JP2002352409A - 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノイズ特性を劣化させることなく、生産効率
を向上させることが可能な磁気記録媒体、その製造方
法、および磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】 非磁性基板１と、軟磁性下地膜４との間
に、面内下地膜２と、磁化容易軸が主に面内方向に向い
た面内硬磁性膜３とが形成され、面内下地膜２は、Ｃｒ
またはＣｒ合金からなるものであり、面内硬磁性膜３
は、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのう
ちから選ばれる１種または２種以上）を主成分とするも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し
垂直に配向した垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した
場合でも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境界
が鮮明な記録磁区が形成されるため、熱揺らぎ特性およ
びノイズ特性を高めることができることから、大きな注
目を集めている。近年では、基板と垂直磁性膜との間
に、軟磁性材料からなる軟磁性下地膜（いわゆる裏打ち
層）を設け、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の
出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されてい
る。軟磁性下地膜は、保磁力が小さく磁化方向が変化し
やすいため巨大な磁区を形成する。この磁区の境界であ
る磁壁は、スパイクノイズ発生の原因となることがあ
る。このため、基板と軟磁性下地膜との間に硬磁性材料
からなる硬磁性膜を設け、この硬磁性膜と軟磁性下地膜
との磁気的交換結合により、軟磁性下地膜の磁化方向を
強制的に基板半径方向に向け、上記磁区の形成によるス
パイクノイズ発生を防ぐことが検討されている。この硬
磁性膜を設けた磁気記録媒体としては、特開平５−２７
７６８７号公報に開示されたものがある。この公報に開
示された磁気記録媒体は、軟磁性下地膜の下に、ＳｍＣ
ｏ合金またはＣｏＣｒＴａからなる面内永久磁石膜が設
けられている。軟磁性下地膜の厚さは、２５〜２００ｎ
ｍが例示されている。この磁気記録媒体では、この面内
永久磁石膜によって上記ノイズ発生を防ぐことができ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の製造に
おいて、成膜には、通常、スパッタ法が用いられる。ス
パッタ法は他の成膜方法に比べ成膜速度が低いため、生
産効率が低くなりやすい方法である。上記従来の磁気記
録媒体では、軟磁性下地膜を薄く形成することによって
生産効率の向上を図ることができるが、その場合には、
軟磁性下地膜の下に設けられた面内永久磁石膜からのノ
イズによって、得られた磁気記録媒体のノイズ特性が劣
化する問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたもので、ノイズ特性を劣化させることなく、生産効
率を向上させることが可能な磁気記録媒体、その製造方
法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とす
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、軟磁性下地
膜を薄く形成した際のノイズ特性劣化の問題が、硬磁性
膜を原因として生じるノイズによるものであり、軟磁性
下地膜の薄膜化によってノイズ特性が劣化するのは、記
録再生時に磁気ヘッドと硬磁性膜との距離が小さくなる
ために、硬磁性膜に起因するノイズが増加することが原
因となっていることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成した。すなわち本発明の磁気記録媒体は、非磁
性基板と軟磁性下地膜との間に、面内下地膜と、磁化容
易軸が主に面内方向に向いた面内硬磁性膜とが形成さ
れ、面内下地膜は、ＣｒまたはＣｒ合金からなるもので
あり、面内硬磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、
Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれる１種または２種以
上）を含むものであることを特徴とする。軟磁性下地膜
の磁化回復率は、０．８５以上とするのが好ましい。面
内硬磁性膜の保磁力角型比Ｓ^*は、０．６以上であるこ
とが好ましい。本発明の磁気記録媒体では、面内硬磁性
膜の保磁力Ｈｃが１０００（Ｏｅ）以上、飽和磁化Ｍｓ
が２００（ｍｅｍｕ／ｃｍ³）以上、６００（ｍｅｍｕ
／ｃｍ³）未満であり、厚さが１０ｎｍ以上、１００ｎ
ｍ未満であることが好ましい。軟磁性下地膜の膜厚は、
５０〜２００ｎｍとするのが好ましい。本発明の磁気記
録媒体の製造方法は、非磁性基板と軟磁性下地膜との間
に、面内下地膜を設け、その上に磁化容易軸が主に面内
方向に向いた面内硬磁性膜を設け、面内下地膜を、Ｃｒ
またはＣｒ合金からなるものとし、面内硬磁性膜を、Ｃ
ｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから
選ばれる１種または２種以上）を含むものとすることを
特徴とする。本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッド
とを備え、磁気記録媒体が、非磁性基板と軟磁性下地膜
との間に、面内下地膜と、磁化容易軸が主に面内方向に
向いた面内硬磁性膜とが形成され、面内下地膜は、Ｃｒ
またはＣｒ合金からなるものであり、面内硬磁性膜は、
ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちか
ら選ばれる１種または２種以上）を含むものであること
を特徴とする。

【０００５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態を
示すものである。ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基
板１上に、面内下地膜２と、面内硬磁性膜３と、軟磁性
下地膜４と、配向制御膜５と、垂直磁性膜６と、保護膜
７と、潤滑膜８とが順次設けられて構成されている。基
板１としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いら
れているＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基
板、ガラス基板（結晶化ガラス、強化ガラス等）、セラ
ミックス基板、カーボン基板、シリコン基板、シリコン
カーバイド基板を挙げることができる。またこれらの基
板にＮｉＰ膜をメッキ法やスパッタ法などにより形成し
た基板を挙げることができる。基板１の表面の平均粗さ
Ｒａは、０．０１〜２ｎｍ（好ましくは０．０５〜１．
５ｎｍ）とするのが好適である。表面平均粗さＲａがこ
の範囲未満であると、媒体への磁気ヘッドの吸着や、記
録再生時の磁気ヘッド振動が起こりやすくなる。また表
面平均粗さＲａがこの範囲を越えるとグライド特性が不
十分となりやすい。

