JP4209574B2 - 半導体部品実装済部品の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように導電性ペーストにてなる回路パターンに設けられた接続パッドにＩＣチップを電気的に接続する場合にて使用される、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造装置、該製造装置にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造装置、及び該半導体部品実装済完成品製造装置にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の半導体部品実装済完成品の製造方法について、図２０〜図２７を参照しながら以下に説明する。
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【０００３】
図２０〜図２７は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
図２０に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材１ａに導電性ペーストにてコイルパターン２が形成され、このコイルパターン２の外周端３ａに設けた接続パッド６、及びコイルパターン２の内周端３ｂに設けた接続パッド６のそれぞれがＩＣチップ４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
その製造工程は、図２１に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、第１基材１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材１ａ及び後述の第２基材２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【０００４】
ステップ２では、上記印刷方法により第１基材１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。
ステップ３では、図２２に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端３ａや内周端３ｂに設けられた接続パッド６に異方導電性シート９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド６とを電気的に接続する。
ステップ４では、異方導電性シート９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド６に仮圧着する。
ステップ５では、仮圧着した異方導電性シート９に半導体素子４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図２３に示すように半導体素子４上の電極パッド７にバンプ１０が形成されており、図２４に示すようにバンプ１０と接続パッド６とが異方導電性シート９を介して電気的に接続される。尚、バンプ１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子４の電極パッド７上に形成される。
【０００５】
ステップ６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図２５に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子４を本圧着する。
尚、第１基材１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ６までで半導体素子の実装は完了する。
そして、ステップ７では、第１基材１ａに第２基材１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図２６に示すように、接続パッド６とバンプ１０とが異方導電性ペースト９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図２６にて、５はコイルパターン２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記第１基材１ａや第２基材１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ６において異方導電性シート９を介して半導体素子４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材１ａや第２基材１ｂが劣化し易いという問題がある。
又、異方導電性シート９を用いて半導体素子４等の部品を第１基材１ａに固定する為、異方導電性シート９の第１基材１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。
【０００７】
又、異方導電性シート９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
又、上記ステップ７においてラミネート処理する際に、半導体素子４が加熱、加圧される為、図２７に示すように、半導体素子４が第１基材１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
本発明はこのような問題点を解決する為になされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品の製造装置、半導体部品実装済完成品の製造装置、及び半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様である半導体部品実装済部品の製造装置は、互いに対向して配置された２つの熱プレス板を有し、これら２つの熱プレス板を近接する方向へ相対的に移動させる半導体部品押圧装置であって、上記２つの熱プレス板の隙間に配置された、導電性ペーストにて形成される回路パターンが形成されるパターン形成面を有する基材、及び上記回路パターンに接触する回路接続部を有する半導体部品について、上記相対的な移動によって、上記回路接続部側から上記半導体部品を上記基材へ挿入し上記回路接続部を上記パターン形成面に露出させ又は非露出な状態で近接するまで上記半導体部品を上記基材へ埋め込む半導体部品押圧装置と、
