JP2002352408A - 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、
配向制御膜３と、垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けら
れ、軟磁性下地膜２が、以下の組成で表される材料を含
む。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
７、３≦ｆ≦３０である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板
に対し水平に配向した面内磁気記録媒体が広く用いられ
ている。面内磁気記録媒体では、高記録密度化するとビ
ット体積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再
生特性が悪化する可能性がある。また、高記録密度化し
た際に、記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノ
イズが増加する。これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が
主に垂直に配向した垂直磁気記録媒体は、高記録密度化
した際にも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境
界が鮮明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能
であり、しかも比較的ビット体積が大きくても高記録密
度化が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年
大きな注目を集めている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されている。このため、
垂直磁性膜に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッド
を用いるために、記録層である垂直磁性膜と基板との間
に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる膜を設けた
磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体で
は、単磁極ヘッドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入り
の効率を向上させることができる。しかしながら、上記
軟磁性膜（裏打ち層）を設けた磁気記録媒体を用いた場
合でも、記録再生特性は満足できるものではなく、この
特性に優れる磁気記録媒体が要望されていた。特開平２
−１５２２０８号公報には、Ｃｏ（５０〜７５ａｔ％）
−Ｍ'（Ｍ'＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ）（４〜２５ａｔ％）−Ｎ(１〜３５ａｔ％)からなる
軟磁性膜（裏打ち層）を用いることが提案されている。
一般にＣｏ合金からなる軟磁性膜は、Ｃｏの含有率が８
５ａｔ％未満であると飽和磁化が低下するため、この軟
磁性膜を厚くする必要が生じ、その結果、表面粗さが粗
くなる。このため、上記磁気記録媒体では、記録再生時
における磁気ヘッド浮上高さを十分に低くすることがで
きなくなり、高記録密度化が困難になる問題があった。
また厚い軟磁性膜を形成するために、生産性が低下する
問題があった。また特開平１１−１４９６２８号公報に
は、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＮ合金からなる軟磁性下地
膜を設けることによって、突発性のスパイクノイズの発
生を抑制し、エンベロープ特性を改善することが提案さ
れている。しかしながら、上記磁気記録媒体では、エン
ベロープ特性は改善されるが、軟磁性下地膜に起因する
媒体ノイズが大きくなるため好ましくない。これは、軟
磁性下地膜の結晶粒を微細化しても、結晶粒どうしの磁
気的な結合が大きくなることから、磁気クラスターサイ
ズ（磁気的結合粒子径）が大きくなるためである。

【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、軟磁性下地膜から発生する媒体ノイズを低減するこ
とにより、記録再生特性を向上させ高密度の記録再生が
可能となる磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料から
なる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向
制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した
垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性下地膜
が、以下の組成で表される材料を含むことを特徴とす
る。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
７、３≦ｆ≦３０である。） 軟磁性下地膜は、以下の組成で表される材料を含むもの
であってもよい。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種
または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率
で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦
ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦
３０である。） また軟磁性下地膜は、以下の組成で表される材料を含む
ものであってもよい。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。） 上記ａ〜ｆは、次の範囲にあることが好ましい。６０≦
ａ＋ｂ≦８０、３０≦ａ≦８０、５≦ｃ≦２０、０．１
≦ｄ≦３、０．１≦ｅ≦５、８≦ｆ≦２５。軟磁性下地
膜は、Ｆｅを主成分する平均粒径１３ｎｍ以下の微細結
晶と、該微細結晶よりもＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上）
を多く含有する非晶質相とからなる構成とするのが好ま
しい。微細結晶は、ｂｃｃ構造をとることが好ましい。
軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上とするのが
好ましく、１．４Ｔ以上とするのがさらに好ましい。軟
磁性下地膜は、飽和磁束密度Ｂｓと該軟磁性下地膜の膜
厚ｔの積Ｂｓ・ｔを５０Ｔ・ｎｍ以上とするのが好まし
く、１００Ｔ・ｎｍ以上とするのがさらに好ましい。配
向制御膜は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種または２種以上を５０％ａｔ
以上含有するｈｃｐ構造材料からなる構成とすることが
できる。配向制御膜は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌのうち１種または２種以上を５０
％ａｔ以上含有するｆｃｃ構造材料からなる構成とする
ことができる。軟磁性下地膜は、垂直磁性膜側の表面の
一部または全面が酸化されている構成とするのが好まし
い。垂直磁性膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０
（Ｏｅ）以上とするのが好ましい。本発明の磁気記録媒
体の製造方法は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記軟磁性下地
膜を、以下の組成で表される材料を含むものとなるよう
に形成することを特徴とする。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。） 本発明の製造方法では、軟磁性下地膜を、Ｆｅを主成分
する平均粒径１３ｎｍ以下の微細結晶と、該微細結晶よ
りもＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、
Ｍｏのうち１種または２種以上）を多く含有する非晶質
相とからなるものとするのが好ましい。また本発明の製
造方法では、軟磁性下地膜をスパッタ法にて成膜し、成
膜の際に用いる成膜ガスの窒素含有率を０．１〜５０ｖ
ｏｌ％とするのが好ましい。また本発明では、軟磁性下
地膜を形成した後、この軟磁性下地膜を２５０℃〜４５
０℃で熱処理するのが好ましい。本発明の磁気記録再生
装置は、磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に情報を記
録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であ
って、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体
が、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟
磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜
と、磁化容易膜が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁
性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性下地膜が、以
下の組成で表される材料を含むことを特徴とする。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。） 軟磁性下地膜は、Ｆｅを主成分する平均粒径１３ｎｍ以
下の微細結晶と、該微細結晶よりもＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２
種以上）を多く含有する非晶質相とからなるものである
ことが好ましい。

【０００６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、垂直磁性膜４と、保護膜５と、潤滑膜６とが順次
形成されて構成されている。非磁性基板１としては、ア
ルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金
属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコ
ン、シリコンカーバイド、カーボンなどな非金属材料か
らなる非金属基板を用いてもよい。ガラス基板として
は、アルモファスガラス、結晶化ガラスがあり、アルモ
ファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アル
ミノケートガラス、アルミノシリケートガラスを使用で
きる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化
ガラスを用いることができる。セラミック基板として
は、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化
珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物
などが使用可能である。非磁性基板１としては、上記金
属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法によ
りＮｉＰ膜が形成されたものを用いることもできる。非
磁性基板１の表面形状は、媒体表面の形状に影響を与え
るため、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを低く
するには、非磁性基板１の表面平均粗さＲａを２ｎｍ以
下とするのが好ましい。この表面平均粗さＲａを２ｎｍ
以下とすることによって、磁気記録媒体の表面凹凸を小
さくし、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを十分
に低くし、記録密度を高めることができる。

【０００７】軟磁性下地膜２は、ヘッドからの磁束の垂
直方向成分を大きくし、かつ垂直磁性膜４の磁化を基板
１に対し垂直な方向に固定するために設けられているも
のである。本実施形態の磁気記録媒体では、軟磁性下地
膜２が、以下の組成で表される材料を含む構成を採用で
きる。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ ・・・(1) （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｎｉのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｆは百分率で表された原子比（ａｔ％）であり、６
０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、
０．１≦ｄ≦７、３≦ｆ≦３０である。） ａ〜ｆは、６０≦ａ＋ｂ≦８０、３０≦ａ≦８０、５≦
ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦３、８≦ｆ≦２５とするのがよ
り好ましい。軟磁性下地膜２は、式(1)で示される材料
を主成分とするものであることが好ましい。なお主成分
とは当該成分を５０ａｔ％を越えて含むことを意味す
る。式(1)に示す材料の具体例としては、ＦｅＨｆＣｒ
Ｎ、ＦｅＨｆＡｌＮ、ＦｅＨｆＳｉＮ、ＦｅＨｆＧａ
Ｎ、ＦｅＨｆＣｒＡｌＮ、ＦｅＺｒＣｒＮ、ＦｅＴａＣ
ｒＮ、ＦｅＮｂＣｒＮ、ＦｅＴｉＣｒＮ、ＦｅＣｏＨｆ
ＣｒＮを挙げることができる。

