JP2014514449A - 保護装置付き管状ターゲット - Google Patents
保護装置付き管状ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014514449A JP2014514449A JP2014502951A JP2014502951A JP2014514449A JP 2014514449 A JP2014514449 A JP 2014514449A JP 2014502951 A JP2014502951 A JP 2014502951A JP 2014502951 A JP2014502951 A JP 2014502951A JP 2014514449 A JP2014514449 A JP 2014514449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tubular target
- protective device
- target according
- molybdenum
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 10
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/342—Hollow targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Abstract
本発明は、モリブデン又はモリブデン合金からなり、少なくとも一定の領域で冷媒と接触する内側表面（３）を備え、内側表面（３）の少なくとも一定の領域が少なくとも１つの保護装置（４）により冷媒（４）から分離されている、バッキングチューブを有しない陰極スパッタリング用管状ターゲット（１）に関する。保護装置（４）は、例えばポリマー層として設計可能である。管状ターゲット（１）は、卓越した長時間耐性を有する。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
本発明は、スパッタ表面と、少なくとも部分的に冷媒と接触させられている内側表面とを、備える、モリブデン又は少なくとも５０原子％のモリブデン含有量を有するモリブデン合金からなる、陰極スパッタリング用のバッキングチューブを有しない管状ターゲットに関する。
純モリブデン及びモリブデン合金、例えばＭｏ−Ｎａ、からなる管状ターゲットは、Ｃｕ（Ｉｎx、Ｇａ1-x）（Ｓｅy、Ｓ1-y）2（Ｇａ：ＣＩＧＳ付き、Ｇａ：ＣＩＳなし）をベースとする薄膜太陽電池又はＴＦＴ−ＬＣＤ用の薄膜トランジスタの製造時等における、陰極スパッタリング、例えばマグネトロンスパッタリング、によるモリブデン含有層の堆積に使用される。この場合、モリブデン含有層は、数ｎｍから数μｍの厚さを有する。スパッタリングに必要な出発材料（陰極）は、スパッタリングターゲットと呼ばれ、塗被設備の形態に応じて、平板又は管の形で使用される。管状ターゲットとも呼ばれる管状スパッタリングターゲットは、操作中に、ターゲットの内部に配置された固定磁石系又は可動磁石系の周りを回転させられる。平板状のスパッタリングターゲットに比べて、管状スパッタリングターゲットは、材料の均一な除去と従って高い材料収率とが達成される利点を有する。特に製造が複雑な高価な材料については、管状スパッタリングターゲットが勝っている。セラミック及び脆性材料では、管状ターゲットは、少なくとも２分割され、管状ターゲットの保持及び移動に必要な力が脆性の、従って破損しやすい、スパッタ材料に作用しないようにされている。この場合、スパッタ材料からなる管又は複数の管片は、例えば非磁性鋼又はチタンからなる、バッキングチューブと接合される。接合技術として、低融点の半田、例えばインジウム又はインジウム合金、を使用する半田付け法が用いられている。
スパッタリングの際に用いられるエネルギーの７５％超は、熱としてスパッタリングターゲットに入る。スパッタリングターゲットの表面上への高エネルギーイオンの衝撃により発生する熱エネルギーは、スパッタリングターゲット材料及び／又は半田材料の過熱を防ぐために、十分に効果的に、放散する必要がある。それ故、スパッタリングターゲットの冷却は、重要な意味を持つ。管状ターゲットの場合、スパッタリングターゲットの内側表面が、全面的に又は一定の領域において、冷媒の貫流により冷却される。この場合、冷媒は、管状ターゲットの形態に応じて、スパッタ材料に直接接触させられるか又はバッキングチューブに接触させられる。
モリブデン又はモリブデン合金製の管状ターゲットは、広くバッキングチューブとともに使用されている。この場合の欠点は、スパッタ材料とバッキングチューブとの接合に労力を要することだけではなく、密実なバッキングチューブ及び半田材料により熱拡散が妨げられることである。例えば鋼は、モリブデンに比して相当程度、熱伝導特性が劣っている。
モリブデン又はモリブデン合金製の管状ターゲットがバッキングチューブなしで作られると、冷媒とターゲット材料との直接的な接触が生じる。モリブデン及びモリブデン合金は、通常の冷媒の長時間の作用を受けると、腐食する。この場合の腐食速度は、冷媒の組成及び種類並びに使用条件に応じて、１年に１０分の数ミリメートルに達する。冷媒との接触により生じるモリブデンの溶解及びこの場合に発生する腐食生成物（主としてモリブデン酸塩又は例えば銅との混合モリブデン酸塩）により、冷媒の特性が変化する。例えば、冷媒のｐＨ値が著しく低下し、それとともに冷却循環路において使用されるほかの材料（例えば銅、真鍮、特殊鋼）が著しく腐食作用を受ける。冷却循環路におけるモリブデン及びほかの材料の腐食は、有機又は無機抑制剤の冷媒への添加により抑制されるが、完全に防止することはできない。モリブデン用の腐食抑制剤は、例えば特許文献１に記載されている。冷媒の状態の定期的監視及び場合によって必要な添加物の補充は、更に設備経費を高めることになる。
使用される冷媒の特性の一覧例を表１にまとめる。
更に考慮しなければならないことは、モリブデンの原料価格が極めて高いことである。モリブデン製の使用済みスパッタリングターゲットは、通常はリサイクルされずに、コンパクトな形で鋼及び超合金の製造用の合金金属として使用される。（ほかの金属の混入のない）単一品のスクラップは、通常の鋼合金にとっては異種である元素を含むＭｏスクラップよりも明らかに高い価格になる。それ故、バッキングチューブを備えたモリブデン管ターゲットは、まず半田付けを解き、通常は鋼合金にとって異種である半田材料を、労力を掛けて、除去する必要がある。
それ故、本発明の課題は、先行技術の項で述べたような欠点を持たないモリブデン又はモリブデン合金製の管状ターゲットを提供することにある。この点に関して特に強調すべきことは、熱放散が十分に保証され、管状ターゲットの使用期間全体に亘って腐食をできる限り回避し、そして、使用済みスパッタリングターゲットが鋼工業用の合金材料として容易に使用できるようにすることである。
この課題は、独立請求項の特徴部分により解決される。本発明の実施により、腐食は確実に避けられ、熱放散が許容できないほど悪くなることはない。更に、使用済み管状ターゲットは、労力の掛かる分離や洗浄なしに、鋼製造用合金スクラップとして使用できる。何故なら、保護装置のモリブデン成分量は、僅かであるからである。
管状ターゲットは、純モリブデン又はモリブデン合金からなる。この場合、モリブデン合金とは、モリブデン含有量が５０原子％を超える全てのモリブデン含有材料を指す。以下の記載でモリブデンについて言及するときは、常に純モリブデンとモリブデン含有量が５０原子％を超える全てのモリブデン含有材料とを含むものとする。管状ターゲットは、バッキングチューブなしで形成される。この場合、「バッキングチューブなし」とは、バッキングチューブが全く使用されないことを意味する。モリブデン管状ターゲットは、それ故、スパッタ設備の保持系又は端末ブロックに直接接合される。スパッタ表面とは、管状ターゲットの外側表面のことを言う。内側表面は、管状ターゲットの内壁に相当する。内側表面の少なくとも一部の領域は、少なくとも１つの保護装置により、冷媒から分離される。ターゲット材料と保護装置との面接触が生じると有利である。更に、冷媒と接触する全ての内側表面が、少なくとも１つの保護装置により、冷媒から分離されると有利である。保護装置が（半径方向に測定して）０．０００５ｍｍ〜１ｍｍの厚さを有すると有利である。特に有利なのは、保護装置が（半径方向に測定して）０．０００５ｍｍ〜０．１ｍｍの厚さを有することである。保護装置の熱伝導率が１Ｗ／ｍ．Ｋ未満であれば、保護装置の厚さは、０．０００５ｍｍ〜０．５ｍｍが好適である。更に、保護装置が単層又は複層であれば有利である。層の付着を改良するためには、保護装置の取り付け前に、管の内側表面を前処理、例えば脱脂又は粗面化、すると有利である。更に有利な実施形態は、保護装置が薄壁の膜又は薄壁の管の形をとり、加圧された冷媒の作用下で、管状ターゲットの内側表面に継ぎ目なく当接することである。この場合、薄壁とは１ｍｍまでの範囲の厚さのものを言う。保護装置は、少なくともポリマー、金属、セラミック及びガラスからなる群から選ばれる１つの材料からなると有利である。好適な金属は、例えばニッケルであり、これは、化学的ニッケルメッキにより簡単に取り付けることができる。セラミック材料では、モリブデン窒化物が挙げられるが、これはモリブデン管の窒化により簡単に製造できる。ガラスからなる層では、ケイ素酸化物をベースとする系が特に適している。
更に、鋼製造にとって問題のない材料としては、例えばポリマーのように、その成分（炭素）が一方では鋼の全炭素含有量に関して問題のない添加材料であり他方では鋼製造の際に気体の形（窒素・水素・塩素・フッ素等）で消失する材料が、選ばれる。保護装置がセラミック又はガラスから成る場合には、鋼製造時にこれらの成分はスラグとして析出される。
製造コスト及びリサイクル性を考慮すると、保護装置が少なくとも１つのポリマーを含有してなると有利である。ポリマーが０．５Ｗ／ｍ．Ｋを超える、特に１Ｗ／ｍ．Ｋを超える、熱伝導率を有すると特に有利である。電気伝導性も管状ターゲットの使用特性に有利に作用する。熱及び／又は電気伝導性は、例えば、ポリマーが１つ又は複数の伝導性充填材を備えていれば得られる。好適な充填材としては、セラミック、グラファイト及び金属からなる群から選ばれる材料が挙げられる。特に好適な充填材は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、例えばＡｌ2Ｏ3のような酸化物、例えばＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＭｏＮ又はＳｉＮのような窒化物、例えばＳｉＣ、ＴｉＣ又はＷＣのようなカーバイド、及び、グラファイトである。
更に、保護装置が少なくとも１つのポリマーからなると有利である。非充填及び充填状態において特に好適なポリマーは、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ビニルエステル及びフッ素化エラストマーからなる群から選ばれるポリマーである。
保護装置は、湿式塗布、塗装、噴霧又は箔の貼り付けにより載置し又は取り付けると有利である。
しかし、また、ほかの塗被方法、例えば化学的気相析出（ＣＶＤ）、熱噴霧、低温噴霧、ゾル・ゲル塗被法、メッキ、陰極スパッタリング（ＰＶＤ）、電気メッキ、化学的及び電気化学的プロセス、焼結、拡散塗被、擦り付け、又はバックキャスティングも適している。
以下に本発明を実施例により説明する。
図１は、スパッタ表面（２）、内側表面（３）及び保護装置（４）を備えた本発明による管状ターゲット（１）の概略斜視図を示す。
〔例１〕
１２５ｍｍの内径と１６５ｍｍの外径とを有し、スパッタ表面（２）を備えたモリブデン管（１）は、欧州特許出願公開第１９３７８６６号明細書に記載された製法で作られた。モリブデン管の塗被すべき内側表面（３）は、１，５００ｍｍの長さを有していた。塗被されるべき内側表面は、先ず、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は、粒径５０μｍのＡｌを７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。保護装置（４）の層厚は、約３００μｍであった。
１２５ｍｍの内径と１６５ｍｍの外径とを有し、スパッタ表面（２）を備えたモリブデン管（１）は、欧州特許出願公開第１９３７８６６号明細書に記載された製法で作られた。モリブデン管の塗被すべき内側表面（３）は、１，５００ｍｍの長さを有していた。塗被されるべき内側表面は、先ず、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は、粒径５０μｍのＡｌを７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。保護装置（４）の層厚は、約３００μｍであった。
〔例２〕
直径１０ｍｍ及び長さ５０ｍｍの円筒状モリブデン試料の耐腐食性が、塗被されてない状態及び塗被された状態（例２ａ−２ｇ）で、曝露テストにより、試験された。サンプルは、この場合、種々の冷媒中において１６０時間の期間に亘り貯蔵され、サンプルの質量減少が測定された。冷媒浴は、実験期間中、マグネチックスターラーにより撹拌された。測定結果を表２に示した。Ｒで示したサンプル（参照サンプル）は、従来技術に相当する（塗被されていない）。例２ａから２ｇは、本発明による例である。
直径１０ｍｍ及び長さ５０ｍｍの円筒状モリブデン試料の耐腐食性が、塗被されてない状態及び塗被された状態（例２ａ−２ｇ）で、曝露テストにより、試験された。サンプルは、この場合、種々の冷媒中において１６０時間の期間に亘り貯蔵され、サンプルの質量減少が測定された。冷媒浴は、実験期間中、マグネチックスターラーにより撹拌された。測定結果を表２に示した。Ｒで示したサンプル（参照サンプル）は、従来技術に相当する（塗被されていない）。例２ａから２ｇは、本発明による例である。
〔例２ａ〕
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は、粒径５０μｍのＡｌを７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。層厚は、約３００μｍであった。
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は、粒径５０μｍのＡｌを７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。層厚は、約３００μｍであった。
〔例２ｂ〕
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被はアルキド樹脂塗料（ポリエステル）の湿式塗付により行なわれ、空気中で乾燥された。層厚は、約１００μｍであった。
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被はアルキド樹脂塗料（ポリエステル）の湿式塗付により行なわれ、空気中で乾燥された。層厚は、約１００μｍであった。
〔例２ｃ〕
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は粒径５０μｍのＡｌ2Ｏ3を７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。層厚は、約３００μｍであった。
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いての塗被は粒径５０μｍのＡｌ2Ｏ3を７０容量％充填したエポキシ樹脂の塗付により行なわれた。層厚は、約３００μｍであった。
〔例２ｄ〕
塗被すべき表面は、酸洗いにより洗浄脱脂された。続いての塗被は、ポリウレタン化合物の粉末噴霧により行なわれた。層厚は、約５００μｍであった。
塗被すべき表面は、酸洗いにより洗浄脱脂された。続いての塗被は、ポリウレタン化合物の粉末噴霧により行なわれた。層厚は、約５００μｍであった。
〔例２ｅ〕
塗被すべき表面は、酸洗いにより洗浄脱脂された。通常のメッキ化学法（硫酸銅ベース）で厚さ１５μｍの銅層が析出された。
塗被すべき表面は、酸洗いにより洗浄脱脂された。通常のメッキ化学法（硫酸銅ベース）で厚さ１５μｍの銅層が析出された。
〔例２ｆ〕
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いてＳｉＯ2をベースとするスラリーが塗布され、２００℃／６０ｍｉｎで熱処理された。
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いてＳｉＯ2をベースとするスラリーが塗布され、２００℃／６０ｍｉｎで熱処理された。
〔例２ｇ〕
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いて厚さ２μｍのＴｉＮ層がＣＶＤにより適用された。
塗被すべき表面は、サンドブラストで粗面化された。続いて厚さ２μｍのＴｉＮ層がＣＶＤにより適用された。
１ 管状ターゲット
２ スパッタ表面
３ 内側表面
４ 保護装置
２ スパッタ表面
３ 内側表面
４ 保護装置
Claims (15)
- モリブデン又は少なくとも５０原子％のモリブデン含有量を有するモリブデン合金からなり、スパッタ表面（２）と、少なくとも一定の領域で冷媒と接触する内側表面（３）とを、備えた陰極スパッタリング用のバッキングチューブのない管状ターゲット（１）において、前記内側表面（３）の少なくとも一定の領域が少なくとも１つの保護装置（４）により冷媒（４）から分離されていることを特徴とする管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が前記内側表面（３）と面接触していることを特徴とする請求項１に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が０．０００５ｍｍ〜１ｍｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が０．０００５ｍｍ〜０．１ｍｍの厚さを有していることを特徴とする請求項３に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が単層又は複層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が箔であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 冷媒と接触している内側表面が、全て、少なくとも１つの保護装置（４）により冷媒から分離されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）がポリマー、金属、セラミック及びガラスからなる群から選ばれる少なくとも１つの材料から成ることを特徴とする請求項１〜７の１つに記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が少なくとも１つのポリマーを含有してなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 前記ポリマーが伝熱性及び／又は導電性を有することを特徴とする請求項９に記載の管状ターゲット。
- 前記ポリマーが充填材を含有してなることを特徴とする請求項９又は１０に記載の管状ターゲット。
- 前記充填材がセラミック、グラファイト及び金属からなる群から選ばれる少なくとも１つの材料からなることを特徴とする請求項１１に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が少なくとも１つのポリマーを含有して成ることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 前記ポリマーが、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ビニルエステル及びフルオロエラストマからなる群から選ばれるポリマーであることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の管状ターゲット。
- 前記保護装置（４）が湿式塗布、噴霧及び箔の挿入からなる群から選ばれる１つのプロセスにより取り付けられることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の管状ターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATGM203/2011U AT12695U1 (de) | 2011-04-08 | 2011-04-08 | Rohrtarget mit schutzvorrichtung |
| ATGM203/2011 | 2011-04-08 | ||
| PCT/AT2012/000094 WO2012135883A1 (de) | 2011-04-08 | 2012-04-05 | Rohrtarget mit schutzvorrichtung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014514449A true JP2014514449A (ja) | 2014-06-19 |
| JP2014514449A5 JP2014514449A5 (ja) | 2015-03-12 |
| JP6328550B2 JP6328550B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=46968455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014502951A Active JP6328550B2 (ja) | 2011-04-08 | 2012-04-05 | 管状ターゲット |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10978279B2 (ja) |
| EP (1) | EP2694697B1 (ja) |
| JP (1) | JP6328550B2 (ja) |
| KR (1) | KR102068366B1 (ja) |
| CN (2) | CN103518002A (ja) |
| AT (1) | AT12695U1 (ja) |
| TW (1) | TWI568870B (ja) |
| WO (1) | WO2012135883A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
| CN105296944A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-02-03 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有抗氧化镀层的靶材组件 |
| TW201911853A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-03-16 | 聚晶半導體股份有限公司 | 雙攝像頭影像擷取裝置及其攝像方法 |
| CN108517498B (zh) * | 2018-04-17 | 2020-04-21 | 洛阳科威钨钼有限公司 | 一种用于磁控溅射的一体式管状钼靶材的制备方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02301559A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 一体構造型スパッタリングターゲット |
| JPH0499270A (ja) * | 1990-08-11 | 1992-03-31 | Fujitsu Ltd | スパッターターゲット及びスパッター成膜方法 |
| JPH0539566A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| JPH0817763A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット |
| JP2000239839A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Tadahiro Omi | スパッタリング装置 |
| WO2001077402A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Surface Engineered Products Corporation | Method and apparatus for magnetron sputtering |
| JP2005520935A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | ヴルチンガー・ディーター | 回転可能な管状カソード |
| JP2007302981A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| WO2008150686A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Applied Materials, Inc. | Bonding method for cylindrical target |
| JP2012162759A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 円筒形スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2301559A (en) * | 1938-10-21 | 1942-11-10 | Hancock Mfg Company | Door latch |
| US4719035A (en) | 1984-01-27 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Corrosion inhibitor formulation for molybdenum tungsten and other metals |
| KR0163981B1 (ko) | 1993-06-29 | 1999-01-15 | 사또오 아키오 | 필름제 액정셀 봉지용 수지조성물 |
| WO2002020866A1 (fr) | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Asahi Glass Company, Limited | Cible cylindrique et procede de fabrication de ladite cible |
| JP2004123874A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム形成用樹脂組成物及びフィルム状接着剤 |
| CN1538545A (zh) * | 2003-04-16 | 2004-10-20 | 刘奥宇 | 可控金属燃料电池 |
| US7688277B2 (en) * | 2004-06-04 | 2010-03-30 | Radiall Usa, Inc. | Circuit component and circuit component assembly for antenna circuit |
| US20050279630A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
| DE102005030484B4 (de) | 2005-06-28 | 2007-11-15 | Carl Freudenberg Kg | Elastischer Vliesstoff, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| PL1752556T3 (pl) | 2005-08-02 | 2008-03-31 | Applied Mat Gmbh & Co Kg | Katoda cylindryczna do napylania jonowego |
| AT8697U1 (de) | 2005-10-14 | 2006-11-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
| WO2007049765A1 (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Mitsubishi Plastics, Inc. | 燃料電池用セパレータ、該セパレータを用いた燃料電池及び該セパレータ調製用塗料組成物 |
| CN100511524C (zh) | 2005-12-29 | 2009-07-08 | 华晶科技股份有限公司 | 控制开关连接结构 |
| DE102006003279B4 (de) * | 2006-01-23 | 2010-03-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit hochschmelzender Phase |
| US20080127887A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Applied Materials, Inc. | Vertically mounted rotary cathodes in sputtering system on elevated rails |
| CN101434818A (zh) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 郭东明 | 异氰酸酯改性水性聚合物防水涂料 |
| CN101386719B (zh) * | 2008-08-28 | 2010-12-08 | 冯守中 | 多功能涂料及其制备方法 |
| US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
| US20110014469A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Magnesium oxide particle, method for producing it, exoergic filler, resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition |
| US8449818B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H. C. Starck, Inc. | Molybdenum containing targets |
-
2011
- 2011-04-08 AT ATGM203/2011U patent/AT12695U1/de not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-01 TW TW101106684A patent/TWI568870B/zh active
- 2012-04-05 CN CN201280017348.0A patent/CN103518002A/zh active Pending
- 2012-04-05 CN CN201811191898.XA patent/CN109609917A/zh active Pending
- 2012-04-05 EP EP12725603.0A patent/EP2694697B1/de active Active
- 2012-04-05 KR KR1020137026436A patent/KR102068366B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-05 JP JP2014502951A patent/JP6328550B2/ja active Active
- 2012-04-05 WO PCT/AT2012/000094 patent/WO2012135883A1/de active Application Filing
- 2012-04-05 US US14/110,527 patent/US10978279B2/en active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02301559A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 一体構造型スパッタリングターゲット |
| JPH0499270A (ja) * | 1990-08-11 | 1992-03-31 | Fujitsu Ltd | スパッターターゲット及びスパッター成膜方法 |
| JPH0539566A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| US5435965A (en) * | 1991-02-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and method for manufacturing same |
| JPH0817763A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット |
| JP2000239839A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Tadahiro Omi | スパッタリング装置 |
| WO2001077402A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Surface Engineered Products Corporation | Method and apparatus for magnetron sputtering |
| JP2005520935A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | ヴルチンガー・ディーター | 回転可能な管状カソード |
| US20050178662A1 (en) * | 2002-03-22 | 2005-08-18 | Dieter Wurczinger | Rotating tubular cathode |
| JP2007302981A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 円筒型Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| WO2008150686A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Applied Materials, Inc. | Bonding method for cylindrical target |
| JP2012162759A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 円筒形スパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10978279B2 (en) | 2021-04-13 |
| AT12695U1 (de) | 2012-10-15 |
| KR102068366B1 (ko) | 2020-01-20 |
| TW201245482A (en) | 2012-11-16 |
| TWI568870B (zh) | 2017-02-01 |
| CN103518002A (zh) | 2014-01-15 |
| CN109609917A (zh) | 2019-04-12 |
| EP2694697A1 (de) | 2014-02-12 |
| EP2694697B1 (de) | 2018-08-01 |
| JP6328550B2 (ja) | 2018-05-23 |
| KR20140018274A (ko) | 2014-02-12 |
| WO2012135883A1 (de) | 2012-10-11 |
| US20140027276A1 (en) | 2014-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4571561B2 (ja) | 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
| JP4643478B2 (ja) | 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法 | |
| JP6328550B2 (ja) | 管状ターゲット | |
| JP2009235558A (ja) | 窒化アルミニウム溶射部材及びその製造方法 | |
| CN110937911A (zh) | 靶材组件形成方法 | |
| JP2013096004A (ja) | 耐剥離性に優れる被覆工具およびその製造方法 | |
| JP2004003022A (ja) | プラズマ処理容器内部材 | |
| JP6706418B2 (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
| KR101923292B1 (ko) | 방식성의 금속과 Mo 또는 Mo 합금을 확산 접합한 백킹 플레이트, 및 그 백킹 플레이트를 구비한 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 조립체 | |
| TW201235492A (en) | Al-based alloy sputtering target | |
| KR101776151B1 (ko) | 비정질 및 발열 특성을 갖는 금속 도금막을 이용한 초경재료의 접합방법 | |
| US20130252018A1 (en) | Corrosion resistant coating for copper substrate | |
| CN110670034B (zh) | 一种无机超疏水材料及其制备方法与应用 | |
| Li et al. | Microstructure and corrosion resistance of vanadium films deposited at different target-substrate distance by HPPMS | |
| JP2004111516A (ja) | 高耐蝕性ｒ−ｔ−ｂ系希土類磁石 | |
| CN105296944A (zh) | 一种具有抗氧化镀层的靶材组件 | |
| US20240093353A1 (en) | Multilayer coating for interface cones | |
| JP2010133003A (ja) | 耐クラック性および耐腐食性に優れたアルミニウム合金部材、ポーラス型陽極酸化皮膜の耐クラック性および耐腐食性の確認方法、並びに耐クラック性および耐腐食性に優れたポーラス型陽極酸化皮膜の形成条件設定方法 | |
| JP6459601B2 (ja) | Ｎｉスパッタリングターゲット | |
| JP6194244B2 (ja) | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 | |
| KR20060054078A (ko) | 스퍼터링 타겟용 백킹 플레이트 | |
| Back-Plated | Why Should A Sputtering Target Be Back-Plated? | |
| JP2002173757A (ja) | 電気機器用コーティング部材 | |
| JP2007119924A (ja) | プラズマ処理容器内用高純度溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
| JP2009136717A (ja) | 成形加工用樹脂被覆アルミニウム板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150120 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150120 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151210 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160209 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160506 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160901 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160912 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20161028 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170905 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20171017 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6328550 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |