JP2000151057A - 電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線icカードおよびその製造方法 - Google Patents
電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線icカードおよびその製造方法Info
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- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
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- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】半導体素子、モジュール基板、表示素子等の電
子部品とシート上にパターニングされた配線導体との間
の接続実装を簡単なプロセスで接続信頼性を向上させて
実現して高歩留まりで、且つ低コストで製造することが
できるようにした電子部品実装構造体およびその製造方
法並びに無線ICカードおよびその製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】本発明は、電子部品10の電極パッド上に
形成した先端の尖ったバンプにより、配線シート基体2
1上に配線導体22をパターニングして構成した配線シ
ート20における配線導体の接続部分を破壊貫通させて
バンプと配線導体の接続部分とを相互拡散して接合接続
させ、前記電子部品と前記配線シートの間を封止樹脂で
充填して構成したことを特徴とする。
子部品とシート上にパターニングされた配線導体との間
の接続実装を簡単なプロセスで接続信頼性を向上させて
実現して高歩留まりで、且つ低コストで製造することが
できるようにした電子部品実装構造体およびその製造方
法並びに無線ICカードおよびその製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】本発明は、電子部品10の電極パッド上に
形成した先端の尖ったバンプにより、配線シート基体2
1上に配線導体22をパターニングして構成した配線シ
ート20における配線導体の接続部分を破壊貫通させて
バンプと配線導体の接続部分とを相互拡散して接合接続
させ、前記電子部品と前記配線シートの間を封止樹脂で
充填して構成したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や半導
体素子を実装したモジュール基板や表示装置等の電子部
品を配線シートに実装する電子部品実装構造体およびそ
の製造方法並びに電子部品実装構造体を有する無線IC
カードおよびその製造方法に関する。
体素子を実装したモジュール基板や表示装置等の電子部
品を配線シートに実装する電子部品実装構造体およびそ
の製造方法並びに電子部品実装構造体を有する無線IC
カードおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型・軽量化要求に伴い、そ
の高密度実装技術が重要となってきている。とくに、半
導体素子を配線基板に接続する実装技術は重要であり、
これまでに種々の小型化実装技術が開発されてきた。中
でも、半導体素子をベアで配線基板に対向させ半導体素
子電極と配線基板の配線導体とを接続するフリップチッ
プ実装は、略半導体素子の面積で実装が可能となるた
め、最も高密度な実装が実現できる方法である。フリッ
プチップ実装には、Al電極パッドにTi、W、Ni等
のバリヤメタルを形成した半導体素子とCuを基本とす
るプリント基板配線導体とをはんだで金属間接合する方
法と、Al電極パッドにワイヤバンプ法あるいはめっき
法によりAuバンプを形成した半導体素子とCuにAu
めっきしたプリント基板配線導体とを導電性微粒子を樹
脂に分散させた異方性導電フィルムや銀ペーストなどの
導電性樹脂を用いた補助接合方法が採られてきた。しか
し、金属間接合方法は接合材料や接合プロセスなどの工
程管理が複雑であったり、補助接合方法は補助接合材の
供給や硬化プロセスなどの追加プロセスが煩雑であると
いう理由で、新たに嵌合接合方法が発明された。
の高密度実装技術が重要となってきている。とくに、半
導体素子を配線基板に接続する実装技術は重要であり、
これまでに種々の小型化実装技術が開発されてきた。中
でも、半導体素子をベアで配線基板に対向させ半導体素
子電極と配線基板の配線導体とを接続するフリップチッ
プ実装は、略半導体素子の面積で実装が可能となるた
め、最も高密度な実装が実現できる方法である。フリッ
プチップ実装には、Al電極パッドにTi、W、Ni等
のバリヤメタルを形成した半導体素子とCuを基本とす
るプリント基板配線導体とをはんだで金属間接合する方
法と、Al電極パッドにワイヤバンプ法あるいはめっき
法によりAuバンプを形成した半導体素子とCuにAu
めっきしたプリント基板配線導体とを導電性微粒子を樹
脂に分散させた異方性導電フィルムや銀ペーストなどの
導電性樹脂を用いた補助接合方法が採られてきた。しか
し、金属間接合方法は接合材料や接合プロセスなどの工
程管理が複雑であったり、補助接合方法は補助接合材の
供給や硬化プロセスなどの追加プロセスが煩雑であると
いう理由で、新たに嵌合接合方法が発明された。
【0003】特開平07−153796号公報(従来技
術1)には、図6に示す嵌合接合方法が開示されてい
る。図6(a)に配線基板基体210上に形成された配
線導体220を持つ配線基板200を示す。配線導体2
20には、半導体素子10と接続する部位に逆テーパの
接続孔221が形成されている。図6(b)は、先端の
尖ったバンプ110が形成された半導体素子100を配
線基板200に位置合せした状態を示す。図6(c)
は、配線基板200に半導体素子100を加圧接続させ
た状態を示す。バンプ110は接続時の加圧力により変
形し変形バンプ222となり嵌合接合が完成する。
術1)には、図6に示す嵌合接合方法が開示されてい
る。図6(a)に配線基板基体210上に形成された配
線導体220を持つ配線基板200を示す。配線導体2
20には、半導体素子10と接続する部位に逆テーパの
接続孔221が形成されている。図6(b)は、先端の
尖ったバンプ110が形成された半導体素子100を配
線基板200に位置合せした状態を示す。図6(c)
は、配線基板200に半導体素子100を加圧接続させ
た状態を示す。バンプ110は接続時の加圧力により変
形し変形バンプ222となり嵌合接合が完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術1に開示された嵌合接合方法は、配線導体220
に逆テーパの接続孔221をあらかじめ形成しておく必
要がある。逆テーパの接続孔221はアディティブめっ
き法あるいはエッチング法により形成する。これらの方
法は、単独プロセスとして追加するのではコスト増加を
招き、また配線形成プロセスで同時に接続孔221を形
成するのであれば高精度のプロセス管理が要求されると
いう課題を有していた。
来技術1に開示された嵌合接合方法は、配線導体220
に逆テーパの接続孔221をあらかじめ形成しておく必
要がある。逆テーパの接続孔221はアディティブめっ
き法あるいはエッチング法により形成する。これらの方
法は、単独プロセスとして追加するのではコスト増加を
招き、また配線形成プロセスで同時に接続孔221を形
成するのであれば高精度のプロセス管理が要求されると
いう課題を有していた。
【0005】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
半導体素子、モジュール基板、表示素子等の電子部品と
シート上にパターニングされた配線導体との間の接続実
装を簡単なプロセスで接続信頼性を向上させて実現して
高歩留まりで、且つ低コストで製造することができるよ
うにした電子部品実装構造体およびその製造方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、無線によ
る電力の伝送を受け、情報の送受信を行うアンテナと該
アンテナに接続される半導体素子とを、裏面カバーシー
トと表面カバーシートとの間に内蔵した薄肉の無線IC
カードを、アンテナと半導体素子との接続実装部の高信
頼性を確保することにより、高歩留まりで、且つ低コス
トで製造することができるようにした無線ICカードお
よびその製造方法を提供することにある。
半導体素子、モジュール基板、表示素子等の電子部品と
シート上にパターニングされた配線導体との間の接続実
装を簡単なプロセスで接続信頼性を向上させて実現して
高歩留まりで、且つ低コストで製造することができるよ
うにした電子部品実装構造体およびその製造方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、無線によ
る電力の伝送を受け、情報の送受信を行うアンテナと該
アンテナに接続される半導体素子とを、裏面カバーシー
トと表面カバーシートとの間に内蔵した薄肉の無線IC
カードを、アンテナと半導体素子との接続実装部の高信
頼性を確保することにより、高歩留まりで、且つ低コス
トで製造することができるようにした無線ICカードお
よびその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、電子部品の電極パッド上に形成したバ
ンプにより、配線シート基体上に配線導体をパターニン
グして構成した配線シートにおける配線導体の接続部分
を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを接続
させて構成したことを特徴とする電子部品実装構造体で
ある。また、本発明は、電子部品の電極パッド上に形成
したバンプにより、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける配線導体の接
続部分を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分と
を相互拡散して接合接続させて構成したことを特徴とす
る電子部品実装構造体である。また、本発明は、電子部
品の電極パッド上に形成したバンプにより、配線シート
基体上に配線導体をパターニングして構成した配線シー
トにおける配線導体の接続部分を破壊貫通させてバンプ
と配線導体の接続部分とを接続させ、前記電子部品と前
記配線シートの間を封止樹脂で充填して構成したことを
特徴とする電子部品実装構造体である。
めに、本発明は、電子部品の電極パッド上に形成したバ
ンプにより、配線シート基体上に配線導体をパターニン
グして構成した配線シートにおける配線導体の接続部分
を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを接続
させて構成したことを特徴とする電子部品実装構造体で
ある。また、本発明は、電子部品の電極パッド上に形成
したバンプにより、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける配線導体の接
続部分を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分と
を相互拡散して接合接続させて構成したことを特徴とす
る電子部品実装構造体である。また、本発明は、電子部
品の電極パッド上に形成したバンプにより、配線シート
