
ンに送受信回路やメモリ等を構成する半導体ベアチップ
を実装してなる電子部品モジュールとを一体化して構成
される。
【００７２】データキャリアの実施形態の一例が図８に
示されている。同図に示されるように、このデータキャ
リアＤＣは、２５μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）製基体１０１の片面に、１０μｍ厚の銅箔製
渦巻き状導体パターン（アンテナコイルに相当）１０２
を保持させてなるデータキャリア本体１００と、７０μ
ｍ厚のガラスエポキシ製小片２０１に半導体ベアチップ
２０２を図では下面側に実装してなる電子部品モジュー
ル２００とを有する。そして、電子部品モジュール２０
０は、その小片２０１が、渦巻状導体パターン１０２を
構成する周回導体束１０２ａを跨ぐ（換言すれば交差す
る）ようにしてデータキャリア本体１００上に搭載さ
れ、かつ渦巻状導体パターン１０２との電気的接続は、
渦巻状導体パターン１０２の内周側端子パッド１０３と
外周側端子パッド１０４とにおいて行われる。
【００７３】電子部品モジュール２００の実装構造の一
例が図９の拡大断面図（図８のＡ−Ａ断面図）に示され
ている。図８並びに図９に示されるデータキャリア本体
１００並びに電子部品モジュール２００の製造方法は、
以下に順次詳細に説明される。
【００７４】アンテナコイルを構成する渦巻状導体パタ
ーン１０２の製造工程の一例が図１０に示されている。
同図を参照して、ＰＥＴフィルム製基体１０１の片面に
アンテナコイルとなる渦巻状導体パターン１０２を形成
する際の工程を説明する。
【００７５】（工程Ａ）まず、最初に、Ｃｕ−ＰＥＴ積
層基材３０１を用意する。一例として２５μｍ厚のＰＥ
Ｔフィルム３０２の片面に、ウレタン系接着剤を介して
１０μｍ厚の銅箔３０３を重ね、これを１５０℃、圧力
５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを経て積層接着さ
せる。これにより、ＰＥＴフィルム３０２の表面に銅箔
３０３が接着されたＣｕ−ＰＥＴ積層材３０１が完成す
る。
【００７６】（工程Ｂ）次に、Ｃｕ−ＰＥＴ積層材３０
１の銅箔３０３の表面上に渦巻形状のエッチングレジス
トパターン３０４を形成する。すなわち、コイルの特性
として必要なＬ値、Ｑ値を得るターン数、線幅、ピッ
チ、内外周をもつ渦巻形状に、例えばオフセット印刷法
を用いて絶縁性のエッチングレジストインクを銅箔３０
３上に印刷する。このときのレジストインクとしては、
熱又は活性エネルギー線で硬化するタイプのものを使用
する。活性エネルギー線としては紫外線または電子線を
使用し、紫外線を用いる場合にはレジストインクに光重
合剤を入れて使用する。
【００７７】（工程Ｃ）次に、Ｃｕ−ＰＥＴ積層材３０
１の銅箔３０３の表面上における、電子部品モジュール
２００の電極との電気的導通接続を行う位置に、導電性
インクにより、必要電極形状の導電性エッチングレジス
トパターン３０５ａ，３０５ｂ（図８の１０３，１０
４）を形成する。このレジストパターン３０５ａ，３０
５ｂの形成は前記工程と同様のオフセット印刷にて行
い、レジストインクとしては、１２０℃、２０分程度の
熱処理で硬化する熱硬化性導電接着剤を用いる。尚、こ
の工程に於ける導電性インクの印刷は、一般的に実施さ
れるスクリーン印刷法を用いてもよく、またインク材と
して、例えばＡｇ粒子と熱可塑性接着剤の混合物に光重
合剤を入れたもの、あるいはハンダペースト等を用いて
もよい。
【００７８】（工程Ｄ）次に、エッチングレジストパタ
ーン３０４，３０５ａ，３０５ｂから露出する銅箔部分
３０６を従来公知のエッチングを行うことにより除去
し、アンテナコイルとなる渦巻状導体パターン（図８に
おける１０２）を形成する。このエッチング処理に際し
ては、エッチング液としてＦｅＣｌ２（１２０ｇ／ｌ）
を５０℃の条件にて使用し銅箔３０３を除去する。この
後、一般的には前記工程Ｂに於いて形成したエッチング
レジストを除去しないと、電子部品を回路上、すなわち
アンテナコイルを構成する渦巻状パターン上に実装する
ことはできないが、本発明においては先の工程Ｃで説明
したように導電性のレジストパターン３０５ａ，３０５
ｂがあり、この位置に電子部品を実装することによりエ
ッチングレジストを除去する必要がない。すなわち、本
発明によりエッチングレジストの剥離工程を省くことが
でき、さらに絶縁性インクで形成したエッチングレジス
ト３０４が銅箔製回路パターン表面の絶縁性保護層とし
ても機能するという効果もある。
【００７９】（工程Ｅ）最後に、本実施形態に於いては
後述する電子部品モジュールの凸部（図９のポッティン
グ部４１３）が挿入可能な通孔３０７をプレス加工す
る。以上によりＰＥＴフィルム製基体３０２（１０１）
の片面にアンテナコイルとなる渦巻状導体パターン３０
８（１０２）が保持されたデータキャリア本体１００が
完成する。
【００８０】次に、電子部品モジュール２００の製造工
程の一例が図１１に示されている。なお、先に述べてお
くが、図１１に示される製造工程により得られる電子部
品モジュール２００は、半導体ベアチップ２０２がポッ
ティング４１３（同図（Ｇ）参照）で樹脂封止される
点、並びに、データキャリア本体１００との接続用電極
部分に導電性レジスト４１２が配置される点を除けば、
先に図１を参照して示した電子部品モジュール（図１
（Ｆ）参照）と実質的に同一構成である。
【００８１】［金属箔積層材製造工程（Ａ）］この工程
では、フィルム状配線基板の原材をなすＡｌ−ＰＥＴ積
層材４０１を製造する。このＡｌ−ＰＥＴ積層材４０１
は、例えば、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム４０２の片面
（図では上面）に、ウレタン系接着剤を介して３５μｍ
厚の硬質アルミ箔４０３を重ね、これを１５０℃、圧力
５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを経て積層接着さ
せる工程を経て製造される。
【００８２】［エッチングマスク印刷工程１（Ｂ）］こ
の工程では、Ａｌ−ＰＥＴ積層材４０１の硬質アルミ箔
４０３の表面に所要配線パターン形状のエッチングレジ
ストパターンを形成するための第１レジスト層を形成す
る。この例では、第１レジスト層は、同図中『●』で示
されるＳｉＯ ２粒子（絶縁性粒子）が分散含有されたエ
ポキシ系熱硬化性樹脂被膜４０４として形成される。詳
細には、このエポキシ系熱硬化性樹脂被膜（第１レジス
ト層）４０４は、トルエン３０％、メチルエチルケトン
６．１％及びブチルセルソルブ１２％を含有する溶剤
に、エポキシ樹脂１００重量部と粒子径３〜４μｍのＳ
ｉ０２粒子３０重量部とを混合して成るインクを、グラ
ビア印刷等の方法により上記Ａｌ−ＰＥＴ積層材１の表
面に塗布し、これを１３０℃〜２００℃の温度で２０秒
〜６０秒程度乾燥させることにより４〜６μｍ程度の厚
さに形成される。尚、この工程では、同図（Ｂ）に示さ
れるように、硬質アルミ箔４０３の図中左右両端の表面
４０５ａ，４０５ｂ上には熱硬化性樹脂被膜４０４は形
成されていない。この両端部表面４０５ａ，４０５ｂ上
には、所要配線パターン形状のエッチングレジストパタ
ーンを形成するための熱硬化性導電接着剤が塗布され
る。詳細は後述する。
【００８３】［エッチングマスク印刷工程２（Ｃ）］こ
の工程では、第１レジスト層としての熱硬化性樹脂被膜
４０４の表面全体に、第２レジスト層（接着層を兼務す
る）としての熱可塑性樹脂被膜４０６を形成する。この
熱可塑性樹脂被膜４０６の形成は、９０℃〜１００℃程
度の温度で溶融するポリオレフィン系の熱可塑性樹脂製
接着剤を、グラビア印刷等の方法によって熱硬化性樹脂
被膜４０４の表面に厚さ４〜６μｍ程度塗布することに
よって行われる。すなわち、熱硬化性樹脂被膜４０４の
表面は、その全面に亘って、熱可塑性樹脂被膜４０６に
より覆われることとなる。
【００８４】［エッチングマスク印刷工程３（Ｄ）］こ
の工程では、先述した硬質アルミ箔層４０３の両端部表
面４０５ａ，４０５ｂに、導電性レジスト層（導電性レ
