KR20130132325A - 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법 - Google Patents

플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법 Download PDF

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KR20130132325A
KR20130132325A KR1020130059186A KR20130059186A KR20130132325A KR 20130132325 A KR20130132325 A KR 20130132325A KR 1020130059186 A KR1020130059186 A KR 1020130059186A KR 20130059186 A KR20130059186 A KR 20130059186A KR 20130132325 A KR20130132325 A KR 20130132325A
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신이치 사토우
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카즈야 우이
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다이도 스틸 코오퍼레이션 리미티드
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Abstract

<과제>
양호한 박막을 부여하면서도 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법을 제공한다.
<해결 수단>
타겟 앞면을 장치 내부를 향해 장착할 수 있도록 주위에 플랜지부를 부여한 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법이다. 소정의 성분 조성을 갖는 타겟체를 준비하고, 타겟체의 타겟 앞면을 부여할 면과 한쌍을 이루는 배면에 대해, 고상 온도 대역에서 가열한 금속 입자를 가스 흐름과 함께 스프레이하고, 배면 상에서 금속 입자를 소성변형시키면서 퇴적시켜 백킹 플레이트부를 부여하는 콜드 스프레이 단계(S1, S2); 기계 가공하여 플랜지부를 형성하는 기계 가공 단계(S3)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING TARGET WITH FLANGE}
본 발명은, 성막 장치에 장착하기 위한 플랜지부가 부여된 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
박막 형성 장치로서의 성막 장치에서는, 냉각된 장착부 상에 각종 형상의 판상(板狀)의 타겟을 판면을 맞대어 밀착 고정하여, 타겟을 냉각하면서 운전된다. 여기서, 이런 종류의 타겟은 판측면에서 플랜지 형태로 돌출된 단차를 갖는 플랜지부를 구비하고, 장치의 장착부 상에 배치된 후 그 장착부에 대해 가압되어 플랜지부를 고정 부재를 통해 나사 체결하여 고정된다. 이와 같은 플랜지를 구비하는 타겟으로는, 제조 방법에 따라 여러 가지의 종류가 알려져 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에서는, 타겟 재료로 이루어지는 원판 형상의 타겟체의 배면에, 지름보다 큰 원판 형상의 백킹 플레이트부를 갈륨, 인듐 또는 은 등의 저융점 금속으로 이루어지는 납땜재로 납땜하여 접합시킨 본딩형 플랜지를 구비하는 타겟을 개시하고 있다. 백킹 플레이트부가 플랜지부를 부여하는 것이다. 그러나, 이와 같은 타겟에서는, 성막 장치에서의 사용 중에 온도가 상승하게 되면, 납땜재가 재용해하여, 장치에 고정된 백킹 플레이트부로부터 타겟체가 이탈해버리는 우려가 있었다.
또한, 특허문헌 2에서는, 타겟 재료로 이루어지는 타겟체의 판 외주면을 기계 가공하여 플랜지부를 부여한 일체형 플랜지를 구비하는 타겟을 개시하고 있다. 이 타겟에서는, 상기한 바와 같이 플랜지부를 고정 부재로 나사 체결하여 장착부에 가압했을 때, 기계 가공된 플랜지부의 베이스부 모서리에 응력 집중이 발생하기 쉽다. 즉, 성막 장치에서의 운전중 또는 운전 전후의 열응력에 의해, 그 플랜지부의 베이스부 모서리를 기점으로 하여 파열이 발생하기 쉽다. 이 경향은, 최근 많이 사용되는 다원계의 기계적으로 약한 타겟 재료로 얻어지는 타겟에 있어서 특히 현저하다.
또한, 특허문헌 3에서는, 플랜지부를 부여하는 백킹 플레이트부 상에 타겟 재료 분말을 플라즈마 용사나 프레임 용사에 의해 용착시킨 용사 피막으로 이루어지는 타겟체를 부여하여 얻어지는 타겟을 개시하고 있다. 이 타겟의 제조법에서는, 납땜재를 사용하지 않고, 본딩형에 유사한 플랜지를 구비하는 타겟을 얻을 수 있다.
하지만, 특허문헌 4에서는, 특허문헌 3에 대해, 용사에 의해 용착시켜 얻어지는 타겟체가 저밀도이고, 대기 중에서의 타겟 재료 분말의 용융에 의해 가스 성분이 타겟체에 말려들고, 및 이들에 기인하여 타겟체 내부에 파티클(particle)을 발생시키고, 결과적으로, 이와 같은 타겟을 사용하여 얻어진 박막에서는, 미소 파티클을 포함할 수 있어 충분한 요구 성능을 만족할 수 없다고 지적하고 있다. 그리고, 특허문헌 4에서는, 타겟 재료 분말을 고상 온도 대역에서 가열하여 가스 흐름과 함께 백킹 플레이트 상에 스프레이하고, 타겟 재료 분말을 소성변형시키면서 퇴적시키는, 이른바 콜드 스프레이법에 의한 타겟을 개시하고 있다. 이 타겟에서는, 타겟 재료 분말을 용융시키지 않고 백킹 플레이트부 상에 부여하기 때문에 타겟체 내부의 파티클을 억제할 수 있고, 결과적으로 얻어지는 박막에서의 미소 파티클을 줄일 수 있다.
일본국 공개특허공보 S61-183465호 공보 일본국 공개특허공보 2000-265265호 공보 일본국 공개특허공보 2002-339032호 공보 일본국 재공표 특허 2008-081585호 공보
상기한 바와 같이, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법에 의해, 성막 장치에서 타겟을 사용하여 얻어지는 박막의 성상에 영향을 주고, 또한, 백킹 플레이트부로부터의 타겟체의 이탈이나 플랜지부 근방의 파열의 발생 등, 그 수명에도 영향을 미치게 된다.
본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 양호한 박막을 부여하면서도 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법은, 타겟 앞면을 장치 내부를 향해 장착할 수 있도록 주위에 플랜지부를 부여한 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법에 있어서, 소정의 성분 조성을 갖는 타겟체를 준비하고, 상기 타겟체의 상기 타겟 앞면을 부여할 면과 한쌍을 이루는 배면에 대해, 고상 온도 대역에서 가열한 금속 입자를 가스 흐름과 함께 스프레이하고, 상기 배면 상에서 상기 금속 입자를 소성변형시키면서 퇴적시켜 백킹 플레이트부를 부여하는 콜드 스프레이 단계; 기계 가공하여 상기 플랜지부를 형성하는 기계 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 양호한 박막을 부여하면서도 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟을 제조할 수 있다.
상기한 발명에 있어서, 상기 타겟체는, Ti, Al, Cr, Nb, Si, Zr, Hf, V, Mo, W, Fe, Cu, C, B, Y 중 어느 하나의 단체(單體), 이들의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 해도 좋다. 본 발명에 의하면, 박막을 형성시키기 위해 필요한 재료를 소정의 재료 중에서 선정하는 것에 의해, 양호한 박막을 부여하면서도 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟을 제조할 수 있다.
상기한 발명에 있어서, 상기 금속 입자는, Cu, Al, Fe 중의 한 단체, 이들의 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 해도 좋다. 본 발명에 의하면, 백킹 플레이트부에 필요한 재료를 소정의 재료 중에서 선정하는 것에 의해, 양호한 박막을 부여하면서도 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 제조 방법으로 얻어지는 타겟의 사시도이다.
도 2는 타겟의 성막 장치에 대한 고정 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 4는 각 제조 공정에 있어서의 타겟의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 제조 방법에서 사용되는 장치의 도면이다.
도 6은 실시예 및 비교예의 제조 조건 및 시험 결과를 나타내는 표이다.
본 발명에 따른 일 실시예로서의 제조 방법에 의해 얻어지는 타겟에 대해, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시예로서의 타겟(10)은, 거의 원판 형상의 타겟부(1)의 메인면(도 1에 있어서는 타겟부(1)의 하면) 상에, 후술하는 콜드 스프레이법으로 기판(2)을 퇴적시켜 접합시킨 후, 이를 기계 가공하여 얻어진 플랜지를 구비하는 타겟이다. 본 발명에 따른 타겟은, 이른바 스퍼터링이나, 아크에 의한 성막 모두 적용할 수 있다.
타겟부(1)는, 일반적으로 성막시에 사용되는 원판 형상의 타겟판과 동일하다. 후술하는 바와 같이, 그 제조 방법은 한정되지 않는다. 또한, 박막을 형성하기 위한 재료, 예를 들면, Ti, Al, Cr, Nb, Si, Zr, Hf, V, Mo, W, Fe, Cu, C, B, Y 중의 한 단체(單體), 이들의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어지는 평판(平板)일 수 있다.
기판(2)은, 타겟부(1)보다 큰 지름을 갖는 거의 원판 형상의 금속판이다. 기판(2)의 외주부 근방은 타겟부(1)의 외측으로 돌출하여, 단차를 갖는 플랜지부(3)로 되어 있다. 기판(2)은, 후술하는 콜드 스프레이법으로 부여되고, 예를 들면, Cu, Al, Fe 중의 한 단체, 이들의 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어질 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 타겟(10)은, 성막 장치의 냉각된 장착부(5)의 판면에 기판(2)의 배면을 가압하여 맞대어 밀착되어, 플랜지부(3)를 고정 부재(7)로 나사 체결하여 고정된다(여기서, 나사는 도시하지 않는다.). 이 단면 구조로부터 명확한 바와 같이, 성막 장치 운전시에 타겟부(1)를 효율적으로 냉각할 수 있도록, 기판(2)은 열전도성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기한 타겟의 제조 방법의 일 실시예에 대해, 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
타겟부 준비 단계 S1에서는, 도 4(a)에 나타내는 바와 같은 판상의 타겟부(1)를 준비한다. 상기 타겟부(1)는 상기한 바와 같은 재료로 이루어지는 평판 타겟이고, 종래의 것을 사용할 수 있다.
이어서, 백킹 플레이트 퇴적 단계 S2에서는, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 타겟부(1)를 후술하는 바와 같은 콜드 스프레이 장치에 세팅하고, 그 한쪽의 메인면 상에 기판(2)을 콜드 스프레이 장치를 사용하여 층 형태로 형성한다.
여기서, 도 5에 모식적으로 나타내는 바와 같이 콜드 스프레이 장치(40)에서는, 가스봄베(gasbombe) 등으로부터 공급되는 불활성 가스를 가스 유닛(41)에 가이드하여, 캐리어 가스 라인(42) 및 반송 가스 라인(43)에 그 유량을 조절하면서 분기시킨다. 캐리어 가스 라인(42)을 흐르는 불활성 가스는 히터(45)로 가이드되어 소정의 온도로 가열되어, 챔버(46) 내로 가이드된다. 한편, 반송 가스 라인(43)을 흐르는 불활성 가스는 피더(feeder)(44)에 가이드되어, 상기한 기판(2)이 되는 재료로 이루어지는 금속 분말을 반송하면서 챔버(46) 내로 가이드된다. 챔버(46)의 내부에서는, 가열된 불활성 가스에 의해, 금속 분말이 고상 온도 대역에서 가열되어, 즉, 금속 분말이 고체 상태를 유지하는 소정의 온도 범위로 가열되어, 노즐(47)에 반송된다. 노즐(47)의 내부에는 도시하지 않는 압축부가 마련되어 있고, 금속 분말을 반송하는 불활성 가스를 통과시키는 것에 의해 이를 초음속 흐름으로 하도록 가속할 수 있다. 가열되고 또한 가스 흐름과 함께 가속화된 금속 분말의 입자(20)는, 노즐(47)로부터 타겟부(1)를 향해 스프레이된다. 이 분사된 입자(20)는 고체 상태를 유지한 채로 타겟부(1)의 메인면 상에 고속으로 충돌하여, 자체를 소성변형시키면서 타겟부(1)의 표면 형상을 따라 변형하여 부착된다. 노즐(47)을 타겟부(1)에 대해 상대적으로 이동시키면서, 금속 분말의 입자(20)를 타겟부(1)의 메인면을 덮도록 부착시킨다. 이에 의해, 첫번째 입자층(2')을 타겟부(1)의 메인면 상에 형성시킨다.
여기서, 타겟부(1)가 Cu나 Al 등 타겟으로서 사용되는 다른 재료에 비해 소성변형하기 쉬운 재료로 이루어지는 경우, 입자(20)가 충돌한 부분을 소성변형시킬 수 있고, 동시에 소성변형되는 입자(20)가 타겟부(1)와의 충돌 부분의 소성변형 부분에 침투하여 부착될 수 있다. 이에 의해 입자층(2')을 타겟부(1)와 더욱 강고하게 접합시킬 수 있다.
나아가, 첫번째 입자층(2') 상에 금속 분말 입자(20)의 분사를 겹쳐서 진행한다. 입자(20)는, 입자층(2') 상에서 스스로 소성변형하고, 이와 함께 입자층(2')도 소성변형시키면서 충돌해간다. 이와 같이, 입자(20)는 소성변형하면서 충돌하는 것에 의해, 예를 들면 플라즈마 용사법과 같은 용융 금속을 분사하여 퇴적시키는 경우에 비해 고밀도로 퇴적시킬 수 있다. 이를 반복하는 것에 의해, 기판(2)이 타겟부(1)의 메인면 상에 층형태로 형성된다.
또한, 첫번째 입자층(2')을 형성한 후에 금속 분말의 단위 시간당의 분사량을 늘려도 좋다. 이 경우, 입자(20)를 입자층(2')에 부착시킬 수 있는 범위에서, 불활성 가스의 온도나 압력 등의 조건을 적절히 변경하여, 더욱 효율적으로 소정의 두께의 기판(2)을 얻을 수 있다. 물론 콜드 스프레이 장치(40)는 상기한 구성의 장치에 한정되지 않고, 또한, 예를 들면, 히터를 복수 단으로 구성하거나, 캐리어 가스를 더욱 고온으로 가열하는 장치를 부여하는 등, 적절히 변경할 수 있다.
나아가, 백킹 플레이트 퇴적 단계 S2에서는, 형성된 기판(2)의 잔류 응력을 완화하기 위해, 기판(2)에 완화 열처리를 하는 것이 바람직하다. 또한, 완화 열처리를 하는 것에 의해 상기한 타겟부(1)의 냉각을 효율적으로 할 수 있도록, 기판(2)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 완화 열처리의 처리 조건은, 기판(2)의 재료에 대응되지만, 대략, 가열 온도 200~700℃, 유지 시간 2~10Hr의 범위 내에서 적절히 설정할 수 있다.
기계 가공 단계 S3에서는, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 기판(2)의 지름을 타겟부(1)의 지름보다 커지도록 기계 가공한다. 즉, 적어도 타겟부(1)의 외주부를 절삭하여, 기판(2)의 외주부가 외주측을 향해 돌출하는 플랜지부(3)를 형성하도록 기계 가공을 한다. 기타, 타겟(10)을 성막 장치에 장착하기 위한 형상을 부여하는 기계 가공이나, 기판(2)의 배면을 장착부(5)의 판면에 밀착시키기 위한 연마 가공 등이 필요에 따라 이루어진다. 이상에 의해 타겟(10)이 얻어진다.
〔평가 시험〕
다음으로, 상기한 제조 방법 및 비교예로서의 제조 방법에 의한 타겟의 평가 시험의 결과를 설명한다. 우선, 평가 시험에 사용한 시험편의 제작 방법에 대해 상세하게 설명한다.
우선, Al-44질량% Cr-3질량% B(Al:Cr:B=53:44:3)로 이루어지는 분말을 지름 161mm, 두께 10mm의 거의 원판 형상체로 소결한 일반적인 타겟 플레이트를 준비했다.
실시예 1 및 2에서는, 상기한 제조 방법에 의해, 타겟 플레이트의 메인면 상에, 각각 Cu 및 Al의 금속 분말을 두께 6mm로 퇴적시켰다. 또한, 백킹 플레이트 퇴적 단계 S2에 있어서, 금속 분말을 분사시키기 위한 불활성 가스는 질소 가스, 불활성 가스의 가열 온도는 600℃, 챔버(46)(도 5 참조)의 내압은 3MPa로 했다. 또한, 기계 가공 단계 S3에 있어서, 타겟부(1)의 외주뿐만 아니라, 전체면에 기계 가공을 하여, 타겟부(1)를 지름 154mm×두께 8mm, 기판(2)을 지름 160mm×두께 4mm의, 플랜지를 구비하는 거의 원판 형상체인 타겟(10)을 얻었다. 이 제조 방법을 도 6에서는 콜드 스프레이법으로 표기했다.
한편, 비교예 1 및 2에서는, 각각 Cu 및 Al로 이루어지는 기판을 준비하고, 인듐으로 이루어지는 납땜재를 사용하여 타겟 플레이트에 이 기판을 납땜 접합했다. 이에 대해서도, 타겟부(1)를 지름 154mm×두께 8mm, 기판(2)을 지름 160mm×두께 4mm의, 플랜지를 구비하는 거의 원판 형상체인 타겟(10)을 얻었다. 이 제조 방법을 도 6에서는 본딩법으로 표기했다.
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 타겟(10)에 있어서, 타겟부(1)와 기판(2)의 계면을 그 두께 방향의 약 중앙에 포함하도록, 세로 30mm, 가로 30mm, 두께 8±1mm의 판상 시험편을 각각 잘라냈다. 이 판상 시험편은 후술하는 가열 시험 및 인장 시험에 제공했다.
다음으로, 판상 시험편을 사용한 평가 시험, 즉, 내열성을 평가하는 가열 시험, 및 접합 강도를 평가하는 인장 시험의 각 방법에 대해 설명한다.
내열성을 평가하는 가열 시험은, 판상 시험편을 300℃로 가열 유지하여, 타겟부(1)가 기판(2)으로부터 그 계면에 있어서 이탈하는지를 확인하는 것으로 진행했다. 여기서, 도 6에 있어서, 이탈이 없는 경우에 대해서는 "양호"로 판정하여 "○"를, 이탈이 확인된 경우에는 "불량"으로 판정하여 "×"을 기록했다.
접합 강도는, 판상 시험편의 접합 계면을 사이에 둔 상면 및 저면을 각각 지그에 고정하고, 실온에서, 타겟부(1)와 기판(2)의 계면에 거의 수직 방향을 따라 인장 하중을 부하하여, 인장 강도(파단 하중) 및 파단 위치를 확인하는 것으로 진행했다. 여기서, 도 6에 있어서, 파단 위치가 계면으로부터 타겟부(1) 또는 기판(2)의 측에 있는 경우, 접합 계면의 접합 강도가 높다고 판단하여 "○"를, 이에 대해, 파단 위치가 계면인 경우, 상대적으로 접합 계면의 접합 강도가 불충분한 것으로 판정하여 "×"을 기록했다.
이상에 관한 시험 결과는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 실시예 1에서는, 가열 시험에 있어서 이탈이 없고, 내열성은 "양호"로 판정되었다. 인장 시험에 있어서 인장 강도는 4.8N/mm2, 파단 위치는 타겟부(1)측이고, 접합 강도는 높았다. 또한, 실시예 2에서도, 가열 시험에 있어서 이탈이 없고, 내열성은 "양호"로 판정되었다. 인장 시험에 있어서 인장 강도는 실시예 1과 동등한 4.8N/mm2이고, 파단 위치는 타겟부(1)측이고, 접합 강도는 높았다. 실시예 1 및 2에 있어서, 도 1을 참조하면, 타겟부(1)에 콜드 스프레이법으로 부여된 기판(2)이 그 계면에서 서로 침투하듯이 접합되어, 앵커 효과에 의해 강고한 접합을 얻은 것으로 추측된다. 즉, 실시예 1 및 2의 플랜지를 구비하는 타겟은, 양호한 내열성 및 접합 강도를 구비하고, 내구성에 우수하다.
한편, 비교예 1 및 2에서는, 가열 시험에 있어서, 접합부가 인듐의 융점인 152℃ 부근에서 재용해하여 이탈을 발생시켜, 내열성은 "불량"으로 판정되었다. 또한, 두 비교예 1 및 2 모두, 인장 시험에 있어서 인장 강도는 1.6N/mm2, 파단 위치는 접합 계면이고, 접합 강도는 매우 낮았다.
이상, 본 실시예의 제조 방법에 의하면, 타겟부(1)와 기판(2)의 계면에서의 이탈이나 파단이 쉽게 발생하지 않고 내구성에 우수한, 플랜지를 구비하는 타겟(10)을 부여할 수 있다. 또한, 타겟부(1)는 이를 변성시키는 바와 같은 가공을 부여하지 않기 때문에, 타겟부(1)를 소정의 방법에 의해 얻어 그 본래의 양호한 박막을 부여할 수 있다.
이상으로, 본 발명에 의한 대표적 실시예 및 이에 기초하는 변형예에 대해 설명했지만, 본 발명은 꼭 이들에 한정되는 것이 아니다. 당업자라면, 첨부한 특허청구범위를 벗어나지 않고, 다양한 대체 실시예를 도출해낼 수 있을 것이다.
1: 타겟부
2: 기판
3: 플랜지부
10: 타겟
40: 콜드 스프레이 장치

Claims (3)

  1. 타겟 앞면을 장치 내부를 향해 장착할 수 있도록 주위에 플랜지부를 부여한 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법에 있어서,
    소정의 성분 조성을 갖는 타겟체를 준비하고, 상기 타겟체의 상기 타겟 앞면을 부여할 면과 한쌍을 이루는 배면에 대해, 고상 온도 대역에서 가열한 금속 입자를 가스 흐름과 함께 스프레이하고, 상기 배면 상에서 상기 금속 입자를 소성변형시키면서 퇴적시켜 백킹 플레이트부를 부여하는 콜드 스프레이 단계;
    기계 가공하여 상기 플랜지부를 형성하는 기계 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 타겟체는, Ti, Al, Cr, Nb, Si, Zr, Hf, V, Mo, W, Fe, Cu, C, B, Y 중의 한 단체, 이들의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속 입자는, Cu, Al, Fe 중의 한 단체, 이들의 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 붕소화물, 또는, 이들을 2종 이상 조합한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 플랜지를 구비하는 타겟의 제조 방법.
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