JP4179736B2 - 半導体素子実装済部品の製造方法及び半導体素子実装済完成品の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を高密度・薄型、高生産性、高信頼性で実装することを可能にする半導体素子パッケージや電子部品モジュールなどの半導体素子実装済部品の製造方法、上記半導体素子実装済部品の製造方法を利用した半導体素子実装済完成品の製造方法、上記半導体素子実装済完成品の製造方法により製造された半導体素子実装済完成品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の上記半導体素子パッケージについて、図１８〜図２１を参照しながら説明する。
【０００３】
図２０及び図２１は、製造方法を工程ごとに図示したものである。図１９に工程図を示す。
【０００４】
まず、図１９のステップＳ１０１において、ウェハーのダイシングが行われたのち、ステップＳ１０２において、図２０（Ａ）に示すように、半導体素子１０３の各素子電極１０５上にワイヤボンディング法によりバンプ１０４を形成する。１０６は半導体素子１０３のアクティブ面を保護するパッシベーション膜である。
【０００５】
次に、ステップＳ１０３において、図２０（Ｂ）に示すように、バンプ１０４上に導電性接着剤１１６を転写法により形成する。導電性接着剤１１６は主として、Ａｇ、Ｃｕ等の粒子をフィラーとしたエポキシ系の接着剤が用いられる。
【０００６】
次に、ステップＳ１０４において、図２０（Ｃ）に示すように、セラミック、ガラスエポキシ等で形成された回路基板１１５の各電極１１７と半導体素子１０３の各バンプ１０４が電気的に接続するように搭載し、ステップＳ１０５において導電性接着剤１１６を熱硬化する。導電性接着剤１１６の標準的な硬化条件は、１４０℃、２０分である。
【０００７】
次に、ステップＳ１０６において、図２０（Ｄ）に示すように、半導体素子１０３と回路基板１１５の隙間にディスペンサー１２２により信頼性を確保する為の封止剤１２１を充填し、ステップＳ１０７において熱硬化させる。熱硬化の平均的な条件は、１４０℃で４時間である。
【０００８】
次に、ステップＳ１０８において、図２１に示すように、回路基板１１５の半導体素子１０３の搭載面と反対側に形成された電極１１８上にクリーム半田１２０を印刷した後、ステップＳ１０９においてＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属粒子１１９をマウントし、ステップＳ１１０においてリフロー炉に通して、図１８に示す半導体素子パッケージを得る。
【０００９】
以上、ステップＳ１０１からステップＳ１１０までの工程を経て、図１８の半導体素子パッケージが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体素子パッケージの製造方法及び構造では、工程数が多く、また導電性接着剤１１６及び封止剤１２１の硬化に時間を要する為、生産性が悪いという問題があった。また、回路基板１１５は厚み約０．５ｍｍあり、半導体素子１０３の厚みと合わせると半導体素子パッケージ厚みが約１ｍｍとなり、パッケージの薄型性に難があり、例えば、非接触ＩＣカードのように厚み０．７６ｍｍ以下に規制されている商品には適用できないという問題があった。
【００１１】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、高品質、高生産性で薄型の半導体素子パッケージや電子部品モジュールなどの半導体素子実装済部品の製造方法、上記半導体素子実装済部品の製造方法を利用した半導体素子実装済完成品の製造方法、上記半導体素子実装済完成品の製造方法により製造された半導体素子実装済完成品を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００１３】
本発明の第１参考態様によれば、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１４】
本発明の第２参考態様によれば、半導体ウェーハをダイシングして得られた個片の半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１５】
本発明の第３参考態様によれば、半導体ウェーハの半導体素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
上記バンプが形成された上記半導体ウェーハをダイシングし、個片の半導体素子に分割する工程と、
熱可塑性樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１６】
本発明の第４参考態様によれば、半導体ウェーハの半導体素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
上記半導体ウェーハに熱可塑性樹脂シートを位置合わせする工程と、
上記半導体ウェーハと上記熱可塑性樹脂シートを熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１７】
本発明の第５参考態様によれば、第１参考態様又は第２参考態様又は第３参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージのバンプの露出した端面側の熱可塑性樹脂部に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを熱可塑性樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１８】
本発明の第６参考態様によれば、第５参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを熱可塑性樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを所定回数行い、パッケージを多層化することを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１９】
本発明の第７参考態様によれば、第４参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを熱可塑性樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程とを備える半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００２０】
本発明の第８参考態様によれば、第４参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを熱可塑性樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを所定回数繰り返して多層化した後、上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程を備える半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００２１】
本発明の第９参考態様によれば、第１熱可塑性樹脂シート上に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記第１熱可塑性樹脂シートの上記回路パターンの所定位置に第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージ及び電子部品を搭載する工程と、
上記半導体素子パッケージ及び上記電子部品が搭載された上記第１熱可塑性樹脂シートに第２熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記第２熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体パッケージ及び上記電子部品を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを備えることを特徴とする電子部品モジュール製造方法を提供する。
【００２２】
本発明の第１０参考態様によれば、ＩＣチップと外部と送受信を行う為のアンテナコイルとを有する非接触ＩＣカードであって、
熱可塑性樹脂基材に導電性ペーストにて、上記ＩＣチップのＩＣ電極部と電気的に接続可能な回路パターン、若しくは、上記アンテナコイルを構成するコイルパターンを含む上記ＩＣ電極部と電気的に接続する回路パターンを印刷する工程と、
上記ＩＣチップを有しかつ第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの上記ＩＣチップの上記ＩＣ電極部が上記回路パターンと接続するように、上記回路パターンの上に上記半導体素子パッケージを配置する工程と、
上記導電性ペーストを硬化させる工程と、
上記導電性ペースト硬化後の上記熱可塑性樹脂基材の上記半導体素子パッケージ搭載面側に熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージを覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットし、カード化する工程とを備えることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法を提供する。
【００２３】
本発明の第１１参考態様によれば、第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造される半導体素子パッケージを提供する。
【００２４】
本発明の第１態様によれば、熱可塑性樹脂のシートで構成された基材のパターン形成面上に形成される回路パターンと半導体素子のバンプを電気的に接続させた半導体素子実装済部品の製造方法において、
上記バンプが上記基材の上記パターン形成面から露出するように、上記基材内に上記半導体素子を挿入し、
上記露出したバンプ又は上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を増加部形成部材にて押圧することにより、上記露出したバンプの表面積を増大させ、
上記表面積が増大された露出したバンプに接触するように、上記パターン形成面上に導電性ペーストにて回路パターンを形成して、上記回路パターンと上記バンプとを電気的に接続する、半導体素子実装済部品の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明の第２態様によれば、上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記露出したバンプの一部を変形させて突部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体実装済部品の製造方法を提供する。
【００２７】
本発明の第３態様によれば、上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプに凹凸部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体素子実装済部品の製造方法を提供する。
【００２８】
本発明の第４態様によれば、上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプの周囲に接触面積増加用溝を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体実装済部品の製造方法を提供する。
【００２９】
本発明の第５態様によれば、第１から４のいずれか１つの態様に記載の半導体素子実装済部品の製造方法により製造された半導体素子実装済部品を封止する半導体素子実装済完成品の製造方法を提供する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明のいくつかの実施形態について説明し、本発明の理解に供する。なお、以下の実施形態は本発明を具現化した一例であって、本発明の技術範囲を限定するものではない。
【００３４】
（第１実施形態及び第２実施形態）
図１（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態及び第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの概略構成を示す一部断面図である。
【００３５】
図１の（Ａ）に示すように第１実施形態にかかる半導体素子パッケージは、各素子電極５上にワイヤボンディング法によりバンプ４が形成された半導体素子３と、半導体素子３の周囲を覆う熱可塑性樹脂部７とで構成されている。各バンプ４の端面９は図１（Ａ）に示すように熱可塑性樹脂部７の表面に露出しており、外部と電気的接続が取れる構造になっている。図１の（Ａ）における６は半導体素子３のアクティブ面を保護するパッシベーション膜である。
【００３６】
図１の（Ａ）において半導体素子３の側部の端面は丸印で囲まれた▲１▼に示すように熱可塑性樹脂部７で覆われた構造になっているが、図１の（Ｂ）の丸印で囲まれた▲２▼に示すように半導体素子３の側部の端面が露出した構造でも良い。
【００３７】
その違いは、以下に後述する半導体素子パッケージの製造方法の違いに起因する。
【００３８】
（第１実施形態）
図２は本発明の第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。図３（Ａ）〜（Ｅ）は図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。図４（Ａ），（Ｂ）は、図３（Ｅ）に続く、図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。図５（Ａ）〜（Ｃ）は上記第１実施形態にかかる半導体素子電極上のバンプ形状の外観を説明するための一部断面図である。
【００３９】
図３（Ａ）において、１は半導体ウェーハであり、２はダイシングソーを示す。図２のステップＳ１において、半導体ウェーハ１はダイシングされ、個片の半導体素子３に分割される。
【００４０】
次に、ステップＳ２において、図３（Ｂ）に示すように、個片に分割された半導体素子３の各素子電極５上にＡｕやＣｕ、半田等で形成された金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ４を形成する。
【００４１】
次に、ステップＳ３において、図３（Ｃ）に示すように、バンプ４が形成された半導体素子３をポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成されたシート７ａ上に一個若しくは複数個マウントする。熱可塑性樹脂シート７ａの厚みは、基本的に半導体素子３の厚みとバンプ４の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子３の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ４の高さが０．０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂シート７ａは厚み０．２ｍｍのものを用いる。
【００４２】
次に、ステップＳ４において、図３（Ｄ）に示すように、熱プレス板８Ａに対向する熱プレス板８Ｂに熱可塑性樹脂シート７ａが載置して、半導体素子３がマウントされた熱可塑性樹脂シート７ａを熱プレス板８Ａ、８Ｂの間に挟み、熱プレス板８Ａを熱プレス板８Ｂに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート７ａを溶融させて半導体素子３の上面以外の面を覆うともに、半導体素子３の各バンプ４の側面も覆いかつその端面９のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート７ａは冷却されて熱可塑性樹脂部７を構成する。熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレートを熱可塑性樹脂シート７ａに用いた場合、圧力３０ｋｇ／ｃｍ2（約３０×１０5Ｐａ）、温度１２０℃、プレス時間１分である。尚、温度、圧力は熱可塑性樹脂シート７ａの材質により、異なる。図３（Ｅ）は熱プレス後の状態を示した断面図である。
【００４３】
次に、ステップＳ５において、熱可塑性樹脂部７を図４（Ａ）に示す所定の位置Ａでカットする。半導体素子３の側部の端面からカット位置Ａまでの距離は特に指定しない。
【００４４】
以上の工程を経て、ステップＳ７において、図４（Ｂ）に示すように、第１実施形態における半導体素子パッケージが完成する。これが、図１（Ａ）に示す半導体素子パッケージである。
【００４５】
また、半導体素子３の電極５上に形成するバンプ４は図５（Ａ）に示す形状のバンプ４（一般的に、引きちぎりバンプと呼ばれている。）でも図５（Ｂ）に示す形状のバンプ４Ａ（一般的に、２段突起バンプと呼ばれている。）でもよい。しかし、好適には、高さのばらつき寸法Ｂが小さい２段突起バンプ４Ａの方が、図５（Ｃ）に示すように、熱プレス後、熱可塑性樹脂部７の表面から露出するバンプ４の端面９の面積Ｃが安定する為、望ましい。
【００４６】
この第１実施形態では、図２のステップＳ７に示すように半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００４７】
（第２実施形態）
図６は本発明の第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。上記第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法では、図６のステップＳ１１において半導体ウェーハ１の状態でバンプ４を形成した後、ステップＳ１２においてダイシングして個片の半導体素子３に分割する点で第１実施形態とは異なる。その後、ステップＳ１３において、熱可塑性樹脂シート７ａの上にマウントし、ステップＳ１４において熱プレス後、ステップＳ１５において熱可塑性樹脂部７をカットする点においては、それぞれ、第１実施形態のステップＳ３、Ｓ４、Ｓ５と同様である。
【００４８】
この第２実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に図７は本発明の第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法の工程図である。図８（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための説明図である。図９（Ａ）〜（Ｃ）は、図８（Ｃ）に続く、図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【００５０】
図７のステップＳ２１において、図８（Ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の電極素子上にワイヤボンディング法により、バンプ４を形成する。６１は、ワイヤボンディング装置に備えられ、かつ、ＡｕやＣｕ、半田等で形成された金属ワイヤを保持するキャピラリーであり、６０はそのキャピラリー６１を保持し、圧力・超音波を印可する為のワイヤボンディング装置のホーンである。
【００５１】
次に、ステップＳ２２において、図８（Ｂ）に示すように、バンプ４が形成された半導体ウェーハ１に対向する形で、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成された熱可塑性樹脂シート７ｂを配置する。熱可塑性樹脂シート７ｂの厚みは、基本的にバンプ４の高さ以下にすることが望ましい。例えば、バンプ４の高さが０．０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂シート７ｂは厚み０．０３ｍｍのものを用いる。
