JP6895263B2 - 円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6895263B2 JP6895263B2 JP2017009991A JP2017009991A JP6895263B2 JP 6895263 B2 JP6895263 B2 JP 6895263B2 JP 2017009991 A JP2017009991 A JP 2017009991A JP 2017009991 A JP2017009991 A JP 2017009991A JP 6895263 B2 JP6895263 B2 JP 6895263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing tube
- target material
- target
- cylindrical sputtering
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
Images
Description
まず、本実施の形態に係る円筒形スパッタリングターゲットについて図面を用いて説明する。
次に、円筒形スパッタリングターゲットの製造方法について図面を用いて説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲットの製造方法の概略を示すフロー図である。本発明の一実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲットの製造方法は、図2に示すように、切削工程S1と配置工程S2と充填工程S3と接合工程S4とを有する。以下、各工程S1〜S4をそれぞれ説明する。なお、各工程S1〜S4以外、具体的には、CIPにより円筒形セラミックス成形体を成形する工程や、円筒形セラミックス成形体を焼成する工程などは、従来技術と同様であるため、その説明は割愛する。また、上述した円筒形スパッタリングターゲットと重複する記載も割愛する。
充填工程S3は、ターゲット材とバッキングチューブとの間隙に接合材を充填する工程である。
接合工程S4は、ターゲット材とバッキングチューブとを放冷させることにより接合材を冷却し、ターゲット材とバッキングチューブとを接合する工程である。
本実施形態に係る円筒形スパッタリングターゲットおよび円筒形スパッタリングターゲットの製造方法では、バッキングチューブに螺旋溝の加工が施してあるため、接合材を注入する時、溶融した接合材はこの溝に従い流動し、封止した端部より螺旋溝の方向に周りながら徐々に充填されるため気泡の発生を抑制できる。これにより、円筒形スパッタリングターゲットの接合部の接合率を高めることができる。当然接合率が向上したことにより接合強度も向上する。
実施例1では、ターゲット材として、外径100mm、内径81mm、全長200mmのITO製の円筒形セラミックス焼結体を5個用意した。全ての円筒形セラミックス焼結体について、接合面となる内周面以外の部分に余分な接合材が付着することを防止するため、耐熱性のマスキングテープでマスキングを行った。その後、円筒形セラミックス焼結体がバッキングチューブと接合する接合面となる内周面をインジウムで濡らすとともに、全長が1002mmとなるように、5個の円筒形セラミックス焼結体を厚み0.5mmのシリコンパッキンで挟んで一定間隔で配列し、外周面を耐熱テープで固定することにより、ターゲット材を得た。
θ:リード角
実施例2〜18及び比較例1〜2は、表1に示した、バッキングチューブに形成された螺旋溝の深さ、幅、および溝間ピッチとなるよう、バッキングチューブに螺旋溝を加工したこと以外は実施例1と同様にして円筒形スパッタリングターゲットを作製した。また、表1に、接合率、接合強度、放電試験の結果を示した。なお、比較例1〜2では、ターゲット材がバッキングチューブから脱落し、接合強度を評価できなかったため、放電試験も実施することができなかった。
Claims (6)
- 円筒形セラミックス焼結体からなるターゲット材と、
前記ターゲット材の中空部に、該ターゲット材と同軸に配置されるバッキングチューブと、
前記ターゲット材と前記バッキングチューブとの間隙を接合する接合層とを備え、
前記接合層と接している前記バッキングチューブの外周面には、該外周面に沿って円周方向に形成される同一方向に2本以上の螺旋溝が設けられ、
前記螺旋溝は、前記バッキングチューブが前記接合層と接触する部分のみに設けられる、円筒形スパッタリングターゲット。 - 前記螺旋溝は、深さが少なくとも0.5mm以上である、請求項1記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- 前記螺旋溝は、幅が1.0mm以上10mm以下、溝間ピッチが5mm以上20mm以下である、請求項2記載の円筒形スパッタリングターゲット。
- 前記バッキングチューブは、外径が100mm以上200mm以下であり、内径が80mm以上180mm以下であり、
前記ターゲット材と前記バッキングチューブとの間隙は、0.5mm以上1.5mm以下である、請求項2または請求項3記載の円筒形スパッタリングターゲット。 - 円筒形スパッタリングターゲットに用いるバッキングチューブであって、
外周面に沿って円周方向に形成される同一方向に2本以上の螺旋溝が設けられ、
前記螺旋溝は、前記バッキングチューブが接合層と接触する部分のみに設けられる、バッキングチューブ。 - バッキングチューブの外周面を切削加工して、該バッキングチューブの外周面の円周方向に形成される同一方向に2本以上の螺旋溝を、前記バッキングチューブが接合層と接触する部分のみに形成する切削工程と、
円筒形セラミックス焼結体からなるターゲット材の中空部に前記バッキングチューブを同軸に配置する配置工程と、
前記ターゲット材と前記バッキングチューブとの間隙に接合材を充填する充填工程と、
前記ターゲット材と前記バッキングチューブとを放冷させることにより前記接合材を冷却し、該ターゲット材と該バッキングチューブとを接合する接合工程とを有する、円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017009991A JP6895263B2 (ja) | 2017-01-24 | 2017-01-24 | 円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017009991A JP6895263B2 (ja) | 2017-01-24 | 2017-01-24 | 円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018119173A JP2018119173A (ja) | 2018-08-02 |
JP6895263B2 true JP6895263B2 (ja) | 2021-06-30 |
Family
ID=63044173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017009991A Active JP6895263B2 (ja) | 2017-01-24 | 2017-01-24 | 円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6895263B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102376281B1 (ko) * | 2019-06-10 | 2022-03-17 | 가부시키가이샤 아루박 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조방법 |
JP7016432B2 (ja) * | 2019-06-10 | 2022-02-04 | 株式会社アルバック | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2017
- 2017-01-24 JP JP2017009991A patent/JP6895263B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018119173A (ja) | 2018-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI588281B (zh) | Cylindrical sputtering target and its manufacturing method | |
JP5428741B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5103911B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6861035B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6052137B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材、ならびに、円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2015036431A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 | |
JP6895263B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット、バッキングチューブ、および円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2010150610A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット | |
JP2015168832A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
JP6768606B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6233224B2 (ja) | 接合材シート及び円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2011252237A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6341146B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
RU2325257C2 (ru) | Способ производства металлического изделия, металлическое изделие, способ соединения металлических деталей и конструкция с соединением | |
JP6734746B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6861048B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット、焼結体及び円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6774702B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2021055120A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2020137117A1 (ja) | 円筒型スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6830421B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6774910B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPH05277742A (ja) | コンタクトチップ及びその製造方法 | |
JP2020026546A (ja) | 円筒型スパッタリングターゲット、In系はんだ材、及び、円筒型スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2016156049A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP4482654B2 (ja) | 高エネルギー密度利用機器用耐熱部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20171010 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20190918 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6895263 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |