CN115731951A - 磁盘装置及刷新阈值的设定方法 - Google Patents

Abstract

提供能够提高性能及数据的可靠性的磁盘装置及刷新阈值的设定方法。本实施方式的磁盘装置具备：盘，具有第1磁道；头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据；及控制器，设定所述第1磁道的1周内的与向所述盘的写处理相关联的参数的变动，以使得在所述第1磁道的1周内抑制与写/读处理特性对应的评价指标的变动。

Description

磁盘装置及刷新阈值的设定方法

本申请享受以日本专利申请2021-142613号(申请日：2021年9月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置及刷新阈值的设定方法。

背景技术

伴随于磁盘装置的磁盘(以下，简称作盘)的高记录密度化，因盘的磁性膜等的不均匀或者机械特性等而盘的1周内的记录再现特性的变动作为比特错误率(BER)等的评价指标的变动而明显化。在盘的预定的磁道，希望BER成为一定。

另外，在磁盘装置中，在写了数据的情况下因来自头的漏磁通等的影响(AdjacentTrack Interference：ATI,相邻磁道干扰)，有可能发生数据被擦除的侧擦(Side erase)。为了防止侧擦，磁盘装置具有:在向预定磁道的周边磁道写了数据的次数超过了规定次数的情况下重写预定磁道的数据的处理(刷新处理或再写处理)。

发明内容

本发明的实施方式要解决的课题在于，提供能够提高性能及数据的可靠性的磁盘装置及刷新阈值的设定方法。

本实施方式所涉及的磁盘装置，具备：盘，具有第1磁道；头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据；及控制器，设定所述第1磁道的1周内的与向所述盘的写处理关联的参数的变动,以使得在所述第1磁道的1周内抑制与写/读处理特性对应的评价指标的变动。

附图说明

图1是示出实施方式的磁盘装置的构成的框图。

图2是示出实施方式的盘的一例的示意图。

图3是示出盘及头的一例的放大剖视图。

图4是示出写处理的一例的示意图。

图5是示出预定磁道的针对圆周位置的实测评价指标的变动、近似评价指标的变动及修正评价指标的变动的一例的示意图。

图6是示出本实施方式的针对圆周位置的修正评价指标的变动及修正写处理参数的变动的一例的示意图。

图7是示出进行了边缘写(Fringe write)的情况下的预定磁道的针对圆周位置的BER的变动的一例的示意图。

图8是示出实施方式的预定磁道的针对圆周位置的TBG值的变动及针对圆周位置的阈值修正值的变动的一例的示意图。

图9是示出实施方式的预定磁道的针对划分区域的划分区域阈值的变动的一例的示意图。

图10是示出预定磁道的划分区域的一例的示意图。

图11是示出实施方式的写次数及划分区域阈值的表TB的一例的示意图。

图12是示出实施方式的刷新阈值的设定方法的一例的流程图。

图13是示出实施方式的刷新处理方法的一例的示意图。

【标号说明】

1…磁盘装置，10…磁盘，10a…用户数据区域，10b…系统区，12…主轴马达(SPM)，13…臂，14…音圈马达(VCM)，15…头，15W…写头，15R…读头，20…驱动器IC，30…头放大器IC，40…读/写(R/W)通道，50…硬盘控制器(HDC)，60…微型处理器(MPU)，70…易失性存储器，80…非易失性存储器，90…缓冲存储器，100…主机系统(主机)，130…系统控制器。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，附图是一例，不限定发明的范围。

(实施方式)

图1是示出实施方式的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，记为头放大器IC或前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下，称作盘)10、主轴马达(以下，称作SPM)12、搭载有头15的臂13、以及音圈马达(以下，称作VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动而旋转。臂13及VCM14构成了致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制至盘10的预定位置。盘10及头15也可以设置2个以上的数量。

盘10对其的能够写数据的区域，分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需的信息的系统区10b。以下，将从盘10的内周去向外周的方向或从盘10的外周去向内周的方向称作半径方向。在半径方向上，将从内周去向外周的方向称作外方向(或外侧)，将从内周去向外周的方向称作内方向(或内侧)。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。半径方向及圆周方向彼此正交。另外，也存在将盘10的半径方向的预定位置称作半径位置，将盘10的圆周方向的预定位置称作圆周位置的情况。也存在将半径位置及圆周位置总括简称作位置的情况。盘10的用户数据区域10a可划分为多个区域。例如，用户数据区域10a可在半径方向上按包含预定数目的磁道的每个区域(以下，也存在称作分区(zone)的情况)划分。分区可在半径方向上按每个磁道划分。

此外，“磁道”以将盘10在半径方向上划分出的多个记录区域中的1个记录区域、盘10的预定半径位置的1周的量的记录区域、盘10的预定半径位置的预定记录区域、盘10的在圆周方向上延长的记录区域、与定位于盘10的预定半径位置的头15的路径相当的记录区域，定位于盘10的预定半径位置的头15的路径、写到将盘10在半径方向上划分出的多个记录区域中的1个记录区域的数据、写到盘10的预定半径位置的1周的量的记录区域的数据、写到盘10的预定半径位置的预定记录区域的数据、写到盘10的在圆周方向上延长的记录区域的数据、写到与定位于盘10的预定半径位置的头15的路径相当的记录区域的数据、沿着定位于盘10的预定半径位置的头15的路径所写的数据、在盘10中在圆周方向上延长的数据、写到盘10的预定磁道的数据、写到盘10的预定磁道的1周的量的数据、写到盘10的预定磁道的数据的一部分、以及其他各种意思来使用。“扇区”以将盘10的预定磁道在圆周方向上划分出的多个记录区域中的1个记录区域、在盘10的预定半径位置将在圆周方向上延长的记录区域划分出的多个记录区域中的1个记录区域、盘10的预定磁道的预定记录区域、盘10的预定磁道的预定圆周位置、盘10的预定半径位置处的预定圆周位置(预定位置)、写到将盘10的预定磁道在圆周方向上划分出的多个记录区域中的1个记录区域的数据、写到在盘10的预定半径位置将在圆周方向上延长的记录区域划分出的多个记录区域中的1个记录区域的数据、写到盘10的预定磁道的预定记录区域的数据、写到盘10的预定磁道的预定圆周位置的数据、写到盘10的预定半径位置处的预定圆周位置(预定位置)的数据、写到预定扇区的数据、以及其他各种意思来使用。也存在将“磁道的半径方向的宽度”称作“磁道宽度”的情况。也存在将“穿过预定磁道的磁道宽度的中心位置的路径”称作“磁道中央”的情况。也存在将向用户数据区域10a写入的能够由用户利用的数据称作用户数据的情况。

头15将后述的滑块150作为主体，具备安装于该滑块150的写头15W和读头15R。写头15W向盘10写数据。读头15R读取已记录于盘10的数据。此外，既存在将“写头15W”简称作“头15”的情况，也存在将“读头15R”简称作“头15”的情况，还存在将“写头15W及读头15R”汇总简称作“头15”的情况。也存在将“头15的中心部”称作“头15”，将“写头15W的中心部”称作“写头15W”，将“读头15R的中心部”称作“读头15R”的情况。既存在将“写头15W的中心部”简称作“头15”的情况，也存在将“读头15R的中心部”简称作“头15”的情况。也存在将“将头15的中心部定位于预定磁道的磁道中央”以“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置于预定磁道”或“使头15位于预定磁道”等来表现的情况。

图2是示出实施方式的盘10的一例的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称作旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以逆时针示出，但也可以是反向(顺时针)。在图2中，盘10被划分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR、以及位于内周区域IR及外周区域OR之间的中周区域MR。

在图2所示的例子中，盘10包括用户数据区域10a及系统区10b。在图2中，用户数据区域10a及系统区10b在半径方向上相邻。在此，所谓“相邻”，当然包括数据、物体、区域及空间等接触排列，也包括隔着预定间隔排列。在图2中，系统区10b在用户数据区域10a的外方向上相邻。此外，系统区10b也可以在用户数据区域10a的内方向上相邻。另外，系统区10b也可以在半径方向上配置于用户数据区域10a之间。

在图2所示的例子中，用户数据区域10a从内周区域IR跨到外周区域OR而配置。系统区10b配置于外周区域OR。此外，系统区10b也可以配置于内周区域IR或中周区域MR。系统区10b也可以分散配置于外周区域OR、中周区域MR或内周区域IR。

如图2所示，头15相对于盘10通过VCM14的驱动绕旋转轴旋转并从内方向朝向外方向移动而配置于预定位置，或从外方向朝向内方向移动而配置于预定位置。

图3是示出盘10及头15的一例的放大剖视图。以下，将从头15去往盘10的方向称作下方向(或下)，将从盘10去往头15的方向称作上方向(或上)。在图3中，盘10的旋转方向B与空气流C的方向一致。

在图3所示的例子中，盘10依次层叠有基板111、软磁层112、磁记录层113和保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁层112在基板111之上由呈现软磁特性的材料形成。磁记录层113在软磁层112之上在相对于盘10的表面垂直的方向上具有磁各向异性。保护膜层114形成于磁记录层113之上。

在图3所示的例子中，头15具有滑块150。滑块150例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(Altic)形成。滑块150具有与盘10的表面相对的盘相对面(空气支承面(ABS))151和位于空气流C的流出侧的尾随端153。滑块150包括写头15W、读头15R、加热器191及加热器192。读头15R及写头15W的一部分露出到盘相对面151。加热器191配置于写头15W及读头15R之间。加热器192相对于读头15R配置于与写头15W相反的一侧。换言之，读头15R配置于加热器191及192之间。

读头15R由磁性膜161、屏蔽膜162及屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162及屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161位于尾随端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对。磁性膜161、屏蔽膜162及屏蔽膜163的下端露出到盘相对面151。

写头15W相对于读头15R设置于滑块150的尾随端153侧。写头15W具备主磁极171、尾随屏蔽件(写屏蔽件)172、和为了使磁通流向主磁极171而配置成卷绕于包括主磁极171及写屏蔽件172的磁回路的记录线圈180。

主磁极171由具有高饱和磁通密度的软磁体形成。主磁极171为了使盘10的磁记录层113磁化而产生相对于盘10的表面垂直的方向上的记录磁场。在图3所示的例子中，主磁极171相对于盘相对面151几乎垂直地延伸出。主磁极171的盘相对面151侧的前端部171a的下表面露出到盘相对面151。主磁极171的前端部171a朝向盘相对面151尖细地缩窄，形成为相对于其他部分而宽度窄的柱状。主磁极171的前端部171a的跨磁道(cross track)方向的宽度与磁道的磁道宽度几乎对应。跨磁道方向例如是沿着半径方向的方向。

