CN106960674B - 磁记录装置及读入方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能进行高密度记录的磁记录装置及读入方法。实施方式涉及的磁记录装置具备：盘，其具有轨道组，该轨道组包括伺服区域和第一轨道及与第一轨道部分重叠的第二轨道；光照射元件，其照射将盘加热的光；头，其具备：在盘的通过光照射元件照射的光加热了的范围写进数据的写入头和从盘的轨道组内的轨道读入数据的读取头；以及控制器，其在轨道组的第一区域写进检测偏移量的第一数据，参照伺服区域的伺服信息来从第一区域读入第一数据，基于所读入的第一数据的第一信号的振幅来检测读取头的偏移量，基于偏移量来控制读取头的位置。

Description

磁记录装置及读入方法
本申请要求以日本专利申请2016-2648号(申请日：2016年1月8日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括该在先申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁记录装置及读入方法。
背景技术
近年来，开发了用于实现磁记录装置(例如HDD)的高记录容量化的各种技术。作为此类技术之一，有被称为瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording(SMR)(瓦写磁记录)或Shingled Write Recording(SWR)(瓦写记录))的记录技术。瓦记录方式的磁记录装置在向磁盘写入数据时与相邻的轨道的一部分重叠地在下一记录轨道进行记录。通过采用该瓦记录方式，而能提高轨道密度(Track Per Inch：TPI，每英寸轨道数)。
此外，存在被称为热辅助磁记录(Thermally Assisted Magnetic Recording:TAMR，热辅助磁记录)方式的记录技术。热辅助磁记录方式的磁记录装置(以下称为热辅助磁记录装置)具备将照射光(例如近场光)向磁盘的记录层照射的光照射元件和用于使光(例如激光)在光照射元件传播的波导。根据该磁记录装置，在数据的写进时，从光照射元件的前端将照射光向记录介质的记录层照射，将记录层局部加热，从而能使被加热的记录层部分的顽磁力充分下降，能实现高记录密度化。
在该热辅助磁记录装置中，根据照射光的照射范围，而会产生写入头所形成的记录宽度的变动。
发明内容
本发明的实施方式提供能实现高密度记录的磁记录装置及读入方法。
本实施方式涉及的磁记录装置，具备：盘，其具有轨道组，该轨道组包括伺服区域和第一轨道及与所述第一轨道部分重叠的第二轨道；光照射元件，其照射对所述盘进行加热的光；头，其具备：在所述盘的以所述光照射元件照射的所述光所加热的范围写进数据的写入头和从所述盘的所述轨道组内的轨道读入数据的读取头；以及控制器，其在所述轨道组的第一区域写进检测偏移量的第一数据，参照所述伺服区域的伺服信息而从所述第一区域读入所述第一数据，基于所述读入的第一数据的第一信号的振幅来检测所述读取头的偏移量，基于所述偏移量来控制所述读取头的位置。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁记录装置的构成的框图。
图2是放大表示实施方式涉及的磁记录装置的头及磁盘的侧视图。
图3是实施方式涉及的头的剖视图。
图4(a)是表示在通常时的近场光的照射范围写进的带域(band area，带区)的一例的图，图4(b)是表示在近场光的照射范围变化后写进的带域的一例的图。
图5是概要地表示磁盘的带域内的预定用户区域的一例的图。
图6是包括图5所示的用户区域的检测区域的轨道的放大图。
图7是表示检测数据的写进的定时的一例的图。
图8A(a)是表示在通常时的近场光的照射范围写进的检测区域DAm的一例的图，图8A(b)是表示在近场光的照射范围变化后写进的检测区域DAm的一例的图。
图8B是表示图8A(b)所示的检测区域DAm中的再现波形的振幅和读取头的偏离轨道(off track)位置之间的关系的一例的图。
图8C是表示再现波形的振幅和时间之间的关系一例的图。
图8D是表示再现波形的振幅和时间之间的关系一例的图。
图8E是表示再现波形的振幅和时间之间的关系一例的图。
图9是读入处理的流程图。
具体实施方式
下面参照附图来说明实施方式。
(实施方式)
图1是表示本实施方式涉及的磁记录装置1的构成的框图。
磁记录装置1具备：后述的头盘组件(head-disk assembly：HDA)；驱动器IC20；头(head)放大器集成电路(以下称为头放大器IC)30；易失性存储器70；非易失性存储器80；缓冲存储器(缓存)90；和由一芯片的集成电路构成的系统控制器130。此外，磁记录装置1可与主机系统(主机)100连接。
HDA具有：磁盘(以下称为盘)10；主轴马达(SPM)12；搭载有头15的臂13；和音圈马达(VCM)14。盘10通过主轴马达12而旋转。臂13和VCM14构成了致动器。致动器通过VCM14的驱动来将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定位置。也可设置两个以上数量的盘10及头15。
盘10在数据区域分配了瓦记录区域(SMR区域)11a和介质高速缓存(media cache)区域11b。瓦记录区域11a记录从主机100进行了写入请求的用户数据等。介质高速缓存区域11b可用作瓦记录区域11a的高速缓存。
瓦记录区域11a是与相邻的轨道(以下简称为相邻轨道)的一部分重叠地写入下一轨道的数据且轨道密度比介质高速缓存区域11b高的记录区域。瓦记录区域11a具备多个轨道组(以下称为带域BAn)，该多个轨道组分别包括一部分重叠写到相邻轨道的至少一个轨道(第一轨道)和最后重叠写的轨道(第二轨道)。第二轨道与第一轨道相比轨道宽度较宽。带域BAn由盘10的一周的量的轨道组构成。在下面，将数据的写进时的头15的轨迹(轨道)称为写入轨道，将除了通过瓦记录而对相邻的写入轨道重叠写了的区域之外的剩余写入轨道的区域称为读取轨道。在瓦记录方式的第一轨道中，写入轨道的宽度的中心位置(以下简称为轨道扇区)与读取轨道的轨道中心通常不一致。再有，有时也将写入轨道及读取轨道简称为轨道。
参照图2及图3来说明头15。
图2是放大表示本实施方式涉及的磁记录装置的头15及磁盘10的侧视图，图3是本实施方式涉及的头15的剖视图。在图2中，示出了盘10的旋转方向A。
头15具备滑块251。滑块251在安装于臂13的万向节201固定。
头15具备分别设置于滑块251的写入头15W、读取头15R、光产生元件(例如激光二极管)250、波导255及近场光照射元件(等离子体激元发生器、近场转换器)256。
读取头15R读取在盘10上的数据轨道记录的数据。写入头15W在盘10上写入数据。写入头15W对盘10的表面产生垂直方向的磁场。
光产生元件250是(激光)光源，且设置于滑块251的上部或万向节201。光产生元件250向波导255供给光。再有，光产生元件250也可设置于滑块251或万向节201以外的部位。例如，光产生元件250可设置于臂13及头15的外部。波导255使光产生元件250产生的光传播到近场光照射元件256。
近场光照射元件256设置于与盘10相对的滑块251的下端部。近场光照射元件256在执行数据的写进时，由经波导255传播的激光产生近场光，并向盘10照射近场光。照射的近场光将盘10的记录层加热，使盘10的记录层的顽磁力下降。近场光照射元件256包括金属部件。再有，可具备使从光产生元件250传播的光在盘10会聚的透镜，以代替近场光照射元件256。
这样，通过将从近场光照射元件256产生的近场光照射到盘10，而能使磁记录装置1在作为高顽磁力介质的盘10进行高密度的磁记录。
此外，近场光照射元件256利用近场光的照射范围(或者，有时也称为光斑范围和/或热分布宽度)来规定由写入头15W进行写进的记录宽度(或轨道宽度)。即、记录宽度与近场光的照射范围的宽度对应。例如，近场光照射元件256通过用比写入头15W的宽度小的宽度在近场光的照射范围进行照射，来规定写入轨道的轨道宽度(以下简称为写入轨道宽度)。
例如，在由于照射近场光时产生的热等原因而使近场光照射元件的形状发生变化的情况下，近场光的照射范围变动，与之相伴地，写入头15W所形成的写入轨道的轨道宽度发生变化。再有，由于写入头15W所形成的写入轨道的轨道宽度变化，而使预定带域的宽度(以下简称为带宽)变化。
参照图4来说明与近场光的照射范围的变化相伴的带域BAn的变化。
图4是表示与近场光的照射范围的变化相伴的带域BAn的变化的一例的概念图。图4(a)是表示在通常时的近场光的照射范围写进的带域BAn的一例的图，图4(b)是表示在近场光的照射范围变化后写进的带域BAn的一例的图。在近场光的照射范围从图4(a)变化为图4(b)的情况下，近场光的照射范围扩大。此处，通常时表示例如近场光的照射范围没有因热等原因变化时。
图4(a)所示的读取轨道j－1、读取轨道j及读取轨道j+1分别与图4(b)所示的读取轨道j－1、读取轨道j及读取轨道j+1对应。在图4(a)及图4(b)中，读取轨道j－1及读取轨道j分别表示除了相邻的写入轨道被重叠写的区域之外的剩余写入轨道的区域。读取轨道j+1表示在预定的带域BAn最后写进的写入轨道(第二轨道)。
如图4(a)所示，将由写入头15W在通常时的近场光的照射范围(以下简称为通常时)写进了的写入轨道构成的读取轨道j+1的轨道宽度设为h。如图4(b)所示，将由写入头15W在近场光的照射范围变化后(以下简称为变化后)写进了的写入轨道构成的读取轨道j+1的轨道宽度设为H。即、通常时的写入轨道宽度为h，变化后的写入轨道宽度为H。此外，在通常时和变化后，写入轨道宽度之差为2ΔH。此处，说明变化后的近场光的照射范围相对于通常时的近场光的照射范围扩大的情况(H＞h)。再有，以下，将通常时由写入头15W写进了的写入轨道所构成的读取轨道简称为通常时的读取轨道，将变化后由写入头15W写进了的写入轨道所构成的读取轨道简称为变化后的读取轨道。
如图4(a)所示，设定通常时的读取轨道j－1的轨道中心TC j－1、读取轨道j的轨道中心TCj、读取轨道j+1的轨道中心TCj+1。此外，如图4(b)所示，设定变化后的读取轨道j－1的轨道中心TC’j－1、读取轨道j的轨道中心TC’j、读取轨道j+1的轨道中心TC’j+1。
在图4中，读取轨道j－1及读取轨道j的轨道宽度分别相当于：除了在相邻的写入轨道例如构成读取轨道j的写入轨道和/或构成读取轨道j+1的写入轨道重叠写的部分之外的剩余部分的交叉轨道(cross track)方向的长度。在通常时和变化后，各写入轨道由写入头15W在盘10的半径方向(以下简称为半径方向)的相同目标位置写进。在图4的例子中，各写入轨道宽度为变化后比通常时增大2ΔH。
但是，此时，读取轨道j－1及读取轨道j的轨道宽度在通常时和变化后没有变化。这是因为，虽然在通常时和变化后，各写入轨道的边缘的半径位置或与相邻的写入轨道重叠(与相邻的写入轨道重叠写)的半径位置变化，但是，相邻的写入轨道间的中心间隔(即写入轨道的间距)没有变化。
此外，读取轨道j－1的轨道中心TC j－1及读取轨道j的轨道中心TCj，在近场光的照射范围变化的情况下，相应于写入轨道宽度的变化而在半径方向上移位(移动)。例如，如图4所示，读取轨道j－1的轨道中心TC j－1相应于写入轨道宽度的变化而在半径方向上变化为离开(移动)了偏移量ΔH的轨道中心TC’j－1。此外，读取轨道j的轨道中心TC j相应于写入轨道宽度的变化而在半径方向上变化为离开(移动)了偏移量ΔH的轨道中心TC’j。
读取轨道j+1的轨道宽度由于不在相邻的写入轨道重叠写，因而相应于写入轨道宽度的变化而变化。例如，如图4所示，通常时的读取轨道j+1的轨道宽度h向变化后的读取轨道j+1的轨道宽度H变化。此外，在通常时和变化后，在写入轨道相同的目标位置写进，因此读取轨道j+1的轨道中心TCj和轨道中心TC’j位于同一半径方向。
如上所述，在变化后的带域BAn中，读取轨道j－1及读取轨道j，由于在与各自对应的写入轨道相邻的写入轨道重叠写，因而轨道中心的位置在半径方向上变化，但是，其轨道宽度不变化。此外，在变化后的带域BAn中，读取轨道j+1由没有重叠写的写入轨道构成，因此轨道中心的位置在半径方向上没有变化，其轨道宽度变化。
如图1所示，驱动器IC20按照系统控制器130(具体地，为后述的MPU60)的控制来控制SPM12及VCM14的驱动。
头放大器IC30具有读取放大器及写入驱动器。读取放大器将由读取头15R读出的读取信号放大，向读取/写入(R/W)信道40传输。写入驱动器将与从R/W信道40输出的写入数据相应的写入电流向写入头15W传输。
易失性存储器70是在切断电源供给时所保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁记录装置1的各部的处理所需的数据等。易失性存储器70是例如SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器)。
非易失性存储器80是即使断开电力供给也会保持所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80是例如闪速ROM(Flash Read Only Memory:FROM，闪速只读存储器)。
缓冲存储器90是临时保持在盘10与主机100之间发送接收的数据等的半导体存储器。再有，缓冲存储器90可与易失性存储器70一体配置。缓冲存储器90是例如DRAM(DynamicRandom Access Memory，动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机存取存储器)及MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory,磁阻随机存取存储器)等。
系统控制器(控制器)130使用例如将多个元件在单个芯片集成的被称为芯片上系统(SoC，system-on-a-chip)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括R/W信道40、硬盘控制器(HDC)50和微处理器(MPU)60。
R/W信道40执行读取数据及写入数据的信号处理。R/W信道40具有测定读取数据的信号品质的电路或功能。
HDC50相应于来自MPU60的指示而控制主机100与R/W信道40之间的数据传输。HDC50具备与主机100连接的主机I/F电路。
MPU60是控制磁记录装置1的各部分的主控制器。MPU60经驱动器IC20来控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。此外，MPU60控制对盘10写入数据的写进工作，并且执行选择从主机100传输的写进数据的保存目的地的控制。MPU60的控制所进行的写进工作中包括瓦记录方式的工作。MPU60包括读取/写入控制部61和位置检测部62。再有，MPU60在固件上执行该各部分的处理。
读取/写入控制部61根据来自主机100的命令来控制数据的读出(读取)以及写进(写入)。读取/写入控制部61通过控制写入头15W来在盘10上写进数据而构成写入轨道。在瓦记录方式中，读取/写入控制部61在带域BAn中在预定数量的写入轨道重叠写。读取/写入控制部61在相邻的带域(例如带域BAn和与带域BAn在半径方向上相邻的带域BAn+1(未图示))之间为了防止数据的覆写等而配置保护区域(或间隙(Gap))。此外，读取/写入控制部61控制读取头15R而从读取轨道读入数据。
图5是概要地表示盘10的带域BAn内的预定用户区域UAm的一例的图，图6是包括图5所示的预定的用户区域UAm的检测区域DAm的轨道的放大图。在图5中，旋转方向A与图2所示的方向A对应。
如图5所示，带域BAn具有预定的用户区域UAm和位于该用户区域UAm前后的伺服区域SAm、SAm+1。预定的用户区域UAm包括偏移量检测区域(以下简称为检测区域)DAm和用户数据区域UDm。通过对检测区域DAm进行读入，来检测从读取轨道的轨道中心的偏移量(以下简称为偏移量)。此时，相应于检测区域DAm的大小,偏移量的检测精度提高。用户数据区域UDm是检测区域DAm以外的用户区域UAm。在用户数据区域UDm，写进用户数据。伺服区域SAm包括与用户区域UAm对应的伺服信息。此外，伺服区域SAm+1包括与用户区域UAm+1对应的伺服信息，该用户区域UAm+1是与用户区域UAm在盘10的周向(以下简称为周向)上在与方向A相反侧相邻的下一用户区域。
优选的是，检测区域DAm不将用户数据区域UDm分开地设置于用户区域UAm的开头的区域或用户区域UAm的末尾的区域。再有，检测区域DAm也可将用户数据区域UDm分开地设置于用户区域UAm的一部分。
此外，检测区域DAm可仅设置于带域BAn的一个位置，也可设置于多个位置。例如，检测区域可以以盘10的中心为转轴而每隔旋转角度90度地设置于带域BAn内的四个位置。
在图6中，轨道k－1包括检测数据区域DDk－1，轨道k包括检测数据区域DDk，轨道k+1包括检测数据区域DDk+1，轨道k+2包括用户数据区域UDk+2。此处，检测区域DAm是包括检测数据区域DDk－1、检测数据区域DDk及检测数据区域DDk+1的区域。此外，在图6中，表示了轨道k－1的轨道中心TCk－1、轨道k的轨道中心TCk和轨道k+1的轨道中心TCk+1。
在检测数据区域DDk－1，写进检测数据PT1，在检测数据区域DDk，写进检测数据PT2，在检测数据区域DDk+1，写进检测数据PT3。在用户区域UAm中，在检测区域DAm以外的区域写进用户数据。例如，在用户数据区域UDk+2写进用户数据。
读取/写入控制部61在预定的用户区域UAm的一部分设定检测区域DAm。例如，读取/写入控制部61在预定的用户区域UAm内的半径方向上连续的多个轨道的范围设定检测区域DAm。例如，读取/写入控制部61在用户区域UAm的连续至少两个轨道的范围设定检测区域DAm。此外，读取/写入控制部61在预定的用户区域UAm中在检测区域DAm以外的区域写进用户数据。再有，检测区域DAm可在制造时预先设定。
读取/写入控制部61在记录介质例如非易失性存储器80等存储检测区域DAm的位置信息。读取/写入控制部61参照所存储的检测区域DAm的位置信息和伺服信息来从带域BAn检测出检测区域DAm。
读取/写入控制部61在检测区域DAm写进用于检测头15的偏移量的检测数据。检测数据是表示例如单一频率(单一模式)的信号波形的数据(以下称为单一频率的数据)。在多个轨道的范围设定检测区域DAm的情况下，读取/写入控制部61在检测区域DAm的各轨道写进频率互为素数的单一频率的数据。例如，单一频率的数据是1、0、1、0、1、···那样的模式的数据。
例如，如图6所示，在半径方向上连续的轨道k－1、轨道k及轨道k+1的范围设定检测区域DAm的情况下，读取/写入控制部61在检测数据区域DDk－1写进检测数据PT1，在检测数据区域DDk写进检测数据PT2，在检测数据区域DDk+1写进检测数据PT3。检测数据PT1、PT2及PT3分别是频率互为素数的单一频率的数据。此处，检测数据PT1、PT2及PT3的信号波形的频率可以是将写进数据时的标准的或最大的频率f用互为素数的整数来除而得到的值。例如，检测数据PT1的单一频率可为f/2，检测数据PT2的单一频率可为f/3，检测数据PT3的单一频率可为f/5。再有，在预定的检测区域DAm写进的检测数据只要至少在相邻的轨道彼此频率互不相同即可。例如，不同的两种频率的检测数据可在相邻的轨道交替地记录于检测区域DAm。
图7是表示检测数据PT1、PT2及PT3的写进的定时的一例的图。
如图7所示，读取/写入控制部61在伺服门(gate)信号的脉冲为导通(on)的状态的时间TS1读入伺服区域SAm的伺服信息，并参照读入的伺服信息来执行头15的定位。然后，读取/写入控制部61在写入门信号的脉冲为导通的状态的时间TW1以瓦记录方式向用户区域UAm写进数据。例如，如图7所示，读取/写入控制部61在时间TW1内的最初时间TP1将检测数据PT1、PT2及PT3分别写进检测数据区域DDk－1、DDk及DDk+1。读取/写入控制部61在写进检测数据PT1～PT3的时间TP1以外的时间(TW1－TP1)向用户数据区域UDm写进数据。然后，读取/写入控制部61在伺服门信号的脉冲为导通的状态的时间TS2读入与下一带域对应的伺服区域SAm+1的伺服信息，并参照读取的伺服信息来执行头15的定位。
读取/写入控制部61参照伺服区域SAm的伺服信息而在读入用户数据区域UDm前读入检测区域DAm的检测数据PT1～PT3的至少一个。读取/写入控制部61将从检测区域DAm读入的数据向后述的位置检测部62输出。读取/写入控制部61参照从位置检测部62接受的数据来控制读入时的头15的定位的位置。
位置检测部62参照从检测区域DAm的预定位置读入的数据的再现波形(以下简称为再现波形)和偏离轨道位置信息来检测读取头15R在检测区域DAm的预定读取轨道处的偏离轨道位置。
偏离轨道位置信息包括表示各读取轨道的、再现波形的振幅与读取头15R的半径方向的偏离轨道位置之间的关系的信息。此外，偏离轨道位置信息包括以下信息：该信息表示再现波形所含的、或从再现波形检测的多个频率分量的信号波形的振幅的比例的分数值与读取头15R的偏离轨道位置之间的关系。偏离轨道位置信息在使用磁记录装置1前通过测定而取得，并存储于记录介质例如非易失性存储器80等。
位置检测部62分析再现波形的频率分量，并执行再现波形的频率分解处理例如FFT(Fast Fourier Transform，快速傅里叶变换)。位置检测部62通过频率分解处理而将再现波形的频率分解为频率分量。位置检测部62能参照通过频率分解处理而取得的至少一个频率分量的信号波形的振幅和偏离轨道位置信息来检测读取头15R的偏离轨道位置，再根据检测到的偏离轨道位置的信息来取得读取头15R的偏移量ΔH。
参照图8A、图8B、图8C、图8D及图8E来说明位置检测部62的偏移量的取得方法。
图8A是表示与近场光的照射范围的变化相伴的检测区域DAm的变化的一例的概念图。图8A(a)是表示在通常时的近场光的照射范围写进的检测区域DAm的一例的图，图8A(b)是表示在近场光的照射范围变化后写进的检测区域DAm的一例的图。如图8A(b)所示，假设近场光的变化后的读取轨道k－1的轨道中心TC’k－1、读取轨道k的轨道中心TC’k、读取轨道k+1的轨道中心TC’k+1。在从图8A(a)变化为图8A(b)的情况下，近场光的照射范围扩大。此时，变化后的轨道中心TC’k－1、TC’k及TC’k+1分别从通常时的轨道中心TCk－1、TCk及TCk+1在半径方向上移动ΔH。在图8A(b)中，表示了参照伺服区域SAm的伺服信息而定位于变化后的检测区域DAm时的读取头15R。此外，在图8A(b)中，表示了通常时的轨道中心TCk－1，以作为参照伺服区域SAm的伺服信息而定位于变化后的检测区域DAm时的读取头15R的目标位置。
图8B是表示图8A(b)所示的检测区域DAm中的再现波形的振幅与偏离轨道位置之间的关系的一例的图。在图8B中，纵轴表示再现波形的振幅，横轴表示读取头15R的半径方向的位置。信号曲线(profile，轮廓线)SW1表示检测数据区域DDk－1的再现波形的振幅与读取头15R的偏离轨道位置之间的关系，信号曲线SW2表示检测数据区域DDk的再现波形的振幅与读取头15R的偏离轨道位置之间的关系。半径位置P1是图8A(b)所示的变化后的读取轨道k－1的轨道中心TC’k－1。半径位置P2是图8A(b)所示的变化后的读取轨道k的轨道中心TC’k。半径位置P3是图8A(b)所示的变化后的轨道k－1从轨道中心TC’k－1离开偏移量ΔH后的位置。即、半径位置P3是参照通常时的检测区域DAm的伺服区域SAm的伺服信息而定位于变化后的检测区域DAm时的读取头15R的位置。参照标记S31是半径位置P3处的信号曲线SW1的振幅，参照标记S32是半径位置P3处的信号曲线SW2的振幅。图8B与图8A(b)所示的变化后的预定用户区域UAm中的检测区域DAm对应。
图8C、图8D及图8E是表示再现波形的振幅与时间之间的关系的一例的图。在图8C至图8E中，纵轴表示再现波形的振幅，横轴表示时间。此外，在图8C至图8E中，T1、T2表示预定的时间。图8C表示与图8B的半径位置P1对应的检测数据区域DDk－1的轨道中心TC’k－1的再现波形的振幅与时间之间的关系，图8D表示与图8B的半径位置P2对应的检测数据区域DDk的轨道中心TC’k的再现波形的振幅与时间之间的关系，图8E表示与图8B的半径位置P3对应的检测数据区域DDk－1的从轨道中心TC’k－1偏离轨道ΔH后的位置的再现波形的振幅与时间之间的关系。图8C中，表示了读入检测数据PT1后的再现波形WF1，图8D中，表示了读入检测数据PT2后的再现波形WF2，图8E中，表示了再现波形WF1和再现波形WF2的混合波形。再现波形WF1和再现波形WF2是不同的频率。
位置检测部62在对半径位置P1的检测数据区域DDk－1进行了读入的情况下，取得图8C的检测数据PT1的再现波形WF1。位置检测部62分析该再现波形WF1的频率分量，对该再现波形WF1进行频率分解处理。位置检测部62通过分解处理而取得检测数据PT1所具有的频率的信号波形的振幅S1。位置检测部62参照图8B所示那样的偏离轨道位置信息和信号波形的振幅S1来检测读取头15R位于轨道k－1的半径位置P1这一情况。
位置检测部62在对半径位置P2的检测数据区域DDk进行了读入的情况下，取得图8D的检测数据PT2的再现波形WF2。位置检测部62分析该再现波形WF2的频率分量，对该再现波形WF2进行频率分解处理。位置检测部62通过分解处理而取得检测数据PT2所具有的频率的信号波形的振幅S2。位置检测部62参照图8B所示那样的信号曲线SW1即偏离轨道位置信息和信号波形的振幅S2，来检测读取头15R位于轨道k的半径位置P2这一情况。
位置检测部62在对半径位置P3的检测数据区域DDk进行了读入的情况下，取得在相邻的轨道k－1和轨道k分别写进了的检测数据PT1及PT2的混合波形(图8E所示的WF1+WF2)。位置检测部62分析该再现波形WF2的频率分量，对该再现波形WF2进行频率分解处理。位置检测部62取得对该混合波形进行分解处理而取得的多个信号波形的振幅的分数值例如两个信号波形的振幅之比S31/S32。位置检测部62可参照偏离轨道位置信息和取得的多个信号波形的振幅的分数值例如两个信号波形之比S31/S32，来检测读取头15R位于轨道k－1的半径位置P3这一情况。
图9是读入处理的流程图。
在图9中，在预定的带域BAn的检测区域DAm的各轨道写进检测数据。这些检测数据分别是与相邻的检测数据互为素数的单一频率的数据。
MPU60在伺服区域SAm进行读入(B901)，并参照伺服信息来在检测区域DAm进行读入(B902)。
MPU60对再现波形执行频率分解处理(B903)。
MPU60取得信号波形的振幅的信息来作为频率分解处理的结果(B904)。
MPU60参照信号波形的振幅的信息和偏离轨道位置信息来取得读取头15R的偏离轨道位置(B905)。
MPU60基于偏离轨道位置来取得偏移量(B906)，并基于取得的偏移量来执行读入处理(B907)。
根据本实施方式，磁记录装置1在写进数据时在带域BAn的检测区域DAm的多个轨道分别写进互不相同的频率的多个检测数据。磁记录装置1在读入数据时，在检测区域DAm进行读入，并参照从检测区域DAm读出的信号波形的振幅和偏离轨道位置信息来取得头15的偏移量。
因此，磁记录装置1在写入头15W所形成的写入轨道宽度相应于近场光的照射范围的变化而变化的情况下，也能基于头15的偏移量来控制读取头15R的读入位置。其结果，在写入头15W所形成的写入轨道宽度变化了的情况下，磁记录装置1也能在带域BAn内在成为对象的读取轨道正确地进行读入。这样，能实现可进行高密度记录的热辅助磁记录方式的磁记录装置。
虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式只是例示，而不是用于限定发明的范围。这些新实施方式可以以其他各种方式实施，在不脱离发明的要旨的范围，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包括于发明的范围和/或要旨中，也包括于技术方案记载的发明及其均等的范围中。

Claims (6)

1.一种磁记录装置，其中，
具备：
盘，其具有轨道组，该轨道组包括伺服区域和第一轨道及第二轨道，所述第二轨道与所述第一轨道部分重叠；
光照射元件，其照射对所述盘进行加热的光；
头，其具备写入头和读取头，所述写入头在所述盘的通过所述光照射元件照射的所述光加热了的范围写进数据，所述读取头从所述盘的所述轨道组内的轨道读入数据；以及
控制器，其在所述轨道组的第一区域写进对偏移量进行检测的第一数据，参照所述伺服区域的伺服信息来从所述第一区域读入所述第一数据，基于所述读入的第一数据的第一信号的振幅来检测所述读取头的偏移量，基于所述偏移量来控制所述读取头的位置；
所述控制器，对包括从所述第一区域的预定位置读入的所述第一数据的第二信号和频率与所述第二信号不同的第三信号的所述第一信号的频率分量进行分析，并将所述第一信号分解为所述第二信号的第二频率分量和所述第三信号的第三频率分量，
所述控制器，基于所述第二频率分量的第二振幅和所述第三频率分量的第三振幅来检测所述偏移量。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置，其中，
所述控制器，参照所述第二振幅与所述第三振幅的分数值、和表示所述读取头在多个轨道的各个轨道的偏离轨道的位置与所述分数值之间的关系的信息，来检测所述偏移量。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录装置，其中，
所述控制器，在对所述轨道组进行读入时，首先在所述第一区域进行读入。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录装置，其中，
所述控制器，在紧邻伺服信息之前或紧接伺服信息之后设定所述第一区域。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置，其中，
所述第二频率分量和所述第三频率分量是互为素数的单一频率。
6.一种读入方法，其用于磁记录装置，该磁记录装置具备：盘，其具有轨道组，该轨道组包括伺服区域和第一轨道及与所述第一轨道部分重叠的第二轨道；光照射元件，其照射对所述盘进行加热的光；以及头，其具备写入头和读取头，所述写入头在所述盘的通过所述光照射元件照射的所述光加热了的范围写进数据，所述读取头从所述盘的所述轨道组内的轨道读入数据，
该读入方法中，
在所述轨道组的第一区域写进对偏移量进行检测的第一数据，
参照所述伺服区域的伺服信息来从所述第一区域读入所述第一数据，
基于所述读入的第一数据的第一信号的振幅来检测所述读取头的偏移量，
基于所述偏移量来控制所述读取头的位置，
对包括从所述第一区域的预定位置读入的所述第一数据的第二信号和频率与所述第二信号不同的第三信号的所述第一信号的频率分量进行分析，并将所述第一信号分解为所述第二信号的第二频率分量和所述第三信号的第三频率分量，
基于所述第二频率分量的第二振幅和所述第三频率分量的第三振幅来检测所述偏移量。
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