JP2000252787A - 弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器 - Google Patents
弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器Info
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- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波の吸収材層を有する弾性表面波素
子を、支持基材にＦＤＢ方式で搭載・実装し、小型で良
好な周波数特性を有する弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 本発明の弾性表面波装置では、支持基材
２のダイアタッチ面の弾性表面波素子１の吸音材層７と
対向する領域に、凹部９が設けられている。このような
支持基材２のダイアタッチ面に、弾性表面波素子１がフ
ェースダウンに配置されて搭載され、弾性表面波素子１
の吸音材層７が、支持基材２の凹部９に接触することな
く嵌め込まれている。そして、弾性表面波素子１のボン
ディングパッド５と支持基材２の信号端子８ａとが、Ａ
ｕバンプ１０を介して接合されている。
子を、支持基材にＦＤＢ方式で搭載・実装し、小型で良
好な周波数特性を有する弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 本発明の弾性表面波装置では、支持基材
２のダイアタッチ面の弾性表面波素子１の吸音材層７と
対向する領域に、凹部９が設けられている。このような
支持基材２のダイアタッチ面に、弾性表面波素子１がフ
ェースダウンに配置されて搭載され、弾性表面波素子１
の吸音材層７が、支持基材２の凹部９に接触することな
く嵌め込まれている。そして、弾性表面波素子１のボン
ディングパッド５と支持基材２の信号端子８ａとが、Ａ
ｕバンプ１０を介して接合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置お
よび外囲器に係わり、特に小型で良好な周波数特性を有
する弾性表面波装置と、そのような弾性表面波装置用の
外囲器に関する。
よび外囲器に係わり、特に小型で良好な周波数特性を有
する弾性表面波装置と、そのような弾性表面波装置用の
外囲器に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子は、ＬｉＴａＯ3 、Ｌｉ
ＮｂＯ3 、水晶のような圧電材料から成る基板（圧電性
基板）上に設けられた薄膜金属から成る櫛歯状電極（Ｉ
ＤＴ：Inter Digital Transducer）により、電気的信号
と弾性表面波（ＳＡＷ）との変換を行ない、信号を送受
信する素子であり、小型、軽量、高信頼性、優れた帯域
外減衰特性等の特徴を有するため、映像機器や移動通信
機器の分野で、周波数フィルタ、共振器等として広く用
いられている。
ＮｂＯ3 、水晶のような圧電材料から成る基板（圧電性
基板）上に設けられた薄膜金属から成る櫛歯状電極（Ｉ
ＤＴ：Inter Digital Transducer）により、電気的信号
と弾性表面波（ＳＡＷ）との変換を行ない、信号を送受
信する素子であり、小型、軽量、高信頼性、優れた帯域
外減衰特性等の特徴を有するため、映像機器や移動通信
機器の分野で、周波数フィルタ、共振器等として広く用
いられている。
【０００３】近年、このような弾性表面波素子を用いた
弾性表面波装置では、より小型化を図るために、弾性表
面波素子をフェイスダウンボンディング方式（以下、Ｆ
ＤＢ方式と示す。）と呼ばれる接続方式により、支持基
材に搭載・実装することが行なわれている。
弾性表面波装置では、より小型化を図るために、弾性表
面波素子をフェイスダウンボンディング方式（以下、Ｆ
ＤＢ方式と示す。）と呼ばれる接続方式により、支持基
材に搭載・実装することが行なわれている。
【０００４】ＦＤＢ方式で接続された弾性表面波装置で
は、図７に示すように、圧電性基板２１上に櫛歯状電極
２２とボンディングパッド２３がそれぞれ形成された弾
性表面波素子２４が、例えばセラミック製の箱形の支持
基材２５内に、電極形成面を下向きにして（フェースダ
ウンで）搭載されている。支持基材２５の弾性表面波素
子２４と対向する接続面（ダイアタッチ面）には、導体
パターン２６が形成されており、この導体パターン２６
の信号端子２６ａと弾性表面波素子２４のボンディング
パッド２３とが、Ａｕ、はんだ等の導電性のパンプ２７
を介して接合（フリップチップ実装）されている。ま
た、支持基材２５の上端部には、金属製やセラミック製
などの蓋体２８が被せて配置され、この蓋体２８と支持
基材２５とが、溶接され、あるいは接着剤により接着さ
れ封止されている。なお、支持基材２５のダイアタッチ
面の導体パターン２６上には、信号端子２６ａの導電性
を確保するために、 1〜10μm の厚さのＡｕ等のめっき
層（図示を省略。）が形成されている。また、支持基材
２５の外周面には、外部接続端子（図示を省略。）が配
設されており、この外部接続端子と前記した信号端子２
６ａとが、ヴィアホール等の導電路（図示を省略。）を
介して導通されている。
は、図７に示すように、圧電性基板２１上に櫛歯状電極
２２とボンディングパッド２３がそれぞれ形成された弾
性表面波素子２４が、例えばセラミック製の箱形の支持
基材２５内に、電極形成面を下向きにして（フェースダ
ウンで）搭載されている。支持基材２５の弾性表面波素
子２４と対向する接続面（ダイアタッチ面）には、導体
パターン２６が形成されており、この導体パターン２６
の信号端子２６ａと弾性表面波素子２４のボンディング
パッド２３とが、Ａｕ、はんだ等の導電性のパンプ２７
を介して接合（フリップチップ実装）されている。ま
た、支持基材２５の上端部には、金属製やセラミック製
などの蓋体２８が被せて配置され、この蓋体２８と支持
基材２５とが、溶接され、あるいは接着剤により接着さ
れ封止されている。なお、支持基材２５のダイアタッチ
面の導体パターン２６上には、信号端子２６ａの導電性
を確保するために、 1〜10μm の厚さのＡｕ等のめっき
層（図示を省略。）が形成されている。また、支持基材
２５の外周面には、外部接続端子（図示を省略。）が配
設されており、この外部接続端子と前記した信号端子２
６ａとが、ヴィアホール等の導電路（図示を省略。）を
介して導通されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな弾性表面波装置においては、弾性表面波の吸収材層
を有する弾性表面波素子をＦＤＢ方式で接続しフリップ
チップ実装するには、吸収材層の厚さ以上の高さを有す
るバンプを形成しなければならないという問題があっ
た。
うな弾性表面波装置においては、弾性表面波の吸収材層
を有する弾性表面波素子をＦＤＢ方式で接続しフリップ
チップ実装するには、吸収材層の厚さ以上の高さを有す
るバンプを形成しなければならないという問題があっ
た。
【０００６】すなわち、支持基材２５のダイアタッチ面
に形成された信号端子２６ａと、圧電性基板２１上に形
成されたボンディングパッド２３は、ともに数μm 程度
の厚さを有し、弾性表面波素子２４の圧電性基板２１と
支持基材２５のダイアタッチ面との間隙部の大きさ（ｔ
0 ）は、それらを接続するバンプ２７の高さで決まり、
通常20〜40μm の高さの空間部が確保されている。
に形成された信号端子２６ａと、圧電性基板２１上に形
成されたボンディングパッド２３は、ともに数μm 程度
の厚さを有し、弾性表面波素子２４の圧電性基板２１と
支持基材２５のダイアタッチ面との間隙部の大きさ（ｔ
0 ）は、それらを接続するバンプ２７の高さで決まり、
通常20〜40μm の高さの空間部が確保されている。
【０００７】しかし、ＩＤＴ等からの漏洩波の影響を防
止するために、圧電性基板の電極形成面に、弾性表面波
の吸収材であるシリコーン系やエポキシ系の樹脂材料の
層を設けた弾性表面波素子では、吸収材層の厚さによっ
ては、吸収材層が支持基材２５のダイアタッチ面に接触
するため、バンプ２７の接合が困難であった。
止するために、圧電性基板の電極形成面に、弾性表面波
の吸収材であるシリコーン系やエポキシ系の樹脂材料の
層を設けた弾性表面波素子では、吸収材層の厚さによっ
ては、吸収材層が支持基材２５のダイアタッチ面に接触
するため、バンプ２７の接合が困難であった。
【０００８】また、弾性表面波素子の面積を小さくする
には、吸収材層の配設面積を小さくする必要があり、必
然的に吸収材層を厚くする必要があるが、吸収材層の厚
さが厚い弾性表面波素子では、この厚さ以上の高さを有
するバンプ２７を形成しなければ、支持基材２５への搭
載・実装が不可能であった。
には、吸収材層の配設面積を小さくする必要があり、必
然的に吸収材層を厚くする必要があるが、吸収材層の厚
さが厚い弾性表面波素子では、この厚さ以上の高さを有
するバンプ２７を形成しなければ、支持基材２５への搭
載・実装が不可能であった。
【０００９】そして、このようにバンプ２７のサイズを
大きくすることは、バンプ２７と接合されるボンディン
グパッド２３の面積を増大させることになる結果、素子
面積の増大を引き起こし、ＦＤＢ方式を採用する主な目
的である、弾性表面波装置の小型化に逆行するという問
題があった。
大きくすることは、バンプ２７と接合されるボンディン
グパッド２３の面積を増大させることになる結果、素子
面積の増大を引き起こし、ＦＤＢ方式を採用する主な目
的である、弾性表面波装置の小型化に逆行するという問
題があった。
【００１０】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、圧電性基板の電極形成面に弾性表面
波の吸収材層が形成された弾性表面波素子を、ＦＤＢ方
式で搭載・実装することが可能であり、小型で良好な周
波数特性を有する弾性表面波装置と、そのような弾性表
面波装置用の外囲器を提供することを目的とする。
になされたもので、圧電性基板の電極形成面に弾性表面
波の吸収材層が形成された弾性表面波素子を、ＦＤＢ方
式で搭載・実装することが可能であり、小型で良好な周
波数特性を有する弾性表面波装置と、そのような弾性表
面波装置用の外囲器を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明の弾
性表面波装置は、圧電性基板とその上に形成された櫛歯
状電極および弾性表面波の吸収材層をそれぞれ有する弾
性表面波素子と、この弾性表面波素子と対向する面に導
体層が形成された支持基材とを備え、前記弾性表面波素
子が前記支持基材の導体層形成面にフェイスダウンに搭
載され、バンプを介して接続された弾性表面波装置にお
いて、前記支持基材の導体層形成面で、前記弾性表面波
素子の弾性表面波の吸収材層と対向する領域に、凹部を
設けたことを特徴とする。
性表面波装置は、圧電性基板とその上に形成された櫛歯
状電極および弾性表面波の吸収材層をそれぞれ有する弾
性表面波素子と、この弾性表面波素子と対向する面に導
体層が形成された支持基材とを備え、前記弾性表面波素
子が前記支持基材の導体層形成面にフェイスダウンに搭
載され、バンプを介して接続された弾性表面波装置にお
いて、前記支持基材の導体層形成面で、前記弾性表面波
素子の弾性表面波の吸収材層と対向する領域に、凹部を
設けたことを特徴とする。
【００１２】第２の発明の弾性表面波装置は、圧電性基
板とその上に形成された櫛歯状電極および弾性表面波の
吸収材層をそれぞれ有する弾性表面波素子と、この弾性
表面波素子と対向する面に導体層が形成された支持基材
とを備え、前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層
形成面にフェイスダウンに搭載され、バンプを介して接
続された弾性表面波装置において、前記支持基材の導体
層形成面の前記バンプの接続領域が、前記弾性表面波素
子の吸収材層と対向する領域に比べて、前記支持基材の
厚さ方向に突出して形成されていることを特徴とする。