写屏蔽件172由具有高饱和磁通密度的软磁体形成。写屏蔽件172为了经由主磁极171正下方的软磁层112有效地将磁路封闭而设置。写屏蔽件172相对于主磁极171位于尾随端153侧。写屏蔽件172经由绝缘体173连结于主磁极171。主磁极171和写屏蔽件172电绝缘且形成了磁回路。写屏蔽件172形成为大致L形状，具有与主磁极171的前端部171a隔着写间隙相对的前端部172a。前端部172a的下表面露出到滑块150的ABS151。

记录线圈180为了使磁通流向主磁极171而设置成卷绕于包括主磁极171及写屏蔽件172的磁回路。记录线圈180例如设置于主磁极171与写屏蔽件172之间。通过向记录线圈180供给预定大小的电流(也存在称作记录电流(Iw)或写电流(Iw)的情况)，在主磁极171及写屏蔽件172激发记录磁场。因而，主磁极171及写屏蔽件172被磁化。通过利用流动于该磁化后的主磁极171及写屏蔽件172的磁通使盘10的磁记录层113的记录比特(bit,位)的磁化方向变化，将与记录电流相应的磁化图案记录于盘10。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细地说，后述的MPU60)的控制，对SPM12及VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器、写驱动器例如记录电流控制部310及加热器控制部320等。读放大器将从盘10读出的读信号放大，向系统控制器130(详细地说，后述的读/写(R/W)通道40)输出。记录电流控制部310电连接于写头15W，将从R/W通道40输出的与写数据对应的记录电流向写头15W供给。在一例中，记录电流控制部310电连接于记录线圈180，将从R/W通道40输出的与写数据对应的记录电流向记录线圈180供给。记录电流控制部310根据系统控制器130例如MPU60的控制将记录电流向写头15W供给。例如，记录电流控制部310根据MPU60的控制将记录电流向记录线圈180供给。加热器控制部320电连接于加热器191及192，将从R/W通道40输出的使加热器驱动的电流向加热器191及192供给。加热器控制部320根据系统控制器130例如MPU60的控制将电流向加热器191及192供给。当加热器控制部320将电流向加热器191及192供给后，加热器191及192发热，对加热器191及192的周围的滑块150的部分进行加热。由此，滑块150、写头15W、读头15R热膨胀，ABS151向盘10的表面侧突出。这样，能够通过加热器191及192调整头15的浮起量(ABS151与盘10的表面的距离)。根据向加热器191及192通电的电流(或电压)的值，调整滑块150、写头15W及读头15R膨胀的大小。即，根据向加热器191及192通电的电流(或电压)的值，调整头15的浮起量。

易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70储存磁盘装置1的各部分中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory)或SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory)。

非易失性存储器80是即便电力供给被切断也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

缓冲存储器90是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体构成。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Accessmemory)或MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单个芯片的被称作System-on-a-Chip(SoC)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50和微型处理器(MPU)60。系统控制器130例如电连接于驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90及主机100。

R/W通道40根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘10向主机100传送的读数据及从主机100传送的写数据的信号处理。R/W通道40具有测定读数据的信号品质的电路或功能。R/W通道40例如电连接于头放大器IC30、HDC50及MPU60等。

HDC50控制数据的传送。例如，HDC50根据来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道40之间的数据传送。HDC50例如电连接于R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80及缓冲存储器90等。

MPU60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。MPU60执行经由驱动器IC20控制VCM14来进行头15的定位的伺服控制。MPU60经由驱动器IC20控制SPM12，使盘10旋转。MPU60控制数据向盘10的写动作，并且选择从主机100传送的数据例如写数据的保存目的地。MPU60控制数据从盘10的读动作，并且控制从盘10向主机100传送的数据例如读数据的处理。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60连接于磁盘装置1的各部分。MPU60例如电连接于驱动器IC20、R/W通道40及HDC50等。

MPU60具有读/写控制部610、访问处理控制部620及刷新控制部630等。MPU60在固件上执行各部分例如读/写控制部610、访问处理控制部620及刷新控制部630等的处理。此外，MPU60也可以具有各部分例如读/写控制部610、访问处理控制部620及刷新控制部630作为电路。读/写控制部610、访问处理控制部620及刷新控制部630等也可以包含于R/W通道40或HDC50。

读/写控制部610按照来自主机100的命令等，对从盘10读数据的读处理和向盘10写数据的写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位于盘10的预定位置，执行读处理或写处理。以下，也存在以包括向预定区域记录或写数据(或写处理)、从预定区域读出或读数据(或读处理)、使头15等向预定区域移动的意思来使用“访问”这一用语的情况。

读/写控制部610按照来自主机100的命令等，执行向盘10的预定区域写入在半径方向上空开预定间隔(间隙)而与预定磁道在半径方向上相邻的磁道(以下，也存在称作相邻磁道的情况)或随机写入数据的通常记录。此外，读/写控制部610也可以按照来自主机100的命令等，执行针对盘10的每个预定区域(以下，也存在称作带或带区域的情况)在半径方向上向磁道的一部分重叠写下一磁道的瓦记录。以下，也存在将“通常记录”和/或“瓦记录”简单表现为“写”的情况。也存在将向预定磁道的相邻磁道写入称作“边缘写”的情况。

图4是示出写处理的一例的示意图。图4中，示出了圆周方向的行进方向。也存在将在圆周方向上头15相对于盘10顺序地写和读数据的方向、也就是说在圆周方向上头15相对于盘10行进的方向称作行进方向的情况。例如，行进方向是与盘10的旋转方向相反的朝向。此外，行进方向也可以是与盘10的旋转方向相同的朝向。在圆周方向上，也存在将行进方向称作后方向或简称作后的情况。在圆周方向上，也存在将与后方向相反的方向称作前方向或简称作前的情况。图4中，示出了磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1。在图4中，例如磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1的磁道宽度相同。“相同”、“同一”、“一致”及“同等”等用语当然包括完全相同这一意思，也包括按可视为实质上相同的程度而不同这一意思。此外，磁道CTRn-1至CTRn+1的磁道宽度也可以不同。图4中，示出了磁道CTRn-1的磁道中央CTCn-1、磁道CTRn的磁道中央CTCn及磁道CTRn+1的磁道中央CTCn+1。在图4所示的例子中，磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1以磁道间距CTP被写。磁道CTRn-1的磁道中央CTCn-1与磁道CTRn的磁道中央CTCn以磁道间距CTP分离。磁道CTRn的磁道中央CTCn与磁道CTRn+1的磁道中央CTCn+1以磁道间距CTP分离。磁道CTRn-1及磁道CTRn以间隙GP分离。磁道CTRn及磁道CTRn+1以间隙GP分离。此外，磁道CTRn-1至CTRn+1也可以按不同的磁道间距被写。在图4中，为了便于说明，将各磁道示出为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸出的长方形状，但实际上，沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动一边在圆周方向上延伸出的波状。

在图4所示的例子中，读/写控制部610在盘10的预定区域，将头15定位于磁道中央CTCn-1而对磁道CTRn-1或磁道CTRn-1的预定扇区进行写(或通常记录)。

读/写控制部610将头15定位于从磁道CTRn-1的磁道中央CTCn-1向内方向以磁道间距CTP离开的磁道中央CTCn而对磁道CTRn或磁道CTRn的预定扇区进行写(或通常记录)。

读/写控制部610将头15定位于从磁道CTRn的磁道中央CTCn向内方向以磁道间距CTP离开的磁道中央CTCn+1而对磁道CTRn+1或磁道CTRn+1的预定扇区进行写(或通常记录)。

读/写控制部610在盘10的预定区域，既可以顺序地对磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1进行写(或通常记录)，也可以随机地对磁道CTRn-1的预定扇区、磁道CTRn的预定扇区及磁道CTRn+1的预定扇区进行写(或通常记录)。

访问处理控制部620控制访问处理例如写处理及读处理。访问处理控制部620基于盘10的预定记录区域例如分区、磁道或扇区的与写及读处理特性对应的评价指标，控制与写处理对应的特性值(以下，也存在称作写处理参数或简称作参数的情况)。评价指标例如包括错误率(比特误码率：BER)等。写处理参数例如包括记录密度(Bits Per Inch：BPI)、记录电流、与向加热器施加的电流(或电压)的值相当的加热器设定值、数据的传送速度及与预定区域的记录密度对应的数据的写时的记录频率(以下，也存在简称作记录频率的情况)等。以下，为了便于说明，也存在下述情况:将“写到了预定记录区域的数据的BER”简称作“预定记录区域的BER”，将“向预定记录区域写的数据的记录密度”简称作“预定记录区域的记录密度”，将“向预定记录区域写数据时的记录电流”简称作“预定记录区域的记录电流”，将“向预定记录区域写数据时的加热器设定值”简称作“预定记录区域的加热器设定值”，将“向预定记录区域写数据时的数据的传送速度”简称作“预定记录区域的传送速度”，将“向预定记录区域写数据时的记录频率”简称作“预定记录区域的记录频率”。评价指标也可以包括与评价指标对应的信号的频率这一意思。BER也可以包括与BER对应的信号的频率这一意思。写处理参数也可以包括与写处理参数对应的信号的频率这一意思。记录密度、记录电流、加热器设定值、传送速度或记录频率也可以包括与记录密度、记录电流、加热器设定值、传送速度或记录频率对应的信号的频率这一意思。

访问处理控制部620基于预定磁道的1周内的评价指标的变动(以下，也存在简称作评价指标的变动的情况)例如该磁道的1周内的BER的变动(以下，也存在简称作BER的变动的情况)，控制该磁道的1周内的写处理参数的变动(以下，也存在简称作写处理参数的变动的情况)例如该磁道的1周内的记录密度的变动(以下，也存在简称作记录密度的变动的情况)、该磁道的1周内的记录电流的变动(以下，也存在简称作记录电流的变动的情况)、该磁道的1周内的加热器设定值的变动(以下，也存在简称作加热器设定值的变动的情况)、该磁道的1周内的传送速度的变动(以下，也存在简称作传送速度的变动的情况)或者该磁道的1周内的记录频率的变动(以下，也存在简称作记录频率的变动的情况)。

访问处理控制部620基于预定磁道中的每个预定区域、例如将预定磁道划分出的每个区域(以下，也存在称作划分区域的情况)的各评价指标例如预定磁道的各划分区域的各BER，控制该磁道的各划分区域的各写处理参数例如该磁道的各划分区域的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率。划分区域相当于在圆周方向上将预定磁道划分出的多个区域中的1个区域。划分区域例如可由预定磁道内的多个扇区构成。此外，划分区域的圆周方向的长度既可以相同也可以不同。换言之，预定磁道的多个划分区域既可以具有相同数的扇区，也可以具有不同数的扇区。另外，划分区域也可以相当于预定磁道的1个扇区。

访问处理控制部620基于预定磁道的各圆周位置的各评价指标、例如预定磁道的各圆周位置的各BER，控制该磁道的各圆周位置的各写处理参数例如该磁道的各圆周位置的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率。

访问处理控制部620基于预定磁道的各扇区的各评价指标、例如预定磁道的各扇区的各BER，控制该磁道的各扇区的各写处理参数例如该磁道的各扇区的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率。

访问处理控制部620将预定磁道上的写处理参数设定为成为基准的一定的写处理参数(以下，也存在称作基准写处理参数的情况)，测定该磁道上的评价指标的变动(以下，也存在称作实测评价指标的变动的情况)。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的实测评价指标的变动，算出用于将该实测评价指标的变动调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的基准写处理参数的写处理参数的变化量的变动(以下，也存在称作写处理参数修正量的变动或写处理参数变化量的变动的情况)。访问处理控制部620对该磁道上的基准写处理参数加上(或减去)写处理参数修正量的变动。由此，访问处理控制部620将该磁道的基准写处理参数修正(或调整)为该磁道的写处理参数的变动(以下，也存在称作修正写处理参数的变动或修正参数的变动的情况)。访问处理控制部620对该磁道设定修正写处理参数的变动。

此外，访问处理控制部620在空闲时或实时地，将预定磁道上的写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道上的实测评价指标的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，基于测定出的该磁道的实测评价指标的变动，算出该磁道上的写处理参数修正量的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，对该磁道上的基准写处理参数加上(或减去)写处理参数修正量的变动。由此，访问处理控制部620在空闲时或实时地，将该磁道的基准写处理参数修正(或调整)为该磁道的修正写处理参数的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，对该磁道设定修正写处理参数的变动。另外，访问处理控制部620也可以将各磁道上的各修正写处理参数的变动保持于预定保存区域例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的记录密度、记录电流、加热器设定值、传送速度或者记录频率设定为成为基准的一定的记录密度(以下，也存在称作基准记录密度的情况)、成为基准的一定的记录电流(以下，也存在称作基准记录电流的情况)、成为基准的一定的加热器设定值(以下，也存在称作基准加热器设定值的情况)、成为基准的一定的传送速度(以下，也存在称作基准传送速度的情况)或者成为基准的一定的记录频率(以下，也存在称作基准记录频率的情况)，测定该磁道上的BER的变动(以下，也存在称作实测BER的变动的情况)。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的实测BER的变动，算出用于将该磁道的实测BER的变动调整为均一或抑制的相对于该磁道上的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的记录密度的变化量的变动(以下，也存在称作记录密度修正量的变动或记录密度变化量的变动的情况)、记录电流的变化量的变动(以下，也存在称作记录电流修正量的变动或记录电流变化量的变动的情况)、加热器设定值的变化量的变动(以下，也存在称作加热器设定值修正量的变动或加热器设定值变化量的变动的情况)、传送速度的变化量的变动(以下，也存在称作传送速度修正量的变动或传送速度变化量的变动的情况)或者记录频率的变化量的变动(以下，也存在称作记录频率修正量的变动或记录频率变化量的变动的情况)。访问处理控制部620对该磁道上的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)记录密度修正量的变动、记录电流修正量的变动、加热器设定值修正量的变动、传送速度修正量的变动或者记录频率修正量的变动。由此，访问处理控制部620将该磁道上的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为该磁道上的记录密度的变动(以下，也存在称作修正记录密度的变动的情况)、记录电流的变动(以下，也存在称作修正记录电流的变动的情况)、加热器设定值的变动(以下，也存在称作修正加热器设定值的变动的情况)、传送速度的变动(以下，也存在称作修正传送速度的变动的情况)或者记录频率的变动(以下，也存在称作修正记录频率的变动的情况)。访问处理控制部620对该磁道设定修正记录密度的变动、修正记录电流的变动、修正加热器设定值、修正传送速度的变动或者修正记录频率的变动。访问处理控制部620也可以将各磁道上的修正记录密度的变动、修正记录电流的变动、修正加热器设定值、修正传送速度的变动或者修正记录频率的变动保持于预定保存区域例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各写处理参数设定为成为基准的基准写处理参数，测定该磁道的各圆周位置的各评价指标(以下，也存在称作实测评价指标的情况)。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各圆周位置的各实测评价指标，算出用于将该磁道的各圆周位置的各实测评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各圆周位置的各基准写处理参数的各圆周位置的各写处理参数的变化量(以下，也存在称作写处理参数修正量或写处理参数变化量的情况)。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的各基准写处理参数加上(或减去)各圆周位置的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各圆周位置的各基准写处理参数修正(或调整)为各圆周位置的各写处理参数(以下，也存在称作修正写处理参数的情况)。访问处理控制部620设定与该磁道的各圆周位置对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各圆周位置处的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的评价指标的变动(或实测评价指标的变动)包括预定磁道的各圆周位置的各评价指标(或实测评价指标)。预定磁道上的写处理参数修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各写处理参数修正量。预定磁道上的写处理参数的变动包括预定磁道的各圆周位置的各写处理参数。预定磁道上的修正写处理参数的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正写处理参数。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各圆周位置的各BER(以下，也存在称作实测BER的情况)。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各圆周位置的各实测BER，算出用于将该磁道的各圆周位置的各实测BER调整为均一或抑制的相对于该磁道上的各圆周位置的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率的各圆周位置的各记录密度的变化量(以下，也存在称作记录密度修正量或记录密度变化量的情况)、各记录电流的变化量(以下，也存在称作记录电流修正量或记录电流变化量的情况)、各加热器设定值的变化量(以下，也存在称作加热器设定修正量或加热器设定变化量的情况)、各传送速度的变化量(以下，也存在称作传送速度修正量或传送速度变化量的情况)或者各记录频率的变化量(以下，也存在称作记录频率修正量或记录频率变化量的情况)。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率加上(或减去)各圆周位置的记录密度修正量、记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各圆周位置的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率修正(或调整)为该磁道上的各圆周位置的各记录密度(以下，也存在称作修正记录密度的情况)、各记录电流(以下，也存在称作修正记录电流的情况)、各加热器设定值(以下，也存在称作修正加热器设定值的情况)、各传送速度(以下，也存在称作修正传送速度的情况)或者各记录频率(以下，也存在称作修正记录频率的情况)。访问处理控制部620对该磁道设定与各圆周位置对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各圆周位置处的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的BER的变动(或实测BER的变动)包括预定磁道的各圆周位置的各BER(或实测BER)。预定磁道上的记录密度的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录密度。预定磁道上的记录密度修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录密度修正量。预定磁道上的修正记录密度的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正记录密度。预定磁道上的记录电流的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录电流。预定磁道上的记录电流修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录电流修正量。预定磁道上的修正记录电流的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正记录电流。预定磁道上的加热器设定值的变动包括预定磁道的各圆周位置的各加热器设定值。预定磁道上的加热器设定值修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各加热器设定值修正量。预定磁道上的修正加热器设定值的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正加热器设定值。预定磁道上的传送速度的变动包括预定磁道的各圆周位置的各传送速度。预定磁道上的传送速度修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各传送速度修正量。预定磁道上的修正传送速度的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正传送速度。预定磁道上的记录频率的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录频率。预定磁道上的记录频率修正量的变动包括预定磁道的各圆周位置的各记录频率修正量。预定磁道上的修正记录频率的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正记录频率。

访问处理控制部620将预定磁道上的各划分区域的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各划分区域的各实测评价指标。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各划分区域的各实测评价指标，算出用于将该磁道的各划分区域的各实测评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各划分区域的各基准写处理参数的各划分区域的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的各基准写处理参数加上(或减去)各划分区域的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的各基准写处理参数修正(或调整)为各划分区域的各修正写处理参数。访问处理控制部620设定与该磁道的各划分区域对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的评价指标的变动(或实测评价指标的变动)包括预定磁道的各划分区域的各评价指标(或实测评价指标)。预定磁道上的写处理参数的变动包括预定磁道的各划分区域的各写处理参数。预定磁道上的写处理参数修正量的变动包括预定磁道的各划分区域的各写处理参数修正量。预定磁道上的修正写处理参数的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正写处理参数。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各划分区域的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各划分区域的各BER(以下，也存在称作实测BER的情况)。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各划分区域的各实测BER，算出用于将该磁道的各划分区域的各实测BER调整为均一或抑制的相对于该磁道上的各划分区域的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率的各划分区域的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率加上(或减去)各划分区域的记录密度修正量、记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率修正(或调整)为该磁道上的各划分区域的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620对该磁道设定与各划分区域对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的BER的变动(或实测BER的变动)包括预定磁道的各划分区域的各BER(或实测BER)。预定磁道上的记录密度的变动包括预定磁道的各划分区域的各记录密度。预定磁道上的记录密度修正量的变动包括预定磁道的各划分区域的各记录密度修正量。预定磁道上的修正记录密度的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正记录密度。预定磁道上的记录电流的变动包括预定磁道的各划分区域的各记录电流。预定磁道上的记录电流修正量的变动包括预定磁道的各划分区域的各记录电流修正量。预定磁道上的修正记录电流的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正记录电流。预定磁道上的加热器设定值的变动包括预定磁道的各划分区域的各加热器设定值。预定磁道上的加热器设定值修正量的变动包括预定磁道的各划分区域的各加热器设定值修正量。预定磁道上的修正加热器设定值的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正加热器设定值。预定磁道上的传送速度的变动包括预定磁道的各划分区域的各传送速度。预定磁道上的传送速度修正量的变动包括预定磁道的各划分区域的各传送速度修正量。预定磁道上的修正传送速度的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正传送速度。预定磁道上的记录频率的变动包括预定磁道的各划分区域的各记录频率。预定磁道上的修正记录频率的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正记录频率。

访问处理控制部620将预定磁道上的各扇区的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各扇区的各实测评价指标。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各扇区的各实测评价指标，算出用于将该磁道的各扇区的各实测评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各扇区的各基准写处理参数的各扇区的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各扇区的各基准写处理参数加上(或减去)各扇区的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各扇区的各基准写处理参数修正(或调整)为各扇区的各写处理参数(以下，也存在称作修正写处理参数的情况)。访问处理控制部620设定与该磁道的各扇区对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各扇区中的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的评价指标的变动(或实测评价指标的变动)包括预定磁道的各扇区的各评价指标(实测评价指标)。预定磁道上的写处理参数的变动包括预定磁道的各扇区的各写处理参数。预定磁道上的写处理参数修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各写处理参数修正量。预定磁道上的修正写处理参数的变动包括预定磁道的各扇区的各修正写处理参数。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各扇区的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各扇区的各实测BER。访问处理控制部620基于测定出的该磁道的各扇区的各实测BER，算出用于将该磁道的各扇区的各实测BER修正(或调整)为均一的相对于该磁道上的各扇区的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率的各扇区的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各扇区的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率加上(或减去)各扇区的记录密度修正量、记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各扇区的各基准记录密度、各基准记录电流、各基准加热器设定值、各基准传送速度或者各基准记录频率修正(或调整)为该磁道上的各扇区的各记录密度(以下，也存在称作修正记录密度的情况)、各记录电流(以下，也存在称作修正记录电流的情况)、各加热器设定值(以下，也存在称作修正加热器设定值的情况)、各传送速度(以下，也存在称作修正传送速度的情况)或者各记录频率(以下，也存在称作修正记录频率的情况)。访问处理控制部620对该磁道设定与各扇区对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各扇区中的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的BER的变动(或实测BER的变动)包括预定磁道的各扇区的各BER(或实测BER)。预定磁道上的记录密度的变动包括预定磁道的各扇区的各记录密度。预定磁道上的记录密度修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各记录密度修正量。预定磁道上的修正记录密度的变动包括预定磁道的各扇区的各修正记录密度。预定磁道上的记录电流的变动包括预定磁道的各扇区的各记录电流。预定磁道上的记录电流修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各记录电流修正量。预定磁道上的修正记录电流的变动包括预定磁道的各扇区的各修正记录电流。预定磁道上的加热器设定值的变动包括预定磁道的各扇区的各加热器设定值。预定磁道上的加热器设定值修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各加热器设定值修正量。预定磁道上的修正加热器设定值的变动包括预定磁道的各扇区的各修正加热器设定值。预定磁道上的传送速度的变动包括预定磁道的各扇区的各传送速度。预定磁道上的传送速度修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各传送速度修正量。预定磁道上的修正传送速度的变动包括预定磁道的各扇区的各修正传送速度。预定磁道上的记录频率的变动包括预定磁道的各扇区的各记录频率。预定磁道上的记录频率修正量的变动包括预定磁道的各扇区的各记录频率修正量。预定磁道上的修正记录频率的变动包括预定磁道的各扇区的各修正记录频率。

访问处理控制部620将预定磁道上的写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的实测评价指标的变动。访问处理控制部620将测定出的该磁道的实测评价指标的变动近似化，算出近似化后的该磁道的实测评价指标的变动(以下，也存在称作近似评价指标的变动的情况)。访问处理控制部620对算出的该磁道的近似评价指标的变动进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的近似评价指标的变动(以下，也存在称作修正评价指标的变动的情况)。访问处理控制部620基于算出的该磁道的修正评价指标的变动，算出用于将该磁道上的修正评价指标的变动调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的基准写处理参数的写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的基准写处理参数加上(或减去)写处理参数修正量的变动。由此，访问处理控制部620将该磁道的基准写处理参数修正(或调整)为该磁道的修正写处理参数的变动。访问处理控制部620对该磁道设定修正写处理参数的变动。访问处理控制部620也可以将预定磁道上的修正写处理参数的变动保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

此外，访问处理控制部620在空闲时或实时地，将预定磁道上的写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的实测评价指标的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，将测定出的该磁道的实测评价指标的变动近似化，算出近似化后的该磁道的近似评价指标的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，对算出的该磁道的近似评价指标的变动进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的修正评价指标的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，基于算出的该磁道的修正评价指标的变动，算出用于将该修正评价指标的变动修正(或调整)为均一的、相对于该磁道上的基准写处理参数的写处理参数修正量。访问处理控制部620在空闲时或实时地，对该磁道上的基准写处理参数加上(或减去)写处理参数修正量的变动。由此，访问处理控制部620在空闲时或实时地，将该磁道的基准写处理参数修正(或调整)为该磁道的修正写处理参数的变动。访问处理控制部620在空闲时或实时地，对该磁道设定修正写处理参数的变动。另外，访问处理控制部620也可以在空闲时或实时地，将各磁道上的各修正写处理参数的变动保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

访问处理控制部620将预定磁道上的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的实测BER的变动。访问处理控制部620将测定出的该磁道的实测BER的变动近似化，算出近似化后的该磁道的实测BER的变动(以下，也存在称作近似BER的变动的情况)。访问处理控制部620对算出的该磁道的近似BER的变动进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的近似BER的变动(以下，也存在称作修正BER的变动的情况)。访问处理控制部620基于算出的该磁道的修正BER的变动，算出用于将该磁道上的修正BER的变动调整为均一或抑制的相对于该磁道上的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的记录密度修正量的变动、记录电流修正量的变动、加热器设定值修正量的变动、传送速度修正量的变动或者记录频率修正量的变动。访问处理控制部620对该磁道上的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)记录密度修正量的变动、记录电流修正量的变动、加热器设定值修正量的变动、传送速度修正量的变动或者记录频率修正量的变动。由此，访问处理控制部620将该磁道的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为该磁道的修正记录密度的变动、修正记录电流的变动、修正加热器设定值的变动、修正传送速度的变动或者修正记录频率的变动。访问处理控制部620对该磁道设定修正记录密度的变动、修正记录电流的变动、修正加热器设定值的变动、修正传送速度的变动或者修正记录频率的变动。访问处理控制部620也可以将各磁道上的修正记录密度的变动、修正记录电流的变动、修正加热器设定值的变动、修正传送速度的变动或者修正记录频率的变动保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的记录密度设定为基准记录密度，测定该磁道的实测BER的变动。访问处理控制部620将测定出的该磁道的实测BER的变动近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的近似BER的变动进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的修正BER的变动。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的修正BER的变动，算出用于将该磁道上的修正BER的变动调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的基准记录密度的该磁道的记录密度修正量的变动。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的基准记录密度加上(或减去)各圆周位置的各记录密度修正量。由此，访问处理控制部620对该磁道上的基准记录密度加上(或减去)该磁道的记录密度修正量的变动。由此，访问处理控制部620将该磁道的基准记录密度修正(或调整)为该磁道的记录密度修正量的变动、该磁道的修正记录密度的变动。访问处理控制部620算出相当于与该磁道上的修正记录密度的变动成比例的记录频率(修正记录频率)的变动的时基发生器(TBG)值的变动(以下，也存在称作TBG值的变动的情况)。访问处理控制部620对该磁道设定TBG值的变动。访问处理控制部620也可以将预定磁道上的TBG值的变动保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各圆周位置的各实测评价指标。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测评价指标近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似评价指标。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似评价指标进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各圆周位置的各修正评价指标。访问处理控制部620基于算出的该磁道的各圆周位置的各修正评价指标，算出用于将该磁道的各圆周位置的各修正评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的各圆周位置的基准写处理参数的各圆周位置的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的基准写处理参数加上(或减去)各圆周位置的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各圆周位置的基准写处理参数修正(或调整)为各圆周位置的各修正写处理参数。访问处理控制部620设定与该磁道的各圆周位置对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各圆周位置处的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似评价指标的变动包括预定磁道的各圆周位置的各近似评价指标。预定磁道上的修正评价指标的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正评价指标。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各圆周位置的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各圆周位置的各修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各圆周位置的各修正BER，算出用于将该磁道的各圆周位置的各修正BER调整为均一或抑制的相对于该磁道的各圆周位置的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)各圆周位置的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各圆周位置的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为该磁道的各圆周位置的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620设定与该磁道上的各圆周位置对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各圆周位置处的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似BER的变动包括预定磁道的各圆周位置的各近似BER。预定磁道上的修正BER的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正BER。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各记录密度设定为基准记录密度，测定该磁道的各圆周位置的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各圆周位置的修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各圆周位置的各修正BER，算出用于将该磁道的各圆周位置的各修正BER调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各圆周位置的基准记录密度的各圆周位置的各记录密度修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各圆周位置的基准记录密度加上(或减去)各圆周位置的各记录密度修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各圆周位置的基准记录密度修正(或调整)为各圆周位置的各修正记录密度。访问处理控制部620算出相当于与该磁道上的各圆周位置的各修正记录密度成比例的各圆周位置的各记录频率(修正记录频率)的各圆周位置的各TBG值。访问处理控制部620设定与该磁道的各圆周位置对应的各TBG值。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各圆周位置处的各TBG值保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的TBG值的变动包括预定磁道的各圆周位置的各TBG值。

访问处理控制部620将预定磁道上的各划分区域的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各划分区域的各实测评价指标。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各划分区域的各实测评价指标近似化，算出近似化后的该磁道的各划分区域的各近似评价指标。访问处理控制部620对算出的该磁道的各划分区域的各近似评价指标进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的各修正评价指标。访问处理控制部620基于算出的该磁道的各划分区域的各修正评价指标，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的各划分区域的基准写处理参数的各划分区域的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准写处理参数加上(或减去)各划分区域的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准写处理参数修正(或调整)为各划分区域的各修正写处理参数。访问处理控制部620设定与该磁道的各划分区域对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似评价指标的变动包括预定磁道的各划分区域的各近似评价指标。预定磁道上的修正评价指标的变动包括预定磁道的各划分区域的各修正评价指标。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各划分区域的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各划分区域的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各划分区域的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各划分区域的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各划分区域的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的各修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各划分区域的各修正BER，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正BER调整为均一或抑制的相对于该磁道的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)各划分区域的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为该磁道的各划分区域的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620设定与该磁道上的各圆周位置对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似BER的变动包括预定磁道的各圆周位置的各近似BER。预定磁道上的修正BER的变动包括预定磁道的各圆周位置的各修正BER。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各划分区域的各记录密度设定为基准记录密度，测定该磁道的各划分区域的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各划分区域的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各划分区域的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各划分区域的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各划分区域的各修正BER，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正BER调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各划分区域的基准记录密度的各划分区域的各记录密度修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准记录密度加上(或减去)各划分区域的各记录密度修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准记录密度修正(或调整)为各划分区域的各修正记录密度。访问处理控制部620算出相当于与该磁道上的各划分区域的各修正记录密度成比例的各划分区域的各记录频率(修正记录频率)的各划分区域的各TBG值。访问处理控制部620设定与该磁道的各划分区域对应的各TBG值。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各TBG值保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的TBG值的变动包括预定磁道的各划分区域的各TBG值。

访问处理控制部620将预定磁道上的各扇区的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各扇区的各实测评价指标。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各扇区的各实测评价指标近似化，算出近似化后的该磁道的各扇区的各近似评价指标。访问处理控制部620对算出的该磁道的各扇区的各近似评价指标进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各扇区的各修正评价指标。访问处理控制部620基于算出的该磁道的各扇区的各修正评价指标，算出用于将该磁道的各扇区的各修正评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的各扇区的基准写处理参数的各扇区的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各扇区的基准写处理参数加上(或减去)各扇区的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各扇区的基准写处理参数修正(或调整)为各扇区的各修正写处理参数。访问处理控制部620设定与该磁道的各扇区对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各扇区中的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似评价指标的变动包括预定磁道的各扇区的各近似评价指标。预定磁道上的修正评价指标的变动包括预定磁道的各扇区的各修正评价指标。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各扇区的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各扇区的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各扇区的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各扇区的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各扇区的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各扇区的各修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各扇区的各修正BER，算出用于将该磁道的各扇区的各修正BER调整为均一或抑制的相对于该磁道的各扇区的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各扇区的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)各扇区的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各扇区的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为该磁道的各扇区的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620设定与该磁道的各扇区对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各扇区中的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的近似BER的变动包括预定磁道的各扇区的各近似BER。预定磁道上的修正BER的变动包括预定磁道的各扇区的各修正BER。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各扇区的各记录密度设定为基准记录密度，测定该磁道的各扇区的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各扇区的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各扇区的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各扇区的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各扇区的修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各扇区的各修正BER，算出用于将该磁道的各扇区的各修正BER调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各扇区的基准记录密度的各扇区的各记录密度修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各扇区的基准记录密度加上(或减去)各扇区的各记录密度修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各扇区的基准记录密度修正(或调整)为各扇区的各修正记录密度。访问处理控制部620算出相当于与该磁道上的各扇区的各修正记录密度成比例的各扇区的各记录频率(修正记录频率)的各扇区的各TBG值。访问处理控制部620设定与该磁道的各扇区对应的各TBG值。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各扇区中的各TBG值保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

预定磁道上的TBG值的变动包括预定磁道的各扇区的各TBG值。

访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道的各圆周位置的各实测评价指标。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测评价指标近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似评价指标。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似评价指标进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的各修正评价指标。访问处理控制部620基于算出的该磁道的各划分区域的各修正评价指标，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正评价指标调整为均一或抑制的、相对于该磁道上的各划分区域的基准写处理参数的各划分区域的各写处理参数修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准写处理参数加上(或减去)各划分区域的各写处理参数修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准写处理参数修正(或调整)为各划分区域的各修正写处理参数。访问处理控制部620设定与该磁道的各划分区域对应的各修正写处理参数。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正写处理参数保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各记录密度、各记录电流、各加热器设定值、各传送速度或者各记录频率设定为基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率，测定该磁道的各圆周位置的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的各修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道的各划分区域的各修正BER，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正BER调整为均一或抑制的相对于该磁道上的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率加上(或减去)各划分区域的各记录密度修正量、各记录电流修正量、各加热器设定修正量、各传送速度修正量或者各记录频率修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准记录密度、基准记录电流、基准加热器设定值、基准传送速度或者基准记录频率修正(或调整)为各划分区域的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620设定与该磁道的各划分区域对应的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各修正记录密度、各修正记录电流、各修正加热器设定值、各修正传送速度或者各修正记录频率保持于预定保存区域例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

例如，访问处理控制部620将预定磁道上的各圆周位置的各记录密度设定为基准记录密度，测定该磁道的各圆周位置的各实测BER。访问处理控制部620将测定出的该磁道的各圆周位置的各实测BER近似化，算出近似化后的该磁道的各圆周位置的各近似BER。访问处理控制部620对算出的该磁道的各圆周位置的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的该磁道的各划分区域的修正BER。访问处理控制部620基于算出的该磁道上的各划分区域的各修正BER，算出用于将该磁道的各划分区域的各修正BER调整为均一或抑制的、相对于该磁道的各划分区域的基准记录密度的各划分区域的各记录密度修正量。访问处理控制部620对该磁道上的各划分区域的基准记录密度加上(或减去)各划分区域的各记录密度修正量。由此，访问处理控制部620将该磁道上的各划分区域的基准记录密度修正(或调整)为各划分区域的各修正记录密度。访问处理控制部620算出该磁道上的各划分区域的各TBG值。访问处理控制部620设定与该磁道上的各划分区域对应的各TBG值。访问处理控制部620也可以将预定磁道的各划分区域中的各TBG值保持于预定保存区域、例如盘10的系统区10b及非易失性存储器80等。

图5是示出预定磁道的针对圆周位置的实测评价指标的变动MBL5、近似评价指标的变动ABL5及修正评价指标的变动CBL5的一例的示意图。在图5中，纵轴表示BER，横轴表示圆周位置。在图5的纵轴上，BER随着向箭头的前端侧前进而变大，随着向与箭头的前端相反侧前进而变小。图5的横轴的圆周位置包括在预定磁道上开始写数据的圆周位置(以下，也存在称作开始位置的情况)和在预定磁道上写数据结束的圆周位置(以下，也存在称作结束位置的情况)。开始位置及结束位置既可以在预定磁道的圆周方向上一致，也可以在预定磁道的圆周方向上不同。图5中，示出了测定出的预定磁道上的针对圆周位置的实测评价指标的变动(以下，也存在简称作实测评价指标的变动的情况)例如针对圆周位置的实测BER的变动(以下，也存在简称作实测BER的变动的情况)MBL5、预定磁道上的针对圆周位置的近似评价指标的变动(以下，也存在简称作近似评价指标的变动的情况)例如针对圆周位置的近似BER的变动(以下，也存在简称作近似BER的变动的情况)ABL5、预定磁道上的针对圆周位置的修正评价指标的变动(以下，也存在简称作修正评价指标的变动的情况)例如针对圆周位置的修正BER的变动(以下，也存在简称作修正BER的变动的情况)CBL5。另外，在图5的横轴的前端侧，示出了实测BER的变动的最大值(Max)及平均值(Ave.)、近似BER的变动的最大值(Max)及平均值(Ave.)、修正BER的变动的最大值(Max)及平均值(Ave.)。

在图5所示的例子中，访问处理控制部620将预定磁道例如当前正在访问的磁道(以下，也存在称作所在磁道(On-track)的情况)上的各圆周位置的各记录密度设定为基准记录密度，测定所在磁道的各圆周位置的各实测BER，取得所在磁道的实测BER的变动MBL5。

访问处理控制部620利用以下记载的式(1)，将测定出的所在磁道的各圆周位置的各实测BER近似化，算出近似化后的所在磁道的各圆周位置的各近似BER，取得所在磁道的近似BER的变动ABL5。

ya＝a×cоs(px1+b)+ca (1)

在此，ya是近似BER，p是系数，x1是实测BER，a是系数，b是系数，ca相当于预定磁道的近似BER的变动ABL5的变动的平均值。

访问处理控制部620利用以下记载的式(2)，对算出的所在磁道的各圆周位置的各近似BER进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的所在磁道的各圆周位置的各修正BER，取得所在磁道的修正BER的变动CBL5。

yc＝x+cv (2)

在此，yc是修正BER，cv是修正量。修正量cv可利用以下记载的式(3)算出。

cv＝x2-ca (3)

在此，x2是近似BER。

图6是示出本实施方式的针对圆周位置的修正评价指标的变动CBL6及修正写处理参数的变动CPL6的一例的示意图。在图6中，纵轴表示BER及写处理参数，横轴表示圆周位置。在图6中，BER随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。在图6中，写处理参数随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。图6的横轴的圆周位置包括开始位置和结束位置。图6中，示出了基准写处理参数例如基准记录密度DPL6、针对圆周位置的修正写处理参数的变动(以下，也存在简称作修正写处理参数的变动的情况)例如针对圆周位置的修正记录密度的变动(以下，也存在简称作修正记录密度的变动的情况)CPL6、针对圆周位置的修正评价指标(或实测评价指标)的变动(以下，也存在简称作修正评价指标(或实测评价指标)的变动的情况)例如针对圆周位置的修正BER(或实测BER)的变动(以下，也存在简称作修正BER(或实测BER)的变动的情况)MBL6、与修正写处理参数的变动对应的针对圆周位置的评价指标的变动(以下，也存在称作抑制评价指标的变动的情况)例如与修正记录密度的变动CPL6对应的针对圆周位置的实测BER的变动(以下，也存在称作抑制BER的变动的情况)SBL6。

在图6所示的例子中，访问处理控制部620将所在磁道上的记录密度设定为基准记录密度，测定所在磁道上的实测BER的变动MBL6。访问处理控制部620基于测定出的所在磁道的实测BER的变动MBL6，算出用于将所在磁道的实测BER的变动MBL6调整为均一或抑制的所在磁道上的记录密度修正量的变动。访问处理控制部620对所在磁道上的基准记录密度加上(或减去)记录密度修正量的变动。由此，访问处理控制部620将所在磁道上的基准记录密度DPL6修正(或调整)为所在磁道上的修正记录密度的变动CPL6。访问处理控制部620对所在磁道设定修正记录密度的变动CPL6。如图6所示，在所在磁道上，通过设定修正记录密度的变动CPL6，实测BER的变动MBL6被抑制为抑制BER的变动SBL6。

在图6所示的例子中，访问处理控制部620将所在磁道上的各记录密度设定为基准记录密度DPL6，测定所在磁道的实测BER的变动。访问处理控制部620将测定出的所在磁道的实测BER的变动近似化，算出近似化后的所在磁道的近似BER的变动。访问处理控制部620对算出的所在磁道的近似BER的变动进行修正(或调整)，算出修正(或调整)后的所在磁道的修正BER的变动MBL6。访问处理控制部620基于算出的所在磁道的修正BER的变动MBL6，算出用于将所在磁道上的修正BER的变动MBL6调整为均一或抑制的记录密度修正量的变动。访问处理控制部620对所在磁道上的基准记录密度加上(或减去)记录密度修正量的变动。由此，访问处理控制部620将所在磁道的基准记录密度修正(或调整)为所在磁道的修正记录密度的变动CPL6。访问处理控制部620对所在磁道设定修正记录密度的变动CPL6。如图6所示，在所在磁道上，通过设定修正记录密度的变动CPL6，修正BER的变动MBL6被抑制为抑制BER的变动SBL6。

图7是示出进行了边缘写的情况下的预定磁道的针对圆周位置的BER的变动的一例的示意图。在图7中，纵轴表示BER，横轴表示圆周位置。在图7中，BER随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。图7的横轴的圆周位置包括开始位置和结束位置。图7中，示出了修正评价指标(或实测评价指标)的变动例如修正BER(或实测BER)的变动MBL6和抑制评价指标的变动例如抑制BER的变动SBL6。另外，图7中，示出了向包含修正评价指标(或实测评价指标)的变动例如修正BER(或实测BER)的变动MBL6的所在磁道进行了边缘写的情况下的所在磁道的针对圆周位置的评价指标的变动(以下，也存在简称作初始边缘评价指标的变动的情况)例如针对圆周位置的BER的变动(以下，也存在称作初始边缘BER的变动的情况)DFBL7、和向包含抑制评价指标的变动例如抑制BER的变动SBL6的所在磁道进行了边缘写的情况下的所在磁道的针对圆周位置的评价指标的变动(以下，也存在简称作修正后边缘评价指标的变动的情况)例如针对圆周位置的BER的变动(以下，也存在简称作修正后边缘BER的变动的情况)CFBL7。

在图7所示的例子中，访问处理控制部620在对所在磁道设定了基准记录密度DPL6的情况下，在所在磁道上测定实测BER的变动MBL6。访问处理控制部620在向具有实测BER的变动MBL6的所在磁道的相邻磁道进行了边缘写的情况下，测定初始边缘BER的变动DFBL7。

在图7所示的例子中，访问处理控制部620在对所在磁道设定了修正记录密度的变动CPL6的情况下，在所在磁道上测定抑制BER的变动SBL6。访问处理控制部620在向具有抑制BER的变动SBL6的所在磁道的相邻磁道进行了写入的情况下，测定修正后边缘BER的变动CFBL7。

如图7所示，修正后边缘BER的变动CFBL7的变化量比初始边缘BER的变动DFBL7的变化量大。在图7所示的例子中，修正后边缘BER的变动CFBL7的一部分比初始边缘BER的变动DFBL7的一部分大，且修正后边缘BER的变动CFBL7的一部分比初始边缘BER的变动DFBL的一部分小。因此，与向实测BER的变动MBL6的所在磁道的相邻磁道进行了写入的情况相比，向抑制BER的变动SBL6的所在磁道的相邻磁道进行了写入的情况下，可能来自所在磁道的预定区域的头15的泄漏磁通等的影响(Adjacent Track Interference：ATI)大、且来自所在磁道的其他区域的头15的ATI小。换言之，与向具有抑制BER的变动SBL6的所在磁道的相邻磁道进行了写入的情况相比，向具有实测BER的变动MBL6的磁道的相邻磁道进行了写入的情况下，有可能所在磁道的预定区域的数据容易劣化且所在磁道的其他区域的数据难以劣化。也就是说，与将数据写入到修正为修正写处理参数后的所在磁道的相邻磁道的情况相比，写入到没有修正的所在磁道的相邻磁道的情况下，有可能所在磁道的预定区域的数据容易劣化，且有可能所在磁道的其他区域的数据难以劣化。换言之，与将数据写入到修正为修正写处理参数后的所在磁道的相邻磁道的情况相比，写入到没有修正的所在磁道的相邻磁道的情况下，有可能所在磁道的预定区域的数据容易劣化。

刷新控制部630对写了数据的次数(以下，也存在称作写次数的情况)进行计数。刷新控制部630对将数据写到位于距作为对象的区域(以下，也存在称作对象区域的情况)在半径方向上为预定范围内的区域(以下，也存在称作接近区域的情况)的写次数(以下，也存在称作接近区域写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到位于距对象区域在外方向上为预定范围内的接近区域(以下，也存在称作外方向接近区域的情况)的接近区域写次数(以下，也存在称作外方向接近区域写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到位于距对象区域在内方向上为预定范围内的接近区域(以下，也存在称作内方向接近区域的情况)的接近区域写次数(以下，也存在称作内方向接近区域写次数或内方向写次数的情况)进行计数。刷新控制部630也可以将写次数作为表而保持于预定记录区域例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或缓冲存储器90等。

刷新控制部630在将数据写到了位于距对象区域在半径方向上为预定范围内的接近区域的情况下，使接近区域写次数增加预定值(increment，递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了位于距对象区域在半径方向上为预定范围内的接近区域的情况下，使接近区域写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向接近区域的情况下，使外方向接近区域写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向接近区域的情况下，使外方向接近区域写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向接近区域的情况下，使内方向接近区域写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向接近区域的情况下，使内方向接近区域写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630对将数据写到了与对象区域在半径方向上相邻的区域(以下，也存在称作相邻区域的情况)的写次数(以下，也存在称作相邻区域写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象区域的外方向上相邻的相邻区域(以下，也存在称作外方向相邻区域的情况)的相邻区域写次数(以下，也存在称作外方向相邻区域写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象区域的内方向上相邻的相邻区域(以下，也存在称作内方向相邻区域的情况)的相邻区域写次数(以下，也存在称作内方向相邻区域写次数或内方向写次数的情况)进行计数。

刷新控制部630在将数据写到了位于对象区域的半径方向上的相邻区域的情况下，使相邻区域写次数增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了位于对象区域的半径方向上的相邻区域的情况下，使相邻区域写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻区域的情况下，使外方向相邻区域写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻区域的情况下，使外方向相邻区域写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻区域的情况下，使内方向相邻区域写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻区域的情况下，使内方向相邻区域写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630对将数据写到了位于距作为对象的划分区域(以下，也存在称作对象划分区域的情况)在半径方向上为预定范围内的划分区域(以下，也存在称作接近划分区域的情况)的写次数(以下，也存在称作接近划分区域写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到了位于距对象划分区域在外方向上为预定范围内的接近划分区域(以下，也存在称作外方向接近划分区域的情况)的接近划分区域写次数(以下，也存在称作外方向接近划分区域写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到了位于距对象划分区域在内方向上为预定范围内的接近划分区域(以下，也存在称作内方向接近划分区域的情况)的接近划分区域写次数(以下，也存在称作内方向接近划分区域写次数或内方向写次数的情况)进行计数。

刷新控制部630在将数据写到了位于距对象划分区域在半径方向上为预定范围内的接近划分区域的情况下，使接近划分区域写次数增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了位于距对象划分区域在半径方向上为预定范围内的接近划分区域的情况下，使接近划分区域写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向接近划分区域的情况下，使外方向接近划分区域写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向接近划分区域的情况下，使外方向接近划分区域写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向接近划分区域的情况下，使内方向接近划分区域写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向接近划分区域的情况下，使内方向接近划分区域写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630对将数据写到了与对象划分区域在半径方向上相邻的划分区域(以下，也存在称作相邻划分区域的情况)的写次数(以下，也存在称作相邻划分区域写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象划分区域的外方向上相邻的相邻划分区域(以下，也存在称作外方向相邻划分区域的情况)的相邻划分区域写次数(以下，也存在称作外方向相邻划分区域写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象划分区域的内方向上相邻的相邻划分区域(以下，也存在称作内方向相邻划分区域的情况)的相邻划分区域写次数(以下，也存在称作内方向相邻划分区域写次数或内方向写次数的情况)进行计数。

刷新控制部630在将数据写到了位于对象划分区域的半径方向上的相邻划分区域的情况下，使相邻划分区域写次数增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了位于对象划分区域的半径方向上的相邻划分区域的情况下，使相邻划分区域写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻划分区域的情况下，使外方向相邻划分区域写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻划分区域的情况下，使外方向相邻划分区域写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻划分区域的情况下，使内方向相邻划分区域写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻划分区域的情况下，使内方向相邻划分区域写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630对将数据写到了位于距作为对象的扇区(以下，也存在称作对象扇区的情况)在半径方向上为预定范围内的扇区(以下，也存在称作接近扇区的情况)的写次数(以下，也存在称作接近扇区写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到了位于距对象扇区为外方向的预定范围内的接近扇区(以下，也存在称作外方向接近扇区的情况)的接近扇区写次数(以下，也存在称作外方向接近扇区写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到了位于距对象扇区为内方向的预定范围内的接近扇区(以下，也存在称作内方向接近扇区的情况)的接近扇区写次数(以下，也存在称作内方向接近扇区写次数或内方向写次数的情况)进行计数。此外，也可以通过制造阶段的测定检测在写了数据时对于对象区域造成洇渗写、泄漏磁场等的影响的扇区，将该检测到的扇区设定为接近扇区。另外，也可以在动作处理时检测在写了数据时对于对象区域造成洇渗写、泄漏磁场等的影响的扇区，将该检测到的扇区设定为接近扇区。

刷新控制部630在将数据写到了位于距对象扇区在半径方向上为预定范围内的接近扇区的情况下，使接近扇区写次数增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了位于距对象扇区在半径方向上为预定范围内的接近扇区的情况下，使接近扇区写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向接近扇区的情况下，使外方向接近扇区写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向接近扇区的情况下，使外方向接近扇区写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向接近扇区的情况下，使内方向接近扇区写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向接近扇区的情况下，使内方向接近扇区写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630对将数据写到了在对象扇区的半径方向上相邻的扇区(以下，也存在称作相邻扇区的情况)的写次数(以下，也存在称作相邻扇区写次数的情况)进行计数。例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象扇区的外方向上相邻的相邻扇区(以下，也存在称作外方向相邻扇区的情况)的相邻扇区写次数(以下，也存在称作外方向相邻扇区写次数或外方向写次数的情况)进行计数。另外，例如，刷新控制部630对将数据写到了在对象扇区的内方向上相邻的相邻扇区(以下，也存在称作内方向相邻扇区的情况)的相邻扇区写次数(以下，也存在称作内方向相邻扇区写次数或内方向写次数的情况)进行计数。

刷新控制部630在将数据写到了在对象扇区的半径方向上相邻的相邻扇区的情况下，使相邻扇区写次数增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了在对象扇区的半径方向上相邻的相邻扇区的情况下，使相邻扇区写次数增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻扇区的情况下，使外方向相邻扇区写次数(外方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了外方向相邻扇区的情况下，使外方向相邻扇区写次数(外方向写次数)增加1(递增)。刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻扇区的情况下，使内方向相邻扇区写次数(内方向写次数)增加预定值(递增)。例如，刷新控制部630在将数据写到了内方向相邻扇区的情况下，使内方向相邻扇区写次数(内方向写次数)增加1(递增)。

刷新控制部630执行将与写到了对象区域的数据相同的数据重写到对象区域的处理(以下，也存在称作再写、再写处理、刷新或刷新处理的情况)、或将数据覆写或另写到对象区域的处理(以下，也存在称作覆写处理、另写处理、再写、再写处理、刷新或刷新处理的情况)。以下，也存在将重写的处理、覆写处理或另写处理汇总称作再写、再写处理、刷新或刷新处理的情况。所谓“覆写”，包括“在写到了预定区域的预定位置的数据上写数据”、“在与写到了预定区域的预定位置的数据相同区域的相同位置写数据”。

刷新控制部630具有与预定区域对应的执行刷新处理的写次数的阈值(以下，也存在称作刷新阈值的情况)。刷新阈值相当于向预定区域的数据受到比特定的量例如破坏数据的量大的ATI的情况下的该区域的半径方向上的区域的写次数。刷新控制部630也可以将与预定区域对应的刷新阈值作为表保持于预定记录区域例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或缓冲存储器90等。

如图7所示，在预定磁道上为了抑制评价指标的变动而对该磁道上的写处理参数的变动进行了修正的情况下，在对该磁道的相邻磁道进行了边缘写时，可能该磁道的预定区域的数据容易因ATI等而劣化、且该磁道的其他区域的数据因ATI等的劣化受到抑制。因而，在预定磁道上为了抑制评价指标的变动而对该磁道上的写处理参数的变动进行了修正的情况下，优选的是：以减小针对该磁道的数据容易因ATI等而劣化的区域的刷新阈值、且增大针对该磁道的数据难以因ATI等而劣化的区域的刷新阈值的方式，按该磁道的每个区域设定刷新阈值。换言之，在预定磁道上为了抑制评价指标的变动而对该磁道的写处理参数的变动进行了修正的情况下，优选的是：以减小针对该磁道的容易受到ATI等的影响的区域的刷新阈值、且增大针对该磁道的难以受到ATI等的影响的区域的刷新阈值的方式，按该磁道的每个区域设定刷新阈值。

刷新控制部630具有预定磁道上的每个划分区域的各刷新阈值(以下，也存在称作划分区域阈值的情况)。刷新控制部630根据预定磁道上的写处理参数的变动，在预定磁道上按每个划分区域对成为基准的一定的刷新阈值(以下，也存在称作基准阈值的情况)进行修正而算出各划分区域阈值。换言之，刷新控制部630根据预定磁道的写处理参数的变动，算出用于对预定磁道上的基准阈值进行修正的、该磁道上的包括与多个划分区域分别对应的多个划分区域阈值的划分区域阈值的变动。

例如，刷新控制部630根据预定磁道上的相当于与修正记录密度的变动成比例的修正记录频率的变动的TBG值的变动，算出对预定磁道上的每个划分区域的各刷新阈值进行修正的每个划分区域的各修正值(以下，也存在称作阈值修正值的情况)。换言之，刷新控制部630根据预定磁道上的TBG值的变动，算出对该磁道上的刷新阈值的变动进行修正的该磁道上的阈值修正值的变动。刷新控制部630基于各划分区域的基准阈值和各划分区域的各阈值修正值，算出各划分区域的各划分区域阈值。换言之，刷新控制部630基于预定磁道上的基准阈值和阈值修正值的变动，算出该磁道上的划分区域阈值的变动。例如，刷新控制部630将各划分区域的各阈值修正值累计到预定磁道上的各划分区域的基准阈值，算出各划分区域的各划分区域阈值。换言之，刷新控制部630将阈值修正值的变动累计到预定磁道上的基准阈值，算出该磁道上的划分区域阈值的变动。预定磁道上的多个划分区域阈值也可以不同。预定磁道上的多个划分区域阈值的一部分也可以相同。

刷新控制部630在判定为与对象区域对应的写次数比与对象区域对应的刷新阈值大的情况下，对于对象区域执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与对象区域对应的写次数比与对象区域对应的刷新阈值大的情况下，对包括对象区域的磁道(对象磁道)执行刷新处理。在对于对象区域执行了刷新处理的情况下，刷新控制部630将与对象区域对应的写次数重置，例如设为0。

例如，在判定为与对象划分区域对应的写次数(例如，外方向写次数及内方向写次数的合计)比与该对象划分区域对应的划分区域阈值大的情况下，刷新控制部630读取对象划分区域，执行将对象划分区域的数据重写到对象划分区域的相同位置的刷新处理。此外，在判定为与对象划分区域对应的写次数比与该对象划分区域对应的划分区域阈值大的情况下，刷新控制部630也可以从包括对象划分区域的磁道(对象磁道)读取，执行将包括对象划分区域的磁道的数据重写到该磁道的相同位置的刷新处理。

图8是示出本实施方式的预定磁道的针对圆周位置的TBG值的变动及针对圆周位置的阈值修正值的变动的一例的示意图。在图8中，纵轴表示TBG值及阈值修正值，横轴表示圆周位置。在图8中，TBG值随着向比原点(＝0)靠正的箭头的前端侧前进而变大，随着向比原点(＝0)靠负的箭头的前端侧前进而变小。在图8中，阈值修正值随着向比原点(＝1)大的箭头的前端侧前进而变大，随着向比原点(＝1)小的箭头的前端侧前进而变小。图6的横轴的圆周位置包括开始位置和结束位置。在图8的横轴的圆周位置处，从开始位置到结束位置的范围按每个划分区域划分。图8中，示出了预定磁道上的针对圆周位置的TBG值的变动(以下，也存在简称作TBG值的变动的情况)TBGL8和预定磁道上的针对圆周位置的阈值修正值的变动(以下，也存在简称作阈值修正值的变动的情况)TCVL8。

在图8所示的例子中，刷新控制部630根据预定磁道的TBG的变动TBGL8，算出预定磁道的每个划分区域的各阈值修正值的变动TCVL8。刷新控制部630以下述方式进行算出：在TBG的变动TBGL8比原点(＝0)小的划分区域使阈值修正值的变动TCVL8比原点(＝1)大，且在TBG的变动TBGL8比原点(＝0)大的划分区域使阈值修正值的变动TCVL8比原点(＝1)小。例如，刷新控制部630以成为与TBG的变动TBGL8的形状例如波形形状反转的形状的方式算出阈值修正值的变动TCVL8。换言之，刷新控制部630以成为与对应于TBG的变动TBGL8的写处理参数例如记录密度的变动的形状(波形形状)反转的形状的方式算出阈值修正值的变动TCVL8。例如，刷新控制部630以成为与对应于TBG的变动TBGL8的修正写处理参数例如修正记录密度的变动的形状反转的形状的方式算出阈值修正值的变动TCVL8。

图9是示出本实施方式的预定磁道的针对划分区域的划分区域阈值的变动的一例的示意图。在图9中，纵轴表示刷新阈值，横轴表示圆周位置。在图9中，刷新阈值随着向大的箭头的前端侧前进而变大，随着向小的箭头的前端侧前进而变小。图9的横轴的圆周位置包括开始位置和结束位置。在图9的横轴的圆周位置处，从开始位置到结束位置的范围按每个划分区域划分。图9中，示出了预定磁道上的基准阈值CTVL9和预定磁道上的针对划分区域的划分区域阈值的变动(以下，也存在简称作划分区域阈值的变动的情况)DATL9。

在图9所示的例子中，刷新控制部630将图8所示的阈值修正值的变动TCVL8累计到基准阈值CTVL9，算出各划分区域的各划分区域阈值，取得划分区域阈值的变动DATL9。划分区域阈值的变动DATL9对应于阈值修正值的变动TCVL8。换言之，划分区域阈值的变动DATL9的形状(例如，波形形状)与阈值修正值的变动TCVL8的形状几乎相同。划分区域阈值的变动DATL9的形状与对应于TBG的变动TBGL8的写处理参数例如记录密度的变动的形状几乎反转。在TBG的变动TBGL8比原点(＝0)小的划分区域，划分区域阈值的变动DATL9比基准阈值CTVL9大，在TBG的变动TBGL8比原点(＝0)大的划分区域，划分区域阈值的变动DATL9比基准阈值CTVL9小。例如，划分区域阈值的变动DATL9在将数据写到了预定磁道的相邻磁道时容易受到ATI的划分区域小，且在将数据写到了相邻磁道时难以受到ATI的划分区域大。

图10是示出预定磁道的划分区域的一例的示意图。图10中，示出了磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1。磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1相当于图4所示的磁道CTRn-1、CTRn及CTRn+1。在图10所示的例子中，磁道CTRn-1划分为了划分区域DA0(n-1)、DA1(n-1)、DA2(n-1)、DA3(n-1)及DA4(n-1)。划分区域DA0(n-1)、DA1(n-1)、DA2(n-1)、DA3(n-1)及DA4(n-1)以记载的顺序在后方向上连续排列。在图10中，磁道CTRn划分为了划分区域DA0n、DA1n、DA2n、DA3n及DA4n。划分区域DA0n、DA1n、DA2n、DA3n及DA4n以记载的顺序在后方向上连续排列。在图10中，磁道CTRn+1划分为了划分区域DA0(n+1)、DA1(n+1)、DA2(n+1)、DA3(n+1)及DA4(n+1)。划分区域DA0(n+1)、DA1(n+1)、DA2(n+1)、DA3(n+1)及DA4(n+1)以记载的顺序在后方向上连续排列。在图10所示的例子中，在半径方向上，划分区域DA0(n-1)、DA0n及DA0(n+1)以记载的顺序在内方向上隔开间隔连续排列。在图10所示的例子中，在半径方向上，划分区域DA1(n-1)、DA1n及DA1(n+1)以记载的顺序在内方向上隔开间隔连续排列。在图10所示的例子中，在半径方向上，划分区域DA2(n-1)、DA2n及DA2(n+1)以记载的顺序在内方向上隔开间隔连续排列。在图10所示的例子中，在半径方向上，划分区域DA3(n-1)、DA3n及DA3(n+1)以记载的顺序在内方向上隔开间隔连续排列。在图10所示的例子中，在半径方向上，划分区域DA4(n-1)、DA4n及DA4(n+1)以记载的顺序在内方向上隔开间隔连续排列。

在图10所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA0(n-1)及DA0(n+1)的情况下，对划分区域DA0n的写次数进行计数。例如，刷新控制部630在写到了划分区域DA0(n-1)及DA0(n+1)的情况下，使划分区域DA0n的写次数增加1。

在图10所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA1(n-1)及DA1(n+1)的情况下，对划分区域DA1n的写次数进行计数。例如，刷新控制部630在写到了划分区域DA1(n-1)及DA1(n+1)的情况下，使划分区域DA1n的写次数增加1。

在图10所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA2(n-1)及DA2(n+1)的情况下，对划分区域DA2n的写次数进行计数。例如，刷新控制部630在写到了划分区域DA2(n-1)及DA2(n+1)的情况下，使划分区域DA2n的写次数增加1。

在图10所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA3(n-1)及DA3(n+1)的情况下，对划分区域DA3n的写次数进行计数。例如，刷新控制部630在写到了划分区域DA3(n-1)及DA3(n+1)的情况下，使划分区域DA3n的写次数增加1。

在图10所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA4(n-1)及DA4(n+1)的情况下，对划分区域DA4n的写次数进行计数。例如，刷新控制部630在写到了划分区域DA4(n-1)及DA4(n+1)的情况下，使划分区域DA4n的写次数增加1。

图11是示出本实施方式的写次数及划分区域阈值的表TB的一例的示意图。在图11中，表TB包括磁道CTRn。磁道CTRn对应于图10。图11中，表TB包括：划分区域DA0n、DA1n、DA2n、DA3n及DA4n；写次数WC0n、WC1n、WC2n、WC3n及WC4n；划分区域阈值RHT0n、RHT1n、RHT2n、RHT3n及RHT4n。表TB可记录于预定记录区域例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或缓冲存储器90等。划分区域DA0n、DA1n、DA2n、DA3n及DA4n对应于磁道CTRn。写次数WC0n对应于划分区域DA0n。写次数WC1n对应于划分区域DA1n。写次数WC2n对应于划分区域DA2n。写次数WC3n对应于划分区域DA3n。写次数WC4n对应于划分区域DA4n。划分区域阈值RHT0n对应于划分区域DA0n。划分区域阈值RHT1n对应于划分区域DA1n。划分区域阈值RHT2n对应于划分区域DA2n。划分区域阈值RHT3n对应于划分区域DA3n。划分区域阈值RHT4n对应于划分区域DA4n。

在图11所示的例子中，刷新控制部630在写到了划分区域DA0(n-1)及DA0(n+1)的情况下，使与划分区域DA0n对应的写次数WC0n增加1。刷新控制部630在判定为与划分区域DA0n对应的写次数WC0n比与划分区域DA0n对应的划分区域阈值RHT0n大的情况下，对划分区域DA0n执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与划分区域DA0n对应的写次数WC0n比与划分区域DA0n对应的划分区域阈值RHT0n大的情况下，对磁道CTRn执行刷新处理。

刷新控制部630在写到了划分区域DA1(n-1)及DA1(n+1)的情况下，使与划分区域DA1n对应的写次数WC1n增加1。刷新控制部630在判定为与划分区域DA1n对应的写次数WC1n比与划分区域DA1n对应的划分区域阈值RHT1n大的情况下，对划分区域DA1n执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与划分区域DA1n对应的写次数WC1n比与划分区域DA1n对应的划分区域阈值RHT1n大的情况下，对磁道CTRn执行刷新处理。

刷新控制部630在写到了划分区域DA2(n-1)及DA2(n+1)的情况下，使与划分区域DA2n对应的写次数WC2n增加1。刷新控制部630在判定为与划分区域DA2n对应的写次数WC2n比与划分区域DA2n对应的划分区域阈值RHT2n大的情况下，对划分区域DA2n执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与划分区域DA2n对应的写次数WC2n比与划分区域DA2n对应的划分区域阈值RHT2n大的情况下，对磁道CTRn执行刷新处理。

刷新控制部630在写到了划分区域DA3(n-1)及DA3(n+1)的情况下，使与划分区域DA3n对应的写次数WC3n增加1。刷新控制部630在判定为与划分区域DA3n对应的写次数WC3n比与划分区域DA3n对应的划分区域阈值RHT3n大的情况下，对划分区域DA3n执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与划分区域DA3n对应的写次数WC3n比与划分区域DA3n对应的划分区域阈值RHT3n大的情况下，对磁道CTRn执行刷新处理。

刷新控制部630在写到了划分区域DA4(n-1)及DA4(n+1)的情况下，使与划分区域DA4n对应的写次数WC4n增加1。刷新控制部630在判定为与划分区域DA4n对应的写次数WC4n比与划分区域DA4n对应的划分区域阈值RHT4n大的情况下，对划分区域DA4n执行刷新处理。此外，刷新控制部630在判定为与划分区域DA4n对应的写次数WC4n比与划分区域DA4n对应的划分区域阈值RHT4n大的情况下，对磁道CTRn执行刷新处理。

图12是示出本实施方式的刷新阈值的设定方法的一例的流程图。

MPU60在预定磁道上，将写处理参数设定为基准写处理参数(B1201)，测定该磁道上的实测评价指标的变动(B1202)。MPU60基于测定出的预定磁道的实测评价指标的变动，算出用于将该磁道上的实测评价指标的变动调整为均一或抑制的该磁道上的写处理参数修正量的变动(B1203)。MPU60基于基准写处理参数及写处理参数修正量的变动，算出预定磁道的修正写处理参数的变动(B1204)。MPU60基于预定磁道的修正写处理参数的变动，以减小预定磁道的容易受到ATI等的影响的区域的刷新阈值且增大该磁道的难以受到ATI等的影响的区域的刷新阈值的方式，算出该磁道上的阈值修正值的变动(B1205)。换言之，MPU60基于预定磁道的修正写处理参数的变动，以减小预定磁道的容易受到ATI等的影响的区域的刷新阈值且增大该磁道的难以受到ATI等的影响的区域的刷新阈值的方式，算出该磁道的各划分区域的各阈值修正值。MPU60基于预定磁道上的阈值修正值的变动，设定该磁道上的划分区域阈值的变动(B1206)，结束处理。换言之，MPU60基于各划分区域的各阈值修正值，设定各划分区域的各划分区域阈值。

图13是示出本实施方式的刷新处理方法的一例的示意图。

MPU60向对象磁道的与对象划分区域在半径方向上相邻的相邻划分区域写数据(B1301)，对于对象划分区域的写次数进行计数(B1302)。MPU60判定对象划分区域的写次数是比划分区域阈值大还是为划分区域阈值以下(B1303)。在判定为对象划分区域的写次数为划分区域阈值以下的情况下(B1303的“否”)，MPU60结束处理。在判定为对象划分区域的写次数比划分区域阈值大的情况下(B1303的“是”)，MPU60对于对象划分区域执行刷新处理(B1304)，结束处理。此外，在判定为对象划分区域的写次数比划分区域阈值大的情况下，MPU60也可以对于对象磁道执行刷新处理。

根据本实施方式，磁盘装置1在预定磁道上，将写处理参数设定为基准写处理参数，测定该磁道上的实测评价指标的变动。磁盘装置1基于测定出的预定磁道的实测评价指标的变动，算出用于将该磁道上的实测评价指标的变动调整为均一或抑制的、该磁道上的写处理参数修正量的变动。磁盘装置1基于基准写处理参数及写处理参数修正量的变动，算出预定磁道的修正写处理参数的变动。磁盘装置1基于预定磁道的修正写处理参数的变动，以减小预定磁道的容易受到ATI等的影响的区域的刷新阈值且增大该磁道的难以受到ATI等的影响的区域的刷新阈值的方式，算出该磁道上的阈值修正值的变动。磁盘装置1基于预定磁道上的阈值修正值的变动，设定该磁道上的划分区域阈值的变动。因而，磁盘装置1能够提高性能及数据的可靠性。

虽然说明了几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提出的，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形，包含于发明的范围、主旨，并且，包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。

Claims (15)

1.一种磁盘装置，具备：

盘，具有第1磁道；

头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据；及

控制器，设定所述第1磁道的1周内的与向所述盘的写处理相关联的参数的变动，以使得在所述第1磁道的1周内抑制与写/读处理特性对应的评价指标的变动。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器，根据所述参数的变动，设定所述第1磁道的1周内的执行重写处理的刷新阈值的变动。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置，

所述刷新阈值的变动包括：与将所述第1磁道划分而得到的多个划分区域分别对应的多个刷新阈值。

4.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述控制器设定形状与所述参数的变动的形状反转的所述刷新阈值的变动。

5.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述控制器，设定所述刷新阈值的变动，以使得在所述多个划分区域中的第1划分区域变小、且在所述多个划分区域中的第2划分区域变大，所述第1划分区域是将数据写到了与所述第1磁道在所述盘的半径方向上相邻的相邻磁道时容易受到所述头的泄漏磁通的影响的区域，所述第2划分区域是将数据写到了所述相邻磁道时难以受到所述头的泄漏磁通的影响的区域。

6.根据权利要求5所述的磁盘装置，

所述评价指标的变动是比特误码率的变动。

7.根据权利要求6所述的磁盘装置，

所述参数的变动是记录密度的变动。

8.根据权利要求6所述的磁盘装置，

所述参数的变动是记录电流的变动。

9.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述参数的变动是所述加热器的设定值的变动。

10.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述参数的变动是数据的传送速度的变动。

11.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述参数的变动是记录频率的变动。

12.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述控制器，在判定为将数据写到了所述多个划分区域中的与第1划分区域在所述盘的半径方向上相邻的相邻划分区域的第1写次数比与所述第1划分区域对应的刷新阈值的变动中的第1刷新阈值大的情况下，将所述第1划分区域的数据重写。

13.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述控制器，在判定为将数据写到了所述多个划分区域中的与第1划分区域在所述盘的半径方向上相邻的相邻划分区域的第1写次数比与所述第1划分区域对应的刷新阈值的变动中的第1刷新阈值大的情况下，将所述第1磁道的数据重写。

14.一种刷新阈值的设定方法，适用于磁盘装置，该磁盘装置具备：盘，具有第1磁道；和头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据，所述刷新阈值的设定方法包括：

设定所述第1磁道的1周内的与向所述盘的写处理相关联的参数的变动，以使得在所述第1磁道的1周内抑制与写/读处理特性对应的评价指标的变动，

根据所述参数的变动，设定所述第1磁道的执行重写处理的刷新阈值的变动。

15.一种磁盘装置，具备：

盘，具有第1磁道；

头，具有加热器，对所述盘写数据，从所述盘读数据；及

控制器，将所述第1磁道划分为多个划分区域，在所述第1磁道对所述多个划分区域分别设定执行重写处理的多个刷新阈值，在判定为将数据写到了所述多个划分区域中的与第1划分区域在所述盘的半径方向上相邻的相邻划分区域的第1写次数比与所述第1划分区域对应的所述多个刷新阈值中的第1刷新阈值大的情况下，在所述第1磁道执行将数据重写的处理。

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