【０００６】面内下地膜２は、直上に位置する面内硬磁
性膜３の結晶配向性を高めるためのもので、Ｃｒまたは
Ｃｒ合金が用いられる。面内下地膜２に用いられるＣｒ
合金の例としては、ＣｒＭｏ系、ＣｒＴｉ系、ＣｒＷ
系、ＣｒＭｏ系、ＣｒＶ系、ＣｒＳｉ系、ＣｒＮｂ系の
合金を挙げることができる。このＣｒ合金におけるＣｒ
の含有率は、６０ａｔ％以上（好ましくは７５ａｔ％以
上）とするのが好ましい。このＣｒ含有率が上記範囲未
満であると、面内硬磁性膜３の結晶配向性が劣化し、面
内硬磁性膜３において保磁力などの磁気特性が低下す
る。この面内下地膜２の厚さは、１〜１００ｎｍ（好ま
しくは２〜５０ｎｍ）とするのが好適である。

【０００７】面内硬磁性膜３は、軟磁性下地膜４におけ
る磁区形成を抑え、スパイクノイズ発生を防ぐためのも
ので、磁化容易軸が主に面内方向（基板面に沿う方向）
に配向した磁性膜である。本実施形態の磁気記録媒体に
おいて、面内硬磁性膜３は、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘ
は、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれる１種または２種
以上）を含むものである。特に、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金
を主成分とするものであることが好ましい。なお主成分
とは当該成分を５０ａｔ％を越えて含むことを意味す
る。このＣｏＣｒＰｔＸ系合金としては、ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣ
ｕ系合金を用いるのが好ましい。

【０００８】面内硬磁性膜３には、Ｃｒを１０〜２６ａ
ｔ％、Ｐｔを１〜１６ａｔ％、Ｘを０．５〜１０ａｔ％
含み、残部が実質的にＣｏからなるＣｏＣｒＰｔＸを用
いるのが好ましい。Ｃｒの含有率を上記範囲とするのが
好ましいのは、この含有率が上記範囲未満では磁性膜内
におけるＣｒ偏析が起こりにくくなり磁性粒子の分散が
不十分となってノイズが増加し、上記範囲を越えると保
磁力Ｈｃが低下するためである。Ｐｔの含有率を上記範
囲とするのが好ましいのは、この含有率が上記範囲未満
では保磁力Ｈｃが低くなり、上記範囲を越えるとノイズ
が大きくなる傾向があるためである。Ｘの含有率を上記
範囲にするのが好ましいのは、この含有率が上記範囲未
満ではノイズが増加する傾向があり、上記範囲を越える
と保磁力Ｈｃが低くなるためである。

【０００９】面内硬磁性膜３の保磁力角型比Ｓ^*は、
０．６以上（好ましくは０．７以上）とするのが好まし
い。保磁力角型比Ｓ^*が上記範囲を下回ると、軟磁性下
地膜４の磁化回復率が低下する。

【００１０】面内硬磁性膜３の保磁力Ｈｃは、１０００
（Ｏｅ）以上（好ましくは２０００（Ｏｅ）以上）とす
るのが好適である。この保磁力Ｈｃが上記範囲未満であ
ると、面内硬磁性膜３が外部磁場により磁化反転しやす
くなり、スパイクノイズが増加する。面内硬磁性膜３の
飽和磁化Ｍｓは、２００ｍｅｍｕ／ｃｍ³以上、６００
ｍｅｍｕ／ｃｍ³未満（好ましくは３００〜５００ｍｅ
ｍｕ／ｃｍ³）とするのが好適である。この飽和磁化Ｍ
ｓが上記範囲未満であると、軟磁性下地膜４と面内硬磁
性膜３の結合磁界が小さくなりスパイクノイズが発生し
やすくなる。また軟磁性下地膜４の表面側の磁化揺らぎ
によるノイズが増加する。また飽和磁化Ｍｓが上記範囲
を越えると、この面内硬磁性膜３を発生源とするノイズ
が増加する。面内硬磁性膜３の厚さは、１０ｎｍ以上、
１００ｎｍ未満（好ましくは４５〜８０ｍｍ）とするの
が好ましい。この厚さが上記範囲未満であると、軟磁性
下地膜４と面内硬磁性膜３の結合磁界が小さくなりスパ
イクノイズが発生しやすくなる。また厚さが上記範囲を
越えると、この面内硬磁性膜３を発生源とするノイズが
増加する。

【００１１】軟磁性下地膜４は、情報を記録する垂直磁
性膜６の磁化をより強固に基板１と垂直な方向に固定す
るために設けられているものである。軟磁性下地膜４を
構成する軟磁性材料としては、Ｆｅを６０ａｔ％以上含
有するＦｅ合金を用いることができる。この材料として
は、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、Ｆ
ｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣ
ｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、
ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲ
ｕなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、
ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、Ｆａ
ＴａＣなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ
系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合
金を挙げることができる。軟磁性下地膜４は、ＦｅＡｌ
Ｏ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどからなる
微細結晶を有する構造とすることができる。またこの微
細結晶がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造と
することもできる。軟磁性下地膜４には、Ｃｏを８０ａ
ｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のう
ち少なくとも１種以上を含有するＣｏ合金を用いること
もできる。例えば、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ
Ｔａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏなどを好適なものと
して挙げることができる。また、軟磁性下地膜４は、ア
モルファス構造をなす合金からなるものとすることもで
きる。

【００１２】軟磁性下地膜４の磁化回復率は、０．８５
以上（好ましくは０．９以上）に設定するのが好まし
い。この磁化回復率が上記範囲を下回ると、軟磁性下地
膜４内の磁区形成に起因するノイズが増加する。以下、
この磁化回復率について説明する。図２に示すように、
履歴曲線（ＭＨ曲線）において、磁化が飽和した状態
（符号ａで示す位置）から外部磁場を減少させる過程
で、外部磁場が０となる位置ｂにおける磁化をＭｍ⁺と
する。外部磁場をさらに減少させると、符号ｃに示す位
置において軟磁性下地膜４の磁化減少率が大きくなり、
符号ｄに示す位置で軟磁性下地膜４の磁化が完全に反転
する（磁化反転位置）。この位置においては、面内硬磁
性膜３の磁化は未だ反転していない。この状態から外部
磁場を０となるまで増加させたとき（符号ｅで示す位
置）の磁化をＭｍ^-とする。上記磁化回復率は、Ｍｍ^-／
Ｍｍ⁺で表すことができる。また、磁化回復率の測定の
際には、磁化反転位置ｄを、外部磁場が−１００（Ｏ
ｅ）となる位置と考え、磁化飽和位置ａから外部磁場を
−１００（Ｏｅ）まで減少させ、次いで外部磁場を０
（Ｏｅ）まで増加させることによってＭｍ^-、Ｍｍ⁺を定
める方法をとることができる。

【００１３】軟磁性下地膜４は、その飽和磁束密度Ｂｓ
が１Ｔ以上（好ましくは１．４Ｔ以上）であることが好
ましい。飽和磁束密度Ｂｓが上記範囲未満であると、再
生波形の制御が難しくなり、膜を厚くする必要が生じ、
生産効率の低下を招く。軟磁性下地膜４の保磁力は、２
００（Ｏｅ）（１５．８×１０³Ａ／ｍ）以下とするの
が好ましい。保磁力が上記範囲を越えると、磁気ヘッド
と軟磁性下地膜４との間に形成される閉磁路における磁
束の出入りの効率が低下し、記録特性が劣化する。

【００１４】軟磁性下地膜４の厚さは、５０〜２００ｎ
ｍとすることができる。この厚さが上記範囲未満である
と、磁気ヘッドと軟磁性下地膜４との間に形成される閉
磁路における磁束の出入りの効率が低下し、記録特性が
劣化する。また厚さが上記範囲を越えると、成膜に長時
間を要するようになり生産効率の低下を招く。軟磁性下
地膜４の厚さは、軟磁性下地膜４を構成する材料の飽和
磁束密度に応じて適宜設定することもできる。すなわ
ち、軟磁性下地膜を構成する材料の飽和磁束密度Ｂｓ
と、軟磁性下地膜４の膜厚ｔの積であるＢｓ・ｔを、５
０Ｔ・ｎｍ以上（好ましくは１００Ｔ・ｎｍ以上）とす
るのが望ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満である
と、磁気ヘッドと軟磁性下地膜４との間に形成される閉
磁路における磁束の出入りの効率が低下し、記録特性が
劣化する。Ｂｓ・ｔは、１００〜３００Ｔ・ｎｍとする
のがより好ましい。Ｂｓ・ｔを上記範囲を越える値に設
定する場合には、膜を厚く形成する必要があり、生産性
が低下する。

【００１５】軟磁性下地膜４は、表面（配向制御膜５側
の面）において、構成材料が部分的または完全に酸化さ
れた構成とすることができる。この酸化部分（酸化層）
の厚さは０．１ｎｍ以上３ｎｍ未満とするのが好まし
い。軟磁性下地膜４が酸化された状態はオージェ電子分
光法、ＳＩＭＳ法などにより確認することができる。ま
た軟磁性下地膜４表面の酸化部分（酸化層）の厚さは、
例えば媒体断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真によ
り求めることができる。

【００１６】配向制御膜５は、直上に位置する垂直磁性
膜６の配向性や結晶粒径を制御するために設けられた膜
である。配向制御膜５の材料としては、ｈｃｐ構造また
はｆｃｃ構造をとるものを例示できる。ｈｃｐ構造をと
る材料としては、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうちから選ばれる１種または２種以
上を５０ａｔ％以上含有するものを例示できる。具体例
としては、ＲｕＣｒ、ＨｆＢ、ＨｆＣｏ、ＨｆＣｒ、Ｅ
ｒＣ、Ｒｕ−ＳｉＯ₂、Ｈｆ−ＳｉＯ₂、Ｈｆ−Ａｌ₂Ｏ₃
を挙げることができる。ｆｃｃ構造をとる材料として
は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌ
のうちから選ばれる１種または２種以上を５０ａｔ％以
上含有するものを例示できる。具体例としては、ＮｉＣ
ｒＮ、ＰｄＢ、ＰｄＣｒ、ＡｇＣｏ、Ｉｒ−ＳｉＯ₂、
Ａｌ−Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。

【００１７】配向制御膜５の厚さは１００ｎｍ以下（好
ましくは５０ｎｍ以下）とするのが好適である。この膜
厚が上記範囲を越えると、配向制御膜５内で結晶粒の粒
径が大きくなり、垂直磁性膜６における磁性粒子が粗大
化しやすくなる。また記録再生時における磁気ヘッドと
軟磁性下地膜４との距離が大きくなり、再生信号の分解
能が低下し、ノイズ特性が劣化するため好ましくない。
配向制御膜５は、薄すぎれば垂直磁性膜６の結晶配向性
が劣化し記録再生特性が劣化するため、厚さが２ｎｍ以
上となるように形成するのが好ましい。

【００１８】垂直磁性膜６は磁化容易軸が基板に対し主
に垂直に配向した磁性膜であり、この垂直磁性膜６に
は、Ｃｏ合金を用いることが好ましい。Ｃｏ合金として
は、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金を例示できる。ま
たこれらの合金にＴａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｒ
ｕ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎなどから
選ばれる少なくとも１種の元素を添加した合金を用いる
ことができる。また垂直磁性膜６には、非晶質構造をと
る材料、例えばＴｂＦｅＣｏ系合金などの希土類元素合
金を用いることもできる。垂直磁性膜６は、厚さ方向に
均一な単層構造とすることもできるし、遷移金属（Ｃ
ｏ、Ｃｏ合金）からなる層と貴金属（Ｐｔ、Ｐｄ等）か
らなる層とを積層した多層構造とすることもできる。遷
移金属層には、Ｃｏを用いることもできるし、ＣｏＣｒ
Ｐｔ系合金、ＣｏＰｔ系合金等のＣｏ合金を用いること
もできる。

【００１９】垂直磁性膜６の厚さは、目的とする再生出
力によって適宜最適化すればよいが、単層構造型と多層
構造型のいずれの場合においても、厚すぎる場合には、
ノイズ特性の悪化や分解能の低下等の問題が起こりやす
いため、厚さを１００ｎｍ以下（好ましくは３〜１００
ｎｍ）とするのが好適である。また垂直磁性膜４の逆磁
区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０（Ｏｅ）以上とするのが
好ましい。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が上記範囲未満
であると、熱揺らぎ耐性が低下する。逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）とは、履歴曲線（ＭＨ曲線）において、磁化
が飽和した状態から外部磁場を減少させる過程で、外部
磁場が０となる点（例えば図２において符号ｂで示す位
置）から磁化減少率が急に大きくなる点（例えば図２に
おいて符号ｃで示す位置）までの距離（Ｏｅ）で表され
る数値である。なお、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、
磁化減少率が急に大きくなる点が、外部磁場が負となる
領域にある場合に正の値をとり、逆に、この点が、外部
磁場が正となる領域にある場合に負の値をとる。

【００２０】保護膜７は、垂直磁性膜６の腐食を防ぐと
ともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の
損傷を防ぎ、かつ磁気ヘッドと媒体の間の潤滑特性を確
保するためのもので、従来公知の材料を使用することが
可能である。例えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の単一組成、
またはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能
である。保護膜７の厚さは、１〜１０ｎｍの範囲とされ
ることが望ましい。

【００２１】潤滑膜８には、パーフルオロポリエーテ
ル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸など公知
の潤滑剤を使用することができる。その種類および膜厚
は、使用される保護膜や潤滑剤の特性に応じて適宜設定
することができる。

【００２２】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
図１に示す基板１上に、スパッタ法などにより面内下地
膜２、面内硬磁性膜３、軟磁性下地膜４を形成し、次い
で、必要に応じてこの軟磁性下地膜４の表面に酸化処理
を施し、次いで配向制御膜５、垂直磁性膜６、保護膜７
を順次スパッタ法などにより形成する。次いで、ディッ
プコーティング法、スピンコート法などにより潤滑膜８
を形成する。軟磁性下地膜４の表面に酸化処理を施す場
合には、軟磁性下地膜４を形成した後、軟磁性下地膜４
を酸素含有ガスに曝す方法や、軟磁性下地膜４の表面に
近い部分を成膜する際に、プロセスガス中に酸素を導入
する方法を採ることができる。この軟磁性下地膜４の表
面酸化によって、軟磁性下地膜４の表面の磁気的な揺ら
ぎを抑え、かつ軟磁性下地膜４上に形成される配向制御
膜５の結晶粒を微細化してノイズ特性の改善効果を得る
ことができる。また軟磁性下地膜４表面の酸化部分（酸
化層）によって、軟磁性下地膜４からの腐食性物質が媒
体表面に移動するのを抑え、媒体表面の腐食の発生を防
ぐことができる。

【００２３】保護膜７の形成方法としては、カーボンタ
ーゲットを用いたスパッタ法や、ＣＶＤ法、イオンビー
ム法を用いることができる。ＣＶＤ法、イオンビーム法
を用いる場合には、極めて硬度の高い保護膜７を形成す
ることができるため、スパッタ法により形成された保護
膜に比べ、大幅に薄くすることが可能となる。よって、
記録再生時のスペーシングロスを小さくし、高密度の記
録再生を行うことができる。

【００２４】本実施形態の磁気記録媒体では、非磁性基
板１と軟磁性下地膜４との間に、面内下地膜２と面内硬
磁性膜３が設けられているので、面内硬磁性膜３と軟磁
性下地膜４との間に磁気的な交換結合を形成させ、軟磁
性下地膜４の磁化方向を強制的に基板半径方向に向ける
ことができる。このため、軟磁性下地膜４において磁区
が形成されないようにし、スパイクノイズ発生を防ぐこ
とができる。

【００２５】この磁気記録媒体は、面内硬磁性膜３がＣ
ｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから
選ばれる１種または２種以上）を含むものであるので、
ＳｍＣｏ合金からなる硬磁性膜を有する従来品に比べ、
面内硬磁性膜３における面内方向の結晶配向性を良好と
するとともに、磁性粒子の微細化を図ることができる。
このため、面内硬磁性膜３を原因とするノイズ発生を低
く抑えることができる。また面内下地膜２を設けたの
で、面内硬磁性膜３の面内方向の結晶配向性をさらに高
めるとともに、磁性粒子をいっそう微細化することがで
きる。このため、ノイズをさらに低減することができ
る。よって、軟磁性下地膜４を薄く形成した場合でもノ
イズの増加を抑えることができる。従って、軟磁性下地
膜４を薄膜化することによって生産効率を高めることが
でき、しかも優れたノイズ特性を得ることができる。

【００２６】また上記製造方法によれば、非磁性基板１
と軟磁性下地膜４との間に、面内下地膜２と面内硬磁性
膜３とを設けるので、面内硬磁性膜３を原因とするノイ
ズを抑えることができる。従って、軟磁性下地膜４を薄
膜化することによって生産効率を高めることができ、し
かも優れたノイズ特性を得ることができる。

【００２７】図３は、本発明の磁気記録媒体の第２の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板１と面内下地膜２との間に、シード膜９が設
けられている点で図１に示す磁気記録媒体と異なる。シ
ード膜９は、直上に形成される面内下地膜２の結晶配向
性を高めるためのもので、その材料としては、ＮｉＡ
ｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴｉ、ＡｌＣ
ｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉ、ＣｒＴａのうち１種または２
種以上を主成分とするものが使用できる。本実施形態で
は、シード膜９を設けることによって、面内下地膜２お
よび面内硬磁性膜３の結晶配向性を高め、媒体ノイズを
さらに低く抑えることができる。

【００２８】図４は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体は、
面内下地膜２と面内硬磁性膜３との間に、面内中間膜１
０が設けられている点で図１に示す磁気記録媒体と異な
る。面内中間膜１０は、面内硬磁性膜３の結晶配向性を
高めるためのもので、その材料としては、非磁性のＣｏ
合金を用いることができる。このＣｏ合金としては、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｍ
ｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選ばれる１種または２
種以上の元素をＣｏに添加した合金を用いることができ
る。なかでも特に、ＣｏＣｒ合金を用いるのが好まし
い。面内中間膜１０の厚さは、１〜２０ｎｍとするのが
好ましい。本実施形態では、面内中間膜１０を設けるこ
とによって、面内硬磁性膜３において配向性を向上さ
せ、面内硬磁性膜３における保磁力Ｈｃなどの磁気特性
を高めることができる。

【００２９】図５は、本発明の磁気記録媒体の第４の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体で
は、軟磁性下地膜４と配向制御膜５の間に、配向制御下
地膜１１が設けられている点で図１に示す磁気記録媒体
と異なる。配向制御下地膜１１は、配向制御膜５の結晶
配向性を高めるためのもので、その材料としては、Ｂ２
構造をなすものを用いるのが好ましい。この材料として
は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒ、ＮｉＴ
ｉ、ＡｌＣｏ、ＡｌＲｕ、ＣｏＴｉのうち１種または２
種以上の合金を主成分とするものが使用できる。またこ
れらの合金にＣｒ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｏ、Ｎ等の元素を添加した材料を用いる
こともできる。配向制御下地膜１１の厚さは、３０ｎｍ
以下とするのが好ましい。この厚さが上記範囲を越える
と、垂直磁性膜６と軟磁性下地膜４との距離が大きくな
り、分解能が低下し、ノイズ特性が劣化する。配向制御
下地膜１１の厚さは、０．１ｎｍ以上とするのが好まし
い。本実施形態では、配向制御下地膜１１を設けること
によって、配向制御膜５および垂直磁性膜６の配向性を
高め、垂直磁性膜６において保磁力Ｈｃなどの磁気特性
を高めることができる。

【００３０】図６は、本発明の磁気記録媒体の第５の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体で
は、配向制御膜５と垂直磁性膜６との間に、非磁性中間
膜１２が設けられている点で図１に示す磁気記録媒体と
異なる。非磁性中間膜１２は、垂直磁性膜６の結晶配向
性を高めるためのもので、その材料としては、非磁性の
Ｃｏ合金を用いることができる。このＣｏ合金として
は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｎ
ｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂから選ばれる１種ま
たは２種以上の元素をＣｏに添加した合金を用いること
ができる。なかでも特に、ＣｏＣｒ合金を用いるのが好
ましい。非磁性中間膜１２は、厚すぎると垂直磁性膜６
と軟磁性下地膜４との距離が大きくなることにより分解
能が低下しノイズ特性が悪化するため、２０ｎｍ以下と
するのが好ましく、１０ｎｍ以下とするのがより好まし
い。本実施形態では、非磁性中間膜１２を設けることに
よって、垂直磁性膜６の配向性を向上させ、保磁力Ｈｃ
などの磁気特性を高めることができる。

【００３１】図７は、本発明の磁気記録媒体の第６の実
施形態を示すものである。ここに示す磁気記録媒体で
は、垂直磁性膜６と保護膜７との間に、磁化安定膜１３
が設けられている点で図１に示す磁気記録媒体と異な
る。磁化安定膜１３の材料としては、軟磁性下地膜４に
用い得る材料として例示したものを使用できる。磁化安
定膜１３の保磁力Ｈｃは２００（Ｏｅ）以下（好ましく
は５０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。磁化安定膜
１３の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ以上（好ましくは
１Ｔ以上）とするのが好ましい。また、磁化安定膜１３
の飽和磁束密度膜厚積Ｂｓ・ｔは７．２Ｔ・ｎｍ以下で
あること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲を越えると
再生出力が低下する。

【００３２】磁化安定膜１３は、表面において構成材料
が部分的、あるいは完全に酸化されている構成とするこ
とができる。すなわち磁化安定膜１３の表面（保護膜７
側または垂直磁性膜６側の面）およびその近傍（表面か
ら所定の深さの領域）において、構成材料が部分的また
は全体的に酸化された構成とすることができる。

【００３３】本実施形態では、磁化安定膜１３を設ける
ことによって、垂直磁性膜６の表面における磁化の揺ら
ぎを抑えることができる。このため、漏れ磁束が揺らぎ
の影響を受けなくなり、再生出力が増加する。また磁化
安定膜１３が設けられていることにより、垂直磁性膜６
の垂直方向の磁化と、軟磁性下地膜４および磁化安定膜
１３の面内方向の磁化が、閉回路を形成するようにな
る。この作用により、垂直磁性膜６の磁化がより強固に
垂直方向に固定されるため、熱揺らぎ耐性が向上する。
また磁化安定膜１３の表面が酸化された構成とする場合
には、磁化安定膜１３の表面の磁気的な揺らぎを抑える
ことができるため、この磁気的な揺らぎに起因するノイ
ズを低減し、磁気記録媒体の記録再生特性を改善するこ
とができる。

【００３４】図８は、本発明に係る磁気記録再生装置の
一例を示す断面構成図である。この図に示す磁気記録再
生装置は、上記構成の磁気記録媒体２０と、この磁気記
録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記
録媒体２０に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッド２
２と、磁気ヘッド２２を駆動させるヘッド駆動部２３
と、記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生
信号系２４は、入力されたデータを処理して記録信号を
磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生
信号を処理してデータを出力することができるようにな
っている。

【００３５】磁気ヘッド２２としては、単磁極ヘッドを
用いるのが好ましい。図９は、単磁極ヘッドの一例を示
すもので、単磁極ヘッド２２は、磁極２５と、コイル２
６とから概略構成されている。磁極２５は、幅の狭い主
磁極２７と幅広の補助磁極２８とを有する側面視略コ字
状に形成され、主磁極２７は、記録時に垂直磁性膜６に
印加される磁界を発生し、再生時に垂直磁性膜６からの
磁束を検出することができるようになっている。

【００３６】単磁極ヘッド２２を用いて、磁気記録媒体
２０への記録を行う際には、主磁極２７の先端から発せ
られた磁束が、垂直磁性膜６を、基板１に対し垂直な方
向に磁化させる。この際、磁気記録媒体２０には軟磁性
下地膜４が設けられているため、単磁極ヘッド２２の主
磁極２７からの磁束は、垂直磁性膜６、軟磁性下地膜４
を通じて補助磁極２８へと導かれ、閉磁路を形成する。
この閉磁路が単磁極ヘッド２２と磁気記録媒体２０との
間に形成されることにより、磁束の出入りの効率が増
し、高密度の記録再生が可能になる。また本発明では、
磁気ヘッドとして、単磁極ヘッド以外のもの、例えば再
生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を備えた複合型薄膜
磁気記録ヘッドを用いることもできる。

【００３７】本実施形態の磁気記録再生装置は、磁気記
録媒体２０が、非磁性基板１と軟磁性下地膜４との間
に、面内下地膜２と面内硬磁性膜３とを設けた構成とさ
れているので、面内硬磁性膜３を原因とするノイズを抑
えることができる。よって、軟磁性下地膜４を薄膜化す
ることによって生産効率を高めることができ、しかも優
れたノイズ特性を得ることができる。従って、高密度の
記録再生が可能となる。

【００３８】

【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板１（オハラ社製、外
径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し、
到達真空度１×１０^-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を
排気した後、このガラス基板１上に、５０Ｎｉ５０Ａｌ
からなるシード膜９（厚さ５０ｎｍ）、９４Ｃｒ６Ｍｏ
からなる面内下地膜２（厚さ１５ｎｍ）、６１Ｃｏ２２
Ｃｒ１２Ｐｔ５Ｂからなる面内硬磁性膜３（厚さ５０ｎ
ｍ）、９２Ｃｏ４Ｔａ４Ｚｒからなる軟磁性下地膜４
（厚さ１５０ｎｍ）を形成した。振動式磁気特性測定装
置（ＶＳＭ）を用いた測定の結果、軟磁性下地膜４のＢ
ｓは１．３Ｔであることを確認した。軟磁性下地膜４の
静磁気特性を、Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いて測定した
ところ、保磁力は４５７０（Ｏｅ）、逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）は７５０（Ｏｅ）であった。上記成膜時に
は、プロセスガスとしてアルゴンを用い、ガス圧力は
０．５Ｐａに設定した。また成膜時の温度条件は２００
℃とした。次いで、ＣＶＤ法を用いてカーボンからなる
保護膜７を形成した。次いで、ディップコーティング法
によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜８を形
成し、磁気記録媒体を得た（表１を参照）。なお上記合
金材料の記載において、ａＡｂＢは、ａ（ａｔ％）Ａ−
ｂ（ａｔ％）Ｂを示す。例えば６１Ｃｏ２２Ｃｒ１２Ｐ
ｔ５Ｂは、６１ａｔ％Ｃｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ
％Ｐｔ−５ａｔ％Ｂ（Ｃｏ含有率６１ａｔ％、Ｃｒ含有
率２２ａｔ％、Ｐｔ含有率１２ａｔ％、Ｂ含有率５ａｔ
％）を意味する。

【００３９】（比較例１）面内硬磁性膜３の材料として
表１に示すものを用いること以外は実施例１に準じて磁
気記録媒体を作製した（表１を参照）。

【００４０】（比較例２）面内下地膜２の材料として表
１に示すものを用いること以外は実施例１に準じて磁気
記録媒体を作製した（表１を参照）。

【００４１】（比較例３）シード膜９、面内下地膜２を
設けず、面内硬磁性膜３にＳｍＣｏを用いること以外は
実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表１を参
照）。

【００４２】（比較例４）シード膜９、面内下地膜２、
面内硬磁性膜３を設けないこと以外は実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した（表１を参照）。

【００４３】（実施例２）軟磁性下地膜４上に、５０Ｎ
ｉ５０Ａｌからなる配向制御下地膜１１（厚さ８ｎ
ｍ）、Ｒｕからなる配向制御膜５（厚さ１０ｎｍ）、６
５Ｃｏ１７Ｃｒ１６Ｐｔ２Ｂからなる垂直磁性膜６（厚
さ２５ｎｍ）を形成したこと以外は実施例１に準じて磁
気記録媒体を作製した（表２を参照）。透過型電子顕微
鏡（ＴＥＭ）を用いた観察の結果、垂直磁性膜６におけ
る平均結晶粒径は９ｎｍであった。

【００４４】（比較例５）面内硬磁性膜３の材料として
表２に示すものを用いること以外は実施例２に準じて磁
気記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００４５】（比較例６）面内下地膜２の材料として表
２に示すものを用いること以外は実施例２に準じて磁気
記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００４６】（比較例７）シード膜９、面内下地膜２を
設けず、面内硬磁性膜３にＳｍＣｏを用いること以外は
実施例２に準じて磁気記録媒体を作製した（表２を参
照）。

【００４７】（比較例８）シード膜９、面内下地膜２、
面内硬磁性膜３を設けないこと以外は実施例２に準じて
磁気記録媒体を作製した（表２を参照）。

【００４８】（実施例３〜１４）面内硬磁性膜３に表３
に示す材料を用いること以外は実施例１に準じて磁気記
録媒体を作製した（表３を参照）。

【００４９】（実施例１５、１６）軟磁性下地膜４の磁
化回復率を表４に示すとおりとすること以外は実施例１
に準じて磁気記録媒体を作製した（表４を参照）。

【００５０】（実施例１７、１８）面内硬磁性膜３の保
磁力角型比Ｓ^*を表５に示すとおりとすること以外は実
施例１に準じて磁気記録媒体を作製した（表５を参
照）。

【００５１】（実施例１９〜２８）軟磁性下地膜４の材
料および厚さを表６に示すとおりとすること以外は実施
例２に準じて磁気記録媒体を作製した（表６を参照）。

【００５２】（実施例２９〜４０）配向制御下地膜１１
および配向制御膜５の材料および厚さを表７に示すとお
りとすること以外は実施例２に準じて磁気記録媒体を作
製した（表７を参照）。

【００５３】（実施例４１〜４９）垂直磁性膜６の材料
および厚さを表８に示すとおりとすること以外は実施例
２に準じて磁気記録媒体を作製した（表８を参照）。

【００５４】（実施例５０〜５３）軟磁性下地膜４の表
面を酸素含有ガス（曝露ガス）に曝すことによって、軟
磁性下地膜４に酸化処理を施すこと以外は実施例２に準
じて磁気記録媒体を作製した。曝露ガスとしては、純酸
素（１００％Ｏ₂）、または酸素アルゴン混合ガス（混
合比：５０ｖｏｌ％Ｏ₂−５０ｖｏｌ％Ａｒ）を用い
た。この磁気記録媒体の構成、および上記曝露によって
軟磁性下地膜４の表面に形成された酸化層の厚さを表９
に示す。

【００５５】（実施例５４）軟磁性下地膜４を形成する
際に、プロセスガス（成膜ガス）として、Ａｒ（１００
％）を用い、次いで酸素アルゴン混合ガス（混合比：１
０ｖｏｌ％Ｏ₂−９０ｖｏｌ％Ａｒ）を用いること以外
は実施例２に準じて磁気記録媒体を作製した。酸素アル
ゴン混合ガスの使用によって、軟磁性下地膜４の表面付
近に酸化層が形成された。この酸化層の厚さを表９に併
せて示す。

【００５６】（実施例５５〜６２）非磁性中間膜１２を
設け、この非磁性中間膜１２の材料および厚さを表１０
に示すとおりとすること以外は実施例２に準じて磁気記
録媒体を作製した（表１０を参照）。

【００５７】（実施例６３〜６７）磁化安定膜１３を設
け、この磁化安定膜１３の材料および厚さを表１１に示
すとおりとすること以外は実施例２に準じて磁気記録媒
体を作製した（表１１を参照）。

【００５８】（実施例６８〜７０）面内硬磁性膜３を形
成する際の温度条件を変化させることによって、面内硬
磁性膜３の保磁力を変えること以外は実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した（表１２を参照）。

【００５９】各磁気記録媒体の磁気特性を、振動式磁気
特性測定装置（ＶＳＭ）、ＧＵＺＩＫ社製リードライト
アナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１
７０１ＭＰを用いて測定した。測定結果を表１〜１２に
示す。熱揺らぎ耐性の評価は、基板を７０℃に加熱して
線記録密度５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこなった後、
書き込み後１秒後の再生出力に対する出力の低下率（％
／ｄｅｃａｄｅ）を、（Ｓｏ−Ｓ）×１００／（Ｓｏ×
３）に基づいて算出した。この式において、Ｓｏは磁気
記録媒体に信号記録後１秒経過時の再生出力を示し、Ｓ
は１０００秒後の再生出力を示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【表２】

