WO2005052533A1 - 圧力センサ装置 - Google Patents

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WO2005052533A1
WO2005052533A1 PCT/JP2004/017978 JP2004017978W WO2005052533A1 WO 2005052533 A1 WO2005052533 A1 WO 2005052533A1 JP 2004017978 W JP2004017978 W JP 2004017978W WO 2005052533 A1 WO2005052533 A1 WO 2005052533A1
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WO
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acoustic wave
surface acoustic
sensor device
pressure sensor
pressure
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/017978
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuhisa Momose
Kaoru Matsuo
Shinichi Shimokihara
Hisayuki Inoue
Masashi Kamada
Hiroshi Tachioka
Kouichi Maruta
Hiroshi Oka
Original Assignee
Kyocera Corporation
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Publication date
Application filed by Kyocera Corporation filed Critical Kyocera Corporation
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Priority to DE112004002281.9T priority patent/DE112004002281B4/de
Priority to JP2005515849A priority patent/JP4099504B2/ja
Publication of WO2005052533A1 publication Critical patent/WO2005052533A1/ja

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60VEHICLES IN GENERAL
    • B60CVEHICLE TYRES; TYRE INFLATION; TYRE CHANGING; CONNECTING VALVES TO INFLATABLE ELASTIC BODIES IN GENERAL; DEVICES OR ARRANGEMENTS RELATED TO TYRES
    • B60C23/00Devices for measuring, signalling, controlling, or distributing tyre pressure or temperature, specially adapted for mounting on vehicles; Arrangement of tyre inflating devices on vehicles, e.g. of pumps or of tanks; Tyre cooling arrangements
    • B60C23/02Signalling devices actuated by tyre pressure
    • B60C23/04Signalling devices actuated by tyre pressure mounted on the wheel or tyre
    • B60C23/0408Signalling devices actuated by tyre pressure mounted on the wheel or tyre transmitting the signals by non-mechanical means from the wheel or tyre to a vehicle body mounted receiver
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0008Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
    • G01L9/0022Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
    • G01L9/0025Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element with acoustic surface waves

Definitions

  • the present invention relates to a pressure sensor device that is used for monitoring the air pressure in a tire or the like, detects a pressure change of a gas, a liquid, or the like, and transmits an electric signal.
  • a portion configured by an element that detects a change in pressure is hereinafter referred to as a “sensor unit”.
  • a surface acoustic wave element 10 composed of comb-shaped electrodes is formed on a piezoelectric substrate 101 as an element constituting a sensor section. 4 and the surface acoustic wave element 107 are formed, and the area where the surface acoustic wave element 104 is formed is set to be thinner than the area where the surface acoustic wave element 107 is formed.
  • the surface stress of the piezoelectric substrate 101 changes due to the pressure applied to the surface acoustic wave element 104 formed in the thinned region, and the acoustic velocity of the acoustic surface wave is increased. Changes, the distance between the electrodes of the surface acoustic wave element 104 also changes. As a result, the resonance frequency of the surface acoustic wave element 104 changes, and the pressure can be detected based on the change in the resonance frequency.
  • the pressure sensor device also has a function of performing temperature compensation in accordance with a change in the resonance frequency of the surface acoustic wave elements 107 formed on the same piezoelectric substrate.
  • the surface acoustic wave element 104 formed on the sensor substrate 101 is provided so as to be exposed on the surface of the sensor substrate 101. There is nothing to protect Therefore, when this pressure sensor device is used in a form in which pressure is applied to the sensor substrate 101, the surface acoustic wave element 104 is exposed to air containing moisture and the like. Oxidation corrosion, alteration, and the like of the surface acoustic wave element 104 composed of, for example, are induced. In such a case, the electrical characteristics of the surface acoustic wave element 104 change, so that the pressure sensor device may not function properly.
  • the oscillation circuit connected to the surface acoustic wave element 104 is disposed in a form separated from the sensor substrate 101, and therefore, the pressure sensor device has It is difficult to reduce the overall structure, and the wiring connecting the surface acoustic wave element 104 and the oscillation circuit is susceptible to electromagnetic noise, resulting in malfunctions and reduced measurement accuracy. It also had drawbacks to invite.
  • An object of the present invention is to provide a pressure sensor device capable of dramatically improving reliability by protecting a sensor unit better from the external environment.
  • Another object of the present invention is to provide a pressure sensor device which is excellent in reliability and can be miniaturized by protecting a sensor unit and an oscillation circuit connected to the sensor unit from an external environment. is there.
  • a pressure sensor device includes: a support substrate; a sensor substrate having a sensor unit formed on a lower surface thereof for detecting pressure; joined to an upper surface of the support substrate and a lower surface of the sensor substrate; And a sealing material for forming a sealing space for sealing the sensor portion between the two.
  • the sensor substrate having the sensor section on the lower surface is The sensor unit is placed on a support substrate via a sealing material surrounding the sensor unit, and the sensor unit is hermetically sealed in a sealed space surrounded by the sensor substrate, the support substrate, and the sealing material. Therefore, it is possible to block the sensor from the outside air containing water, thereby effectively preventing changes in electrical characteristics due to oxidative corrosion or deterioration of the electrodes and the like of the sensor.
  • the sensor portion is isolated from the outside air, and foreign matter or the like hardly adheres to the electrodes and the like constituting the sensor portion. Resonance characteristics can be obtained, and the pressure sensor device can function normally for a long time.
  • the sensor unit includes a surface acoustic wave element for detecting pressure. Further, in the pressure sensor device according to the present invention, the sealed space is filled with an inert gas. By filling the sealing space with an inert gas, there is also an advantage that oxidation corrosion of a sensor portion and the like disposed in the sealing space can be more effectively prevented.
  • the sensor substrate is made of a piezoelectric material, and an ID electrode is formed on the surface of the sensor substrate to constitute the pressure-detecting surface acoustic wave device. is there.
  • an electrode pad electrically connected to the sensor unit is provided on a lower surface of the sensor substrate and inside the sealing material, and an upper surface of the support substrate A connection pad electrically connected to the electrode pad via a conductive bonding material is provided inside the sealing material.
  • the sealing member is made of a conductive material, and is electrically connected to a ground terminal provided on the support substrate.
  • This structure shields the sealing material This makes it possible to function as a material, thereby making the sensor section inside the sealed space less susceptible to external noise and operating more stably.
  • the upper surface of the sensor substrate if it is c
  • This structure is characterized in that the recess above the front Symbol sensor unit is formed, when subjected to pressure
  • the deformation of the portion where the recess is formed and the sensor substrate is thin becomes large, and a high sensitivity for detecting the pressure can be obtained.
  • the pressure sensor device is configured to compare an output signal between the pressure detection surface acoustic wave element and the lower surface of the sensor substrate located outside the formation region of the concave portion in the sealing space. It is characterized in that a reference surface acoustic wave element is provided. According to this pressure sensor device, the pressure acting on the sensor substrate can be detected based on the output signal of the pressure detection surface acoustic wave element while referring to the output signal of the reference surface acoustic wave element.
  • the pressure sensor device of the present invention further includes a first oscillation circuit that oscillates at a predetermined frequency based on a resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection, A second oscillation circuit that oscillates at a predetermined frequency, and a difference generation circuit that generates and outputs a converted signal by comparing an oscillation signal from the first oscillation circuit with an oscillation signal from the second oscillation circuit. And a modulation circuit that modulates the converted signal from the difference generation circuit and the oscillation signal from the second oscillation circuit and outputs the result to the outside.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection and the surface acoustic wave element for reference are formed on the same sensor substrate.
  • the temperature dependency is based on the resonance frequency of both elements in the difference generation circuit. It is canceled when the difference between the two oscillation signals is calculated.
  • a temperature-compensated pressure conversion signal can be obtained.
  • the pressure sensor device is further characterized in that a predetermined time is determined based on a delay time of an electric signal generated by the surface acoustic wave element for pressure detection.
  • a first oscillation circuit that oscillates at a frequency
  • a second oscillation circuit that oscillates at a predetermined frequency based on a delay time of an electric signal generated by the reference surface acoustic wave element, and an oscillation from the first oscillation circuit
  • a difference generation circuit that generates and outputs a converted signal by comparing a signal with an oscillation signal from the second oscillation circuit; and a conversion signal from the difference generation circuit and an oscillation signal from the second oscillation circuit.
  • a modulation circuit that modulates and outputs the result to the outside.
  • the oscillation signal from the second oscillation circuit can be used as a carrier signal to modulate the conversion signal from the difference generation circuit.
  • the number of parts is reduced, and the configuration and the assembly process are simplified.
  • the two elements are arranged in a line via a reflector between the two elements, and the two surface acoustic wave elements are arranged on both sides of the reflector. It is characterized by being shared as a reflector. With this structure, the total length of both surface acoustic wave elements can be shortened by sharing the reflector as a reflector for both surface acoustic wave elements arranged on both sides of the reflector. The size can be reduced.
  • a damping material for blocking transmission of a surface acoustic wave or reducing the intensity of a surface acoustic wave is disposed between the two elements on the sensor substrate. Things. With this structure, the surface acoustic wave can be effectively attenuated by the damping material, so that it is possible to prevent the surface acoustic wave from being reflected at the end of the piezoelectric substrate or the like.
  • the element may be provided on the sensor substrate.
  • the elements are arranged so that the propagation directions of the surface acoustic waves of the two elements are parallel to each other and are arranged in a direction orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic waves.
  • both surface acoustic wave elements are arranged in parallel, the total length of the surface acoustic wave element can be shortened.
  • a resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection is different from a resonance frequency of the surface acoustic wave element for reference.
  • the pressure sensor device of the present invention includes an IC chip including the first oscillation circuit, the second oscillation circuit, the difference generation circuit, and the modulation circuit. Are mounted on the same substrate.
  • the first oscillation circuit, the second oscillation circuit, the difference generation circuit, and the modulation circuit are integrated on a single IC chip, so that the IC chip and the sensor element are shared.
  • the sensor substrate is made of a piezoelectric material
  • the sensor unit is made of a surface acoustic wave element
  • the thickness of the sensor substrate located immediately below the reflector is determined by the thickness of the IDT electrode. In the vicinity, the area is not substantially equal to the area immediately below the IDT electrode, and the thickness gradually increases as the distance from the IDT electrode increases. Since the thickness of the piezoelectric substrate located immediately below the reflector is gradually increased as the distance from the IDT electrode increases, the piezoelectric substrate immediately below the IDT electrode easily bends in accordance with the change in pressure, and the change in pressure is reduced. Good detection is possible. Therefore, miniaturization is possible and high sensor sensitivity can be obtained.
  • the thickness of the sensor substrate located immediately below the IDT electrode may be smaller than the thickness of the sensor substrate located immediately below the reflector.
  • the pressure sensor device of the present invention is characterized in that an electronic component element having a part of the oscillation circuit is arranged on the support substrate. is there. According to this structure, since the electronic component element having a part of the oscillation circuit is also arranged in the above-described sealed space, this electronic component element is also protected from the external environment similarly to the sensor section. As a result, good electrical characteristics can be maintained. In addition, in this case, since the sensor section and the electronic component element are arranged close to each other, the wiring section connecting them can be shortened, so that the influence of electromagnetic noise is eliminated as much as possible, and malfunction or reduction in measurement accuracy is caused. It is possible to effectively prevent the occurrence of a defect.
  • the electronic component element having a part of the oscillation circuit in the above-mentioned sealed space, it is not necessary to separately secure a space for mounting the electronic component element outside the sealed space. Therefore, the overall structure of the pressure sensor device can be reduced in size.
  • the electronic component element is mounted on an upper surface of the support substrate. If the electronic component elements are mounted on the top surface of the support substrate, the mounting surface is hardly deformed by external pressure fluctuations, and can be mounted in an extremely stable state. Further, in the pressure sensor device of the present invention, a concave portion is formed in the upper surface of the support substrate or the lower surface of the support substrate in the sealing space, and the electronic component element having the oscillation circuit is embedded in the concave portion. It is characterized by becoming. According to this configuration, when the electronic component element is embedded in the concave portion formed on the upper surface of the support substrate, when mounting the sensor substrate on the support substrate, the distance between the sensor substrate and the support substrate must be reduced.
  • one end of one of the substrates is extended from the other substrate in a state of being separated from the other substrate to form an extended portion.
  • An acceleration detecting element for detecting acceleration is It is a digit.
  • the sensor substrate is easier to bend than the support substrate, so that the acceleration detection sensitivity can be improved.
  • the pressure sensor device further includes: a transmission circuit that transmits a signal obtained by modulating the conversion signal by a modulation circuit to the outside; and outputs a predetermined electric signal based on an acceleration detection signal from the acceleration detection element.
  • An acceleration detection circuit a power supply unit that supplies power to the transmission circuit; and a power supply control circuit that controls power supply from the power supply unit to the transmission circuit.
  • the power supply from the power supply means is controlled based on whether or not the power supply has been exceeded.
  • the acceleration detecting element is formed by a surface acoustic wave element
  • the pressure detecting section and the acceleration detecting element can be formed simultaneously in the same manufacturing process, so that the manufacturing process can be shortened, Productivity can be improved.
  • the pressure sensor device is characterized in that an antenna element electrically connected to the electronic component element is mounted on the upper surface of the support substrate and / or the lower surface of the sensor substrate.
  • the transmission signal output from the transmission circuit including the electronic component element and the sensor unit can be wirelessly transmitted to another receiving device, and the receiving device is located farther from the pressure sensor device. Pressure information can be obtained even at locations.
  • the antenna element is mounted outside the sealed space.
  • the pressure sensor device of the present invention may further include a support substrate upper surface and / or a sensor.
  • a sensor electrically connected to the electronic component element is attached to a lower surface of the sensor substrate. If the antenna pattern electrically connected to the electronic component element is attached to the upper surface of the support substrate and / or the lower surface of the sensor substrate of the pressure sensor device described above, the thickness of the pressure sensor device can be reduced. Further, the number of parts can be reduced, and the pressure sensor device can be reduced in size and cost.
  • the antenna pattern is mounted outside the sealed space.
  • an antenna pattern electrically connected to the electronic component element is attached on the upper surface of the sensor substrate.
  • the antenna pattern is formed in a region excluding the region immediately above the surface acoustic wave element for pressure detection.
  • the antenna pattern is meandering. As a result, the effective length of the antenna pattern can be increased, and the gain of the antenna can be increased.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the pressure sensor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view of a sensor substrate on which a surface acoustic wave element is used, which is used in the pressure sensor device. .
  • Figure 3 shows a cross section of a pressure sensor device with electronic components mounted on the lower surface of the support substrate 6.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a circuit configuration of the pressure sensor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a pressure sensor device equipped with a surface acoustic wave delay line type surface acoustic wave element.
  • FIG. 6 is a perspective view of a sensor board on which a surface acoustic wave delay line type surface acoustic wave element is mounted.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the pressure sensor device in which electronic components are mounted on the lower surface of the support substrate 6.
  • FIG. 8 is a perspective view showing another configuration example of the sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 9 is a perspective view showing still another configuration example of the sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 10 is a perspective view showing still another configuration example of the sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 11 is a perspective view showing still another configuration example of the sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 12 is a perspective view showing still another configuration example of the sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 13 is a perspective view showing still another configuration example of the sensor substrate used for the pressure sensor device.
  • FIG. 14 is a graph showing an example of the resonance characteristics of the surface acoustic wave element for pressure detection and the surface acoustic wave element for reference.
  • FIG. 15 is a graph showing the frequency-temperature characteristics of the surface acoustic wave element when a quartz substrate is used as the sensor substrate 1.
  • FIG. 16 (a) is a plan view showing a sensor substrate of a pressure sensor device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16B is a cross-sectional view showing the sensor substrate.
  • FIG. 16 (c) is a cross-sectional view showing a sensor substrate having another structure.
  • FIG. 17A is a plan view showing a state in which the pressure sensor device according to the second embodiment of the present invention is mounted on a substrate.
  • Fig. 17 (b) is a cross-sectional view showing the same pressure sensor device mounted on a board.
  • Fig. 17 (c) is a plan view showing the surface of the sensor substrate used for the pressure sensor device on which the surface acoustic wave element is mounted.
  • FIG. 17D is a plan view of a support substrate on which the pressure sensor device is mounted.
  • FIG. 18 is a diagram showing a pressure measurement system of the pressure sensor device.
  • FIG. 19 is a graph showing the results of measuring the resonance characteristics of the surface acoustic wave element used in the pressure sensor device of the type shown in FIG. 16 (b).
  • FIG. 20 is a graph showing the results of measuring the resonance characteristics of the surface acoustic wave element used in the pressure sensor device of the type shown in FIG. 16 (c).
  • FIG. 21 is a sectional view of a pressure sensor device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1 used in the same pressure sensor device.
  • FIG. 23 is a plan view showing the upper surface of a support substrate 6 used in the pressure sensor device.
  • FIG. 24 is a circuit diagram showing an example of an electrical configuration of an oscillation circuit and a difference generation circuit of the same pressure sensor device.
  • FIG. 25 is a schematic diagram for explaining the electrode finger spacing of the IDT electrode of the surface acoustic wave device.
  • FIG. 26 is a sectional view showing a pressure sensor device to which an antenna element is added. '
  • FIG. 27 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1 on which the surface acoustic wave delay line type surface acoustic wave element is mounted.
  • FIG. 28 is a perspective view showing a pressure sensor device in which an antenna pattern composed of meandering conductor patterns is formed on a support substrate.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing a pressure sensor device in which electronic component elements are installed in concave portions of a support substrate.
  • FIG. 30 is a sectional view of a pressure sensor device with an acceleration sensor.
  • FIG. 31 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1 on which the acceleration detecting element having the structure of the surface acoustic wave resonator is mounted.
  • FIG. 32 is a plan view showing the upper surface of the support substrate 6 of the pressure sensor device with the acceleration sensor.
  • FIG. 33 is a block diagram showing a circuit configuration of the pressure sensor device with the acceleration sensor.
  • FIG. 34 is a circuit diagram showing specific circuit configurations of the acceleration detection circuit and the power supply control circuit.
  • FIG. 35 is a cross-sectional view of a pressure sensor device with an acceleration sensor having another configuration.
  • FIG. 36 is a plan view showing the upper surface of the sensor substrate 1.
  • FIG. 37 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1.
  • FIG. 38 is a cross-sectional view of a pressure sensor device having an antenna pattern.
  • FIG. 39 is a plan view showing the upper surface of a sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • FIG. 40 is an external perspective view of a conventional pressure sensor device.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view of a conventional pressure sensor device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a pressure sensor device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a perspective view showing surface acoustic wave elements 2 and 3 formed on the lower surface of a piezoelectric substrate 1 constituting the pressure sensor device. It is.
  • the pressure sensor device is mainly composed of a sensor substrate 1, on which a reference surface acoustic wave element 3 and a pressure detection surface acoustic wave element 2 are mounted, a sealing material 4, and a support substrate 6. It is made.
  • the sensor section 11 is composed of the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure detection surface acoustic wave element 2.
  • the sensor substrate 1 has a concave portion 5 on an upper surface thereof.
  • an active surface acoustic wave element 2 for pressure detection is provided in a region directly below the concave portion 5 (hereinafter, referred to as a thin portion).
  • the reference surface acoustic wave element 3 is provided in a portion other than the thin portion (hereinafter, referred to as a thick portion).
  • the sensor substrate 1 is made of a single crystal exhibiting piezoelectricity (hereinafter, referred to as “piezoelectric crystal”) such as quartz, lithium niobate, lithium tantalate, or the like.
  • piezoelectric crystal such as quartz, lithium niobate, lithium tantalate, or the like.
  • the main surface of the sensor substrate 1 is formed by cutting an ingot of a piezoelectric crystal at a predetermined cut angle.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 are surface acoustic wave (Acoustic Surface Wave) type resonators that resonate at a predetermined frequency.
  • the digital digital transducer (abbreviated as “IDT”) formed on the surface of the sensor substrate 1 is composed of electrodes 2 a and reflectors 2 b formed on both sides of the IDT 2 a in the direction of surface acoustic wave propagation. Become.
  • the IDT 2a and the reflector 2b are formed by depositing a metal material such as aluminum or gold on the surface of the sensor substrate 1 by a film forming method such as sputtering evaporation. Using a technique such as photolithography, It is formed by patterning with a thickness of about 200 A.
  • the reference surface acoustic wave element 3 was also formed on both sides of the IDT 6a formed on the surface of the sensor substrate 1 and the propagation direction of the surface acoustic wave of the IDT 6a. Reflector 6b.
  • the method of manufacturing the same is the same as the method of manufacturing the surface acoustic wave element 2 for detecting pressure.
  • the joining portion 8 is formed in an annular shape on the surface of the sensor substrate 1 so as to surround the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference.
  • the joint 8 can be formed by the same material method as the IDTs 2a and 6a and the reflectors 2b and 6b. Its surface is coated with Ni plating or Au plating.
  • the joint 8 should be formed thick to improve adhesion strength Is preferred.
  • “7” shown in FIG. 2 is an electrode pad for supplying power for excitation to the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference.
  • the electrode pad 7 can be formed by the same material and method as the surface acoustic wave element 2 for pressure detection, the surface acoustic wave element 3 for reference, and the joint 8.
  • the supporting substrate 6 is required to have sufficient strength and mechanical properties such that it is not easily deformed even when subjected to an external pressure.
  • a ceramic material such as glass-ceramic is used.
  • a multilayer circuit board or the like is preferably used.
  • the support substrate 6 is formed by laminating and crimping a plurality of green sheets that are printed and applied so that a conductor pattern to be a wiring pattern or a via hole conductor forms a predetermined pattern, and then fired integrally. It is produced by doing.
  • connection pad (not shown) that is electrically connected to an electrode pad 7 formed on the lower surface of the sensor substrate 1 via a conductive bonding material such as solder is provided on an upper surface of the support substrate 6. It is formed at a portion facing the joint 8 formed on the lower surface of the substrate 1.
  • solder or conductive resin As the conductive bonding material for connecting the electrode pad ⁇ of the sensor substrate 1 and the connection pad of the support substrate 6, for example, solder or conductive resin is used.
  • connection between the electrode pad ⁇ on the lower surface of the sensor substrate 1 and the connection pad on the upper surface of the support substrate 6 be made at the thick portion. If the electrode pad 7 on the lower surface of the sensor substrate and the connection pad on the upper surface of the support substrate 6 are connected in a thin portion, the conductive bonding material used for this connection is a conductive material that is easily deformed. It is desirable to use a conductive resin or the like.
  • a bonding portion 9 that is bonded to the bonding portion 8 via the sealing material 4 is provided.
  • a sealing material 4 is provided so as to surround the surface acoustic wave element 3, the surface acoustic wave element 2 for pressure detection, and the electrode pad 7.
  • the sealing material 4 serves as a spacer.
  • the sealing material 4 may be made of a resin or a conductive material.
  • a resin material having excellent sealing properties such as an epoxy resin may be used. In this case, it is not always necessary to provide the joints 8, 9 and the like on the lower surface of the sensor substrate 1 and the upper surface of the support substrate 6.
  • a predetermined amount of a conductive filer such as metal fine particles is added to the encapsulant 4 so as to impart conductivity to the encapsulant 4 and then apply the conductive material to the lower surface of the support substrate.
  • the surface acoustic wave element is less affected by external noise and can be operated stably.
  • a conductive material is used as the sealing material 4
  • solder or AuSn which is a high melting point brazing material may be used.
  • AuS which is a high melting point brazing material is used so that the joint 8 does not re-melt and its characteristics do not change.
  • Use n The same effect can be obtained by using AuSi, SnAgCu, etc. in addition to AuSn, and these may be adopted.
