CN1842613A - 溅射靶及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 10
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ITO (In-Sn system) Chemical compound 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000029052 metamorphosis Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
本发明是通过溅射制造薄膜时所使用的溅射靶及其制造方法，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在有衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，并且，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。
Description
技术领域
本发明涉及通过溅射制造薄膜时所使用的溅射靶及其制造方法，更具体地说，涉及一种由靶板、底板、以及将它们贴合在一起的粘合材料层构成且粘合材料层中不存在有衬垫的溅射靶及其制造方法。
背景技术
溅射成膜法具有容易得到附着力强的薄膜、膜厚容易控制、合金的薄膜化再现性好、容易实现高融点材料的薄膜化等特点，因此，在半导体等电子·电气元器件用材料的成膜、例如液晶显示器用的透明导电膜的制造、硬盘的记录层的制造、半导体存储器的配线材料的制造等广泛的领域得到采用。
在这种溅射成膜法中，作为溅射靶，一般使用的是由所要形成的薄膜的构成材料制成的靶板与由具有优良的导电性与导热性的材质制成的底板中间夹着粘合材料贴合在一起而构成的溅射靶。在这种场合，作为底板的材质，例如使用的是导电性和导热性优良的铜特别是无氧铜、钛、不锈钢等，作为用来将靶板和底板贴合在一起的粘合材料，例如使用的是In系、Sn系等低熔点金属制成的粘合焊料。
此外，作为将靶板和底板贴合在一起的方法，例如采用的是，将粘合材料布置在靶板和底板之间，通过同时对它们进行加热，使靶板和底板之间的粘合材料熔融而填充于其间，在该状态下冷却到室温，从而使靶板与底板贴合在一起的方法，或者，分别在靶板的表面和底板的表面，通过进行涂布粘合材料之前的加热或涂布之后的加热而形成粘合材料的熔融物，然后将该靶板与该底板二者中间夹着粘合材料层对合，在该状态下冷却到室温，从而使靶板与底板贴合在一起的方法等。
上述用来将靶板与底板贴合在一起的粘合材料层，要具有(1)旨在抵消靶板与底板之间因热膨胀率的差异而产生的热膨胀的差异的缓冲性，(2)对溅射过程中的热应力的减缓吸收性，(3)对安装到溅射装置中时产生的形变、抽真空时大气压从底板的背面施加的变形作用力的减缓吸收性等，为此，粘合材料层需要达到某种程度的厚度。
若使用低熔点金属等粘合材料将靶板与底板二者以现有方法进行贴合，则在粘合材料层达到某种程度的厚度时，粘合材料层的厚度的调节将变得困难，各溅射靶成品的粘合材料层的厚度不定，使用这种粘合材料层厚度不定的溅射靶进行溅射时，会出现所使用的每个溅射靶的放电电压不同等所不希望的现象。而且，靶板的贴合面与底板的贴合面之间多无法保持平行关系，若使用这种因局部部位的原因导致两个面的间隔多少不相等的溅射靶，则随着溅射时间的延续，会在靶板的溅射面上发生偏磨损，这种结果是我们所不希望的。
为此，有人提出将铜片或铜丝等衬垫置于靶板与底板之间以增加粘合材料层的厚度并保持上述平行关系而解决上述问题的方案(例如可参照专利文献1、2和3)。但是，按照这些方法，存在有衬垫的部分粘合材料层薄，变形应力容易集中，而且衬垫会阻碍粘合材料层的变形，因此，与衬垫接触的部分或该附近的粘合材料部分有时会发生龟裂。
专利文献1：特开昭63-317668号公报
专利文献2：特开平08-170170号公报
专利文献3：特开平11-200028号公报
发明内容
本发明是鉴于上述现状而提出的，其第1目的是，作为用粘合材料将靶板与底板贴合在一起而成的溅射靶，提供一种不使用衬垫而粘合材料的厚度较厚、靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行的溅射靶及其制造方法。
再有，本发明的第二目的是，提供一种除了具有上述特点之外，进行溅射时粘合材料飞溅出来的危险性小的溅射靶及其制造方法。
实现发明任务的技术方案
为实现上述目的，本发明人专门进行了研究，研究的结果发现，通过使用耐热性临时衬垫对粘合材料层的厚度进行控制并使得靶板的贴合面与底板的贴合面实质上保持平行，可得到第一目的的溅射靶，通过使用耐热性临时衬垫对存在于靶板的贴合面一侧之表面上的粘合材料的范围进行控制，可得到第二目的溅射靶，从而完成了本发明。
即，作为本发明的溅射靶，其特征是，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，并且，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。
此外，作为本发明的溅射靶，其特征是，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行，并且，在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分与底板之间不存在粘合材料。
