JP2003281708A - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】角型比およびＨｎを高めることができ、かつノ
イズ特性、熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体、その製
造方法、および磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】磁気記録媒体の基板１上に少なくとも、下
地層２と、磁性層３とを有し、磁性層３を、PtまたはPd
を含有する貴金属層３１と、Coを含有するコバルト層３
２と、非磁性材料を含有する非磁性材料層３３とを含む
構成とする。この際、磁性層３は、貴金属層３１と、コ
バルト層３２と、非磁性材料層３３とを、それぞれ複数
層以上含む構成とし、磁性層３が、貴金属層３１とコバ
ルト層３２との積層構造を複数以上含み、該積層構造の
間に、非磁性材料層３３を有する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体に関するものであり、特
に、ノイズ特性に優れた磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】現在市販されている磁気記録媒体は、磁
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。

【０００３】面内磁気記録媒体において、高記録密度化
を実現するには、磁性粒子を小粒径化しノイズ低減を図
ることが必要となるが、磁性粒子の粒径を小さくする
と、この粒子の体積が小さくなるため、熱揺らぎに起因
する再生特性の悪化が生じやすくなる。また記録密度を
高めた際に、記録ビット境界での反磁界の影響により媒
体ノイズが増加することがある。

【０００４】これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に
基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体
は、高記録密度化した場合でもビット境界での反磁界の
影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形成されるため
低ノイズ化が可能である。

【０００５】さらに、垂直磁気記録媒体は、比較的磁性
粒子の体積が大きくても、高記録密度化が可能であるた
め、熱揺らぎ耐性を高めることができることから、近年
大きな注目を集めている。

【０００６】例えば、特開昭６０−２１４４１７号公報
には、Ｃｏ合金からなる垂直磁性膜の下地膜の材料とし
てＧｅ、Ｓｉを用いた垂直磁気記録媒体が開示されてい
る。

【０００７】また特開昭６３−２１１１１７号公報に
は、Ｃｏ合金からなる垂直磁性膜の下地膜として１オン
グストローム〜１００オングストローム（０．１ｎｍ〜
１０ｎｍ）の厚さの炭素含有材料膜を形成した垂直磁気
記録媒体が開示されている。

【０００８】しかしながら、これら従来の磁気記録媒体
では、角型比を高めるのが難しく、逆磁区核形成磁界
（Ｈｎ）が低くなる問題があった。このため、低記録密
度における熱揺らぎ耐性に劣る問題があった。

【０００９】なお、角型比とは、残留磁化を飽和磁化で
割ったものである。

【００１０】これに対し、特開平６−１１１４０３号公
報、特開平８−３０９５１号公報、米国特許第５６６０
９３０号公報には、Ｈｎを向上させ得る磁気記録媒体と
して、Ｃｏなどの遷移金属とＰｔなどの貴金属とを多層
に積層した、多層膜を設けた磁気記録媒体が提案されて
いる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴い
ノイズ特性の向上が要求されている。

【００１２】しかしながら上記の従来の磁気記録媒体
で、遷移金属と貴金属の多層膜を設けたものは、ノイズ
特性の点で満足できるものでなく、よりノイズ特性に優
れた磁気記録媒体が要望されていた。

【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、角型比およびＨｎを高めることができ、かつノイズ
特性に優れた磁気記録媒体、その製造方法、および磁気
記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意努力検討した結果、本発明に到達し
た。すなわち本発明は以下に関する。

【００１５】［１］基板（１）上に少なくとも、下地層
（２）と、磁性層（３）とを有し、磁性層（３）が、Pt
またはPdを含有する貴金属層（３１）と、Coを含有する
コバルト層（３２）と、非磁性材料を含有する非磁性材
料層（３３）とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。

【００１６】［２］磁性層（３）が、貴金属層（３１）
と、コバルト層（３２）と、非磁性材料層（３３）と
を、それぞれ複数層以上含むことを特徴とする１に記載
の磁気記録媒体。

【００１７】［３］磁性層（３）が、貴金属層（３１）
とコバルト層（３２）との積層構造を複数以上含み、該
積層構造の間に、非磁性材料層（３３）を有することを
特徴とする1または２に記載の磁気記録媒体。

【００１８】［４］貴金属層（３１）とコバルト層（３
２）との積層構造が、貴金属層（３１）とコバルト層
（３２）とを交互に、それぞれ１層〜３０層の範囲内で
積層した構造であることを特徴とする３に記載の磁気記
録媒体。

【００１９】［５］非磁性材料層（３３）により分離さ
れた貴金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構
造を、２積層構造〜１０積層構造の範囲内で有すること
を特徴とする３または４に記載の磁気記録媒体。

【００２０】［６］磁性層（３）が、磁化容易軸が基板
に対して主に垂直に配向した垂直磁性層であることを特
徴とする１〜５の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２１】［７］非磁性材料が、C、Si、Geからなる
群から選ばれた何れか1種以上を主成分とすることを特
徴とする1〜６の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２２】［８］非磁性層（３３）の厚さが、0.1nm
〜10nmの範囲内であることを特徴とする１〜７の何れか
１に記載の磁気記録媒体。

【００２３】［９］貴金属層（３１）の厚さが、0.4nm
〜2nmの範囲内であることを特徴とする１〜８の何れか
１に記載の磁気記録媒体。

【００２４】［１０］コバルト層（３２）の厚さが、0.
1nm〜1nmの範囲内であることを特徴とする１〜９の何れ
か１に記載の磁気記録媒体。

【００２５】［１１］貴金属層（３１）が、金属または
非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする１
〜１０の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２６】［１２］コバルト層（３２）が、金属また
は非金属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする
１〜１１の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２７】［１３］金属または非金属が、Cr,Cu,Ag,A
u,B,Al,Ga,Si,Ge,Zrらなる群から選ばれた何れか1種以
上であることを特徴とする１１または１２に記載の磁気
記録媒体。 ［１４］磁気記録媒体のHnが、1000Ｏｅ〜4500Ｏｅ（79
000Ａ／ｍ〜355500Ａ／ｍ）の範囲内であることを特徴
とする１〜１３の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２８】［１５］下地層（２）が、C,Si,Geからな
る群から選ばれた何れか1種以上を含むことを特徴とす
る1〜１４の何れか１に記載の磁気記録媒体。

【００２９】［１６］基板（１）と下地層（２）との間
に、軟磁性材料を含む軟磁性層（１０１）を有すること
を特徴とする1〜１５の何れか１に記載の磁気記録媒
体。

【００３０】［１７］スパッタ装置の同一チャンバー内
に、PtまたはPdを含有するスパッタターゲットと、Coを
含有するスパッタターゲットと、非磁性材料を含むスパ
ッタターゲットとを有し、磁性層（３）を構成する、貴
金属層（３１）、コバルト層（３２）および非磁性材料
層（３３）を、同一チャンバー内で順次積層することを
特徴とする１〜１６の何れか１に記載の磁気記録媒体の
製造方法。

【００３１】［１８］１７に記載の磁気記録媒体の製造
方法を用いて製造した磁気記録媒体。

【００３２】［１９］１〜１６および１８の何れか１に
記載の磁気記録媒体を用いて製造した磁気記録再生装
置。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、基板
（１）上に少なくとも、下地層（２）と、磁性層（３）
とを有し、磁性層（３）が、PtまたはPdを含有する貴金
属層（３１）と、Coを含有するコバルト層（３２）と、
非磁性材料を含有する非磁性材料層（３３）とを含むこ
とを特徴とする。

【００３４】この場合の磁性層（３）は、貴金属層（３
１）と、コバルト層（３２）と、非磁性材料層（３３）
とを、それぞれ複数層以上含むのが好ましく、より好ま
しくは、磁性層（３）が、貴金属層（３１）とコバルト
層（３２）との積層構造を複数以上含み、該積層構造の
間に、非磁性材料層（３３）を有する構造とする。