【０００８】また、軟磁性下地膜２は、以下の組成で表
される材料を含むものであってもよい。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(2) （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種
または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率
で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦
ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦
３０である。） ａ〜ｆは、６０≦ａ＋ｂ≦８０、３０≦ａ≦８０、５≦
ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦５、８≦ｆ≦２５とするのがよ
り好ましい。軟磁性下地膜２は、式(2)で示される材料
を主成分とするものであることが好ましい。式(2)に示
す材料の具体例としては、ＦｅＨｆＢＮ、ＦｅＨｆＣ
Ｎ、ＦｅＨｆＰＮ、ＦｅＨｆＯＮ、ＦｅＨｆＢＣＮ、Ｆ
ｅＺｒＢＮ、ＦｅＴａＢＮ、ＦｅＮｂＢＮ、ＦｅＴｉＢ
Ｎ、ＦｅＨｆＡｌＣＯＮを挙げることができる。

【０００９】また、軟磁性下地膜２には、以下の組成で
表される材料を含むものを用いることもできる。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(3) （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
１種または２種以上、 Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉのうち１種または
２種以上、 Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種または２種以上。 ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは百分率で表された原
子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５
≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ
≦３０である。） ａ〜ｆは、６０≦ａ＋ｂ≦８０、３０≦ａ≦８０、５≦
ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦３、０．１≦ｅ≦５、８≦ｆ≦
２５とするのがより好ましい。軟磁性下地膜２は、式
(3)で示される材料を主成分とするものであることが好
ましい。式(3)に示す材料の具体例としては、ＦｅＨｆ
ＣｒＢＮ、ＦｅＨｆＡｌＢＮ、ＦｅＨｆＡｌＰＮ、Ｆｅ
ＨｆＣｒＡｌＢＮ、ＦｅＨｆＣｒＢＰＮを挙げることが
できる。

【００１０】ＦｅとＣｏの含有率の合計（ａ＋ｂ）が上
記範囲未満であると、飽和磁束密度が小さくなり軟磁性
下地膜２を厚くする必要が生じるため、表面平均粗さＲ
ａが大きくなる。その結果、記録再生時における磁気ヘ
ッド浮上高さを十分に低くすることができなくなり、高
記録密度化が難しくなる。またＦｅとＣｏの合計含有率
が上記範囲を越えると、十分な低ノイズ化が難しくなる
ため好ましくない。Ｆｅの含有率（ａ）が上記範囲未満
であると、飽和磁束密度が小さくなり軟磁性下地膜２を
厚くする必要が生じるため、表面平均粗さＲａ大きくな
る。その結果、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さ
を十分に低くすることができなくなり、高記録密度化が
難しくなる。またＦｅの含有率が上記範囲を越えると、
十分な低ノイズ化が難しくなるため好ましくない。Ｍの
含有率（ｃ）が上記範囲未満であると、軟磁性下地膜２
によるノイズ低減効果が低くなるため好ましくない。ま
たＭの含有率が上記範囲を越えると、軟磁性下地膜２全
体が非晶質になり、ノイズ特性が劣化するおそれがある
ため好ましくない。Ｎの含有率（ｆ）が上記範囲未満で
あると、軟磁性下地膜２の結晶粒径が大きくなりやすく
なる。またＮの含有率が上記範囲を越えると、軟磁性下
地膜２の飽和磁束密度が低くなるため好ましくない。

【００１１】Ｘ1の含有率（ｄ）が上記範囲未満である
と、結晶粒を微細化する効果が低下し、結晶粒径が大き
くなりノイズが増加する。またＸ1の含有率が上記範囲
を越えると、軟磁性下地膜２の磁化が不十分となりやす
くなる。また軟磁性下地膜２から発生する媒体ノイズが
増加するため好ましくない。Ｘ2の含有率（ｅ）が上記
範囲未満であると、結晶粒が大きくなり媒体ノイズが増
加する。Ｘ2の含有率が上記範囲を越えると、軟磁性下
地膜２の磁化が不十分となりやすくなる。また軟磁性下
地膜２から発生する媒体ノイズが増加するため好ましく
ない。

【００１２】軟磁性下地膜２は、Ｆｅを主成分する微細
結晶と、該微細結晶よりもＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上）
を多く含有する非晶質相とからなるものとするのが好ま
しい。図２は、微細結晶と非晶質相とを有する軟磁性下
地膜２の一例を示すもので、ここに示す例では、軟磁性
下地膜２が、多数の微細結晶２ａと、これら微細結晶２
ａを隔てる非晶質相２ｂとを有する構造となっている。
この微細結晶２ａの平均粒径は、１３ｎｍ以下となって
いる。この平均粒径は、１０ｎｍ以下とするのが好まし
い。この結晶粒径をこの範囲とすることによって、軟磁
性下地膜２および垂直磁性膜４内の磁気クライスターサ
イズを小さくし、媒体ノイズを低減することができ、記
録再生特性を向上させることができる。

【００１３】微細結晶２ａの平均粒径は、透過型電子顕
微鏡（ＴＥＭ）による観察像より求めることができる。
すなわちＴＥＭにより観察された微細結晶２ａの画像
を、コンピューター上で処理することにより、この微細
結晶２ａと同じ面積の円に変換し、この円の直径を、そ
の微細結晶２ａの粒径とする。同様の手順で複数の微細
結晶２ａについて粒径を求め、これら複数の微細結晶２
ａの粒径の平均値を平均粒径とする。粒径測定の対象と
なる微細結晶２ａの数は、１００以上（好ましくは５０
０以上）とするのが好適である。

【００１４】微細結晶２ａはｂｃｃ構造をとることが好
ましい。微細結晶２ａがｂｃｃ構造をとると、効果的に
飽和磁束密度を高めることができるためである。また、
微細結晶２ａでは（１１０）面が優先配向していること
が好ましい。結晶構造および配向面はＸ線回折法（ＸＲ
Ｄ）にて判別することができる。

【００１５】軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、１
Ｔ以上（好ましくは１．４Ｔ以上、さらに好ましくは
１．６Ｔ以上）であることが好ましい。飽和磁束密度Ｂ
ｓが上記範囲未満であると、軟磁性下地膜２の膜厚を厚
くする必要が生じ、表面平均粗さＲａが大きくなった
り、生産性が悪化するため好ましくない。

【００１６】軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓと軟磁
性下地膜２の膜厚ｔとの積Ｂｓ・ｔは、５０Ｔ・ｎｍ以
上（好ましくは１００Ｔ・ｎｍ以上）であることが好ま
しい。このＢｓ・ｔが５０Ｔ・ｎｍ未満であると、再生
波形がいわゆる矩形波でなく歪みをもつものとなり、記
録再生特性が悪化するため好ましくない。

【００１７】軟磁性下地膜２は、表面（垂直磁性膜４側
の面）の一部または全面が酸化されている構成とするこ
とができる。この酸化部分（酸化層）の厚さは３ｎｍ以
下（好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ
以下）であることが好ましい。この酸化部分の厚さが３
ｎｍを越えると、この上に設けられる配向制御膜３の配
向を乱し、記録再生特性の劣化を招くため好ましくな
い。またこの厚さが３ｎｍを越えると、軟磁性下地膜２
の表面酸化が過剰になり、表面平均粗さＲａが大きくな
る（例えば２ｎｍを越える値となる）。その結果、記録
再生時における磁気ヘッド浮上高さを十分に低くするこ
とができなくなり、高記録密度化が難しくなる。軟磁性
下地膜２が酸化された状態はオージェ電子分光法、ＳＩ
ＭＳ法などにより確認することができる。また軟磁性下
地膜２表面の酸化部分（酸化層）の厚さは、例えば媒体
断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真により求めるこ
とができる。

【００１８】軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは１００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは３０（Ｏｅ）以下、さらに好まし
くは１０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。この保磁
力Ｈｃが上記範囲を越えると、軟磁性特性が不十分とな
り、再生波形がいわゆる矩形波でなく歪みをもつものと
なるため好ましくない。また、軟磁性下地膜２の最大透
磁率は、１０００〜１００００００（好ましくは１００
０００〜５０００００）とするのが好ましい。最大透磁
率が上記範囲未満であると、記録時に磁気記録媒体への
書き込みが不十分となり、十分な記録再生特性を得られ
ないおそれがある。なお、透磁率はＣＧＳ単位系で表し
た値である。

【００１９】軟磁性下地膜２の表面形状は、磁気記録媒
体表面の形状に影響を与えるため、その表面平均粗さＲ
ａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。表面平均粗さＲａ
をこの範囲とすることによって、磁気記録媒体の表面凹
凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さ
を十分に低くし、記録密度を高めることができる。

【００２０】配向制御膜３は、垂直磁性膜４の配向性や
結晶粒径を制御するためのものである。配向制御膜３
は、少なくとも表面側（垂直磁性膜４側）が、ｈｃｐ構
造またはｆｃｃ構造をとるものであることが好ましい。
配向制御膜３に用いられるｈｃｐ構造材料としては、Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆの
うち１種または２種以上を５０ａｔ以上含有するものを
挙げることができる。なかでも、ＨｆとＲｕのうちいず
れかを５０ａｔ％以上含有する合金を用いると、垂直磁
性膜４から発生する媒体ノイズを低減することができ、
高記録密度化が可能になるため好ましい。特に、Ｒｕを
用いると、垂直磁性膜４の垂直配向性を高めることがで
きるため好ましい。ｈｃｐ構造材料としては、垂直磁性
膜４に対する格子の整合性を考慮して、上記材料（Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆの
うち１種または２種以上）に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ
等を添加した合金を用いることができる。また結晶粒を
微細化するため、上記材料（Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒ
ｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種または２種以
上）にＣ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐを添加した合金を用い
ることもできる。配向制御膜３に好適に用いられるｈｃ
ｐ構造材料の具体例としては、Ｒｕ、ＲｕＣｒ、Ｈｆ、
ＨｆＢ、Ｒｅを挙げることができる。

【００２１】配向制御膜３に用いられるｆｃｃ構造材料
としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａ
ｕ、Ａｌのうち１種または２種以上を５０ａｔ以上含有
するものを用いることが好ましい。なかでも特に、Ｎｉ
を用いると、垂直磁性膜４の垂直配向性を高めることが
できるため好ましい。またｆｃｃ構造材料としては、垂
直磁性膜４に対する格子の整合性を考慮して、上記材料
（Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌの
うち１種または２種以上）に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ
等を添加した合金を用いることができる。また結晶粒を
微細化するため、上記材料（Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌのうち１種または２種以上）
に、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐを添加した合金を用いる
こともできる。配向制御膜３に好適に用いられるｆｃｃ
構造材料の具体例としては、Ｎｉ、ＮｉＣｒＮ、Ｃｕ、
ＰｄＢを挙げることができる。

【００２２】配向制御膜３の厚さは、１〜５０ｎｍ（好
ましくは２〜３０ｎｍ、さらに好ましくは２〜２０ｎ
ｍ）とするのが好ましい。この厚さが上記範囲未満であ
ると、垂直磁性膜４における垂直配向性が低下し、記録
再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。またこの厚さ
が上記範囲を越えると、垂直磁性膜４において結晶粒子
が粗大化し記録再生特性が悪化する。また記録再生特性
時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大き
くなるため、再生信号の分解能が低下する。

【００２３】垂直磁性膜４は、その磁化容易軸が基板に
対して主に垂直に配向した磁性材料からなるものであ
り、その材料としては、ＣｏＣｒＸ3系、ＣｏＣｒＰｔ
系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ3系、ＣｏＰｔＸ3
系（Ｘ3：Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、およびＢのうち１種または２
種以上）の合金を用いるのが好ましい。特に、垂直磁性
膜４の垂直磁気異方性を高めるために、ＣｏＣｒＰｔＸ
3系、ＣｏＰｔＸ3系の合金で、Ｐｔ含有率が８〜２４ａ
ｔ％であるものを用いることが好ましい。またＰｔ含有
率を１４〜２２ａｔ％とすると、逆磁区核形成磁界（−
Ｈｎ）を確実に０以上とすることができ、優れた熱揺ら
ぎ特性を得ることができるため好ましい。また、垂直磁
性膜４には、遷移金属材料（Ｃｏ、Ｃｏ合金、Ｆｅ、Ｆ
ｅ合金など）と貴金属材料（Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ｐｔ、Ｐ
ｔ合金）とを多数回にわたって積層した構造を採用でき
る。例えば、Ｃｏ、ＣｏＸ4、Ｆｅ、ＦｅＸ4のいずれか
からなる層と、Ｐｄ、ＰｄＸ4、Ｐｔ、ＰｔＸ4（Ｘ4：
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ、Ｏ、Ｒｕ、Ｓｉのうち１種また
は２種以上）のいずれかからなる層を多数回にわたって
積層した構造を採用することができる。上記ＣｏＣｒ
系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ
3系、ＣｏＰｔＸ3系の合金、積層構造膜材料はいずれも
多結晶構造をとるが、本発明の磁気記録媒体では、非晶
質構造の垂直磁性膜を適用することもできる。非晶質構
造をとる材料としては、希土類元素を含む合金（ＴｂＦ
ｅＣｏ系合金など）を用いることができる。

【００２４】垂直磁性膜４の逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）は、０（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏｅ）
以上）とするのが好適である。この逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）が、この範囲未満であると熱揺らぎ耐性が低
下する。図３に示すように、逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）とは、履歴曲線（ＭＨ曲線）において、磁化が飽和
した状態から外部磁場を減少させる過程で、外部磁場が
０となる点ａから磁化反転を起こす点ｂまでの距離（Ｏ
ｅ）で表すことができる。なお、逆磁区核形成磁界（−
Ｈｎ）は、磁化反転を起こす点ｂが、外部磁場が負とな
る領域にある場合に正の値をとり（図３を参照）、逆
に、点ｂが、外部磁場が正となる領域にある場合に負の
値をとる（図４を参照）。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）
の測定には、軟磁性下地膜２の影響を除くため、基板
１、配向制御膜３、垂直磁性膜４、保護膜５のみからな
るディスクを用い、このディスクについて、振動式磁気
特性測定装置またはカー効果測定装置を用いて測定を行
うのが好適である。また磁気記録媒体をそのまま用い
て、振動式磁気特性測定装置またはカー効果測定装置に
より逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を測定することもでき
る。

【００２５】垂直磁性膜４は、成分組成や結晶構造が異
なる２以上の層からなる多層構造とすることもできる。
例えば、複数の磁性層と各磁性層間に形成された中間層
からなり、この中間層がｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を
とる構成とすることができる。これら複数の磁性層は、
成分組成や結晶構造の点で互いに同じものであってもよ
いし、互いに異なっていてもよい。中間層の材料として
は、磁性層に対する格子の整合性を考慮すると、Ｒｕ
（またはＲｅ）に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ、Ｏ、
Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金；Ｎｉに、Ｃｏ、Ｃｒ、
Ｆｅ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加した合金；Ｃｏ
に、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ等を添加
した合金；ＣｏＣｒに、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓ
ｉ、Ｂ等を添加した合金；Ｎｉを用いることができる。

【００２６】垂直磁性膜４の保磁力Ｈｃは、３０００
（Ｏｅ）以上とするのが好ましい。保磁力Ｈｃがこの範
囲未満であると、記録特性、熱揺らぎ特性が劣化するた
め好ましくない。

