JP2021055120A - 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】抗折強度の低い金属製、またはセラミックス製の円筒形ターゲットを用いた円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形ターゲットにクラックが発生することを防止し、かつ、円筒形ターゲットと円筒形バッキングチューブとの隙間を一定に保持しつつ、スパッタリング時の接合材の溶解も防止する。【解決手段】抗折強度が３５０ＭＰａ以下の円筒形のターゲットと、該ターゲット内に挿入状態に配置された円筒形のバッキングチューブとの隙間にスペーサが介在するとともに、ターゲットの内周面とバッキングチューブの外周面との間を接合状態とする接合部が形成されてなり、スペーサは、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。【選択図】 図２

Description

本発明は、スパッタリング装置に用いられる円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。

円筒形スパッタリングターゲットを回転させながらスパッタを行うスパッタリング装置が知られている。この種のスパッタリング装置に用いられる円筒形スパッタリングターゲットは、円筒形のバッキングチューブの外周面に円筒形のターゲットの内周面が接合されている。

特許文献１には、円筒形のターゲットとして金属やセラミックスなどが用いられ、バッキングチューブにはＴｉまたはＳＵＳ製のものが用いられ、接合材としてＩｎ系はんだ材が挙げられている。また、ターゲットをバッキングチューブに接合する際には、これらの間に銅製又はＳＵＳ製のワイヤーからなるスペーサを介在させることで隙間を開けた状態に保持し、その隙間に溶融状態の接合材を充填することが記載されている。

特許文献２には、ターゲットとバッキングチューブとの隙間を保持する部材として、その隙間の幅と同等のスペーサ、くさび、シックネスゲージが挙げられており、その材料には、耐熱性を有する材料として、例えば、Ｃｕ材やテフロン（登録商標）などが記載されている。また、この特許文献２では、ターゲットにインジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）およびチタン（Ｔｉ）から選択される少なくとも１種を主成分とする酸化物などから構成されるセラミックス焼結体が用いられ、０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の幅の切れ目を軸方向に入れておくことで、熱膨張係数の大きい金属からなるバッキングチューブを用いたスパッタリングターゲットにおいて、製造中や保管中およびスパッタリング中に発生してしまうターゲットのひび割れを低減できると記載されている。

特開２０１４−３７６１９号公報 特開２０１８−１３５５９０号公報

ところで、この種の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、バッキングチューブは、機械的強度の面からＳＵＳ等の金属製のものが用いられる。一方、ターゲットとして抗折強度の低い金属製のものや、酸化物系又は非酸化物系（炭化物、窒化物等）セラミックスが用いられる場合、特許文献２に記載されるように、バッキングチューブとの熱膨張の差により、ターゲットにクラックが生じるおそれがある。

この場合、特許文献２記載のように、ターゲットに切れ目を設けておくのでは、スパッタ時に切れ目のエッジの部分で異常放電が生じるおそれがある。また、スペーサとしてテフロン（登録商標）のような軟らかい素材を用いることにより、クラックの発生は防止できるが、変形能が大きすぎるために、スペーサとしての機能に劣り、隙間を一定に保持することが難しくなる。また、樹脂であることから、ターゲットからバッキングチューブへの熱伝達性に劣り、高出力でスパッタリングする際の放熱を妨げ、接合材が溶解するおそれもある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、抗折強度の低い金属製、またはセラミックス製の円筒形のターゲットを用いた円筒形スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットにクラックが発生することを防止し、かつ、ターゲットとバッキングチューブとの隙間を一定に保持しつつ、スパッタリング時の接合材の溶解も防止することができる円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の円筒形スパッタリングターゲットは、抗折強度が３５０ＭＰａ以下の円筒形のターゲットと、該ターゲット内に挿入状態に配置された円筒形のバッキングチューブとの隙間にスペーサが介在するとともに、前記ターゲットの内周面と前記バッキングチューブの外周面との間を接合状態とする接合部が形成されてなり、
前記スペーサは、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。

ターゲットとバッキングチューブとの隙間に、上記の寸法、硬度のスペーサを介在することにより、ターゲットとバッキングチューブとの熱膨張差に起因して締まり嵌め状態（上記隙間が小さくなる状態）となった場合でも、スペーサが適度につぶれて、ターゲットにクラックが生じることを防止する。このスペーサは上記の熱伝導率を有しているので、スパッタリング時にターゲットに生じる熱を速やかにバッキングチューブに伝達して、接合材が溶解することを防止する。
抗折強度が３５０ＭＰａ以下と低い円筒形ターゲットにおいては、前述したようなバッキングチューブとの熱膨張差に基づくクラックが生じるおそれがあるので、本発明が特に有効である。
なお、スペーサの形状としては、ワイヤ等の線状、シート状等を採用することができる。
このスペーサは、前記隙間の径方向寸法に対し０．６倍以上１．０倍以下の径方向寸法を有しているとよい。

この円筒形スパッタリングターゲットの一つの実施態様として、前記スペーサはアルミニウム又はアルミニウム合金からなるものとするとよい。
アルミニウム又はアルミニウム合金は硬度、熱伝導率とも適切であり、入手や加工も容易であることから、円筒形スパッタリングターゲットを安価に製造することができる。

本発明の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法は、抗折強度が３５０ＭＰａ以下の円筒形のターゲット内に円筒形のバッキングチューブを挿入状態に配置するとともに、これらターゲットとバッキングチューブとの隙間の一部に、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のスペーサを介在させた状態とし、前記隙間内に溶融状態の接合材を充填して固化させる。

本発明の円筒形スパッタリングターゲットによれば、ターゲットにクラックが発生することを防止し、かつ、ターゲットとバッキングチューブとの隙間を一定に保持しつつ、スパッタリング時の接合材の溶解も防止することができる。

実施形態の円筒形スパッタリングターゲットを示す縦断面図である。 図１のスペーサ配置位置での横断面図である。 実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 受け台上のターゲットにバッキングチューブの一部を挿入した状態の縦断面図である。 図４に示す状態からバッキングチューブを下降させて、隙間に接合材を充填した状態を示す縦断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
一実施形態の円筒形スパッタリングターゲット１は、例えば図１及び図２に示すように、円筒形のターゲット（以下、ターゲットと称す）２内に円筒形のバッキングチューブ（以下、バッキングチューブと称す）３が挿入されている。この場合、これらターゲット２とバッキングチューブ３とは、中心軸が一致した状態で配置され、ターゲット２とバッキングチューブ３との間の隙間内にはスペーサ４が設けられ、このスペーサ４により保持された隙間ｇ（図４参照）内に、ターゲット２の内周面とバッキングチューブ３の外周面とを接合する接合部５が形成されている。

本実施形態のターゲット２は、抗折強度の低い金属、酸化物系又は非酸化物系（炭化物、窒化物等）セラミックス、例えばＣｕＧａ、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ２）、ＡＺＯ（Ａｌ_２Ｏ_３-ＺｎＯ）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＧａＮ、ＳｉＣなどにより、内径１２０ｍｍ〜１４０ｍｍ、長さ０．４ｍ〜３．９ｍの筒状部材に形成されている。このターゲット２の抗折強度は３５０ＭＰａ以下である。抗折強度については、各スパッタリングターゲットを厚さ３ｍｍ×幅４ｍｍ×長さ４０ｍｍに加工後、ＪＩＳ Ｒ１６０１規格に基づいて、３点曲げ強さを測定し、これを抗折強度とした。
また、ターゲット２は、長尺状であることから、一般に長さ方向に分割された複数の分割ターゲット材２ａを接続することで構成される。図示例では３個の分割ターゲット材２ａによって構成される。

バッキングチューブ３は、ターゲット２よりも長い１本の筒状に形成される。例えば、チタン、ステンレス鋼、または銅あるいは銅合金からなる外径１１９ｍｍ〜１３９ｍｍ、長さ０．５ｍ〜４ｍの筒状部材を用いることができる。
ターゲット２内にバッキングチューブ３を挿入した状態で、ターゲット２の内周面とバッキングチューブ３の外周面との間には半径方向に０．５ｍｍ〜１ｍｍ（径方向寸法ｄ０）の隙間ｇが形成され、この隙間ｇには、隙間保持のためのスペーサ４が挿入され、このスペーサ４により保持された隙間ｇ内に接合材が充填固化されることにより、接合部５が形成される。

スペーサ４は、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で、熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材料が用いられる。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、銀、金等を用いることができる。この中でも、アルミニウム又はアルミニウム合金が好適である。また、スペーサ４の形状としては、ターゲット２とバッキングチューブ３との間の隙間ｇ内に入るものであれば、ワイヤのような線状や棒状の他、シート状（板状）を用いることができる。また、このターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに対して、スペーサ４の径方向寸法ｄ１が、隙間ｇの径方向寸法ｄ０に対して０．６倍以上１．０倍以下に形成される。なお、隙間ｇの径方向寸法ｄ０、スペーサ４の径方向寸法ｄ１とは、図２に示すように、円筒形スパッタリングターゲット１の半径方向のサイズを意味する。

接合部５を構成する接合材は、例えばインジウム含有量が６０質量％以上のインジウム合金（例えばＩｎ−Ｓｎ合金、Ｉｎ−Ｂｉ合金、Ｉｎ−Ｚｎ合金）又は純インジウム、錫含有量が６０質量％以上の錫合金又は純錫等が用いられる。この接合材は、溶融状態としておき、ターゲット２の内側にバッキングチューブ３を挿入した状態で、その隙間ｇに充填され固化される。

このように構成される円筒形スパッタリングターゲット１を製造する方法について説明する。
この円筒形スパッタリングターゲット１は、ターゲット２の内側にバッキングチューブ３を挿入した状態とし、その間の隙間ｇに接合材を充填して固化させることにより製造される。この場合、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに接合材を充填する方法として、以下の２通りの方法がある。
（１）ターゲット２の内側にバッキングチューブ３を挿入して、これらを垂直姿勢で同軸に配置した状態とし、隙間ｇの上方から溶融した接合材を充填する方法
（２）ターゲット２を垂直に載置する台に、ターゲット３の内側に配置されるように凹部を形成して、この凹部に溶融状態の接合材を溜めておき、ターゲット２の内側に、下端部を閉塞したバッキングチューブ３を挿入して、そのバッキングチューブ３の下端部により凹部内の接合材を押しながら、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに下方から接合材を充填する方法
いずれの方法においても、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇを周方向に一定に保持するために、隙間ｇ内にスペーサ４が配置される。
以下の実施形態では、（２）の方法により接合材を充填するものとして説明する。
具体的には、図３のフローチャートに示すように、バッキングチューブ３及びターゲット２の加熱工程、下地処理接合材による下地処理工程、ターゲット２へのバッキングチューブ３の挿入および両者の間に隙間ｇを形成した状態に組み立てる組立工程、ターゲット２及びバッキングチューブ３の再加熱工程、充填用接合材を隙間ｇに充填する接合材充填工程、冷却工程の順に施される。以下、工程順に説明する。

（加熱工程）
ターゲット２及びバッキングチューブ３を加熱し、これらの接合面となる各分割ターゲット２ａの内周面及びバッキングチューブ３の外周面を後述の下地処理接合材の融点（又は液相線温度）以上の温度に加熱する。

（下地処理工程）
加熱工程において、加熱状態とした各分割ターゲット材２ａの内周面及びバッキングチューブ３の外周面に、それぞれ溶融状態の下地処理接合材を塗布する。下地処理接合材としては、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに充填される接合材と同じ材質のものでもよいし、前述した接合材の中から、隙間ｇに充填される接合材とは異なる組み合わせとなるものを選択してもよい。
この場合、ヒータを搭載した超音波はんだコテ（図示略）で超音波振動を加えながら下地処理接合材を塗り込むことにより、分割ターゲット材２ａの内周面及びバッキングチューブ３の外周面における汚れや酸化膜の除去などが促進され、これらの表面に下地処理接合材をなじませる。
また、このとき、バッキングチューブ３の外周面の両端部にスペーサ４を配置し、接着テープ等により動かないように固定しておく。このスペーサ４は前述したようにターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇを周方向に一定に保持するためのものであるので、バッキングチューブ３の周方向に等間隔で複数本、例えば３本以上固定するとよい。図示例では４本のスペーサ４が設けられている（図２参照）。

（組立工程）
図４に示す載置台１０に、分割ターゲット材２ａを垂直に連結した状態に載置する。載置台１０の表面には、ターゲット材２の内径とほぼ同じ内径の凹部１１が設けられ、この凹部１１を囲むようにターゲット材２を配置する。一方、バッキングチューブ３の下端部を栓１２で塞ぎ、バッキングチューブ３内への接合材の浸入を防ぐようにしておく。また、上下に連結される分割ターゲット材２ａの間、及び受け台１０の上面と最下端の分割ターゲット２ａとの間には、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の樹脂からなる環状パッキン１３が介在され、ターゲット２の上端には、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇからあふれ出た溶融状態の接合材５０を受けるためのダム部１４を形成しておく。

（再加熱工程）
そして、凹部１１には接合材５０を充填して溶融状態とする。
また、図４に示すように、ターゲット２の内部にバッキングチューブ３を全体長さの８割程度挿入した状態で同軸上に配置した後に、ターゲット２及びバッキングチューブ３をターゲット２の周囲に配置したヒータ（図示略）により加熱する。この加熱により、ターゲット２の内周面及びバッキングチューブ３の外周面に塗布しておいた下地処理接合材を溶融又は少なくとも半溶融状態とする。

（接合材充填工程）
次いで、図４に矢印で示すように、バッキングチューブ３の下端側を載置台１０の凹部１１に挿入すると、図５に示すように、溶融状態の接合材５０が凹部１１から押し出されるようにターゲット２の内周面とバッキングチューブ３の外周面との隙間ｇを上昇し、ターゲット２の内周面とバッキングチューブ３の外周面との間に接合材５０が充填され、下地として塗布しておいた接合材と一体となって隙間ｇ内に充填される。

なお、載置台１０の凹部１１の容積は、バッキングチューブ３の下端が底面付近まで挿入されたときに、バッキングチューブ３の外周面とターゲット２の内周面との間に形成される隙間ｇ内に押し上げられる接合材５０の量が、この隙間ｇの容積以上となるように設定しておけばよく、隙間ｇ内を上昇した接合材５０がターゲット２の上端側に若干オーバーフローする程度がよい。
この場合、接合材５０がターゲット２の上端のダム部１４にあふれてきた状態でターゲット２とバッキングチューブ３との間に接合材５０が隙間なく充填されたことが確認できる。

このようにしてバッキングチューブ３の下端が凹部１１の底面付近まで挿入することにより、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに接合材５０が隙間なく充填される。
なお、必ずしも限定されるものではないが、前述の再加熱工程、接合材充填工程（少なくとも充填完了までの間）は、接合材の酸化を防止するために、アルゴン、窒素等の不活性雰囲気にて実施するとよい。

（冷却工程）
ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間ｇに接合材５０を充填した後、これを冷却して固化させることで、これらターゲット２とバッキングチューブ３とが接合部５により一体化する。
その後、環状パッキン１３やダム部１４、はみ出した接合材等を除去し、清掃することにより円筒形スパッタリングターゲット１が得られる。この円筒形スパッタリングターゲット１は、バッキングチューブ３とターゲット２との間の接合部５が、スペーサ４により、周方向に均等な厚さで形成される。

