JP2003059024A - 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
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-
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録再生特性、熱揺らぎ特性に優れた磁気記
録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供
する。 【解決手段】 非磁性基板１上に、少なくとも直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜５と、保護膜６と
が設けられ、垂直磁性膜５が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕ
を含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上
２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａ
ｔ％以下であり、垂直磁性膜５の保磁力Ｈｃが３０００
（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏ
ｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽
和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であ
る。
録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供
する。 【解決手段】 非磁性基板１上に、少なくとも直上の膜
の配向性を制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜５と、保護膜６と
が設けられ、垂直磁性膜５が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕ
を含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上
２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａ
ｔ％以下であり、垂直磁性膜５の保磁力Ｈｃが３０００
（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏ
ｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽
和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在市販されている磁気記録媒体は、磁
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。このような面内磁気
記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さく
なりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する
可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビッ
ト境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向し
た、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際
にも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮
明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であ
り、しかも比較的儀ビット体積が大きくても高記録密度
化が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大
きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構
造が提案されている。
性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面
内磁気記録媒体がほとんどである。このような面内磁気
記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さく
なりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する
可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビッ
ト境界での反磁界の影響により媒体ノイズが増加する。
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向し
た、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際
にも、ビット境界での反磁界の影響が小さく、境界が鮮
明な記録磁区が形成されるため低ノイズ化が可能であ
り、しかも比較的儀ビット体積が大きくても高記録密度
化が可能であることから熱揺らぎ効果にも強く、近年大
きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構
造が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年では、磁気記録媒
体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜
に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッ
ドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上さ
せた磁気記録媒体が提案されている。しかしながら、上
記裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合でも、記
録再生時の記録再生特性や、熱揺らぎ耐性、記録分解能
において満足できるものではなく、これらの特性に優れ
る磁気記録媒体が要望されていた。特開昭５９−６１０
１２号公報には、ＣｏＣｒ系材料からなる垂直磁性膜
に、第３元素としてＣｕを添加することが提案されてい
るが、この磁気記録媒体では、垂直磁気異方性Ｋｕが小
さく、記録再生特性や熱揺らぎ耐性が不十分であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、記録再生
特性、熱揺らぎ耐性を向上させ、高密度の情報の記録再
生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記
録再生装置を提供することを目的とする。
体の更なる高記録密度化が要望されており、垂直磁性膜
に対する書き込み能力に優れる単磁極ヘッドを用いるた
めに、記録層である垂直磁性膜と基板との間に、裏打ち
層と称される軟磁性材料からなる層を設け、単磁極ヘッ
ドと、磁気記録媒体の間の磁束の出入りの効率を向上さ
せた磁気記録媒体が提案されている。しかしながら、上
記裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合でも、記
録再生時の記録再生特性や、熱揺らぎ耐性、記録分解能
において満足できるものではなく、これらの特性に優れ
る磁気記録媒体が要望されていた。特開昭５９−６１０
１２号公報には、ＣｏＣｒ系材料からなる垂直磁性膜
に、第３元素としてＣｕを添加することが提案されてい
るが、この磁気記録媒体では、垂直磁気異方性Ｋｕが小
さく、記録再生特性や熱揺らぎ耐性が不十分であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、記録再生
特性、熱揺らぎ耐性を向上させ、高密度の情報の記録再
生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記
録再生装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも、直上の膜の配
向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し
主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けら
れ、前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含ん
だ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａ
ｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以
下であり、垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏ
ｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以
上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化
（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であることを
特徴とする。垂直磁性膜は、Ｃｒの含有率が１８ａｔ％
以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２
４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上３ａｔ
％以下であることが好ましい。垂直磁性膜は、ＣｏＣｒ
ＰｔＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａ系合金、ＣｏＣ
ｒＰｔＣｕＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａＢ系合金の
いずれかからなるものであることが好ましい。本発明で
は、非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、硬磁性材料か
らなる硬磁性膜を設けることができる。本発明では、垂
直磁性膜上に、軟磁性材料からなる磁化安定膜を設ける
ことができる。本発明の磁気記録媒体の製造方法では、
非磁性基板上に、少なくとも、直上の膜の配向性を制御
する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記垂直磁性
膜を、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、
Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの
含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下であるものと
し、垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）を３０００（Ｏｅ）以
上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を０（Ｏｅ）以上２５
００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍ
ｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓを０．８５以上とすることを特徴
とする。本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドと
を備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁
極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上に、少
なくとも、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とが設けられ、前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が
１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１
ａｔ％以上４ａｔ％以下であり、垂直磁性膜の保磁力
（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残
留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが
０．８５以上であることを特徴とする。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気記
録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも、直上の膜の配
向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し
主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けら
れ、前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含ん
だ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａ
ｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以
下であり、垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏ
ｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以
上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化
（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であることを
特徴とする。垂直磁性膜は、Ｃｒの含有率が１８ａｔ％
以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以上２
４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上３ａｔ
％以下であることが好ましい。垂直磁性膜は、ＣｏＣｒ
ＰｔＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａ系合金、ＣｏＣ
ｒＰｔＣｕＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａＢ系合金の
いずれかからなるものであることが好ましい。本発明で
は、非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、硬磁性材料か
らなる硬磁性膜を設けることができる。本発明では、垂
直磁性膜上に、軟磁性材料からなる磁化安定膜を設ける
ことができる。本発明の磁気記録媒体の製造方法では、
非磁性基板上に、少なくとも、直上の膜の配向性を制御
する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に
配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設け、前記垂直磁性
膜を、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、
Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの
含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下であるものと
し、垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）を３０００（Ｏｅ）以
上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を０（Ｏｅ）以上２５
００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍ
ｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓを０．８５以上とすることを特徴
とする。本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドと
を備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁
極ヘッドであり、磁気記録媒体が、非磁性基板上に、少
なくとも、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、
磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜
と、保護膜とが設けられ、前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が
１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１
ａｔ％以上４ａｔ％以下であり、垂直磁性膜の保磁力
（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界
（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残
留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが
０．８５以上であることを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、中間膜４と、垂直磁性膜５と、保護膜６と、潤滑
膜７とが順次形成されて構成されている。非磁性基板１
としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材
料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミ
ック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。ガラス
基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあ
り、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガ
ラス、アルミノケートガラス、アルミノシリケートガラ
スを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウ
ム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基
板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊
維強化物などが使用可能である。非磁性基板１として
は、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパ
ッタ法を用いてＮｉＰ膜が形成されたものを用いること
もできる。
第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体
は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜
３と、中間膜４と、垂直磁性膜５と、保護膜６と、潤滑
膜７とが順次形成されて構成されている。非磁性基板１
としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材
料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミ
ック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの
非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。ガラス
基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあ
り、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガ
ラス、アルミノケートガラス、アルミノシリケートガラ
スを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウ
ム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基
板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊
維強化物などが使用可能である。非磁性基板１として
は、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパ
ッタ法を用いてＮｉＰ膜が形成されたものを用いること
もできる。
【０００６】軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドからの磁束
を基板垂直方向成分を大きくするため、および情報が記
録される垂直磁性膜５の磁化を、より強固に基板１に垂
直な方向に固定するために設けられているものである。
この作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記
録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著となる。
を基板垂直方向成分を大きくするため、および情報が記
録される垂直磁性膜５の磁化を、より強固に基板１に垂
直な方向に固定するために設けられているものである。
この作用は特に、記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記
録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著となる。
【０００７】軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からなるも
ので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料
を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣｏ系
合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金
（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳ
ｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、
ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯ
など）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、Ｆ
ｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴ
ａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯ
など）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系
合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、
ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを
挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上含有す
るＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等
の微結晶構造を有する材料を用いてもよいし、微細な結
晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を
有する材料を用いてもよい。軟磁性下地膜２の材料とし
ては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を
含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いるこ
とができる。この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、Ｃｏ
ＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系
合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げ
ることができる。
ので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料
を用いることができる。この材料としては、ＦｅＣｏ系
合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金
（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳ
ｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、
ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯ
など）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、Ｆ
ｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴ
ａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯ
など）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系
合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、
ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを
挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上含有す
るＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等
の微結晶構造を有する材料を用いてもよいし、微細な結
晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を
有する材料を用いてもよい。軟磁性下地膜２の材料とし
ては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を
含有し、アモルファス構造を有するＣｏ合金を用いるこ
とができる。この材料としては、ＣｏＺｒ系合金、Ｃｏ
ＺｒＮｂ系合金、ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系
合金、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げ
ることができる。
【０００８】軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気
特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波でな
く、歪みをもった波形になるため好ましくない。軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好まし
くは１Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範
囲未満であると、再生波形がいわゆる矩形波でなく、歪
みをもった波形になるため好ましくない。また、軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓと軟磁性下地膜２の膜厚ｔ
