JP2021047951A - 磁気ディスク装置及びライト処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 データの品質を向上可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。【解決手段】 本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、主磁極と、前記主磁極に対して第１方向にギャップを空けて対向しているライトシールドと、前記ギャップに設けられた第１アシスト素子と、前記ギャップにおいて前記第１アシスト素子に対して前記第１方向に交差する第２方向に並んで設けられた第２アシスト素子とを有するヘッドと、前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子から異なる前記ディスクの保磁力に影響を与えるアシストエネルギーを前記ディスクに発生させるコントローラと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライト処理方法に関する。
磁気ディスク装置の高記録密度化及び高記録容量化を実現するために、高周波アシスト（Microwave Assisted Magnetic Recording：ＭＡＭＲ）記録型式、及び熱アシスト磁気記録（Thermally Assisted Magnetic Recording : ＴＡＭＲ）型式等が開発されている。高周波アシスト記録型式は、記録電流が印加されることで励磁されて記録磁界を発生する記録磁極（主磁極）と高周波発振子とを有する磁気ヘッドを使用し、高周波発振子に通電することで発生する高周波磁界をディスクに印加することによって、高周波磁界を印加したディスクの部分の保磁力を低下させる技術である。熱アシスト磁気記録型式は、ディスクに向かって照射光を照射する光照射素子を有する磁気ヘッドを使用し、光照射素子の先端からディスクに照射光を照射してディスクを局所的に加熱することで、加熱されたディスクの部分の保磁力を低下させる技術である。現在、複数のアシスト素子を有する高周波アシスト記録型式及び熱アシスト磁気記録型式の磁気ディスク装置が考えられている。
米国特許第７５２５７６５号明細書 米国特許第８５５３３６２号明細書 米国特許第９０９９１０２号明細書
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、データの品質を向上可能な磁気ディスク装置及びライト処理方法を提供することである。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、主磁極と、前記主磁極に対して第１方向にギャップを空けて対向しているライトシールドと、前記ギャップに設けられた第１アシスト素子と、前記ギャップにおいて前記第１アシスト素子に対して前記第１方向に交差する第２方向に並んで設けられた第２アシスト素子とを有するヘッドと、前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子から異なる前記ディスクの保磁力に影響を与えるアシストエネルギーを前記ディスクに発生させるコントローラと、を備える。
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、実施形態に係るディスクに対するヘッドの配置の一例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係るライトヘッドの構成例を示す模式図である。 図４は、中周領域において外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図５は、中周領域において外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図６は、中周領域において内方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図７は、内周領域において外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図８は、内周領域において外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図９は、外周領域において内方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図１０は、外周領域において外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子のアシストエネルギーの一例を示す模式図である。 図１１は、実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（実施形態）
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
ディスク１０は、そのデータをライト可能な領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリア１０ｂとが割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。また、ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置及び円周位置をまとめて単に位置と称する場合もある。
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０にライトされているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。ヘッド１５の中心部をヘッド１５と称し、ライトヘッド１５Ｗの中心部をライトヘッド１５Ｗと称し、リードヘッド１５Ｒの中心部をリードヘッド１５Ｒと称する場合もある。“トラック”は、ディスク１０の半径方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、トラックにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。トラックは、複数のセクタを有する。“セクタ”は、トラックを円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。トラックの半径方向の幅をトラック幅と称し、トラック幅の中心位置をトラックセンタと称する。
図２は、本実施形態に係るディスク１０に対するヘッド１５の配置の一例を示す模式図である。図２に示すように、半径方向において、ディスク１０の外周に向かう方向を外方向（外側）と称し、外方向と反対方向を内方向（内側）と称する。また、図２に示すように、円周方向において、ディスク１０に対して右回り（時計回り）方向を右方向と称し、右回り方向と反対（反時計回り）方向を左方向と称する。円周方向において、ディスク１０の回転する方向を回転方向と称する。図２において、回転方向は、左方向である。なお、回転方向は逆向き（右方向）であってもよい。図２において、ユーザデータ領域１０ａは、内方向に位置する内周領域ＩＲと、外方向に位置する外周領域ＯＲと、内周領域ＩＲ及び外周領域ＯＲの間に位置する中周領域ＭＲとに区分されている。図２には、トラックＴＲｎのトラックセンタＴＲＣｎを示している。トラックセンタＴＲＣｎは、中周領域ＭＲに位置している。なお、トラックセンタＴＲＣｎは、内周領域ＩＲに位置していてもよいし、外周領域ＯＲに位置していてもよい。トラックセンタＴＲＣｎは、例えば、ディスク１０と同心円状に位置している。なお、トラックセンタＴＲＣｎは、円状でなくともよい。トラックセンタＴＲＣｎは、ディスク１０と同心円状でなくともよい。
ディスク１０は、複数のサーボデータ領域ＳＶを有している。以下、サーボデータ領域ＳＶをサーボパターンＳＶと称する場合もある。複数のサーボデータ領域ＳＶは、複数のトラックに跨ってディスク１０の半径方向に放射状に延出し、円周方向に所定の間隔を空けて離散的に配置されている。サーボデータ領域ＳＶは、複数のサーボセクタを有している。サーボセクタは、ヘッド１５をディスク１０の所定の半径位置、例えば、所定のトラックに位置決めするためのサーボデータを含んでいる。円周方向で連続して並んでいる２つのサーボデータ領域ＳＶの間には、ユーザデータ等をライトする領域が配置されている。なお、サーボデータ領域ＳＶは、ディスク１０の内周から外周まで１本のスパライス状のパターンであってもよい。
ヘッド１５をトラックセンタＴＲＣｎに位置決めした場合、スキュー角は、例えば、０°となる。以下、ヘッド１５を位置決めした際にスキュー角が０°となる半径位置を基準位置と称する場合もある。ヘッド１５が半径方向において基準位置（トラックセンタＴＲＣｎ）から外方向に移動するに従って、スキュー角の絶対値は増大する。また、ヘッド１５が半径方向において基準位置（トラックセンタＴＲＣｎ）から内方向に移動するに従って、スキュー角の絶対値は増大する。
図３は、本実施形態に係るライトヘッド１５Ｗの構成例を示す模式図である。図３は、ディスク１０に対向するライトヘッド１５Ｗの一部を模式的に示している。
ライトヘッド１５Ｗは、主磁極ＭＰＬと、トレーリングシールド（ライトシールド）ＳＨＬと、複数のアシスト素子ＡＳＴ、例えば、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２とを備えている。なお、ライトヘッド１５Ｗは、３つ以上のアシスト素子ＡＳＴを備えていてもよい。
主磁極ＭＰＬは、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。主磁極ＭＰＬは、ディスク１０を磁化させるために、ディスク１０の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる。以下、主磁極ＭＰＬを記録磁極と称する場合もある。
ライトシールドＳＨＬは、主磁極ＭＰＬとギャップＧＰを空けて対向している。ライトシールドＳＨＬは、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。ライトシールドＳＨＬは、主磁極ＭＰＬ直下のディスク１０を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。主磁極ＭＰＬ及びライトシールドＳＨＬは、電気的に絶縁され、且つ磁気回路を形成している。主磁極ＭＰＬ及びライトシールドＳＨＬは、主磁極ＭＰＬおよびライトシールドＳＨＬを含む磁気回路に巻きつくように設けられた記録コイルにヘッドアンプＩＣ３０から所定の大きさの電流（記録電流、ライト電流、又は記録能力と称する場合もある）が供給されることで、記録磁界が励起される。なお、主磁極ＭＰＬ及びライトシールドＳＨＬを記録磁極と称する場合もある。
複数のアシスト素子ＡＳＴ（ＡＳＴ１、ＡＳＴ２）は、主磁極ＭＰＬ及びライトシールドＳＨＬの間に設けられている。図３に示した例では、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２は、ギャップＧＰに設けられている。複数のアシスト素子ＡＳＴは、主磁極ＭＰＬからライトシールドＳＨＬに向かう方向（以下、対向方向と称する場合もある）に交差する方向に並んでいる。なお、ライトシールドＳＨＬから主磁極ＭＰＬに向かう方向を対向方向と称してもよい。つまり、対向方向は、ライトシールドＳＨＬと主磁極ＭＰＬとが並ぶ方向に相当する。対向方向は、円周方向と平行とは限らない。また、対向方向は、半径方向と垂直に交差するとは限らない。例えば、複数のアシスト素子ＡＳＴは、対向方向に交差する方向に並んで設けられている。図３に示した例では、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２は、対向方向に交差する方向に並んで設けられている。図３に示した例では、アシスト素子ＡＳＴ１は、アシスト素子ＡＳＴ２に対して内方向に位置している。アシスト素子ＡＳＴ２は、アシスト素子ＡＳＴ１に対して外方向に位置している。
例えば、複数のアシスト素子ＡＳＴは、特性が異なっていてもよい。一例では、複数のアシスト素子ＡＳＴは、それぞれ、異なる材料で形成されていてもよい。また、他の例では、複数のアシスト素子ＡＳＴは、それぞれ、対向方向の厚さが異なっていてもよい。各アシスト素子ＡＳＴの特性が異なることにより、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に発生させるエネルギー（以下、アシストエネルギーと称する場合もある）、例えば、高周波磁界や近接場光が最大となる場合の各アシスト素子ＡＳＴに印加される電流（以下、アシスト電流と称する場合もある）又は電圧（以下、アシスト電圧と称する場合もある）が相違し得る。ここで、アシストエネルギーは、ディスク１０への保磁力に影響を与えてライトヘッド１５Ｗによるディスク１０へのライト性能を向上するためのエネルギーに相当する。
アシスト素子ＡＳＴは、例えば、高周波アシスト記録を実行するための高周波アシスト素子である。高周波アシスト素子は、スピントルク発振子を含む。スピントルク発振子は、例えば、非磁性導電層からなる下地層と、スピン注入層と、中間層と、発振層と、非磁性導電層からなるギャップ層とを主磁極ＭＰＬとライトシールドＳＨＬの間に順に積層された構造を有する。スピントルク発振子は、所定のアシスト電圧又は所定のアシスト電流が印加されることで、ライトギャップ内に発生したギャップ磁界により、磁化が一様に回転し（スピンの歳差運動）、ディスク１０に向かって記録信号の周波数と比較して十分に周波数の高い高周波磁界（マイクロ波）を発生させる。スピントルク発振子は、ディスク１０の磁気記録層に高周波磁界を印加することで、磁気記録層の保磁力を低減する。
本実施例にて複数の高周波アシスト素子が設けられる場合、例えば、高周波アシスト素子ＡＳＴ１と高周波アシスト素子ＡＳＴ２は異なる磁気特性を持つ磁性膜を有していてもよい。あるいはＡＳＴ１とＡＳＴ２は異なる層膜厚や異なる断面積を有していてもよい。この場合、ＡＳＴ１とＡＳＴ２はある電流値を設定しても発振する周波数やマイクロ波強度が異なる状態となる。すなわち同じアシスト電流をＡＳＴ１とＡＳＴ２とに同時に印加しても、その時にＡＳＴ１とＡＳＴ２からディスク１０に加わるマイクロ波による磁気記録層の保磁力効果を異なるレベルに調整することが可能となる。あるいは、他の高周波アシストヘッド構成として、同じ膜構成を有する高周波アシスト素子ＡＳＴ１とＡＳＴ２に対して、それぞれに独立したアシスト電流回路を有していてもよい。この場合、ＡＳＴ１とＡＳＴ２にそれぞれ異なるアシスト電流を印加することが可能であるため、二つのアシスト素子は異なるアシスト効果を実現できる。
アシスト素子ＡＳＴは、別の例では、例えば、熱アシスト磁気記録を実行するための熱アシスト素子である。熱アシスト素子は、光発生素子（例えば、レーザダイオード）、導波路、及び近接場光照射素子（プラズモン・ジェネレータ、ニアフィールド・トランデューサ）等を含む。光発生素子は、（レーザ）光源であり、ヘッド１５のスライダの上部、あるいは、ジンバルに設けられている。光発生素子は、ヘッドアンプＩＣ３０からアシスト電流又はアシスト電圧等を印加されることで導波路に光を供給する。なお、光発生素子は、ヘッド１５のスライダ、又はジンバル以外の場所に設けられていてもよい。例えば、光発生素子は、アーム１３及びヘッド１５の外部に設けられていてもよい。導波路は、光発生素子が発生する光を近接場光照射素子に伝播する。近接場光照射素子は、ディスク１０に対向するヘッド１５のスライダの下端部に設けられている。近接場光照射素子は、ディスク１０にデータをライトする際に、導波路を介して伝播されたレーザ光から近接場光を発生し、ディスク１０に近接場光を照射する。ディスク１０に照射された近接場光は、ディスク１０の記録層を加熱し、ディスク１０の記録層の保磁力を低下させる。近接場光照射素子は、金属部材を含む。なお、近接場光照射素子の代わりに、光発生素子から伝播する光を、ディスク１０に集光するレンズが、備えられていてもよい。このように、近接場光照射素子から発生する近接場光をディスク１０に照射することにより、磁気ディスク装置１は、高保磁力媒体であるディスク１０に高密度な磁気記録をすることができる。
本実施例にて複数の熱アシスト素子が設けられる場合、例えば熱アシスト素子ＡＳＴ１と熱アシスト素子ＡＳＴ２はそれぞれ異なる光発生素子、導波路を有していても良い。この場合、各々の熱アシスト素子は各々異なるアシスト効果を実現できる。
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力されるライトデータに応じた記録電流をヘッド１５に供給する。例えば、ライトドライバは、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に応じて記録電流を記録コイルに供給する。なお、ライトドライバは、各アシスト素子ＡＳＴに電気的に接続され、システムコントローラ１３０（ＭＰＵ６０）の制御に応じて各アシスト素子ＡＳＴに所定のアシスト電流又はアシスト電圧を印加してもよい。
揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても記録されたデータを保持する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。Ｒ／Ｗチャネル５０は、ライトデータを変調する回路、又は機能を有している。また、Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１０及びアシスト素子制御部６２０を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０及びアシスト素子制御部６２０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０及びアシスト素子制御部６２０等を回路として備えていてもよい。
リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０の所定の位置に位置決めし、データをリード又はライトする。リード／ライト制御部６１０は、半径方向において既にライトしたデータの一部にデータを重ね書きできる。例えば、リード／ライト制御部６１０は、セルフサーボライト（ＳＳＷ）によりディスク１０に放射状のサーボパターン（製品サーボパターン又はファイナルサーボパターン）をライトする際に、半径方向において既にライトしたサーボデータの一部にサーボデータを重ね書きする。また、例えば、リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０にユーザデータをライトする際に、半径方向において既にライトしたトラックの一部に次にライトするトラックを重ね書きする処理（瓦記録（Shingled write Magnetic Recording：ＳＭＲ又はShingled Write Recording：ＳＷＲ））を実行する。以下、半径方向において、既にライトしたデータの一部にデータを重ね書きする方向を重ね書き方向と称する場合もある。なお、リード／ライト制御部６１０は、半径方向において既にライトしたデータから所定の間隔を空けてデータをライトすることもできる。半径方向において既にライトしたデータから所定の間隔を空けてデータをライトすることを通常記録又は通常ライトと称する場合もある。例えば、リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０の内周から外周へ１本のスパイラルサーボパターンを通常記録する。また、リード／ライト制御部６１０は、ディスク１０にユーザデータにライトする際に、半径方向において所定のトラックから間隔を空けて他のトラックを通常記録する。
アシスト素子制御部６２０は、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に発生させるアシストエネルギーを制御する。例えば、アシスト素子制御部６２０は、各アシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧を制御して、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に発生させるアシストエネルギーを制御する。一例では、アシスト素子制御部６２０は、各アシスト素子ＡＳＴに異なるアシスト電流又はアシスト電圧を印加することで、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に異なるアシストエネルギーを発生させることができる。なお、各アシスト素子ＡＳＴの特性が異なる場合には、アシスト素子制御部６２０は、各アシスト素子ＡＳＴに同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加することで、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に異なるアシストエネルギーを発生させることができる。ここで、“同じ”、“同一”、“一致”、及び“同等”等は、全く同じであることは、もちろん、実質的に同じであると見做せる程度に異なることも含む。また、アシスト素子制御部６２０は、各アシスト素子ＡＳＴに同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加することで、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に同じアシストエネルギーを発生させることもできる。例えば、アシスト素子制御部６２０は、ディスク１０の内周から外周に１本のスパイラルサーボパターンをライトする際に、各アシスト素子ＡＳＴに同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加して、各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に同じアシストエネルギーを発生させる。
アシスト素子制御部６２０は、重ね書き方向に応じて複数のアシスト素子からディスク１０に発生させるアシストエネルギーを制御する。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、重ね書き方向に応じて複数のアシスト素子からディスク１０に発生させるアシストエネルギーを制御することで、ディスク１０にライトされるデータを制御する。
例えば、アシスト素子制御部６２０は、外方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも小さくする。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、外方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも大きくする。一例では、アシスト素子制御部６２０は、外方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧をアシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも小さくする。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、外方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧をアシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも大きくする。
例えば、アシスト素子制御部６２０は、外方向にデータを重ね書きする際に、アシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも小さくすることで、ライトヘッド１５Ｗでライトしたデータの内方向に生じるライトヘッド１５Ｗからの記録磁界の漏洩（以下、フリンジング、フリンジ、又はサイドフリンジと称する）により影響を受けるデータ（以下、フリンジデータと称する場合も）の半径方向の大きさ（又は幅）をライトヘッド１５Ｗでライトしたデータの外方向に生じるフリンジデータの半径方向の大きさよりも小さくする。例えば、フリンジデータは、ライトヘッド１５Ｗでライトしたデータにおいて磁化が連続的に弱くなる部分（データ）に相当する。
アシスト素子制御部６２０は、例えば、アシスト素子制御部６２０は、内方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも小さくする。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、内方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも大きくする。一例では、アシスト素子制御部６２０は、内方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧をアシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも小さくする。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、内方向にデータを重ね書きする場合、アシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧をアシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも大きくする。
例えば、アシスト素子制御部６２０は、内方向にデータを重ね書きする際に、アシスト素子ＡＳＴ２からディスク１０に発生するアシストエネルギーをアシスト素子ＡＳＴ１からディスク１０に発生するアシストエネルギーよりも小さくすることで、ライトヘッド１５Ｗでライトしたデータの外方向に生じるフリンジデータの半径方向の大きさをライトヘッド１５Ｗでライトしたデータの外方向に生じるフリンジデータの半径方向の大きさよりも小さくする。
アシスト素子制御部６２０は、スキュー角、ディスク１０の特性、ヘッド１５の特性、記録周波数、及びトラックピッチ等の条件（以下、諸条件と称する場合もある）に応じて各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。言い換えると、アシスト素子制御部６２０は、諸条件に応じて各アシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。例えば、アシスト素子制御部６２０は、諸条件に応じて、ライトヘッド１５Ｗでライトしたデータのフリンジデータの半径方向の位置や大きさが異なる。一例では、アシスト素子制御部６２０は、スキュー角（反半径位置）に応じて、ライトヘッド１５Ｗでライトしたデータのフリンジデータの半径方向の位置や大きさが異なる。アシスト素子制御部６２０は、諸条件に応じて各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｂ、揮発性メモリ７０、又は不揮発性メモリ８０等にテーブルとして記録していてもよい。
以下、図４乃至図１０を参照して重ね書き方向に対する各複数のアシスト素子ＡＳＴから発生させる各アシストエネルギーについて説明する。
図４は、中周領域ＭＲにおいて外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図４には、円周方向に延出しているデータＭＤ１と、円周方向に延出し、データＭＤ１の外方向に隣接するデータＭＤ２とを示している。データＭＤ２は、データＭＤ１の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図４では、重ね書き方向は、外方向である。データＭＤ１及びＭＤ２は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＭＤ１は、フリンジデータＩＭＦ１及びＯＭＦ１を有する。フリンジデータＩＭＦ１は、データＭＤ１の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＭＦ１は、データＭＤ１の外方向の端部に位置している。データＭＤ２は、フリンジデータＩＭＦ２及びＯＭＦ２を有する。フリンジデータＩＭＦ２は、データＭＤ２の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＭＦ２は、データＭＤ２の外方向の端部に位置している。図４に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいて実際にディスク１０に対して記録磁界を発生している部分に相当する。図４には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＭＨＦ１を示している。また、図４には、アシスト素子ＡＳＴ１から発生しているアシストエネルギーが影響を与えている範囲（以下、アシスト範囲と称する場合もある）ＭＡＲ１と、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＭＡＲ２とを示している。
図４に示した例では、ＭＰＵ６０は、中周領域ＭＲにおいてスキュー角が０°でデータＭＤ１及びＭＤ２をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２から同じアシストエネルギーを発生させてデータＭＤ１の外方向にデータＭＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２に同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＭＤ１の外方向にデータＭＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを１としてデータＭＤ１の外方向にデータＭＤ２を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ２に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＭＤ１の外方向にデータＭＤ２を重ね書きする。ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。図４に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ１によりデータＭＤ１の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＭＦ１及びＯＭＦ１が生じている。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ１によりデータＭＤ２の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＭＦ２及びＯＭＦ２が生じている。
図５は、中周領域ＭＲにおいて外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図５には、円周方向に延出しているデータＭＤ３と、円周方向に延出し、データＭＤ３の外方向に隣接するデータＭＤ４とを示している。データＭＤ４は、データＭＤ３の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図５では、重ね書き方向は、外方向である。データＭＤ３及びＭＤ４は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＭＤ３は、フリンジデータＯＭＦ３を有する。フリンジデータＯＭＦ３は、データＭＤ３の外方向の端部に位置している。データＭＤ４は、フリンジデータＯＭＦ４を有する。フリンジデータＯＭＦ４は、データＭＤ４の外方向の端部に位置している。図５に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的な記録磁界を発生している部分に相当する。図５に示したライトヘッド１５Ｗの破線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的でない記録磁界を発生させている部分に相当する。図５には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＭＨＦ２を示している。また、図５には、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＭＡＲ３を示している。
図５に示した例では、ＭＰＵ６０は、中周領域ＭＲにおいてスキュー角が０°でデータＭＤ３及びＭＤ４をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２から発生させるアシストエネルギーよりもＡＳＴ１から発生させるアシストエネルギーを小さくしてデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを９としてデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ２に９の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きする。ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。また、例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを０としてデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きする。言い換えると、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１をＯＦＦ、且つアシスト素子ＡＳＴ２をＯＮにしてデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１にアシスト電流又はアシスト電圧を印加せずにデータＭＤ３の外方向にデータＭＤ４を重ね書きする。図５に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ２によりデータＭＤ３にフリンジデータＯＭＦ３が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＭＨＦ２が小さいために、データＭＤ３の内方向にはフリンジデータが生じていない。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ２によりデータＭＤ４の外方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＯＭＦ４が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＭＨＦ２が小さいために、データＭＤ４の内方向にはフリンジデータが生じていない。なお、図５に示した例では、フリンジデータＯＭＦ４の半径方向の大きさよりも小さい半径方向の大きさのフリンジデータが生じていてもよい。フリンジデータＯＭＦ３及びＯＭＦ４には、次のデータが上書きされる。したがって、図５に示した例では、データにフリンジデータが生じることを軽減することができるため、データの品質を向上することができる。
図６は、中周領域ＭＲにおいて内方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図６には、円周方向に延出しているデータＭＤ５と、円周方向に延出し、データＭＤ５の内方向に隣接するデータＭＤ６とを示している。データＭＤ６は、データＭＤ５の内方向の一部に重ね書きされている。つまり、図６では、重ね書き方向は、内方向である。データＭＤ５及びＭＤ６は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＭＤ５は、フリンジデータＩＭＦ５を有する。フリンジデータＩＭＦ５は、データＭＤ５の内方向の端部に位置している。データＭＤ６は、フリンジデータＩＭＦ６を有する。フリンジデータＩＭＦ６は、データＭＤ６の内方向の端部に位置している。図６に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいて実際にディスク１０に対して記録磁界を発生している部分に相当する。図６に示したライトヘッド１５Ｗの破線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的でない記録磁界を発生させている部分に相当する。図６には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＭＨＦ３を示している。また、図６には、アシスト素子ＡＳＴ１のアシスト範囲ＭＡＲ４を示している。
図６に示した例では、ＭＰＵ６０は、中周領域ＭＲにおいてスキュー角が０°でデータＭＤ５及びＭＤ６をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１から発生させるアシストエネルギーよりもＡＳＴ２から発生させるアシストエネルギーを小さくしてデータＭＤ５の内方向にデータＭＤ６を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＭＤ５の内方向にデータＭＤ６を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを９としてデータＭＤ５の外方向にデータＭＤ６を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ１に９の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＭＤ５の外方向にデータＭＤ６を重ね書きする。
ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。また、例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを０としてデータＭＤ５の内方向にデータＭＤ６を重ね書きする。言い換えると、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２をＯＦＦ、且つアシスト素子ＡＳＴ１をＯＮにしてデータＭＤ５の内方向にデータＭＤ６を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２にアシスト電流又はアシスト電圧を印加せずにデータＭＤ５の外方向にデータＭＤ６を重ね書きする。
図６に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ３によりデータＭＤ５にフリンジデータＩＭＦ３が生じている。ライトヘッド１５Ｗの外方向のフリンジＭＨＦ３が小さいために、データＭＤ５の外方向にはフリンジデータが生じていない。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＭＨＦ３によりデータＭＤ６の内方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＭＦ６が生じている。ライトヘッド１５Ｗの外方向のフリンジＭＨＦ３が小さいために、データＭＤ６の外方向にはフリンジデータが生じていない。なお、図６に示した例では、フリンジデータＩＭＦ４の半径方向の大きさよりも小さい半径方向の大きさのフリンジデータが生じていてもよい。フリンジデータＩＭＦ５及びＩＭＦ６には、次のデータが上書きされる。したがって、図６に示した例では、データにフリンジデータが生じることを軽減することができるため、データの品質を向上することができる。
図７は、内周領域ＩＲにおいて外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図７には、円周方向に延出しているデータＩＤ１と、円周方向に延出し、データＩＤ１の外方向に隣接するデータＩＤ２とを示している。データＩＤ２は、データＩＤ１の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図７では、重ね書き方向は、外方向である。データＩＤ１及びＩＤ２は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＩＤ１は、フリンジデータＩＩＦ１及びＯＩＦ１を有する。フリンジデータＩＩＦ１は、データＩＤ１の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＩＦ１は、データＩＤ１の外方向の端部に位置している。データＩＤ２は、フリンジデータＩＩＦ２及びＯＩＦ２を有する。フリンジデータＩＩＦ２は、データＩＤ２の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＩＦ２は、データＩＤ２の外方向の端部に位置している。図７に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的な記録磁界を発生している部分に相当する。図７には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＩＨＦ１を示している。また、図７には、アシスト素子ＡＳＴ１のアシスト範囲ＩＡＲ１と、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＩＡＲ２とを示している。
図７に示した例では、ＭＰＵ６０は、内周領域ＩＲにおいて所定のスキュー角で内方向に傾斜してデータＩＤ１及びＩＤ２をディスク１０にライトしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２から同じアシストエネルギーを発生させてデータＩＤ１の外方向にデータＩＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２に同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＩＤ１の外方向にデータＩＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを１としてデータＩＤ１の外方向にデータＩＤ２を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ２に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＩＤ１の外方向にデータＩＤ２を重ね書きする。ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。図７に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＩＨＦ１によりデータＩＤ１の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＩＦ１及びＯＩＦ１が生じている。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＩＨＦ１によりデータＩＤ２の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＩＦ２及びＯＩＦ２が生じている。
図８は、内周領域ＩＲにおいて外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図８には、円周方向に延出しているデータＩＤ３と、円周方向に延出し、データＩＤ３の外方向に隣接するデータＩＤ４とを示している。データＩＤ４は、データＩＤ３の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図８では、重ね書き方向は、外方向である。データＩＤ３及びＩＤ４は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＩＤ３は、フリンジデータＯＩＦ３を有する。フリンジデータＯＩＦ３は、データＩＤ３の外方向の端部に位置している。データＩＤ４は、フリンジデータＯＩＦ４を有する。フリンジデータＯＩＦ４は、データＩＤ４の外方向の端部に位置している。図８に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的な記録磁界を発生している部分に相当する。図８に示したライトヘッド１５Ｗの破線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的でない記録磁界を発生させている部分に相当する。図８には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＩＨＦ２を示している。また、図８には、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＩＡＲ３を示している。
図８に示した例では、ＭＰＵ６０は、内周領域ＩＲにおいて所定のスキュー角で内方向に傾斜してデータＩＤ３及びＩＤ４をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２から発生させるアシストエネルギーよりもＡＳＴ１から発生させるアシストエネルギーを小さくしてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを９としてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ２に９の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。
ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。また、例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを０としてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。言い換えると、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１をＯＦＦ、且つアシスト素子ＡＳＴ２をＯＮにしてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１にアシスト電流又はアシスト電圧を印加せずにデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。
図８に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＩＨＦ２によりデータＩＤ３にフリンジデータＯＩＦ３が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＩＨＦ２が小さいために、データＩＤ３の内方向にはフリンジデータが生じていない。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＩＨＦ２によりデータＩＤ４の外方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＯＩＦ４が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＩＨＦ２が小さいために、データＩＤ４の内方向にはフリンジデータが生じていない。なお、図８に示した例では、フリンジデータＯＩＦ４の半径方向の大きさよりも小さい半径方向の大きさのフリンジデータが生じていてもよい。フリンジデータＯＩＦ３及びＯＩＦ４には、次のデータが上書きされる。したがって、図８に示した例では、データにフリンジデータが生じることを軽減することができるため、データの品質を向上することができる。
図８には、内周領域ＩＲにおいて所定のスキュー角で内方向に傾斜してデータＩＤ３の外方向にＩＤ４を重ね書きする例を示しているが、内周領域ＩＲにおいて所定のスキュー角で内方向に傾斜してデータＩＤ３の内方向にＩＤ４を重ね書きしてもよい。この場合、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＩＤ３の外方向にデータＩＤ４を重ね書きする。
図９は、外周領域ＯＲにおいて内方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図９には、円周方向に延出しているデータＯＤ１と、円周方向に延出し、データＯＤ１の内方向に隣接するデータＯＤ２とを示している。データＯＤ２は、データＯＤ１の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図９では、重ね書き方向は、内方向である。データＯＤ１及びＯＤ２は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＯＤ１は、フリンジデータＩＯＦ１及びＯＯＦ１を有する。フリンジデータＩＯＦ１は、データＯＤ１の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＯＦ１は、データＯＤ１の外方向の端部に位置している。データＯＤ２は、フリンジデータＩＯＦ２及びＯＯＦ２を有する。フリンジデータＩＯＦ２は、データＯＤ２の内方向の端部に位置し、フリンジデータＯＯＦ２は、データＯＤ２の外方向の端部に位置している。図９に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的な記録磁界を発生している部分に相当する。図９には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＯＨＦ１を示している。また、図９には、アシスト素子ＡＳＴ１のアシスト範囲ＯＡＲ１と、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＯＡＲ２とを示している。
図９に示した例では、ＭＰＵ６０は、外周領域ＯＲにおいて所定のスキュー角で内方向に傾斜してデータＯＤ１及びＯＤ２をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２から同じアシストエネルギーを発生させてデータＯＤ１の外方向にデータＯＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２に同じアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＯＤ１の外方向にデータＯＤ２を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを１としてデータＯＤ１の外方向にデータＯＤ２を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ２に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＯＤ１の外方向にデータＯＤ２を重ね書きする。ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。図９に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＯＨＦ１によりデータＯＤ１の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＯＦ１及びＯＯＦ１が生じている。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＯＨＦ１によりデータＯＤ２の半径方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＩＯＦ２及びＯＯＦ２が生じている。
図１０は、外周領域ＯＲにおいて外方向に重ね書きする場合の複数のアシスト素子ＡＳＴのアシストエネルギーの一例を示す模式図である。図１０には、円周方向に延出しているデータＯＤ３と、円周方向に延出し、データＯＤ３の外方向に隣接するデータＯＤ４とを示している。データＯＤ４は、データＯＤ３の外方向の一部に重ね書きされている。つまり、図１０では、重ね書き方向は、内方向である。データＯＤ３及びＯＤ４は、サーボデータであってもよいし、ユーザデータ（トラック）であってもよい。データＯＤ３は、フリンジデータＯＯＦ３を有する。フリンジデータＯＯＦ３は、データＯＤ３の内方向の端部に位置している。データＯＤ４は、フリンジデータＯＯＦ４を有する。フリンジデータＯＯＦ４は、データＯＤ４の内方向の端部に位置している。図１０に示したライトヘッド１５Ｗの実線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的な記録磁界を発生している部分に相当する。図１０に示したライトヘッド１５Ｗの破線部分は、例えば、図３に示したライトヘッド１５Ｗにおいてディスク１０に対して実効的でない記録磁界を発生している部分に相当する。図１０には、ライトヘッド１５ＷからのフリンジＯＨＦ２を示している。また、図１０には、アシスト素子ＡＳＴ２のアシスト範囲ＯＡＲ３を示している。
図１０に示した例では、ＭＰＵ６０は、外周領域ＯＲにおいて所定のスキュー角で外方向に傾斜してデータＯＤ３及びＯＤ４をディスク１０に重ね書きしている。ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１から発生させるアシストエネルギーよりもＡＳＴ２から発生させるアシストエネルギーを小さくしてデータＯＤ３の内方向にデータＯＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＯＤ３の内方向にデータＯＤ４を重ね書きしている。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを１とした場合にアシスト素子ＡＳＴ１のアシストエネルギーの大きさを９としてデータＯＤ３の内方向にデータＯＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２に１の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加し、アシスト素子ＡＳＴ１に９の大きさのアシスト電流又はアシスト電圧を印加してデータＯＤ３の外方向にデータＯＤ４を重ね書きする。
ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２からディスク１０へ発生させるアシストエネルギーの大きさを設定する。例えば、ＭＰＵ６０は、諸条件に応じてアシスト素子ＡＳＴ１及びＡＳＴ２にそれぞれ印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。また、例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２のアシストエネルギーの大きさを０としてデータＯＤ３の内方向にデータＯＤ４を重ね書きする。言い換えると、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２をＯＦＦ、且つアシスト素子ＡＳＴ１をＯＮにしてデータＯＤ３の内方向にデータＯＤ４を重ね書きする。例えば、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ１にアシスト電流又はアシスト電圧を印加せずにデータＯＤ３の外方向にデータＯＤ４を重ね書きする。
図１０に示した例では、ライトヘッド１５ＷのフリンジＯＨＦ２によりデータＯＤ３にフリンジデータＯＯＦ３が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＯＨＦ２が小さいために、データＯＤ３の内方向にはフリンジデータが生じていない。また、ライトヘッド１５ＷのフリンジＯＨＦ２によりデータＯＤ４の内方向に所定の半径方向の大きさのフリンジデータＯＯＦ４が生じている。ライトヘッド１５Ｗの内方向のフリンジＯＨＦ２が小さいために、データＯＤ４の内方向にはフリンジデータが生じていない。なお、図１０に示した例では、フリンジデータＯＯＦ４の半径方向の大きさよりも小さい半径方向の大きさのフリンジデータが生じていてもよい。フリンジデータＯＯＦ３及びＯＯＦ４には、次のデータが上書きされる。したがって、図１０に示した例では、データにフリンジデータが生じることを軽減することができるため、データの品質を向上することができる。
図１０には、外周領域ＯＲにおいて所定のスキュー角で外方向に傾斜してデータＯＤ３の内方向にＯＤ４を重ね書きする例を示しているが、外周領域ＯＲにおいて所定のスキュー角で外方向に傾斜してデータＯＤ３の内方向にＯＤ４を重ね書きしてもよい。この場合、ＭＰＵ６０は、アシスト素子ＡＳＴ２に印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりもアシスト素子ＡＳＴ１に印加するアシスト電流又はアシスト電圧を小さくしてデータＯＤ３の外方向にデータＯＤ４を重ね書きする。
図１１は、本実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、重ね書き方向を変更するか重ね書き方向を変更しないかを判定する（Ｂ１１０１）。重ね書き方向を変更しないと判定した場合（Ｂ１１０１のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、外方向に重ね書き方向を維持し（Ｂ１１０２）、Ｂ１１０４の処理に進む。重ね書き方向を変更すると判定した場合（Ｂ１１０１のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、重ね書き方向を変更し（Ｂ１１０３）、ディスク１０の特性、ヘッド１５の特性、記録周波数、トラックピッチ、及び記録周波数等の諸条件を取得する（Ｂ１１０４）。ＭＰＵ６０は、スキュー角、ディスク１０の特性、ヘッド１５の特性、記録周波数、及びトラックピッチ等の諸条件と重ね書き方向とに応じて各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に発生させるアシストエネルギー（の大きさ）を設定する（Ｂ１１０５）。例えば、ＭＰＵ６０は、スキュー角、ディスク１０の特性、ヘッド１５の特性、記録周波数、及びトラックピッチ等の諸条件と重ね書き方向とに応じて各アシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧を設定する。ＭＰＵ６０は、各複数のアシスト素子ＡＳＴからアシストエネルギーをディスク１０に発生させて重ね書き方向にデータを重ね書きする（Ｂ１１０６）。例えば、ＭＰＵ６０は、複数のアシスト素子ＡＳＴにアシスト電流又はアシスト電圧をそれぞれ印加して重ね書き方向にデータを重ね書きする。ＭＰＵ６０は、ライト処理が完了したか完了していないかを判定する（Ｂ１１０７）。ライト処理が完了していないと判定した場合（Ｂ１１０７のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、Ｂ１１０１の処理に進む。ライト処理が完了したと判定した場合（Ｂ１１０７のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、複数のアシスト素子ＡＳＴを有するライトヘッド１５Ｗを備えている。磁気ディスク装置１は、重ね書き方向に応じて各アシスト素子ＡＳＴからディスク１０に発生させるアシストエネルギーを制御する。例えば、磁気ディスク装置１は、重ね書き方向に応じて各アシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧を制御する。磁気ディスク装置１は、複数のアシスト素子ＡＳＴの内の内方向に位置するアシスト素子ＡＳＴから発生させるアシストエネルギーを複数のアシスト素子ＡＳＴの内の外方向に位置するアシスト素子ＡＳＴから発生させるアシストエネルギーよりも小さくする。例えば、磁気ディスク装置１は、外方向にデータを重ね書きする場合、複数のアシスト素子ＡＳＴの内の内方向に位置するアシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧を複数のアシスト素子ＡＳＴの内の外方向に位置するアシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも小さくする。また、磁気ディスク装置１は、内方向にデータを重ね書きする場合、複数のアシスト素子ＡＳＴの内の外方向に位置するアシスト素子ＡＳＴから発生させるアシストエネルギーを複数のアシスト素子ＡＳＴの内の内方向に位置するアシスト素子ＡＳＴから発生させるアシストエネルギーよりも小さくする。例えば、磁気ディスク装置１は、内方向にデータを重ね書きする場合、複数のアシスト素子ＡＳＴの内の外方向に位置するアシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシストで電圧を複数のアシスト素子ＡＳＴの内の内方向に位置するアシスト素子ＡＳＴに印加するアシスト電流又はアシスト電圧よりも小さくする。そのため、磁気ディスク装置１は、ライトヘッド１５Ｗからのフリンジによるディスク１０にライトしたデータへの影響を軽減することができる。したがって、磁気ディスク装置１は、データの品質を向上することができる。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…ユーザデータ領域、１０ｂ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (10)

  1. ディスクと、
    主磁極と、前記主磁極に対して第１方向にギャップを空けて対向しているライトシールドと、前記ギャップに設けられた第１アシスト素子と、前記ギャップにおいて前記第１アシスト素子に対して前記第１方向に交差する第２方向に並んで設けられた第２アシスト素子とを有するヘッドと、
    前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子から異なる前記ディスクの保磁力に影響を与えるアシストエネルギーを前記ディスクに発生させるコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
  2. 前記コントローラは、前記ディスクの半径方向において第１データに第２データを重ね書きする重ね書き方向に応じて前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子から異なる前記アシストエネルギーを前記ディスクに発生させる、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記コントローラは、前記第１データの前記半径方向の第３方向に前記第２データを重ね書きする場合、前記第１アシスト素子から前記ディスクに発生させる第１アシストエネルギーを前記第２アシスト素子から前記ディスクに発生させる第２アシストエネルギーよりも小さくする、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記コントローラは、前記第１データの前記第３方向に前記第２データを重ね書きする場合、前記第１アシスト素子に印加する第１電流を前記第２アシスト素子に印加する第２電流よりも小さくする、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記コントローラは、前記第１データの前記第３方向と反対の第２方向に前記第２データを重ね書きする場合、前記第２アシストエネルギーを前記第１アシストエネルギーよりも小さくする、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
  6. 前記コントローラは、前記第１データの前記第２方向に前記第２データを重ね書きする場合、前記第１アシスト素子に印加する第１電流よりも前記第２アシスト素子に印加する第２電流を小さくする、請求項５に記載の磁気ディスク装置。
  7. 前記コントローラは、前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子にそれぞれ異なる電流を印加する請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子は、前記ディスクに前記アシストエネルギーとして高周波磁界を発生させる高周波アシスト素子、又は前記ディスクに前記アシストエネルギーとして近接場光を照射する熱アシスト素子である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク装置。
  9. ディスクと、主磁極と、前記主磁極とギャップを空けて対向しているライトシールドと、前記ギャップに設けられた第１アシスト素子と、前記ギャップにおいて前記第１アシスト素子の前記ディスクの半径方向の第１方向に位置する第２アシスト素子とを有するヘッドと、備える磁気ディスク装置に適用されるライト処理方法であって、
    前記第１アシスト素子及び前記第２アシスト素子から異なる前記ディスクの保磁力に影響を与えるアシストエネルギーを前記ディスクに発生させる、ライト処理方法。
  10. ディスクと、
    主磁極と、前記主磁極に対して第１方向にギャップを空けて対向したライトシールドと、前記ギャップに設けられた第１アシスト素子と、前記ギャップにおいて前記第１アシスト素子に対して前記第１方向に交差する第２方向に並んで設けられた第２アシスト素子と、を有するヘッドと、を備え、
    前記ヘッドは、前記ディスクの第１半径位置に位置決めして第１データをライトし、前記ディスクにおいて前記第１半径位置と異なる第２半径位置に位置決めして第２データをライトし、
    前記ヘッドのフリンジにより影響を受ける前記第１データの前記ディスクの半径方向の第１領域の大きさと、前記ヘッドのフリンジにより影響を受ける前記第２データの前記半径方向の第２領域の大きさとは、異なる、磁気ディスク装置。
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