再有，作为本发明的溅射靶的制造方法，其特征是，以可使得欲贴合在粘合材料层上的靶板表面与欲贴合在粘合材料层上的底板表面二者实质上保持平行的布置方式，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在靶板的贴合面一侧之表面的周边上，或者(2)以与该靶板的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局，可自由取放地布设在底板的贴合面一侧之表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上，此时，对耐热性临时衬垫的合计厚度进行调整而使之在0.25～2mm的范围内、并且实质上为固定值，或者在该靶板的贴合面一侧之表面上形成粘合材料的熔融物，或者在该底板的贴合面一侧之表面上，以与该靶板的表面上的可形成粘合材料熔融物的位置成平面对称的布局形成粘合材料的熔融物，或者在二者上形成粘合材料的熔融物，接下来，将该靶板与该底板二者中间夹着该粘合材料贴合在一起，此时，若耐热性临时衬垫可自由取放地布设在二者上，则将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起，冷却后将这些耐热性临时衬垫去除。
此外，本发明的溅射靶的制造方法，其特征是，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在欲贴合在粘合材料层上的靶板表面的周边的整周上，或者(2)以与该靶板的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局，可自由取放地布设在欲贴合在粘合材料层上的底板表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上，此时，对耐热性临时衬垫的合计厚度进行调整而使之在0.25～2mm的范围内并且实质上为固定值，在该靶板的表面上、该底板的表面上、或者二者的表面上的被耐热性临时衬垫围起来的部位形成粘合材料的熔融物，接下来，将该靶板与该底板二者中间夹着该粘合材料层贴合在一起，此时，若耐热性临时衬垫可自由取放地布设在二者上，则将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起，冷却后将这些耐热性临时衬垫去除。
在本发明中，所说“实质上保持平行”和“实质上为固定值”是指，在底板与靶板二者贴合的溅射靶中，底板与靶板二者的平行度确保达到本行业所容许的程度，而所说“耐热性临时衬垫的合计厚度”，在耐热性临时衬垫只布设在靶板的贴合面一侧之表面上时是指其厚度，只布设在底板的贴合面一侧之表面上时是指其厚度，布设在二者上时是指双方厚度的合计厚度。
作为本发明的溅射靶，由于粘合材料层中不存在有衬垫，粘合材料层的厚度固定并且靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行，因此，各溅射靶的放电电压不会改变，而且，不会随着溅射时间的延续而在溅射靶的溅射面上发生偏磨损，粘合材料部分不会发生龟裂。此外，在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分与底板之间不存在有粘合材料的场合，进行溅射时粘合材料飞溅出来的危险性小。
附图说明
图1是本发明溅射靶的一个例子的概略剖视图。
图2是本发明溅射靶制造方法中耐热性临时衬垫的布置位置的概略说明图。
图3是本发明溅射靶制造方法中靶板表面上的耐热性临时衬垫的布置位置的概略说明图。
图4是本发明溅射靶制造方法中两分体靶板表面上的耐热性临时衬垫的布置位置的概略说明图。
图5是本发明溅射靶制造方法中三分体靶板表面上的耐热性临时衬垫的布置位置的概略说明图。
图6是展示本发明溅射靶的制造过程的其它阶段的状况的概略剖视图。
图7是耐压试验的概略说明图。
附图标记说明
1 靶板
2 底板
3 粘合材料层
5 可自由取放地布设耐热性临时衬垫的位置
6 可自由取放地布设耐热性临时衬垫的位置
7 耐热性临时衬垫
8 耐热性临时衬垫
9 夹具
具体实施方式
如图1所示，由靶板1、底板2、以及将它们贴合在一起的粘合材料层3构成的本发明的溅射靶中，粘合材料层中不存在有衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，并且，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。此外，在本发明的其它方案中，粘合材料层中不存在有衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行，并且，靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分、例如整周与底板之间4不存在有粘合材料。
在本发明的溅射靶中，靶板1可以由作为靶板所通常使用的任何材料形成，例如可以使用由铬、钛、铝、ITO(In-Sn系)、SiO2等材料形成的靶板。此外，在本发明的溅射靶中，靶板1也可以是材质不同的多个靶板贴合在一片底板上的分体靶板。
在本发明的溅射靶中，底板2可以由作为底板所通常使用的任何材料形成，例如可以使用由导电性与导热性优良的铜特别是无氧铜、钛、不锈钢等材料形成的底板。此外，在本发明的溅射靶中，作为底板的厚度，从强度考虑，例如在材质为Cu(JIS C 1020)时，以10mm～50mm为宜。