ジスト領域）４０７ａ，４０７ｂを形成する。この導電
性レジスト領域４０７は、データキャリア本体１００の
端子パッド部分３０５ａ，３０５ｂとの接続部分に相当
するものである。この導電性レジスト領域４０７ａ，４
０７ｂの形成は、前記工程と同様のオフセット印刷にて
行い、インクとしては、１２０℃、２０分程度の熱処理
で硬化する熱硬化性導電接着剤が用いられる。尚、この
工程に於ける導電性インクの印刷は、一般的に実施され
るスクリーン印刷法を用いてもよく、またインク材とし
て、例えばＡｇ粒子と熱可塑性接着剤の混合物に光重合
剤を入れたもの、あるいはハンダペースト等を用いても
よい。
【００８５】上記工程（Ｂ）〜（Ｄ）を経て、硬質アル
ミ箔４０３上には、熱硬化性樹脂被膜４０４、熱可塑性
樹脂被膜４０６、及び導電性レジスト領域４０７ａ，４
０７ｂからなる所要配線パターン形状のエッチングレジ
ストパターン４０８が形成される。
【００８６】［エッチング工程（Ｅ）］この工程では、
エッチングレジストパターン４０８から露出するアルミ
箔部分４０９を従来公知のエッチング処理で除去するこ
とにより、硬質アルミ箔４０３からなる配線パターン４
１０を形成する。この配線パターン４１０の形成は、エ
ッチングレジストパターン４０８から露出するアルミ箔
部分４０９を、例えば、エッチング液であるＮａＯＨ
（１２０ｇ／ｌ）に温度５０℃の条件にて晒すことによ
って行われる。これにより、硬質アルミ箔４０３からな
る配線パターン４１０がその表面に出現された配線基板
４１１が得られる。
【００８７】［超音波実装工程（Ｆ）］この工程では、
超音波を付与しつつ、半導体ベアチップ２０２を配線基
板４１１上に実装する。この工程は、熱可塑性樹脂被膜
４０６を加熱軟化させた状態において、その溶融状態に
ある熱可塑性樹脂被膜４０６の上に、半導体ベアチップ
２０２のバンプ２０３を超音波を付与しつつ押し付ける
ことにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜４０６を押し退
けてバンプ２０３を熱硬化性樹脂被膜４０４の表面に到
達させる工程（第１工程）と、バンプ２０３に更に継続
的に超音波を付与してバンプ２０３を熱硬化性樹脂被膜
４０４に押し付けることにより、ＳｉＯ２粒子を熱硬化
性樹脂被膜４０４内から離脱させつつ熱硬化性樹脂被膜
４０４を押し退けてバンプ２０３と硬質アルミ箔４０３
上の電極領域４１２とを接触させる工程（第２工程）
と、バンプ２０３と電極領域４１２とが接触した状態に
おいて、超音波を更に継続的に付与することにより、バ
ンプ２０３と電極領域４１２とを超音波接合させる工程
（第３工程）と、を含んでいる。
【００８８】この例では、半導体ベアチップ２０２は厚
さ１５０μｍであって、その底面から接続用の金属端子
であるバンプ２０３を突出させた所謂表面実装型部品と
して構成されている。また、バンプ２０３としては、金
メッキが施された高さ１４μｍｍ、幅８０μｍｍ（８０
×８０μｍｍ）のバンプが適用されている。第１の工程
では、バンプ１０は、超音波振動を付加した状態で、１
５０℃の加熱により溶融した熱可塑性樹脂被膜４０６に
押し当てられる。すると、溶融した熱可塑性樹脂被膜４
０６は、バンプ２０３の超音波振動により、バンプ２０
３の先端位置より部分的に押し退けられて除去され、そ
の結果、バンプ２０３はＳｉＯ２粒子が分散含有された
熱硬化性樹脂被膜４０４の表面に到達する。第２の工程
では、更にバンプ２０３に超音波振動を付加した状態
で、バンプ２０３を熱硬化性樹脂被膜４０４に押し当て
る。すると、『●』で示されるＳｉＯ２粒子がバンプ２
０３により熱硬化性樹脂被膜４０４内から掃き出され
（離脱され）、それにより、熱硬化性樹脂被膜４０４内
には、『○』で示される空孔が形成される。尚、熱硬化
性樹脂被膜４０４から離脱されたＳｉＯ２粒子は、溶融
状態にある熱可塑性樹脂被膜４０６内に吸収される（潜
り込む）ものと思われる。この空孔の発生により、熱硬
化性樹脂層４０４は耐性上脆くなり、バンプ２０３は、
熱硬化性樹脂被膜４０４を容易に押し退けて（部分的に
除去して）、アルミ箔配線パターン４１０の表面（電極
領域４１２）に到達することができる。このとき、さら
にアルミ箔配線パターン４１０表面上の酸化物層等もバ
ンプ２０３の超音波振動により機械的に除去される。そ
の結果、バンプ２０３と電極領域４１２とが接触させら
れる。第３の工程では、その後、さらに振動による摩擦
熱によりバンプ２０３と配線パターン４１０の電極領域
４１２とが加熱され、金原子がアルミ箔内に拡散した金
属融着部が形成されて両者の超音波接合が完了する。
【００８９】以上の超音波実装工程における第１乃至第
３の工程は、半導体ベアチップ２０２を所定位置に配置
した後、例えば、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振
動数６３ＫＨｚの超音波振動を１．５秒程度加えること
により完了される。
【００９０】［接着工程（Ｇ）］この工程では、配線基
板４１１に付与された１５０℃の加熱を除去することに
より、溶融した熱可塑性樹脂被膜４０６を自然冷却又は
強制冷却により再硬化させて、半導体ベアチップ２０２
本体と配線パターン４１０との間を接着させる。すなわ
ち、半導体ベアチップ２０２の底面と配線基板４１１と
の間に満たされた溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜４０
６が冷却固化されて、半導体ベアチップ２０２と配線基
板４１１とが強固に接着固定されるのである。しかるの
ち、半導体ベアチップ２０２は、必要に応じて、公知の
手法により樹脂封止されて、ポッティング部４１３が形
成される。
【００９１】次に、電子部品モジュール２００を、その
絶縁性小片２０１が渦巻状導体パターン１０２を構成す
る周回導体束１０２ａを跨ぐようにしてデータキャリア
本体１００上に搭載し、かつ渦巻状導体パターンとの電
気的接続を、渦巻状導体パターン１０２の内周側と外周
側とに分離して別個に行う手順を、図１２を参照して説
明する。
【００９２】（工程Ａ）まず、電子部品モジュール２０
０の電子部品搭載面とデータキャリア本体１００の導電
パターン形成面とが対向するようにし、かつ電子部品モ
ジュール２００が、渦巻状導体パターン１０２を構成す
る周回導体束１０２ａを跨ぐ（換言すれば、交差する）
ようにして、電子部品モジュール２００をデータキャリ
ア本体１００上に搭載する。このとき、電子部品である
ベアチップ２０２を覆うポッティング部４１３は、デー
タキャリア本体１００側に開けられた孔３０７に受け入
れられる。さらに、電子部品モジュール２００側におい
て、半導体ベアチップ２０２のバンプ２０３，２０３へ
導通する一対のアルミ箔領域４１０，４１０の電極領域
となる導電性レジスト領域４０７ａ，４０７ｂは、デー
タキャリア本体１００側において、一対の導電性レジス
トパターン３０５ａ，３０５ｂの真上に位置される。つ
まり、電子部品モジュール２００側のアルミ箔領域４１
０，４１０とデータキャリア本体１００側の導電性レジ
ストパターン３０５ａ，３０５ｂとは導電性レジスト領
域４０７ａ，４０７ｂを介して相対峙することとなる。
【００９３】（工程Ｂ）次に、温度１６０℃で加熱した
圧子５０１ａ，５０１ｂを電子部品モジュール２００上
から、特に、一対の導電性レジストパターン３０５ａ，
３０５ｂの真上部に負荷圧力２１．７ｋｇで２０秒間押
し当てる。このとき、熱可塑性接着剤被膜である導電性
レジストパターンが局部的に軟化溶融して、電子部品モ
ジュール２００の端子領域４１０，４１０へ導通する導
電性レジスト領域４０７ａ，４０７ｂとデータキャリア
本体１００側の導電性レジストパターン３０５ａ，３０
５ｂとが接着固定される。他方、熱可塑性樹脂被膜４０
６部分は絶縁を保ったまま電子部品モジュール２００と
データキャリア本体１００との接合に利用でき、さらに
渦巻状導体パターン１０２の表面のエッチングレジスト
３０４が絶縁材として残留しているため、電子部品モジ
ュール２００の絶縁性基材小片４０２（２０１）上の配
線パターン（図示せず）が、渦巻状導体パターン１０２
の内外周を結ぶジャンパ部材を兼ねることとなる。その
結果、従来構造のように、ジャンパ部材や裏面配線パタ
ーン等を使用せずとも、渦巻状導体パターン１０２と半
導体ベアチップ２０２との電気的接続が可能となる。
【００９４】次に、図１３〜図１６を参照しつつ、本発
明にかかるデータキャリアの製造方法の他の一実施形態
について説明する。なお、このデータキャリアも、航空
タグ、物流管理用ラベル、無人改札用パス等として機能
する電磁波読み取り可能なものである。そして、このデ
ータキャリアも、図８を参照して説明した先の例と同様
に、フィルム状樹脂製基体にアンテナコイルを構成する
金属パターンを保持させてなるデータキャリア本体と、
フィルム状樹脂製基体表面のアルミ箔配線パターンに送
受信回路やメモリ等を構成する半導体ベアチップを実装
してなる電子部品モジュールとを一体化して構成され
る。
【００９５】この実施形態における電子部品モジュール
の実装構造の一例が図１３の拡大断面図（図８における
Ａ−Ａ断面図に相当）に示されている。図１３に示され
るデータキャリア本体並びに電子部品モジュールの製造
方法は、以下に順次詳細に説明される。
【００９６】アンテナコイルを構成する渦巻状導体パタ
ーン１０２（図８）の製造工程の一例が図１４に示され
ている。同図を参照して、ＰＥＴフィルム製基体１０１
（図８）の片面にアンテナコイルとなる渦巻状導体パタ
ーン１０２（図８）を形成する際の工程を説明する。
【００９７】（工程Ａ）まず、最初にＣｕ−ＰＥＴ積層
基材６０１を用意する。一例として２５μｍ厚のＰＥＴ
フィルムの片面に、ウレタン系接着剤を介して１０μｍ
厚の銅箔を重ね、これを１５０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２
の条件で熱ラミネートを経て積層接着させる。これによ
り、ＰＥＴフィルム６０２（１０１）の表面に銅箔６０
３が被着されたＣｕ−ＰＥＴ積層材６０１が完成する。
【００９８】（工程Ｂ）次に、Ｃｕ−ＰＥＴ積層材６０
１の銅箔６０３の表面に渦巻形状並びに端子部形状のエ
ッチングレジストパターン６０４を形成する。すなわ
ち、コイルの特性として必要なＬ値、Ｑ値を得るターン
数、線幅、ピッチ、内外周をもつ渦巻形状に、例えばオ
フセット印刷法を用いて絶縁性のエッチングレジストイ
ンキをＣｕ箔上に印刷する。このときのレジストインキ
としては、熱又は活性エネルギー線で硬化するタイプの
ものを使用する。活性エネルギー線としては紫外線また
は電子線を使用し、紫外線を用いる場合にはレジストイ
ンキに光重合剤を入れて使用する。
【００９９】（工程Ｃ）上記工程により形成されたエッ
チングレジストパターン６０４から露出するＣｕ箔部分
６０３ａを従来公知のエッチング法にて除去することに
より、アンテナコイルを構成する渦巻状導体パターン６
０５並びに内外周の端子パッド６０６ａ，６０６ｂ形成
する。このエッチング処理に際しては、エッチング液と
してＦｅＣｌ２（１２０ｇ／ｌ）を５０℃の条件にて使
用し、必要な銅箔部分（Ｃｕ）を除去する。
【０１００】この後、一般的には前記工程（Ｂ）に於い
て形成した絶縁性のエッチングレジスト６０４を除去し
ないと、電子部品を回路上、すなわちコイルに実装する
ことはできないが、本発明においては接合予定部位６０
６ａ，６０６ｂに位置するエッチングレジストは後述す
る接合の際に超音波による機械的摩擦によって除去され
るため（図１３参照）、絶縁性のレジスト６０４を除去
する必要がなくなる。すなわち、本発明によれば、エッ
チングレジスト６０４の剥離工程を省略でき、さらにエ
ッチングレジスト６０４が銅製導体パターン６０５表面
の絶縁性保護層として使用できるという効果が得られ
る。
【０１０１】次に、電子部品モジュール２００の製造工
程の一例が図１５に示されている。尚、先に述べておく
と、同図に示される電子部品モジュールの製造工程は、
半導体ベアチップがポッティングで樹脂封止される点を
除けば、先に図１で示したものと実質的に同一である。
したがって、大凡、説明が先のものと重複するが、念の
ため同一部分についても繰り返し説明する。
【０１０２】［金属箔積層材製造工程（Ａ）］この工程
では、フィルム状配線基板の原材を成すＡｌ−ＰＥＴ積
層材７０１を製造する。このＡｌ−ＰＥＴ積層材７０１
は、例えば、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム７０２の片面
（図では上面）に、ウレタン系接着剤を介して３５μｍ
厚の硬質アルミ箔７０３を重ね、これを１５０℃、圧力
５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを経て積層接着さ
せる工程を経て製造される。
【０１０３】［エッチングマスク印刷工程（Ｂ）］この
工程では、Ａｌ−ＰＥＴ積層材７０１の硬質アルミ箔７
０３の表面に所要配線パターン形状のエッチングレジス
トパターンを形成する。この例では、レジストパターン
は、同図中『●』で示されるＳｉＯ２粒子（絶縁性粒
子）が分散含有されたエポキシ系熱硬化性樹脂被膜７０
４として形成される。詳細には、このエポキシ系熱硬化
性樹脂被膜（エッチングレジストパターン）７０４は、
トルエン３０％、メチルエチルケトン６．１％及びブチ
ルセルソルブ１２％を含有する溶剤に、エポキシ樹脂１
００重量部と粒子径３〜４μｍのＳｉ０２粒子３０重量
部とを混合して成るインクを、グラビア印刷等の方法に
より上記Ａｌ−ＰＥＴ積層材７０１の表面に塗布し、こ
れを１３０℃〜２００℃の温度で２０秒〜６０秒程度乾
燥させることにより４〜６μｍ程度の厚さに形成され
る。
【０１０４】［エッチング工程（Ｃ）］この工程では、
熱硬化性樹脂被膜（エッチングレジストパターン）７０
４から露出するアルミ箔部分７０５を従来公知のエッチ
ング処理で除去することにより、硬質アルミ箔７０３か
らなる配線パターン７０６を形成する。この例では、配
線パターン７０６の形成は、熱硬化性樹脂被膜７０４か
ら露出するアルミ箔部分７０５を、エッチング液である
ＮａＯＨ（１２０ｇ／ｌ）に温度５０℃の条件にて晒す
ことによって行われる。これにより、このエッチング工
程で得られる配線基板完成途中品７０８ａの表面には、
硬質アルミ箔７０３からなる配線パターン７０６が出現
される。そして、この配線パターン７０６の表面は、そ
の全面に亘って、エッチングレジストパターン（エッチ
ングマスク）として使用したエポキシ系の熱硬化性樹脂
被膜７０４により覆われている。すなわち、この配線パ
ターン７０６の少なくとも電極領域（後述する半導体ベ
アチップのバンプとの接続予定領域７１１）の表面は熱
硬化性樹脂被膜７０４により覆われていることとなる。
尚、熱硬化性樹脂被膜７０４の塗布厚は、搭載されるベ
アチップのバンプサイズ乃至形状に応じて調整すること
ができる。
【０１０５】［熱可塑性樹脂被膜形成工程（Ｄ）］この
工程では、エッチングレジストパターンとしての熱硬化
性樹脂被膜７０４の表面全体に、接着層としての熱可塑
性樹脂被膜７０７を形成する。この熱可塑性樹脂被膜７
０７の形成は、９０℃〜１００℃程度の温度で溶融する
ポリオレフィン系の熱可塑性樹脂製接着剤を、グラビア
印刷等の方法によって熱硬化性樹脂被膜７０４の表面に
厚さ４〜６μｍ程度塗布することによって行われる。す
なわち、熱硬化性樹脂被膜７０４の表面は、その全面に
亘って、熱可塑性樹脂被膜７０７により覆われることと
なる。そして、これにより、フリップチップ接続用配線
基板（半導体ベアチップ実装用配線基板）７０８が完成
する。尚、この熱可塑性樹脂被膜７０７の塗布厚は、搭
載されるベアチップのバンプサイズ乃至形状に応じて調
整することができる。
【０１０６】［超音波実装工程（Ｄ）］この工程では、
超音波を付与しつつ、半導体ベアチップ７０９を配線基
板７０８上に実装する。この工程は、熱可塑性樹脂被膜
７０７を加熱軟化させた状態において、その溶融状態に
ある熱可塑性樹脂被膜７０７の上に、半導体ベアチップ
７０９のバンプ７１０を超音波を付与しつつ押し付ける
ことにより、溶融した熱可塑性樹脂被膜７を押し退けて
バンプ７１０を熱硬化性樹脂被膜７０４の表面に到達さ
せる工程（第１工程）と、バンプ７１０に更に継続的に
超音波を付与してバンプ７１０を熱硬化性樹脂被膜７０
４に押し付けることにより、ＳｉＯ２粒子を熱硬化性樹
脂被膜７０４内から離脱させつつ熱硬化性樹脂被膜７０
４を押し退けてバンプ７１０と電極領域７１１とを接触
させる工程（第２工程）と、バンプ７１０と電極領域７
１１とが接触した状態において、超音波を更に継続的に
付与することにより、バンプ７１０と電極領域７１１と
を超音波接合させる工程（第３工程）と、を含んでい
る。
【０１０７】この例では、半導体ベアチップ７０９は厚
さ１５０μｍであって、その底面から接続用の金属端子
であるバンプ７１０を突出させた所謂表面実装型部品と
して構成されている。また、バンプ７１０としては、金
メッキが施された高さ１４μｍｍ、幅８０μｍｍ（８０
×８０μｍｍ）のバンプが適用されている。第１の工程
では、バンプ７１０は、超音波振動を付加した状態で、
１５０℃の加熱により溶融した熱可塑性樹脂被膜７０７
に押し当てられる。すると、溶融した熱可塑性樹脂被膜
７０７は、バンプ７１０の超音波振動により、バンプ７
１０の先端位置より部分的に押し退けられて除去され、
その結果、バンプ７１０はＳｉＯ２粒子が分散含有され
た熱硬化性樹脂被膜７０４の表面に到達する。第２の工
程では、更にバンプ７１０に超音波振動を付加した状態
で、バンプ７１０を熱硬化性樹脂被膜７０４に押し当て
る。すると、『●』で示されるＳｉＯ２粒子がバンプ７
１０により熱硬化性樹脂被膜７０４内から掃き出され
（離脱され）、それにより、熱硬化性樹脂被膜７０４内
には、『○』で示される空孔が形成される。尚、熱硬化
性樹脂被膜７０４から離脱されたＳｉＯ２粒子は、溶融
状態にある熱可塑性樹脂被膜７０７内に吸収される（潜
り込む）ものと思われる。この空孔の発生により、熱硬
化性樹脂層７０４は耐性上脆くなり、バンプ７１０は、
熱硬化性樹脂被膜７０４を容易に押し退けて（部分的に
除去して）、アルミ箔配線パターン７０６の表面（電極
領域７１１）に到達することができる。このとき、さら
にアルミ箔配線パターン７０６の表面上の酸化物層等も
バンプ７１０の超音波振動により機械的に除去される。
その結果、バンプ７１０と電極領域７１１とが接触させ
られる。第３の工程では、その後、さらに振動による摩
擦熱によりバンプ７１０と配線パターン７０６の電極領
域７１１とが加熱され、金原子がアルミ箔内に拡散した
金属融着部が形成されて両者の超音波接合が完了する。
【０１０８】以上の超音波実装工程における第１乃至第
３の工程は、半導体ベアチップ２０２を所定位置に配置
した後、例えば、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振
動数６３ＫＨｚの超音波振動を１．５秒程度加えること
により完了される。
【０１０９】［接着工程（Ｆ）］この工程では、配線基
板７０８に付与された１５０℃の加熱を除去することに
より、溶融した熱可塑性樹脂被膜７０７を自然冷却又は
強制冷却により再硬化させて、半導体ベアチップ７０９
本体と配線パターン７０６との間を接着させる。すなわ
ち、半導体ベアチップ７０９の底面と配線基板７０８と
の間に満たされた溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜７０
７が冷却固化されて、半導体ベアチップ７０９と配線基
板７０８とが強固に接着固定されるのである。しかるの
ち、半導体ベアチップ７０９は、必要に応じて、公知の
手法により樹脂封止されて、ポッティング部７１２が形
成される。以上で、電子部品モジュール７００が完成す
る。
【０１１０】次に、電子部品モジュール７００をデータ
キャリア上に実装してアンテナコイルと電気的に接続す
る工程を図１６に従って説明する。この工程は、超音波
溶接技術を用いて行われる。
【０１１１】（工程Ａ）まず、電子部品モジュール７０
０をデータキャリア本体６０７の上に、電子部品側の接
合予定部位７１３ａ，７１３ｂとデータキャリア本体側
の接合予定部位である端子パッド６０６ａ，６０６ｂと
が向かい合う整合状態で搭載する。
【０１１２】（工程Ｂ）次いで、一体に降下する一対の
圧子８０１，８０２を電子部品モジュール７００の接合
予定部位７１２ａ，７１３ｂの直上部に負荷圧力Ｐ
（０．２ｋｇ／ｍｍ ２ ）、振動数Ｖ（４０ｋＨｚ）の
超音波振動を付加しながら時間Ｔ（０．５秒間）程度押
し当てる。なお、同図中、符号８０３，８０４は圧子８
０１，８０２と対向配置されたアンビルである。
【０１１３】一般に溶接とは、結合しようとする金属の
表面の原子相互間に引力が働き合うような距離（数オン
グストローム）に原子を接近させ、しかも面全体の原子
が秩序ある配列をとって接触することによって生じる。
ところが通常、金属の表面は酸化物、吸着ガス等の薄い
表面層によって覆われているため、その下地の清浄な金
属原子の接近が妨げられ、十分な結合力を生じない。
【０１１４】そこで本超音波接合法では、上記したよう
な方法による超音波振動によって金属表面層（この例で
は７１３ａ，７１３ｂ，６０６ａ，６０６ｂも含まれ
る）を除去し、さらに原子振動を盛んにして原子を拡散
させることで、電子部品モジュール７００の端子と、デ
ータキャリア側の端子を接着固定している。すなわち、
図１３に示されるように、電子部品モジュール７００の
バンプ７１０と電気的に接続されている熱硬化性樹脂被
膜７０４（同図両端部）と、データキャリア側の端子部
（図８では符号１０３，１０４で示される）Ｃｕ箔部分
６０３とを溶接している。
【０１１５】本法は上記したように金属の表面層を超音
波振動により除去して接合を実現する原理に基づくもの
であり、図１４の工程（Ｂ）により、絶縁性エッチング
レジストとして形成された導体パターンの端子パッド６
０６ａ，６０６ｂを剥離しないままこの接合工程を実施
しても、電子部品モジュール７００側とデータキャリア
本体６０７側との間に十分な電気的並びに機械的接合特
性が得られる。以上の工程により本発明に係るフィルム
状データキャリアＤＣ（図８参照）が完成される。
【０１１６】なお、以上説明した実施形態において、例
えば、圧子８０１，８０２と対向するアンビル８０３，
８０４の端面に融着部形状に対応する多数の凹凸を設け
る一方、圧子８０１，８０２の押圧時間を調整すること
で、突部に対応して金属の塑性流動を局部的に生じさ
せ、金属層が除去された部分から臨む樹脂層同士を超音
波振動により融着させることができる。特に、このよう
な金属融着と樹脂融着とを併用する場合には、電子部品
モジュールの機械的な接着強度が格段向上するため、デ
ータキャリアが航空タグや物流管理用ラベル等のような
手荒な扱いを受けやすいものであるときに有効である。
【０１１７】こうして完成したフィルム状データキャリ
アは、読み取り媒体として電磁界を用いていることか
ら、読み取りに際する距離的並びに方向的な制約をさほ
ど受けることがなく、具体的には、読み取りの方向性に
制約を受けることなく１００〜１０００ｍｍの距離か
ら、半導体内に記憶されたデータを確実に読み取ること
ができる。
【０１１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、この発明
によれば、配線基板上に半導体ベアチップを迅速に、電
気的にも機械的にも確実に、更に低コストに実装可能で
あり、かつ、半導体ベアチップの実装部に高温並びに高
圧の負荷が加わる状況下にあっても、半導体ベアチップ
と配線基板上の電極領域との接触による短絡の発生を防
止可能とした電子部品モジュールの製造方法を提供する
ことができる。
【０１１９】また、この発明によれば、航空タグ、物流
管理用ラベル、無人改札用パス等として機能する電磁波
読み取り可能なデータキャリアを低コストに大量生産す
ることが可能な電磁波読み取り可能なデータキャリアの
製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品モジュールの製造方法を示す
工程図である。
【図２】超音波実装工程を示す説明図である。