【００６２】

【表３】

【００６３】

【表４】

【００６４】

【表５】

【００６５】

【表６】

【００６６】

【表７】

【００６７】

【表８】

【００６８】

【表９】

【００６９】

【表１０】

【００７０】

【表１１】

【００７１】

【表１２】

【００７２】表１および表２より、非磁性基板１と軟磁
性下地膜４との間に、ＣｏＣｒＰｔＢからなる面内硬磁
性膜３を設けた実施例では、硬磁性膜にＣｏＰｔやＳｍ
Ｃｏを用いた比較例に比べ、優れたノイズ特性が得られ
たことがわかる。また下地膜２にＣｒ合金を用いた実施
例では、下地膜にＶを用いた比較例に比べ、優れたノイ
ズ特性が得られたことがわかる。表３より、面内硬磁性
膜３の飽和磁化Ｍｓを２００（ｍｅｍｕ／ｃｍ³）以
上、６００（ｍｅｍｕ／ｃｍ³）未満の範囲とし、かつ
面内硬磁性膜３の厚さを１０ｎｍ以上、１００ｎｍ未満
の範囲とすることによって、ノイズ低減が可能となった
ことがわかる。表４より、軟磁性下地膜４の磁化回復率
を０．８５以上とすることによって、ノイズ低減が可能
となったことがわかる。表５より、面内硬磁性膜３の保
磁力角型比Ｓ^*を０．６以上とすることによって、ノイ
ズ低減が可能となったことがわかる。表６より、軟磁性
下地膜４の飽和磁束密度Ｂｓを１Ｔ以上（特に１．４Ｔ
以上）とすることによって、記録再生特性を向上させる
ことができたことがわかる。また軟磁性下地膜４を厚く
形成し、Ｂｓ・ｔを５０Ｔ・ｎｍ以上とすることによっ
て、特に優れた記録再生特性が得られたことがわかる。
表７より、配向制御膜５に表７に示す材料を用いた場合
には、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。表
８より、垂直磁性膜６に表８に示す材料を用いた場合に
は、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。表９
より、軟磁性下地膜４の酸化によって、優れた記録再生
特性が得られたことがわかる。表１０より、非磁性中間
膜１２を設けることによって、記録再生特性および熱揺
らぎ特性の点で優れた結果が得られたことがわかる。表
１１より、磁化安定膜１３を設けることによって、記録
再生特性および熱揺らぎ特性の点で優れた結果が得られ
たことがわかる。表１２より、面内硬磁性膜３の保磁力
を１０００（Ｏｅ）以上とすることによって、記録再生
特性に優れた磁気記録媒体が得られたことがわかる。ま
た保磁力を２０００（Ｏｅ）以上とすることによって、
さらに優れた結果が得られたことがわかる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、
面内下地膜と、磁化容易軸が主に面内方向に向いた面内
硬磁性膜とが形成され、面内下地膜は、ＣｒまたはＣｒ
合金からなるものであり、面内硬磁性膜は、ＣｏＣｒＰ
ｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒ
ｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれ
る１種または２種以上）を含むものであるので、面内硬
磁性膜を原因とするノイズを抑えることができる。よっ
て、軟磁性下地膜を薄く形成した場合でもノイズの増加
を抑えることができる。従って、軟磁性下地膜を薄膜化
することによって生産効率を高めることができ、しかも
優れたノイズ特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を
示す一部断面図である。

【図２】 磁化回復率を説明するための説明図であ
る。

【図３】 本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を
示す一部断面図である。

【図４】 本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す一部断面図である。

【図５】 本発明の磁気記録媒体の第４の実施形態を
示す一部断面図である。

【図６】 本発明の磁気記録媒体の第５の実施形態を
示す一部断面図である。

【図７】 本発明の磁気記録媒体の第６の実施形態を
示す一部断面図である。

【図８】 本発明の磁気記録再生装置の一実施形態を
示す概略構成図である。

【図９】 図８に示す磁気記録再生装置に使用される
磁気ヘッドの一例を示す構成図である。

【符号の説明】

１…非磁性基板、２・・・面内下地膜、３・・・面内硬磁性
膜、４…軟磁性下地膜、５…配向制御膜、６…垂直磁性
膜、７…保護膜、２０…磁気記録媒体、２２…磁気ヘッ
ド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂脇 彰 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 中村 太 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 彦坂 和志 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA03 CA05 CA06 DA03 DA08 EA03 FA09 5D112 AA03 AA04 AA24 BD03 BD04 FA04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、 非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、面内下地膜と、磁
   化容易軸が主に面内方向に向いた面内硬磁性膜とが形成
   され、 面内下地膜は、ＣｒまたはＣｒ合金からなるものであ
   り、 面内硬磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔ
   ａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
   ｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれる１種または２種以上）を
   含むものであることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 軟磁性下地膜の磁化回復率が０．８５
   以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 面内硬磁性膜の保磁力角型比Ｓ^*が０．
   ６以上であることを特徴とする請求項１または２記載の
   磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 面内硬磁性膜の保磁力Ｈｃが１０００
   （Ｏｅ）以上、飽和磁化Ｍｓが２００（ｍｅｍｕ／ｃｍ
   ³）以上、６００（ｍｅｍｕ／ｃｍ³）未満であり、厚さ
   が１０ｎｍ以上、１００ｎｍ未満であることを特徴とす
   る請求項１〜３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 軟磁性下地膜の膜厚が５０〜２００ｎ
   ｍであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか
   １項記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とを形成する磁気記録媒体
   の製造方法であって、 非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、面内下地膜と、磁
   化容易軸が主に面内方向に向いた面内硬磁性膜とを順次
   形成し、面内下地膜を、ＣｒまたはＣｒ合金からなるも
   のとし、面内硬磁性膜を、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘ
   は、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、
   Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれる１種または２種
   以上）を含むものとすることを特徴とする磁気記録媒体
   の製造方法。
7. 【請求項７】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情
   報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装
   置であって、 磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
   料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御す
   る配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配
   向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、 非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、面内下地膜と、磁
   化容易軸が主に面内方向に向いた面内硬磁性膜とが形成
   され、 面内下地膜は、ＣｒまたはＣｒ合金からなるものであ
   り、 面内硬磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔＸ系合金（Ｘは、Ｂ、Ｔ
   ａ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
   ｉ、Ｏ、Ｎのうちから選ばれる１種または２種以上）を
   含むものであることを特徴とする磁気記録再生装置。