JP2013245375A - ツバ付きターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な薄膜を与え得るとともに耐久性に優れるツバ付きターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲット前面を装置内部に向けて取付け得るように周囲にツバ部を与えたツバ付きターゲットの製造方法である。所定の成分組成を有するターゲット体を用意し、ターゲット体のターゲット前面を与えるべき面と一対をなす背面に対し、固相温度域で加熱した金属粒子をガス流とともにスプレーし、背面上で金属粒子を塑性変形させつつ堆積させバッキングプレート部を与えるコールドスプレーステップ(S1、S2)と、機械加工してツバ部を形成する機械加工ステップ(S3)と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】ターゲット前面を装置内部に向けて取付け得るように周囲にツバ部を与えたツバ付きターゲットの製造方法である。所定の成分組成を有するターゲット体を用意し、ターゲット体のターゲット前面を与えるべき面と一対をなす背面に対し、固相温度域で加熱した金属粒子をガス流とともにスプレーし、背面上で金属粒子を塑性変形させつつ堆積させバッキングプレート部を与えるコールドスプレーステップ(S1、S2)と、機械加工してツバ部を形成する機械加工ステップ(S3)と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、成膜装置への取付のためのツバ部を与えられたツバ付きターゲットの製造方法に関する。
薄膜形成装置としての成膜装置では、冷却された取付部の上に各種形状の板状のターゲットを盤面を突き合わせるように密着固定して、ターゲットを冷却しながら運転される。ここでこの種のターゲットは板側面からフランジ状に突出した段付きのツバ部を有し、装置の取付部の上に配置された上で該取付部に押し付けるようにツバ部を固定爪でねじ止めして固定される。このようなツバ付きターゲットには、製造方法によっていくつかの種類が知られている。
例えば、特許文献1では、ターゲット材料からなる円板状のターゲット体の背面に、直径のより大なる円板状のバッキングプレート部をガリウム、インジウム又は銀などの低融点金属からなるロウ材でロウ付けして接合させたボンディング型のツバ付きターゲットを開示している。バッキングプレート部がツバ部を与えるのである。ところで、このようなターゲットでは、成膜装置での使用中に温度が上昇してしまうと、ロウ材が再溶解し、装置に固定されたバッキングプレート部からターゲット体が脱離してしまうおそれがあった。
また、特許文献2では、ターゲット材料からなるターゲット体の板外周面を機械加工してツバ部を与えた一体型のツバ付きターゲットを開示している。かかるターゲットでは、上記したようにツバ部を固定爪でねじ止めして取付部へ押し付けたときに、機械加工されたツバ部基部角に応力集中が生じやすい。すなわち、成膜装置での運転中又は運転前後の熱応力により、該ツバ部基部角を起点に割れを生じやすい。かかる傾向は、近年多用される多元系の機械的に脆いターゲット材料で得られるターゲットにおいて特に顕著となっている。
また、特許文献3では、ツバ部を与えるバッキングプレート部の上にターゲット材料粉末をプラズマ溶射やフレーム溶射によって溶着させた溶射皮膜からなるターゲット体を与えて得られるターゲットを開示している。かかるターゲットの製造法では、ロウ材を用いることなく、ボンディング型に類似するツバ付きターゲットを得ることができる。
ところで、特許文献4では、特許文献3に対して、溶射によって溶着させて得られるターゲット体が低密度であること、大気中でのターゲット材料粉末の溶融によりガス成分がターゲット体に巻き込まれてしまうこと、及び、これらに起因してターゲット体内部にパーティクルを生じ、結果として、このようなターゲットを用いて得られた薄膜では、微小パーティクルを含み得て十分な要求性能を満たし得ないことなどを述べている。その上で、特許文献4では、ターゲット材料粉末を固相温度域で加熱してガス流とともにバッキングプレートの上にスプレーし、ターゲット材料粉末を塑性変形させつつ堆積させる、いわゆるコールドスプレー法によるターゲットを開示している。かかるターゲットでは、ターゲット材料粉末を溶融させずにバッキングプレート部上に与えるからターゲット体内部のパーティクルを抑制でき、結果として得られる薄膜での微小パーティクルを減じ得るのである。
上記したように、ツバ付きターゲットの製造方法によって、成膜装置でターゲットを使用して得られる薄膜の性状に影響を与え、また、バッキングプレート部からのターゲット体の脱離やツバ部近傍の割れの発生など、その寿命にも影響を与えてしまう。
本発明はかかる状況に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、良好な薄膜を与え得るとともに耐久性に優れるツバ付きターゲットの製造方法を提供することにある。
本発明によるツバ付きターゲットの製造方法は、ターゲット前面を装置内部に向けて取付け得るように周囲にツバ部を与えたツバ付きターゲットの製造方法であって、所定の成分組成を有するターゲット体を用意し、前記ターゲット体の前記ターゲット前面を与えるべき面と一対をなす背面に対し、固相温度域で加熱した金属粒子をガス流とともにスプレーし、前記背面上で前記金属粒子を塑性変形させつつ堆積させバッキングプレート部を与えるコールドスプレーステップと、機械加工して前記ツバ部を形成する機械加工ステップと、を含むことを特徴とする。
かかる発明によれば、良好な薄膜を与え得るとともに耐久性に優れるツバ付きターゲットを製造できるのである。
上記した発明において、前記ターゲット体は、Ti、Al、Cr、Nb、Si、Zr、Hf、V、Mo、W、Fe、Cu、C、B、Yのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、薄膜を形成させるために必要な材料を所定の中から選定することで、良好な薄膜を与え得るとともに、耐久性に優れるツバ付きターゲットを製造できるのである。
上記した発明において、前記金属粒子は、Cu、Al、Feのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなることを特徴としてもよい。かかる発明によれば、バッキングプレート部に必要な材料を所定の中から選定することで、良好な薄膜を与え得るとともに耐久性に優れるツバ付きターゲットを製造できるのである。
本発明による1つの実施例としての製造方法により得られるターゲットについて、図1及び図2を用いて説明する。
図1に示すように、本実施例としてのターゲット10は、略円盤状のターゲット部1の主面(図1においてはターゲット部1の下面)上に、後述するコールドスプレー法で基板2を堆積させて接合させた後に、これを機械加工して得られたツバ付きターゲットである。本発明に係るターゲットは、いわゆるスパッタリングや、アークによる成膜のいずれにも適用し得る。
ターゲット部1は、一般的に成膜時に用いられる円盤状のターゲット板と同一である。後述するように、その製造方法は限定されない。また、薄膜を形成するための材料、例えば、Ti、Al、Cr、Nb、Si、Zr、Hf、V、Mo、W、Fe、Cu、C、B、Yのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなる平板であり得る。
基板2は、ターゲット部1よりも大きい直径を有する略円盤状の金属板である。基板2の外周部近傍はターゲット部1の外側に突出し、段付きのツバ部3となっている。基板2は、後述するコールドスプレー法で与えられ、例えば、Cu、Al、Feのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなり得る。
図2に示すように、ターゲット10は、成膜装置の冷却された取付部5の盤面に基板2の背面を押し付けるように突き合わせて密着させられ、ツバ部3を固定爪7でねじ止めして固定される(なお、ねじについては図示しない。)。かかる断面構造から明らかなように、成膜装置運転時にターゲット部1を効率よく冷却出来るよう、基板2は熱伝導性の高い材料からなることが好ましい。
次に、上記したターゲットの製造方法の1つの実施例について、図3に沿って、図4及び図5を用いて説明する。
ターゲット部準備ステップS1では、図4(a)に示すような板状のターゲット部1を準備する。かかるターゲット部1は上記したような材料からなる平板のターゲットであって、従来品を用い得る。
次いで、バッキングプレート堆積ステップS2では、図4(b)に示すようにターゲット部1を後述するようなコールドスプレー装置にセットし、その一方の主面上に基板2をコールドスプレー装置を用いて層状に形成させる。
ここで、図5に模式的に示すようにコールドスプレー装置40では、ガスボンベなどから供給される不活性ガスをガスユニット41に導き、キャリアガスライン42及び搬送ガスライン43にその流量を調節しながら分岐させる。キャリアガスライン42を流れる不活性ガスはヒーター45に導かれて所定の温度に加熱され、チャンバ46内に導かれる。一方、搬送ガスライン43を流れる不活性ガスはフィーダ44へ導かれ、上記した基板2となる材料からなる金属粉末を搬送しつつチャンバ46内に導かれる。チャンバ46の内部では、加熱された不活性ガスにより、金属粉末が固相温度域で加熱され、すなわち、金属粉末が固体状態を維持する所定の温度範囲に加熱され、ノズル47へと運ばれる。ノズル47の内部には図示しない圧縮部が設けられており、金属粉末を運ぶ不活性ガスを通過させることでこれを超音速流とするよう加速できる。加熱され且つガス流とともに加速された金属粉末の粒子20は、ノズル47からターゲット部1に向けてスプレーされる。この噴射された粒子20は固体状態を維持したままターゲット部1の主面上に高速で衝突し、自らを塑性変形させながらターゲット部1の表面形状に沿うように変形し付着する。ノズル47をターゲット部1に対して相対的に移動させながら、金属粉末の粒子20をターゲット部1の主面を覆うように付着させる。これにより、一層目の粒子層2’をターゲット部1の主面上に形成させる。
ここで、ターゲット部1がCuやAlなどターゲットとして用いられる他の材料と比較して塑性変形しやすい材料からなる場合、粒子20の衝突した箇所を塑性変形させ得て、同時に塑性変形する粒子20がターゲット部1との衝突箇所の塑性変形部分に食い込むようにして付着し得る。これにより粒子層2’をターゲット部1とより強固に接合させ得るのである。
さらに、1層目の粒子層2’上に金属粉末の粒子20の噴射を重ねて行う。粒子20は、粒子層2’上で自ら塑性変形し、これとともに粒子層2’をも塑性変形させながら衝突していく。このように、粒子20は塑性変形しながら衝突することで、例えばプラズマ溶射法のような溶融金属を噴射し堆積させる場合と比べて高密度に堆積させ得る。これを繰り返すことで、基板2がターゲット部1の主面上に層状に形成される。
なお、1層目の粒子層2’を形成した後に金属粉末の単位時間当たりの噴射量を多くしてもよい。かかる場合、粒子20を粒子層2’に付着させ得る範囲において、不活性ガスの温度や圧力などの条件を適宜変更して、より効率よく所定の厚さの基板2を得られるのである。もちろんコールドスプレー装置40は上記した構成の装置に限らず、また、例えば、ヒータを複数段に構成したり、キャリアガスをより高温に加熱する装置を与えられるなど、適宜変更できる。
さらに、バッキングプレート堆積ステップS2では、形成された基板2の残留応力を緩和するために、基板2に緩和熱処理を施すことが好ましい。また、緩和熱処理を施すことで上記したターゲット部1の冷却を効率よくできるよう、基板2の熱伝導率を向上させ得る。緩和熱処理の処理条件は、基板2の材料に対応するが、概ね、加熱温度200〜700℃、保持時間2〜10Hrの範囲内で適宜、設定し得る。
機械加工ステップS3では、図4(c)に示すように、基板2の直径をターゲット部1の直径よりも大きくなるように機械加工する。すなわち、少なくともターゲット部1の外周部を切削し、基板2の外周部が外周側へ向かって張り出すツバ部3を形成するように機械加工を行うのである。その他、ターゲット10を成膜装置に取付けるための形状を付与する機械加工や、基板2の背面を取付部5の盤面に密着させるための研削加工などが必要に応じて行われる。以上により、ターゲット10が得られる。
〔評価試験〕
次に、上記した製造方法及び比較例としての製造方法によるターゲットの評価試験の結果を説明する。まず、評価試験に用いた試験片の製作方法について詳述する。
次に、上記した製造方法及び比較例としての製造方法によるターゲットの評価試験の結果を説明する。まず、評価試験に用いた試験片の製作方法について詳述する。
まず、Al−44質量%Cr−3質量%B(Al:Cr:B=53:44:3)からなる粉末を直径161mm、厚さ10mmの略円盤状体に焼結した一般的なターゲットプレートを用意した。
実施例1及び2では、上記した製造方法により、ターゲットプレートの主面上に、それぞれCu及びAlの金属粉末を厚さ6mmに堆積させた。なお、バッキングプレート堆積ステップS2において、金属粉末を噴射させるための不活性ガスは窒素ガス、不活性ガスの加熱温度は600℃、チャンバ46(図5参照)の内圧は3MPaとした。また、機械加工ステップS3において、ターゲット部1の外周のみならず、全面に機械加工を施し、ターゲット部1を直径154mm×厚さ8mm、基板2を直径160mm×厚さ4mmとするツバ付きの略円盤状体であるターゲット10を得た。かかる製造方法を図6では、コールドスプレー法と表記した。
他方、比較例1及び2では、それぞれCu及びAlからなる基板を用意し、インジウムからなるロウ材を用いてターゲットプレートにこの基板をロウ付け接合した。これについても、ターゲット部1を直径154mm×厚さ8mm、基板2を直径160mm×厚さ4mmとするツバ付きの略円盤状体であるターゲット10を得られる。かかる製造方法を図6では、ボンディング法と表記した。
実施例1及び2、比較例1及び2のターゲット10において、ターゲット部1と基板2との界面をその厚さ方向の略中央に含むように、縦30mm、横30mm、厚さ8±1mmの板状試験片をそれぞれ切り出した。かかる板状試験片は後述する加熱試験及び引張試験に供した。
次に、板状試験片を使用した評価試験、すなわち、耐熱性を評価する加熱試験、及び、接合強度を評価する引張試験の各方法について説明する。
耐熱性を評価する加熱試験は、板状試験片を300℃に加熱保持して、ターゲット部1が基板2からその界面において脱離するかを確認することで行った。なお、図6において、脱離のなかった場合については「良好」と判定し「○」を、脱離を確認できた場合には「不良」と判定し「×」を記録した。
接合強度は、板状試験片の接合界面を挟んだ上面及び底面をそれぞれ治具に固定し、室温で、ターゲット部1と基板2との界面に略垂直な方向に沿って引張荷重を負荷して、引張強さ(破断荷重)及び破断位置を確認することで行った。なお、図6において、破断位置が界面からターゲット部1又は基板2の側にあった場合、接合界面の接合強度が高いと判断でき、「○」を、これに対して、破断位置が界面であった場合、相対的に接合界面の接合強度が不十分と判定でき、「×」を記録した。
以上についての試験結果は、図6に示すように、実施例1では、加熱試験において脱離はなく、耐熱性は「良好」と判定された。引張試験において引張強さは4.8N/mm2、破断位置はターゲット部1側であって、接合強度は高かった。また、実施例2でも、加熱試験において脱離はなく、耐熱性は「良好」と判定された。引張試験において引張強さは実施例1と同等の4.8N/mm2であり、破断位置はターゲット部1側であって、接合強度は高かった。実施例1及び2において、図1を参照すると、ターゲット部1にコールドスプレー法で与えられた基板2がその界面において互いに食い込むように接合し、アンカー効果により強固な接合を得たものと推測される。つまり、実施例1及び2のツバ付きターゲットは、良好な耐熱性及び接合強度を有し、耐久性に優れるのである。
他方、比較例1及び2では、加熱試験において、接合部がインジウムの融点である152℃付近で再溶解して、脱離を生じ、耐熱性は「不良」と判定された。また、両比較例1及び2とも、引張試験において引張強さは1.6N/mm2、破断位置は接合界面であって、接合強度は非常に低かった。
以上、本実施例の製造方法によれば、ターゲット部1と基板2との界面での脱離や破断を生じづらく耐久性に優れるツバ付きターゲット10を与えるのである。また、ターゲット部1はこれを変成させるような加工を与えられないので、ターゲット部1を所定の方法で得て、その本来の良好な薄膜を与え得るのである。
ここまで本発明による代表的実施例及びこれに基づく改変例について説明したが、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではない。当業者であれば、添付した特許請求の範囲を逸脱することなく、種々の代替実施例を見出すことができるであろう。
1 ターゲット部
2 基板
3 ツバ部
10 ターゲット
40 コールドスプレー装置
2 基板
3 ツバ部
10 ターゲット
40 コールドスプレー装置
Claims (3)
- ターゲット前面を装置内部に向けて取付け得るように周囲にツバ部を与えたツバ付きターゲットの製造方法であって、
所定の成分組成を有するターゲット体を用意し、前記ターゲット体の前記ターゲット前面を与えるべき面と対をなす背面に対し、固相温度域で加熱した金属粒子をガス流とともにスプレーし、前記背面上で前記金属粒子を塑性変形させつつ堆積させバッキングプレート部を与えるコールドスプレーステップと、
機械加工して前記ツバ部を形成する機械加工ステップと、を含むことを特徴とするツバ付きターゲットの製造方法。 - 前記ターゲット体は、Ti、Al、Cr、Nb、Si、Zr、Hf、V、Mo、W、Fe、Cu、C、B、Yのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなることを特徴とする請求項1記載のツバ付きターゲットの製造方法。
- 前記金属粒子は、Cu、Al、Feのうちのいずれか単体、これらの酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、ホウ化物、又は、これらを2種以上組み合わせた合金からなることを特徴とする請求項2記載のツバ付きターゲットの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012119315A JP2013245375A (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | ツバ付きターゲットの製造方法 |
CN2013101990610A CN103422063A (zh) | 2012-05-25 | 2013-05-24 | 带凸缘的靶的制造方法 |
KR1020130059186A KR20130132325A (ko) | 2012-05-25 | 2013-05-24 | 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012119315A JP2013245375A (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | ツバ付きターゲットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013245375A true JP2013245375A (ja) | 2013-12-09 |
Family
ID=49647442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012119315A Pending JP2013245375A (ja) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | ツバ付きターゲットの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013245375A (ja) |
KR (1) | KR20130132325A (ja) |
CN (1) | CN103422063A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6014818B1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-26 | 株式会社クラフト | スパッタリングターゲット |
JP2017527692A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | プランゼー エスエー | ターゲット及びターゲット製造方法 |
KR20190086010A (ko) | 2016-12-28 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 스퍼터링 타깃용 백킹 플레이트의 보수 방법, 보수 완료 백킹 플레이트 및 보수 완료 백킹 플레이트를 사용한 스퍼터링 타깃 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105220121B (zh) * | 2015-10-27 | 2018-08-03 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种靶材组件及其制备方法 |
CN108118326B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-01-21 | 广东省新材料研究所 | 一种3.87m高纯铜旋转靶材的增材制造方法 |
CN108195755B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-05-19 | 广东省新材料研究所 | 一种不锈钢背管与高纯铜靶材的结合强度测试方法 |
-
2012
- 2012-05-25 JP JP2012119315A patent/JP2013245375A/ja active Pending
-
2013
- 2013-05-24 KR KR1020130059186A patent/KR20130132325A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-05-24 CN CN2013101990610A patent/CN103422063A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017527692A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | プランゼー エスエー | ターゲット及びターゲット製造方法 |
US11101116B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-08-24 | Plansee Se | Target and process for producing a target |
JP6014818B1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-26 | 株式会社クラフト | スパッタリングターゲット |
JP2016196698A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 株式会社クラフト | スパッタリングターゲット |
KR20190086010A (ko) | 2016-12-28 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 스퍼터링 타깃용 백킹 플레이트의 보수 방법, 보수 완료 백킹 플레이트 및 보수 완료 백킹 플레이트를 사용한 스퍼터링 타깃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130132325A (ko) | 2013-12-04 |
CN103422063A (zh) | 2013-12-04 |
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