基体上に配線導体をパターニングして構成した配線シー
トにおける配線導体の接続部分を破壊貫通させてバンプ
と配線導体の接続部分とを接続させ、前記電子部品と前
記配線シートの間を封止樹脂で充填して構成したことを
特徴とする電子部品実装構造体である。
【0007】また、本発明は、電子部品の電極パッド上
に形成したバンプにより、配線シート基体上に配線導体
をパターニングして構成した配線シートにおける配線導
体の接続部分を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続
部分とを相互拡散して接合接続させ、前記電子部品と前
記配線シートの間を封止樹脂で充填して構成したことを
特徴とする電子部品実装構造体である。また、本発明
は、前記電子部品実装構造体において、さらに、前記電
子部品の背面をカバーシートで覆って保護するように構
成したことを特徴とする。また、本発明は、前記電子部
品実装構造体において、前記バンプの材料が、Au若し
くはCu若しくはAlの金属を主成分とし、前記配線導
体の材料が、Al若しくはCu若しくはNi若しくはA
uの金属または導電性樹脂を主成分とすることを特徴と
する。また、本発明は、前記電子部品実装構造体におい
て、前記配線シート基体の材料が、ポリエチレンテレフ
タレート、またはポリエチレン、またはポリカーボネー
ト、またはポリイミド、またはポリ塩化ビニールである
ことを特徴とする。また、本発明は、前記電子部品実装
構造体において、前記電子部品を、半導体素子または半
導体装置で構成したことを特徴とする。
に形成したバンプにより、配線シート基体上に配線導体
をパターニングして構成した配線シートにおける配線導
体の接続部分を破壊貫通させてバンプと配線導体の接続
部分とを相互拡散して接合接続させ、前記電子部品と前
記配線シートの間を封止樹脂で充填して構成したことを
特徴とする電子部品実装構造体である。また、本発明
は、前記電子部品実装構造体において、さらに、前記電
子部品の背面をカバーシートで覆って保護するように構
成したことを特徴とする。また、本発明は、前記電子部
品実装構造体において、前記バンプの材料が、Au若し
くはCu若しくはAlの金属を主成分とし、前記配線導
体の材料が、Al若しくはCu若しくはNi若しくはA
uの金属または導電性樹脂を主成分とすることを特徴と
する。また、本発明は、前記電子部品実装構造体におい
て、前記配線シート基体の材料が、ポリエチレンテレフ
タレート、またはポリエチレン、またはポリカーボネー
ト、またはポリイミド、またはポリ塩化ビニールである
ことを特徴とする。また、本発明は、前記電子部品実装
構造体において、前記電子部品を、半導体素子または半
導体装置で構成したことを特徴とする。
【0008】また、本発明は、電子部品の電極パッド上
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、該バンプ形成工程で形成された先端
の尖ったバンプを、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける配線導体の接
続部分に位置合せし、その後、電子部品を加圧すること
によって前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破
壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続部分に接
続して実装する実装工程とを有することを特徴とする電
子部品実装構造体の製造方法である。また、本発明は、
電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端の
尖ったバンプを形成するバンプ形成工程と、該バンプ形
成工程で形成された先端の尖ったバンプを、配線シート
基体上に配線導体をパターニングして構成した配線シー
トにおける配線導体の接続部分に位置合せし、その後、
電子部品を加圧することによって前記バンプにより前記
配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記バンプと前記
配線導体の接続部分とを相互拡散して接合接続させて実
装する実装工程とを有することを特徴とする電子部品実
装構造体の製造方法である。また、本発明は、電子部品
の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端の尖ったバ
ンプを形成するバンプ形成工程と、配線シート基体上に
配線導体をパターニングして構成した配線シートにおけ
る電子部品を搭載する部分に熱硬化性若しくは熱可塑性
若しくは紫外線硬化性の封止樹脂を置く(滴下して置く
場合も含む)封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程
によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工
程で形成された先端の尖ったバンプを、前記配線シート
における配線導体の接続部分に位置合せし、その後、電
子部品を加圧することによって前記電子部品と前記配線
シートとの間を前記封止樹脂で溶融充填し、さらに前記
バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて
前記バンプを前記配線導体の接続部分に接続させて実装
する実装工程とを有することを特徴とする電子部品実装
構造体の製造方法である。
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、該バンプ形成工程で形成された先端
の尖ったバンプを、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける配線導体の接
続部分に位置合せし、その後、電子部品を加圧すること
によって前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破
壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続部分に接
続して実装する実装工程とを有することを特徴とする電
子部品実装構造体の製造方法である。また、本発明は、
電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端の
尖ったバンプを形成するバンプ形成工程と、該バンプ形
成工程で形成された先端の尖ったバンプを、配線シート
基体上に配線導体をパターニングして構成した配線シー
トにおける配線導体の接続部分に位置合せし、その後、
電子部品を加圧することによって前記バンプにより前記
配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記バンプと前記
配線導体の接続部分とを相互拡散して接合接続させて実
装する実装工程とを有することを特徴とする電子部品実
装構造体の製造方法である。また、本発明は、電子部品
の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端の尖ったバ
ンプを形成するバンプ形成工程と、配線シート基体上に
配線導体をパターニングして構成した配線シートにおけ
る電子部品を搭載する部分に熱硬化性若しくは熱可塑性
若しくは紫外線硬化性の封止樹脂を置く(滴下して置く
場合も含む)封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程
によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工
程で形成された先端の尖ったバンプを、前記配線シート
における配線導体の接続部分に位置合せし、その後、電
子部品を加圧することによって前記電子部品と前記配線
シートとの間を前記封止樹脂で溶融充填し、さらに前記
バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて
前記バンプを前記配線導体の接続部分に接続させて実装
する実装工程とを有することを特徴とする電子部品実装
構造体の製造方法である。
【0009】また、本発明は、電子部品の電極パッド上
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に熱硬化性若しくは熱可塑性若しくは紫外線
硬化性の封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹
脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バ
ンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、前記
配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せし、
その後、電子部品を加圧することによって前記電子部品
と前記配線シートとの間を前記封止樹脂で溶融充填し、
さらに前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊
貫通させて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相
互拡散して接合接続させて実装する実装工程とを有する
ことを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法であ
る。また、本発明は、前記電子部品実装構造体の製造方
法における実装工程において、電子部品を加圧する際、
少なくとも配線シートを加熱することを特徴とする。
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に熱硬化性若しくは熱可塑性若しくは紫外線
硬化性の封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹
脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バ
ンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、前記
配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せし、
その後、電子部品を加圧することによって前記電子部品
と前記配線シートとの間を前記封止樹脂で溶融充填し、
さらに前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊
貫通させて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相
互拡散して接合接続させて実装する実装工程とを有する
ことを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法であ
る。また、本発明は、前記電子部品実装構造体の製造方
法における実装工程において、電子部品を加圧する際、
少なくとも配線シートを加熱することを特徴とする。
【0010】また、本発明は、前記電子部品実装構造体
の製造方法における実装工程において、電子部品を加圧
する際、少なくとも配線シートを加熱することによって
配線シート基体を軟化させることを特徴とする。また、
本発明は、前記電子部品実装構造体の製造方法における
実装工程において、電子部品を加圧する際、少なくとも
電子部品を加熱することを特徴とする。また、本発明
