JP2004014013A - 情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン(Si)基板上にL10結晶構造を作り、(001)軸を膜面垂直方向に制御し、さらに、結晶粒径を小さくし、記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくする。
【解決手段】表面に酸化膜12が形成されたシリコン(Si)基板11と、上記シリコン(Si)基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層として形成された結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13にて情報記録媒体10を構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】表面に酸化膜12が形成されたシリコン(Si)基板11と、上記シリコン(Si)基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層として形成された結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13にて情報記録媒体10を構成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度記録及び再生が可能な情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置等に使用される情報記録媒体における記録密度を高めるための技術開発が進められている。記録密度を向上するには、1ビットの記録サイズを小さくする必要がある。例えば、磁気記録媒体において、64Gbit/inch2の記録密度を実現するには、直径が約100nmの磁区を記録し再生する必要があり、また、1Tbit/inch2程度の記録密度を実現するには、直径が約25nmの磁区を記録し再生する必要がある。しかし、記録ビットサイズを小さくすると、記録情報を保持している磁化状態が、熱エネルギーによって不安定になり、熱揺らぎにより、記録情報が消えてしまうので、安定に記録することができなくなる。
【0003】
記録ビットサイズを小さくして、情報を安定に記録するためには、磁気異方性の大きな材料を記録膜として用いる必要がある。
【0004】
磁気異方性の大きな材料として、FePd、FePt、CoPt、MnAl、SmCo5などが知られている。なかでも鉄プラチナ(FePt)合金は、図12に示すようなL10構造をとることで6.6〜10×107(erg/cc)という高い結晶磁気異方性を持つことが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
鉄プラチナ(FePt)合金の磁気異方性はL10構造の(001)軸方向に異方性軸を持っているが、鉄プラチナ(FePt)合金は(111)軸方向に成長する膜面の斜め方向に容易軸を持つので、鉄プラチナ(FePt)合金による記録膜を形成するには、L10結晶構造を作ることと、(001)軸を膜面垂直方向に制御することが大切である。さらに、記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくするために、結晶粒径を小さくすることも重要である。
【0006】
従来より、この3つの条件を同時に成立させるために多くの研究開発が進められているが、主に、MgO(001)基板上にFePtをエピタキシャル成長させることで、FePtを膜面垂直方向に異方性軸を揃えるなど、MgO等の単結晶基板を用いてその結晶構造、異方性軸制御、結晶粒径制御が行われているのが現状である。
【0007】
しかしながら、実際に磁気ディスクや光磁気ディスクなどにおける記録膜としてFePt合金薄膜を用いるために、MgO等の単結晶基板を用いることは、基板の価格、サイズ制限などを考慮すると、現実的ではない。
【0008】
そこで、本発明の目的は、半導体プロセスなどで広く使用されているシリコン基板を用い、上記3つの条件を同時に成立させてシリコン基板上にFePt合金による情報記録膜を形成した情報記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る情報記録媒体は、表面に酸化膜が形成された非磁性基板と、結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含み、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層として形成された鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜とからなることを特徴とする。
【0010】
本発明に係る情報記録媒体は、例えば、上記非磁性基板としてシリコン(Si)基板あるいはガラス基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を備える。
【0011】
本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、非磁性基板の表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜を形成する多層膜形成工程と、上記多層膜が形成された非磁性基板に真空中で急速加熱処理を施して、上記多層膜を鉄プラチナ(FePt)規則合金化する急速加熱処理工程とを有し、上記急速加熱処理により結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を上記非磁性基板の酸化膜上に形成することを特徴とする。
【0012】
本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる多層膜を形成する。
【0013】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、非磁性基板としてシリコン(Si)基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を形成する。
【0014】
さらに、本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる4周期の多層膜を形成する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】
本発明は、例えば図1に示すような構造の情報記録媒体10に適用される。
【0017】
この情報記録媒体10は、表面に酸化膜12が形成された非磁性基板11と、上記非磁性基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層として形成された結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13とからなる。具体的には、上記非磁性基板11としてシリコン(Si)基板を用い、その酸化膜12すなわち酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13が形成されている。
【0018】
上記情報記録媒体10は、その製造工程を図2のフローチャートに示してあるように、酸化処理工程P1、多層膜形成工程P2及び急速加熱処理工程P3により製造される。上記非磁性基板11としてガラス基板等を用いる場合には、上記酸化処理工程P1は不要である。
【0019】
酸化処理工程P1では、酸化処理工程P1では、図3の(A)に示すように、非磁性基板11の表面に酸化膜12を形成する。具体的には、シリコン(Si)基板11の表面に酸化シリコン(SiO2)膜12を形成した。
【0020】
次の多層膜形成工程P2では、図3の(B)に示すように、上記非磁性基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜13Aを形成する。具体的には、シリコン(Si)基板11の表面の酸化シリコン(SiO2)膜12上に下地層として鉄(Fe)を厚さ2.02nmスパッタし、その上にプラチナ(Pt)を厚さ1.73nmスパッタし、さらに鉄(Fe)を厚さ2.02nmスパッタし、その上にプラチナ(Pt)を厚さ1.73nmスパッタする処理を繰り返し行うことにより4周期の多層膜13Aを形成した。
【0021】
なお、積層周期Xの多層膜13Aを形成したシリコン(Si)基板11を(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板という。
そして、急速加熱処理工程P3では、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO/Si基板11に真空中で急速加熱処理を施すことにより上記多層膜13Aを鉄プラチナ(FePt)規則合金化して、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を上記非磁性基板11の酸化膜12上に形成する。すなわち、熱処理前の多層膜13Aは、図4の(A)に示すように、気相冷却効果により不規則fcc構造を持ち軟磁気特性を呈するが、熱処理により安定相である規則相fct構造(L10)を形成し、高い保持力を呈する鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を形成する。この急速加熱処理工程P3における急速加熱処理では、例えば真空チェンバ内でハロゲンランプによる光を放物面鏡により集光して被加熱部材すなわち上記多層膜13Aが形成された非磁性基板11に照射することにより、1分間で500°Cまで急速加熱して、500°Cで5分間熱処理を施したところ、図4の(B)に示すように、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を上記非磁性基板11の酸化膜12上に形成することができた。
【0022】
このように(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板11に対して1分間で500°Cまで急速加熱して、500°Cで5分間熱処理する急速加熱処理を真空中で施すことにより鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を形成した情報記録媒体10について、室温における垂直方向の磁化特性及び面内方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を図5及び図6に示す。
【0023】
上記情報記録膜13は、垂直方向の磁化特性が大きな保持力及び残留磁化を示すヒステリシス特性を有し、垂直記録に好適なものとなっている。
【0024】
ここで、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を試料として、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度や規則化度の依存性、昇温速度に対する規則相fct構造の依存性について測定を行った。
【0025】
急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度(001)、積分強度(111)及び積分強度(002)の依存性について測定した結果を図7に強度比[(001)/(111)]とともに示す。この図7から明らかなように、急速加熱処理では3分〜17分の加熱時間で強度比[(001)/(111)]が30以上となる。
【0026】
また、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度(001)と規則化度の依存性について測定した結果を図8に示す。この図8から明らかなように、急速加熱処理では1分以上の加熱時間で規則化度が0.6以上に上昇する。
【0027】
また、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)と8.3°C/秒(500°C/分)の2種類の昇温速度で15分間加熱した各試料ついて、X線回折パターンを測定した結果を図9に示す。この図9から明らかなように、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)の昇温速度で15分間加熱した試料では、規則相fct(111)構造の生成が僅かに見られるに過ぎないが、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を8.34°C/秒(500°C/時)の昇温速度で15分間加熱した試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造が生成される。
【0028】
また、積層周期X=4、X=8、X=12、X=14とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板を8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンを測定した結果を図10に示す。
【0029】
この図10から明らかなように、X=8やX=12の試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造とともに規則相fct(111)構造が生成される。また、X=16の試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造は生成されずに規則相fct(111)構造が生成される。
【0030】
これに対し、X=4の試料すなわち4周期の(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板では、急速加熱処理により規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造が多く生成され、特に規則相fct(001)構造がより多く生成される。
【0031】
さらに、非磁性基板の酸化膜上に形成する多層膜の下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板に対して8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンの積分強度(001)、積分強度(111)及び積分強度(002)を測定した結果を図11に強度比[(001)/(111)]とともに示す。この図11から明らかなように、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板では、下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と比較して約7倍の強度比[(001)/(111)]が得られる。
【0032】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、非磁性基板の表面に酸化膜を形成し、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜を形成し、上記多層膜が形成された非磁性基板に真空中で急速加熱処理を施すことにより、上記多層膜を鉄プラチナ(FePt)規則合金化して、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を上記非磁性基板の酸化膜上に形成することができる。
【0033】
また、上記非磁性基板としてシリコン(Si)基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を形成することができる。
【0034】
さらに、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる4周期の多層膜を形成することにより、規則相fct(001)構造を多く生成することができる。
【0035】
したがって、本発明によれば、シリコン(Si)基板上にL10結晶構造を作り、(001)軸を膜面垂直方向に制御し、さらに、結晶粒径を小さくして記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した情報記録媒体の構造を示す模式的な断面図である。
【図2】上記情報記録媒体の製造工程を示すフローチャートである。
【図3】上記情報記録媒体の製造工程における各処理工程での処理結果を模式的に示す図である。
【図4】熱処理前及び急速加熱処理後の多層膜の表面を拡大して示す図である。
【図5】上記情報記録媒体について、室温における垂直方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を示す図である。
【図6】上記情報記録媒体について、室温における面内方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を示す図である。
【図7】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対する上記多層膜のX線回折パターンの積分強度の依存性を測定した結果を示す図である。
【図8】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度と規則化度の依存性を測定した結果を示す図である。
【図9】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)と8.3°C/秒(500°C/分)の2種類の昇温速度で15分間加熱した各試料ついて、X線回折パターンを測定した結果を示す図である。
【図10】X=4、X=8、X=12、X=14とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板を8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンを測定した結果を示す図である。
【図11】多層膜の下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板に対して8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンの積分強度を測定した結果を示す図である。
【図12】鉄プラチナ(FePt)合金のL10構造を模式的に示す図である。
【符号の説明】
10 情報記録媒体、12 酸化膜、11 非磁性基板、13 情報記録膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度記録及び再生が可能な情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置等に使用される情報記録媒体における記録密度を高めるための技術開発が進められている。記録密度を向上するには、1ビットの記録サイズを小さくする必要がある。例えば、磁気記録媒体において、64Gbit/inch2の記録密度を実現するには、直径が約100nmの磁区を記録し再生する必要があり、また、1Tbit/inch2程度の記録密度を実現するには、直径が約25nmの磁区を記録し再生する必要がある。しかし、記録ビットサイズを小さくすると、記録情報を保持している磁化状態が、熱エネルギーによって不安定になり、熱揺らぎにより、記録情報が消えてしまうので、安定に記録することができなくなる。
【0003】
記録ビットサイズを小さくして、情報を安定に記録するためには、磁気異方性の大きな材料を記録膜として用いる必要がある。
【0004】
磁気異方性の大きな材料として、FePd、FePt、CoPt、MnAl、SmCo5などが知られている。なかでも鉄プラチナ(FePt)合金は、図12に示すようなL10構造をとることで6.6〜10×107(erg/cc)という高い結晶磁気異方性を持つことが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
鉄プラチナ(FePt)合金の磁気異方性はL10構造の(001)軸方向に異方性軸を持っているが、鉄プラチナ(FePt)合金は(111)軸方向に成長する膜面の斜め方向に容易軸を持つので、鉄プラチナ(FePt)合金による記録膜を形成するには、L10結晶構造を作ることと、(001)軸を膜面垂直方向に制御することが大切である。さらに、記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくするために、結晶粒径を小さくすることも重要である。
【0006】
従来より、この3つの条件を同時に成立させるために多くの研究開発が進められているが、主に、MgO(001)基板上にFePtをエピタキシャル成長させることで、FePtを膜面垂直方向に異方性軸を揃えるなど、MgO等の単結晶基板を用いてその結晶構造、異方性軸制御、結晶粒径制御が行われているのが現状である。
【0007】
しかしながら、実際に磁気ディスクや光磁気ディスクなどにおける記録膜としてFePt合金薄膜を用いるために、MgO等の単結晶基板を用いることは、基板の価格、サイズ制限などを考慮すると、現実的ではない。
【0008】
そこで、本発明の目的は、半導体プロセスなどで広く使用されているシリコン基板を用い、上記3つの条件を同時に成立させてシリコン基板上にFePt合金による情報記録膜を形成した情報記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る情報記録媒体は、表面に酸化膜が形成された非磁性基板と、結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含み、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層として形成された鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜とからなることを特徴とする。
【0010】
本発明に係る情報記録媒体は、例えば、上記非磁性基板としてシリコン(Si)基板あるいはガラス基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を備える。
【0011】
本発明に係る情報記録媒体の製造方法は、非磁性基板の表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜を形成する多層膜形成工程と、上記多層膜が形成された非磁性基板に真空中で急速加熱処理を施して、上記多層膜を鉄プラチナ(FePt)規則合金化する急速加熱処理工程とを有し、上記急速加熱処理により結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を上記非磁性基板の酸化膜上に形成することを特徴とする。
【0012】
本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる多層膜を形成する。
【0013】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、非磁性基板としてシリコン(Si)基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を形成する。
【0014】
さらに、本発明に係る情報記録媒体の製造方法では、例えば、上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる4周期の多層膜を形成する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】
本発明は、例えば図1に示すような構造の情報記録媒体10に適用される。
【0017】
この情報記録媒体10は、表面に酸化膜12が形成された非磁性基板11と、上記非磁性基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層として形成された結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13とからなる。具体的には、上記非磁性基板11としてシリコン(Si)基板を用い、その酸化膜12すなわち酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13が形成されている。
【0018】
上記情報記録媒体10は、その製造工程を図2のフローチャートに示してあるように、酸化処理工程P1、多層膜形成工程P2及び急速加熱処理工程P3により製造される。上記非磁性基板11としてガラス基板等を用いる場合には、上記酸化処理工程P1は不要である。
【0019】
酸化処理工程P1では、酸化処理工程P1では、図3の(A)に示すように、非磁性基板11の表面に酸化膜12を形成する。具体的には、シリコン(Si)基板11の表面に酸化シリコン(SiO2)膜12を形成した。
【0020】
次の多層膜形成工程P2では、図3の(B)に示すように、上記非磁性基板11の酸化膜12上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜13Aを形成する。具体的には、シリコン(Si)基板11の表面の酸化シリコン(SiO2)膜12上に下地層として鉄(Fe)を厚さ2.02nmスパッタし、その上にプラチナ(Pt)を厚さ1.73nmスパッタし、さらに鉄(Fe)を厚さ2.02nmスパッタし、その上にプラチナ(Pt)を厚さ1.73nmスパッタする処理を繰り返し行うことにより4周期の多層膜13Aを形成した。
【0021】
なお、積層周期Xの多層膜13Aを形成したシリコン(Si)基板11を(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板という。
そして、急速加熱処理工程P3では、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO/Si基板11に真空中で急速加熱処理を施すことにより上記多層膜13Aを鉄プラチナ(FePt)規則合金化して、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を上記非磁性基板11の酸化膜12上に形成する。すなわち、熱処理前の多層膜13Aは、図4の(A)に示すように、気相冷却効果により不規則fcc構造を持ち軟磁気特性を呈するが、熱処理により安定相である規則相fct構造(L10)を形成し、高い保持力を呈する鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を形成する。この急速加熱処理工程P3における急速加熱処理では、例えば真空チェンバ内でハロゲンランプによる光を放物面鏡により集光して被加熱部材すなわち上記多層膜13Aが形成された非磁性基板11に照射することにより、1分間で500°Cまで急速加熱して、500°Cで5分間熱処理を施したところ、図4の(B)に示すように、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を上記非磁性基板11の酸化膜12上に形成することができた。
【0022】
このように(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板11に対して1分間で500°Cまで急速加熱して、500°Cで5分間熱処理する急速加熱処理を真空中で施すことにより鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜13を形成した情報記録媒体10について、室温における垂直方向の磁化特性及び面内方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を図5及び図6に示す。
【0023】
上記情報記録膜13は、垂直方向の磁化特性が大きな保持力及び残留磁化を示すヒステリシス特性を有し、垂直記録に好適なものとなっている。
【0024】
ここで、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を試料として、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度や規則化度の依存性、昇温速度に対する規則相fct構造の依存性について測定を行った。
【0025】
急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度(001)、積分強度(111)及び積分強度(002)の依存性について測定した結果を図7に強度比[(001)/(111)]とともに示す。この図7から明らかなように、急速加熱処理では3分〜17分の加熱時間で強度比[(001)/(111)]が30以上となる。
【0026】
また、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度(001)と規則化度の依存性について測定した結果を図8に示す。この図8から明らかなように、急速加熱処理では1分以上の加熱時間で規則化度が0.6以上に上昇する。
【0027】
また、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)と8.3°C/秒(500°C/分)の2種類の昇温速度で15分間加熱した各試料ついて、X線回折パターンを測定した結果を図9に示す。この図9から明らかなように、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)の昇温速度で15分間加熱した試料では、規則相fct(111)構造の生成が僅かに見られるに過ぎないが、(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を8.34°C/秒(500°C/時)の昇温速度で15分間加熱した試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造が生成される。
【0028】
また、積層周期X=4、X=8、X=12、X=14とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板を8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンを測定した結果を図10に示す。
【0029】
この図10から明らかなように、X=8やX=12の試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造とともに規則相fct(111)構造が生成される。また、X=16の試料では、規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造は生成されずに規則相fct(111)構造が生成される。
【0030】
これに対し、X=4の試料すなわち4周期の(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板では、急速加熱処理により規則相fct(001)構造及び規則相fct(002)構造が多く生成され、特に規則相fct(001)構造がより多く生成される。
【0031】
さらに、非磁性基板の酸化膜上に形成する多層膜の下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板に対して8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンの積分強度(001)、積分強度(111)及び積分強度(002)を測定した結果を図11に強度比[(001)/(111)]とともに示す。この図11から明らかなように、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板では、下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と比較して約7倍の強度比[(001)/(111)]が得られる。
【0032】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、非磁性基板の表面に酸化膜を形成し、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜を形成し、上記多層膜が形成された非磁性基板に真空中で急速加熱処理を施すことにより、上記多層膜を鉄プラチナ(FePt)規則合金化して、結晶粒径が40nm以下の孤立した鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を上記非磁性基板の酸化膜上に形成することができる。
【0033】
また、上記非磁性基板としてシリコン(Si)基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を形成することができる。
【0034】
さらに、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる4周期の多層膜を形成することにより、規則相fct(001)構造を多く生成することができる。
【0035】
したがって、本発明によれば、シリコン(Si)基板上にL10結晶構造を作り、(001)軸を膜面垂直方向に制御し、さらに、結晶粒径を小さくして記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した情報記録媒体の構造を示す模式的な断面図である。
【図2】上記情報記録媒体の製造工程を示すフローチャートである。
【図3】上記情報記録媒体の製造工程における各処理工程での処理結果を模式的に示す図である。
【図4】熱処理前及び急速加熱処理後の多層膜の表面を拡大して示す図である。
【図5】上記情報記録媒体について、室温における垂直方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を示す図である。
【図6】上記情報記録媒体について、室温における面内方向の磁化特性を測定した結果として得られたヒステリシス特性を示す図である。
【図7】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対する上記多層膜のX線回折パターンの積分強度の依存性を測定した結果を示す図である。
【図8】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板について、急速加熱処理の加熱時間に対するX線回折パターンの積分強度と規則化度の依存性を測定した結果を示す図である。
【図9】(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板を0.14°C/秒(500°C/時)と8.3°C/秒(500°C/分)の2種類の昇温速度で15分間加熱した各試料ついて、X線回折パターンを測定した結果を示す図である。
【図10】X=4、X=8、X=12、X=14とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))x/SiO2/Si基板を8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンを測定した結果を示す図である。
【図11】多層膜の下地層をプラチナ(Pt)としたPt(2.00)/(Fe(2.02)/Pt(1.23))4/SiO2/Si基板と、下地層を鉄(Fe)とした(Pt(1.73)/Fe(2.02))4/SiO2/Si基板に対して8.3°C/秒(500°C/分)の昇温速度で15分間加熱した各試料について、X線回折パターンの積分強度を測定した結果を示す図である。
【図12】鉄プラチナ(FePt)合金のL10構造を模式的に示す図である。
【符号の説明】
10 情報記録媒体、12 酸化膜、11 非磁性基板、13 情報記録膜
Claims (6)
- 表面に酸化膜が形成された非磁性基板と、
結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含み、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層として形成された鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜と
からなることを特徴とする情報記録媒体。 - 上記非磁性基板としてシリコン(Si)基板あるいはガラス基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を備えることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 非磁性基板の表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、
上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)とプラチナ(Pt)の多層膜を形成する多層膜形成工程と、
上記多層膜が形成された非磁性基板に真空中で急速加熱処理を施して、上記多層膜を鉄プラチナ(FePt)規則合金化する急速加熱処理工程とを有し、
上記急速加熱処理により結晶粒径が40nm以下の鉄プラチナ(FePt)規則合金粒子を含む鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を上記非磁性基板の酸化膜上に形成することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。 - 上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる多層膜を形成することを特徴とする請求項3記載の情報記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板としてシリコン(Si)基板を用い、酸化シリコン(SiO2)表面上に鉄プラチナ(FePt)規則合金による情報記録膜を形成することを特徴とする請求項3記載の情報記録媒体の製造方法。
- 上記多層膜形成工程において、上記非磁性基板の酸化膜上に鉄(Fe)を下地層とした鉄(Fe)とプラチナ(Pt)からなる4周期の多層膜を形成することを特徴とする請求項5記載の情報記録媒体の製造方法。
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