  • this sealing material 4 is formed in a frame shape so as to surround the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure detection surface acoustic wave element 2, the inside thereof, specifically, the sensor substrate 1
  • the reference surface acoustic wave element 3, the pressure detection surface acoustic wave element 2, and the like can be hermetically sealed in a region (referred to as a sealing space S) surrounded by the support substrate 6, and the sealing material 4. .
  • a sealing space S a region surrounded by the support substrate 6, and the sealing material 4.
  • the sealing material 4 is connected to the ground terminal of the support substrate 6, so that the sealing material 4 is maintained at the ground potential when the pressure sensor device is used, so that the electromagnetic shielding property is improved. It works. Due to this shielding effect In addition, unnecessary external noise can be satisfactorily reduced by the sealing material 4.
  • the heat conduction between the support substrate 6 and the sensor substrate 1 can be improved in addition to the shielding effect. Abnormal rise in temperature can be reduced.
  • an inert gas such as a nitrogen gas or an argon gas. This makes it possible to more effectively prevent oxidation corrosion of the IDT electrode and the like.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection in the state where no pressure is applied, the surface acoustic wave element for pressure detection
  • the surface acoustic wave element 2 for pressure detection formed on the lower surface of the thin portion of the sensor substrate 1 is deformed when receiving an external pressure, and the propagation speed of the surface acoustic wave in the distorted portion changes and the pressure detection is performed.
  • the distance between the electrode fingers of the IDT of the surface acoustic wave device 2 also changes, and the resonance frequency changes due to the action of both. Therefore, a change in pressure can be detected based on a change in the resonance frequency of the surface acoustic wave element 7a.
  • a surface acoustic wave device has a predetermined temperature characteristic, and its resonance frequency drifts with a change in temperature.
  • the reference surface acoustic wave element 3 is used for that purpose.
  • the portion where the reference surface acoustic wave element 3 is formed is thick, so that the above-mentioned deformation is unlikely to occur even when subjected to external pressure. Therefore, the resonance frequency changes only in accordance with the temperature change, and this is used to correct the change data of the resonance frequency of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection, and the effect of the temperature change is corrected. Almost can be removed.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference Assuming that the third and third substrates are formed on separate piezoelectric substrates, it is necessary to calculate the change in the resonance frequency in consideration of the temperature difference between the two substrates, and use that to remove the effect of the temperature change.
  • the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the reference surface acoustic wave element 3 on the same sensor substrate 1, the surface acoustic wave element for reference
  • the “temperature vs. resonance frequency characteristics” of the element 3 and the surface acoustic wave element 2 for pressure detection are matched. Therefore, the amount of change in the resonance frequency of both surface acoustic wave elements due to the temperature change becomes equal, and the difference between the resonance frequency of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the resonance frequency of the surface acoustic wave element 3 for reference is obtained.
  • Alone can almost eliminate the effects of temperature changes. Thus, temperature compensation can be realized with a very simple configuration and method.
  • an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is configured.
  • a change in pressure of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 can be detected as a change in oscillation frequency.
  • the reference surface acoustic wave element 3 is connected to another oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3.
  • Such an oscillation circuit may be mounted in the form of an IC chip or the like on the upper or lower surface of the support substrate 6 or inside the support substrate 6, or a mother board disposed outside the support substrate 6. It may be mounted on top.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the pressure sensor device, showing an example in which an oscillation circuit and the like are mounted on the lower surface of the support substrate 6.
  • Terminal electrodes are provided on the lower surface of the support substrate 6, and an IC in which a first oscillation circuit, a second oscillation circuit, a difference generation circuit, and a modulation circuit, which will be described later, are integrated.
  • Chip 12 is mounted, power amplifier 15 and antenna 13 are mounted, and resin 14 is covered to cover them.
  • One field is formed.
  • the IC chip 12 and the sensor substrate 1 can be shared. It can be mounted on the support substrate 6. This makes it possible to reduce the weight and size of the pressure sensor device.
  • the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is connected to a first oscillation circuit 60a that oscillates at a predetermined frequency based on its resonance frequency, and oscillates from the first oscillation circuit 60a. Output to the difference generation circuit 60c.
  • the reference surface acoustic wave element 3 is connected to a second oscillation circuit 60b that oscillates at a predetermined frequency based on its resonance frequency, and is similar to the above-described surface acoustic wave element 2 for pressure detection. Then, the oscillation signal from the second oscillation circuit 60b is output to the difference generation circuit 60c.
  • the difference generation circuit 60 c is a mixing element (mixer) for comparing an output signal based on the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3 with an output signal based on the resonance frequency of the pressure detection surface acoustic wave element 2. ) including.
  • the difference generation circuit 60 c generates a conversion signal by calculating a difference between two oscillation signals based on the resonance frequency of both surface acoustic wave elements, and is applied from above the sensor substrate 1. External pressure fluctuations are detected.
  • the conversion signal generated by the difference generation circuit 60c is converted by the modulation circuit using the oscillation signal from the second oscillation circuit 60b described above as a reference signal.
  • the obtained pressure fluctuation data is amplified by a power amplifier circuit and transmitted and output to the outside via an antenna.
  • the oscillation signal based on the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3 is used as the reference signal when modulating the converted signal, it is necessary to separately prepare an oscillation circuit that generates the reference signal. Absent. Therefore, the number of parts can be reduced and the configuration and the assembling process can be simplified. Thus, the productivity of the pressure sensor device can be maintained high, and the weight and size of the pressure sensor device can be reduced.
  • the difference generation circuit 60c is used to extract the converted signal, but the first oscillation circuit 60a, the second oscillation circuit 60b, and the difference generation circuit 60 c may be constituted by one differential oscillation circuit.
  • the thickness of the sensor substrate 1 provided with the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is made thinner as a whole compared with the thickness of the portion where the surface acoustic wave element 3 for reference is formed. Therefore, the amount of deformation of the sensor substrate 1 when receiving pressure increases, and high sensitivity can be obtained as a pressure sensor device.
  • the temperature characteristics of the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure detection surface acoustic wave element 2 can be matched, and the temperature compensation can be performed with a very simple configuration and method. Can be realized.
  • the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure detection surface acoustic wave element 2 are arranged in the space S sealed by the sensor substrate 1, the support substrate 6, and the sealing material 4.
  • the element and the electrical connection between the two elements can be better protected from the external environment, and the reliability of the pressure sensor device can be dramatically improved.
  • the entire arrangement area of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is located at the thin portion.
  • the first wafer used here is an aggregate substrate of the support substrate 6, and the second wafer is an aggregate substrate of the sensor substrate 1.
  • the thickness of the second wafer is set to 200 to 300 2m.
  • a thin portion is formed for each sensor substrate 1 on which an individual pressure sensor device is formed.
  • the method of forming the thin portion is as follows.
  • the second wafer is affixed to a dicing tape with the electrode forming surface of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 or the like facing down, and in this state, the surface acoustic wave for pressure detection is etched or sandblasted.
  • the processing is performed so that the thickness of the sensor substrate 1 located immediately below the element 2 is smaller than the other regions.
  • connection pad of the first wafer and the electrode pad 7 of the second wafer, and the bonding portion 9 of the first wafer and the bonding portion 8 of the second wafer were temporarily connected via solder paste.
  • solder paste in which AuSn powder is dispersed in an organic vehicle is used.
  • the solder paste is applied and formed on the connection pad and the joint 9 by a conventionally known screen printing method or the like.
  • each electrode pad 7 and joint 8 of the second wafer are opposed to a corresponding connection pad and joint 9 of the first wafer.
  • the first wafer and the second wafer are heated to melt the solder paste.
  • the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure detection surface acoustic wave element 2 are surrounded by the sealing material 4, and the electrode pads of the first wafer are electrically connected. It is electrically connected to pole pad 7.
  • the second wafer is cut by dicing, the second wafer is divided into a plurality of sensor substrates 1, and a liquid resin is applied so as to fill the gap between adjacent piezoelectric substrates. And heat cured.
  • a liquid resin is applied so as to fill the gap between adjacent piezoelectric substrates.
  • heat cured it is preferable to use vacuum printing, since it is necessary to effectively fill the gap when the liquid resin is applied.
  • the first wafer is cut by dicing or the like together with the resin described above.
  • the pressure sensor device divided for each support substrate 6 is manufactured.
  • the resin functions as a protective material for protecting the end surface of the sensor substrate 1 having a small thickness.
  • the pressure sensor device thus configured is connected to, for example, the above-described transmission circuit 60, and combined with a difference generation circuit, a power amplifier, a power supply, and an antenna, thereby being attached to the tire of the automobile and being mounted on the tire. It can be used as a tire condition monitoring device (TPMS) that transmits and outputs a radio signal according to the change in air pressure of the vehicle.
  • TPMS tire condition monitoring device
  • FIGS. 1 and 2 a pressure sensor device using a surface acoustic wave delay line as a surface acoustic wave element will be described with reference to FIGS.
  • FIGS. 1 and 2 only the points different from the above-described embodiment of FIGS. 1 and 2 will be described, and the same components will be denoted by the same reference numerals, without redundant description. .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the pressure sensor device of the present embodiment
  • FIG. 6 is an external perspective view showing a sensor substrate 1 used in the pressure sensor device.
  • the pressure sensor device of the present embodiment is different from the pressure sensor devices of FIGS. 1 and 2 described above in that the pressure detecting surface acoustic wave element 2 and the reference surface acoustic wave element 3 of the sensor substrate 1 It is configured as a surface wave delay line.
  • the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is composed of a pair of IDT electrodes 2a arranged at an interval on the surface of the sensor substrate 1 and a surface acoustic wave propagation path 2c therebetween.
  • the thin portion of sensor substrate 1 is It is provided over the entire area where the output surface acoustic wave element 2 is provided.
  • the reference surface acoustic wave element 3 is also a surface acoustic wave delay line type. That is, it is composed of a pair of IDT electrodes 6a arranged at a predetermined interval on the lower surface of the sensor substrate 1, and a surface acoustic wave propagation path 6c between them.
  • a damping material 17 made of concrete resin or the like is formed. It is not necessary to provide the damping material 17 as long as the surface acoustic wave reflected at the end of the sensor substrate 1 has an acceptable intensity.
  • the length of the surface acoustic wave propagation path changes and distortion occurs in the surface acoustic wave element 2 for pressure detection. Since the propagation speed of the surface acoustic wave at the portion changes, and the delay time of the electric signal changes due to the action of both, the change in pressure is detected in the same manner as in the previous embodiment by detecting the change in the delay time. Can be detected.
  • an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the delay time of the electric signal generated by the surface acoustic wave delay line of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is connected.
  • a change in pressure can be detected as a change in oscillation frequency.
  • the reference surface acoustic wave element 3 is connected to an oscillation circuit that oscillates at a frequency corresponding to the delay time of the electric signal generated by the reference surface acoustic wave element 3.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 are formed on the same sensor substrate 1, the temperature dependence of the delay time is caused by both surface acoustic wave elements 2, By taking the difference between the oscillation signals in step 3, it is canceled and the temperature can be corrected.
  • the elasticity table for pressure detection is used.
  • the entire area where the surface acoustic wave element 2 is disposed is located at the thin portion, instead of this, a part of the area where the pressure detecting surface acoustic wave element 2 is disposed, for example, only the propagation path 2c is thin. Or the propagation path 2c and a part of the IDT electrode 2a may be located in a thin portion.
  • the oscillation circuit may be realized by an IC chip and mounted on the upper or lower surface of the support substrate 6 or inside the support substrate 6, or mounted on a motherboard outside the support substrate 6. Is also good.
  • FIG. 7 shows an example in which an oscillation circuit and the like are mounted on the lower surface of the support substrate 6.
  • a terminal electrode (not shown) is provided on the lower surface of the support substrate 6, and an IC chip 12 in which a first oscillation circuit, a second oscillation circuit, a difference generation circuit, and a modulation circuit are integrated. Are mounted, and further, a power amplifier 15 is mounted, and a resin 14 is molded so as to cover them.
  • the functions of the first oscillation circuit, the second oscillation circuit, the difference generation circuit, the modulation circuit, and the like are exactly the same as those described with reference to FIG. 4, and will not be described again here. .
  • FIG. 8 shows that the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference are arranged in a row on the lower surface of the sensor substrate 1, and the reflector 2b of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection
  • FIG. 6 is a diagram showing a structure in which a reflector 3b of a surface acoustic wave element 3 for pressure detection and a reflector 3b of the surface acoustic wave elements 2 and 3 are shared.
  • the pressure sensor device since the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 share the reflector 2b (3b) located between them, The area of the sensor substrate 1 including the surface acoustic wave element 2 and the reference surface acoustic wave element 3 can be further reduced, and the pressure sensor device can be further reduced in weight. As a result, even when the pressure sensor device is used, for example, for the purpose of monitoring the air pressure in the evening, the centrifugal force generated by the rotation of the tire can be reduced, so that the pressure sensor inside the tire is reduced. It is possible to reduce the possibility that the equipment will be unlocked and break down. it can.
  • FIG. 8 shows an example in which the common reflector 2 b (3 b) is formed over the inside and outside of the formation region of the recess 5, but the common reflector 2 b (3 b) The whole may be formed in the formation region of the recess 5 or outside the formation region of the recess 5.
  • the area in which the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is formed is easily deformed and the sensitivity of the pressure sensor device is increased. It is preferable to form the entire 2b (3b) in the region where the concave portion 5 is formed.
  • Fig. 10 shows damping that blocks the transmission of surface acoustic waves or reduces the strength of surface acoustic waves between the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the reference surface acoustic wave element 3 on the sensor substrate 1.
  • the structure in which the materials 16 are arranged is shown. According to the present pressure sensor device, transmission of the surface acoustic wave between the surface acoustic wave element for pressure detection 2 on the surface of the sensor substrate 1 and the surface acoustic wave element for reference 3 is reduced or the intensity of the surface acoustic wave is reduced.
  • the damping material 16 Since the damping material 16 is arranged, even if the pressure sensor devices are miniaturized, they are arranged adjacently so that the carrier waves of each surface acoustic wave travel on the same line, and the two The leaking carrier wave that has not been completely reflected by the reflector is well absorbed by the damping material 16 located between the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference. Therefore, the leaked carrier and the carrier of the adjacent surface acoustic wave element 2 for reference or the surface acoustic wave element 3 for pressure detection hardly interfere with each other, and as a result, pressure measurement can be performed accurately.
  • any material capable of damping a carrier wave such as resin or metal can be used, and preferably, silicone rubber is used.
  • a material having elasticity such as rubber is used.
  • the damping material is, for example, silicone rubber
  • the damping material is arranged by printing on the surface of the sensor substrate 1 using a conventionally known screen printing method.
  • the damping material 16 is continuously arranged between the adjacent reflectors 2b and 3b at least in a region from between one opposing end to the other opposing end. If so, the effect of damping the leaking carrier can be obtained. Further, the width of the damping material 16 is appropriately determined by the interval between the adjacent reflectors 2b and 3b, and is usually about several ⁇ m to about several tens of m. Further, by forming the damping material 16 so as to be in contact with the support substrate 6, an effect of damping the leaking carrier wave can be obtained.
  • the damping material 16 may be formed so as to surround the pressure detecting surface acoustic wave element 2 and the reference surface acoustic wave element 3 respectively. Further, as shown in FIG. 11 (b), the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 are surrounded by one large damping material 16 and at the same time, the surface acoustic wave element for pressure detection 2 Also, the damping material 16 may be formed between the reference surface acoustic wave elements 3. In this case, by using the damping material 16 as a conductor material such as solder or conductive resin, the function of the bonding portion 8 can also be achieved, and the number of steps is not increased.
  • a configuration in which a surface acoustic wave element for pressure detection 2 and a reference surface acoustic wave element 3 on a sensor substrate 1 are arranged in parallel can also be adopted. That is, the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference are arranged in parallel, and in parallel so that the propagation directions of the surface acoustic waves of the two elements 2 and 3 are parallel.
  • the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference on the sensor substrate 1 are arranged in parallel, the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is referred to as Surface acoustic wave element 3 on the same substrate Even if the surface acoustic wave is formed in a small size, the surface acoustic waves do not travel on the same line, so the surface acoustic wave generated from the reference surface acoustic wave element 2 and the surface acoustic wave element for pressure detection 3 The surface acoustic waves do not interfere with each other, and as a result, pressure measurement can be performed accurately.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 are displaced from each other in the traveling direction of the surface acoustic wave from the viewpoint of preventing the interference of the respective surface acoustic waves. They may be arranged, but from the viewpoint of miniaturization, it is preferable to arrange them side by side as shown in FIG.
  • the electrode pads 7 of both electrodes should be used in common. Thereby, further miniaturization becomes possible.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 on the sensor substrate 1 and the resonance frequency of the surface acoustic wave element for reference 3 are formed so as to be different from each other. Is also good.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 on the sensor substrate 1 and the resonance frequency of the surface acoustic wave element for reference 3 are different from each other, the surface acoustic wave element for pressure detection 2 Even if the reference surface acoustic wave element 3 and the surface acoustic wave element 3 are formed close to each other on the same substrate and miniaturized, the interference between the carrier wave of the reference surface acoustic wave element 3 and the carrier wave of the pressure detection surface acoustic wave element 2 does not occur. No pressure measurement can be performed accurately.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is fr 2
  • the anti-resonance frequency is fa 2
  • the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3 is fr 3
  • the anti-resonance is When the frequency is fa3, fa2 ⁇ fr3 (1)
  • Each frequency may be set so that
  • the horizontal axis is frequency (unit is MHz), and the vertical axis is insertion loss (unit is d B), an example of the resonance characteristic of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is shown by a dotted line, and an example of the resonance characteristic of the surface acoustic wave element for reference 3 is shown by a solid line.
  • the piezoelectric material of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 has a resonance frequency (fr) at which the insertion loss is minimized, and an insertion loss of It has an anti-resonance frequency (fa) which is a maximum frequency, and has a relationship of fr: fa.
  • the expressions (1) and (2) indicate that the frequency band (fr 2 to fa 2) from the resonance frequency fr 2 to the anti-resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 to fa 2 and the reference elastic surface Set the resonance frequency and anti-resonance frequency of the wave element 3 such that the frequency band from fr 3 to the anti-resonance frequency fa 3 (fr 3 to: fa 3) does not overlap.
  • the resonance frequency fr 2 and the anti-resonance frequency of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection: fa 2 and the resonance frequency fr 3 and the anti-resonance frequency of the surface acoustic wave element 3 for reference 3 and the anti-resonance frequency: a 3 are represented by the formula (1) or
  • the resonance frequency of the pressure-sensitive surface acoustic wave element 2 the frequency band from fr 2 to the anti-resonance frequency up to fa 2 (fr 2 to: fa 2), and the reference surface acoustic wave
  • the resonance frequency of the element 3 is overlapped with the frequency band (fr 3 to fa 3) from fr 3 to the anti-resonance frequency fa 3
  • the surface acoustic wave leaking from the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is fr 3 ⁇ :
  • A appears as a spur in the frequency band of a3, or a surface acoustic wave that requests the surface acoustic wave element 3
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 is fr 2
  • the anti-resonance frequency is f a′2
  • the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3 is r 3
  • the anti-resonance frequency is fa 3
  • FIG. 14 shows that the reference surface acoustic wave element 3 having a resonance frequency (fr 3) of 31.4.68 MHz and an anti-resonance frequency (fa 3) of 31.4.82 MHz is shared. The vibration characteristics are shown.
  • H Electrode film thickness of metal material ( ⁇ m)
  • e Wavelength (zm)
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is fr 2> 3 1 4.
  • the wavelength of the elastic surface acoustic wave element 2 for pressure detection is 2 ⁇ 9.879 ⁇ m and the electrode finger width of the IDT electrode is P 2 ⁇ 2.470 ⁇ m.
  • the wave length of the reference surface acoustic wave element 3 is 32.9.883
  • the electrode finger of the IDT electrode 2.47 1 ⁇ m.
  • the anti-resonance frequency of the pressure detection surface acoustic wave element 2 is similarly calculated from the resonance frequency: fr 2 Up to the frequency band (fr 2 to: a 2) and the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3: the frequency band from fr 3 to the anti-resonance frequency fa 3 (fr> 3 to: fa 3). What is necessary is just to set so that it may not overlap.
  • FIG. 15 is a graph showing the frequency-temperature characteristics of the surface acoustic wave device when a quartz substrate is used as the sensor substrate 1.
  • the horizontal axis represents temperature (unit: C), and the vertical axis represents frequency change rate (unit: ppm).
  • a single crystal piezoelectric material having a peak temperature a single crystal piezoelectric material having a peak temperature
  • the peak temperature is determined by the relationship between the cut angle of the material and the normalized film thickness ( ⁇ / e) of the electrode thickness of the metal material forming the IDT electrode and the like.
  • is the electrode film thickness (ni) of the metal material
  • is the wavelength ( ⁇ m).
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 are made different as in the present invention, the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 Therefore, if the electrode thickness of the metal material is the same, the normalized film thickness (H / person) will be different, and the peak temperature of the frequency temperature characteristics will also be different. From this relationship, if the resonance frequency difference between the resonance frequencies of the surface acoustic wave element for pressure detection 2 and the surface acoustic wave element for reference 3 increases, the difference between the normalized film thicknesses also increases. The peak temperature difference also increases.
  • the resonance frequency fr 2 of the pressure detecting negative surface acoustic wave element 2 Frequency band up to fa 2 (fr 2 to fa 2)
  • the resonance frequency of the reference surface acoustic wave element 3 from fr 3 to the anti-resonance frequency frequency band up to fa 3 (fr 3 to: fa 3)
  • the resonance frequency and anti-resonance frequency of each are set so that they do not overlap with each other. If a single-crystal piezoelectric material with a frequency-temperature characteristic such as a quartz substrate that exhibits a quadratic curve is used, surface acoustic waves for pressure detection It is preferable to form the element 2 and the reference elastic surface acoustic wave element 3 so that the peak temperature difference does not largely deviate, for example, the peak temperature difference is within ⁇ 5 °
  • the frequency temperature change of the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference causes a measurement error in pressure measurement. Therefore, when the temperature difference between both peaks exceeds ⁇ 5 ° C, the electrode thickness H of the metal material is changed by metal film etching such as plasma etching so that both normalized film thicknesses (H / e) become the same. It is sufficient that the reference surface acoustic wave element 3 and the pressure surface acoustic wave element 2 have the same standardized film thickness ( ⁇ / ⁇ ) by performing the etching process using the technology.
  • the surface acoustic wave element 2 for detecting pressure is Although formed on the lower surface side of the substrate 1, the elastic surface wave element 2 for pressure detection may be formed on the upper surface side of the sensor substrate 1 instead.
  • FIGS. 16 (b) and 16 (c) are views showing a pressure sensor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 (a) is a top view
  • FIGS. 16 (b) and 16 (c) are cross-sectional views. It is.
  • the pressure sensor device shown in FIG. 1 includes a sensor substrate 10 and a surface acoustic wave element 20 for pressure detection composed of an IDT electrode 21 and a reflector 22 formed on the upper surface of the sensor substrate 10.
  • the sensor substrate 10 is made of, for example, a piezoelectric single crystal such as quartz crystal, lithium tantalate single crystal, lithium niobate single crystal, lithium tetraborate single crystal, or a piezoelectric single crystal such as lead titanate or lead zirconate.
  • a piezoelectric single crystal such as quartz crystal, lithium tantalate single crystal, lithium niobate single crystal, lithium tetraborate single crystal, or a piezoelectric single crystal such as lead titanate or lead zirconate.
  • the surface acoustic wave element for pressure detection 20 is electrically connected to the IDT electrode 21 for exciting the surface acoustic wave, the reflectors 22 and IDT electrodes 21 disposed on both sides of the IDT electrode 21 along the propagation direction of the surface acoustic wave. It is composed of a pad electrode 23 for external connection and the like, which are electrically connected.