上記半導体部品押圧装置とは別設される接触面積増加装置であって、上記パターン形成面に露出した上記回路接続部に接触して、又は上記回路接続部近傍の上記パターン形成面に接触して、上記回路パターンと上記回路接続部との接触面積を増加させる接触面積増加部を形成する円筒形状にてなる増加部形成部材、及び、上記増加部形成部材を上記回路接続部又は上記回路接続部近傍の上記パターン形成面に押圧する増加部形成部材用押圧装置を有する接触面積増加装置と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
又、上記増加部形成部材は、円筒形状にてなり、上記増加部形成部材用押圧装置による押圧動作にて上記回路接続部を成形して上記回路接続部に上記接触面積増加部としての突部を形成することもできる。
【００１２】
又、上記増加部形成部材は、上記回路接続部を収納する中空部を有する円筒形状にてなり、上記増加部形成部材用押圧装置による押圧動作にて上記回路接続部近傍の上記パターン形成面を押圧して上記回路接続部近傍に接触面積増加用溝を形成する先端部を有し、上記押圧動作により上記回路接続部を上記基材から露出させることもできる。
【００１３】
又、本発明の第２態様である半導体部品実装済完成品の製造装置は、上記第１態様の半導体部品実装済部品の製造装置と、
上記半導体部品実装済部品の製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を封止する封止装置と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
さらに又、本発明の第３態様である半導体部品実装済完成品は、上記第１態様の半導体部品実装済部品の製造装置にて製造され、パターン形成面に導電性ペーストにて回路パターンが形成された半導体部品実装済部品を、その厚み方向から封止装置にて２つの熱可塑性樹脂基材にてサンドイッチしてラミネート処理し封止してなることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、半導体部品実装済部品の製造装置、半導体部品実装済完成品の製造装置、及び半導体部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記半導体部品実装済完成品の製造装置は、上記半導体部品実装済部品の製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品を製造する装置であり、及び上記半導体部品実装済完成品は、上記半導体部品実装済部品の製造装置にて製造された半導体部品実装済部品を有するものであり、又、上記半導体部品実装済完成品の製造装置にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符合を付している。
【００１６】
上記「課題を解決するための手段」に記載する、「基材」の機能を果たす一例として本実施形態では第１熱可塑性樹脂基材１２２を例に取り、又「回路接続部」の機能を果たす一例として本実施形態では、バンプ１１３を例にとる。さらに又、「接触面積増加部」の機能を果たす一例として本実施形態では、突部１１８、凹凸部１１３１、露出面１１３２を例に採り、「接触面積増加装置」の機能を果たす一例として本実施形態では、増加部形成部材１５０、１５５、１５７、加熱装置１５３、及び増加部形成部材用押圧装置１５４を例に採る。又、「半導体部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【００１７】
図１は、本実施形態の半導体部品実装済部品の製造装置を用いて作製された半導体部品実装済部品を備えた、半導体部品実装済完成品の一例として非接触ＩＣカード１０１を示している。該非接触ＩＣカード１０１において、半導体素子１１４は予め第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出したバンプ１１３の部材形成面１１５に突部１１８を形成する。そして、導電性ペーストにより形成した回路パターン１１６と突部１１８とは異方導電性ペースト等を介さずに直接導通を得る点で従来例とは異なる。１２４，１２５は、半導体素子１１４及び回路パターン１１６を有する半導体部品実装済部品１２１を保護する為にラミネート処理を行なう第２の熱可塑性樹脂シート基材及び第３の熱可塑性樹脂シート基材であり、封止装置１２６、１２７にて半導体部品実装済部品１２１の封止動作に相当する上記ラミネート処理に使用される。以下に、非接触ＩＣカード１０１の製造手順について図２〜図８及び図１５を参照し、説明する。
【００１８】
図２において、１１７は半導体部品に相当する半導体素子１１４の電極、１１２は半導体素子１１４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示す。
図２及び図１５に示すステップ（図１５では「Ｓ」にて示す）１において半導体素子１１４の電極１１７上にＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。
【００１９】
次に、図３及び図１５に示すステップ２において、バンプ１１３を形成した半導体素子１１４を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の第１熱可塑性樹脂基材１２２上に一個もしくは複数個マウントする。ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは、本実施形態の場合、後述するように少なくともバンプ１１３の部材形成面１１５を第１熱可塑性樹脂基材１２２から露出させる必要から、基本的に半導体素子１１４の厚み以上、半導体素子１１４の厚みとバンプ１１３の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子１１４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは０．２ｍｍが好ましい。
【００２０】
次に、図４及び図１５に示すステップ３において、バンプ１１３付の半導体素子１１４がマウントされた第１の熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１、１７２間に挟み、バンプ１１３付半導体素子１１４と第１熱可塑性樹脂基材１２２とを加熱しながら、半導体部品押圧装置１７３にて相対的に押圧し、半導体素子１１４を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に挿入する。該熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０⁵Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分である。上記温度、圧力は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
【００２１】
ステップ４に対応する図５は、上記プレス後における半導体素子１１４及び第１熱可塑性樹脂基材１２２の状態を示した断面図である。第１熱可塑性樹脂基材１２２への半導体素子１１４の上記挿入動作により、本実施形態では図５に示すように、バンプ１１３の端面、つまり上記プレスによりバンプ１１３が熱プレス板１７１に接触した面である部材形成面１１５を第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出させた状態で、半導体素子１１４及びバンプ１１３は第１熱可塑性樹脂基材に埋設される。
このとき、本実施形態では、薄型化を図るため、半導体素子１１４の上記アクティブ面に対向する裏面１１４ａと、上記パターン形成面に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みや、熱プレス板１７１、１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより半導体素子１１４の裏面１１４ａを突出させても良い。
【００２２】
尚、上記部材形成面１１５が電気的接続面の機能を果たす一例である。又、本実施形態では、部材形成面１１５のみが第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３から露出しているが、例えばプレス板１７１の形状を工夫する等により、部材形成面１１５だけでなくバンプ１１３の一部又は全部をパターン形成面１２３より露出させても良い。このように構成したときには、上記電気的接続面は、パターン形成面１２３より露出した部分の外表面に相当する。尚、図１７にはバンプ１１３の部材形成面１１５及びその近傍部分をパターン形成面１２３より露出された場合を示している。
【００２３】
次に、図６及び図１５におけるステップ５において、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出したバンプ１１３の部材形成面１１５上を増加部形成部材１５０で押圧することで、部材形成面１１５にバンプ１１３から突部１１８をバンプ１１３と一体的に成形する。
即ち、増加部形成部材１５０は、例えば、内部に中空部１５１を有する円筒構造となったものを用いる。該増加部形成部材１５０に接続される加熱装置１５３にて増加部形成部材１５０を例えば２００℃に加熱し、増加部形成部材用押圧装置１５４にて、１バンプ当たり荷重１００ｇで、増加部形成部材１５０の先端１５２を上記部材形成面１１５に押圧することで、部材形成面１１５が変形し、バンプ１１３の一部が中空部１５０ａに入り込む。よって、押圧後において、部材形成面１１５には、該部材形成面１１５より突出した凸形状の突部１１８がバンプ１１３と一体的に成形される。
【００２４】
このような突部１１８を形成することで、後述する導電性ペーストによる回路パターンとの接触面積が、単に部材形成面１１５上に回路パターンを形成する場合と比較して増大する為に、接合信頼性がより増す。又、増加部形成部材１５０にて突部１１８を形成することから、例えばバンプ１１３上にさらにバンプを形成するような場合に比べてコスト低減を図ることができる。
【００２５】
又、上記増加部形成部材１５０は、上述の形状のものに限定されるものではなく、例えば図１８に示す棒状の増加部形成部材１５５のように、その先端１５６に、好ましくは端部を尖らした、好ましくは複数の凹凸部１５６１を形成したものを使用することもできる。このような増加部形成部材１５５の凹凸部１５６１をバンプ１１３の上記部材形成面１１５上に押圧することで、部材形成面１１５に凹凸部１１３１を形成することができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ１１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【００２６】
さらに増加部形成部材１５０の変形例として、図１９に示すような増加部形成部材１５７を用いることもできる。該増加部形成部材１５７は、バンプ１１３が収納される程度の中空部１５７１と、該増加部形成部材１５７の先端部が第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に押圧されたときバンプ１１３の周囲に、後述の導電性ペーストによる回路パターンとバンプ１１３との接触面積を増加させるための接触面積増加用溝１５７２を形成する先端部１５７３とを有する。このような増加部形成部材１５７を第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に押圧することで、バンプ１１３の周囲には上記接触面積増加用溝１５７２が形成され、該接触面積増加用溝１５７２によって第１熱可塑性樹脂基材１２２から露出した露出面１１３２がバンプ１１３に形成される。よって、パターン形成面１２３から露出するバンプ１１３の表面積を増大させることができ、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ１１３との接触面積を増大させることができ、接合の信頼性を増すことができる。
【００２７】
即ち、バンプ１１３に対して、後述する導電性ペーストによる回路パターンとバンプ１１３との接触面積を増加させるための接触面積増加部を形成する増加部形成部材を使用することができる。ここで上記接触面積増加部としては、上記突部１１８や、上記凹凸部１５６１にて部材形成面１１５に形成される凹凸部１１３１や、上記接触面積増加用溝１５７２により露出した上記露出面１１３２等が相当する。又、上記バンプに上記凹凸部１１３１を形成する場合、ステップ３にて熱プレス板１７１に半導体素子１１４を埋設するときを利用して、凹凸を設けた熱プレス板にてバンプに凹凸を形成するように構成することもできる。
【００２８】
次に、図７及び図１５におけるステップ６において、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて、突部１１８に接触するように、好ましくは図示するように突部１１８を埋設するようにして半導体素子１１４と電気的に接続される回路パターン１１６を、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３上に形成する。又、上述したバンプ１１３における上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２の場合においても、上記凹凸部１１３１や上記露出面１１３２と接触するように、好ましくはこれらを埋設するようにして半導体素子１１４と電気的に接続される回路パターン１１６が、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３上に形成される。
該導電性ペーストによる回路パターン１１６の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン１１６を形成する。尚、形成される回路パターン１１６は、本実施形態では、半導体素子１１４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状である。勿論、上記回路パターン１１６は、上記アンテナコイル形状に限定されるものではなく、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
このようにして、回路パターン１１６への半導体素子１１４の実装を行なう。又、該実装された図７に示す状態の構成部分を、半導体部品実装済部品１２１とする。
【００２９】
次に、図８及び図１５におけるステップ７において、上記半導体部品実装済部品１２１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチして、封止装置１２６、１２７にてラミネート処理し、半導体部品１２１の封止を行なう。該ラミネート処理の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０⁵Ｐａ、温度１２０℃、プレス時間１分、圧力保持時間１分である。
【００３０】
以上の工程を経て、図１に示すような、半導体素子１１４が実装されたモジュールとしての半導体部品実装済部品や、本実施形態の場合のように上記半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１０１が完成する。
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１１４を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、従来例における図２７に示すようなカード化後における半導体素子４の基材１ａへの沈み込みは発生しない。
よって、回路パターン１１６が断線することは無く、高品質の半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を製造することが可能になる。
さらに、異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無い為、異方導電性シート等の処理に要する工程は無く、高生産性且つ安価な半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を提供することが可能になる。
【００３１】
又、ステップ６にてパターン形成面１２３上に回路パターン１１６を形成した後、図９に示すように、当該回路パターンの所定の位置にコンデンサ、抵抗等の受動部品である電子部品１２９をマウントした、半導体部品実装済部品１２８を形成することも出来る。そして、図１０に示すように、該半導体部品実装済部品１２８をその厚み方向から第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチしてラミネート処理して、図１０に示す非接触ＩＣカード１０２を製造することも出来る。
【００３２】
又、上述した図１〜図１０では、半導体素子１１４と回路パターン１１６との接続箇所のみを示しているが、図７に示す半導体部品実装済部品１２１の全体を示す平面図を図１１に、図１１に示すＩ−Ｉ部の断面図を図１２に示し、さらに半導体部品実装済部品１２１の全体を第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてラミネート処理してなる非接触ＩＣカード１０１における上記Ｉ−Ｉ部分の断面図を図１３に示す。
【００３３】
又、図１４に示すように回路パターン１１６の外周端１３０と半導体素子１１４の電極１１７の対応部分１３１とをジャンパー接続する為に、回路パターン１１６に絶縁膜１３２を設けた後、外周端１３０と上記電極対応部分１３１とを導電性ペーストの印刷や導電性箔１３３等にて電気的に接続する。これにより、図示するようなジャンパーが完成する。尚、絶縁膜１３２の形成は、ポリエステル系の絶縁箔の接着や絶縁塗料の印刷により行なう。
【００３４】
又、回路パターン１１６の外周端１３０と半導体素子１１４の電極１１７の対応部分１３１とのジャンパー接続は、上述の方法に限定されるものではなく、例えば図１６に示すように、第１熱可塑性樹脂基材１２２に予め設けておいたスルーホール１８０を介して、導電性ペーストの印刷により回路パターン１１６の形成面とは反対側に回路パターン１３３を形成することによっても行うことができる。回路パターン１３３の形成は、半導体素子１１４を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋め込む前に実施しても良いし、回路パターン１１６形成後に実施しても良い。スルーホール１８０への導電性ペーストの充填は、回路パターン１１６の印刷時、もしくは、回路パターン１３３の印刷時に同時に行うことができる。
【００３５】
又、本実施形態では、回路パターン１１６の形成面と反対側に形成するパターン１３３はコイルジャンパーであるが、該構成に限定されるものではない。第１熱可塑性樹脂基材１２２を両面基板として、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成することができる。
【００３６】
以上の説明において、半導体部品実装済完成品の機能を果たす一例としての非接触ＩＣカードを製造する際に、半導体部品実装済部品１２１や半導体部品実装済部品１２８を、２つの熱可塑性樹脂基材１２４、１２５にてサンドイッチする構成をとっているが、該構成に限定されるものではない。例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２をプレート上に載置して、これを封止するようなときには、第３熱可塑性樹脂基材１２５のみを使用すればよく、製造する半導体部品実装済部品の種類や、機能に応じて、２つの熱可塑性樹脂基材１２４、１２５の使用を適宜工夫すれば良い。
