TWI278870B - Manufacturing method for electronic component module and electromagnetically readable data carrier - Google Patents

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TWI278870B
TWI278870B TW092134023A TW92134023A TWI278870B TW I278870 B TWI278870 B TW I278870B TW 092134023 A TW092134023 A TW 092134023A TW 92134023 A TW92134023 A TW 92134023A TW I278870 B TWI278870 B TW I278870B
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thermosetting resin
bump
wiring substrate
film
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TW092134023A
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Inventor
Wakahiro Kawai
Noriaki Sato
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Omron Tateisi Electronics Co
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4 1278870 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種用以製造電子元件模組之方法，該電子 元件模組適宜用以製造電磁可讀取資料載體，其作用如飛 航行李標籤，物體分配管理標籤或無人檢視出入口，且更 明確地，關於一種用以製造電子元件模組之方法，其中藉 由低成本之覆晶連接方法在配線基板上封裝半導體承載晶 片’其中即使在在半導體承載晶片之封裝部份上施加高溫 及高壓負載的狀況之下，亦可防止因半導體承載晶片與配 線基板上之電極區域的接觸而引起的短路。 【先前技術】 所謂的飛航行李標簽習知為此類型的電磁可讀取資料載 體。故可預期該飛航行李標簽會在未來以拋棄式形式用在 機場的旅客行李管理。以世界性的航空公司狀況而言，單 一公司每個月就存在有8,500,000標籤的大量需求。因此， 希望可建立大量製造且低成本的技術，以用於此類的飛航 行李標籤。 例如，飛航行李標籤習知為，其中渦捲狀導體圖案用作 為用於傳輸及接收電路的天線圈及1C部份，及一記憶體位 於矩形之PET薄膜基板的一面上。在此飛航行李標籤中，保 持作為天線圈之渦捲狀導體圖案的飛航行李標籤主體會藉 由選擇性钱刻PET薄膜之一面上的銅線圈或紹線圈而形 成 因此，易於精由習知的微影技術及後續的濕餘刻步驟 而經光阻形成步驟實行基於RTR (Roll To Roll)的連續製造 89725-950710.doc 1278870 線。另一方面，作為傳輸及接收電路及記憶體的電路部份， 其没置於飛航行李標籤主體上，會利用 (例，參照專利前案υ而建構在一晶片中。 技術 本發明者先前曾提出一種技術，其中組成傳輸及接收電 路及記憶體的半導體承載晶片先行封裝在薄膜狀的絕緣晶 圓上（一種配線基板）以製造一模組。該電子元件模組接合至 PET薄膜上而組成飛航行李標籤以增加飛航行李標籤的生 產率（參照專利前案2)。 對位於極薄之薄片上的電子部份（如，黏在飛航行李標籤 上之電子元件模組）而言，已做出關於覆晶連接方法的多樣 措施以用於直接令半導體承載晶片在配線基板上。 圖17顯示覆晶連接方法的範例（下文中稱之為第一習知 方法。以第一方法，用於連接的突出端b(稱作凸塊）預先形 成於半導體承載晶片的底部電極（未示）上，且配線基板〇之 配線圖案上的凸塊b及電極區域（與凸塊b之預定連接區域）d 會對齊，並藉由接合材料e(如，焊料或導電糊狀物）連接。 第一方法具有數個問題，（丨）用以供應及固化用於在配線 圖案上連接凸塊b與電極區域d的接合步驟很複雜，（2)用以 在晶片a與配線基板c之間填充絕緣樹脂f(稱作填膠）及令凸 塊連接部份密封的步驟有賴於凸塊連接部份的阻擋濕氣可 罪性及半導體的承托力，及需要（3)用以填充及固化絕緣樹 脂f(如同填膠）的步驟，因而會增加製造成本。 圖18顯示覆晶連接方法的另一範例（下文中稱之為第二 習知方法）。第二方法解決了第一方法的相關問題。第二方 89725-9507i0.doc 1278870 法牵涉利用-多向異性導電薄片令半導體承載晶片封裝於 配線基板上。在第二方法中， ★在熱塑型性或熱固型性樹脂中散佈導電粒子的多向異性 薄片g插入半導體承載晶片a及配線基板c之間。藉由樹脂導 電粒子h因熱電偶接合於配線圖案上的凸塊b及電極區域d 門的導電粒子形成厚度方向的電連接（例，參照專利前案 3)。 一 在第二方法中，配線圖案的對齊為相對上粗略地在配線 基板上封裝半導體。樹脂固化時間為10至20秒之短。不需 作用也封劑’如填膠。因此，會減少製造成本。相反地， 仍存在數個問題，即（1)多向異性導電薄片g相對上是較貴 的’（2)需要高於2〇〇。〇的溫度以用於固化，以令較無法抗熱 之板失能，（3)雖為相對上較短的時間，但仍需要1〇至2〇秒 以固化樹脂材料。難以簡化並加速此步驟，且（4)凸塊與配 線圖案之間的電連接為藉由散佈在樹脂材料中之導電粒子 的接觸所造成，故其連接之可靠度較差。 因此，本發明者曾提出一種覆晶連接方法（稱之為第三習 知方法）。圖19A至19C顯示根據第三方法的覆晶連接方法。 以第二方法，以半導體剖面之凸塊b所形成的半導體承載晶 片a封裝於具有配線基板〇上的覆晶連接配線基板，形成於 配線基板c上之配線圖案上的電極區域d，及覆蓋電極區域4 的熱固型樹脂薄膜（樹脂附著）i上。 更明確地，存在用以放置（放置步驟）承載晶片&側（凸塊b) 及配線基板c(電極區域d)(圖19A)的步驟，用以在利用加熱 89725-950710.doc 1278870 … ι 台加熱熱塑型樹脂薄膜i時（圖丨9B)時的狀態之下，當施加超 音波至凸塊b時，藉由令導電承載晶片a向下壓（圖19B的箭 頭方向）以部份擠去熔化的熱塑型樹脂薄膜丨而令凸塊1)及電 極區域d接觸（熱塑型樹脂薄膜）的步驟，用以在凸塊b與電極 區域d接觸的狀態之下（圖19C)，藉由再持續地施加超音 波，以超音波接合（金屬熔化）（超音波接合的步驟）凸塊匕與 電極區域d的步驟，及用以藉由冷卻並硬化熔化的熱塑型樹 脂薄膜i(未示）而令半導體承載晶片主體接合在配線基板上 的步驟（參照專利前案4)。 以第三方法，一系列的封裝步驟，包括在一至二秒内執 行熔化熱塑型樹脂薄膜i，其藉由施加超音波至凸塊b而接 合凸塊b及電極區域d，且固化（冷卻及硬化）熱塑型樹脂薄膜 i，藉以可縮短製造時間。因凸塊b及電極區域d之間的金屬 熔化接合，故電連接具有可靠性。 然而，第三習用方法具有以下問題。 圖20A至20B顯示一方法之範例，其用於作用包括在資料 載體（設置有半導體承載晶片）中的卡片及憑證。圖2〇a顯示 一方法，其用於藉由疊層壓製作用包括在資料載體中的卡 片。圖20B顯示一方法，其用於藉由射出成形作用包括在資 料載體中的憑證。更明確地，以圖20A中顯示的作用方法， 設置有半導體承載晶片j的資料載體主體!^夾在二樹脂薄膜 1 - 1中間’且在此狀態中’藉由一對加熱至約1 2〇 的金屬 板m-m(具有垂直方向100-200 Kg/cm2的壓力）壓按，以整體 地接合二薄膜1-1與資料載體，藉以製造包括在資料載2中 89725-950710.doc 1278870 的卡片。以圖20B中所千沾从m , r所不的作用方法，設置有半導體承載晶 片』的負料載體主體k置於鑄模n内部凹洞内的預設位置，及 在此狀態中，具有250。(：溫度的樹脂會在4〇至8〇 Kg/mm2的 壓力下的鑄模η的樹脂注入口注入，藉以製造包括在資料裁 體中的憑證。 即’在藉由第三習用方法所製造的電子元件模組中，如 圖21Α所示，因為只藉由熱塑型樹脂薄膜產生半導體承載晶 片a與電極區域之間的絕緣，若作用中需要的高溫負載（如 豐層壓製及射出成形）施加至半導體承載晶片&的封裝部 伤，則在某些狀況中，熱塑型樹脂薄膜丨會熔化。在此狀態 中，右在圖21B之箭頭所指示的方向施加高壓，電極區域d 及配線基板c會部份捲曲。接著，半導體承載晶片&會埋入 熱塑型樹脂薄膜i之中，造成了不穩定性，即半導體承載晶 片a及電極區域d間的接觸會產生短路。 [前案1] JP-A-6-243358 [前案2] JP-A-11.176022 [前案3] 曰本專利第2586154號 [前案4] JP-A-11.333409 【發明内容】 發月的目的為提供一種用以製造電子元件的方法，其 89725-950710.doc 1278870 中半導體承載晶片會快速地以電機可靠方式及低成本封裝 在配線基板上’其中可防止短路的發生，其導因於配線基 板上之半導體承載晶片與電極區域之間的接觸，即使在高 溫及高壓負載施加在半導體承載晶片之封裝部份的狀況之 下。 本發本的另一目的為提供一種覆晶連接配線基板，其適 宜用於製造電子元件模組的方法。 本發明的再一目的為提供一種用以製造覆晶連接配線基 板的方法，其中可簡單地且低成本地製造配線基板。 再者，本發明的更一目的為提供一種用以製造電磁可讀 取驁料載體的方法，其利用低成本及大量製造的覆晶連接 配線基板，其中電磁可讀取資料載體用作飛航行李標籤， 物體分配管理標籤或無人檢視出入口。 本發明的其他目的會隨著下列實施例而令熟習此技藝者 更了解。 本發明提供一種用以製造電子元件模組的方法，該電子 元件模組之電路板上封裝有半導體承載晶片，該方法包括·· (a) 準備該配線基板，其包括一配線圖案，一熱固型樹脂 缚膜’其覆盖^ 邊配線圖案上之電極區域且具有散佈的絕 緣粒子並包括在其中，及一熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋該熱 固型樹脂薄膜； (b) 當施加超音波時，令半導體承載晶片壓按於熔化狀態 中的熱塑型樹脂薄膜（即該熱塑型樹脂薄膜加熱及軟化） 上’因而熔化之熱塑型樹脂薄膜會藉由半導體承載晶片之 89725-950710.doc -11 - 1278870 该凸塊推開，且該凸塊會達到該熱固型樹脂薄膜的表面； (匀藉由持續地施加超音波至該凸塊而令該凸塊壓迫該熱 固型樹脂薄膜，因而該絕緣粒子會由熱固型樹脂薄膜分 離，熱固型樹脂薄膜會由該凸塊上方削去，及該凸塊會成 與該電極區域接觸； (d) 在該凸塊與該電極區域接觸的狀態之下，藉由持續性 地施加超音波，而超音波接合該凸塊與該電極區域；及 (e) 藉由冷卻及硬化該熔化之熱塑型樹脂而令半導體承載 晶片主體接合在該配線基板上。 由步驟（a)可知，具有散佈及包括在其中之絕緣粒子的熱 固型樹脂薄膜會預先形成在配線基板之配線圖案上的電極 區域上，如本發明中所使用般。再者，熱塑型樹脂薄膜會 形成在熱固型樹脂薄膜上。熱固型樹脂薄膜只會覆蓋配線 圖案的電極區域，或配線圖案的整個表面。 文中使用的’’電極區域”意即配線圖案上的某個小區域，該 配線圖案包括一預設部份，其中電子部份的端子會連接。電 極區域包括一部份，其基本上稱為配線圖案上的凸台。 文中使用的”加熱及軟化"兩者意指一狀態，其中加熱及 軟化熱塑型樹脂薄膜至某個步驟，及一加熱及熔化的狀 態。再者，文中使用的，，熱塑型樹脂”較佳地具有作為黏著 劑的優良特徵。 散佈及包括”在其中的意思為預設的絕緣粒子量存在至 >、接近電極區域（一凸塊嵌入熱固型樹脂薄膜的預定區 域）。再者，絕緣粒子平均地存在整個熱固型樹脂薄膜區 89725-950710.doc -12- 1278870 / ε緣粒子會平均地散佈在熱固型樹脂薄膜内。再者， 絕緣粒子句# ^ ^ 士、 中，以藉由凸塊之超音波振動而由熱固 1 ί月曰薄膜内分離絕緣粒子，及製造通孔在熱固型樹脂薄 I ，因為在熱固型樹脂薄膜内製造通孔，熱固型樹 薄膜在耐久性方面是容易損壞的，藉以凸塊可易於嵌經 熱固型樹脂薄膜。 文中使用之”由熱固型樹脂薄膜内分離絕緣粒子"兩者包 括兩者 5 ^ ^ 為完全由熱固型樹脂薄膜分離絕緣粒子的狀 況，及一為由熱固型樹脂薄膜部份突出絕緣粒子的狀況。 _ 根據本發明之用以製造電子元件模組的方法具有以下優 點，即（1)安穩地達成電傳導，因為凸塊及電極區域會因超 音波接合的擴散接點而改變，（2)優良的濕度抵擋，因為凸 塊及電極區域之間的接點部份由樹脂所密封，（3)對抗張力 的機械封裝力較佳，因為當熱塑型樹脂薄膜固化時，會接 合半導體承載晶片及配線基板，電傳導及機械連接會在 短時間内同時達成，（5)製造成本超級低，因為任何特別密一 封及接合步驟及接合材料都不需要，及（6)在加熱時，基板 _ 表面會較所需的更不黏，因為熱塑型樹脂薄膜不存在板表 面的曝露部份。 雖然會大大地因覆蓋熱固型樹脂薄膜之熱塑型樹脂薄膜 的存在而獲得以上（1)至（6)中所陳述的優點，然可藉由本發 · 明者先前所提出之相關技藝（JP-A-1 1-333409)的第三方法 . 而獲得幾乎相同的優點。即，本發明的著越特徵即除了以 上（1)至（6)所陳述的優點之外，根據本發明用以製造電子元 89725-950710.doc -13- 1278870 … 件模組的方法具有以下優點。 (7) 在根據本發明所製造的電子元件模組中，因為典型上 不會在高溫熔化的熱固型樹脂薄膜會插入半導體承載晶片 與電極區域（配線圖案）之間，會防止半導體承載晶片與配線 圖案的直接接觸，其導因於熱固型樹脂薄膜的存在，如先 岫以圖21A至21B之連接中所描述的，即使如先前圖2〇A之 連接中所述的，施加咼溫及高壓負載至半導體承載晶片的 負載部伤。因此，可製造出高度可靠且不會造成短路的電 子元件模組。 (8) 因為熱固型樹脂薄膜具有散佈及包括在其中的絕緣粒 子，用以移去熱固型樹脂薄膜以令凸塊嵌入熱固型樹脂薄 膜的步驟包括藉由施加超音波振動至凸塊，而純粹壓按凸 塊至熱固型樹脂薄膜上。例如，為了防止短路，會考慮設 置不含絕緣粒子的絕緣薄膜（絕緣層）於熱塑型樹脂薄膜與 配線圖案之間，絕緣層不容易只藉由凸塊的超音波振動而 嵌入（部份移去）。相反地，本發明中，絕緣粒子會藉由凸塊 的超音波振動而由熱固型樹脂薄膜分離，因此會在熱固型 樹脂層中製造通孔以令樹脂層易於損壞，而可趨使凸塊易 於在短時間内鑽入熱固型樹脂層内，且使凸塊的頂端部份 達到電極區域。 再者，本發明提供一種覆晶連接配線基板，包括一配線 圖案，一熱固型樹脂薄膜，其覆蓋一電極區域於配線圖案 上且具有散佈及包括於其中的絕緣粒子，及一熱塑型樹脂 薄膜’其覆蓋熱固型樹脂薄膜。 89725-950710.doc -14- 1278870 立使用該覆晶連接配線基板，可易於在配線基板上藉由超 音波封包（其只藉由以預設凸塊提供半導體承載晶片）而設 置半導體承載晶^且可獲得具有以上⑴至⑹巾所陳述之 優點的優良電子元件模組。 為了製造該覆晶連接配線基板，較佳利用具有散佈及包 括在其間之絕緣粒子的熱固型樹脂薄膜作為形成及配線圖 案經钱刻步驟時的钱刻遮罩，且熱固型樹脂薄膜會覆蓋以 熱塑型樹脂薄膜。 以此製造方法，會縮短用以剝除㈣光組的典型步驟， 藉以可簡化製造步驟。再者，具有姓刻光阻有效地作為配 線圖案表面上的絕緣保護層。 再者’本發明提供一種用以製造一電磁可讀取資料載體 之方法’該電磁可讀取資料載體整體上包括一資料載體主 體及一電子元件模組，該資料載體主體保持-導體圖案， 其在薄膜上組成一天線，該電子元件模組，其中具有傳輸/ 接收電路及記憶體的半導體承載晶片，封褒在該薄膜之配 線圖案’薄片或薄板狀的配線基板上，該方法具有用以該 電子元件模組的製造方法，包括以下步驟·· ⑷分離具有該配線圖案的該薄膜’薄片或薄板狀的配線 基板，一熱固型樹脂薄膜在該配線圖案上覆蓋電極區域且 具有散佈及包括在其中的絕緣粒子，及—熱塑型樹脂薄 膜’其覆蓋熱固型樹脂薄膜； ⑻令半導體承載晶片之凸塊麼按至炼化狀態的熱塑型樹 脂薄膜（即加熱及軟化）上’當施加—超音波時，因而溶化之 89725-950710.doc -15- 1278870 熱塑型樹脂薄膜會由半導體承載晶片之凸塊邊緣削去，且 該凸塊達到熱固型樹脂薄膜的表面； (c) 藉由持續性施加超音波至該凸塊，而朝向熱固型樹月旨 薄膜壓按該凸塊，因而該絕緣粒子會由熱固型樹脂薄膜内 分離，熱固型樹脂薄膜會由該凸塊削去，且該凸塊會形成 該電極區域的接觸； (d) 在該凸塊及該電極區域接觸的狀態下，藉由持續性施 加超音波而以超音波接合該凸塊與該電極區域；及 (e) 藉由冷卻及硬化該熔化的熱塑型樹脂薄膜而在該配線 基板上接合半導體承載晶片主體。 以此構造，因上述關於製造電子元件模組之方法的優點 (1)至（8) ’可大量製造高效能操作的電磁可讀取資料載體， 如飛航行李標籤，物體分配管理標籤或無人檢視出入口。 