  • the IDT electrode 21, the reflector 22, and the pad electrode 23 are made of, for example, a metal material such as aluminum or an alloy containing aluminum as a main component.
  • the IDT electrode 21 is a pair of comb-shaped electrodes 21 a and 21 b each having a strip-shaped common electrode arranged in parallel with each other and a plurality of electrode fingers extending in a direction perpendicular to these common electrodes. It is composed of
  • the IDT electrode 21 When a predetermined electric power is applied from the outside, the IDT electrode 21 has a predetermined surface acoustic wave corresponding to the arrangement pitch of the electrode fingers on the upper surface of the sensor substrate 10, specifically, the arrangement pitch of the electrode fingers is changed by one. Work to generate surface acoustic waves with two wavelengths Make a business.
  • the reflector 22 confines the energy of the surface acoustic wave generated in the formation region of the IDT electrode 21 between the pair of reflectors 22a and 22b, and effectively generates a standing wave. It has the effect of causing.
  • the electrode pad 10 formed so as to be electrically connected to the IDT electrode 21 is bonded to a thin metal wire or bump for making an electrical connection with the outside, and a predetermined external It has a function of applying a voltage.
  • the surface acoustic wave element for reference 30 has the same configuration as the surface acoustic wave element for pressure detection 20 described above.
  • the surface acoustic wave element for reference 30 is arranged at a distance from the surface acoustic wave element for pressure detection 20 so that the resonance frequency does not change before and after the pressure change.
  • the reference surface acoustic wave element 30 has an IDT electrode 31 and a reflector 32 formed on the sensor substrate 10 so that the propagation direction of the surface acoustic wave is the same as that of the surface acoustic wave element 20 for pressure detection. It was done.
  • groove-shaped concave portions 40, 40 ′ are formed on the lower surface of the sensor substrate 1.0 located immediately below the IDT electrode 21, and the thickness of this portion is different from that of the sensor substrate 1.0. Area is thinner.
  • the thickness of the sensor substrate 10 located immediately below the reflector 22 is gradually increased as the distance from the IDT electrode 21 increases.
  • the thickness of the sensor base 10 changes stepwise just below the IDT electrode 21 and immediately below the reflector 22.
  • Such a pressure sensor device is manufactured by the method described below. First, a piezoelectric single-crystal mother substrate (wafer) is prepared, and an electrode film is formed on the substrate by vapor deposition and sputtering. Next, a resist is spin-coated on the electrode film, exposed and developed using a stepper device or the like, and then etched using an RIE device or the like to form an electrode pattern such as an IDT or a reflector on the substrate. To form As a result, the wafer table A large number of surface acoustic wave elements 20 for pressure detection and a plurality of surface acoustic wave elements 30 for reference are formed vertically and horizontally on the surface.
  • this wafer is affixed to a dicing tape with the surface on which the electrodes of the surface acoustic wave element are formed facing down, and in this state, the sensor substrate 10 located directly below the IDT electrode 21 is etched or sandblasted. Work so that the thickness is thinner than other areas. Thereafter, the wafer is diced and cut to complete the individual pieces of the pressure sensor device.
  • the chip size of the pressure sensor device differs depending on the resonance frequency of the resonator, but when used at a resonance frequency of about 300 MHz, it is about 10 mm x 5 mm X 0.3 mm (length x width) x thickness).
  • the thickness of the sensor substrate 10 directly below the IDT electrode 21 is determined by the relationship between the desired sensor sensitivity and the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 20. Specifically, 10 ⁇ ! It is preferable to set it in the range of 100 to 100 m. If the thickness is less than 10 ⁇ m, the strength of the sensor substrate 10 becomes brittle, and there is a tendency for problems such as cracking from that portion. On the other hand, if the thickness is 100 ⁇ m or more, the amount of deflection due to pressure decreases, and the sensitivity tends to deteriorate.
  • FIG. 17 is a diagram showing a state in which the pressure sensor device of the present invention shown in FIG. 16 (b) is mounted on a support substrate 6, (a) is a top view, and (b) is a view (a). 3 is a cross-sectional view taken along line X-X, (c) is a top view of the pressure sensor device, and (d) is a top view of the support substrate 6. Note that this pressure sensor device does not illustrate the reference surface acoustic wave element 30.
  • a bump electrode 61 is formed before a pad electrode 23 connected to the IDT electrode 21.
  • the bump electrode 61 is electrically connected to the bump electrode 61 formed on the support substrate 6 by a solder bump 62.
  • the space between the sensor substrate 10 and the support substrate 6 is hermetically sealed with resin.
  • a dam is formed between the solder bump 62 and the resin to prevent the resin from flowing.
  • the space between the sensor substrate 10 and the support substrate 6 is kept at atmospheric pressure and hermetically sealed. Has been.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing an actual pressure measurement system.
  • the pressure sensor device is pressurized in a gas chamber 90 by nitrogen injected from a nitrogen cylinder 91.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave element for pressure detection 20 is measured by the network analyzer 93 while confirming the pressure rise by the pressure gauge 92.
  • FIG. 19 shows the resonance characteristics of the pressure sensor device of FIG. 17 before the pressure fluctuation (atmospheric pressure state) and after the pressure fluctuation (pressurized state).
  • the vertical axis in Fig. 19 (b) is the insertion loss (dB), and the horizontal axis is the frequency (MHz).
  • a surface acoustic wave resonator (resonant frequency: 31.5 MHz) for RKE (Remote Keyless Entry Security) was used as the resonator.
  • the resonance characteristic of the dotted line shown in FIG. 19 is before the pressure change (atmospheric pressure state), and the resonance characteristic of the solid line is after the pressure change (the pressurized state).
  • the resonance characteristics after the pressure fluctuation are shifted toward the lower frequency side of the resonance frequency.
  • the IDT electrode 21 of the surface acoustic wave element for pressure detection 20 was deformed in a convex shape due to the pressure fluctuation. That is, the wavelength determined by the pitch of the IDT electrode 21 increases due to the deformation of the IDT electrode 21, and the resonance frequency, which is related to the inverse of the wavelength, is shifted to the lower frequency side.
  • the change in the resonance frequency can be converted into pressure by measuring the change in the resonance frequency.
  • the advantage of the pressure sensor device of the present invention is that in the resonance characteristics of the surface acoustic wave element for pressure detection 20 after pressure fluctuation (pressurized state) shown by a solid line in FIG. Is not deteriorated.
  • Figure 20 shows the resonance characteristics of the device before pressure fluctuation (atmospheric pressure state) and after fluctuation (pressurized state).
  • the resonance characteristic of the dotted line shown in m 20 is before the pressure change (atmospheric pressure state), and the resonance characteristic of the solid line is after the pressure change (at the time of pressurization).
  • the resonance frequency after the pressure fluctuation shows that the resonance frequency is shifted to the lower frequency side. This is because the IDT electrode 21 of the surface acoustic wave element for pressure detection 20 was deformed in a convex shape due to the pressure fluctuation. That is, the wavelength determined by the interval between the IDT electrodes 21 becomes larger due to the deformation of the IDT electrodes 21, and the resonance frequency, which is inversely related to the wavelength, is shifted to the low-wave side.
  • the change in the resonance frequency can be converted into pressure by measuring the change in the resonance frequency.
  • An advantage of the pressure sensor according to the present invention is that the amount of change in the resonance frequency before and after the force change is large as shown in FIG.
  • the thickness of the sensor substrate 10 located directly below the IDT electrode 21 of the surface acoustic wave element 20 for pressure detection is determined by the thickness of the reflector 20. Since the thickness of the sensor substrate 10 located immediately below is made thinner than the thickness of the sensor substrate 10, the amount of deflection of the sensor substrate 10 located immediately below the IDT electrode 21 due to pressure fluctuations can be increased, so the resonance frequency changes before and after pressure fluctuations The volume can be increased and a pressure sensor with high sensitivity can be obtained.
  • the reflectors 22 on both sides of the deformation of the IDT electrode 21 due to the pressure fluctuation also cause pressure fluctuation.
  • the reflection efficiency of the reflector 22 does not decrease, so that a resonance characteristic with a large energy confinement effect of the surface acoustic wave and a small loss can be obtained in the surface acoustic wave element 20 for pressure detection.
  • the present invention is applied to an elastic member having one terminal pair.
  • the present invention can be applied to a resonator filter using a design method utilizing the energy confinement effect of a surface acoustic wave as in the present invention.
  • the present invention is also applicable to a two-port resonator, a multi-mode filter, and the like.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the pressure sensor device
  • FIG. 22 is a plan view showing a lower surface of a sensor substrate 1 used in the pressure sensor device
  • FIG. 23 is a plan view showing an upper surface of a support substrate 6 used in the pressure sensor device.
  • FIG. 24 is a circuit diagram showing an electrical configuration of an oscillation circuit and a difference generation circuit of the pressure sensor device.
  • the pressure sensor device generally includes a sensor substrate 1, a support substrate 6, an electronic component element 50, and a sealing material 4.
  • the sensor section 11 is deformed according to the pressure applied to the sensor board 1, and detects a pressure change.
  • a sensor section 11, an electrode pad 7, and an extraction electrode 71 connecting the both are formed on the lower surface of the sensor substrate 1.
  • a junction 8 is provided around the sensor 11, the electrode pad 7, and the extraction electrode 71 so as to surround them, and the sealing material 4 is joined to the junction 8. Is done.
  • the sensor substrate 1 is preferably made of a material that can be formed integrally with the sensor portion 11 and that can be deformed relatively easily when subjected to external pressure.
  • the material include quartz, lithium niobate, and tantalum.
  • a piezoelectric material such as lithium oxide is preferably used.
  • the sensor unit 11 includes a surface acoustic wave resonator 2 including an IDT electrode 2a and a pair of reflector electrodes 2b formed on both sides of the IDT electrode 2a in the direction of propagation of the surface acoustic wave. Further, the IDT electrode 2 a is connected to the electrode pad 7 via the extraction electrode 71.
  • the IDT electrode 2a and the reflector electrode 2b are provided on the surface of the sensor substrate 1, for example, It is formed by forming a metal material such as aluminum or gold into a pattern with a thickness of about 200 OA using thin film forming technology such as sputtering and vapor deposition, and photolithography technology. .
  • the electrode pad 7 and the extraction electrode 71 are formed by patterning a metal material such as aluminum or gold by a thin film forming technique or photolithographic technique in the same manner as the IDT electrode 2a described above. Obtained by The electrode pad 7 is preferably formed to have a large thickness in order to improve the adhesion strength to the base. Further, by giving a surface such as Cr, Ni, Au or the like to the surface thereof, the bondability with the conductive bonding material 70 can be improved.
  • the support substrate 6 As the characteristics required for the support substrate 6, it is important that the support substrate 6 has almost no deformation due to external pressure and has sufficient strength.
  • a multilayer circuit board or the like using a ceramic material such as a ceramic material is used.
  • connection pad 53 On the upper surface of the support substrate 6, a connection pad 53 is provided, on which the electronic component element 50 is mounted and which is connected to the electrode pad 7 via the conductive bonding agent 70.
  • the connection pad 53 is electrically connected to the electronic component element 50 by a part of the internal wiring pattern 24 formed on the surface or inside of the support substrate 6. Therefore, the surface acoustic wave device 2 and the electronic component device 50 are electrically connected in this manner. ''
  • a bonding portion 9 is provided around the electronic component element 50 and the connection pad 53 so as to face the bonding portion 8 described above. Are joined. Therefore, a sealing space S surrounded by the lower surface of the sensor substrate 1, the upper surface of the support substrate 6, and the sealing material 4 can be formed inside the joints 8 and 9.
  • external terminal electrodes 23 are formed on the lower surface of the support substrate 6, and these external terminal electrodes 23 are connected to a wiring pattern of an external circuit board on which the pressure sensor device is mounted. Is done. Also, external terminal electrode 2 3 Are electrically connected to the electronic component elements 50 and the connection pads 53 on the upper surface of the support substrate 6 via the internal wiring patterns 24 and the via hole conductors 25 of the support substrate 6.
  • the conductive bonding material 70 is made of, for example, solder or conductive paste, and connects the electrode pad 7 of the sensor substrate 1 and the connection pad 53 of the support substrate 6 to form the surface acoustic wave element 2.
  • the IDT electrode 2a is electrically connected to the electronic component element 50.
  • the support substrate 6 is formed by laminating a plurality of green sheets on which a conductive paste for forming the connection pads 53, the external terminal electrodes 23, the internal wiring patterns 24, and the via-hole conductors 25 is printed and applied. 'It is manufactured by crimping and then firing it together.
  • connection pad 53 or the external terminal electrode 23 is preferably provided with a plating such as Cr, Ni, Sn, or Au as necessary. This makes it possible to improve the bondability between the connection pad 53 and the external terminal electrode 23.
  • the sealing material 4 interposed between the sensor substrate 1 and the support substrate 6 is made of, for example, a resin or a metal material, and surrounds the surface acoustic wave element 2 and the electric component element 50.
  • the joint 8 of the sensor substrate 1 and the joint 9 of the support substrate 6 are joined.
  • the IDT electrode 2a, the reflector electrode 2b, the electronic component element 50, and the like are hermetically sealed in a sealed space S surrounded by the sensor substrate 1, the support substrate 6, and the sealing material 4. .
  • Such a sealed space S is filled with an inert gas such as nitrogen gas or argon gas, whereby the IDT electrode 2a disposed in the sealed space S, the reflector electrode Oxidation corrosion and the like of 2b and the electronic component element 50 are effectively prevented.
  • an inert gas such as nitrogen gas or argon gas
  • a conductive material such as solder
  • a conductive sealing electrode is formed at the joints 8 and 9 where the sealing material 4 is joined. If the sealing electrode is electrically connected to the ground terminal (the external terminal electrode 23 connected to the ground potential terminal of the external circuit board) on the lower surface of the support substrate 6, the pressure sensor device can be used. Time, sealing material 4 Is maintained at the ground potential, the sealing effect of the sealing material 4 can be expected, and unnecessary noise from the outside can be reduced favorably by the sealing material 4.
  • the material and manufacturing method of the sealing electrode formed at the bonding portion 8 are the same as those of the electrode pad 7, and the material and manufacturing method of the sealing electrode formed at the bonding portion 9 are the same as those of the connection node 53. It is said.
  • the electronic component element 50 includes, for example, an IC chip 51 and a power amplifier 52 in which an oscillation circuit and a difference generation circuit are integrated.
  • FIG. 24 is a detailed circuit diagram of the transmission circuit 60.
  • the oscillation circuit 60 includes oscillation circuits 60a and 60b and a difference generation circuit 60c.
  • a transistor, a resistor, a coil, a capacitor, surface acoustic wave elements 2 and 3 and the like are appropriately arranged according to conditions such as an oscillation frequency.
  • the oscillation circuit 60a is composed of a surface acoustic wave element 2 and an oscillation stage including an oscillation transistor, a capacitor, and a resistor for adjusting oscillation conditions that can oscillate based on an output signal of the surface acoustic wave element 2. ing.
  • the oscillating circuit 6 Ob includes a surface acoustic wave element 3 and an oscillation stage including an oscillation transistor, a capacitor, and a resistor for adjusting oscillation conditions based on an output signal of the surface acoustic wave element 3. I have.
  • the difference generation circuit 60c is an integrated circuit of, for example, a comparator, an arithmetic unit, a memory unit, and the like.
  • the output signal of the surface acoustic wave element 2 obtained from the oscillation circuit 60a and the output signal of the surface acoustic wave element 3 obtained from the oscillation circuit 60b are compared and referenced by a comparator, for example.
  • the data is processed by the calculation unit to create a pressure detection signal.
  • the arithmetic unit has a function of synthesizing the pressure detection signal into a carrier wave for wirelessly transmitting the signal to the outside, thereby generating a high-frequency signal.
  • the output of the surface acoustic wave element 2 for detection is used.
  • the force signal and the output signal of the reference surface acoustic wave element 3 are compared using a compander, the output signal of the detection surface acoustic wave element 2 and the output of the reference surface acoustic wave element 3 are compared.
  • the signal may be used to extract a pressure detection signal based on these two output signals using a mixer and a bandpass filter.
  • a carrier wave for performing wireless transmission is created based on the reference surface acoustic wave element 3 on the reference side for performing pressure detection.
  • a carrier wave generating oscillator circuit may be separately provided.
  • the sensor unit 11 that is, the surface acoustic wave element 2 is deformed by the external pressure applied to the sensor substrate 1.
  • the elastic constant of the piezoelectric body in the portion where the distortion has occurred changes to change the propagation speed of the surface acoustic wave
  • the IDT electrode 2a of the surface acoustic wave element 2 has the electrode finger shown in FIG.
  • the distance d changes, and the resonance frequency of the surface acoustic wave element 2 changes due to each action.
  • the oscillation frequencies of the oscillation circuits 60a and 60b also change, so that the pressure fluctuation applied to the sensor substrate 1 is finally detected as a change in the oscillation frequency.
  • the sensor unit 11 and the electronic component element 50 are in the sealed space S surrounded by the sensor substrate 1, the support substrate 6, and the sealing material 4. Since it is located in the area, it is hardly affected by the external environment and reliability can be improved.
  • the overall structure of the pressure sensor device can be reduced, and high-density mounting and cost reduction can be achieved. It can also be used for downtime.
  • the pressure sensor device shown in the figure has an antenna element 81 mounted on a support substrate 6. It is listed.
  • the antenna element 81 is mounted on the support substrate 6 by soldering or the like.
  • this antenna element 81 it becomes possible to wirelessly transmit a high-frequency signal of a predetermined frequency output from the transmitting circuit 60 to another receiving device.
  • the antenna element 81 for example, a surface-mounted chip antenna using a dielectric ceramic or the like is used.
  • the antenna element 81 is connected to the output terminal 62 of the transmission circuit 60 shown in FIG. When the transmission power may be low, the antenna element 81 may be directly connected to the output terminal 62 of the transmission circuit 60.
  • the antenna element 81 is arranged outside the sealing space S by the sealing material 4 as shown in FIG. Accordingly, it is possible to avoid radio interference between the antenna element 81 and the surface acoustic wave element 2 or the electronic component element 50 inside the sealed space S, and wirelessly transmits a high-frequency signal with almost no attenuation. It becomes possible.
  • FIG. 27 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1 used in the pressure sensor device of the present embodiment.
  • the difference between the pressure sensor device of the present embodiment and the pressure sensor device described in FIGS. 21 and 22 is that the surface acoustic wave element 2 forming the sensor unit 11 is spaced apart from the lower surface of the sensor substrate 1. It is composed of a pair of IDT electrodes 2a arranged with a space between them and a propagation path 2c of a surface acoustic wave between them.
  • a damping material 17 made of silicon resin or the like is formed on the lower surface of the sensor substrate 1, on both sides of the surface acoustic wave element 2, specifically, on both sides in the direction of propagation of the surface acoustic wave.
  • the pressure sensor device When an external pressure is applied to the sensor substrate 1 from above and a stress is applied to the surface acoustic wave propagation path 2 c of the surface acoustic wave element 2 constituting the sensor unit 1, distortion occurs in the propagation path 2 c.
  • the change in the elastic constant at that portion changes the propagation velocity of the surface acoustic wave, and also changes the length of the surface acoustic wave propagation path 2c.
  • the delay time of the electric signal changes due to each action, thereby changing the oscillation frequency of the surface acoustic wave element 2 and the oscillation circuit connected thereto. Therefore, the pressure sensor device according to the present embodiment also functions as a pressure detecting element similarly to the pressure sensor device described above.
  • an antenna pattern 82 composed of, for example, a meandering conductor pattern may be formed instead of the antenna element 81. Even when such an antenna pattern 82 is used, the antenna pattern 82 may be disposed outside the sealing space S by the sealing material 4 in order to prevent attenuation of wireless transmission. I like it.
  • the antenna element 81 and the antenna pattern 82 are arranged on the support substrate 6, but these antennas may be arranged on the sensor substrate 1. Needless to say, goodness Next, a concave recessed cavity is formed on the upper surface of the support substrate 6 according to the size of the electronic component element 50, and a part or part of the electronic component element 50 is formed in the cavity. An example in which the electronic component element 50 is mounted so as to be entirely buried will be described.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing an embodiment in which a concave portion 80a is formed in the support substrate 6, and the electronic component element 50 is installed in the concave portion 80a.
  • the concave portion 80a in which the electronic component element 50 is embedded is provided on the upper surface of the support substrate 6, and the electronic component element 50 is formed in the concave portion 80a. It is installed inside.
  • the electronic component element 50 is a tall component, the electronic component element 50 is embedded in the recess 80 a of the support substrate 6, so that when the sensor substrate 1 is mounted on the support substrate 6,
  • the distance between the sensor substrate 1 and the support substrate 6 can be set relatively freely without considering the thickness of the electronic component element 50, thereby increasing the degree of freedom in designing the pressure sensor 1. Further, the productivity of the pressure sensor 1 can be maintained high by improving the workability of the assembly.
  • the electronic component element 50 is also hermetically sealed in the sealed space S in which the sensor section 11 is sealed, the electronic component element 50 is well protected.
  • the wiring unit connecting them can be shortened, and the effects of electromagnetic noise are reduced as much as possible, resulting in malfunction and measurement accuracy. It is possible to effectively prevent the occurrence of a problem such as a decrease in the number of the items.
  • the mounting surface of the electronic component element 50 (the bottom surface of the concave portion 80a) hardly deforms due to external pressure fluctuation, and the electronic component element 50 can be mounted in an extremely stable state.
  • the concave portion 80a in which the electronic component element 50 is embedded is provided on the upper surface of the support substrate 6, but instead, the electronic component element 50 is embedded.
  • the recess 80 a may be provided on the lower surface of the support substrate 6.
  • the electronic component element 50 is completely embedded in the concave portion 80a.
  • the upper part of the electronic component element 50 may be formed by the opening of the concave portion 80a.
  • the protrusion 80a may be partially embedded in the recess 80a so as to protrude more partially.
  • FIG. 30 is a sectional view of a pressure sensor device with an acceleration sensor.
  • the pressure sensor device with an acceleration sensor shown in these figures includes a support substrate 6 on which electronic component elements 50 are mounted, a sensor section 11 and an acceleration detection element 41. It is mainly composed of the mounted sensor substrate 1, sealing material 4, and the like.
  • one end 56 of the sensor substrate 1 extends outside the pressure detection area, and an acceleration detection element 41 is formed on the lower surface of the extension 56. I have.
  • the acceleration detecting element 41 is configured to detect the acceleration by deforming the acceleration detecting element 41 when the acceleration G is applied.
  • the acceleration detecting element 41 may be composed of, for example, an IDT electrode 2a and a pair of reflectors formed on both sides in the surface acoustic wave propagation direction, similarly to the pressure detecting surface acoustic wave element 2. .
  • FIG. 31 is a plan view showing the lower surface of the sensor substrate 1 on which the acceleration detecting element 41 having the structure of the surface acoustic wave resonator is mounted.
  • the IDT electrode 2 a is connected to the electrode pad 67 via the extraction electrode 72 as shown in FIGS. 30 and 31.
  • the electrode pad 67 is electrically connected to the connection pad 68 on the support substrate 6 via the conductive bonding material 69.
  • the electrode pad 67 and the extraction electrode 72 are made of aluminum metal, similarly to the electrode pad 7 and the extraction electrode 71 formed around the surface acoustic wave element 2 for pressure detection described above. It can be obtained by forming a metal material such as a pattern by a thin film forming technique, photolithography technique or the like.
  • the weight 73 is formed by joining a plate or a laminate made of, for example, metal or ceramic to the end of the extension 56 with an adhesive.