板とその上に形成された櫛歯状電極および弾性表面波の
吸収材層をそれぞれ有する弾性表面波素子と、この弾性
表面波素子と対向する面に導体層が形成された支持基材
とを備え、前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層
形成面にフェイスダウンに搭載され、バンプを介して接
続された弾性表面波装置において、前記支持基材の導体
層形成面の前記バンプの接続領域が、前記弾性表面波素
子の吸収材層と対向する領域に比べて、前記支持基材の
厚さ方向に突出して形成されていることを特徴とする。
【００１３】第３の発明の弾性表面波装置は、圧電性基
板とその上に形成された櫛歯状電極および弾性表面波の
吸収材層をそれぞれ有する弾性表面波素子と、この弾性
表面波素子と対向する面に導体層が形成された支持基材
とを備え、前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層
形成面にフェイスダウンに搭載され、バンプを介して接
続された弾性表面波装置において、前記吸収材層の厚さ
ｔが、前記圧電性基板の電極形成面と前記支持基材の導
体層面との間隙部の大きさｔ0 より小さい（ｔ＜ｔ0 ）
ことを特徴とする。
板とその上に形成された櫛歯状電極および弾性表面波の
吸収材層をそれぞれ有する弾性表面波素子と、この弾性
表面波素子と対向する面に導体層が形成された支持基材
とを備え、前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層
形成面にフェイスダウンに搭載され、バンプを介して接
続された弾性表面波装置において、前記吸収材層の厚さ
ｔが、前記圧電性基板の電極形成面と前記支持基材の導
体層面との間隙部の大きさｔ0 より小さい（ｔ＜ｔ0 ）
ことを特徴とする。
【００１４】本発明の第４の発明の弾性表面波装置用の
外囲器は、弾性表面波素子が搭載されるべき面に導体層
が形成された支持基材を有する外囲器において、前記支
持基材の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接続領域
以外の領域に、凹部を設けたことを特徴とする。
外囲器は、弾性表面波素子が搭載されるべき面に導体層
が形成された支持基材を有する外囲器において、前記支
持基材の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接続領域
以外の領域に、凹部を設けたことを特徴とする。
【００１５】第５の発明の弾性表面波装置用の外囲器
は、弾性表面波素子が搭載されるべき面に導体層が形成
された支持基材を有する外囲器において、前記支持基材
の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接続領域に、該
支持基材の厚さ方向への突出部を設けたことを特徴とす
る。
は、弾性表面波素子が搭載されるべき面に導体層が形成
された支持基材を有する外囲器において、前記支持基材
の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接続領域に、該
支持基材の厚さ方向への突出部を設けたことを特徴とす
る。
【００１６】本発明の第１の発明の弾性表面波装置、お
よびこの弾性表面波装置に使用される第４の発明の外囲
器においては、支持基材の導体層形成面の、弾性表面波
素子の弾性表面波の吸収材層（以下、吸音材層と示
す。）と対向する領域に、凹部が設けられているので、
この吸音材層が支持基材の導体層形成面に接触しない状
態で、弾性表面波素子を搭載・実装することができる。
したがって、吸音材層を有する弾性表面波素子を、バン
プサイズを増大させることなく、支持基材にＦＤＢ方式
で搭載・実装することができ、小型で良好な周波数特性
を有する弾性表面波装置を得ることができる。
よびこの弾性表面波装置に使用される第４の発明の外囲
器においては、支持基材の導体層形成面の、弾性表面波
素子の弾性表面波の吸収材層（以下、吸音材層と示
す。）と対向する領域に、凹部が設けられているので、
この吸音材層が支持基材の導体層形成面に接触しない状
態で、弾性表面波素子を搭載・実装することができる。
したがって、吸音材層を有する弾性表面波素子を、バン
プサイズを増大させることなく、支持基材にＦＤＢ方式
で搭載・実装することができ、小型で良好な周波数特性
を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００１７】また、弾性表面波素子の吸音材層を、支持
基材の凹部に非接触的に嵌め込んだ構造とすることも可
能である。さらに、このような構造では、弾性表面波素
子の吸音材層が嵌め込まれた凹部に、絶縁性樹脂を充填
し、この樹脂充填層と吸音材層とを接合することがで
き、こうして、弾性表面波素子と支持基材との機械的接
合をより強固にすることができる。
基材の凹部に非接触的に嵌め込んだ構造とすることも可
能である。さらに、このような構造では、弾性表面波素
子の吸音材層が嵌め込まれた凹部に、絶縁性樹脂を充填
し、この樹脂充填層と吸音材層とを接合することがで
き、こうして、弾性表面波素子と支持基材との機械的接
合をより強固にすることができる。
【００１８】第２の発明の弾性表面波装置、およびこの
弾性表面波装置に使用される第５の発明の外囲器におい
ては、支持基材の導体層形成面のバンプ接続領域が、弾
性表面波素子の吸音層と対向する領域に比べて、支持基
材の厚さ方向に突出して形成されているので、吸音材層
が、支持基材の導体層形成面に接触しない状態で、弾性
表面波素子を搭載・実装することができる。したがっ
て、吸音材層を有する弾性表面波素子を、バンプサイズ
を増大させることなく、ＦＤＢ方式で搭載・実装するこ
とができ、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。
弾性表面波装置に使用される第５の発明の外囲器におい
ては、支持基材の導体層形成面のバンプ接続領域が、弾