との積Ｂｓ・ｔは、４０Ｔ・ｎｍ以上（好ましくは６０
Ｔ・ｎｍ以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上
記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになっ
たり、ＯＷ特性（オーバーライト特性）が悪化するため
好ましくない。
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気
特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波でな
く、歪みをもった波形になるため好ましくない。軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好まし
くは１Ｔ以上）とするのが好ましい。このＢｓが上記範
囲未満であると、再生波形がいわゆる矩形波でなく、歪
みをもった波形になるため好ましくない。また、軟磁性
下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓと軟磁性下地膜２の膜厚ｔ
との積Ｂｓ・ｔは、４０Ｔ・ｎｍ以上（好ましくは６０
Ｔ・ｎｍ以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上
記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになっ
たり、ＯＷ特性（オーバーライト特性）が悪化するため
好ましくない。
【０００９】軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の
面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的または
完全に酸化されて構成されていることが好ましい。これ
により、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑え
ることができるため、この磁気的な揺らぎに起因するノ
イズを低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善す
ることができる。また、軟磁性下地膜２上に形成される
配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改
善することができる。
面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的または
完全に酸化されて構成されていることが好ましい。これ
により、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑え
ることができるため、この磁気的な揺らぎに起因するノ
イズを低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善す
ることができる。また、軟磁性下地膜２上に形成される
配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改
善することができる。
【００１０】この軟磁性下地膜２の表面の酸化部分は、
例えば軟磁性下地膜２を形成した後、軟磁性下地膜２の
表面を、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜
２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を
導入する方法により形成することができる。具体的に
は、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝す場合には、酸素
単体、あるいは酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈
したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持しておけば
よい。また、軟磁性下地膜２を大気に曝す方法をとるこ
ともできる。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希
釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面の酸
化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造を行
うことができる。また、軟磁性下地膜２の成膜用のガス
に酸素を導入する場合には、例えば成膜法としてスパッ
タ法を用いるならば、成膜時間の一部のみに、酸素を導
入したプロセスガスを用いてスパッタを行えばよい。こ
のプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積
率で０．０５％〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）
程度混合したガスが好適に用いられる。
例えば軟磁性下地膜２を形成した後、軟磁性下地膜２の
表面を、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜
２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を
導入する方法により形成することができる。具体的に
は、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝す場合には、酸素
単体、あるいは酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈
したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持しておけば
よい。また、軟磁性下地膜２を大気に曝す方法をとるこ
ともできる。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希
釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面の酸
化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造を行
うことができる。また、軟磁性下地膜２の成膜用のガス
に酸素を導入する場合には、例えば成膜法としてスパッ
タ法を用いるならば、成膜時間の一部のみに、酸素を導
入したプロセスガスを用いてスパッタを行えばよい。こ
のプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積
率で０．０５％〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）
程度混合したガスが好適に用いられる。
【００１１】配向制御膜３は、直上に設けられた中間膜
４および垂直磁性膜５の配向性や粒径を制御するもの
で、配向制御膜３の材料としては、特に限定されるもの
ではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構
造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系
合金、Ｃｏ系合金が好ましい。配向制御膜３の厚さは、
０．５〜４０ｎｍ（好ましくは１〜２０ｎｍ）とするの
が好ましい。配向制御膜３の厚さが０．５〜４０ｎｍ
（好ましくは１〜２０ｎｍ）の範囲であるときには、垂
直磁性膜５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時に
おける磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくす
ることができるので、再生信号の分解能を低下させるこ
となく記録再生特性を高めることができる。この厚さが
上記範囲未満であると、垂直磁性膜５における垂直配向
性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化す
る。この厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜５の磁
性粒子径が大きくなり、ノイズ特性が劣化するおそれが
あるため好ましくない。また記録時における磁気ヘッド
と軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、再生信号
の分解能や再生出力の低下するため好ましくない。
４および垂直磁性膜５の配向性や粒径を制御するもの
で、配向制御膜３の材料としては、特に限定されるもの
ではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構
造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系
合金、Ｃｏ系合金が好ましい。配向制御膜３の厚さは、
０．５〜４０ｎｍ（好ましくは１〜２０ｎｍ）とするの
が好ましい。配向制御膜３の厚さが０．５〜４０ｎｍ
（好ましくは１〜２０ｎｍ）の範囲であるときには、垂
直磁性膜５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時に
おける磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくす
ることができるので、再生信号の分解能を低下させるこ
となく記録再生特性を高めることができる。この厚さが
上記範囲未満であると、垂直磁性膜５における垂直配向
性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化す
る。この厚さが上記範囲を超えると、垂直磁性膜５の磁
性粒子径が大きくなり、ノイズ特性が劣化するおそれが
あるため好ましくない。また記録時における磁気ヘッド
と軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、再生信号
の分解能や再生出力の低下するため好ましくない。
【００１２】配向制御膜３の表面形状は、垂直磁性膜
５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録
媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平
均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。表面平均
粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒
体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッ
ドの浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることが
できる。
５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録
媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気
ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平
均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。表面平均
粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒
体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッ
ドの浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることが
できる。
【００１３】配向制御膜３は、酸素と窒素のうち少なく
ともいずれかを含有させることができる。酸素や窒素を
含有させるには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガ
ス（プロセスガス）に酸素または窒素を含有させる方法
をとることができる。例えば、成膜法としてスパッタ法
を用いるならば、プロセスガスとしては、アルゴンに酸
素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２
０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で
０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度
混合したガスが好適に用いられる。酸素、窒素を含有さ
せることによって、配向制御膜３の結晶粒を微細化する
ことができる。
ともいずれかを含有させることができる。酸素や窒素を
含有させるには、配向制御膜３を形成する際に、成膜ガ
ス（プロセスガス）に酸素または窒素を含有させる方法
をとることができる。例えば、成膜法としてスパッタ法
を用いるならば、プロセスガスとしては、アルゴンに酸
素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２
０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で
０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度
混合したガスが好適に用いられる。酸素、窒素を含有さ
せることによって、配向制御膜３の結晶粒を微細化する
ことができる。
【００１４】中間膜４には、ｈｃｐ構造を有する材料を
用いるのが好ましい。中間膜４には、ＣｏＣｒ合金やＣ
ｏＣｒＸ1合金やＣｏＸ1合金（Ｘ1：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）を用い
るのが好適である。中間膜４のＣｏの含有率は３０〜７
０ａｔ％であることが好ましい。
用いるのが好ましい。中間膜４には、ＣｏＣｒ合金やＣ
ｏＣｒＸ1合金やＣｏＸ1合金（Ｘ1：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）を用い
るのが好適である。中間膜４のＣｏの含有率は３０〜７
０ａｔ％であることが好ましい。
【００１５】中間膜４の厚さは、垂直磁性膜５における
磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘ
ッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる
記録分解能の低下を起こさないようにするために、２０
ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）とするのが好まし
い。中間膜４を設けることによって、垂直磁性膜５の垂
直配向性を高め、垂直磁性膜５の保磁力を高め、記録再
生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることがで
きる。
磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘ
ッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる
記録分解能の低下を起こさないようにするために、２０
ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）とするのが好まし
い。中間膜４を設けることによって、垂直磁性膜５の垂
直配向性を高め、垂直磁性膜５の保磁力を高め、記録再
生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることがで
きる。
【００１６】垂直磁性膜５は、その磁化容易軸が基板に
対して主に垂直方向に向いた磁性膜である。垂直磁性膜
５は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、
Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好まし
くは１８ａｔ％以上２４ａｔ％以下）、Ｃｕの含有率が
０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下（好ましくは０．１ａｔ
％以上３ａｔ％以下）とされている。Ｃｒの含有率が１
６ａｔ％未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きく
なり、その結果磁気クラスター径が大きくなり、ノイズ
が増大するため好ましくない。また、Ｃｒの含有率が２
４ａｔ％を超えると、保磁力および残留磁化（Ｍｓ）と
飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下するため好まし
くない。Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％未満では、Ｃｕ添
加の効果を得ることできない。また、Ｃｕの含有率が４
ａｔ％を超えると、結晶粒が粗大化し、記録再生特性が
悪化するため好ましくない。
対して主に垂直方向に向いた磁性膜である。垂直磁性膜
５は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料からなり、
Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好まし
くは１８ａｔ％以上２４ａｔ％以下）、Ｃｕの含有率が
０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下（好ましくは０．１ａｔ
％以上３ａｔ％以下）とされている。Ｃｒの含有率が１
６ａｔ％未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きく
なり、その結果磁気クラスター径が大きくなり、ノイズ
が増大するため好ましくない。また、Ｃｒの含有率が２
４ａｔ％を超えると、保磁力および残留磁化（Ｍｓ）と
飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下するため好まし
くない。Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％未満では、Ｃｕ添
加の効果を得ることできない。また、Ｃｕの含有率が４
ａｔ％を超えると、結晶粒が粗大化し、記録再生特性が
悪化するため好ましくない。
【００１７】垂直磁性膜５のＰｔの含有率は、１４ａｔ
％以上２４ａｔ％以下とするのが好ましい。Ｐｔの含有
率が１４ａｔ％未満であると、垂直磁気異方性Ｋｕが小
さくなり、Ｃｕの添加効果を得ることができない。すな
わち残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍ
ｓの向上効果、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の増加効果
が不十分となり好ましくない。Ｐｔ含有率が２４ａｔ％
を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。
％以上２４ａｔ％以下とするのが好ましい。Ｐｔの含有
率が１４ａｔ％未満であると、垂直磁気異方性Ｋｕが小
さくなり、Ｃｕの添加効果を得ることができない。すな
わち残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍ
ｓの向上効果、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の増加効果
が不十分となり好ましくない。Ｐｔ含有率が２４ａｔ％
を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。
【００１８】垂直磁性膜５の材料としては、ＣｏＣｒＰ
ｔＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ系合金、ＣｏＣｒＰ
ｔＣｕＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａＢ系合金が特
に好ましい。ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ系合金を用いる場合に
は、Ｂの含有率は４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以
下）であることが好ましい。Ｂの含有率が４ａｔ％を超
えると、保磁力およびＭｒ／Ｍｓ（残留磁化Ｍｓと飽和
磁化Ｍｒの比）が低下するため好ましくない。ＣｏＣｒ
ＰｔＣｕＴａ系合金を用いる場合には、Ｔａの含有率は
４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以下）であることが
好ましい。Ｔａの含有率が４ａｔ％を超えると、保磁力
およびＭｒ／Ｍｓが低下するため好ましくない。ＣｏＣ
ｒＰｙＣｕＴａＢ系合金を用いる場合には、ＢとＴａの
合計含有率は４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以下）
であることが好ましい。ＢとＴａの合計含有率が４ａｔ
％を超えると、保磁力およびＭｒ／Ｍｓが低下するため
好ましくない。
ｔＣｕ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ系合金、ＣｏＣｒＰ
ｔＣｕＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａＢ系合金が特
に好ましい。ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ系合金を用いる場合に
は、Ｂの含有率は４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以
下）であることが好ましい。Ｂの含有率が４ａｔ％を超
えると、保磁力およびＭｒ／Ｍｓ（残留磁化Ｍｓと飽和
磁化Ｍｒの比）が低下するため好ましくない。ＣｏＣｒ
ＰｔＣｕＴａ系合金を用いる場合には、Ｔａの含有率は
４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以下）であることが
好ましい。Ｔａの含有率が４ａｔ％を超えると、保磁力
およびＭｒ／Ｍｓが低下するため好ましくない。ＣｏＣ
ｒＰｙＣｕＴａＢ系合金を用いる場合には、ＢとＴａの
合計含有率は４ａｔ％以下（好ましくは３ａｔ％以下）
であることが好ましい。ＢとＴａの合計含有率が４ａｔ
％を超えると、保磁力およびＭｒ／Ｍｓが低下するため
好ましくない。
【００１９】垂直磁性膜５は、上記ＣｏＣｒＰｔＣｕ系
合金材料からなる１層構造とすることもできるし、Ｃｏ
ＣｒＰｔ系合金材料からなる層と、上記ＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金材料からなる層とを積層した複層構造とするこ
ともできる。また、Ｃｏ系合金（Ｃｏ、ＣｏＣｒ、Ｃｏ
Ｂ、Ｃｏ−ＳｉＯ2等）層とＰｄ系合金（Ｐｄ、Ｐｄ
Ｂ、Ｐｄ−ＳｉＯ2等）層とを積層した構造を有する複
層構造としてもよい。また、上記Ｃｏ系合金層とＰｔ系
合金（Ｐｔ、ＰｔＢ、Ｐｔ−ＳｉＯ2等）層とを積層し
た構造を有する複層構造としてもよい。さらに、ＴｂＦ
ｅＣｏ等のアモルファス材料層と、上記ＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金層とを備えた複層構造とすることもできる。
合金材料からなる１層構造とすることもできるし、Ｃｏ
ＣｒＰｔ系合金材料からなる層と、上記ＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金材料からなる層とを積層した複層構造とするこ
ともできる。また、Ｃｏ系合金（Ｃｏ、ＣｏＣｒ、Ｃｏ
Ｂ、Ｃｏ−ＳｉＯ2等）層とＰｄ系合金（Ｐｄ、Ｐｄ
Ｂ、Ｐｄ−ＳｉＯ2等）層とを積層した構造を有する複
層構造としてもよい。また、上記Ｃｏ系合金層とＰｔ系
合金（Ｐｔ、ＰｔＢ、Ｐｔ−ＳｉＯ2等）層とを積層し
た構造を有する複層構造としてもよい。さらに、ＴｂＦ
ｅＣｏ等のアモルファス材料層と、上記ＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金層とを備えた複層構造とすることもできる。
【００２０】Ｃｕの添加効果としては、保磁力の向上、
Ｍｒ／Ｍｓの向上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の増加
を挙げることができる。表１は、垂直磁性膜５の材料と
してＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用いた場合の特性と、こ
の材料からＣｕを除いたＣｏＣｒＰｔ系合金を用いた場
合との特性を示すものである。
Ｍｒ／Ｍｓの向上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の増加
を挙げることができる。表１は、垂直磁性膜５の材料と
してＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用いた場合の特性と、こ
の材料からＣｕを除いたＣｏＣｒＰｔ系合金を用いた場
合との特性を示すものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、ＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金を用いた場合（例１）には、ＣｏＣｒＰｔ系合
金を用いた場合（例２）に比べ、記録再生特性に大きな
差はないものの、保磁力Ｈｃ、Ｍｒ／Ｍｓ、および逆磁
区核形成磁界（−Ｈｎ）が向上し、熱揺らぎ耐性が大き
く改善された。また、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用い、
Ｃｒ含有率を２２ａｔ％にした場合（例１）と、Ｃｒ含
有率を２４ａｔ％にした場合（例２）とを比較すると、
Ｃｒ含有率を２４ａｔ％とした場合に、優れた記録再生
特性を得ることができた。優れた記録再生特性が得られ
たのは、熱揺らぎ耐性を劣化させることなく、Ｃｒ含有
率を高く設定することができたためであると考えること
ができる。
ｕ系合金を用いた場合（例１）には、ＣｏＣｒＰｔ系合
金を用いた場合（例２）に比べ、記録再生特性に大きな
差はないものの、保磁力Ｈｃ、Ｍｒ／Ｍｓ、および逆磁
区核形成磁界（−Ｈｎ）が向上し、熱揺らぎ耐性が大き
く改善された。また、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用い、
Ｃｒ含有率を２２ａｔ％にした場合（例１）と、Ｃｒ含
有率を２４ａｔ％にした場合（例２）とを比較すると、
Ｃｒ含有率を２４ａｔ％とした場合に、優れた記録再生
特性を得ることができた。優れた記録再生特性が得られ
たのは、熱揺らぎ耐性を劣化させることなく、Ｃｒ含有
率を高く設定することができたためであると考えること
ができる。
【００２３】垂直磁性膜５の厚さは、３〜６０ｎｍ（好
ましくは５〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得ら
れず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜５の厚さ
が上記範囲を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗
大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましくな
い。
ましくは５〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。垂直磁性
膜５の厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得ら
れず、再生出力が低下する。また、垂直磁性膜５の厚さ
が上記範囲を超えると、垂直磁性膜５内の磁性粒子の粗
大化が起き、記録再生特性が低下するため好ましくな
い。
【００２４】垂直磁性膜５の保磁力Ｈｃは、３０００
（Ｏｅ）以上とされている。保磁力Ｈｃが３０００（Ｏ
ｅ）未満の磁気記録媒体は、高記録密度化に不適であ
り、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくない。
（Ｏｅ）以上とされている。保磁力Ｈｃが３０００（Ｏ
ｅ）未満の磁気記録媒体は、高記録密度化に不適であ
り、また熱揺らぎ耐性にも劣るため好ましくない。
【００２５】垂直磁性膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈ
ｎ）は０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下とされてい
る。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０未満の磁気記録媒
体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
ｎ）は０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下とされてい
る。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０未満の磁気記録媒
体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００２６】垂直磁性膜５の残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁
化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓは０．８５以上とされてい
る。Ｍｒ／Ｍｓが０．８５未満の磁気記録媒体は、熱揺
らぎ耐性に劣るため好ましくない。
化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓは０．８５以上とされてい
る。Ｍｒ／Ｍｓが０．８５未満の磁気記録媒体は、熱揺
らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００２７】以下、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）につい
て説明する。図２に示すように、ＭＨ曲線において、磁
化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部
磁界が０となる点をａとし、磁化が０になった点をｂと
し、点ｂでのＭＨ曲線の接線と飽和磁化を示す直線との
交点をｃとすると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、点
ａと点ｃとの距離（Ｏｅ）で表すことができる。なお、
逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、外部磁界が負となる領
域に点ｃがある場合に正の値をとり（図２を参照）、逆
に、外部磁界が正となる領域に点ｃがある場合に負の値
をとる（図３を参照）。
て説明する。図２に示すように、ＭＨ曲線において、磁
化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部
磁界が０となる点をａとし、磁化が０になった点をｂと
し、点ｂでのＭＨ曲線の接線と飽和磁化を示す直線との
交点をｃとすると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、点
ａと点ｃとの距離（Ｏｅ）で表すことができる。なお、
逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、外部磁界が負となる領
域に点ｃがある場合に正の値をとり（図２を参照）、逆
に、外部磁界が正となる領域に点ｃがある場合に負の値
をとる（図３を参照）。
【００２８】垂直磁性膜５は、結晶粒子の平均粒径が５
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。
〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例
えば垂直磁性膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求める
ことができる。
【００２９】保護膜６は垂直磁性膜５の腐食を防ぐとと
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例
えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものが使用可能であ
る。保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望まし
い。潤滑剤７には、パーフルオロポリエーテル、フッ素
化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好
ましい。
もに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損
傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例
えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものが使用可能であ
る。保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとするのが望まし
い。潤滑剤７には、パーフルオロポリエーテル、フッ素
化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好
ましい。
【００３０】本実施形態の磁気記録媒体にあっては、垂
直磁性膜５が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料か
らなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以
下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下であ
り、保磁力Ｈｃが３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成
磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以
下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／
Ｍｓが０．８５以上である。このため、優れた熱揺らぎ
耐性を得ることができる。さらには、熱揺らぎ耐性を劣
化させることなく、Ｃｒ含有率を高く設定することがで
き、ノイズを低減し、記録再生特性を改善することがで
きる。
直磁性膜５が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材料か
らなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％以
下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下であ
り、保磁力Ｈｃが３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成
磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以
下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／
Ｍｓが０．８５以上である。このため、優れた熱揺らぎ
耐性を得ることができる。さらには、熱揺らぎ耐性を劣
化させることなく、Ｃｒ含有率を高く設定することがで
き、ノイズを低減し、記録再生特性を改善することがで
きる。
【００３１】なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定
となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁
気記録媒体装置においては、記録したデータの再生出力
の経時的な減衰として現れる。また本発明において、垂
直磁性膜が複数の層からなる複層構造を有するものであ
る場合には、これら層のうち少なくとも１つが、上記第
１実施形態における垂直磁性膜５の構成を備えたもので
あればよい。
となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、磁
気記録媒体装置においては、記録したデータの再生出力
の経時的な減衰として現れる。また本発明において、垂
直磁性膜が複数の層からなる複層構造を有するものであ
る場合には、これら層のうち少なくとも１つが、上記第
１実施形態における垂直磁性膜５の構成を備えたもので
あればよい。
【００３２】図４は、本発明の磁気記録媒体の第２の実
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性基
板１と軟磁性下地膜２との間に、磁気異方性が主に面内
方向を向いた硬磁性膜８が設けられている。硬磁性膜８
にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣｒＰｔＸ2合金（Ｘ2：Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）
を用いるのが好適である。硬磁性膜８は、保磁力Ｈｃが
５００（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏｅ）以
上）であることが好ましい。硬磁性膜８の厚さは、１５
０ｎｍ以下（好ましくは７０ｎｍ以下）であることが好
ましい。硬磁性膜８の厚さが１５０ｎｍを超えると、配
向制御膜３の表面平均粗さＲａが大きくなるため好まし
くない。硬磁性膜８は、軟磁性下地膜２と交換結合して
おり、磁化方向が基板半径方向に向けられた構成とする
のが好ましい。硬磁性膜８を設けることにより、より効
果的に軟磁性下地膜２での巨大な磁区の形成を抑えるこ
とができるので、磁壁によるスパイクノイズの発生を防
止して、記録再生時のエラーレートを十分に低くするこ
とができる。硬磁性膜８の配向を制御するために、非磁
性基板１と硬磁性膜８との間にＣｒ合金材料やＢ２構造
材料からなる下地膜を形成してもよい。
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性基
板１と軟磁性下地膜２との間に、磁気異方性が主に面内
方向を向いた硬磁性膜８が設けられている。硬磁性膜８
にはＣｏＳｍ合金や、ＣｏＣｒＰｔＸ2合金（Ｘ2：Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上）
を用いるのが好適である。硬磁性膜８は、保磁力Ｈｃが
５００（Ｏｅ）以上（好ましくは１０００（Ｏｅ）以
上）であることが好ましい。硬磁性膜８の厚さは、１５
０ｎｍ以下（好ましくは７０ｎｍ以下）であることが好
ましい。硬磁性膜８の厚さが１５０ｎｍを超えると、配
向制御膜３の表面平均粗さＲａが大きくなるため好まし
くない。硬磁性膜８は、軟磁性下地膜２と交換結合して
おり、磁化方向が基板半径方向に向けられた構成とする
のが好ましい。硬磁性膜８を設けることにより、より効
果的に軟磁性下地膜２での巨大な磁区の形成を抑えるこ
とができるので、磁壁によるスパイクノイズの発生を防
止して、記録再生時のエラーレートを十分に低くするこ
とができる。硬磁性膜８の配向を制御するために、非磁
性基板１と硬磁性膜８との間にＣｒ合金材料やＢ２構造
材料からなる下地膜を形成してもよい。
【００３３】図５は、本発明の磁気記録媒体の第３の実
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、垂直磁性
膜５と保護膜６との間に軟磁性材料からなる磁化安定膜
９が設けられている。磁化安定膜９の材料としては、Ｆ
ｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ
系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、Ｆｅ
ＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌ
Ｓｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、Ｆｅ
ＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上
含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺ
ｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリ
クス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用
いてもよい。磁化安定膜９の材料としては、上記のほ
か、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルフ
ァス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。この
材料としては、ＣｏＺｒ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、
ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系合金、ＣｏＺｒＭ
ｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、垂直磁性
膜５と保護膜６との間に軟磁性材料からなる磁化安定膜
９が設けられている。磁化安定膜９の材料としては、Ｆ
ｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ
系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、Ｆｅ
ＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌ
Ｓｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、Ｆｅ
ＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴ
ｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、
ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（Ｆｅ
ＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、Ｆ
ｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系
合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金
などを挙げることができる。またＦｅを６０ａｔ％以上
含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺ
ｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリ
クス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用
いてもよい。磁化安定膜９の材料としては、上記のほ
か、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有し、アモルフ
ァス構造を有するＣｏ合金を用いることができる。この
材料としては、ＣｏＺｒ系合金、ＣｏＺｒＮｂ系合金、
ＣｏＺｒＴａ系合金、ＣｏＺｒＣｒ系合金、ＣｏＺｒＭ
ｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
【００３４】磁化安定膜９の保磁力Ｈｃは２００（Ｏ
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ
以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。ま
た、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔとの積Ｂ
ｓ・ｔが７．２Ｔ・ｎｍ以下であること好ましい。この
Ｂｓ・ｔが上記範囲を超えると、再生出力が低下するた
め好ましくない。
ｅ）以下（好ましくは５０（Ｏｅ）以下）とするのが好
ましい。磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓは、０．４Ｔ
以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。ま
た、磁化安定膜９の飽和磁束密度Ｂｓと膜厚ｔとの積Ｂ
ｓ・ｔが７．２Ｔ・ｎｍ以下であること好ましい。この
Ｂｓ・ｔが上記範囲を超えると、再生出力が低下するた
め好ましくない。
【００３５】垂直磁性膜５と保護膜６との間に軟磁性膜
からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ耐
性の向上、再生出力の増加を図ることができる。これ
は、垂直磁性膜５の表面に存在する磁化の揺らぎを、こ
の磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が
揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するため
であると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けら
れていることにより、垂直磁性膜５の基板１の法線方向
の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面内方
向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、垂直
磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、優れた熱
揺らぎ耐性が得られると考えられる。
からなる磁化安定膜９を設けることにより、熱揺らぎ耐
性の向上、再生出力の増加を図ることができる。これ
は、垂直磁性膜５の表面に存在する磁化の揺らぎを、こ
の磁化安定化膜９が安定化することにより、漏れ磁束が
揺らぎの影響を受けなくなり、再生出力が増加するため
であると考えられる。また、この磁化安定膜９が設けら
れていることにより、垂直磁性膜５の基板１の法線方向
の磁化と、軟磁性下地膜２および磁化安定膜９の面内方
向の磁化が、閉回路を形成する。この作用により、垂直
磁性膜４の磁化がより強固に固定されるので、優れた熱
揺らぎ耐性が得られると考えられる。
【００３６】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、中間膜
４、垂直磁性膜５を順次、スパッタ法、真空蒸着、イオ
ンプレーティングなどにより形成する。軟磁性下地膜
２、配向制御膜３の表面には、必要に応じて酸化処理を
施すこともできる。垂直磁性膜５を形成する際には、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含有し、Ｃｒの含有率が１６ａ
ｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％
以上４ａｔ％以下である材料を用いる。また保磁力Ｈｃ
が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）
が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍ
ｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以
上となるように、成膜条件を選択する。次いで保護膜６
を、好ましくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、ス
パッタ法などにより形成する。潤滑剤７を形成するに
は、ディッピング法、スピンコート法などの従来公知の
方法を採用することができる。また、図４に示す磁気記
録媒体を製造するには、基板１と軟磁性下地膜２との間
に、スパッタ法などにより硬磁性膜８を形成する。図５
に示す磁気記録媒体を製造するには、垂直磁性膜５と保
護膜６との間にスパッタ法などにより磁化安定膜９を形
成する。
基板１上に、軟磁性下地膜２、配向制御膜３、中間膜
４、垂直磁性膜５を順次、スパッタ法、真空蒸着、イオ
ンプレーティングなどにより形成する。軟磁性下地膜
２、配向制御膜３の表面には、必要に応じて酸化処理を
施すこともできる。垂直磁性膜５を形成する際には、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含有し、Ｃｒの含有率が１６ａ
ｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％
以上４ａｔ％以下である材料を用いる。また保磁力Ｈｃ
が３０００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）
が０（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍ
ｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以
上となるように、成膜条件を選択する。次いで保護膜６
を、好ましくはプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、ス
パッタ法などにより形成する。潤滑剤７を形成するに
は、ディッピング法、スピンコート法などの従来公知の
方法を採用することができる。また、図４に示す磁気記
録媒体を製造するには、基板１と軟磁性下地膜２との間
に、スパッタ法などにより硬磁性膜８を形成する。図５
に示す磁気記録媒体を製造するには、垂直磁性膜５と保
護膜６との間にスパッタ法などにより磁化安定膜９を形
成する。
【００３７】図６は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、上記実施形態の磁気記録媒体１０と、磁気
記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気
記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、
ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備え
ている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータ
を処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気
ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力する
ことができるようになっている。磁気ヘッド１２として
は、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することができ
る。図６（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドとして
は、主磁極１２ａと、補助磁極１２ｂと、これらを連結
する連結部１２ｃに設けられたコイル１２ｄとを有する
構成のものを好適に用いることができる。
録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録
再生装置は、上記実施形態の磁気記録媒体１０と、磁気
記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気
記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、
ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備え
ている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータ
を処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気
ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力する
ことができるようになっている。磁気ヘッド１２として
は、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することができ
る。図６（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドとして
は、主磁極１２ａと、補助磁極１２ｂと、これらを連結
する連結部１２ｃに設けられたコイル１２ｄとを有する
構成のものを好適に用いることができる。
【００３８】上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気
記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再
生特性を高めることができる。従って、データ消失など
のトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図る
ことができる。
記録媒体１０を用いるので、熱揺らぎ耐性および記録再
生特性を高めることができる。従って、データ消失など
のトラブルを未然に防ぐとともに、高記録密度化を図る
ことができる。
【００３９】
【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外形
２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネ
ルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、
到達真空度１×１０-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を
排気した後、このガラス基板上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７
Ｎｂ（Ｃｏ含有率８９ａｔ％、Ｚｒ含有率４ａｔ％、Ｎ
ｂ含有率７ａｔ％）のターゲットを用いて１００℃以下
の基板温度で厚さ１００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパッ
タリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓと
膜厚ｔの積Ｂｓ・ｔが１１０Ｔ・ｎｍであることを振動
式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。次いで、基
板を２００℃に加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、Ｒ
ｕターゲットを用いて厚さ２０ｎｍの配向制御膜３を形
成し、６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂターゲットを用いて厚
さ５ｎｍの中間膜４を形成し、５９Ｃｏ−２２Ｃｒ−１
７Ｐｔ−２Ｃｕターゲットを用いて厚さ２５ｎｍの垂直
磁性膜５を形成した。なお、上記スパッタリング工程に
おいては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用
い、圧力０．５Ｐａにて成膜した。次いで、ＣＶＤ法に
より厚さ５ｎｍの保護膜６を形成した。次いで、ディッ
ピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑
膜７を形成し、磁気記録媒体を得た。（表２を参照）
確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外形
２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネ
ルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、
到達真空度１×１０-5Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を
排気した後、このガラス基板上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７
