JP3979797B2 - 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 - Google Patents
電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3979797B2 JP3979797B2 JP2001183185A JP2001183185A JP3979797B2 JP 3979797 B2 JP3979797 B2 JP 3979797B2 JP 2001183185 A JP2001183185 A JP 2001183185A JP 2001183185 A JP2001183185 A JP 2001183185A JP 3979797 B2 JP3979797 B2 JP 3979797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- component mounted
- manufacturing
- finished product
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。上記電子部品実装済部品の製造方法は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように、アルミニウム、Ｃｕ、及びＮｉ等にて形成された回路パターンにＩＣチップを電気的に接続する場合に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の電子部品実装済完成品の製造方法について、図１６〜図２５を参照しながら以下に説明する。
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【０００３】
図１６〜図２５は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
図１６に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材１ａに導電性ペーストにてコイルパターン２が形成され、このコイルパターン２の外周端３ａに設けた接続パッド６、及びコイルパターン２の内周端３ｂに設けた接続パッド６のそれぞれがＩＣチップ４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
その製造工程は、図１７に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、第１基材１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材１ａ及び後述の第２基材２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリイミド等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【０００４】
ステップ２では、上記印刷方法により第１基材１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。ステップ３では、図１８に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端３ａや内周端３ｂに設けられた接続パッド６に異方導電性シート９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド６とを電気的に接続する。ステップ４では、異方導電性シート９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド６に仮圧着する。ステップ５では、仮圧着した異方導電性シート９に半導体素子４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図１９に示すように半導体素子４上の電極パッド７にバンプ１０が形成されており、図２０に示すようにバンプ１０と接続パッド６との間に異方導電性シート９が介在する。尚、バンプ１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子４の電極パッド７上に形成される。
【０００５】
ステップ６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図２１に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子４を本圧着する。その結果、異方導電性シート９の硬化収縮力により、バンプ１０と接続パッド６とが異方導電性シート９の金属粒子を介して電気的に接続される。尚、第１基材１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ６までで半導体素子の実装は完了する。
そして、ステップ７では、第１基材１ａに第２基材１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図２２に示すように、接続パッド６とバンプ１０とが異方導電性ペースト９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図２２にて、５はコイルパターン２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記第１基材１ａや第２基材１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ６において異方導電性シート９を介して半導体素子４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材１ａや第２基材１ｂが劣化し易いという問題がある。
又、異方導電性シート９を用いて半導体素子４等の部品を第１基材１ａに固定する為、異方導電性シート９の第１基材１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。さらに又、異方導電性シート９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０００７】
さらに又、上記ステップ７においてラミネート処理する際に、半導体素子４が加熱、加圧される為、図２３に示すように、半導体素子４が第１基材１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
又、図２４に示すように上記ステップ７においてラミネート処理する際に、実装されている半導体素子４及び電子部品５と第１基材１ａの表面に段差ｈが生じている為に、第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、図２５に示すように、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体例えば空気１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じる。
さらに又、通信特性上、必要とされるコイルのターン数が多い場合、導電性ペーストで形成したコイル２では、導電性ペーストの比抵抗値がＣｕ、アルミニウム等の一般的な金属配線と比較して一桁程度大きいので、上記コイルの総抵抗値が高くなり過ぎる。よって、上記コイルで消費される電力が増加し、要求される通信特性が得られないという問題もある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様における、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法は、回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を上記バンプ及び上記外部電極が上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出するまで埋設し、
埋設された上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を上記回路形成面に形成する、
ことを特徴とする。
【０００９】
又、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法は、回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を埋設した後、埋設された上記バンプ及び上記外部電極を上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出させ、該露出後に上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を形成することを特徴とする。
【００１０】
又、本発明の第２態様における、電子部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様の電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする。
【００１１】
又、本発明の第３態様における電子部品実装済完成品は、上記第２態様の電子部品実装済完成品製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１２】
上記電子部品実装済完成品において、非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にて構成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び電子部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電子部品実装済完成品の製造方法は、上記電子部品実装済部品の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、及び上記電子部品実装済完成品は上記電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
上記「電子部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【００１４】
図１は、本実施形態の電子部品実装済部品製造方法を用いて製造された電子部品実装済部品を示している。尚、上記電子部品実装済部品を電子部品内蔵コアモジュール部品と記す場合もある。又、図１では、該電子部品内蔵コアモジュール部品の一例として、非接触ＩＣカードを構成する電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を示している。
上記非接触ＩＣカードにおける電子部品内蔵コアモジュール部品１０１において、第１熱可塑性樹脂基材１２２の、回路形成面に相当する回路パターン形成面１２３には、予め当該非接触ＩＣカードにおけるアンテナの機能を果たすコイルパターン１０２、及び電極部分１１８を有する回路パターン１１９が形成されており、このような第１熱可塑性樹脂基材１２２内に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５が埋め込まれる。又、上記回路パターン形成面１２３には、上記埋設により上記回路パターン形成面１２３に露出した、バンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の各電極露出面１１５と、上記電極部分１１８とを電気的に接続する、導電性ペーストにてなる導電部１１６が設けられている。
【００１５】
図２は、本実施形態の電子部品実装済部品の製造方法を用いて作製された電子部品実装済部品を備えた電子部品実装済完成品の一例としての非接触ＩＣカード１００を示している。ここで、１２４，１２５は、半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５、回路パターン１１９、及び導電部１１６を有する上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を保護する為にラミネート処理を行なうためのシート状の部材であり、第２基材及び第３基材の機能を果たす一例である第２熱可塑性樹脂基材及び第３熱可塑性樹脂基材である。
以下に、上記電子部品実装済部品１０１の製造方法を含めて上記非接触ＩＣカード１００の製造方法について、図を参照して説明する。
【００１６】
図１２に示すステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１０１において、図３に示すように、電子部品の一例に相当する半導体素子１０４の電極１１７上に、ＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。尚、バンプ１１３の形成方法は、ワイヤボンディング法による形成に限定されるものではなく、めっき法による形成でも良い。又、図３に示す１１２は、半導体素子１０４のアクティブ面を保護するためのパッシベーション膜である。
【００１７】
又、ステップ１０２では、図５に示すように、第１熱可塑性樹脂基材１２２の上記回路パターン形成面１２３に、銅、アルミニウム等のメッキ、又は金属箔の貼付等により上記回路パターン１１９を形成する。ここで、上記第１熱可塑性樹脂基材１２２は、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状であり、第１基材の機能を果たす一例に相当する部材である。
又、形成される回路パターン１１９に含まれる上記コイルパターン１０２は、本実施形態では、半導体素子１０４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状であるが、勿論、該形状に限定されるものではなく、製造物としての電子部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
尚、上記ステップ１０１と当該ステップ１０２とを実行する時間的な前後は問わない。
【００１８】
又、図６に示すように、第１熱可塑性樹脂基材は、上記回路パターン形成面１２３に対向する裏面１２２ａにも回路パターン１１９を形成した構造を有する第１熱可塑性樹脂基材１２２１であってもよく、さらには、回路パターン形成面１２３及び裏面１２２ａの両面に形成した各回路パターン１１９を電気的に接続するため、当該第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚み方向に当該第１熱可塑性樹脂基材１２２を貫通するスルーホール７０１を設け該スルーホール７０１にメッキを施したり又は導電性ペーストを充填した構造を有する第１熱可塑性樹脂基材１２２２とすることもできる。尚、以下の説明では、基本的な上記第１熱可塑性樹脂基材１２２を例に採る。
【００１９】
上記ステップ１０１及びステップ１０２の次のステップ１０３において、バンプ１１３を形成した半導体素子１０４、及び外部電極５０を有し電子部品の他の例としての、図４に示すコンデンサ部品１０５を、図７に示すように、上記回路パターン１１９を回路パターン形成面１２３に形成した第１熱可塑性樹脂基材１２２の上記裏面１２２ａ上の規定領域にマウントする。尚、該規定領域とは、図１に示すように、回路パターン１１９が存在しない領域が相当する。又、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５は、それぞれ複数個マウントする場合もあり、又、コンデンサ部品１０５は搭載せずに一つ若しくは複数の半導体素子１０４のみをマウントする場合もある。
【００２０】
ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は、本実施形態の場合、後述するようにバンプ１１３を第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３から露出させる必要から、基本的に半導体素子１０４の厚み以上で、半導体素子１０４の厚みとバンプ１１３の高さとを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子１０４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは０．２０ｍｍが好ましい。又、回路パターン形成面１２３から上記外部電極５０を露出させる必要から、コンデンサ部品１０５は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みに対して５０μｍ程度厚い厚みのものを用いることが好適である。少なくとも、厚みが第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１以下になることを避ける必要がある。
【００２１】
次のステップ１０４では、図８に示すように、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を載置した第１熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１７２間に狭み、熱プレス板１７１，１７２にて、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５、並びに第１熱可塑性樹脂基材１２２を加熱しながらこれらを相対的に押圧して、図９に示すように半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。又、このとき、上記回路パターン形成面１２３に形成されている上記回路パターン１１９も上記押圧動作により第１熱可塑性樹脂基材１２２内に押し込められる。尚、図８において、１７３，１７４は、上記押圧動作のために熱プレス板１７１，１７２を移動させる各移動装置であり、１７５，１７６は、熱プレス板１７１，１７２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
該熱プレス動作の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、一例として、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度、圧力値は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
又、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５に対する押圧動作は、それぞれ別々の熱プレス板を用いて個別に実施しても良い。
【００２２】
本実施形態では、バンプ１１３及び電極５０のそれぞれが熱プレス板１７１に接触するであろうバンプ１１３及び電極５０の各接触面である、バンプ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１が、熱プレス板１７１に達するまで押圧されることから、図９に示すように上記プレス動作により、上記端面１１５及び端面５１は、それぞれ第１熱可塑性樹脂基材１２２における上記熱プレス板１７１との接触面である上記回路パターン形成面１２３に露出することになる。
このとき、本実施形態では薄型化を図るため、半導体素子１０４の上記アクティブ面に対向する裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の片面側１０５ａと、上記パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１や、熱プレス板１７１，１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより半導体素子１０４の裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の端面１０５ａを突出させても良い。
【００２３】
次のステップ１０６では、第１熱可塑性樹脂基材１２２における回路パターン形成面１２３に露出している、バンプ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１と、回路パターン形成面１２３に同じく露出している回路パターン１１９の内の上記電極部分１１８との電気的接続を図るため、端面１１５とバンプ１１３に近接する電極部分１１８とに接触するように、及び端面５１と電極５０に近接する電極部分１１８とに接触するようにして、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて導電部１１６をパターン形成面１２３上に形成する。該導電性ペーストによる導電部１１６の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行う。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの導電部１１６を形成する。又、勿論、上記導電部１１６は、製造物としての電子部品内蔵コアモジュール部品１０１の機能に応じた形態に形成される。
【００２４】
このようにして、回路パターン１１９と、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５との電気的接続を図り、図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品１０１が形成される。さらに以下の工程を実行することで、即ち電子部品実装済完成品の製造方法を実行することで、電子部品実装済完成品、本実施形態では非接触ＩＣカード１００が作製される。
【００２５】
次のステップ１０７では、図１０に示すように、上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチして、ラミネート処理し、電子部品内蔵コアモジュール部品１０１の封止を行なう。該ラミネート処理は、加熱された平面プレス板２０１，２０２により加熱、加圧して実施する。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。尚、図１０において、２０５，２０６は、上記押圧動作のために平面プレス板２０１，２０２を移動させる各移動装置であり、２０７，２０８は、平面プレス板２０１，２０２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
【００２６】
又、上記ラミネート処理は、図１１に示すロールプレス方式により実施しても良い。図１１において２０３，２０４は加熱されたローラーである。電子部品内蔵コアモジュール１０１をその厚み方向からサンドイッチする形でポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５をローラー２０３，２０４間に供給し、ラミネート処理していく。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材１２４，１２５を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、ラミネート速度０．１ｍ／分である。尚、図１１において、２０９，２１０は、上記押圧動作のためにローラ２０３，２０４を回転させる各駆動装置であり、２１１，２１２は、ローラ２０３，２０４をそれぞれ加熱するための加熱装置である。以上の工程を経て、図２に示すような、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５が実装されたモジュールとしての電子部品実装済部品や、本実施形態の場合のように電子部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１００が完成する。
【００２７】
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、実装されている半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と第１熱可塑性樹脂基材１２２の表面との間に段差が無い。その為、従来例における図２４及び図２５に示すように第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じることは無い。
又、実装されている半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と第１熱可塑性樹脂基材１２２の表面との間に段差が無いことから、従来例における図２３に示すようなカード化後における半導体素子４の基材１ａへの沈み込みは発生せず、回路パターンが断線することは無く、高品質の電子部品実装済部品及び電子部品実装済宛成品を製造することが可能になる。
【００２８】
さらに、高価な異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無いことから、加熱押圧動作を要する異方導電性シート等の処理用の工程は不要となる。よって耐熱性の低いシート基材を使用することができ、かつ第１熱可塑性樹脂基材１２２の劣化を招くこともない。よって、高品質、高生産性旦つ安価な電子部品実装済部品及び電子部品実装済完成品を提供することが可能になる。
又、上述のように回路パターン１１９は金属導体にて形成され、極一部分に形成される導電部１１６のみに導電性ペーストを使用していることから、回路パターン１１９及び導電部１１６を含む導電性部分における総抵抗値を従来に比べて低くすることができる。よって、例えばＩＣカード１００の場合には、コイルパターン１０２部分で消費される電力が少なくなり、つまりエネルギーロスを低減でき、安定した通信が可能となる。
尚、上述した図１〜図１１は半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５と回路パターン１１８の接続箇所のみを示したものであり、電子部品実装済完成品の全体を示すものではない。
【００２９】
上述の実施形態の変形例として以下の形態を採ることもできる。
即ち、上述の実施形態では、半導体素子１０４のバンプ１１３等が第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出可能な場合を例に採ったが、例えば第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１よりかなり厚みの薄い半導体素子１０４やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設する場合には、図１３に示すように、埋設工程のみでは半導体素子１０４のバンプ１１３上やコンデンサ部品１０５の電極５０上には未だ樹脂の残余部分３０１が存在し、上記パターン形成面１２３にバンプ１１３や電極５０を露出できないときもある。このような場合において、図１３に示すように、上記ステップ１０５の後でステップ１０６の前に、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３側より、半導体素子１０４のバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極５０上を、加熱された露出用部材３００で押圧することで、図１４に示すようにバンプ１１３及び電極５０上の樹脂３０１を押しのけ、バンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させる。
【００３０】
該変形例によれば、上記埋設工程のみではバンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出できない場合でも、上記露出用部材３００を用いた露出工程によりバンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させることができる。よってその後、上記ステップ１０６、さらには上記ステップ１０７を実行することが可能となる。
さらに又、該変形例によれば図１５に示すように、電極１１７にバンプ１１３を形成していない半導体素子１０４１や、電極が突出していないフィルム状のコンデンサ部品であっても使用が可能となる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
上記露出用部材３００の押圧条件は、例えば、２００℃に加熱され、荷重９８０ｍＮである。
【００３１】
又、露出用部材３００による上記露出工程は、バンプ１１３や電極５０の上記パターン形成面１２３における露出面積をより拡大するために実行することもできる。即ち、図９に示すように、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設したとき、既にバンプ１１３や電極５０がパターン形成面１２３に露出している場合であっても上記露出工程を実行してもよい。該動作により、バンプ１１３や電極５０のパターン形成面１２３における露出面積をより拡大することができ、導電性ペーストとの接合強度が増し、接合信頼性を向上させることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における電子部品実装済部品の製造方法によれば、電子部品と電気的に接続する回路パターンを形成した第１基材に電子部品を埋め込み、上記回路パターンと上記電子部品とを導電性ペーストにて電気的接続を図ったことから、従来のように異方導電性部材を用いる必要がない。よって、上記異方導電性部材を本圧着するために必要であった、例えば２００℃以上の加熱動作が不要となる。したがって、上記異方導電性部材用の加熱動作は不要となり、かつ耐熱性に劣る上記第１基材について加熱が原因で劣化することはなく、かつ高価な異方導電性部材の使用を排除できるので、高品質、高生産で安価な半導体部品実装済部品の製造方法を提供することができる。
【００３３】
又、上記電子部品の埋設後、該電子部品の電極を露出させた後、上記導電部の形成を行なうことで、例えば第１基材の厚みよりかなり厚みの薄い電子部品を第１基材に埋設した場合であっても、埋設した電子部品と上記回路パターンとを電気的に接続することができる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
【００３４】
本発明の第２態様における電子部品実装済完成品の製造方法、及び第３態様における半導体部品実装済完成品によれば、上記第１態様の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を使用することから、高品質、高生産で安価な電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品を提供することができる。
【００３５】
又、電子部品を埋設することから、従来のような、第１基材と電子部品との段差は無くなる。よって、上記電子部品実装済部品を第２基材及び第３基材にてラミネート処理したとき、電子部品の周辺に気体が残り、半導体部品実装済完成品の外観上、膨れや凹み等の不良が生じることは無い。さらに、上述のように電子部品は第１基材内に埋設することから、ラミネート処理したとき、従来発生したような電子部品の基材への沈み込みは発生せず、回路パターンが断線することは無い。よって、高品質の電子部品実装済完成品を安定して供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図２】 本発明の実施形態における電子部品実装済完成品の断面図である。
【図３】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、上記コアモジュール部品及び電子部品実装済完成品に使用される半導体素子を示す図である。
【図４】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品に含まれるコンデンサ部品を示す図である。
【図５】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、上記コアモジュール部品及び電子部品実装済完成品に使用される第１熱可塑性樹脂基材の側面図である。
【図６】 図５に示す第１熱可塑性樹脂基材の変形例における断面図である。
【図７】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、第１熱可塑性樹脂基材上に半導体素子及びコンデンサ部品を載置した状態を示す図である。
【図８】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材へ押し込む状態を示す図である。
【図９】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材内に埋設した状態を示す図である。
【図１０】 図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品を平面プレス板にてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１１】 図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品をローラにてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１２】 電子部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１３】 他の実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の製造方法における露出工程を説明するための図である。
【図１４】 上記露出工程にてバンプ等が露出した状態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図１５】 上記露出工程が適用可能な電子部品の一例を説明するための図である。
【図１６】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図１７】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図１８】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図１９】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２０】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２１】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２２】 従来の非接触IＣカードの構造を示す断面図である。
【図２３】 従来の非接触IＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【図２４】 従来の非接触IＣカードの構造において基材と電子部品との段差を説明するための図である。
【図２５】 従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１００…非接触ＩＣカード、１０１…電子部品内蔵コアモジュール部品、
１０４…半導体素子、１０５…電子部品、１１６…導電部、
１１７…電極、１１８…電極部分、１１９…回路パターン、
１２２…第１熱可塑性樹脂基材、１２３…パターン形成面、
１２４…第２熱可塑性樹脂基材、１２５…第３熱可塑性樹脂基材。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。上記電子部品実装済部品の製造方法は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように、アルミニウム、Ｃｕ、及びＮｉ等にて形成された回路パターンにＩＣチップを電気的に接続する場合に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の電子部品実装済完成品の製造方法について、図１６〜図２５を参照しながら以下に説明する。
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【０００３】
図１６〜図２５は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
図１６に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材１ａに導電性ペーストにてコイルパターン２が形成され、このコイルパターン２の外周端３ａに設けた接続パッド６、及びコイルパターン２の内周端３ｂに設けた接続パッド６のそれぞれがＩＣチップ４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
その製造工程は、図１７に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、第１基材１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材１ａ及び後述の第２基材２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリイミド等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【０００４】
ステップ２では、上記印刷方法により第１基材１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。ステップ３では、図１８に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端３ａや内周端３ｂに設けられた接続パッド６に異方導電性シート９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド６とを電気的に接続する。ステップ４では、異方導電性シート９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド６に仮圧着する。ステップ５では、仮圧着した異方導電性シート９に半導体素子４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図１９に示すように半導体素子４上の電極パッド７にバンプ１０が形成されており、図２０に示すようにバンプ１０と接続パッド６との間に異方導電性シート９が介在する。尚、バンプ１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子４の電極パッド７上に形成される。
【０００５】
ステップ６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図２１に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子４を本圧着する。その結果、異方導電性シート９の硬化収縮力により、バンプ１０と接続パッド６とが異方導電性シート９の金属粒子を介して電気的に接続される。尚、第１基材１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ６までで半導体素子の実装は完了する。
そして、ステップ７では、第１基材１ａに第２基材１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図２２に示すように、接続パッド６とバンプ１０とが異方導電性ペースト９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図２２にて、５はコイルパターン２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記第１基材１ａや第２基材１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ６において異方導電性シート９を介して半導体素子４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材１ａや第２基材１ｂが劣化し易いという問題がある。
又、異方導電性シート９を用いて半導体素子４等の部品を第１基材１ａに固定する為、異方導電性シート９の第１基材１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。さらに又、異方導電性シート９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０００７】
さらに又、上記ステップ７においてラミネート処理する際に、半導体素子４が加熱、加圧される為、図２３に示すように、半導体素子４が第１基材１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
又、図２４に示すように上記ステップ７においてラミネート処理する際に、実装されている半導体素子４及び電子部品５と第１基材１ａの表面に段差ｈが生じている為に、第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、図２５に示すように、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体例えば空気１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じる。
さらに又、通信特性上、必要とされるコイルのターン数が多い場合、導電性ペーストで形成したコイル２では、導電性ペーストの比抵抗値がＣｕ、アルミニウム等の一般的な金属配線と比較して一桁程度大きいので、上記コイルの総抵抗値が高くなり過ぎる。よって、上記コイルで消費される電力が増加し、要求される通信特性が得られないという問題もある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様における、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法は、回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を上記バンプ及び上記外部電極が上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出するまで埋設し、
埋設された上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を上記回路形成面に形成する、
ことを特徴とする。
【０００９】
又、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法は、回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を埋設した後、埋設された上記バンプ及び上記外部電極を上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出させ、該露出後に上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を形成することを特徴とする。
【００１０】
又、本発明の第２態様における、電子部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様の電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする。
【００１１】
又、本発明の第３態様における電子部品実装済完成品は、上記第２態様の電子部品実装済完成品製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１２】
上記電子部品実装済完成品において、非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にて構成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び電子部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電子部品実装済完成品の製造方法は、上記電子部品実装済部品の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、及び上記電子部品実装済完成品は上記電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
上記「電子部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【００１４】
図１は、本実施形態の電子部品実装済部品製造方法を用いて製造された電子部品実装済部品を示している。尚、上記電子部品実装済部品を電子部品内蔵コアモジュール部品と記す場合もある。又、図１では、該電子部品内蔵コアモジュール部品の一例として、非接触ＩＣカードを構成する電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を示している。
上記非接触ＩＣカードにおける電子部品内蔵コアモジュール部品１０１において、第１熱可塑性樹脂基材１２２の、回路形成面に相当する回路パターン形成面１２３には、予め当該非接触ＩＣカードにおけるアンテナの機能を果たすコイルパターン１０２、及び電極部分１１８を有する回路パターン１１９が形成されており、このような第１熱可塑性樹脂基材１２２内に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５が埋め込まれる。又、上記回路パターン形成面１２３には、上記埋設により上記回路パターン形成面１２３に露出した、バンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の各電極露出面１１５と、上記電極部分１１８とを電気的に接続する、導電性ペーストにてなる導電部１１６が設けられている。
【００１５】
図２は、本実施形態の電子部品実装済部品の製造方法を用いて作製された電子部品実装済部品を備えた電子部品実装済完成品の一例としての非接触ＩＣカード１００を示している。ここで、１２４，１２５は、半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５、回路パターン１１９、及び導電部１１６を有する上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を保護する為にラミネート処理を行なうためのシート状の部材であり、第２基材及び第３基材の機能を果たす一例である第２熱可塑性樹脂基材及び第３熱可塑性樹脂基材である。
以下に、上記電子部品実装済部品１０１の製造方法を含めて上記非接触ＩＣカード１００の製造方法について、図を参照して説明する。
【００１６】
図１２に示すステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１０１において、図３に示すように、電子部品の一例に相当する半導体素子１０４の電極１１７上に、ＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。尚、バンプ１１３の形成方法は、ワイヤボンディング法による形成に限定されるものではなく、めっき法による形成でも良い。又、図３に示す１１２は、半導体素子１０４のアクティブ面を保護するためのパッシベーション膜である。
【００１７】
又、ステップ１０２では、図５に示すように、第１熱可塑性樹脂基材１２２の上記回路パターン形成面１２３に、銅、アルミニウム等のメッキ、又は金属箔の貼付等により上記回路パターン１１９を形成する。ここで、上記第１熱可塑性樹脂基材１２２は、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状であり、第１基材の機能を果たす一例に相当する部材である。
又、形成される回路パターン１１９に含まれる上記コイルパターン１０２は、本実施形態では、半導体素子１０４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状であるが、勿論、該形状に限定されるものではなく、製造物としての電子部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
尚、上記ステップ１０１と当該ステップ１０２とを実行する時間的な前後は問わない。
【００１８】
又、図６に示すように、第１熱可塑性樹脂基材は、上記回路パターン形成面１２３に対向する裏面１２２ａにも回路パターン１１９を形成した構造を有する第１熱可塑性樹脂基材１２２１であってもよく、さらには、回路パターン形成面１２３及び裏面１２２ａの両面に形成した各回路パターン１１９を電気的に接続するため、当該第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚み方向に当該第１熱可塑性樹脂基材１２２を貫通するスルーホール７０１を設け該スルーホール７０１にメッキを施したり又は導電性ペーストを充填した構造を有する第１熱可塑性樹脂基材１２２２とすることもできる。尚、以下の説明では、基本的な上記第１熱可塑性樹脂基材１２２を例に採る。
【００１９】
上記ステップ１０１及びステップ１０２の次のステップ１０３において、バンプ１１３を形成した半導体素子１０４、及び外部電極５０を有し電子部品の他の例としての、図４に示すコンデンサ部品１０５を、図７に示すように、上記回路パターン１１９を回路パターン形成面１２３に形成した第１熱可塑性樹脂基材１２２の上記裏面１２２ａ上の規定領域にマウントする。尚、該規定領域とは、図１に示すように、回路パターン１１９が存在しない領域が相当する。又、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５は、それぞれ複数個マウントする場合もあり、又、コンデンサ部品１０５は搭載せずに一つ若しくは複数の半導体素子１０４のみをマウントする場合もある。
【００２０】
ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は、本実施形態の場合、後述するようにバンプ１１３を第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３から露出させる必要から、基本的に半導体素子１０４の厚み以上で、半導体素子１０４の厚みとバンプ１１３の高さとを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子１０４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは０．２０ｍｍが好ましい。又、回路パターン形成面１２３から上記外部電極５０を露出させる必要から、コンデンサ部品１０５は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みに対して５０μｍ程度厚い厚みのものを用いることが好適である。少なくとも、厚みが第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１以下になることを避ける必要がある。
【００２１】
次のステップ１０４では、図８に示すように、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を載置した第１熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１，１７２間に狭み、熱プレス板１７１，１７２にて、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５、並びに第１熱可塑性樹脂基材１２２を加熱しながらこれらを相対的に押圧して、図９に示すように半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。又、このとき、上記回路パターン形成面１２３に形成されている上記回路パターン１１９も上記押圧動作により第１熱可塑性樹脂基材１２２内に押し込められる。尚、図８において、１７３，１７４は、上記押圧動作のために熱プレス板１７１，１７２を移動させる各移動装置であり、１７５，１７６は、熱プレス板１７１，１７２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
該熱プレス動作の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、一例として、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度、圧力値は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
又、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５に対する押圧動作は、それぞれ別々の熱プレス板を用いて個別に実施しても良い。
【００２２】
本実施形態では、バンプ１１３及び電極５０のそれぞれが熱プレス板１７１に接触するであろうバンプ１１３及び電極５０の各接触面である、バンプ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１が、熱プレス板１７１に達するまで押圧されることから、図９に示すように上記プレス動作により、上記端面１１５及び端面５１は、それぞれ第１熱可塑性樹脂基材１２２における上記熱プレス板１７１との接触面である上記回路パターン形成面１２３に露出することになる。
このとき、本実施形態では薄型化を図るため、半導体素子１０４の上記アクティブ面に対向する裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の片面側１０５ａと、上記パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１や、熱プレス板１７１，１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより半導体素子１０４の裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の端面１０５ａを突出させても良い。
【００２３】
次のステップ１０６では、第１熱可塑性樹脂基材１２２における回路パターン形成面１２３に露出している、バンプ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１と、回路パターン形成面１２３に同じく露出している回路パターン１１９の内の上記電極部分１１８との電気的接続を図るため、端面１１５とバンプ１１３に近接する電極部分１１８とに接触するように、及び端面５１と電極５０に近接する電極部分１１８とに接触するようにして、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて導電部１１６をパターン形成面１２３上に形成する。該導電性ペーストによる導電部１１６の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行う。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの導電部１１６を形成する。又、勿論、上記導電部１１６は、製造物としての電子部品内蔵コアモジュール部品１０１の機能に応じた形態に形成される。
【００２４】
このようにして、回路パターン１１９と、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５との電気的接続を図り、図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品１０１が形成される。さらに以下の工程を実行することで、即ち電子部品実装済完成品の製造方法を実行することで、電子部品実装済完成品、本実施形態では非接触ＩＣカード１００が作製される。
【００２５】
次のステップ１０７では、図１０に示すように、上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチして、ラミネート処理し、電子部品内蔵コアモジュール部品１０１の封止を行なう。該ラミネート処理は、加熱された平面プレス板２０１，２０２により加熱、加圧して実施する。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。尚、図１０において、２０５，２０６は、上記押圧動作のために平面プレス板２０１，２０２を移動させる各移動装置であり、２０７，２０８は、平面プレス板２０１，２０２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
【００２６】
又、上記ラミネート処理は、図１１に示すロールプレス方式により実施しても良い。図１１において２０３，２０４は加熱されたローラーである。電子部品内蔵コアモジュール１０１をその厚み方向からサンドイッチする形でポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５をローラー２０３，２０４間に供給し、ラミネート処理していく。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材１２４，１２５を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、ラミネート速度０．１ｍ／分である。尚、図１１において、２０９，２１０は、上記押圧動作のためにローラ２０３，２０４を回転させる各駆動装置であり、２１１，２１２は、ローラ２０３，２０４をそれぞれ加熱するための加熱装置である。以上の工程を経て、図２に示すような、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５が実装されたモジュールとしての電子部品実装済部品や、本実施形態の場合のように電子部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１００が完成する。
【００２７】
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、実装されている半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と第１熱可塑性樹脂基材１２２の表面との間に段差が無い。その為、従来例における図２４及び図２５に示すように第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じることは無い。
又、実装されている半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と第１熱可塑性樹脂基材１２２の表面との間に段差が無いことから、従来例における図２３に示すようなカード化後における半導体素子４の基材１ａへの沈み込みは発生せず、回路パターンが断線することは無く、高品質の電子部品実装済部品及び電子部品実装済宛成品を製造することが可能になる。
【００２８】
さらに、高価な異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無いことから、加熱押圧動作を要する異方導電性シート等の処理用の工程は不要となる。よって耐熱性の低いシート基材を使用することができ、かつ第１熱可塑性樹脂基材１２２の劣化を招くこともない。よって、高品質、高生産性旦つ安価な電子部品実装済部品及び電子部品実装済完成品を提供することが可能になる。
又、上述のように回路パターン１１９は金属導体にて形成され、極一部分に形成される導電部１１６のみに導電性ペーストを使用していることから、回路パターン１１９及び導電部１１６を含む導電性部分における総抵抗値を従来に比べて低くすることができる。よって、例えばＩＣカード１００の場合には、コイルパターン１０２部分で消費される電力が少なくなり、つまりエネルギーロスを低減でき、安定した通信が可能となる。
尚、上述した図１〜図１１は半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５と回路パターン１１８の接続箇所のみを示したものであり、電子部品実装済完成品の全体を示すものではない。
【００２９】
上述の実施形態の変形例として以下の形態を採ることもできる。
即ち、上述の実施形態では、半導体素子１０４のバンプ１１３等が第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出可能な場合を例に採ったが、例えば第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１よりかなり厚みの薄い半導体素子１０４やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設する場合には、図１３に示すように、埋設工程のみでは半導体素子１０４のバンプ１１３上やコンデンサ部品１０５の電極５０上には未だ樹脂の残余部分３０１が存在し、上記パターン形成面１２３にバンプ１１３や電極５０を露出できないときもある。このような場合において、図１３に示すように、上記ステップ１０５の後でステップ１０６の前に、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３側より、半導体素子１０４のバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極５０上を、加熱された露出用部材３００で押圧することで、図１４に示すようにバンプ１１３及び電極５０上の樹脂３０１を押しのけ、バンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させる。
【００３０】
該変形例によれば、上記埋設工程のみではバンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出できない場合でも、上記露出用部材３００を用いた露出工程によりバンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させることができる。よってその後、上記ステップ１０６、さらには上記ステップ１０７を実行することが可能となる。
さらに又、該変形例によれば図１５に示すように、電極１１７にバンプ１１３を形成していない半導体素子１０４１や、電極が突出していないフィルム状のコンデンサ部品であっても使用が可能となる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
上記露出用部材３００の押圧条件は、例えば、２００℃に加熱され、荷重９８０ｍＮである。
【００３１】
又、露出用部材３００による上記露出工程は、バンプ１１３や電極５０の上記パターン形成面１２３における露出面積をより拡大するために実行することもできる。即ち、図９に示すように、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設したとき、既にバンプ１１３や電極５０がパターン形成面１２３に露出している場合であっても上記露出工程を実行してもよい。該動作により、バンプ１１３や電極５０のパターン形成面１２３における露出面積をより拡大することができ、導電性ペーストとの接合強度が増し、接合信頼性を向上させることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における電子部品実装済部品の製造方法によれば、電子部品と電気的に接続する回路パターンを形成した第１基材に電子部品を埋め込み、上記回路パターンと上記電子部品とを導電性ペーストにて電気的接続を図ったことから、従来のように異方導電性部材を用いる必要がない。よって、上記異方導電性部材を本圧着するために必要であった、例えば２００℃以上の加熱動作が不要となる。したがって、上記異方導電性部材用の加熱動作は不要となり、かつ耐熱性に劣る上記第１基材について加熱が原因で劣化することはなく、かつ高価な異方導電性部材の使用を排除できるので、高品質、高生産で安価な半導体部品実装済部品の製造方法を提供することができる。
【００３３】
又、上記電子部品の埋設後、該電子部品の電極を露出させた後、上記導電部の形成を行なうことで、例えば第１基材の厚みよりかなり厚みの薄い電子部品を第１基材に埋設した場合であっても、埋設した電子部品と上記回路パターンとを電気的に接続することができる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
【００３４】
本発明の第２態様における電子部品実装済完成品の製造方法、及び第３態様における半導体部品実装済完成品によれば、上記第１態様の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を使用することから、高品質、高生産で安価な電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品を提供することができる。
【００３５】
又、電子部品を埋設することから、従来のような、第１基材と電子部品との段差は無くなる。よって、上記電子部品実装済部品を第２基材及び第３基材にてラミネート処理したとき、電子部品の周辺に気体が残り、半導体部品実装済完成品の外観上、膨れや凹み等の不良が生じることは無い。さらに、上述のように電子部品は第１基材内に埋設することから、ラミネート処理したとき、従来発生したような電子部品の基材への沈み込みは発生せず、回路パターンが断線することは無い。よって、高品質の電子部品実装済完成品を安定して供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図２】 本発明の実施形態における電子部品実装済完成品の断面図である。
【図３】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、上記コアモジュール部品及び電子部品実装済完成品に使用される半導体素子を示す図である。
【図４】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品に含まれるコンデンサ部品を示す図である。
【図５】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、上記コアモジュール部品及び電子部品実装済完成品に使用される第１熱可塑性樹脂基材の側面図である。
【図６】 図５に示す第１熱可塑性樹脂基材の変形例における断面図である。
【図７】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、第１熱可塑性樹脂基材上に半導体素子及びコンデンサ部品を載置した状態を示す図である。
【図８】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材へ押し込む状態を示す図である。
【図９】 図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材内に埋設した状態を示す図である。
【図１０】 図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品を平面プレス板にてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１１】 図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品をローラにてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１２】 電子部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１３】 他の実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の製造方法における露出工程を説明するための図である。
【図１４】 上記露出工程にてバンプ等が露出した状態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図１５】 上記露出工程が適用可能な電子部品の一例を説明するための図である。
【図１６】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図１７】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図１８】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図１９】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２０】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２１】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２２】 従来の非接触IＣカードの構造を示す断面図である。
【図２３】 従来の非接触IＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【図２４】 従来の非接触IＣカードの構造において基材と電子部品との段差を説明するための図である。
【図２５】 従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１００…非接触ＩＣカード、１０１…電子部品内蔵コアモジュール部品、
１０４…半導体素子、１０５…電子部品、１１６…導電部、
１１７…電極、１１８…電極部分、１１９…回路パターン、
１２２…第１熱可塑性樹脂基材、１２３…パターン形成面、
１２４…第２熱可塑性樹脂基材、１２５…第３熱可塑性樹脂基材。
Claims (5)
- 回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を上記バンプ及び上記外部電極が上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出するまで埋設し、
埋設された上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を上記回路形成面に形成する、
ことを特徴とする、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法。 - 回路形成面に金属のメッキ又は貼付にて形成した回路パターンを有する第１基材内へ上記回路形成面に対向する裏面上の上記回路パターンが存在しない領域に載置された、バンプを形成した半導体素子及び外部電極を有する電子部品を埋設した後、埋設された上記バンプ及び上記外部電極を上記回路パターンに接続することなく上記回路形成面に露出させ、該露出後に上記バンプ及び上記外部電極と上記回路パターンとの電気的接続を、導電性ペーストを用いて図る導通部を形成することを特徴とする、表面に段差の無い電子部品実装済部品の製造方法。
- 請求項１又は２記載の電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、
上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。 - 請求項３記載の、電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
- 非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にてなる、請求項４記載の電子部品実装済完成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183185A JP3979797B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001183185A JP3979797B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008167A JP2003008167A (ja) | 2003-01-10 |
| JP2003008167A5 JP2003008167A5 (ja) | 2005-05-19 |
| JP3979797B2 true JP3979797B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=19023165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001183185A Expired - Fee Related JP3979797B2 (ja) | 2001-06-18 | 2001-06-18 | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3979797B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070075436A1 (en) | 2003-10-06 | 2007-04-05 | Nec Corporation | Electronic device and manufacturing method of the same |
-
2001
- 2001-06-18 JP JP2001183185A patent/JP3979797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003008167A (ja) | 2003-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6664645B2 (en) | Method of mounting a semiconductor chip, circuit board for flip-chip connection and method of manufacturing the same, electromagnetic wave readable data carrier and method of manufacturing the same, and electronic component module for an electromagnetic wave readable data carrier | |
| US6780668B1 (en) | Package of semiconductor device and method of manufacture thereof | |
| JP3889856B2 (ja) | 突起電極付きプリント配線基板の製造方法 | |
| US6147311A (en) | Multi layer circuit board using anisotropic electroconductive adhesive layer and method for producing same | |
| JP2004516538A (ja) | スマートラベルウェブおよびその製造方法 | |
| US20050275088A1 (en) | Circuit module and method for manufacturing the same | |
| JP3916405B2 (ja) | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 | |
| JPWO2013027718A1 (ja) | 部品実装プリント基板及びその製造方法 | |
| JP3951409B2 (ja) | Ｉｃカードとその製造法 | |
| JP3529657B2 (ja) | 熱可塑性樹脂基板に半導体素子を取付ける方法、非接触ｉｃカードの製造方法及び半導体素子を取付けた熱可塑性樹脂基板 | |
| JPH11250214A (ja) | 部品の実装方法とｉｃカード及びその製造方法 | |
| JP4179736B2 (ja) | 半導体素子実装済部品の製造方法及び半導体素子実装済完成品の製造方法 | |
| JP3891743B2 (ja) | 半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 | |
| JP3916407B2 (ja) | 積層型電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び電子部品実装済完成品 | |
| JP3661482B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4774636B2 (ja) | Ｉｃモジュール、ｉｃモジュールを有するｉｃカード、および、製造方法 | |
| JP3979797B2 (ja) | 電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 | |
| JP4209574B2 (ja) | 半導体部品実装済部品の製造方法 | |
| JP2004514291A (ja) | シリコンチップ上の集積回路のスマートラベルへの取付け方法 | |
| JP2008235838A (ja) | 半導体装置、その製造方法、その実装方法およびこれを用いたｉｃカード | |
| JP2002064161A (ja) | 半導体チップ及びその製造方法 | |
| JP3881195B2 (ja) | 半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済部品、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 | |
| JP2002246745A (ja) | 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 | |
| JP2008235839A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4702820B2 (ja) | Ｉｃタグラベルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040706 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060828 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070326 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070413 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070529 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |