CN113284518A - 磁盘装置以及头的调整方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。

Description

磁盘装置以及头的调整方法
本申请享受以日本专利申请2020－26019号(申请日：2020年2月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及头的调整方法。
背景技术
为了实现磁盘装置的高记录密度化以及高记录容量化，开发了高频(微波)辅助磁记录型式(Microwave Assisted Magnetic Recording:MAMR)、热辅助磁记录(ThermallyAssisted Magnetic Recording:TAMR)型式等。高频辅助记录型式是如下技术：使用具有记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向盘施加通过对高频振荡器进行通电来产生的高频磁场，由此使施加了高频磁场的盘的部分的顽磁力降低，所述记录磁极通过被施加记录电流而励磁来产生记录磁场。热辅助磁记录型式是如下技术：使用具有将照射光向盘照射的光照射元件的磁头，从光照射元件的前端将照射光照射到盘来对盘进行局部的加热，由此使被加热了的盘的部分的顽磁力降低。
发明内容
本发明的实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置以及头的调整方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备：第1盘，其具有第1面；第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量；以及控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示第1实施方式涉及的盘和头的一个例子的放大剖视图。
图3是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。
图4是表示各头的记录密度的表的一个例子的图。
图5是表示各盘的记录面的记录容量的表的一个例子的图。
图6是表示从各头的辅助元件产生的能量的辅助量的表的一个例子的图。
图7是表示供给至各头的辅助元件的元件能量的元件能量量(Amount of energy)的表的一个例子的图。
图8是表示第1实施方式涉及的元件能量量和元件能量决定值的关系的一个例子的图。
图9是表示第1实施方式涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。
图10是表示变形例1涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。
图11是表示第2实施方式涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。
图12是表示第3实施方式涉及的头的一个例子的放大剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、和作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。盘10包括至少一个盘10。例如，盘10具有多个盘10。臂13和VCM14构成致动器16。臂13包括至少一个臂13。例如，臂13具有多个臂13。头15包括至少一个头15。例如，头15具有多个头15。致动器16通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。此外，致动器16也可以设置有两个以上。
盘10对其能写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域UA、和写入系统管理所需要的信息的系统区SA。盘10具有表侧的记录面(以下有时也简称为表面)、和与表侧的记录面相反侧的背侧的记录面(以下有时也称为背面)。盘10的记录面和背面分别分配有用户数据区域UA和系统区SA。此外，除了用户数据区域UA和系统区SA之外，盘10还分配有介质高速缓存(media cache)区域。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向、或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(外侧)，将从外周朝向内周的方向称为内方向(内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10(例如用户数据区域UA)在半径方向上以预定范围被区分为多个区域。有时也将以半径方向上的预定范围进行区分而得到的盘10的区域称为分区(zone)。分区包含多个磁道。磁道包含多个扇区。此外，“磁道”以盘10的在半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、预定的半径位置处的头15的路径、在盘10的圆周方向上延伸的数据、在预定的半径位置的磁道所写入的一周量(一圈量)的数据、在磁道所写入的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以在圆周方向上将磁道区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置所写入的数据、在扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将“对盘10进行了写入的磁道”称为“写入磁道”、将“从盘10进行读取的磁道”称为“读取磁道”。既有时将“写入磁道”简称为“磁道”，也有时将“读取磁道”简称为“磁道”，还有时将“写入磁道”和“读取磁道”一并称为“磁道”。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将“写入磁道的半径方向上的宽度”称为“写入磁道宽度”、将“读取磁道的半径方向上的宽度”称为“读取磁道宽度”。有时也将“写入磁道宽度和读取磁道宽度”一并简称为“磁道宽度”。将“通过预定磁道的磁道宽度的中心位置的路径”称为“磁道中央”。有时也将“通过预定的写入磁道的写入磁道宽度的中心位置的路径”称为“写入磁道中央”、将“通过读取磁道的读取磁道宽度的中心位置的路径”称为“读取磁道中央”。有时也将“写入磁道中央”和“读取磁道中央”一并简称为“磁道中央”。
头15与盘10相对向。例如，一个头15与盘10的一个面相对向。头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对写入在盘10的数据进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”、将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”、将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。有时也以“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置于预定磁道”或者“使头15位于预定磁道”等来表现“将头15的中心部定位于预定磁道的磁道中央”这一情况。
图2是表示本实施方式涉及的盘10和头15的一个例子的放大剖视图。在图2中，盘10的旋转方向B与空气流C的方向一致。以下，将从头15朝向盘10的方向称为下方向或者简称为下，将从盘10朝向头15的方向称为上方向或者简称为上。在进行了如“预定层上的其他层”以及“预定层下的其他层”这样的表述的情况下，其他层既可以与预定层接触，也可以位于离开预定层的位置。
在图2所示的例子中，盘10依次层叠有基板111、软磁性层112、磁记录层113以及保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁性层112位于基板111上。软磁性层112由呈现软磁特性的材料形成。磁记录层113位于软磁性层112上。磁记录层113在与盘10的表面(磁记录层113的表面或者保护膜层114的表面)垂直的方向上具有磁各向异性。保护膜层114位于磁记录层113上。
在图2所示的例子中，头15具备滑块150。滑块150例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(AlTiC)形成。滑块150具有盘10的表面、例如与保护膜层114相对向的盘对向面(空气支承面(ABS))151和位于空气流C的流出侧的尾随端153。读取头15R和写入头15W的一部分露出于盘对向面151。
读取头15R由磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162与屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161而位于尾随端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对向。磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163的下端露出于盘对向面151。
写入头15W相对于读取头15R而设置在滑块150的尾随端153侧。写入头15W具备主磁极171、尾随屏蔽件(写入屏蔽件)172、绝缘体173、为了向主磁极171流通磁通量而以卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁回路的方式配置的记录线圈180、以及磁通量控制部(辅助元件)例如自旋转矩振荡器(spin torque oscillator：STO)200。
主磁极171由具有高饱和磁通量密度的软磁性体形成。主磁极171为了使盘10的磁记录层113磁化，对于盘10的表面产生垂直方向的记录磁场。在图示的例子中，主磁极171相对于盘对向面151大致垂直地延伸。主磁极171的盘对向面151侧的前端部171a的下表面露出于盘对向面151。主磁极171的前端部171a朝向盘对向面151以前端变细的方式缩窄，相对于其他部分形成为宽度窄的柱状。主磁极171的前端部171a的交叉磁道(cross track，与磁道交叉)方向上的宽度与写入磁道的磁道宽度大致对应。交叉磁道方向例如是沿着半径方向的方向。
写入屏蔽件172由具有高饱和磁通量密度的软磁性体形成。写入屏蔽件172是为了经由主磁极171正下方的软磁性层112来高效地使磁路闭合而设置的。写入屏蔽件172相对于主磁极171而位于尾随端153侧。写入屏蔽件172经由绝缘体173与主磁极171连结。主磁极171和写入屏蔽件172电绝缘，且形成磁回路。写入屏蔽件172形成为大致L形状，在盘对向面151侧具有与主磁极171的前端部171a空开写入间隙而相对向的前端部172a。前端部172a的下表面露出于滑块150的盘对向面151。
记录线圈180为了向主磁极171流通磁通量而以卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁回路的方式设置。记录线圈180例如设置在主磁极171与写入屏蔽件172之间。通过向记录线圈180供给预定大小的电流(称为写入电流或者记录电流)，在主磁极171和写入屏蔽件172激励记录磁场。因此，主磁极171和写入屏蔽件172被磁化。通过在该被磁化了的主磁极171和写入屏蔽件172中流通的磁通量，使盘10的磁记录层113的记录位(bit)的磁化方向变化，由此向盘10记录与记录电流相应的磁化模式(pattern)。
辅助元件、例如STO200设置于主磁极171的前端部171a与写入屏蔽件172的前端部172a之间的间隙(以下有时也称为写入间隙)。STO200例如具有如下构造：从主磁极171的前端部171a侧向写入屏蔽件172的前端部172a侧依次层叠有由非磁性导电层形成的基底层、自旋注入层、中间层、振荡层以及由非磁性导电层形成的间隙层。
辅助元件通过被施加预定大小(以下有时也称为元件能量量)的能量(以下有时也称为元件能量或者辅助能量)，对盘10产生：对通过写入头15W进行的向盘10的写入处理进行辅助或者提高写入性能的预定大小(以下有时也称为辅助量)的能量、例如高频磁场。例如，STO200通过被施加预定大小(以下有时也称为电流值)的电流(以下称为驱动电流、偏置(bias)电流或者辅助电流)或者预定大小(以下有时也称为电压值)的电压(以下称为驱动电压、偏置(bias)电压或者辅助电压)来作为元件能量，利用在写入间隙内产生的间隙磁场，磁化会均匀地进行旋转(自旋的进动)，朝向盘10产生频率比记录信号的频率足够高的高频磁场(微波)。STO200通过向盘10的磁记录层113施加高频磁场，降低磁记录层113的顽磁力。在STO200较大地产生自旋的进动的情况下，STO200的导磁率成为低到与空气的导磁率同等的状态。因此，相比于写入间隙(STO200)，来自主磁极171的磁通量更容易流向盘10。另一方面，在STO200不产生自旋的进动、或者产生得比通常小的情况下，STO200的导磁率成为比空气的导磁率高的状态。因此，相比于盘10，来自主磁极171的磁通量更容易流向写间隙(STO200)。以下，将“一边向辅助元件供给元件能量来使得对盘10产生对写入处理进行辅助的能量、一边向盘10写入数据的写入处理”或者“一边向辅助元件供给元件能量来使得对盘10产生提高写入性能的能量、一边向盘10写入数据的写入处理”等，称为“辅助记录”。例如，有时也将“一边向STO200供给辅助电流或者辅助电压来使得对盘10产生高频磁场、一边写入数据的辅助记录”称为“高频辅助记录”。有时也将“进行辅助记录”简称为“进行写入”。有时也将对于向盘10的写入处理进行辅助的效果称为辅助效果。例如，从辅助元件产生的能量的辅助量根据被供给至辅助元件的元件能量量而变化。例如，当被供给至辅助元件的元件能量量变大时，从辅助元件产生的能量的辅助量也变大。另外，例如所供给的元件能量量变小时，从辅助元件产生的能量的辅助量也变小。此外，从辅助元件产生的能量的辅助量也可以不根据被供给至辅助元件的元件能量量而变化。
图3是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。
在图3中，盘10具有盘10－1、盘10－2、…、盘10－N。盘10－1具有表面S0和表面S0的相反侧的背面S1。盘10－2具有表面S2和表面S2的相反侧的背面S3。盘10－N具有表面SN－1和表面SN－1的相反侧的背面SN。
在图3中，头15具有头15－0、头15－1、头15－2、头15－3、…、头15－(N－1)、头15－N。头15－0与表面S0相对向。头15－0向表面S0写入数据，从表面S0读取数据。头15－1与背面S1相对向。头15－1向背面S1写入数据，从背面S1读取数据。头15－2与表面S2相对向。头15－2向表面S2写入数据，从表面S2读取数据。头15－3与背面S3相对向。头15－3向背面S3写入数据，从背面S3读取数据。头15－(N－1)与记录面SN－1相对向。头15－(N－1)向表面SN－1写入数据，从背面SN－1读取数据。头15－N与背面SN相对向。头15－N向背面SN写入数据，从背面SN读取数据。以下，有时也将搭载于磁盘装置1的至少一个盘10的记录容量的合计称为合计容量。合计容量例如相当于能够以各预定的头15向各盘10写入的记录容量的合计。在图3所示的例子中，合计容量是能够用头15－0向盘10－1的表面S0写入的数据的记录容量、能够用头15－1向盘10－1的背面S1写入的数据的记录容量、能够用头15－2向盘10－2的表面S2写入的数据的记录容量、能够用头15－3向盘10－2的背面S3写入的数据的记录容量、…、能够用头15－(N－1)向盘10－N写入的数据的表面SN－1的记录容量以及能够用头15－N向盘10－N写入的数据的背面SN的记录容量的合计。此外，合计容量既可以是磁盘装置1的全部盘10的记录面的记录容量的合计，也可以是磁盘装置1的几个盘10的记录面的记录容量的合计，还可以是磁盘装置1的一个盘10的记录面的记录容量。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制来对SPM12和VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC(预放大器)30具备读取放大器和写入驱动器等。读取放大器对从盘10读取到的读取信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读取/写入(R/W)通道50)。写入驱动器例如包括记录电流控制电路310和元件能量控制电路等。记录电流控制电路310电连接于记录线圈180，向记录线圈180供给与从R/W通道50输出的写入数据相应的记录电流。例如，记录电流控制电路310按照系统控制器130(MPU60)的控制来向记录线圈180供给记录电流。元件能量控制电路320电连接于辅助元件例如STO200，按照系统控制器130例如MPU60的控制来向STO200施加预定的元件能量、例如预定的辅助电流或者预定的辅助电压。
易失性存储器70是当电力供给断开时会失去所保存的数据的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。
非易失性存储器80是即使电力供给断开、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。
缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读取/写入(R/W)通道50以及微处理器(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如电连接于驱动器IC20、头放大器IC60、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等。
HDC40按照来自后述的MPU60的指示来对主机100与R/W通道50之间的数据传送进行控制。HDC40例如电连接于易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等。
R/W通道50按照来自MPU60的指示来执行读取数据和写入数据的信号处理。R/W通道50例如电连接于头放大器IC30等。R/W通道50具有对写入数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道50具有对读取数据的信号品质进行测定的电路或者功能。
MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行头15的定位。MPU60对于向盘10写入数据的写入动作进行控制，并且，选择从主机100传送的写入数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘10读取数据的读取动作进行控制，并且，对从盘10传送到主机100的读取数据的处理进行控制。MPU60连接于磁盘装置1的各部。MPU60例如电连接于驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等。
MPU60具备读取/写入控制部610、测定部620以及记录密度/能量控制部630等。MPU60在固件上执行各部例如读取/写入控制部610、测定部620以及记录密度/能量控制部630等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具备各部例如读取/写入控制部610、测定部620以及记录密度/能量控制部630等。
读取/写入控制部610按照来自主机100等的命令等，对数据的写入处理和读取处理进行控制。读取/写入控制部610经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10的目标位置，执行写入处理或者读取处理。读取/写入控制部610一边向辅助元件例如STO200供给元件能量、例如辅助电流或者辅助电压来对盘10产生对写入处理进行辅助的能量例如高频磁场，一边向盘10写入(辅助记录)数据。此外，读取/写入控制部610也可以通过不向辅助元件例如STO200供给元件能量、例如辅助电流或者辅助电压，从而无辅助效果地向盘10写入数据。
测定部620测定各盘10和各头15的特性。测定部620测定各头15的辅助元件的寿命(以下有时也称为元件寿命)。元件寿命例如相当于辅助元件的消耗程度(或者消耗等级)或者劣化程度(或者劣化等级)。例如，在元件寿命长的情况下，辅助元件的消耗程度小，在元件寿命短的情况下，辅助元件的消耗程度大。测定部620向各头15的各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量，测定各辅助元件的元件寿命。测定部620基于向各头15的各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量来测定到的各辅助元件的元件寿命，取得与各头15对应的元件能量量和元件寿命的关系。例如，测定部620向各头15的各STO200供给预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压来测定各头15的各STO200的元件寿命。测定部620基于向各头15的各STO200供给预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压来测定到的各头15的各STO的元件寿命，取得与各头15对应的元件能量量和元件寿命的关系。测定部60也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产(批量生产)时所得到的各种数据的表来取得元件能量量和元件寿命的关系。此外，也可以对于向各头15的各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量来使得产生了预定的辅助量的能量的各辅助元件的元件寿命进行测定。测定部620也可以基于向各头15的各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量来使各辅助元件产生预定的辅助量的能量所测定到的各辅助元件的元件寿命，取得与各头15对应的辅助量和元件寿命的关系。测定部60也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表来取得辅助量和元件寿命的关系。
测定部620对于向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行测定。元件寿命会与对被供给至辅助元件的元件能量的元件能量量进行决定的值(以下有时也称为元件能量决定值)、例如辅助元件的电阻(以下有时也称为元件电阻)的值(以下有时也称为元件电阻值)相关。测定部620向具有预定的元件能量决定值的辅助元件供给元件能量来测定元件能量量。测定部620基于向具有预定的元件能量决定值的辅助元件供给元件能量来测定到的元件能量量，取得与各头15对应的元件能量量和元件能量决定值的关系。例如，测定部620向包括预定的元件电阻值的元件电阻的各STO200施加辅助电流或者辅助电压，测定施加于各STO的辅助电流的辅助电流值或者辅助电压的辅助电压值。测定部620基于向包括预定的元件电阻值的元件电阻的各STO200施加辅助电流或者辅助电压来测定到的、施加于各STO的辅助电流的辅助电流值或者辅助电压的辅助电压值，取得与各头15对应的元件能量量和元件能量决定值(例如元件电阻)的关系。此外，测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表，取得元件能量量和元件能量决定值的关系。测定部620也可以基于与各头15对应的元件能量量和元件能量决定值的关系，推定与各头15对应的元件能量量和元件寿命的关系。
此外，测定部620也可以测定从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量。测定部620也可以对于向具有预定的元件能量决定值的辅助元件供给元件能量来产生的能量的辅助量进行测定。测定部620也可以基于向具有预定的元件能量决定值的辅助元件供给元件能量来测定到的从该辅助元件产生的能量的辅助量，取得与各头15对应的辅助量和元件能量决定值的关系。另外，测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表，取得辅助量和元件能量决定值的关系。测定部620也可以基于与各头15对应的辅助量和元件能量决定值的关系，推定与各头15对应的辅助量和元件寿命的关系。
测定部620测定与各头15对应的错误率。测定部620在利用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入(辅助记录)了数据的各盘10的各区域测定错误率。测定部620基于在利用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入了数据的各盘10的各区域所测定的错误率，取得与各头15对应的元件能量量和错误率的关系。例如，测定部620在利用向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15写入了数据的各盘10的各分区或者各磁道，测定错误率、例如BER(Bit Error Rate，位错误率)。测定部620基于在利用向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15写入了数据的各盘10的各分区或者各磁道所测定的错误率，取得与各头15对应的元件能量量和错误率的关系。另外，例如，测定部620在利用向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15写入了数据的各盘10的几个分区或者几个磁道，测定错误率、例如BER。测定部620基于在利用向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15写入了数据的各盘10的几个分区或者几个磁道所测定的错误率，取得与各头15对应的元件能量量和错误率的关系。测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表来取得元件能量量和错误率的关系。此外，测定部620也可以在利用向各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量来朝向盘10产生预定的辅助量的能量的各头15写入了(辅助记录了)数据的各盘10的各区域，测定错误率。测定部620也可以基于在利用向各辅助元件供给预定的元件能量量的元件能量来在盘10产生预定的辅助量的能量的各头15写入了数据的各盘10的各区域所测定的错误率，取得与各头15对应的辅助量和错误率的关系。测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表来取得辅助量和错误率的关系。
测定部620在通过向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15以预定的记录密度写入了(辅助记录了)数据的各盘10的各区域测定错误率。测定部620基于在通过向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15以预定的记录密度写入了数据的各盘10的各区域所测定的错误率，取得与各头15对应的元件能量量和记录密度的关系。例如，测定部620在通过向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15以预定的记录密度、例如预定的线记录密度(BPI：BitPer Inch)和预定的磁道密度(TPI：Track Per Inch)写入了数据的各盘10的各分区或者各磁道，测定错误率、例如BER。“记录密度”包括“BPI”和“TPI”中的至少一方。测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表来取得元件能量量和记录密度的关系。测定部620基于在通过向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15以预定的记录密度写入了数据的各盘10的各分区或者各磁道所测定的错误率，取得与各头15对应的记录密度和错误率的关系。另外，例如，测定部620也可以测定：通过向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15以预定的记录密度、例如预定的BPI和预定的TPI写入了数据的各盘10的几个分区或者几个磁道的错误率、例如BER。测定部620也可以基于在通过向各STO200施加了预定的辅助电流值的辅助电流或者预定的辅助电压值的辅助电压的各头15以预定的记录密度写入了数据的各盘10的几个分区或者几个磁道所测定的错误率，取得与各头15对应的记录密度和错误率的关系。测定部620也可以基于不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表，取得记录密度和错误率的关系。
测定部620也可以将所测定的各头15和各盘10的特性例如元件能量量和元件寿命的关系、元件能量量和元件能量决定值的关系、元件能量量和错误率的关系、记录密度和错误率的关系、辅助量和元件寿命的关系、辅助量和元件能量决定值的关系以及辅助量和错误率的关系等，记录于预定的记录区域例如各盘10的预定区域、各盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。此外，测定部620也可以不设置于MPU60。各头15和各盘10的特性例如元件能量量和元件寿命的关系、元件能量量和元件能量决定值的关系、元件能量量和错误率的关系、记录密度和错误率的关系、辅助量和元件寿命的关系、辅助量和元件能量决定值的关系以及辅助量和错误率的关系等，也可以由磁盘装置1以外的其他设备来测定，并记录于预定的记录区域例如各盘10的预定区域、各盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。
记录密度/能量控制部630对与各头15对应的记录密度和向各头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行调整(设定或者控制)。例如，记录密度/能量控制部630对与各头15对应的BPI和TPI(Track Per Inch)中的至少一方以及向各头15的STO200供给的辅助电流的辅助电流值或者辅助电压的辅助电压值进行调整(设定或者控制)。记录密度/能量控制部630按各头15来对记录密度和元件能量的元件能量量进行调整(设定或者控制)。例如，记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时按各头15来对BPI和TPI中的至少一方以及辅助电流的辅助电流值或者辅助电压的辅助电压值进行调整(设定或者控制)。
记录密度/能量控制部630在制造工序中将各头15的记录密度调整(或者设定)为被设定为初始值的记录密度(以下有时也称为初始记录密度)，将向各头15的各辅助元件供给的元件能量量调整(或者设定)为被设定为初始值的元件能量量(以下有时也称为初始能量量)。例如，记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时将与各头15对应的BPI调整(或者设定)为被设定为初始值的BPI(以下有时也称为初始BPI)，将与各头15对应的TPI调整(或者设定)为被设定为初始值的TPI(以下有时也称为初始TPI)，将向各头15的各STO200施加的辅助电流调整(或者设定)为被设定为初始值的辅助电流值(以下有时也称为初始辅助电流值)。另外，例如，记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时将与各头15对应的BPI调整(或者设定)为初始BPI，将与各头15对应的TPI调整(或者设定)为初始TPI，将向各头15的各STO200施加的辅助电压调整(或者设定)为被设定为初始值的辅助电压值(以下有时也称为初始辅助电压值)。此外，记录密度/能量控制部630也可以在制造工序的盘10的容量的可变调整时，将与各头15对应的BPI调整为初始BPI，将向各头15的各STO200施加的辅助电流(或者辅助电压)的辅助电流值(或者辅助电压值)调整为初始辅助电流值(或者初始辅助电压值)。另外，记录密度/能量控制部630也可以在制造工序的盘10的容量的可变调整时，将与各头15对应的TPI调整为初始TPI，将向各头15的各STO200施加的辅助电流(或者辅助电压)的辅助电流值(或者辅助电压值)调整为初始辅助电流值(或者初始辅助电压值)。
记录密度/能量控制部630也可以将与各头15对应的记录密度(例如BPI和TPI)的设定值作为表来记录在预定的记录区域、例如盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。例如，记录密度/能量控制部630参照记录于表的与各头15对应的记录密度的设定值，对与各头15对应的记录密度进行控制。记录密度/能量控制部630通过对记录于表的与各头15对应的记录密度的设定值进行变更，从而对与各头15对应的记录密度进行变更(设定或者调整)。
记录密度/能量控制部630也可以将各盘10的记录容量的设定值作为表来记录在预定的记录区域、例如盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。例如，记录密度/能量控制部630也可以通过相应于与各头15对应的记录密度的设定值的变更来对记录于表的与各头15对应的各盘10的记录容量的设定值进行变更，从而对各盘10的记录容量进行变更(设定或者调整)。另外，例如，记录密度/能量控制部630也可以通过对记录于表的各盘10的记录容量的设定值进行变更，从而对与各头15对应的记录密度进行变更(设定或者调整)，对各盘10的记录容量进行变更(设定或者调整)。
记录密度/能量控制部630也可以将从各头15的各辅助元件(例如STO200)产生的能量的辅助量的设定值作为表来记录在预定的记录区域、例如盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。例如，记录密度/能量控制部630参照记录于表的从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量的设定值，对从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量进行控制。记录密度/能量控制部630通过对记录于表的从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量的设定值进行变更，从而对从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量进行变更(设定或者调整)。此外，记录密度/能量控制部630通过对记录于表的从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量的设定值进行变更，从而对于向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行变更(设定或者调整)，对各盘10的从各辅助元件产生的能量的辅助量进行变更(设定或者调整)。
记录密度/能量控制部630也可以将向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量的设定值作为表来记录在预定的记录区域、例如盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。例如，记录密度/能量控制部630参照记录于表的各头15的各辅助元件的元件能量量的设定值，对于向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行控制。记录密度/能量控制部630通过对记录于表的各头15的各辅助元件的元件能量的元件能量量的设定值进行变更，从而对于向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行变更(设定或者调整)。此外，记录密度/能量控制部630也可以相应于各头15的各辅助元件的辅助量的设定值的变更来对记录于表的各头15的各辅助元件的元件能量量的设定值进行变更(设定或者调整)，从而对各头15的各辅助元件的元件能量的元件能量量进行变更(设定或者调整)。
记录密度/能量控制部630对盘10的容量、例如合计容量进行检测。例如，在对与各头15对应的记录密度进行了调整之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是否与作为目标的合计容量(以下有时也称为目标合计容量)一致。“相同”、“同一”、“一致”以及“同等”等用语包含完全相同这一含义自不必说，也包含在可视为实质上相同的程度上有不同这一含义。
在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630从多个头15选择头(以下有时也称为对象头)15，对利用对象头15向与对象头15对应的盘10写入了数据时的记录密度进行调整(或者变更)，调整(或者变更)向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。换言之，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整(或者变更)，调整(或者变更)向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量，对与对象头15对应的盘10的记录容量进行调整。此外，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以构成为：对与对象头15对应的记录密度和向对象头15的辅助元件供给的元件能量量中的至少一方进行调整(或者变更)。例如，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅对与对象头15对应的记录密度进行调整(或者变更)。
例如，记录密度/能量控制部630也可以基于元件能量量和元件寿命的关系，从多个头15选择对记录密度等进行变更的优先级(以下有时也简称为优先级)高的对象头15。例如，记录密度/能量控制部630也可以基于元件能量量和元件寿命的关系来算出与向各头15的各辅助元件(例如STO200)供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如、辅助电流值或者辅助电压值)的变化量对应的各头15的各辅助元件的各元件寿命的变化量，基于与向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量的变化量对应的元件寿命的变化量，选择优先级高的对象头15。例如，记录密度/能量控制部630也可以基于向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量相对于能够向各头15的各辅助元件供给的元件能量量的上限值(以下有时也称为上限能量量)的比率(以下有时也称为能量量比率)，选择优先级高的对象头15。上限能量量相当于在向预定的头15的预定的辅助元件进行了供给的情况下能够确保预定的元件寿命的最大的元件能量量。换言之，上限能量量相当于能够向预定的头15的预定的辅助元件供给的元件能量量的上限值。
例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，对与对象头15对应的记录密度(例如BPI)进行调整，调整向对象头15的辅助元件(例如STO200)供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)，以使得与记录密度的变化量对应的错误率(例如BER)的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630基于各头15和各盘10的特性例如元件能量量和元件寿命的关系、元件能量量和元件能量决定值的关系、元件能量量和错误率的关系以及记录密度和错误率的关系等，取得与各头15对应的记录密度和元件能量量的关系。
记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。例如，记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15按优先级从高到低的顺序选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。
例如，在对与各头15对应的记录密度(例如BPI和TPI)进行了调整之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是否大于目标合计容量。此外，在对与各头15对应的记录密度(例如BPI和TPI)进行了调整之后，记录密度/能量控制部630也可以判定合计容量是比目标合计容量大、还是比目标合计容量小。另外，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以判定合计容量是否大于目标合计容量。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630基于元件能量量和元件寿命的关系，分别算出分别与向多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)的变化量对应的多个辅助元件的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，从多个头15选择使预定的元件能量量的变化量的元件能量减少了的情况下元件寿命的变化量最大的头15、也即是使预定的元件能量量的变化量的元件能量减少了的情况下元件寿命最得到改善的头15，来作为对象头15。另外，例如，记录密度/能量控制部630也可以基于分别与多个头15对应的多个能量量比率，从多个头15选择与多个能量量比率中的最大的能量量比率对应的头15、也即是被供给最接近上限能量量的元件能量量的元件能量的头15，来作为对象头15。
在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，使与对象头15对应的盘10的记录容量减少。此外，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。另外，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，相应于与对象头15对应的元件能量量的变化量来使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少。例如，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，以使得与记录密度的变化量对应的错误率的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。
例如，在判定为合计容量不比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630判定合计容量是否小于目标合计容量。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630基于元件能量量和元件寿命的关系，分别算出分别与向多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)的变化量对应的多个头15的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，选择使预定的元件能量量的变化量的元件能量增大了的情况下元件寿命的变化量最小的头15、也即是使预定的元件能量量的变化量的元件能量增大了的情况下元件寿命最不变化的头15，来作为对象头15。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，使与对象头15对应的盘10的记录容量增大。此外，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅使与对象头15对应的记录密度增大。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以不使向各头15的各辅助元件供给的元件能量量增大。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。另外，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使对象头15所对应的记录密度增大。例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量量增大，以使得与记录密度的变化量对应的错误率的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量量增大。
另外，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以从多个头15选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整(或者变更)，对从对象头15的辅助元件(例如STO200)产生的能量(例如高频磁场)的辅助量进行调整(或者变更)，调整(或者变更)向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。换言之，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以从多个头15选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，对从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量，对与对象头15对应的盘10的记录容量进行调整。此外，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以构成为：对从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量和利用对象头15写入了数据时的记录密度中的至少一方进行调整(或者变更)。例如，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅对与对象头15对应的记录密度进行调整(或者变更)。
例如，记录密度/能量控制部630也可以基于辅助量和元件寿命的关系，从多个头15选择优先级高的对象头15。例如，记录密度/能量控制部630也可以基于辅助量和元件寿命的关系，算出与从各头15的各辅助元件(例如STO200)产生的能量的辅助量的变化量对应的各头15的各辅助元件的各元件寿命的变化量，基于与从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量对应的元件寿命的变化量，选择优先级高的对象头。例如，记录密度/能量控制部630也可以基于从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量相对于从各头15的各辅助元件产生的辅助量的上限值(以下有时也称为上限辅助量)的比率(以下有时也称为辅助量比率)，选择优先级高的对象头15。上限辅助量相当于从预定的头15产生了的情况下能够确保预定的元件寿命的最大的辅助量。换言之，上限辅助量相当于能够向预定的头15的预定的辅助元件供给的辅助量的上限值。
例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和辅助量的关系，对与对象头15对应的记录密度(例如BPI)进行调整，对从对象头15的辅助元件(例如STO200)产生的能量(例如高频磁场)的辅助量进行调整，以使得与记录密度的变化量对应的错误率(例如BER)的变化量和与辅助量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630基于各头15和各盘10的特性例如辅助量和元件寿命的关系、辅助量和元件能量决定值的关系、辅助量和错误率的关系以及记录密度和错误率的关系等，取得与各头15对应的记录密度和辅助量的关系。
记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，对从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。例如，记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15按优先级从高到低的顺序选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，对从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。
例如，在对与各头15对应的记录密度(BPI和TPI)进行了调整之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是否大于目标合计容量。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以基于辅助量和元件寿命的关系，分别算出分别与从多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别产生的能量(例如高频磁场)的辅助量的变化量对应的多个辅助元件的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，从多个头15选择使预定的辅助量的变化量的能量减少了的情况下元件寿命的变化量最大的头15、也即是使预定的辅助量的变化量的能量减少了的情况下元件寿命最得到改善的头15来作为对象头15。另外，例如，记录密度/能量控制部630也可以基于分别与多个头15对应的多个辅助量比率，从多个头15选择与多个辅助量比率中的最大的辅助量比率对应的头15、也即是产生最接近上限辅助量的辅助量的能量的头15来作为对象头15。
在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度减少，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少，使与对象头15对应的盘10的记录容量减少。此外，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少。此外，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少。另外，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少，相应于与对象头15对应的辅助量的变化量来使记录密度(例如BPI)减少。例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和辅助量的关系，使与对象头15对应的记录密度减少，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少，以使得与记录密度的变化量对应的错误率的变化量和与辅助量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度减少，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量减少。
例如，在判定为合计容量不比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630判定合计容量是否小于目标合计容量。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以基于辅助量和元件寿命的关系，分别算出分别与从多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别产生的能量的辅助量的变化量对应的多个头15的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，选择使预定的辅助量的变化量的能量增大了的情况下元件寿命的变化量最小的头15、也即是使预定的辅助量的变化量的能量增大了的情况下元件寿命最不变化的头15，来作为对象头15。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度增大，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度增大，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大，使与对象头15对应的盘10的记录容量增大。此外，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅使与对象头15对应的记录密度增大。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以不使从各头15的各辅助元件产生的能量的辅助量增大。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大。另外，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大，相应于与对象头15对应的辅助量的变化量来使与对象头15对应的记录密度增大。例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和辅助量的关系，使与对象头15对应的记录密度增大，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大，以使得与记录密度的变化量对应的错误率的变化量和与辅助量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度增大，使从对象头15的辅助元件产生的能量的辅助量增大。
图4是表示各头15的记录密度的表TB1的一个例子的图。在图4中，表TB1包括各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N和与各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应的各记录密度RD0、RD1、RD2、RD3、…、RDN－1、RDN。例如，表TB1所示的头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N分别与图3所示的头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应。在表TB1中，记录密度例如相当于BPI。此外，在表TB1中，记录密度例如既可以相当于TPI，也可以相当于BPI和TPI。在图4中，记录密度RD0～RDN既可以相同，也可以不同。
在图4所示的例子中，记录密度/能量控制部630分别将与多个头15－0～15－N对应的多个记录密度调整为多个记录密度RD0～RDN。记录密度/能量控制部630对与各头15－0～15－N对应的各记录密度RD0～RDN进行记录。
图5是表示各盘10的记录面的记录容量的表TB2的一个例子的图。在图5中，表TB2包含：盘10－1的表面S0和背面S1、盘10－2的表面S2和背面S3、…、盘10－N的表面SN－1和背面SN；与各记录面S0、S1、S2、S3、…、S(N－1)、SN对应的各记录容量C0、C1、C2、C3、…、CN－1、CN；与各记录面S0、S1、S2、S3、…、S(N－1)、SN对应的作为目标的各记录容量(以下有时也称为目标容量或者靶容量)TC0、TC1、TC2、TC3、…、TCN－1、TCN；合计容量SC；以及目标合计容量STC，合计容量SC相当于分别与多个记录面S0～SN对应的多个记录容量C0～CN之和，目标合计容量STC相当于分别与多个记录面S0～SN对应的多个目标容量TC0～TCN之和。例如，表TB2所示的记录面S0、S1、S2、S3、…、S(N－1)、SN分别对应于图3所示的记录面S0、S1、S2、S3、…、S(N－1)、SN。也即是，记录容量C0相当于能够利用头15－0向记录面S0写入的数据的记录容量，记录容量C1相当于能够利用头15－1向记录面S1写入的数据的记录容量，记录容量C2相当于能够利用头15－2向记录面S2写入的数据的记录容量，记录容量C3相当于能够利用头15－3向记录面S3写入的数据的记录容量，记录容量CN－1相当于能够利用头15－(N－1)向记录面S(N－1)写入的数据的记录容量，记录容量CN相当于能够利用头15－N向记录面SN写入的数据的记录容量。在图5中，记录容量C0～CN既可以相同，也可以不同。另外，在图5中，目标容量TC0～TCN既可以相同，也可以不同。
在图5所示的例子中，记录密度/能量控制部630判定分别与多个记录面S0～SN对应的多个记录容量C0～CN的合计容量SC是比分别与多个记录面S0～SN对应的多个目标容量TC0～TCN的合计目标容量TSC小还是大。
图6是表示从各头15的辅助元件产生的能量的辅助量的表TB3的一个例子的图。在图6中，表TB3示出：各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N；与各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应的各辅助量AS0、AS1、AS2、AS3、…、ASN－1、ASN；与各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应的各上限辅助量MA0、MA1、MA2、MA3、…、MAN－1、MAN；各辅助量AS0、AS1、AS2、AS3、…、ASN－1、ASN相对于各上限辅助量MA0、MA1、MA2、MA3、…、MAN－1、MAN的各辅助量比率65％、86％、79％、70％、…、67％、76％。
在图6所示的例子中，记录密度/能量控制部630在判定为图5所示的合计容量SC比目标合计容量STC大的情况下，从表TB3中选择与最大的辅助量比率(86％)对应的头15－1来作为对象头15－1。在选择了对象头15－1之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－1对应的记录密度RD1减少，使图6所示的从对象头15－1的辅助元件产生的能量的辅助量AS1减少。
在使与对象头15－1对应的记录密度RD1和从对象头15－1的辅助元件产生的能量的辅助量AS1减少之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是比目标合计容量STC大还是小。在判定为合计容量比目标合计容量STC大的情况下，记录密度/能量控制部630从表TB3中选择与最大的辅助量比率(79％)对应的头15－2来作为对象头15－2。在选择了对象头15－2之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－2对应的记录密度RD2减少，使图6所示的从对象头15－2的辅助元件产生的能量的辅助量AS2减少。
记录密度/能量控制部630例如反复进行如下的处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－1和15－2以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使从对象头的辅助元件产生的能量的辅助量减少，使与对象头对应的记录密度减少。
在图6所示的例子中，记录密度/能量控制部630在判定为图5所示的合计容量SC比目标合计容量STC小的情况下，从表TB3中选择与最小的辅助比率(67％)对应的头15－(N－1)来作为对象头15－(N－1)。在选择了对象头15－(N－1)之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－(N－1)对应的记录密度RDN－1增大，使图6所示的从对象头15－(N－1)的辅助元件产生的能量的辅助量ASN－1增大。
在使与对象头15－(N－1)对应的记录密度RDN－1和使对象头15－(N－1)的辅助元件产生的能量的辅助量ASN－1增大之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是比目标合计容量STC大还是小。在判定为合计容量比目标合计容量STC小的情况下，记录密度/能量控制部630从表TB3中选择与最小的能量量比率(70％)对应的头15－3来作为对象头15－3。在选择了对象头15－3之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－3对应的记录密度RD3增大，使图6所示的从对象头15－3的辅助元件产生的能量的辅助量AS3增大。
记录密度/能量控制部630例如反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－3和15－(N－1)以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使与对象头对应的记录密度增大，使从对象头的辅助元件产生的能量的辅助量增大。
图7是表示供给至各头15的辅助元件的元件能量的元件能量量的表TB3的一个例子的图。在图7中，表TB4示出：各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N；与各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应的各元件能量量E0、E1、E2、E3、…、EN－1、EN；与各头15－0、15－1、15－2、15－3、…、15－(N－1)、15－N对应的各上限能量量ME0、ME1、ME2、ME3、…、MEN－1、MEN；各上限能量量ME0、ME1、ME2、ME3、…、MEN－1、MEN相对于各元件能量量E0、E1、E2、E3、…、EN－1、EN的各能量量比率65％、86％、79％、70％、…、67％、76％。
在图7所示的例子中，记录密度/能量控制部630在判定为图5所示的合计容量SC比目标合计容量STC大的情况下，从表TB4中选择与最大的能量量比率(86％)对应的头15－1来作为对象头15－1。在选择了对象头15－1之后，记录密度/能量控制部630使图7所示的向对象头15－1的辅助元件供给的元件能量的元件能量量E1减少，使图4所示的与对象头15－1对应的记录密度RD1减少。此外，记录密度/能量控制部630也可以使图6所示的从对象头15－1的辅助元件产生的能量的辅助量AS1减少，使图7所示的向对象头15－1的辅助元件供给的元件能量的元件能量量E1减少，使图4所示的与对象头15－1对应的记录密度RD1减少。
在使与对象头15－1对应的记录密度RD1和向对象头15－1的辅助元件供给的元件能量的元件能量量E1减少之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是比目标合计容量STC大还是小。在判定为合计容量比目标合计容量STC大的情况下，记录密度/能量控制部630从表TB4中选择与最大的能量量比率(79％)对应的头15－2来作为对象头15－2。在选择了对象头15－2之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－2对应的记录密度RD2减少，使图7所示的向对象头15－2的辅助元件供给的元件能量的元件能量量E2减少。此外，记录密度/能量控制部630也可以使图4所示的与对象头15－2对应的记录密度RD2减少，使图6所示的从对象头15－2的辅助元件产生的能量的辅助量AS2减少，使图7所示的向对象头15－2的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。
记录密度/能量控制部630例如反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－1和15－2以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使与对象头对应的记录密度减少，使供给至对象头的辅助元件的元件能量的元件能量量减少。此外，记录密度/能量控制部630例如也可以反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－1和15－2以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使与对象头对应的记录密度减少，使从对象头的辅助元件产生的能量的辅助量减少，相应于辅助量的变化量来使供给至对象头的辅助元件的元件能量的元件能量量减少。
在图7所示的例子中，记录密度/能量控制部630在判定为图5所示的合计容量SC比目标合计容量STC小的情况下，从表TB4中选择与最小的辅助比率(67％)对应的头15－(N－1)来作为对象头15－(N－1)。在选择了对象头15－(N－1)之后，记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－(N－1)对应的记录密度RDN－1增大，使向对象头15－(N－1)的辅助元件供给的元件能量的元件能量量EN－1增大。此外，记录密度/能量控制部630也可以使图4所示的与对象头15－(N－1)对应的记录密度RDN－1和第2记录密度TPN－1增大，使图6所示的从对象头15－(N－1)的辅助元件产生的能量的辅助量ASN－1增大，相应于辅助量ASN－1的变化量来使向对象头15－(N－1)的辅助元件供给的元件能量的元件能量量EN－1增大。
在使与对象头15－(N－1)对应的记录密度RDN－1和向对象头15－(N－1)的辅助元件供给的元件能量的元件能量量EN－1增大之后，记录密度/能量控制部630判定合计容量是比目标合计容量STC大还是小。在判定为合计容量比目标合计容量STC小的情况下，记录密度/能量控制部630从表TB4中选择与最小的能量量比率(70％)对应的头15－3来作为对象头15－3。记录密度/能量控制部630使图4所示的与对象头15－3对应的记录密度RD3增大，使向对象头15－3的辅助元件供给的元件能量的元件能量量ME3增大。此外，记录密度/能量控制部630也可以使图4所示的与对象头15－3对应的记录密度RD3增大，使图6所示的从对象头15－3的辅助元件产生的能量的辅助量AS3增大，相应于辅助量AS3的变化量来使向对象头15－3的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。
记录密度/能量控制部630例如反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－3和15－(N－1)以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使与对象头对应的记录密度增大，使供给至对象头的辅助元件的元件能量的元件能量量增大。此外，记录密度/能量控制部630例如也可以反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量STC一致，该处理为：从头15－3和15－(N－1)以外的其他头15－0～15－N选择对象头，使与对象头对应的记录密度增大，使从对象头的辅助元件产生的能量的辅助量增大，相应于辅助量的变化量来使供给至对象头的辅助元件的元件能量的元件能量量增大。
图8是表示本实施方式涉及的元件能量量和元件能量决定值的关系的一个例子的图。在图8中，纵轴表示供给至分别搭载于磁盘装置1的多个头15的多个辅助元件的平均的元件能量量、例如辅助电流或者辅助电压，横轴表示搭载于磁盘装置1的多个头15的多个辅助元件的平均的元件能量决定值、例如元件电阻值。图8的纵轴的元件能量量随着向箭头前端的方向前进而变大。图8的横轴的元件能量决定值随着向箭头前端的方向前进而变大。在图8中，白的圆WD表示不调整元件能量量的情况下的相对于预定的元件能量决定值的预定的元件能量量，黑的圆BD表示调整了元件能量量的情况下的相对于预定的元件能量决定值的预定的元件能量量。
在图8所示的例子中，白的圆WD随着元件能量决定值变大而变大。换言之，如前所述，例如在如图7所示那样对元件能量量(或者如图6所示那样对辅助量)不进行调整的情况下，元件能量量与元件能量决定值成比例地变大。黑的圆BD与元件能量决定值不相关。换言之，如前所述，例如在如图7所示那样对元件能量量(或者如图6所示那样对辅助量)进行了调整的情况下，元件能量量与元件能量决定值不相关。
图9是表示本实施方式涉及的头15的调整方法的一个例子的流程图。
MPU60取得元件能量量和元件寿命的关系(B901)，取得元件能量量和错误率的关系(B902)，取得记录密度和错误率的关系(B903)。此外，MPU60也可以从不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表取得元件能量量和元件寿命的关系、元件能量和错误率的关系以及记录密度和错误率的关系等。MPU60将记录密度、例如BPI和TPI调整为初始记录密度、例如初始BPI和初始TPI(B904)。MPU60从多个头15中选择对象头15(B905)。例如，MPU60基于元件能量量和元件寿命的关系，算出与向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量的变化量对应的各头15的各辅助元件的各元件寿命的变化量，基于与向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量的变化量对应的元件寿命的变化量，从多个头15中选择优先级高的对象头。例如，MPU60也可以基于与各头15的各辅助元件对应的能量量比率，从多个头15中选择优先级高的对象头。另外，例如，MPU60也可以基于与各头15的各辅助元件对应的辅助量比率，从多个头15中选择优先级高的对象头。MPU60判定合计容量是否大于目标合计容量(B906)。在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下(B906：是)，MPU60使与对象头15对应的记录密度、例如BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量例如辅助电流或者辅助电压的元件能量量、例如辅助电流值或者辅助电压值减少(B907)，进入B905的处理。在判定为合计容量不比目标合计容量大的情况下(B906：否)，MPU60判定合计容量是否小于目标合计容量(B908)。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下(B908：是)，MPU60使与对象头15对应的记录密度、例如BPI增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量例如辅助电流或者辅助电压的元件能量量、例如辅助电流值或者辅助电压值增大(B909)，进入B905的处理。在判定为合计容量不比目标合计容量小的情况下(B908：否)，MPU60结束处理。换言之，MPU60在判定为合计容量与目标合计容量一致的情况下结束处理。
根据本实施方式，磁盘装置1具有多个头15，该多个头15具有通过被供给预定的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)来对于盘10产生预定的辅助量的能量(例如高频磁场)的辅助元件(例如STO200)。磁盘装置1从多个头15中选择对象头15。磁盘装置1判定合计容量是否大于目标合计容量。在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的记录密度、例如BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。磁盘装置1反复如下进行处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。在判定为合计容量不比目标合计容量大的情况下，磁盘装置1判定合计容量是否小于目标合计容量。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。磁盘装置1反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。磁盘装置1通过对预定的头15的记录密度和向该头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量进行调整，能够提高数据的品质、且改善辅助元件的元件寿命。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
接着，对其他实施方式以及变形例涉及的磁盘装置1进行说明。在其他实施方式以及变形例中，对与前述的第1实施方式相同的部分标记同一参照符号，省略其详细的说明。
(变形例1)
变形例1涉及的磁盘装置1的头15的调整方法与前述的第1实施方式不同。
记录密度/能量控制部630对各盘10的预定区域的记录容量的合计(以下有时也称为部分合计容量)进行检测。例如，在对各头15的所对应的记录密度进行了调整之后，记录密度/能量控制部630判定部分合计容量是否与作为目标的部分合计容量(以下有时也称为目标部分容量)一致。此外，部分合计容量既可以是磁盘装置1的全部盘10的记录面的一部分的记录容量的合计，也可以是磁盘装置1的几个盘10的记录面的一部分的记录容量的合计，还可以是磁盘装置1的一个盘10的记录面的一部分的记录容量。
在判定为部分合计容量与目标部分容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630从多个头15中选择对象头15，对用对象头15向与对象头15对应的盘10写入了数据时的记录密度(例如BPI)进行调整(或者变更)，调整(或者变更)向对象头15的辅助元件(例如STO)供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)。此外，在判定为部分合计容量与目标部分容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以构成为：对与对象头15对应的记录密度和向对象头15的辅助元件供给的元件能量量中的至少一方进行调整(或者变更)。例如，在判定为部分合计容量与目标部分容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅对与对象头15对应的记录密度进行调整(或者变更)。
记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标部分容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。例如，记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中按优先级从高到低的顺序选择对象头15，对与对象头15对应的记录密度进行调整，调整向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量。
例如，在对与各头15对应的记录密度(例如BPI和TPI)进行了调整之后，记录密度/能量控制部630判定部分合计容量是否大于目标部分容量。例如，在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630基于元件能量量和元件寿命的关系，分别算出分别与向多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)的变化量对应的多个辅助元件的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，从多个头15中选择使预定的元件能量量的变化量的元件能量减少了的情况下元件寿命最得到改善的头15来作为对象头15。
在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。此外，在判定为部分合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。另外，在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，相应于与对象头15对应的元件能量量的变化量来使与对象头15对应的记录密度(例如BPI)减少。例如，在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，以使得与记录密度的变化量对应的错误率的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标部分容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。
例如，在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630判定部分合计容量是否小于目标部分容量。在判定为部分合计容量比目标部分容量小的情况下，记录密度/能量控制部630基于元件能量量和元件寿命的关系，分别算出分别与向多个头15的多个辅助元件(例如STO200)分别供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)的变化量对应的多个头15的元件寿命的变化量。记录密度/能量控制部630基于所算出的多个头15的元件寿命的变化量，选择使预定的元件能量量的变化量的元件能量增大了的情况下元件寿命最不变化的头15来作为对象头15。
例如，在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量增大。此外，在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅使与对象头15对应的记录密度增大。在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使与对象头15对应的记录密度增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。另外，在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，记录密度/能量控制部630也可以使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使对象头15所对应的记录密度增大。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标部分容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度增大，相应于与对象头15对应的记录密度的变化量来使向对象头15的辅助元件供给的元件能量量增大。
图10是表示变形例1涉及的头15的调整方法的一个例子的流程图。
MPU60取得元件能量量和元件寿命的关系(B901)，取得元件能量量和错误率的关系(B902)，取得记录密度和错误率的关系(B903)。此外，MPU60也可以从不直接测定的各种数据例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表取得元件能量量和元件寿命的关系、元件能量和错误率的关系以及记录密度和错误率的关系等。MPU60对记录密度进行调整(B904)，从多个头15中选择对象头15(B905)。MPU60判定部分合计容量是否大于目标部分容量(B1001)。在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下(B1001：是)，MPU60使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少(B907)，进入B905的处理。在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下(B1001：否)，MPU60判定部分合计容量是否小于目标部分容量(B1002)。在判定为部分合计容量比目标部分容量小的情况下(B1002：是)，MPU60使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大(B909)，进入B905的处理。在判定为部分合计容量不比目标部分容量小的情况下(B1002：否)，MPU60结束处理。换言之，MPU60在判定为部分合计容量与目标部分容量一致的情况下结束处理。
根据变形例1，磁盘装置1判定部分合计容量是否大于目标部分容量。在判定为部分合计容量比目标部分容量大的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的记录密度、例如BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。磁盘装置1反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标部分容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少。在判定为部分合计容量不比目标部分容量大的情况下，磁盘装置1判定部分合计容量是否小于目标部分容量。在判定为部分合计容量比目标部分容量小的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。磁盘装置1反复进行如下处理，直到部分合计容量与目标部分容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
(第2实施方式)
第2实施方式涉及的磁盘装置1的头15的调整方法与前述的第1实施方式以及变形例的磁盘装置1不同。
测定部620测定：通过与各头15对应的记录密度向在半径方向上与预定区域(以下有时也称为当前区域)相邻的区域(以下有时也称为相邻区域)写入了数据(以下有时也称为相邻写入)的情况下的、对与当前区域对应的错误率的影响量(以下有时也称为记录密度的影响量)。“相邻”这一用语包含“连续”这一含义自不必说，当然也包含“按可视为实质上连续的程度分离”这一含义。记录密度的影响量例如相当于向相邻区域进行了数据的相邻写入的情况下的、当前区域中的错误率的变化量。例如，测定部620测定：通过与各头15对应的TPI向在半径方向上与预定磁道(以下有时也称为当前磁道)相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)进行了相邻写入的情况下的、对与当前磁道对应的错误率的影响量(以下有时也称为TPI的影响量)。TPI的影响量例如相当于向相邻磁道进行了数据的相邻写入的情况下的、当前磁道中的BER的变化量。
测定部620测定：利用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入(辅助记录)了数据的各盘10的各区域中的记录密度的影响量、例如TPI的影响量。测定部620基于在用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入了数据的各盘10的各区域所测定的记录密度的影响量、例如TPI的影响量，取得与各头15对应的元件能量量和记录密度的影响量的关系。换言之，测定部620测定：利用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入(辅助记录)了数据的各盘10的各区域中的进行了相邻写入的情况下的当前区域中的错误率的变化量(以下有时也称为相邻写入错误率的变化量)、例如BER的变化量。测定部620基于在用向各辅助元件供给了预定的元件能量量的元件能量的各头15写入(辅助记录)了数据的各盘10的各区域所测定的相邻写入错误率的变化量，取得与各头15对应的元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系。测定部620也可以将所测定的各头15和各盘10的特性例如与各头15对应的元件能量量和记录密度的影响量的关系、以及与头15对应的元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系等，记录于预定的记录区域例如各盘10的预定区域、各盘10的系统区SA或者非易失性存储器80等。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的BPI减少，使向对象头15的辅助元件(例如STO200)供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)减少，使与对象头15对应的TPI增大。例如，在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，使与对象头15对应的记录密度减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，以使得与记录密度的变化量对应的错误率例如BER的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。另外，例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI增大，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的当前区域中的错误率(以下有时也称为相邻写入错误率)、例如当前区域中的BER(以下有时也称为相邻写入BER)和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率、例如相邻写入BER一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，使与对象头15对应的TPI增加。
例如，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630使与对象头15对应的BPI增大，使向对象头15的辅助元件(例如STO200)供给的元件能量(例如辅助电流或者辅助电压)的元件能量量(例如辅助电流值或者辅助电压值)增大，使与对象头15对应的TPI减少。此外，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以仅使与对象头15对应的BPI增大。换言之，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630也可以不使向各头15的各辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大。例如，在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系，使与对象头15对应的记录密度增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，以使得与记录密度的变化量对应的错误率例如BER的变化量和与元件能量量的变化量对应的错误率的变化量一致。另外，例如，记录密度/能量控制部630基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI减少，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率例如相邻写入BER和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率例如相邻写入BER一致。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的BPI增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，使与对象头15对应的TPI减少。
图11是表示第2实施方式涉及的头15的调整方法的一个例子的流程图。
MPU60取得元件能量量和元件寿命的关系(B901)，取得元件能量量和错误率的关系(B902)，取得记录密度和错误率的关系(B903)。此外，MPU60也可以从不直接测定的各种数据、例如在磁盘装置的量产时所得到的各种数据的表取得元件能量量和元件寿命的关系、元件能量和错误率的关系以及记录密度和错误率的关系等。MPU60将记录密度调整为初始记录密度(B904)，从多个头15中选择对象头15(B905)。MPU60判定合计容量是否大于目标合计容量(B906)。在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下(B906：是)，MPU60使与对象头15对应的BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，使与对象头15对应的TPI增加(B1101)，进入B905的处理。例如，MPU60基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI增大，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率一致。在判定为合计容量不比目标合计容量大的情况下(B906：否)，MPU60判定合计容量是否小于目标合计容量(B908)。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下(B908：是)，MPU60使与对象头15对应的BPI增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，使与对象头15对应的TPI减少(B1102)，进入B905的处理。例如，MPU60基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI减少，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率一致。在判定为合计容量不比目标合计容量小的情况下(B908：否)，MPU60结束处理。换言之，MPU60在判定为合计容量与目标合计容量一致的情况下结束处理。
根据第2实施方式，磁盘装置1判定合计容量是否大于目标合计容量。在判定为合计容量比目标合计容量大的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量减少，使与对象头15对应的TPI增加。磁盘装置1例如基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI增大，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率一致。磁盘装置1反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的BPI减少，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量减少，使与对象头15对应的TPI增大。在判定为合计容量比目标合计容量小的情况下，磁盘装置1使与对象头15对应的BPI增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量量增大，使与对象头15对应的TPI减少。磁盘装置1例如基于记录密度和元件能量量的关系以及元件能量量和相邻写入错误率的变化量的关系，使与对象头15对应的TPI减少，以使得用将调整后的元件能量量的元件能量供给到了辅助元件的对象头15进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率和通过对象头15以调整后的TPI进行了相邻写入的情况下的相邻写入错误率一致。磁盘装置1反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，使与对象头15对应的BPI增大，使向对象头15的辅助元件供给的元件能量的元件能量增大，使对象头15对应的TPI减少。磁盘装置1能够维持盘10的记录容量，并且，改善辅助元件的元件寿命。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
(第3实施方式)
第3实施方式的磁盘装置1能够以热辅助磁记录(Thermally Assisted MagneticRecording:TAMR)型式写入数据这一点，与前述的第1实施方式、第2实施方式以及变形例1的磁盘装置1不同。
第3实施方式涉及的磁盘装置1相当于能够以热辅助磁记录型式写入数据的磁盘装置。
图12是表示本实施方式涉及的头15的一个例子的放大剖视图。
在图12所示的例子中，头15具备分别设置于滑块150的写入头15W、读取头15R、光产生元件(例如激光二极管)250、波导255以及近场光照射元件(等离子体发生器、近场传感器(near-field transducer))256。
光产生元件250是(激光)光源，设置于滑块150的上部或者万向架240。光产生元件250通过被从头放大器IC30、例如元件能量控制电路供给元件能量例如电流或者电压等来向波导255供给光。此外，光产生元件250也可以设置于滑块150或者万向架240以外的部位。例如，光产生元件250也可以设置于臂13和头15的外部。波导255将光产生元件250产生的光传播至近场光照射元件256。
近场光照射元件256设置在与盘10对向的滑块150的下端部。在向盘10写入数据时，近场光照射元件256利用由光产生元件250产生而在波导255中传播来的元件能量、例如激光产生近场光，向盘10照射近场光。所照射的近场光对盘10的记录层进行加热，使盘10的记录层的顽磁力降低。近场光照射元件256包括金属部件。此外，也可以代替近场光照射元件256而具备透镜，该透镜将在波导255中传播来的由光产生元件250产生的光聚光到盘10。这样，通过将从近场光照射元件256产生的近场光照射至盘10，磁盘装置1能够向作为高顽磁力介质的盘10进行高密度的磁记录。以下，有时也将用于执行热辅助记录的结构例如光产生元件(例如激光二极管)250、波导255以及近场光照射元件(等离子体发生器、近场传感器)256等称为辅助元件。以下，有时也将“向辅助元件例如光产生元件250和近场光照射元件256供给预定的元件能量量、例如电流值或者电流值的元件能量、例如电流或者电压来从辅助元件向盘10产生预定的辅助量、例如预定强度的能量、例如近场光而写入数据的写入处理”或者“向辅助元件例如近场光照射元件256供给预定的元件能量量、例如强度的元件能量、例如光来从辅助元件向盘10产生预定的辅助量、例如预定强度的能量、例如近场光而写入数据的写入处理”，称为“辅助记录”或“热辅助记录”。
另外，近场光照射元件256通过近场光的照射范围(或者有时也称为光斑(spot)范围、热分布宽度)，对由写入头15W写入的磁道宽度(或者记录宽度)进行规定。也即是，磁道宽度对应于近场光的照射范围的宽度。例如，在近场光照射元件256以比写入头15W的宽度小的宽度对近场光的照射范围进行了照射的情况下，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度会比写入头15W的宽度小。另外，在近场光照射元件256以比写入头15W的宽度大的宽度对近场光的照射范围进行了照射的情况下，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度会比写入头15W的宽度大。因此，在由于照射近场光时所产生的热等的要因而近场光照射元件256的形状变化了的情况下，近场光的照射范围会变动，伴随于此，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度会变化。例如，在使向辅助元件例如光产生元件250供给的元件能量、例如电流或者电压增大了的情况下，从近场光照射元件256照射的近场光的强度会变大，热辅助效果会提高，但照射范围也会变宽，磁道宽度也会变大。另外，例如在使向辅助元件例如光产生元件250供给的元件能量、例如电流或者电压减少了的情况下，从近场光照射元件256照射的近场光的强度会变小，热辅助效果会降低，但照射范围也会变窄，磁道宽度也会变小。换言之，在增大了向辅助元件例如近场光照射元件256供给的元件能量、例如光的强度的情况下，热辅助效果会提高，但照射范围也会变宽，磁道宽度也会变大。另外，在减小了向辅助元件例如近场光照射元件256供给的元件能量、例如光的强度的情况下，热辅助效果会降低，但照射范围也会变窄，磁道宽度也会变小。
例如，记录密度/能量控制部630对与各头15对应的BPI和TPI中的至少一方以及向各头15的近场光照射元件256供给的激光的强度进行调整(设定或者控制)。记录密度/能量控制部630按每个头15来对BPI和TPI中的至少一方以及激光的强度进行调整(设定或者控制)。记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时按每个头15来对BPI和TPI中的至少一方以及激光的强度进行调整(设定或者控制)。
例如，记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时将与各头15对应的BPI调整为初始BPI，将与各头15对应的TPI调整为初始TPI，将向各头15的近场光照射元件256供给的激光的强度调整为被设定为初始值的激光的强度(以下有时也称为初始强度)。此外，记录密度/能量控制部630也可以在制造工序的盘10的容量的可变调整时将与各头15对应的BPI调整为初始BPI，将向各头15的近场光照射元件256供给的激光的强度调整为初始强度。记录密度/能量控制部630在制造工序的盘10的容量的可变调整时将与各头15对应的TPI调整为初始TPI，并对各头15的各近场光照射元件256进行供给。
例如，在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，记录密度/能量控制部630从多个头15中选择优先级高的对象头15，对与对象头15对应的BPI进行调整，调整向对象头15的近场光照射元件256供给的激光的强度。记录密度/能量控制部630反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，对与对象头15对应的BPI进行调整，调整向对象头15的近场光照射元件256供给的激光的强度。
根据第3实施方式，磁盘装置1在判定为合计容量与目标合计容量不一致的情况下，从多个头15中选择优先级高的对象头15，对与对象头15对应的BPI进行调整，调整向对象头15的近场光照射元件256供给的激光的强度。磁盘装置1反复进行如下处理，直到合计容量与目标合计容量一致，该处理为：从多个头15中选择对象头15，对与对象头15对应的BPI进行调整，调整向对象头15的近场光照射元件256供给的激光的强度。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (18)

1.一种磁盘装置，具备：
第1盘，其具有第1面；
第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；
第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量；
第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量；以及
控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器根据所述第1记录容量和所述第2记录容量来对向所述第1辅助元件供给的第3能量和向所述第2辅助元件供给的第4能量中的至少一方进行变更。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值大的情况下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方减少，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方减少。
4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在对所述第3能量进行了变更的情况下的所述第1辅助元件的寿命的第1变化量比对所述第4能量进行了变更的情况下的所述第2辅助元件的寿命的第2变化量大的情况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。
5.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在能够向所述第1辅助元件供给的第1上限能量相对于所述第3能量的第1比率比能够向所述第2辅助元件供给的第2上限能量相对于所述第4能量的第2比率大的情况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。
6.根据权利要求4或者5所述的磁盘装置，
所述第1记录密度是线记录密度。
7.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器使以所述第1头向所述第1面写入数据时的磁道密度增加。
8.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值小的情况下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方增大，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方增大。
9.根据权利要求8所述的磁盘装置，
所述控制器在对所述第3能量进行了变更的情况下的所述第1辅助元件的寿命的第1变化量比对所述第4能量进行了变更的情况下的所述第2辅助元件的寿命的第2变化量小的情况下，使所述第1记录密度增大，使所述第3能量增大。
10.根据权利要求8所述的磁盘装置，
所述控制器在能够向所述第1辅助元件供给的第1上限能量相对于所述第3能量的第1比率比能够向所述第2辅助元件供给的第2上限能量相对于所述第4能量的第2比率小的情况下，使所述第1记录密度增大，使所述第3能量增大。
11.根据权利要求9或者10所述的磁盘装置，
所述第1记录密度是线记录密度。
12.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器使以所述第1头向所述第1面写入数据时的磁道密度增加。
13.根据权利要求2～5、8～10中任一项所述的磁盘装置，
所述第1辅助元件和所述第2辅助元件是使得高频磁场产生的自旋转矩振荡器。
14.根据权利要求13所述的磁盘装置，
所述第3能量和所述第4能量是电流。
15.根据权利要求2～5、8～10中任一项所述的磁盘装置，
所述第1辅助元件和所述第2辅助元件是照射近场光的近场光照射元件。
16.根据权利要求15所述的磁盘装置，
所述第3能量和所述第4能量是光。
17.一种磁盘装置，具备：
多个盘；
多个头，其分别具有多个写入头和多个辅助元件，所述多个写入头分别与所述多个盘对应，所述多个辅助元件分别使得朝向所述多个盘产生提高所述多个写入头各自的写入性能的能量；以及
控制器，其根据能够向所述多个盘各自记录的记录容量的合计容量来对与所述多个头各自对应的多个记录密度中的至少一个记录密度进行控制，
所述合计容量与所述多个盘的作为目标的数据容量一致。
18.一种头的调整方法，是应用于磁盘装置的头的调整方法，所述磁盘装置具备:具有第1面的第1盘、具有与所述第1面不同的第2面的第2盘、第1头以及第2头，所述第1头具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量，所述第2头具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量，所述头的调整方法中,
根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。
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