【００２７】垂直磁性膜４においては、結晶粒の平均粒
径が４〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径
がこの範囲未満であると、保磁力低下、熱揺らぎ特性劣
化が起こりやすくなる。平均粒径が上記範囲を越える
と、媒体ノイズが増加する。結晶粒の平均粒径は、上述
の軟磁性下地膜２における微細結晶２ａの平均粒径と同
様にして求めることができる。

【００２８】垂直磁性膜４の厚さは、５〜５０ｎｍ（特
に７〜３０ｎｍ）とするのが好ましい。この厚さが上記
範囲未満である場合には、垂直磁性膜４の結晶配向が不
十分となりやすくなり、記録再生特性が劣化する。また
厚さが上記範囲を越えると、結晶粒の粗大化が起こりや
すくなりノイズが増加し記録再生特性が劣化する。

【００２９】保護膜５は、垂直磁性膜４の腐食を防ぐと
ともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の
損傷を防ぎ、かつ磁気ヘッドと媒体の間の潤滑特性を確
保するためのものである。保護膜５には、従来公知の材
料を使用することが可能であり、例えばＣ、ＳｉＯ₂、
ＺｒＯ₂の単一組成、またはこれらを主成分とし他元素
を含むものが使用可能である。保護膜５の厚さは、１〜
１０ｎｍとするのが好ましい。

【００３０】潤滑膜６には、パーフルオロポリエーテ
ル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸など公知
の潤滑剤を使用することができる。その種類および膜厚
は、使用される保護膜や潤滑剤の特性に応じて適宜設定
することができる。

【００３１】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
図１に示す基板１上に、スパッタ法などにより軟磁性下
地膜２を形成し、次いで、必要に応じてこの軟磁性下地
膜２の表面に酸化処理を施し、次いで配向制御膜３、垂
直磁性膜４を順次スパッタ法などにより形成する。次い
で、スパッタ法や、ＣＶＤ法、イオンビーム法等によっ
て保護膜５を形成した後、ディップコーティング法、ス
ピンコート法などにより潤滑膜６を形成する。

【００３２】軟磁性下地膜２を形成する際には、上記式
(1)〜(3)に示す材料からＮを除いた材料からなるターゲ
ットを用いたスパッタ法を採用し、成膜時に用いる成膜
ガスに窒素を含有させる方法をとることができる。この
成膜ガスの窒素含有率は０．１〜５０ｖｏｌ％とするの
が好ましい。この窒素含有成膜ガスとしては、窒素とア
ルゴンからなる混合ガスを用いることができる。窒素を
含有する成膜ガスを用いることによって、軟磁性下地膜
２を均一に形成することができるようになる。

【００３３】軟磁性下地膜２の表面に酸化処理を施す場
合には、軟磁性下地膜２を形成した後、軟磁性下地膜２
を酸素含有ガスに曝す方法や、軟磁性下地膜２を形成す
る際の成膜用ガス中に酸素を導入する方法をとることが
できる。軟磁性下地膜２の表面を酸素含有ガスに曝す場
合には、軟磁性下地膜２を、酸素をアルゴンや窒素で希
釈した希釈ガスや純酸素に０．３〜２０秒程度接触させ
る方法をとることができる。また軟磁性下地膜２を大気
に曝す方法をとることもできる。特に、酸素をアルゴン
や窒素などのガスで希釈した希釈ガスを用いる場合に
は、酸素の希釈率を選択することによって、軟磁性下地
膜２表面の酸化の度合いの調節が容易になるため、所望
の酸化状態を得ることができる。また軟磁性下地膜２の
成膜用ガスに酸素を導入する場合には、例えば成膜法と
してスパッタ法を用いるならば、成膜過程の一部のみ
（または全過程）に、酸素を含有するプロセスガスを用
いてスパッタを行えばよい。このプロセスガスとして
は、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５％〜５０
％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが好
適に用いられる。この軟磁性下地膜２の表面酸化によっ
て、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑え、こ
の揺らぎに起因するノイズ発生を防ぐとともに、軟磁性
下地膜２上に形成される配向制御膜３の結晶粒を微細化
してノイズ特性、記録再生特性の改善効果を得ることが
できる。また軟磁性下地膜２表面の酸化部分（酸化層）
によって、非磁性基板１や軟磁性下地膜２の材料がイオ
ン化して媒体表面に移動するのを阻止し、媒体表面の腐
食を防ぐことができる。

【００３４】軟磁性下地膜２を、微細結晶２ａと非晶質
相２ｂとを有するものとする場合には、軟磁性下地膜２
を形成した後、熱処理（アニール処理）を施すことによ
って、境界が鮮明な微細結晶２ａおよび非晶質相２ｂを
形成し、ノイズを低減し、記録再生特性をさらに向上さ
せることができる。アニール処理の温度条件は、２５０
℃〜４５０℃とする。このアニール処理温度が２５０℃
未満であると、媒体ノイズ低減効果が低くなる。またア
ニール処理温度が４５０℃を越えると、微細結晶２ａの
結晶が粗大化し、ノイズ低減効果が低くなるため好まし
くない。アニール処理の時間は特に制限されないが、２
〜５０秒（さらに好ましくは２〜２０秒）とするのが望
ましい。アニール処理後の冷却時間は特に制限されない
が、生産性を考えると、５０秒以下（好ましくは２０秒
以下）とすることが望ましい。

【００３５】配向制御膜３を形成する際には、成膜ガス
に酸素や窒素を導入することによって、配向制御膜３の
表面に酸化膜または窒化膜を形成してもよい。例えば、
成膜法としてスパッタ法を用いるならば、配向制御膜３
の表面付近を形成する際に、プロセスガスとして、アル
ゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは
０．１〜２０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を
体積率で０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０
％）程度混合したガスを用いることによって、上記酸化
膜または窒化膜を形成することができる。

【００３６】垂直磁性膜４を単層構造とする場合には、
この垂直磁性膜４を構成する材料からなるターゲットを
用いて垂直磁性膜４を形成することができる。垂直磁性
膜４を、遷移金属層と貴金属層からなる多層構造とする
場合には、遷移金属（Ｃｏ、Ｃｏ合金）からなる第１の
ターゲットと、貴金属（Ｐｔ、Ｐｄ等）からなる第２の
ターゲットを交互に用いて、それぞれのターゲットの材
料を交互にスパッタすることにより垂直磁性膜４を構成
する。

【００３７】保護膜５の形成方法としては、カーボンタ
ーゲットを用いたスパッタ法や、ＣＶＤ法、イオンビー
ム法を用いることができる。また、ＳｉＯ₂やＺｒＯ₂の
ターゲットを用いたＲＦスパッタ、あるいはＳｉやＺｒ
のターゲットを用い、プロセスガスとして酸素を含むガ
スを用いる反応性スパッタによって、ＳｉＯ₂やＺｒＯ₂
からなる保護膜５を形成する方法などを適用することが
できる。ＣＶＤ法、イオンビーム法を用いる場合には、
極めて硬度の高い保護膜５を形成することができ、スパ
ッタ法よりも保護膜５を大幅に薄くすることが可能とな
るため、記録再生時のスペーシングロスを小さくし、高
密度の記録再生を行うことができる。

【００３８】本実施形態の磁気記録媒体では、軟磁性下
地膜２の材料として、以下に示す組成で表されるものの
うちいずれかを用いるので、記録再生特性を向上させる
ことができる。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ ・・・(1) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｄ≦７、３≦ｆ≦３０） ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(2) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦３０） ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(3) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｄ≦７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０）

