JP2009080095A - 圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサチップ3を貫通するように配線部4を設け、配線部4が保護キャップ5によって覆われるようにすると共に、配線部4のうちセンサチップ3の裏面から露出する第2埋込配線4cとケース2の搭載面2aから露出するターミナル2cとを接続するバンプ4dを封止材7にて囲み、圧力媒体と大気とから分離されるようにする。配線部4は、センサチップ3を構成する半導体基板3aのうちゲージ抵抗3c以外の部分とは絶縁されるようにする。これにより、配線部4が圧力媒体と接触するような場所に露出しない構造となり、配線部4が腐食されることを防止することが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態を適用した圧力センサについて説明する。本実施形態で説明する圧力センサは、例えば車両における排圧センサとして使用される。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して保護キャップ5の構成を変更したものであり、他の構造に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して保護キャップ5および配線部4の構造を変えたものであり、他の構造に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して封止材7の構成を変更したものであり、他の構造に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の構造を絶対圧測定用の圧力センサに適用したものであり、他の構造に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態の構造の圧力センサ1を第5実施形態と同様に絶対圧測定用とし、さらに、封止構造および外部との電気的な接続構造を変更したものであり、他の構造に関しては第2、第5実施形態と同様であるため、第2、第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態は、第6実施形態に対して封止材7の構造を変更したものであり、他の構造に関しては第6実施形態と同様であるため、第2、第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態は、第6実施形態に対して封止材7の構造を変更したものであり、他の構造に関しては第6実施形態と同様であるため、第2、第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第9実施形態について説明する。本実施形態は、第6実施形態に対して封止材7を用いないようにした点が異なるが、他の構造に関しては第6実施形態と同様であるため、第2、第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第10実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態等に対してセンサチップ3の製造方法を異ならせたものである。ただし、他の製造方法に関しては第1第2実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記実施形態では、センサチップ3の裏面から露出した第2埋込配線4cや埋込配線4eとケース2の搭載面2aから露出したターミナル2cとの電気的接続をバンプ4dにて行ったが、他の導電性接合部材、たとえば導電性接着剤などにより行っても良い。
Claims (23)
- 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記第1ダイアフラム(3b)を覆うように、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)および前記センサチップ(3)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記保護キャップ(5)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入すると共に、前記センサチップ(3)を構成する前記半導体基板(3a)の裏面側に大気を導くように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記保護キャップ(5)が歪むと、該歪みに応じた力が前記第1ダイアフラム(3b)に伝わることで前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)のうち少なくとも裏面から設けられた穴内に内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4b、4c、4e)と、前記埋込配線(4b、4c、4e)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ケース(2)の前記搭載面(2a)から部分的に露出された前記ターミナル(2c)の該露出部分との間に配置された電気的導通可能な接合部材(4d、4f)とを含み、前記埋込配線(4b、4c、4e)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間には、前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)と前記大気が導入される空間(9b)との差圧を保持し、かつ、前記圧力媒体と前記大気とから前記バンプ(4d)を分離する環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)が備えられていることを特徴とする圧力センサ。 - 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記センサチップ(3)のうち前記半導体基板(3a)の裏面に貼り付けられた板状の台座(15)と、
前記第1ダイアフラム(3b)を覆うように、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)と前記センサチップ(3)および前記台座(15)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記保護キャップ(5)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入するように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記保護キャップ(5)が歪むと、該歪みに応じた力が前記第1ダイアフラム(3b)に伝わることで前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)のうち少なくとも裏面から設けられた穴内および前記台座(15)の表裏を貫通するように形成された穴内に内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4b、4c、4e)と、前記埋込配線(4b、4c、4e)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ケース(2)の前記搭載面(2a)に部分的に露出された前記ターミナル(2c)の該露出部分との間に配置された接合部材(4d、4f)とを含み、前記埋込配線(4b、4c、4e)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)と前記台座(15)の裏面との間には、前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から前記接合部材(4d、4f)を分離することで、前記圧力媒体から前記接合部材(4d、4f)を分離する環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)が備えられていることを特徴とする圧力センサ。 - 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記センサチップ(3)のうち前記半導体基板(3a)の裏面に貼り付けられた板状の台座(15)と、