  • the acceleration detecting element 41 is formed by a surface acoustic wave element as described above, it is preferable to provide a case 97 so as to hermetically seal the surface acoustic wave element. This can prevent oxidative corrosion of the IDT electrode 2a.
  • the width w 2 of the short side of the extension portion 56 can be set arbitrarily. If the width w 2 of the short side of the extension 5 6 is made smaller than the width wl of the portion of the sensor substrate 1 where the surface acoustic wave element 2 for pressure detection is formed, the extension 5 6 has an advantage that it is easy to bend and the detection sensitivity of acceleration can be improved. If the width w2 of the short side of the extension 56 is equal to the width wl of the portion of the sensor substrate 1 where the surface acoustic wave element 2 'for pressure detection is formed, the extension 56 In forming the pressure sensor, the step of shaving the sensor substrate 1 can be omitted, and the manufacturing process of the pressure detecting device 1 can be simplified.
  • the sensor substrate 1 extends outward while being separated from the upper surface of the support substrate 6, and the acceleration detecting element 41 is formed on the extension portion 56. Therefore, it is not necessary to separately prepare a substrate for the acceleration detecting element 41, the number of components can be reduced, and the size and weight of the pressure sensor device can be reduced.
  • the productivity of the pressure sensor device can be improved.
  • FIG. 32 is a plan view showing the upper surface of the support substrate 6 of the pressure sensor device with the acceleration sensor.
  • Circuit elements constituting an acceleration detection circuit 86, a power supply control circuit 87, a power amplifier 96, and the like, which will be described later, and an antenna are provided outside the portion where the frame-shaped joint 9 is formed on the support substrate 6. Element 95 is mounted.
  • Figure 33 is a block circuit diagram showing the interconnections between the signal detection circuit 60, the acceleration detection circuit 86 including the acceleration detection element 41, the power supply control fflJ circuit 87, the power amplifier 96, and the antenna element 95. It is.
  • the transmission circuit 60 includes, for example, active components such as ICs and transistors and passive components such as resistors and capacitors, and transmits an electric signal of a predetermined frequency by being electrically connected to the surface acoustic wave element 2. I do.
  • the transmission circuit 60 is connected to the power amplifier 96, so that the transmission signal output from the transmission circuit 60 can be amplified.
  • the detection output of the acceleration detection circuit 86 is supplied to the power supply control circuit 87. Then, the power supply control circuit 87 is connected to the transmission circuit 60 and the power amplifier 96. The power supply control circuit 87 controls the power supply from the power supply 85 to the transmission circuit 80 and the power amplifier 96.
  • the antenna element 95 can wirelessly transmit an electric signal of a predetermined frequency output from the transmission circuit 60 and amplified by the power amplifier 96 to another receiving device. Therefore, the receiving device that has received the radio wave from the antenna element 95 can obtain the pressure information even at a location remote from the pressure sensor device.
  • the antenna element 95 for example, a surface-mounted chip antenna or the like using a dielectric ceramic or the like is used, and is mounted on the support substrate 6 by soldering or the like.
  • FIG. 34 is a circuit diagram showing a specific circuit configuration of the acceleration detection circuit 86 and the power supply control circuit 87.
  • the acceleration detection circuit 86 is composed of an acceleration detection element 41, a protection circuit composed of a diode, and an operational power amplifier as shown in Fig. 34.
  • the power supply control circuit 87 is a high-pass filter composed of a capacitor and a resistor, and a comparison voltage. And an operational power amplifier.
  • an electromotive force proportional to the amount of change is generated.
  • the acceleration is detected by the acceleration detection circuit 86, and a control signal proportional to the change in the resonance frequency or the change in impedance is obtained.
  • this control signal is input to the power supply control circuit 87, when the level of the control signal exceeds a threshold value corresponding to a certain vehicle speed, the transmission circuit 60 and the power supply circuit 85 from a battery etc.
  • power is supplied to the power amplifier 96 and the level of the control signal is equal to or lower than the threshold, power is not supplied from the power supply 85 to the transmission circuit 60 and the power amplifier 96.
  • the threshold value of the control signal can be set arbitrarily by appropriately selecting the circuit elements constituting the power supply control circuit 87.
  • the acceleration detecting element 41 formed on the sensor substrate 1 is constituted by a surface acoustic wave delay line composed of a pair of IDT electrodes arranged at intervals and a surface acoustic wave propagation path therebetween. May be.
  • the acceleration detecting element composed of the surface acoustic wave delay line also functions as an acceleration detecting element, like the acceleration detecting element 41 in the above-described embodiment.
  • the acceleration detecting element 41 is formed only on the lower surface of the extension 56, but instead, the acceleration detection element may be provided on both upper and lower surfaces of the extension 56.
  • the child 41 may be formed. In this case, by taking the difference between the outputs of the two acceleration detecting elements 41 formed on both the upper and lower surfaces of the extension portion 56, it is possible to correct the effects of temperature change and the like, and to reduce the influence of the acceleration detecting elements 41. Measurement accuracy can be improved.
  • FIG. 35 is a cross-sectional view of the pressure sensor device with the acceleration sensor of the present invention
  • FIG. 36 is a plan view showing the upper surface of the sensor substrate 1
  • the acceleration detection element is configured by a bullet I formed on one surface of the extension portion 56 and a raw surface acoustic wave resonator, but in the pressure sensor device shown in FIG. Instead, two mono-monoref elements 7 were formed on the upper and lower surfaces of the extension 56 respectively.
  • the monomorph element 77 uses the bulk vibration of the sensor substrate 1, and can be formed by attaching the vibration electrodes 98 to both the upper and lower surfaces of the extension portion 56 of the sensor substrate 1.
  • a metal material such as silver is used, and is formed by a conventionally known film forming technique such as sputtering and vapor deposition.
  • Such a monomorph type acceleration detecting element detects acceleration as follows. First, when the acceleration G is applied to the extension 56 and the weight 73, the sensor substrate 1 is bent, and the monomorph element 77 formed in the extension 56 is deformed. At this time, an electromotive force is generated in accordance with the deformation of the monomorph element, whereby the acceleration can be detected.
  • the acceleration detecting element is composed of the monomorph element 77 as described above, the pattern can be formed in a solid paint pattern without the need for hermetic sealing. Thus, the productivity of the piezoelectric sensor device 1 can be improved.
  • FIG. 38 is a sectional view of a pressure sensor device having an antenna pattern
  • FIG. 39 is a plan view showing an upper surface of a sensor substrate used in the pressure sensor device.
  • the difference between the pressure sensor device of the present embodiment and the pressure sensor devices of FIGS. 26 and 28 described above is that the pressure sensor device of the present embodiment has an antenna pattern 85 on the upper surface of the sensor substrate 1. That is.
  • the antenna pattern 85 is for wirelessly transmitting an electric signal of a predetermined frequency output from the transmitting circuit 60 via the power amplifier 96 to another receiving device.
  • the antenna pattern 85 is formed in a meandering shape on the upper surface of the sensor substrate 1 except for a region 88 directly above the sensor section 11.
  • the antenna pattern 85 is formed by printing a metal material such as aluminum or copper foil by thick film printing or the like.
  • the pattern line width and film thickness of the antenna pattern 85 used here are about 100 ⁇ m in line width and about 100 ⁇ m in film thickness, and the pattern length is the wavelength of the transmitted frequency.
  • the length corresponding to about / 4 or about 5/8 of the pattern is formed by changing the number of meandering times (length) of the pattern.
  • the feeding end of the antenna pattern 85 is indicated by "87".
  • a power supply line 86 extending from a power supply end 87 is formed on a side surface of the pressure sensor device.
  • the power supply line 86 is connected to one of the internal wiring patterns 24 of the support substrate 6 of the pressure sensor device along the side surface of the pressure sensor device.
  • the above-described surface acoustic wave element for pressure detection 2 the electronic component element 50, the connection pad 53, and the electrode pad 7 are provided.
  • the encapsulating material 4 is interposed so as to surround it.
  • the sealing material 4 may be made of resin, but has a shielding effect of blocking unnecessary noise from the outside, and at the same time, a gap between the surface acoustic wave element 2 for pressure detection and the surface acoustic wave element 3 for reference.
  • the sealing material 4 is preferably made of a conductive material such as solder;
  • the power supply line 86 connecting them can be shortened. For this reason, the influence of the transmission loss due to the wiring line 86 is eliminated as much as possible, and the electric signal output from the transmission circuit 60 can be transmitted with almost no attenuation. As a result, the power consumption of the battery can be reduced.
  • the antennas and turns 85 are formed in a meandering shape on the upper surface of the sensor substrate 1 except for the region 88 directly above the sensor section 11, it is also necessary to prepare a separate antenna substrate. Therefore, the number of components can be reduced, and the pressure sensor device can be reduced in size and cost.
  • a meandering norap-type antenna is formed on the antenna pattern 85 on the upper surface of the sensor substrate 1, but a dipole-type antenna element or the like may be formed instead.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be made without departing from the gist of the present invention.
  • a single-crystal piezoelectric material is used for the sensor substrate, but a polycrystalline piezoelectric material may be used instead.

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Abstract

下面に圧力検出用弾性表面波素子2を有するセンサ基板1を、センサ部2の周囲を取り囲む封止材4を介して支持基板6上に載置する。前記センサ基板1、前記支持基板6及び前記封止材4で囲まれる封止空間Sを形成し、この封止空間S内に前記圧力検出用弾性表面波素子2を気密封止する。圧力検出用弾性表面波素子2を外部環境から保護することにより、信頼性を向上させることができる。

Description

明細書
圧力センサ装置
<技術分野 >
本発明は、 タイヤ内の空気圧の監視などに用いられ、 気体や液体など の圧力変動を検出して電気信号を発信する圧力センサ装置に関するもの である。 圧力の変動を検出する素子により構成される部分を、 本明細書 では、 以下、 「センサ部」 という。
<背景技術 >
従来より、 気体や液体などの圧力の変動を検出する圧力センサ装置と して、 印加される圧力の変動を、 センサ部の発振周波数の変化として検 出するタイプのものが用いられている。
かかる従来の圧力センサ装置としては ΙΪ 4 0、 図 4 1に示すように、 圧電基板 1 0 1上に、 センサ部を構成する素子として、 櫛歯状電極より 構成される弾性表面波素子 1 0 4及び弾性表面波素子 1 0 7を形成する とともに、 弾性表面波素子 1 0 4が形成された領域が、 弾性表面波素子 1 0 7が形成された領域よりも厚みを薄く設定された構造のものが知ら れている (例えば特開昭 6 1— 8 2 1 3 0号公報参照。 ) 。
上述した圧力センサ装置は、 厚みを薄く した領域に形成されている弾 性表面波素子 1 0 4において、 圧力を受けたことによって、 圧電基板 1 0 1の表面応力が変化し弹性表面波の音速が変化するとともに、 弹性表 面波素子 1 0 4の電極の間隔も変化する。 このことにより、 弾性表面波 素子 1 0 4の共振周波数が変化し、 この共振周波数の変化によ り圧力を 検出することができる。
また、 前記圧力センサ装置は、 同一の圧電基板上に形成された弹性表 面波素子 1 0 ·7の共振周波数の変化に応じて温度補償する機能も有して いる。
しかしながら、 上述した従来の圧力センサ装置においては、 センサ基 板 1 0 1上に形成されている弾性表面波素子 1 0 4がセンサ基板 1 0 1 の表面に露出した状態で設けられており、 これを保護するものが何ら存 在していないことから、 この圧力センサ装置をセンサ基板 1 0 1に圧力 が印加される形で使用する場合、 弾性表面波素子 1 0 4は水分等を含ん だ空気に晒されることとなり、 アルミニゥム等から成る弾性表面波素子 1 0 4の酸化腐食、 変質等が誘発される。 このような場合、 弾性表面波 素子 1 0 4の電気的特性が変化してしまうため、 圧力センサ装置として 正常に機能させることができなくなるおそれがある。
また上述した従来の圧力センサ装置においては、 その使用に際して外 気に晒される弾性表面波素子 1 0 4の表面に異物等が付着するおそれも ある。 その場合、 弾性表面波素子 1 0 4の電極指間が異物を介し電気的 に短絡する等して正常な共振特性が得られなくなり、 これによつて圧力 センサ装置として正常に機能させることができなくなる。
さらに、 上述した従来の圧力センサ装 においては、 弾性表面波素子 1 0 4に接続される発振回路がセンサ基板 1 0 1よ り分離された形で配 置されており、 そのため、 圧力センサ装置の全体構造を小型化すること が困難である上に、 弾性表面波素子 1 0 4と発振回路とを接続する配線 が電磁的ノイズの影響を受け易く、 その結果、 誤作動や測定精度の低下 を招く欠点も有していた。
<発明の開示 >
本発明の目的は、センサ部を外部環境より良好に保護することによ り、 信頼性を飛躍的に向上させることができる圧力センサ装置を提供するこ とにある。
本発明の他の目的は、 センサ部や、 センサ部に接続される発振回路を 外部環境から保護することにより、 信頼性に優れ、 かつ小型化に供する ことができる圧力センサ装置を提供することにある。
本発明の圧力センサ装置は、 支持基板と、 下面に圧力を検出するセン サ部が形成されたセンサ基板と、 前記支持基板の上面及び前記センサ基 板の下面に接合され、 かつ、 前記両基板の間で前記センサ部を封止する 封止空間を構成する封止材とを有してなるものである。
この圧力センサ装置によれば、下面にセンサ部を有したセンサ基板を、 前記センサ部を囲繞する封止材を介して支持基板上に載置させるととも に、 センサ基板、 支持基板及び封止材で囲まれる封止空間内に前記セン サ部を気密封止するようにしたことから、 センサ部を、 水分を含んだ外 気と遮断して、 センサ部の電極等の酸化腐食や変質等による電気的特性 の変化を有効に防止することができる。
また本発明の圧力センサ装置によれば、 上述した如く、 センサ部が外 気と遮断されており、 センサ部を構成する電極等に異物等が付着するこ とは殆どないことから、 常に所望する共振特性が得られるようになり、 圧力センサ装置を長期にわたって正常に機能させることができる。
よって、 圧力センサ装置の信頼性を飛躍的に向上させることが可能と なる。 '
前記センサ部は、 圧力検出用の弾性表 波素子から成るものでる。 さらに本発明の圧力センサ装置は、 前記封止空間内に不活性ガスが充 填されていることを特徴とするものである。 前記封止空間内に不活性ガ スを充填しておく ことにより、 封止空間内に配置されるセンサ部等の酸 化腐食がさらに有効に防止されるという利点もある。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板が圧電材料か ら成り、 センサ基板表面に I D Τ電極を形成して前記圧力検出用弾性表 面波素子を構成したことを特徴とするものである。
さらにまた本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板の下面で、 前 記封止材の内側に、 前記センサ部に電気的に接続され'る電極パッ ドが設 けられ、 前記支持基板の上面で、 前記封止材の内側に、 前記電極パッ ド に導電性接合材を介して電気的に接続される接続パッ ドが設けられてい ることを特徴とするものである。 この構造により、 センサ基板と支持基 板との接続部についても外部環境より良好に保護することができる利点 がある。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記封止材は、 導体材料から 成り、 かつ、 支持基板に設けられるグランド端子に電気的に接続されて いることを特徴とするものである。 この構造により、 封止材をシールド 材として機能させることができ、 これによつて封止空間内部のセンサ部 を外部からのノイズに影響されにく く し、 より安定して動作させること が可能となる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板の上面で、 前 記センサ部の上方に凹部が形成されていることを特徴とするものである c この構造であれば、 圧力を受けたときの、 凹部が形成されセンサ基板が 肉薄となっている部分の変形が大きくなり、 圧力を検出するのに高い感 度が得られるようになる。
さらにまた本発明の圧力センサ装置は、 前記封止空間内で、 前記凹部 の形成領域外に位置するセンサ基板下面に、 前記圧力検出用弾性表面波 素子との間で出力信号を比較するための参照用弾性表面波素子が設けら れていることを特徴とするものである。 この圧力センサ装置によれば、 参照用弹性表面波素子の出力信号を参照しながら、 圧力検出用弾性表面 波素子の出力信号に基づき、 センサ基板に作用する圧力を検出すること ができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記圧力検出用弾性表面波素 子の共振周波数に基づいて所定周波数で発振する第 1の発振回路と、 前 記参照用弾性表面波素子の共振周波数に基づいて所定周波数で発振する 第 2の発振回路と、 前記第 1の発振回路からの発振信号と前記第 2の発 振回路からの発振信号とを比較して変換信号を生成し出力する差分生成 回路と、 前記差分生成回路からの変換信号と前記第 2の発振回路からの 発振信号とを変調して外部に出力する変調回路と、 を備えてなることを 特徴とするものである。 この構成によれば、 圧力検出用弾性表面波素子 及び参照用弾性表面波素子は同一のセンサ基板上に形成されているため. 温度依存性は、 差分生成回路で、 両素子の共振周波数に基づく 2つの発 振信号の差分をとったときにキャンセルされる。 温度補正された圧力変 換信号が得られるという利点もある。
また、 前記差分生成回路からの変換信号を変調するのに、 前記第 2の 発振回路からの発振信号をキヤリァ信号として用いることができるので. 部品点数を少なく して構成及び組み立て工程を簡素化することができる, またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記圧力検出用弾性表面波素 子で生じた電気信号の遅延時間.に基づいて所定周波数で発振する第 1の 発振回路と、 前記参照用弾性表面波素子で生じた電気信号の遅延時間に 基づいて所定周波数で発振する第 2の発振回路と、 前記第 1の発振回路 からの発振信号と前記第 2の発振回路からの発振信号とを比較して変換 信号を生成し出力する差分生成回路と、 前記差分生成回路からの変換信 号と前記第 2の発振回路からの発振信号とを変調して外部に出力する変 調回路と、 を備えてなることを特徴とするものである。 この構成によれ ば、 遅延時間の温度依存性は、 双方の弾性表面波素子で生じた電気信号 の遅延時間に基づいて生成された 2つの発振信号の差分をとつたときに キャンセルされる。 したがって、 前記圧力センサ装置と同様、 温度補正 された圧力変換信号が得られるという利点もある。
また、 前記差分生成回路からの変換信号を変調するのに、 前記第 2の 発振回路からの発振信号をキヤリァ信号として用いることができるので. 部品点数を少なく .して構成及び組み立て工程を簡素化することができる, またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記両素子を間に反射器を介 して一列状に配置させるとともに、 該反射器をその両側に配される双方 の弾性表面波素子の反射器として共用せしめたことを特徴とするもので ある。 この構造であれば、 反射器をその両側に配される双方の弾性表面 波素子の反射器として共用することにより、 双方の弹性表面波素子の全 長を短くできるので、圧力センサ装置を、より小型化することができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板上で前記両素 子の間に、 弾性表面波の伝達を遮断もしくは弹性表面波の強度を低減せ しめるダンピング材を配置したことを特徴とするものである。 この構造 であれば、 ダンピング材により弾性表面波を効果的に減衰させることが できるので、 圧電基板の端部などで弾性表面波が反射するのを防止する ことができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板上で前記両素 子を、 該両素子の弾性表面波の伝搬方向を平行に、 かつ、 弾性表面波の 伝搬方向と直交する方向に並べて配置させたことを特徴とするものであ る。 この構造では、 双方の弾性表面波素子を並列に配置したことから、 弾性表面波素子の全長を短くできる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記圧力検出用弾性表面波素 子の共振周波数と前記参照用弾性表面波素子の共振周波数とを異ならせ たことを特徴とするものである。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記第 1の発振回路、 前記第 2の発振回路、 前記差分生成回路及び前記変調回路を有して I Cチップ が構成され、 該 I Cチップと前記両素子とが同一基板に搭載されている ことを特徴とするものである。この構造によれば、前記第 1の発振回路、 前記第 2の発振回路、 前記差分生成回路 び前記変調回路を単一の I C チヅプ上に集積させたことから、 I Cチヅプとセンサ素子とを共通の支 持基板上に搭載することにより、圧力センサ装置をより有効に軽量化し、 小型化することができる。
また本発明の圧力センサ装置は、前記センサ基板が圧電材料から成り、 前記センサ部が、 弾性表面波素子から成り、 前記反射器の直下に位置す る前記センサ基板の厚みを、 前記 I D T電極の近傍では I D T電極の直 下領域と略等しくなし、 かつ前記 I D T電極より離れるに従って漸次厚 くなしたことを特徴とするものである。 前記反射器の直下に位置する圧 電基板の厚みを、 前記 I D T電極より離れるに従って漸次厚くなしたこ とから、 圧力の変化に応じて I D T電極直下の圧電基板がたわみやすく なり、 圧力の変化を良好に検出することができる。 したがって、 小型化 が可能であるとともに大きなセンサ感度を得ることができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記 I D T電極の直下に位置 する前記センサ基板の厚みが前記反射器の直下に位置する前記センサ基 板の厚みよりも薄いものであってもよい。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記発振回路の一部を有した 電子部品素子を前記支持基板に配置させてなることを特徴とするもので ある。 この構造によれば、 発振回路の一部を有した電子部品素子も上述 の封止空間内に配置されるようになることから、 この電子部品素子もセ ンサ部と同様に外部環境より保護されて電気的特性が良好に維持される ようになる。 しかもこの場合、 センサ部と電子部品素子とが近接配置さ れることによって両者を接続する配線部を短くすることができるため、 電磁的ノィズの影響を極力排除して、 誤動作や測定精度の低下といった 不具合の発生についても有効に防止することができる。 それと同時に、 発振回路の一部を有した電子部品素子も上述の封止空間内に配置するこ とによって、 電子部品素子を搭載するためのスペースを封止空間の外側 に別途確保する必要がなくなるため、 圧力センサ装置の全体構造を小型 化することができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記電子部品素子が前記支持 基板の上面に搭載されていることを特徴とするものである。 電子部品素 子を支持基板の上面に搭載させておけば、 搭載面が外部からの圧力変動 によって変形することは殆どなく、 極めて安定した状態で実装させてお くことができる。 . ' またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記封止空間内で支持基板の 上面もしくは支持基板の下面に凹部を形成し、 該凹部内に、 前記発振回 路を有した電子部品素子を埋設してなることを特徴とするものである。 この構成によれば、 電子部品素子を、 支持基板の上面に形成された凹部 内に埋設する場合は、 センサ基板を支持基板上に搭載するにあたり、 セ ンサ基板と支持基板との間隔を、 電子部品素子の厚みを考慮することな く比較的自由に設定できる。 また、 電子部品素子を、 支持基板の下面に 形成された凹部内に埋設する場合は、 支持基板を、 外部の基板に搭載す る場合に、 組み立ての作業性を良好になして圧力センサ装置の生産性を 高く維持することができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記センサ基板と前記支持基 板のうち、 一方基板の一端側を、 他方基板と離間させた状態で、 延出さ せて延出部を形成し、 該延出部に加速度を検出する加速度検出素子を設 けたものである。 この構成によって、 加速度検出素子用の基板を別に用 意する必要もなく、加速度が検出でき、部品点数を削減することができ、 圧力センサ装置の小型化及び軽量化を図ることが可能となる。
前記延出部が前記センサ基板に形成されていれば、 センサ基板のほう が支持基板よりも橈みやすいので、 加速度の検出感度を向上させること ができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記変換信号を変調回路で変 調した信号を外部に発信する発信回路と、 前記加速度検出素子からの加 速度検出信号に基づいて所定の電気信号を出力する加速度検出回路と、 前記発信回路に電力を供給する給電手段と、 前記給電手段から前記発信 回路への電力供給を制御する給電制御回路とを含み、 前記給電制御回路 は、 前記加速度がしきい値を超えたかどうかに基づいて、 給電手段から の電力供給を制御することを特徴とするものである。 この構成により、 圧力センサ装置を移動体に設置する場合、 運行時など加速度を感知して いるときにのみ圧力検出を可能にすることができる。 したがって、 電力 増幅器の無駄な消費電力を抑えることができるようになる。
前記加速度検出素子が弾性表面波素子により形成されているものであ れば、 圧力検出部と加速度検出素子とを同一の製造プロセスで双方同時 に形成できるので、 製造工程を短縮することができ、 生産性の向上が可 能となる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 支持基板上面及び/またはセ ンサ基板下面に、 前記電子部品素子に電気的に接続されるアンテナ素子 が搭載されていることを特徴とするものである。 この構成であれば、 電 子部品素子とセンサ部とで構成される発信回路より出力される発信信号 を他の受信機器に無線伝送することができ、 受信機器は、 圧力センサ装 置より離れた場所においても圧力情報を得ることができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記アンテナ素子が、 前記封 止空間の外側に搭載されていることを特徴とするものである。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 支持基板上面及び/またはセ ンサ基板下面に、 前記電子部品素子に電気的に接続される —ンが被着されていることを特徴とするものである。 上述した圧力セン サ装置の支持基板上面及び/またはセンサ基板下面に、 電子部品素子に 電気的に接続されるアンテナパターンを被着させておけば、 圧力センサ 装置の厚みを薄くすることができるとともに、 部品点数を削減すること ができ、 圧力センサ装置の小型化及びコス トダウンに供することが可能 となる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記アンテナパターンが前記 封止空間の外側に搭載されていることを特徴とするものである。 これに より、 前記発信回路より出力される電気信号を殆ど減衰させることなく 無線で伝送することができる利点もある。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、' センサ基板上面に、 前記電子 部品素子に電気的に接続されるアンテナパターンが被着されていること を特徴とするものである。 これにより、 発信回路とアンテナパターンと が近接配置される構造となり、 両者を接続する配線部を短くすることが できる、 その結果、 配線部による伝送損失の影響が小さくなり、 電気信 号を殆ど減衰させることなく伝送することができる。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記アンテナパターンが、 前 記圧力検出用弾性表面波素子の直上領域を除く領域に形成されているこ とを特徴とするものである。
またさらに本発明の圧力センサ装置は、 前記アンテナパターンが蛇行 状であることを特徴とするものである。 これにより、 アンテナパターン の実効長を長く とれ、 アンテナの利得を上げることができる。
<図面の簡単な説明 >
図 1は、 本発明の第 1の実施形態にかかる圧力センサ装置の断面図で ある。
図 2は、 同圧力センサ装置に用いられる、 弾性表面波素子を搭載した センサ基板の斜視図である。 .
図 3は、 支持基板 6の下面に電子部品を搭載した圧力センサ装置の断 面図である。
図 4は、 本発明の第 1の実施形態にかかる圧力センサ装置の回路構成 を示すブロック図である。
図 5は、 弾性表面波遅延線型の弾性表面波素子を搭載した圧力センサ 装置の断面図である。
図 6は、 弾性表面波遅延線型の弾性表面波素子を搭載したセンサ基板 の斜視図である。
図 7は、 支持基板 6の下面に電子部品を搭載した圧力センサ装置の断 面図である。
図 8は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板の他の構成例を示す 斜視図である。
図 9は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板のさらに他の構成例 を示す斜視図である。
図 1 0は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板のさらに他の構成 例を示す斜視図である。
図 1 1は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板のさらに他の構成 例を示す斜視図である。
図 1 2は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板のさらに他の構成 例を示す斜視図である。
図 1 3は、 圧力センサ装置に用いられるセンサ基板のさらに他の構成 例を示す斜視図である。
図 1 4は、 圧力検出用弾性表面波素子及び参照用弾性表面波素子の共 振特性の一例を示すダラフである。
図 1 5は、 センサ基板 1 として水晶基板を用いた場合の、 弾性表面波 素子の周波数温度特性を示すグラフである。
図 1 6 ( a ) は、 本発明の第 2の実施形態にかかる圧力センサ装置の センサ基板を示す平面図である。
図 1 6 ( b ) は、 同センサ基板を示す断面図である。
図 1 6 ( c ) は、 他の構造のセンサ基板を示す断面図である。 図 17 (a) は、 本発明の第 2の実施形態にかかる圧力センサ装置を 基板に実装した状態を示す平面図、
図 1 7 (b) は、 同圧力センサ装置を基板に実装した状態を示す断面 図、
図 1 7 ( c) は、 同圧力センサ装置に用いられるセンサ基板の弾性表 面波素子搭載面を示す平面図、
図 17 (d) は、 同圧力センサ装置を実装する支持基板の平面図であ る。
図 1 8は、 同圧力センサ装置の圧力測定系を示す図である。
図 1 9は、 図 16 (b) のタイプの圧力センサ装置に用いられる弾性 表面波素子の共振特性を測定した結果を示すグラフである。
図 20は、 図 16 ( c ) のタイプの圧力センサ装置に用いられる弾性 表面波素子の共振特性を測定した結果を示すグラフである。
図 2 1は、 本発明の第 3の実施形態にかかる圧力センサ装置の断面図 である。
' 図 22は、 同圧力センサ装置に用いられるセンサ基板 1の下面を示す 平面図である。
図 2 3は、 同圧力センサ装置に用いられる支持基板 6の上面を示す平 面図である。
図 24は、 同圧力センサ装置の発振回路及び差分生成回路の電気的構 成例を示す回路図である。
図 25は、 弾性表面波素子の I D T電極の電極指間隔を説明するため の模式図である。
図 26は、 アンテナ素子が付加された圧力センサ装置を示す断面図で ある。 '
図 27は、 弾性表面波遅延線型の弾性表面波素子を搭載したセンサ基 板 1の下面を示す平面図である。
図 28は、 ミアンダ状の導体パターンによって構成されるアンテナパ ターンを支持基板に形成した圧力センサ装置を示す斜視図である。 図 2 9は、 電子部品素子を支持基板の凹部に設置した圧力センサ装置 を示す断面図である。
図 3 0は、 加速度センサ付き圧力センサ装置の断面図である。
図 3 1は、 弾性表面波共振子の構造を有する加速度検出素子を搭載し たセンサ基板 1の下面を示す平面図である。
図 3 2は、 同加速度センサ付き圧力センサ装置の支持基板 6の上面を 示す平面図である。
図 3 3は、 同加速度センサ付き圧力センサ装置の回路構成を示すプロ ック図である。
図 3 4は、 加速度検出回路及び給電制御回路の具体的回路構成を示す 回路図である。
図 3 5は、 他の構成の加速度センサ付 έ圧力センサ装置の断面図であ る。
図 3 6は、 センサ基板 1の上面を示す平面図である。
図 3 7は、 センサ基板 1の下面を示す平面図である。
図 3 8は、アンテナパターンを有する圧力センサ装置の断面図である。 図 3 9は、 同圧力センサ装置に用いられるセンサ基板の上面を示す平 面図である。
図 4 0は、 従来の圧力センサ装置の外観斜視図である。
図 4 1は、 従来の圧力センサ装置の断面図である。
<発明を実施するための最良の形態 >
以下、 本発明の実施の形態を、 添付図面を参照しながら詳細に説明す る。
一第 1の実施形態—
図 1は本発'明の一実施形態に係る圧力センサ装置の断面図、 図 2は圧 力センサ装置を構成する圧電基板 1の下面に形成された弾性表面波素子 2 , 3を示す斜視図である。
圧力センサ装置は、 参照用弾性表面波素子 3及び圧力検出用弾性表面 波素子 2を搭載したセンサ基板 1、 封止材 4、 並びに支持基板 6で主構 成されている。
前記参照用弾性表面波素子 3及び圧力検出用弾性表面波素子 2によつ てセンサ部 1 1を構成する。
前記センサ基板 1は、 その上面に凹部 5を有しており、 センサ基板 1 の下面には、 凹部 5の直下領域 (以下、 肉薄部という) に圧力検出用弹 性表面波素子 2が設けられ、 肉薄部の以外の部分 (以下、 肉厚部という) に参照用弾性表面波素子 3が設けられている。
センサ基板 1は、 水晶、 ニオブ酸リチウム、 タンタル酸リチウムなど の、 圧電性を示す単結晶 (以下、 「圧電結晶」 と称する。 ) から成る。 センサ基板 1の主面は、 圧電結晶のイ ンゴッ トを所定のカッ ト角にて切 断して形成している。
圧力検出用弾性表面波素子 2及び参照用弾性表面波素子 3は、 所定の 周波数で共振する弾性表面波(Acousti c Surface Wave )型の共振子である, 圧力検出用弾性表面波素子 2は、 センサ基板 1の表面に形成されたィ ン夕ーディジタルトランスデューサ ( 「 I D T」 と略記する。 ) 電極 2 aと、 I D T 2 aの弾性表面波の伝搬方向の両側に形成した反射器 2 b とから成る。 I D T 2 a及び反射器 2 bは、 アルミニウムや金等の金属 材料をスパッ夕ゃ蒸着等の成膜工法によりセンサ基板 1の表面に被着し. フォ ト リソグラフィ一等の技術を使用して、 2 0 0 0 A程度の厚みにて パターン形成することにより形成される。
参照用弾性表面波素子 3も、 圧力検出用弾性表面波素子 2と同様に、 センサ基板 1の表面に形成された I D T 6 aと、 I D T 6 aの弾性表面 波の伝搬方向の両側に形成した反射器 6 bとから成る。その製造方法は、 前記圧力検出用弾性表面波素子 2の製法と同様である。
接合部 8はく 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 を取り囲むようにして、 センサ基板 1の表面に環状に形成されている。 接合部 8は、 I D T 2 a , 6 a及び反射器 2 b, 6 bと同じ材料 ' 工法 により形成可能である。 その表面には N iメ ツキや A uメ ツキ等が施さ れる。 接合部 8は、 密着強度の向上のため膜厚を厚く形成しておく こと が好ましい。
なお、 図 2に示される" 7 "は、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用 弹性表面波素子 3にそれそれ励振用の電源を供給するための電極パッ ド である。この電極パッ ド 7の形成方法も、圧力検出用弾性表面波素子 2、 参照用弾性表面波素子 3、 接合部 8と同じ材料 · 工法により形成可能で ある。
一方、 支持基板 6は、 十分な強度を有し、 外部からの圧力を受けても 変形しにくいといった機械的特性が求められるので、 例えば、 ガラス— セラミ ックなどのセラミ ック材料を用いた多層回路基板等が好適に用い られる。
支持基板 6は、 例えば、 配線パターンやビアホール導体となる導体べ ース トが所定パターンを形成するように印刷 ·塗布されたグリーンシー トを複数枚、 積層 ,圧着させた上、 これらを一体焼成することによって 製作される。
支持基板 6の上面には、 センサ基板 1の下面に形成された電極パッ ド 7に、 半田などの導電性接合材を介して電気的に接続される接続パッ ド (図示せず) と、 センサ基板 1の下面に形成された接合部 8と対向する 部位に形成されている。
センサ基板 1の電極パッ ド Ί と支持基板 6の接続パッ ドを接続する導 電性接合材としては、 例えば、 半田や導電性樹脂等が用いられる。
外部からの圧力による肉薄部の変形を妨げないためには、 センサ基板 1下面の電極パッ ド Ί と支持基板 6の上面の接続パッ ドとの接続は肉厚 部で行うことが望ましい。 も し、 センサ基板下面の電極パッ ド 7と支持 基板 6の上面の接続パッ ドとの接続を肉薄部で行う際は、 この接続に使 用する導電性接合材としては、 変形が容易な導電性樹脂などを用いるの が望ましい。
また支持基板 6の上面には、 接合部 8に封止材 4を介して接合される 接合部 9が設けられている。
さらに、 支持基板 6 とセンサ基板 1 との間に、 先述した参照用弾性表 面波素子 3、 圧力検出用弾性表面波素子 2及び電極パッ ド 7を包囲する ようにして、 封止材 4が介在されている。 この封止材 4はスぺーサとし ての役目を果たす。
封止材 4は、 樹脂を用いてもよく、 導電性材料を用いても良い。
封止材 4 として樹脂を用いる場合は、 エポキシ樹脂等の封止性に優れ た樹脂材料を用いるとよい。 この場合、 センサ基板 1の下面や支持基板 6の上面に接合部 8, 9等を設ける必要は必ずしもない。 また、 封止材 4を樹脂材料によって形成する場合、 その中に金属微粒子等の導電性フ イラ一を所定量添加して封止材 4に導電性を付与した上、 これを支持基 板下面のグラン ド端子に電気的に接続させておく ようにすれば、 下に述 ベる実施形態と同様に、 封止材 4をシールド材として機能させることが でき、 封止空間内のセンサ部 2を構成す ^弾性表面波素子を外部からの ノィズに影響されにく く し、 安定して動作させることが可能となる。 封止材 4 として導電性材料を用いる場合は、 ハンダ若しくは高融点の ロウ材である A u S nなどを利用すればよい。 特に、 圧力センサ装置を マザ一ボード等に搭載する工程において、 熱が印加された場合において も、 接合部 8が再溶融して特性が変化しないように、 高融点のロウ材で ある A u S nを用いるとよい。 なお、 A u S nの他には A u S iや S n A g C u等を用いても同様の効果が得られるので、 これらを採用しても かまわない
この封止材 4を、 参照用弾性表面波素子 3、 圧力検出用弾性表面波素 子 2を包囲するように枠体状に形成しておけば、その内側、具体的には、 センサ基板 1 と支持基板 6 と封止材 4 とで囲まれる領域 (封止空間 Sと いう) 内で、 参照用弾性表面波素子 3、 圧力検出用弾性表面波素子 2等 を気密封止することができる。 これによつて封止空間 S内に配置される I D T電極等の酸化腐食等を有効に防止することができる。
さらに、 封止材 4を支持基板 6のグラン ド端子に接続させておけば、 圧力センサ装置の使用時、 封止材 4はグランド電位に保持されることと なるため、 電磁的遮蔽性を高める効果を奏する。 このシールド効果によ り、 外部からの不要なノイズを、 封止材 4でもって良好に低減すること ができる。
さらに、 封止材 4に導体材料を用いることにより、 シールド効果と併 せて、 支持基板 6 とセンサ基板 1 との間の熱伝導を良好なものとするこ とができるため、 センサ基板 1の温度の異常な上昇を低下させることが できる。
また、 センサ基板 1 と支持基板 6 と封止材 4とで囲まれる空間 S内に は、 窒素ガスや.アルゴンガス等の不活性ガスを充填しておくことがより 好ま しい。 これによつて、 I D T電極等の酸化腐食をより効果的に防止 することが可能となる。
ここで、 圧力が印加されない状態において圧力検出用弾性表面波素子
2 と参照用弾性表面波素子 3の共振周波数が同じとなるように設計され ている。
センサ基板 1の肉薄部下面に形成された圧力検出用弾性表面波素子 2 は、 外部からの圧力を受けると変形し、 歪みが生じた部分の弹性表面波 の伝搬速度が変化するとともに、 圧力検出用弾性表面波素子 2の I D T の電極指の間隔も変化し、 両者の作用によって共振周波数が変化する。 よって、 弾性表面波素子 7 aの共振周波数の変化によって圧力の変化を 検出することができる。
一般的に弾性表面波素子は所定の温度特性を有しており、 その共振周 波数は、 温度変化によって ドリフ トする。
よって、 温度変化による ドリフ トの影響を取り除く必要があり、 その ために参照用弾性表面波素子 3が使用される。 すなわち、 参照用弾性表 面波素子 3が形成された部分は、 厚みが厚いので外部からの圧力を受け ても上述した'ような変形は起こ りにくい。'このため、 その共振周波数は 温度の変化のみに応じて変化することとなり、 これを利用して圧力検出 用弾性表面波素子 2の共振周波数の変化データを補正し、 温度変化によ る影響をほぼ取り除く ことができる。
ここで、 も し、 圧力検出用弾性表面波素子 2と参照用弾性表面波素子 3とが、 別々の圧電基板に形成されているとすれば、 両基板の温度の相 違を考慮して共振周波数変化分を算出し、 それを用いて温度変化による 影響を取り除かなければならない。
これに対して、 本実施形態の圧力センサ装置においては、 圧力検出用 弾性表面波素子 2と参照用弹性表面波素子 3 とを同一のセンサ基板 1 ,に 形成することにより、 参照用弾性表面波素子 3 と圧力検出用弾性表面波 素子 2 の 「温度対共振周波数特性」 を一致させている。 従って、 温度変 化による両弾性表面波素子の共振周波数の変化量が等しくなり、 圧力検 出用弾性表面波素子 2の共振周波数と参照用弾性表面波素子 3の共振周 波数との差をとるだけで、 温度変化による影響を殆ど取り除く ことがで きる。 このように、 非常に簡便な構成及び方法で温度補償を実現するこ とができる。
温度補償を実現するためには、 例えば圧力検出用弾性表面波素子 2の 共振周波数に対応した周波数で発振する発振回路を構成する。 これによ つて、 圧力検出用弾性表面波素子 2の圧力の変化を発振周波数の変化と して検出すること.ができる。 また、 参照用弹性表面波素子 3も同様に、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数に対応した周波数で発振する他の 発振回路に接続する。 そして、 これらの発振回路の両周波数の差に相当 する周波数の信号を出力することによって、 容易に温度変化による影響 を殆ど取り除く ことができる。
このような発振回路は I Cチップ等の形態で、 上述した支持基板 6の 上面、 下面又は支持基板 6の内部に搭載するようにしても良いし、 支持 基板 6 の外部に配置されるマザ一ボード上に搭載してもよい。
図 3 は、 発振回路等を、 支持基板 6の下面に搭載した例を示す、 圧力 センサ装置の断面図である。
支持基板 6の下面には、 端子電極 (図示せず) が設けられているとと もに、 後述する第 1の発振回路、 第 2の発振回路、 差分生成回路及び変 調回路を集積した I Cチップ 1 2が搭載され、 さらに電力増幅器 1 5及 びアンテナ 1 3が搭載され、 さらに、 これらを覆うように樹脂 1 4がモ 一ルド形成されている。
このように、 第 1の発振回路、 第 2の発振回路、 差分生成回路及び変 調回路を単一の I Cチップ 1 2上に集積することにより、 I Cチヅプ 1 2 とセンサ基板 1 とを共通の支持基板 6上に搭載することができる。 こ のことによって、圧力センサ装置を軽量化し、小型化することができる。
次に、 上述した圧力センサ装置の回路構成について図 4を用いて説明 する。
圧力検出用弾性表面波素子 2は、 その共振周波数に基づいて所定周波 数で発振する第 1の発振回路 6 0 aと接続しており、 かかる第 1の発振 回路 6 0 aからの発振信号を差分生成回路 6 0 cに出力する。
また、 参照用弾性表面波素子 3は、 その共振周波数に基づいて所定周 波数で発振する第 2の発振回路 6 0 bと 続しており、 上述した圧力検 出用弾性表面波素子 2 と同様に、 第 2の発振回路 6 0 bからの発振信号 を差分生成回路 6 0 cに出力する。
差分生成回路 6 0 cは、 参照用弹性表面波素子 3の共振周波数に基づ く出力信号を、 圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波数に基づく出力 信号と比較するための混合素子 (ミキサー) を含む。 この差分生成回路 6 0 cによって、 双方の弾性表面波素子の共振周波数に基づく 2つの発 振信号の差分をとることによって変換信号を生成することによ り、 セン サ基板 1の上方より印加される外部からの圧力変動を検出するようにな つている。
またこのとき、 上述したように、 圧力検出用弾性表面波素子 2及び参 照用弾性表面波素子 3は同一のセンサ基板 1上に形成されているので、 共振周波数の温度依存性は、 双方の弾性表面波素子の共振周波数に基づ く 2つの発振信号の差分をとつたときにキャンセルされる。 これによつ て容易に温度変化による影響を殆ど取り除く ことができ、 正味の圧力変 ィ匕を検出することができる。
そして、 差分生成回路 6 0 cで生成された変換信号は、 上述した第 2 の発振回路 6 0 bからの発振信号を基準信号として変-調回路によって変 調され、 得られた圧力変動データが、 電力増幅回路により増幅されてァ ンテナを介して外部へ送信 · 出力されるようになっている。
このように、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数に基づく発振信号 を、 前記変換信号を変調するときの基準信号として用いたことから、 基 準信号を発生する発振回路を別に用意する必要がない。 したがって、 部 品点数を少なく して構成及び組み立て工程を簡素化することができる。 これにより、 圧力センサ装置の生産性を高く維持することができるとと もに、 圧力センサ装置の軽量化及び小型化を図ることができる。
なお、 前記図 4の回路構成では、 変換信号を取り出すには差分生成回 路 6 0 cを用いているが、 第 1の発振回路 6 0 aと第 2の発振回路 6 0 bと差分生成回路 6 0 cとを、 1つの差動型の発振回路で構成してもよ い。
以下、 本実施形態の圧力センサ装置の利点を述べる。
本実施形態の圧力センサ装置は、 圧力検出用弾性表面波素子 2を設け たセンサ基板 1の厚みを、 参照用弾性表面波素子 3を形成した部分の厚 みに比して全体的に薄くなしたことから、 圧力を受けたときのセンサ基 板 1の変形量が大きくなり、 圧力センサ装置として高い感度が得られる しとと る ς?