【００３５】本発明の磁気記録媒体を、図１を用いて説
明する。本発明の磁気記録媒体は、例えば、基板１上
に、カーボン等の下地膜２、多層構造の磁性層３、保護
膜４、潤滑膜５をこの順序で含む構造を有する。

【００３６】基板１としては、磁気記録媒体用基板とし
て一般に用いられる、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアル
ミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」とい
う）、ガラス基板、セラミック基板、カーボン基板、可
撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉＰ膜をメッキ
あるいスパッタ法により形成した基板を用いることがで
きる。

【００３７】磁性層３は、PtまたはPdを含有する層と、
Cｏを含有する層と、非磁性材料を含有する層とを、そ
れぞれ複数層にわたって形成されたものである。

【００３８】本発明のPtまたはPdを含有する層は、Ptと
Pdの合金であっても良く、PtまたはPdを合計で50ａｔ％
以上含有するのが好ましい。また、Cｏを含有する層
は、Ｃｏを用いてもよいし、Ｃｏに他の元素としてＣ
ｒ、Ｔａ、Ｃなどを添加しても良い。この場合、Ｃｏ含
有する層にはＣｏを50ａｔ％以上含有させるのが好まし
い。

【００３９】本発明の磁性層は、図２に示すように、貴
金属層３１とコバルト層３２との積層構造を複数以上含
み、該積層構造の間に、非磁性材料層３３を有する構造
とするのが好ましい。このような構造とすることによ
り、磁気記録媒体の角型比およびＨｎを高めることがで
き、かつノイズ特性を高めることが可能となる。

【００４０】本発明の貴金属層３１とコバルト層３２と
の積層構造は、貴金属層３１とコバルト層３２とを交互
に、それぞれ１層〜３０層の範囲内、より好ましくは5
層〜20層の範囲内で積層した構造とするのが好ましい。
積層数が、３０層より大きくなると膜厚が厚くなるため
分解能が低下し、積層数が１層より少なくなると保磁力
が低下してしまう。

【００４１】なお、貴金属層３１またはコバルト層３２
の層厚が薄くなると、それぞれの膜を例えばスパッタに
より交互に成膜しても、それぞれの膜が巨視的にはミッ
クスされた状態や、また、成膜後の膜の構造解析では、
両層がミックスされた状態で分析される場合がある。本
発明は、このように巨視的には両層がミックスされた状
態の膜も含む。すなわち、このような膜でも微視的には
貴金属層３１およびコバルト層３２が積層構造を形成
し、本発明の効果を有するからである。

【００４２】また本発明は、貴金属層３１とコバルト層
３２との積層構造を、２積層構造〜１０積層構造の範囲
内、より好ましくは２積層構造〜５積層構造の範囲内と
し、各積層構造の間に、非磁性材料層３３を挟む構造と
するのが好ましい。積層構造数が10より多くなると保磁
力が維持できなくなり、積層構造数が1より少なくなる
とSNR改善効果が見られなくなる。

【００４３】なお、非磁性材料層３３も層厚が薄くなる
と、膜が巨視的には貴金属層３１またはコバルト層３２
とミックスされた状態や、また、成膜後の膜の構造解析
では、非磁性材料層が他層とミックスされた状態で分析
される場合がある。本発明は、このように巨視的には層
が他層とミックスされた状態の膜も含む。すなわち、こ
のような膜でも微視的には貴金属層３１およびコバルト
層３２との積層構造を分離し、本発明の効果を有するか
らである。

【００４４】なお、貴金属層３１とコバルト層３２との
積層構造体は、最下層側に貴金属層３１を形成してもよ
いし、コバルト層３２を形成してもよいが、特に、貴金
属層３１を最下層側に形成するのが好ましい。

【００４５】本発明の磁性層３は、磁化容易軸が基板に
対して主に垂直に配向した垂直磁性層であるのが好まし
い。主に垂直に配向とは、磁化容易軸の５０％以上、よ
り好ましくは 70％以上、最も好ましくは90％以上が垂
直に配向していることを意味する。磁化容易軸の基板に
対して垂直に配向した比率が５０％未満となると、分解
能が低下する。なお、磁化容易軸の基板に対する配向は
TEMまたはX線回折によって測定する。

【００４６】本発明の非磁性材料層を形成する非磁性材
料は、C、Si、Geからなる群から選ばれた何れか1種以上
を主成分とするのが好ましい。主成分とは、非磁性材料
中の原子数比が５０ａｔ％以上、より好ましくは70ａｔ
％以上を意味する。なお、C、Si、Geからなる群から複
数の物質を選択した場合は、合計の原子数比を５０ａｔ
％以上とするのが好ましい。また本発明では、非磁性材
料にＳｎを含有させるのも好ましい。

【００４７】非磁性材料としてこれらの物質を、５０ａ
ｔ％以上の原子数比で用いることにより、磁気記録媒体
において低ノイズの特性が得られる。

【００４８】貴金属層３１の厚さは、０．４ｎｍ〜２ｎ
ｍ（４オングストローム〜２０オングストローム）の範
囲内、より好ましくは０．６ｎｍ〜１ｎｍの範囲内とす
るのが好ましい。貴金属層３１の厚さが上記範囲を外れ
ると、保磁力および逆磁区核形成磁界Ｈｎが低下する。
またノイズ特性が劣化しやすくなる。

【００４９】コバルト層３２の厚さは、０．１ｎｍ〜１
ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストロームの範
囲内、より好ましくは０．１ｎｍ〜０．４ｎｍの範囲内
とするのが好ましい。コバルト層３２の厚さがこの範囲
を外れると、保磁力および逆磁区核形成磁界Ｈｎが低下
する。またノイズ特性が劣化しやすくなる。

【００５０】本発明の非磁性材料としては特にカーボン
がメディアノイズを下げる効果及び分解能を上げる効果
が著しい。非磁性材料の膜厚は0.1〜10nmが好ましい。
特に0.5nm〜5nmがさらに好適に用いられる。膜厚が0.1n
m以下では、非磁性を挟んだ低ノイズ化の効果が見られ
ない。また、10nm以上では非磁性層によるスペーシング
ロスの効果が大きくなり望ましくない。

【００５１】本発明の貴金属層３１は、金属または非金
属の酸化物または窒化物を含むのが好ましい。また、コ
バルト層３２についても、金属または非金属の酸化物ま
たは窒化物またはBを含むのが好ましい。金属または非
金属としては、Cr,Cu,Ag,Au,B,Al,Ga,Si,Ge,Zrを用いる
のが好ましい。

【００５２】本発明の磁気記録媒体は、磁性膜３の上
に、保護膜４を形成するのが好ましい。保護膜４は、磁
性膜３の腐食を防ぐとともに、ヘッドが媒体に接触した
ときに媒体表面の損傷を防ぎ、かつヘッドと媒体の間の
潤滑特性を確保するためのもので、従来公知の材料を使
用でき、例えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の単一組成、また
はこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能であ
る。

【００５３】保護膜４の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍ（１
０オングストローム〜１００オングストローム）の範囲
内が好ましい。

【００５４】本発明の磁気記録媒体のHnは、1000Ｏｅ〜
4500Ｏｅ（79000Ａ／ｍ〜355500Ａ／ｍ）の範囲内、よ
り好ましくは、1500 Ｏｅ〜 4500Ｏｅ（118500Ａ／ｍ
〜355500 Ａ／ｍ）の範囲内とするのが好ましい。Ｈｎ
が1000Ｏｅより小さくなると低記録密度における熱揺ら
ぎ耐性が低下し、4500Ｏｅより大きくなると記録特性が
低下する。

【００５５】ここでＨｎとは、一方向に外部磁界を加え
て磁気記録媒体を十分に磁化した後、外部磁界を反転さ
せ、逆方向の磁界強度を高めていったときに、磁化反転
を起こすときの外部磁界を指す。

【００５６】Ｈｎは、図３に示すヒステリシスループ
（ＭＨループ）において、上記逆方向の磁界強度を高め
ていったときに、保磁力を示す磁界からMHループに沿っ
て接線を引き、飽和磁化を示すMHループに沿ってX軸に
平行に線を引いた時の交点の磁界を示す。

【００５７】本発明の下地層２は、一般に使われるPt,P
d貴金属を主成分とした材料を使用してもよいが、C,Si,
Geからなる群から選ばれた何れか1種以上を含むのが好
ましい。下地膜は２、C,Si,Geを主成分とするものが媒
体ノイズを低く抑えるとともに保磁力を増大させる。特
にC,Si,Ge膜厚が厚いほどノイズが下がる傾向にある。
なお、下地層２にＳｎを含有させるのも好ましい。

【００５８】下地層２の膜厚としては、20オングストロ
ーム〜1000オングストロームの範囲内が好ましい。例え
ばカーボン下地膜２の厚さが２０オングストローム以下
の場合には、十分な保磁力が得られずまた、ノイズ特性
が悪化する。また、1000オングストローム以上では効果
は変わらないが、表面性が悪化するので望ましくない
し、裏打ち層を成膜した２層媒体ではスペーシングロス
が大きいため望ましくない。下地膜２の厚さは、ノイズ
特性の点から、より好ましくは、１００オングストロー
ム〜９００オングストロームの範囲内、最も好ましく
は、２００オングストローム〜８００オングストローム
の範囲内とする。

【００５９】また本発明では、基板１とカーボン下地膜
２との間に、軟磁性層を設けることが好ましい。この軟
磁性層は、特に限定されるものでないが、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｃｏの単一組成膜、またはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏに他の元素
を含有させた合金からなるものとするのが好ましい。

【００６０】軟磁性膜の材料の具体例としては、ＮｉＦ
ｅ、ＦｅＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺ
ｒ、ＦｅＴａＣ等の各種合金を挙げることができる。

【００６１】また、軟磁性から発生するスパイクノイズ
を抑えるため、軟磁性層の下に面内硬磁性膜を成膜し半
径方向に磁場をかけることで磁区の制御を行っても良い
し、またはIrMnやPtMnなどの反強磁性材料を付与するこ
とで磁区を制御してもよい。

【００６２】本発明の磁気記録媒体を製造するには、例
えば、基板１上に、スパッタ法などによりカーボン下地
膜２を形成し、次いで磁性膜３をスパッタ法により形成
する。

【００６３】磁性膜３を形成するには、貴金属層３１を
構成する材料（ＰｔとＰｄのうち少なくとも１種を含む
材料。）からなる第１ターゲットと、コバルト層３２を
構成する材料（Ｃｏを含有する材料。）からなる第２タ
ーゲット、非磁性材料層３３を構成する材料からなる第
３ターゲットとを相互に用いて、貴金属層３１の構成材
料と、コバルト層３２の構成材料とを積層させると共
に、各積層構造の間にて、非磁性材料層３３を形成して
磁性膜３を形成する。

【００６４】この際、スパッタ装置の同一チャンバー内
に、PtまたはPdを含有するスパッタターゲットと、Coを
含有するスパッタターゲットと、非磁性材料を含むスパ
ッタターゲットとを有し、磁性層３を構成する、貴金属
層３１、コバルト層３２および非磁性材料層３３を、同
一チャンバー内で順次積層あるいは同時に放電するのが
好ましい。このような製造方法を用いることによりチャ
ンバー数を増やすことなく積層が可能となり、また積層
膜だけでなく単一膜のような成膜も可能となる。

【００６５】なおカーボン下地膜２の形成には、真空蒸
着、イオンプレーティングなどを用いることもできる。

【００６６】次いで保護膜４を、好ましくはプラズマＣ
ＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法により形成
する。

【００６７】次いで、ディッピング法、スピンコート法
などによって潤滑膜５を形成する。

【００６８】図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、本発明の磁気記録媒体７と、磁気記録媒体
７を回転駆動させる媒体駆動部８と、磁気記録媒体７に
情報を記録再生する磁気ヘッド９と、ヘッド駆動部１０
と、記録再生信号処理系１１とを備えている。記録再生
信号処理系１１は、入力されたデータを処理して記録信
号を磁気ヘッド９に送ったり、磁気ヘッド９からの再生
信号を処理してデータを出力することができるようにな
っている。

【００６９】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。

【００７０】（実施例１）以下の手順で、磁気記録媒体
を作製した。

【００７１】洗浄したガラス基板１（株式会社オハラ
製）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製）
のチャンバ内にセットした。

【００７２】チャンバ内を真空度２×１０^-5Paとなるま
で排気した後、この基板１上に、カーボン下地膜２を成
膜し、Pdからなる第1ターゲット、及びCoからなる第２
ターゲットを交互に用いてCo層（膜厚2オングストロー
ム）、Pd層（膜厚8オングストローム）を、交互に10回
ずつ積層したあと、カーボン層（膜厚１０オングストロ
ーム）成膜し、さらにその後、Co層（膜厚2オングスト
ローム）とPd層（膜厚8オングストローム）を10回積層
し、磁性膜３を形成した。

【００７３】磁性膜上には、カーボンからなる保護膜
（膜厚5０オングストローム）を形成し、 カーボン保護
膜上には厚さ２０オングストロームのパーフルオロポリ
エーテルからなる潤滑膜をディッピング法により形成し
た。

【００７４】（実施例２、３）非磁性層の厚さを変えた
こと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。

【００７５】（比較例１）非磁性層を形成しなかったこ
と以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。

【００７６】（実施例４〜５）非磁性層の数を増やし、
Co層、Pd層の積層数を変えた以外は実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。

【００７７】（実施例６、７）非磁性層の組成を変えた
以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

【００７８】（実施例８、９）下地層の組成または膜厚
を変えた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作
製した。

【００７９】（実施例１０）基板と下地層の間に、CoZr
Nbからなる軟磁性層を膜厚2000オングストロームで成膜
した以外は実施例９と同様にして磁気記録媒体を作製し
た。

【００８０】実施例１〜１０、比較例１の作製条件を表
１に示す。

【００８１】実施例１〜１０、比較例１の磁気記録媒体
の静磁気特性を振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）を用
いて測定した。また、これら磁気記録媒体の電磁変換特
性を、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１
６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて
測定した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとし
て、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合
型薄膜磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度４
５０ ｋＦＣＩとして測定した。

【００８２】実施例１〜１０、比較例１の磁気記録媒体
の静磁気特性、電磁変換特性の測定結果を表２に示す。

【００８３】表１中、実施例１〜３、比較例１の比較よ
り、非磁性層でCo層Pd層を分離した実施例１、２の磁気
記録媒体は、非磁性層を形成しない比較例１の磁気記録
媒体に比べ、非常に優れたノイズ特性を有するものとな
った。

【００８４】実施例4〜５によりCo層Pd層の分離数を増
やしていくとさらに低ノイズ特性を示すものとなった。

【００８５】

【表１】

【００８６】

【表２】

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体を用いることにより、ノイズ特性に優れた磁気記録
再生装置を提供することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部
断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の、他の実施形態を示す
一部断面図である。

【図３】逆磁区核形成磁界Ｈｎについての説明図であ
る。

【図４】図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録再生
装置の一例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１ 基板 １０１ 軟磁性層 ２ 下地膜 ３ 磁性層 ３１ 貴金属層 ３２ コバルト層 ３３ 非磁性材料層 ４ 保護膜 ５ 潤滑膜 ７ 磁気記録媒体 ８ 媒体駆動部 ９ 磁気ヘッド １０ ヘッド駆動部 １１ 記録再生信号処理系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 BB08 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 DA08 EA03 FA09 5D112 AA03 AA04 AA05 AA11 BB05 BC07 FA04 FB02 5E049 AA04 AA09 AC05 BA06 CB02 DB12 GC02