この円筒形スパッタリングターゲット１は、抗折強度が３５０ＭＰａ以下のターゲット２に対して、スペーサ４として、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で、ターゲット２とバッキングチューブ３との間の隙間ｇの径方向寸法ｄ０の０．６倍以上１．０倍以下の径方向寸法（外寸）ｄ１のものを用いたので、製造時の加熱、冷却により、ターゲット２とバッキングチューブ３との熱膨張差に起因して締まり嵌め状態（隙間ｇが小さくなる状態）となった場合でも、スペーサ４が適度につぶれて、ターゲット２にクラックが生じることを防止する。また、スペーサ４の熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるので、スパッタリング中にターゲット２に生じる熱を速やかにバッキングチューブ３に伝達して、過熱状態となることを抑制し、接合材が溶けて漏れ出すことを防止することができる。

なお、前述の実施形態では、ターゲット材２とバッキングチューブ３との両方に下地処理接合材を塗布したが、これらの表面が接合材５０と濡れやすい状態であれば、その表面については下地処理接合材の塗布を省略してもよい。
また、ターゲット２とバッキングチューブ３との隙間の両端部のみにスペーサ４を設けたが、これらの隙間の全長にわたって設けてもよい。

本発明の効果を確認するため、実験を行った。ターゲット、バッキングチューブ、スペーサ及び接合材に表１に示す各種のものを用い、実施形態で説明した方法により、円筒形スパッタリングターゲットを作製した。この場合、ターゲットは、３個の分割ターゲットからなり、それぞれ外径１５０ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ２００ｍｍとした。バッキングチューブは外径１３３ｍｍ、内径１２５ｍｍ、長さ６２０ｍｍとした。ターゲットとバッキングチューブとの隙間（半径方向の隙間）はいずれも径方向寸法ｄ０が１．０ｍｍである。スペーサはいずれもワイヤ形状とし、表１に示す複数の外径（径方向寸法ｄ１）のものとした。実施例８のＡｌ合金はＡｌ−Ｍｇ合金を用いた。

そして実施形態で説明した方法により、ターゲットの抗折強度を測定した。またターゲットおよびバッキングチューブの線膨張係数は、それぞれの部材を厚さ５ｍｍ×幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに加工後、熱膨張係数測定装置（ブルカー・エイエックスエス株式会社製ＴＤ５０２０型）にて、窒素雰囲気中、１０℃／分の温度上昇条件で測定した。スペーサのビッカース硬度は、ＪＩＳ Ｚ ２２４４に準拠してビッカース硬さ試験機により測定した。なおビッカース硬度は組立前の部品の状態で測定しており、測定面は、接合中にスペーサに圧力が加わる面、つまり円筒形スパッタリングターゲットの軸線から半径方向に引いた垂線がスペーサに当たる面とした。本実施例のワイヤ形状の場合は、外周面が曲面であるので、ワイヤの縦断面に対して測定した。スペーサの熱伝導率は、スペーサと同じ素材のバルク体を縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ２ｍｍに加工後、測定機（ＮＥＴＺＳＣＨ?-ＧｅｒａｔｅｂａｕＧｍｂＨ製Ｘｅフラッシュアナライザー）を用いて、レーザーフラッシュ法により測定した。これらを表１に記載した。

接合後、室温まで冷却し、ターゲットの割れの有無を肉眼で観察した。長さが１ｍｍ以上のクラックが認められたものを割れ「有」とし、そのクラックが認められなかったものを割れ「無」とした。
また、圧力０．４Ｐａのアルゴン雰囲気中で円筒形スパッタリングターゲットを１０ｒｐｍの速度で回転させながら、ＤＣ電源（又はｐ−ＤＣ電源）により５ｋＷ／ｍの出力で１時間スパッタリングし、ターゲットの端部及び分割部からの接合材の溶解（漏れ）の有無を肉眼で観察した。
これらの結果を表１及び表２に示す。表中、ＴＧはターゲット、ＢＴはバッキングチューブを示す。

表１において、ターゲットの線膨張係数がバッキングチューブより大きいもの（実施例１，４，７〜１１、比較例１〜３）は、接合後の冷却時の収縮によってスペーサが半径方向内方に圧迫される。逆に、ターゲットの線膨張係数がバッキングチューブより小さいもの（実施例２，５，６，比較例４，５）は、加熱時の熱膨張によってスペーサがバッキングチューブに半径方向外方へ広げられるように押圧される。
実施例３はターゲットとバッキングチューブの線膨張係数が同じであるが、冷却時は外側のターゲットから先に冷却されるため、ターゲットの収縮によってスペーサが半径方向内方に圧迫される。

これらの表からわかるように、実施例のスパッタリングターゲットは、ターゲットに割れ（クラック）の発生が認められず、また、スパッタリング後においても接合材の溶解（漏れ）が認められなかった。したがって、長時間のスパッタリングでも安定した性能を維持できるスパッタリングターゲットであると認められる。

これに対して、比較例１では、接合後の冷却時の収縮によってスペーサが半径方向内方に圧迫され、スペーサの材質が硬いステンレス鋼（ＳＵＳ）であったため、ターゲットに割れが認められた。比較例２も同様に、接合後の冷却時の収縮によりスペーサが半径方向内方に圧迫され、スペーサが硬い銅（Ｃｕ）であったため、ターゲットに割れが認められた。これら比較例１、２については、スパッタリングによる接合材の溶解（漏れ）の観察は実施しなかった。
比較例３は、ワイヤが軟らかいテフロン（登録商標）であったため、ターゲットの割れは認められなかったが、スパッタリング時の熱伝達が悪いため、接合材の漏れが認められた。
比較例４では、加熱時の熱膨張によってスペーサがバッキングチューブに半径方向外方へ広げられるように押圧され、スペーサの材質が硬いステンレス鋼（ＳＵＳ）であったため、ターゲットが内側から押圧されて割れが発生した。比較例５も、加熱時の熱膨張によってスペーサがバッキングチューブに半径方向外方へ広げられるように押圧され、スペーサの材質が硬い銅（Ｃｕ）であったため、ターゲットが内側から押圧されて割れが発生した。これら比較例４、５については、スパッタリングによる接合材の溶解（漏れ）の観察は実施しなかった。

１ 円筒形スパッタリングターゲット
２ ターゲット材
２ａ 分割ターゲット材
３ バッキングチューブ
４ スペーサ
５ 接合部
５０ 溶融状態の接合材
１０ 載置台
１１ 凹部
１２ 栓
１３ 環状スペーサ
１４ ダム部

Claims (4)

1. 抗折強度が３５０ＭＰａ以下の円筒形のターゲットと、該ターゲット内に挿入状態に配置された円筒形のバッキングチューブとの隙間にスペーサが介在するとともに、前記ターゲットの内周面と前記バッキングチューブの外周面との間を接合状態とする接合部が形成されてなり、
   前記スペーサは、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。
2. 前記スペーサは、前記隙間の径方向寸法に対し０．６倍以上１．０倍以下の径方向寸法を有していることを特徴とする請求項１に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
3. 前記スペーサはアルミニウム又はアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１または２に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
4. 抗折強度が３５０ＭＰａ以下の円筒形ターゲット内に円筒形バッキングチューブを挿入状態に配置するとともに、これら円筒形ターゲットと円筒形バッキングチューブとの隙間の一部に、ビッカース硬度が６０Ｈｖ以下で熱伝導率が１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のスペーサを介在させた状態とし、前記隙間内に溶融状態の接合材を充填して固化させることを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。

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