前記第1ダイアフラム(3b)を覆うように、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)と前記センサチップ(3)および前記台座(15)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記保護キャップ(5)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入するように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記保護キャップ(5)が歪むと、該歪みに応じた力が前記第1ダイアフラム(3b)に伝わることで前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)のうち少なくとも裏面から設けられた穴内および前記台座(15)の表裏を貫通するように形成された穴内に内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4b、4c、4e)を含み、前記埋込配線(4b、4c、4e)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)に対して前記台座(15)が直接接触するように配置されることで、前記埋込配線(4b、4c、4e)が直接前記ターミナル(2c)に接続され、かつ、この接続箇所が前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記埋込配線(4b、4c)は、前記半導体基板(3a)の表面に層間絶縁膜(13)を介して形成された表面パターン(4a)と電気的に接続され、
前記表面パターン(4a)は、酸化膜(16)と窒化膜(17)の少なくとも1つによって覆われていると共に、前記層間絶縁膜(13)に形成されたコンタクトホール(13a)を通じて前記ゲージ抵抗(3c)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記保護キャップ(5)は、基板(10)の裏面側に凹部(5a)が形成されることで薄肉化された第2ダイアフラム(5b)を含み、前記凹部(5a)側を前記センサチップ(3)側に向け、該凹部(5a)内に前記第1ダイアフラム(3b)が入るようにして、前記半導体基板(3a)の表面に接合されており、
前記保護キャップ(5)における前記凹部(5a)と前記半導体基板(3a)の表面との間には、圧力伝達媒体(6)が充填され、前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記保護キャップ(5)の前記第2ダイアフラム(5b)が歪み、該歪みに応じた力が前記圧力伝達媒体(6)を介して前記第1ダイアフラム(3b)に伝わるように構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記埋込配線(4e)は、前記半導体基板(3a)のうち裏面のみから設けられた穴内に前記内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれ、前記半導体基板(3a)の表面には達しないように構成されており、
前記保護キャップ(5)は、前記半導体基板(3a)の表面において、前記ゲージ抵抗(3c)と異なる導電型として形成されたエピタキシャル成長層もしくはシリコン窒化膜にて構成される被覆膜(20)であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記第1ダイアフラム(3b)と対応する部分が貫通孔(5c)とされ、前記第1ダイアフラム(3b)の周囲において、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)および前記センサチップ(3)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記第1ダイアフラム(3b)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入すると共に、前記センサチップ(3)を構成する前記半導体基板(3a)の裏面側に大気を導くように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記第1ダイアフラム(3b)が歪むと前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)の表裏を貫通する貫通孔内に埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4a〜4c)と、前記埋込配線(4a〜4c)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ケース(2)の前記搭載面(2a)に部分的に露出された前記ターミナル(2c)の該露出部分との間に配置された接合部材(4d、4f)とを含み、前記埋込配線(4a〜4c)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間には、前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)と前記大気が導入される空間(9b)との差圧を保持し、かつ、前記圧力媒体と前記大気とから前記バンプ(4d)を分離する環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)が備えられていることを特徴とする圧力センサ。 - 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記センサチップ(3)のうち前記半導体基板(3a)の裏面に貼り付けられた板状の台座(15)と、
前記第1ダイアフラム(3b)と対応する部分が貫通孔(5c)とされ、前記第1ダイアフラム(3b)の周囲において、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)、前記センサチップ(3)および前記台座(15)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記第1ダイアフラム(3b)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入するように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記第1ダイアフラム(3b)が歪むと前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)の表裏を貫通する貫通孔内および前記台座(15)の表裏を貫通するように形成された穴内に内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4a〜4c)と、前記埋込配線(4a〜4c)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ケース(2)の前記搭載面(2a)に部分的に露出された前記ターミナル(2c)の該露出部分との間に配置された接合部材(4d、4f)とを含み、前記埋込配線(4a〜4c)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間には、前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)と前記接合部材(4d、4f)を分離することで、前記接合部材(4d、4f)を前記圧力媒体から分離する環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)が備えられていることを特徴とする圧力センサ。 - 半導体基板(3a)にて構成され、該半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化された第1ダイアフラム(3b)を含み、前記第1ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が形成されたセンサチップ(3)と、
前記センサチップ(3)のうち前記半導体基板(3a)の裏面に貼り付けられた板状の台座(15)と、
前記第1ダイアフラム(3b)と対応する部分が貫通孔(5c)とされ、前記第1ダイアフラム(3b)の周囲において、前記半導体基板(3a)の表面に接合された保護キャップ(5)と、
前記保護キャップ(5)、前記センサチップ(3)および前記台座(15)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、前記第1ダイアフラム(3b)の表面を受圧面として該受圧面に測定対象となる圧力媒体を導入するように構成されたケース(2)と、
前記ケース(2)の外部との電気的な接続を行うためのターミナル(2c)と、
前記ゲージ抵抗(3c)と前記ターミナル(2c)との電気的接続を行うための配線部(4)とを備え、
前記受圧面に導入された前記圧力媒体の圧力に応じて前記第1ダイアフラム(3b)が歪むと前記ゲージ抵抗(3c)の抵抗値が変化し、該変化に応じた検出信号が前記配線部(4)および前記ターミナル(2c)を通じて出力されるように構成され、
前記配線部(4)は、前記半導体基板(3a)の表裏を貫通する貫通孔内および前記台座(15)の表裏を貫通するように形成された穴内に内壁絶縁膜(18)を介して埋め込まれていると共に前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続された埋込配線(4a〜4c)を含み、前記埋込配線(4a〜4c)が前記保護キャップ(5)にて覆われることで前記ケース(2)内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されており、
前記ケース(2)の前記搭載面(2a)に対して前記台座(15)が直接接触するように配置されることで、前記埋込配線(4c〜4c)が直接前記ターミナル(2c)に接続され、かつ、この接続箇所が前記圧力媒体が導入される空間(9a)から分離されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記穴は前記ゲージ抵抗(3a)の表面の一部にも形成され、該ゲージ抵抗(3a)のうち前記穴が形成された部分にも前記内壁絶縁膜(18)が形成されており、
前記埋込配線(4a)は、酸化膜(16)と窒化膜(17)の少なくとも1つによって覆われていると共に、前記ゲージ抵抗(3a)の表面の前記内壁絶縁膜(18)に形成されたコンタクトホール(18a)を通じて前記ゲージ抵抗(3a)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記半導体基板(3a)の表面に接続用中間層となる酸化膜もしくは金属膜を介して前記保護キャップ(5)が接合されていることを特徴とする請求項1ないし5および7ないし10のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記封止材(7)を構成する前記環状部材(7a、7b)は、第1環状部材(7a)と該第1環状部材(7a)を囲むように配置される第2環状部材(7b)とを有して構成され、
前記接合部材(4d、4f)は、前記第1、第2環状部材(7a、7b)の間に配置されていることを特徴とする請求項1、2、8、9のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記ケース(2)の搭載面(2a)には、前記大気が導入される空間(9b)に大気を導入するための大気導入孔(2b)が備えられ、
前記第1環状部材(7a)は、前記大気導入孔(2b)を囲むように配置されていることを特徴とする請求項12に記載の圧力センサ。 - 前記封止材(7)は、1つの環状部材にて構成されており、該封止材(7)内に前記接合部材としてのバンプ(4d)が埋め込まれていることを特徴とする請求項1、2、8、9のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記ケース(2)の搭載面(2a)には、前記大気が導入される空間(9b)に大気を導入するための大気導入孔(2b)が備えられ、
前記封止材(7)は前記バンプ(4d)よりも前記大気導入孔(2b)側および該大気導入孔(2b)に対して外側にはみ出していることを特徴とする請求項14に記載の圧力センサ。 - 前記ケース(2)は、前記空間(9)および前記搭載面(2a)を構成する上部ケース(21)と、前記上部ケース(21)の搭載面(2a)を挟んで前記センサチップ(3)とは反対側に配置され、前記ターミナル(2c)が備えられた下部ケース(22)とを有して構成され、
前記上部ケース(21)には、前記埋込配線(4c)と対応する位置に穴(21a)が形成されており、該穴(21a)を通じて前記ターミナル(2c)が露出されていると共に、前記穴(21a)内に前記接合部材(4f)が配置されることで、前記埋込配線(4c)と前記ターミナル(2c)とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記配線部(4)は複数備えられていると共に、前記上部ケース(21)に形成された前記穴(21a)も前記配線部(4)の数と同数形成されており、
前記封止材(7)は、前記穴(21a)をすべて囲むように構成された環状部材であることを特徴とする請求項16に記載の圧力センサ。 - 前記配線部(4)は複数備えられていると共に、前記上部ケース(21)に形成された前記穴(21a)も前記配線部(4)の数と同数形成されており、
