JP2004220680A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】記録再生時の記録再生特性を向上させ、高密度の情報の記録再生を可能とする。
【解決手段】この発明は、非磁性基板１上に、少なくとも、軟磁性下地膜２と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板１に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜５と、保護膜６とが設けられた磁気記録媒体であって、配向制御膜３が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとるようにした、ことを特徴としている。
【選択図】 図１
【解決手段】この発明は、非磁性基板１上に、少なくとも、軟磁性下地膜２と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜３と、磁化容易軸が基板１に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜５と、保護膜６とが設けられた磁気記録媒体であって、配向制御膜３が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとるようにした、ことを特徴としている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録膜とその垂直磁気記録膜の配向性を制御する配向制御膜とを備えた磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％以上で増えており、今後もその傾向は続くと言われている。その為に高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置に搭載されている磁気記録媒体は、主に、磁性膜内の磁化容易軸が基板に対して水平に配向した面内磁気記録媒体である。ここで磁化容易軸とは、磁化の向き易い軸のことであり、Ｃｏ基合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸のことである。
【０００４】
このような面内磁気記録媒体では、高記録密度化すると記録ビットの１ビットあたりの磁性層の体積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響により媒体ノイズが増加する傾向がある。
【０００５】
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくてすむため、熱揺らぎ効果に強く、また高記録密度化した際に、記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。そこで、近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されている。
【０００６】
一方、磁気記録媒体の更なる高記録密度化の要望に対して、垂直磁気記録膜に対する書きこみ能力に優れている単磁極ヘッドを用いることが近年検討されている。そのようなヘッドに対応するために、記録層である垂直磁気記録膜と基板との間に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる層を設けることにより、単磁極ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。
【０００７】
しかしながら、上記のように単に裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合では、記録再生時の記録再生特性において満足できるものではなく、記録再生特性に優れる磁気記録媒体が要望されていた。
【０００８】
一般に垂直磁気記録媒体は、基板上に裏打ち層（軟磁性下地層）を設け、その上に磁性層の磁化容易軸を基板面に対して垂直に配向させる配向制御膜、Ｃｏ合金からなる垂直磁気記録膜および保護膜を順に積層して構成されている。この中で、磁気記録媒体の記録再生特性を改善するには、垂直磁気記録膜に対して、ノイズの低い磁性材料を使うのは勿論であるが、層構造についても幾つかの改善手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−１８０３６０号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２１１１１７号公報
【特許文献３】
特許第２６６９５２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献１〜３は次のような課題を有している。すなわち、特許文献１には、ＣｏとＲｕからなる下地膜を非磁性基板とＣｏ合金垂直磁気記録膜との間に用いることにより、Ｃｏ合金垂直磁気記録膜のｃ軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、ＣｏとＲｕからなる下地膜は結晶粒径が大きくなり、その結果Ｃｏ合金垂直磁気記録膜中の磁性粒子径が大きくなり、媒体ノイズが大きくなり、更なる高密度化は困難である。
【００１１】
また特許文献２には、炭素含有下地膜を基板とＣｏ合金垂直磁気記録膜との間に用いることが、提案されている。しかしながら、炭素含有下地膜を用いると、炭素含有下地膜はアモルファス構造下地膜であるために、垂直磁気記録膜のｃ軸配向性が悪化するため、その結果、熱揺らぎ耐性が悪化し、更なる高記録密度化は困難である。
【００１２】
さらに特許文献３には、非磁性基板と六方晶系の磁気記録膜との間にＴｉ下地膜を設け、Ｔｉ下地膜に他の元素を含有させることにより、Ｔｉ合金下地膜と六方晶系の磁性合金膜との間の格子の整合性を高め、六方晶系の磁性合金膜のｃ軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、特許第２６６９５２９号公報の中で言及されているＴｉに含有する元素はＴｉのまわりに偏析することなく、大部分は合金としてｂｃｃまたは、ｆｃｃ構造になる。このため六方晶系の磁性合金膜との整合性は大きく改善されない。その結果、媒体ノイズの大きな低減はできず、更なる高記録密度化は困難である。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気記録密度を向上することができるとともに、記録再生時の記録再生特性を向上させ、高密度の情報の記録再生を可能とする磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
【００１５】
（１）非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とが設けられ、前記配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１６】
（２）（１）に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜がＴｉＺｒ、ＴｉＨｆ、ＺｒＨｆ合金のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１７】
（３）（１）乃至（２）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜の厚さが０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（４）（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔを含む材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１９】
（５）非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、上記配向制御膜は、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとるようにする、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（６）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体、若しくは請求項５に記載の製造方法で製造した磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の磁気記録媒体の実施形態の一例を示す図である。ここに示されている磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁気記録膜５と、保護膜６と潤滑膜７とが順次形成された構成となっている。以下、非磁性基板１側から順にその構成を説明する。
【００２２】
［非磁性基板］
非磁性基板１としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
【００２３】
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。
【００２４】
非磁性基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０Å）以下、好ましくは１ｎｍ以下であることがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から望ましい。
【００２５】
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であることがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。
【００２６】
さらに、端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方のいずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。尚、この微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００２７】
［軟磁性下地膜］
軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板に対する垂直方向成分を大きくするためと、情報が記録される垂直磁気記録膜５の磁化の方向をより強固に基板１と垂直な方向に固定するために設けられているものである。この作用は特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなるので好ましい。
【００２８】
上記軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からなるもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。
【００２９】
この材料としては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。
【００３０】
またＦｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。
【００３１】
軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有するＣｏ合金を用いることができ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
【００３２】
軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは１００（Ｏｅ）以下（好ましくは２０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい（１Ｏｅは約７９Ａ／ｍ）。
【００３３】
この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好ましくない。
【００３４】
さらに、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ・ｎｍ）以上（好ましくは６０（Ｔ・ｎｍ）以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになったり、ＯＷ特性が悪化するため好ましくない。尚、層の膜厚は、例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察することにより求めることができる。
【００３５】
軟磁性下地膜２の最表面（配向制御膜３側の面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的、あるいは完全に酸化されて構成されていることが好ましい。即ち、軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびその近傍に、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的に酸化されるか、もしくは前記材料の酸化物を形成して配されていることが好ましい。
【００３６】
これにより、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるので、この磁気的な揺らぎに起因するノイズが低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができる。
【００３７】
上述のように軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびその近傍を、部分的あるいは完全に酸化させるには、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、酸素を含む雰囲気に曝す方法、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法などによって容易に実施できる。具体的には、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝す場合では、酸素単体、あるいは酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持しておけばよい。また、大気中に曝すようにしても良い。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造を行うことができる。また、軟磁性下地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する方法では、例えば成膜法としてスパッタ法を用いるならば、成膜時間の１部のみに酸素を導入したプロセスガスを用いてスパッタを行えば良い。このプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが好適に用いられる。
【００３８】
［配向制御膜］
配向制御膜３は、直上に設けられた中間膜４および／または垂直磁気記録膜５の配向性や粒径を制御するものである。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体において、配向制御膜３は少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなる。本発明ではこのように、単独でｈｃｐ構造を取る元素同士を２種以上混合した合金で、かつその合金も状態図においてｈｃｐ構造をとるものを配向制御膜として使用するので、垂直磁性膜の垂直配向性が高まり，また磁性膜の結晶粒の最適化がはかられる。これにより磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性の向上，媒体ノイズの低減を図ることができ、磁気記録密度を向上することができる。
【００４０】
上記配向制御膜３は特にＴｉＺｒ、ＴｉＨｆ、ＺｒＨｆ合金のいずれかであることが好ましい。以上に示した材料を用いることにより記録再生特性を向上することができる。
【００４１】
また、配向制御膜３は、その材料の融点が８００（Ｋ）以上であることが好ましい。即ち融点が８００（Ｋ）未満である材料にて配向制御膜３を形成すると、表面粗さＲａが大きくなり、記録再生ヘッドの浮上高さを十分に低くすることができないため、高記録密度化することが難しいためである。
【００４２】
さらに、配向制御膜３は、その厚さを０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下（特に１〜１２ｎｍ）とするのが好ましい。即ち配向制御膜３の厚さが上記範囲であるとき、垂直磁気記録膜５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくすることができるので、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができるからである。
【００４３】
この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁気記録膜５における垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。また、この厚さが上記範囲を超えると、磁性結晶粒が粗大化し垂直磁気記録膜５の記録再生特性が劣化する。また記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、再生信号の分解能や再生出力が低下するため好ましくない。
【００４４】
また、配向制御膜３の表面形状は、垂直磁気記録膜５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００４５】
この表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることができる。
【００４６】
さらに、配向制御膜３は、成膜用のガスとして、その上に設けられる垂直磁気記録膜を微細化する目的で、酸素や窒素を含んだプロセスガスを用いて成膜したものが好ましい。例えば、スパッタ法を用いて形成されたものである場合は、プロセスガスとして、アルゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合したガスを用いて形成したものが好ましい。
【００４７】
［中間膜］
図示実施例のように配向制御膜３と垂直磁気記録膜５との間に、中間膜４を設けるようにしても良い。
【００４８】
この中間膜４にはｈｃｐ構造を有する材料を用いるのが好ましく、特に、ＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＹ１合金やＣｏＹ１合金（ここで、Ｙ１：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうちの１種または２種以上）を用いるのが好適である。
【００４９】
また、中間膜４のＣｏの含有量は３０〜７０ａｔ％であることが好ましい。
【００５０】
さらに、中間膜４の厚さは、垂直磁気記録膜５における磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる記録分解能の低下を起こさないようにするために、３０ｎｍ以下（より好ましくは２０ｎｍ以下）とするのが好ましい。
【００５１】
このような中間膜４を設けることによって、垂直磁気記録膜５の垂直配向性を高めることができるので、垂直磁気記録膜５の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることができる。
【００５２】
［垂直磁気記録膜］
垂直磁気記録膜５は、その磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向に向いたものであり、少なくともＣｏ、Ｐｔを含んだ材料からなることが好ましい。
【００５３】
なかでも特に、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有量が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１６ａｔ％以上２２ａｔ％以下）、Ｐｔの含有量が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１５ａｔ％以上２０ａｔ％以下）であることが好ましい。尚、主に垂直方向に向いたものとは垂直方向の保磁力Ｈｃ（Ｐ）と面内方向の保磁力Ｈｃ（Ｌ）がＨｃ（Ｐ）＞Ｈｃ（Ｌ）である垂直磁気記録膜のことである。さらに、Ｂを０．１以上５ａｔ％以下含んだ材料からなることが好ましい。これにより、磁性粒子間の交換結合を低減することができ、記録再生特性を改善することが可能となる。
【００５４】
このような材料の組成において、Ｃｒの含有量が１４ａｔ％未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、その結果磁気クラスター径が大きくなり、ノイズが増大するため好ましくない。また、Ｃｒの含有量が２４ａｔ％を超えると、保磁力および残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下するため好ましくない。Ｐｔの含有量が１４ａｔ％未満であると、記録再生特性の改善効果が不十分であるとともに、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下し熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。また、Ｐｔの含有量が２４ａｔ％を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。
【００５５】
上記垂直磁気記録膜５がＣｏＣｒＰｔ系合金からなる場合においては、Ｂ以外にも任意の元素を添加することも可能である。特に限定されるものではないが、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｎｄ、Ｚｒ、Ｗなどを挙げることができる。
【００５６】
また、垂直磁気記録膜５は、このほかにも、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎなどから選ばれる少なくとも１種類以上の元素を添加した合金を用いることもできる。
【００５７】
この垂直磁気記録膜５は、ＣｏＣｒＰｔ系材料からなる１層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることもできる。
【００５８】
２層以上の構造とする場合、Ｃｏ系合金（ＣｏＣｒ、ＣｏＢ、Ｃｏ−ＳｉＯ２等）とＰｄ系合金（ＰｄＢ、Ｐｄ−ＳｉＯ２等）の積層材料やＣｏＴｂやＣｏＮｄ等のアモルファス材料とＣｏＣｒＰｔ系材料の複層構造とすることもできる。あるいは、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁気記録膜として設け、組成の異なるＣｏＣｒＰｔ系材料を第２垂直磁気記録膜とすることができる。また、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁気記録膜として設け、ＣｏＮｄを第２垂直磁気記録膜として設けることができる。
【００５９】
垂直磁気記録膜のΔθ５０が２〜１０°の範囲であることが好ましい。
【００６０】
このΔθ５０は、２°未満であると、配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの磁化の向きが均一となり磁性粒子間の磁気的結合が大きくなる。その結果、磁性粒子径に関わりなく、磁気クラスター径が大きくなり、媒体ノイズが増加し、記録再生特性が劣化するため好ましくない。
【００６１】
一方、Δθ５０が１０°を超えると、配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性が劣化するため、磁気異方性の低下や残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが悪化し、熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。
【００６２】
これに対し、Δθ５０を２〜１０°に設定した場合には配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性を良好にして熱揺らぎ特性を良好とし、しかも磁化容易軸の方向をある程度不均一化し、磁化の相互作用を抑え、優れたノイズ特性、記録再生特性を得ることができる。
【００６３】
ここでいうΔθ５０とは、当該膜の結晶面の傾き分布を示すものであり、具体的には、膜表面における特定の配向面に関するロッキング曲線のピークの半値幅をいう。Δθ５０は、数値が小さいほど当該膜の結晶配向性が高いということができる。
【００６４】
以下、Δθ５０を測定する方法の一例を説明する。
（１）ピーク位置決定
図２に示すように、表面側に垂直磁気記録膜５が形成されたディスクＤに、入射Ｘ線２１を照射し、回折Ｘ線２２を回折Ｘ線検出器２３によって検出する。
【００６５】
検出器２３の位置は、この検出器２３によって検出される回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度（入射Ｘ線２１の延長線２４に対する回折Ｘ線２２の角度）が、入射Ｘ線２１のディスクＤ表面に対する入射角θの２倍、すなわち２θとなるように設定する。
【００６６】
入射Ｘ線２１を照射する際には、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させるとともに、これに連動させて、検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度が２θ（すなわち入射Ｘ線２１の入射角θの２倍の角度）を維持するように変化させつつ、回折Ｘ線２２の強度を検出器２３により測定するθ―２θスキャン法を行う。
【００６７】
これによって、θと回折Ｘ線２２の強度の関係を調べ、回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検出器２３の位置を決定する。この回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検出器２３の位置における、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度２θを２θｐという。得られた角度２θｐより、膜表面において支配的な結晶面を知ることができる。
【００６８】
（２）ロッキング曲線の決定
図３に示すように、検出器２３を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定した状態で、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させ、入射角θと、検出器２３によって検出された回折Ｘ線２２の強度との関係を示すロッキング曲線を作成する。
【００６９】
検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定するため、ロッキング曲線は、膜表面の結晶面のディスクＤ面に対する傾きの分布を表すものとなる。
【００７０】
図４はロッキング曲線の例を示す図である。Δθ５０とは、このロッキング曲線において当該配向面を示すピークの半値幅をいう。
【００７１】
垂直磁気記録膜５の厚さは、７〜６０ｎｍ（より好ましくは１０〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。この垂直磁気記録膜５の厚さが７ｎｍ以上であると、十分な磁束が得られ、再生時における出力が低くならず、出力波形がノイズ成分にうずもれてしまうことがないので、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作するので好ましい。また、垂直磁気記録膜５の厚さが６０ｎｍ以下であると、垂直磁気記録膜５内の磁性粒子の粗大化を抑えることができ、ノイズの増大といった記録再生特性の劣化が生じるおそれがないため好ましい。
【００７２】
また、垂直磁気記録膜５は、結晶粒子の平均粒径が５〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例えば垂直磁気記録膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
【００７３】
垂直磁気記録膜５の保磁力は、３０００（Ｏｅ）以上とすることが好ましい。この保磁力が３０００（Ｏｅ）未満であると、高記録密度における必要な分解能が得られず、また熱揺らぎ耐性が劣るため好ましくない。
【００７４】
加えて、垂直磁気記録膜５の残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることが好ましい。このＭｒ／Ｍｓが０．９未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００７５】
ここで磁気特性としての逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）およびΔＨｃ／Ｈｃについて図５〜図７を用いて説明する。逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）は、図５に示すように、ＶＳＭなどにより求めたＭＨ曲線において、磁化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部磁界が０となる点ａ、ＭＨ曲線の磁化が０である点ｂでのＭＨ曲線の接線を延長した線と飽和磁化との交点を点ｃとすると、Ｙ軸から点ｃまでの距離［Ｏｅ］で表すことができる。
【００７６】
なお、逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）は、点ｃが外部磁界が負である領域にある場合に正の値をとり（図５に示した状態）、逆に点ｃが外部磁界が正である領域にある場合に負の値をとる（図６に示した状態）。
【００７７】
図７をもとに、ΔＨｃ／Ｈｃについて説明する。ΔＨｃは、ＭＨ曲線において、負の最大残留磁化（−Ｍｓ）状態からのメジャー曲線のＭｓ／２における磁界強度と、負の保磁力（−Ｈｃ）状態からのマイナー曲線のＭｓ／２における磁界強度との差である。ΔＨｃ／Ｈｃは、上記ΔＨｃとＨｃとの比の値である。
【００７８】
垂直磁気記録膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０以上２５００Ｏｅ以下であることが好ましい。この逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が、０未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。また、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の上限は、２５００Ｏｅとされている。それ以上の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を得ようとすると、磁性粒子の磁気的な分離が不充分となり、活性化磁気モーメント（ｖＩｓｂ）が増大し、結果として記録再生時におけるノイズが増加するといったことがことおきやすくなるため好ましくない。
【００７９】
垂直磁気記録膜５のΔＨｃ／Ｈｃは０．３以下であることが好ましい。このΔＨｃ／Ｈｃが０．３以下であると、磁性粒子の粒径のばらつきが小さくなるので、垂直磁気記録膜の垂直方向への保磁力がより均一となるので、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が悪化することを抑えることができるので好ましい。
【００８０】
［保護膜］
保護膜６は垂直磁気記録膜５の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが使用可能である。
【００８１】
保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとすると、ヘッドと垂直磁気記録膜５の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
【００８２】
［潤滑膜］
潤滑膜７には従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
【００８３】
本実施形態の磁気記録媒体にあっては、配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなるので、より高記録密度で使用した時に記録再生特性が向上（例えば、ノイズの低減）しているので、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体となる。
【００８４】
［製造方法］
次に、実施形態の磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。 まず、非磁性基板１上にスパッタ法などにより、軟磁性下地膜２を形成し、その後必要に応じてこの軟磁性下地膜２の表面およびその近傍を、部分的あるいは完全に酸化させる。次いで配向制御膜３、中間膜４、垂直磁気記録膜５をスパッタ法などにより形成する。続いて保護膜６をＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタ法などにより形成する。その後、ディッピング法、スピンコート法などにより潤滑膜７を形成する。
【００８５】
以下、工程ごとに説明する。
【００８６】
［軟磁性下地膜の形成工程］
必要に応じて非磁性基板１を洗浄し、この非磁性基板１を成膜装置のチャンバ内に設置する。また、必要に応じて非磁性基板１は、例えばヒーターを用いて１００〜４００℃に加熱される。そしてこの非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁気記録膜５を各層の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタターゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。膜を形成するためのスパッタの条件は例えば次のように設定する。形成に用いるチャンバ内は真空度が１０−５〜１０−７Ｐａとなるまで排気する。チャンバ内に非磁性基板１を収容して、スパッタガスとして、たとえばＡｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワーは０．０５〜５ｋＷとし、放電時間と供給するパワーを調節することによって、所望の膜厚を得ることができ、具体的には、５０〜４００ｎｍの膜厚で形成するのが好ましい。
【００８７】
軟磁性下地膜２を形成する際には、既に例示した各種軟磁性材料からなるスパッタターゲット（溶解による合金ターゲットまたは燒結合金ターゲット）を用いるのが軟磁性下地膜を容易に形成できるので好ましい。
【００８８】
軟磁性下地膜２を形成した後に、既に説明したようにその表面（配向制御膜３側の面）を部分的にあるいは完全に酸化させる工程、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法を実施することが好ましい。
【００８９】
［配向制御膜の形成工程］
軟磁性下地膜２を形成後、配向制御膜３を、放電時間と供給するパワーを調節することによって配向制御膜３を１〜２０ｎｍ（より好ましくは１〜１０ｎｍ）の膜厚で形成する。
【００９０】
配向制御膜３を形成する際には、既に例示した各種配向制御膜の材料からなるスパッタターゲットを用いるのが配向制御膜を容易に形成できるので好ましい。配向制御膜３の形成に用いるスパッタ用ターゲットの材料は、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる合金である。
【００９１】
また、配向制御膜３の成膜用のガスには、既に説明したようにその上に設けられる垂直磁気記録膜を微細化する目的で、酸素や窒素を導入しても良い。
【００９２】
［垂直磁気記録膜の形成工程］
配向制御膜３を形成した後、垂直磁気記録膜５を成膜する。垂直磁気記録膜を形成する際には、既に例示した各種垂直磁気記録膜の材料からなるスパッタターゲットを用いるのが垂直磁気記録膜を容易に形成できるので好ましい。
【００９３】
［中間膜の形成工程］
また、既に説明したように下地層の配向制御膜３と垂直磁気記録膜５との間に中間膜４を設け、垂直磁気記録膜５の垂直配向性を高め、垂直磁気記録膜５の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性の更なる向上を図るようにしても良い。
【００９４】
［保護膜の形成工程］
垂直磁気記録膜５を形成した後、公知の方法、例えばスパッタ法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜６、たとえばカーボンを主成分とする保護膜を形成する。
【００９５】
［潤滑膜の形成工程］
さらに、保護膜６上には必要に応じて例えばパーフルオロポリエーテルなどのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコート法などを用いて塗布し潤滑膜７を形成する。
【００９６】
これらの各工程からなる本発明の第２の発明である磁気記録媒体の製造方法にあっては、スパッタ法などを用いて実施でき、製造した磁気記録媒体は、配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなる磁気記録媒体であるので、より高記録密度で使用した時に記録再生特性が向上（例えば、ノイズの低減）し、熱減磁耐性が向上しているので、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体となる。
【００９７】
図８は、本発明の第１の発明であって且つ第２の発明にて製造される磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示す図であり、本発明の第３の発明の一例である。図８（ａ）はその全体構成を、図８（ｂ）は磁気ヘッドを示している。ここに示す磁気記録再生装置は、非磁性基板の両面に積層して形成した磁気記録媒体８と、磁気記録媒体８を回転駆動させる媒体駆動部９と、磁気記録媒体８に情報を記録再生する磁気ヘッド１０と、ヘッド駆動部１１と、記録再生信号処理系１２とを備えている。記録再生信号処理系１２は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１０に送ったり、磁気ヘッド１０からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【００９８】
磁気ヘッド１０としては、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することができる。図８（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドとしては、主磁極１０ａと、補助磁極１０ｂと、これら連結部１０ｃに設けられたコイル１０ｄとを有する構成のものを好適に用いることができる。
【００９９】
この磁気記録再生装置は、前記構成の磁気記録媒体８を用いているので、記録再生特性を高めることができ、高記録密度化を図ることができる。
【０１００】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０１】
（実施例１）
洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外直径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９ａｔ％、Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％）のターゲットを用いて２００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパッタ法により成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が２４０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。
【０１０２】
次いで、基板を２４０℃に加熱して、上記軟磁性下地膜上に、５０Ｔｉ−５０Ｈｆターゲットを用いて８ｎｍの配向制御膜３を形成した。６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂ（Ｃｏ含有量６５ａｔ％、Ｃｒ含有量３０ａｔ％、Ｂ含有量５ａｔ％）ターゲットを用いて５ｎｍの中間膜４、６４Ｃｏ−１７Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｂ（Ｃｏ含有量６４ａｔ％、Ｃｒ含有量１７ａｔ％、Ｐｔ含有量１７ａｔ％、Ｂ含有量２ａｔ％）ターゲットを用いて２０ｎｍの垂直磁気記録膜５を順次形成した。なお、上記スパッタリング工程においては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用い、圧力０．６Ｐａにて成膜した。
【０１０３】
次いで、ＣＶＤ法により５ｎｍの保護膜６を形成した。
【０１０４】
次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜７を形成し、磁気記録媒体を得た。この内容を表１に示す。
【０１０５】
（実施例２〜１５）
表１に示したように配向制御膜３の組成と厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作成した。
【０１０６】
（比較例１〜８）
配向制御膜３の構成材料及び厚さを表１に示すとおりにした以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。なお、比較例４はＺｒとＲｅとからなるが、ｈｃｐ構造をとるものではない。
【０１０７】
これら実施例および比較例の磁気記録媒体について、Δθ５０、静磁気特性および記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。
【０１０８】
記録再生特性の評価には、書き込みを単磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度６００ｋＦＣＩとして測定した。この試験結果を表１に示す。
【０１０９】
【表１】
【０１１０】
表１より、配向制御膜３が、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとることを特徴とする組成材料からなる合金である実施例１〜１５では、Δθ５０が６〜１０°の範囲にあり、このため配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性を良好にして熱揺らぎ特性を良好とし、しかも磁化容易軸の方向をある程度不均一化し、磁化の相互作用を抑えることができる。その結果エラーレートが改善されており、比較例１〜８に比較して、優れた記録再生特性を得ることができた。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法にあっては、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地膜と直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とを設け、その配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなるようにしたので、磁気記録密度を向上することができるとともに、より高記録密度で使用した時に記録再生特性を向上（例えば、ノイズの低減）させることができ、高密度の情報の記録再生が可能となる。
【０１１２】
また、本発明の磁気記録再生装置では、磁気ヘッドに単磁気ヘッドを用い、磁気記録媒体に本発明の磁気記録媒体を用いたので、記録再生特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態の一例を示す一部断面図である。
【図２】Δθ５０の測定方法を説明する説明図である。
【図３】Δθ５０の測定方法を説明する説明図である。
【図４】ロッキング曲線の一例を示すグラフである。
【図５】逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）の一例を示すグラフである。
【図６】逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）の他の例を示すグラフである。
【図７】ΔＨｃ／Ｈｃの一例を示すグラフである。
【図８】本発明の磁気記録再生装置の１例を示す概略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッドを示す。
【符号の説明】
１ 非磁性基板
２ 軟磁性下地膜
３ 配向制御膜
４ 中間膜
５ 垂直磁気記録膜
６ 保護膜
７ 潤滑膜
８ 磁気記録媒体
９ 媒体駆動部
１０ 磁気ヘッド
１０ａ 主磁極
１０ｂ 補助磁極
１０ｃ 連結部
１０ｄ コイル
１１ ヘッド駆動部
１２ 記録再生信号処理系
２３ 検出器
Ｄ ディスク
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録膜とその垂直磁気記録膜の配向性を制御する配向制御膜とを備えた磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％以上で増えており、今後もその傾向は続くと言われている。その為に高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置に搭載されている磁気記録媒体は、主に、磁性膜内の磁化容易軸が基板に対して水平に配向した面内磁気記録媒体である。ここで磁化容易軸とは、磁化の向き易い軸のことであり、Ｃｏ基合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸のことである。
【０００４】
このような面内磁気記録媒体では、高記録密度化すると記録ビットの１ビットあたりの磁性層の体積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により記録再生特性が悪化する可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響により媒体ノイズが増加する傾向がある。
【０００５】
これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくてすむため、熱揺らぎ効果に強く、また高記録密度化した際に、記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。そこで、近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されている。
【０００６】
一方、磁気記録媒体の更なる高記録密度化の要望に対して、垂直磁気記録膜に対する書きこみ能力に優れている単磁極ヘッドを用いることが近年検討されている。そのようなヘッドに対応するために、記録層である垂直磁気記録膜と基板との間に、裏打ち層と称される軟磁性材料からなる層を設けることにより、単磁極ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入りの効率を向上させた磁気記録媒体が提案されている。
【０００７】
しかしながら、上記のように単に裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた場合では、記録再生時の記録再生特性において満足できるものではなく、記録再生特性に優れる磁気記録媒体が要望されていた。
【０００８】
一般に垂直磁気記録媒体は、基板上に裏打ち層（軟磁性下地層）を設け、その上に磁性層の磁化容易軸を基板面に対して垂直に配向させる配向制御膜、Ｃｏ合金からなる垂直磁気記録膜および保護膜を順に積層して構成されている。この中で、磁気記録媒体の記録再生特性を改善するには、垂直磁気記録膜に対して、ノイズの低い磁性材料を使うのは勿論であるが、層構造についても幾つかの改善手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−１８０３６０号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２１１１１７号公報
【特許文献３】
特許第２６６９５２９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の特許文献１〜３は次のような課題を有している。すなわち、特許文献１には、ＣｏとＲｕからなる下地膜を非磁性基板とＣｏ合金垂直磁気記録膜との間に用いることにより、Ｃｏ合金垂直磁気記録膜のｃ軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、ＣｏとＲｕからなる下地膜は結晶粒径が大きくなり、その結果Ｃｏ合金垂直磁気記録膜中の磁性粒子径が大きくなり、媒体ノイズが大きくなり、更なる高密度化は困難である。
【００１１】
また特許文献２には、炭素含有下地膜を基板とＣｏ合金垂直磁気記録膜との間に用いることが、提案されている。しかしながら、炭素含有下地膜を用いると、炭素含有下地膜はアモルファス構造下地膜であるために、垂直磁気記録膜のｃ軸配向性が悪化するため、その結果、熱揺らぎ耐性が悪化し、更なる高記録密度化は困難である。
【００１２】
さらに特許文献３には、非磁性基板と六方晶系の磁気記録膜との間にＴｉ下地膜を設け、Ｔｉ下地膜に他の元素を含有させることにより、Ｔｉ合金下地膜と六方晶系の磁性合金膜との間の格子の整合性を高め、六方晶系の磁性合金膜のｃ軸配向性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、特許第２６６９５２９号公報の中で言及されているＴｉに含有する元素はＴｉのまわりに偏析することなく、大部分は合金としてｂｃｃまたは、ｆｃｃ構造になる。このため六方晶系の磁性合金膜との整合性は大きく改善されない。その結果、媒体ノイズの大きな低減はできず、更なる高記録密度化は困難である。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気記録密度を向上することができるとともに、記録再生時の記録再生特性を向上させ、高密度の情報の記録再生を可能とする磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
【００１５】
（１）非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とが設けられ、前記配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１６】
（２）（１）に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜がＴｉＺｒ、ＴｉＨｆ、ＺｒＨｆ合金のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１７】
（３）（１）乃至（２）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜の厚さが０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（４）（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔを含む材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１９】
（５）非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、上記配向制御膜は、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとるようにする、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（６）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体、若しくは請求項５に記載の製造方法で製造した磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の磁気記録媒体の実施形態の一例を示す図である。ここに示されている磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁気記録膜５と、保護膜６と潤滑膜７とが順次形成された構成となっている。以下、非磁性基板１側から順にその構成を説明する。
【００２２】
［非磁性基板］
非磁性基板１としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
【００２３】
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。
【００２４】
非磁性基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０Å）以下、好ましくは１ｎｍ以下であることがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から望ましい。
【００２５】
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であることがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。
【００２６】
さらに、端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方のいずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。尚、この微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００２７】
［軟磁性下地膜］
軟磁性下地膜２は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板に対する垂直方向成分を大きくするためと、情報が記録される垂直磁気記録膜５の磁化の方向をより強固に基板１と垂直な方向に固定するために設けられているものである。この作用は特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなるので好ましい。
【００２８】
上記軟磁性下地膜２は、軟磁性材料からなるもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。
【００２９】
この材料としては、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。
【００３０】
またＦｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。
【００３１】
軟磁性下地膜２の材料としては、上記のほか、Ｃｏを８０ａｔ％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有するＣｏ合金を用いることができ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。
【００３２】
軟磁性下地膜２の保磁力Ｈｃは１００（Ｏｅ）以下（好ましくは２０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい（１Ｏｅは約７９Ａ／ｍ）。
【００３３】
この保磁力Ｈｃが上記範囲を超えると、軟磁気特性が不十分となり、再生波形がいわゆる矩形波から歪みをもった波形になるため好ましくない。
【００３４】
さらに、軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁性下地膜２の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が４０（Ｔ・ｎｍ）以上（好ましくは６０（Ｔ・ｎｍ）以上）であること好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、再生波形が歪みをもつようになったり、ＯＷ特性が悪化するため好ましくない。尚、層の膜厚は、例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察することにより求めることができる。
【００３５】
軟磁性下地膜２の最表面（配向制御膜３側の面）は、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的、あるいは完全に酸化されて構成されていることが好ましい。即ち、軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびその近傍に、軟磁性下地膜２を構成する材料が部分的に酸化されるか、もしくは前記材料の酸化物を形成して配されていることが好ましい。
【００３６】
これにより、軟磁性下地膜２の表面の磁気的な揺らぎを抑えることができるので、この磁気的な揺らぎに起因するノイズが低減して、磁気記録媒体の記録再生特性を改善することができる。また、軟磁性下地膜２上に形成される配向制御膜３の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善することができる。
【００３７】
上述のように軟磁性下地膜２の表面（配向制御膜３側の面）およびその近傍を、部分的あるいは完全に酸化させるには、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、酸素を含む雰囲気に曝す方法、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法などによって容易に実施できる。具体的には、軟磁性下地膜２の表面を酸素に曝す場合では、酸素単体、あるいは酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガス雰囲気中に０．３〜２０秒程度保持しておけばよい。また、大気中に曝すようにしても良い。特に酸素をアルゴンや窒素などのガスで希釈したガスを用いる場合には、軟磁性下地膜２表面の酸化の度合いの調節が容易になるので、安定した製造を行うことができる。また、軟磁性下地膜２の成膜用のガスに酸素を導入する方法では、例えば成膜法としてスパッタ法を用いるならば、成膜時間の１部のみに酸素を導入したプロセスガスを用いてスパッタを行えば良い。このプロセスガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガスが好適に用いられる。
【００３８】
［配向制御膜］
配向制御膜３は、直上に設けられた中間膜４および／または垂直磁気記録膜５の配向性や粒径を制御するものである。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体において、配向制御膜３は少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなる。本発明ではこのように、単独でｈｃｐ構造を取る元素同士を２種以上混合した合金で、かつその合金も状態図においてｈｃｐ構造をとるものを配向制御膜として使用するので、垂直磁性膜の垂直配向性が高まり，また磁性膜の結晶粒の最適化がはかられる。これにより磁気記録媒体の熱揺らぎ耐性の向上，媒体ノイズの低減を図ることができ、磁気記録密度を向上することができる。
【００４０】
上記配向制御膜３は特にＴｉＺｒ、ＴｉＨｆ、ＺｒＨｆ合金のいずれかであることが好ましい。以上に示した材料を用いることにより記録再生特性を向上することができる。
【００４１】
また、配向制御膜３は、その材料の融点が８００（Ｋ）以上であることが好ましい。即ち融点が８００（Ｋ）未満である材料にて配向制御膜３を形成すると、表面粗さＲａが大きくなり、記録再生ヘッドの浮上高さを十分に低くすることができないため、高記録密度化することが難しいためである。
【００４２】
さらに、配向制御膜３は、その厚さを０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下（特に１〜１２ｎｍ）とするのが好ましい。即ち配向制御膜３の厚さが上記範囲であるとき、垂直磁気記録膜５の垂直配向性が特に高くなり、かつ記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離を小さくすることができるので、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができるからである。
【００４３】
この厚さが上記範囲未満であると、垂直磁気記録膜５における垂直配向性が低下し、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が劣化する。また、この厚さが上記範囲を超えると、磁性結晶粒が粗大化し垂直磁気記録膜５の記録再生特性が劣化する。また記録時における磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなるため、再生信号の分解能や再生出力が低下するため好ましくない。
【００４４】
また、配向制御膜３の表面形状は、垂直磁気記録膜５、保護膜６の表面形状に影響を与えるため、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくして、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを低くするには、配向制御膜３の表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００４５】
この表面平均粗さＲａを２ｎｍ以下とすることによって、磁気記録媒体の表面凹凸を小さくし、記録再生時における磁気ヘッド浮上高さを十分に低くし、記録密度を高めることができる。
【００４６】
さらに、配向制御膜３は、成膜用のガスとして、その上に設けられる垂直磁気記録膜を微細化する目的で、酸素や窒素を含んだプロセスガスを用いて成膜したものが好ましい。例えば、スパッタ法を用いて形成されたものである場合は、プロセスガスとして、アルゴンに酸素を体積率で０．０５〜５０％（好ましくは０．１〜２０％）程度混合したガス、アルゴンに窒素を体積率で０．０１〜２０％（好ましくは０．０２〜１０％）程度混合したガスを用いて形成したものが好ましい。
【００４７】
［中間膜］
図示実施例のように配向制御膜３と垂直磁気記録膜５との間に、中間膜４を設けるようにしても良い。
【００４８】
この中間膜４にはｈｃｐ構造を有する材料を用いるのが好ましく、特に、ＣｏＣｒ合金やＣｏＣｒＹ１合金やＣｏＹ１合金（ここで、Ｙ１：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうちの１種または２種以上）を用いるのが好適である。
【００４９】
また、中間膜４のＣｏの含有量は３０〜７０ａｔ％であることが好ましい。
【００５０】
さらに、中間膜４の厚さは、垂直磁気記録膜５における磁性粒子の粗大化による記録再生特性の悪化や、磁気ヘッドと軟磁性下地膜２との距離が大きくなることによる記録分解能の低下を起こさないようにするために、３０ｎｍ以下（より好ましくは２０ｎｍ以下）とするのが好ましい。
【００５１】
このような中間膜４を設けることによって、垂直磁気記録膜５の垂直配向性を高めることができるので、垂直磁気記録膜５の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性をさらに向上させることができる。
【００５２】
［垂直磁気記録膜］
垂直磁気記録膜５は、その磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向に向いたものであり、少なくともＣｏ、Ｐｔを含んだ材料からなることが好ましい。
【００５３】
なかでも特に、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含んだ材料からなり、Ｃｒの含有量が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１６ａｔ％以上２２ａｔ％以下）、Ｐｔの含有量が１４ａｔ％以上２４ａｔ％以下（好ましくは１５ａｔ％以上２０ａｔ％以下）であることが好ましい。尚、主に垂直方向に向いたものとは垂直方向の保磁力Ｈｃ（Ｐ）と面内方向の保磁力Ｈｃ（Ｌ）がＨｃ（Ｐ）＞Ｈｃ（Ｌ）である垂直磁気記録膜のことである。さらに、Ｂを０．１以上５ａｔ％以下含んだ材料からなることが好ましい。これにより、磁性粒子間の交換結合を低減することができ、記録再生特性を改善することが可能となる。
【００５４】
このような材料の組成において、Ｃｒの含有量が１４ａｔ％未満であると、磁性粒子間の交換結合が大きくなり、その結果磁気クラスター径が大きくなり、ノイズが増大するため好ましくない。また、Ｃｒの含有量が２４ａｔ％を超えると、保磁力および残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下するため好ましくない。Ｐｔの含有量が１４ａｔ％未満であると、記録再生特性の改善効果が不十分であるとともに、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下し熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。また、Ｐｔの含有量が２４ａｔ％を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。
【００５５】
上記垂直磁気記録膜５がＣｏＣｒＰｔ系合金からなる場合においては、Ｂ以外にも任意の元素を添加することも可能である。特に限定されるものではないが、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｎｄ、Ｚｒ、Ｗなどを挙げることができる。
【００５６】
また、垂直磁気記録膜５は、このほかにも、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎなどから選ばれる少なくとも１種類以上の元素を添加した合金を用いることもできる。
【００５７】
この垂直磁気記録膜５は、ＣｏＣｒＰｔ系材料からなる１層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることもできる。
【００５８】
２層以上の構造とする場合、Ｃｏ系合金（ＣｏＣｒ、ＣｏＢ、Ｃｏ−ＳｉＯ２等）とＰｄ系合金（ＰｄＢ、Ｐｄ−ＳｉＯ２等）の積層材料やＣｏＴｂやＣｏＮｄ等のアモルファス材料とＣｏＣｒＰｔ系材料の複層構造とすることもできる。あるいは、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁気記録膜として設け、組成の異なるＣｏＣｒＰｔ系材料を第２垂直磁気記録膜とすることができる。また、ＣｏＣｒＰｔ系材料を第１垂直磁気記録膜として設け、ＣｏＮｄを第２垂直磁気記録膜として設けることができる。
【００５９】
垂直磁気記録膜のΔθ５０が２〜１０°の範囲であることが好ましい。
【００６０】
このΔθ５０は、２°未満であると、配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの磁化の向きが均一となり磁性粒子間の磁気的結合が大きくなる。その結果、磁性粒子径に関わりなく、磁気クラスター径が大きくなり、媒体ノイズが増加し、記録再生特性が劣化するため好ましくない。