さらに、 本実施形態の圧力センサ装置においては、 参照用弾性表面波 素子 3 と圧力検出用弾性表面波素子 2の温度特性を一致させることが可 能となり、 非常に簡便な構成及び方法で温度補償を実現することができ る。
またさらに、 参照用弾性表面波素子 3及び圧力検出用弾性表面波素子 2は、 センサ基板 1、 支持基板 6及び封止材 4によって封止された空間 Sの中に配置されることとなり、 両素子及び両素子の電気的な接続部を 外部環境よ り良好に保護することができ、 圧力センサ装置の信頼性を飛 躍的に向上させることができる。
なお、 図 1〜図 3の実施形態において、 圧力検出用弾性表面波素子 2 の配設領域全域が肉薄部に位置するようにしたが、 これに代えて、 圧力 検出用弾性表面波素子 2の配設領域の一部、 例えば、 1 0丁電極2 &の みが肉薄部に位置するようにしたり、 或いは、 1 0丁電極 2 と、 反射 器 2 bの一部とが、 肉薄部に位置するようにしても構わない。
次に、 上述した支持基板 6 とセンサ基板 1 とを接続する方法について 説明する。
先ず、 上面に接続パッ ド、 接合部 9を有する第 1 ウェハと、 下面に圧 力検出用弾性表面波素子 2、 参照用弾性表面波素子 3、 接合部 8及び電 極パッ ド 7を有する第 2 ウェハとを準備する。 ここで用いる第 1ウェハ は支持基板 6の集合基板であり、 第 2ウェハはセンサ基板 1の集合基板 である。 第 2 ウェハの厚みは 2 0 0〜 3 0 0〃mに設定される。 第 2ゥ ェハには、 個々の圧力センサ装置が形成されるセンサ基板 1ごとに肉薄 部を形成する。
この肉薄部の形成方法は、 次の通りである。 第 2ウェハを、 圧力検出 用弾性表面波素子 2等の電極形成面を下にして、 ダイシングテープに貼 り付け、 この状態でエッチングまたは、 サン ドブラス ト法によ り、 圧力 検出用弹性表面波素子 2の直下に位置するセンサ基板 1の厚みが他の領 域よりも薄くなるように加工を行う。
次に、 第 1 ウェハの接続パ ヅ ドと第 2ウェハの電極パッ ド 7、 及び第 1ゥヱハの接合部 9 と第 2ウェハの接合部 8 とを、 それそれ半田ペース トを介して仮接続する。 本実施形態では、 半田ペース トには、 A u S n 粉末を有機ビヒクル中に分散させたものを用いた。 また、 半田ペース ト は、 接続パッ ドや接合部 9上に、 従来周知のスクリーン印刷法等により 塗布 ·形成する。
次に、 第 2ウェハの各電極パッ ド 7及び接合部 8を、 第 1ウェハの対 応する各接続'パッ ド及び接合部 9 と対向させる。
次に、 第 1 ゥヱハ及び第 2 ウェハを加熱して半田ペース トを溶融させ る。
このよ うにして、 参照用弾性表面波素子 3及び圧力検出用弾性表面波 素子 2が封止材 4で囲繞されるとともに、 第 1ウェハの電極パヅ ドが電 極パッ ド 7に電気的に接続される。
次に、 ダイシングにより、 第 2ウェハのみを切断して、 第 2 ウェハを 複数個のセンサ基板 1に分割させた後、 隣接する圧電基板間の間隙を埋 めるように、 液状の樹脂を塗布し、 熱硬化させる。 なお、 本実施形態に おいては、 液状樹脂を塗布した際、 間隙を効果的に埋める必要があるの で、 真空印刷を用いると良い。
そして、 第 1 ウェハを、 上述した樹脂とともにダイシング等により切 断する。 このようにして、 支持基板 6 ごとに分割された、 圧力センサ装 置が製作されることとなる。 前記樹脂は、 厚みの薄いセンサ基板 1の端 面部を保護する保護材として機能する。
かく して構成した圧力センサ装置は、 例えば、 前述したような発信囱 路 6 0 と接続し、 これに差分生成回路、 電力増幅器、 電源及びアンテナ を組み合わせることによって、 自動車のタイヤに取り付けられてタイヤ の空気圧の変化に応じて無線信号を送信出力するタイヤ状態監視装置 ( T P M S ) として用いることができる。
次に、 弾性表面波素子として、 弾性表面波遅延線を用いた圧力センサ 装置について図 5、 図 6を用いて説明する。 なお、 本実施形態において は先に述べた図 1及び図 2の実施形態と異なる点についてのみ説明し、 同様の構成要素については同一の参照符を用いて重複する説明を省略す るものとする。
図 5は、 本実施形態の圧力センサ装置の断面図、 図 6は当該圧力セン サ装置に用いるセンサ基板 1を示す外観斜視図である。
本実施形態の圧力センサ装置が先に述べた図 1、 図 2の圧力センサ装 置と異なる点は、 センサ基板 1の圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用 弾性表面波素子 3が、 弾性表面波遅延線として構成されていることであ る。
すなわち、 圧力検出用弾性表面波素子 2は、 センサ基板 1の表面に間 隔をあけて配置された一対の I D T電極 2 aと、 その間の弾性表面波の 伝搬路 2 cとで構成されている。 ここでセンサ基板 1の肉薄部は圧力検 出用弹性表面波素子 2の配設領域全域にわたつて設けられている。 また、 参照用弾性表面波素子 3も同様に、 弾性表面波遅延線のタイプ である。 すなわち、 センサ基板 1の下面に所定の間隔をあけて配置され た一対の I D T電極 6 aと、 その間の弾性表面波の伝搬路 6 cとで構成 されている。
また、 両弾性表面波素子 2 , 3の弾性表面波の伝搬方向の両側には、 弾性表面波を減衰させ、 圧電基板の端部などで弾性表面波が反射するの を防止するために、 シリ コン樹脂などから成るダンピング材 1 7が形成 されている。 なお、 センサ基板 1の端部で反射する弾性表面波の強さが 許容される程度のものであれば、 必ずしもダンピング材 1 7を設ける必 要はない。
センサ基板 1に外部からの圧力が印加され、 センサ基板 1の肉薄部が 変形すると、 圧力検出用弾性表面波素子 2において、 弾性表面波の伝搬 路の長さが変化すると同時に、 歪みが生じた部分の弾性表面波の伝搬速 度が変化し、 両者の作用によって電気信号の遅延時間が変化するため、 遅延時間の変化を検出することによって、 先の実施形態の場合と同様に 圧力の変化を検出することができる。
遅延時間の変化を検出するためには、 例えば圧力検出用弾性表面波素 子 2の弾性表面波遅延線によって生じる電気信号の遅延時間に対応した 周波数で発振する発振回路を接続する。 これによつて、 圧力の変化を発 振周波数の変化として検出することができる。
また、 参照用弾性表面波素子 3も同様に、 参照用弾性表面波素子 3に よって生じる電気信号の遅延時間に対応した周波数で発振する発振回路 を接続する。
この場合も、 圧力検出用弾性表面波素子 2及び参照用弾性表面波素子 3が同一のセンサ基板 1上に形成されているため、 遅延時間の温度依存 生は、 双方の弾性表面波素子 2, 3の発振信号の差分をとることでキヤ ンセルされ、 温度補正をすることができる。
さらに上述した図 5、 図 6の実施形態においては、 圧力検出用弾性表 面波素子 2の配設領域全域が肉薄部に位置するようにしたが、 これに代 えて、 圧力検出用弾性表面波素子 2の配設領域の一部、 例えば、 伝搬路 2 cのみが肉薄部に位置するようにしたり、 或いは、 伝搬路 2 cと、 I D T電極 2 aの一部とが、 肉薄部に位置するようにしても構わない。 発振回路は、 I Cチップで実現し、 上述した支持基板 6の上面、 下面 又は支持基板 6の内部に搭載するようにしても良いし、 支持基板 6の外 部のマザーボ一ド上に搭載してもよい。
図 7は、 発振回路等を支持基板 6の下面に搭載した例を示す。
支持基板 6の下面には、 端子電極 (図示せず) が設けられているとと もに、 第 1の発振回路、 第 2の発振回路、 差分生成回路及び変調回路を 集積した I Cチップ 1 2が搭載され、さらに電力増幅器 1 5が搭載され、 さらに、 これらを覆うように樹脂 1 4がモールド形成されている。
これらの第 1の発振回路、 第 2の発振回路、 差分生成回路及び変調回 路等の機能は、 図 4を参照しながら説明したのと全く同様であり、 ここ では改めて説明することは省略する。
以下、 本発明の圧力センサ装置の他の構成例を説明する。
図 8は、 センサ基板 1の下面において、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3とを一列状に配置させ、 圧力検出用弾性表面 波素子 2の反射器 2 bと、 圧力検出用弾性表面波素子 3の反射器 3 bと を、 双方の弾性表面波素子 2 , 3の反射器として共用していた構造を示 す図である。
この圧力センサ装置によれば、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用 弾性表面波素子 3 とが両者間に位置する反射器 2 b ( 3 b ) を共用して いることから、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 とを含むセンサ基板 1の面積をよ り小さくすることができ、 圧力センサ 装置をより軽量化することができる。 その結果、 圧力センサ装置が例え ば夕ィャ内の空気圧を監視する目的で使用される際においても、 タイヤ の回転により発生する遠心力をより小さくすることができるので、 タイ ャ内部で圧力センサ装置の固定が外れ故障することを減少させることが できる。
なお、 図 8には共用する反射器 2 b ( 3 b ) を凹部 5の形成領域内と 形成領域外とにまたがって形成した例を示しているが、 共用する反射器 2 b ( 3 b ) 全体を、 凹部 5の形成領域内に、 あるいは凹部 5の形成領 域外に形成してもよい。
しかし、 圧力センサ装置に外部からの圧力が加わった際に圧力検出用 弾性表面波素子 2が形成された領域を変形し易く し圧力センサ装置の感 度を高めるという観点からは、 共用する反射器 2 b ( 3 b ) 全体を、 凹 部 5の形成領域内に形成することが好ましい。
また、 図 9の斜視図で示すように、 圧力検出用弾性表面波素子 2の I D T電極 2 aと参照用弾性表面波素子 3の I D T電極 6 aとの電極パヅ ド 7を共用してもよい。 なおこの場合、 電極パッ ドが 1つ減少すること から、 工程を簡略化することができる。
図 1 0は、 センサ基板 1上の圧力検出用弾性表面波素子 2と参照用弹 性表面波素子 3 との間に弾性表面波の伝達を遮断も しくは弾性表面波の 強度を低減せしめるダンピング材 1 6を配置した構造を示している。 本圧力センサ装置によれば、 センサ基板 1表面の圧力検出用弾性表面 波素子 2と参照用弾性表面波素子 3との間に弾性表面波の伝達を遮断も しくは弾性表面波の強度を低減せしめるダンピング材 1 6を配置するよ うにしたことから、 それぞれの弾性表面波の搬送波が同一ライ ン上を進 行するように隣接配置して、 圧力センサ装置を小型化した場合において も、 互いの反射器で反射しきれなかったリークする搬送波が圧力検出用 弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 との間に位置するダンピン グ材 1 6によって良好に吸収される。 したがって、 リークする搬送波と 隣接する参照用弾性表面波素子 2あるいは圧力検出用弾性表面波素子 3 の搬送波とが互いに干渉することは殆どなく、 その結果、 圧力測定を正 確に行うことができる。
ダンピング材 1 6 としては、 樹脂や金属等の搬送波をダンピングでき る材料であれば使用することが可能であり、 好適にはシリコーンゴムに 代表されるゴム等の弾力性を有する材料が用いられる。 なお、 ダンピン グ材の配置は、 例えばダンピング材がシリコーンゴムである場合は、 セ ンサ基板 1表面に従来周知のスクリーン印刷法を用いて印刷することに よつて行なわれる。
なお、 ダンビング材 1 6は、 隣接する反射器 2 b、 3 bの間で、 少な く とも一方の対向する端部の間から他方の対向する端部の間までの領域 に連続して配置されていれば、 リークする搬送波をダンピングする効果 を得ることができる。 また、 ダンピング材 1 6の幅は、 隣接する反射器 2 b、 3 bの間隔により適宜決定され、 通常は数〃 m〜数 1 0 m m程度 である。 さらに、 ダンピング材 1 6を支持基板 6 と接触するように形成 することにより、 リークする搬送波をよりダンピングする効果を得るこ とができる。
また、 ダンピング材 1 6を、 図 1 1 ( a ) に示すように、 圧力検出用 弾性表面波素子 2および参照用弾性表面波素子 3をそれそれ囲むように 形成してもよい。 さらに、 図 1 1 ( b ) に示すように、 圧力検出用弾性 表面波素子 2および参照用弾性表面波素子 3を一つの大きなダンピング 材 1 6で囲むと同時に、 圧力検出用弾性表面波素子 2および参照用弾性 表面波素子 3間にもダンピング材 1 6を配するように形成してもよい。 この場合、 ダンピング材 1 6を半田や導電性樹脂等の導体材料とするこ とにより、 接合部 8の機能を兼ねることができ、 工程を増加することも ない。
また、 図 1 2に示すように、 センサ基板 1上の圧力検出用弾性表面波 素子 2 と参照用弹性表面波素子 3 とを並列に配置した構成も採用するこ とができる。 すなわち、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面 波素子 3 とはく 並列に、 かつ、 両素子 2, 3の弾性表面波の伝搬方向が 平行になるように配置されている。
本発明の圧力センサ装置によれば、 センサ基板 1上の圧力検出用弾性 表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3とを並列に配置したことから、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 とを同一基板上 に形成し小型化したとしても、 それそれの弾性表面波が同一ライン上を 進行することはないので、 参照用弾性表面波素子 2から生じる弾性表面 波と圧力検出用弾性表面波素子 3から生じる弾性表面波とが互いに干渉 することはなく、 その結果、 圧力測定を正確に行うことができる。 なお、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 とは、 それそれの弾性表面波の干渉を防止するという観点からは、 弾性表面波 の進行方向に両者の位置がずれて配置されていても構わないが、 小型化 という観点からは、 図 1 2に示すように両者を横に並列に配置すること が好ましい。
また、 図 1 3に示すように、 圧力検出用弾性表面波素子 2と参照用弾 性表面波素子 3 とを隣接して並列に配置した場合、 両者の電極バッ ド 7 を共有して用いることにより、 より小型化が可能となる。
また、 さらに他の例として、 センサ基板 1上の圧力検出用弾性表面波 素子 2の共振周波数と、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数とがそれ それ異なる共振周波数となるように形成してもよい。
この場合、 センサ基板 1上の圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波 数と参照用弾性表面波素子 3の共振周波数とをそれそれ異ならせたこと から、 圧力検出用弾性表面波素子 2と参照用弾性表面波素子 3 とを同一 基板上に接近させて形成し小型化したとしても、 参照用弾性表面波素子 3の搬送波と圧力検出用弾性表面波素子 2の搬送波とが干渉することは ないので、 圧力測定を正確に行うことができる。
また、 本発明の圧力センサ装置においては、 圧力検出用弾性表面波素 子 2の共振周波数を f r 2、 反共振周波数を f a 2、 参照用弾性表面波 素子 3の共振周波数を f r 3、 反共振周波数を f a 3 としたときに、 f a 2 < f r 3 ( 1 )
または、
f a 3 < f r 2 ( 2 )
となるように、 それそれの周波数を設定してもよい。
図 1 4は、 横軸は周波数 (単位は M H z ) 、 縦軸は挿入損失 (単位は d B )であり、圧力検出用弾性表面波素子 2の共振特性の一例を点線で、 参照用弾性表面波素子 3の共振特性の一例を実線で示している。
圧力検出用弾性表面波素子 2や参照用弾性表面波素子 3の圧電体は、 図 1 4のグラフで示すように、 挿入損失が最小となる周波数である共振 周波数( f r ) と、 挿入損失が最大となる周波数である反共振周波数(f a)とを有しており、 f rく: f aという関係を有している。従って式( 1 )、 ( 2 ) は、 圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波数 f r 2から反共振 周波数を: f a 2までの周波数帯域 (f r 2〜f a 2 ) と、 参照用弾性表 面波素子 3の共振周波数を: f r 3から反共振周波数 f a 3までの周波数 帯域 ( f r 3〜: f a 3 ) とが重なり合わないように、 それそれの共振周 波数および反共振周波数を設定することを意味している。
圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波数 f r 2および反共振周波数 : f a 2と、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数 f r 3および反共振周 波数: a 3 とが、 式 ( 1 ) または式 ( 2 ) を満たさない場合、 すなわち 圧力検出用弹性表面波素子 2の共振周波数: f r 2から反共振周波数を f a 2までの周波数帯域 ( f r 2〜: f a 2 ) と、 参照用弹性表面波素子 3 の共振周波数を f r 3から反共振周波数: f a 3までの周波数帯域 ( f r 3〜f a 3 ) とが重なり合っていると、 圧力検出用弾性表面波素子 2の リークする弾性表面波が f r 3〜: a 3の周波数帯域にスプリァスとな つて現れて、 あるいは参照用弾性表面波素子 3のリ "クする弾性表面波 が: f r 2〜f a 2の周波数帯域にスプリァスとなって現れて、 圧力検出 用弾性表面波素子 2や参照用弾性表面波素子 3の共振特性が乱れて正確 な圧力測定が困難となることがある。
従って、 圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波数を: f r 2、 反共振 周波数を: f a'2、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数を: r 3、 反共 振周波数を: f a 3と したときに、 f a 2 < f r 3、 または、 f a 3く f r 2となるように、 それぞれの周波数を設定することが好ましい。
図 1 4は、 共振周波数 (f r 3 ) が 3 1 4. 6 8 MH z、 反共振周波 数 (f a 3 ) が 3 1 4. 8 2 MH zである参照用弾性表面波素子 3の共 振特性を示している。 この場合、 圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周 波数 f r 2を、 参照用弾性表面波素子 3の反共振周波数 ( f a 3 = 3 1 4. 8 2 MH z ) よ り高い周波数となるように設定すればよい。 例えば センサ基板 1 として水晶基板 ( S Tカッ ト水晶、 表面波音速 V = 3110m /s、 規格化膜厚 (HZえ) = 2 % H : 金属材料の電極膜厚 (〃m) え : 波長 ( zm) ) を用いた場合の圧力検出用弾性表面波素子 2と参照 用弾性表面波素子 3の具体的な素子設計は、 圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周波数を f r 2 > 3 1 4. 8 2 MH zとすると、 圧力検出用弾 性表面波素子 2の波長え 2 < 9. 8 7 9〃m、 I D T電極の電極指幅 P 2 < 2. 4 7 0〃mとなる。 また参照用弾性表面波素子 3の共振周波数 を f r 3 = 3 1 4. 6 8 MH zとすると、 参照用弾性表面波素子 3の波 長え 3二 9. 8 8 3 , I D T電極の電極指幅 P 2 = 2. 4 7 1〃m となる。 上記例では: f a 3く f r 2の場合について説明したが、 : f a 2 < f r 3の場合においても同様に圧力検出用弾性表面波素子 2の共振周 波数: f r 2から反共振周波数を f a 2 までの周波数帯域 ( f r 2〜: a 2 ) と、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波数を : f r 3から反共振周波 数 f a 3までの周波数帯域 ( f r> 3〜: f a 3 ) とが重なり合わないよう に設定すればよい。
また、 図 1 5はセンサ基板 1 として水晶基板を用いた場合の、 弾性表 面波素子の周波数温度特性を示すグラフである。なお、図 1 5において、 横軸は温度 (単位は。 C) 、 縦軸は周波数の変化率 (単位は p p m) であ る。
このグラフに示すような水晶基板に代表される周波数温度特性が 2次 曲線を示す単結晶圧電材料を用いる場合には、 圧力検出用弾性表面波素 子 2 と参照用弾性表面波素子 3の共振周波数( f r )差が大きくなると、 圧力検出用弾性表面波素子 2の周波数温度特性の頂点温度と参照用弾性 表面波素子 3の周波数温度特性の頂点温度との差が大きくなり正確な圧 力測定が困難となるため、 好ましくない。
一般的に頂点温度を有する単結晶圧電材料においては、 単結晶圧電材 料のカッ ト角と I D T電極等を形成する金属材料の電極膜厚の規格化膜 厚 (Η /え) との関係により頂点温度が決定される。 ここで Ηは金属材 料の電極膜厚 (〃ni ) 、 えは波長 (〃m ) である。
ところが本発明のように圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表 面波素子 3の共振周波数を異ならせた場合は圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 とではえが異なるので、 金属材料の電極膜 厚を同一とすると規格化膜厚 (H /人) が異なるため周波数温度特性の 頂点温度も異なることとなる。 この関係から圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3の共振周波数の共振周波数差が大きくなる と双方の規格化膜厚差も大きくなり、 その結果として双方の周波数温度 特性の頂点温度差も大きくなる。
よって、 以上より本発明の圧力センサ装置における圧力検出用弹性表 面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3の形成に当たっては、 圧力検出用 弹性表面波素子 2の共振周波数 f r 2から反共振周波数を; f a 2までの 周波数帯域 ( f r 2〜f a 2 ) と、 参照用弾性表面波素子 3の共振周波 数を f r 3から反共振周波数: f a 3までの周波数帯域(f r 3〜: f a 3 ) とが重なり合わないように、 それそれの共振周波数および反共振周波数 を設定するとともに、 水晶基板等の周波数温度特性が 2次曲線を示す単 結晶圧電材料を用いる場合には圧力検出用弾性表面波素子 2と参照用弾 性表面波素子 3の頂点温度差が大きくずれない範囲となるように例えば- 頂点温度差 ± 5 °C以内となるように形成するとよい。 '
ここで、 頂点温度差が ± 5 °Cより大きくなると圧力検出用弾性表面波 素子 2 と参照用弾性表面波素子 3の周波数温度変化が圧力測定時の測定 誤差となるため好ましくない。 よって双方の頂点温度差が ± 5 °Cを超え る場合には双方の規格化膜厚 (H /え) が同一となるように、 金属材料 の電極膜厚 Hをプラズマエッチング等の金属膜エッチング技術を用いて ェ ツチング加工することにより、 参照用弾性表面波素子 3 と圧力用弾性 表面波素子 2が同一の規格化膜厚 (Η /ぇ) となるようにすれば良い。
また、 本実施形態においては、 圧力検出用弾性表面波素子 2をセンサ 基板 1の下面側に形成するようにしたが、 これに代えて、 圧力検出用弾 性表面波素子 2をセンサ基板 1の上面側に形成するようにしても構わな い。
—第 2の実施形態—
以下、 本発明の第 2の実施形態にかかる圧力センサ装置を添付の図面 に基づいて詳細に説明する。
図 16 (a) 〜 ( c) は本発明の一実施形態にかかる圧力センサ装置 を示す図であり、 図 16 (a) は上面図、 図 16 (b) 及び図 16 ( c) は断面図である。
同図に示す圧力センサ装置は、 センサ基板 10と、 この上面に形成さ れた I D T電極 2 1および反射器 22からなる圧力検出用弾性表面波素 子 20とを備えている。
センサ基板 1 0は、 例えば、 水晶、 タンタル酸リチウム単結晶、 ニォ ブ酸リチウム単結晶、 四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶、 あ るいはチタン酸鉛、 ジルコン酸鉛等の圧電セラミ ックスから成り、 圧力 検出用弾性表面波素子 2 0を介してセンサ基板 10に電圧が印加される と、 その一主面で所定の弾性表面波を発生させる作用をなす。