較佳地，本發明提供一種用以製造電磁可讀取資料載體 的方法，其整體上包括-資料載體主體，其保持_金屬圖 案，其包括一薄膜狀樹脂基板上的天線圈，及一電子元件 杈組，其中組成一傳輸/接收電路及一記憶體的半導體承載 晶片會封裝在薄膜狀薄膜基板上的鋁络配線圖案上，該方 法i括製迈電子元件模組的步驟，其中半導體承載晶片會 封裝在薄膜狀薄膜基板表面上的Μ配線圖案Ji，該步驟 更L括（a)準備—具有！g箱配線圖案之配線基板的步驟，一 熱固型樹脂薄膜令電極區域覆蓋在鋁箔配線圖案且具有散 ，及G括在其間的絕緣粒子’及—熱塑型樹脂薄膜，其覆 蓋…、固51樹月曰薄膜，⑻令半導體承載晶片之凸塊壓按至熔 89725-950710.doc -16- 1278870 化狀態的熱塑型樹脂薄膜（其加熱及軟化）上，當施加超音波 且推迫凸塊以擠去熔化的熱塑型樹脂薄膜且達到熱固型樹 脂薄膜的表面，（c)藉由持續地再施加超音波至凸塊，而朝 向熱固型樹脂薄膜壓按凸塊，由熱固型樹脂薄膜内分離絕 緣粒子且推迫凸塊削去熱固型樹脂薄膜及產生與電極區域 之接觸的步驟，（d)在凸塊及電極區域接觸的狀態下，藉由 持續地再施加超音波而超音波接合凸塊及電極區域，及（e) 藉由冷卻及硬化熔化的熱塑型樹脂，而在配線基板上接合 半導體承載晶片主體。 根據本發明者所知，可確認若利用鋁箔以上述方式作為 電子元件模組側上的配線圖案，上述程的（d)的序蝕刻方程 及超音波接合會較利用其他材料時相對上更為容易且低成 ° 本發明中之"絕緣粒子的材料"，會利用氧化矽，氧化鋁 或四氟乙烯。由抗壓的觀點而言，具有相對高硬度之無機 氧化物的氧切或氧化銘是較佳的。然而，因為氧化铭具 有相對較高的介電常數，氧化矽是使用上較佳的，不喜任 何在半導體承載晶片之下的電容元件。當依需求而需要切 割配線基板時，若硬粒子的氧化物（如氧化石夕或氧化⑴包括 在熱固型樹脂薄膜中’贓存在縮短刀片使用期的風險。在 此樣的狀況之下，較佳可利用相對較軟的四氟乙烯。 較佳地，在本發明t，熱@型樹脂薄膜中之絕緣粒子的 含量占樹脂的百分重量比為30重量％。這可做為詳細研究 的結果。可發現在10重量％以下，凸塊難以嵌經熱固型樹 89725-950710.doc -17- 1278870 ·, 脂薄膜（即，半導體承載晶片與電極區域之間的電連接），而 樹脂的可使用性為3〇%以上。 本發明中，絕緣粒子的直徑較佳為熱固型樹脂薄膜厚度 的70 /〇以上（含）。因為以較大直徑的絕緣粒子，樹脂内的通 孔會較大，使得易於嵌入凸塊，製造該通孔以由熱固型樹 脂薄膜分離絕緣粒子。 【實施方式】 [實施例] 根據本發明之較佳實施例，用以製造電子元件模組之方 法會在下文參照附圖描述。下列實施例只組成本發明的一 部份’然本發明的範圍可由申請專利範圍而界定。 實施例包括用以製造電子元件模組之方法，其中一方法 用以製造電子元件模組，其具有封裝在配線基板上的半導 體承載晶片，該方法包括： 準備该配線基板，其包括一配線圖案，一熱固型樹脂薄 膜，覆蓋一電極區域在該配線圖案上且具有散佈及包括在 其間的絕緣粒子，及一熱塑型樹脂薄膜，覆蓋該熱固型樹 脂薄膜； 當施加超音波時，壓按半導體樹脂薄臈之凸面在熔化狀 態的熱塑型樹脂薄膜（加熱及軟化）上，因而熔化的熱塑型樹 脂薄膜會藉由半導體承載晶片之該凸塊而推開，及該凸塊 達到該熱固型樹脂薄膜的表面； 藉由持續性施加超音波至該凸塊而令該凸塊朝向該熱固 型树月曰薄膜壓按，因而§亥絕緣粒子會由熱固型薄膜分離， 89725-950710.doc •18· 1278870 熱固型树月曰薄膜會猎由該凸塊而推開，且該凸塊造成該電 極區域的接觸； 在該凸塊與該電極區域接觸的狀態之下，藉由持續性施 加超音波而超音波接合該凸塊與該電極區域；及 藉由冷卻及硬化該熔化的熱塑型樹脂而在該配線基板上 接合一半導體承載晶片。 圖1A至1F為步驟圖，顯示一系列之製造方法的步驟。該 系列的步驟包括一金屬箔疊層板製造步驟（圖1A)，蝕刻遮 罩印刷步驟（圖1B)，用於配線圖案形成的蝕刻步驟（圖1(：), 熱塑型薄膜形成步驟（圖ID)，超音波封裝步驟（圖1E)，及接 合步驟（圖1F)。各步驟的細節詳如下述。 金屬箔疊層板製造步驟 在此步驟中，製造作為薄膜狀配線基板之基礎元件的鋁 -PET疊層板1。藉由令35以以厚的硬鋁箔3經胺基甲酸酯而置 放於25 μπι厚的PET薄膜2之一側（圖中朝上的一面）上而製造 此銘-PET疊層板i，且在15代與壓力5kg/cm2的條件下加熱 疊層且接合。 餘刻遮罩印刷步驟 在此製造步驟中’具有所需之配線圖案形狀的蝕刻光阻 圖案會形成在銘·ΡΕΤ疊層板i之硬㈣3的表面上。在此範 例中’光阻圖案形成為環氧化熱固型樹脂薄臈4，其具有如 圖1B至1F中以，，·，，標示之散佈Si〇2粒子（絕緣粒子）。更明確 地’藉由令-墨水以凹版印刷法塗佈於銘猶疊層板】的表 面上’該墨水包括100重量比率之環氧化樹脂及3〇重量比率 89725-950710.doc •19· 1278870 之Si〇2粒子（直徑為3至4 /zm)，其混合至含有甲苯30%，甲 基乙基酮6.1。/。及丁基乙醇12%的溶劑的而以約4至6 的 厚度形成環氧化熱固型樹脂薄膜（蝕刻光阻圖案）4，且以13〇 至200°C的溫度乾燥墨水2〇至60秒。 餘刻步驟 在此步驟中，由熱固型樹脂薄膜（蝕刻光阻圖案）4曝露的 鋁箔部份5會藉由習知之蝕刻移去，以形成配線圖案6，其 包括硬鋁箔3。在本範例中，藉由以Na〇H (120 g/Ι)的蝕刻 劑在50°C的溫度下摻質鋁箔部份5而形成配線圖案6，該鋁 V# ap伤由熱固型樹脂薄膜4所曝露。因此，包括硬紹箔3的 配線圖案會出現在配線基板未完成製品8a(在此餘刻步驟 中所獲）的表面上。配線圖案6的表面完全覆蓋以環氧化熱 固型樹脂薄膜4，其用作為蝕刻光阻圖案（蝕刻遮罩）。即， 配線圖案6中至少電極區域的表面（與半導體承載晶片之凸 塊連接的連接預定區域）會覆蓋以熱固型樹脂薄膜4。熱固 型樹脂薄膜4的塗佈厚度會依凸塊大小及所封裝之承載晶 片形狀而調整。 熱塑型樹脂薄膜形成步驟 在本步驟中，作為黏著層的熱塑型樹脂薄膜7會形成在熱 固型樹脂薄膜4的整個表面上，以作為蝕刻圖案。藉由在熱 固型樹脂薄膜4的表面上以凹版印刷法塗佈約4至6 “瓜厚的 聚烯烴熱塑型樹脂黏著劑（約在9〇至1 〇〇°C的溫度下溶化）而 形成熱塑型樹脂薄膜7。即，熱固型樹脂薄膜4的表面會完 全覆蓋以熱塑型樹脂薄膜7。因此，可完成覆晶連接配線基 89725-950710.doc -20- 1278870 板（用以封裝半導體承載晶片的配線基板）卜熱塑型樹脂薄 膜7的塗佈厚度會依凸塊大小及所封裝之承載晶片形 調整。 超音波封裝步驟 在本步驟中，當施加超音波時，半導體承載晶片9會封裝 在配線基板8上。本步驟包括以下步驟：—步驟（第一步驟） 即，當施加超音波時，即壓按半導體承載晶片9之凸塊⑺至 熔化狀態的熱塑型樹脂薄膜7(加熱及軟化）上，且壓迫凸塊 1〇以推開熔化的熱塑型樹脂薄膜7及達到熱固型樹脂薄膜4 的表面，一步驟（第二步驟）即，而壓按凸塊1〇朝向熱固型樹 脂薄膜4 ’藉由再持續地施加超音波至凸塊1〇以由熱固型樹 脂薄膜4分離絕緣粒子，及壓迫凸塊1〇以推開熱固型樹脂薄 膜4且與電極區域丨丨產生接觸，及一步驟（第三步驟）即，在 凸塊1〇與電極區域U接觸的狀態之下，藉由再持續地施加 超音波’超音波接合凸塊10與電極區域U。 在本範例中，半導體承載晶片約150 “❿厚，且以所謂的 表面封裝元件所组成，其中用於連接之金屬端的凸塊10會 由其底部面突出。凸塊10會鍍上黃金，且具有14 的高 度及 8 0 # mm 的寬度（80x80 β mm)。 超音波封裝步驟的細節會顯示在圖2A至2C中。在第一步 驟中’會在施加超聲振動的狀態下，朝向熱塑型薄膜7而壓 按凸塊10，該熱塑型薄膜7在1 50°C的溫度下加熱及熔化。 接著’如圖2A所示，熔化的熱塑型樹脂薄膜7會因凸塊10 的超音波振動，而部份地由凸塊10的頂端位置推開及移 89725-950710.doc -21 - 1278870 去，因而凸塊10可達到熱固型樹脂薄膜4的表面，其中散佈 及包括有Si02粒？，一步驟（第三步驟）為㈣凸塊朝向熱固 型樹脂薄膜4,藉由持續性地再施加超音波至凸塊1G以由熱 固型樹脂薄膜4分離絕緣粒子，及壓迫凸塊1〇以推開熱固型 樹脂薄膜4並產生電極區則的接觸，及_步驟(第三步驟) 即，在凸塊與電極區域㈣觸的狀態之下，藉由再持續性 地施加超音波，而超音波會接合凸塊10與電極區域U。 