【００３９】上記材料を用いることによって、記録再生
特性を向上させることができる理由を以下に示す。窒素
には、Ｆｅ合金膜において結晶粒を微細化する効果があ
るため、窒素の添加によってノイズ低減を図ることがで
きる。さらに、ＦｅＮ合金に、Ｍ（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上）を添
加することによって、ＭとＮが結合した化合物を生成さ
せることができる。このＭとＮを含む化合物は、粒界に
偏析しやすいため、Ｍの添加によって、粒界の形成を促
進し、結晶粒を孤立化させ、さらにノイズを低く抑える
ことができる。またＸ1（Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎ
ｉのうち１種または２種以上）は、Ｆｅに固溶し、Ｆｅ
合金結晶の成長を抑える性質がある。このため、Ｘ1の
添加によって、軟磁性下地膜２において過剰な結晶成長
を阻止することができる。従って、結晶粒の粗大化を防
ぎ、ノイズ低減を図ることができる。またＸ2（Ｐ、
Ｃ、Ｂ、Ｏ）は、粒界領域に偏析しやすく、粒界におい
てＦｅやＭと共有結合する性質があるため、Ｘ2の添加
によって、上記共有結合性化合物を含む粒界を形成させ
ることができる。このため、幅が広く、かつ安定な粒界
を形成するとともに、過剰な結晶成長を抑制することが
できる。従って、結晶粒を微細化、孤立化させ、さらな
るノイズ抑制が可能となる。Ｘ1とＸ2のいずれか１つで
も媒体ノイズ低減効果があるが、これら双方を添加する
ことによって、いっそう優れた媒体ノイズ低減効果を得
ることができる。以上の理由により、上記材料を用いる
ことによって、軟磁性下地膜２内の結晶粒径を小さくす
るとともに、結晶粒を孤立化させ、軟磁性下地膜２に起
因するノイズを低減することができる。また結晶粒を孤
立化させることができるため、これら結晶粒間の磁気的
相互作用を抑制することができる。このため、軟磁性下
地膜２中の磁気クラスターサイズを小さくし、この磁気
クラスターに基づくノイズを抑えることができる。

【００４０】また、軟磁性下地膜２において結晶粒を微
細化、孤立化できることから、軟磁性下地膜２の影響下
で成長する配向制御膜３、垂直磁性膜４においても結晶
粒の微細化、孤立化を図ることができる。このため、さ
らなる媒体ノイズ低減を図ることができる。また上記磁
気記録媒体では、記録再生時において、磁気ヘッドから
の磁束が垂直磁性膜４、軟磁性下地膜２を通って再び磁
気ヘッドに至る閉磁路が形成される。このように、軟磁
性下地膜２と垂直磁性膜４は共通の磁束により磁化され
るため、垂直磁性膜４の磁気クラスターサイズは、軟磁
性下地膜２の磁気クラスターサイズに影響されるように
なる。このため、垂直磁性膜４の磁気クラスターサイズ
は、軟磁性下地膜２の磁気クラスターサイズと同様、小
さくなる。

【００４１】以上より、本実施形態の磁気記録媒体で
は、軟磁性下地膜２および垂直磁性膜４において、結晶
粒径および磁気クラスターサイズを小さくし、記録再生
特性を向上させ、高密度の情報の記録再生が可能とな
る。なお、磁気クラスターサイズは、磁気間力顕微鏡
（ＭＦＭ）により求めることができる。すなわち軟磁性
下地膜２を形成した段階の媒体を交流消磁した後、ＭＦ
Ｍで磁化状態を測定して、互いにほぼ同じ方向に向いて
いる磁化の集団の直径を磁気クライスターサイズとする
ことができる。

【００４２】また本実施形態の磁気記録媒体では、軟磁
性下地膜２に、上記式(1)〜(3)に示す材料を用いるの
で、軟磁性下地膜２において十分な磁化を得ることがで
きる。このため、軟磁性下地膜２を過大な厚さに形成す
る必要がなく、生産性の低下を防ぐことができる。また
軟磁性下地膜２の表面粗さを小さくし、グライドハイト
特性の劣化を防ぐことができる。

【００４３】また、軟磁性下地膜２を、微細結晶２ａ
と、微細結晶２ａよりもＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上）
を多く含有する非晶質相２ｂとからなるものとすること
によって、幅が広く、かつ安定な非晶質相２ｂを形成
し、微細結晶２ａ間の磁気的相互作用を抑え、磁気クラ
イスターサイズを小さくでき、媒体ノイズを小さくする
ことができる。非晶質相２ｂが幅広で安定なものとなる
のは、ＭとＮが結合した化合物が形成され、この化合物
が非晶質相２ｂに偏析するためであると考えられる。

【００４４】本実施形態の磁気記録媒体の製造方法で
は、軟磁性下地膜２に、上記式(1)〜(3)に示す材料を用
いるので、軟磁性下地膜２、垂直磁性膜４内の結晶粒径
を小さくし、軟磁性下地膜２、垂直磁性膜４に起因する
ノイズを低減することができる。また軟磁性下地膜２お
よび垂直磁性膜４の磁気クラスターサイズを小さくし、
この磁気クラスターに基づくノイズを抑えることができ
る。従って、記録再生特性を向上させ高密度の情報の記
録再生が可能となる。

【００４５】図５は、本発明の磁気記録媒体の第２の実
施形態を示すものである。この磁気記録媒体では、軟磁
性下地膜２と配向制御膜３との間に、配向制御下地膜７
が設けられている点で、上記第１の実施形態の磁気記録
媒体と異なる。配向制御下地膜７には、Ｔｉ、Ｚｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種ま
たは２種以上を主成分とする材料を用いることができ
る。また、配向制御下地膜７の材料としては、Ｂ２構造
をなす材料を用いることもできる。Ｂ２構造をなす材料
としては、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、
ＮｉＴｉ、ＡｌＣｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉのうち１種ま
たは２種以上の合金を主成分とするものが使用できる。
また、これらの合金にＣｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎ
ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｏ、Ｎ等の元素を添加した材料を
用いることもできる。配向制御下地膜７の厚さは、３０
ｎｍ以下とするのが好ましい。この厚さが上記範囲を越
えると、垂直磁性膜４と軟磁性下地膜２との距離が大き
くなるため分解能およびノイズ特性が劣化する。配向制
御下地膜７の厚さは、０．１ｎｍ以上とするのが好まし
い。

【００４６】図６は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すものである。この磁気記録媒体では、配向
制御膜３と垂直磁性膜４との間に、非磁性材料からなる
非磁性中間膜８が設けられている点で、図１に示す第１
の実施形態の磁気記録媒体と異なる。非磁性中間膜８に
は、ｈｃｐ構造をとる非磁性材料を用いるのが好まし
い。この材料としては、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ5合
金、ＣｏＸ5合金（Ｘ5は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｎ
ｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂ
のうち１種または２種以上）を用いるのが好適である。
非磁性中間膜８の厚さは、垂直磁性膜４における磁性粒
の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟
磁性下地膜２の距離が大きくなることによる記録分解能
の低下を防ぐため、２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ
以下）とするのが好適である。本実施形態では、非磁性
中間膜８を設けることによって、垂直磁性膜４の配向性
を向上させ、保磁力Ｈｃを高め、記録再生特性および熱
揺らぎ特性をさらに向上させることができる。

【００４７】図７は、本発明の磁気記録媒体の第４の実
施形態を示すものである。この磁気記録媒体では、非磁
性基板１と軟磁性下地膜２との間に、磁化容易軸が面内
方向に向いた硬磁性膜９と面内下地膜１０が設けられて
いる点で、図１に示す第１の実施形態の磁気記録媒体と
異なる。硬磁性膜９に用いられる材料としては、ＣｏＣ
ｒ合金、特にＣｏＣｒＸ6（Ｘ6は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、
Ｂのうちから選ばれる１種または２種以上）を用いるの
が好適である。またＣｏＳｍ合金を用いてもよい。硬磁
性膜９は、保磁力Ｈｃが１０００（Ｏｅ）以上（好まし
くは２０００（Ｏｅ）以上）であることが好ましい。硬
磁性膜９の厚さは、１０〜１５０ｎｍ（好ましくは４０
〜８０ｎｍ）とするの好ましい。硬磁性膜９は、軟磁性
下地膜２が基板半径方向の磁壁を形成しないようにする
ため、基板中心から放射状の方向に磁化され、硬磁性膜
９と軟磁性下地膜２が交換結合していることが好まし
い。面内下地膜１０は、硬磁性膜９の直下に設けられ、
その材料としては、ＣｒまたはＣｒ合金を挙げることが
できる。面内下地膜１０に用いられるＣｒ合金の例とし
ては、ＣｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＷ系、ＣｒＭｏ
系、ＣｒＶ系、ＣｒＳｉ系、ＣｒＮｂ系の合金を挙げる
ことができる。

【００４８】硬磁性膜９を設けることによって、軟磁性
下地膜２での巨大磁区の形成を抑えることができる。こ
のため、外乱磁場が大きい環境下においてもスパイクノ
イズの発生を防ぐことができ、エラーレート特性に優
れ、高密度記録が可能な磁気記録媒体を得ることができ
る。

【００４９】図８は、本発明の磁気記録媒体の第５の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体で
は、垂直磁性膜４と保護膜５との間に、磁化安定膜１１
が設けられている点で図１に示す第１の実施形態の磁気
記録媒体と異なる。磁化安定膜１１の材料としては、Ｆ
ｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅ合金を用いることがで
きる。この材料としては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、
ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮ
ｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ
系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、
ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣ
ｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合
金（ＦｅＴａ、ＦａＴａＣなど）、ＦｅＣ系合金、Ｆｅ
Ｎ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系
合金、ＦｅＨｆ系合金を挙げることができる。磁化安定
膜１１は、ＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、Ｆｅ
ＺｒＮなどの微細結晶を有する構成とすることができ
る。また微細結晶がマトリクス中に分散されたグラニュ
ラー構造とすることもできる。磁化安定膜１１には、Ｃ
ｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ等のうち少なくとも１種以上を含有するＣｏ合金を
用いることもできる。例えば、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮ
ｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏなどを
好適なものとして挙げることができる。磁化安定膜１１
の保磁力Ｈｃは１００（Ｏｅ）以下（好ましくは５０
（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。磁化安定膜１１の
飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ以上（好ましくは１Ｔ以
上）とするのが好ましい。また、磁化安定膜１１の飽和
磁束密度膜厚積Ｂｓ・ｔは７．２Ｔ・ｎｍ以下であるこ
と好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲を越えると再生出
力が低下するため好ましくない。また磁化安定膜１１の
最大透磁率は、１０００〜１００００００（好ましくは
１００００〜５０００００）とするのが好ましい。磁化
安定膜１１は、構成材料が部分的または完全に酸化され
た構成とすることができる。すなわち磁化安定膜１１の
表面（保護膜５側または垂直磁性膜４側の面）およびそ
の近傍において、構成材料が部分的または全体的に酸化
された構成とすることができる。

【００５０】本実施形態では、磁化安定膜１１を設ける
ことによって、熱揺らぎ特性の向上、再生出力の増大を
図ることができる。再生出力が増大するのは、磁化安定
膜１１によって、垂直磁性膜４の表面における磁化の揺
らぎが抑えられることから、漏れ磁束が揺らぎの影響を
受けなくなるためであると考えられる。熱揺らぎ特性が
向上するのは、磁化安定膜１１によって、垂直磁性膜４
の垂直方向の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜
１１の面内方向の磁化が、閉磁路を形成するようにな
り、垂直磁性膜４の磁化がより強固に垂直方向に固定さ
れるためであると考えられる。また磁化安定膜１１の表
面が酸化された構成とする場合には、磁化安定膜１１の
表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるため、この
磁気的な揺らぎに起因するノイズを低減し、磁気記録媒
体の記録再生特性を改善することができる。

【００５１】図９は、本発明に係る磁気記録再生装置の
一例を示す構成図である。この図に示す磁気記録再生装
置は、上記構成の磁気記録媒体２０と、この磁気記録媒
体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒
体２０に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッド２２
と、磁気ヘッド２２を駆動させるヘッド駆動部２３と、
記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生信号
系２４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気
ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号
を処理してデータを出力することができるようになって
いる。

【００５２】磁気ヘッド２２としては、単磁極ヘッドを
用いることができる。図１０は、単磁極ヘッドの一例を
示すもので、単磁極ヘッド２２は、磁極２５と、コイル
２６とから概略構成されている。磁極２５は、幅の狭い
主磁極２７と幅広の補助磁極２８とを有する側面視略コ
字状に形成され、主磁極２７は、記録時に垂直磁性膜４
に印加される磁界を発生し、再生時に垂直磁性膜４から
の磁束を検出することができるようになっている。

【００５３】単磁極ヘッド２２を用いて、磁気記録媒体
２０への記録を行う際には、主磁極２７の先端から発せ
られた磁束が、垂直磁性膜４を、基板１に対しほぼ垂直
な方向に磁化させる。この際、磁気記録媒体２０には軟
磁性下地膜２が設けられているため、単磁極ヘッド２２
の主磁極２７からの磁束は、垂直磁性膜４、軟磁性下地
膜２を通って補助磁極２８に至る閉磁路を形成する。こ
の閉磁路が単磁極ヘッド２２と磁気記録媒体２０との間
に形成されることにより、磁束の出入りの効率が増し、
高密度の記録再生が可能になる。なお、軟磁性下地膜２
と補助磁極２８との間の磁束は、主磁極２７と軟磁性下
地膜２との間の磁束とは逆向きになるが、補助磁極２８
の面積は主磁極２７に比べて十分に広いので、補助磁極
２８からの磁束密度は十分に小さくなり、この補助磁極
２８からの磁束により垂直磁性膜４の磁化が影響を受け
ることはない。また本発明では、磁気ヘッドとして、単
磁極ヘッド以外のもの、例えば再生部に巨大磁気抵抗
（ＧＭＲ）素子を備えた複合型薄膜磁気記録ヘッドを用
いることもできる。

【００５４】本実施形態の磁気記録再生装置は、磁気記
録媒体２０の軟磁性下地膜２に、上記式(1)〜(3)に示す
材料を用いるので、軟磁性下地膜２内の結晶粒を微細
化、孤立化し、軟磁性下地膜２に起因するノイズを低減
することができる。また軟磁性下地膜２中の磁気クラス
ターサイズを小さくし、これによって垂直磁性膜４内の
磁気クラスターサイズを小さくすることができる。この
ため、この磁気クラスターに基づくノイズを抑えること
ができる。従って、記録再生特性を向上させ高密度の情
報の記録再生が可能となる。