【００６１】
一方、Δθ５０が１０°を超えると、配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性が劣化するため、磁気異方性の低下や残留磁化（Ｍｓ）と飽和磁化（Ｍｒ）の比Ｍｒ／Ｍｓが悪化し、熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。
【００６２】
これに対し、Δθ５０を２〜１０°に設定した場合には配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性を良好にして熱揺らぎ特性を良好とし、しかも磁化容易軸の方向をある程度不均一化し、磁化の相互作用を抑え、優れたノイズ特性、記録再生特性を得ることができる。
【００６３】
ここでいうΔθ５０とは、当該膜の結晶面の傾き分布を示すものであり、具体的には、膜表面における特定の配向面に関するロッキング曲線のピークの半値幅をいう。Δθ５０は、数値が小さいほど当該膜の結晶配向性が高いということができる。
【００６４】
以下、Δθ５０を測定する方法の一例を説明する。
（１）ピーク位置決定
図２に示すように、表面側に垂直磁気記録膜５が形成されたディスクＤに、入射Ｘ線２１を照射し、回折Ｘ線２２を回折Ｘ線検出器２３によって検出する。
【００６５】
検出器２３の位置は、この検出器２３によって検出される回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度（入射Ｘ線２１の延長線２４に対する回折Ｘ線２２の角度）が、入射Ｘ線２１のディスクＤ表面に対する入射角θの２倍、すなわち２θとなるように設定する。
【００６６】
入射Ｘ線２１を照射する際には、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させるとともに、これに連動させて、検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度が２θ（すなわち入射Ｘ線２１の入射角θの２倍の角度）を維持するように変化させつつ、回折Ｘ線２２の強度を検出器２３により測定するθ―２θスキャン法を行う。
【００６７】
これによって、θと回折Ｘ線２２の強度の関係を調べ、回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検出器２３の位置を決定する。この回折Ｘ線２２の強度が最大となるような検出器２３の位置における、回折Ｘ線２２の入射Ｘ線２１に対する角度２θを２θｐという。得られた角度２θｐより、膜表面において支配的な結晶面を知ることができる。
【００６８】
（２）ロッキング曲線の決定
図３に示すように、検出器２３を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定した状態で、ディスクＤの向きを変化させることにより入射Ｘ線２１の入射角θを変化させ、入射角θと、検出器２３によって検出された回折Ｘ線２２の強度との関係を示すロッキング曲線を作成する。
【００６９】
検出器２３の位置を、回折Ｘ線２２の角度２θが２θｐとなった位置に固定するため、ロッキング曲線は、膜表面の結晶面のディスクＤ面に対する傾きの分布を表すものとなる。
【００７０】
図４はロッキング曲線の例を示す図である。Δθ５０とは、このロッキング曲線において当該配向面を示すピークの半値幅をいう。
【００７１】
垂直磁気記録膜５の厚さは、７〜６０ｎｍ（より好ましくは１０〜４０ｎｍ）とするのが好ましい。この垂直磁気記録膜５の厚さが７ｎｍ以上であると、十分な磁束が得られ、再生時における出力が低くならず、出力波形がノイズ成分にうずもれてしまうことがないので、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作するので好ましい。また、垂直磁気記録膜５の厚さが６０ｎｍ以下であると、垂直磁気記録膜５内の磁性粒子の粗大化を抑えることができ、ノイズの増大といった記録再生特性の劣化が生じるおそれがないため好ましい。
【００７２】
また、垂直磁気記録膜５は、結晶粒子の平均粒径が５〜１５ｎｍであることが好ましい。この平均粒径は、例えば垂直磁気記録膜５の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。
【００７３】
垂直磁気記録膜５の保磁力は、３０００（Ｏｅ）以上とすることが好ましい。この保磁力が３０００（Ｏｅ）未満であると、高記録密度における必要な分解能が得られず、また熱揺らぎ耐性が劣るため好ましくない。
【００７４】
加えて、垂直磁気記録膜５の残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが０．９以上であることが好ましい。このＭｒ／Ｍｓが０．９未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。
【００７５】
ここで磁気特性としての逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）およびΔＨｃ／Ｈｃについて図５〜図７を用いて説明する。逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）は、図５に示すように、ＶＳＭなどにより求めたＭＨ曲線において、磁化が飽和した状態から外部磁界を減少させる過程で外部磁界が０となる点ａ、ＭＨ曲線の磁化が０である点ｂでのＭＨ曲線の接線を延長した線と飽和磁化との交点を点ｃとすると、Ｙ軸から点ｃまでの距離［Ｏｅ］で表すことができる。
【００７６】
なお、逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）は、点ｃが外部磁界が負である領域にある場合に正の値をとり（図５に示した状態）、逆に点ｃが外部磁界が正である領域にある場合に負の値をとる（図６に示した状態）。
【００７７】
図７をもとに、ΔＨｃ／Ｈｃについて説明する。ΔＨｃは、ＭＨ曲線において、負の最大残留磁化（−Ｍｓ）状態からのメジャー曲線のＭｓ／２における磁界強度と、負の保磁力（−Ｈｃ）状態からのマイナー曲線のＭｓ／２における磁界強度との差である。ΔＨｃ／Ｈｃは、上記ΔＨｃとＨｃとの比の値である。
【００７８】
垂直磁気記録膜５の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０以上２５００Ｏｅ以下であることが好ましい。この逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が、０未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。また、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）の上限は、２５００Ｏｅとされている。それ以上の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）を得ようとすると、磁性粒子の磁気的な分離が不充分となり、活性化磁気モーメント（ｖＩｓｂ）が増大し、結果として記録再生時におけるノイズが増加するといったことがことおきやすくなるため好ましくない。
【００７９】
垂直磁気記録膜５のΔＨｃ／Ｈｃは０．３以下であることが好ましい。このΔＨｃ／Ｈｃが０．３以下であると、磁性粒子の粒径のばらつきが小さくなるので、垂直磁気記録膜の垂直方向への保磁力がより均一となるので、記録再生特性および熱揺らぎ耐性が悪化することを抑えることができるので好ましい。
【００８０】
［保護膜］
保護膜６は垂直磁気記録膜５の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが使用可能である。
【００８１】
保護膜６の厚さは、１〜１０ｎｍとすると、ヘッドと垂直磁気記録膜５の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
【００８２】
［潤滑膜］
潤滑膜７には従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
【００８３】
本実施形態の磁気記録媒体にあっては、配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなるので、より高記録密度で使用した時に記録再生特性が向上（例えば、ノイズの低減）しているので、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体となる。
【００８４】
［製造方法］
次に、実施形態の磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。 まず、非磁性基板１上にスパッタ法などにより、軟磁性下地膜２を形成し、その後必要に応じてこの軟磁性下地膜２の表面およびその近傍を、部分的あるいは完全に酸化させる。次いで配向制御膜３、中間膜４、垂直磁気記録膜５をスパッタ法などにより形成する。続いて保護膜６をＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタ法などにより形成する。その後、ディッピング法、スピンコート法などにより潤滑膜７を形成する。
【００８５】
以下、工程ごとに説明する。
【００８６】
［軟磁性下地膜の形成工程］
必要に応じて非磁性基板１を洗浄し、この非磁性基板１を成膜装置のチャンバ内に設置する。また、必要に応じて非磁性基板１は、例えばヒーターを用いて１００〜４００℃に加熱される。そしてこの非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、中間膜４と、垂直磁気記録膜５を各層の材料と同じ組成の材料を原料とするスパッタターゲットを用いてＤＣ或いはＲＦマグネトロンスパッタ法により形成する。膜を形成するためのスパッタの条件は例えば次のように設定する。形成に用いるチャンバ内は真空度が１０−５〜１０−７Ｐａとなるまで排気する。チャンバ内に非磁性基板１を収容して、スパッタガスとして、たとえばＡｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワーは０．０５〜５ｋＷとし、放電時間と供給するパワーを調節することによって、所望の膜厚を得ることができ、具体的には、５０〜４００ｎｍの膜厚で形成するのが好ましい。
【００８７】
軟磁性下地膜２を形成する際には、既に例示した各種軟磁性材料からなるスパッタターゲット（溶解による合金ターゲットまたは燒結合金ターゲット）を用いるのが軟磁性下地膜を容易に形成できるので好ましい。
【００８８】
軟磁性下地膜２を形成した後に、既に説明したようにその表面（配向制御膜３側の面）を部分的にあるいは完全に酸化させる工程、例えば軟磁性下地膜２を形成した後、酸素を含む雰囲気に曝す方法や、軟磁性下地膜２の表面に近い部分を成膜する際のプロセス中に酸素を導入する方法を実施することが好ましい。
【００８９】
［配向制御膜の形成工程］
軟磁性下地膜２を形成後、配向制御膜３を、放電時間と供給するパワーを調節することによって配向制御膜３を１〜２０ｎｍ（より好ましくは１〜１０ｎｍ）の膜厚で形成する。
【００９０】
配向制御膜３を形成する際には、既に例示した各種配向制御膜の材料からなるスパッタターゲットを用いるのが配向制御膜を容易に形成できるので好ましい。配向制御膜３の形成に用いるスパッタ用ターゲットの材料は、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる合金である。
【００９１】
また、配向制御膜３の成膜用のガスには、既に説明したようにその上に設けられる垂直磁気記録膜を微細化する目的で、酸素や窒素を導入しても良い。
【００９２】
［垂直磁気記録膜の形成工程］
配向制御膜３を形成した後、垂直磁気記録膜５を成膜する。垂直磁気記録膜を形成する際には、既に例示した各種垂直磁気記録膜の材料からなるスパッタターゲットを用いるのが垂直磁気記録膜を容易に形成できるので好ましい。
【００９３】
［中間膜の形成工程］
また、既に説明したように下地層の配向制御膜３と垂直磁気記録膜５との間に中間膜４を設け、垂直磁気記録膜５の垂直配向性を高め、垂直磁気記録膜５の保磁力を高め、記録再生特性および熱揺らぎ耐性の更なる向上を図るようにしても良い。
【００９４】
［保護膜の形成工程］
垂直磁気記録膜５を形成した後、公知の方法、例えばスパッタ法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜６、たとえばカーボンを主成分とする保護膜を形成する。
【００９５】
［潤滑膜の形成工程］
さらに、保護膜６上には必要に応じて例えばパーフルオロポリエーテルなどのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコート法などを用いて塗布し潤滑膜７を形成する。
【００９６】
これらの各工程からなる本発明の第２の発明である磁気記録媒体の製造方法にあっては、スパッタ法などを用いて実施でき、製造した磁気記録媒体は、配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなる磁気記録媒体であるので、より高記録密度で使用した時に記録再生特性が向上（例えば、ノイズの低減）し、熱減磁耐性が向上しているので、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体となる。
【００９７】
図８は、本発明の第１の発明であって且つ第２の発明にて製造される磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示す図であり、本発明の第３の発明の一例である。図８（ａ）はその全体構成を、図８（ｂ）は磁気ヘッドを示している。ここに示す磁気記録再生装置は、非磁性基板の両面に積層して形成した磁気記録媒体８と、磁気記録媒体８を回転駆動させる媒体駆動部９と、磁気記録媒体８に情報を記録再生する磁気ヘッド１０と、ヘッド駆動部１１と、記録再生信号処理系１２とを備えている。記録再生信号処理系１２は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１０に送ったり、磁気ヘッド１０からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【００９８】
磁気ヘッド１０としては、垂直記録用の単磁極ヘッドを例示することができる。図８（ｂ）に示すように、この単磁極ヘッドとしては、主磁極１０ａと、補助磁極１０ｂと、これら連結部１０ｃに設けられたコイル１０ｄとを有する構成のものを好適に用いることができる。
【００９９】
この磁気記録再生装置は、前記構成の磁気記録媒体８を用いているので、記録再生特性を高めることができ、高記録密度化を図ることができる。
【０１００】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０１】
（実施例１）
洗浄済みのガラス基板（オハラ社製、外直径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板上に８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９ａｔ％、Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％）のターゲットを用いて２００ｎｍの軟磁性下地膜２をスパッタ法により成膜した。この膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と膜厚ｔ（ｎｍ）の積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）が２４０（Ｔ・ｎｍ）であることを振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。
【０１０２】
次いで、基板を２４０℃に加熱して、上記軟磁性下地膜上に、５０Ｔｉ−５０Ｈｆターゲットを用いて８ｎｍの配向制御膜３を形成した。６５Ｃｏ−３０Ｃｒ−５Ｂ（Ｃｏ含有量６５ａｔ％、Ｃｒ含有量３０ａｔ％、Ｂ含有量５ａｔ％）ターゲットを用いて５ｎｍの中間膜４、６４Ｃｏ−１７Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｂ（Ｃｏ含有量６４ａｔ％、Ｃｒ含有量１７ａｔ％、Ｐｔ含有量１７ａｔ％、Ｂ含有量２ａｔ％）ターゲットを用いて２０ｎｍの垂直磁気記録膜５を順次形成した。なお、上記スパッタリング工程においては、成膜用のプロセスガスとしてアルゴンを用い、圧力０．６Ｐａにて成膜した。
【０１０３】
次いで、ＣＶＤ法により５ｎｍの保護膜６を形成した。
【０１０４】
次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜７を形成し、磁気記録媒体を得た。この内容を表１に示す。
【０１０５】
（実施例２〜１５）
表１に示したように配向制御膜３の組成と厚さを変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作成した。
【０１０６】
（比較例１〜８）
配向制御膜３の構成材料及び厚さを表１に示すとおりにした以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。なお、比較例４はＺｒとＲｅとからなるが、ｈｃｐ構造をとるものではない。
【０１０７】
これら実施例および比較例の磁気記録媒体について、Δθ５０、静磁気特性および記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。
【０１０８】
記録再生特性の評価には、書き込みを単磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度６００ｋＦＣＩとして測定した。この試験結果を表１に示す。
【０１０９】
【表１】
表１より、配向制御膜３が、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとることを特徴とする組成材料からなる合金である実施例１〜１５では、Δθ５０が６〜１０°の範囲にあり、このため配向制御膜３から垂直磁気記録膜５までの結晶配向性を良好にして熱揺らぎ特性を良好とし、しかも磁化容易軸の方向をある程度不均一化し、磁化の相互作用を抑えることができる。その結果エラーレートが改善されており、比較例１〜８に比較して、優れた記録再生特性を得ることができた。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法にあっては、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地膜と直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とを設け、その配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとる組成材料からなるようにしたので、磁気記録密度を向上することができるとともに、より高記録密度で使用した時に記録再生特性を向上（例えば、ノイズの低減）させることができ、高密度の情報の記録再生が可能となる。
【０１１２】
また、本発明の磁気記録再生装置では、磁気ヘッドに単磁気ヘッドを用い、磁気記録媒体に本発明の磁気記録媒体を用いたので、記録再生特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態の一例を示す一部断面図である。
【図２】Δθ５０の測定方法を説明する説明図である。
【図３】Δθ５０の測定方法を説明する説明図である。
【図４】ロッキング曲線の一例を示すグラフである。
【図５】逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）の一例を示すグラフである。
【図６】逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）の他の例を示すグラフである。
【図７】ΔＨｃ／Ｈｃの一例を示すグラフである。
【図８】本発明の磁気記録再生装置の１例を示す概略図であり、（ａ）は全体構成を示し、（ｂ）は磁気ヘッドを示す。
【符号の説明】
１ 非磁性基板
２ 軟磁性下地膜
３ 配向制御膜
４ 中間膜
５ 垂直磁気記録膜
６ 保護膜
７ 潤滑膜
８ 磁気記録媒体
９ 媒体駆動部
１０ 磁気ヘッド
１０ａ 主磁極
１０ｂ 補助磁極
１０ｃ 連結部
１０ｄ コイル
１１ ヘッド駆動部
１２ 記録再生信号処理系
２３ 検出器
Ｄ ディスク
Claims (6)
- 非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とが設けられ、前記配向制御膜が少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項１に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜がＴｉＺｒ、ＴｉＨｆ、ＺｒＨｆ合金のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項１乃至２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、配向制御膜の厚さが０．５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔを含む材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。
- 非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁気記録膜と、保護膜とを順次形成する磁気記録媒体の製造方法において、
上記配向制御膜は、少なくともＳｃ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｂｅの２種以上を含み、かつそれらが状態図においてｈｃｐ構造をとるようにする、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体、若しくは請求項５に記載の製造方法で製造した磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
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