在本範例中，半導體承載晶片是15〇 _厚，且組成所謂的封 裝70件’其中作為連接之金屬端子的凸塊1()會由其底面突出。 凸塊ίο會鍍上黃金，且具有14 的高度及8〇 的寬度 (8 0 X 8 0 // mm) 〇 超音波封裝步驟的細節顯示在圖2a至2C。在第一步驟 中，會在施加超音波振動的狀況之下，朝向熱塑型薄膜7(在 150 C的溫度中加熱及熔化）壓按凸塊1〇。接著，如圖2a所 示，由於凸塊10的超音波振動，會推開部份熔化的熱塑型 樹脂薄膜7及移去凸塊1〇的頂端部份，因而凸塊1〇會達到具 有散佈及包括於其中之Si〇2粒子的熱固型樹脂薄膜4表 面。在第二步驟中，在再施加超音波振動凸塊1〇至凸塊ι〇 的狀態之下，會朝向熱固型樹脂薄膜4而壓按凸塊1〇。接 著，以％’’所標示的Si〇2粒子會由熱固型樹脂薄膜4内以凸塊 10掃除（分離），因而如圖2B所示，標示為，，〇，，的通孔會在熱 固型樹脂薄膜4之内形成。溶化的熱塑型樹脂薄膜7會吸引 (鑽入）由熱固型樹脂薄膜4分離的Si〇2粒子。因通孔的產 生’熱固型樹脂薄膜7的耐久性會更易損壞，因而凸塊丨〇容 89725-950710.doc -22- 1278870 圖1A至1E中所示的步驟。用以製造電子元件模組的方法具 有以下優點：（1)會穩固地產生電通導，因為凸塊1〇及電極 區域11為藉由超音波接合的擴散接面，（2)濕氣阻擋是優良 的，因為凸塊10與電極區域u的接面部份會藉由樹脂密 封，（3)對抗張力的機械封裝力很高，因為當熱塑型樹脂薄 膜7固化時，半導體承載晶片9與配線基板8會接合，（4)電通 導及機械連接會在短時間内同時完成，（5)製造成本極低， 因為不需要任何特別的密封及接合步驟及接合材料，及（6) 基板表面會較加熱時所需的更黏，因為熱塑型樹脂薄膜不 存在板表面的曝露部份。 雖然大部份因熱塑型樹脂薄膜7的存在而可獲得以上（1)至 (6)所陳述的優點，然可藉由第三習用方法（Jp-A_U-3334〇9 , 為本發明者所提出）而獲得幾乎相同的優點。即，顯著的特 徵是根據本實施例之製造電子元件模組的方法除了以上（1) 至（6)所陳述之外，具有以下優點。 (7)因為熱固型树脂薄膜4不會在高溫溶化（本範例中為t 至250°C的範圍）會插入半導體承載晶片9與鋁箔配線圖案6 之間會避免半導體承載晶片及紹箔配線圖案接觸，因為 如前附隨圖21A至21B所述之熱固型樹脂薄膜4的存在，即 使施加高溫及高壓負載至半導體封裝部份，如先前伴隨圖 20所述般。因此，可製造出高可靠度且不會造成短路的電 子元件模組。 (8)因為形成在製造電子元件模組中的熱固型樹脂薄膜4 具有散佈且包括於其t的Si〇2粒子，用以移去熱固型樹脂 89725-950710.doc • 25 - 1278870 薄膜4以造成凸塊10鑽入的部份移去步驟包括藉由施加超 音波振動至凸塊10而純粹壓按凸塊至熱固型樹脂薄膜4 上。例如，為了防止短路，考量當不包含絕緣粒子（如si〇2 粒子）的絕緣薄膜（絕緣層）設置在熱塑型樹脂薄膜7與鋁箱 配線圖案6之間的狀況，會難以只藉由凸塊1〇的超音波振動 移去絕緣層。相反地，在上述實施例中，絕緣粒子（Si〇2粒 子）會藉由凸塊10的超音波振動而由熱固型樹脂薄膜4分離 出來，因此會在熱固型樹脂薄膜4中製造通孔以使樹脂薄膜 4易於損壞，藉以可強制凸塊10在短時間（約一秒鐘）含量易 地鑽入熱固型樹脂薄膜4，且使凸塊10的頂端部份達到鋁箔 配線圖案6(電極區域）。 圖6A顯示本實施例中所製造的電子元件模組中之半導體 承載a曰片9與配線圖案6之間的接合力，與只利用超音波接 合的狀況比較。由圖6A可知，當利用本發明用以製造電子 元件模組的方法時，電子元件模組具有大於只利用超音波 接合約七倍（5.6至8.5倍）的接合力。大多可歸因於一事實， 即當熱塑型樹脂薄膜7固化時，半導體承載晶片9與配線基 板8會接合，但熱固型樹脂薄膜4的存在亦有貢獻。 當以150C的溫度及2 Kg/cm2的壓力施加疊層壓製步驟 時，藉由第三習知方法所製造的電子元件模組之短路失誤 發生比（無具有散佈Si〇2粒子之熱固型樹脂薄膜4的電子元 件模組），與圖6B中所之實施例所製造的電子元件模組之短 路失誤發生比。如圖6B所示，第三習用方法中，失誤發生 比為5/100測試物品模組（5%)，而本實施例中無短路失誤發 89725-950710.doc -26- 1278870 生（短路電路失誤發生比〇%)。以此方式，本實施例可獲得 可完全抵抗咼溫及高壓負載之步驟的電子元件模組。 本實施例（其中利用熱固型樹脂薄膜4(具有散佈及包括於 其中的Si〇2粒子的絕緣層）作為熱塑型樹脂薄膜7與鋁箔配 線圖案6之間的絕緣層）中的半導體承載晶片之接合失誤發 生比，及作為絕緣層的半導體承載晶片（其中不包含si〇2粒 子的熱固型樹脂薄膜）之接合失誤發生比顯示在圖7A。由圖 7A可知，配線基板8上之半導體承載晶片9藉由施加超音波 至凸塊10的設置會藉由利用具有散佈且包括在其中之以〇2 粒子的熱固型樹脂薄膜4而允許（無Si〇2粒子··失誤發生比 96%，含Si02粒子：失誤發生比〇%)。 在上述實施例中，半導體承載晶片因散佈及包括在熱固 型樹脂薄膜4中的Si〇2粒子直徑不同的接合失誤發生比顯 示在圖7B。如圖7B所示，當si〇2粒子的直徑為丨至2 (約 熱固型樹脂薄膜4厚度（4至6 //mm)的30°/。）時，接合失誤發生 百分比為50%。然而，當Si〇2粒子的直徑是3至4 (約熱 固型樹脂薄膜4厚度（4至6 的7〇%)時，則無接合失誤發 由此了發現Si〇2粒子的直徑較佳為熱固型樹脂薄膜4 厚度的70%以上（含）。 在上述實轭例中，會利用作為樹脂基底材料（組成疊層板 1)的PET㈣，但會取代pET薄膜而利用聚硫亞氨薄膜。 在上述實施例中，在形成熱固型樹脂薄膜4時會利用含混 a至100重畺/。環氧化樹脂之3〇重量％ 8丨〇2粒子的墨水。然 而，由精確研究的結果，本發明者發現半導體承載晶片的 89725-950710.doc •27- 1278870 超音波封裝是優良的選擇，只要環氧化樹脂與si〇2粒子的 混合比是10至30重量％的^〇2粒子對1〇〇重量％的環氧化樹 脂。 在上述實施例中，會利用Si〇2(矽）作為散佈且包括於熱固 型树月曰薄膜4中之絕緣粒子的材料，但亦可利用A1〇3(氧化 鋁）或四氟乙烯。即，當視狀況必須切斷配線基板8時，若 硬氧化物粒子（如，Si02粒子或A103粒子）包括在熱固型樹脂 薄膜4中，則可能會減少刀緣的使用期。在此狀況中，較佳 可利用相對較軟的四氟乙烯。 在以上實施例中，會利用熱固型樹脂薄膜4作為熱塑型樹 月曰薄膜7與鋁箔配線圖案6之間的絕緣層。然而，絕緣層是 熱塑型樹脂薄膜（即，即使熱塑型樹脂薄膜7在高溫（如圖 20A至20B中疊層壓製或射出成形步驟中所需）時熔化，仍可 維持固化狀態），其較熱塑型樹脂薄膜7具有較高的再軟化 點。當然，在此狀況中，Si〇2粒子（絕緣粒子）會包括在絕緣 層中。此狀況中的配線基板可推斷為覆晶連接半導體晶 片，其包括配線圖案，第一熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋配線 圖案上的電極區域且具有散佈及包括在其中的絕緣粒子， 及第一熱塑型樹脂薄膜’其覆蓋第一熱塑型樹脂薄膜，其 中第一熱塑型樹脂薄膜較第二熱塑型樹脂薄膜具有完全較 高的再軟化點。然而，本實施例中的配線基板8可認為是覆 曰曰連接配線基板’其包括配線圖案6，熱固型樹脂薄膜4， 其覆蓋配線圖案6上的電極區域且具有散佈及包括在其中 的絕緣粒子，及熱塑型樹脂薄膜7，其覆蓋熱固型樹脂薄 89725-950710.doc -28 - 1278870 臈。以14些配線基板，具有凸塊的樹脂承載晶片9會藉由施 加超音波而容易地且低成本地封裝，藉以可製造具有高接 合力且高可靠度（不會造成短路，即使施加高溫及高壓負載 時）電子元件模組。 如圖IB，1C及1D所示之製造配線基板的方法可推論為用 以製造覆晶連接配線基板的方法，其中具有散佈及包括在 其中之絕緣粒子的熱固型樹脂會在經蝕刻步驟形成配線圖 案時用作為蝕刻遮罩，且熱固型樹脂會覆蓋以熱塑型樹 脂。以此構造，在蝕刻步驟中利用以形成配線圖案的蝕刻 遮罩會直接成為熱固型樹脂薄膜，其組成覆晶連接配線基 板，藉以可不需要移去蝕刻遮罩而以低麻煩及低成本來製 造配線基板。 參照圖8至12，用以根據本發明之實施例製造資料載體的 方法如下述。資料載體是電磁可讀取的，以操作如同飛航 行李標籤，物體分配管理標籤或無人檢視出入口。資料載 體整體上包括一資料載體主體，其保留金屬圖案，其在薄 膜狀的樹脂基板上組成天線圈，及電子元件模組，其具有 半導體承載晶片，其組成傳輸與接收電路及記憶體，其封 裝在薄膜狀樹脂基板表面上的紹箔配線圖案中。 圖8顯示根據本實施例之資料載體的範例。如圖8中所示 的’資料載體DC包括一資料載體主體1〇〇，保留一 1〇 a瓜厚 度之銅箔渦捲狀導體圖案（對應至一天線圈）在25 厚度 之PET(t乙稀對苯二甲酸）基板ιοί的一側，及電子元件模 組200具有半導體承載晶片202,其封裝在70 //in厚度之玻璃 89725-950710.doc -29- 1278870 環氧化晶圓201的較低側上。及電子元件模組200置於資料 載體主體100上，因此晶圓201會跨越（越過）一環繞導體束 102a，其組成一渦捲狀導體圖案，其中其具有渦捲狀導體 圖案102的電連接會使用渦捲狀導體圖案1〇2中的内周側端 子墊103及外周側端子墊1〇4而產生。 圖9是放大的剖面圖，顯示電子元件模組2〇〇之封裝構造 的範例（延著圖8之剖面圖的線13-13)。用以如圖8及9所示般 製造資料載體主體100及電子元件模組2〇〇的方法會詳如下 述。 圖10A至10E顯示組成天線圈之渦捲狀導體圖案1〇2的製 造步驟範例。參照圖10A至10E，形成渦捲狀導體圖案1〇2 成為PET半導體基板ιοί—側上之天線圈的步驟如下述。 首先，銅-PET疊層基板301會如圖i〇A般準備。如範例 中，銅-PET疊層基板301會藉由經胺基甲酸酯黏著劑令銅箱 303置放在25以❿厚之PET薄膜3〇2上，及在溫度i5〇<t及壓力$ kg/cm2條件之下，加熱疊層及接合。 渦捲狀的蝕刻光阻圖案304會形成在圖10B所示之銅-pET 疊層基板301中的銅箔303表面上。即，絕緣蝕刻光阻墨水 會印刷在渦捲狀的銅箔303上，該銅箔303具有的轉數可提 供L值與Q值，線寬，高度，及内部與外部周長，其為縮進 印刷所需的箔片特徵。此時，光阻墨水會藉由加熱光束或 主動能束而固化。主動能束是紫外線或電子光束，及當利 用紫外線時，光聚合作用劑會混合在光阻墨水中。 如圖ioc所示，在銅_PET疊層基板301中之銅箱3〇3表面上 89725-950710.doc -30 - 1278870 與電子部份模組200之電極產生電通導連接的位置，具有需 要形狀之電極的導電蝕刻光阻圖案3〇5a、3〇5b(圖8中的 103、104)會藉由導電墨水形成。光阻圖案3〇5&、3〇5b的形 成會藉由先前步驟中之縮進印刷而進行，及光阻墨水是熱 固型導電黏著劑，其藉由溫度12〇t的加熱處理約2〇分鐘而 固化。此步驟中導電墨水的印刷會藉由通常利用的絲網印 刷法而執行，及墨水材料是銀粒子與熱塑型黏著劑的混合 物’含有光聚合反應劑，或焊料。 如圖10D所示，由蝕刻光阻圖案3〇4、3〇5a及3〇讣曝露出 來的銅羯部份306會藉由習知之蝕刻而移去，以形成渦捲狀 導體圖案（圖8中的102)以作為天線圈。在蝕刻步驟中，會利 用溫度50°C的FeCh (120 g/Ι)作為蝕刻劑以移去銅箔3〇3。 通常在下文中，電子部份無法封裝在電路上，即，在組成 天線圈的渦捲狀圖案上，除非移去步驟B中所形成的姓刻光 阻。然而，在本發明中，存在步驟c中所描述的導體光阻圖 案305a及305b，因而不需藉由在那些圖案上封裝電子部份 而移去蝕刻光阻。即，用以剝除蝕刻光阻的步驟在本發明 中可略去，因而有一效果，即藉由絕緣墨水所形成的蝕刻 光阻304會當作銅箔電路圖案上的絕緣保護層。 如圖10E所示，在本實施例中，壓按而通過通孔3〇7，而 插入電子元件模組的凸出部份（圖9中的壺狀部份413)内。以 上述方式，會完成資料載體主體1〇〇，其中天線圈的渦捲狀 導體圖案308(102)會保留在pet薄膜基板302(1 01)的一側 上。 89725-9507 l〇.d( -31 - I278870 圖11A至11G顯示電子元件模組2〇〇的製造步驟範例。應 先前注意，經製造步驟而獲得的電子元件模組2〇〇具有幾乎 相同的組成，如圖1F中所顯示的電子元件模組，除了半導 體晶片202是樹脂，其藉由壺狀部份413(見圖llG)密封，及 導電光阻412置於電極部份用以與資料載體主體1〇〇連接。 金屬fl豐層板製造步驟 如圖11A所示，製造作為薄膜狀配線基板之基礎元件的鋁 -PET疊層板401。鋁_PET疊層板4〇1會藉由經胺基甲酸酯黏 著劑令35 /zm厚之硬鋁箔4〇3置放在25 厚之pET薄膜4〇2 _ 的一側上，及在15(TC及壓力5 kg/cm2的條件之下，加熱疊 層及接合。 蝕刻遮罩印刷步驟 如圖11B中顯示的，用以形成具有所需配線圖案形狀之蝕 刻光阻圖案的第一光阻層會形成在鋁_pET疊層板4〇1中之 硬鋁箔403的表面上。在此範例中，第一光阻層會形成為環 氧化熱固型樹脂薄膜404,其具有如圖中以，，•”所指示的散佈, Si〇2粒子（絕緣粒子）。更明確地，會藉由凹版印刷法塗佈一 · 墨水於鋁-PET疊層板1的表面上，而形成為厚度約4至ό // m的環氧化熱固型樹脂薄膜（第一光阻層）4〇4，該墨水包括 100重量比之環氧化樹脂及30重量比之Si〇2粒子（其直徑為 3至4 #m)，其混合溶入含有3〇0/〇甲苯，61%甲基乙基酮及 · 12〇/❶丁基乙醇的溶劑中，及以溫度130至200。(：乾燥墨水20 · 至60秒。在此步驟中，如圖丨1B所示，用以形成所需配線圖 案形狀之蝕刻光阻圖案的熱固型導電黏著劑會塗佈在硬鋁 89725-950710.doc -32- 1278870 V备403之左及右端的表面405a、4〇51^上。詳如下述。 餘刻遮罩印刷步驟 如圖11C所不，作為第二光阻層（作為黏著層）的熱塑型樹 脂薄膜406會形成在熱固型樹脂薄膜4〇4(用作第一光阻層） 的表面上。藉由塗佈在溫度約9〇至1〇〇它熔化的聚烯烴熱塑 型樹脂黏著劑而形成熱塑型樹脂薄膜4〇6。即，熱固型樹脂 薄膜404的表面會完全地覆蓋以熱塑型樹脂薄膜4〇6。 敍刻遮罩印刷步驟 如圖11D所示，導電光阻層（導電光阻區域）4〇7&、扣几會 形成在硬鋁箔層403兩端的表面405a、405b上。導電光阻層 4〇7對應至與資料載體主體1〇〇之端子墊部份3〇5&、“讣的 連接部份。藉由先前步驟之縮進印刷法形成導電光阻區域 4〇7a、407b，及墨水為熱固型導電黏著劑，其藉由12〇(5(：加 熱處理約20分鐘而固化。此步驟中之導電墨水的印刷會藉 由習用之絲網印刷法執行，及墨水材料是銀粒子及熱塑型 黏著劑的混合物，含有光聚合作用劑，或焊料。 具有熱固型樹脂薄膜404熱塑型樹脂薄膜406及導電光阻 區域407a及407b之所需配線圖案形狀的餘刻光阻圖案，圖 式簡單說明會經以上圖11B至11D所示步驟而形成在硬鋁 403 上。 蝕刻步驟 如圖11E所示，由蝕刻光阻圖案408曝露的鋁箔部分4〇9 會藉由習知蝕刻而移去以形成一配線圖案41〇，其包括硬鋁 泊4〇3。藉由以Na0H (12〇 g/1)的蝕刻劑在溫度5〇艺摻質鋁 89725-950710.doc -33- 1278870 猪部份409(其由蝕刻光阻圖案408曝露）而形成配線圖案 410。因此，包括硬鋁箔403的配線圖案410出現在配線基板 411的表面上。 超音波封裝步驟 如圖Ilf所示，當施加超音波時，半導體承載晶片2〇2封 t在配線基板4 11上。此步驟包括以下步驟，一步驟（第一 步驟）即，當施加超音波時，壓按半導體承載晶片2〇2之凸 塊203至熔化狀態的熱塑型樹脂薄膜4〇6(加熱及軟化）之 上’且壓迫凸塊203以推開溶化的熱塑型樹脂薄膜406及達 到熱固型樹脂薄膜404的表面，一步驟（第二步驟）即，朝向 熱固型樹脂薄膜404壓按凸塊203，藉由再持續施加超音波 至凸塊203以令Si〇2粒子由熱固型樹脂薄膜404分離，及壓 按凸塊10以推開熱固型樹脂薄膜404並產生與硬铭箔403上 之電極區域412的接觸，及一步驟（第一步驟）即，在凸塊2〇3 與電極區域412接觸的狀態之下，藉由再持續地施加超音波 而超音波接合凸塊203與電極區域412。 在此範例中’半導體承載晶片202是150 /z m厚，及組成 所謂的表面封裝元件，其中作為用以連接之金屬端子的凸 塊203會由其底部面突出。凸塊203會鍍金，且高度為14 及寬度為80 //mm(80x80 emm)。在第一步驟中，凸塊2〇3會 在施加超音波振動的狀態之下，朝向熱塑型薄膜4〇6(其加 熱且在溫度150°C熔化）壓按。接著，熔化的熱塑型樹脂薄 膜406會因凸塊203的超音波振動而由凸塊203的頂端部份 部份推開及移去，因此凸塊2〇3會達到具有散佈及包括於其 89725-950710.d< -34- 1278870 中之Si〇2粒子之熱固型樹脂薄膜404的表面。