JPH05135946A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH05135946A JPH05135946A JP3326403A JP32640391A JPH05135946A JP H05135946 A JPH05135946 A JP H05135946A JP 3326403 A JP3326403 A JP 3326403A JP 32640391 A JP32640391 A JP 32640391A JP H05135946 A JPH05135946 A JP H05135946A
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐食性に優れ、磁気特性の経時変化が生じる
ことがなく、さらに、内部応力が小さくフレキシブル基
板にも対応し得る磁性薄膜を有する垂直磁気記録媒体、
および、スパッタリング法を用いて磁性薄膜を形成する
にあたり、低い基板温度でも、高い耐食性および保磁力
を達成することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を
提供する。 【構成】 非磁性体よりなる基板表面に、鉄、ネオジウ
ムおよびホウ素よりなり、その組成をネオジウム２〜１
３原子％、ホウ素４原子％以下とした合金の磁性薄膜が
形成されてなる垂直磁気記録媒体、および、上記合金の
磁性薄膜を非磁性体基板表面にスパッタリングにより形
成するに際し、スパッタリングガス圧を５〜４０ｍＴｏ
ｒｒ、スパッタリング時の基板温度を１００℃以下とし
た垂直磁気記録媒体の製造方法。
ことがなく、さらに、内部応力が小さくフレキシブル基
板にも対応し得る磁性薄膜を有する垂直磁気記録媒体、
および、スパッタリング法を用いて磁性薄膜を形成する
にあたり、低い基板温度でも、高い耐食性および保磁力
を達成することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を
提供する。 【構成】 非磁性体よりなる基板表面に、鉄、ネオジウ
ムおよびホウ素よりなり、その組成をネオジウム２〜１
３原子％、ホウ素４原子％以下とした合金の磁性薄膜が
形成されてなる垂直磁気記録媒体、および、上記合金の
磁性薄膜を非磁性体基板表面にスパッタリングにより形
成するに際し、スパッタリングガス圧を５〜４０ｍＴｏ
ｒｒ、スパッタリング時の基板温度を１００℃以下とし
た垂直磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に好適な
垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、垂直磁気記録を目的とした薄膜と
しては、コバルト（Ｃｏ）−クロム（Ｃｒ）系合金が一
般に使用されており、かかる合金薄膜をスパッタリング
法、真空蒸着法、あるいはめっき法などの表面処理技術
を用いて基板上に形成することにより垂直磁気記録媒体
を製造していた。最近では、これらの磁気記録媒体の製
造技術のうち、スパッタリング法、真空蒸着法などのド
ライプロセスが主流となっている。この理由はウエット
プロセスに比べて耐食性が著しく良好であり、又ダスト
等の管理や薄膜形成条件等の制御性の面でも比較的容易
であるためである。このドライプロセスにおいて、保磁
力Ｈｃ（⊥）が高く、結晶性の良好なＣｏ−Ｃｒ系合金
薄膜を形成するためには、基板を例えば２００℃程度ま
で加熱する必要がある。
しては、コバルト（Ｃｏ）−クロム（Ｃｒ）系合金が一
般に使用されており、かかる合金薄膜をスパッタリング
法、真空蒸着法、あるいはめっき法などの表面処理技術
を用いて基板上に形成することにより垂直磁気記録媒体
を製造していた。最近では、これらの磁気記録媒体の製
造技術のうち、スパッタリング法、真空蒸着法などのド
ライプロセスが主流となっている。この理由はウエット
プロセスに比べて耐食性が著しく良好であり、又ダスト
等の管理や薄膜形成条件等の制御性の面でも比較的容易
であるためである。このドライプロセスにおいて、保磁
力Ｈｃ（⊥）が高く、結晶性の良好なＣｏ−Ｃｒ系合金
薄膜を形成するためには、基板を例えば２００℃程度ま
で加熱する必要がある。
【０００３】このように高温下における基板加熱が必要
とされるため、基板材料としては耐熱性に優れたものを
使用しなければならない。具体的には、ニッケル・リン
（ＮｉＰ）、ガラス、アルマイト、あるいは、高耐熱性
樹脂などがあげられるが、これらはいずれも高価な材料
であるという問題がある。また、このようにして得られ
た合金薄膜はスティッフネスや内部応力が大きく、フレ
キシブル基板に適さない。さらに、スパッタリング工程
において、蒸発源として用いるＣｒは人体に有害であ
り、Ｃｏは高価であるという問題も存在する。
とされるため、基板材料としては耐熱性に優れたものを
使用しなければならない。具体的には、ニッケル・リン
（ＮｉＰ）、ガラス、アルマイト、あるいは、高耐熱性
樹脂などがあげられるが、これらはいずれも高価な材料
であるという問題がある。また、このようにして得られ
た合金薄膜はスティッフネスや内部応力が大きく、フレ
キシブル基板に適さない。さらに、スパッタリング工程
において、蒸発源として用いるＣｒは人体に有害であ
り、Ｃｏは高価であるという問題も存在する。
【０００４】そこで、特開昭６０−１９３１２５号公報
及び、特開昭６３−８４００５号公報には、上述のＣｏ
−Ｃｒ系合金薄膜に代えて、鉄（Ｆｅ）−ネオジウム
（Ｎｄ）系合金薄膜を使用した垂直磁気記録媒体が提案
されている。
及び、特開昭６３−８４００５号公報には、上述のＣｏ
−Ｃｒ系合金薄膜に代えて、鉄（Ｆｅ）−ネオジウム
（Ｎｄ）系合金薄膜を使用した垂直磁気記録媒体が提案
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＦ
ｅ−Ｎｄ系合金をスパッタリング法により基板上に成膜
する際にも、基板温度を例えば１００℃以下としてスパ
ッタリングを行うと、得られた磁性薄膜は耐食性が低
く、また非晶質であるため磁気特性の経時変化が生じ、
さらにキュリー点が低いなどの問題点があり、実用的で
あるとは言い難い。
ｅ−Ｎｄ系合金をスパッタリング法により基板上に成膜
する際にも、基板温度を例えば１００℃以下としてスパ
ッタリングを行うと、得られた磁性薄膜は耐食性が低
く、また非晶質であるため磁気特性の経時変化が生じ、
さらにキュリー点が低いなどの問題点があり、実用的で
あるとは言い難い。
【０００６】したがって、本発明は磁性薄膜の内部応力
が小さく、磁気特性の経時変化が生じることがなく、さ
らに、スパッタリング法により磁化膜を製造するにあた
り、低い基板温度で、しかも優れた耐食性と、高い保磁
力を得ることが可能な垂直磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
が小さく、磁気特性の経時変化が生じることがなく、さ
らに、スパッタリング法により磁化膜を製造するにあた
り、低い基板温度で、しかも優れた耐食性と、高い保磁
力を得ることが可能な垂直磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明によれば、非磁性体よりなる基板
表面に、鉄、ネオジウムおよびホウ素よりなり、その組
成をネオジウム２〜１３原子％、ホウ素４原子％以下と
した合金の磁性薄膜が形成されてなる垂直磁気記録媒体
が提供される。さらに、本発明によれば、上記合金の磁
性薄膜を非磁性体基板表面にスパッタリングにより形成
するに際し、スパッタリングガス圧を５〜４０ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタリング時の基板温度を１００℃以下とした
垂直磁気記録媒体の製造方法も提供される。
成するために、本発明によれば、非磁性体よりなる基板
表面に、鉄、ネオジウムおよびホウ素よりなり、その組
成をネオジウム２〜１３原子％、ホウ素４原子％以下と
した合金の磁性薄膜が形成されてなる垂直磁気記録媒体
が提供される。さらに、本発明によれば、上記合金の磁
性薄膜を非磁性体基板表面にスパッタリングにより形成
するに際し、スパッタリングガス圧を５〜４０ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタリング時の基板温度を１００℃以下とした
垂直磁気記録媒体の製造方法も提供される。
【０００８】本発明者は、従来磁性薄膜として一般に使
用されていたＣｏ−Ｃｒ系合金に代わる新しい磁性材料
を開発するなかで、永久磁石として実用に供されている
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金に着目し、これを記録媒体として
薄膜化する上での最適組成を見出すことにより本発明を
完成するに至った。
用されていたＣｏ−Ｃｒ系合金に代わる新しい磁性材料
を開発するなかで、永久磁石として実用に供されている
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金に着目し、これを記録媒体として
薄膜化する上での最適組成を見出すことにより本発明を
完成するに至った。
【０００９】すなわち、まず、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金の
組成と保磁力Ｈｃ（⊥）との関係を調べた。ガラス基板
上にスパッタリング法により膜厚０．３μｍの磁性薄膜
を形成した。このときの基板温度は室温に保持し、アル
ゴン（Ａｒ）ガス圧は１０ｍＴｏｒｒに設定した。図１
は合金組成とＨｃ（⊥）との関係を示している。図中、
●印は得られた合金組成、×印はターゲットの組成を表
す。図によると、Ｈｃ（⊥）が５００Ｏｅ以上となる領
域は、Ｎｄが２〜１３原子％、Ｂが４原子％以下、残部
がＦｅよりなる結晶質な領域と、Ｎｄが１７原子％以上
含まれる非晶質な領域とに分けられる。しかし、Ｎｄが
１７原子％以上含まれる非晶質な膜は磁気特性の経時変
化が生じ、またキュリー点が低いため、磁化膜としては
実用に適さない。したがって、本発明において垂直磁気
記録媒体の磁性薄膜として使用される合金組成は、Ｎｄ
が２〜１３原子％、Ｂが４原子％以下、残部がＦｅより
なることが必要である。
組成と保磁力Ｈｃ（⊥）との関係を調べた。ガラス基板
上にスパッタリング法により膜厚０．３μｍの磁性薄膜
を形成した。このときの基板温度は室温に保持し、アル
ゴン（Ａｒ）ガス圧は１０ｍＴｏｒｒに設定した。図１
は合金組成とＨｃ（⊥）との関係を示している。図中、
●印は得られた合金組成、×印はターゲットの組成を表
す。図によると、Ｈｃ（⊥）が５００Ｏｅ以上となる領
域は、Ｎｄが２〜１３原子％、Ｂが４原子％以下、残部
がＦｅよりなる結晶質な領域と、Ｎｄが１７原子％以上
含まれる非晶質な領域とに分けられる。しかし、Ｎｄが
１７原子％以上含まれる非晶質な膜は磁気特性の経時変
化が生じ、またキュリー点が低いため、磁化膜としては
実用に適さない。したがって、本発明において垂直磁気
記録媒体の磁性薄膜として使用される合金組成は、Ｎｄ
が２〜１３原子％、Ｂが４原子％以下、残部がＦｅより
なることが必要である。
【００１０】さらに、上記合金組成において、バナジウ
ム（Ｖ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）およびコ
バルト（Ｃｏ）の各元素のうち少なくとも一種を添加し
たものは、Ｈｋ（⊥）：Ｍｓに達する膜面に垂直方向の
磁界を向上させる効果がある。上記の添加元素は１種ま
たは２種以上を単独で用いてもよいし、たとえば、Ｃｏ
1Ｃａ3のような２種以上の元素間化合物を用いることも
できる。
ム（Ｖ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）およびコ
バルト（Ｃｏ）の各元素のうち少なくとも一種を添加し
たものは、Ｈｋ（⊥）：Ｍｓに達する膜面に垂直方向の
磁界を向上させる効果がある。上記の添加元素は１種ま
たは２種以上を単独で用いてもよいし、たとえば、Ｃｏ
1Ｃａ3のような２種以上の元素間化合物を用いることも
できる。
【００１１】ついで、本発明の垂直磁気記録媒体は、ス
パッタリング法を用いて非磁性体基板上に上述した組成
のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金薄膜を成膜することにより製造
される。このときのスパッタリングガス圧は５〜４０ｍ
Ｔｏｒｒに設定する必要がある。図２は上記の組成範囲
のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金ターゲットを作製し、スパッタ
リングに使用するアルゴン（Ａｒ）ガス圧と得られた合
金薄膜の磁気特性との関係を調べた結果である。図中、
●印はＨｃ（⊥）を、○印はＨｃ（//）を、□印は垂直
配向性の指標となるＭｒ（//）／Ｍｒ（⊥）を、△印は
Ｍｓを夫々示している。Ａｒガス圧は、飽和磁化Ｍｓが
７００ｅｍｕ／ｃｃ以下になる５〜４０ｍＴｏｒｒにお
いて、十分な保磁力すなわちＨｃ（⊥）５００Ｏｅ以上
が得られるため、ガス圧は５〜４０ｍＴｏｒｒに設定す
る。
パッタリング法を用いて非磁性体基板上に上述した組成
のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金薄膜を成膜することにより製造
される。このときのスパッタリングガス圧は５〜４０ｍ
Ｔｏｒｒに設定する必要がある。図２は上記の組成範囲
のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金ターゲットを作製し、スパッタ
リングに使用するアルゴン（Ａｒ）ガス圧と得られた合
金薄膜の磁気特性との関係を調べた結果である。図中、
●印はＨｃ（⊥）を、○印はＨｃ（//）を、□印は垂直
配向性の指標となるＭｒ（//）／Ｍｒ（⊥）を、△印は
Ｍｓを夫々示している。Ａｒガス圧は、飽和磁化Ｍｓが
７００ｅｍｕ／ｃｃ以下になる５〜４０ｍＴｏｒｒにお
いて、十分な保磁力すなわちＨｃ（⊥）５００Ｏｅ以上
が得られるため、ガス圧は５〜４０ｍＴｏｒｒに設定す
る。
【００１２】図３は膜厚０．２μｍ、Ａｒガス圧２０ｍ
Ｔｏｒｒの条件下で基板加熱温度を変化させて成膜を行
った際の合金膜の磁気特性の変化を図２と同様の記号で
示したものである。基板温度が低いほどＨｃ（⊥）は増
大し、さらに垂直配向性の指標となるＭｒ（//）／Ｍｒ
（⊥）も良好となる。これらの点と、基板材料として耐
熱性の低いプラスチック材料を使用するという点を勘案
すると、基板温度は１００℃以下に設定する。さらに、
本発明の製造方法においては、スパッタリング法による
成膜後に真空中で熱処理を行うと、磁気特性を向上させ
る点で効果的である。
Ｔｏｒｒの条件下で基板加熱温度を変化させて成膜を行
った際の合金膜の磁気特性の変化を図２と同様の記号で
示したものである。基板温度が低いほどＨｃ（⊥）は増
大し、さらに垂直配向性の指標となるＭｒ（//）／Ｍｒ
（⊥）も良好となる。これらの点と、基板材料として耐
熱性の低いプラスチック材料を使用するという点を勘案
すると、基板温度は１００℃以下に設定する。さらに、
本発明の製造方法においては、スパッタリング法による
成膜後に真空中で熱処理を行うと、磁気特性を向上させ
る点で効果的である。
【００１３】なお、本発明の磁気記録媒体においては、
垂直磁化膜の膜厚に関係なく高いＨｃ（⊥）が得られ
る。また、成膜方法として、ターゲット上で成膜して
も、プラズマの熱が基板に伝わりにくいように斜め入射
により成膜しても共に良好な磁気特性が得られる。とく
に、斜め入射による場合は、基板温度を低くしたことと
相俟って、ターゲット上垂直入射よりもさらに良好な磁
気特性が得られるので好ましい。
垂直磁化膜の膜厚に関係なく高いＨｃ（⊥）が得られ
る。また、成膜方法として、ターゲット上で成膜して
も、プラズマの熱が基板に伝わりにくいように斜め入射
により成膜しても共に良好な磁気特性が得られる。とく
に、斜め入射による場合は、基板温度を低くしたことと
相俟って、ターゲット上垂直入射よりもさらに良好な磁
気特性が得られるので好ましい。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の具体的実施例について説明
する。
する。
【００１５】実施例１ 基板としてガラス、ＰＥＴ、ＰＥＮおよびＰＩフィルム
を用い、φ５”のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ合金及び複合ターゲッ
トを使用してスパッタリングを行った。基板温度、合金
組成、合金薄膜の膜厚、スパッタガス圧を種々に変化さ
せて得られた合金薄膜の各種評価試験を行った。なお、
Ｎｄ量およびＢ量はＦｅ及び合金ターゲット上にＮｄチ
ップ、Ｂチップを夫々任意数だけ置くことにより調節し
た。スパッタリングの到達真空度は２×１０-6Ｔｏｒｒ
以下とした。
を用い、φ５”のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ合金及び複合ターゲッ
トを使用してスパッタリングを行った。基板温度、合金
組成、合金薄膜の膜厚、スパッタガス圧を種々に変化さ
せて得られた合金薄膜の各種評価試験を行った。なお、
Ｎｄ量およびＢ量はＦｅ及び合金ターゲット上にＮｄチ
ップ、Ｂチップを夫々任意数だけ置くことにより調節し
た。スパッタリングの到達真空度は２×１０-6Ｔｏｒｒ
以下とした。
【００１６】（耐食性の評価）本発明の合金組成の磁性
薄膜を有する記録媒体として試料Ｎｏ．１〜４、また比
較のための試料Ｎｏ．５〜１２を作製し、温度６５℃、
湿度８０％ＲＨの条件下で３００時間の環境試験を行
い、その後の磁気特性の変化量から判断して、その程度
を否、可、良および優の４段階で表し、結果を表１に示
した。表１からも明らかなように、本発明の磁性薄膜を
有する記録媒体は従来のＣｏＣｒ系磁性薄膜を有するも
のと略同等の耐食性を示すことが確認された。
薄膜を有する記録媒体として試料Ｎｏ．１〜４、また比
較のための試料Ｎｏ．５〜１２を作製し、温度６５℃、
湿度８０％ＲＨの条件下で３００時間の環境試験を行
い、その後の磁気特性の変化量から判断して、その程度
を否、可、良および優の４段階で表し、結果を表１に示
した。表１からも明らかなように、本発明の磁性薄膜を
有する記録媒体は従来のＣｏＣｒ系磁性薄膜を有するも
のと略同等の耐食性を示すことが確認された。
【表１】
【００１７】（スティッフネスの評価）各種プラスチッ
クフィルムを基板とし、上記の組成範囲においてＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系合金磁性薄膜（膜厚０．２μｍ、Ｃ：３００
Ａ（オングストローム））を形成した。評価方法として
は、長さ８０ｍｍ、幅１２ｍｍの試料をループ状に曲げ
て押しつぶし、距離が２０ｍｍになる時の負荷（ｍｇ）
によって、いわゆるコシの強さを評価するループスティ
ッフネステスタ−を用いて測定した。得られた結果を表
２に示した。表中には、比較のために、基板のみの場
合、および磁性薄膜としてＣｏ−Ｃｒ系合金（膜厚０．
２μｍ、Ｃ：３００Ａ）を用いた場合の結果を併せて示
した。前述したように、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金薄膜を形
成したものは、基板のみの場合と略同等の小さいスティ
ッフネスを示し、フレキシブル基板にも十分対応できる
ことが確認された。
クフィルムを基板とし、上記の組成範囲においてＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系合金磁性薄膜（膜厚０．２μｍ、Ｃ：３００
Ａ（オングストローム））を形成した。評価方法として
は、長さ８０ｍｍ、幅１２ｍｍの試料をループ状に曲げ
て押しつぶし、距離が２０ｍｍになる時の負荷（ｍｇ）
によって、いわゆるコシの強さを評価するループスティ
ッフネステスタ−を用いて測定した。得られた結果を表
２に示した。表中には、比較のために、基板のみの場
合、および磁性薄膜としてＣｏ−Ｃｒ系合金（膜厚０．
２μｍ、Ｃ：３００Ａ）を用いた場合の結果を併せて示
した。前述したように、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金薄膜を形
成したものは、基板のみの場合と略同等の小さいスティ
ッフネスを示し、フレキシブル基板にも十分対応できる
ことが確認された。
【表２】
【００１８】（静特性および動特性の評価）上記により
作製された本発明のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系垂直磁気記録媒体
と従来のＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体との静特性およ
び動特性を比較し、結果を表３に示した。表からも明ら
かなように、基板温度を室温とした場合、Ｎｄ−Ｆｅ−
Ｂ系合金膜の磁気特性はＣｏ−Ｃｒ系合金膜にくらべて
はるかに優れている。なお、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の電磁
変換特性は、基板温度を２００℃として作製した際の値
を示している。
作製された本発明のＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系垂直磁気記録媒体
と従来のＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体との静特性およ
び動特性を比較し、結果を表３に示した。表からも明ら
かなように、基板温度を室温とした場合、Ｎｄ−Ｆｅ−
Ｂ系合金膜の磁気特性はＣｏ−Ｃｒ系合金膜にくらべて
はるかに優れている。なお、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の電磁
変換特性は、基板温度を２００℃として作製した際の値
を示している。
【表３】
【００１９】実施例２ 実施例１において、ターゲット合金組成Ｎｄ8.4Ｆｅ
89.6Ｂ2.0、合金膜厚：０．２μｍ、アルゴンガス圧：
２０ｍＴｏｒｒ、基板温度：室温の条件で、ガラスおよ
びＰＩ基板上に成膜したのち、真空中において２時間熱
処理を行った。図４に厚さ７５μｍのＰＩ基板を用いた
場合の結果を示した。図中、■印はＨｋを示し、他の記
号は夫々図２および図３と同様である。ガラス基板にお
いても同様の結果が得られた。図からも明らかなよう
に、熱処理温度が高くなるにつれて磁気特性は向上す
る。また、このとき結晶構造には変化が生じないことが
Ｘ線解析により確認された。さらに、熱処理後の磁気特
性の経時変化も生じないことも確認されている。なお、
このような熱処理を行うことにより、磁性薄膜の動特性
もさらに向上し、表３に示した基板温度２００℃で作製
されたＣｏＣｒ膜と略同等以上の数値を示すことが確認
された。
89.6Ｂ2.0、合金膜厚：０．２μｍ、アルゴンガス圧：
２０ｍＴｏｒｒ、基板温度：室温の条件で、ガラスおよ
びＰＩ基板上に成膜したのち、真空中において２時間熱
処理を行った。図４に厚さ７５μｍのＰＩ基板を用いた
場合の結果を示した。図中、■印はＨｋを示し、他の記
号は夫々図２および図３と同様である。ガラス基板にお
いても同様の結果が得られた。図からも明らかなよう
に、熱処理温度が高くなるにつれて磁気特性は向上す
る。また、このとき結晶構造には変化が生じないことが
Ｘ線解析により確認された。さらに、熱処理後の磁気特
性の経時変化も生じないことも確認されている。なお、
このような熱処理を行うことにより、磁性薄膜の動特性
もさらに向上し、表３に示した基板温度２００℃で作製
されたＣｏＣｒ膜と略同等以上の数値を示すことが確認
された。
【００２０】実施例３ Ｎｄ9.0Ｆｅ89.1Ｂ1.9合金ターゲットを用いて、添加元
素の磁気特性に及ぼす影響を調べた。添加元素量はＮｄ
−Ｆｅ−Ｂ系合金ターゲット上に使用する元素のチップ
を任意数だけ置くことにより調整した。その他のスパッ
タリング条件は上記実施例２と同様にした。その結果を
図５に示した。図５からも明らかなように、添加元素を
含む磁化膜は含まない膜（ターゲットのみ）にくらべ
て、Ｈｋ（⊥）すなわちＭｓに達する膜面に垂直方向の
磁界を向上させる効果がある。さらに、添加元素の種類
によっては、Ｈｃ（⊥）やＭｓを向上させるものもあ
る。なお、これらの添加元素を含んだ磁性薄膜も、含ま
ないものと同様に優れた耐食性を示すことが確認され
た。
素の磁気特性に及ぼす影響を調べた。添加元素量はＮｄ
−Ｆｅ−Ｂ系合金ターゲット上に使用する元素のチップ
を任意数だけ置くことにより調整した。その他のスパッ
タリング条件は上記実施例２と同様にした。その結果を
図５に示した。図５からも明らかなように、添加元素を
含む磁化膜は含まない膜（ターゲットのみ）にくらべ
て、Ｈｋ（⊥）すなわちＭｓに達する膜面に垂直方向の
磁界を向上させる効果がある。さらに、添加元素の種類
によっては、Ｈｃ（⊥）やＭｓを向上させるものもあ
る。なお、これらの添加元素を含んだ磁性薄膜も、含ま
ないものと同様に優れた耐食性を示すことが確認され
た。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したところから明らかな
ように、本発明の垂直磁気記録媒体は従来のＣｏ−Ｃｒ
磁化膜を有する磁気記録媒体に比べてはるかにスティッ
フネスが小さいので、フレキシブル基板に適し、しか
も、膜の内部応力が小さいので製造上の内部応力による
反りを低減することができる。また、耐食性にすぐれ、
磁気特性の経時変化も極めて小さくすることができる。
さらに、その製造工程において、基板加熱が不要である
ため、耐熱性の低いプラスチックなど安価な基板材料を
使用することが可能となる。
ように、本発明の垂直磁気記録媒体は従来のＣｏ−Ｃｒ
磁化膜を有する磁気記録媒体に比べてはるかにスティッ
フネスが小さいので、フレキシブル基板に適し、しか
も、膜の内部応力が小さいので製造上の内部応力による
反りを低減することができる。また、耐食性にすぐれ、
磁気特性の経時変化も極めて小さくすることができる。
さらに、その製造工程において、基板加熱が不要である
ため、耐熱性の低いプラスチックなど安価な基板材料を
使用することが可能となる。
【図１】本発明の磁化膜の合金組成と保磁力との関係を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図２】図２はスパッタリング工程におけるＡｒガス圧
と得られた磁化膜の磁気特性との関係を示すグラフ。
と得られた磁化膜の磁気特性との関係を示すグラフ。
【図３】基板加熱温度と磁化膜の磁気特性との関係を示
すグラフ。
すグラフ。
【図４】成膜後の熱処理温度と磁気特性との関係を示す
グラフ。
グラフ。
【図５】添加元素を含む磁化膜の磁気特性を示すグラ
フ。
フ。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性体よりなる基板表面に、鉄、ネオ
ジウムおよびホウ素よりなる合金の磁性薄膜が形成され
てなる垂直磁気記録媒体において、前記合金の組成を、
ネオジウム２〜１３原子％、ホウ素４原子％以下とした
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に示された合金の磁性薄膜が、
コバルト、ガリウム、ケイ素、バナジウムの元素のうち
少なくとも一種を含有してなる垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２に示された合金の磁性
薄膜を非磁性体基板表面にスパッタリングにより形成す
るに際し、スパッタリングガス圧を５〜４０ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタリング時の基板温度を１００℃以下とした
垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326403A JP2629505B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| DE4238400A DE4238400A1 (en) | 1991-11-14 | 1992-11-13 | Transverse magnetic recording material mfr. - uses sputtering process to form film of Neodymium-Iron-Boron on surface of non magnetic carrier. |
| US08/317,836 US5612145A (en) | 1991-11-14 | 1994-10-04 | Perpendicular magnetic medium and manufacturing method for the medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326403A JP2629505B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135946A true JPH05135946A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2629505B2 JP2629505B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=18187406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3326403A Expired - Lifetime JP2629505B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5612145A (ja) |
| JP (1) | JP2629505B2 (ja) |
| DE (1) | DE4238400A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0183938B1 (ko) * | 1995-10-28 | 1999-04-15 | 삼성전자주식회사 | 비정질 경희토류-천이금속과 반금속의 합금,이로부터 형성되는 광자기 기록막 및 이 기록막을 채용한 광자기 디스크 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232710A (ja) * | 1988-03-12 | 1989-09-18 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 垂直磁化膜の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59358A (ja) * | 1982-06-23 | 1984-01-05 | Mazda Motor Corp | 自動車ウインド用の接着剤塗布装置 |
| JPS60193125A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6166217A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0670924B2 (ja) * | 1984-11-12 | 1994-09-07 | 住友特殊金属株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS621025A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sony Corp | デ−タ発生装置 |
| JPS62128606A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 波形等化器 |
| JPS6384005A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 垂直磁化膜の形成方法 |
| JPS6439738A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Resin sealer for semiconductor device |
| US4992095A (en) * | 1988-10-26 | 1991-02-12 | Sumitomo Metal Mining Company, Ltd. | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP3326403A patent/JP2629505B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-13 DE DE4238400A patent/DE4238400A1/de not_active Ceased
-
1994
- 1994-10-04 US US08/317,836 patent/US5612145A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232710A (ja) * | 1988-03-12 | 1989-09-18 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 垂直磁化膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2629505B2 (ja) | 1997-07-09 |
| DE4238400A1 (en) | 1993-05-19 |
| US5612145A (en) | 1997-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970225 |