JP2000222715A

JP2000222715A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2000222715A
Application number: JP2325699A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Yoshikawa; 利彦吉川; Akira Sakawaki; 彰坂脇; Hiroshi Sakai; 浩志酒井
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＯＷ特性およびオフトラック特性を劣化させ
ることなくＳＮＲ、ＰＷ５０を向上でき、しかも十分な
耐コロージョン性を有する磁気記録媒体の提供。【解決手段】非磁性基板１上に、非磁性下地膜２と、
磁気記録膜３と、軟磁性膜４と、保護膜５を有し、保磁
力が２５００Ｏｅ以上とされ、かつ軟磁性膜４の膜厚が
５〜５０Åとされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
などに用いられる磁気記録媒体に関し、特にインダクテ
ィブ−ＭＲ複合ヘッドに代表される磁気抵抗効果を利用
する再生素子を使用したヘッドを用いた場合に優れた特
性を発揮する磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置などの高記録密
度化に伴い、信号対ノイズ比（以下ＳＮＲ）の改善、さ
らにＰＲＭＬチャンネル処理のため孤立波半値幅（以下
ＰＷ５０）の狭小化が求められている。高ＳＮＲ化およ
び狭ＰＷ５０化を達成するには、高保磁力化することが
有効であり、高保磁力化するには、磁気記録層材料を高
Ｋｕ化するのが有効である。高Ｋｕ化により高保磁力化
することは、近年問題となっている熱揺らぎ問題、すな
わち一度記録された信号が時間の経過とともに減少する
という問題に対しても有効な解決法となり得る。しかし
ながら、ＳＮＲおよびＰＷ５０を改善するために保磁力
（Ｈｃ）を高くすると、一度記録された信号が上書きし
ても消えない（オーバーライト（以下ＯＷという）特性
の悪化）、トラックエッジまで信号が書き込まれない
（オフトラック特性の悪化）といった問題を招くおそれ
がある。これらの問題の解決するために、書き込みに最
適化したインダクティブヘッドと、磁気抵抗効果を利用
する再生素子を使用し読み出し感度を向上させたヘッド
とを複合させたインダクティブ−ＭＲ複合ヘッドが用い
られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一方、近年では、軟磁
性層、いわゆるキーパーレイヤーを磁気記録媒体に設け
ることによって、電磁変換特性、熱揺らぎ特性の改善を
図るという試みがなされている。軟磁性層を有する磁気
記録媒体の例としては、B. Gooch, R. Niedermeyer, R.
Wood, and R. Pisharody, IEEE Transactions on magn
etics, 1991, vol.27. No.6, p.4549（文献Ａ）、特開
平７−１６９０３７号公報、特開平１０−１１６４１２
号公報に開示されたものを挙げることができる。上記文
献Ａに開示された磁気記録媒体は、記録再生時に軟磁性
層を飽和させるためのバイアス磁束をインダクティブヘ
ッド書き込みコアから付加させなければ、媒体表面から
漏れ磁束を誘起させられず、良好な再生信号を得ること
ができない。そのため、上記磁気記録媒体では、現在広
く用いられている上記インダクティブ−ＭＲ複合ヘッド
を使用することができなかった。また特開平７−１６９
０３７号公報に開示された磁気記録媒体は、バイアス電
流０の読み込み−書き込みヘッド（例えばインダクティ
ブヘッド）に対応したものとされ、高記録密度化および
低ノイズ化を図るのが難しかった。

【０００４】現在のように高記録密度が望まれている状
況では、インダクティブヘッドを用いるという方法、Ｍ
Ｒ、ＧＭＲヘッドのような磁気抵抗効果を利用した読み
込み素子を再生に利用できない方法は、もはや現実的で
ない。なぜなら、インダクティブヘッド等を用いた場合
には、低ノイズ化、高記録密度化の点で一定の限界があ
るのに対し、ＭＲ、ＧＭＲヘッドに代表される磁気抵抗
効果を利用したヘッドを使用した場合には、ヘッドの再
生感度が高く、得られる孤立波出力がインダクティブヘ
ッドの例えば３〜１０倍も高くなるため磁気記録膜を薄
くすることができ、これによって低ノイズ化、高記録密
度化を実現することが可能となるためである。

【０００５】また特開平１０−１１６４１２号公報に開
示された磁気記録媒体は、市販のインダクティブ−ＭＲ
複合ヘッドを使用できるとしているが、およそ１００〜
１０００という低透磁率の軟磁性層を使用するため、現
在広く用いられている高記録密度用の高保磁力磁気記録
媒体では、記録特性の改善が得られず、電磁変換特性も
不十分であった。さらに、軟磁性層をもたない従来の磁
気記録媒体では、非磁性基板表面のＮｉＰ膜中のＮｉ等
がキズやピットのような欠陥を通して磁気記録媒体表面
から拡散し、これがコロージョンの原因となることがあ
った。

【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ＯＷ特性およびオフトラック特性を劣化させること
なくＳＮＲ、ＰＷ５０を向上でき、しかも十分な耐コロ
ージョン性を有する磁気記録媒体を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題は、非磁性基板
上に、非磁性下地膜と、磁気記録膜と、軟磁性膜と、保
護膜を有する磁気記録媒体であって、保磁力が２５００
Ｏｅ以上とされ、かつ軟磁性膜の膜厚が５〜５０Åとさ
れた磁気記録媒体によって解決することができる。また
本発明の磁気記録媒体は、Ｎｉ抽出量が基板単位面積に
対して０．０８ｎｇ／ｃｍ²以下であるものとすること
ができる。また軟磁性膜の最大透磁率は、１０００〜１
００００００とするのが好ましい。また本発明では、磁
気記録膜の直下に非磁性中間膜を設けることができる。
また本発明の磁気記録媒体は、磁気抵抗効果を利用する
再生素子を使用したヘッドとともに用いることができ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板１上に非磁性下地膜２、磁気記録膜３、軟磁
性膜４、保護膜５を順次形成したものである。非磁性基
板１としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いら
れるＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板
（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板）、ガラス基板、セラミ
ック基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉ
Ｐをメッキあるいはスパッタ法により蒸着せしめた基板
などを用いることができる。また基板１の表面には、よ
り良好な電磁変換特性を得る、面内磁気異方性を付与し
て熱揺らぎ特性をよくする、研磨痕を消す等の目的でテ
クスチャ処理を施してもよい。

【０００９】非磁性下地膜２としては、従来公知の非磁
性下地膜、例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗな
どの単一組成膜、または結晶性を損なわない範囲で他の
元素をこれらに含有させた合金からなる膜を使用でき
る。なかでも特に、Ｃｒ（単一組成）、またはＣｒにＭ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂのうち１種または２種以上を含
有させた材料を用いると、磁気記録膜３中の結晶配向性
を良好なものとすることができるため好ましい。上記材
料を用いる場合、その組成は、ＣｒｚＹとするのが好ま
しい。ここでＹ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂのうち１種
または２種以上とする。Ｙ含有量（ｚ）は３０ａｔ％以
下とするのが好ましい。この含有量が３０ａｔ％を越え
ると、磁気記録膜３の保磁力、ノイズ特性が悪化する。

【００１０】非磁性下地膜２の厚さは、所定の保磁力が
得られる範囲であれば制限されるものでない。この厚さ
は、５０〜４００Åが好ましい範囲であり、１００〜３
００Åとするとさらに好ましい。下地膜２の膜厚が５０
Å未満の場合には、下地膜２上に形成される磁気記録膜
３（または非磁性中間膜）の結晶配向性が悪くなりＳＮ
Ｒが低下する。逆に膜厚が４００Åを越えると、下地膜
中の結晶粒子径が大きくなり、これに伴って下地膜２上
の磁気記録膜３（または非磁性中間膜）中の結晶粒子径
も大きくなり、ＳＮＲが低下する。

【００１１】非磁性下地膜２は、単層構造をなすものと
してもよいし、多層構造をなすものとしてもよい。多層
構造をなすものとする場合には、互いに同一または異な
る組成の複数の層を積層したものとすることができる。
特に、これら複数の層のうち少なくとも１つをＮｉＡｌ
からなるものとした場合には、格段のＳＮＲ向上が達成
されることがある。また非磁性下地膜２をＮｉＡｌから
なる単層からなるものとすると、格段のＳＮＲ向上が達
成される場合がある。

【００１２】磁気記録膜３は、所定の保磁力（後述）が
得られるものであれば特に制限されるものでないが、ａ
ＣｏｂＣｒｃＰｔｄＴａｅＺｒｆＣｕｇＮｉ（ｂは１６
〜２５ａｔ％、ｃは１０ａｔ％以下、ｄは１〜７ａｔ
％、ｅは４ａｔ％以下、ｆは３ａｔ％以下、ｇは１０ａ
ｔ％以下、ａは残部）で表されるＣｏ合金からなるもの
とすると、高Ｋｕ化が可能となるため好ましい。各成分
の含有比率は、ｂ：１６〜２２ａｔ％、ｃ：６〜１０ａ
ｔ％、ｄ：１〜３ａｔ％、ｅ：２ａｔ％以下、ｆ：２ａ
ｔ％以下、ｇ：８ａｔ％以下とするのがさらに好まし
い。特に、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくとも１つを含
む材料を用いると、保磁力、ＳＮＲを高めることができ
るため好ましい。

【００１３】Ｃｒの含有比率（ｂ）を１６〜２５ａｔ％
とするのが好ましいとしたのは、この含有比率が１６ａ
ｔ％未満ではＣｒの偏析によるＣｏ含有磁性粒子の分散
が不十分となり、磁性粒子間の磁気的結合に起因するノ
イズ特性の低下が起きやすくなり、２５ａｔ％を越える
と、所定の保磁力が得られにくくなるためである。また
Ｐｔの含有比率（ｃ）を１０ａｔ％以下とするのが好ま
しいとしたのは、この含有比率が１０ａｔ％を越えると
ＳＮ比が悪化するためである。またＴａの含有比率
（ｄ）を１〜７ａｔ％とするのが好ましいとしたのは、
１ａｔ％未満ではノイズが増加する傾向があり、７ａｔ
％を越えると高い保磁力を得られにくくなるためであ
る。またＺｒの含有比率（ｅ）を４ａｔ％以下とするの
が好ましいとしたのは、この含有比率が４ａｔ％を越え
ると、ＳＮＲが悪化するためである。またＣｕの含有比
率（ｆ）を３ａｔ％以下とするのが好ましいとしたの
は、この含有比率が３ａｔ％を越えると、ＳＮＲが悪化
するためである。またＮｉの含有比率（ｇ）を１０ａｔ
％以下とするのが好ましいとしたのは、この含有比率が
１０ａｔ％を越えると、ＳＮＲが悪化するためである。

【００１４】磁気記録膜３の厚さは、特に限定されるも
のでないが、１５０〜４００Åとするのが好ましい。特
に、２５０〜４００Åとするのが好ましい。この厚さ
は、１５０Å未満とすると、良好なＳＮＲおよび適切な
再生出力が得られず、４００Åを越えるとＳＮＲが低下
する。

【００１５】磁気記録膜３の保磁力は２５００Ｏｅ以
上、例えば２５００〜６０００Ｏｅとされている。２５
００Ｏｅ未満ではビット間遷移領域が広がり、ＰＷ５０
が悪化するとともに、ノイズも増大しＳＮＲが悪化す
る。また、現状では、保磁力が６０００Ｏｅを越える磁
気記録媒体用磁気記録膜を形成するのは難しい。磁気記
録膜３の保磁力は、信号を十分に書き込むことが可能な
ヘッドを使用した場合、高いほど好ましく、３０００Ｏ
ｅ以上、さらに好ましくは３５００Ｏｅ以上とするのが
望ましい。

【００１６】軟磁性膜４は、特に限定されるものでない
が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの単一組成膜、またはＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏに他の元素を含有させた合金からなるものとす
るのが好ましい。軟磁性膜４の材料の具体例としては、
Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、Ｎ
ｉ−Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐ、Ｆ
ｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｕ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｖ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｔ
ｉ−Ｒｕ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｆｅ
−Ｔａ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｆｅ−Ｎｂ、Ｆｅ−Ｈｆ等の
各種合金を挙げることができる。

【００１７】なかでも特に、ＮｉＦｅ系合金（例えばパ
ーマロイ等）を用いることが好ましい。ＮｉＦｅ系合金
としては、ＮｉｘＦｅを用いるのが好ましい。Ｆｅの含
有比率ｘは１５〜６０ａｔ％、好ましくは１５〜２５ａ
ｔ％とするのが好適である。ＮｉＦｅ系合金を用いるの
が好ましいとしたのは、この材料を使用することによっ
て、耐コロージョン性を向上させる効果を高めることが
でき、かつより良い電磁変換特性が得られるためであ
る。

【００１８】軟磁性膜４の最大透磁率は、１０００〜１
００００００、好ましくは８０００〜５０００００、さ
らに好ましくは１０００００〜５０００００とするのが
望ましい。最大透磁率が１０００未満であると、記録時
に磁気記録媒体への書き込みが不十分となり、書き込み
後の磁化遷移間の反磁界を緩和することができないため
十分な電磁変換特性を得られなくなるおそれがある。ま
た最大透磁率が１００００００を越える軟磁性膜を作製
するのは技術的に難しい。

【００１９】上記最大透磁率は、次のように定義され
る。すなわち軟磁性体スパッタターゲット試験片を、例
えば振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて全く磁化さ
れていない状態から外部磁界を印加することにより徐々
に磁化していき、磁界を増加しても磁化の強さが増加し
ない状態に達するまでの磁化曲線中で、磁界の変化に対
する磁化の変化の割合のうち最大となったものを最大透
磁率とする。なお、透磁率はＣＧＳ単位系で表した値で
ある。

【００２０】軟磁性膜４の膜厚は、５〜５０Å、好まし
くは５〜３０Å、より好ましくは５〜２０Åとされてい
る。この膜厚が５Å未満であると、ＯＷ特性、オフトラ
ック特性が不十分となり、５０Åを越えると、ＳＮＲが
低下する。また軟磁性膜４の膜厚は５Å以上１０Å未満
とすることもできる。

【００２１】上記非磁性下地膜２、磁気記録膜３、軟磁
性膜４は、例えばスパッタリング法により形成すること
ができる。

【００２２】保護膜５は、ヘッドが接触することによる
媒体表面の損傷を防ぐために設けられたもので、その材
質は従来公知のものを使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ₂、
ＺｒＯ₂等の単一組成、またはこれらを主成分とし他元
素を含むものが使用可能である。保護膜５はスパッタリ
ング、イオンビーム、プラズマＣＶＤ法などを用いて形
成することができる。保護膜５の厚さは、１〜２０ｎｍ
とすることができる。特に１〜９ｎｍとすると、よりス
ペーシングロスを小さくすることができるため好まし
い。保護膜５の表面には、必要に応じて潤滑膜（図示
略）を形成することもできる。潤滑膜の材料としては、
ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）等の弗化系液体
潤滑剤、脂肪酸等の固体潤滑剤が使用可能である。潤滑
膜形成方法としては、ディッピング法、スピンコート法
などの従来公知の方法を採用することができる。

【００２３】上記磁気記録媒体は、上記軟磁性膜４の形
成によって、Ｎｉ抽出量を基板単位面積に対して０．０
８ｎｇ／ｃｍ²以下とすることができる。Ｎｉ抽出量
が、０．０８ｎｇ／ｃｍ²を越えると、ヘッドが汚れる
など耐コロージョン性が悪いと判断されるため好ましく
ない。Ｎｉ抽出量とは、磁気記録媒体の外端部および内
端部をパラフィンで封止した後、８０℃の純水中に３０
分間浸漬した際に純水中に溶出した基板単位面積当たり
のＮｉ量をいう。

【００２４】上記構成の磁気記録媒体では、ＯＷ特性お
よびオフトラック特性を劣化させることなくＳＮＲ、Ｐ
Ｗ５０を向上できる。またＮｉＰ上にＮｉＰよりも腐食
電位が貴であるような材料を使用した軟磁性膜を設ける
ことによって、基板表面のＮｉＰ膜中のＮｉや、基板材
料（ガラス、セラミック等）中の軽元素がキズやピット
などの欠陥を通して磁気記録媒体表面から拡散するのを
妨げ、耐コロージョン性を向上させることができる。

【００２５】また、上記構成の磁気記録媒体は、特にイ
ンダクティブ−ＭＲ複合ヘッドに台表される磁気抵抗効
果を利用する再生素子を使用したヘッド（以下磁気抵抗
効果利用ヘッドという）を用いた場合に優れた特性を発
揮する。これは以下に示す理由によるものであると考え
られる。磁気抵抗効果利用ヘッドを用いて上記磁気記録
媒体からの再生を行う場合には、該ヘッドによって生成
するバイアスフラックスによって軟磁性膜の一部が飽和
状態となり、この部分の透磁率が大気の透磁率を下回る
ため、この部分でもれ磁束が軟磁性膜の外部に出ること
になる。このため、シャープな磁気回路が形成され、ヘ
ッドがもれ磁束を捕捉する際の損失が少なくなる。また
記録時においても同様に、ヘッドが軟磁性膜の一部を飽
和させることにより、スペーシング損失の少ない磁気回
路が形成される。従って、磁気抵抗効果利用ヘッドを用
いることによって、優れた電磁変換特性を得ることがで
きる。

【００２６】図２は本発明の磁気記録媒体の他の実施形
態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性下
地膜２と磁気記録膜３との間、すなわち磁気記録膜３の
直下に、非磁性中間膜６が設けられている点で図１に示
す磁気記録媒体と異なる。非磁性中間膜６の材料として
は、上記磁気記録膜３の材料組成に近い材料組成をも
ち、非磁性中間膜６に対しエピタキシャル成長する磁気
記録膜３の結晶配向性を良好なものとすることができる
ものが用いられる。またこの材料としてｈｃｐ構造をな
すものを用いると、磁気記録膜３の結晶配向性を向上さ
せる効果を高めることができるため好ましい。

【００２７】具体的には、ａＣｏｂＣｒｃＰｔｄＴａｅ
ＺｒｆＣｕｈＢ（ｂは２５〜５０ａｔ％、ｃは１０ａｔ
％以下、ｄは１０ａｔ％以下、ｅは５ａｔ％以下、ｆは
５ａｔ％以下、ｈは１０ａｔ％以下、ａは残部）で表さ
れるＣｏ合金を用いるのが好ましい。各成分の含有比率
は、ｂ：２５〜４０ａｔ％、ｃ：１０ａｔ％以下、ｄ：
３ａｔ％以下、ｅ：２ａｔ％以下、ｆ：２ａｔ％以下、
ｈ：８ａｔ％以下とするのがさらに好ましい。Ｃｒの含
有比率（ｂ）が２５ａｔ％未満である場合には、非磁性
中間膜６が磁性膜となってしまうため好ましくない。ま
た、Ｃｒの含有比率（ｂ）、Ｐｔ含有比率（ｃ）、Ｔａ
の含有比率（ｄ）、Ｚｒの含有比率（ｅ）、Ｃｕの含有
比率（ｆ）、およびＢの含有比率（ｈ）が上記範囲上限
値を越えると、非磁性中間膜６の組成が磁気記録膜３の
組成に対し大きく異なるものとなり、磁気記録膜３内の
結晶配向性が悪化し、保磁力、ノイズ特性向上効果が低
下する。

【００２８】非磁性中間膜６を設けることによって、磁
気記録膜３内において、比較的結晶構造が乱れやすい初
期成長層を最小限に抑え、磁気記録膜３内の結晶配向性
を向上させ、高保磁力化、低ノイズ化を図ることができ
る。

【００２９】また、本発明の磁気記録媒体は、図３およ
び図４に示す構造を有するものとすることもできる。図
３に示す磁気記録媒体は、軟磁性膜４が磁気記録膜３の
下面側に形成されている点で、図１に示す磁気記録媒体
と異なる。また、非磁性中間膜６は磁気記録膜３と軟磁
性膜４の間に設けることもできる。図４に示す磁気記録
媒体は、符号７で示す磁気記録膜が、第１および第２の
磁気記録層７ａ、７ｂからなるものとされ、軟磁性膜４
が、これら第１および第２の磁気記録層７ａ、７ｂの間
に設けられていることを特徴とするものである。また非
磁性中間膜は、第１および第２の磁気記録層７ａ、７ｂ
のいずれかの直下に設けることもできるし、これら両方
の直下にそれぞれ設けることもできる。

【００３０】

【実施例】以下、具体例を示して本発明の作用効果を明
確化する。（試験例１）図１に示すものと同様の構造の磁気記録媒
体を次のようにして作製した。ＮｉＰメッキ膜（厚さ１
０μｍ）を形成したアルミニウム合金基板（直径９５ｍ
ｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、表面平均粗さＲａが６Åとな
るようにメカニカルテクスチャ加工を施した後、これを
ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１
０）のチャンバ内にセットした。チャンバ内の真空度を
２×１０^-7とし、非磁性基板１を２００℃まで加熱した
後、非磁性基板１上に表１に示す非磁性下地膜２、磁気
記録膜３、軟磁性膜４を順次形成した。次いで、プラズ
マＣＶＤ装置（アネルバ製）を用いてプラズマＣＶＤ法
により厚さ７０Åのカーボン保護膜５を形成し、保護膜
５上に、ディッピング法によりＰＦＰＥ潤滑剤を塗布
し、厚さ１５Åの潤滑膜（図示略）を形成した。

【００３１】（試験例２〜６）軟磁性膜４の厚さを変え
たこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。

【００３２】（試験例７〜１１）軟磁性膜４をＣｏ（単
一組成）からなるものとし、表１に示すようにその膜厚
を変えたことに加え、ＬＦ出力が一定となるように磁気
記録膜３の膜厚を設定したこと以外は試験例１と同様に
して磁気記録媒体を作製した。

【００３３】（試験例１２〜１６）軟磁性膜４をＮｉ
（単一組成）からなるものとし、表１に示すようにその
膜厚を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録
媒体を作製した。

【００３４】（試験例１７〜２２）非磁性下地膜２をＣ
ｒ（単一組成）からなるものとし、表１に示すように軟
磁性膜４の膜厚を変えたことに加え、ＬＦ出力が一定と
なるように磁気記録膜３の膜厚を設定したこと以外は試
験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

【００３５】（試験例２３〜２４）磁気記録膜３を形成
する際に基板温度を適宜変化させることで媒体の保磁力
を変化させ、かつ軟磁性膜４の膜厚を２０Åとしたこと
以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

【００３６】（試験例２５〜２８）磁気記録膜３を表１
に示す材料からなるものとし、軟磁性膜４の膜厚を２０
Åとしたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体
を作製した。

【００３７】（試験例２９〜３１）図２に示すように、
磁気記録膜３の直下に非磁性中間膜６を設け、軟磁性膜
４の膜厚を２０Åとしたこと以外は試験例１と同様にし
て磁気記録媒体を作製した。

【００３８】（試験例３２〜３５）非磁性下地膜２を、
表１に示す材料からなるものとし、軟磁性膜４の膜厚を
２０Åしたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒
体を作製した。

【００３９】（試験例３６）特開平７−１６９０３７号
公報の実施例の記載に基づいて磁気記録媒体を作製し
た。すなわち基板上に、Ｃｒからなる下地膜（厚さ３０
０Å）を設け、その上にＣｏ−１３ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ
％Ｔａ（Ｃｏ₁₃Ｃｒ₃Ｔａ）からなる磁気記録膜（厚さ
５００Å）を設け、その上にＮｉ₁₉Ｆｅからなる軟磁性
膜（厚さ５０Å）を設けた。これら以外は試験例１と同
様にして磁気記録媒体を得た。

【００４０】（試験例３７）特開平１０−１１６４１２
号公報の実施例の記載に基づいて磁気記録媒体を作製し
た。すなわち基板上に、Ｃｒからなる下地膜（厚さ３０
Å）を設け、その上にＣｏ₁₈ＣｒＰｔ₃Ｔａからなる磁
気記録膜（厚さ３００Å）を設け、その上にＦｅ₂Ａｌ₅
Ｓｉからなる軟磁性膜（厚さ１３０Å）を設けた。これ
ら以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を得た。

【００４１】上記試験例１〜３７の磁気記録媒体の静磁
気特性を、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて評価
した。またこれら磁気記録媒体の電磁変換特性を、３種
類のヘッド、すなわち再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）
素子を有するインダクティブ−ＧＭＲ複合型磁気記録ヘ
ッド、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を有するインダクティ
ブ−ＭＲ複合型磁気記録ヘッド、またはトラック方向に
対し垂直に配列した２本のＭＲ素子を有するデュアルス
トライプＭＲ（ＤＳＭＲ）素子を有するインダクティブ
−ＤＳＭＲ複合型磁気記録ヘッドを用いて評価した。ま
た、これら磁気記録媒体の電磁変換特性を、Ｇｕｚｉｋ
社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびス
ピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて評価した。ＬＦＴ
ＡＡ測定は、線記録密度４２ｋＦＣＩで行い、ＯＷ測定
は、２５０ｋＦＣＩと４２ｋＦＣＩの２つの線記録密度
で測定した。ＳＮＲ測定には、シグナルとしてＬＦＴＡ
Ａ出力のＢａｓｅ−Ｐｅａｋ値を用い、ノイズ測定に
は、２５０ｋＦＣＩの線記録密度を用いた。オフトラッ
ク特性の評価には、トラック幅方向の各位置に対してＰ
Ｒ４ＭＬでエラーレイトを測定し、いわゆるバスタブカ
ーブを得て、エラーレイト１０^-7での幅を２分した値を
用いた。表中、ＯＴＣとは、この値を意味するものであ
る。耐コロージョン性の評価は、Ｎｉ抽出量、すなわち
上記磁気記録媒体の外端部および内端部をパラフィンで
封止した後、８０℃の純水中に３０分間浸漬した際に純
水中に溶出した基板単位面積当たりのＮｉ量をイオンク
ロマトグラフィーを用いて測定した値を指標とした。上
記各評価試験の結果を表１に示す。なお最大透磁率は、
Ｎｉ₁₉Ｆｅ：３０００００、Ｃｏ：５０００、Ｎｉ：１
００００、Ｎｉ₂Ａｌ₅Ｓｉ：１００であった。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１より、ＰＷ５０については、いずれの
ヘッドを用いた場合でも、軟磁性膜４の膜厚が５〜５０
Åとした場合に極小となることがわかる。またＯＷにつ
いては、軟磁性膜４がない場合に低いＯＷを示すものほ
ど軟磁性膜４を設けることによるＯＷの改善が顕著であ
り、その効果は軟磁性膜４の膜厚が４０〜５０Å付近で
飽和することがわかる。またＳＮＲについては、軟磁性
膜４の膜厚が４０Åを越えるあたりから低下するものが
多いことがわかる。またＯＴＣについては、軟磁性膜４
の膜厚が５〜５０Åの範囲を外れると急激に悪化するこ
とがわかる。これらの結果から、軟磁性膜の膜厚を５〜
５０Åとすると、ＳＮＲ、ＰＷ５０、ＯＷ、ＯＴＣの各
特性が良好となり、電磁変換特性が向上することがわか
る。

【００４４】また磁気抵抗効果を再生に利用した３種の
ヘッド、すなわちインダクティブ−ＭＲ複合型磁気記録
ヘッド、インダクティブ−ＧＭＲ複合型磁気記録ヘッ
ド、およびインダクティブ−ＤＳＭＲ複合型磁気記録ヘ
ッドのいずれを用いた場合でも軟磁性膜の膜厚を５〜５
０Åとすることで電磁変換特性が良好なものとなること
がわかる。試験例１〜６と試験例２３、２４との比較よ
り、保磁力（Ｈｃ）が２５００Ｏｅ未満であると、ＯＷ
は良好であるものの、ＳＮＲは低い値となることがわか
る。試験例２と２５〜２８との比較より、磁気記録膜３
の材料組成をこの範囲で変化させても電磁変換特性は悪
化せず、良好であることがわかる。試験例２と２９〜３
１との比較より、非磁性中間膜６を設けた場合でも電磁
変換特性は悪化せず、良好であることがわかる。試験例
２と試験例３２〜３５の比較より、非磁性下地膜２の材
料組成をこの範囲で変化させても電磁変換特性は悪化せ
ず、良好であることがわかる。特開平７−１６９０３７
号公報の記載に基づいて作製した試験例３６の磁気記録
媒体は、試験例１〜５、１２〜１６、２５〜３５に比較
して、ＬＦＴＡＡ以外の全ての電磁変換特性において極
端に劣る結果となったことがわかる。この磁気記録媒体
では、磁気記録膜におけるＣｒの含有比率が低く磁気記
録膜内磁性粒子間の磁気的結合が強いためにノイズ、Ｓ
ＮＲが悪く、磁気記録膜の膜厚が大きいためＰＷ５０お
よびＯＷが悪いと考えられる。特開平１０−１１６４１
２号公報の記載に基づいて作製した試験例３７の磁気記
録媒体は、試験例１〜５、１２〜１６、２５〜３５に比
較して、特にＰＷ５０、ＳＮＲにおいて極端に劣る結果
となったことがわかる。この磁気記録媒体では、下地膜
の膜厚が小さいため高い保磁力が得られず、軟磁性膜の
最大透磁率が小さいためにＰＷ５０が悪く、ＳＮＲも悪
くなっているものと考えられる。また、耐コロージョン
性については、軟磁性膜４を設けていない試験例６、１
１、２２の磁気記録媒体においてＮｉの溶出が起こった
のに対し、軟磁性膜４を設けたものでは、Ｎｉが全く抽
出されず、耐コロージョン性が格段に良好であることが
わかる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体では、ＯＷ特性およびオフトラック特性を劣化させ
ることなくＳＮＲ、ＰＷ５０を向上でき、しかも十分な
耐コロージョン性を有するものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一
部断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す
一部断面図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態
を示す一部断面図である。

【図４】本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態
を示す一部断面図である。

【符号の説明】

１・・・非磁性基板、２・・・非磁性下地膜、３、７・・・磁気
記録膜、４・・・軟磁性膜、５・・・保護膜、６・・・非磁性中
間膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者酒井浩志千葉県市原市八幡海岸通５番の１昭和電工株式会社ＨＤ研究開発センター内Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 AA06 BB02 BB07 DA03 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に、非磁性下地膜と、磁気
記録膜と、軟磁性膜と、保護膜を有する磁気記録媒体で
あって、保磁力が２５００Ｏｅ以上とされ、かつ軟磁性
膜の膜厚が５〜５０Åとされていることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項２】Ｎｉ抽出量が基板単位面積に対して０．
０８ｎｇ／ｃｍ²以下であることを特徴とする請求項１
記載の磁気記録媒体。
【請求項３】軟磁性膜の最大透磁率は、１０００〜１
００００００であることを特徴とする請求項１または２
記載の磁気記録媒体。
【請求項４】磁気記録膜の直下に非磁性中間膜を設け
たことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記
載の磁気記録媒体。
【請求項５】磁気抵抗効果を利用する再生素子を使用
したヘッドとともに用いられるものであることを特徴と
する請求項１〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒
体。