在第二步驟 中，在超音波振動再施加至凸塊203的狀態之下，凸塊203 會朝向熱固型樹脂薄膜404壓按。接著，以，，·，，指示的Si〇2 粒子會由熱固型樹脂薄膜404内藉由凸塊203掃去（分離），因 此以Ο指示的通孔會在熱固型樹脂薄膜404内形成。由熱固 型樹脂薄膜404分離的Si〇2粒子會吸引（鑽入）入溶化的熱塑 型樹脂薄膜406。因為通孔的產生，熱固型樹脂薄膜404的 耐久性會更易損壞，因而凸塊203容易推開（部份移去）熱固 型樹脂薄膜404以達到鋁箔配線圖案410的表面（電極區域 412)。此時，鋁箔配線圖案410表面上的氧化層會藉由凸塊 203之超音波振動機械式地移去。接著，凸塊203及電極區 域412會接觸。在此步驟中，凸塊203及配線圖案41〇的電極 區域412會藉由凸塊之超音波振動的磨擦生熱而加熱，因而 銘箔中含有擴散之金原子的金屬熔合部份會形成以完成兩 者的超音波接合。 超音波封裝步驟中的第一至第三步驟會在半導體承載晶 片202置放在預設位置之後，在〇·2 kg/mm2的負載壓力之下 藉由施加63 KHz頻率的超音波振動約ι·5秒而完成。 接合步驟 如圖11G中所示，熔化的熱塑型樹脂薄膜4〇6不會加熱配 線基板411至1 50°C而會藉由自然冷卻或強制冷卻再固化， 以接合半導體承載晶片202的主體與配線圖案4 1 〇。即，插 入半導體承載晶片202之底面與配線基板4 11之間的溶化熱 塑型樹脂薄膜406會冷卻及硬化，因此半導體承載晶片202 89725-950710.doc -35- 1278870 與配線基板411會穩固地接合。下文中，半導體承載晶片2〇2 是樹脂，其依需要而藉習知方法密封，以形成壺狀部份4 i 3。 參照圖12 A至12B，以下會描述用以置放電子元件模組 200在資料載體主體1〇〇上的步驟，因此絕緣晶圓2〇1跨越 (或越過）環繞的導體束l〇2a，其組成渦捲狀導體圖案，及造 成與渦捲狀導體圖案的電連接，其分別用於渦捲狀導體圖 案102中的内部及外部圓周側。 如圖12A所示，電子元件模組200會置放在資料載體主體 100上，因而電子元件模組2〇〇的電子部份置放面會面對資 料載體主體100之導體圖案形成面，及電子元件模組2〇〇會 跨越（或越過）環繞的導體束102a，其組成渦捲狀導體圖案 102。此時，會在通孔307(開在資料載體主體ι〇〇的側上）中 接收覆蓋承載晶片202(作為電子元件）的壺狀部份413。再 者，作為用於一對鋁箔區域410、410之電極區域的導電光 阻區域407a、407b，鋁箔區域41 〇傳導至凸塊203，電子元 件模組200側上之半導體承載晶片2〇2的凸塊2〇3會直接置 於在一對導電光阻圖案305a、305b(其位於資料載體主體 100側上）前。即，電子元件模組200側上的鋁箔區域41〇、 410及資料載體主體1〇〇側上的導電光阻圖案3〇5a、3〇5b會 分別經導電光阻區域407a、407b而彼此面對。 如圖12B所示，以溫度160°C加熱的壓頭5〇ia、501b會以 21.7 kg的負載壓力之下壓按在電子元件模組2〇〇上2〇秒，特 別是直接在一對導電光阻圖案305a、305b上。此時，熱塑 型黏著薄膜的導電光阻圖案會局部軟化及熔化，因而導電 89725-950710.doc -36- 1278870 光阻區域4〇7a、407b傳導至電子元件模組2〇〇的端子區域 410及貿料載體主體1〇〇上的導電光阻圖案3〇5a、3〇5b 會接合及牢靠。然而，熱塑型樹脂薄膜4〇6部份會維持絕緣 及用於接合電子元件模組2〇〇與資料載體主體1〇〇。再者， 因為渦捲狀導體圖案1〇2表面上的蝕刻光阻3〇4會維持為絕 緣材料，電子元件模組200之絕緣基底晶圓4〇1(2〇1)上的配 線圖案（未示）會作為跳線構件，其連接渦捲狀導體圖案1〇2 的内部及外部圓周。因此，渦捲狀導體圖案i 〇2與半導體承 載晶片202之間的電連接不需使用跳線構件及背對配線圖 案即可，如在習用構造中。 參肽圖13至16 ’用以根據本發明另一實施例的製造資料 載體方法如下述。資料載體是電磁可讀取的，可操作為飛 航行李標籤，物體分配管理標籤或無人檢視出入口。資料 載體整體上包括一資料載體主體，其保留一金屬圖案，其 組成薄膜狀樹脂基板上的天線圈，及一電子元件模組，其 具有一半導體承載晶片，其組成一傳輸與接收電路及一記 憶體’其封裝在薄膜狀樹脂基板表面上的鋁箔配線圖案。 圖13是放大的剖面圖，顯示電子元件模組之封裝構造範 例（對應至圖8延著線13-13之剖面圖）。用以如圖13中所示製 造資料載體主體及電子元件模組的方法如下述。 圖14顯示組成天線圈之渦捲狀導體圖案1〇2(圖8)的製造 步驟範例。參照圖14，用以如PET薄膜基板101侧上之天線 圈般（圖8)形成渦捲狀導體圖案1〇2的步祿如下述。 如圖14A所示，準備銅-pet疊層基板6〇1。如範例，會藉 89725-950710.doc -37- 1278870 由經胺基甲酸酯黏著劑令10 V m厚之銅箔置放於25 #瓜厚 之PET薄膜的一側上而製造銅_ΡΕΊΓ疊層基板6〇1，且在溫度 150°C及壓力5 kg/cm2的條件之下會加熱疊層及接合。因 此’可元成銅_PET豐層基板601，其中銅猪603連接至PET 薄膜602(101)的表面。 如圖14B所示’渦捲狀及末端形狀的餘刻光阻圖案6〇4會 形成在銅-PET疊層基板601中之銅箔603的表面上。即，絕 緣#刻光阻墨水會印刷在渦捲狀的銅箔上，該銅箔提供縮 進印刷法之箔片特徵所需的L值與Q值，線寬，高度，及内 部與外部圓周的轉數。此時，光阻墨水會藉由加熱光束或 主動能束而固化。主動能束是紫外線或電子束，及當利用 紫外線時’光聚合作用劑會混合在光阻墨水中。 如圖14C所示，由蝕刻光阻圖案6〇4經以上步驟曝露的銅 箔部份603a會藉由習知蝕刻移去以形成渦捲狀導體圖案 605(其用作天線圈）及内與外周侧端子墊6〇以及6〇补。在此 蝕刻步驟中，會在溫度5(TC利用FeCl2〇2〇g/1)作為蝕刻劑 以依需要移去銅箔部份。 下文中，通常，除了在圖14B中所示之步驟中所形成的蝕 刻光阻604移去之外，電子部份不會封裝在電路上，即，在 線圈上。然而在本發明中，因為位於接合預定部份⑽以、 606b的蝕刻光阻會因接合時之超音波而藉由機械摩擦力移 去（見圖13)，故不需要移去絕緣光阻6〇4。即，用以剝除蝕 刻光阻的步驟在本發明中可略去，藉以有一效果，即蝕刻 光阻604可作為銅導體圖案6〇5表面上之絕緣保護層。 89725-950710.doc -38 - 1278870 圖15A至15F顯示用於電子元件模組2〇〇的製造步驟範 例。應先注意，用於如圖15a至15F之電子元件模組2〇〇的製 4步驟實質上等於圖1A至1F中所顯示的，除了半導體晶片 是藉由壺狀物密封的樹脂。因此，雖然重複解釋，然相同 部份會因謹慎原故而再次描述。 金屬箔疊層板製造步驟 如圖1 5 A中所示，製造作為薄膜狀配線基板之基礎元件的 鋁-PET疊層板701。藉由令35 厚的硬鋁箔703經胺基甲酸 酯黏著劑置放於25 厚的PET薄膜702的一侧（圖中朝上的 一面）上而製造此鋁·ΡΕΤ疊層板701，且在l5〇〇c與壓力5 kg/cm2的條件了加熱疊層且接合。 钱刻遮罩印刷步驟 如圖15B中所示，具有所需之配線圖案形狀的蝕刻光阻圖 案會形成在链-PET疊層板701之硬鋁箔703的表面上。在此 辜ϋ例中’光阻圖案形成為環氧化熱固型樹脂薄膜7〇4 ,其具 有如圖15Β中以，，•”標示之散佈si〇2粒子（絕緣粒子）。更明確 地’藉由令一墨水以凹版印刷法塗佈於鋁_ΡΕτ疊層板7(H 的表面上，該墨水包括100重量比率之環氧化樹脂及3〇重量 比率之Si〇2粒子（直徑為3至4 "的，其混合至含有甲苯 30%，甲基乙基_6」％及丁基乙醇12%的溶劑）而以約4至6 # m的厚度形成環氧化熱固型樹脂薄膜（蝕刻光阻圖 案）704，且以130至2〇〇°C的溫度乾燥墨水20至6〇秒。 蝕刻步驟 如圖14C所示，由熱固型樹脂薄膜刻光阻圖案）7〇4曝 89725-950710.doc -39- 1278870 路的鋁4部份705會藉由習知之蝕刻移去，以形成配線圖案 7〇6’其包括硬鋁箔703。在本範例中，藉由wNa〇H (12〇 g/1) 的蝕刻劑在5(TC的溫度下摻質鋁箱部份7〇5而形成配線圖 案706，該鋁箔部份由熱固型樹脂薄膜7〇4所曝露。因此， 包括硬鋁箔703的配線圖案會出現在配線基板中間產物 708a(在此蝕刻步驟中所獲）的表面上。