前記封止材(7)は、前記穴(21a)と同数備えられ、該穴(21a)の1つ1つが該封止材(7)の1つ1つによって囲まれていることを特徴とする請求項16に記載の圧力センサ。 - 前記配線部(4)は複数備えられていると共に、前記上部ケース(21)に形成された前記穴(21a)も前記配線部(4)の数と同数形成されており、
前記封止材(7)は、前記穴(21a)よりも少ない数備えられ、該穴(21a)の複数が該封止材(7)のうちの1つによって囲まれていることを特徴とする請求項16に記載の圧力センサ。 - 前記ケース内における前記圧力媒体が導入される空間(9a)のうち前記ケース(2)と前記センサチップ(3)と前記封止材(7)の間には、前記圧力媒体から前記封止材(7)を保護するための保護材(8)が充填されていることを特徴とする請求項1ないし19のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 半導体基板(3a)を用意する工程と、
前記半導体基板(3a)にて構成され、前記半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化されたダイアフラム(3b)を含み、前記ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が備えられたセンサチップ(3)を形成する工程と、
前記半導体基板(3a)の表裏を貫通する穴を形成したのち、該穴内に内壁絶縁膜(18)を形成すると共に、前記内壁絶縁膜(18)を介して前記穴内に導体を埋め込むことで、前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続される埋込配線(4b、4c)を形成する工程と、
前記ゲージ抵抗(3c)の表面に層間絶縁膜(13)を形成したのち、この層間絶縁膜(13)にコンタクトホール(13a)を形成し、このコンタクトホール(13a)を通じてゲージ抵抗(3c)および埋込配線(4b、4c)と電気的に接続される表面パターン(4a)を形成する工程と、
前記ゲージ抵抗(3c)および前記表面パターン(4a)を含めて、前記半導体基板(3a)の表面に酸化膜(16)と窒化膜(17)の少なくとも一方を含む保護膜を形成する工程と、
基板(10)の裏面側に凹部(5a)が形成されることで薄肉化された第2ダイアフラム(5b)を含む保護キャップ(5)を形成する工程と、
前記保護キャップ(5)を、前記凹部(5a)側を前記センサチップ(3)側に向け、該凹部(5a)内に前記ダイアフラム(3b)および前記埋込配線(4b、4c)が入るようにして、前記半導体基板(3a)の表面に接合する工程と、
前記保護キャップ(5)および前記センサチップ(3)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、該搭載面(2a)に大気導入孔(2b)が形成されていると共に、前記搭載面(2a)から部分的に露出するターミナル(2c)が備えられ、かつ、測定対象となる圧力媒体が導入される空間(9a)および前記大気導入孔(2b)を通じて大気が導入される空間(9b)を形成するケース(2)を用意する工程と、
前記大気導入孔(2b)を囲む環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)および該封止材(7)中に配置される導体のバンプ(4d)を前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間に挟んだ状態で、前記保護キャップ(5)と共に前記センサチップ(3)を前記搭載面(2a)に搭載し、前記バンプ(4d)にて、前記埋込配線(4b、4c)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ターミナル(2c)のうち前記搭載面(2a)から露出した部分とを電気的に接続しつつ、前記封止材(7)にて、前記ケース(2)内における圧力媒体が導入される空間(9a)と前記大気が導入される空間(9b)を区画する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 半導体基板(3a)を用意する工程と、
前記半導体基板(3a)にて構成され、前記半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化されたダイアフラム(3b)を含み、前記ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が備えられたセンサチップ(3)を形成する工程と、
前記半導体基板(3a)の表裏を貫通すると共に前記ゲージ抵抗(3c)の一部を経こませる穴を形成したのち、該穴内に内壁絶縁膜(18)を形成する工程と、
前記内壁絶縁膜(18)のうち前記ゲージ抵抗(3c)の上に形成された部分にコンタクトホール(18a)を形成したのち、前記内壁絶縁膜(18)を介して前記穴内に導体を埋め込むことで、前記コンタクトホール(18a)を通じて前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続される埋込配線(4a〜4c)を形成する工程と、
基板(10)の表裏を貫通する貫通孔(5c)が形成された保護キャップ(5)を形成する工程と、
前記貫通孔(5c)内に前記ダイアフラム(3b)が配置され、前記保護キャップ(5)にて前記埋込配線(4b、4c)が覆われるように、前記保護キャップ(5)を前記半導体基板(3a)の表面に接合する工程と、
前記保護キャップ(5)および前記センサチップ(3)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、該搭載面(2a)に大気導入孔(2b)が形成されていると共に、前記搭載面(2a)から部分的に露出するターミナル(2c)が備えられ、かつ、測定対象となる圧力媒体が導入される空間(9a)および前記大気導入孔(2b)を通じて大気が導入される空間(9b)を形成するケース(2)を用意する工程と、
前記大気導入孔(2b)を囲む環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)および該封止材(7)中に配置される導体のバンプ(4d)を前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間に挟んだ状態で、前記保護キャップ(5)と共に前記センサチップ(3)を前記搭載面(2a)に搭載し、前記バンプ(4d)にて、前記埋込配線(4b、4c)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ターミナル(2c)のうち前記搭載面(2a)から露出した部分とを電気的に接続しつつ、前記封止材(7)にて、前記ケース(2)内における圧力媒体が導入される空間(9a)と前記大気が導入される空間(9b)を分離する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 半導体基板(3a)を用意する工程と、
前記半導体基板(3a)にて構成され、前記半導体基板(3a)の裏面が凹まされて薄肉化されたダイアフラム(3b)を含み、前記ダイアフラム(3b)にゲージ抵抗(3c)が備えられたセンサチップ(3)を形成する工程と、
