JP2016050358A - 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2.バッキングチューブの表面処理
3.円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
(1−1.円筒形スパッタリングターゲットの概要)
図1に示すように、円筒形スパッタリングターゲット1は、ターゲット材2がバッキングチューブ3の外周部に設置されたものであり、ターゲット材2とバッキングチューブ3とが接合層4を介して接合されている。より詳細には、円筒形スパッタリングターゲット1は、ターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置し、これらの中心軸が一致した状態で接合されたものである。
円筒形のターゲット材2として使用可能な円筒形セラミックス焼結体は、用途に応じて材料を適宜選択することができ、特に限定されることはない。例えば、インジウム(In)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、及びチタン(Ti)から選択される少なくとも1種を主成分とする酸化物等から構成される円筒形セラミックス焼結体を使用することができる。
円筒形のバッキングチューブ3の材質は、円筒形スパッタリングターゲット1の使用時に、接合層4が劣化及び溶融しない十分な冷却効率を確保できる熱伝導性があり、スパッタリング時に、放電可能な電気伝導性や、円筒形スパッタリングターゲット1の支持が可能な強度等を備えているものであればよい。
接合層4は、例えばインジウムからなり、ターゲット材2とバッキングチューブ3とを接合する。接合層4の役割は、放電により円筒形スパッタリングターゲット1上に発生した熱をバッキングチューブ3の内側を流れる冷却液で放熱するため、ターゲット材2とバッキングチューブ3との熱的な伝達を行うことにある。従って、接合層4は、円筒形スパッタリングターゲット1を使用する際に、バッキングチューブ3と同様にして、熱伝導性、電気伝導性、接着強度等を備えていればよい。
円筒形スパッタリングターゲット1を構成する円筒形のバッキングチューブ3としては、上述した通り、オーステナイト系ステンレス製、特に、SUS304製のものを使用することが一般的である。このようなバッキングチューブ3は、その外周面に強固な不動態皮膜が形成されているため、そのままでは接合材と高い接合率及び接合強度をもって接合することはできない。
バッキングチューブの加工では、まず、バッキングチューブ3の表面に、旋盤にて外形加工を施した後にブラスト加工を行う。
次に、バッキングチューブの表面処理では、超音波打撃装置を用い、バッキングチューブ3に超音波振動による打撃の印加及び加圧による表面処理を施す。
以下、本実施の形態に係る円筒形スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
円筒形スパッタリングターゲット1は、ターゲット材2の中空部に、上述した通りの表面処理を施したバッキングチューブ3を同軸に配置し、ターゲット材2とバッキングチューブ3との間隙に接合材で接合層4を形成することにより作製される。例えば、円筒形スパッタリングターゲット1は、SUS304製のバッキングチューブ3を、接合材としてインジウム系低融点接合材を使用して、ITO製の円筒形セラミックス焼結体からなるターゲット材2と接合することにより作製することができる。
まず、円筒形スパッタリングターゲットの製造方法では、ターゲット材2の中空部にバッキングチューブ3を同軸に配置する。
実施例1では、外径100mm、内径81mm、全長200mmのITO製の円筒形セラミックス焼結体を5つ用意した。次に、全ての円筒形セラミックス焼結体について、接合面となる内周面以外の部分に余分な接合材が付着することを防止するため、耐熱性のマスキングテープでマスキングを行った。その後、全ての円筒形セラミックス焼結体について、接合面となる内周面をインジウムで濡らすと共に、全長が1002mmとなるように、5個の円筒形セラミックス焼結体を厚み0.5mmのシリコンパッキンで挟んで一定間隔で配列し、外周面を耐熱テープで固定することにより、ターゲット材を得た。
実施例2〜実施例12及び比較例1〜比較例12では、バッキングチューブの材質、接合材の組成、投射材、接合材の塗布方法、並びに超音波打撃端子の周波数、設定温度、加圧力σ及び移動速度を実施例2〜実施例12については表1に、比較例1〜比較例12については表2に示すように調整したこと以外は実施例1と同様にして、円筒形スパッタリングターゲットを作製した。また、円筒形スパッタリングターゲットの作製に用いた円筒形バッキングチューブの各種表面粗さ、接合率、接合強度、及び放電試験の結果を実施例2〜実施例12については表3に、比較例1〜比較例12については表4にまとめた。
Claims (5)
- 円筒形セラミックス焼結体からなるターゲット材の中空部にバッキングチューブを同軸に配置し、該ターゲット材と該バッキングチューブとの間隙に接合層を形成して円筒形スパッタリングターゲットを製造する円筒形スパッタリングターゲットの製造方法であって、
上記バッキングチューブの外周面にブラスト加工を施して、該バッキングチューブの外周面の表面粗さを、算術平均粗さRaが2.0μm以上、12.5μm以下且つ十点平均粗さRzが10μm以上、50μm以下とした後に、該バッキングチューブの外周面に超音波振動による打撃を印加すると共に加圧しながら接合材を塗布することを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。 - 上記超音波振動による打撃を印加すると共に加圧した後の上記バッキングチューブの外周面の十点平均粗さRzが、上記ブラスト加工後の該バッキングチューブの外周面の十点平均粗さRzに対して80%以下であることを特徴とする請求項1に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記バッキングチューブの材質は、ステンレス又はチタンであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記バッキングチューブの外周面への加圧力は、0.2kg/cm2以上10.0kg/cm2以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記バッキングチューブの外周面への加圧箇所を移動する際の移動速度は、30cm/min以上120cm/min以下であることを特徴とする請求項4に記載の円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
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