在本发明的溅射靶中，粘合材料层3可以由作为粘合材料所通常使用的任何材料形成，但一般由In系、Sn系等低熔点金属制成的粘合焊料形成。该粘合材料层的厚度以2mm以下为宜。若厚于2mm，漏磁通将衰减过多，溅射时放电电压不稳定。因此，若在1.5mm以下则更好。但是，从防止溅射靶龟裂和剥离的角度来说，粘合材料层的厚度以0.25mm以上为宜，0.5mm以上则更好。
在本发明的溅射靶中，为了避免粘合材料部分发生龟裂，需要使粘合材料层中不存在有衬垫，此外，为了避免随着溅射时间的延续溅射靶的溅射面上发生偏磨损，需要使靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。
此外，在本发明的溅射靶中，为了减小溅射时粘合材料飞溅出来的危险性，最好是，在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分、例如整周与底板之间4不存在有粘合材料(即，在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分、例如整周与底板之间4未填充有粘合材料，并且无论在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分、例如整周上，还是作为与该部分相向的部分的底板的表面上均未附着有粘合材料)。
在本发明的溅射靶的制造方法中，首先在最开始，例如如图2～图5所示，为了使欲贴合在粘合材料层上的靶板表面与欲贴合在粘合材料层上的底板表面二者实质上保持平行，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在靶板1的贴合面一侧之表面的周边的、各自包括可对该靶板进行支持的至少3个支点部分的部分5上，或者(2)以与该靶板1的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局6，可自由取放地布设在底板2的贴合面一侧之表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上。在靶板1是由相同材质或不同材质的多个靶板构成的分体靶板时，为了使欲贴合在粘合材料层上的各个分体靶板的靶板表面与欲贴合在粘合材料层上的底板表面二者实质上保持平行，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在各个分体靶板的靶板的贴合面一侧之表面的周边的、各自包括可对该各个分体靶板的靶板进行支持的至少3个支点部分的部分上，或者(2)以与该各个靶板的靶板的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局，可自由取放地布设在底板2的贴合面一侧之表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上。
作为上述“靶板的贴合面一侧之表面的周边的、各自包括可对该靶板进行支持的至少3个支点部分的部分”的例子，除了图2所示的整周5之外，还有图3～图5所示的各种方案。图3的(a)～(d)是单一靶板的例子，图4(a)～(d)是两分体靶板的例子，图5(a)～(d)是三分体靶板的例子。
作为本发明制造方法中所使用的耐热性临时衬垫，只要在粘合材料层冷却固化后能够被去除，可以由任何材料制成。作为这种材料，可列举出铜、不锈钢、铝、镍、锌等金属或合金、陶瓷、以及特氟隆(注册商标)等耐热树脂等。但作为最佳材料，由于在粘合材料层冷却固化后要将衬垫去除，因而最好是，在粘合材料的熔融温度下实质上不会烧失的材料、不会发生塑性变形的材料、不会与粘合材料发生反应的材料、不会形成合金层的材料、具有与粘合材料的线膨胀系数同等以上的线膨胀系数的材料或者弹性变形适当的材料、强度适当的材料等。
关于本发明制造方法中所使用的耐热性临时衬垫的形状，可以是带状、板状、线状、棒状(方、圆)、圆盘状、高度矮的三棱柱状等任何形状。而作为将这种衬垫可自由取放地进行布设的方法，可以采用用粘接剂临时固定的方法，使衬垫沿靶板或底板的贴合面一侧之表面、侧面、背面弯曲，将该弯曲的衬垫插在靶板或底板上进行临时固定的方法，以及，将衬垫放在靶板或底板的贴合面一侧之表面的周边部上，从侧面用夹子临时固定的方法等。作为本发明的制造方法，仅将衬垫简单地放置在靶板或底板的贴合面一侧之表面上也能够加以实施。
关于耐热性临时衬垫的厚度，既可以如图6所示，将该靶板1上的耐热性临时衬垫7的厚度与该底板2上的耐热性临时衬垫8的厚度的合计厚度调整在0.25～2mm的范围内并且实质上为固定值，也可以仅在该靶板1上或底板2上的某一方上可自由取放地布设耐热性临时衬垫而将其厚度调整在0.25～2mm的范围内并且实质上为固定值。
此外，在作为耐热性临时衬垫7和8使用的是耐热性粘胶带，其厚度较薄而它们的厚度或它们的合计厚度达不到0.25～2mm范围内的既定厚度的场合，也可以将两片以上的耐热性粘胶带重叠起来使用。使用耐热性粘胶带时，从摩擦系数小且强度高，粘合材料冷却固化后很容易拔除等观点出发，最好是使用由氟树脂(例如特氟隆(注册商标))带材和涂布在其单面上的改性硅系粘着材料构成的耐热性粘胶带，或者由氟树脂层和它上面的无机纤维织物层和它上面的氟树脂层和它上面的改性硅系粘着材料层构成的耐热性粘胶带。
之后，或者在靶板的贴合面一侧之表面上形成粘合材料的熔融物，或者在底板的贴合面一侧之表面上，以与该靶板的表面上的可形成粘合材料熔融物的位置成平面对称的布局形成粘合材料的熔融物，或者在二者上形成粘合材料的熔融物。此时，作为粘合材料熔融物的合计厚度，为了使靶板与底板二者能够完全贴合在一起，以稍厚于该耐热性临时衬垫的合计厚度为宜。接下来，如图6所示地将靶板与底板二者贴合在一起，此时，若耐热性临时衬垫可自由取放地布设在二者上，则将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起。