前記半導体基板(3a)の裏面から前記ゲージ抵抗(3c)に達するように穴を形成したのち、該穴内に内壁絶縁膜(18)を形成すると共に、前記内壁絶縁膜(18)を介して前記穴内に導体を埋め込むことで、前記ゲージ抵抗(3c)に電気的に接続される埋込配線(4e)を形成する工程と、
前記半導体基板(3a)の表面に貼合わせ用のシリコン、エピタキシャル成長層もしくはシリコン窒化膜で構成される被覆膜(20)からなる保護キャップ(5)を形成することで、該半導体基板(3a)の表面を前記保護キャップ(5)で覆う工程と、
前記保護キャップ(5)および前記センサチップ(3)を収容する空間(9)および搭載する搭載面(2a)を有し、該搭載面(2a)に大気導入孔(2b)が形成されていると共に、前記搭載面(2a)から部分的に露出するターミナル(2c)が備えられ、かつ、測定対象となる圧力媒体が導入される空間(9a)および前記大気導入孔(2b)を通じて大気が導入される空間(9b)を形成するケース(2)を用意する工程と、
前記大気導入孔(2b)を囲む環状部材(7a、7b)にて構成された封止材(7)および該封止材(7)中に配置される導体のバンプ(4d)を前記搭載面(2a)と前記半導体基板(3a)の裏面との間に挟んだ状態で、前記保護キャップ(5)と共に前記センサチップ(3)を前記搭載面(2a)に搭載し、前記バンプ(4d)にて、前記埋込配線(4b、4c)のうち前記半導体基板(3a)の裏面から露出する部分と前記ターミナル(2c)のうち前記搭載面(2a)から露出した部分とを電気的に接続しつつ、前記封止材(7)にて、前記ケース(2)内における圧力媒体が導入される空間(9a)と前記大気が導入される空間(9b)を分離する工程と、を含んでいることを特徴とする圧力センサの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008019203A JP5142742B2 (ja) | 2007-02-16 | 2008-01-30 | 圧力センサおよびその製造方法 |
PCT/JP2008/052606 WO2008099951A1 (en) | 2007-02-16 | 2008-02-12 | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
US12/226,613 US7762141B2 (en) | 2007-02-16 | 2008-02-12 | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
EP20110189270 EP2423657A1 (en) | 2007-02-16 | 2008-02-12 | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
EP08711430.2A EP2047224B1 (en) | 2007-02-16 | 2008-02-12 | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
CN200880000240.4A CN101542258B (zh) | 2007-02-16 | 2008-02-12 | 压力传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007036302 | 2007-02-16 | ||
JP2007036302 | 2007-02-16 | ||
JP2007232750 | 2007-09-07 | ||
JP2007232750 | 2007-09-07 | ||
JP2008019203A JP5142742B2 (ja) | 2007-02-16 | 2008-01-30 | 圧力センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009080095A true JP2009080095A (ja) | 2009-04-16 |
JP5142742B2 JP5142742B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=39596314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008019203A Expired - Fee Related JP5142742B2 (ja) | 2007-02-16 | 2008-01-30 | 圧力センサおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7762141B2 (ja) |
EP (2) | EP2423657A1 (ja) |
JP (1) | JP5142742B2 (ja) |
CN (1) | CN101542258B (ja) |
WO (1) | WO2008099951A1 (ja) |
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-
2008
- 2008-01-30 JP JP2008019203A patent/JP5142742B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-12 EP EP20110189270 patent/EP2423657A1/en not_active Withdrawn
- 2008-02-12 CN CN200880000240.4A patent/CN101542258B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-12 WO PCT/JP2008/052606 patent/WO2008099951A1/en active Application Filing
- 2008-02-12 US US12/226,613 patent/US7762141B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-12 EP EP08711430.2A patent/EP2047224B1/en not_active Expired - Fee Related
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CN101542258B (zh) | 2011-04-27 |
EP2423657A1 (en) | 2012-02-29 |
WO2008099951A1 (en) | 2008-08-21 |
CN101542258A (zh) | 2009-09-23 |
US7762141B2 (en) | 2010-07-27 |
EP2047224A1 (en) | 2009-04-15 |
EP2047224B1 (en) | 2013-05-15 |
JP5142742B2 (ja) | 2013-02-13 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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