JP2016156049A - 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】円筒形セラミックス焼結体2a,2bからなるターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置し、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙5に接合層を形成して円筒形スパッタリングターゲット1を製造する際に、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙5に溶融した接合材を流し込んだ後に、ターゲット材2及び接合材を接合材の融点以上の温度に保持しながらバッキングチューブ3を冷却し、冷却したバッキングチューブ3により接合材の熱を外部に放出して冷却し、接合材を固化して接合層を形成する。
【選択図】図2
Description
1−1.円筒形スパッタリングターゲットの概要
1−2.ターゲット材
1−3.バッキングチューブ
1−4.接合層
1−5.浸透探傷検査
2.円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
2−1.円筒形スパッタリングターゲットの製造方法の概要
2−2.各部材の配置
2−3.接合層の形成
<1−1.円筒形スパッタリングターゲットの概要>
本実施の形態に係る円筒形スパッタリングターゲット(以下、単に「スパッタリングターゲット」と呼称する。)は、図1に示すように、円筒形のターゲット材2が円筒形のバッキングチューブ3の外周部に設置され、ターゲット材2とバッキングチューブ3とが接合層4を介して接合されたものである。より詳細には、スパッタリングターゲット1は、ターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置し、これらの中心軸が一致した状態で接合されたものである。
ターゲット材2は、円筒形セラミックス焼結体からなるものである。ターゲット材2として使用することができる円筒形セラミックス焼結体は、用途等に応じて適宜決定され、特に限定されることはない。円筒形セラミックス焼結体としては、例えば、インジウム(In)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)及びチタン(Ti)から選択される少なくとも1種を主成分とする酸化物等から構成される焼結体を使用することができる。
バッキングチューブ3は、ターゲット材2を支持することができ、比較的容易に円筒形状に成形可能な金属材料からなるものである。バッキングチューブ3においては、一般的なオーステナイト系ステンレス製、特に、線膨張率が17.3×10−6/℃であるSUS304製のものに加えて、銅又は銅合金、線膨張率が8.6×10−6/℃であるチタン又はチタン合金、モリブデン又はモリブデン合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等の各種金属材料を使用することができる。
接合層4は、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙5(図2〜図4参照。)に、インジウムを主成分とする接合材を注入して、固化することにより形成される。インジウムを主成分とする接合層4は、スズを主成分とする接合層に比べて凝固時の硬度が低く、接合材を注入してから固化するまでの過程において、ターゲット材2に割れが生じる可能性を低減することができる。ただし、スパッタリングターゲット1では、スズ100%のような硬度の高い接合層でも適用可能である。
スパッタリングターゲット1では、ターゲット材2を構成する円筒形セラミックス焼結体に割れが生じない。その割れの有無は、「JIS Z 2343−1:2001」に記載の浸透探傷方法によって検査することができる。
以下、本実施の形態に係る円筒形スパッタリングターゲットの製造方法(以下、単に「ターゲットの製造方法」と呼称する。)について説明する。
ターゲットの製造方法では、図2に示すように、ターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置し、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙5に、接合材からなる接合層4(図1参照。)を形成することにより、スパッタリングターゲット1(図1参照。)を作製する。
まず、ターゲットの製造方法では、図2に示すように、2つのセラミックス焼結体2a,2bからなるターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置する。
次に、ターゲットの製造方法では、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙5に接合層4を形成して両者を接合し、スパッタリングターゲット1(図1参照。)を作製する。以下では、接合層4の形成方法について説明する。
実施例1では、外径100mm、内径82mm、全長200mmのITO製の円筒形セラミックス焼結体(以下、単に「セラミックス焼結体」と呼称する。)を5つ用意した。実施例1では、各セラミックス焼結体の内周面を、マシニングセンタ(DMG森精機株式会社製、DMC635V)を用いて研削し、5つのセラミックス焼結体からなるターゲット材を得て、超音波コテを使用してインジウムを濡らした。
実施例2では、接合材シート7における接合材の材料に純インジウムを用いたこと以外は実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例2では、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例2では、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例3では、バッキングチューブ3の素材に純チタンを用いたこと以外は実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例3では、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例3では、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例4では、バッキングチューブ3の素材に純チタンを用いたこと以外は実施例2と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例4では、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例4では、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例5では、接合材シート7における接合材の材料に純スズを用いたこと、及びバンドヒーター10bの設定温度を260℃とし、バンドヒーター10aの設定温度を270℃にしたこと以外は実施例4と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例5では、得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例5では、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例6では、図3に示すように、冷却ファン9をバッキングチューブ3の上方に配置したこと以外は実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例6では、得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例6では、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例7では、図4に示すように、バッキングチューブ3の内部に水冷ジャケット11を設置して、毎分11リットルの水道水を流したこと以外は実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例7では、得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例7では、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例8では、AZO製の円筒形セラミックス焼結体を用いたこと以外は実施例1と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。実施例8では、得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、優れたものであることが確認された。また、実施例8では、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中に、セラミックス焼結体2a〜2eに割れや欠け等が生じることはなかった。
実施例9では、セラミックス焼結体2a〜2eの外周面に、バンドヒーター10bに替えて保温性の高い出力150Wのマントル(ジャケット)ヒーター(株式会社スリーハイ製)を取り付けたこと、及び、接合材シート7の内部より溶融した接合材を流し込んだ後にバッキングチューブ3を冷却すると共に、当該ヒーターのスイッチを切って加熱を停止したこと以外は実施例1と同様にしてスパッタリングターゲット1を得た。
比較例1では、溶融した接合材の間隙5への流し込みが終了した後、バッキングチューブ3の内冷を行わずにバンドヒーター10bを取り去り、セラミックス焼結体2a〜2eから外冷したこと以外は実施例2と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、セラミックス焼結体2a〜2e表面に割れの存在が確認された。また、比較例1では、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中にセラミックス焼結体2a〜2eの割れが拡大した。
比較例2では、溶融した接合材の間隙5への流し込みが終了した後、バッキングチューブ3の内冷を行わずにバンドヒーター10bを取り去り、セラミックス焼結体2a〜2eから外冷したこと、及びバッキングチューブ3の素材に純チタンを用いたこと以外は実施例2と同様にして、スパッタリングターゲット1を得た。比較例2では、得られたスパッタリングターゲット1を、セラミックス焼結体2a〜2e表面の割れの有無について、実施例1と同様にして評価した結果、セラミックス焼結体2a〜2e表面に割れの存在が確認された。また、比較例2では、スパッタリングターゲット1の放電試験を実施したところ、スパッタリング中にセラミックス焼結体2a〜2eの割れが拡大した。
Claims (3)
- 円筒形セラミックス焼結体からなるターゲット材の中空部にバッキングチューブを同軸に配置し、該ターゲット材と該バッキングチューブとの間隙に接合層を形成して円筒形スパッタリングターゲットを得る円筒形スパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記ターゲット材と前記バッキングチューブとの間隙に溶融した接合材を流し込んだ後に、該ターゲット材及び該接合材を該接合材の融点以上の温度に保持しながら該バッキングチューブを冷却し、冷却した該バッキングチューブにより該接合材の熱を外部に放出して冷却し、該接合材を固化して前記接合層を形成することを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記バッキングチューブの内部に冷却手段を設け、該冷却手段により該バッキングチューブを冷却することを特徴とする請求項1に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記冷却手段は、冷却ファン又は冷水ジャケットであることを特徴とする請求項2に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
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