KR20170046723A - 텅스텐 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

Ag를 0.01∼0.5wt％ 함유하고, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 본 발명은, 스퍼터링에 의해 비저항이 작은 막을 형성할 수 있고, 또한 양호한 유니포머티를 구비하고, 특히 반도체 디바이스용 박막의 형성 시에, 우수한 특성을 갖는 스퍼터링 타깃 및 동 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

Description

텅스텐 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 {TUNGSTEN SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은, 텅스텐 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 저항이 낮고, 안정된 반도체 디바이스용 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스는, 해마다, 미세화·고집적화가 요구되고 있고, 제조 프로세스의 개량이나 신소재의 연구 등이 활발히 행해지고 있다. 예를 들어, 게이트 전극은, 일반적으로 다결정 실리콘이나 금속 실리사이드가 사용되고 있지만, 더 한층의 저저항화를 위해, 전부가 금속으로 이루어지는 게이트 전극(메탈 전극)을 사용하는 연구가 행해지고 있다. 그리고, 이러한 게이트 전극과 고유전율 게이트 절연막을 조합함으로써, 고속화·저소비 전력화가 가능해진다.
일부의 반도체 디바이스에서는, 상기 메탈 전극으로서, W(텅스텐)가 사용되고 있다. 텅스텐막(게이트 전극)은, 통상 텅스텐 타깃을 스퍼터하여 형성된다. 특허문헌 1에는, 게이트 패턴의 일부, 즉, 텅스텐 실리사이드를 형성하기 위한 Ni를 0.01∼1중량％ 포함하는 W 타깃이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 배리어막 형성용이지만, Ni를 10∼30at％ 포함하는 W 타깃이 개시되어 있다.
그러나, 이들 타깃을 사용하여 형성한 박막에서는, 비저항을 충분히 낮출 수 없다고 하는 문제가 있었다. 특히, 게이트 전극에 사용하는 경우, 비저항을 충분히 낮출 수 있으면, 그만큼 게이트 전극의 막 두께를 얇게 할 수 있지만, 종래의 Ni 등을 함유하는 W 타깃에서는, 이러한 이익은 얻어지지 않았다. 또한 종래에는, 비저항의 균일성(유니포머티)에 대해서도, 특별히 관심은 받지 못하였다.
일본 특허 공개 제2010-261103호 공보 국제 공개 WO2010/119785
본 발명은, 스퍼터링에 의해 비저항이 작은 막을 형성할 수 있고, 또한 양호한 유니포머티를 구비하고, 반도체 디바이스용 박막(특히, 게이트 전극)으로서 유용하고, 이 게이트 전극의 막 형성 시에, 우수한 특성을 갖는 스퍼터링 타깃 및 동 스퍼터링 타깃의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기한 문제를 해결하기 위해 예의 연구를 행한 결과, W(텅스텐)에 Ag를 미량 첨가하고, 또한 그 제조 방법을 고안함으로써 Ag가 텅스텐 중에 고용되지 않아, 막의 비저항을 저하시킬 수 있고, 또한 Ag의 조성 변동을 억제함으로써, 비저항의 유니포머티를 향상시킬 수 있다고 하는 지견을 얻었다.
본 발명자들은, 이 지견에 기초하여, 이하의 발명을 제공한다.
1) Ag를 0.01∼0.5wt％ 함유하고, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
2) W의 매트릭스상과 Ag 입자로 이루어지는 조직을 갖고, W 매트릭스상 중에 Ag가 고용되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 상기 1)에 기재된 스퍼터링 타깃.
3) Ag 입자의 평균 입경이 0.1∼10.0㎛인 것을 특징으로 하는 상기 1) 또는 2)에 기재된 스퍼터링 타깃.
4) 타깃 중의 조성 변동이 10％ 이내인 것을 특징으로 하는 상기 1) 내지 3) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타깃.
5) 순도가 99.999％ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1) 내지 4) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타깃.
6) 평균 입경이 0.1∼10.0㎛인 W 분말과 평균 입경이 0.1∼10.0㎛인 Ag 분말을, Ag가 0.01∼0.5wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 되는 배합비로 혼합하고, 이것을 15∼30㎫의 가압력, 온도 1600∼2000℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃의 제조 방법.
본 발명은, 비저항이 작고, 양호한 유니포머티를 구비한 막을 형성할 수 있고, 반도체 디바이스용 박막(특히, 게이트 전극)막의 형성에 적합한 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다고 하는 우수한 효과를 갖는다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, Ag를 0.01∼0.5wt％ 함유하고, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. Ag의 함유량이 0.01wt％ 미만이면, 막의 비저항을 충분히 작게 할 수 없고, 한편, 0.5wt％를 초과하면, 형성한 박막에 있어서, Ag 그 자체가 불순물이 되어, 원하는 디바이스 특성을 얻을 수 없게 되므로, 바람직하지 않다. 따라서, Ag 함유량은, 0.01∼0.5wt％의 범위로 한다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃은, W 매트릭스상과 Ag의 입자로 이루어지는 조직을 갖고, W 매트릭스상 중에 Ag가 고용되어 있지 않은 것을 특징으로 한다. W 매트릭스상 중에 Ag가 완전히 고용되어 있으면, W의 결정 격자에 변형이 발생하기 때문에 전도 전자가 산란하고, 그 이동이 방해되므로 전기 저항이 증가하기 때문이다. 본 발명에서는 주사형 전자 현미경(배율: 2000배)에 의해, 스퍼터링 타깃 면내 9개소(중심 1점, 1/2R[반경]의 균등 4점, R[외주부]의 균등 4점)를 관찰하여, 모든 점에 있어서, 시야 1㎟에 입경 0.1㎛ 이상의 Ag 입자를 확인할 수 있으면, Ag가 완전히 고용되어 있지 않다고 판단한다.
또한, W 자체는 소결 시에 결정화되고, 이 W 결정립의 입계에 Ag 입자가 존재하고 있지만, 입계에 존재하는 Ag 입자의 크기는, 평균 입경이 0.1∼10.0㎛인 것이 바람직하다. 평균 입경이 0.1㎛ 미만이면, Ag가 고용된 경우와 동등한 효과밖에 없고, 한편, 평균 입경이 10.0㎛ 초과이면, W와의 스퍼터 레이트의 차이로부터 노듈이 발생하기 쉬워져 파티클의 발생 요인이 되므로, 바람직하지 않다. 또한, 평균 입경은 결정 입도 측정법(크로스컷법)을 이용하여 산출할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 10％ 이내로 하는 것이 바람직하다. 후술하는 바와 같이, 원료 분말의 입경 조정, 혼합 조건을 조정함으로써, 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 억제할 수 있다. Ag의 조성 변동이 이 수치 범위를 초과하면, 비저항의 유니포머티가 현저하게 저하되기 때문이다.
Ag의 조성의 변동은, 원반 형상 타깃에 있어서, 중심 1점, 1/2R(반경)의 균등 8점, 및 외주로부터 1㎝ 내측(외주부)의 균등 8점의 합계 17점에 대해, 각 점(체적: 0.5∼2㎤)에 있어서의 Ag 함유량을 측정하고, 그 최댓값, 최솟값, 평균값으로부터 다음 식을 이용하여 산출한다.
Ag의 조성 변동(％)＝{(Ag 함유량의 최댓값)－(Ag 함유량의 최솟값)}/(Ag 함유량의 평균값)×100
또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃은, 순도가 99.999％(5N) 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 순도는, GDMS(글로우 방전 질량 분석법)를 이용하여 측정한 불순물 함유량으로부터 산출할 수 있고, 상기 불순물에는, 구성 원소인 W 및 Ag, 가스 성분(O, C, N, H, S, P)은 포함되지 않는다. 본 발명의 타깃에 형성되는 박막은, 특히 반도체 디바이스에 있어서의 게이트 전극으로서 사용되는 것이지만, 이 게이트 전극 중에 알칼리 금속이나 전이 금속 등의 금속 불순물이 많이 포함되어 있으면, 이들 불순물이 디바이스 특성을 악화시켜, 반도체 디바이스로서의 품질을 열화시키게 된다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 분말 소결법을 이용하여 제작할 수 있다.
먼저, 평균 입경이 0.1∼10.0㎛인 W 분말과 평균 입경이 0.1∼10㎛인 Ag 분말을 준비한다. 이들 원료 분말은 순도 5N 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 다음으로, 이들 분말을 Ag가 0.01∼0.5wt％로 되는 배합비로 혼합한다. 혼합에는, 특히 포트 밀이나 메커니컬 알로이 등을 이용함으로써 Ag를 균일하게 분산시킬 수 있다.
다음으로, 혼합 분말을 10∼50㎫의 가압력, 1600∼2000℃에서 핫 프레스에 의해 소결하여, 타깃재(소결체)를 제조할 수 있다. 소결 온도가 지나치게 낮으면, 소결체의 밀도가 충분히 높아지지 않는다고 하는 문제가 있고, 한편, 소결 온도가 지나치게 높으면, Ag가 W 중에 고용될 우려가 있다. 또한, 소결 시에 15∼30㎫의 가압력으로 하는 것은, 15㎫ 미만의 저압에서는 밀도가 향상되지 않고, 30㎫를 초과하는 고압을 가하면, 프레스면과 평행하게 층상의 크랙이 발생해 버리기 때문이다.
또한, 타깃 밀도를 더욱 높이기 위해, 냉간 등방압 가압 처리(CIP 처리)나 열간 등방 가압 처리(HIP 처리)를 행하는 것이 유효하다. HIP 처리는 1600∼2000℃, 100∼200㎫의 조건하에서 행할 수 있다. 이에 의해, 밀도 95％ 이상의 소결체를 얻을 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 소결체를 타깃 형상으로 절단, 절삭·연마 등에 의해 타깃을 제작할 수 있다. 또한, 스퍼터링 타깃으로서 사용하는 경우에는, 이것을 백킹 플레이트에 본딩하여 사용하게 된다.
실시예
다음으로, 실시예에 대해 설명한다. 또한, 본 실시예는 발명의 일례를 나타내기 위한 것이며, 본 발명은 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상에 포함되는 다른 양태 및 변형을 포함하는 것이다.
(실시예 1)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상, 평균 입경 5.0㎛의 Ag 분말을 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을 포트 밀 중에서 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을, 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1800℃로 가열하고, 15㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.05wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.1％였다. 다음으로, 이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 10％ 이내였다. 또한, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다.
다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 또한, 스퍼터 조건은, 전원: 직류 방식, 전력: 15kW, 도달 진공도: 5×10-8Torr, 분위기 가스 조성: Ar, 스퍼터 가스압: 5×10- 3Torr, 스퍼터 시간: 15초로 하였다(이하의 실시예 및 비교예도 마찬가지로 하였다). 얻어진 박막에 대해, KLA텐코르사제 옴니맵을 사용하여 막의 시트 저항을 측정하고, 또한 XRR(X선 반사율 측정)을 사용하여 막 두께를 측정하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 8％ 저하되었다. 또한, 면 내의 비저항의 균일성(유니포머티)을 측정한바 5％ 이하로 양호한 결과가 얻어졌다. 이상의 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
(실시예 2)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상의 Ag 덩어리를 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을, 메커니컬 알로이를 이용하여 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1600℃로 가열하고, 30㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.05wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.1％였다.
이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 10％ 이내였다. 또한, 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 9％ 저하되었다. 또한, 면 내의 비저항 균일성(유니포머티)을 측정한바, 5％ 이하로 양호한 결과가 얻어졌다.
(실시예 3)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상, 평균 입경 10.0㎛의 Ag 분말을 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을 포트 밀 중에서 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1700℃로 가열하고, 20㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.5wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.2％였다.
이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 10％ 이내였다. 또한, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 18％ 저하되었다. 또한, 면 내의 비저항 균일성(유니포머티)을 측정한바, 5％ 이하로 양호한 결과가 얻어졌다.
(실시예 4)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상의 Ag 덩어리를 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을, 메커니컬 알로이를 이용하여 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을, 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1600℃로 가열하고, 30㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.5wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.4％였다.
이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 10％ 이내였다. 또한, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 19％ 저하되었다. 또한, 면 내의 비저항 균일성(유니포머티)을 측정한바, 5％ 이하로 양호한 결과가 얻어졌다.
(비교예 1)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말을 준비하고, 이것을 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1800℃로 가열하고, 25㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.2％였다. 다음으로, 이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하였다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 측정하였다. 또한, 비교예 1의 비저항을 기준으로 하여, 실시예와의 비교를 행하였다.
(비교예 2)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상, 평균 입경 2.0㎛의 Ag 분말을 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을, V형 혼합기를 사용하여 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을, 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1700℃로 가열하고, 30㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.05wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는, 99.2％였다.
이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 40％였다. 또한, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 9％ 저하되어 있었지만, 면 내의 비저항 균일성(유니포머티)을 측정한바, 10％ 이상이었다.
(비교예 3)
원료 분말로서, 순도 5 이상, 평균 입경 2.0㎛의 W 분말과, 순도 5N 이상, 평균 입경 5.0㎛의 Ag 분말을 사용하여, 소정의 비율로 조합하고, 이것을 포트 밀 중에서 혼합하였다. 다음으로, 이 혼합 분말을, 카본 몰드 중에 충전하고, 진공 분위기 중에서, 1600℃로 가열하고, 20㎫로 핫 프레스하였다. 이에 의해, Ag가 0.5wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체가 얻어졌다. 이때 소결체 밀도는 99.6％였다.
이와 같이 하여 얻어진 소결체를 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하고, 이 타깃 중의 Ag의 조성 변동을 조사하였다. 그 결과, Ag의 조성 변동은 24％였다. 또한, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자가 확인되었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항이 17％ 저하되어 있었지만, 면 내의 비저항 균일성(유니포머티)을 측정한바, 10％ 이상이었다.
(비교예 4)
원료 분말로서, 순도 5 이상의 W 덩어리와, 순도 5N 이상의 Ag 덩어리를 사용하여, 소정의 비율로 노에 투입하고, EB 용해를 행하였다. 이에 의해, Ag가 0.05wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 잉곳이 얻어졌다. 이와 같이 하여 얻어진 잉곳을 절삭, 연마 등의 기계 가공을 행하여, 직경 440㎜, 두께 3㎜의 원반 형상 스퍼터링 타깃을 제작하였다. 그리고, 이 타깃을 주사형 전자 현미경으로 관찰한바, W 결정의 입계에 Ag 입자를 확인할 수 없었다. 다음으로, 이 타깃을 사용하여 스퍼터링을 행하여, Ag 함유 텅스텐 박막을 형성하였다. 얻어진 박막에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여, 막의 비저항(Ω·cm)을 산출하였다. 그 결과, Ag를 함유하지 않는 경우(비교예 1)에 비해, 비저항의 저하는 보이지 않았다.
본 발명의 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법은, 비저항이 작고, 양호한 비저항의 유니포머티를 구비한 막을 형성할 수 있다고 하는 우수한 효과를 가지므로, 반도체 디바이스용 박막(특히, 게이트 전극)의 형성에 유용하다.

Claims (6)

  1. Ag를 0.01∼0.5wt％ 함유하고, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
  2. 제1항에 있어서,
    W의 매트릭스상과 Ag 입자로 이루어지는 조직을 갖고, W 매트릭스상 중에 Ag가 고용되어 있지 않은 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    Ag 입자의 평균 입경이 0.1∼10㎛인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    타깃 중의 Ag의 조성 변동이 10％ 이내인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    순도 99.999％ 이상인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃.
  6. 평균 입경이 0.1∼10㎛인 W 분말과 평균 입경이 0.1∼10㎛인 Ag 분말을, Ag가 0.01∼0.5wt％, 잔여가 W 및 불가피적 불순물로 되는 배합비로 혼합하고, 이것을 15∼30㎫의 가압력, 온도 1600∼2000℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타깃의 제조 방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3045331A (en) * 1959-06-26 1962-07-24 Mallory & Co Inc P R Electrical contacts of high arc erosion resistance and method of making the same
JP3822608B2 (ja) * 2004-03-04 2006-09-20 松下電器産業株式会社 チャッキング装置
US20080271779A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 H.C. Starck Inc. Fine Grained, Non Banded, Refractory Metal Sputtering Targets with a Uniformly Random Crystallographic Orientation, Method for Making Such Film, and Thin Film Based Devices and Products Made Therefrom
WO2010119785A1 (ja) 2009-04-17 2010-10-21 Jx日鉱日石金属株式会社 半導体配線用バリア膜、焼結体スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2010261103A (ja) 2009-05-08 2010-11-18 Samsung Electronics Co Ltd スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子
WO2013129434A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6258524A (ja) 1985-09-06 1987-03-14 エヌオーケー株式会社 電気接点部品の接触面被覆方法
JP3721014B2 (ja) 1999-09-28 2005-11-30 株式会社日鉱マテリアルズ スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法
JP3905301B2 (ja) 2000-10-31 2007-04-18 日鉱金属株式会社 タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法
US6660136B2 (en) * 2002-03-27 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Method of forming a non-volatile resistance variable device and method of forming a metal layer comprising silver and tungsten
JP3809435B2 (ja) * 2002-11-11 2006-08-16 住友電気工業株式会社 放電加工用電極材料
EP1574591A4 (en) 2002-11-11 2010-01-27 Sumitomo Electric Industries ELECTRODE MATERIAL FOR SPARK EROSION PROCESSING AND ITS MANUFACTURING METHOD
CN1918672B (zh) * 2004-03-09 2012-10-03 出光兴产株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法
TWI438295B (zh) * 2007-05-04 2014-05-21 Starck H C Inc 具有均勻隨機結晶定向之細粒非帶狀耐熔金屬濺擊目標，製造此膜之方法，及由此製造之薄膜式裝置及產品
KR101269787B1 (ko) 2008-06-02 2013-05-30 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 텅스텐 소결체 스퍼터링 타겟
JP4797099B2 (ja) 2009-10-01 2011-10-19 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 高純度タングステン粉末の製造方法
WO2013175884A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ－Ａｇ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
KR20150023674A (ko) 2012-11-02 2015-03-05 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐막
JP5856710B2 (ja) 2013-03-22 2016-02-10 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3045331A (en) * 1959-06-26 1962-07-24 Mallory & Co Inc P R Electrical contacts of high arc erosion resistance and method of making the same
JP3822608B2 (ja) * 2004-03-04 2006-09-20 松下電器産業株式会社 チャッキング装置
US20080271779A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 H.C. Starck Inc. Fine Grained, Non Banded, Refractory Metal Sputtering Targets with a Uniformly Random Crystallographic Orientation, Method for Making Such Film, and Thin Film Based Devices and Products Made Therefrom
WO2010119785A1 (ja) 2009-04-17 2010-10-21 Jx日鉱日石金属株式会社 半導体配線用バリア膜、焼結体スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2010261103A (ja) 2009-05-08 2010-11-18 Samsung Electronics Co Ltd スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子
WO2013129434A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 Jx日鉱日石金属株式会社 タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

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