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板（１）上に少なくとも、下地層（２）
   と、磁性層（３）とを有し、磁性層（３）が、Ptまたは
   Pdを含有する貴金属層（３１）と、Coを含有するコバル
   ト層（３２）と、非磁性材料を含有する非磁性材料層
   （３３）とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】磁性層（３）が、貴金属層（３１）と、コ
   バルト層（３２）と、非磁性材料層（３３）とを、それ
   ぞれ複数層以上含むことを特徴とする請求項１に記載の
   磁気記録媒体。
3. 【請求項３】磁性層（３）が、貴金属層（３１）とコバ
   ルト層（３２）との積層構造を複数以上含み、該積層構
   造の間に、非磁性材料層（３３）を有することを特徴と
   する請求項1または２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】貴金属層（３１）とコバルト層（３２）と
   の積層構造が、貴金属層（３１）とコバルト層（３２）
   とを交互に、それぞれ１層〜３０層の範囲内で積層した
   構造であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】非磁性材料層（３３）により分離された貴
   金属層（３１）とコバルト層（３２）との積層構造を、
   ２積層構造〜１０積層構造の範囲内で有することを特徴
   とする請求項３または４に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】磁性層（３）が、磁化容易軸が基板に対し
   て主に垂直に配向した垂直磁性層であることを特徴とす
   る請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】非磁性材料が、C、Si、Geからなる群から
   選ばれた何れか1種以上を主成分とすることを特徴とす
   る請求項1〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】非磁性層（３３）の厚さが、0.1nm〜10nm
   の範囲内であることを特徴とする請求項１〜７の何れか
   １項に記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】貴金属層（３１）の厚さが、0.4nm〜2nmの
   範囲内であることを特徴とする請求項１〜８の何れか１
   項に記載の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】コバルト層（３２）の厚さが、0.1nm〜1
    nmの範囲内であることを特徴とする請求項１〜９の何れ
    か１項に記載の磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】貴金属層（３１）が、金属または非金属
    の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項１
    〜１０の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】コバルト層（３２）が、金属または非金
    属の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項
    １〜１１の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】金属または非金属が、Cr,Cu,Ag,Au,B,A
    l,Ga,Si,Ge,Zrからなる群から選ばれた何れか1種以上で
    あることを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁
    気記録媒体。
14. 【請求項１４】磁気記録媒体のHnが、1000Ｏｅ〜4500Ｏ
    ｅ（79000Ａ／ｍ〜355500Ａ／ｍ）の範囲内であること
    を特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の磁気
    記録媒体。
15. 【請求項１５】下地層（２）が、C,Si,Geからなる群か
    ら選ばれた何れか1種以上を含むことを特徴とする請求
    項1〜１４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
16. 【請求項１６】基板（１）と下地層（２）との間に、軟
    磁性材料を含む軟磁性層（１０１）を有することを特徴
    とする請求項1〜１５の何れか１項に記載の磁気記録媒
    体。
17. 【請求項１７】スパッタ装置の同一チャンバー内に、Pt
    またはPdを含有するスパッタターゲットと、Coを含有す
    るスパッタターゲットと、非磁性材料を含むスパッタタ
    ーゲットとを有し、磁性層（３）を構成する、貴金属層
    （３１）、コバルト層（３２）および非磁性材料層（３
    ３）を、同一チャンバー内で順次積層することを特徴と
    する請求項１〜１６の何れか１項に記載の磁気記録媒体
    の製造方法。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の磁気記録媒体の製造
    方法を用いて製造した磁気記録媒体。
19. 【請求項１９】請求項１〜１６および１８の何れか１項
    に記載の磁気記録媒体を用いて製造した磁気記録再生装
    置。