【００５５】

【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外
径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し
て、到達真空度１×１０^-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ
内を排気した後、このガラス基板上に、８４Ｆｅ−１３
Ｈｆ−３Ｃｒからなるターゲットを用い、アルゴン・窒
素混合ガス（窒素含有率５ｖｏｌ％）中で、軟磁性下地
膜２（厚さ１００ｎｍ）を形成した。次いで、軟磁性下
地膜２に３５０℃の条件で１０秒間の熱処理（アニール
処理）を施した。軟磁性下地膜２の組成をオージェ電子
分光法（ＡＥＳ）を用いて測定したところ、７５Ｆｅ−
１１．６Ｈｆ−２．４Ｃｒ−１１Ｎであることが確認さ
れた。また透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いてこの軟
磁性下地膜２を観察したところ、この軟磁性下地膜２
は、多数の微細結晶２ａが非晶質相２ｂによって隔てら
れた構造となっており、この微細結晶２ａの平均粒径が
１０ｎｍであることが確認された。また振動式磁気特性
測定装置（ＶＳＭ）による測定の結果、軟磁性下地膜２
の飽和磁束密度Ｂｓは１．５Ｔであり、Ｂｓ・ｔが１５
０Ｔ・ｎｍであることがわかった。次いで、２００℃の
条件で、軟磁性下地膜２上に、５０Ｎｉ−５０Ａｌから
なる配向制御下地膜７（厚さ８ｎｍ）と、Ｒｕからなる
配向制御膜３（厚さ１０ｎｍ）とからなる配向制御膜３
を順次形成した。次いで、６５Ｃｏ−１７Ｃｒ−１６Ｐ
ｔ−２Ｂからなる垂直磁性膜４（厚さ２５ｎｍ）を形成
した。垂直磁性膜４をＴＥＭを用いて観察した結果、平
均結晶粒径が９ｎｍであることが明らかになった。また
Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて垂直磁性膜４の静磁気特
性を調べたところ、保磁力は４５７０（Ｏｅ）、逆磁区
核形成磁界（−Ｈｎ）は７５０（Ｏｅ）であった。また
軟磁性下地膜２、配向制御膜３、垂直磁性膜４を形成す
る際には、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用
い、その圧力を０．５Ｐａに設定した。次いで、ＣＶＤ
法により保護膜５（厚さ５ｎｍ）を形成した。次いで、
ディップコーティング法によりパーフルオロポリエーテ
ルからなる潤滑膜６を形成し、磁気記録媒体を得た。な
お上記合金材料の記載において、ａＡ−ｂＢは、ａ（ａ
ｔ％）Ａ−ｂ（ａｔ％）Ｂを示す。例えば６５Ｃｏ−１
７Ｃｒ−１６Ｐｔ−２Ｂは、６５ａｔ％Ｃｏ−１７ａｔ
％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｂ（Ｃｏ含有率６５
ａｔ％、Ｃｒ含有率１７ａｔ％、Ｐｔ含有率１６ａｔ
％、Ｂ含有率２ａｔ％）を意味する。

【００５６】（実施例２〜１５）軟磁性下地膜２の組成
を表１に示すとおりとすること以外は、実施例１に準じ
て磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。

【００５７】（比較例１〜６）軟磁性下地膜２の組成を
表１に示すとおりとすること以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。

【００５８】これら実施例および比較例の磁気記録媒体
について、記録再生特性を評価した。記録再生特性の評
価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１
６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて
測定した。記録再生特性の評価には、磁気ヘッドとして
垂直記録用の単磁極ヘッドを用い、線記録密度６００ｋ
ＦＣＩにて測定を行った。試験結果を表１に示す。

【００５９】

【表１】

【００６０】表１より、上記式(1)に示す材料を軟磁性
下地膜２に用いた実施例では、比較例に比べ、優れた記
録再生特性を示したことがわかる。

【００６１】（実施例１６〜２６）軟磁性下地膜２の組
成を表２に示すとおりとすること以外は、実施例１に準
じて磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００６２】（比較例７、８）軟磁性下地膜２の組成を
表２に示すとおりとすること以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００６３】これら実施例および比較例の磁気記録媒体
について、記録再生特性を評価した。試験結果を表２に
示す。

【００６４】

【表２】

【００６５】表２より、上記式(2)に示す材料を軟磁性
下地膜２に用いた実施例では、比較例に比べ、優れた記
録再生特性を示したことがわかる。

【００６６】（実施例２７〜３５）軟磁性下地膜２の組
成を表３に示すとおりとすること以外は、実施例１に準
じて磁気記録媒体を作製した（表３を参照）。これら実
施例の磁気記録媒体について、記録再生特性を評価した
結果を表３に示す。

【００６７】

【表３】

【００６８】表３より、上記式(3)に示す材料を軟磁性
下地膜２に用いた実施例では、優れた記録再生特性を示
したことがわかる。また式(1)、(2)に示す材料を用いた
実施例（表１、表２）に比べて、より優れた記録再生特
性が得られたことがわかる。

【００６９】（実施例３６〜３９）軟磁性下地膜２の飽
和磁束密度Ｂｓおよび厚さｔを表４に示すとおりとする
こと以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した
（表４を参照）。これら実施例の磁気記録媒体につい
て、記録再生特性を評価した結果を表４に示す。

【００７０】

【表４】

【００７１】表４より、飽和磁束密度Ｂｓを１Ｔ以上
（特に１．４Ｔ以上）とすることによって、優れた記録
再生特性を得ることができたことがわかる。

【００７２】（実施例４０〜４２）軟磁性下地膜２の飽
和磁束密度Ｂｓおよび膜厚ｔを表５に示すとおりとする
こと以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した
（表５を参照）。これら実施例の磁気記録媒体につい
て、記録再生特性を評価した結果を表５に示す。

【００７３】

【表５】

【００７４】表５より、飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔの積
Ｂｓ・ｔを５０Ｔ・ｎｍ以上（特に１００Ｔ・ｎｍ以
上）とすることによって、優れた記録再生特性を得るこ
とができたことがわかる。

【００７５】（実施例４３〜５４）配向制御下地膜７お
よび配向制御膜３の材料およびその厚さを表６に示すと
おりとすること以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体
を作製した（表６を参照）。これら実施例の磁気記録媒
体について、記録再生特性を評価した結果を表６に示
す。

【００７６】

【表６】

【００７７】表６より、配向制御膜３に、ｈｃｐ構造ま
たはｆｃｃ構造材料（特にＲｕ、Ｈｆ、Ｒｕ合金、Ｈｆ
合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金）を用いた構成によって、記録再
生特性に優れた磁気記録媒体を得ることができたことが
わかる。

【００７８】（実施例５５〜６３）垂直磁性膜４の材料
およびその厚さを表７に示すとおりとすること以外は、
実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表７を参
照）。これら磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性を評価した結
果を表７に示す。熱揺らぎ耐性の評価は、７０℃の条件
下で線記録密度５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこなった
後、書き込み後１秒後の再生出力に対する出力の低下率
（％／ｄｅｃａｄｅ）を、（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓ
ｏ×３）に基づいて算出した。この式において、Ｓｏは
磁気記録媒体に信号記録後１秒経過時の再生出力を示
し、Ｓは１０００秒後の再生出力を示す。これら実施例
の磁気記録媒体について、記録再生特性を評価した結果
を併せて表７に示す。

【００７９】

【表７】

【００８０】表７より、垂直磁性膜４の厚さを５〜５０
ｎｍ（特に７〜３０ｎｍ）とすることによって、優れた
記録再生特性が得られたことがわかる。また垂直磁性膜
４にＣｏＣｒＰｔ合金を用いた場合には、Ｐｔ含有率を
８〜２４ａｔ％とすることによって、優れた熱揺らぎ耐
性が得られることがわかる。

【００８１】（実施例６４〜６７）軟磁性下地膜２の表
面を酸素含有ガス（曝露ガス）に曝すことによって、軟
磁性下地膜２に酸化処理を施すこと以外は実施例１に準
じて磁気記録媒体を作製した。曝露ガスとしては、純酸
素（１００％Ｏ₂）、または酸素アルゴン混合ガス（５
０ｖｏｌ％Ｏ₂−５０ｖｏｌ％Ａｒ）を用いた。上記曝
露によって軟磁性下地膜２の表面に形成された酸化層の
厚さを表８に示す。これら実施例の磁気記録媒体につい
て、記録再生特性を評価した結果を表８に示す。

【００８２】（実施例６８）軟磁性下地膜２を形成する
際に、プロセスガス（成膜ガス）として、Ａｒ（１００
％）を用い、次いで酸素アルゴン混合ガス（混合比：１
０ｖｏｌ％Ｏ₂−９０ｖｏｌ％Ａｒ）を用いること以外
は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表８を参
照）。酸素アルゴン混合ガスの使用によって、軟磁性下
地膜２の表面付近に酸化層が形成された。この酸化層の
厚さを表８に併せて示す。この磁気記録媒体について、
記録再生特性を評価した結果を表８に示す。

【００８３】

【表８】

【００８４】表８より、軟磁性下地膜２の酸化によっ
て、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。

【００８５】（実施例６９〜７６）配向制御膜３と垂直
磁性膜４との間に非磁性中間膜８を設けること以外は実
施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表９を参
照）。これら実施例の磁気記録媒体について、記録再生
特性および熱揺らぎ耐性を評価した結果を表９に示す。

【００８６】

【表９】

【００８７】表９より、非磁性中間膜８を設けることに
よって、記録再生特性、熱揺らぎ耐性を向上させること
ができたことがわかる。特に、非磁性中間膜８の厚さを
２０ｎｍ以下（特に１０ｎｍ以下）とすることによっ
て、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。

【００８８】（実施例７７〜８１）非磁性基板１と軟磁
性下地膜２との間に硬磁性膜９、面内下地膜１０を設け
ること以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製し
た（表１０を参照）。面内下地膜１０には、９４Ｃｒ６
Ｍｏを用い、厚さは１５ｎｍとした。これら実施例の磁
気記録媒体について、記録再生特性を評価した結果を表
１０に示す。表１０には、スパイクノイズの有無も併せ
て示す。

【００８９】

【表１０】

【００９０】表１０より、硬磁性膜９、面内下地膜１０
を設けることによって、スパイクノイズを抑えることが
できたことがわかる。また十分な記録再生特性を得るこ
とができたことがわかる。

【００９１】（実施例８２〜８６）垂直磁性膜４と保護
膜５との間に磁化安定膜１１を設けたこと以外は、実施
例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表１１を参
照）。これら実施例の磁気記録媒体について、記録再生
特性を評価した結果を表１１に示す。

【００９２】

【表１１】

【００９３】表１１より、磁化安定膜１１を設けること
によって、記録再生特性、再生出力、熱揺らぎ耐性を向
上させることができたことがわかる。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、軟磁性下地膜の材料として、以下に示
す組成で表されるもののうちいずれかを用いるので、記
録再生特性を向上させることができる。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ ・・・(1) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｄ≦７、３≦ｆ≦３０） ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(2) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦３０） ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ ・・・(3) （６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２
０、０．１≦ｄ≦７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０）

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を
示す一部断面図である。

【図２】 図１に示す磁気記録媒体の軟磁性下地膜を
示す構造図である。

【図３】 履歴曲線の一例を示すグラフである。

【図４】 履歴曲線の他の例を示すグラフである。

【図５】 本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を
示す一部断面図である。

【図６】 本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す一部断面図である。

【図７】 本発明の磁気記録媒体の第４の実施形態を
示す一部断面図である。

【図８】 本発明の磁気記録媒体の第５の実施形態を
示す一部断面図である。

【図９】 本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概
略構成図である。

【図１０】 図９に示す磁気記録再生装置に使用され
る磁気ヘッドの一例を示す構成図である。

【符号の説明】

１…非磁性基板、２…軟磁性下地膜、２ａ・・・微細結
晶、２ｂ・・・非晶質相、３…配向制御膜、４…垂直磁性
膜、５…保護膜、２０…磁気記録媒体、２２…磁気ヘッ
ド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 AA01 CA03 CA05 DA08 EA03 FA06 5D112 AA05 BB02 FA04 GB02 5E049 AA01 AC01 BA06 GC01

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性
   下地膜が、以下の組成で表される材料を含むことを特徴
   とする磁気記録媒体。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
   １種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
   Ｎｉのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、
   ｄ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
   ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
   ７、３≦ｆ≦３０である。）
2. 【請求項２】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性
   下地膜が、以下の組成で表される材料を含むことを特徴
   とする磁気記録媒体。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
   １種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種
   または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率
   で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦
   ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦
   ３０である。）
3. 【請求項３】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性
   下地膜が、以下の組成で表される材料を含むことを特徴
   とする磁気記録媒体。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
   １種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
   Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
   のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
   ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
   ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
   ７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。）
4. 【請求項４】 ６０≦ａ＋ｂ≦８０、３０≦ａ≦８
   ０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦３、０．１≦ｅ≦５、
   ８≦ｆ≦２５であることを特徴とする請求項３に記載の
   磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 軟磁性下地膜が、Ｆｅを主成分する平
   均粒径１３ｎｍ以下の微細結晶と、該微細結晶よりもＭ
   とＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏの
   うち１種または２種以上）を多く含有する非晶質相とか
   らなることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか
   １項に記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 微細結晶がｂｃｃ構造をとることを特
   徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓが１
   Ｔ以上であることを特徴とする請求項１乃至６のうちい
   ずれか１項に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓが
   １．４Ｔ以上であることを特徴とする請求項１乃至７の
   うちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓと該
   軟磁性下地膜の膜厚ｔとの積Ｂｓ・ｔが５０Ｔ・ｎｍ以
   上であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれ
   か１項に記載の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 軟磁性下地膜の飽和磁束密度Ｂｓと
    該軟磁性下膜の膜厚ｔとの積Ｂｓ・ｔが１００Ｔ・ｎｍ
    以上であることを特徴とする請求項１乃至９のうちいず
    れか１項に記載の磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】 配向制御膜が、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚ
    ｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種または２
    種以上を５０％ａｔ以上含有するｈｃｐ構造材料からな
    ることを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１
    項に記載の磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】 配向制御膜が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、
    Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌのうち１種または２種以
    上を５０％ａｔ以上含有するｆｃｃ構造材料からなるこ
    とを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に
    記載の磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 軟磁性下地膜の垂直磁性膜側の表面
    の一部または全面が酸化されていることを特徴とする請
    求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒
    体。
14. 【請求項１４】 垂直磁性膜の逆磁区核形成磁界（−
    Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上であることを特徴とする請求項
    １乃至１３のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
15. 【請求項１５】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性
    材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御
    する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
    配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記軟磁性下
    地膜を、以下の組成で表される材料を含むように形成す
    ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
    １種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
    Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
    のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
    ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
    ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
    ７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。）
16. 【請求項１６】 軟磁性下地膜を、Ｆｅを主成分する
    平均粒径１３ｎｍ以下の微細結晶と、該微細結晶よりも
    ＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ
    のうち１種または２種以上）を多く含有する非晶質相と
    からなるものとすることを特徴とする請求項１５に記載
    の磁気記録媒体の製造方法。
17. 【請求項１７】 軟磁性下地膜をスパッタ法にて成膜
    し、成膜の際に用いる成膜ガスの窒素含有率を０．１〜
    ５０ｖｏｌ％とすることを特徴とする請求項１５または
    １６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
18. 【請求項１８】 軟磁性下地膜を形成した後、この軟
    磁性下地膜を２５０℃〜４５０℃で熱処理することを特
    徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の磁
    気記録媒体の製造方法。
19. 【請求項１９】 磁気記録媒体と、この磁気記録媒体
    に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再
    生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁
    気記録媒体が、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料
    からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する
    配向制御膜と、磁化容易膜が基板に対し主に垂直に配向
    した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、前記軟磁性下
    地膜が、以下の組成で表される材料を含むことを特徴と
    する磁気記録再生装置。 ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｄＸ1−ｅＸ2−ｆＮ （Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち
    １種または２種以上、Ｘ1＝Ｃｒ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｉ、
    Ｎｉのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏ
    のうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
    ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ
    ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｄ≦
    ７、０．１≦ｅ≦７、３≦ｆ≦３０である。）
20. 【請求項２０】 軟磁性下地膜が、Ｆｅを主成分する
    平均粒径１３ｎｍ以下の微細結晶と、該微細結晶よりも
    ＭとＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ
    のうち１種または２種以上）を多く含有する非晶質相と
    からなるものであることを特徴とする請求項１９に記載
    の磁気記録再生装置。