JP7225147B2 - 磁気ディスク装置及びヘッドの調整方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びヘッドの調整方法に関する。

磁気ディスク装置の高記録密度化及び高記録容量化を実現するために、高周波（マイクロ波）アシスト磁気記録型式（Microwave Assisted Magnetic Recording : MAMR）や、熱アシスト磁気記録（Thermally Assisted Magnetic Recording : TAMR）型式等が開発されている。高周波アシスト記録型式は、記録電流が印加されることで励磁されて記録磁界を発生する記録磁極（主磁極）と高周波発振子とを有する磁気ヘッドを使用し、高周波発振子に通電することで発生する高周波磁界をディスクに印加することによって、高周波磁界を印加したディスクの部分の保磁力を低下させる技術である。熱アシスト磁気記録型式は、ディスクに向かって照射光を照射する光照射素子を有する磁気ヘッドを使用し、光照射素子の先端からディスクに照射光を照射してディスクを局所的に加熱することで、加熱されたディスクの部分の保磁力を低下させる技術である。

米国特許第６９５６７１０号明細書 米国特許第８８１０９５４号明細書 米国特許第９８７０７８９号明細書

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、信頼性を向上可能な磁気ディスク装置及びヘッドの調整方法を提供することである。

本実施形態に係る磁気ディスク装置は、第１面を有する第１ディスクと、前記第１面と異なる第２面を有する第２ディスクと、前記第１面に第１記録密度でデータをライトする第１ライトヘッドと、前記第１ライトヘッドによるライト性能を高める第１エネルギを前記第１面に向かって発生させる第１アシスト素子とを有する第１ヘッドと、前記第２面に第２記録密度でデータをライトする第２ライトヘッドと、前記第２ライトヘッドによるライト性能を高める第２エネルギを前記第２面に向かって発生させる第２アシスト素子とを有する第２ヘッドと、前記第１ヘッドで前記第１ディスクにライトできる第１記録容量と前記第２ヘッドで前記第２ディスクにライトできる第２記録容量とに応じて前記第１記録密度及び前記第２記録密度の少なくとも一方を変更するコントローラと、を備える。前記コントローラは、前記第１記録容量及び前記第２記録容量に応じて前記第１アシスト素子に供給する第３エネルギと前記第２アシスト素子に供給する第４エネルギとの内の少なくとも一方を変更する。

図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係るディスク及びヘッドの一例を示す拡大断面図である。 図３は、第１実施形態に係るディスクに対するヘッドの配置の一例を示す模式図である。 図４は、各ヘッドの記録密度のテーブルの一例を示す図である。 図５は、各ディスクの記録面の記録容量のテーブルの一例を示す図である。 図６は、各ヘッドのアシスト素子から発生されるエネルギのアシスト量のテーブルの一例を示す図である。 図７は、各ヘッドのアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量のテーブルの一例を示す図である。 図８は、第１実施形態に係る素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係の一例を示す図である。 図９は、第１実施形態に係るヘッドの調整方法の一例を示すフローチャートである。 図１０は、変形例１に係るヘッドの調整方法の一例を示すフローチャートである。 図１１は、第２実施形態に係るヘッドの調整方法の一例を示すフローチャートである。 図１２は、第３実施形態に係るヘッドの一例を示す拡大断面図である。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。

ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。ディスク１０は、少なくとも１つのディスク１０を含む。例えば、ディスク１０は、複数のディスク１０を有する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータ１６を構成している。アーム１３は、少なくとも１つのアーム１３を含む。例えば、アーム１３は、複数のアーム１３を有する。ヘッド１５は、少なくとも１つのヘッド１５を含む。例えば、ヘッド１５は、複数のヘッド１５を有する。アクチュエータ１６は、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。なお、アクチュエータ１６は、２つ以上設けられていてもよい。

ディスク１０は、そのデータをライト可能な領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域ＵＡと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリアＳＡとが割り当てられている。ディスク１０は、表側の記録面（以下、単に、表面と称する場合もある）と、表側の記録面と反対側の裏側の記録面（以下、裏面と称する場合もある）とを有している。ディスク１０の記録面及び裏面は、それぞれ、ユーザデータ領域ＵＡとシステムエリアＳＡとが割り当てられている。なお、ディスク１０は、ユーザデータ領域ＵＡ及びシステムエリアＳＡの他にメディアキャッシュ領域がさらに割り当てられていてもよい。以下、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向、又はディスク１０の外周から内周へ向かう方向を半径方向と称する。半径方向において、内周から外周へ向かう方向を外方向（外側）と称し、外周から内周へ向かう方向を内方向（内側）と称する。ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。円周方向は、ディスク１０の円周に沿った方向に相当する。また、ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置及び円周位置をまとめて単に位置と称する場合もある。ディスク１０（例えば、ユーザデータ領域ＵＡ）は、半径方向に所定の範囲で複数の領域に区分されている。半径方向の所定の範囲で区分されたディスク１０の領域をゾーンと称する場合もある。ゾーンは、複数のトラックを含む。トラックは、複数のセクタを含む。なお、“トラック”は、ディスク１０の半径方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、所定の半径位置におけるヘッド１５の経路、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、所定の半径位置のトラックにライトされた１周分のデータ、トラックにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“セクタ”は、トラックを円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“ディスク１０にライトしたトラック”を“ライトトラック”と称し、“ディスク１０からリードするトラック”を“リードトラック”と称する場合もある。“ライトトラック”を単に“トラック”と称する場合もあるし、“リードトラック”を単に“トラック”と称す場合もあるし、“ライトトラック”及び“リードトラック”をまとめて“トラック”と称する場合もある。 “トラックの半径方向の幅”を“トラック幅”と称する場合もある。“ライトトラックの半径方向の幅”を“ライトトラック幅”と称し、“リードトラックの半径方向の幅”を“リードトラック幅”と称する場合もある。“ライトトラック幅及びリードトラック幅”をまとめて単に“トラック幅”と称する場合もある。“所定のトラックにおけるトラック幅の中心位置を通る経路”を“トラックセンタ”と称する。“所定のライトトラックにおけるライトトラック幅の中心位置を通る経路”を“ライトトラックセンタ”と称し、“リードトラックのリードトラック幅の中心位置を通る経路”を“リードトラックセンタ”と称する場合もある。“ライトトラックセンタ及びリードトラックセンタ”をまとめて単に“トラックセンタ”と称する場合もある。

ヘッド１５は、ディスク１０に対向している。例えば、ディスク１０の１つの面に１つのヘッド１５が対向している。ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０にライトされたデータをリードする。なお、“ライトヘッド１５Ｗ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒ”をまとめて“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部”を“ヘッド１５”と称し、“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を“ライトヘッド１５Ｗ”と称し、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を“リードヘッド１５Ｒ”と称する場合もある。“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部を所定のトラックのトラックセンタに位置決めする”ことを“ヘッド１５を所定のトラックに位置決めする”、“ヘッド１５を所定のトラックに配置する”、又は“ヘッド１５を所定のトラックに位置する”等で表現する場合もある。

図２は、本実施形態に係るディスク１０及びヘッド１５の一例を示す拡大断面図である。図２において、ディスク１０の回転方向Ｂと空気流Ｃの方向とは一致している。以下、ヘッド１５からディスク１０へ向かう方向を下方向又は、単に、下と称し、ディスク１０からヘッド１５へ向かう方向を上方向又は、単に、上と称する。「所定の層の上の他の層」及び「所定の層の下の他の層」というような表現をした場合、他の層は、所定の層に接していてもよいし、所定の層から離れて位置していてもよい。
図２に示した例では、ディスク１０は、基板１１１と、軟磁性層１１２と、磁気記録層１１３と、保護膜層１１４とが順に積層されている。基板１１１は、円板状の非磁性体で形成されている。軟磁性層１１２は、基板１１１の上に位置している。軟磁性層１１２は、軟磁気特性を示す材料で形成されている。磁気記録層１１３は、軟磁性層１１２の上に位置している。磁気記録層１１３は、ディスク１０の表面（磁気記録層１１３の表面又は保護膜層１１４の表面）に対して垂直方向に磁気異方性を有する。保護膜層１１４は、磁気記録層１１３の上に位置している。

図２に示した例では、ヘッド１５は、スライダ１５０を備えている。スライダ１５０は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）とで形成されている。スライダ１５０は、ディスク１０の表面、例えば、保護膜層１１４に対向するディスク対向面（エア・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ））１５１と、空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端１５３とを有している。リードヘッド１５Ｒおよびライトヘッド１５Ｗの一部は、ディスク対向面１５１に露出している。

リードヘッド１５Ｒは、磁性膜１６１と、シールド膜１６２と、シールド膜１６３とで構成されている。磁性膜１６１は、シールド膜１６２とシールド膜１６３との間に位置し、磁気抵抗効果を生じる。シールド膜１６２は、磁性膜１６１に対してトレーリング端１５３側に位置する。シールド膜１６３は、シールド膜１６２と対向している。磁性膜１６１、シールド膜１６２、及びシールド膜１６３の下端は、ディスク対向面１５１に露出している。

ライトヘッド１５Ｗは、リードヘッド１５Ｒに対して、スライダ１５０のトレーリング端１５３側に設けられている。ライトヘッド１５Ｗは、主磁極１７１と、トレーリングシールド（ライトシールド）１７２と、絶縁体１７３と、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように配置された記録コイル１８０と、磁束制御部（アシスト素子）、例えば、スピントルク発振子（spin torque osillator：ＳＴＯ）２００と、を備えている。

主磁極１７１は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。主磁極１７１は、ディスク１０の磁気記録層１１３を磁化させるために、ディスク１０の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる。図示した例では、主磁極１７１は、ディスク対向面１５１に対してほぼ垂直に延出している。主磁極１７１のディスク対向面１５１側の先端部１７１ａの下面は、ディスク対向面１５１に露出している。主磁極１７１の先端部１７１ａは、ディスク対向面１５１に向かって先細に絞り込まれ、他の部分に対して幅の狭い柱状に形成されている。主磁極１７１の先端部１７１ａのクロストラック方向の幅は、ライトトラックのトラック幅にほぼ対応している。クロストラック方向は、例えば、半径方向に沿った方向である。

ライトシールド１７２は、高飽和磁束密度を有する軟磁性体からなる。ライトシールド１７２は、主磁極１７１直下の軟磁性層１１２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。ライトシールド１７２は、主磁極１７１に対してトレーリング端１５３側に位置している。ライトシールド１７２は、絶縁体１７３を介して主磁極１７１に連結している。主磁極１７１とライトシールド１７２とは、電気的に絶縁され、且つ磁気回路を形成している。ライトシールド１７２は、略Ｌ字形状に形成され、ディスク対向面１５１側に主磁極１７１の先端部１７１ａにライトギャップを置いて対向する先端部１７２ａを有している。先端部１７２ａの下面は、スライダ１５０のディスク対向面１５１に露出している。

記録コイル１８０は、主磁極１７１に磁束を流すために主磁極１７１およびライトシールド１７２を含む磁気回路に巻きつくように設けられている。記録コイル１８０は、例えば、主磁極１７１とライトシールド１７２との間に設けられている。記録コイル１８０に所定の大きさの電流（ライト電流、又は記録電流と称する）が供給されることで、主磁極１７１及びライトシールド１７２に記録磁界が励起される。そのため、主磁極１７１及びライトシールド１７２が磁化される。この磁化された主磁極１７１及びライトシールド１７２を流れる磁束によりディスク１０の磁気記録層１１３の記録ビットの磁化方向を変化させることで、ディスク１０に記録電流に応じた磁化パターンを記録する。

アシスト素子、例えば、ＳＴＯ２００は、主磁極１７１の先端部１７１ａ及びライトシールド１７２の先端部１７２ａの間の隙間（以下、ライトギャップと称する場合もある）に設けられている。ＳＴＯ２００は、例えば、非磁性導電層からなる下地層と、スピン注入層と、中間層と、発振層と、非磁性導電層からなるギャップ層とを主磁極１７１の先端部１７１ａ側からライトシールド１７２の先端部１７２ａ側に順に積層された構造を有する。

アシスト素子は、所定の大きさ（以下、素子エネルギ量と称する場合もある）のエネルギ（以下、素子エネルギ又はアシストエネルギと称する場合もある）が印加されることで、ライトヘッド１５Ｗによるディスク１０へのライト処理を補助する又はライト性能を高める所定の大きさ（以下、アシスト量と称する場合もある）のエネルギ、例えば、高周波磁界をディスク１０に対して発生する。例えば、ＳＴＯ２００は、素子エネルギとして所定の大きさ（以下、電流値と称する場合もある）の電流（以下、駆動電流、バイアス（bias）電流、又はアシスト電流と称する）又は所定の大きさ（以下、電圧値と称する場合もある）の電圧（以下、駆動電圧、バイアス（bias）電圧、又はアシスト電圧と称する）が印加されることで、ライトギャップ内に発生したギャップ磁界により、磁化が一様に回転し（スピンの歳差運動）、ディスク１０に向かって記録信号の周波数と比較して十分に周波数の高い高周波磁界（マイクロ波）を発生させる。ＳＴＯ２００は、ディスク１０の磁気記録層１１３に高周波磁界を印加することで、磁気記録層１１３の保磁力を低減する。ＳＴＯ２００でスピンの歳差運動が大きく発生している場合、ＳＴＯ２００の透磁率は、空気の透磁率と同等まで低い状態になる。そのため、主磁極１７１からの磁束は、ライトギャップ（ＳＴＯ２００）よりもディスク１０の方へ流れ易くなる。一方、ＳＴＯ２００でスピンの歳差運動が発生していない、又は通常よりも小さく発生している場合、ＳＴＯ２００の透磁率は、空気の透磁率よりも高い状態になる。そのため、主磁極１７１からの磁束は、ディスク１０よりもライトギャップ（ＳＴＯ２００）の方へ流れ易くなる。以下、“アシスト素子に素子エネルギを供給してライト処理を補助するエネルギをディスク１０に発生させながらディスク１０にデータをライトするライト処理”又は“アシスト素子に素子エネルギを供給してライト性能を高めるエネルギをディスク１０の発生させながらディスク１０にデータをライトするライト処理”等を“アシスト記録”と称する。例えば、“ＳＴＯ２００にアシスト電流又はアシスト電圧を供給してディスク１０に高周波磁界を発生させながらデータをライトするアシスト記録”を“高周波アシスト記録”と称する場合もある。“アシスト記録する“ことを単に“ライトする“と称する場合もある。ディスク１０へのライト処理を補助する効果をアシスト効果と称する場合もある。例えば、アシスト素子から発生するエネルギのアシスト量は、アシスト素子に供給される素子エネルギ量に応じて変化する。例えば、アシスト素子に供給される素子エネルギ量が大きくなると、アシスト素子から発生するエネルギのアシスト量も大きくなる。また、例えば、素子エネルギ量に供給される素子エネルギ量が小さくなると、アシスト素子から発生するエネルギのアシスト量も小さくなる。なお、アシスト素子から発生するエネルギのアシスト量は、アシスト素子に供給される素子エネルギ量に応じて変化しなくともよい。

図３は、本実施形態に係るディスク１０に対するヘッド１５の配置の一例を示す模式図である。
図３において、ディスク１０は、ディスク１０－１、ディスク１０－２、…、ディスク１０－Ｎを有する。ディスク１０－１は、表面Ｓ０及び表面Ｓ０の反対側の裏面Ｓ１を有する。ディスク１０－２は、表面Ｓ２及び表面Ｓ２の反対側の裏面Ｓ３を有する。ディスク１０－Ｎは、表面ＳＮ－１及び表面ＳＮ－１の反対側の裏面ＳＮを有する。

図３において、ヘッド１５は、ヘッド１５－０、ヘッド１５－１、ヘッド１５－２、ヘッド１５－３、…、ヘッド１５－（Ｎ－１）、ヘッド１５－Ｎを有する。ヘッド１５－０は、表面Ｓ０に対向している。ヘッド１５－０は、表面Ｓ０にデータをライトし、表面Ｓ０からデータをリードする。ヘッド１５－１は、裏面Ｓ１に対向している。ヘッド１５－１は、裏面Ｓ１にデータをライトし、裏面Ｓ１からデータをリードする。ヘッド１５－２は、表面Ｓ２に対向している。ヘッド１５－２は、表面Ｓ２にデータをライトし、表面Ｓ２からデータをリードする。ヘッド１５－３は、裏面Ｓ３に対向している。ヘッド１５－３は、裏面Ｓ３にデータをライトし、裏面Ｓ３からデータをリードする。ヘッド１５－（Ｎ－１）は、記録面ＳＮ―１に対向している。ヘッド１５－（Ｎ－１）は、表面ＳＮ－１にデータをライトし、裏面ＳＮ－１からデータをリードする。ヘッド１５－Ｎは、裏面ＳＮに対向している。ヘッド１５－Ｎは、裏面ＳＮにデータをライトし、裏面ＳＮからデータをリードする。以下、磁気ディスク装置１に搭載された少なくとも１つのディスク１０の記録容量の合計を合計容量と称する場合もある。合計容量は、例えば、各所定のヘッド１５で各ディスク１０にライト可能な記録容量の合計に相当する。図３に示した例では、合計容量は、ヘッド１５－０でディスク１０－１の表面Ｓ０にライト可能なデータの記録容量、ヘッド１５－１でディスク１０－１の裏面Ｓ１にライト可能なデータの記録容量、ヘッド１５－２でディスク１０－２の表面Ｓ２にライト可能なデータの記録容量、ヘッド１５－３でディスク１０－２の裏面Ｓ３にライト可能なデータの記録容量、…、ヘッド１５－（Ｎ－１）でディスク１０－Ｎにライト可能なデータの表面ＳＮ－１の記録容量、及び、ヘッド１５－Ｎでディスク１０－Ｎにライト可能なデータの裏面ＳＮの記録容量の合計である。なお、合計容量は、磁気ディスク装置１の全てのディスク１０の記録面の記録容量の合計であってもよいし、磁気ディスク装置１の幾つかのディスク１０の記録面の記録容量の合計であってもよいし、磁気ディスク装置１の１つのディスク１０の記録面の記録容量であってもよい。

ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ、及びライトドライバなどを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。ライトドライバは、例えば、記録電流制御回路３１０及び素子エネルギ制御回路などを含む。記録電流制御回路３１０は、記録コイル１８０に電気的に接続され、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力されるライトデータに応じた記録電流を記録コイル１８０に供給する。例えば、記録電流制御回路３１０は、システムコントローラ１３０（ＭＰＵ６０）の制御に応じて記録電流を記録コイル１８０に供給する。素子エネルギ制御回路３２０は、アシスト素子、例えば、ＳＴＯ２００に電気的に接続され、システムコントローラ１３０、例えば、ＭＰＵ６０の制御に応じてＳＴＯ２００に所定の素子エネルギ、例えば、所定のアシスト電流又は所定のアシスト電圧を印加する。

揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。

不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。

バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。

システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ６０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。

ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。Ｒ／Ｗチャネル５０は、ライトデータを変調する回路、又は機能を有している。また、Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。

ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。

ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１０、測定部６２０、及び記録密度／エネルギ制御部６３０などを備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、測定部６２０、及び記録密度／エネルギ制御部６３０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、測定部６２０、及び記録密度／エネルギ制御部６３０等を回路として備えていてもよい。

リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００等からのコマンド等に従って、データのライト処理及びリード処理を制御する。リード／ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０の目的位置に位置決めしてライト処理又はリード処理を実行する。リード／ライト制御部６１０は、アシスト素子、例えば、ＳＴＯ２００に素子エネルギ、例えば、アシスト電流又はアシスト電圧を供給してディスク１０にライト処理を補助するエネルギ、例えば、高周波磁界を発生させながらディスク１０にデータをライト（アシスト記録）する。なお、リード／ライト制御部６１０は、アシスト素子、例えば、ＳＴＯ２００に素子エネルギ、例えば、アシスト電流又はアシスト電圧を供給しないことによりアシスト効果なしでディスク１０にデータをライトしてもよい。

測定部６２０は、各ディスク１０及び各ヘッド１５の特性を測定する。測定部６２０は、各ヘッド１５のアシスト素子の寿命（以下、素子寿命と称する場合もある）を測定する。素子寿命は、例えば、アシスト素子の消耗度合い（若しくは消耗レベル）又は劣化度合い（若しくは劣化レベル）に相当する。例えば、素子寿命が長い場合にはアシスト素子の消耗度合いは小さく、素子寿命が短い場合にはアシスト素子の消耗度合いが大きい。測定部６２０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給し、各アシスト素子の素子寿命を測定する。測定部６２０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給して測定した各アシスト素子の素子寿命に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得する。例えば、測定部６２０は、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を供給して各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００の素子寿命を測定する。測定部６２０は、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を供給して測定した各ヘッド１５の各ＳＴＯの素子寿命に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得する。測定部６０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいて素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得してもよい。なお、各ヘッド１５の各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給して所定のアシスト量のエネルギを発生させた各アシスト素子の素子寿命を測定してもよい。測定部６２０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給して各アシスト素子から所定のアシスト量のエネルギを発生させて測定した各アシスト素子の素子寿命に基づいて、各ヘッド１５に対応するアシスト量及び素子寿命の関係を取得してもよい。測定部６０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいてアシスト量及び素子寿命の関係を取得してもよい。

測定部６２０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を測定する。素子寿命は、アシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量を決定する値（以下、素子エネルギ決定値と称する場合もある）、例えば、アシスト素子の抵抗（以下、素子抵抗と称する場合もある）の値（以下、素子抵抗値と称する場合もある）に相関し得る。測定部６２０は、所定の素子エネルギ決定値を有するアシスト素子に素子エネルギを供給して素子エネルギ量を測定する。測定部６２０は、所定の素子エネルギ決定値を有するアシスト素子に素子エネルギを供給して測定した素子エネルギ量に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係を取得する。例えば、測定部６２０は、所定の素子抵抗値の素子抵抗を含む各ＳＴＯ２００にアシスト電流若しくはアシスト電圧を印加して各ＳＴＯに印加しているアシスト電流のアシスト電流値若しくはアシスト電圧のアシスト電圧値を測定する。測定部６２０は、所定の素子抵抗値の素子抵抗を含む各ＳＴＯ２００にアシスト電流若しくはアシスト電圧を印加して測定した各ＳＴＯに印加しているアシスト電流のアシスト電流値若しくはアシスト電圧のアシスト電圧値に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値（例えば、素子抵抗）の関係を取得する。なお、測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいて素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係を取得してもよい。測定部６２０は、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び素子寿命の関係を推定してもよい。

なお、測定部６２０は、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を測定してもよい。測定部６２０は、所定の素子エネルギ決定値を有するアシスト素子に素子エネルギを供給して発生させたエネルギのアシスト量を測定してもよい。測定部６２０は、所定の素子エネルギ決定値を有するアシスト素子に素子エネルギを供給して測定したこのアシスト素子から発生したエネルギのアシスト量に基づいて、各ヘッド１５に対応するアシスト量及び素子エネルギ決定値の関係を取得してもよい。また、測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいてアシスト量及び素子エネルギ決定値の関係を取得してもよい。測定部６２０は、各ヘッド１５に対応するアシスト量及び素子エネルギ決定値の関係に基づいて、各ヘッド１５に対応するアシスト量及び素子寿命の関係を推定してもよい。

測定部６２０は、各ヘッド１５に対応するエラーレートを測定する。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域でエラーレートを測定する。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の各領域で測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得する。例えば、測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の各ゾーン若しくは各トラックでエラーレート、例えば、ＢＥＲ（Bit Error Rate）を測定する。測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の各ゾーン若しくは各トラックで測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得する。また、例えば、測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の幾つかのゾーン若しくは幾つかのトラックでエラーレート、例えば、ＢＥＲを測定する。測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の幾つかのゾーン若しくは幾つかのトラックで測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得する。測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいて素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得してもよい。なお、測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給してディスク１０に向かって所定のアシスト量のエネルギを発生する各ヘッド１５でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域でエラーレートを測定してもよい。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給してディスク１０に所定のアシスト量のエネルギを発生する各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の各領域で測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応するアシスト量及びエラーレートの関係を取得してもよい。測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいてアシスト量及びエラーレートの関係を取得してもよい。

測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５により所定の記録密度でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域でエラーレートを測定する。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５により所定の記録密度でデータをライトした各ディスク１０の各領域で測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び記録密度の関係を取得する。例えば、測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５により所定の記録密度、例えば、所定の線記録密度（ＢＰＩ：Bit Per Inch）及び所定のトラック密度（ＴＰＩ：Track Per Inch）でデータをライトした各ディスク１０の各ゾーン若しくは各トラックでエラーレート、例えば、ＢＥＲを測定する。“記録密度”は、“ＢＰＩ”及び“ＴＰＩ”の少なくとも一方を含む。測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいて素子エネルギ量及び記録密度の関係を取得してもよい。測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５により所定の記録密度でデータをライトした各ディスク１０の各ゾーン若しくは各トラックで測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する記録密度及びエラーレートの関係を取得する。また、例えば、測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５により所定の記録密度、例えば、所定のＢＰＩ及び所定のＴＰＩでデータをライトした各ディスク１０の幾つかのゾーン若しくは幾つかのトラックのエラーレート、例えば、ＢＥＲを測定してもよい。測定部６２０は、各ＳＴＯ２００に所定のアシスト電流値のアシスト電流若しくは所定のアシスト電圧値のアシスト電圧を印加した各ヘッド１５により所定の記録密度でデータをライトした各ディスク１０の幾つかのゾーン若しくは幾つかのトラックで測定したエラーレートに基づいて、各ヘッド１５に対応する記録密度及びエラーレートの関係を取得してもよい。測定部６２０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルに基づいて記録密度及びエラーレートの関係を取得してもよい。

測定部６２０は、測定した各ヘッド１５及び各ディスク１０の特性、例えば、素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係、素子エネルギ量及びエラーレートの関係、記録密度及びエラーレートの関係、アシスト量及び素子寿命の関係、アシスト量及び素子エネルギ決定値の関係、及びアシスト量及びエラーレートの関係などを所定の記録領域、例えば、各ディスク１０の所定の領域、各ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに記録してもよい。なお、測定部６２０は、ＭＰＵ６０に設けられていなくともよい。各ヘッド１５及び各ディスク１０の特性、例えば、素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係、素子エネルギ量及びエラーレートの関係、記録密度及びエラーレートの関係、アシスト量及び素子寿命の関係、アシスト量及び素子エネルギ決定値の関係、及びアシスト量及びエラーレートの関係などは、磁気ディスク装置１以外の他の機器により測定され、所定の記録領域、例えば、各ディスク１０の所定の領域、各ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに記録されていてもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５に対応する記録密度と各ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量とを調整（設定又は制御）する。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５に対応するＢＰＩ及びＴＰＩ（Track Per Inch）の少なくとも一方と各ヘッド１５のＳＴＯ２００に供給するアシスト電流のアシスト電流値若しくはアシスト電圧のアシスト電圧値を調整（設定又は制御）する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度と素子エネルギの素子エネルギ量とをヘッド１５毎に調整（設定又は制御）する。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、ＢＰＩ及びＴＰＩの少なくとも一方とアシスト電流のアシスト電流値若しくはアシスト電圧のアシスト電圧値とをヘッド１５毎に調整（設定又は制御）する。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程において、各ヘッド１５の記録密度を初期値に設定された記録密度（以下、初期記録密度と称する場合もある）に調整（又は設定）し、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギ量を初期値に設定された素子エネルギ量（以下、初期エネルギ量と称する場合もある）に調整（又は設定）する。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＢＰＩを初期値に設定されたＢＰＩ（以下、初期ＢＰＩと称する場合もある）に調整（又は設定）し、各ヘッド１５に対応するＴＰＩを初期値に設定されたＴＰＩ（以下、初期ＴＰＩと称する場合もある）に調整（又は設定）し、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に印加するアシスト電流を初期値に設定されたアシスト電流値（以下、初期アシスト電流値と称する場合もある）に調整（又は設定）する。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＢＰＩを初期ＢＰＩに調整（又は設定）し、各ヘッド１５に対応するＴＰＩを初期ＴＰＩに調整（又は設定）し、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に印加するアシスト電圧を初期値に設定されたアシスト電圧値（以下、初期アシスト電圧値と称する場合もある）に調整（又は設定）する。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＢＰＩを初期ＢＰＩに調整し、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に印加するアシスト電流（又はアシスト電圧）のアシスト電流値（又はアシスト電圧値）を初期アシスト電流値（又は初期アシスト電圧値）に調整してもよい。また、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＴＰＩを初期ＴＰＩに調整し、各ヘッド１５の各ＳＴＯ２００に印加するアシスト電流（又はアシスト電圧）のアシスト電流値（又はアシスト電圧値）を初期アシスト電流値（又は初期アシスト電圧値）に調整してもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに各ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩ）の設定値をテーブルとして記録していてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５に対応する記録密度の設定値を参照して、各ヘッド１５に対応する記録密度を制御する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録された各ヘッド１５に対応する記録密度の設定値を変更することで各ヘッド１５に対応する記録密度を変更（設定又は調整）する。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに各ディスク１０の記録容量の設定値をテーブルとして記録していてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５に対応する記録密度の設定値の変更に応じてテーブルに記録した各ヘッド１５に対応する各ディスク１０の記録容量の設定値を変更することで、各ディスク１０の記録容量を変更（設定又は調整）してもよい。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ディスク１０の記録容量の設定値を変更することで、各ヘッド１５に対応する記録密度を変更（設定又は調整）し、各ディスク１０の記録容量を変更（設定又は調整）してもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに各ヘッド１５の各アシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）から発生させるエネルギのアシスト量の設定値をテーブルとして記録していてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量の設定値を参照して、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を制御する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量の設定値を変更することで、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を変更（設定又は調整）する。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量の設定値を変更することで、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を変更（設定又は調整）し、各ディスク１０の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を変更（設定又は調整）してもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、所定の記録領域、例えば、ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量の設定値をテーブルとして記録していてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５の各アシスト素子の素子エネルギ量の設定値を参照して、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を制御する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルに記録した各ヘッド１５の各アシスト素子の素子エネルギの素子エネルギ量の設定値を変更することで、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を変更（設定又は調整）する。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子のアシスト量の設定値の変更に応じてテーブルに記録された各ヘッド１５の各アシスト素子の素子エネルギ量の設定値を変更（設定又は調整）することで、各ヘッド１５の各アシスト素子の素子エネルギの素子エネルギ量を変更（設定又は調整）してもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、ディスク１０の容量、例えば、合計容量を検出する。例えば、各ヘッド１５に対応する記録密度を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標とする合計容量（以下、目標合計容量と称する場合もある）に一致しているか一致していないかを判定する。“同じ”、“同一”、“一致”、及び“同等”などの用語は、全く同じという意味はもちろん、実質的に同じであると見做せる程度に異なるという意味を含む。

合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５からヘッド（以下、対象ヘッドと称する場合もある）１５を選択し、対象ヘッド１５で対象ヘッド１５に対応するディスク１０にデータをライトした際の記録密度を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整（若しくは変更）する。言い換えると、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を調整する。なお、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度と対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ量との少なくとも一方を調整（又は変更）するように構成されていてもよい。例えば、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを調整（又は変更）してもよい。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて、複数のヘッド１５から記録密度等を変更する優先度（以下、単に、優先度と称する場合もある）の高い対象ヘッド１５を選択してもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて各ヘッド１５の各アシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）に供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電圧値）の変化量に対応する各ヘッド１５の各アシスト素子の各素子寿命の変化量を算出し、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量の変化量に対応する素子寿命の変化量に基づいて、優先度の高い対象ヘッド１５を選択してもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給可能な素子エネルギ量の上限値（以下、上限エネルギ量と称する場合もある）に対する各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量の比率（以下、エネルギ量比率と称する場合もある）に基づいて、優先度の高い対象ヘッド１５を選択してもよい。上限エネルギ量は、所定のヘッド１５の所定のアシスト素子に供給した場合に所定の素子寿命を担保可能な最大の素子エネルギ量に相当する。言い換えると、上限エネルギ量は、所定のヘッド１５の所定のアシスト素子に供給可能な素子エネルギ量の上限値に相当する。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレート（例えば、ＢＥＲ）の変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）に供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電圧値）を調整する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５及び各ディスク１０の特性、例えば、素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係、素子エネルギ量及びエラーレートの関係、及び記録密度及びエラーレートの関係などに基づいて、各ヘッド１５に対応する記録密度及び素子エネルギ量の関係を取得する。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から優先度の高い順に対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。

例えば、各ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩ）を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する。なお、各ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩ）を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか小さいかを判定してもよい。また、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定してもよい。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）にそれぞれ供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電圧値）の変化量にそれぞれ対応する複数のアシスト素子の素子寿命の変化量をそれぞれ算出する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを減少させた場合に素子寿命の変化量が最も大きいヘッド１５、つまり、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを減少させた場合に素子寿命が最も改善されるヘッド１５を対象ヘッド１５として複数のヘッド１５から選択する。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５にそれぞれ対応する複数のエネルギ量比率に基づいて、複数のエネルギ量比率の内の最も大きいエネルギ量比率に対応するヘッド１５、つまり、上限エネルギ量に最も近い素子エネルギ量の素子エネルギが供給されているヘッド１５を対象ヘッド１５として複数のヘッド１５から選択してもよい。

合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を減少させる。なお、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させてもよい。また、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応する素子エネルギ量の変化量に応じて対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させてもよい。例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレートの変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返す。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも小さいか小さくないかを判定する。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）にそれぞれ供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電圧値）の変化量にそれぞれ対応する複数のヘッド１５の素子寿命の変化量をそれぞれ算出する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを増大させた場合に素子寿命の変化量が最も小さいヘッド１５、つまり、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを増大させた場合に素子寿命が最も変化しないヘッド１５を対象ヘッド１５として選択する。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を増大させる。なお、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを増大させてもよい。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギ量を増大させなくともよい。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させてもよい。また、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５の対応する記録密度を増大させてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレートの変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ量を増大させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返す。

また、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）から発生させるエネルギ（例えば、高周波磁界）のアシスト量を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整（若しくは変更）してもよい。言い換えると、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整し、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を調整してもよい。なお、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量と対象ヘッド１５でデータをライトした際の記録密度との少なくとも一方を調整（又は変更）するように構成されていてもよい。例えば、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを調整（又は変更）してもよい。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、アシスト量及び素子寿命の関係に基づいて、複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッド１５を選択してもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、アシスト量及び素子寿命の関係に基づいて各ヘッド１５の各アシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）から発生させるエネルギのアシスト量の変化量に対応する各ヘッド１５の各アシスト素子の各素子寿命の変化量を算出し、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量に対応する素子寿命の変化量に基づいて優先度の高い対象ヘッドを選択してもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生されるアシスト量の上限値（以下、上限アシスト量と称する場合もある）に対する各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量の比率（以下、アシスト量比率と称する場合もある）に基づいて、優先度の高い対象ヘッド１５を選択してもよい。上限アシスト量は、所定のヘッド１５から発生した場合に所定の素子寿命を担保可能な最大のアシスト量に相当する。言い換えると、上限アシスト量は、所定のヘッド１５の所定のアシスト素子に供給可能なアシスト量の上限値に相当する。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及びアシスト量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレート（例えば、ＢＥＲ）の変化量とアシスト量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）から発生させるエネルギ（例えば、高周波磁界）のアシスト量を調整する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５及び各ディスク１０の特性、例えば、アシスト量及び素子寿命の関係、アシスト量及び素子エネルギ決定値の関係、アシスト量及びエラーレートの関係、及び記録密度及びエラーレートの関係などに基づいて、各ヘッド１５に対応する記録密度及びアシスト量の関係を取得する。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生されるエネルギのアシスト量を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から優先度の高い順に対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。

例えば、各ヘッド１５に対応する記録密度（ＢＰＩ及びＴＰＩ）を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する。
例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、アシスト量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）からそれぞれ発生させるエネルギ（例えば、高周波磁界）のアシスト量の変化量にそれぞれ対応する複数のアシスト素子の素子寿命の変化量をそれぞれ算出してもよい。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定のアシスト量の変化量のエネルギを減少させた場合に素子寿命の変化量が最も大きいヘッド１５、つまり、所定のアシスト量の変化量のエネルギを減少させた場合に素子寿命が最も改善されるヘッド１５を対象ヘッド１５として複数のヘッド１５から選択する。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５にそれぞれ対応する複数のアシスト量比率に基づいて、複数のアシスト量比率の内の最も大きいアシスト量比率に対応するヘッド１５、つまり、上限アシスト量に最も近いアシスト量のエネルギを発生しているヘッド１５を対象ヘッド１５として複数のヘッド１５から選択してもよい。

合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させる。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を減少させてもよい。なお、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させてもよい。なお、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させてもよい。また、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するアシスト量の変化量に応じて記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及びアシスト量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレートの変化量とアシスト量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させる処理を繰り返す。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量よりも小さいか小さくないかを判定する。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、アシスト量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）からそれぞれ発生させるエネルギのアシスト量の変化量にそれぞれ対応する複数のヘッド１５の素子寿命の変化量をそれぞれ算出してもよい。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定のアシスト量の変化量のエネルギを増大させた場合に素子寿命の変化量が最も小さいヘッド１５、つまり、所定のアシスト量の変化量のエネルギを増大させた場合に素子寿命が最も変化しないヘッド１５を対象ヘッド１５として選択する。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させる。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するディスク１０の記録容量を増大させてもよい。なお、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを増大させてもよい。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させなくともよい。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させてもよい。また、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するアシスト量の変化量に応じて対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させてもよい。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及びアシスト量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレートの変化量とアシスト量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させる処理を繰り返す。

図４は、各ヘッド１５の記録密度のテーブルＴＢ１の一例を示す図である。図４において、テーブルＴＢ１は、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎと、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応する各記録密度ＲＤ０、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、…、ＲＤＮ－１、ＲＤＮとを含む。例えば、テーブルＴＢ１に示すヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎは、それぞれ、図３に示したヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応している。テーブルＴＢ１において、記録密度は、例えば、ＢＰＩに相当する。なお、テーブルＴＢ１において、記録密度は、例えば、ＴＰＩに相当してもよいし、ＢＰＩ及びＴＰＩに相当してもよい。図４において、記録密度ＲＤ０乃至ＲＤＮは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

図４に示した例では、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５－０乃至１５－Ｎに対応する複数の記録密度を複数の記録密度ＲＤ０乃至ＲＤＮにそれぞれ調整する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５―０乃至１５－Ｎに対応する各記録密度ＲＤ０乃至ＲＤＮに記録する。

図５は、各ディスク１０の記録面の記録容量のテーブルＴＢ２の一例を示す図である。図５において、テーブルＴＢ２は、ディスク１０－１の表面Ｓ０及び裏面Ｓ１と、ディスク１０－２の表面Ｓ２及び裏面Ｓ３と、…、ディスク１０－Ｎの表面ＳＮ－１及び裏面ＳＮと、各記録面Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ（Ｎ－１）、ＳＮに対応する各記録容量Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、…、ＣＮ－１、ＣＮと、各記録面Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ（Ｎ－１）、ＳＮに対応する目標とする各記録容量（以下、目標容量又はターゲット容量と称する場合もある）ＴＣ０、ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、…、ＴＣＮ－１、ＴＣＮと、複数の記録面Ｓ０乃至ＳＮにそれぞれ対応する複数の記録容量Ｃ０乃至ＣＮの和に相当する合計容量ＳＣと、複数の記録面Ｓ０乃至ＳＮにそれぞれ対応する複数の目標容量ＴＣ０乃至ＴＣＮの和に相当する目標合計容量ＳＴＣとを含む。例えば、テーブルＴＢ２に示す記録面Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ（Ｎ－１）、ＳＮは、それぞれ、図３に示した記録面Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ（Ｎ－１）、ＳＮに対応している。つまり、記録容量Ｃ０は、ヘッド１５－０で記録面Ｓ０にライト可能なデータの記録容量に相当し、記録容量Ｃ１は、ヘッド１５－１で記録面Ｓ１にライト可能なデータの記録容量に相当し、記録容量Ｃ２は、ヘッド１５－２で記録面Ｓ２にライト可能なデータの記録容量に相当し、記録容量Ｃ３は、ヘッド１５－３で記録面Ｓ３にライト可能なデータの記録容量に相当し、記録容量ＣＮ－１は、ヘッド１５－（Ｎ－１）で記録面Ｓ（Ｎ－１）にライト可能なデータの記録容量に相当し、記録容量ＣＮは、ヘッド１５－Ｎで記録面ＳＮにライト可能なデータの記録容量に相当する。図５において、記録容量Ｃ０乃至ＣＮは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、図５において、目標容量ＴＣ０乃至ＴＣＮは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

図５に示した例では、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数の記録面Ｓ０乃至ＳＮにそれぞれ対応する複数の記録容量Ｃ０乃至ＣＮの合計容量ＳＣが複数の記録面Ｓ０乃至ＳＮにそれぞれ対応する複数の目標容量ＴＣ０乃至ＴＣＮの合計目標容量ＴＳＣよりも小さいか大きいかを判定する。

図６は、各ヘッド１５のアシスト素子から発生されるエネルギのアシスト量のテーブルＴＢ３の一例を示す図である。図６において、テーブルＴＢ３は、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎと、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応する各アシスト量ＡＳ０、ＡＳ１、ＡＳ２、ＡＳ３、…、ＡＳＮ－１、ＡＳＮと、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応する各上限アシスト量ＭＡ０、ＭＡ１、ＭＡ２、ＭＡ３、…、ＭＡＮ－１、ＭＡＮと、各上限アシスト量ＭＡ０、ＭＡ１、ＭＡ２、ＭＡ３、…、ＭＡＮ－１、ＭＡＮに対する各アシスト量ＡＳ０、ＡＳ１、ＡＳ２、ＡＳ３、…、ＡＳＮ－１、ＡＳＮの各アシスト量比率６５％、８６％、７９％、７０％、…、６７％、７６％と、を示している。

図６に示した例において、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図５に示した合計容量ＳＣが目標合計容量ＳＴＣよりも大きいと判定した場合、テーブルＴＢ３から最も大きいアシスト量比率（８６％）に対応するヘッド１５－１を対象ヘッド１５－１として選択する。対象ヘッド１５－１を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示しめした対象ヘッド１５－１に対応する記録密度ＲＤ１を減少させ、図６に示す対象ヘッド１５－１のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ１を減少させる。

対象ヘッド１５－１に対応する記録密度ＲＤ１と対象ヘッド１５－１のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ１とを減少させた後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいか小さいかを判定する。合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルＴＢ３から最も大きいアシスト量比率（７９％）に対応するヘッド１５－２を対象ヘッド１５－２として選択する。対象ヘッド１５－２を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－２に対応する記録密度ＲＤ２を減少させ、図６に示す対象ヘッド１５－２のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ２を減少させる。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－１及び１５－２以外の他のヘッド１５－０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドのアシスト素子から発生されるエネルギのアシスト量を減少させ、対象ヘッドに対応する記録密度を減少させる処理を繰り返す。

図６に示した例において、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図５に示した合計容量ＳＣが目標合計容量ＳＴＣよりも小さいと判定した場合、テーブルＴＢ３から最も小さいアシスト比率（６７％）に対応するヘッド１５－（Ｎ－１）を対象ヘッド１５－（Ｎ－１）として選択する。対象ヘッド１５―（Ｎ－１）を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－（Ｎ－１）に対応する記録密度ＲＤＮ－１を増大させ、図６に示す対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳＮ－１を増大させる。

対象ヘッド１５－（Ｎ－１）に対応する記録密度ＲＤＮ－１と対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子に発生させるエネルギのアシスト量ＡＳＮ－１とを増大させた後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいか小さいかを判定する。合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルＴＢ３から最も小さいエネルギ量比率（７０％）に対応するヘッド１５－３を対象ヘッド１５－３として選択する。対象ヘッド１５－３を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－３に対応する記録密度ＲＤ３を増大させ、図６に示す対象ヘッド１５－３のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ３を増大させる。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－３及び１５－（Ｎ－１）以外の他のヘッド１５―０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドに対応する記録密度を増大させ、対象ヘッドのアシスト素子から発生されるエネルギのアシスト量を増大させる処理を繰り返す。

図７は、各ヘッド１５のアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量のテーブルＴＢ３の一例を示す図である。図７において、テーブルＴＢ４は、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎと、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応する各素子エネルギ量Ｅ０、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、…、ＥＮ－１、ＥＮと、各ヘッド１５－０、１５－１、１５－２、１５－３、…、１５－（Ｎ－１）、１５－Ｎに対応する各上限エネルギ量ＭＥ０、ＭＥ１、ＭＥ２、ＭＥ３、…、ＭＥＮ－１、ＭＥＮと、各素子エネルギ量Ｅ０、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、…、ＥＮ－１、ＥＮに対する各上限エネルギ量ＭＥ０、ＭＥ１、ＭＥ２、ＭＥ３、…、ＭＥＮ－１、ＭＥＮの各エネルギ量比率６５％、８６％、７９％、７０％、…、６７％、７６％と、を示している。

図７に示した例において、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図５に示した合計容量ＳＣが目標合計容量ＳＴＣよりも大きいと判定した場合、テーブルＴＢ４から最も大きいエネルギ量比率（８６％）に対応するヘッド１５－１を対象ヘッド１５－１として選択する。対象ヘッド１５－１を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図７に示す対象ヘッド１５－１のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量Ｅ１を減少させ、図４に示した対象ヘッド１５－１に対応する記録密度ＲＤ１を減少させる。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図６に示した対象ヘッド１５－１のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ１を減少させ、図７に示す対象ヘッド１５－１のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量Ｅ１を減少させ、図４に示した対象ヘッド１５－１に対応する記録密度ＲＤ１を減少させてもよい。

対象ヘッド１５－１に対応する記録密度ＲＤ１と対象ヘッド１５－１のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量Ｅ１とを減少させた後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいか小さいかを判定する。合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルＴＢ４から最も大きいエネルギ量比率（７９％）に対応するヘッド１５－２を対象ヘッド１５－２として選択する。対象ヘッド１５－２を選択した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－２に対応する記録密度ＲＤ２を減少させ、図７に示す対象ヘッド１５－２のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量Ｅ２を減少させる。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－２に対応する記録密度ＲＤ２を減少させ、図６に示した対象ヘッド１５－２のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ２を減少させ、図７に示す対象ヘッド１５－２のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させてもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－１及び１５－２以外の他のヘッド１５－０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドに対応する記録密度を減少させ、対象ヘッドのアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返す。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－１及び１５－２以外の他のヘッド１５－０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドに対応する記録密度を減少させ、対象ヘッドのアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を減少させ、アシスト量の変化量に応じて対象ヘッドのアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返してもよい。

図７に示した例において、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図５に示した合計容量ＳＣが目標合計容量ＳＴＣよりも小さいと判定した場合、テーブルＴＢ４から最も小さいアシスト比率（６７％）に対応するヘッド１５－（Ｎ－１）を対象ヘッド１５－（Ｎ－１）として選択する。対象ヘッド１５－（Ｎ－１）を選択した後、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－（Ｎ－１）に対応する記録密度ＲＤＮ－１を増大させ、対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量ＥＮ－１を増大させる。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－（Ｎ－１）に対応する記録密度ＲＤＮ―１及び第２記録密度ＴＰＮ－１を増大させ、図６に示した対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳＮ－１を増大させ、アシスト量ＡＳＮ－１の変化量に応じて対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量ＥＮ－１を増大させてもよい。

対象ヘッド１５－（Ｎ－１）に対応する記録密度ＲＤＮ－１と対象ヘッド１５－（Ｎ－１）のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量ＥＮ－１とを増大させた後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも大きいか小さいかを判定する。合計容量が目標合計容量ＳＴＣよりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、テーブルＴＢ４から最も小さいエネルギ量比率（７０％）に対応するヘッド１５－３を対象ヘッド１５－３として選択する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－３に対応する記録密度ＲＤ３を増大させ、対象ヘッド１５－３のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量ＭＥ３を増大させる。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、図４に示した対象ヘッド１５－３に対応する記録密度ＲＤ３を増大させ、図６に示した対象ヘッド１５－３のアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量ＡＳ３を増大させ、アシスト量ＡＳ３の変化量に応じて対象ヘッド１５－３のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させてもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－３及び１５－（Ｎ－１）以外の他のヘッド１５－０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドに対応する記録密度を増大させ、対象ヘッドのアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返す。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、例えば、合計容量が目標合計容量ＳＴＣに一致するまで、ヘッド１５－３及び１５－（Ｎ－１）以外の他のヘッド１５－０乃至１５－Ｎから対象ヘッドを選択し、対象ヘッドに対応する記録密度を増大させ、対象ヘッドのアシスト素子から発生させるエネルギのアシスト量を増大させ、アシスト量の変化量に応じて対象ヘッドのアシスト素子に供給される素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返してもよい。

図８は、本実施形態に係る素子エネルギ量及び素子エネルギ決定値の関係の一例を示す図である。図８において、縦軸は、磁気ディスク装置１の複数のヘッド１５にそれぞれ搭載された複数のアシスト素子に供給される平均的な素子エネルギ量、例えば、アシスト電流又はアシスト電圧を示し、横軸は、磁気ディスク装置１の複数のヘッド１５に搭載された複数のアシスト素子の平均的な素子エネルギ決定値、例えば、素子抵抗値を示している。図８の縦軸の素子エネルギ量は、矢印の先端の方向に進むに従って大きくなる。図８の横軸の素子エネルギ決定値は、矢印の先端の方向に進むに従って大きくなる。図８において、白い丸ＷＤは、素子エネルギ量を調整しない場合の所定の素子エネルギ決定値に対する所定の素子エネルギ量を示し、黒い丸ＢＤは、素子エネルギ量を調整した場合の所定の素子エネルギ決定値に対する所定の素子エネルギ量を示している。

図８に示した例では、白い丸ＷＤは、素子エネルギ決定値が大きくなるに従って、大きくなる。言い換えると、前述のように、例えば、図７に示したように素子エネルギ量（又は、図６に示したようにアシスト量）を調整しない場合、素子エネルギ量は、素子エネルギ決定値に比例して大きくなる。黒い丸ＢＤは、素子エネルギ決定値と相関していない。言い換えると、前述のように、例えば、図７に示したように素子エネルギ量（又は、巣６に示したようにアシスト量）を調整した場合、素子エネルギ量は、素子エネルギ決定値に相関しない。

図９は、本実施形態に係るヘッド１５の調整方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得し（Ｂ９０１）、素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得し（Ｂ９０２）、記録密度及びエラーレートの関係を取得する（Ｂ９０３）。なお、ＭＰＵ６０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルから素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ及びエラーレートの関係、及び記録密度及びエラーレートの関係等を取得してもよい。ＭＰＵ６０は、記録密度、例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩを初期記録密度、例えば、初期ＢＰＩ及び初期ＴＰＩに調整する（Ｂ９０４）。ＭＰＵ６０は、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択する（Ｂ９０５）。例えば、ＭＰＵ６０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量の変化量に対応する各ヘッド１５の各アシスト素子の各素子寿命の変化量を算出し、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量の変化量に対応する素子寿命の変化量に基づいて複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッドを選択する。例えば、ＭＰＵ６０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に対応するエネルギ量比率に基づいて、複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッドを選択してもよい。また、例えば、ＭＰＵ６０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に対応するアシスト量比率に基づいて、複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッドを選択してもよい。ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する（Ｂ９０６）。合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合（Ｂ９０６のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度、例えば、ＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ、例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧の素子エネルギ量、例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電圧値を減少させ（Ｂ９０７）、Ｂ９０５の処理へ進む。合計容量が目標合計容量よりも大きくないと判定した場合（Ｂ９０６のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量よりも小さいか小さくないかを判定する（Ｂ９０８）。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合（Ｂ９０８のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度、例えば、ＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ、例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧の素子エネルギ量、例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電圧値を増大させ（Ｂ９０９）、Ｂ９０５の処理へ進む。合計容量が目標合計容量よりも小さくないと判定した場合（Ｂ９０８のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量に一致していると判定した場合、処理を終了する。

本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、所定の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電圧値）の素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）を供給されることでディスク１０に対して所定のアシスト量のエネルギ（例えば、高周波磁界）を発生させるアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）を有する複数のヘッド１５を有している。磁気ディスク装置１は、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択する。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する。合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応する記録密度、例えば、ＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返す。合計容量が目標合計容量よりも大きくないと判定した場合、磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量よりも小さいか小さくないかを判定する。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返す。磁気ディスク装置１は、所定のヘッド１５の記録密度とこのヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量とを調整することにより、データの品質を向上し、且つアシスト素子の素子寿命を改善することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、信頼性を向上することができる。

次に、他の実施形態及び変形例に係る磁気ディスク装置１について説明する。他の実施形態及び変形例において、前述の第１実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（変形例１）
変形例１に係る磁気ディスク装置１は、ヘッド１５の調整方法が前述した第１実施形態と異なっている。
記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ディスク１０の所定の領域の記録容量の合計（以下、部分合計容量と称する場合もある）を検出する。例えば、各ヘッド１５の対応する記録密度を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標とする部分合計容量（以下、目標部分容量と称する場合もある）に一致しているか一致していないかを判定する。なお、部分合計容量は、磁気ディスク装置１の全てのディスク１０の記録面の一部の記録容量の合計であってもよいし、磁気ディスク装置１の幾つかのディスク１０の記録面の一部の記録容量の合計であってもよいし、磁気ディスク装置１の１つのディスク１０の記録面の一部の記録容量であってもよい。

部分合計容量が目標部分容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５で対象ヘッド１５に対応するディスク１０にデータをライトした際の記録密度（例えば、ＢＰＩ）を調整（若しくは変更）し、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ）に供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電圧値）を調整（若しくは変更）する。なお、部分合計容量が目標部分容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度と対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ量との少なくとも一方を調整（又は変更）するように構成されていてもよい。例えば、部分合計容量が目標部分容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを調整（又は変更）してもよい。

記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標部分容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から優先度の高い順に対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を調整し、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を調整する処理を繰り返す。

例えば、各ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ及びＴＰＩ）を調整した後に、記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいか大きくないかを判定する。例えば、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）にそれぞれ供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電圧値）の変化量にそれぞれ対応する複数のアシスト素子の素子寿命の変化量をそれぞれ算出する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを減少させた場合に素子寿命が最も改善されるヘッド１５を対象ヘッド１５として複数のヘッド１５から選択する。

部分合計容量が目標部分容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。なお、部分合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させてもよい。また、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応する素子エネルギ量の変化量に応じて対象ヘッド１５に対応する記録密度（例えば、ＢＰＩ）を減少させてもよい。例えば、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレートの変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標部分容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返す。

例えば、部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標部分容量よりも小さいか小さくないかを判定する。部分合計容量が目標部分容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係に基づいて複数のヘッド１５の複数のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）にそれぞれ供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流若しくはアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値若しくはアシスト電ある値）の変化量にそれぞれ対応する複数のヘッド１５の素子寿命の変化量をそれぞれ算出する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、算出した複数のヘッド１５の素子寿命の変化量に基づいて、所定の素子エネルギ量の変化量の素子エネルギを増大させた場合に素子寿命が最も変化しないヘッド１５を対象ヘッド１５として選択する。

例えば、部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギを増大させる。なお、部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度のみを増大させてもよい。部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させてもよい。また、部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５の対応する記録密度を増大させてもよい。記録密度／エネルギ制御部６３０は、部分合計容量が目標部分容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５に対応する記録密度の変化量に応じて対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返す。

図１０は、変形例１に係るヘッド１５の調整方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得し（Ｂ９０１）、素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得し（Ｂ９０２）、記録密度及びエラーレートの関係を取得する（Ｂ９０３）。なお、ＭＰＵ６０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルから素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ及びエラーレートの関係、及び記録密度及びエラーレートの関係等を取得してもよい。ＭＰＵ６０は、記録密度を調整し（Ｂ９０４）、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択する（Ｂ９０５）。ＭＰＵ６０は、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいか大きくないかを判定する（Ｂ１００１）。部分合計容量が目標部分容量よりも大きいとは判定した場合（Ｂ１００１のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ（Ｂ９０７）、Ｂ９０５の処理へ進む。部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合（Ｂ１００１のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、部分合計容量が目標部分容量よりも小さいか小さくないかを判定する（Ｂ１００２）。部分合計容量が目標部分容量よりも小さいと判定した場合（Ｂ１００２のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ（Ｂ９０９）、Ｂ９０５の処理へ進む。部分合計容量が目標部分容量よりも小さくないと判定した場合（Ｂ１００２のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、部分合計容量が目標部分容量に一致していると判定した場合、処理を終了する。

変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、部分合計容量が目標部分容量よりも大きいか大きくないかを判定する。部分合計容量が目標部分容量よりも大きいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応する記録密度、例えば、ＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。磁気ディスク装置１は、部分合計容量が目標部分容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる処理を繰り返す。部分合計容量が目標部分容量よりも大きくないと判定した場合、磁気ディスク装置１は、部分合計容量が目標部分容量よりも小さいか小さくないかを判定する。部分合計容量が目標部分容量よりも小さいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる。磁気ディスク装置１は、部分合計容量が目標部分容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる処理を繰り返す。そのため、磁気ディスク装置１は、信頼性を向上することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態に係る磁気ディスク装置１は、ヘッド１５の調整方法が前述した第１実施形態及び変形例の磁気ディスク装置１と異なっている。
測定部６２０は、各ヘッド１５に対応する記録密度により所定の領域（以下、現在の領域と称する場合もある）に半径方向に隣接する領域（以下、隣接領域と称する場合もある）にデータをライト（以下、隣接ライトと称する場合もある）した場合の現在の領域に対応するエラーレートへの影響量（以下、記録密度の影響量と称する場合もある）を測定する。“隣接する”という用語は、“連続している”という意味はもちろん、“実質的に連続していると見做せる程度に離れている”という意味も含む。記録密度の影響量は、例えば、隣接領域にデータを隣接ライトした場合の現在の領域におけるエラーレートの変化量に相当する。例えば、測定部６２０は、各ヘッド１５に対応するＴＰＩにより所定のトラック（以下、現在のトラックと称する場合もある）の半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する場合もある）に隣接ライトした場合の現在のトラックに対応するエラーレートへの影響量（以下、ＴＰＩの影響量と称する場合もある）を測定する。ＴＰＩの影響量は、例えば、隣接トラックにデータを隣接ライトした場合の現在のトラックにおけるＢＥＲの変化量に相当する。

測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域における記録密度の影響量、例えば、ＴＰＩの影響量を測定する。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライトした各ディスク１０の各領域で測定した記録密度の影響量、例えば、ＴＰＩの影響量に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び記録密度の影響量の関係を取得する。言い換えると、測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域における隣接ライトした場合の現在の領域におけるエラーレートの変化量（以下、隣接ライトエラーレートの変化量と称する場合もある）、例えば、ＢＥＲの変化量を測定する。測定部６２０は、各アシスト素子に所定の素子エネルギ量の素子エネルギを供給した各ヘッド１５でデータをライト（アシスト記録）した各ディスク１０の各領域で測定した隣接ライトエラーレートの変化量に基づいて、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係を取得する。測定部６２０は、測定した各ヘッド１５及び各ディスク１０の特性、例えば、各ヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び記録密度の影響量の関係、及びヘッド１５に対応する素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係などを所定の記録領域、例えば、各ディスク１０の所定の領域、各ディスク１０のシステムエリアＳＡ、又は不揮発性メモリ８０などに記録してもよい。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）に供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電圧値）を減少させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増大させる。例えば、合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレート、例えば、ＢＥＲの変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させる。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の現在の領域におけるエラーレート（以下、隣接ライトエラーレートと称する場合もある）、例えば、現在の領域におけるＢＥＲ（以下、隣接ライトＢＥＲと称する場合もある）と対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレート、例えば、隣接ライトＢＥＲとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増大させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増加させる処理を繰り返す。

例えば、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子（例えば、ＳＴＯ２００）に供給する素子エネルギ（例えば、アシスト電流又はアシスト電圧）の素子エネルギ量（例えば、アシスト電流値又はアシスト電値）を増大させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる。なお、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩのみを増大させてもよい。言い換えると、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５の各アシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させなくともよい。例えば、合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係に基づいて、記録密度の変化量に対応するエラーレート、例えば、ＢＥＲの変化量と素子エネルギ量の変化量に対応するエラーレートの変化量とが一致するように、対象ヘッド１５に対応する記録密度を増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させる。また、例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレート、例えば、隣接ライトＢＥＲと対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレート、例えば、隣接ライトＢＥＲとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる処理を繰り返す。

図１１は、第２実施形態に係るヘッド１５の調整方法の一例を示すフローチャートである。
ＭＰＵ６０は、素子エネルギ量及び素子寿命の関係を取得し（Ｂ９０１）、素子エネルギ量及びエラーレートの関係を取得し（Ｂ９０２）、記録密度及びエラーレートの関係を取得する（Ｂ９０３）。なお、ＭＰＵ６０は、直接測定していない種々のデータ、例えば、磁気ディスク装置の量産時に得られた種々のデータのテーブルから素子エネルギ量及び素子寿命の関係、素子エネルギ及びエラーレートの関係、及び記録密度及びエラーレートの関係等を取得してもよい。ＭＰＵ６０は、記録密度を初期記録密度に調整し（Ｂ９０４）、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択する（Ｂ９０５）。ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する（Ｂ９０６）。合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合（Ｂ９０６のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増加させ（Ｂ１１０１）、Ｂ９０５の処理へ進む。例えば、ＭＰＵ６０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートと対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増大させる。合計容量が目標合計容量よりも大きくないと判定した場合（Ｂ９０６のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量よりも小さいか小さくないかを判定する（Ｂ９０８）。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合（Ｂ９０８のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させ（Ｂ１１０２）、Ｂ９０５の処理へ進む。例えば、ＭＰＵ６０は、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートと対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる。合計容量が目標合計容量よりも小さくないと判定した場合（Ｂ９０８のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。言い換えると、ＭＰＵ６０は、合計容量が目標合計容量に一致していると判定した場合、処理を終了する。

第２実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量よりも大きいか大きくないかを判定する。合計容量が目標合計容量よりも大きいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を減少させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増加させる。磁気ディスク装置１は、例えば、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートと対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増大させる。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを減少させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギを減少させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを増大させる処理を繰り返す。合計容量が目標合計容量よりも小さいと判定した場合、磁気ディスク装置１は、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギ量を増大させ、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる。磁気ディスク装置１は、例えば、記録密度及び素子エネルギ量の関係と素子エネルギ量及び隣接ライトエラーレートの変化量の関係とに基づいて、調整後の素子エネルギ量の素子エネルギをアシスト素子に供給した対象ヘッド１５で隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートと対象ヘッド１５により調整後のＴＰＩで隣接ライトした場合の隣接ライトエラーレートとが一致するように、対象ヘッド１５に対応するＴＰＩを減少させる。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量と一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを増大させ、対象ヘッド１５のアシスト素子に供給する素子エネルギの素子エネルギを増大させ、対象ヘッド１５の対応するＴＰＩを減少させる処理を繰り返す。磁気ディスク装置１は、ディスク１０の記録容量を維持し、且つアシスト素子の素子寿命を改善することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、信頼性を向上することができる。

（第３実施形態）
第３実施形態の磁気ディスク装置１は、熱アシスト磁気記録（Thermally Assisted Magnetic Recording : TAMR）型式でデータをライト可能なことが前述した第１実施形態、第２実施形態、及び変形例１の磁気ディスク装置１と異なる。
第３実施形態に係る磁気ディスク装置１は、熱アシスト磁気記録型式でデータをライト可能な磁気ディスク装置に相当する。
図１２は、本実施形態に係るヘッド１５の一例を示す拡大断面図である。
図１２に示した例では、ヘッド１５は、それぞれスライダ１５０に設けられたライトヘッド１５Ｗ、リードヘッド１５Ｒ、光発生素子（例えば、レーザダイオード）２５０、導波路２５５、及び近接場光照射素子（プラズモン・ジェネレータ、ニアフィールド・トランデューサ）２５６を備えている。

光発生素子２５０は、（レーザ）光源であり、スライダ１５０の上部、あるいは、ジンバル２４０に設けられている。光発生素子２５０は、ヘッドアンプＩＣ３０、例えば、素子エネルギ制御回路から素子エネルギ、例えば、電流又は電圧等を供給されることで導波路２５５に光を供給する。なお、光発生素子２５０は、スライダ１５０、又はジンバル２４０以外の場所に設けられていてもよい。例えば、光発生素子２５０は、アーム１３及びヘッド１５の外部に設けられていてもよい。導波路２５５は、光発生素子２５０が発生する光を近接場光照射素子２５６に伝播する。

近接場光照射素子２５６は、ディスク１０に対向するスライダ１５０の下端部に設けられている。近接場光照射素子２５６は、ディスク１０にデータをライトする際に、光発生素子２５０で発生して導波路２５５を伝播してきた素子エネルギ、例えば、レーザ光により近接場光を発生させ、ディスク１０に近接場光を照射する。照射された近接場光は、ディスク１０の記録層を加熱し、ディスク１０の記録層の保磁力を低下させる。近接場光照射素子２５６は、金属部材を含む。なお、近接場光照射素子２５６の代わりに、導波路２５５を伝播してきた光発生素子２５０で発生した光を、ディスク１０に集光するレンズが、備えられていてもよい。このように、近接場光照射素子２５６から発生する近接場光をディスク１０に照射することにより、磁気ディスク装置１は、高保磁力媒体であるディスク１０に高密度な磁気記録をすることができる。以下、熱アシスト記録を実行するための構成、例えば、光発生素子（例えば、レーザダイオード）２５０、導波路２５５、及び近接場光照射素子（プラズモン・ジェネレータ、ニアフィールド・トランデューサ）２５６等をアシスト素子と称する場合もある。以下、“アシスト素子、例えば、光発生素子２５０及び近接場光照射素子２５６に所定の素子エネルギ量、例えば、電流値又は電流値の素子エネルギ、例えば、電流又は電圧を供給してアシスト素子からディスク１０に所定のアシスト量、例えば、所定の強度のエネルギ、例えば、近接場光を発生させてデータをライトするライト処理”又は“アシスト素子、例えば、近接場光照射素子２５６に所定の素子エネルギ量、例えば、強度の素子エネルギ、例えば、光を供給してアシスト素子からディスク１０に所定のアシスト量、例えば、所定の強度のエネルギ、例えば、近接場光を発生させてデータをライトするライト処理”を“アシスト記録”又は“熱アシスト記録”と称する場合もある。

また、近接場光照射素子２５６は、近接場光の照射範囲（又は、スポット範囲や、熱分布幅と称する場合もある）により、ライトヘッド１５Ｗによりライトするトラック幅（又は記録幅）を規定する。つまり、トラック幅は、近接場光の照射範囲の幅に対応する。例えば、近接場光照射素子２５６が近接場光の照射範囲をライトヘッド１５Ｗの幅よりも小さい幅で照射した場合、ライトヘッド１５Ｗによりライトしたトラックのトラック幅は、ライトヘッド１５Ｗの幅よりも小さくなり得る。また、近接場光照射素子２５６が近接場光の照射範囲をライトヘッド１５Ｗの幅よりも大きい幅で照射した場合、ライトヘッド１５Ｗによりライトしたトラックのトラック幅は、ライトヘッド１５Ｗの幅よりも大きくなり得る。そのため、近接場光を照射する際に生じる熱等の要因により、近接場光照射素子２５６の形状が変化した場合、近接場光の照射範囲が変動し、これに伴って、ライトヘッド１５Ｗによりライトしたトラックのトラック幅が変化する。例えば、アシスト素子、例えば、光発生素子２５０に供給する素子エネルギ、例えば、電流又は電圧を増大させた場合、近接場光照射素子２５６から照射される近接場光の強度は大きくなり熱アシスト効果が向上し得るが、照射範囲も広がりトラック幅も大きくなり得る。また、例えば、アシスト素子、例えば、光発生素子２５０に供給する素子エネルギ、例えば、電流又は電圧を減少させた場合、近接場光照射素子２５６から照射される近接場光の強度は小さくなり熱アシスト効果が低下し得るが、照射範囲も狭くなりトラック幅も小さくなり得る。言い換えると、アシスト素子、例えば、近接場光照射素子２５６に供給する素子エネルギ、例えば、光の強度を大きくした場合、熱アシスト効果が向上し得るが、照射範囲も広がりトラック幅も大きくなり得る。また、アシスト素子、例えば、近接場光照射素子２５６に供給する素子エネルギ、例えば、光の強度を小さくした場合、熱アシスト効果が低下し得るが、照射範囲も狭くなりトラック幅も小さくなり得る。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、各ヘッド１５に対応するＢＰＩ及びＴＰＩの少なくとも一方と各ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を調整（設定又は制御）する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、ＢＰＩ及びＴＰＩの少なくとも一方とレーザ光の強度をヘッド１５毎に調整（設定又は制御）する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、ＢＰＩ及びＴＰＩの少なくとも一方とレーザ光の強度とをヘッド１５毎に調整（設定又は制御）する。

例えば、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＢＰＩを初期ＢＰＩに調整し、各ヘッド１５に対応するＴＰＩを初期ＴＰＩに調整し、各ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を初期値に設定されたレーザ光の強度（以下、初期強度と称する場合もある）に調整する。なお、記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＢＰＩを初期ＢＰＩに調整し、各ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を初期強度に調整してもよい。記録密度／エネルギ制御部６３０は、製造工程のディスク１０の容量の可変調整時に、各ヘッド１５に対応するＴＰＩを初期ＴＰＩに調整し、各ヘッド１５の各近接場光照射素子２５６に供給する。

例えば、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、記録密度／エネルギ制御部６３０は、複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを調整し、対象ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を調整する。記録密度／エネルギ制御部６３０は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを調整し、対象ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を調整する処理を繰り返す。

第３実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量に一致していないと判定した場合、複数のヘッド１５から優先度の高い対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを調整し、対象ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を調整する。磁気ディスク装置１は、合計容量が目標合計容量に一致するまで、複数のヘッド１５から対象ヘッド１５を選択し、対象ヘッド１５に対応するＢＰＩを調整し、対象ヘッド１５の近接場光照射素子２５６に供給するレーザ光の強度を調整する処理を繰り返す。そのため、磁気ディスク装置１は、信頼性を向上することができる。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ、ＵＡ…ユーザデータ領域、ＳＡ…システムエリア。

Claims (8)

1. 第１面を有する第１ディスクと、
   前記第１面と異なる第２面を有する第２ディスクと、
   前記第１面に第１記録密度でデータをライトする第１ライトヘッドと、前記第１ライトヘッドによるライト性能を高める第１エネルギを前記第１面に向かって発生させる第１アシスト素子とを有する第１ヘッドと、
   前記第２面に第２記録密度でデータをライトする第２ライトヘッドと、前記第２ライトヘッドによるライト性能を高める第２エネルギを前記第２面に向かって発生させる第２アシスト素子とを有する第２ヘッドと、
   前記第１ヘッドで前記第１ディスクにライトできる第１記録容量と前記第２ヘッドで前記第２ディスクにライトできる第２記録容量とに応じて前記第１記録密度及び前記第２記録密度の少なくとも一方を変更するコントローラと、
   を備え、
   前記コントローラは、前記第１記録容量及び前記第２記録容量に応じて前記第１アシスト素子に供給する第３エネルギと前記第２アシスト素子に供給する第４エネルギとの内の少なくとも一方を変更する、
   磁気ディスク装置。
2. 前記コントローラは、前記第１記録容量及び前記第２記録容量の合計容量が前記第１面にライトするデータ容量の第１目標値と前記第２面にライトするデータ容量の第２目標値との合計目標値よりも大きい場合、前記第１記録密度及び前記第２記録密度の少なくとも一方を減少させ、前記第３エネルギ及び前記第４エネルギの少なくとも一方を減少させる、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記コントローラは、前記第３エネルギを変更した場合の前記第１アシスト素子の寿命の第１変化量が前記第４エネルギを変更した場合の前記第２アシスト素子の寿命の第２変化量よりも大きい場合、前記第１記録密度を減少させ、前記第３エネルギを減少させる、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記コントローラは、前記第１アシスト素子に供給可能な第１上限エネルギに対する前記第３エネルギの第１比率が前記第２アシスト素子に供給可能な第２上限エネルギに対する前記第４エネルギの第２比率より大きい場合、前記第１記録密度を減少させ、前記第３エネルギを減少させる、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記第１記録密度は、線記録密度である、請求項３又は４に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記コントローラは、前記第１ヘッドで前記第１面にデータをライトする際のトラック密度を増加させる、請求項５に記載の磁気ディスク装置。
7. 前記コントローラは、前記第１記録容量及び前記第２記録容量の合計容量が前記第１面にライトするデータ容量の第１目標値と前記第２面にライトするデータ容量の第２目標値との合計目標値よりも小さい場合、前記第１記録密度及び前記第２記録密度の少なくとも一方を増大させ、前記第３エネルギ及び前記第４エネルギの少なくとも一方を増大させる、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
8. 第１面を有する第１ディスクと、前記第１面と異なる第２面を有する第２ディスクと、前記第１面に第１記録密度でデータをライトする第１ライトヘッドと、前記第１ライトヘッドによるライト性能を高める第１エネルギを前記第１面に向かって発生させる第１アシスト素子とを有する第１ヘッドと、前記第２面に第２記録密度でデータをライトする第２ライトヘッドと、前記第２ライトヘッドによるライト性能を高める第２エネルギを前記第２面に向かって発生させる第２アシスト素子とを有する第２ヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるヘッドの調整方法であって、
   前記第１ヘッドで前記第１ディスクにライトできる第１記録容量と前記第２ヘッドで前記第２ディスクにライトできる第２記録容量とに応じて前記第１記録密度及び前記第２記録密度の少なくとも一方を変更し、
   前記第１記録容量及び前記第２記録容量に応じて前記第１アシスト素子に供給する第３エネルギと前記第２アシスト素子に供給する第４エネルギとの内の少なくとも一方を変更する、
   ヘッドの調整方法。

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