配線圖案的表面 凡全覆蓋以環氧化熱固型樹脂薄膜7〇4，其用作為蝕刻光阻 圖案（蝕刻遮罩）。即，配線圖案7〇6中至少電極區域的表面 (與半導體承載晶片之凸塊連接的連接預定區域）會覆蓋以 熱固型樹脂薄膜704。熱固型樹脂薄膜7〇4的塗佈厚度會依 凸塊大小及所設置之承載晶片形狀而調整。 熱塑型樹脂薄膜形成步驟 如圖15D所示，作為黏著層的熱塑型樹脂薄膜7〇7會形成 在熱固型樹脂薄膜704的整個表面上，以作為蝕刻光阻圖 案。藉由在熱固型樹脂薄膜704的表面上以凹版印刷法塗佈 約4至6 β m厚的聚烯烴熱塑型樹脂黏著劑（約在9〇至i〇(rc 的溫度下熔化）而形成熱塑型樹脂薄膜7〇7。即，熱固型樹 脂薄膜704的表面會完全覆蓋以熱塑型樹脂薄膜7〇7。因 此，可完成覆晶連接配線基板（用以封裝半導體承載晶片的 配線基板）708。熱塑型樹脂薄膜7〇7的塗佈厚度會依凸塊大 小及所設置之承載晶片形狀而調整。 超音波封裝步驟 如圖15E所示，當施加超音波時，半導體承載晶片7〇9會 封裝在配線基板708上。本步驟包括以下步驟：一步驟（第 89725-950710.doc -40- 1278870 一步驟）即，當施加超音波時，即壓按半導體承載晶片7〇9 之凸塊710至炼化狀態的熱塑型樹脂薄膜7〇7(加熱及軟化） 上，且壓迫凸塊710以推開熔化的熱塑型樹脂薄膜7〇7及達 到熱固型樹脂薄膜704的表面，一步驟（第二步驟）即，而壓 按凸塊710朝向熱固型樹脂薄膜7〇4，藉由再持續地施加超 音波至凸塊710以由熱固型樹脂薄膜7〇4分離絕緣粒子，及 壓迫凸塊710以推開熱固型樹脂薄膜7〇4且與電極區域7 i j 產生接觸，及一步驟（第三步驟）即，在凸塊71〇與電極區域 711接觸的狀態之下，藉由再持續地施加超音波，超音波接 合凸塊10與電極區域11。 在本範例中，半導體承載晶片7〇9約15〇 #瓜厚，且以所謂 的表面封裝元件所組成，其中用於連接之金屬端的凸塊71〇 會由其底部面突出。凸塊710會鍍上黃金，且具有14 的咼度及80 /z mm的寬度（80x80 /z mm)。在第一步驟中，會在 施加超聲振動的狀態下，朝向熱塑型薄膜7〇7壓按凸塊 710，該熱塑型薄膜7在150 °C的溫度下加熱及熔化。接著， 熔化的熱塑型樹脂薄膜707會因凸塊1〇的超音波振動，而部 伤地由凸塊71 0的頂端位置推開及移去，因而凸塊7丨〇可達 到熱固型樹脂薄膜704的表面，其中散佈及包括有5；丨〇2粒 子，在第二步驟中，在超音波振動再施加至凸塊71〇的狀態 之下’壓按凸塊朝向熱固型樹脂薄膜7〇4。接著，以，，•”指示 的Si〇2粒子由熱固型樹脂薄膜7〇4中藉由凸塊71〇掃去（分 離）’因此以”0”指示的通孔會形在在熱固型樹脂薄膜7〇4 内。由熱固型樹脂薄膜7〇4分離的si〇2粒子會吸引（鑽入）熔 89725-950710.doc •41 - 1278870 化的熱塑型樹脂薄膜707内。因為通孔的產生，熱固型樹脂 薄膜704的耐久性會更易損壞，因而凸塊71〇容易推開（部份 移去）熱固型樹脂薄膜704以達到鋁箔配線圖案7〇6的表= (電極區域711)。此時，鋁箔配線圖案7〇6表面上的氧化層會 藉由凸塊710之超音波振動機械式地移去。接著，凸塊7ι〇 與電極區域711會接觸。在第三步驟中，配線圖案7〇6的凸 塊71〇及電極區域711會藉由凸塊的超音波振動之磨擦生熱 而加熱，因而會形成鋁箔中的金屬熔合部份（含有擴散之金 原子）以完成兩者的超音波接合。 超音波封裝步驟中的第一至第三步驟會在半導體承載晶 片202置放在預設位置之後，在〇2kg/mm2的負栽壓力之下 藉由施加63 KHz頻率的超音波振動約15秒而完成。 接合步驟 如圖15F所示，熔化的熱塑型樹脂薄膜7〇7會藉由自然冷 卻或不加熱配線基板708至15〇。〇的強制冷卻而再固化，Z 接合半導體承載晶片7〇9的主體與配線圖案6。即，半導體 承載晶片709之底面與配線基板7〇8之間填充的熔化熱塑型 樹脂薄膜707會冷卻及硬化，因此半導體承載晶片彻與配 線基板7G8會穩固地接合。下文中，半導體承載晶片彻是 依需求以習知方法密封的樹脂’以形成壺狀部份712。以此 方式，可完成電子元件模組7〇〇。 參照圖16A至16B，用以在資料載體上封裝電子元件模組 ^ 、复圈產生電連接的步驟如下述。此步驟會利用超音 波炼接技術執行。 89725-950710.doc -42- 1278870 如圖16八所不，電子元件模組7〇〇會設置在資料載體主體 -上因而包子元件模組側上的接合預定部份7丨3 a、7丨3 b 會與端子墊606a及606b對齊，其接合於資料載體主體側上 的預定部份。 如圖16B所示，當施加頻率4〇 kHz(v)的超音波振動時， 一對整體落下的壓頭801、802會在負載壓力〇 2kg/mm2(p) 之下直接壓在電子元件模組700的接合預定部份7l2a、7i3b 上0.5秒（時間Τ)β圖16中，參考號碼8〇3，8〇4標示面對壓頭 801、802的砧。 通常，當原子彼此接近至一距離（數埃）而造成引力作用在 結合之金屬面上的原子間時會發生熔接，且整個面上的原 子會以條理的排列接觸。然而，因為金屬面會覆蓋以薄的 表層（如，氧化物及吸收氣體），乾淨的金屬原子會避免接近 完全的接合力。 因此，以超音波接合方法，金屬表層（本範例中包括 713a、713b、606a及606b)會藉由上述方式之活化原子振盪 而移去，及原子會藉由活化原子振盪而擴散，因此電子元 件模組700端與資料載體端可穩固地接合。即，與電子元件 模組700之凸塊710及資料載體端部份之銅络部份6〇3(在圖 8中以號碼103及104標示）電連接的熱固型樹脂薄膜7〇4(在 圖13中的兩端部份）會熔接，如圖13所示。 此方法基於超音波接合的原則，其中金屬表層會藉由超 音波振盡移去。即使不剝除導體圖案之端子墊6〇6a、 606b(其形成以作為絕緣蝕刻光阻）而執行圖14B所示步 89725-950710.doc •43 - 1278870 驟’仍可獲侍電子元件模組7〇〇與資料載體主體術之間的 疋王電子及機械式的接合特徵。經過以上步驟，可完成根 據本發明之薄膜狀的資料載體DC(見圖8)。 在X上實知例中，對應融合部份形狀的數個凹凸部份會 設置在砧803、804的終面上（面對壓頭8〇卜8〇2)，而金屬的 塑性流動會藉由調整壓頭謝、8〇2的壓按時間而局部地製 ^八對應至犬出部份，因此由金屬層移去部份所面對的 樹脂層會藉由超音波振動而融合。特別是當同時利用金屬 融合及樹脂融合時，電子元件模組的機械接合力會大幅增 加，因此當資料載體適於粗略掌握時（如，飛航行李標籤或 物體分配管理標籤），本實施例很有效用。 以此方式成的薄膜狀資料載體會基於電磁場而利用讀 取媒體，及可靠地在100至1〇〇〇mm外的距離讀取儲存在半 導體的資料，而不需受讀取距離或距離的限制，特別是讀 取定向性。 [本發明的效用] 由以上描述可知，本發明可提供用以製造電子元件模組 的方法，其中半導體承載晶片以電機可靠方式及低成本快 速地封裝在配線基板上，其中因配線基板上之半導體承載 晶片與電極區域之間的接觸可避免短路的發生，即使在施 加高溫及高壓負載至半導體承載晶片之封裝部份的情況之 下。 本發明可提供用以低成本且大量地製造電磁可讀取資料 載體的方法，其中電磁可讀取資料載體用作飛航行李標 89725-9507I0.doc -44- 1278870 籤，物體分配管理標籤或無人檢視出入口。 【圖式簡單說明】 圖1A至1F為步驟圖，顯示根據本發明之用以製造電子元 件模組的方法； 圖2A至2C為解釋圖，顯示超音波封裝步驟； 圖3A至3C為解釋圖，顯示超音波封裝步驟的細節； 圖4A至4C為解釋圖，顯示超音波封裝步驟的細節； 圖5為剖面圖，顯示根據本發明之電子元件模組的構造； 圖6A至6B為表格，顯示根據本發明在電子元件模組中之 半導體承載晶片的接合力，及短路失誤發生比； 圖7A至7B為表格，顯示根據本發明在電子元件模組中之 半導體承載晶片的接合力失誤發生比； 圖8為一圖，顯示資料載體之範例； 圖9為封裝在資料載體上的電子元件模組的剖面圖； 圖10A至10E顯示資料載體主體之製造步驟圖； 圖11A至11G顯示封裝在資料載體上之電子元件模组之 製造步驟圖； 、’ 圖12A至12B為步驟圖，顯示資料載體主體上之電子元件 模組的封裝步驟； 圖13為剖面圖，顯示電子元件模组之封裝構造的另一範 圖14A至14C顯不資料載體主體之製造步驟圖； 圖15A至15F顯示封裝於資料載體上電子元件 製造步驟圖； 89725-950710.doc -45- 1278870 圖16A至16B為步驟圖，顧+咨少丨 口顯不貝枓載體主體上之電子元件 模組的另一封裝步驟； 圖17顯示用於覆晶連接的第一習知方法之圖，· 圖18顯示用於覆晶連接的第二習知方法之圖； 圖19A至19C顯示用於覆晶連接的第三習知方法之圖； 圖撤至細顯示處理含有第三方法成品之資料載體的 樣品；及 圖21A至21B顯示關於第三方法的問題。 【圖式代表符號說明】 1 銘-PET疊層板 2 PET薄膜 3 硬鋁箔 4 環氧化熱固型樹脂薄膜 5 鋁箔部份 6 配線圖案 7 熱塑型樹脂薄膜 8 覆晶連接配線基板 9 半導體承載晶片 10 凸塊 11 電極區域 12 超音波味i 口八 13 加熱台與砧 100 資料載體主體 101 PET基板 89725-950710.doc -46- 1278870 102 渦捲狀導體圖案 103 内周侧端子墊 104 外周側端子墊 200 電子元件模組 201 玻璃壞氧化晶圓 202 半導體承載晶片 301 銅-PET疊層基板 302 PET薄膜 303 銅fl 304 蝕刻光阻圖案 305 光阻圖案 306 銅箔部份 307 通孔 308 渦捲狀導體圖案 401 鋁-PET疊層板 402 PET薄膜 403 硬紹％ 404 環氧化熱固型樹脂薄膜 405a、405b 表面 406 熱塑型樹脂薄膜 407a、405b 導電光阻層（導電光阻區域） 408 姓刻光阻圖案 409 鋁箔部分 410 配線圖案（端子區域、銘f自區域） 89725-950710.doc -47- 1278870 411 配線基板 412 導電光阻（電極區域） 413 壺狀部份 501 壓頭 601 銅-PET疊層基板 602 PET薄膜 603 銅箱 604 蝕刻光阻圖案 605 渦捲狀導體圖案 606a 内周側端子塾 606b 外周側端子墊 607 資料載體主體 700 電子元件模組 701 鋁-PET疊層板 702 PET薄膜 703 704 環氧化熱固型樹脂薄膜 705 鋁箔部份 706 配線圖案 707 熱塑型樹脂薄膜 708 配線基板中間產物 709 半導體承載晶片 710 凸塊 711 電極區域 89725-950710.doc -48-

Claims (1)

1278S%34〇23號專利申請案 i日修(更)正本 中文申請專利範圍替換本(95年iJL^— ---— 拾、申請專利範園： 1· 一種用以製造電子元件模組之方法，該電子元件模組具 有封裝於配線基板上之半導體承載晶片，該方法包括·· 準備該配線基板，其包括一配線圖案，一熱固型樹脂 薄膜，其覆蓋一電極區域於該配線圖案上及具有散佈及 包括於其中之絕緣粒子，及一熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋 該熱固型樹脂薄膜； 當施加超音波時，壓按半導體承載晶片之凸塊至熔化 狀態之熱塑型樹脂薄膜上，其中加熱及軟化該熱塑型樹 脂薄膜’因而會藉由該半導體承載晶片之該凸塊推開熔 化之熱塑型樹㈣膜，及該凸塊會達到該熱固型樹脂薄 膜之表面，· 藉由持續地施加超音波至該凸塊而朝向該熱固型樹脂 薄膜壓按凸塊，因而該絕緣粒子會由該熱固型樹脂薄膜 内分離，會藉由該凸塊推開該熱固型樹脂薄膜，及該凸 塊造成與該電極區域之接觸； 在該凸塊與該電極區域接觸時，藉由持續施加超音波 而超音波接合該凸塊與該電極區域；及 藉由冷卻及硬化該熔化之熱塑型樹脂而令一 載晶片主體接合於該配線基板上。 2. ^申請專利範圍…之用以製造電子元件 法，其中利用氧化石夕或氧化銘作為絕緣粒子、粗方 3. 如申請專利範圍第1項之用以製造電 ’。 法，其中利用四氟乙烯作為絕緣粒子之材=。模組之方 89725-951122.doc 1278870 4. 5· 6. 7. 8. 9. 10. 11. 如申請專利範圍第1至3項中任一担 模組之方法，其中熱固型樹脂二用以製造電子元件 ⑽重量。狀樹脂中之絕緣粒子之含量係 如申請專利範圍第i項 土 用以I造電子元件模組之方 t二電子元件模組具有封裝於-配線基板上之半導體 承載晶片，其中該絕緣粒子平 薄膜内。 t十均地散佈於該熱固型樹脂 一種覆晶連接配線基板，包括： 一配線圖案； 熱固型樹脂薄膜，其覆蓋一雷 是盈冤極區域於該配線圖案 上’及具有散佈及包括於其中之絕緣粒子；及 … 熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋該熱固型樹脂薄膜。 如申明專利範圍第6項之覆晶連接配線基板，纟中利用氧 化矽或氧化鋁作為該絕緣粒子之材料。 如申％專利範圍第6項之覆晶連接配線基板，#中利用四 氟乙烯作為該絕緣粒子之材料。 如申μ #利範圍第6至8項中任一項之覆晶連接配線基 板八中熱固型樹脂薄膜中該絕緣粒子之含量係1 〇〇重量 %之樹脂中之10至30重量％。 如申請專利範圍第6項之用於覆晶連接配線基板，其中該 絕緣粒子平均地散佈於該熱固型樹脂薄膜内。 種用以製造覆晶連接配線基板之方法，包括以下步驟： 準備一薄膜狀配線基板之基礎元件； 令一金屬箔於該基礎元件上疊層；及 89725-951122.(1( 1278870 於該金屬猪之表面上形成一配線圖案所需之钱刻圖 案，因此利用-熱固型樹脂作為_㈣遮罩材料，當經 蚀刻步驟形成-配線圖案時，該熱固型樹脂具有散佈及 包括於其中之絕緣粒子’及該熱固型樹脂再覆蓋以一熱 塑型樹脂。 α如申請專利範圍第u項之用以製造覆晶連接配線基板之 方法’其中利用氧化梦或氧化紹作為該絕緣粒子之材料。 α如申請專利範圍第u項之心製造覆㈣接配線基板之 方法’其中利用四氟乙烯作為該絕緣粒子之材料。 Κ如申請專利範圍第w13項中任—項之用以製造覆晶連 接配線基板之方法，其中熱固型樹脂薄膜中絕緣粒子之 含量係100重量〇/0之樹脂中之1〇至3〇重量％。 15·如申請專利範圍第11項之用以製造覆晶連接配線基板之 方法’其中該絕緣粒子平均地散佈於該熱固型樹脂薄媒 内。 16· -種用以製造電磁可讀取資料載體之方法，該電磁可讀 取資料載體整體上包括一資料載體主體及一電子元件模 組’該資料載體主體保留一導體圖案，其組成一薄膜上 之天線’該電子元件模組，其中一半導體承載晶片具有 一傳輸/接收電路及-記憶體，封裝於該薄膜，薄片或薄 板狀配線基板之轉„上，具有用於該電子元件模組 之製造方法的該方法包括以下步驟·· 準備該薄膜’薄片或薄板狀配線基板，其具有該配線 圓案’ -熱固型樹脂薄膜’其覆蓋一電極區域於該配線 89725-951122.d〇( 1278870 圖案上及具有散佈及包括於其中之絕緣粒子，及一熱塑 型樹脂薄膜，其覆蓋該熱固型樹脂薄膜； 當施加一超音波時，壓按半導體承載晶片之凸塊至熔 化狀態之熱塑型樹脂薄膜上，該狀態即加熱及軟化該熱 塑型樹脂薄膜，因而會藉由半導體承載晶片之該凸塊推 開熔化之熱塑型樹脂薄膜，及該凸塊達到該熱固型樹脂 薄膜之表面； 藉由持續地施加超音波至該凸塊而朝向該熱固型樹脂 薄膜壓按該凸塊，因而該絕緣粒子會由該熱固型樹脂薄 膜内分離，該熱固型樹脂薄臈會藉由該凸塊推開，及該 凸塊造成與該電極區域之接觸，· 、在該凸塊與該電極區域接觸時，藉由持續地施加超音 波而超音波接合該凸塊與該電極區域，·及 藉由冷卻及硬化該熔化之熱塑型樹脂，而令一半導體 承載晶片主體接合於該配線基板上。 17.如申請專利範圍第16項之用以製造電磁可讀取資料載體 之方法，其中該薄膜狀樹月旨基板用於資料載體主體。 A ί:請專利範圍第16或17項之用以製造電磁可讀取資料 載：之方法，其中利用氧切或氧化銘作為該絕緣粒子 19·如申請專利範圍第16或17項之用 ^ 載體之方法，其甲利用四氟 ^"可項取資剩 20 ^由▲主由 鼠乙締作為該絕緣粒子之材料。 20·如申凊專利範圍第16項之用以 十 之方法，盆”絕緣物早工每電磁可讀取資科載體 …子平均地散佈於該熱固型樹脂薄 89725-951122.doc 1278870 膜内。 21· 一種覆晶連接配線基板，包括·· 一配線圖案； 一第一熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋一電極區域於該配線 圖案上及具有散佈及包括於其中之絕緣粒子；及 一第一熱塑型樹脂薄膜，其覆蓋該第一熱塑型樹脂薄 膜； 其中該第一熱塑型樹脂薄膜之再軟化溫度完全高於該 第二熱塑型樹脂薄膜之再軟化溫度。 22·如申請專利範圍第22項之覆晶連接配線基板，其中該絕緣 粒子平均地散佈於該熱固型樹脂薄膜内。 89725-951122.doc
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