作为在靶板的表面、底板的表面、或者二者的表面形成粘合材料的熔融物的方法，有将上述靶板的表面和上述底板的表面加热到足以使粘合材料熔融的温度，在该靶板的表面、该底板的表面、或者二者的表面分别涂布粘合材料使之熔融的方法，以及，在上述靶板的表面、上述底板的表面、或者二者的表面分别涂布粘合材料，之后进行加热使之熔融的方法。
将靶板与底板二者贴合在一起之后，而当耐热性临时衬垫是可自由取放地布设在二者上时则是将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起之后，使粘合材料冷却凝固。对于使粘合材料冷却凝固的方法并无特殊限制，例如，可以采用从底板一侧吹拂冷风，或者，以铜锭顶在底板背面的中央部位等方法。此外，在靶板由抗热冲击性能高的金属等材料制成的场合，也可以以从靶板一侧吹拂冷风等方式进行冷却。
在粘合材料冷却凝固后，将耐热性临时衬垫去除便可得到本发明的溅射靶。在如上所述将耐热性临时衬垫去除后，曾存在有耐热性临时衬垫的部分将处于未附着有粘合材料的状态，在耐热性临时衬垫是可自由取放地布设在靶板的贴合面一侧之表面的周边的整周上时，将处于靶板的贴合面一侧之表面的周边的整周与底板之间不存在有粘合材料，并且无论靶板的贴合面一侧之表面的周边的整周还是作为与该部分相向的部分的底板的表面上均未附着有粘合材料的状态。在采用这种底板的场合，进行溅射时不存在粘合材料飞溅出来的危险性。
此外，以本发明的制造方法得到的溅射靶具有这样的特点，即，靶板与底板的贴合部二者的面实质上保持平行，在使用该溅射靶进行溅射时，靶板之间放电电压的离散性小，而且不会发生磨损。
下面，对本发明的溅射靶及其制造方法结合实施例和对比例进行说明。
实施例1
制备127mm×381mm×4.8mm大小的蓝色玻璃靶板、150mm×440mm×6mm大小的无氧铜制造的底板、以四氟乙烯树脂(特氟隆(注册商标))为基底材料而在其单面涂布改性硅系粘着材料的宽3mm、厚约0.13mm的耐热性粘胶带、以及作为粘合材料的铟粉。
在上述靶板和底板上，以图2所示的布局可自由取放地布设耐热性粘胶带。之后，使用加热板将靶板和底板加热到190℃，在它们的各自的贴合面上涂布铟粉，使之熔融而形成粘合材料的熔融物。接下来，如图6所示，将靶板与底板二者以成平面对称的耐热性粘胶带对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起。贴合在一起之后，在靶板上放置3kg的钨酸钙进行自然冷却。在靶板的温度大约变成100℃时，取下钨酸钙，拔出耐热性粘胶带将其去除，得到了本发明的溅射靶。以同样的方法共计制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为0.25mm且大致固定。
实施例2
除了使用以四氟乙烯树脂(特氟隆(注册商标))为基底材料，在其单面涂布改性硅系粘着材料的宽3mm、厚约0.66mm的耐热性粘胶带之外，以与实施例1同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.3mm且大致固定。
对比例1
制备127mm×381mm×4.8mm大小的蓝色玻璃靶板、150mm×440mm×6mm大小的无氧铜制造的底板、20mm×381mm×0.25mm大小的无氧铜片(衬垫)、以及作为粘合材料的铟粉。
使用加热板将靶板和底板加热到190℃，在它们的各自的贴合面上涂布铟粉使之熔融。将两片上述无氧铜片(衬垫)加热到190℃，在它们的整个面上涂布铟粉使之熔融而浸润之。将该两片无氧铜片以65mm的间隔平行地布置在底板的铟熔融膜上，再使靶板贴合在它上面。贴合后，在靶板上放置3kg的钨酸钙，进行自然冷却后得到溅射靶。以同样的方法共计制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为0.25mm且大致固定。
对比例2
除了替代20mm×381mm×0.25mm大小的无氧铜片(衬垫)而使用20mm×381mm×1.3mm大小的无氧铜片(衬垫)之外，以与对比例1同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.3mm且大致固定。
实施例3
制备127mm×381mm×4.8mm大小的蓝色玻璃靶板、150mm×440mm×6mm大小的无氧铜制造的底板、宽5mm×厚1.5mm大小的无氧铜片(衬垫)、以及作为粘合材料的铟粉。
仅在上述靶板上以图2所示的布局可自由取放地布设上述铜片制造的衬垫。之后，使用加热板将靶板和底板加热到190℃，在它们的各自的贴合面上涂布铟粉，使之熔融而形成粘合材料的熔融物。接下来，以图6所示的布局，将靶板与底板二者中间夹着粘合材料层贴合在一起。贴合在一起之后，在靶板上放置3kg的钨酸钙进行自然冷却。在靶板的温度大约变成100℃时，取下钨酸钙，拔出铜片制造的衬垫将其去除，得到了本发明的溅射靶。以同样的方法共计制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.5mm且大致固定。
对比例3
除了不将铜片制造的衬垫拔出而原样保留之外，以与实施例3同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.5mm且大致固定。
实施例4
制备127mm×381mm×4.8mm大小的蓝色玻璃靶板、150mm×440mm×6mm大小的无氧铜制造的底板、宽5mm×长21mm×厚2mm大小的SUS片(衬垫)、以及作为粘合材料的铟粉。
以与靶板的表面上的图3(b)所示布局成平面对称的布局，在欲贴合在粘合材料层上的底板的表面上可自由取放地布设上述SUS片制造的衬垫。之后，使用加热板将靶板和底板加热到190℃，在底板的贴合面上涂布铟粉，使之熔融而形成粘合材料的熔融物。接下来，以靶板覆盖在上述各个SUS片制造衬垫的9.5mm长的部分上的状态，将靶板与底板中间夹着粘合材料层贴合在一起。贴合在一起之后，在靶板上放置3kg的钨酸钙进行自然冷却。在靶板的温度大约变成100℃时，取下钨酸钙，拔出SUS片制造的衬垫将其去除，得到了本发明的溅射靶。以同样的方法共计制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为2.0mm且大致固定。
对比例4
除了不将SUS片制造的衬垫拔出而原样保留之外，以与实施例4同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为2.0mm且大致固定。
实施例5
除了替代宽5mm×长21mm×厚2mm大小的SUS片(衬垫)而使用直径0.5mm×长21mm的铜丝(衬垫)之外，以与实施例4同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为0.5mm且大致固定。
对比例5
除了不将铜丝(衬垫)拔出而原样保留之外，以与实施例5同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为0.5mm且大致固定。
实施例6
除了替代宽5mm×长21mm×厚2mm大小的SUS片(衬垫)而使用直径1.0mm×长21mm的SUS丝(衬垫)之外，以与实施例4同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.0mm且大致固定。
对比例6
除了不将SUS丝(衬垫)拔出而原样保留之外，以与实施例6同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为1.0mm且大致固定。
对比例7
除了替代宽5mm×长21mm×厚2mm大小的SUS片(衬垫)而使用直径0.1mm×长21mm的铜丝(衬垫)之外，以与对比例4同样的方法制作了10个溅射靶。各个溅射靶的粘合材料层的厚度为0.1mm且大致固定。但是，由于铜丝(衬垫)太细，即使想拔出也会拉断，无法将其完全去除。
对比例8
尝试着除了替代宽5mm×长21mm×厚2mm大小的SUS片(衬垫)而使用直径2.5mm×长21mm的铜丝(衬垫)之外，以与对比例4同样的方法制作溅射靶。但是，在将靶板与底板中间夹着粘合材料层贴合在一起时，发生了粘合材料mp泄漏。
耐压试验
对于实施例1～6以及对比例1～6中所制作的各个溅射靶的耐压性能，以下面的方法进行了评价。
如图7所示，将溅射靶的底板2用螺钉(未图示)固定在夹具9上，使得对底板的整个背面施加均匀的压力。向空间10中缓缓引入氮气并对发生龟裂时的压力进行测定。它们的测定结果如表1所示。
由表1的数据也可知，以本发明的制造方法得到的本发明的溅射靶优于内有衬垫的溅射靶。
[表1]
| 对比例1 | 实施例1 | 对比例2 | 实施例2 | 对比例3 | 实施例3 | 对比例4 | 实施例4 | 对比例5 | 实施例5 | 对比例6 | 实施例6 | ||
| 粘合材料层的厚度(mm)衬垫的有无 | 0.25有 | 0.25无 | 1.3有 | 1.3无 | 1.5有 | 1.5无 | 2.0有 | 2.0无 | 0.5有 | 0.5无 | 1.0有 | 1.0无 | |
| 发生龟裂时的压力(kg/cm2) | 试品1试品2试品3试品4试品5试品6试品7试品8试品9试品10 | 5.93.54.94.34.53.15.33.76.14.2 | 6.34.85.95.46.05.36.45.26.05.5 | 6.05.76.85.76.76.46.85.96.65.9 | 7.46.87.86.87.16.97.46.97.88.0 | 6.15.86.56.95.56.45.96.46.37.4 | 6.58.17.25.69.18.17.77.57.98.6 | 7.66.98.17.66.88.27.17.36.97.6 | 9.98.59.78.27.56.99.28.37.88.2 | 4.53.95.16.44.95.26.24.85.16.3 | 5.36.67.25.96.17.35.06.07.45.8 | 5.26.86.05.66.27.14.75.16.45.4 | 6.77.58.36.27.77.48.06.67.36.0 |
| 平均 | 4.5 | 5.7 | 6.3 | 7.3 | 6.3 | 7.6 | 7.4 | 8.4 | 5.2 | 6.3 | 5.9 | 7.2 | |
Claims (7)
1.一种溅射靶，其特征是，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，并且，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。
2.一种溅射靶，其特征是，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行，并且，在靶板的贴合面一侧之表面的周边的至少一部分与底板之间不存在粘合材料。
3.一种溅射靶的制造方法，其特征是，以可使得欲贴合在粘合材料层上的靶板表面与欲贴合在粘合材料层上的底板表面二者实质上保持平行的布置方式，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在靶板的贴合面一侧之表面的周边上，或者(2)以与该靶板的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局，可自由取放地布设在底板的贴合面一侧之表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上，此时，对耐热性临时衬垫的合计厚度进行调整而使之在0.25～2mm的范围内、并且实质上为固定值，或者在该靶板的贴合面一侧之表面上形成粘合材料的熔融物，或者在该底板的贴合面一侧之表面上，以与该靶板的表面上的可形成粘合材料熔融物的位置成平面对称的布局形成粘合材料的熔融物，或者在二者上形成粘合材料的熔融物，接下来，将该靶板与该底板二者中间夹着该粘合材料贴合在一起，此时，若耐热性临时衬垫可自由取放地布设在二者上，则将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起，冷却后将这些耐热性临时衬垫去除。
4.一种溅射靶的制造方法，其特征是，将耐热性临时衬垫(1)可自由取放地布设在欲贴合在粘合材料层上的靶板表面的周边的整周上，或者(2)以与该靶板的表面上的可布设耐热性临时衬垫的位置成平面对称的布局，可自由取放地布设在欲贴合在粘合材料层上的底板表面上，或者(3)可自由取放地布设在二者上，此时，对耐热性临时衬垫的合计厚度进行调整而使之在0.25～2mm的范围内、并且实质上为固定值，在该靶板的表面上、该底板的表面上、或者二者的表面上的被耐热性临时衬垫围起来的部位形成粘合材料的熔融物，接下来，将该靶板与该底板二者中间夹着该粘合材料层贴合在一起，此时，若耐热性临时衬垫可自由取放地布设在二者上，则将该靶板与该底板二者以成平面对称的耐热性临时衬垫对齐的状态中间夹着粘合材料层贴合在一起，冷却后将这些耐热性临时衬垫去除。
5.如权利要求3或4所说的溅射靶的制造方法，其特征是，将中间夹着上述粘合材料层贴合在一起的上述靶板和上述底板的各自的表面加热到足以使粘合材料熔融的温度，在该靶板的表面、该底板的表面、或者二者的表面分别涂布粘合材料使之熔融，从而在该靶板的表面上、该底板的表面上、或者二者的表面上形成粘合材料的熔融物。
6.如权利要求3或4所说的溅射靶的制造方法，其特征是，在所说靶板的表面、所说底板的表面、或者二者的表面分别涂布粘合材料，之后进行加热，从而在该靶板的表面上、该底板的表面上、或者二者的表面上形成粘合材料的熔融物。
7.如权利要求3、4、5或6所说的溅射靶的制造方法，其特征是，耐热性临时衬垫或者是由氟树脂带和涂布在其单面上的改性硅系粘着材料构成的，或者是由氟树脂层和它上面的无机纤维织物层和它上面的氟树脂层和它上面的改性硅系粘着材料层构成的，粘合材料是以铟为主成分的粘合材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004148084 | 2004-05-18 | ||
| JP148084/2004 | 2004-05-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1842613A true CN1842613A (zh) | 2006-10-04 |
Family
ID=35394174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005800010089A Pending CN1842613A (zh) | 2004-05-18 | 2005-05-17 | 溅射靶及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2005111261A1 (zh) |
| KR (2) | KR100745437B1 (zh) |
| CN (1) | CN1842613A (zh) |
| TW (1) | TWI266809B (zh) |
| WO (1) | WO2005111261A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315699A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-07-24 | 苏州精美科光电材料有限公司 | 一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法 |
| CN112063986A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种靶材绑定的方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550055B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