圧力検出用弾性表面波素子 20は、 弾性表面波を励振する I D T電極 2 1、 弾性表面波の伝搬方向に沿って I D T電極 2 1の両側に配置され る反射器 22、 I D T電極 2 1に電気的に接続される外部接続用のパヅ ド電極 23等によって構成される。 I DT電極 2 1、 反射器 22、 パッ ド電極 23は、 例えば、 アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とす る合金等の金属材料から成る。
I DT電極 2 1は、 互いに平行に配置された帯状の共通電極と、 これ らの共通電極に対し直交する方向に延びる複数の電極指を有する一対の 櫛歯状電極 2 1 a、 2 1 bとから構成されている。
I D T電極 2 1は、 外部から所定の電力が印加されると、 センサ基板 10の上面に電極指の配列ピッチに対応した所定の弾性表面波、 具体的 には、 電極指の配列ピッチを 1ノ2波長とする弾性表面波を発生する作 用をなす。
他方、 反射器 2 2は、 I D T電極 2 1の形成領域内で発生する弾性表 面波のエネルギーを一対の反射器 2 2 a、 2 2 bの間に閉じ込めて定在 波を効果的に発生させる作用をなす。
また、 I D T電極 2 1 と電気的に接続するように形成された電極パッ ド 1 0は、 外部との電気的接続をなす金属細線やバンプが接合され、 I D T電極 2 1に外部からの所定の電圧を印加する機能を有する。
なお、 参照用弾性表面波素子 3 0は、 先に述べた圧力検出用弾性表面 波素子 2 0 と同様の構成を有する。
参照用弾性表面波素子 3 0は、 圧力変動前後の共振周波数の変動がな いように、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0から距離を隔てて配置されて いる。 参照用弾性表面波素子 3 0は、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0 と 弾性表面波の伝搬方向が同一方向となるようにセンサ基板 1 0上に I D T電極 3 1、 反射器 3 2が形成されたものである。
また、 本実施形態の圧力センサ装置は、 I D T電極 2 1の直下に位置 するセンサ基板 1 .0の下面に、 溝状の凹部 4 0 , 4 0 ' が形成されて、 この部分の厚みが他の領域よりも薄くなつている。
特に、 図 1 6 ( b ) の凹部 4 0では、 反射器 2 2の直下に位置するセ ンサ基板 1 0の厚みを I D T電極 2 1から離れるに従って漸次厚く して レヽる。
また、 図 1 6 ( c ) の凹部 4 0 ' では、 センサ基ネ反 1 0の厚みが、 I D T電極 2 1の直下と反射器 2 2の直下とにおいて、 階段状に変化して いる。
このような圧力センサ装置は以下に述べる方法によって製作される。 まず、 圧電 '単結晶の母基板 (ウェハ) を用意し、 これに蒸着法ゃスパ ッタ リング法によってゥヱハ上に電極膜を形成する。 次に、 この電極膜 上にレジス トをスピンコート し、 さらにステヅパー装置等を用いて露 光 · 現像した後に、 R I E装置等を用いてェ ヅチングしてゥヱハ上に I D Tや反射器等の電極パターンを形成する。 これによつて、 ウェハの表 面の縦横に多数の圧力検出用弾性表面波素子 2 0、 参照用弾性表面波素 子 3 0が形成される。
次に、 このウェハを弾性表面波素子の電極形成面を下にしてダイシン グテープに貼り付け、 この状態でエッチングまたは、 サン ドブラス ト法 により、 I D T電極 2 1の直下に位置するセンサ基板 1 0の厚みが他の 領域よりも薄くなるように加工を行う。 そしてしかる後、 ウェハをダイ シングカッ トすることにより、 圧力センサ装置の個片が完成する。
なお、 圧力センサ装置のチップサイズは、 共振器の共振周波数によつ て異なるが、 共振周波数 3 0 0 M H z程度で用いる場合、 1 0 m m x 5 m m X 0 . 3 m m程度 (長さ x幅 x厚み) である。
また、 センサ基板 1 0の I D T電極 2 1直下の厚みは、 所望のセンサ 感度と圧力検出用弾性表面波素子 2 0の共振周波数の関係で決まる。 具 体的には 1 0〃π!〜 1 0 0〃mの範囲に設定することが好ましい。 厚み が 1 0〃m以下であるとセンサ基板 1 0の強度が脆くなり、 その部分か ら割れる等の不具合が発生する傾向がある。 また、 厚みが 1 0 0〃m以 上であると、 圧力.によるたわみ量が減少するため感度が劣化する傾向が ある。
図 1 7は、 図 1 6 ( b ) に示した本発明の圧力センサ装置を、 支持基 板 6上に実装した状態を示す図であり、 ( a ) は上面図、 (b ) は ( a ) の X— X線断面図、 ( c ) は圧力センサ装置の上面図、 ( d ) は支持基 板 6の上面図である。 なお、 この圧力センサ装置は、'参照用弾性表面波 素子 3 0を描いていない。
図 1 7において、 I D T電極 2 1に接続されたパヅ ド電極 2 3の先に はバンプ電極 6 1が形成されている。 バンプ電極 6 1は、 支持基板 6上 に形成されたバンプ電極 6 1 と半田バンプ 6 2により電気的に接続され る。
樹脂によりセンサ基板 1 0 と支持基板 6間は気密封止されている。 な お、 半田バンプ 6 2 と樹脂間には樹脂の流入を防止するダムが形成され ている。 センサ基板 1 0 と支持基板 6間は大気圧に保持されて気密封止 されている。
次に、 図 1 7の圧力検出用弾性表面波素子 2 0について、 その動作お よび実際の圧力測定方法について説明する。
図 1 8は実際の圧力測定系を模式的に示す図である。この図において、 圧力センサ装置は、 ガスチャンバ一 9 0内で窒素ボンべ 9 1から注入さ れる窒素により加圧される。 そして、 圧力計 9 2で圧力上昇を確認しな がら、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0の共振周波数をネッ トワークアナ ライザ 9 3で測定する。
前記図 1 7の圧力センサ装置において、 圧力変動前 (大気圧状態) と 変動後 (加圧状態) の共振特性を図 1 9に示す。 図 1 9 (b) の縦軸は 揷入損失 ( d B ) 、 横軸は周波数 (MH z ) である。
なお、 この実験では、 共振器として RKE (Remote Keyless Entry Security) 用の弾性表面波共振器 (共振周波数: 3 1 5. 0 MH z ) を 用いた。
ここで、 図 1 9に示す点線の共振特性は圧力変動前 (大気圧状態) で あり、 実線の共振特性は圧力変動後 (加圧状態) である。
図 1 9からわかるように圧力変動前後の共振特性を比較すると圧力変 動後(加圧状態)の共振特性は共振周波数が低周波側にシフ トしている。 これは圧力変動によ り、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0の I D T電極 2 1が凸状に変形したためである。 すなわち、 I D T電極 2 1のピッチで 決まる波長が I D T電極 2 1の変形により大きくなり、 波長の逆数の閧 係にある共振周波数が低周波側にシフ ト したことになる。
ここで共振周波数の変化量と圧力の関係を事前に求めておく ことによ り、共振周波数の変化を測定することで、圧力に換算することができる。 ここで、 本発明の圧力センサ装置において利点は、 図 1 9に実線で示 す圧力検出用弾性表面波素子 2 0の圧力変動後 (加圧状態) の共振特性 において、 共振周波数の揷入損失の劣化がないことである。
次に、 センサ基板 1 0の厚みが、 反射器 2 2の直下とそれ以外の部分 とにおいて、 階段状に変化した構造 (図 1 6 ( c) ) を持つ圧力センサ 装置の、 圧力変動前 (大気圧状態) と変動後 (加圧状態) の共振特性を 図 2 0に示す。
m 2 0に示す点線の共振特性は圧力変動前 (大気圧状態) であり、 実 線の共振特性は圧力変動後 (加圧時) である。 図 2 0に示されているよ うに、 圧力変動前後の共振特性を比較すると圧力変動後 (加圧時) の共 振特性は共振周波数が低周波側にシフ トしている。 これは圧力変動によ り、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0の I D T電極 2 1が凸状に変形した ためである。 すなわち、 I D T電極 2 1の間隔で決まる波長が I D T電 極 2 1の変形により大き くなり、 波長と逆数の関係にある共振周波数が 低厨波側にシフ ト したことになる。
したがって、 共振周波数の変化量と圧力の関係を事前に求めておく こ とにより、 共振周波数の変化を測定することで、 圧力に換算することが でぎ る。
そ して本発明にかかる圧力センサにとって利点は、 図 2 0に示すよう に 力変動前後の共振周波数の変化量が大きいことである。
以上の実験結果よ り明らかなように、 本発明の圧力センサ装置におい て 、 圧力検出用弾性表面波素子 2 0の I D T電極 2 1直下に位置する センサ基板 1 0の厚みを反射器 2 0の直下に位置するセンサ基板 1 0の 厚みよ りも薄くなした'ことから、 圧力変動による I D T電極 2 1直下に 位置するセンサ基板 1 0のたわみ量を大きくできるため圧力変動前後の 共振周波数の変化量を大きくでき、 感度の高い圧力センサを得ることが でぎ る。
と く に、 センサ基板 1 0の厚みを I D T電極 2 1より離れるに従って 漸^厚くすれば、 圧力変動による I D T電極 2 1の変形にその両側の反 射器 2 2も追髄するため、 圧力変動により反射器 2 2の反射効率が低下 する ことがないので圧力検出用弾性表面波素子 2 0内に弾性表面波のェ ネルギー閉じ込め効果の大きい損失の少ない共振特性を得ることができ る。
なお、 上述の実施形態においては、 本発明を、 一端子対を有する弾性 表面波共振器に適用した例について説明したが、 本発明と同様に弾性表 面波のエネルギー閉じ込め効果を利用した設計手法を用いた共振器ゃフ ィルタ等に適用可能である。 また本発明は、 二端子対共振器や多重モー ドフィル夕等にも適用可能である。
—第 3の実施形態一
以下、 本発明の第 3の実施形態に係る圧力センサ装置を図面に基づい て詳細に説明する。
図 2 1は圧力センサ装置の断面図、 図 2 2は圧力センサ装置に用いら れるセンサ基板 1の下面を示す平面図、 図 2 3は圧力センサ装置に用い られる支持基板 6の上面を示す平面図である。
図 2 4は圧力センサ装置の発振回路及び差分生成回路の電気的構成を 示す回路図である。
圧力センサ装置は、 大略的に、 センサ基板 1 と、 支持基板 6 と、 電子 部品素子 5 0 と、 封止材 4とで構成されている。
センサ基板 1は、 センサ基板 1に印加される圧力に応じてセンサ部 1 1が変形し、 圧力変動を検出するようになっている。
センサ基板 1の下面には、 センサ部 1 1、 電極パッ ド 7及びこの両者 を接続する引出電極 7 1等が形成されている。 また、 センサ部 1 1、 電 極パッ ド 7、 引出電極 7 1の周囲には、 これらを囲繞するようにして接 合部 8が設けられており、 この接合部 8に封止材 4が接合される。
センサ基板 1の材質としては、 センサ部 1 1 と一体的に形成すること ができ、 外部からの圧力を受けると比較的容易に変形し得るものが好ま しく、 例えば、 水晶、 ニオブ酸リチウム、 タンタル酸リチウム等の圧電 材料が好適に使用される。
センサ部 1 1は、 I D T電極 2 aと、 I D T電極 2 aの弾性表面波の 伝搬方向の両側に形成される一対の反射器電極 2 bとから成る弾性表面 波共振子 2で構成される。 また、 I D T電極 2 aは、 引出電極 7 1を介 して電極パッ ド 7に接続されている。
I D T電極 2 aや反射器電極 2 bは、センサ基板 1の表面に、例えば、 アルミニウムや金等の金属材料を従来周知のスパッタリングゃ蒸着等の 薄膜形成技術、 フォ トリソグラフィ一技術等を採用し、 2 0 0 O A程度 の厚みにてパターン形成することによ りが形成される。
また、 電極パッ ド 7や引出電極 7 1も、 先に述べた I D T電極 2 a等 と同様に、 アルミニウムや金等の金属材料を薄膜形成技術やフォ ト リソ グラフィ一技術等によってパターン形成することによって得られる。 な お、 電極パッ ド 7については、 下地に対する密着強度を向上させるため に膜厚を厚く形成しておく ことが好ましい。 さらにその表面に C r、 N i、 A u等のメ ツキを施すことによって導電性接合材 7 0 との接合性を 良好なものとすることができる。
一方、 支持基板 6に求められる特性としては、 外部からの圧力に対し て変形することが殆どなく、十分な強度を有していることが重要であり、 その材質としては、 例えば、 ガラス一セラミ ック材料などのセラミ ック 材料を用いた多層回路基板等が用いられる。
かかる支持基板 6の上面には、 電子部品素子 5 0が搭載されるととも に、 導電性接合剤 7 0を介して電極パッ ド 7 と接続される接続パッ ド 5 3が設けられている。 なお、 接続パッ ド 5 3は、 支持基板 6の表面また は内部に形成された内部配線パターン 2 4の一部によって、 前記電子部 品素子 5 0 と電気的に接続されている。 したがって、 このようにして弹 性表面弾性波素子 2 と電子部品素子 5 0 とが電気的に接続されることに なる。 ' '
また、 上述した電子部品素子 5 0及び接続パツ ド 5 3の周囲に、 先に 述べた接合部 8 と対向するようにして接合部 9が設けられており、 この 接合部 9に封止材 4が接合される。 よって、 接合部 8 , 9の内側に、 セ ンサ基板 1の下面と、 支持基板 6の上面と封止材 4で囲まれた封止空間 Sを形成することができる。
さらに、 支持基板 6の下面には、 複数個の外部端子電極 2 3が形成さ れており、 これらの外部端子電極 2 3は、 この圧力センサ装置を実装す る外部回路基板の配線パターンに接続される。 また、 外部端子電極 2 3 は、 支持基板 6の内部配線パターン 2 4やビアホール導体 2 5等を介し て、 支持基板 6上面の電子部品素子 5 0や接続パッ ド 5 3等と電気的に 接続されている。
また、 導電性接合材 7 0は、 例えば、 半田や導電性ペーストなどから 成り、 センサ基板 1の電極パッ ド 7と支持基板 6の接続パッド 5 3とを 接続することで、 弾性表面波素子 2の I D T電極 2 aと電子部品素子 5 0とを電気的に接続している。
支持基板 6は、 具体的には、 接続パッド 5 3や外部端子電極 2 3、 内 部配線ノ ターン 2 4、 ビアホール導体 2 5となる導体ペーストが印刷 · 塗布されたグリーンシートを複数枚、 積層 '圧着させた上、 これを一体 焼成することによって製作される。
なお、 接続パッ ド 5 3や外部端子電極 2 3の表面には必要に応じて C r、 N i、 S n、 A u等のメツキを施すことが好ましい。 これにより、 接続パッ ド 5 3や外部端子電極 2 3の接合性を良好なものにすることが できる。
上述したセンサ基板 1 と支持基板 6との間に介在される封止材 4は、 例えば、 樹脂や金属材料等から成り、 弾性表面波素子 2や電気部品素子 5 0を囲繞するようにして、 センサ基板 1の接合部 8と支持基板 6の接 合部 9 とを接合する。 これにより、 センサ基板 1 と支持基板 6 と封止材 4とで囲まれる封止空間 S内に、 I D T電極 2 a、 反射器電極 2 b及び 電子部品素子 5 0等を気密封止している。 そして、 このような封止空間 Sの内部には、 窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスが充填され、 こ れによつて封止空間 S内に配置される I D T電極 2 a、 反射器電極 2 b や電子部品素子 5 0等の酸化腐食等が有効に防止されることとなる。 なお、このような封止材 4として、半田等の導体材料を用いる場合は、 封止材 4が接合される接合部 8及び接合部 9の部分に導電性の封止電極 が形成されるので、 封止電極を支持基板 6の下面のグランド端子 (外部 回路基板のグランド電位の端子に接続される外部端子電極 2 3 ) に電気 的に接続させておくようにすれば、 圧力センサ装置の使用時、 封止材 4 はグランド電位に保持されることとなるため、 封止材 4によるシールド 効果が期待でき、 外部からの不要なノィズを封止材 4でもって良好に低 減することができる。
また、 封止材 4として導電性樹脂を用いる場合も同様にグランド電位 に保持されるようにすることでシールド効果が期待できる。
なお、 接合部 8に形成される封止電極の材質及び製法は、 電極パッ ド 7 と同様とされ、 接合部 9に形成される封止電極の材質及び製法は接続 ノ ヅ ド 5 3 と同様とされる。
また、 電子部品素子 5 0は、 例えば、 発振回路や差分生成回路等を集 積した I Cチップ 5 1や電力増幅器 5 2から構成される。
図 2 4は、 発信回路 6 0の詳細な回路図である。 かかる発信回路 6 0 は、 発振回路 6 0 a , 6 0 b及び差分生成回路 6 0 cを有して構成され ている。 かかる回路には、 トランジスタ、 抵抗、 コイル、 コンデンサ、 弾性表面波素子 2 , 3等が、 発振周波数などの条件に応じて適宜配置さ れる。
まず、 発振回路.6 0 aは、 弾性表面波素子 2 と、 該弾性表面波素子 2 の出力信号に基づいて発振しえる発振条件を整える発振トランジスタ、 コンデンサ、 抵抗からなる発振段とから構成されている。
また、 発振回路 6 O bは、 弾性表面波素子 3 と、 該弾性表面波素子 3 の出力信号に基づいて発振しえる発振条件を整える発振トランジスタ、 コンデンサ、 抵抗からなる発振段とから構成されている。
また、 差分生成回路 6 0 cは、 例えばコンパレータ、 演算手段、 メモ リ手段などが集積化されたものである。 発振回路 6 0 aから得られる弾 性表面波素子 2の出力信号と、 発振回路 6 0 bから得られる弾性表面波 素子 3の出力信号とを、 たとえばコンパレータにて比較 ·参照して、 こ のデータを演算部に演算処理して、 圧力検出信号を作成する。
さらに、 演算部では、 当該圧力検出信号を、 外部に無線にて伝送する ための搬送波に合成して、 高周波信号を作成する機能も有している。
なお、 上述の差分生成回路 6 0 cでは、 検出用弾性表面波素子 2の出 力信号と、 参照用弾性表面波素子 3の出力信号とを、 コンパンレ一夕を 用いて比較しているが、 検出用弾性表面波素子 2の出力信号と参照用弹 性表面波素子 3の出力信号を、 ミキサー及びバンドパスフィル夕を用い て、 これらの 2つの出力信号に基づいて圧力検出信号を抽出しても構わ ない。
また、 前記回路では、 無線伝送を行うための搬送波を、 圧力検出を行 うための参照側の参照用弾性表面波素子 3に基づいて作成しているが、 この参照用弾性表面波素子 3を含む発振回路以外に、 搬送波作成用発振 回路を別途設けても構わない。
以上のような本実施形態の圧力センサ装置は、 センサ基板 1に対して 印加される外部からの圧力によって、 センサ部 1 1、 すなわち、 弾性表 面波素子 2 が変形する。 その結果、 歪みが生じた部分の圧電体の弾性定 数が変化して弾性表面波の伝搬速度が変化するとともに、 弾性表面波素 子 2の I D T電極 2 aにおいて、図 2 5に示す電極指間隔 dが変化して、 それそれの作用によって弾性表面波素子 2の共振周波数が変化する。 こ れにより、 発振回路 6 0 a、 bの発振周波数も変化するため、 センサ基 板 1に加わる圧力変動は最終的に発振周波数の変化として検出される。 ここで、 本実施形態の圧力センサ装置においては、 上述したように、 センサ部 1 1及び電子部品素子 5 0がセンサ基板 1、 支持基板 6及び封 止材 4にて囲まれる封止空間 S内に配置されるようになつているため、 外部環境の影響を受けることは殆どなく、 信頼性を向上させることがで きる。
また、 電子部品素子 5 0を搭載するためのスペースを封止空間 Sの外 側に別途確保する必要はないため、 圧力センサ装置の全体構造を小型化 することができ、 しかも高密度実装及びコス トダウンにも供することが できる。
次に、 上述した圧力センサ装置にアンテナ素子を付加した例を、 図 2 6を用いて説明する。
同図に示す圧力センサ装置は、 支持基板 6上にアンテナ素子 8 1を搭 載している。 アンテナ素子 8 1は、 半田付け等によって支持基板 6上に 実装される。
このアンテナ素子 8 1によって、 発信回路 6 0より出力される所定周 波数の高周波信号を、 他の受信機器に無線電送することが可能となる。 ァンテナ素子 8 1 としては、 例えば、 誘電体セラミ ヅクなどを利用し た表面実装型のチヅプアンテナが用いられる。
アンテナ素子 8 1は、 図 2 4に示した発信回路 6 0の出力端 6 2に、 電力増幅器 5 2を介して接続される。 送信パワーが小さくてもよいとき は、 アンテナ素子 8 1を、 発信回路 6 0の出力端 6 2に直接接続しても よい。
なお、 アンテナ素子 8 1は、 図 2 6に示すように、 封止材 4による封 止空間 Sの外側に配置させておく ことが好ましい。 これによつて、 アン テナ素子 8 1 と、 封止空間 S内部の表面弾性波素子 2や電子部品素子 5 0 との電波干渉を避けることができ、 高周波信号を殆ど減衰させること なく無線送信することが可能となる。
以上のような本実施形態の圧力センサ装置 8 0によれば、 センサ部 1 1を構成する弾性表面波素子 2や、 それとともに発信回路 6 0等を構成 する電子部品素子 5 0を外部環境より保護することによって信頼性を向 上させることができるとともに、 全体構造を小型化することが可能とな る。
次に、 弾性表面波素子 2 として、 弹性表面波遅延線を用いた圧力セン サ装置を、 図 2 7を用いて説明する。 図 2 7は、 本実施形態の圧力セン サ装置に用いられるセンサ基板 1の下面を示す平面図である。
本実施形態の圧力センサ装置が、 図 2 1 , 図 2 2に述べた圧力センサ 装置と異なる'点は、 センサ部 1 1を構成する弾性表面波素子 2が、 セン サ基板 1の下面に間隔をあけて配置された一対の I D T電極 2 aと、 そ の間の弹性表面波の伝搬路 2 c とで構成されていることである。
また、センサ基板 1の下面で、弾性表面波素子 2の両側、具体的には、 弾性表面波の伝搬方向に係る両側には、 弾性表面波を減衰させ、 センサ 基板 1の端部で弾性表面波が反射するのを防止するために、 シリコン樹 脂などから成るダンピング材 1 7が形成されている。
このような弾性表面波遅延線を用いて、 弾性表面波遅延線によって生 じる電気信号の遅延時間に対応した周波数で発振する発振回路を構成す ることができる。
センサ基板 1に外部からの圧力が上方より印加され、 センサ部 1 1を 構成する弹性表面波素子 2の弾性表面波の伝搬路 2 cに応力が加わると. 伝搬路 2 c に歪みが生じてその部分の弾性定数の変化によって弾性表面 波の伝搬速度が変化するとともに、 弾性表面波の伝搬路 2 cの長さが変 化する。そ して、それそれの作用によって電気信号の遅延時間が変化し、 これによつて弾性表面波素子 2 と、 それに接続される発振回路の発振周 波数が変化する。 よって、 本実施形態における圧力センサ装置も、 先に 述べた圧力センサ装置と同様に圧力検出素子として機能する。
また、 図 2 8に示すように、 アンテナ素子 8 1の代わりに、 例えばミ アンダ状の導体パターンによって構成されるアンテナパターン 8 2を形 成するよう にしても良い。 このようなアンテナパターン 8 2を用いる場 合であっても、 アンテナパターン 8 2は、 無線送信の減衰を防く、ために 封止材 4による封止空間 Sの外側に配置させておく ことが好ま しい。 なお、 図 2 6から図 2 8の実施形態においては、 アンテナ素子 8 1や アンテナパターン 8 2を支持基板 6上に配置させるようにしたが、 これ らのアンテナをセンサ基板 1に配置させても良いことは言うまでもない 次に、 支持基板 6の上面に、 電子部品素子 5 0の大きさに合わせて断 面凹状のキヤビティ を形成し、 このキヤビティ内に電子部品素子 5 0の 一部もしく は全体が埋設されるようにして電子部品素子 5 0を搭載した 例を説明する。
図 2 9は、 支持基板 6に凹部 8 0 aを形成し、 電子部品素子 5 0をそ の凹部 8 0 aに設置した実施形態を示す断面図である。
本実施形態によれば、 電子部品素子 5 0を埋設する凹部 8 0 aが支持 基板 6の上面に設けられており、 電子部品素子 5 0がその凹部 8 0 aの 中に設置されている。
この構造によれば、 電子部品素子 5 0が背の高い部品であっても、 支 持基板 6の凹部 8 0 a内に埋設されるから、 センサ基板 1を支持基板 6 上に搭載するにあたり、 センサ基板 1 と支持基板 6との間隔を、 電子部 品素子 5 0の厚みを考慮することなく比較的自由に設定して圧力センサ 1の設計の自由度を上げることができる。 また、 組み立ての作業性を良 好になして圧力センサ 1の生産性を高く維持することができる。
さらに、 センサ部 1 1が封止されている封止空間 S内で電子部品素子 5 0も気密封止されるようになるため、 電子部品素子 5 0が良好に保護 される。
さらに、 センサ部 1 1 と電子部品素子 5 0とが近接配置されることに よって両者を接続する配線部を短くすることができ、 電磁的ノイズの影 響を極力 除して、 誤動作や測定精度の低下といった不具合の発生を有 効に防止することができる。 また、 電子部品素子 5 0の搭載面 (凹部 8 0 aの底面) が外部からの圧力変動によって変形することも殆どなく、 電子部品素子 5 0を極めて安定した状態で実装させておくことができる なお、 上述した実施形態においては電子部品素子 5 0が埋設される凹 部 8 0 aを支持基板 6の上面に設けるようにしたが、 これに代えて、 電 子部品素子 5 0が埋設される凹部 8 0 aを支持基板 6の下面に設けるよ うにしても良い。
さらに上述した実施形態においては、 電子部品素子' 5 0を凹部 8 0 a 内に完全に埋設させるようにしたが、 これに代えて、 電子部品素子 5 0 の上部が凹部 8 0 aの開口部より一部突出する形で凹部 8 0 a内に部分 的に埋設させるようにしても構わない。
次に、 今まで説明した圧力センサ装置に加速度センサを付加した、 圧 力センサ装置を図面に基づいて詳細に説明する。
図 3 0は、 加速度センサ付き圧力センサ装置の断面図である。
これらの図に示す加速度センサ付き圧力センサ装置は、 電子部品素子 5 0を搭載した支持基板 6、 センサ部 1 1及び加速度検出素子 4 1を搭 載したセンサ基板 1、 封止材 4等で主に構成されている。
この加速度センサ付き圧力センサ装置では、 センサ基板 1の一端側 5 6は、 圧力検出領域よりも外側に延出されており、 該延出部 5 6の下面 に加速度検出素子 4 1が形成されている。
この加速度検出素子 4 1は、 加速度 Gの印加により、 加速度検出素子 4 1が変形し加速度を検出するようになつている。
加速度検出素子 4 1は、 例えば、 圧力検出用弾性表面波素子 2と同様 に、 I D T電極 2 aとその弾性表面波伝搬方向の両側に形成された一対 の反射器とから構成されていてもよい。
図 3 1は弾性表面波共振子の構造を有する加速度検出素子 4 1を搭載 した、 センサ基板 1の下面を示す平面図である。
I D T電極 2 aは、 図 3 0 , 図 3 1に示すように、 引出電極 7 2を介 して電極パッ ド 6 7に接続されている。 電極パッ ド 6 7は導電性接合材 6 9を介して、支持基板 6上の接続パッ ド 6 8 と電気的に接続している。 電極パッ ド 6 7や引出電極 7 2は、 先に述べた圧力検出用弾性表面波素 子 2の周囲に形成した電極パヅ ド 7や引出電極 7 1 と同様に、 アルミ二 ゥムゃ金等の金属材料を薄膜形成技術ゃフォ ト リソグラフィー技術等に よってパターン形成することによって得られる。
また、 加速度検出素子 4 1の先端部に、 錘 7 3を設けておく ことによ り、 加速度 Gの検出感度を向上させることができる。 錘 7 3は、 例えば 金属やセラミ ック等からなる板や積層体を接着剤によって延出部 5 6の 端部に接合することによって形成される。
また、 加速度検出素子 4 1を上述のように弾性表面波素子により形成 する場合、 弾性表面波素子を気密封止するようにケース 9 7を設けてお くことが好ま'しい。 これによつて、 I D T電極 2 aの酸化腐食を防止す ることができる。
なお、 延出部 5 6の短辺の幅 w 2は任意に設定できる。延出部 5 6の短 辺の幅 w 2をセンサ基板 1の圧力検出用弾性表面波素子 2が形成されて いる部分の幅 w lよりも狭く しておけば、加速度の印加によって延出部 5 6が橈みやすく なり加速度の検出感度を向上させることができるという 利点がある。 ま た、 延出部 5 6の短辺の幅 w2とセンサ基板 1の圧力検出 用弾性表面波素子 2 'が形成されている部分の幅 w lとを同一にしておけ ば、 延出部 5 6 を形成するにあたってセンサ基板 1を削るといった工程 を省くことができ、 圧力検出装置 1の製造プロセスを簡略化することが できるという禾 LI点がある。
以上のように、 センサ基板 1の少なく とも一端側を、 支持基板 6の上 面より離間させた状態で外側に延出させるとともに、 その延出部 5 6に 加速度検出素子 4 1を形成したことから、 加速度検出素子 4 1用の基板 を別途用意する必要もなく、 部品点数を削減することができ、 圧力セン サ装置の小型ィ匕及び軽量化を図ることが可能となる。
また、 圧力検出用弾性表面波素子 2 と加速度検出素子 4 1とを同一の 製造プロセスで形成することができるので、 圧力センサ装置の生産性向 上に供することができる。
図 3 2は、 この加速度センサ付き圧力センサ装置の支持基板 6の上面 を示す平面図である。
支持基板 6上の、 枠状の接合部 9が形成された部分の外部に、 後述す る加速度検出回路 8 6、 給電制御回路 8 7、 電力増幅器 9 6等を構成す る回路素子や、 アンテナ素子 9 5が搭載されている。
図 3 3は、 信回路 6 0、 加速度検出素子 4 1を含む加速度検出回路 8 6、 給電制 fflJ回路 8 7、 電力増幅器 9 6、 アンテナ素子 9 5等の相互 の接続状態を すブロック回路図である。
発信回路 6 0 は、例えば、 I C , トランジスタなどの能動部品や抵抗, コンデンサなどの受動部品等を含み、 弾性表面波素子 2 と電気的に接続 することによ'つて所定周波数の電気信号を発信する。 発信回路 6 0は、 電力増幅器 9 6 に接続されており、 これによつて、 発信回路 6 0より出 力される発信信号を増幅することができるようになる。
一方、 加速度検出回路 8 6の検出出力は、 給電制御回路 8 7に供給さ れる。 そして、 給電制御回路 8 7を発信回路 6 0及び電力増幅器 9 6に 接続して、 電源 8 5から発信回路 8 0および電力増幅器 9 6への電力供 給を給電制御回路 8 7で制御するようにしている。
アンテナ素子 9 5は、 発信回路 6 0より出力され電力増幅器 9 6で増 幅された所定周波数の電気信号を、 他の受信機器に無線伝送することが できる。 したがって、 アンテナ素子 9 5からの電波を受信した受信機器 は、 圧力センサ装置より離れた場所においても、 圧力情報を得ることが できる。 かかるアンテナ素子 9 5 としては、 例えば、 誘電体セラミ ヅク 等を利用した表面実装型のチップアンテナ等が用いられ、 半田付け等に よって支持基板 6上に実装されている。
なお、 アンテナ素子 9 5をセンサ基板 1の上面に形成する実施形態に ついては、 後に、 図 3 8, 図 3 9を参照して説明する。
図 3 4は、 加速度検出回路 8 6及び給電制御回路 8 7の具体的回路構 成を示す回路図である。 加速度検出回路 8 6は、 図 3 4に示す如く加速 度検出素子 4 1、 ダイオードからなる保護回路及び演算電力増幅器から なり、 また給電制御回路 8 7は、 コンデンサと抵抗からなるハイパスフ ィルタ、 比較電圧源及び演算電力増幅器から構成されている。
次に、 上述した加速度センサ付き圧力センサ装置を用いて加速度及び 圧力を検出する際の動作について、 図 3 3及び図 3 4の回路図を用いて 説明する。 なお、 ここでは圧力センサ装置を車両のタイヤ内に内蔵した 場合を想定して説明する。
まず加速度を検出する際の動作について説明する。 車両が走行し始め るとタイヤの回転数が増加し、 回転による加速度 Gが発生する。 この加 速度 Gが加速度検出素子 4 1に印加されると、 延出部 5 6及び錘 7 3に 作用する力によって加速度検出素子 4 1に曲げモーメントが作用し加速 度検出素子 4 · 1が橈み、 加速度検出素子 4 1が変形する。'その結果、 セ ンサ基板 1の歪みが生じた部分の弾性定数の変化によって弾性表面波の 伝搬速度が変化するとともに、 加速度検出素子 4 1の I D Τ電極 2 aの 電極指配列ピヅチ d (図 2 5に示す。 ) が変化し、 その両方の作用によ つて加速度検出素子 4 1の共振周波数が変化する。 すると、 その変化量に比例した起電力が発生し、 この起電力に基づい て加速度検出回路 8 6において加速度が検出されるとともに、 共振周波 数の変化又はィ ンピーダンス変化に比例した制御信号が得られる。 そし て、 この制御信号が給電制御回路 8 7に入力されると、 制御信号のレべ ルが、 一定の車速に対応する閾値を超えたときには、 電池等の電源 8 5 から発信回路 6 0及び電力増幅器 9 6へ電力が供給され、 制御信号のレ ベルが閾値以下の場合には、 電源 8 5から発信回路 6 0及び電力増幅器 9 6へ電力が供給されないようになる。
従って、 車両が一定以上の速さで走行している場合にのみ、 電力を供 給することができる。 これにより、 圧力センサ装置の消費電力を有効に 抑えることができ、 電力増幅器の消費電力を抑えて、 電源を長持ちさせ ることができるようになる。
なお、 前記制御信号の閾値は、 給電制御回路 8 7を構成する回路素子 を適宜選択することによ り任意に設定できる。
また、 センサ基板 1に形成された加速度検出素子 4 1を、 間隔をあけ て配置された一対の I D T電極と、 その間の弾性表面波の伝搬路とで構 成される弾性表面波遅延線で構成してもよい。
このように弾性表面波遅延線を用いた場合、 センサ基板 1に加速度 G が印加されると、 延出部 5 6及び錘 7 3に作用する力によってセンサ基 板 1に曲げモーメン トが作用し加速度検出素子が橈み、 弾性表面波素子 が変形する。 これによつて、 弾性表面波素子の弾性表面波の伝搬路に応 力が加わって歪みが生じると、 その部分の弾性定数の変化によって弾性 表面波の伝搬速度が変化するとともに、 弾性表面波の伝搬路の長さが変 化する。そして、その両方の作用によって電気信号の遅延時間が変化し、 これによつて楚振回路の発振周波数が変化する。 よって、 '弾性表面波遅 延線で構成された加速度検出素子も、 先に述べた実施形態における加速 度検出素子 4 1 と同様に、 加速度検出素子として機能する。
なお、 図 3 0 の構成では、 加速度検出素子 · 4 1を延出部 5 6の下面の みに形成したが、 これに代えて、 延出部 5 6の上下両面に加速度検出素 子 4 1を形成するようにしても良い。 この場合、 延出部 5 6の上下両面 に形成された 2つの加速度検出素子 4 1の出力の差をとることにより、 温度変化などの影響を補正することができるとともに、 加速度検出素子 4 1の測定精度を向上させることが可能となる。
次に、 本発明の加速度センサ付き圧力センサ装置の変形例について説 明する。
図 3 5は本究明の加速度センサ付き圧力センサ装置の断面図、 図 3 6 はセンサ基板 1の上面を示す平面図、 図 3 7はセンサ基板 1の下面を示 す平面図である。 なお、 図 3 0に示した加速度センサ付き圧力センサ装 置と同一の部品については同一の符号を付し、 その説明を省略する。 図 3 0の圧力センサ装置では、 加速度検出素子を、 延出部 5 6の片面 に形成した弾' I、生表面波共振子で構成していたが、 図 3 5に示す圧力セン サ装置では、 これに代えて延出部 5 6の上下両面にそれそれ形成された 2つのモノモノレフ素子 Ί 7で構成した。 モノモルフ素子 7 7は、 センサ 基板 1のバルク振動を利用するものであり、 センサ基板 1の延出部 5 6 の上下両面に振動電極 9 8を被着することにより形成することができる 前記振動電極 9 8には銀等の金属材料が用いられ、 従来周知のスパッ 夕 リ ングゃ蒸着法等の成膜形成技術等により形成される。
このようなモノモルフ型の加速度検出素子は次のようにして加速度を 検出する。 まず、 加速度 Gが延出部 5 6及び錘 7 3に印加されると、 セ ンサ基板 1が橈み、 延出部 5 6に形成されたモノモルフ素子 7 7が変形 する。 このとき、 モノモルフ素子の変形に応じた起電力が発生し、 これ によって加速度を検出することができる。
上述のように加速度検出素子をモノモルフ素子 7 7によ り構成した場 合には、 そのノ ターン形状をべ夕塗りパターンで形成できるとともに、 気密封止する必要がないため、 比較的簡単に形成することができ、 圧電 センサ装置 1の生産性向上に供することができる。
なお、 図 3 5では、 2つのモノモルフ素子 7 7を延出部 5 6の上下両 面に被着しが、 バイモルフ素子などの多層構造としても良い。 次にアンテナパターンを取り付けた圧力センサ装置について、 図面に 基づいて詳説する。
図 3 8はアンテナパターンを有する圧力センサ装置の断面図、 図 3 9 は当該圧力センサ装置に用いられるセンサ基板の上面を示す平面図であ る。
なお、 本実施形態においては先に述べた図 2 6及び図 2 8の実施形態 と異なる点についてのみ説明し、 同様の構成要素については同一の参照 符を用いて重複する説明を省略するものとする。
本実施形態の圧力センサ装置が先に述べた図 2 6及び図 2 8の圧力セ ンサ装置と異なる点は、 本実施形態の圧力センサ装置が、 センサ基板 1 の上面にアンテナパターン 8 5を備えていることである。
このアンテナパターン 8 5は、 発信回路 6 0から電力増幅器 9 6を介 して出力される所定周波数の電気信号を、 他の受信機器に無線送信する ためのものである。
このアンテナパターン 8 5は、 図 3 9に示すように、 センサ基板 1の 上面の、 センサ部.1 1の直上領域 8 8を除く領域に、 蛇行状をなすよう に形成されている。
このアンテナパターン 8 5のパターン形成は、 アルミ二ゥムゃ銅箔等 の金属材料を厚膜印刷等により形成している。 ここで用いられるアンテ ナパターン 8 5のパターン線幅と膜厚は線幅約 1 0 0〃m、 膜厚約 1 0 〃m程度であり、 また、 パターン長さは、 送信される周波数の波長の約 え / 4又は約 5 え / 8に相当する長さをパターンの蛇行回数 (長さ) を 変えることによ り形成している。
また、 アンテナパターン 8 5の給電端を" 8 7 "で示している。 圧力セ ンサ装置の側面には、 給電端 8 7から延びる給電線 8 6が形成されてい る。 給電線 8 6は、 圧力センサ装置の側面に沿って、 圧力センサ装置の 支持基板 6の内部配線パターン 2 4の一つに接続されている。
なお、 支持基板 6 とセンサ基板 1 との間に、 先述した圧力検出用弾性 表面波素子 2、 電子部品素子 5 0、 接続パッ ド 5 3及び電極パッ ド 7を 包囲するようにして、 封止材 4が介在されている。 この封止材 4は、 樹 脂を用いても良いが、 外部からの不要なノィズを遮断するシールド効果 を与え、 同時に圧力検出用弾性表面波素子 2 と参照用弾性表面波素子 3 との間の熱伝導を良好なものとするためには、 封止材 4は半田などの導 電材料とすること; ^好ましい。
しかし、 封止材 4に導体材料を用いる場合、 圧力センサ装置の側面に 形成される給電線 8 6 と封止材 4間を絶縁する必要がある。 このため、 封止材 4の外面に絶縁性樹脂等を形成して、 封止材 4と給電線 8 6の短 絡を防止する。
本実施形態の圧力センサ装置においては、 電子部品素子 5 0 とアンテ ナパターン 8 5と力 s近接配置されるので、 両者を接続する給電線 8 6を 短くすることができる。 このため、 配線線 8 6による伝送損失の影響を 極力排除して、 発信回路 6 0より出力される電気信号を殆ど減衰させる ことなく伝送することができる。 この結果、 バッテリの消費電力を少な くできる。
また、 アンテナノ、ターン 8 5が、 センサ部 1 1の直上領域 8 8を除く センサ基板 1の上面に蛇行状をなすように形成されていることから、 ァ ンテナ用基板を別に用意する必要もなく、 部品点数を削減することがで き、 圧力センサ装置の小型化及びコス トダウンに供することが可能とな る。
なお、 本実施形態においては、 センサ基板 1上面のアンテナパターン 8 5に、 蛇行状のノレープ系アンテナを形成したが、 これに変えて、 ダイ ポール系アンテナ素子等を形成しても良い。
なお、 本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、 本発明の 要旨を逸脱 1 ない範囲内において種々の変更、 改良が可能である。 例え ば、 上述した実施幵 態においては、 センサ基板に単結晶圧電材料を用い ているが、 これに代えて、 多結晶圧電材料を用いても構わない。

Claims

3 m* 求 の
1 . 支持基板と、
下面に圧力を検出するセンサ部が形成されたセンサ基板と、
前記支持基板の上面及び前記センサ基板の下面に接合され、 かつ、 前 記両基板の間で前記センサ部を封止する封止空間を構成する封止材とを 有してなることを特徴とする圧力センサ装置。
2 . 前記センサ部が、圧力検出用の弾性表面波素子から成ることを特徴 とする請求項 1に記載の圧力センサ装置。
3 . 前記封止空間内に不活性ガスが充填されていることを特徴とする 請求項 1又は請求項 2のいずれかに記載の圧力センサ装置。
4 . 前記センサ基板が圧電材料から成り'、センサ基板表面に I D T電極 を形成して前記圧力検出用弾性表面波素子を構成したことを特徴とする 請求項 2に記載の圧力センサ装置。
5 . 前記センサ基板の下面で、 前記封止材の内側に、 前記センサ部に電 気的に接続される電極パッ ドが設けられ、
前記支持基板の上面で、 前記封止材の内側に、 前記電極パッ ドに導電 性接合材を介して電気的に接続される接続パッ ドが設けられていること を特徴とする請求項 1から請求項 4のいずれかに記載の圧力センサ装置,
6 . 前記封止材は、 導体材料から成り、 かつ、 支持基板に設けられるグ ラン ド端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項 1から請 求項 5のいずれかに記載の圧力センサ装置。
7 . 前記センサ基板の上面で、前記センサ部の上方に凹部が形成されて いることを特徴とする請求項 1から請求項 4のいずれかに記載の圧力セ ンサ装置。 · ·
8 . 前記封止空間内で、前記凹部の形成領域外に位置するセンサ基板下 面に、 前記圧力検出用弾性表面波素子との間で出力信号を比較するため の参照用弾性表面波素子が設けられていることを特徴とする請求項 7に 記載の圧力センサ装置。
9 . 前記圧力検出用弾性表面波素子の共振周波数に基づいて所定周波 数で発振する第 1の発振回路と、
前記参照用弾性表面波素子の共振周波数に基づいて所定周波数で発振 する第 2の発振回路と、
前記第 1の発振回路からの発振信号と前記第 2の発振回路からの発振 信号とを比較して変換信号を生成し出力する差分生成回路と、
前記差分生成回路か らの変換信号と前記第 2の発振回路からの発振信 号とを変調して外部に出力する変調回路と、 を備えてなることを特徴と する請求項 8に記載の圧力センサ装置。
1 0 . 前記圧力検出用弾性表面波素子で生じた電気信号の遅延時間に 基づいて所定周波数で発振する第 1の発振回路と、
前記参照用弾性表面波素子で生じた電気信号の遅延時間に基づいて所 定周波数で発振する第 2の発振回路と、
前記第 1の発振回路からの発振信号と前記第 2の発振回路からの発振 信号とを比較して変換信号を生成し出力する差分生成回路と、
前記差分生成回路か らの変換信号と前記第 2の発振回路からの発振信 号とを変調して外部に出力する変調回路と、 を備えてなることを特徴と する請求項 8に記載の圧力センサ装置。
1 1 . 前記両素子を間に反射器を介して一列状に配置させるとともに、 該反射器をその両側に配される双方の弾性表面波素子の反射器として共 用せしめたことを特徴とする請求項 9に記載の圧力センサ装置。
1 2 . 前記センサ基板上で前記両素子の間に、弾性表面波の伝達を遮断 もしくは弹性表面波の強度を低減せしめるダンピング材を配置したこと を特徴とする請求項 9 又は請求項 1 0のいずれかに記載の圧力センサ装
1 3 . 前記センサ基板上で前記両素子を、該両素子の弾性表面波の伝搬 方向を平行に、 かつ、 弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に並べて配 置させたことを特徴とする請求項 9又は請求項 1 0のいずれかに記載の 圧力センサ装置。
1 4 . 前記圧力検出用弾性表面波素子の共振周波数と前記参照用弾性 表面波素子の共振周波数とを異ならせたことを特徴とする請求項 9又は 請求項 1 0のいずれかに記載の圧力センサ装置。
1 5 . 前記第 1の発振回路、 前記第 2の発振回路、 前記差分生成回路及 び前記変調回路を有して I Cチップが構成され、 該 I Cチヅプと前記両 素子とが同一基板に搭載されていることを特徴とする請求項 9から請求 項 1 4のいずれかに記載の圧力センサ装置。
1 6 . 前記センサ基板が圧電材料から成り、
前記センサ部が、 弹性表面波素子から成り、
前記反射器の直下に位置する前記センサ基板の厚みを、 前記 I D T電 極の近傍では I D T電極の直下領域と略等しくなし、 かつ前記 I D T電 極より離れるに従って漸次厚くなしたことを特徴とする請求項 1に記載 の圧力センサ装置。
1 7 . 前記 I D T電極の直下に位置する前記センサ基板の厚みが前記 反射器の直下に位置する前記センサ基板の厚みよりも薄いことを特徴と する請求項 1 6に記載の圧力センサ装置。
1 8 . 前記発振回路の一部を有した電子部品素子を前記支持基板に配 置させてなることを特徴とする請求項 9又は請求項 1 0のいずれかに記 載の圧力センサ装置。
1 9 . 前記電子部品素子が前記支持基板の上面に搭載されていること を特徴とする請求項 1 8に記載の圧力センサ装置。 '
2 0 . 前記封止空間内で支持基板の上面もしくは支持基板の下面に凹 部を形成し、 該凹部内に、 前記発振回路を有した電子部品素子を埋設し てなることを特徴とする請求項 1 8に記載の圧力センサ装置。
2 1 . 前記凹部が支持基板の上面に形成されていることを特徴とする 請求項 2 0に記載の圧力センサ装置。
2 2 . 前記センサ基板と前記支持基板のうち、 一方基板の一端側を、 他 方基板と離間させた状態で、 延出させて延出部を形成し、 該延出部に加 速度を検出する加速度検出素子を設けたことを特徴とする請求項 1 8に 記載の圧力センサ装置。
2 3 . 前記延出部が前記センサ基板に形成されていることを特徴とす る請求項 2 2に記載の圧力センサ装置。
2 4 . 前記変換信号を変調回路で変調した信号を外部に発信する発信 回路と、
前記加速度検出素子からの加速度検出信号に基づいて所定の電気信号 を出力する加速度検出回路と、
前記発信回路に電力を供給する給電手段と、
前記給電手段から前記発信回路への電力供給を制御する給電制御回路 とを含み、
前記給電制御回路は、 前記加速度がしきい値を超えたかどうかに基づ いて、 給電手段からの電力供給を制御することを特徴とする請求項 2 2 又は請求項 2 3のいずれかに記載の圧力センサ装置。
2 5 . 前記加速度検出素子が弾性表面波素子により形成されているこ とを特徴とする請求項 2 6から請求項 2 8のいずれかに記載の圧力セン サ装置。 .
2 6 . 支持基板上面及び/またはセンサ基板下面に、前記電子部品素子 に電気的に接続されるアンテナ素子が搭載されていることを特徴とする 請求項 1 8から請求項 2 5のいずれかに記載の圧力センサ装置。
2 7 . 前記アンテナ素子が、前記封止空間の外側に搭載されていること を特徴とする請求項 2 6に記載の圧力センサ装置。 '
2 8 . 支持基板上面及び/またはセンサ基板下面に、前記電子部品素子 に電気的に接続されるアンテナパターンが被着されていることを特徴と する請求項 1 8から請求項 2 5のいずれかに記載の圧力センサ装置。
2 9 . 前記アンテナパターンが前記封止空間の外側に搭載されている ことを特徴とする請求項 2 8に記載の圧力センサ装置。
3 0 . センサ基板上面に、前記電子部品素子に電気的に接続されるアン テナパターンが被着されていることを特徴とする請求項 1 8から請求項 2 5のいずれかに記載の圧力センサ装置。
3 1 . 前記アンテナパターンが、前記圧力検出用弹性表面波素子の直上 領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項 3 0に記載の 圧力センサ装置。
3 2 . 前記アンテナパターンが蛇行状であることを特徴とする請求項 2 8から請求項 3 1のい ずれかに記載の圧力センサ装置。
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