【図３】超音波実装工程の詳細を示す説明図（その１）
である。
【図４】超音波実装工程の詳細を示す説明図（その２）
である。
【図５】本発明に係る電子部品モジュールの構造を示す
断面図である。
【図６】本発明に係る電子部品モジュールにおける半導
体ベアチップの接合強度と短絡不良発生率を表にして示
す図である。
【図７】本発明に係る電子部品モジュールにおける半導
体ベアチップの接合不良発生率を表にして示す図であ
る。
【図８】データキャリアの一例を示す図である。
【図９】データキャリア上に電子部品モジュールを実装
した状態の断面図である。
【図１０】データキャリア本体の製造工程を示す図であ
る。
【図１１】データキャリアに搭載される電子部品モジュ
ールの製造工程を示す図である。
【図１２】電子部品モジュールのデータキャリア本体へ
の実装工程を示す工程図である。
【図１３】電子部品モジュールの実装構造の他の一例を
示す断面図である。
【図１４】データキャリア本体の他の例による製造工程
を示す図である。
【図１５】データキャリアに搭載される他の例による電
子部品モジュールの製造工程を示す図である。
【図１６】データキャリア本体上に他の例による電子部
品モジュールを実装する工程を示す図である。
【図１７】フリップチップ接続の第１従来方式を示す図
である。
【図１８】フリップチップ接続の第２従来方式を示す図
である。
【図１９】フリップチップ接続の第３従来方式を示す図
である。
【図２０】データキャリア内蔵の製品加工例を示す図で
ある。
【図２１】第３従来方式の問題点を示す図である。
【符号の説明】
１，４０１，７０１ Ａｌ−ＰＥＴ積層基材 ２，４０２，７０２ ＰＥＴフィルム ３，４０３，７０３ アルミ箔 ４，４０４，７０４ 熱硬化性樹脂被膜 ５，４０９，７０５ レジストパターンの存在し
ない部分 ６，４１０，７０６ アルミ箔配線パターン ７，４０６，７０７ 熱可塑性樹脂被膜 ８，４１１，７０８ 配線基板 ９，２０２，７０９ 半導体ベアチップ １０，２０３，７１０ バンプ １１，４１２，７１１ 配線パターン上の電極領域 １２ 超音波ホーン １３ ヒータテーブル兼超音波アンビル ＤＣ データキャリア １００ データキャリア本体 １０１ ＰＥＴ製基体 １０２ 渦巻状導体パターン １０２ａ 周回導体束 １０３ 内周側端子パッド １０４ 外周側端子パッド ２００，７００ 電子部品モジュール ２０１ 絶縁性小片 ４１３，７１２ ポッティング部 ４０７ 導電性レジスト領域 ５０１ａ，５０１ｂ 圧子 ８０３，８０４ アンビル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−251368（ＪＰ，Ａ) 特開2000−231614（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−61056（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−274378（ＪＰ，Ａ) 特開2001−35882（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311 G06K 19/07 G06K 19/077 H01L 21/607

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ベアチップを配線基板上に実装し
    てなる電子部品モジュールの製造方法であって、 配線パターンと、配線パターン上の電極領域を覆い、絶
    縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜と、当該熱
    硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜とを具備する配
    線基板を用意する工程と、 前記熱可塑性樹脂被膜を加熱軟化させた状態において、
    その溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベア
    チップのバンプを超音波を付与しつつ押し付けることに
    より、溶融した熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを
    前記熱硬化性樹脂被膜表面に到達させる工程と、 前記バンプに更に継続的に超音波を付与してバンプを前
    記熱硬化性樹脂被膜に押し付けることにより、前記絶縁
    性粒子を熱硬化性樹脂被膜内から離脱させつつ熱硬化性
    樹脂被膜を押し退けてバンプと電極領域とを接触させる
    工程と、 前記バンプと電極領域とが接触した状態において、超音
    波を更に継続的に付与することにより、バンプと電極領
    域とを超音波接合させる工程と、 前記溶融した熱可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベ
    アチップ本体を配線基板上に接着させる工程と、 を具備する電子部品モジュールの製造方法。
  2. 【請求項２】 絶縁性粒子の材料として、酸化ケイ素又
    は酸化アルミニウムが使用される請求項１に記載の電子
    部品モジュールの製造方法。
  3. 【請求項３】 絶縁性粒子の材料として、四フッ化エチ
    レンが使用される請求項１に記載の電子部品モジュール
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 熱硬化性樹脂被膜中における絶縁性粒子
    の含有量が、樹脂１００重量％に対して１０乃至３０重
    量％であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに
    記載の電子部品モジュールの製造方法。
  5. 【請求項５】 絶縁性粒子の径が、熱硬化性樹脂被膜の
    厚みの７０％以上であることを特徴とする請求項１乃至
    ４の何れかに記載の電子部品モジュールの製造方法。
  6. 【請求項６】 配線パターンと、配線パターン上の電極領域の表面に形成され 、絶縁性粒
    子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜と、当該熱硬化性樹脂被膜の表面に形成された 熱可塑性樹脂
    被膜と、 を具備するフリップチップ接続用配線基板。
  7. 【請求項７】 絶縁性粒子の材料として、酸化ケイ素又
    は酸化アルミニウムが使用されている請求項６に記載の
    フリップチップ接続用配線基板。
  8. 【請求項８】 絶縁性粒子の材料として、四フッ化エチ
    レンが使用されている請求項６に記載のフリップチップ
    接続用配線基板。
  9. 【請求項９】 熱硬化性樹脂被膜中における絶縁性粒子
    の含有量が、樹脂１００重量％に対して１０乃至３０重
    量％であることを特徴とする請求項６乃至８の何れかに
    記載のフリップチップ接続用配線基板。
  10. 【請求項１０】 絶縁性粒子の径が、熱硬化性樹脂被膜
    の厚みの７０％以上であることを特徴とする請求項６乃
    至９の何れかに記載のフリップチップ接続用配線基板。
  11. 【請求項１１】 配線パターンをエッチング処理にて形
    成する際に、エッチングマスク材として絶縁性粒子が分
    散含有された熱硬化性樹脂が使用され、当該熱硬化性樹
    脂が更に熱可塑性樹脂により覆われるフリップチップ接
    続用配線基板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 絶縁性粒子の材料として、酸化ケイ素
    又は酸化アルミニウムが使用されている請求項１１に記
    載のフリップチップ接続用配線基板の製造方法。
  13. 【請求項１３】 絶縁性粒子の材料として、四フッ化エ
    チレンが使用されている請求項１１に記載のフリップチ
    ップ接続用配線基板の製造方法。
  14. 【請求項１４】 熱硬化性樹脂被膜中における絶縁性粒
    子の含有量が、樹脂１００重量％に対して１０乃至３０
    重量％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何
    れかに記載のフリップチップ接続用配線基板の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 絶縁性粒子の径が、熱硬化性樹脂被膜
    の厚みの７０％以上であることを特徴とする請求項１１
    乃至１４の何れかに記載のフリップチップ接続用配線基
    板の製造方法。
  16. 【請求項１６】 フィルム状、シート状、乃至薄板状の
    絶縁性基体にアンテナを構成する導体パターンを保持さ
    せてなるデータキャリア本体と、フィルム状、シート
    状、又は薄板状配線基板の配線パターン上に送受信回路
    やメモリ等を構成する半導体ベアチップを実装してなる
    電子部品モジュールとを一体化してなる電磁波読み取り
    可能なデータキャリアの製造方法であって、 前記フィルム状、シート状、又は薄板状配線基板の配線
    パターン上に半導体ベアチップを実装してなる電子部品
    モジュールを製造する工程は、 前記配線パターンと、配線パターン上の電極領域を覆
    い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化性樹脂被膜と、
    当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹脂被膜とを具備
    するフィルム状、シート状、又は薄板状配線基板を用意
    する工程と、 前記熱可塑性樹脂被膜を加熱軟化させた状態において、
    その溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベア
    チップのバンプを超音波を付与しつつ押し付けることに
    より、溶融した熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを
    前記熱硬化性樹脂被膜表面に到達させる工程と、 前記バンプに更に継続的に超音波を付与してバンプを前
    記熱硬化性樹脂被膜に押し付けることにより、前記絶縁
    性粒子を熱硬化性樹脂被膜内から離脱させつつ熱硬化性
    樹脂被膜を押し退けてバンプと電極領域とを接触させる
    工程と、 前記バンプと電極領域とが接触した状態において、超音
    波を更に継続的に付与することにより、バンプと電極領
    域とを超音波接合させる工程と、 前記溶融した熱可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベ
    アチップ本体を配線基板上に接着させる工程と、 を含む、電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 フィルム状樹脂製基体にアンテナコイ
    ルを構成する金属パターンを保持させてなるデータキャ
    リア本体と、フィルム状樹脂製基体表面のアルミ箔配線
    パターンに送受信回路やメモリ等を構成する半導体ベア
    チップを実装してなる電子部品モジュールとを一体化し
    て構成される電磁波読み取り可能なデータキャリアの製
    造方法であって、 前記フィルム状樹脂製基体表面のアルミ箔配線パターン
    上に半導体ベアチップを実装してなる電子部品モジュー
    ルを製造する工程は、 前記アルミ箔配線パターンと、アルミ箔配線パターン上
    の電極領域を覆い、絶縁性粒子が分散含有された熱硬化
    性樹脂被膜と、当該熱硬化性樹脂被膜を覆う熱可塑性樹
    脂被膜とを具備する配線基板を用意する工程と、 前記熱可塑性樹脂被膜を加熱軟化させた状態において、
    その溶融状態にある熱可塑性樹脂被膜の上に半導体ベア
    チップのバンプを超音波を付与しつつ押し付けることに
    より、溶融した熱可塑性樹脂被膜を押し退けてバンプを
    前記熱硬化性樹脂被膜表面に到達させる工程と、 前記バンプに更に継続的に超音波を付与してバンプを前
    記熱硬化性樹脂被膜に押し付けることにより、前記絶縁
    性粒子を熱硬化性樹脂被膜内から離脱させつつ熱硬化性
    樹脂被膜を押し退けてバンプと電極領域とを接触させる
    工程と、 前記バンプと電極領域とが接触した状態において、超音
    波を更に継続的に付与することにより、バンプと電極領
    域とを超音波接合させる工程と、 前記溶融した熱可塑性樹脂を冷却固化させて、半導体ベ
    アチップ本体を配線基板上に接着させる工程と、 を含む、電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 絶縁性粒子の材料として、酸化ケイ素
    又は酸化アルミニウムが使用される請求項１６又は１７
    に記載の電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方
    法。
  19. 【請求項１９】 絶縁性粒子の材料として、四フッ化エ
    チレンが使用される請求項１６又は１７に記載の電磁波
    読み取り可能なデータキャリアの製造方法。
  20. 【請求項２０】 熱硬化性樹脂被膜中における絶縁性粒
    子の含有量が、樹脂１００重量％に対して１０乃至３０
    重量％であることを特徴とする請求項１６乃至１９の何
    れかに記載の電磁波読み取り可能なデータキャリアの製
    造方法。
  21. 【請求項２１】 絶縁性粒子の径が、熱硬化性樹脂被膜
    の厚みの７０％以上であることを特徴とする請求項１６
    乃至２０の何れかに記載の電磁波読み取り可能なデータ
    キャリアの製造方法。
  22. 【請求項２２】 配線パターンと、 配線パターン上の電極領域を覆い、絶縁性粒子が分散含
    有された第１の熱可塑性樹脂被膜と、 第１の熱可塑性樹脂被膜を覆う第２の熱可塑性樹脂被膜
    と、を有し、 前記第１の熱可塑性樹脂被膜の再軟化点温度は、前記第
    ２の熱可塑性樹脂被膜の再軟化点温度よりも十分高いこ
    とを特徴とするフリップチップ接続用配線基板。
JP2002364920A 2002-12-17 2002-12-17 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。 Expired - Lifetime JP3533665B1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002364920A JP3533665B1 (ja) 2002-12-17 2002-12-17 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。
US10/724,202 US7276436B2 (en) 2002-12-17 2003-12-01 Manufacturing method for electronic component module and electromagnetically readable data carrier
AU2003264651A AU2003264651B2 (en) 2002-12-17 2003-12-02 Manufacturing method for electronic component module and electromagnetically readable data carrier
TW092134023A TWI278870B (en) 2002-12-17 2003-12-03 Manufacturing method for electronic component module and electromagnetically readable data carrier
EP03257934A EP1432021A3 (en) 2002-12-17 2003-12-16 Manufacturing method for electronic component module and electromagnetically readable data carrier
KR10-2003-0092022A KR100536978B1 (ko) 2002-12-17 2003-12-16 전자 부품 모듈의 제조 방법 및 전자파 판독 가능한데이터 캐리어의 제조 방법
CNB2003101237872A CN1270363C (zh) 2002-12-17 2003-12-17 电子元件模块和电磁可读数据载体的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002364920A JP3533665B1 (ja) 2002-12-17 2002-12-17 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP3533665B1 true JP3533665B1 (ja) 2004-05-31
JP2004200281A JP2004200281A (ja) 2004-07-15

Family

ID=32376236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002364920A Expired - Lifetime JP3533665B1 (ja) 2002-12-17 2002-12-17 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7276436B2 (ja)
EP (1) EP1432021A3 (ja)
JP (1) JP3533665B1 (ja)
KR (1) KR100536978B1 (ja)
CN (1) CN1270363C (ja)
AU (1) AU2003264651B2 (ja)
TW (1) TWI278870B (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275802A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Omron Corp 電波読み取り可能なデータキャリアの製造方法および該製造方法に用いる基板並びに電子部品モジュール
JP4873901B2 (ja) * 2004-09-21 2012-02-08 セイコーインスツル株式会社 半導体装置の製造方法
DE102006003835A1 (de) * 2005-08-18 2007-02-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. ICs mit aluminiumgebondeten Substraten sowie Verfahren zu deren Herstellung durch Direktkontaktierung mittels Ultraschall
JP2007058479A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Omron Corp Ｉｃモジュール検査方法とその装置、ｉｃモジュール通信方法とその装置、およびｉｃモジュール
US7456748B2 (en) * 2005-10-20 2008-11-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation RFID antenna with pre-applied adhesives
TWI411964B (zh) 2006-02-10 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
JP5029026B2 (ja) * 2007-01-18 2012-09-19 富士通株式会社 電子装置の製造方法
US8062445B2 (en) * 2007-08-06 2011-11-22 Avery Dennison Corporation Method of making RFID devices
JP2009105276A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Omron Corp 半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板
KR100942772B1 (ko) * 2007-12-27 2010-02-18 대덕전자 주식회사 솔더 레지스트와 언더필 잉크 주입 공정이 생략된 플립 칩실장 기술
EP2284876A4 (en) * 2008-06-05 2012-01-04 Sumitomo Bakelite Co PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
FR2937165B1 (fr) * 2008-10-15 2011-04-08 Fasver Procede de connexion d'un microcircuit a des bornes d'une antenne imprimee sur un support
CA2771791C (en) * 2009-08-26 2018-01-02 Toppan Printing Co., Ltd. Contactless communication medium
CN101661916B (zh) * 2009-09-18 2012-05-09 可富科技股份有限公司 重新布线层于软膜覆晶封装的结构
US8094436B2 (en) * 2010-03-29 2012-01-10 Eaton Corporation Plug-in circuit breaker assembly
JP5644286B2 (ja) * 2010-09-07 2014-12-24 オムロン株式会社 電子部品の表面実装方法及び電子部品が実装された基板
JP5666335B2 (ja) * 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
EP2684220A1 (en) * 2011-03-11 2014-01-15 Avery Dennison Corporation Sheet assembly with aluminum based electrodes
US8488302B2 (en) 2011-04-14 2013-07-16 Eaton Corporation Circuit breaker panel
US8649160B2 (en) 2012-02-07 2014-02-11 Eaton Corporation Plug-in circuit breaker assembly including insulative retainers
EP3507000A4 (en) * 2016-09-04 2020-04-29 Ariel Scientific Innovations Ltd. SELECTIVELY PLEASANT MEMBRANE
US11112841B2 (en) * 2017-04-01 2021-09-07 Intel Corporation 5G mmWave cooling through PCB
KR101932337B1 (ko) * 2017-04-12 2018-12-26 한국과학기술원 도전 입자의 이동을 제한하는 폴리머 층을 포함하는 이방성 전도 필름 및 수직 방향 초음파를 이용한 그 제조 방법
KR102062482B1 (ko) * 2019-01-24 2020-01-03 한국과학기술원 폴리머 필름 내 단일층 니켈 도금된 도전입자에 자기장을 가하여 균일 분산시키는 방법 및 이를 이용한 이방성 전도 필름의 제조 방법
CN111465175B (zh) * 2020-04-23 2022-08-12 京东方科技集团股份有限公司 电路板及其制备方法、电子设备
KR20220104388A (ko) * 2021-01-18 2022-07-26 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207181B (de) 1961-12-23 1965-12-16 Blaupunkt Werke Gmbh Abdeckmittel bei der Herstellung von geaetzten Mustern auf Metallfolien
US5001542A (en) 1988-12-05 1991-03-19 Hitachi Chemical Company Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips
GB9114098D0 (en) 1991-06-29 1991-08-14 Ciba Geigy Ag Method of making patterns
JP3277388B2 (ja) 1992-07-27 2002-04-22 ソニー株式会社 プリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板
GB9222460D0 (en) 1992-10-26 1992-12-09 Hughes Microelectronics Europa Radio frequency baggage tag
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
JPH09241518A (ja) 1996-03-13 1997-09-16 Fujitsu Ltd 樹脂組成物および多層配線形成方法
JPH11176022A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd 相変化光記録媒体
JP3119230B2 (ja) * 1998-03-03 2000-12-18 日本電気株式会社 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JPH11333409A (ja) 1998-05-25 1999-12-07 Nippon Sanso Kk 廃棄物処理システム及び方法
US6399426B1 (en) * 1998-07-21 2002-06-04 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US6410415B1 (en) * 1999-03-23 2002-06-25 Polymer Flip Chip Corporation Flip chip mounting technique
JP3451373B2 (ja) * 1999-11-24 2003-09-29 オムロン株式会社 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法
JP2002151551A (ja) 2000-11-10 2002-05-24 Hitachi Ltd フリップチップ実装構造、その実装構造を有する半導体装置及び実装方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003264651A1 (en) 2004-07-08
KR20040054519A (ko) 2004-06-25
TWI278870B (en) 2007-04-11
KR100536978B1 (ko) 2005-12-14
AU2003264651B2 (en) 2009-01-15
CN1521821A (zh) 2004-08-18
CN1270363C (zh) 2006-08-16
EP1432021A2 (en) 2004-06-23
US7276436B2 (en) 2007-10-02
JP2004200281A (ja) 2004-07-15
TW200421356A (en) 2004-10-16
US20040112636A1 (en) 2004-06-17
EP1432021A3 (en) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3533665B1 (ja) 電子部品モジュールの製造方法、並びに電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法。
US6664645B2 (en) Method of mounting a semiconductor chip, circuit board for flip-chip connection and method of manufacturing the same, electromagnetic wave readable data carrier and method of manufacturing the same, and electronic component module for an electromagnetic wave readable data carrier
JP5018826B2 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
JP2000137785A (ja) 非接触型ｉｃカードの製造方法および非接触型ｉｃカード
JPH1126902A (ja) 突起電極付きプリント配線基板とその製造方法
JP2001007511A (ja) 配線基板同士の接合方法、データキャリアの製造方法、及び電子部品モジュールの実装装置
JP2001044641A (ja) 半導体素子内蔵配線基板およびその製造方法
JP2005275802A (ja) 電波読み取り可能なデータキャリアの製造方法および該製造方法に用いる基板並びに電子部品モジュール
JP3183653B2 (ja) フレキシブル基板
JP2007042087A (ja) Ｒｆｉｄタグ及びその製造方法
JP2003347473A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2000151057A (ja) 電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線ｉｃカードおよびその製造方法
JP2001093926A (ja) 半導体素子パッケージ製造方法及びそれにより製造された半導体素子パッケージ
JP2008235840A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置および半導体モジュール
JP2002158307A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3584404B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JP2000090226A (ja) Ｉｃモジュールの製造方法およびｉｃカードの製造方法
JP2008235839A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007251197A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20120085208A (ko) 전자부품 실장용 배선기판의 제조방법, 전자부품 실장용 배선기판, 및 전자부품을 가진 배선기판의 제조방법
JP2009258943A (ja) ストラップ、タグインレット及びｒｆｉｄタグ
JP2004062634A (ja) 非接触通信媒体の接合方法および非接触通信媒体
JP2000306955A (ja) 固体装置接合用シートおよびその製造方法、用途
JP2016025096A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP2002222895A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040229

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3533665

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term