JP2010272179A - 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気記録層の下に、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウムまたは第1のルテニウム合金からなる第1非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、第1非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第2のルテニウム合金のうち一方からなる第2非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する多層下地層を設ける。
【選択図】図1
Description
該非磁性基板上に形成された少なくとも一層の軟磁性層と、
該軟磁性層上に形成され、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウム、及び第1のルテニウム合金のうち一方からなる第1非磁性下地層と、
該第1非磁性下地層上に形成され、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層と、
該非磁性テンプレート層上に形成され、不活性ガス雰囲気で、該第1非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第2のルテニウム合金のうち一方からなる第2非磁性下地層と、
該第2非磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層を具備することを特徴とする。
該非磁性基板上に形成された少なくとも一層の軟磁性層、
該軟磁性層上に形成され、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウム、及び第1のルテニウム合金のうち一方からなる第1非磁性下地層、
該第1非磁性下地層上に形成され、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層、
該非磁性テンプレート層上に形成され、不活性ガス雰囲気で、該第1非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第2のルテニウム合金のうち一方からなる第2非磁性下地層、及び
該第2非磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする。
非磁性基板、
非磁性基板上に形成された少なくとも一層の軟磁性層、
軟磁性層上に設けられた多層の非磁性下地層、
非磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層を具備する垂直磁気記録媒体であって、
多層の非磁性下地層は、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウム、及び第1のルテニウム合金のうち一方からなる第1非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、該第1非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第2のルテニウム合金のうち一方からなる第2非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する。
ガラス基板(MYG社製アモルファス基板MEL3、直径2.5インチ)を、DCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3010)の製膜チャンバー内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで製膜チャンバー内を排気した。その後、製膜チャンバー内を0.8PaになるようにArを流入して、この基板上に、密着層としてCr−40原子%Tiを8nm、第1軟磁性層としてCo−5原子%Zr−4原子%Nbを20nm、Ru膜を0.6nm、第2軟磁性層としてCo−5原子%Zr−4原子%Nbを20nm製膜して軟磁性裏打ち層を形成した。この際、密着層および各軟磁性層の結晶構造がアモルファス構造であることをX線回折装置で確認した。
非磁性テンプレート層を設けなかった以外は、実施例1に準じて比較例1の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を、第1非磁性下地層と第2非磁性下地層の間ではなく、第2軟磁性層と配向制御層の間に設けた以外は、実施例1に準じて比較例2の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を、第1非磁性下地層と第2非磁性下地層の間ではなく、配向制御層と第1非磁性下地層の間に設けた以外は、実施例1に準じて比較例3の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を、第1非磁性下地層と第2非磁性下地層の間ではなく、第2非磁性下地層と垂直磁気記録層の間に設けた以外は、実施例1に準じて比較例4の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第1非磁性下地層全てをRu−20原子%Siに変更した以外は、実施例1に準じて比較例5の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第2非磁性下地層全てをRu−20原子%Siに変更した以外は、実施例1に準じて比較例6の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第1非磁性下地層および第2非磁性下地層の両方をRu−20原子%Siに変更した以外は、実施例1に準じて比較例7の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第1非磁性下地層全てをRu−10mol%SiO2に変更した以外は、実施例1に準じて比較例8の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第2非磁性下地層全てをRu−10mol%SiO2に変更した以外は、実施例1に準じて比較例9の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層を設けず、かつ第1非磁性下地層および第2非磁性下地層の両方をRu−10mol%SiO2に変更した以外は、実施例1に準じて比較例10の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層として、Ru−20原子%Siを用いる代わりに、3nmの厚さのRu−10mol%SiO2を用いた以外は、実施例1に準じて比較例11の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層として、Ru−20原子%Siを用いる代わりに、3nmの厚さのRu−30原子%Crを用いた以外は、実施例1に準じて比較例12の磁気記録媒体を作製した。
第1非磁性下地層および第2非磁性下地層の製膜時圧力を変化させた以外は、実施例1に準じて実施例2の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層として、様々な組成比を用いた以外は、実施例1に準じて実施例3の磁気記録媒体を作製した。
第1非磁性下地層および第2非磁性下地層として、どちらか一方、または両方にRu−30原子%Crを用いた以外は、実施例1に準じて実施例4の磁気記録媒体を作製した。
非磁性テンプレート層として、様々な厚さのRu−20原子%Siを用いた以外は、実施例1に準じて実施例5の磁気記録媒体を作製した。
配向制御層として、NiW層を用いる代わりに、5nmのSi層および5nmのPd層を用いた以外は、実施例1に準じて実施例6の磁気記録媒体を作製した。
第1垂直磁気記録層の添加物として、SiO2の代わりに様々な酸化物を用いた以外は、実施例1に準じて実施例7の磁気記録媒体を作製した。また、酸化物を用いない以外は、実施例1に準じて比較例13の磁気記録媒体を作製した。
Claims (12)
- 非磁性基板と、
該非磁性基板上に形成された少なくとも一層の軟磁性層と、
該軟磁性層上に形成され、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウム、及び第1のルテニウム合金のうち一方からなる第1非磁性下地層と、
該第1非磁性下地層上に形成され、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層と、
該非磁性テンプレート層上に形成され、不活性ガス雰囲気で、該第1非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第2のルテニウム合金のうち一方からなる第2非磁性下地層と、
該第2非磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層を具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記非磁性テンプレート層は、1nmないし5nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記非磁性テンプレートは、10atm%ないし40atm%のシリコンを含有していることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記軟磁性層と該第1非磁性下地層との間に、シリコン化合物からなる配向制御層をさらに設けることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1非磁性下地層及び前記第2非磁性下地層のうち少なくとも一方が、ルテニウムまたはルテニウム−クロム合金からなることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記垂直磁気記録層は、コバルトと、プラチナと、クロムと、
シリコン酸化物、クロム酸化物、及びチタン酸化物のうち少なくとも1つの酸化物とを含有することを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。 - 前記第2非磁性下地層及び前記垂直磁気記録層は、各々、その結晶粒子の粒径分布が標準偏差で20%以下であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1非磁性下地層は、そのスパッタ時の圧力が0.1.ないし1.0Pa、前記第2非磁性下地層は、そのスパッタ時の圧力が6.0ないし10.0Paであることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記不活性ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノンからなる群から選択される請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第1のルテニウム合金は、Ru−Cr、Ru−Co、Ru−Mn、Ru−SiO2,Ru−TiO2、Ru−TiOx、Ru−B、Ru−Cから選択される少なくとも1種との合金である請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記第2のルテニウム合金は、Ru−Cr、Ru−Co、Ru−Mn、Ru−SiO2,Ru−TiO2、Ru−TiOx、Ru−B、Ru−Cから選択される少なくとも1種との合金である請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
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