DE3328896A1 - Magnetischer aufzeichnungstraeger - Google Patents
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Description
TER MEER. MÜLLER. STEINUEISTER-...··..· 'SPNY. ·/ SÖ2P170
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft einen magnetischen Aufzeichnungsträger gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs und ein Verfahren
zum Herstellen solcher Träger.
Herkömmliche magnetische Aufzeichnungsträger sind so ausgebildet, daß ein magnetischer Anstrich im wesentlichen aus
einem nadeiförmigen ferromagnetischen Pulver wie Gamma-Eisenoxyd (Gamma-FegO-,), Chromdioxyd CrO2, FeCo-Legierungspulver
oder dergleichen und einem polymeren Binder auf ein unmagnetisches Substrat als magnetische Aufzeichnungsschicht
aufgetragen ist.
Es. sind auch magnetische Aufzeichnungsträger bekannt, bei denen ein ferromagnetisches Metall als Dünnfilm auf einem
unmagnetischen Substrat durch Aufdampfen, Sputtern oder lonenplattieren im Vakuum aus einem ferromagnetischen Metall
oder einer Legierung hergestellt wird und dieser Film als magnetische Aufzeichnungsschicht dient. Ein so hergestellter
Aufzeichnungsträger mit einem Dünnfilm aus einem ferromagnetischen Metall ohne Binder weist eine hohe Packungsdichte
des magnetischen Materials auf, wodurch es selbst bei einer sehr dünnen Schicht möglich ist, eine hohe Remanenz
des magnetischen Flusses zu erhalten. Da die magnetische Schicht darüberhinaus als Dünnschicht ausgebildet ist,
ist es möglich, Signale von kurzer Wellenlänge mit ausgezeichneter Empfindlichkeit aufzuzeichnen, was besonders für
eine hohe Aufzeichnungsdichte erwünscht ist.
Zum Herstellen eines magnetischen Aufzeichnungsträgers mit einem ferromagnetischen Metalldünnfilm wird die sogenannte
'Schrägaufdampfung verwendet. Bei dieser wird Dampf eines
ferromagnetischen Metalls wie Fe und/oder Co schräg auf
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISfER ··
ein unmagnetisches Substrat aufgebracht, wobei der Dampf abgeschieden
wird und zum Wachstum der Schicht fUhrt. Mit dieser Schrägaufdampfung ist es möglich, einen Aufzeichnungsträger
mit hoher Koerzitivkraft zu erhalten. Um aber hohe Koerzitivkraft zu erhalten, muß der Dampfteilchenstrahl von
Pe und/oder Co mit einem Winkel im Bereich zwischen ^0° und
80° auf das unmagnetische Substrat auftreffen, was dazu
führt, daß die Abscheidung nur geringen Wirkungsgrad aufweist. Wird aber die Schrägaufdampfung nicht benutzt, so
ist es schwierig, einen Aufzeichnungsträger mit hoher Koerzitivkraft zu erhalten. Da zum Beispiel Kobalt eine große
magnetische Anisotropie im kristallinen Zustand aufweist, wird Kobalt als Magnetmaterial für Magnetschichten mit hoher
Koerzitivkraft geschätzt. Wenn Kobalt aber schlecht aufgedampft
ist, das heißt, wenn es im wesentlichen rechtwinklig zur Hauptfläche eines unmagnetischen Substrates aufgedampft
ist, ist die Koerzitivkraft der so erzielten Schicht kMner
als 100 Oe. Ein Aufzeichnungsträger mit so geringer Koerzitivkraft
kann aber für Träger mit hoher Aufzeichnungsdichte
20 nicht verwendet werden.
Um eine magnetische Materialschicht hoher Koerzitivkraft
unabhängig von der S chräg-/>uf dampf-Methode herzustellen, ist
schon vorgeschlagen worden, ein Verfahren zu verwenden, bei dem die magnetische Metallschicht nicht direkt auf dem unmagnetischen
Substrat ausgebildet wird, sondern eii.o Grui.dschicht
zwischen dem Substrat und der magnetischen Metallschicht liegt. Es ist ein magnetischer Aufzeichnungsträger
bekannt, bei dem die Grundschicht aus aufgedampftem Chrom
besteht und Kobalt auf diese- Grundschicht aufgedampft ist.
Die magnetischen Eigenschaften eines so hergestellten Aufzeichnungsträgers
hängen aber von der Substrattemperatür
ab, bei der die magnetische Metallschicht aufgedampft ist. Um zum Beispiel eine Koerzitivkraft von über 400 Oe mit
einer Kobaltschicht von 4θ nm als Deckschicht zu erhalten,
ist es erforderlich, das Substrat auf JOO 0C aufzuheizen*
Soll ein magnetischer Aufzeichnungsträger mit einer Koerzitivkraft von 400 Oe auf einem unmagnetischen Substrat hergestellt
werden, so ist es schwierig, einen Polymerfilm wie aus Polyäthylen-Terephthalat als Substrat zu verwenden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen magnetischen Aufzeichnungsträger der eingangs genannten Art so auszubilden,
daß er auf einem organischen Substratfilm bei niedrigeren Temperaturen als bisher hergestellt werden kann und
dennoch hohe Koerzitivkraft aufweist.
Die erfindungsgemäße Lösung ist im Hauptanspruch gekennzeichnet.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Der erfindungsgemäße magnetische Aufzeichnungsträger weist eine bestimmte Schichtfolge mit einer ersten urimagnetischen
Grundschicht, einer ersten magnetischen Schicht, einer zweiten magnetischen Grundschicht und einer zweiten magnetischen
Schicht auf. Vorteilhafterweise liegt zwischen der ersten magnetischen Metallschicht und der zweiten unmagnetischen
Grundschicht eine Verbindungsschicht aus einer chemischen Verbindung des Metalls der ersten magnetischen Schicht.
Solche magnetischen Aufzeichnungsträger weisen hohe Koerzitivkraft
und isotrope magnetische Eigenschaften in der Trägerebene auf.
Der erfindungsgemäße Aufbau hat als vreiteren Vorteil, daß
das Aufdampfen des magnetischen Materials im wesentlichen rechtwinklig zur Substratoberfläche erfolgen kann. Es kann
also nicht nur bei niedrigeren Temperaturen, sondern auch schneller gearbeitet werden als bisher.
TER MEER · MÜLLER · STEINMeiS»TER
Die Erfindung und Ausgestaltungen derselben werden im folgenden an Hand von Figuren näher veranschaulicht. Es zeigen:
Pig. 1-4 vergrößerte Teilquerschnitte von erfindungsgemäßen magnetischen Aufζeichnungsträgern;
Fig. 5 ein schematisches Diagramm eines Vakuum-Abscheidungsgerätes
zum erfindungsgemäßen Herstellen eines magnetischen Aufzeichnungsträgers.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten magnetischen Aufzeichnungsträger ist eine erste Grundschicht 2 aus Wismut Bi auf einem
unmagnetischen Substrat 1 abgeschieden. Darüber befindet sich eine erste magnetische Metallschicht 3 aus Kobalt Co oder Co-
Ni-Legierung. Eine zweite Grundschicht 4 aus Wismut Bi ist über der ersten magnetischen Metallschicht 3 und über
der ersteren wiederum eine zweite magnetische Metallschicht aus Kobalt Co, Co-Ni-Legierung oder dergleichen angeordnet.
Im praktischen Gebrauch stellt sich jedoch heraus, daß ein so aufgebauter magnetischer Aufzeichnungsträger nicht die
erwünschte hohe Koerzitivkraft der zweiten Magnetschicht aufweist. Der Grund hierfür kann der folgende sein. Da die
Grundschicht 4 aus Wismut unter der zweiten magnetischen Metallschicht 5 hohe Affinität zur ersten Metallschicht 3
beim Aufbringen aufweist, diffundiert das V.'imut in die metallische Magnetschicht 3, weswegen die dann aufgebrachte
zweite magnetische Metallschicht 5 keine, hohe Koerzitivkraft
25 aufweist.
Eine Verbesserung wird dadurch erzielt, daß gemäß Fig. 2
auf der ersten magnetischen Metallschicht 3 eine Zwischenschicht 6 aus Silizium Si oder einer Siliziumverbindung
und auf dieser die Wismut-Grundschicht 4 abgeschieden ist.
ItK MttK · MOULtK · CaI £II\WV)fcl»T ER ■>' " -.o^wi - ο O;rifU
Da es in diesem Pall möglich ist, das Wismut an der Diffusion
in die darunter liegende Schicht zu hindern, wenn die zweite magnetische Metallschicht 5 auf die Wismutschicht 4 abgeschieden
wird, kann die zweite magnetische Metallschicht 5 hohe Koerzitivkraft aufweisen.
Es ist auch möglich, gemäß Fig. 3 auf dem unmagnetischen
Substrat 1 zunächst eine Grundschicht 7 aus Silizium Si oder einer Siliziumverbindung aufzubringen und auf dieser die
Wismutschicht 2 abzuscheiden. Ein so hergestellter magnetischer Aufzeichnungsträger hat den Vorteil, daß die Abhängigkeit
vom Material des unmagnetischen Substrates nich.t mehr besteht und dadurch ein billiges Material wie z. B.
Polyäthylen-Terephthalat als Film für das unmagnetische Substrat 1 verwendet werden kann.
In Bezug auf die remanente Flußstärke Br ist jedoch gegenüber
den Ausführungsformen 2 und 3 noch eine Verbesserung
möglich, bei denen die unmagnetische Zwischenschicht 6 zwischen der ersten magnetischen Metallschicht 3 und der
zweiten Metallschicht 5 liegt.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 ist eine erste unmagnetische
Metallschicht 2 auf einem unmagnetischen Substrat zum Beispiel durch Abscheidung aus dem Vakuum aufgebracht.
Zwischen diesen .beiden Schichten kann eine kontinuierliche Schicht 7 aus Silizium Si oder einer Siliziumverbindung liegen,
die aber auch weggelassen sein kann. Eine erste magnetische Schicht 3 ist als kontinuierliche Schicht auf der
ersten unmagnetischen Metallschicht 2 ausgebildet. Die
erste magnetische Metallschicht 3 ist mit anderen Verfahren als dem der Schrägaufdampfung hergestellt. Die erste magnetische
Metallschicht 3 ist so hergestellt, daß die Dampfteilchen des magnetischen Metalls im wesentlüien rechtwinklig
zur Substratoberfläche auftreffen.
TER MEER · MÜLLER · STEINtJiefSTER" «SONY - S83Pl?O
In Pig.5 ist schematisch ein Beispiel eines Vakuum-Abscheidegerätes
dargestellt, mit dem das anmeldegemäße Verfahren durchgeführt werden kann. In einer Vakuumkammer 21 wird
zwischen einer Versorgungsrolle 23 und einer Aufnahmerol-Ie
24' ein unmagnetisches Substrat 22 in der durch den
Pfeil a dargestellten Richtung transportiert. In zwei Materialquellen 25 und 26 befinden sich die aufzudampfenden
Substanzen, das heißt zum Beispiel Wismut Bi für die Grundsehicht
und Kobalt oder eine Co-Ni-Legierung als magnetisches
Metall. Hinter dem Substrat 22 angeordnete Heizlampen 27 dienen zum Regeln der Temperatur des Substrats.
Zwischen den Materialquellen 25 und 26 ist eine Abschirmung
28 angeordnet.
Die Oberfläche der ersten Magnetschicht 3 des Trägers gemäß
Pig. 4 wird einer Oxydationsbehandlung unterworfen, bei der das Material der ersten magnetischen Metallschicht zum Beispiel
oxydiert wird, wodurch ein Oxydfilm 15 extrem geringer
Dicke auf der ersten Metallschicht 3 ausgebildet wird. Auf dem OxydfÜm 15 wird dann eine 2v;eite unmagnetische Metallschicht
4 aus demselben Material wie dem der ersten unmagnetischen Metallschicht 2 zum Beispiel durch Vakuumabscheidung
aufgebracht. Darauf wird dann eine zweite magnetische Schicht 5 zum Beispiel aus demselben Material wie dem der
ersten magnetischen Metallschicht 3 abgeschieden. Die erste und die zweite unmagnetische Grundschicht 2 und 4 können aus
Wismut Bi, Antimon Sb, Thallium Tl, Selen Se, Cadmium Cd,
Indium In, Zinn Sn, Tellur Te, Blei Pb, Pollonium Po, oder Legierungen derselben hergestellt sein. Es hat sich herausgestellt,
daß insbesondere beim Verwenden von Wismut Bi die Koerzitivkraft Hc abgeschiedener Metallschichten 3 und
5 erheblich erhöht werden konnte. Vorzugsweise wird daher für die unmagnetischen Metallschichten 2 und 4 verwendet.
Die Dicke dieser Schichten wird so eingestellt, daß die
TER MEER -MÜLLER . STEIN*MelS"f ER'-" "-' S©NY·^' S83PI7O w w "~ w w w w
mittlere Filmdicke im Bereich zwischen 1 und 100 nm (lug/cm
bis 100 ug/cm ) bevorzugt im Bereich zwischen 10 und 100 nm liegt. Die Schichten 2 und 4 aus Wismut können eine Inselstruktur
aufweisen.
Die Substrattemperatur, das heißt die Temperatur des unmagnetischen
Substrats beim Aufdampfen der unmagnetischen Metallschichten 2 und 4 wird vorzugsweise höher als 2/3 des Schmelzpunktes
des unmagnetischen Materials ausgedrückt in der absoluten Temperaturskala, jedoch niedriger als der Schmelzpunkt
gewählt. Es ist klar, daß dann die Hitzebeständigkeit des unmagnetischen Substrates 1 berücksichtigt werden muß.
Die erste magnetische Metallschicht 3 und die zweite entsprechende
Schicht 5 werden vorzugsweise als aus dem Vakuum abgeschiedene Filme eines Metalles wie Kobalt Co oder einer
Kobaltlegierung wie Co-Ni mit weniger als 40 Gewichtsprozent Nickel hergestellt. Die Filmdicke wird im Bereich zwischen
10 - 100 nm, bevorzugt im Bereich von 25 - 50 nm, eingestellt.
Wenn die Dicke der Magnetschichten 3 und 5 zu dünn wird, wird keine ausreichende remanente Flußdichte Br erzielt. Wird die
Dicke dagegen zu dick, wird die Koerzitivkraft Hc zu gering und ebenso das Rechteckverhältnis Rs.
Die auf der Oberfläche der ersten magnetischen Schicht 3 ausgebildete Verbindungsschicht 15 wird vorzugsweise aus
einem Material hergestellt, das die Benetzung oder Affinität für die zweite unmagnetische Schicht 4 heruntersetzt und mit
dem es möglich ist, die Schicht dünn genug auszubilden. Vorzugsweise
wird die Verbindungsschicht 15 daher als Oxydschicht
ausgebildet, die durch Oxydieren der Oberfläche der ersten magnetischen Metallschicht 3 selbst hergestellt wird.
Die Dicke der Oxydschicht 15 liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 1 und 10 nm. Die Verbindungsschicht 15 kann auch
eine Nitrid- oder Karbid-Schicht sein.
TER MEER - MÜLLER · STEINteteiSTER*· ·* 'SONY*-"*S&3P170
- 11 -
Zum Herstellen der Verbindungsschicht I5 als Oxydschicht
des magnetischen Materials wird nach dem Abscheiden der Magnetschicht 3 Sauerstoff in die Vakuumkammer geleitet
und dann die Magnetschicht 3 einer Oxydierungsbehandlung
in einem Gleichstrom-Wechselstrom- oder Hochfrequenzplasma unterworfen, das dadurch erzeugt wird, daß eine bestimmte
Gleich-, Wechsel- oder Hochfrequenzspannung zwischen einem Paar von Elektroden zu beiden Seiter, eines unmagnetischen
Trägers angelegt wird, wobei die Verbindungsschicht 15
entsteht. Die Dicke der Oxydschicht kann dadurch eingestellt werden, indem der Partialdruck des zugeführten
Sauerstoffs oder die Stärke der angelegten Spannung, die Form der Elektroden, der Abstand zwischen den Elektroden,
die Zeit des angelegten elektrischen Feldes oder andere Größen geregelt werden.
Das unmagnetische Substrat 1 kann aus einem Polymerfilm wie aus Polyimid, Polyäthylen-Terephthalat oder dergleichen,
Keramik oder Glas oder einem Metallfilm mit oxydierter Oberfläche oder dergleichen hergestellt sein. Ein so hergestellter
magnetischer Aufzeichnungsträger weist magnetische Eigenschaften auf, die in seiner Ebene isotrop sind.
Wismut Bi wurde auf einem unmagnetischen Substrat 1 aus Polyimid bei einer Temperatur von I50 C mit einer mittleren
Dicke von 5 nm abgeschieden. Dann wurde eine Nl-Co-Magnetschicht
3 mit 20 Gewichtsprozent Ni mit einer Dicke von 30 nm abgeschieden. Daraufhin wurde Sauerstoff in die
Vakuumkammer mit einem Druck von 0,06 Torr eingeleitet. Plasmabehandlung erfolgte für eine Minute bei einer Gleichspannung
von 1 kV und einem Strom von 12OmA zum Oxydieren der Oberfläche der Magnetschicht 3·
TER MEEK · MÖLLER
Dann wurde·wiederum Wismut mit einer mittleren Filmdicke
von 5 nm bei einer Temperatur von I50 0C abgeschieden, um
so die zweite nichtmagnetische Grundschicht 4 auszubilden. Auf dieser wurde eine Ni-Co-Legierung mit 20 Gewichtsprozent
Ni mit einer Dicke von 30 nm als zweite Magnetschicht 5 abgeschieden. Dann wurde wiederum Sauerstoff in die Vakuumkammer
mit einem Druck von 0,06 Torr eingeleitet. Die Plasmabearbeitung erfolgte wieder für eine Minute bei einer Gleichspannung
von 1 kV und 120 mA zum Ausbilden eines Oxydfilms auf der zweiten .Magnetschicht 5.
Die magnetischen Eigenschaften des so hergestellten magnetischen Aufzeichnungsträgers wurden wie folgt ermittelt:
Koerzitivkraft Hc 860 Oe, Rechteckverhältnis Rs 82,6 und magnetische Flußdichte Br 11000 Gauss.
Die Dickeder auf der Magnetschicht ausgebildeten Verbindungsschicht wurde zu etwa 4 nm berechnet. Die Berechnung wurde
wie folgt ausgeführt. Um die Filmdicke der.durch die Plasmaabscheidung
im Sauerstoff hergestellten Oxydschicht zu überprüfen, wurde die Magnetisierung des Films ohne Oxydation
aber mit aufeinanderfolgendem Aufdampfen von Wismut mit 5 nm, einer Nickel-KobalkLegierung von 30 nm, einer Wismutschicht
von 5 nm und einer Nickel-Kobalt-Legierung mit 20 Gewichtsprozent Nickel von 30 nm mit einem Schwingungsmagnetometer
^T-SM) im Vergleich zum oxydierten Film gemessen,
so daß die Dicke des Oxydfilms aus der Abnahme der Magnetisierung berechnet werden konnte.
Vergleichsbeispiel 1
Wie beim Beispiel 1 wurde Silizium mit 20 nm, Wismut mit
50 nm und Ni-Co mit 20 Gewichtsprozent Ni von 30 nm aufeinanderfolgend
auf einem unmagnetischen Substrat 1 aus
TER MEER - MÖLLER . STEIJJ JerL' '"**>&*.&W7O 33 288 96
Polyimid bei 150 C Substrattemperatur abgeschieden. Darauf
wurden wiederum Silizium mit 20 nm, Wismut mit 5 nm und
Ni-Co mit 20 Gewichtsprozent Ni mit 30 nm abgeschieden, um
so einen magnetischen Aufzeichnungsträger herzustellen. Die magnetischen Eigenschaften dieses Trägers waren die
folgenden: Koerzitivkraft Hc 890 Oe, Rechteckverhältnis Rs
81,5 und remanente Flufldichte Br 7000 Gauss. Die remanente
Flußdichte Br des Vergleichsbeispiels 1 ist geringer als beim Beispiel 1. Dies rührt von der unmagnetischen Siliziumschicht
als Zwischenschicht im Vergleichsbeispiel her.
Wenn also eine der Zwischenschicht entsprechende Verbindungsschicht 15 also Oxydschicht durch Oxydieren der Oberfläche
der ersten Magnetschicht 3 hergestellt wird, kann die Dicke dieser Zwischenschicht sehr gering ausgebildet werden, was
dazu führt,daß die remanente Flußdichte des Aufzeichnungsträgers
erhöht werden kann.
Da die Verbindungsschicht 15 als Zwischenschicht vorliegt, kann darüberhinaus das Material der darauf ausgebildeten
unmagnetischen Schicht H- nicht in die darunter liegende
Schicht diffundieren, was zu einem Erhöhen der Koerzitivkraft der zweiten, darüber ausgebildeten magnetischen Metallschicht
5 führt. Auch ist es möglich, die Koerzitivkräfte der ersten und der zweiten magnetischen Schichten
3 und 5 so einzustellen, daß sie einander gleich sind,
Der Anmeldegegenstand ist nicht auf die Verwendung in einem magnetischen Aufzeichnungsträger von Mehrfachstruktur mir
nur zwei magnetischen Schichten beschränkt, sondern die Anwendung 1st auch bei Mehrschichtstrukturen mit mehr als
drei Schichten möglich, die jedoch die erste und die zweite genannte Magnetschicht aufweisen.
ι crt iviccn · iviut-Lcrt
V/ie beschrieben, wird ein anmeldegemäßer Aufzeichnungsträger nicht durch Schragaufdampfung hergestellt und kann dennoch
eine hohe Koerzitivkraft bei einem guten Wirkungsgrad der Abscheidung aufweisen. Darüber hinaus ergibt sich als Vorteil,
daß wegen des Vermeidens des Schrägaufdampfens der Träger in seiner Ebene isotrope magnetische Eigenschaften
aufweist und daher als Platte und dergleichen verwendet werden kann.
Leerseite
Claims (8)
- TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTERPATENTANWÄLTE — EUROPEAN PATENT ATTORNEYSDipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl -Ing. H. Steinmeister Dipl.-Ing. F. E. Müller . . . . . , „Triftstrasse A, Artur-Ladebeck-Strasse S1D-8OOO MÜNCHEN 22 D-48OO BIELEFELDMU/J/ho 10. August 1983S85PI7OSONY CORPORATION7-55 Kitashinagawa 6-chomeShinagawa-ku, Tokyo 141, JapanMagnetischer AufzeichnungsträgerPriorität:. 12. August igSP, Japan, Nr. 140248/82PATENTANSPRÜCHE(l) Magnetischer Aufzeichnungsträger mit Schichten auf einem unmagnetischen Substrat (1), gekennzeichnet durch- eine erste Grundschicht (2) aus Wismut auf dem Substrat,- eine erste magnetische Metallschicht (J>) auf der ersten Grundschicht,- eine Verbindungsschicht (15) aus einer chemischen Verbindung, die auf einem Oberflächenbereich der magnetischen Metallschicht ausgebildet ist und aus dem magnetischen Metall hergestellt ist,ι tr-<: - eine zweite Grundschicht (4) aus Wismut aufder Verbindungsschicht und- eine zweite magnetische Metallschicht (5) auf der zweiten Grundschicht.
- 2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die "Grundschichten (2, 4) eine Dicke im Bereich von 1 bis 100 nm aufweisen.
- J5. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1 oder 2, d a durch gekennzeichnet, daß das magnetische Metall Kobalt oder eine Kobalt-Nickel-Legierung ist.
- 4. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis j5, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Metallschichten (J>, 5) eine Dicke im Bereich von 10 bis 100 nm aufweisen.
- 5. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine amorphe Schicht (7), aus Silizium oder einer Siliziumverbindung zwischen dem Substrat (1) und der. ersten Grundschicht (2).
- 6. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 5> dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine der beiden Grundschichten aus Wismut (2, 4) als unterbrochene Schient ausgebildet ist.
- 7. Aufzeichnungsträger nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Verbindung der Verbindungsschicht (15) ein Oxyd des magnetischen Metalles ist.TER MEER · MÖLLER · STEINtsaEfSTER '..'
- 8. Verfahren zum Herstellen des Aufzeichnungsträgers gemäß einem der-vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch folgende Schritte:- Aufbringen der ersten Grundschicht (2) auf das Substrat (1),- Aufbringen der ersten magnetischen Metallschicht (3) durch Abscheiden aus dem Vakuum mit einem Einfallswinkel des Dampfes im wesentlichen rechtwinklig zur Substratoberfläche,- Ausbilden der Verbindungsschicht (15) auf einemOberflächenbereich der magnetischen Metallschicht,- Aufbringen der zweiten Grundschicht (4) aus VJismut
auf die Verbindungsschicht und- Aufbringen einer zweiten magnetischen Metallschicht durch Abscheiden aus dem Dampf, wobei der Einfallswinkel des Dampfes im wesentlichen rechtwinklig zur Substratoberfläche steht.
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US4749628A (en) * | 1986-04-29 | 1988-06-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered vertical magnetic recording medium |
JPS63237210A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
CN1013324B (zh) * | 1988-04-28 | 1991-07-24 | 中国科学院物理研究所 | 磁光盘存储合金材料及其制备方法 |
JP2547651B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1996-10-23 | 日本板硝子株式会社 | 磁気記録媒体 |
EP0421120B1 (de) * | 1989-10-05 | 1996-10-30 | International Business Machines Corporation | Magnetischer Dünnfilmspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2943438B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1999-08-30 | 日本鋼管株式会社 | リニアアレイ超音波探触子の駆動方法 |
JP2559941B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1996-12-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
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KR940000259A (ko) * | 1992-06-12 | 1994-01-03 | 게리 리 그리스월드 | 테이프 지지체상에서의 다층 필름 제조 시스템 및 방법 |
US5705287A (en) * | 1994-09-20 | 1998-01-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk with metal nitride texturing layer |
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