は、前記電子部品実装構造体の製造方法における実装工
程において、封止樹脂を硬化させる工程を含むことを特
徴とする。
の製造方法における実装工程において、電子部品を加圧
する際、少なくとも配線シートを加熱することによって
配線シート基体を軟化させることを特徴とする。また、
本発明は、前記電子部品実装構造体の製造方法における
実装工程において、電子部品を加圧する際、少なくとも
電子部品を加熱することを特徴とする。また、本発明
は、前記電子部品実装構造体の製造方法における実装工
程において、封止樹脂を硬化させる工程を含むことを特
徴とする。
【0011】また、本発明は、電子部品の電極パッド上
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に封止樹脂を置く(滴下して置く場合も含
む)封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程によって
封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工程で形成
された先端の尖ったバンプを、前記配線シートにおける
配線導体の接続部分に位置合せし、その後、電子部品を
前記封止樹脂上に仮圧着する仮圧着工程と、該仮圧着工
程で仮圧着された電子部品の背面にフィルム状接着材お
よび絶縁性カバーシートまたは接着材付き絶縁性カバー
シートを載置して該絶縁性カバーシートと前記配線シー
トとを加圧および加熱することで前記バンプにより前記
配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記バンプを前記
配線導体の接続部分に接続させ、前記電子部品と配線シ
ートとの間において封止樹脂を溶融充填および硬化さ
せ、さらに前記配線シートと絶縁性カバーシートとの張
り合わせを行って実装する実装工程とを有することを特
徴とする電子部品実装構造体の製造方法である。
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に封止樹脂を置く(滴下して置く場合も含
む)封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程によって
封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工程で形成
された先端の尖ったバンプを、前記配線シートにおける
配線導体の接続部分に位置合せし、その後、電子部品を
前記封止樹脂上に仮圧着する仮圧着工程と、該仮圧着工
程で仮圧着された電子部品の背面にフィルム状接着材お
よび絶縁性カバーシートまたは接着材付き絶縁性カバー
シートを載置して該絶縁性カバーシートと前記配線シー
トとを加圧および加熱することで前記バンプにより前記
配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記バンプを前記
配線導体の接続部分に接続させ、前記電子部品と配線シ
ートとの間において封止樹脂を溶融充填および硬化さ
せ、さらに前記配線シートと絶縁性カバーシートとの張
り合わせを行って実装する実装工程とを有することを特
徴とする電子部品実装構造体の製造方法である。
【0012】また、本発明は、電子部品の電極パッド上
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封
止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前
記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、
前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、電子部品を前記封止樹脂上に仮圧着する仮
圧着工程と、該仮圧着工程で仮圧着された電子部品の背
面にフィルム状接着材および絶縁性カバーシートまたは
接着材付き絶縁性カバーシートを載置して該絶縁性カバ
ーシートと前記配線シートとを加圧および加熱すること
で前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通
させて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡
散して接合接続させ、前記電子部品と配線シートとの間
において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに前
記配線シートと絶縁性カバーシートとの張り合わせを行
って実装する実装工程とを有することを特徴とする電子
部品実装構造体の製造方法である。
にワイヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成する
バンプ形成工程と、配線シート基体上に配線導体をパタ
ーニングして構成した配線シートにおける電子部品を搭
載する部分に封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封
止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前
記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、
前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、電子部品を前記封止樹脂上に仮圧着する仮
圧着工程と、該仮圧着工程で仮圧着された電子部品の背
面にフィルム状接着材および絶縁性カバーシートまたは
接着材付き絶縁性カバーシートを載置して該絶縁性カバ
ーシートと前記配線シートとを加圧および加熱すること
で前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通
させて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡
散して接合接続させ、前記電子部品と配線シートとの間
において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに前
記配線シートと絶縁性カバーシートとの張り合わせを行
って実装する実装工程とを有することを特徴とする電子
部品実装構造体の製造方法である。
【0013】また、本発明は、前記電子部品実装構造体
の製造方法において、封止樹脂置き工程における封止樹
脂が、熱硬化性若しくは熱可塑性若しくは紫外線硬化性
であることを特徴とする。また、本発明は、無線による
電力の伝送を受け、情報の送受信を行うアンテナと該ア
ンテナに接続される半導体素子とを、裏面をカバーする
裏面カバーシートと表面をカバーする表面カバーシート
との間に内蔵した無線ICカードの製造方法であって、
アンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基体上
にパターニングして裏面カバーシートを作成する裏面カ
バーシート作成工程と、半導体素子の電極パッド上にワ
イヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成するバン
プ形成工程と、前記裏面カバーシート作成工程で作成さ
れた裏面カバーシートにおける半導体素子を搭載する部
分に封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置
き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ
形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、前記裏面
カバーシートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、半導体素子を前記封止樹脂上に仮圧着する
仮圧着工程と、該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子
の背面にフィルム状接着材および前記表面カバーシート
または接着材付き表面カバーシートを載置して該表面カ
バーシートと前記裏面カバーシートとを加圧および加熱
することで前記バンプにより前記配線導体の接続部分を
破壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続部分に
接続させ、前記半導体素子と前記裏面カバーシートとの
間において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに
前記裏面カバーシートと表面カバーシートとの張り合わ
せを行って実装する実装工程と、該実装工程によって実
装されたものを無線ICカードの寸法に合わせて切断し
て無線ICカードを得る切断工程とを有することを特徴
とする無線ICカードの製造方法である。
の製造方法において、封止樹脂置き工程における封止樹
脂が、熱硬化性若しくは熱可塑性若しくは紫外線硬化性
であることを特徴とする。また、本発明は、無線による
電力の伝送を受け、情報の送受信を行うアンテナと該ア
ンテナに接続される半導体素子とを、裏面をカバーする
裏面カバーシートと表面をカバーする表面カバーシート
との間に内蔵した無線ICカードの製造方法であって、
アンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基体上
にパターニングして裏面カバーシートを作成する裏面カ
バーシート作成工程と、半導体素子の電極パッド上にワ
イヤバンプ法により先端の尖ったバンプを形成するバン
プ形成工程と、前記裏面カバーシート作成工程で作成さ
れた裏面カバーシートにおける半導体素子を搭載する部
分に封止樹脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置
き工程によって封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ
形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、前記裏面
カバーシートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、半導体素子を前記封止樹脂上に仮圧着する
仮圧着工程と、該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子
の背面にフィルム状接着材および前記表面カバーシート
または接着材付き表面カバーシートを載置して該表面カ
バーシートと前記裏面カバーシートとを加圧および加熱
することで前記バンプにより前記配線導体の接続部分を
破壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続部分に
接続させ、前記半導体素子と前記裏面カバーシートとの
間において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに
前記裏面カバーシートと表面カバーシートとの張り合わ
せを行って実装する実装工程と、該実装工程によって実
装されたものを無線ICカードの寸法に合わせて切断し
て無線ICカードを得る切断工程とを有することを特徴
とする無線ICカードの製造方法である。
【0014】また、本発明は、無線による電力の伝送を
受け、情報の送受信を行うアンテナと該アンテナに接続
される半導体素子とを、裏面をカバーする裏面カバーシ
ートと表面をカバーする表面カバーシートとの間に内蔵
した無線ICカードの製造方法であって、アンテナを形
成する配線導体を裏面カバーシート基体上にパターニン
グして裏面カバーシートを作成する裏面カバーシート作
成工程と、半導体素子の電極パッド上にワイヤバンプ法
により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、前記裏面カバーシート作成工程で作成された裏面カ
バーシートにおける半導体素子を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程によ
って封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工程で
形成された先端の尖ったバンプを、前記裏面カバーシー
トにおける配線導体の接続部分に位置合せし、その後、
半導体素子を前記封止樹脂上に仮圧着する仮圧着工程
と、該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子の背面にフ
ィルム状接着材および前記表面カバーシートまたは接着
材付き表面カバーシートを載置して該表面カバーシート
と前記裏面カバーシートとを加圧および加熱することで
前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通さ
せて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡散
して接合接続させ、前記半導体素子と前記裏面カバーシ
ートとの間において封止樹脂を溶融充填および硬化さ
せ、さらに前記裏面カバーシートと表面カバーシートと
の張り合わせを行って実装する実装工程と、該実装工程
によって実装されたものを無線ICカードの寸法に合わ
せて切断して無線ICカードを得る切断工程とを有する
ことを特徴とする無線ICカードの製造方法である。
受け、情報の送受信を行うアンテナと該アンテナに接続
される半導体素子とを、裏面をカバーする裏面カバーシ
ートと表面をカバーする表面カバーシートとの間に内蔵
した無線ICカードの製造方法であって、アンテナを形
成する配線導体を裏面カバーシート基体上にパターニン
グして裏面カバーシートを作成する裏面カバーシート作
成工程と、半導体素子の電極パッド上にワイヤバンプ法
により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、前記裏面カバーシート作成工程で作成された裏面カ
バーシートにおける半導体素子を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、該封止樹脂置き工程によ
って封止樹脂が置かれた状態で、前記バンプ形成工程で
形成された先端の尖ったバンプを、前記裏面カバーシー
トにおける配線導体の接続部分に位置合せし、その後、
半導体素子を前記封止樹脂上に仮圧着する仮圧着工程
と、該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子の背面にフ
ィルム状接着材および前記表面カバーシートまたは接着
材付き表面カバーシートを載置して該表面カバーシート
と前記裏面カバーシートとを加圧および加熱することで
前記バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通さ
せて前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡散
して接合接続させ、前記半導体素子と前記裏面カバーシ
ートとの間において封止樹脂を溶融充填および硬化さ
せ、さらに前記裏面カバーシートと表面カバーシートと
の張り合わせを行って実装する実装工程と、該実装工程
によって実装されたものを無線ICカードの寸法に合わ
せて切断して無線ICカードを得る切断工程とを有する
ことを特徴とする無線ICカードの製造方法である。
【0015】また、本発明は、前記無線ICカードの製
造方法において、前記実装工程における表面カバーシー
トと裏面カバーシートとを加圧および加熱することを真
空ラミネータを用いて行うことを特徴とする。また、本
発明は、無線による電力の伝送を受け、情報の送受信を
行うアンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基
体上にパターニングして構成した裏面カバーシートと、
該裏面カバーシートにおける配線導体の接続部分を半導
体素子に接続すべく、該配線導体の接続部分を、半導体
素子の電極パッド上に形成したバンプにより、破壊貫通
させてバンプと配線導体の接続部分とを相互拡散して接
合接続し、前記裏面カバーシートと半導体素子との間を
封止樹脂で充填して構成される半導体素子実装部と、該
半導体素子実装部の半導体素子の背面および配線導体を
覆う形で前記裏面カバーシートに対して接着材によって
張り合わせられる表面カバーシートとを備えたことを特
徴とする無線ICカードである。
造方法において、前記実装工程における表面カバーシー
トと裏面カバーシートとを加圧および加熱することを真
空ラミネータを用いて行うことを特徴とする。また、本
発明は、無線による電力の伝送を受け、情報の送受信を
行うアンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基
体上にパターニングして構成した裏面カバーシートと、
該裏面カバーシートにおける配線導体の接続部分を半導
体素子に接続すべく、該配線導体の接続部分を、半導体
素子の電極パッド上に形成したバンプにより、破壊貫通
させてバンプと配線導体の接続部分とを相互拡散して接
合接続し、前記裏面カバーシートと半導体素子との間を
封止樹脂で充填して構成される半導体素子実装部と、該
半導体素子実装部の半導体素子の背面および配線導体を
覆う形で前記裏面カバーシートに対して接着材によって
張り合わせられる表面カバーシートとを備えたことを特
徴とする無線ICカードである。
【0016】また、本発明は、前記無線ICカードにお
いて、裏面カバーシート基体および表面カバーシート
を、ポリエチレンテレフタレート材、若しくはポリエチ
レン材、若しくはポリカーボネート材、若しくはポリイ
ミド材、若しくはポリ塩化ビニール材で形成したことを
特徴とする。また、本発明は、前記無線ICカードにお
いて、バンプの材料が、Au若しくはCu若しくはAl
の金属を主成分とし、配線導体の材料が、Al若しくは
Cu若しくはNi若しくはAuの金属または導電性樹脂
を主成分とすることを特徴とする。
いて、裏面カバーシート基体および表面カバーシート
を、ポリエチレンテレフタレート材、若しくはポリエチ
レン材、若しくはポリカーボネート材、若しくはポリイ
ミド材、若しくはポリ塩化ビニール材で形成したことを
特徴とする。また、本発明は、前記無線ICカードにお
いて、バンプの材料が、Au若しくはCu若しくはAl
の金属を主成分とし、配線導体の材料が、Al若しくは
Cu若しくはNi若しくはAuの金属または導電性樹脂
を主成分とすることを特徴とする。
【0017】以上説明したように、前記構成によれば、
配線シート基体が先端の尖ったバンプより柔らかいた
め、接続時の加圧力により配線導体の接続部を破壊貫通
し、この時、配線導体の接続部およびバンプの表面酸化
膜や汚染皮膜が除去され、両金属の新生面が形成されて
相互拡散して接合接続されるので、単に加圧するだけの
非常に簡単なプロセスで、接続信頼性を確保して接続実
装することができ、その結果、高歩留まりで、且つ低コ
ストで電子部品実装構造体および無線ICカードを製造
することができる。なお、接続時に配線シート基体と半
導体素子等の電子部品を加熱することによって、配線シ
ート基体を積極的に軟化させることができ、しかも新生
面での金属相互拡散を促進することができ、さらに高い
接続信頼性を確保することができる。
配線シート基体が先端の尖ったバンプより柔らかいた
め、接続時の加圧力により配線導体の接続部を破壊貫通
し、この時、配線導体の接続部およびバンプの表面酸化
膜や汚染皮膜が除去され、両金属の新生面が形成されて
相互拡散して接合接続されるので、単に加圧するだけの
非常に簡単なプロセスで、接続信頼性を確保して接続実
装することができ、その結果、高歩留まりで、且つ低コ
ストで電子部品実装構造体および無線ICカードを製造
することができる。なお、接続時に配線シート基体と半
導体素子等の電子部品を加熱することによって、配線シ
ート基体を積極的に軟化させることができ、しかも新生
面での金属相互拡散を促進することができ、さらに高い
接続信頼性を確保することができる。
【0018】また、半導体素子等の電子部品と裏面カバ
ーシート等の配線シートの間に封止樹脂を充填すること
によって、さらに、高信頼度実装を達成することができ
る。また、配線シート基体は透明であるので、裏面から
配線シート基体を通して光学顕微鏡による直接観察で、
接続部の検査を行うことができる。
ーシート等の配線シートの間に封止樹脂を充填すること
によって、さらに、高信頼度実装を達成することができ
る。また、配線シート基体は透明であるので、裏面から
配線シート基体を通して光学顕微鏡による直接観察で、
接続部の検査を行うことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明に係る電子部品実装構造体
およびその製造方法並びに無線ICカードおよびその製
造方法についての実施の形態を図面を参照しながら詳細
に説明する。まず、本発明に係る電子部品実装構造体
(例えば半導体実装構造体)の製造方法の基本的な実施
例であるプロセスフローについて図1を用いて説明す
る。
およびその製造方法並びに無線ICカードおよびその製
造方法についての実施の形態を図面を参照しながら詳細
に説明する。まず、本発明に係る電子部品実装構造体
(例えば半導体実装構造体)の製造方法の基本的な実施
例であるプロセスフローについて図1を用いて説明す
る。
【0020】即ち、図1(a)には、配線シート基体2
1と該配線シート基体21上にパターニングされた配線
導体(厚さが5〜50μm程度)22とから形成された
配線シート20の構成を示す。配線シート基体21は、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリカー
ボネート、ポリイミド、もしくはポリ塩化ビニールを主
成分とする柔軟材料である。配線シート基体21上に
は、通常の方法でパターニングされた配線導体22が形
成されている。配線導体22の主成分は、Al、若しく
はCu、若しくはNi、若しくはAu等の金属、または
銀ペースト(例えばAgPdペースト)などの導電性樹
脂で構成されている。図1(b)には、半導体素子(電
子部品)10を上記配線シート20に対し位置合せした
状態を示す。半導体素子10の電極パッド14には、先
端の尖ったバンプ11が図5に示す方法で形成されてい
る。バンプ11の主成分は、Au、若しくはCu、若し
くはAl等の金属である。
1と該配線シート基体21上にパターニングされた配線
導体(厚さが5〜50μm程度)22とから形成された
配線シート20の構成を示す。配線シート基体21は、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリカー
ボネート、ポリイミド、もしくはポリ塩化ビニールを主
成分とする柔軟材料である。配線シート基体21上に
は、通常の方法でパターニングされた配線導体22が形
成されている。配線導体22の主成分は、Al、若しく
はCu、若しくはNi、若しくはAu等の金属、または
銀ペースト(例えばAgPdペースト)などの導電性樹
脂で構成されている。図1(b)には、半導体素子(電
子部品)10を上記配線シート20に対し位置合せした
状態を示す。半導体素子10の電極パッド14には、先
端の尖ったバンプ11が図5に示す方法で形成されてい
る。バンプ11の主成分は、Au、若しくはCu、若し
くはAl等の金属である。
【0021】次に、先端の尖った例えばAuバンプ11
の形成法について図5を用いて説明する。図5(a)に
示すように、まずφ25〜60μm程度のAuワイヤ1
2を用い、その先端を放電電極71によりアーク放電す
ることでAuボール13を形成する。その後、図5
(b)において、半導体素子10のAl電極パッド14
にキャピラリ70によりAuボール13を超音波ボンデ
ィングする。次に、図5(c)において、Auワイヤ1
2を引張り上げることでAuワイヤ12がバンプ直上で
引きちぎられ先端の尖ったAuバンプ11が形成され
る。次に、図1(b)に示す位置合わせした状態から、
図1(c)に示すように、バンプ11が形成された半導
体素子10を加圧することによって、配線シート21に
加圧接続させる。図1(d)は接続実装部を拡大して示
した拡大図である。この時、先端の尖ったAu等のバン
プ11は、これよりも柔らかいAl等の配線導体22の
接続部を破壊貫通し、ポリエチレンテレフタレート等の
配線シート基体21に食い込むことになる。このように
先端の尖ったバンプ11により配線導体22の接続部を
破壊貫通させることによって、Al等の配線導体22の
接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜や汚染皮
膜が除去され、両金属の新生面18が形成されて相互拡
散して接続信頼性を向上させた接合が完成することにな
る。特に、先端の尖ったバンプ11により配線導体22
の接続部を破壊貫通させるためには、配線シート20の
ベースとなる配線シート基体21を、Au、若しくはC
u、若しくはAl等を主成分とするバンプ11より柔ら
かい絶縁材料であるポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、もしくはポ
リ塩化ビニールを主成分とするもので構成する必要があ
る。また、配線導体22として、Cu、若しくはNiを
主成分とする金属を使用する場合、Au等のバンプ11
との接合性をさらに良くするために、Cu、若しくはN
iを主成分とする配線導体22に対して表面処理を施せ
ばよい。なお、配線シート基体21を積極的に軟化させ
るためと新生面18での金属相互拡散を促進するため、
接続時に配線シート基体21と半導体素子10を80〜
300℃程度に加熱することは、接続信頼性を確保する
のに有効な手法である。要するに、先端の尖ったバンプ
11により配線導体22の接続部を破壊貫通させること
によって、両金属の新生面18が形成されて相互拡散し
て接合される部分が80〜300℃程度に加熱されれば
よい。
の形成法について図5を用いて説明する。図5(a)に
示すように、まずφ25〜60μm程度のAuワイヤ1
2を用い、その先端を放電電極71によりアーク放電す
ることでAuボール13を形成する。その後、図5
(b)において、半導体素子10のAl電極パッド14
にキャピラリ70によりAuボール13を超音波ボンデ
ィングする。次に、図5(c)において、Auワイヤ1
2を引張り上げることでAuワイヤ12がバンプ直上で
引きちぎられ先端の尖ったAuバンプ11が形成され
る。次に、図1(b)に示す位置合わせした状態から、
図1(c)に示すように、バンプ11が形成された半導
体素子10を加圧することによって、配線シート21に
加圧接続させる。図1(d)は接続実装部を拡大して示
した拡大図である。この時、先端の尖ったAu等のバン
プ11は、これよりも柔らかいAl等の配線導体22の
接続部を破壊貫通し、ポリエチレンテレフタレート等の
配線シート基体21に食い込むことになる。このように
先端の尖ったバンプ11により配線導体22の接続部を
破壊貫通させることによって、Al等の配線導体22の
接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜や汚染皮
膜が除去され、両金属の新生面18が形成されて相互拡
散して接続信頼性を向上させた接合が完成することにな
る。特に、先端の尖ったバンプ11により配線導体22
の接続部を破壊貫通させるためには、配線シート20の
ベースとなる配線シート基体21を、Au、若しくはC
u、若しくはAl等を主成分とするバンプ11より柔ら
かい絶縁材料であるポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、もしくはポ
リ塩化ビニールを主成分とするもので構成する必要があ
る。また、配線導体22として、Cu、若しくはNiを
主成分とする金属を使用する場合、Au等のバンプ11
との接合性をさらに良くするために、Cu、若しくはN
iを主成分とする配線導体22に対して表面処理を施せ
ばよい。なお、配線シート基体21を積極的に軟化させ
るためと新生面18での金属相互拡散を促進するため、
接続時に配線シート基体21と半導体素子10を80〜
300℃程度に加熱することは、接続信頼性を確保する
のに有効な手法である。要するに、先端の尖ったバンプ
11により配線導体22の接続部を破壊貫通させること
によって、両金属の新生面18が形成されて相互拡散し
て接合される部分が80〜300℃程度に加熱されれば
よい。
【0022】次に、本発明に係る電子部品実装構造体
(例えば半導体実装構造体)の製造方法、その実装方法
の他の実施例について図2を用いて説明する。即ち、ま
ず、図2(a)に示すように、図1(a)と同一構成の
配線シート20を用意する。次に、図2(b)で、配線
シート20の半導体素子搭載エリアに未反応エポキシか
らなる封止樹脂フィルム31を載置する。次に、図2
(c)で、半導体装置10を配線シート20に位置合せ
し、加熱および加圧接続することにより、図2(d)に
示す接続構造を作る。図2(e)は接続実装部の拡大図
である。基本的な接続プロセスは図1に示す実施例と同
一の破壊貫通接続であるが、図2に示す実施例では半導
体素子10と配線シート20の間に封止樹脂30が存在
し、その硬化収縮力で物理的に接続信頼性を向上させる
とともに、その封止作用で化学的には接続部の耐腐食性
を増すことができる。なお、加熱および加圧接続時に封
止樹脂フィルム31がエポキシ系熱硬化性樹脂の場合は
溶融充填すると同時に硬化し、熱可塑性材料の場合は溶
融充填し冷却過程で硬化する。封止樹脂フィルム31に
紫外線硬化性樹脂を使用する場合は図2(d)の後、透
明である裏側から紫外線照射を行い(図示せず)、封止
樹脂を硬化させる必要があるが、この場合は実装プロセ
ス全体を室温レベルで行うことが可能となる。この場
合、半導体装置10を配線シート20に対して加圧する
際、加熱が行われないために、半導体装置10および配
線シート20に対する熱膨張の影響をなくすることがで
きる。
(例えば半導体実装構造体)の製造方法、その実装方法
の他の実施例について図2を用いて説明する。即ち、ま
ず、図2(a)に示すように、図1(a)と同一構成の
配線シート20を用意する。次に、図2(b)で、配線
シート20の半導体素子搭載エリアに未反応エポキシか
らなる封止樹脂フィルム31を載置する。次に、図2
(c)で、半導体装置10を配線シート20に位置合せ
し、加熱および加圧接続することにより、図2(d)に
示す接続構造を作る。図2(e)は接続実装部の拡大図
である。基本的な接続プロセスは図1に示す実施例と同
一の破壊貫通接続であるが、図2に示す実施例では半導
体素子10と配線シート20の間に封止樹脂30が存在
し、その硬化収縮力で物理的に接続信頼性を向上させる
とともに、その封止作用で化学的には接続部の耐腐食性
を増すことができる。なお、加熱および加圧接続時に封
止樹脂フィルム31がエポキシ系熱硬化性樹脂の場合は
溶融充填すると同時に硬化し、熱可塑性材料の場合は溶
融充填し冷却過程で硬化する。封止樹脂フィルム31に
紫外線硬化性樹脂を使用する場合は図2(d)の後、透
明である裏側から紫外線照射を行い(図示せず)、封止
樹脂を硬化させる必要があるが、この場合は実装プロセ
ス全体を室温レベルで行うことが可能となる。この場
合、半導体装置10を配線シート20に対して加圧する
際、加熱が行われないために、半導体装置10および配
線シート20に対する熱膨張の影響をなくすることがで
きる。
【0023】他方、図2(b)の封止樹脂供給プロセス
において、フィルム供給の代りに高粘性封止樹脂液を滴
下する方法も考えられる。図2(b)′には、封止樹脂
液32を半導体素子搭載エリアにディスペンサ等で滴下
した状況を示し、図2(c)’には、滴下して封止樹脂
液32を形成した配線シート20に対して半導体装置1
0を位置合せし、加熱および加圧接続する前の状態を示
す。以上説明したように、図2に示す実施例によれば、
先端の尖ったバンプ11により配線導体22の接続部を
破壊貫通させることによって、Al等の配線導体22の
接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜や汚染皮
膜が除去され、両金属の新生面18が形成されて相互拡
散して接続信頼性を向上させた接合を実現できると共
に、バンプ11と配線導体22の接続部との間において
貫通方向に力が作用したとしても半導体素子10と配線
シート20の間は充填された樹脂30によって強固に固
定されているので、バンプ11と配線導体22の接続部
との間の接続信頼性を維持することが可能となる。
において、フィルム供給の代りに高粘性封止樹脂液を滴
下する方法も考えられる。図2(b)′には、封止樹脂
液32を半導体素子搭載エリアにディスペンサ等で滴下
した状況を示し、図2(c)’には、滴下して封止樹脂
液32を形成した配線シート20に対して半導体装置1
0を位置合せし、加熱および加圧接続する前の状態を示
す。以上説明したように、図2に示す実施例によれば、
先端の尖ったバンプ11により配線導体22の接続部を
破壊貫通させることによって、Al等の配線導体22の
接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜や汚染皮
膜が除去され、両金属の新生面18が形成されて相互拡
散して接続信頼性を向上させた接合を実現できると共
に、バンプ11と配線導体22の接続部との間において
貫通方向に力が作用したとしても半導体素子10と配線
シート20の間は充填された樹脂30によって強固に固
定されているので、バンプ11と配線導体22の接続部
との間の接続信頼性を維持することが可能となる。
【0024】次に、本発明に係る電子部品実装構造体
(例えば半導体実装構造体)の製造方法、その実装方法
のさらに他の実施例について図3を用いて説明する。図
3において(a)(b)(c)まで示すプロセスは、図
2で説明した実施例と同一である。図3(d)に示すプ
ロセスにおいては、半導体素子(電子部品)10を封止
樹脂31、32が置かれた配線シート20に対して加熱
および加圧は行わずに、位置ずれが起きない程度の仮圧
着をする。この仮圧着プロセスは、図2のプロセスに比
べ半導体素子10の搭載スピードを上げることができ
る。次に、図3(e)に示すプロセスでは、フィルム状
接着材40および絶縁性カバーシート50を載置し、図
3(f)に示すプロセスで全体を一括して加圧および加
熱し電子部品実装構造体(例えば半導体実装構造体)6
0を形成する。この一括加圧および加熱には例えば真空
ラミネータ(真空引きしてラミネートするもの、または
真空雰囲気中でラミネートするものである。要するにボ
イドを発生させることなくラミネートできるものであれ
ば良い。)を用い、バンプ11による配線導体22への
破壊貫通接続、封止樹脂フィルム31の溶融充填および
硬化およびフィルム状接着材40の溶融充填を同時に行
う。なお、真空ラミネータを用いることで封止樹脂フィ
ルム31やフィルム状接着材40の溶融充填をボイドな
しで行うことができ、電子部品実装構造体(例えば半導
体実装構造体)60を歩留りよく形成できる。また、本
実施例では、封止樹脂フィルム31の代りに封止樹脂液
32を滴下してもよい。さらに、フィルム状接着材40
と絶縁性カバーシート50を個別に載置せず、代りに接
着材付き絶縁性カバーシートを載置してもよい。
(例えば半導体実装構造体)の製造方法、その実装方法
のさらに他の実施例について図3を用いて説明する。図
3において(a)(b)(c)まで示すプロセスは、図
2で説明した実施例と同一である。図3(d)に示すプ
ロセスにおいては、半導体素子(電子部品)10を封止
樹脂31、32が置かれた配線シート20に対して加熱
および加圧は行わずに、位置ずれが起きない程度の仮圧
着をする。この仮圧着プロセスは、図2のプロセスに比
べ半導体素子10の搭載スピードを上げることができ
る。次に、図3(e)に示すプロセスでは、フィルム状
接着材40および絶縁性カバーシート50を載置し、図
3(f)に示すプロセスで全体を一括して加圧および加
熱し電子部品実装構造体(例えば半導体実装構造体)6
0を形成する。この一括加圧および加熱には例えば真空
ラミネータ(真空引きしてラミネートするもの、または
真空雰囲気中でラミネートするものである。要するにボ
イドを発生させることなくラミネートできるものであれ
ば良い。)を用い、バンプ11による配線導体22への
破壊貫通接続、封止樹脂フィルム31の溶融充填および
硬化およびフィルム状接着材40の溶融充填を同時に行
う。なお、真空ラミネータを用いることで封止樹脂フィ
ルム31やフィルム状接着材40の溶融充填をボイドな
しで行うことができ、電子部品実装構造体(例えば半導
体実装構造体)60を歩留りよく形成できる。また、本
実施例では、封止樹脂フィルム31の代りに封止樹脂液
32を滴下してもよい。さらに、フィルム状接着材40
と絶縁性カバーシート50を個別に載置せず、代りに接
着材付き絶縁性カバーシートを載置してもよい。
【0025】以上説明したように、図3に示す実施例に
よれば、先端の尖ったバンプ11により配線導体22の
接続部を破壊貫通させることによって、Al等の配線導
体22の接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜
や汚染皮膜が除去され、両金属の新生面60が形成され
て相互拡散して接続信頼性を向上させた接合を実現でき
ると共に、バンプ11と配線導体22の接続部との間に
おいて貫通方向に力が作用したとしても半導体素子(電
子部品)10と配線シート20の間は充填された樹脂3
0によって強固に固定されているので、バンプ11と配
線導体22の接続部との間の接続信頼性を維持すること
が可能となり、さらに半導体素子10をボイドを発生す
ることなく絶縁性カバーシート50で覆った電子部品実
装構造体60を実現することができる。
よれば、先端の尖ったバンプ11により配線導体22の
接続部を破壊貫通させることによって、Al等の配線導
体22の接続部およびAu等のバンプ11の表面酸化膜
や汚染皮膜が除去され、両金属の新生面60が形成され
て相互拡散して接続信頼性を向上させた接合を実現でき
ると共に、バンプ11と配線導体22の接続部との間に
おいて貫通方向に力が作用したとしても半導体素子(電
子部品)10と配線シート20の間は充填された樹脂3
0によって強固に固定されているので、バンプ11と配
線導体22の接続部との間の接続信頼性を維持すること
が可能となり、さらに半導体素子10をボイドを発生す
ることなく絶縁性カバーシート50で覆った電子部品実
装構造体60を実現することができる。
【0026】次に、本発明に係る電子部品実装構造体の
具体的な実施例としての無線ICカードへの適用事例に
ついて図4を用いて説明する。まず、無線ICカード裏
面をカバーするポリエチレンテレフタレート等の配線シ
ート基体(裏面カバーシート基体)21には、無線(電
磁波)によって電力を伝送を受け、さらに情報(通信)
の送受信を行うアンテナ(コイル)となるAl等を主成
分とする配線導体22がパターニングされている。Al
等の配線導体22には必要に応じてクロスオーバ配線が
抵抗溶接され半導体素子搭載エリア24に導かれてい
る。次に、エポキシ系封止樹脂フィルム等の封止樹脂3
1、32を半導体素子搭載エリア24に載置する。その
上から先端の尖ったAu等のバンプ11付き半導体素子
10を配線シート(裏面カバーシート)20に対向させ
仮圧着する。さらに、フィルム状接着材40と無線IC
カード表面をカバーするポリエチレンテレフタレート等
の絶縁性カバーシート(表面カバーシート)50を載置
し、例えば真空ラミネータ(真空引きしてラミネートす
るもの、または真空雰囲気中でラミネートするものであ
る。要するにボイドを発生させることなくラミネートで
きるものであれば良い。)で一括実装し、無線ICカー
ドを完成させる。ただし、実際は1枚づつ実装するので
はなく、ロール状に巻かれた大面積のシート材料に多数
個取りで搭載・ラミネートし、最後の打抜き工程で個々
の無線ICカードとして完成する。
具体的な実施例としての無線ICカードへの適用事例に
ついて図4を用いて説明する。まず、無線ICカード裏
面をカバーするポリエチレンテレフタレート等の配線シ
ート基体(裏面カバーシート基体)21には、無線(電
磁波)によって電力を伝送を受け、さらに情報(通信)
の送受信を行うアンテナ(コイル)となるAl等を主成
分とする配線導体22がパターニングされている。Al
等の配線導体22には必要に応じてクロスオーバ配線が
抵抗溶接され半導体素子搭載エリア24に導かれてい
る。次に、エポキシ系封止樹脂フィルム等の封止樹脂3
1、32を半導体素子搭載エリア24に載置する。その
上から先端の尖ったAu等のバンプ11付き半導体素子
10を配線シート(裏面カバーシート)20に対向させ
仮圧着する。さらに、フィルム状接着材40と無線IC
カード表面をカバーするポリエチレンテレフタレート等
の絶縁性カバーシート(表面カバーシート)50を載置
し、例えば真空ラミネータ(真空引きしてラミネートす
るもの、または真空雰囲気中でラミネートするものであ
る。要するにボイドを発生させることなくラミネートで
きるものであれば良い。)で一括実装し、無線ICカー
ドを完成させる。ただし、実際は1枚づつ実装するので
はなく、ロール状に巻かれた大面積のシート材料に多数
個取りで搭載・ラミネートし、最後の打抜き工程で個々
の無線ICカードとして完成する。
【0027】当然無線ICカードは、上記で説明したよ
うに、主に無線(電磁波)によって電力を伝送を受け、
さらに情報(通信)の送受信を行うアンテナ(コイル)
となる配線導体22と該配線導体22に接続された半導
体素子10とによって構成されるため、半導体素子10
の中には、例えば、特開平10−145987号公報に
記載されているように、アンテナ22によって受信した
電力を半導体素子内の回路に供給するために、整流回路
および該整流回路から得られる整流電圧を所望の直流電
源に変換する電源回路が内蔵され、さらにメモリを有す
るマイコンと上記アンテナ22で受信された情報信号を
復号化して上記マイコンに入力させる復号化回路と上記
マイコンから出力されるデータを符号化して上記アンテ
ナ22にロードスイッチング変調回路を介して与える符
号化回路等が内蔵されていることになる。ところで、整
流回路や電源回路等については、別の半導体素子によっ
て構成してもよい。
うに、主に無線(電磁波)によって電力を伝送を受け、
さらに情報(通信)の送受信を行うアンテナ(コイル)
となる配線導体22と該配線導体22に接続された半導
体素子10とによって構成されるため、半導体素子10
の中には、例えば、特開平10−145987号公報に
記載されているように、アンテナ22によって受信した
電力を半導体素子内の回路に供給するために、整流回路
および該整流回路から得られる整流電圧を所望の直流電
源に変換する電源回路が内蔵され、さらにメモリを有す
るマイコンと上記アンテナ22で受信された情報信号を
復号化して上記マイコンに入力させる復号化回路と上記
マイコンから出力されるデータを符号化して上記アンテ
ナ22にロードスイッチング変調回路を介して与える符
号化回路等が内蔵されていることになる。ところで、整
流回路や電源回路等については、別の半導体素子によっ
て構成してもよい。
【0028】このように無線ICカードの場合、アンテ
ナ22と半導体素子10との間を接続する端子(バン
プ)の数は比較的に少なくして済ませることができる。
従って、無線ICカード裏面をカバーするポリエチレン
テレフタレート等の配線シート基体(裏面カバーシート
基体)21上にパターニングされたアンテナ22の端部
と半導体素子10に形成された先端の尖ったバンプ11
とを接合すべく、封止樹脂31、32を半導体素子搭載
エリア24に置き、半導体素子10を仮圧着(載せ)
し、さらにその上にフィルム状接着材40および絶縁性
カバーシート(表面カバーシート)50を載置した状態
で、例えば真空ラミネータでフィルム状接着材40およ
び絶縁性カバーシート50を加熱・加圧するという非常
に簡単なプロセスにより先端の尖ったバンプ11が配線
導体22の接続部分を破壊貫通して両金属に新生面を形
成して両金属を相互拡散して接続信頼性を向上させた接
合を実現できると共に、一括実装を可能にし、これを無
線ICカードの寸法に切断することによって、薄肉化を
はかった無線ICカードを完成させることができる。
ナ22と半導体素子10との間を接続する端子(バン
プ)の数は比較的に少なくして済ませることができる。
従って、無線ICカード裏面をカバーするポリエチレン
テレフタレート等の配線シート基体(裏面カバーシート
基体)21上にパターニングされたアンテナ22の端部
と半導体素子10に形成された先端の尖ったバンプ11
とを接合すべく、封止樹脂31、32を半導体素子搭載
エリア24に置き、半導体素子10を仮圧着(載せ)
し、さらにその上にフィルム状接着材40および絶縁性
カバーシート(表面カバーシート)50を載置した状態
で、例えば真空ラミネータでフィルム状接着材40およ
び絶縁性カバーシート50を加熱・加圧するという非常
に簡単なプロセスにより先端の尖ったバンプ11が配線
導体22の接続部分を破壊貫通して両金属に新生面を形
成して両金属を相互拡散して接続信頼性を向上させた接
合を実現できると共に、一括実装を可能にし、これを無
線ICカードの寸法に切断することによって、薄肉化を
はかった無線ICカードを完成させることができる。
【0029】なお、本発明は、半導体素子と配線シート
の接続のみならず配線基板(例えば半導体素子を実装し
たモジュール基板)と配線シートの接続並びに他の電子
部品(例えば表示素子(LCD)や電池やスイッチ等)
と配線シートとの接続にも適用できる。また、電子部品
のプラスチック筐体内側に配線パターンを施し、これに
バンプ付き電子部品を破壊貫通接続することも可能であ
る。
の接続のみならず配線基板(例えば半導体素子を実装し
たモジュール基板)と配線シートの接続並びに他の電子
部品(例えば表示素子(LCD)や電池やスイッチ等)
と配線シートとの接続にも適用できる。また、電子部品
のプラスチック筐体内側に配線パターンを施し、これに
バンプ付き電子部品を破壊貫通接続することも可能であ
る。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子、モジュー
ル基板、表示素子等の電子部品に形成された先端の尖っ
たバンプとシート上にパターニングされた配線導体との
間の接合実装を、上記シートとの間で実装電子部品を単
に加圧若しくは加熱・加圧するだけの簡単なプロセス
で、先端の尖ったバンプが配線導体の接続部を破壊貫通
して両金属の新生面が相互拡散して接続信頼性を向上さ
せて実現することができるので、その結果電子部品実装
構造体を高歩留まりで、且つ低コストで製造することが
できる効果を奏する。
ル基板、表示素子等の電子部品に形成された先端の尖っ
たバンプとシート上にパターニングされた配線導体との
間の接合実装を、上記シートとの間で実装電子部品を単
に加圧若しくは加熱・加圧するだけの簡単なプロセス
で、先端の尖ったバンプが配線導体の接続部を破壊貫通
して両金属の新生面が相互拡散して接続信頼性を向上さ
せて実現することができるので、その結果電子部品実装
構造体を高歩留まりで、且つ低コストで製造することが
できる効果を奏する。
【0031】また、本発明によれば、電子部品に形成さ
れた先端の尖ったバンプがシート上にパターニングされ
た配線導体の接続部を破壊貫通して両金属の新生面が相
互拡散して接合実装を実現するようにしたので、該接合
部を裏面から上記シートを通して光学顕微鏡で直接観察
することができ、検査性の点で優れている。すなわち、
本発明によれば、コスト低減、接続検査性向上および接
続信頼性に優れた半導体等の電子部品実装構造体を製造
することが可能となった。また、本発明によれば、接続
信頼性を向上させた薄肉の無線ICカードを、高歩留ま
りで、且つ低コストで製造することができる。
れた先端の尖ったバンプがシート上にパターニングされ
た配線導体の接続部を破壊貫通して両金属の新生面が相
互拡散して接合実装を実現するようにしたので、該接合
部を裏面から上記シートを通して光学顕微鏡で直接観察
することができ、検査性の点で優れている。すなわち、
本発明によれば、コスト低減、接続検査性向上および接
続信頼性に優れた半導体等の電子部品実装構造体を製造
することが可能となった。また、本発明によれば、接続
信頼性を向上させた薄肉の無線ICカードを、高歩留ま
りで、且つ低コストで製造することができる。
【図1】本発明に係る電子部品実装構造体(例えば半導
体実装構造体)の製造方法の基本的な実施例を示す図で
ある。
体実装構造体)の製造方法の基本的な実施例を示す図で
ある。
【図2】本発明に係る電子部品実装構造体(例えば半導
体実装構造体)の製造方法の他の実施例を示す図であ
る。
体実装構造体)の製造方法の他の実施例を示す図であ
る。
【図3】本発明に係る電子部品実装構造体(例えば半導
体実装構造体)の製造方法、その実装方法のさらに他の
実施例を示す図である。
体実装構造体)の製造方法、その実装方法のさらに他の
実施例を示す図である。
【図4】本発明に係る電子部品実装構造体の具体的な実
施例としての無線ICカードへの適用事例を示す図であ
る。
施例としての無線ICカードへの適用事例を示す図であ
る。
【図5】本発明に係る先端の尖ったバンプを形成する方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図6】従来の実装方式を示す図である。
10…半導体素子(電子部品)、11…バンプ、12…
Auワイヤ、13…Auボール、14…Al電極パッ
ド、18…新生面、20…配線シート(裏面カバーシー
ト)、21…配線シート基体(裏面カバーシート基
体)、22…配線導体、23…クロスオーバ配線、24
…半導体素子搭載エリア、30…封止樹脂、31…封止
樹脂フィルム、32…封止樹脂液、40…フィルム状接
着材、50…絶縁性カバーシート(表面カバーシー
ト)、60…電子部品実装構造体(例えば半導体実装構
造体)、70…キャピラリ、71…放電電極。
Auワイヤ、13…Auボール、14…Al電極パッ
ド、18…新生面、20…配線シート(裏面カバーシー
ト)、21…配線シート基体(裏面カバーシート基
体)、22…配線導体、23…クロスオーバ配線、24
…半導体素子搭載エリア、30…封止樹脂、31…封止
樹脂フィルム、32…封止樹脂液、40…フィルム状接
着材、50…絶縁性カバーシート(表面カバーシー
ト)、60…電子部品実装構造体(例えば半導体実装構
造体)、70…キャピラリ、71…放電電極。
フロントページの続き (72)発明者 高岡 勇 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 橋本 豊 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 大関 良雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 坂口 勝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AC02 BB01 BB11 CD13 5E336 AA04 BB01 BB11 BB15 BC34 CC32 CC51 CC55 EE15 5F044 KK02 KK17 KK18 KK19 LL15 QQ02 QQ03 QQ04 RR17 RR18 RR19
Claims (25)
- 【請求項1】電子部品の電極パッド上に形成したバンプ
により、配線シート基体上に配線導体をパターニングし
て構成した配線シートにおける配線導体の接続部分を破
壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを接続させ
て構成したことを特徴とする電子部品実装構造体。 - 【請求項2】電子部品の電極パッド上に形成したバンプ
により、配線シート基体上に配線導体をパターニングし
て構成した配線シートにおける配線導体の接続部分を破
壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを相互拡散
して接合接続させて構成したことを特徴とする電子部品
実装構造体。 - 【請求項3】電子部品の電極パッド上に形成したバンプ
により、配線シート基体上に配線導体をパターニングし
て構成した配線シートにおける配線導体の接続部分を破
壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを接続さ
せ、前記電子部品と前記配線シートの間を封止樹脂で充
填して構成したことを特徴とする電子部品実装構造体。 - 【請求項4】電子部品の電極パッド上に形成したバンプ
により、配線シート基体上に配線導体をパターニングし
て構成した配線シートにおける配線導体の接続部分を破
壊貫通させてバンプと配線導体の接続部分とを相互拡散
して接合接続させ、前記電子部品と前記配線シートの間
を封止樹脂で充填して構成したことを特徴とする電子部
品実装構造体。 - 【請求項5】さらに、前記電子部品の背面をカバーシー
トで覆って保護するように構成したことを特徴とする請
求項1または2または3または4記載の電子部品実装構
造体。 - 【請求項6】前記バンプの材料が、Au若しくはCu若
しくはAlの金属を主成分とし、前記配線導体の材料
が、Al若しくはCu若しくはNi若しくはAuの金属
または導電性樹脂を主成分とすることを特徴とする請求
項1または2または3または4記載の電子部品実装構造
体。 - 【請求項7】前記配線シート基体の材料が、ポリエチレ
ンテレフタレート、またはポリエチレン、またはポリカ
ーボネート、またはポリイミド、またはポリ塩化ビニー
ルであることを特徴とする請求項1または2または3ま
たは4記載の電子部品実装構造体。 - 【請求項8】前記電子部品を、半導体素子または半導体
装置で構成したことを特徴とする請求項1または2また
は3または4または5または6または7記載の半導体実
装構造体。 - 【請求項9】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ法
により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 該バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、
配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、電子部品を加圧することによって前記バン
プにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記
バンプを前記配線導体の接続部分に接続して実装する実
装工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造体
の製造方法。 - 【請求項10】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ
法により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 該バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバンプを、
配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける配線導体の接続部分に位置合せ
し、その後、電子部品を加圧することによって前記バン
プにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて前記
バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡散して接合
接続させて実装する実装工程とを有することを特徴とす
る電子部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項11】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ
法により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける電子部品を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位
置合せし、その後、電子部品を加圧することによって前
記電子部品と前記配線シートとの間を前記封止樹脂で溶
融充填し、さらに前記バンプにより前記配線導体の接続
部分を破壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続
部分に接続させて実装する実装工程とを有することを特
徴とする電子部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項12】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ
法により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける電子部品を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位
置合せし、その後、電子部品を加圧することによって前
記電子部品と前記配線シートとの間を前記封止樹脂で溶
融充填し、さらに前記バンプにより前記配線導体の接続
部分を破壊貫通させて前記バンプと前記配線導体の接続
部分とを相互拡散して接合接続させて実装する実装工程
とを有することを特徴とする電子部品実装構造体の製造
方法。 - 【請求項13】前記実装工程において、電子部品を加圧
する際、少なくとも配線シートを加熱することを特徴と
する請求項9または10または11または12記載の電
子部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項14】前記実装工程において、電子部品を加圧
する際、少なくとも配線シートを加熱することによって
配線シート基体を軟化させることを特徴とする請求項9
または10または11または12記載の電子部品実装構
造体の製造方法。 - 【請求項15】前記実装工程において、電子部品を加圧
する際、少なくとも電子部品を加熱することを特徴とす
る請求項9または10または11または12記載の電子
部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項16】前記実装工程において、封止樹脂を硬化
させる工程を含むことを特徴とする請求項11または1
2記載の電子部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項17】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ
法により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける電子部品を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位
置合せし、その後、電子部品を前記封止樹脂上に仮圧着
する仮圧着工程と、 該仮圧着工程で仮圧着された電子
部品の背面にフィルム状接着材および絶縁性カバーシー
トまたは接着材付き絶縁性カバーシートを載置して該絶
縁性カバーシートと前記配線シートとを加圧および加熱
することで前記バンプにより前記配線導体の接続部分を
破壊貫通させて前記バンプを前記配線導体の接続部分に
接続させ、前記電子部品と配線シートとの間において封
止樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに前記配線シー
トと絶縁性カバーシートとの張り合わせを行って実装す
る実装工程とを有することを特徴とする電子部品実装構
造体の製造方法。 - 【請求項18】電子部品の電極パッド上にワイヤバンプ
法により先端の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程
と、 配線シート基体上に配線導体をパターニングして構成し
た配線シートにおける電子部品を搭載する部分に封止樹
脂を置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記配線シートにおける配線導体の接続部分に位
置合せし、その後、電子部品を前記封止樹脂上に仮圧着
する仮圧着工程と、 該仮圧着工程で仮圧着された電子
部品の背面にフィルム状接着材および絶縁性カバーシー
トまたは接着材付き絶縁性カバーシートを載置して該絶
縁性カバーシートと前記配線シートとを加圧および加熱
することで前記バンプにより前記配線導体の接続部分を
破壊貫通させて前記バンプと前記配線導体の接続部分と
を相互拡散して接合接続させ、前記電子部品と配線シー
トとの間において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、
さらに前記配線シートと絶縁性カバーシートとの張り合
わせを行って実装する実装工程とを有することを特徴と
する電子部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項19】前記封止樹脂置き工程における封止樹脂
が、熱硬化性若しくは熱可塑性若しくは紫外線硬化性で
あることを特徴とする請求項17または18記載の電子
部品実装構造体の製造方法。 - 【請求項20】無線による電力の伝送を受け、情報の送
受信を行うアンテナと該アンテナに接続される半導体素
子とを、裏面をカバーする裏面カバーシートと表面をカ
バーする表面カバーシートとの間に内蔵した無線ICカ
ードの製造方法であって、 アンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基体上
にパターニングして裏面カバーシートを作成する裏面カ
バーシート作成工程と、 半導体素子の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端
の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程と、 前記裏面カバーシート作成工程で作成された裏面カバー
シートにおける半導体素子を搭載する部分に封止樹脂を
置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記裏面カバーシートにおける配線導体の接続部
分に位置合せし、その後、半導体素子を前記封止樹脂上
に仮圧着する仮圧着工程と、 該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子の背面にフィル
ム状接着材および前記表面カバーシートまたは接着材付
き表面カバーシートを載置して該表面カバーシートと前
記裏面カバーシートとを加圧および加熱することで前記
バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて
前記バンプを前記配線導体の接続部分に接続させ、前記
半導体素子と前記裏面カバーシートとの間において封止
樹脂を溶融充填および硬化させ、さらに前記裏面カバー
シートと表面カバーシートとの張り合わせを行って実装
する実装工程と、 該実装工程によって実装されたものを無線ICカードの
寸法に合わせて切断して無線ICカードを得る切断工程
とを有することを特徴とする無線ICカードの製造方
法。 - 【請求項21】無線による電力の伝送を受け、情報の送
受信を行うアンテナと該アンテナに接続される半導体素
子とを、裏面をカバーする裏面カバーシートと表面をカ
バーする表面カバーシートとの間に内蔵した無線ICカ
ードの製造方法であって、 アンテナを形成する配線導体を裏面カバーシート基体上
にパターニングして裏面カバーシートを作成する裏面カ
バーシート作成工程と、 半導体素子の電極パッド上にワイヤバンプ法により先端
の尖ったバンプを形成するバンプ形成工程と、 前記裏面カバーシート作成工程で作成された裏面カバー
シートにおける半導体素子を搭載する部分に封止樹脂を
置く封止樹脂置き工程と、 該封止樹脂置き工程によって封止樹脂が置かれた状態
で、前記バンプ形成工程で形成された先端の尖ったバン
プを、前記裏面カバーシートにおける配線導体の接続部
分に位置合せし、その後、半導体素子を前記封止樹脂上
に仮圧着する仮圧着工程と、 該仮圧着工程で仮圧着された半導体素子の背面にフィル
ム状接着材および前記表面カバーシートまたは接着材付
き表面カバーシートを載置して該表面カバーシートと前
記裏面カバーシートとを加圧および加熱することで前記
バンプにより前記配線導体の接続部分を破壊貫通させて
前記バンプと前記配線導体の接続部分とを相互拡散して
接合接続させ、前記半導体素子と前記裏面カバーシート
との間において封止樹脂を溶融充填および硬化させ、さ
らに前記裏面カバーシートと表面カバーシートとの張り
合わせを行って実装する実装工程と、 該実装工程によって実装されたものを無線ICカードの
寸法に合わせて切断して無線ICカードを得る切断工程
とを有することを特徴とする無線ICカードの製造方
法。 - 【請求項22】前記実装工程における表面カバーシート
と裏面カバーシートとを加圧および加熱することを真空
ラミネータを用いて行うことを特徴とする請求項20ま
たは21記載の無線ICカードの製造方法。 - 【請求項23】無線による電力の伝送を受け、情報の送
受信を行うアンテナを形成する配線導体を裏面カバーシ
ート基体上にパターニングして構成した裏面カバーシー
トと、 該裏面カバーシートにおける配線導体の接続部分を半導
体素子に接続すべく、該配線導体の接続部分を、半導体
素子の電極パッド上に形成したバンプにより、破壊貫通
させてバンプと配線導体の接続部分とを相互拡散して接
合接続し、前記裏面カバーシートと半導体素子との間を
封止樹脂で充填して構成される半導体素子実装部と、 該半導体素子実装部の半導体素子の背面および配線導体
を覆う形で前記裏面カバーシートに対して接着材によっ
て張り合わせられる表面カバーシートとを備えたことを
特徴とする無線ICカード。 - 【請求項24】前記裏面カバーシート基体および表面カ
バーシートを、ポリエチレンテレフタレート材、若しく
はポリエチレン材、若しくはポリカーボネート材、若し
くはポリイミド材、若しくはポリ塩化ビニール材で形成
したことを特徴とする請求項23記載の無線ICカー
ド。 - 【請求項25】前記バンプの材料が、Au若しくはCu
若しくはAlの金属を主成分とし、前記配線導体の材料
が、Al若しくはCu若しくはNi若しくはAuの金属
または導電性樹脂を主成分とすることを特徴とする請求
項23記載の無線ICカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10317510A JP2000151057A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線icカードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10317510A JP2000151057A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線icカードおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000151057A true JP2000151057A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18089049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10317510A Pending JP2000151057A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 電子部品実装構造体およびその製造方法並びに無線icカードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000151057A (ja) |
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-
1998
- 1998-11-09 JP JP10317510A patent/JP2000151057A/ja active Pending
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