Ｎｂ（Ｃｏ含有率８９ａｔ％、Ｚｒ含有率４ａｔ％、Ｎ
ｂ含有率７ａｔ％）のターゲットを用いて１００℃以下
の基板温度で厚さ１００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパッ
タリングにより成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓと
膜厚ｔの積Ｂｓ・ｔが１１０Ｔ・ｎｍであることを振動
式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。次いで、基
板を２００℃に加熱して、上記軟磁性下地膜２上に、Ｒ
ｕターゲットを用いて厚さ２０ｎｍの配向制御膜３を形
成し、６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂターゲットを用いて厚
さ５ｎｍの中間膜４を形成し、５９Ｃｏ−２２Ｃｒ−１
７Ｐｔ−２Ｃｕターゲットを用いて厚さ２５ｎｍの垂直
磁性膜５を形成した。なお、上記スパッタリング工程に
おいては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用
い、圧力０．５Ｐａにて成膜した。次いで、ＣＶＤ法に
より厚さ５ｎｍの保護膜６を形成した。次いで、ディッ
ピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑
膜７を形成し、磁気記録媒体を得た。（表２を参照）
【００４０】（実施例２〜１５）垂直磁性膜５の組成ま
たは厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒
体を作製した。（表２参照）
たは厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒
体を作製した。（表２参照）
【００４１】（比較例１）垂直磁性膜５を、６１Ｃｏ−
２２Ｃｒ−１７Ｐｔターゲットを用いて形成した（厚さ
２５ｎｍ）以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作
製した。（表２を参照）
２２Ｃｒ−１７Ｐｔターゲットを用いて形成した（厚さ
２５ｎｍ）以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作
製した。（表２を参照）
【００４２】（比較例２〜７）垂直磁性膜５を表２に示
すとおりとすること以外は、実施例１に準じて磁気記録
媒体を作製した。（表２参照）
すとおりとすること以外は、実施例１に準じて磁気記録
媒体を作製した。（表２参照）
【００４３】これら実施例および比較例の磁気記録媒体
について、記録再生特性および熱揺らぎ特性を評価し
た。記録再生特性の評価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライ
トアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ
１７０１ＭＰを用いて行った。記録再生特性の評価に
は、書き込み部に単磁極を用い、再生部にＧＭＲ素子を
用いた磁気ヘッドを用いて、記録周波数５２０ｋＦＣＩ
にて測定した。熱揺らぎ特性の評価については、７０℃
の条件下で記録周波数５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこ
なった後の再生出力の減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／
（Ｓｏ×３）に基づいて算出した。この式において、Ｓ
ｏは磁気記録媒体に書き込み後１秒経過時の再生出力を
示し、Ｓは１０００秒後の再生出力を示す。上記値は熱
揺らぎ耐性の指標となる。これらの試験結果を表２に示
す。
について、記録再生特性および熱揺らぎ特性を評価し
た。記録再生特性の評価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライ
トアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ
１７０１ＭＰを用いて行った。記録再生特性の評価に
は、書き込み部に単磁極を用い、再生部にＧＭＲ素子を
用いた磁気ヘッドを用いて、記録周波数５２０ｋＦＣＩ
にて測定した。熱揺らぎ特性の評価については、７０℃
の条件下で記録周波数５０ｋＦＣＩにて書き込みをおこ
なった後の再生出力の減衰率を（Ｓｏ−Ｓ）×１００／
（Ｓｏ×３）に基づいて算出した。この式において、Ｓ
ｏは磁気記録媒体に書き込み後１秒経過時の再生出力を
示し、Ｓは１０００秒後の再生出力を示す。上記値は熱
揺らぎ耐性の指標となる。これらの試験結果を表２に示
す。
【００４４】
【表２】
【００４５】表２より、垂直磁性膜５にＣｏＣｒＰｔＣ
ｕ系合金を用い、Ｃｒ含有率を１６〜２４ａｔ％、Ｐｔ
含有率を１４〜２４ａｔ％、Ｃｕ含有率を０．１〜４ａ
ｔ％とした実施例では、優れた記録再生特性および熱揺
らぎ耐性が得られたことがわかる。
ｕ系合金を用い、Ｃｒ含有率を１６〜２４ａｔ％、Ｐｔ
含有率を１４〜２４ａｔ％、Ｃｕ含有率を０．１〜４ａ
ｔ％とした実施例では、優れた記録再生特性および熱揺
らぎ耐性が得られたことがわかる。
【００４６】（実施例１６〜１８）垂直磁性膜５を２層
構造を有するものとし、これら２層のうちいずれかにＣ
ｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用いて磁気記録媒体を作製し
た。（表３を参照） 表中、垂直磁性膜５の組成は「下層の組成／上層の組
成」で示す。また厚さについても、「下層の厚さ／上層
の厚さ」で示す。
構造を有するものとし、これら２層のうちいずれかにＣ
ｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用いて磁気記録媒体を作製し
た。（表３を参照） 表中、垂直磁性膜５の組成は「下層の組成／上層の組
成」で示す。また厚さについても、「下層の厚さ／上層
の厚さ」で示す。
【００４７】（比較例８）垂直磁性膜５を表３に示すと
おりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作
製した。（表３参照） これらの実施例および比較例の磁気記録媒体について、
記録再生特性および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果
を表３に示す。
おりとする以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作
製した。（表３参照） これらの実施例および比較例の磁気記録媒体について、
記録再生特性および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果
を表３に示す。
【００４８】
【表３】
【００４９】表３より、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系合金を用
い、Ｃｒ含有率を１６〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有率を１４
〜２４ａｔ％、Ｃｕ含有率を０．１〜４ａｔ％とした層
を有する垂直磁性膜５を設けた実施例では、ＣｏＣｒＰ
ｔＣｕ系合金を用いない比較例に比べ、優れた記録再生
特性を示したことがわかる。
い、Ｃｒ含有率を１６〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有率を１４
〜２４ａｔ％、Ｃｕ含有率を０．１〜４ａｔ％とした層
を有する垂直磁性膜５を設けた実施例では、ＣｏＣｒＰ
ｔＣｕ系合金を用いない比較例に比べ、優れた記録再生
特性を示したことがわかる。
【００５０】（実施例１９〜２５）軟磁性下地膜２の組
成を表４に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した。（表４参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表４に示
す。
成を表４に示すとおりとする以外は、実施例１に準じて
磁気記録媒体を作製した。（表４参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表４に示
す。
【００５１】
【表４】
【００５２】表４より、いずれの実施例においても、優
れた記録再生特性を得ることができたことがわかる。
れた記録再生特性を得ることができたことがわかる。
【００５３】（実施例２６〜３０）配向制御膜３の材料
およびその厚さを表５に示すとおりとする以外は、実施
例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表５参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表５に示
す。
およびその厚さを表５に示すとおりとする以外は、実施
例１に準じて磁気記録媒体を作製した。（表５参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表５に示
す。
【００５４】
【表５】
【００５５】表５より、配向制御膜３に、ｈｃｐ構造材
料、ｆｃｃ構造材料、またはアモルファス材料を用いた
構成によって、優れた記録再生特性を得ることができた
ことがわかる。
料、ｆｃｃ構造材料、またはアモルファス材料を用いた
構成によって、優れた記録再生特性を得ることができた
ことがわかる。
【００５６】（実施例３１〜３３）軟磁性下地膜２の表
面を酸素含有ガス（純酸素（１００％Ｏ2）、５０％Ｏ2
−５０％Ａｒ、または大気）に曝すことによって、軟磁
性下地膜２に酸化処理を施すこと以外は実施例１に準じ
て磁気記録媒体を作製した。（表６参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表６に示
す。
面を酸素含有ガス（純酸素（１００％Ｏ2）、５０％Ｏ2
−５０％Ａｒ、または大気）に曝すことによって、軟磁
性下地膜２に酸化処理を施すこと以外は実施例１に準じ
て磁気記録媒体を作製した。（表６参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表６に示
す。
【００５７】
【表６】
【００５８】表６より、軟磁性下地膜２の酸化によっ
て、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。
て、優れた記録再生特性が得られたことがわかる。
【００５９】（試験例３４〜４０）中間膜４の材料およ
びその厚さを表７に示すとおりとする以外は、実施例１
に準じて磁気記録媒体を作製した。（表７参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表７に示
す。
びその厚さを表７に示すとおりとする以外は、実施例１
に準じて磁気記録媒体を作製した。（表７参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表７に示
す。
【００６０】
【表７】
【００６１】表７より、いずれの実施例においても優れ
た記録再生特性が得られたことがわかる。
た記録再生特性が得られたことがわかる。
【００６２】（実施例４１〜４３）非磁性基板１と軟磁
性下地膜２との間に、９４Ｃｒ−６Ｍｏからなる下地膜
（厚さ２０ｎｍ）を設け、その上に、表８に示す硬磁性
膜８を設けた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を
作製した。（表８参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表８に示
す。
性下地膜２との間に、９４Ｃｒ−６Ｍｏからなる下地膜
（厚さ２０ｎｍ）を設け、その上に、表８に示す硬磁性
膜８を設けた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を
作製した。（表８参照） これらの実施例の磁気記録媒体について、記録再生特性
および熱揺らぎ特性を評価した。試験結果を表８に示
す。
【００６３】
【表８】
【００６４】表８より、硬磁性膜８を設けることによっ
て、記録再生特性を悪化させることなく、軟磁性下地膜
２の磁壁起因のスパイク状ノイズを抑え、記録再生特性
を向上させることができたことがわかる。
て、記録再生特性を悪化させることなく、軟磁性下地膜
２の磁壁起因のスパイク状ノイズを抑え、記録再生特性
を向上させることができたことがわかる。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃ
ｕを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以
上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４
ａｔ％以下であるので、記録再生特性を向上させるとと
もに、熱揺らぎ耐性を向上することができる。
媒体にあっては、垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃ
ｕを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以
上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４
ａｔ％以下であるので、記録再生特性を向上させるとと
もに、熱揺らぎ耐性を向上することができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図２】 ＭＨ曲線の一例を示すグラフである。
【図３】 ＭＨ曲線の他の例を示すグラフである。
【図４】 本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図５】 本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を
示す一部断面図である。
示す一部断面図である。
【図６】 本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概
略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘ
ッドを示す。
略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘ
ッドを示す。
１…非磁性基板、２…軟磁性下地膜、３…配向制御膜、
４…中間膜、５…垂直磁性膜、６…保護膜、７…潤滑
膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒
体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主
磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コ
イル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系
４…中間膜、５…垂直磁性膜、６…保護膜、７…潤滑
膜、８…硬磁性膜、９…磁化安定膜、１０…磁気記録媒
体、１１…媒体駆動部、１２…磁気ヘッド、１２ａ…主
磁極、１２ｂ…補助磁極、１２ｃ…連結部、１２ｄ…コ
イル、１３…ヘッド駆動部、１４…記録再生信号処理系
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ
Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16
(72)発明者 坂脇 彰
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 楊 輝
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 望月 寛夫
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 酒井 浩志
千葉県市原市八幡海岸通５番の１ 昭和電
工エイチ・ディー株式会社内
(72)発明者 彦坂 和志
神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社
東芝柳町工場内
(72)発明者 中村 太
神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社
東芝柳町工場内
Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA02 BA24 BC06
BD11 CA05
5D006 AA02 AA05 BB02 BB07 CA01
CA03 CA05 DA03 DA08 EA02
FA09
5D112 AA03 AA04 AA05 AA07 AA24
BB05 BC07 BD02 BD03 FA04
5E049 AA04 BA06 BA08 DB12
Claims (7)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、少なくとも、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設
けられ、 前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材
料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％
以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下で
あり、 垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、
逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００
（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）と
の比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 垂直磁性膜は、Ｃｒの含有率が１８ａ
ｔ％以上２４ａｔ％以下、Ｐｔの含有率が１４ａｔ％以
上２４ａｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上３
ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 垂直磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔＣｕ系合
金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ
系合金、ＣｏＣｒＰｔＣｕＴａＢ系合金のいずれかから
なるものであることを特徴とする請求項１または２記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、
硬磁性材料からなる硬磁性膜が設けられていることを特
徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項５】 垂直磁性膜上に、軟磁性材料からなる
磁化安定膜が設けられていることを特徴とする請求項１
〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 非磁性基板上に、少なくとも、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設
け、前記垂直磁性膜を、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含ん
だ材料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａ
ｔ％以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以
下であるものとし、垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）を３０
００（Ｏｅ）以上、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を０
（Ｏｅ）以上２５００（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）
と飽和磁化（Ｍｓ）との比Ｍｒ／Ｍｓを０．８５以上と
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情
報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装
置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記
録媒体が、非磁性基板上に、少なくとも、直上の膜の配
向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し
主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けら
れ、 前記垂直磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕを含んだ材
料からなり、Ｃｒの含有率が１６ａｔ％以上２４ａｔ％
以下、Ｃｕの含有率が０．１ａｔ％以上４ａｔ％以下で
あり、 垂直磁性膜の保磁力（Ｈｃ）が３０００（Ｏｅ）以上、
逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上２５００
（Ｏｅ）以下、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）と
の比Ｍｒ／Ｍｓが０．８５以上であることを特徴とする
磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001247825A JP2003059024A (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| US10/218,570 US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2002-08-15 | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| PCT/JP2002/008321 WO2003017258A1 (fr) | 2001-08-17 | 2002-08-16 | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001247825A JP2003059024A (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059024A true JP2003059024A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19077079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001247825A Pending JP2003059024A (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003059024A (ja) |
| WO (1) | WO2003017258A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336533A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 無機酸化物蒸着フィルムおよびその製造方法 |
| US8361641B2 (en) | 2007-05-30 | 2013-01-29 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording layer with regions having different magnetic anisotropy constants |
| US10026429B2 (en) | 2009-03-13 | 2018-07-17 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording medium |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961012A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH0628652A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH06103554A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH06180834A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH06215941A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Inter Metallics Kk | 磁気記録媒体、磁気記録膜形成用ターゲツト及び磁気記録膜形成法 |
| JPH0877544A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0831638A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Kubota Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JPH11283227A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体 |
| JP2001098360A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
| JP4233710B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2009-03-04 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2001167423A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-08-17 JP JP2001247825A patent/JP2003059024A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-16 WO PCT/JP2002/008321 patent/WO2003017258A1/ja unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336533A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 無機酸化物蒸着フィルムおよびその製造方法 |
| US8361641B2 (en) | 2007-05-30 | 2013-01-29 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording layer with regions having different magnetic anisotropy constants |
| US8889274B2 (en) | 2007-05-30 | 2014-11-18 | Seagate Technology International | Perpendicular magnetic recording layer with regions having different magnetic anisotropy constants |
| US10026429B2 (en) | 2009-03-13 | 2018-07-17 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003017258A1 (fr) | 2003-02-27 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070220 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070626 |