【００５２】
次に、ステップＳ２３において、図８（Ｃ）に示すように、熱プレス板８Ｃに対向する熱プレス板８Ｄに半導体ウェーハ１が載置され、半導体ウェーハ１とそれに対向する形で配置された熱可塑性樹脂シート７ｂを熱プレス板８Ｃ、８Ｄの間に挟み、熱プレス板８Ｃを熱プレス板８Ｄに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート７ｂを溶融させて半導体ウェーハ１の上面を覆うともに、半導体ウェーハ１の各バンプ４の側面も覆いかつその端面９のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート７ｂは冷却されて熱可塑性樹脂部７を構成する。熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレートを熱可塑性樹脂シート７ｂに用いた場合、圧力３０ｋｇ／ｃｍ2（約３０×１０5Ｐａ）、温度１２０℃、プレス時間１分である。尚、温度、圧力は熱可塑性樹脂シート７ｂの材質により、異なる。図９（Ａ）は熱プレス後の状態を示した断面図である。
【００５３】
次に、ステップＳ２４において、図９（Ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂シート７ｂが熱プレスされて熱可塑性樹脂部７となった半導体ウェーハ１を、ダイシングソー２により、ダイシングし、個片の半導体素子パッケージ３に分割する。
【００５４】
図９（Ｃ）は分割後の半導体素子パッケージ３を示した断面図であり、図１（Ｂ）に示す半導体素子３の側部の端面が露出した▲２▼の構造となる。
【００５５】
以上の工程を経て、第３実施形態における半導体素子パッケージが完成する。
【００５６】
この第３実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図１２の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００５７】
（第４実施形態）
図１０（Ａ），（Ｂ）は本発明の第４実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。図１１は図１０の上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージは、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、図１（Ａ），（Ｂ）に示す第１実施形態若しくは及び第２実施形態の半導体素子パッケージにおいて、各バンプ４の端面９が露出した熱可塑性樹脂部７上に導電性ペースト１２により回路パターンが形成され、その上にマウントされた金属粒子１１が熱可塑性樹脂部７ｃで覆われ、且つ、金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂部７ｃの表面に露出した構造となっている。
【００５８】
まず、図１１のステップＳ３１において、第１実施形態若しくは第２実施形態により作製された図１（Ａ）若しくは図１（Ｂ）に示す半導体素子パッケージの各電極端面側すなわち各バンプ４の端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成する。導電性ペースト１２は熱硬化型、熱可塑性のどちらでも良い。
【００５９】
次に、ステップＳ３２において、上記ステップＳ３１で形成した回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、ステップＳ３３において回路パターンを形成する導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００６０】
上記金属粒子１１は電気的導通が図れるＡｕ、Ｃｕ、若しくはＮｉ等を用い、その形状は球状でも、それ以の形状でも良い。その大きさは、ステップＳ３４におけるカバーする側の熱可塑性樹脂シートの厚みで決まり、ステップＳ３５の熱プレス後に金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂シートから露出して、外部と電気的導通が取れる大きさとする。例えば、厚さ１００μｍの熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、直径０．５ｍｍ前後の金属粒子１１を用いる。
【００６１】
また、導電性ペースト１２の熱硬化条件は、標準的なもので１４０℃、１０分程である。
【００６２】
ステップＳ３４では、半導体素子パッケージの回路パターンが形成された面と対向する形で、熱可塑性樹脂シートを配置する。
【００６３】
次に、ステップＳ３５において熱プレスし、必要であれば熱可塑性樹脂シートをカットすることにより、図１０（Ａ）に示す半導体素子パッケージが完成する。ここでは、上記熱可塑性樹脂シートにより熱可塑性樹脂部７ｃが構成されている。
【００６４】
上記ステップＳ３５の後、ステップＳ３６に進むことなく停止することにより、上記図１０（Ａ）に示す半導体素子パッケージが完成する一方、更に、必要に応じて、ステップＳ３５の後、ステップＳ３６の回路パターン印刷工程（ステップＳ３１と同様な工程）、ステップＳ３７の金属粒子マウント工程（ステップＳ３２と同様な工程）、ステップＳ３８のペースト硬化工程（ステップＳ３３と同様な工程）、ステップＳ３９のシート上へのマウント工程（ステップＳ３４と同様な工程）、ステップＳ４０の熱プレス工程（ステップＳ３５と同様な工程）までの５工程を行うことにより、図１０（Ａ）の半導体パッケージの熱可塑性樹脂部７ｃから露出した金属粒子１１の端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成し、当該回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、導電性ペースト１２を熱硬化し、熱可塑性樹脂シートをマウントしたのち熱プレスして熱可塑性樹脂部７ｃの上にさらに別の熱可塑性樹脂部７ｄを形成する。これにより、図１０（Ｂ）に示す多層化された半導体パッケージを作製することが出来る。上記ステップＳ３６〜Ｓ４０までの５工程を必要回数繰り返すことにより、回路パターンと金属粒子１１を含む熱可塑性樹脂部を熱可塑性樹脂部７ｄ上にさらに必要数だけ形成することができる。
【００６５】
この第４実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１５の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。更に、安価に多層化された高密度の半導体パッケージの供給が可能となる。
【００６６】
（第５実施形態）
図１２は本発明の第５実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。図１３は上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【００６７】
上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法は、図１２に示すように、第３実施形態で示した半導体素子パッケージにおいて、各バンプ４の端面９が露出した熱可塑性樹脂部７上に導電性ペースト１２により回路パターンが形成され、その上にマウントされた金属粒子１１が熱可塑性樹脂部７ｃで覆われ、且つ、各金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂部７ｃの表面に露出した構造となっている。
【００６８】
図１３のステップＳ５１からステップＳ５３は、第３実施形態における図７のステップＳ２１〜ステップＳ２３、すなわち、半導体ウェーハ１にバンプ４を形成した後、熱可塑性樹脂シート７を対向させ、熱プレスする工程までと同様である。
【００６９】
その後、ステップＳ５４において、上記熱可塑性樹脂シート７が熱プレスされた半導体ウェーハ１の電極端面側すなわちバンプ端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成する。導電性ペースト１２は熱硬化型、熱可塑性のどちらでも良い。
【００７０】
次に、ステップＳ５５において、回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、ステップＳ５６において、回路パターンを形成する導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００７１】
上記金属粒子１１は電気的導通が図れるＡｕ、Ｃｕ、若しくはＮｉ等を用い、その形状は球状でも、それ以の形状でも良い。その大きさはカバーする側の先の熱可塑性樹脂シート７とは別の新たな熱可塑性樹脂シートの厚みで決まり、熱プレス後に金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂シートから露出して、外部と電気的導通が取れる大きさとする。例えば１００μｍの熱可塑性樹脂シートを用いた場合で、直径０．５ｍｍ前後の金属粒子１１を用いる。
【００７２】
また、導電性ペースト１２の熱硬化条件は、標準的なもので１４０℃、１０分程である。
【００７３】
次に、ステップＳ５７において、図８（Ｃ）に示したす熱プレス板８Ｃ，８Ｄと同様な熱プレス板を使用して、一方の熱プレス板に対向する他方の熱プレス板に半導体ウェーハ１が載置され、半導体ウェーハ１の回路パターンが形成された面と対向する形で、熱可塑性樹脂シートを配置して上記一対の熱プレス板の間に挟み、一方の熱プレス板を他方の熱プレス板に対して相対的に押圧させることにより、ステップＳ５８において熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シートを溶融させて半導体ウェーハ１の上面を覆うともに、半導体ウェーハ１の各金属粒子１１の側面も覆いかつその端面のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シートは冷却されて熱可塑性樹脂部７ｃを構成する。この結果、熱可塑性樹脂部７の上に回路パターンと金属粒子１１を含む熱可塑性樹脂部７ｃが形成されることになり、さらに、ステップＳ５４〜ステップＳ５８を繰り返すことにより、図１２に示すように、回路パターンと金属粒子を含む熱可塑性樹脂部７ｄを熱可塑性樹脂部７ｃ上に形成することができて、多層化が容易に行える。このように、ステップＳ５４〜ステップＳ５８を必要回数繰り返すことにより、回路パターンと金属粒子を含む熱可塑性樹脂部を先に形成されている熱可塑性樹脂部上に必要数だけ形成することができる。
【００７４】
最後に、ステップＳ５９において、熱可塑性樹脂シートが熱プレスされた半導体ウェーハ１をダイシングすることにより、図１２に示す半導体素子パッケージが完成する。
【００７５】
この第５実施形態においても半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。更に、安価に多層化された高密度の半導体パッケージの供給が可能となる。
【００７６】
（第６実施形態）
図１４は本発明の第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を説明するための一部断面図である。図１５は上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を示す工程図である。
【００７７】
上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法は、第１実施形態〜第５実施形態で示した半導体素子パッケージを用いた電子部品モジュールに関するものである。
【００７８】
図１４（Ａ）に示すように、図１５のステップＳ６１において、１３はポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成されたフィルム基板である。フィルム基板１３上には、熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト１２により回路パターンが形成されている。
【００７９】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、ステップＳ６２において、回路パターンの所定の位置に、半導体パッケージ１４、並びに、抵抗及びコンデンサ等の受動部品などの電子部品１５をマウントした後、導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００８０】
次に、図１４（Ｃ）に示すように、ステップＳ６３において、熱プレス板８Ｅに対向する熱プレス板８Ｆにフィルム基板１３が載置され、フィルム基板１３の回路基板が形成されている側に対向する形で、半導体パッケージ１４及び電子部品１５の上に、カバーシートとして熱可塑性樹脂シート１３Ａを配置して熱プレス板８Ｅ、８Ｆの間に挟む。熱可塑性樹脂シート１３Ａの厚みは、半導体素子パッケージ１４又は電子部品１５のうちのいずれか厚い方の厚み以上であることが望ましい。その後、ステップＳ６４において、熱プレス板８Ｅを熱プレス板８Ｆに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート１３Ａを溶融させて半導体パッケージ１４及び電子部品１５の上面及び側面を少なくとも覆うようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート１３Ａは冷却されて熱可塑性樹脂部１３Ｂを構成する。この結果、図１４（Ｄ）に示す電子部品モジュールが完成する。
【００８１】
この第６実施形態によると、電子部品モジュールの厚みは、半導体素子パッケージ１４及び電子部品１５の厚みと熱可塑性樹脂部を合わせた厚みとほぼ同等となる為、従来例の電子部品モジュールには無い薄型化が可能となる。また、熱可塑性樹脂部が半導体素子及び電子部品の信頼性を確保する為、従来のように封止剤を必要とせず、封止剤の硬化に要する時間が無く、大幅な生産性の向上が図れる。更に、材料コストも安いため、安価な電子部品モジュールの供給が可能となる。
【００８２】
（第７実施形態）
図１６は本発明の第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を説明するための一部断面図である。図１７は上記第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を示す工程図である。
【００８３】
上記第７実施形態は、非接触ＩＣカード用ＩＣチップを有する半導体素子と外部と送受信を行う為のアンテナコイルとより構成される非接触ＩＣカードに適用した例である。
【００８４】
図１６（Ａ）に示すように、図１７のステップＳ７１において、２３はポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成され、熱可塑性樹脂基材の一例としてのフィルム基板である。フィルム基板２３上には、熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト２２により、回路パターンが形成されているとともに、外部とデータの送受信を行う為のコイル２６が形成されている。
【００８５】
ステップＳ７２において、図１６（Ｂ）に示すように、回路パターンの所定の位置に、非接触ＩＣカード用ＩＣチップを有する半導体パッケージ１４をマウントした後、ステップＳ７３において導電性ペースト２２を熱硬化する。
【００８６】
次に、ステップＳ７４において、図１６（Ｃ）に示すように、熱プレス板８Ｇに対向する熱プレス板８Ｈにフィルム基板２３が載置され、かつ、フィルム基板２３の回路基板が形成されている側に対向する形で、半導体パッケージ１４の上に、カバーシートとして熱可塑性樹脂シート２３Ａを配置して熱プレス板８Ｇ、８Ｈの間に挟む。熱可塑性樹脂シート２３Ａの厚みは、半導体素子パッケージ１４の厚み以上であることが望ましく、また、要求されるカード厚みに応じて任意に選定が可能である。例えば、ＪＩＳ規格の０．７６ｍｍ厚みのカードであれば、フィルム基板２３の厚みを０．２ｍｍ、熱可塑性樹脂シート２３Ａの厚みを０．５ｍｍとする。その後、ステップＳ７５において、熱プレス板８Ｇを熱プレス板８Ｈに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート２３Ａを溶融させてフィルム基板２３の回路基板が形成されている側の半導体素子パッケージ１４やコイル２６を完全に覆う。溶融後の熱可塑性樹脂シート２３Ａは冷却されて熱可塑性樹脂部２３Ｂを構成する。次いで、ステップＳ７６において、打ち抜きなどによりカードサイズにカットすれば、図１６（Ｄ）に示す断面構造の非接触ＩＣカードが完成する。
【００８７】
この第７実施形態によると、非接触ＩＣカードの筐体が基板を兼ねている為、従来に無い薄型のＩＣカードが形成できる。従来は、半導体素子をガラスエポキシ基板やセラミック基板上へ載せ、カード筐体に挟み込む構造であった為、薄型化が困難であった。
【００８８】
また、導電性ペーストにより形成された回路パターンへペースト乾燥前に半導体素子パッケージを直接的に実装できる為、生産性が大幅に向上する。従来は、ペーストを乾燥させた後、異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子を介して半導体素子をマウントし、熱圧着する工程をとっていた為、工程が複雑で且つ生産性も悪かった。
【００８９】
更に、封止剤や異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子といった材料が必要でない為、大幅なコストダウンが図れる。以上の説明のとおり、第７実施形態によれば、非接触ＩＣカードの製造において、大幅な生産性の向上、コストダウン、薄型化が可能になる。
【００９０】
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように導電性ペーストにてなる回路パターンに設けられた接続パッドにＩＣチップを電気的に接続する場合にて使用される、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、該製造方法又は製造装置にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造方法又は製造装置、及び該半導体部品実装済完成品製造方法又は製造装置にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。
【００９１】
本発明の第８実施形態の内容について詳細に説明する前に、その背景についてまず説明する。
【００９２】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の半導体部品実装済完成品の製造方法について、図４１〜図４８を参照しながら以下に説明する。
【００９３】
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【００９４】
図４１〜図４８は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
【００９５】
図４１に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材５０１ａに導電性ペーストにてコイルパターン５０２が形成され、このコイルパターン５０２の外周端５０３ａに設けた接続パッド５０６、及びコイルパターン２の内周端５０３ｂに設けた接続パッド５０６のそれぞれがＩＣチップ５０４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