| JP5198925B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2013-05-15 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP5289007B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-09-11 | 日東電工株式会社 | マスキング用粘着シートおよびテープならびにスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP5385883B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-01-08 | 株式会社神戸製鋼所 | ターゲット接合体 |
| KR101312412B1 (ko) * | 2011-07-04 | 2013-09-27 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 스퍼터링 타겟 제조방법 |
| JP7118630B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2022-08-16 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲットを製造する方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3967067B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2007-08-29 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP2001181834A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-07-03 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | スパッタリングターゲット接合体 |
| JP4419040B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2010-02-24 | 三菱マテリアル株式会社 | バッキングプレート |
| JP2003155563A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Tosoh Corp | 長尺多分割ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| JP4000813B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2007-10-31 | 東ソー株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP2003147518A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット |
-
2005
- 2005-05-17 KR KR1020067003704A patent/KR100745437B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-17 KR KR1020077012162A patent/KR20070063050A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-17 CN CNA2005800010089A patent/CN1842613A/zh active Pending
- 2005-05-17 JP JP2006513606A patent/JPWO2005111261A1/ja active Pending
- 2005-05-17 WO PCT/JP2005/008965 patent/WO2005111261A1/ja active Application Filing
- 2005-05-18 TW TW094116043A patent/TWI266809B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315699A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-07-24 | 苏州精美科光电材料有限公司 | 一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法 |
| CN112063986A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种靶材绑定的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005111261A1 (ja) | 2005-11-24 |
| TW200602507A (en) | 2006-01-16 |
| JPWO2005111261A1 (ja) | 2008-03-27 |
| KR20070063050A (ko) | 2007-06-18 |
| KR100745437B1 (ko) | 2007-08-02 |
| TWI266809B (en) | 2006-11-21 |
| KR20060057620A (ko) | 2006-05-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20061004 |