【００３７】
又、上述の実施形態では、上述のように第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚み調整、及び熱プレス動作の制御を行なうことで、上記ステップ３にて、第１熱可塑性樹脂基材１２２へのバンプ１１３付半導体素子１１４の挿入動作と、バンプ１１３の部材形成面１１５のパターン形成面１２３への露出動作とを同じ工程にて処理しているが、これに限定されるものではない。即ち、上記電気的接続面、例えば部材形成面１１５をパターン形成面１２３に露出させず、上記ステップ６にて、押圧増加部形成部材１５０にて、突部１１８として露出させ、回路パターン１１６との電気的接続を図るように構成してもよい。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における、半導体部品実装済部品の製造装置、第２態様における、半導体部品実装済完成品の製造装置、及び第３態様の半導体部品実装済完成品によれば、半導体部品押圧装置にて半導体部品を基材に挿入後、挿入された半導体部品の回路接続部に対して接触面積増加装置にて接触面積増加部を形成し、該接触面積増加部を有する上記回路接続部に対して回路パターンを形成することで実装を完成させる。よって、実装時には異方導電性シートや異方導電性粒子を用いない為、従来に比べて大幅な生産性の向上とコストダウンが可能になる。又、上記基材に挿入された半導体部品に対して回路パターンを形成することから、従来発生したような半導体部品の基材への沈み込みを防ぐことが出来、その結果、回路パターンの断線が無く、高品質の半導体部品実装済部品、及び半導体部品実装済完成品を安定して生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態における半導体部品実装済完成品の断面図である。
【図２】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ１における状態を示す図である。
【図３】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ２における状態を示す図である。
【図４】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ３における状態を示す図である。
【図５】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ４における状態を示す図である。
【図６】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ５における状態を示す図である。
【図７】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ６における状態を示す図である。
【図８】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明する為の図であり、ステップ７における状態を示す図である。
【図９】 図１に示す半導体部品実装済完成品に備わる半導体部品実装済部品について、電子部品を回路パターン上に装着した状態を示す図である。
【図１０】 図９に示す半導体部品実装済部品をラミネート処理した状態を示す断面図である。
【図１１】 図１に示す半導体部品実装済完成品が非接触ＩＣカードの場合であって、該非接触ＩＣカードに備わる半導体部品実装済部品の平面図である。
【図１２】 図１１に示すＩ−Ｉ部における断面図である。
【図１３】 図１１における非接触ＩＣカードの上記Ｉ−Ｉ部における断面図である。
【図１４】 図１１における非接触ＩＣカードにて、ジャンパーを設けた状態を示す平面図である。
【図１５】 図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１６】 ジャンパーを設けた図１１における非接触ＩＣカードの変形例の断面図である。
【図１７】 図７に示す半導体部品実装済部品の変形例における断面図である。
【図１８】 図６に示す増加部形成部材の変形例を示す図である。
【図１９】 図６に示す増加部形成部材の別の変形例を示す図である。
【図２０】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図２１】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図２２】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２３】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２４】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２５】 従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２６】 従来の非接触ＩＣカードの構造を示す断面図である。
【図２７】 従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１，１０２…非接触ＩＣカード、１１３…バンプ、１１４…半導体素子、
１１５…部材形成面、１１６…回路パターン、１１７…電極、
１１８…回路接続用部材、１２１…半導体部品実装済部品、
１２２…第１熱可塑性樹脂基材、１２３…パターン形成面、
１２４…第２熱可塑性樹脂基材、１２５…第３熱可塑性樹脂基材、
１２８…半導体部品実装済部品、１２９…電子部品、１５０…増加部形成部材。

Claims (1)

1. 導電性ペーストにて形成される回路パターン（１１６）が形成されるパターン形成面（１２３）を有する基材（１２２）の裏面に対して、上記回路パターンに接触する回路接続部（１１３）を有する半導体部品（１１４）を上記回路接続部側から挿入し、上記回路接続部を上記パターン形成面に露出させ又は非露出な状態で近接するまで上記半導体部品を上記基材へ埋め込み、
   円筒形状にてなる増加部形成部材（１５０、１５５、１５７）を、上記パターン形成面に露出した上記回路接続部に押圧して、又は上記回路接続部近傍の上記パターン形成面に押圧して、上記回路パターンと上記回路接続部との接触面積を増加させる接触面積増加部（１１８，１１３１，１１３２）を上記回路接続部に形成する、
   ことを特徴とする半導体部品実装済部品の製造方法。

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