【００９６】
その製造工程は、図４２に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）３０１では、第１基材５０１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン５０２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材５０１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材５０１ａ及び後述の第２基材５０２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【００９７】
ステップ３０２では、上記印刷方法により第１基材５０１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。
【００９８】
ステップ３０３では、図４３に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端５０３ａや内周端５０３ｂに設けられた接続パッド５０６に異方導電性シート５０９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド５０６とを電気的に接続する。
【００９９】
ステップ３０４では、異方導電性シート５０９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド５０６に仮圧着する。
【０１００】
ステップ３０５では、仮圧着した異方導電性シート５０９に半導体素子５０４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図４４に示すように半導体素子５０４上の電極パッド５０７にバンプ５１０が形成されており、図４５に示すようにバンプ５１０と接続パッド５０６とが異方導電性シート５０９を介して電気的に接続される。尚、バンプ５１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子５０４の電極パッド５０７上に形成される。
【０１０１】
ステップ３０６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図４６に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子５０４を本圧着する。
【０１０２】
尚、第１基材５０１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ３０６までで半導体素子の実装は完了する。
【０１０３】
そして、ステップ３０７では、第１基材５０１ａに第２基材５０１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図４７に示すように、接続パッド５０６とバンプ５１０とが異方導電性ペースト５０９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図４７にて、５０５はコイルパターン５０２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０１０４】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
【０１０５】
上記第１基材５０１ａや第２基材５０１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ３０６において異方導電性シート５０９を介して半導体素子５０４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材５０１ａや第２基材５０１ｂが劣化し易いという問題がある。
【０１０６】
又、異方導電性シート５０９を用いて半導体素子５０４等の部品を第１基材５０１ａに固定する為、異方導電性シート５０９の第１基材５０１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。
【０１０７】
又、異方導電性シート５０９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０１０８】
又、上記ステップ３０７においてラミネート処理する際に、半導体素子５０４が加熱、加圧される為、図４８に示すように、半導体素子５０４が第１基材５０１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン５０６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
【０１０９】
本発明の第８実施形態は、このような問題点を解決する為になされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品の製造方法及び装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び装置、及び半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０１１０】
本発明の第８実施形態である、半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置、及び半導体部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置は、上記半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品を製造する製造方法及び装置であり、及び上記半導体部品実装済完成品は、上記半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有するものであり、又、上記半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符合を付している。
【０１１１】
上記「基材」の機能を果たす一例として本第８実施形態では第１熱可塑性樹脂基材４２２を例に取り、又「回路接続部」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、バンプ４１３を例にとる。さらに又、「接触面積増加部」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、突部４１８、凹凸部１１３１、露出面１１３２を例に採り、「接触面積増加装置」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、増加部形成部材４５０、４５５、４５７、加熱装置４５３、及び増加部形成部材用押圧装置４５４を例に採る。又、「半導体部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本第８実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【０１１２】
図２２は、本第８実施形態の半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置を用いて作製された半導体部品実装済部品を備えた、半導体部品実装済完成品の一例として非接触ＩＣカード４０１を示している。該非接触ＩＣカード４０１において、半導体素子４１４は予め第１熱可塑性樹脂基材４２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出したバンプ４１３の部材形成面４１５に突部４１８を形成する。そして、導電性ペーストにより形成した回路パターン４１６と突部４１８とは異方導電性ペースト等を介さずに直接導通を得る点で従来例とは異なる。４２４，４２５は、半導体素子４１４及び回路パターン４１６を有する半導体部品実装済部品４２１を保護する為にラミネート処理を行なう第２の熱可塑性樹脂シート基材及び第３の熱可塑性樹脂シート基材であり、封止装置４２６、４２７にて半導体部品実装済部品４２１の封止動作に相当する上記ラミネート処理に使用される。以下に、非接触ＩＣカード４０１の製造手順について図２３〜図２９及び図３６を参照し、説明する。
【０１１３】
図２３において、４１７は半導体部品に相当する半導体素子４１４の電極、４１２は半導体素子４１４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示す。
【０１１４】
図２３及び図３６に示すステップ（図３６では「Ｓ」にて示す）２０１において半導体素子４１４の電極４１７上にＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ４１３を形成する。
【０１１５】
次に、図２４及び図３６に示すステップ２０２において、バンプ４１３を形成した半導体素子４１４を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の第１熱可塑性樹脂基材４２２上に一個もしくは複数個マウントする。ここで、第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みは、本第８実施形態の場合、後述するように少なくともバンプ４１３の部材形成面４１５を第１熱可塑性樹脂基材４２２から露出させる必要から、基本的に半導体素子４１４の厚み以上、半導体素子４１４の厚みとバンプ４１３の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子４１４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ４１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みは０．２ｍｍが好ましい。
【０１１６】
次に、図２５及び図３６に示すステップ２０３において、バンプ４１３付の半導体素子４１４がマウントされた第１の熱可塑性樹脂基材４２２を熱プレス板４７１、４７２間に挟み、バンプ４１３付半導体素子４１４と第１熱可塑性樹脂基材４２２とを加熱しながら、半導体部品押圧装置４７３にて相対的に押圧し、半導体素子４１４を第１熱可塑性樹脂基材４２２内に挿入する。該熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０5Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分である。上記温度、圧力は、第１熱可塑性樹脂基材４２２の材質により異ならせる。
【０１１７】
ステップ２０４に対応する図２６は、上記プレス後における半導体素子４１４及び第１熱可塑性樹脂基材４２２の状態を示した断面図である。第１熱可塑性樹脂基材４２２への半導体素子４１４の上記挿入動作により、本第８実施形態では図２６に示すように、バンプ４１３の端面、つまり上記プレスによりバンプ４１３が熱プレス板４７１に接触した面である部材形成面４１５を第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出させた状態で、半導体素子４１４及びバンプ４１３は第１熱可塑性樹脂基材に埋設される。
【０１１８】
このとき、本第８実施形態では、薄型化を図るため、半導体素子４１４の上記アクティブ面に対向する裏面４１４ａと、上記パターン形成面に対向する第１熱可塑性樹脂基材４２２の裏面４２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みや、熱プレス板４７１、４７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材４２２の裏面４２２ａより半導体素子４１４の裏面４１４ａを突出させても良い。
【０１１９】
尚、上記部材形成面４１５が電気的接続面の機能を果たす一例である。又、本第８実施形態では、部材形成面４１５のみが第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３から露出しているが、例えばプレス板４７１の形状を工夫する等により、部材形成面４１５だけでなくバンプ４１３の一部又は全部をパターン形成面４２３より露出させても良い。このように構成したときには、上記電気的接続面は、パターン形成面４２３より露出した部分の外表面に相当する。尚、図３８にはバンプ４１３の部材形成面４１５及びその近傍部分をパターン形成面４２３より露出された場合を示している。
【０１２０】
次に、図２７及び図３６におけるステップ２０５において、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出したバンプ４１３の部材形成面４１５上を増加部形成部材４５０で押圧することで、部材形成面４１５にバンプ４１３から突部４１８をバンプ４１３と一体的に成形する。
【０１２１】
即ち、増加部形成部材４５０は、例えば、内部に中空部４５１を有する円筒構造となったものを用いる。該増加部形成部材４５０に接続される加熱装置４５３にて増加部形成部材４５０を例えば２００℃に加熱し、増加部形成部材用押圧装置４５４にて、１バンプ当たり荷重１００ｇで、増加部形成部材４５０の先端４５２を上記部材形成面４１５に押圧することで、部材形成面４１５が変形し、バンプ４１３の一部が中空部４５０ａに入り込む。よって、押圧後において、部材形成面４１５には、該部材形成面４１５より突出した凸形状の突部４１８がバンプ４１３と一体的に成形される。
【０１２２】
このような突部４１８を形成することで、後述する導電性ペーストによる回路パターンとの接触面積が、単に部材形成面４１５上に回路パターンを形成する場合と比較して増大する為に、接合信頼性がより増す。又、増加部形成部材４５０にて突部４１８を形成することから、例えばバンプ４１３上にさらにバンプを形成するような場合に比べてコスト低減を図ることができる。
【０１２３】
又、上記増加部形成部材４５０は、上述の形状のものに限定されるものではなく、例えば図３９に示す棒状の増加部形成部材４５５のように、その先端４５６に、好ましくは端部を尖らした、好ましくは複数の凹凸部１５６１を形成したものを使用することもできる。このような増加部形成部材４５５の凹凸部１５６１をバンプ４１３の上記部材形成面４１５上に押圧することで、部材形成面４１５に凹凸部１１３１を形成することができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【０１２４】
さらに増加部形成部材４５０の変形例として、図４０に示すような増加部形成部材４５７を用いることもできる。該増加部形成部材４５７は、バンプ４１３が収納される程度の中空部１５７１と、該増加部形成部材４５７の先端部が第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に押圧されたときバンプ４１３の周囲に、後述の導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増加させるための接触面積増加用溝１５７２を形成する先端部１５７３とを有する。このような増加部形成部材４５７を第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に押圧することで、バンプ４１３の周囲には上記接触面積増加用溝１５７２が形成され、該接触面積増加用溝１５７２によって第１熱可塑性樹脂基材４２２から露出した露出面１１３２がバンプ４１３に形成される。よって、パターン形成面４２３から露出するバンプ４１３の表面積を増大させることができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【０１２５】
即ち、バンプ４１３に対して、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増加させるための接触面積増加部を形成する増加部形成部材を使用することができる。ここで上記接触面積増加部としては、上記突部４１８や、上記凹凸部１５６１にて部材形成面４１５に形成される凹凸部１１３１や、上記接触面積増加用溝１５７２により露出した上記露出面１１３２等が相当する。又、上記バンプに上記凹凸部１１３１を形成する場合、ステップ２０３にて熱プレス板４７１に半導体素子４１４を埋設するときを利用して、凹凸を設けた熱プレス板にてバンプに凹凸を形成するように構成することもできる。
【０１２６】
次に、図２８及び図３６におけるステップ２０６において、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて、突部４１８に接触するように、好ましくは図示するように突部４１８を埋設するようにして半導体素子４１４と電気的に接続される回路パターン４１６を、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３上に形成する。又、上述したバンプ４１３における上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２の場合においても、上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２と接触するように、好ましくはこれらを埋設するようにして半導体素子４１４と電気的に接続される回路パターン４１６が、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３上に形成される。
【０１２７】
該導電性ペーストによる回路パターン４１６の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン４１６を形成する。尚、形成される回路パターン４１６は、本第８実施形態では、半導体素子４１４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状である。勿論、上記回路パターン４１６は、上記アンテナコイル形状に限定されるものではなく、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
【０１２８】
このようにして、回路パターン４１６への半導体素子４１４の実装を行なう。又、該実装された図２８に示す状態の構成部分を、半導体部品実装済部品４２１とする。
【０１２９】
次に、図２９及び図３６におけるステップ２０７において、上記半導体部品実装済部品４２１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてサンドイッチして、封止装置４２６、４２７にてラミネート処理し、半導体部品４２１の封止を行なう。該ラミネート処理の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０5Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分、圧力保持時間１分である。
【０１３０】
以上の工程を経て、図２２に示すような、半導体素子４１４が実装されたモジュールとしての半導体部品実装済部品や、本第８実施形態の場合のように上記半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード４０１が完成する。
【０１３１】
このように本第８実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材４２２に半導体素子４１４を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、従来例における図４８に示すようなカード化後における半導体素子５０４の基材５０１ａへの沈み込みは発生しない。
【０１３２】
よって、回路パターン４１６が断線することは無く、高品質の半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を製造することが可能になる。
【０１３３】
さらに、異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無い為、異方導電性シート等の処理に要する工程は無く、高生産性且つ安価な半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を提供することが可能になる。
【０１３４】
又、ステップ２０６にてパターン形成面４２３上に回路パターン４１６を形成した後、図３０に示すように、当該回路パターンの所定の位置にコンデンサ、抵抗等の受動部品である電子部品４２９をマウントした、半導体部品実装済部品４２８を形成することも出来る。そして、図３１に示すように、該半導体部品実装済部品４２８をその厚み方向から第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてサンドイッチしてラミネート処理して、図３１に示す非接触ＩＣカード４０２を製造することも出来る。
【０１３５】
又、上述した図２２〜図３１では、半導体素子４１４と回路パターン４１６との接続箇所のみを示しているが、図２８に示す半導体部品実装済部品４２１の全体を示す平面図を図３２に、図３２に示すＩ−Ｉ部の断面図を図３３に示し、さらに半導体部品実装済部品４２１の全体を第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてラミネート処理してなる非接触ＩＣカード４０１における上記Ｉ−Ｉ部分の断面図を図３４に示す。
【０１３６】
又、図３５に示すように回路パターン４１６の外周端４３０と半導体素子４１４の電極４１７の対応部分４３１とをジャンパー接続する為に、回路パターン４１６に絶縁膜４３２を設けた後、外周端４３０と上記電極対応部分４３１とを導電性ペーストの印刷や導電性箔４３３等にて電気的に接続する。これにより、図示するようなジャンパーが完成する。尚、絶縁膜４３２の形成は、ポリエステル系の絶縁箔の接着や絶縁塗料の印刷により行なう。
【０１３７】
又、回路パターン４１６の外周端４３０と半導体素子４１４の電極４１７の対応部分４３１とのジャンパー接続は、上述の方法に限定されるものではなく、例えば図３７に示すように、第１熱可塑性樹脂基材４２２に予め設けておいたスルーホール４８０を介して、導電性ペーストの印刷により回路パターン４１６の形成面とは反対側に回路パターン４３３を形成することによっても行うことができる。回路パターン４３３の形成は、半導体素子４１４を第１熱可塑性樹脂基材４２２に埋め込む前に実施しても良いし、回路パターン４１６形成後に実施しても良い。スルーホール４８０への導電性ペーストの充填は、回路パターン４１６の印刷時、もしくは、回路パターン４３３の印刷時に同時に行うことができる。
【０１３８】
又、本第８実施形態では、回路パターン４１６の形成面と反対側に形成するパターン４３３はコイルジャンパーであるが、該構成に限定されるものではない。第１熱可塑性樹脂基材４２２を両面基板として、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成することができる。
【０１３９】
以上の説明において、半導体部品実装済完成品の機能を果たす一例としての非接触ＩＣカードを製造する際に、半導体部品実装済部品４２１や半導体部品実装済部品４２８を、２つの熱可塑性樹脂基材４２４、４２５にてサンドイッチする構成をとっているが、該構成に限定されるものではない。例えば、第１熱可塑性樹脂基材４２２をプレート上に載置して、これを封止するようなときには、第３熱可塑性樹脂基材４２５のみを使用すればよく、製造する半導体部品実装済部品の種類や、機能に応じて、２つの熱可塑性樹脂基材４２４、４２５の使用を適宜工夫すれば良い。
【０１４０】
又、上述の第８実施形態では、上述のように第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚み調整、及び熱プレス動作の制御を行なうことで、上記ステップ２０３にて、第１熱可塑性樹脂基材４２２へのバンプ４１３付半導体素子４１４の挿入動作と、バンプ４１３の部材形成面４１５のパターン形成面４２３への露出動作とを同じ工程にて処理しているが、これに限定されるものではない。即ち、上記電気的接続面、例えば部材形成面４１５をパターン形成面４２３に露出させず、上記ステップ２０６にて、押圧増加部形成部材４５０にて、突部４１８として露出させ、回路パターン４１６との電気的接続を図るように構成してもよい。
【０１４１】
以上詳述したように本発明における、半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置、及び第３態様の半導体部品実装済完成品によれば、半導体部品押圧装置にて半導体部品を基材に挿入後、挿入された半導体部品の回路接続部に対して接触面積増加装置にて接触面積増加部を形成し、該接触面積増加部を有する上記回路接続部に対して回路パターンを形成することで実装を完成させる。よって、実装時には異方導電性シートや異方導電性粒子を用いない為、従来に比べて大幅な生産性の向上とコストダウンが可能になる。又、上記基材に挿入された半導体部品に対して回路パターンを形成することから、従来発生したような半導体部品の基材への沈み込みを防ぐことが出来、その結果、回路パターンの断線が無く、高品質の半導体部品実装済部品、及び半導体部品実装済完成品を安定して生産することができる。
【０１４２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【０１４３】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、突部などの接触面積増加部を形成することで、例えば導電性ペーストによる回路パターンとの接触面積が、単に部材形成面上に回路パターンを形成する場合と比較して増大する為に、接合信頼性がより増す。
又、増加部形成部材にて接触面積増加部を形成する場合には、例えばバンプ上にさらにバンプを形成するような場合に比べてコスト低減を図ることができる。よって、従来に無い薄型の半導体素子パッケージを安価に高生産性で提供することが可能となる。
【０１４４】
また、その半導体素子パッケージを用いることにより、電子部品モジュール及び非接触ＩＣカードを安価に高生産性で提供することが可能となる。
【０１４５】
すなわち、本発明の一つの参考態様によれば、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えるようにしている。従って、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤及び封止剤が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【０１４６】
また、本発明の一つの参考態様にかかる電子部品モジュール製造方法によれば、第１熱可塑性樹脂シート上に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記第１熱可塑性樹脂シートの上記回路パターンの所定位置に、上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージ及び電子部品を搭載する工程と、
上記半導体素子パッケージ及び上記電子部品が搭載された上記第１熱可塑性樹脂シートに第２熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記第２熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体パッケージ及び上記電子部品を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを備えるようにしている。従って、電子部品モジュールの厚みは、半導体素子パッケージ及び電子部品の厚みと熱可塑性樹脂部を合わせた厚みとほぼ同等となる為、従来例の電子部品モジュールには無い薄型化が可能となる。また、熱可塑性樹脂部が半導体素子及び電子部品の信頼性を確保する為、従来のように封止剤を必要とせず、封止剤の硬化に要する時間が無く、大幅な生産性の向上が図れる。更に、材料コストも安いため、安価な電子部品モジュールの供給が可能となる。
【０１４７】
また、本発明の一つの参考態様にかかる非接触ＩＣカードの製造方法によれば、ＩＣチップと外部と送受信を行う為のアンテナコイルとを有する非接触ＩＣカードであって、
熱可塑性樹脂基材に導電性ペーストにて、上記ＩＣチップのＩＣ電極部と電気的に接続可能な回路パターン、若しくは、上記アンテナコイルを構成するコイルパターンを含む上記ＩＣ電極部と電気的に接続する回路パターンを印刷する工程と、
上記ＩＣチップを有しかつ上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの上記ＩＣチップの上記ＩＣ電極部が上記回路パターンと接続するように、上記回路パターンの上に上記半導体素子パッケージを配置する工程と、
上記導電性ペーストを硬化させる工程と、
上記導電性ペースト硬化後の上記熱可塑性樹脂基材の上記半導体素子パッケージ搭載面側に熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージを覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットし、カード化する工程とを備える用にしている。従って、非接触ＩＣカードの筐体が基板を兼ねている為、従来に無い薄型のＩＣカードが形成できる。従来は、半導体素子をガラスエポキシ基板やセラミック基板上へ載せ、カード筐体に挟み込む構造であった為、薄型化が困難であった。また、導電性ペーストにより形成された回路パターンへペースト乾燥前に半導体素子パッケージを直接的に実装できる為、生産性が大幅に向上する。従来は、ペーストを乾燥させた後、異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子を介して半導体素子をマウントし、熱圧着する工程をとっていた為、工程が複雑で且つ生産性も悪かった。更に、封止剤や異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子といった材料が必要でない為、大幅なコストダウンが図れる。以上の説明のとおり、第７実施形態によれば、非接触ＩＣカードの製造において、大幅な生産性の向上、コストダウン、薄型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態及び第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法により製造される半導体素子パッケージの一部断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図３】 （Ａ）〜（Ｅ）は図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図４】 （Ａ），（Ｂ）は、図３（Ｅ）に続く、図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図５】 （Ａ）〜（Ｃ）は上記第１実施形態にかかる半導体素子電極上のバンプ形状の外観を説明するための一部断面図である。
【図６】 本発明の第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図７】 本発明の第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図８】 （Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図９】 （Ａ）〜（Ｃ）は、図８（Ｃ）に続く、図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１０】 （Ａ），（Ｂ）は本発明の第４実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１１】 図１０の上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図１２】 本発明の第５実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１３】 上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図１４】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１５】 上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を示す工程図である。
【図１６】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１７】 上記第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を示す工程図である。
【図１８】 従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１９】 従来の半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図２０】 （Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図２１】 従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図２２】 本発明の第８実施形態における半導体部品実装済完成品の断面図である。
【図２３】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０１における状態を示す図である。
【図２４】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０２における状態を示す図である。
【図２５】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０３における状態を示す図である。
【図２６】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０４における状態を示す図である。
【図２７】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０５における状態を示す図である。
【図２８】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０６における状態を示す図である。
【図２９】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０７における状態を示す図である。
【図３０】 図２２に示す半導体部品実装済完成品に備わる半導体部品実装済部品について、電子部品を回路パターン上に装着した状態を示す図である。
【図３１】 図３０に示す半導体部品実装済部品をラミネート処理した状態を示す断面図である。
【図３２】 図２２に示す半導体部品実装済完成品が非接触ＩＣカードの場合であって、該非接触ＩＣカードに備わる半導体部品実装済部品の平面図である。
【図３３】 図３２に示すＩ−Ｉ部における断面図である。
【図３４】 図３２における非接触ＩＣカードの上記Ｉ−Ｉ部における断面図である。
【図３５】 図３２における非接触ＩＣカードにて、ジャンパーを設けた状態を示す平面図である。
【図３６】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図３７】 ジャンパーを設けた図３２における非接触ＩＣカードの変形例の断面図である。
【図３８】 図２８に示す半導体部品実装済部品の変形例における断面図である。
【図３９】 図２７に示す増加部形成部材の変形例を示す図である。
【図４０】 図２７に示す増加部形成部材の別の変形例を示す図である。
【図４１】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図４２】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図４３】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４４】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４５】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４６】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４７】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す断面図である。
【図４８】 従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ、２…ダイシングソー、３…半導体素子、４…バンプ、４Ａ…２段突起バンプ、５…素子電極、６…パッシベーション膜、７…熱硬化性樹脂部、７ａ…熱硬化性樹脂シート、７ｂ…熱可塑性樹脂シート、７ｃ…熱可塑性樹脂部、７ｄ…熱可塑性樹脂部、８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ，８Ｆ…熱プレス板、９…バンプの端面、１１…金属粒子、１２…導電性ペースト、１３…フィルム基板、１３Ａ…熱可塑性樹脂シート、１３Ｂ…熱可塑性樹脂部、１４…半導体パッケージ、１５…電子部品、２２…熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト、２３…フィルム基板、２３Ａ…熱可塑性樹脂シート、２６…コイル、６０…ホーン、６１…キャピラリー、４０１，４０２…非接触ＩＣカード、４１３…バンプ、４１４…半導体素子、４１５…部材形成面、４１６…回路パターン、４１７…電極、４１８…回路接続用部材、４２１…半導体部品実装済部品、４２２…第１熱可塑性樹脂基材、４２３…パターン形成面、４２４…第２熱可塑性樹脂基材、４２５…第３熱可塑性樹脂基材、４２８…半導体部品実装済部品、４２９…電子部品、４５０…増加部形成部材。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を高密度・薄型、高生産性、高信頼性で実装することを可能にする半導体素子パッケージや電子部品モジュールなどの半導体素子実装済部品の製造方法、上記半導体素子実装済部品の製造方法を利用した半導体素子実装済完成品の製造方法、上記半導体素子実装済完成品の製造方法により製造された半導体素子実装済完成品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の上記半導体素子パッケージについて、図１８〜図２１を参照しながら説明する。
【０００３】
図２０及び図２１は、製造方法を工程ごとに図示したものである。図１９に工程図を示す。
【０００４】
まず、図１９のステップＳ１０１において、ウェハーのダイシングが行われたのち、ステップＳ１０２において、図２０（Ａ）に示すように、半導体素子１０３の各素子電極１０５上にワイヤボンディング法によりバンプ１０４を形成する。１０６は半導体素子１０３のアクティブ面を保護するパッシベーション膜である。
【０００５】
次に、ステップＳ１０３において、図２０（Ｂ）に示すように、バンプ１０４上に導電性接着剤１１６を転写法により形成する。導電性接着剤１１６は主として、Ａｇ、Ｃｕ等の粒子をフィラーとしたエポキシ系の接着剤が用いられる。
【０００６】
次に、ステップＳ１０４において、図２０（Ｃ）に示すように、セラミック、ガラスエポキシ等で形成された回路基板１１５の各電極１１７と半導体素子１０３の各バンプ１０４が電気的に接続するように搭載し、ステップＳ１０５において導電性接着剤１１６を熱硬化する。導電性接着剤１１６の標準的な硬化条件は、１４０℃、２０分である。
【０００７】
次に、ステップＳ１０６において、図２０（Ｄ）に示すように、半導体素子１０３と回路基板１１５の隙間にディスペンサー１２２により信頼性を確保する為の封止剤１２１を充填し、ステップＳ１０７において熱硬化させる。熱硬化の平均的な条件は、１４０℃で４時間である。
【０００８】
次に、ステップＳ１０８において、図２１に示すように、回路基板１１５の半導体素子１０３の搭載面と反対側に形成された電極１１８上にクリーム半田１２０を印刷した後、ステップＳ１０９においてＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属粒子１１９をマウントし、ステップＳ１１０においてリフロー炉に通して、図１８に示す半導体素子パッケージを得る。
【０００９】
以上、ステップＳ１０１からステップＳ１１０までの工程を経て、図１８の半導体素子パッケージが完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体素子パッケージの製造方法及び構造では、工程数が多く、また導電性接着剤１１６及び封止剤１２１の硬化に時間を要する為、生産性が悪いという問題があった。また、回路基板１１５は厚み約０．５ｍｍあり、半導体素子１０３の厚みと合わせると半導体素子パッケージ厚みが約１ｍｍとなり、パッケージの薄型性に難があり、例えば、非接触ＩＣカードのように厚み０．７６ｍｍ以下に規制されている商品には適用できないという問題があった。
【００１１】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、高品質、高生産性で薄型の半導体素子パッケージや電子部品モジュールなどの半導体素子実装済部品の製造方法、上記半導体素子実装済部品の製造方法を利用した半導体素子実装済完成品の製造方法、上記半導体素子実装済完成品の製造方法により製造された半導体素子実装済完成品を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００１３】
本発明の第１参考態様によれば、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１４】
本発明の第２参考態様によれば、半導体ウェーハをダイシングして得られた個片の半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１５】
本発明の第３参考態様によれば、半導体ウェーハの半導体素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
上記バンプが形成された上記半導体ウェーハをダイシングし、個片の半導体素子に分割する工程と、
熱可塑性樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１６】
本発明の第４参考態様によれば、半導体ウェーハの半導体素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
上記半導体ウェーハに熱可塑性樹脂シートを位置合わせする工程と、
上記半導体ウェーハと上記熱可塑性樹脂シートを熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１７】
本発明の第５参考態様によれば、第１参考態様又は第２参考態様又は第３参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージのバンプの露出した端面側の熱可塑性樹脂部に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを熱可塑性樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１８】
本発明の第６参考態様によれば、第５参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを熱可塑性樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを所定回数行い、パッケージを多層化することを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００１９】
本発明の第７参考態様によれば、第４参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを熱可塑性樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程とを備える半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００２０】
本発明の第８参考態様によれば、第４参考態様に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記熱可塑性樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを熱可塑性樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを所定回数繰り返して多層化した後、上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程を備える半導体素子パッケージ製造方法を提供する。
【００２１】
本発明の第９参考態様によれば、第１熱可塑性樹脂シート上に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記第１熱可塑性樹脂シートの上記回路パターンの所定位置に第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージ及び電子部品を搭載する工程と、
上記半導体素子パッケージ及び上記電子部品が搭載された上記第１熱可塑性樹脂シートに第２熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記第２熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体パッケージ及び上記電子部品を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを備えることを特徴とする電子部品モジュール製造方法を提供する。
【００２２】
本発明の第１０参考態様によれば、ＩＣチップと外部と送受信を行う為のアンテナコイルとを有する非接触ＩＣカードであって、
熱可塑性樹脂基材に導電性ペーストにて、上記ＩＣチップのＩＣ電極部と電気的に接続可能な回路パターン、若しくは、上記アンテナコイルを構成するコイルパターンを含む上記ＩＣ電極部と電気的に接続する回路パターンを印刷する工程と、
上記ＩＣチップを有しかつ第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの上記ＩＣチップの上記ＩＣ電極部が上記回路パターンと接続するように、上記回路パターンの上に上記半導体素子パッケージを配置する工程と、
上記導電性ペーストを硬化させる工程と、
上記導電性ペースト硬化後の上記熱可塑性樹脂基材の上記半導体素子パッケージ搭載面側に熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージを覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットし、カード化する工程とを備えることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法を提供する。
【００２３】
本発明の第１１参考態様によれば、第１参考態様から第８参考態様のいずれかに記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造される半導体素子パッケージを提供する。
【００２４】
本発明の第１態様によれば、熱可塑性樹脂のシートで構成された基材のパターン形成面上に形成される回路パターンと半導体素子のバンプを電気的に接続させた半導体素子実装済部品の製造方法において、
上記バンプが上記基材の上記パターン形成面から露出するように、上記基材内に上記半導体素子を挿入し、
上記露出したバンプ又は上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を増加部形成部材にて押圧することにより、上記露出したバンプの表面積を増大させ、
上記表面積が増大された露出したバンプに接触するように、上記パターン形成面上に導電性ペーストにて回路パターンを形成して、上記回路パターンと上記バンプとを電気的に接続する、半導体素子実装済部品の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明の第２態様によれば、上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記露出したバンプの一部を変形させて突部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体実装済部品の製造方法を提供する。
【００２７】
本発明の第３態様によれば、上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプに凹凸部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体素子実装済部品の製造方法を提供する。
【００２８】
本発明の第４態様によれば、上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプの周囲に接触面積増加用溝を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、第１の態様に記載の半導体実装済部品の製造方法を提供する。
【００２９】
本発明の第５態様によれば、第１から４のいずれか１つの態様に記載の半導体素子実装済部品の製造方法により製造された半導体素子実装済部品を封止する半導体素子実装済完成品の製造方法を提供する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明のいくつかの実施形態について説明し、本発明の理解に供する。なお、以下の実施形態は本発明を具現化した一例であって、本発明の技術範囲を限定するものではない。
【００３４】
（第１実施形態及び第２実施形態）
図１（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態及び第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの概略構成を示す一部断面図である。
【００３５】
図１の（Ａ）に示すように第１実施形態にかかる半導体素子パッケージは、各素子電極５上にワイヤボンディング法によりバンプ４が形成された半導体素子３と、半導体素子３の周囲を覆う熱可塑性樹脂部７とで構成されている。各バンプ４の端面９は図１（Ａ）に示すように熱可塑性樹脂部７の表面に露出しており、外部と電気的接続が取れる構造になっている。図１の（Ａ）における６は半導体素子３のアクティブ面を保護するパッシベーション膜である。
【００３６】
図１の（Ａ）において半導体素子３の側部の端面は丸印で囲まれた▲１▼に示すように熱可塑性樹脂部７で覆われた構造になっているが、図１の（Ｂ）の丸印で囲まれた▲２▼に示すように半導体素子３の側部の端面が露出した構造でも良い。
【００３７】
その違いは、以下に後述する半導体素子パッケージの製造方法の違いに起因する。
【００３８】
（第１実施形態）
図２は本発明の第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。図３（Ａ）〜（Ｅ）は図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。図４（Ａ），（Ｂ）は、図３（Ｅ）に続く、図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。図５（Ａ）〜（Ｃ）は上記第１実施形態にかかる半導体素子電極上のバンプ形状の外観を説明するための一部断面図である。
【００３９】
図３（Ａ）において、１は半導体ウェーハであり、２はダイシングソーを示す。図２のステップＳ１において、半導体ウェーハ１はダイシングされ、個片の半導体素子３に分割される。
【００４０】
次に、ステップＳ２において、図３（Ｂ）に示すように、個片に分割された半導体素子３の各素子電極５上にＡｕやＣｕ、半田等で形成された金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ４を形成する。
【００４１】
次に、ステップＳ３において、図３（Ｃ）に示すように、バンプ４が形成された半導体素子３をポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成されたシート７ａ上に一個若しくは複数個マウントする。熱可塑性樹脂シート７ａの厚みは、基本的に半導体素子３の厚みとバンプ４の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子３の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ４の高さが０．０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂シート７ａは厚み０．２ｍｍのものを用いる。
【００４２】
次に、ステップＳ４において、図３（Ｄ）に示すように、熱プレス板８Ａに対向する熱プレス板８Ｂに熱可塑性樹脂シート７ａが載置して、半導体素子３がマウントされた熱可塑性樹脂シート７ａを熱プレス板８Ａ、８Ｂの間に挟み、熱プレス板８Ａを熱プレス板８Ｂに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート７ａを溶融させて半導体素子３の上面以外の面を覆うともに、半導体素子３の各バンプ４の側面も覆いかつその端面９のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート７ａは冷却されて熱可塑性樹脂部７を構成する。熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレートを熱可塑性樹脂シート７ａに用いた場合、圧力３０ｋｇ／ｃｍ2（約３０×１０5Ｐａ）、温度１２０℃、プレス時間１分である。尚、温度、圧力は熱可塑性樹脂シート７ａの材質により、異なる。図３（Ｅ）は熱プレス後の状態を示した断面図である。
【００４３】
次に、ステップＳ５において、熱可塑性樹脂部７を図４（Ａ）に示す所定の位置Ａでカットする。半導体素子３の側部の端面からカット位置Ａまでの距離は特に指定しない。
【００４４】
以上の工程を経て、ステップＳ７において、図４（Ｂ）に示すように、第１実施形態における半導体素子パッケージが完成する。これが、図１（Ａ）に示す半導体素子パッケージである。
【００４５】
また、半導体素子３の電極５上に形成するバンプ４は図５（Ａ）に示す形状のバンプ４（一般的に、引きちぎりバンプと呼ばれている。）でも図５（Ｂ）に示す形状のバンプ４Ａ（一般的に、２段突起バンプと呼ばれている。）でもよい。しかし、好適には、高さのばらつき寸法Ｂが小さい２段突起バンプ４Ａの方が、図５（Ｃ）に示すように、熱プレス後、熱可塑性樹脂部７の表面から露出するバンプ４の端面９の面積Ｃが安定する為、望ましい。
【００４６】
この第１実施形態では、図２のステップＳ７に示すように半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００４７】
（第２実施形態）
図６は本発明の第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。上記第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法では、図６のステップＳ１１において半導体ウェーハ１の状態でバンプ４を形成した後、ステップＳ１２においてダイシングして個片の半導体素子３に分割する点で第１実施形態とは異なる。その後、ステップＳ１３において、熱可塑性樹脂シート７ａの上にマウントし、ステップＳ１４において熱プレス後、ステップＳ１５において熱可塑性樹脂部７をカットする点においては、それぞれ、第１実施形態のステップＳ３、Ｓ４、Ｓ５と同様である。
【００４８】
この第２実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に図７は本発明の第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法の工程図である。図８（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための説明図である。図９（Ａ）〜（Ｃ）は、図８（Ｃ）に続く、図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【００５０】
図７のステップＳ２１において、図８（Ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の電極素子上にワイヤボンディング法により、バンプ４を形成する。６１は、ワイヤボンディング装置に備えられ、かつ、ＡｕやＣｕ、半田等で形成された金属ワイヤを保持するキャピラリーであり、６０はそのキャピラリー６１を保持し、圧力・超音波を印可する為のワイヤボンディング装置のホーンである。
【００５１】
次に、ステップＳ２２において、図８（Ｂ）に示すように、バンプ４が形成された半導体ウェーハ１に対向する形で、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成された熱可塑性樹脂シート７ｂを配置する。熱可塑性樹脂シート７ｂの厚みは、基本的にバンプ４の高さ以下にすることが望ましい。例えば、バンプ４の高さが０．０４ｍｍの場合、熱可塑性樹脂シート７ｂは厚み０．０３ｍｍのものを用いる。
【００５２】
次に、ステップＳ２３において、図８（Ｃ）に示すように、熱プレス板８Ｃに対向する熱プレス板８Ｄに半導体ウェーハ１が載置され、半導体ウェーハ１とそれに対向する形で配置された熱可塑性樹脂シート７ｂを熱プレス板８Ｃ、８Ｄの間に挟み、熱プレス板８Ｃを熱プレス板８Ｄに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート７ｂを溶融させて半導体ウェーハ１の上面を覆うともに、半導体ウェーハ１の各バンプ４の側面も覆いかつその端面９のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート７ｂは冷却されて熱可塑性樹脂部７を構成する。熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレートを熱可塑性樹脂シート７ｂに用いた場合、圧力３０ｋｇ／ｃｍ2（約３０×１０5Ｐａ）、温度１２０℃、プレス時間１分である。尚、温度、圧力は熱可塑性樹脂シート７ｂの材質により、異なる。図９（Ａ）は熱プレス後の状態を示した断面図である。
【００５３】
次に、ステップＳ２４において、図９（Ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂シート７ｂが熱プレスされて熱可塑性樹脂部７となった半導体ウェーハ１を、ダイシングソー２により、ダイシングし、個片の半導体素子パッケージ３に分割する。
【００５４】
図９（Ｃ）は分割後の半導体素子パッケージ３を示した断面図であり、図１（Ｂ）に示す半導体素子３の側部の端面が露出した▲２▼の構造となる。
【００５５】
以上の工程を経て、第３実施形態における半導体素子パッケージが完成する。
【００５６】
この第３実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部７を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図１２の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【００５７】
（第４実施形態）
図１０（Ａ），（Ｂ）は本発明の第４実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。図１１は図１０の上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージは、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、図１（Ａ），（Ｂ）に示す第１実施形態若しくは及び第２実施形態の半導体素子パッケージにおいて、各バンプ４の端面９が露出した熱可塑性樹脂部７上に導電性ペースト１２により回路パターンが形成され、その上にマウントされた金属粒子１１が熱可塑性樹脂部７ｃで覆われ、且つ、金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂部７ｃの表面に露出した構造となっている。
【００５８】
まず、図１１のステップＳ３１において、第１実施形態若しくは第２実施形態により作製された図１（Ａ）若しくは図１（Ｂ）に示す半導体素子パッケージの各電極端面側すなわち各バンプ４の端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成する。導電性ペースト１２は熱硬化型、熱可塑性のどちらでも良い。
【００５９】
次に、ステップＳ３２において、上記ステップＳ３１で形成した回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、ステップＳ３３において回路パターンを形成する導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００６０】
上記金属粒子１１は電気的導通が図れるＡｕ、Ｃｕ、若しくはＮｉ等を用い、その形状は球状でも、それ以の形状でも良い。その大きさは、ステップＳ３４におけるカバーする側の熱可塑性樹脂シートの厚みで決まり、ステップＳ３５の熱プレス後に金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂シートから露出して、外部と電気的導通が取れる大きさとする。例えば、厚さ１００μｍの熱可塑性樹脂フィルムを用いた場合には、直径０．５ｍｍ前後の金属粒子１１を用いる。
【００６１】
また、導電性ペースト１２の熱硬化条件は、標準的なもので１４０℃、１０分程である。
【００６２】
ステップＳ３４では、半導体素子パッケージの回路パターンが形成された面と対向する形で、熱可塑性樹脂シートを配置する。
【００６３】
次に、ステップＳ３５において熱プレスし、必要であれば熱可塑性樹脂シートをカットすることにより、図１０（Ａ）に示す半導体素子パッケージが完成する。ここでは、上記熱可塑性樹脂シートにより熱可塑性樹脂部７ｃが構成されている。
【００６４】
上記ステップＳ３５の後、ステップＳ３６に進むことなく停止することにより、上記図１０（Ａ）に示す半導体素子パッケージが完成する一方、更に、必要に応じて、ステップＳ３５の後、ステップＳ３６の回路パターン印刷工程（ステップＳ３１と同様な工程）、ステップＳ３７の金属粒子マウント工程（ステップＳ３２と同様な工程）、ステップＳ３８のペースト硬化工程（ステップＳ３３と同様な工程）、ステップＳ３９のシート上へのマウント工程（ステップＳ３４と同様な工程）、ステップＳ４０の熱プレス工程（ステップＳ３５と同様な工程）までの５工程を行うことにより、図１０（Ａ）の半導体パッケージの熱可塑性樹脂部７ｃから露出した金属粒子１１の端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成し、当該回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、導電性ペースト１２を熱硬化し、熱可塑性樹脂シートをマウントしたのち熱プレスして熱可塑性樹脂部７ｃの上にさらに別の熱可塑性樹脂部７ｄを形成する。これにより、図１０（Ｂ）に示す多層化された半導体パッケージを作製することが出来る。上記ステップＳ３６〜Ｓ４０までの５工程を必要回数繰り返すことにより、回路パターンと金属粒子１１を含む熱可塑性樹脂部を熱可塑性樹脂部７ｄ上にさらに必要数だけ形成することができる。
【００６５】
この第４実施形態においても、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子３と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１５の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。更に、安価に多層化された高密度の半導体パッケージの供給が可能となる。
【００６６】
（第５実施形態）
図１２は本発明の第５実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。図１３は上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【００６７】
上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法は、図１２に示すように、第３実施形態で示した半導体素子パッケージにおいて、各バンプ４の端面９が露出した熱可塑性樹脂部７上に導電性ペースト１２により回路パターンが形成され、その上にマウントされた金属粒子１１が熱可塑性樹脂部７ｃで覆われ、且つ、各金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂部７ｃの表面に露出した構造となっている。
【００６８】
図１３のステップＳ５１からステップＳ５３は、第３実施形態における図７のステップＳ２１〜ステップＳ２３、すなわち、半導体ウェーハ１にバンプ４を形成した後、熱可塑性樹脂シート７を対向させ、熱プレスする工程までと同様である。
【００６９】
その後、ステップＳ５４において、上記熱可塑性樹脂シート７が熱プレスされた半導体ウェーハ１の電極端面側すなわちバンプ端面側に導電性ペースト１２により、回路パターンを形成する。導電性ペースト１２は熱硬化型、熱可塑性のどちらでも良い。
【００７０】
次に、ステップＳ５５において、回路パターンの所定の位置の位置に金属粒子１１をマウントし、ステップＳ５６において、回路パターンを形成する導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００７１】
上記金属粒子１１は電気的導通が図れるＡｕ、Ｃｕ、若しくはＮｉ等を用い、その形状は球状でも、それ以の形状でも良い。その大きさはカバーする側の先の熱可塑性樹脂シート７とは別の新たな熱可塑性樹脂シートの厚みで決まり、熱プレス後に金属粒子１１の端面が熱可塑性樹脂シートから露出して、外部と電気的導通が取れる大きさとする。例えば１００μｍの熱可塑性樹脂シートを用いた場合で、直径０．５ｍｍ前後の金属粒子１１を用いる。
【００７２】
また、導電性ペースト１２の熱硬化条件は、標準的なもので１４０℃、１０分程である。
【００７３】
次に、ステップＳ５７において、図８（Ｃ）に示したす熱プレス板８Ｃ，８Ｄと同様な熱プレス板を使用して、一方の熱プレス板に対向する他方の熱プレス板に半導体ウェーハ１が載置され、半導体ウェーハ１の回路パターンが形成された面と対向する形で、熱可塑性樹脂シートを配置して上記一対の熱プレス板の間に挟み、一方の熱プレス板を他方の熱プレス板に対して相対的に押圧させることにより、ステップＳ５８において熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シートを溶融させて半導体ウェーハ１の上面を覆うともに、半導体ウェーハ１の各金属粒子１１の側面も覆いかつその端面のみが露出するようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シートは冷却されて熱可塑性樹脂部７ｃを構成する。この結果、熱可塑性樹脂部７の上に回路パターンと金属粒子１１を含む熱可塑性樹脂部７ｃが形成されることになり、さらに、ステップＳ５４〜ステップＳ５８を繰り返すことにより、図１２に示すように、回路パターンと金属粒子を含む熱可塑性樹脂部７ｄを熱可塑性樹脂部７ｃ上に形成することができて、多層化が容易に行える。このように、ステップＳ５４〜ステップＳ５８を必要回数繰り返すことにより、回路パターンと金属粒子を含む熱可塑性樹脂部を先に形成されている熱可塑性樹脂部上に必要数だけ形成することができる。
【００７４】
最後に、ステップＳ５９において、熱可塑性樹脂シートが熱プレスされた半導体ウェーハ１をダイシングすることにより、図１２に示す半導体素子パッケージが完成する。
【００７５】
この第５実施形態においても半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤１６及び封止剤２１が無い為、また、導電性接着剤及び封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。更に、安価に多層化された高密度の半導体パッケージの供給が可能となる。
【００７６】
（第６実施形態）
図１４は本発明の第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を説明するための一部断面図である。図１５は上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を示す工程図である。
【００７７】
上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法は、第１実施形態〜第５実施形態で示した半導体素子パッケージを用いた電子部品モジュールに関するものである。
【００７８】
図１４（Ａ）に示すように、図１５のステップＳ６１において、１３はポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成されたフィルム基板である。フィルム基板１３上には、熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト１２により回路パターンが形成されている。
【００７９】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、ステップＳ６２において、回路パターンの所定の位置に、半導体パッケージ１４、並びに、抵抗及びコンデンサ等の受動部品などの電子部品１５をマウントした後、導電性ペースト１２を熱硬化する。
【００８０】
次に、図１４（Ｃ）に示すように、ステップＳ６３において、熱プレス板８Ｅに対向する熱プレス板８Ｆにフィルム基板１３が載置され、フィルム基板１３の回路基板が形成されている側に対向する形で、半導体パッケージ１４及び電子部品１５の上に、カバーシートとして熱可塑性樹脂シート１３Ａを配置して熱プレス板８Ｅ、８Ｆの間に挟む。熱可塑性樹脂シート１３Ａの厚みは、半導体素子パッケージ１４又は電子部品１５のうちのいずれか厚い方の厚み以上であることが望ましい。その後、ステップＳ６４において、熱プレス板８Ｅを熱プレス板８Ｆに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート１３Ａを溶融させて半導体パッケージ１４及び電子部品１５の上面及び側面を少なくとも覆うようにする。溶融後の熱可塑性樹脂シート１３Ａは冷却されて熱可塑性樹脂部１３Ｂを構成する。この結果、図１４（Ｄ）に示す電子部品モジュールが完成する。
【００８１】
この第６実施形態によると、電子部品モジュールの厚みは、半導体素子パッケージ１４及び電子部品１５の厚みと熱可塑性樹脂部を合わせた厚みとほぼ同等となる為、従来例の電子部品モジュールには無い薄型化が可能となる。また、熱可塑性樹脂部が半導体素子及び電子部品の信頼性を確保する為、従来のように封止剤を必要とせず、封止剤の硬化に要する時間が無く、大幅な生産性の向上が図れる。更に、材料コストも安いため、安価な電子部品モジュールの供給が可能となる。
【００８２】
（第７実施形態）
図１６は本発明の第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を説明するための一部断面図である。図１７は上記第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を示す工程図である。
【００８３】
上記第７実施形態は、非接触ＩＣカード用ＩＣチップを有する半導体素子と外部と送受信を行う為のアンテナコイルとより構成される非接触ＩＣカードに適用した例である。
【００８４】
図１６（Ａ）に示すように、図１７のステップＳ７１において、２３はポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、若しくはアクリロニトリルブタジエンスチレン等の熱可塑性樹脂で形成され、熱可塑性樹脂基材の一例としてのフィルム基板である。フィルム基板２３上には、熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト２２により、回路パターンが形成されているとともに、外部とデータの送受信を行う為のコイル２６が形成されている。
【００８５】
ステップＳ７２において、図１６（Ｂ）に示すように、回路パターンの所定の位置に、非接触ＩＣカード用ＩＣチップを有する半導体パッケージ１４をマウントした後、ステップＳ７３において導電性ペースト２２を熱硬化する。
【００８６】
次に、ステップＳ７４において、図１６（Ｃ）に示すように、熱プレス板８Ｇに対向する熱プレス板８Ｈにフィルム基板２３が載置され、かつ、フィルム基板２３の回路基板が形成されている側に対向する形で、半導体パッケージ１４の上に、カバーシートとして熱可塑性樹脂シート２３Ａを配置して熱プレス板８Ｇ、８Ｈの間に挟む。熱可塑性樹脂シート２３Ａの厚みは、半導体素子パッケージ１４の厚み以上であることが望ましく、また、要求されるカード厚みに応じて任意に選定が可能である。例えば、ＪＩＳ規格の０．７６ｍｍ厚みのカードであれば、フィルム基板２３の厚みを０．２ｍｍ、熱可塑性樹脂シート２３Ａの厚みを０．５ｍｍとする。その後、ステップＳ７５において、熱プレス板８Ｇを熱プレス板８Ｈに対して相対的に押圧させることにより、熱プレスを実施して熱可塑性樹脂シート２３Ａを溶融させてフィルム基板２３の回路基板が形成されている側の半導体素子パッケージ１４やコイル２６を完全に覆う。溶融後の熱可塑性樹脂シート２３Ａは冷却されて熱可塑性樹脂部２３Ｂを構成する。次いで、ステップＳ７６において、打ち抜きなどによりカードサイズにカットすれば、図１６（Ｄ）に示す断面構造の非接触ＩＣカードが完成する。
【００８７】
この第７実施形態によると、非接触ＩＣカードの筐体が基板を兼ねている為、従来に無い薄型のＩＣカードが形成できる。従来は、半導体素子をガラスエポキシ基板やセラミック基板上へ載せ、カード筐体に挟み込む構造であった為、薄型化が困難であった。
【００８８】
また、導電性ペーストにより形成された回路パターンへペースト乾燥前に半導体素子パッケージを直接的に実装できる為、生産性が大幅に向上する。従来は、ペーストを乾燥させた後、異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子を介して半導体素子をマウントし、熱圧着する工程をとっていた為、工程が複雑で且つ生産性も悪かった。
【００８９】
更に、封止剤や異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子といった材料が必要でない為、大幅なコストダウンが図れる。以上の説明のとおり、第７実施形態によれば、非接触ＩＣカードの製造において、大幅な生産性の向上、コストダウン、薄型化が可能になる。
【００９０】
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように導電性ペーストにてなる回路パターンに設けられた接続パッドにＩＣチップを電気的に接続する場合にて使用される、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、該製造方法又は製造装置にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造方法又は製造装置、及び該半導体部品実装済完成品製造方法又は製造装置にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。
【００９１】
本発明の第８実施形態の内容について詳細に説明する前に、その背景についてまず説明する。
【００９２】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の半導体部品実装済完成品の製造方法について、図４１〜図４８を参照しながら以下に説明する。
【００９３】
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【００９４】
図４１〜図４８は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
【００９５】
図４１に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材５０１ａに導電性ペーストにてコイルパターン５０２が形成され、このコイルパターン５０２の外周端５０３ａに設けた接続パッド５０６、及びコイルパターン２の内周端５０３ｂに設けた接続パッド５０６のそれぞれがＩＣチップ５０４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
【００９６】
その製造工程は、図４２に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）３０１では、第１基材５０１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン５０２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材５０１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材５０１ａ及び後述の第２基材５０２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【００９７】
ステップ３０２では、上記印刷方法により第１基材５０１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。
【００９８】
ステップ３０３では、図４３に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端５０３ａや内周端５０３ｂに設けられた接続パッド５０６に異方導電性シート５０９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド５０６とを電気的に接続する。
【００９９】
ステップ３０４では、異方導電性シート５０９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド５０６に仮圧着する。
【０１００】
ステップ３０５では、仮圧着した異方導電性シート５０９に半導体素子５０４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図４４に示すように半導体素子５０４上の電極パッド５０７にバンプ５１０が形成されており、図４５に示すようにバンプ５１０と接続パッド５０６とが異方導電性シート５０９を介して電気的に接続される。尚、バンプ５１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子５０４の電極パッド５０７上に形成される。
【０１０１】
ステップ３０６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図４６に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子５０４を本圧着する。
【０１０２】
尚、第１基材５０１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ３０６までで半導体素子の実装は完了する。
【０１０３】
そして、ステップ３０７では、第１基材５０１ａに第２基材５０１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図４７に示すように、接続パッド５０６とバンプ５１０とが異方導電性ペースト５０９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図４７にて、５０５はコイルパターン５０２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０１０４】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
【０１０５】
上記第１基材５０１ａや第２基材５０１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ３０６において異方導電性シート５０９を介して半導体素子５０４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材５０１ａや第２基材５０１ｂが劣化し易いという問題がある。
【０１０６】
又、異方導電性シート５０９を用いて半導体素子５０４等の部品を第１基材５０１ａに固定する為、異方導電性シート５０９の第１基材５０１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。
【０１０７】
又、異方導電性シート５０９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０１０８】
又、上記ステップ３０７においてラミネート処理する際に、半導体素子５０４が加熱、加圧される為、図４８に示すように、半導体素子５０４が第１基材５０１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン５０６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
【０１０９】
本発明の第８実施形態は、このような問題点を解決する為になされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品の製造方法及び装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び装置、及び半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０１１０】
本発明の第８実施形態である、半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置、及び半導体部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置は、上記半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品を製造する製造方法及び装置であり、及び上記半導体部品実装済完成品は、上記半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有するものであり、又、上記半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符合を付している。
【０１１１】
上記「基材」の機能を果たす一例として本第８実施形態では第１熱可塑性樹脂基材４２２を例に取り、又「回路接続部」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、バンプ４１３を例にとる。さらに又、「接触面積増加部」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、突部４１８、凹凸部１１３１、露出面１１３２を例に採り、「接触面積増加装置」の機能を果たす一例として本第８実施形態では、増加部形成部材４５０、４５５、４５７、加熱装置４５３、及び増加部形成部材用押圧装置４５４を例に採る。又、「半導体部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本第８実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【０１１２】
図２２は、本第８実施形態の半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置を用いて作製された半導体部品実装済部品を備えた、半導体部品実装済完成品の一例として非接触ＩＣカード４０１を示している。該非接触ＩＣカード４０１において、半導体素子４１４は予め第１熱可塑性樹脂基材４２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出したバンプ４１３の部材形成面４１５に突部４１８を形成する。そして、導電性ペーストにより形成した回路パターン４１６と突部４１８とは異方導電性ペースト等を介さずに直接導通を得る点で従来例とは異なる。４２４，４２５は、半導体素子４１４及び回路パターン４１６を有する半導体部品実装済部品４２１を保護する為にラミネート処理を行なう第２の熱可塑性樹脂シート基材及び第３の熱可塑性樹脂シート基材であり、封止装置４２６、４２７にて半導体部品実装済部品４２１の封止動作に相当する上記ラミネート処理に使用される。以下に、非接触ＩＣカード４０１の製造手順について図２３〜図２９及び図３６を参照し、説明する。
【０１１３】
図２３において、４１７は半導体部品に相当する半導体素子４１４の電極、４１２は半導体素子４１４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示す。
【０１１４】
図２３及び図３６に示すステップ（図３６では「Ｓ」にて示す）２０１において半導体素子４１４の電極４１７上にＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ４１３を形成する。
【０１１５】
次に、図２４及び図３６に示すステップ２０２において、バンプ４１３を形成した半導体素子４１４を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の第１熱可塑性樹脂基材４２２上に一個もしくは複数個マウントする。ここで、第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みは、本第８実施形態の場合、後述するように少なくともバンプ４１３の部材形成面４１５を第１熱可塑性樹脂基材４２２から露出させる必要から、基本的に半導体素子４１４の厚み以上、半導体素子４１４の厚みとバンプ４１３の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子４１４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ４１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みは０．２ｍｍが好ましい。
【０１１６】
次に、図２５及び図３６に示すステップ２０３において、バンプ４１３付の半導体素子４１４がマウントされた第１の熱可塑性樹脂基材４２２を熱プレス板４７１、４７２間に挟み、バンプ４１３付半導体素子４１４と第１熱可塑性樹脂基材４２２とを加熱しながら、半導体部品押圧装置４７３にて相対的に押圧し、半導体素子４１４を第１熱可塑性樹脂基材４２２内に挿入する。該熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０5Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分である。上記温度、圧力は、第１熱可塑性樹脂基材４２２の材質により異ならせる。
【０１１７】
ステップ２０４に対応する図２６は、上記プレス後における半導体素子４１４及び第１熱可塑性樹脂基材４２２の状態を示した断面図である。第１熱可塑性樹脂基材４２２への半導体素子４１４の上記挿入動作により、本第８実施形態では図２６に示すように、バンプ４１３の端面、つまり上記プレスによりバンプ４１３が熱プレス板４７１に接触した面である部材形成面４１５を第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出させた状態で、半導体素子４１４及びバンプ４１３は第１熱可塑性樹脂基材に埋設される。
【０１１８】
このとき、本第８実施形態では、薄型化を図るため、半導体素子４１４の上記アクティブ面に対向する裏面４１４ａと、上記パターン形成面に対向する第１熱可塑性樹脂基材４２２の裏面４２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚みや、熱プレス板４７１、４７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材４２２の裏面４２２ａより半導体素子４１４の裏面４１４ａを突出させても良い。
【０１１９】
尚、上記部材形成面４１５が電気的接続面の機能を果たす一例である。又、本第８実施形態では、部材形成面４１５のみが第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３から露出しているが、例えばプレス板４７１の形状を工夫する等により、部材形成面４１５だけでなくバンプ４１３の一部又は全部をパターン形成面４２３より露出させても良い。このように構成したときには、上記電気的接続面は、パターン形成面４２３より露出した部分の外表面に相当する。尚、図３８にはバンプ４１３の部材形成面４１５及びその近傍部分をパターン形成面４２３より露出された場合を示している。
【０１２０】
次に、図２７及び図３６におけるステップ２０５において、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に露出したバンプ４１３の部材形成面４１５上を増加部形成部材４５０で押圧することで、部材形成面４１５にバンプ４１３から突部４１８をバンプ４１３と一体的に成形する。
【０１２１】
即ち、増加部形成部材４５０は、例えば、内部に中空部４５１を有する円筒構造となったものを用いる。該増加部形成部材４５０に接続される加熱装置４５３にて増加部形成部材４５０を例えば２００℃に加熱し、増加部形成部材用押圧装置４５４にて、１バンプ当たり荷重１００ｇで、増加部形成部材４５０の先端４５２を上記部材形成面４１５に押圧することで、部材形成面４１５が変形し、バンプ４１３の一部が中空部４５０ａに入り込む。よって、押圧後において、部材形成面４１５には、該部材形成面４１５より突出した凸形状の突部４１８がバンプ４１３と一体的に成形される。
【０１２２】
このような突部４１８を形成することで、後述する導電性ペーストによる回路パターンとの接触面積が、単に部材形成面４１５上に回路パターンを形成する場合と比較して増大する為に、接合信頼性がより増す。又、増加部形成部材４５０にて突部４１８を形成することから、例えばバンプ４１３上にさらにバンプを形成するような場合に比べてコスト低減を図ることができる。
【０１２３】
又、上記増加部形成部材４５０は、上述の形状のものに限定されるものではなく、例えば図３９に示す棒状の増加部形成部材４５５のように、その先端４５６に、好ましくは端部を尖らした、好ましくは複数の凹凸部１５６１を形成したものを使用することもできる。このような増加部形成部材４５５の凹凸部１５６１をバンプ４１３の上記部材形成面４１５上に押圧することで、部材形成面４１５に凹凸部１１３１を形成することができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【０１２４】
さらに増加部形成部材４５０の変形例として、図４０に示すような増加部形成部材４５７を用いることもできる。該増加部形成部材４５７は、バンプ４１３が収納される程度の中空部１５７１と、該増加部形成部材４５７の先端部が第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に押圧されたときバンプ４１３の周囲に、後述の導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増加させるための接触面積増加用溝１５７２を形成する先端部１５７３とを有する。このような増加部形成部材４５７を第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３に押圧することで、バンプ４１３の周囲には上記接触面積増加用溝１５７２が形成され、該接触面積増加用溝１５７２によって第１熱可塑性樹脂基材４２２から露出した露出面１１３２がバンプ４１３に形成される。よって、パターン形成面４２３から露出するバンプ４１３の表面積を増大させることができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【０１２５】
即ち、バンプ４１３に対して、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ４１３との接触面積を増加させるための接触面積増加部を形成する増加部形成部材を使用することができる。ここで上記接触面積増加部としては、上記突部４１８や、上記凹凸部１５６１にて部材形成面４１５に形成される凹凸部１１３１や、上記接触面積増加用溝１５７２により露出した上記露出面１１３２等が相当する。又、上記バンプに上記凹凸部１１３１を形成する場合、ステップ２０３にて熱プレス板４７１に半導体素子４１４を埋設するときを利用して、凹凸を設けた熱プレス板にてバンプに凹凸を形成するように構成することもできる。
【０１２６】
次に、図２８及び図３６におけるステップ２０６において、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて、突部４１８に接触するように、好ましくは図示するように突部４１８を埋設するようにして半導体素子４１４と電気的に接続される回路パターン４１６を、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３上に形成する。又、上述したバンプ４１３における上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２の場合においても、上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２と接触するように、好ましくはこれらを埋設するようにして半導体素子４１４と電気的に接続される回路パターン４１６が、第１熱可塑性樹脂基材４２２のパターン形成面４２３上に形成される。
【０１２７】
該導電性ペーストによる回路パターン４１６の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン４１６を形成する。尚、形成される回路パターン４１６は、本第８実施形態では、半導体素子４１４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状である。勿論、上記回路パターン４１６は、上記アンテナコイル形状に限定されるものではなく、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
【０１２８】
このようにして、回路パターン４１６への半導体素子４１４の実装を行なう。又、該実装された図２８に示す状態の構成部分を、半導体部品実装済部品４２１とする。
【０１２９】
次に、図２９及び図３６におけるステップ２０７において、上記半導体部品実装済部品４２１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてサンドイッチして、封止装置４２６、４２７にてラミネート処理し、半導体部品４２１の封止を行なう。該ラミネート処理の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０5Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分、圧力保持時間１分である。
【０１３０】
以上の工程を経て、図２２に示すような、半導体素子４１４が実装されたモジュールとしての半導体部品実装済部品や、本第８実施形態の場合のように上記半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード４０１が完成する。
【０１３１】
このように本第８実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材４２２に半導体素子４１４を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、従来例における図４８に示すようなカード化後における半導体素子５０４の基材５０１ａへの沈み込みは発生しない。
【０１３２】
よって、回路パターン４１６が断線することは無く、高品質の半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を製造することが可能になる。
【０１３３】
さらに、異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無い為、異方導電性シート等の処理に要する工程は無く、高生産性且つ安価な半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を提供することが可能になる。
【０１３４】
又、ステップ２０６にてパターン形成面４２３上に回路パターン４１６を形成した後、図３０に示すように、当該回路パターンの所定の位置にコンデンサ、抵抗等の受動部品である電子部品４２９をマウントした、半導体部品実装済部品４２８を形成することも出来る。そして、図３１に示すように、該半導体部品実装済部品４２８をその厚み方向から第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてサンドイッチしてラミネート処理して、図３１に示す非接触ＩＣカード４０２を製造することも出来る。
【０１３５】
又、上述した図２２〜図３１では、半導体素子４１４と回路パターン４１６との接続箇所のみを示しているが、図２８に示す半導体部品実装済部品４２１の全体を示す平面図を図３２に、図３２に示すＩ−Ｉ部の断面図を図３３に示し、さらに半導体部品実装済部品４２１の全体を第２熱可塑性樹脂基材４２４及び第３熱可塑性樹脂基材４２５にてラミネート処理してなる非接触ＩＣカード４０１における上記Ｉ−Ｉ部分の断面図を図３４に示す。
【０１３６】
又、図３５に示すように回路パターン４１６の外周端４３０と半導体素子４１４の電極４１７の対応部分４３１とをジャンパー接続する為に、回路パターン４１６に絶縁膜４３２を設けた後、外周端４３０と上記電極対応部分４３１とを導電性ペーストの印刷や導電性箔４３３等にて電気的に接続する。これにより、図示するようなジャンパーが完成する。尚、絶縁膜４３２の形成は、ポリエステル系の絶縁箔の接着や絶縁塗料の印刷により行なう。
【０１３７】
又、回路パターン４１６の外周端４３０と半導体素子４１４の電極４１７の対応部分４３１とのジャンパー接続は、上述の方法に限定されるものではなく、例えば図３７に示すように、第１熱可塑性樹脂基材４２２に予め設けておいたスルーホール４８０を介して、導電性ペーストの印刷により回路パターン４１６の形成面とは反対側に回路パターン４３３を形成することによっても行うことができる。回路パターン４３３の形成は、半導体素子４１４を第１熱可塑性樹脂基材４２２に埋め込む前に実施しても良いし、回路パターン４１６形成後に実施しても良い。スルーホール４８０への導電性ペーストの充填は、回路パターン４１６の印刷時、もしくは、回路パターン４３３の印刷時に同時に行うことができる。
【０１３８】
又、本第８実施形態では、回路パターン４１６の形成面と反対側に形成するパターン４３３はコイルジャンパーであるが、該構成に限定されるものではない。第１熱可塑性樹脂基材４２２を両面基板として、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成することができる。
【０１３９】
以上の説明において、半導体部品実装済完成品の機能を果たす一例としての非接触ＩＣカードを製造する際に、半導体部品実装済部品４２１や半導体部品実装済部品４２８を、２つの熱可塑性樹脂基材４２４、４２５にてサンドイッチする構成をとっているが、該構成に限定されるものではない。例えば、第１熱可塑性樹脂基材４２２をプレート上に載置して、これを封止するようなときには、第３熱可塑性樹脂基材４２５のみを使用すればよく、製造する半導体部品実装済部品の種類や、機能に応じて、２つの熱可塑性樹脂基材４２４、４２５の使用を適宜工夫すれば良い。
【０１４０】
又、上述の第８実施形態では、上述のように第１熱可塑性樹脂基材４２２の厚み調整、及び熱プレス動作の制御を行なうことで、上記ステップ２０３にて、第１熱可塑性樹脂基材４２２へのバンプ４１３付半導体素子４１４の挿入動作と、バンプ４１３の部材形成面４１５のパターン形成面４２３への露出動作とを同じ工程にて処理しているが、これに限定されるものではない。即ち、上記電気的接続面、例えば部材形成面４１５をパターン形成面４２３に露出させず、上記ステップ２０６にて、押圧増加部形成部材４５０にて、突部４１８として露出させ、回路パターン４１６との電気的接続を図るように構成してもよい。
【０１４１】
以上詳述したように本発明における、半導体部品実装済部品の製造方法及び製造装置、半導体部品実装済完成品の製造方法及び製造装置、及び第３態様の半導体部品実装済完成品によれば、半導体部品押圧装置にて半導体部品を基材に挿入後、挿入された半導体部品の回路接続部に対して接触面積増加装置にて接触面積増加部を形成し、該接触面積増加部を有する上記回路接続部に対して回路パターンを形成することで実装を完成させる。よって、実装時には異方導電性シートや異方導電性粒子を用いない為、従来に比べて大幅な生産性の向上とコストダウンが可能になる。又、上記基材に挿入された半導体部品に対して回路パターンを形成することから、従来発生したような半導体部品の基材への沈み込みを防ぐことが出来、その結果、回路パターンの断線が無く、高品質の半導体部品実装済部品、及び半導体部品実装済完成品を安定して生産することができる。
【０１４２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【０１４３】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、突部などの接触面積増加部を形成することで、例えば導電性ペーストによる回路パターンとの接触面積が、単に部材形成面上に回路パターンを形成する場合と比較して増大する為に、接合信頼性がより増す。
又、増加部形成部材にて接触面積増加部を形成する場合には、例えばバンプ上にさらにバンプを形成するような場合に比べてコスト低減を図ることができる。よって、従来に無い薄型の半導体素子パッケージを安価に高生産性で提供することが可能となる。
【０１４４】
また、その半導体素子パッケージを用いることにより、電子部品モジュール及び非接触ＩＣカードを安価に高生産性で提供することが可能となる。
【０１４５】
すなわち、本発明の一つの参考態様によれば、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法を用いてバンプを形成する工程と、
熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を位置合わせする工程と、
上記熱可塑性樹脂シートと上記半導体素子を熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットする工程とを備えるようにしている。従って、半導体素子パッケージの厚みは、半導体素子と熱可塑性樹脂部を合わせた厚みしかない為、従来例に示す図２１の半導体素子パッケージとは異なり、大幅な薄型化が可能となる。また、図２１に示す導電性接着剤及び封止剤が無い為、また、導電性接着剤や封止剤の硬化に要する時間が無い為、大幅な生産性の向上が図れる。
【０１４６】
また、本発明の一つの参考態様にかかる電子部品モジュール製造方法によれば、第１熱可塑性樹脂シート上に導電性ペーストを用いて回路パターンを印刷する工程と、
上記第１熱可塑性樹脂シートの上記回路パターンの所定位置に、上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージ及び電子部品を搭載する工程と、
上記半導体素子パッケージ及び上記電子部品が搭載された上記第１熱可塑性樹脂シートに第２熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記第２熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体パッケージ及び上記電子部品を覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程とを備えるようにしている。従って、電子部品モジュールの厚みは、半導体素子パッケージ及び電子部品の厚みと熱可塑性樹脂部を合わせた厚みとほぼ同等となる為、従来例の電子部品モジュールには無い薄型化が可能となる。また、熱可塑性樹脂部が半導体素子及び電子部品の信頼性を確保する為、従来のように封止剤を必要とせず、封止剤の硬化に要する時間が無く、大幅な生産性の向上が図れる。更に、材料コストも安いため、安価な電子部品モジュールの供給が可能となる。
【０１４７】
また、本発明の一つの参考態様にかかる非接触ＩＣカードの製造方法によれば、ＩＣチップと外部と送受信を行う為のアンテナコイルとを有する非接触ＩＣカードであって、
熱可塑性樹脂基材に導電性ペーストにて、上記ＩＣチップのＩＣ電極部と電気的に接続可能な回路パターン、若しくは、上記アンテナコイルを構成するコイルパターンを含む上記ＩＣ電極部と電気的に接続する回路パターンを印刷する工程と、
上記ＩＣチップを有しかつ上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの上記ＩＣチップの上記ＩＣ電極部が上記回路パターンと接続するように、上記回路パターンの上に上記半導体素子パッケージを配置する工程と、
上記導電性ペーストを硬化させる工程と、
上記導電性ペースト硬化後の上記熱可塑性樹脂基材の上記半導体素子パッケージ搭載面側に熱可塑性樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記熱可塑性樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージを覆う熱可塑性樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記熱可塑性樹脂部をカットし、カード化する工程とを備える用にしている。従って、非接触ＩＣカードの筐体が基板を兼ねている為、従来に無い薄型のＩＣカードが形成できる。従来は、半導体素子をガラスエポキシ基板やセラミック基板上へ載せ、カード筐体に挟み込む構造であった為、薄型化が困難であった。また、導電性ペーストにより形成された回路パターンへペースト乾燥前に半導体素子パッケージを直接的に実装できる為、生産性が大幅に向上する。従来は、ペーストを乾燥させた後、異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子を介して半導体素子をマウントし、熱圧着する工程をとっていた為、工程が複雑で且つ生産性も悪かった。更に、封止剤や異方性導電性樹脂シートまたは異方性導電性粒子といった材料が必要でない為、大幅なコストダウンが図れる。以上の説明のとおり、第７実施形態によれば、非接触ＩＣカードの製造において、大幅な生産性の向上、コストダウン、薄型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ），（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態及び第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法により製造される半導体素子パッケージの一部断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図３】 （Ａ）〜（Ｅ）は図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図４】 （Ａ），（Ｂ）は、図３（Ｅ）に続く、図２の上記第１実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図５】 （Ａ）〜（Ｃ）は上記第１実施形態にかかる半導体素子電極上のバンプ形状の外観を説明するための一部断面図である。
【図６】 本発明の第２実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図７】 本発明の第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図８】 （Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための説明図である。
【図９】 （Ａ）〜（Ｃ）は、図８（Ｃ）に続く、図７の上記第３実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１０】 （Ａ），（Ｂ）は本発明の第４実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１１】 図１０の上記第４実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図１２】 本発明の第５実施形態にかかる半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１３】 上記第５実施形態にかかる半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図１４】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１５】 上記第６実施形態にかかる電子部品モジュールの製造方法を示す工程図である。
【図１６】 （Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を説明するための一部断面図である。
【図１７】 上記第７実施形態にかかる非接触ＩＣカードの製造方法を示す工程図である。
【図１８】 従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図１９】 従来の半導体素子パッケージの製造方法を示す工程図である。
【図２０】 （Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図２１】 従来の半導体素子パッケージを説明するための一部断面図である。
【図２２】 本発明の第８実施形態における半導体部品実装済完成品の断面図である。
【図２３】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０１における状態を示す図である。
【図２４】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０２における状態を示す図である。
【図２５】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０３における状態を示す図である。
【図２６】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０４における状態を示す図である。
【図２７】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０５における状態を示す図である。
【図２８】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０６における状態を示す図である。
【図２９】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図である。ステップ２０７における状態を示す図である。
【図３０】 図２２に示す半導体部品実装済完成品に備わる半導体部品実装済部品について、電子部品を回路パターン上に装着した状態を示す図である。
【図３１】 図３０に示す半導体部品実装済部品をラミネート処理した状態を示す断面図である。
【図３２】 図２２に示す半導体部品実装済完成品が非接触ＩＣカードの場合であって、該非接触ＩＣカードに備わる半導体部品実装済部品の平面図である。
【図３３】 図３２に示すＩ−Ｉ部における断面図である。
【図３４】 図３２における非接触ＩＣカードの上記Ｉ−Ｉ部における断面図である。
【図３５】 図３２における非接触ＩＣカードにて、ジャンパーを設けた状態を示す平面図である。
【図３６】 図２２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図３７】 ジャンパーを設けた図３２における非接触ＩＣカードの変形例の断面図である。
【図３８】 図２８に示す半導体部品実装済部品の変形例における断面図である。
【図３９】 図２７に示す増加部形成部材の変形例を示す図である。
【図４０】 図２７に示す増加部形成部材の別の変形例を示す図である。
【図４１】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図４２】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図４３】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４４】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４５】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４６】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図４７】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す断面図である。
【図４８】 従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ、２…ダイシングソー、３…半導体素子、４…バンプ、４Ａ…２段突起バンプ、５…素子電極、６…パッシベーション膜、７…熱硬化性樹脂部、７ａ…熱硬化性樹脂シート、７ｂ…熱可塑性樹脂シート、７ｃ…熱可塑性樹脂部、７ｄ…熱可塑性樹脂部、８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ，８Ｆ…熱プレス板、９…バンプの端面、１１…金属粒子、１２…導電性ペースト、１３…フィルム基板、１３Ａ…熱可塑性樹脂シート、１３Ｂ…熱可塑性樹脂部、１４…半導体パッケージ、１５…電子部品、２２…熱硬化型又は熱可塑性導電性ペースト、２３…フィルム基板、２３Ａ…熱可塑性樹脂シート、２６…コイル、６０…ホーン、６１…キャピラリー、４０１，４０２…非接触ＩＣカード、４１３…バンプ、４１４…半導体素子、４１５…部材形成面、４１６…回路パターン、４１７…電極、４１８…回路接続用部材、４２１…半導体部品実装済部品、４２２…第１熱可塑性樹脂基材、４２３…パターン形成面、４２４…第２熱可塑性樹脂基材、４２５…第３熱可塑性樹脂基材、４２８…半導体部品実装済部品、４２９…電子部品、４５０…増加部形成部材。
Claims (5)
- 熱可塑性樹脂のシートで構成された基材のパターン形成面上に形成される回路パターンと半導体素子のバンプを電気的に接続させた半導体素子実装済部品の製造方法において、
上記バンプが上記基材の上記パターン形成面から露出するように、上記基材内に上記半導体素子を挿入し、
上記露出したバンプ又は上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を増加部形成部材にて押圧することにより、上記露出したバンプの表面積を増大させ、
上記表面積が増大された露出したバンプに接触するように、上記パターン形成面上に導電性ペーストにて回路パターンを形成して、上記回路パターンと上記バンプとを電気的に接続する、半導体素子実装済部品の製造方法。 - 上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記露出したバンプの一部を変形させて突部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、請求項１に記載の半導体実装済部品の製造方法。
- 上記露出したバンプを上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプに凹凸部を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、請求項１に記載の半導体実装済部品の製造方法。
- 上記露出したバンプ近傍の上記パターン形成面を上記増加部形成部材にて押圧し、上記バンプの周囲に接触面積増加用溝を形成することによって、上記露出したバンプの表面積を増大させる、請求項１に記載の半導体実装済部品の製造方法。
- 請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体素子実装済部品の製造方法により製造された半導体素子実装済部品を封止する半導体素子実装済完成品の製造方法。
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