性表面波素子の吸音層と対向する領域に比べて、支持基
材の厚さ方向に突出して形成されているので、吸音材層
が、支持基材の導体層形成面に接触しない状態で、弾性
表面波素子を搭載・実装することができる。したがっ
て、吸音材層を有する弾性表面波素子を、バンプサイズ
を増大させることなく、ＦＤＢ方式で搭載・実装するこ
とができ、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。
【００１９】なお、このような本発明の弾性表面波装
置、および弾性表面波装置用の外囲器において、支持基
材の導体層形成面に設けられた凹部の深さ、または突出
部の段差の高さは、弾性表面波素子の吸音材層の厚さと
バンプの高さとの差分以上であれば、十分に効果を上げ
ることができる。具体的には、支持基材の導体層形成面
の表面粗さや、バンプの高さのばらつき等の点を考慮し
て、 2μm 以上とすることが望ましい。また、凹部の深
さまたは突出部の段差の高さの上限値は、特に限定され
ないが、本発明が弾性表面波装置の小型化を目的として
いることを考慮して、 500μm 以下にすることが望まし
い。
置、および弾性表面波装置用の外囲器において、支持基
材の導体層形成面に設けられた凹部の深さ、または突出
部の段差の高さは、弾性表面波素子の吸音材層の厚さと
バンプの高さとの差分以上であれば、十分に効果を上げ
ることができる。具体的には、支持基材の導体層形成面
の表面粗さや、バンプの高さのばらつき等の点を考慮し
て、 2μm 以上とすることが望ましい。また、凹部の深
さまたは突出部の段差の高さの上限値は、特に限定され
ないが、本発明が弾性表面波装置の小型化を目的として
いることを考慮して、 500μm 以下にすることが望まし
い。
【００２０】さらに、本発明では、同一または異なる材
料から成る複数枚の基材を厚さ方向に積層して、支持基
材を構成することができる。そして、このような積層構
造を有する支持基材では、下層の支持基材の上に所定形
状の上層基材を積層することで、凹部または突出部を容
易に形成することができる。
料から成る複数枚の基材を厚さ方向に積層して、支持基
材を構成することができる。そして、このような積層構
造を有する支持基材では、下層の支持基材の上に所定形
状の上層基材を積層することで、凹部または突出部を容
易に形成することができる。
【００２１】本発明の第３の発明の弾性表面波装置にお
いては、弾性表面波素子の吸音材層の厚さｔが、圧電性
基板の電極形成面と支持基材の導体層面との間の間隙部
の大きさｔ0 より小さく（ｔ＜ｔ0 ）なっているので、
吸音材層が支持基材の導体層面に接触しない状態で、弾
性表面波素子を搭載・実装することができる。したがっ
て、吸音材層を有する弾性表面波素子を、支持基材にＦ
ＤＢ方式で搭載・実装することができ、小型で良好な周
波数特性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
いては、弾性表面波素子の吸音材層の厚さｔが、圧電性
基板の電極形成面と支持基材の導体層面との間の間隙部
の大きさｔ0 より小さく（ｔ＜ｔ0 ）なっているので、
吸音材層が支持基材の導体層面に接触しない状態で、弾
性表面波素子を搭載・実装することができる。したがっ
て、吸音材層を有する弾性表面波素子を、支持基材にＦ
ＤＢ方式で搭載・実装することができ、小型で良好な周
波数特性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００２３】図１は、本発明の弾性表面波装置の第１の
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【００２４】この図において、符号１は、弾性表面波素
子を示し、符号２は、外囲器の主要部をなす支持基材を
示す。
子を示し、符号２は、外囲器の主要部をなす支持基材を
示す。
【００２５】図１は、本発明の弾性表面波装置の第１の
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【００２６】この図において、符号１は、弾性表面波素
子を示し、符号２は、外囲器の主要部をなす支持基材を
示す。
子を示し、符号２は、外囲器の主要部をなす支持基材を
示す。
【００２７】弾性表面波素子１においては、図２（ａ）
および（ｂ）にそれぞれに示すように、圧電性基板３上
に、櫛歯状電極４とボンディングパッド５およびシール
ド電極６が、Ａｌ等の導体によりパターン形成されてい
る。また、圧電性基板３上で、櫛歯状電極４と基板端面
との間の領域には、シリコーン系やエポキシ系の樹脂材
料から成る吸音材層７が設けられている。
および（ｂ）にそれぞれに示すように、圧電性基板３上
に、櫛歯状電極４とボンディングパッド５およびシール
ド電極６が、Ａｌ等の導体によりパターン形成されてい
る。また、圧電性基板３上で、櫛歯状電極４と基板端面
との間の領域には、シリコーン系やエポキシ系の樹脂材
料から成る吸音材層７が設けられている。
【００２８】また、矩形箱形の支持基材２においては、
弾性表面波素子１と対向する接続面（ダイアタッチ面）
に、図３（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示すように、信
号端子８ａのパターンを含む導体層（導体パターン）８
が形成され、信号端子８ａの外側の周辺領域に、所定の
サイズおよび深さを有する凹部９が設けられている。
弾性表面波素子１と対向する接続面（ダイアタッチ面）
に、図３（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示すように、信
号端子８ａのパターンを含む導体層（導体パターン）８
が形成され、信号端子８ａの外側の周辺領域に、所定の
サイズおよび深さを有する凹部９が設けられている。
【００２９】そして、このような支持基材２のダイアタ
ッチ面に、吸音材層７を有する弾性表面波素子１がフェ
ースダウンに配置されて搭載され、弾性表面波素子１の
ボンディングパッド５と支持基材２の信号端子８ａと
が、Ａｕ等のバンプ１０を介して接合されている。ま
た、弾性表面波素子１の吸音材層７が、支持基材２のダ
イアタッチ面に形成された凹部９に、接触することなく
嵌め込まれている。さらに、こうして弾性表面波素子１
がフリップチップ実装された支持基材２の上端縁部に
は、支持基材２と同じ矩形の平面形状を有する蓋体１１
が被せられ、接着剤等により接合され封止されている。
ッチ面に、吸音材層７を有する弾性表面波素子１がフェ
ースダウンに配置されて搭載され、弾性表面波素子１の
ボンディングパッド５と支持基材２の信号端子８ａと
が、Ａｕ等のバンプ１０を介して接合されている。ま
た、弾性表面波素子１の吸音材層７が、支持基材２のダ
イアタッチ面に形成された凹部９に、接触することなく
嵌め込まれている。さらに、こうして弾性表面波素子１
がフリップチップ実装された支持基材２の上端縁部に
は、支持基材２と同じ矩形の平面形状を有する蓋体１１
が被せられ、接着剤等により接合され封止されている。
【００３０】なお、支持基材２の外周面には、外部接続
パッドが配設され、外部接続パッドと支持基材２の信号
端子８ａとは、ヴィアホール等を介して導通されている
が、この接続構造については、図示を省略する。
パッドが配設され、外部接続パッドと支持基材２の信号
端子８ａとは、ヴィアホール等を介して導通されている
が、この接続構造については、図示を省略する。
【００３１】このように構成される第１の実施例の弾性
表面波装置では、支持基材２のダイアタッチ面で、弾性
表面波素子１の吸音材層７に対向する周辺領域に、凹部
９が設けられており、吸音材層７が支持基材２のダイア
タッチ面に接触しない状態で、弾性表面波素子１が搭載
・実装されている。このように、吸音材層７を有する弾
性表面波素子１を、バンプ１０のサイズを大きくするこ
となく、ＦＤＢ方式により支持基材２に搭載・実装する
ことができるので、小型で良好な周波数特性を有する弾
性表面波装置が得られる。
表面波装置では、支持基材２のダイアタッチ面で、弾性
表面波素子１の吸音材層７に対向する周辺領域に、凹部
９が設けられており、吸音材層７が支持基材２のダイア
タッチ面に接触しない状態で、弾性表面波素子１が搭載
・実装されている。このように、吸音材層７を有する弾
性表面波素子１を、バンプ１０のサイズを大きくするこ
となく、ＦＤＢ方式により支持基材２に搭載・実装する
ことができるので、小型で良好な周波数特性を有する弾
性表面波装置が得られる。
【００３２】なお、第１の実施例では、弾性表面波素子
１の吸音材層７が嵌め込まれた支持基材２の凹部９に、
さらに絶縁性樹脂を充填することができ、こうして、樹
脂充填層と吸収材層７とを接合することにより、弾性表
面波素子１と支持基材２との機械的接合をより強固にす
ることができる。
１の吸音材層７が嵌め込まれた支持基材２の凹部９に、
さらに絶縁性樹脂を充填することができ、こうして、樹
脂充填層と吸収材層７とを接合することにより、弾性表
面波素子１と支持基材２との機械的接合をより強固にす
ることができる。
【００３３】さらに、支持基材２のダイアタッチ面に
は、信号端子８ａとして、あるいは実装の目印等とする
ために、めっき処理等により導体層８が形成されている
が、第２の実施例として、図４（ａ）および（ｂ）にそ
れぞれ示すように、支持基材２のダイアタッチ面の吸音
材層と対向する領域に、導体層の不形成部１２を設け、
この不形成部１２を凹部とすることができる。すなわ
ち、この導体層の不形成部１２は、支持基材２のダイア
タッチ面において、導体層８の厚さに相当する段差を持
ち、凹部として機能するので、弾性表面波素子の吸音材
層の厚さによっては、吸音材層の支持基材２との接触を
防止するという、本発明の目的を十分に達成することが
できる。
は、信号端子８ａとして、あるいは実装の目印等とする
ために、めっき処理等により導体層８が形成されている
が、第２の実施例として、図４（ａ）および（ｂ）にそ
れぞれ示すように、支持基材２のダイアタッチ面の吸音
材層と対向する領域に、導体層の不形成部１２を設け、
この不形成部１２を凹部とすることができる。すなわ
ち、この導体層の不形成部１２は、支持基材２のダイア
タッチ面において、導体層８の厚さに相当する段差を持
ち、凹部として機能するので、弾性表面波素子の吸音材
層の厚さによっては、吸音材層の支持基材２との接触を
防止するという、本発明の目的を十分に達成することが
できる。
【００３４】次に、本発明の別の実施例について説明す
る。
る。
【００３５】本発明の第３の実施例の弾性表面波装置に
おいては、外囲器として、図５（ａ）乃至（ｃ）にそれ
ぞれ示す導体パターンおよび構造を有する支持基材２が
用いられている。すなわち、この実施例では、支持基材
２のダイアタッチ面のバンプ接続領域のみが、支持基材
２の厚さ方向に突出して形成されており、この突出部１
３の上に信号端子８ａを含む導体層（導体パターン）８
が形成されている。
おいては、外囲器として、図５（ａ）乃至（ｃ）にそれ
ぞれ示す導体パターンおよび構造を有する支持基材２が
用いられている。すなわち、この実施例では、支持基材
２のダイアタッチ面のバンプ接続領域のみが、支持基材
２の厚さ方向に突出して形成されており、この突出部１
３の上に信号端子８ａを含む導体層（導体パターン）８
が形成されている。
【００３６】ここで、突出部１３は、支持基材２を複数
枚の基材が厚さ方向に積層された構造とし、下層の支持
基材上に所定形状の小片部を積層することにより、容易
に形成することができる。
枚の基材が厚さ方向に積層された構造とし、下層の支持
基材上に所定形状の小片部を積層することにより、容易
に形成することができる。
【００３７】そして、このような突出部１３を有する支
持基材２のダイアタッチ面に、吸音材層を有する弾性表
面波素子がフェースダウンに配置されて搭載され、弾性
表面波素子のボンディングパッドと、支持基材２の突出
部１３に形成された信号端子８ａとが、Ａｕ等のバンプ
を介して接合されている。なお、このような実装部分
は、第１の実施例と同様に構成されているので、図示を
省略する。
持基材２のダイアタッチ面に、吸音材層を有する弾性表
面波素子がフェースダウンに配置されて搭載され、弾性
表面波素子のボンディングパッドと、支持基材２の突出
部１３に形成された信号端子８ａとが、Ａｕ等のバンプ
を介して接合されている。なお、このような実装部分
は、第１の実施例と同様に構成されているので、図示を
省略する。
【００３８】このように構成される第３の実施例の弾性
表面波装置では、支持基材２のダイアタッチ面のバンプ
接続領域のみが、支持基材２の厚さ方向に突出して形成
され、この突出部１３に信号端子８ａが形成されてい
る。そして、支持基材２のダイアタッチ面のその他の領
域と弾性表面波素子の圧電性基板との間に、十分な大き
さの間隙が確保されているので、吸音材層が支持基材２
のダイアタッチ面に接触しない状態で、弾性表面波素子
が搭載・実装される。このように、吸音材層を有する弾
性表面波素子を、バンプサイズを増大させることなく、
ＦＤＢ方式により支持基材２に搭載・実装することがで
きるので、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置が得られる。
表面波装置では、支持基材２のダイアタッチ面のバンプ
接続領域のみが、支持基材２の厚さ方向に突出して形成
され、この突出部１３に信号端子８ａが形成されてい
る。そして、支持基材２のダイアタッチ面のその他の領
域と弾性表面波素子の圧電性基板との間に、十分な大き
さの間隙が確保されているので、吸音材層が支持基材２
のダイアタッチ面に接触しない状態で、弾性表面波素子
が搭載・実装される。このように、吸音材層を有する弾
性表面波素子を、バンプサイズを増大させることなく、
ＦＤＢ方式により支持基材２に搭載・実装することがで
きるので、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置が得られる。
【００３９】さらに、本発明の別の実施例について説明
する。
する。
【００４０】本発明の第４の実施例の弾性表面波装置で
は、図６に示すように、弾性表面波素子１の吸音材層７
の厚さｔが、後述する接続用のバンプの高さより小さく
（薄く）形成されている。このような吸音材層７を有す
る弾性表面波素子１が、フェースダウンに配置されて、
支持基材２の導体層８形成面に搭載され、弾性表面波素
子１のボンディングパッド５と支持基材２の信号端子８
ａとが、Ａｕ等のバンプ１０を介して接合されている。
そして、吸音材層７の厚さｔが、バンプ１０の高さより
小さく、したがって圧電性基板３の電極形成面と支持基
材２の導体層８面との間の間隙部の大きさｔ0 より小さ
く（ｔ＜ｔ0 ）形成されているので、実装状態で、吸音
材層７が支持基材２の導体層８に接触することなく保持
されている。さらに、こうして弾性表面波素子１がフリ
ップチップ実装された支持基材２の上端縁部には、支持
基材２と同じ矩形の平面形状を有する蓋体１１が被せら
れ、接着剤等により接合され封止されている。
は、図６に示すように、弾性表面波素子１の吸音材層７
の厚さｔが、後述する接続用のバンプの高さより小さく
（薄く）形成されている。このような吸音材層７を有す
る弾性表面波素子１が、フェースダウンに配置されて、
支持基材２の導体層８形成面に搭載され、弾性表面波素
子１のボンディングパッド５と支持基材２の信号端子８
ａとが、Ａｕ等のバンプ１０を介して接合されている。
そして、吸音材層７の厚さｔが、バンプ１０の高さより
小さく、したがって圧電性基板３の電極形成面と支持基
材２の導体層８面との間の間隙部の大きさｔ0 より小さ
く（ｔ＜ｔ0 ）形成されているので、実装状態で、吸音
材層７が支持基材２の導体層８に接触することなく保持
されている。さらに、こうして弾性表面波素子１がフリ
ップチップ実装された支持基材２の上端縁部には、支持
基材２と同じ矩形の平面形状を有する蓋体１１が被せら
れ、接着剤等により接合され封止されている。
【００４１】このように構成される第４の実施例の弾性
表面波装置では、吸音材層７の厚さｔが、圧電性基板３
の電極形成面と支持基材２のダイアタッチ面との間隙部
の大きさｔ0 より小さくなっているので、吸音材層７が
支持基材２に接触することなく、吸音材層７と支持基材
２のダイアタッチ面との間に適当な隙間が保たれてい
る。したがって、支持基材２のダイアタッチ面に凹部や
突出部を設ける必要がなく、平坦なダイアタッチ面を有
する支持基材２に弾性表面波素子１を搭載・実装するこ
とができ、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。
表面波装置では、吸音材層７の厚さｔが、圧電性基板３
の電極形成面と支持基材２のダイアタッチ面との間隙部
の大きさｔ0 より小さくなっているので、吸音材層７が
支持基材２に接触することなく、吸音材層７と支持基材
２のダイアタッチ面との間に適当な隙間が保たれてい
る。したがって、支持基材２のダイアタッチ面に凹部や
突出部を設ける必要がなく、平坦なダイアタッチ面を有
する支持基材２に弾性表面波素子１を搭載・実装するこ
とができ、小型で良好な周波数特性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、電極形成面に吸音材層を有する弾性表面波素
子を、吸音材層が支持基材の導体層形成面に接触しない
状態で、ＦＤＢ方式により搭載・実装することができ
る。したがって、小型で良好な周波数特性を有する弾性
表面波装置を実現することができる。
によれば、電極形成面に吸音材層を有する弾性表面波素
子を、吸音材層が支持基材の導体層形成面に接触しない
状態で、ＦＤＢ方式により搭載・実装することができ
る。したがって、小型で良好な周波数特性を有する弾性
表面波装置を実現することができる。
【図１】本発明の弾性表面波装置の第１の実施例を概略
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施例に用いる弾性表面波素子
を示し、（ａ）は電極形成面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＡ−Ａ´断面図。
を示し、（ａ）は電極形成面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＡ−Ａ´断面図。
【図３】本発明の第１の実施例に用いる支持基材を示
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＢ−Ｂ´断面図。
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＢ−Ｂ´断面図。
【図４】本発明の第２の実施例に用いる支持基材を示
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＣ−Ｃ´断面図。
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＣ−Ｃ´断面図。
【図５】本発明の第３の実施例に用いる支持基材を示
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＤ−Ｄ´断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＥ−
Ｅ´断面図。
し、（ａ）はダイアタッチ面の平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＤ−Ｄ´断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＥ−
Ｅ´断面図。
【図６】本発明の第４の実施例を概略的に示す断面図。
【図７】従来の弾性表面波装置の構造を概略的に示す断
面図。
面図。
１………弾性表面波素子 ２………支持基材 ３………圧電性基板 ４………櫛歯状電極 ５………ボンディングパッド ７………吸音材層 ８ａ………信号端子 ９………凹部 １０………バンプ １２………導体層の不形成部 １３………突出部
Claims (13)
- 【請求項１】 圧電性基板とその上に形成された櫛歯状
電極および弾性表面波の吸収材層をそれぞれ有する弾性
表面波素子と、この弾性表面波素子と対向する面に導体
層が形成された支持基材とを備え、 前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層形成面にフ
ェイスダウンに搭載され、バンプを介して接続された弾
性表面波装置において、 前記支持基材の導体層形成面で、前記弾性表面波素子の
弾性表面波の吸収材層と対向する領域に、凹部を設けた
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記弾性表面波素子の吸収材層が、前記
支持基材の凹部に非接触的に嵌め込まれていることを特
徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記弾性表面波素子の吸収材層が嵌め込
まれた前記支持基材の凹部に、さらに樹脂が充填され、
この樹脂充填層と前記吸収材層とが接合されていること
を特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記凹部を有する支持基材が、下層の支
持基材の上に所定形状の上層が積層された構造を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の
弾性表面波装置。 - 【請求項５】 圧電性基板とその上に形成された櫛歯状
電極および弾性表面波の吸収材層をそれぞれ有する弾性
表面波素子と、この弾性表面波素子と対向する面に導体
層が形成された支持基材とを備え、 前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層形成面にフ
ェイスダウンに搭載され、バンプを介して接続された弾
性表面波装置において、 前記支持基材の導体層形成面の前記バンプの接続領域
が、前記弾性表面波素子の吸収材層と対向する領域に比
べて、前記支持基材の厚さ方向に突出して形成されてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記支持基材の突出部が、下層の支持基
材の上に所定形状の小片板が積層された構造を有するこ
とを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記支持基材の凹部の深さ、または前記
突出部の前記対向領域からの段差の高さが、 2〜 500μ
m であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１
項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 圧電性基板とその上に形成された櫛歯状
電極および弾性表面波の吸収材層をそれぞれ有する弾性
表面波素子と、この弾性表面波素子と対向する面に導体
層が形成された支持基材とを備え、 前記弾性表面波素子が前記支持基材の導体層形成面にフ
ェイスダウンに搭載され、バンプを介して接続された弾
性表面波装置において、 前記吸収材層の厚さｔが、前記圧電性基板の電極形成面
と前記支持基材の導体層面との間隙部の大きさｔ0 より
小さい（ｔ＜ｔ0 ）ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項９】 前記支持基材の上端部に、前記弾性表面
波素子の上方を覆うように蓋体が配置され、該蓋体と前
記支持基材とが気密に接着され封止されていることを特
徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項１０】 弾性表面波素子が搭載されるべき面に
導体層が形成された支持基材を有する外囲器において、 前記支持基材の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接
続領域以外の領域に、凹部を設けたことを特徴とする弾
性表面波装置用の外囲器。 - 【請求項１１】 弾性表面波素子が搭載されるべき面に
導体層が形成された支持基材を有する外囲器において、 前記支持基材の導体層形成面の前記弾性表面波素子の接
続領域に、該支持基材の厚さ方向への突出部を設けたこ
とを特徴とする弾性表面波装置用の外囲器。 - 【請求項１２】 前記支持基材の凹部または突出部が、
下層の支持基材の上に所定形状の上層が積層された構造
を有することを特徴とする請求項１０または１１記載の
弾性表面波装置用の外囲器。 - 【請求項１３】 前記支持基材の凹部の深さ、または前
記突出部の段差の高さが、 2〜 500μm であることを特
徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載の弾性
表面波装置用の外囲器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045465A JP2000252787A (ja) | 1998-12-28 | 1999-02-23 | 弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器 |
| KR1019990063168A KR20000052591A (ko) | 1998-12-28 | 1999-12-28 | 탄성표면파장치 및 탄성표면파 소자용 패키지 |
| EP99125996A EP1017168A3 (en) | 1998-12-28 | 1999-12-28 | Surface acoustic wave device and package for surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37381998 | 1998-12-28 | ||
| JP10-373819 | 1998-12-28 | ||
| JP11045465A JP2000252787A (ja) | 1998-12-28 | 1999-02-23 | 弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252787A true JP2000252787A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=26385460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045465A Withdrawn JP2000252787A (ja) | 1998-12-28 | 1999-02-23 | 弾性表面波装置および弾性表面波装置用の外囲器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1017168A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000252787A (ja) |
| KR (1) | KR20000052591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294839B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-09-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of packaging and testing die |
| US6534901B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacture thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
-
1999
- 1999-02-23 JP JP11045465A patent/JP2000252787A/ja not_active Withdrawn
- 1999-12-28 EP EP99125996A patent/EP1017168A3/en not_active Withdrawn
- 1999-12-28 KR KR1019990063168A patent/KR20000052591A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534901B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacture thereof |
| US6848153B2 (en) | 1999-02-08 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave device |
| US6294839B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-09-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of packaging and testing die |
| US6380631B2 (en) | 1999-08-30 | 2002-04-30 | Micron Technology Inc. | Apparatus and methods of packaging and testing die |
| US6558966B2 (en) | 1999-08-30 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of packaging and testing die |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1017168A3 (en) | 2000-12-20 |
| EP1017168A2 (en) | 2000-07-05 |
| KR20000052591A (ko) | 2000-08-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |