JP2021136045A - 磁気ディスク装置及びライトリトライ処理方法 - Google Patents

磁気ディスク装置及びライトリトライ処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 ライト処理の性能を向上可能な磁気ディスク装置及びライトリトライ処理方法を提供することである。【解決手段】 本実施形態に係る磁気ディスク装置は、半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録でデータをライトする第１領域と、前記第１領域から前記半径方向にギャップを置いて配置され、前記半径方向に重ねて複数のトラックをライトする瓦記録でデータをライトする第２領域とを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記第１領域において前記第２領域側に配置された第３領域と前記第１領域の前記第３領域以外の第４領域とで異なるライトリトライ処理を実行可能な回数の閾値を設定し、前記通常記録及び前記瓦記録を選択して実行する、コントローラと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びライトリトライ処理方法に関する。
近年、高記録密度を実現する技術を有する磁気ディスク装置が開発されている。高記録密度を実現する磁気ディスク装置として、ディスクの半径方向に複数のトラックを重ね書きする瓦記録型式（Shingled write Magnetic Recording：ＳＭＲ、又はShingled Write Recording：ＳＷＲ）の磁気ディスク装置がある。また、ディスクの半径方向に間隔に置いて複数のトラックをライトする通常記録型式と瓦記録型式とを選択して実行可能な磁気ディスク装置もある。
米国特許第８８３７０６９号明細書 米国特許第８９７６４７８号明細書 米国特許第８６９９１５９号明細書
本発明の実施形態は、ライト処理の性能を向上可能な磁気ディスク装置及びライトリトライ処理方法を提供する。
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録でデータをライトする第１領域と、前記第１領域から前記半径方向にギャップを置いて配置され、前記半径方向に重ねて複数のトラックをライトする瓦記録でデータをライトする第２領域とを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記第１領域において前記第２領域側に配置された第３領域と前記第１領域の前記第３領域以外の第４領域とで異なるライトリトライ処理を実行可能な回数の閾値を設定し、前記通常記録及び前記瓦記録を選択して実行する、コントローラと、を備える。
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 図２は、第１実施形態に係るディスクの一例を示す模式図である。 図３は、通常記録処理の一例を示す模式図である。 図４は、瓦記録処理の一例を示す模式図である。 図５は、通常記録バンド領域と瓦記録バンド領域との配置の一例を示す模式図である。 図６は、制限トラックの設定方法の一例を示す模式図である。 図７は、第１実施形態に係るライトリトライ処理の一例を示す図である。 図８は、第１実施形態に係るライトリトライ処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、変形例１に係る通常記録バンド領域及び瓦記録バンド領域の一例を示す模式図である。
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、不揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、それぞれ、２つ以上設けられていてもよい。
ディスク１０は、そのデータをライト可能な領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、ホスト等から転送されたデータ（又はコマンド）をユーザデータ領域１０ａの所定の領域にライトする前に一時的に保持するメディアキャッシュ（又は、メディアキャッシュ領域と称する場合もある）１０ｂと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリア１０ｃとが割り当てられている。以下、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向、又はディスク１０の外周から内周へ向かう方向を半径方向と称する。半径方向において、内周から外周へ向かう方向を外方向（外側）と称し、外周から内周へ向かう方向を内方向（内側）と称する。ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。円周方向は、ディスク１０の円周に沿った方向に相当する。また、ディスク１０の半径方向の所定の位置を半径位置と称し、ディスク１０の円周方向の所定の位置を円周位置と称する場合もある。半径位置及び円周位置をまとめて単に位置と称する場合もある。ディスク１０は、半径方向の所定の範囲毎に複数の領域（以下、ゾーンと称する場合もある）に区分される。ゾーンは、半径方向の所定の範囲毎に複数の領域（以下、バンド領域と称する場合もある）に区分され得る。バンド領域は、複数のトラックを含む。トラックは、複数のセクタを含む。また、ディスク１０を半径方向に区分した領域を半径領域と称する場合もある。半径領域は、ゾーン、バンド領域、及びトラック等を含む。なお、“トラック”は、ディスク１０の半径方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、所定の半径位置におけるヘッド１５の経路、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、所定の半径位置のトラックにライトされた１周分のデータ、トラックにライトされたデータ、トラックにライトされたデータの一部や、その他の種々の意味で用いる。“セクタ”は、トラックを円周方向に区分した複数の領域の内の１つの領域、ディスク１０の所定の位置にライトされたデータ、セクタにライトされたデータや、その他の種々の意味で用いる。“ディスク１０にライトしたトラック”を“ライトトラック”と称し、“ディスク１０からリードするトラック”を“リードトラック”と称する場合もある。“ライトトラック”を単に“トラック”と称する場合もあるし、“リードトラック”を単に“トラック”と称す場合もあるし、“ライトトラック”及び“リードトラック”をまとめて“トラック”と称する場合もある。“トラックの半径方向の幅”を“トラック幅”と称する場合もある。“ライトトラックの半径方向の幅”を“ライトトラック幅”と称し、“リードトラックの半径方向の幅”を“リードトラック幅”と称する場合もある。“ライトトラック幅”を単に“トラック幅”と称し、“リードトラック幅”を単に“トラック幅”と称し、“ライトトラック幅及びリードトラック幅”をまとめて単に“トラック幅”と称する場合もある。“所定のトラックにおけるトラック幅の中心位置を通る経路”を“トラックセンタ”と称する。“所定のライトトラックにおけるライトトラック幅の中心位置を通る経路”を“ライトトラックセンタ”と称し、“リードトラックのリードトラック幅の中心位置を通る経路”を“リードトラックセンタ”と称する場合もある。“ライトトラックセンタ”を単に“トラックセンタ”と称し、“リードトラックセンタ”を単に“トラックセンタ”と称し、“ライトトラックセンタ及びリードトラックセンタ”をまとめて単に“トラックセンタ”と称する場合もある。
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０にライトされたデータをリードする。なお、“ライトヘッド１５Ｗ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒ”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒ”をまとめて“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部”を“ヘッド１５”と称し、“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を“ライトヘッド１５Ｗ”と称し、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を“リードヘッド１５Ｒ”と称する場合もある。“ライトヘッド１５Ｗの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もあるし、“リードヘッド１５Ｒの中心部”を単に“ヘッド１５”と称する場合もある。“ヘッド１５の中心部を所定のトラックのトラックセンタに位置決めする”ことを“ヘッド１５を所定のトラックに位置決めする”、“ヘッド１５を所定のトラックに配置する”、又は“ヘッド１５を所定のトラックに位置する”等で表現する場合もある。
図２は、本実施形態に係るディスク１０の一例を示す模式図である。図２に示すように、円周方向において、ディスク１０の回転する方向を回転方向と称する。なお、図２に示した例では、回転方向は、反時計回りで示しているが、逆向き（時計回り）であってもよい。図２において、ディスク１０は、内方向に位置する内周領域ＩＲと、外方向に位置する外周領域ＯＲと、内周領域ＩＲ及び外周領域ＯＲの間に位置する中周領域ＭＲとに区分されている。図２には、メディアキャッシュ１０ｂを示している。図２では、メディアキャッシュ１０ｂ及びシステムエリア１０ｃは、外周領域ＯＲに位置している。図２に示した例では、システムエリア１０ｃは、ディスク１０の最外周に位置している。メディアキャッシュ１０ｂは、システムエリア１０ｃの内方向に隣接して配置されている。ここで、“隣接”とは、データ、物体、領域、及び空間等が接して並んでいることはもちろん、所定の間隔を置いて並んでいることも含む。ユーザデータ領域１０ａは、メディアキャッシュ１０ｂの内方向に隣接して配置されている。なお、メディアキャッシュ１０ｂは、内周領域ＩＲ又は中周領域ＭＲに位置していてもよい。また、メディアキャッシュ１０ｂは、外周領域ＯＲ、中周領域ＭＲ、及び内周領域ＩＲに分散して位置していてもよい。
ディスク１０のユーザデータ領域１０ａには、所定のトラックに隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する場合もある）をこの所定のトラックから半径方向に所定の間隔を空けてライトする通常記録（Conventional Magnetic Recording : ＣＭＲ）型式でデータをライトする領域（以下、通常記録領域と称する場合もある）と所定のトラックの半径方向の一部に次にライトするトラックを重ね書きする瓦記録（Shingled Write Magnetic Recording : ＳＭＲ、又はShingled Write Recording : ＳＷＲ）型式でデータをライトする領域（以下、瓦記録領域と称する場合もある）とが配置され得る。以下、“通常記録型式でデータをライトする“ことを単に”通常記録“又は”通常記録処理“と称し、”瓦記録型式でデータをライトする“ことを単に”瓦記録“又は”瓦記録処理“と称する場合もある。また、”通常記録処理“以外のライト処理を”瓦記録処理“と称する場合もある。なお、ユーザデータ領域１０ａの全領域が通常記録領域であってもよいし、瓦記録領域であってもよい。
通常記録領域及び瓦記録領域は、それぞれ、少なくとも１つのバンド領域を含む。以下、“通常記録領域に含まれるバンド領域”を“通常記録バンド領域”と称し、“瓦記録領域に含まれるバンド領域”を“瓦記録バンド領域”と称する場合もある。図２に示した例では、ユーザデータ領域１０ａには、通常記録バンド領域ＣＢＡと、瓦記録バンド領域ＳＢＡとが配置されている。通常記録バンド領域は、複数のトラックを含む。なお、通常記録バンド領域は、１つのトラックのみで構成されていてもよい。瓦記録バンド領域は、重ね書きされた複数のトラックを含む。なお、瓦記録バンド領域は、１つのトラックのみで構成されていてもよい。以下、“通常記録バンド領域”を単に“バンド領域”と称し、“瓦記録バンド領域”を単に“バンド領域”と称し、“通常記録バンド領域”及び“瓦記録バンド領域”をまとめて“バンド領域”と称する場合もある。ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向に間隔を置いて配置された複数の通常記録バンド領域ＣＢＡの間に少なくとも１つの瓦記録バンド領域ＳＢＡが配置されていてもよいし、半径方向に間隔を置いて配置された複数の瓦記録バンド領域ＳＢＡの間に少なくとも１つの通常記録バンド領域ＣＢＡが配置されていてもよい。
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバ等を備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードしたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力される信号に応じたライト電流をヘッド１５に出力する。
揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。
不揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ８０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ又はマイクロプロセッシングユニット（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、揮発性メモリ７０、不揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、ライトデータを変調する回路、又は機能を有している。また、Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。また、ＭＰＵ６０は、データを記録する領域を管理する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１０、記録領域管理部６２０、ライトリトライ制御部６３０、及びリフレッシュ制御部６４０を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録領域管理部６２０、ライトリトライ制御部６３０、及びリフレッシュ制御部６４０等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１０、記録領域管理部６２０、ライトリトライ制御部６３０、及びリフレッシュ制御部６４０等を回路として備えていてもよい。
リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の半径位置に位置決めし、リード処理又はライト処理を実行する。
リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、通常記録処理及び瓦記録処理を選択して実行する。言い換えると、リード／ライト制御部６１０は、ホスト１００からのコマンド等に従って、通常記録処理又は瓦記録処理を選択的に実行する。リード／ライト制御部６１０は、通常記録領域では通常記録処理を実行し、瓦記録領域では瓦記録処理を実行する。リード／ライト制御部６１０は、通常記録処理において、データをランダム又シーケンシャルにライトする。また、リード／ライト制御部６１０は、瓦記録処理において、データをシーケンシャルにライトする。なお、リード／ライト制御部６１０は、通常記録処理のみを実行してもよいし、瓦記録処理をのみを実行してもよい。
図３は、通常記録処理の一例を示す模式図である。図３に示すように、半径方向において、シーケンシャルにデータをライト及びリードする方向を順方向と称する。図３において、順方向は、内方向である。なお、順方向は、外方向であってもよい。図３に示すように、円周方向において、ディスク１０に対してヘッド１５が進む方向、つまり、リード／ライトする方向を進行方向と称する場合もある。図３に示した例では、進行方向は、前方向である。なお、進行方向は、後方向であってもよい。図３には、通常記録バンド領域ＣＢＡを示している。図３に示した例では、通常記録バンド領域ＣＢＡは、トラックＣＴＲ１、トラックＣＴＲ２、…、トラックＣＴＲｎ−１、及びトラックＣＴＲｎを含む。図３には、トラックＣＴＲ１のトラックセンタＴＲＣ１、トラックＣＴＲ２のトラックセンタＴＲＣ２、…、トラックＣＴＲｎ−１のトラックセンタＴＲＣｎ−１、及びトラックＣＴＲｎのトラックセンタＴＲＣｎを示している。トラックＣＴＲ１乃至ＣＴＲｎは、それぞれ、半径方向にトラックピッチＴＲＰで配置されている。トラックピッチは、例えば、隣接する２つのトラックのトラックセンタの間の半径方向の距離に相当する。例えば、トラックＣＴＲ１のトラックセンタＴＲＣ１とトラックＣＴＲ２のトラックセンタＴＲＣ２とは、半径方向にトラックピッチＴＲＰで離れている。また、例えば、トラックＣＴＲｎ−１のトラックセンタＴＲＣｎ−１とトラックＣＴＲｎのトラックセンタＴＲＣｎとは、半径方向にトラックピッチＴＲＰで離れている。なお、トラックＣＴＲ１乃至ＣＴＲｎは、それぞれ、半径方向に異なるトラックピッチで配置されていてもよい。また、トラックＣＴＲ１乃至ＣＴＲｎは、それぞれ、半径方向にギャップＣＧＰを置いて配置されている。例えば、トラックＴＲＣ１及びトラックＴＲＣ２は、ギャップＣＧＰで離れ、トラックＴＲＣｎ−１及びトラックＴＲＣｎは、ギャップＣＧＰで離れている。なお、トラックＣＴＲ１乃至ＣＴＲｎは、それぞれ、異なるギャップを置いて配置されていてもよい。図３では、説明の便宜上、各トラックを所定のトラック幅で円周方向に延出している長方形状に示しているが、実際には、円周方向に沿って湾曲している。また、各トラックは、半径方向に変動しながら円周方向に延出している波状であってもよい。
図３に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、トラックセンタＴＲＣ１にヘッド１５を位置決めしてトラックＣＴＲ１を通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、トラックＣＴＲ１のトラックセンタＴＲＣ１から内方向にトラックピッチＴＲＰで離れているトラックセンタＴＲＣ２にヘッド１５を位置決めしてトラックＣＴＲ２を通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、トラックＣＴＲｎ−１のトラックセンタＴＲＣｎ−１から内方向にトラックピッチＴＲＰで離れているトラックセンタＴＲＣｎにヘッド１５を位置決めしてトラックＣＴＲｎを通常記録する。リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、トラックＣＴＲ１、ＣＴＲ２、…、ＣＴＲｎ−１、及びＣＴＲｎをシーケンシャルに通常記録してもよいし、トラックＣＴＲ１、ＣＴＲ２、…、ＣＴＲｎ−１、及びＣＴＲｎのそれぞれの所定のセクタにランダムに通常記録してもよい。
図４は、瓦記録処理の一例を示す模式図である。図４には、瓦記録バンド領域ＳＢＡを示している。図４に示した例では、瓦記録バンド領域ＳＢＡは、半径方向において順方向に連続的に重ね書きされたトラックＳＴＲ１、ＳＴＲ２、ＳＴＲ３、…、ＳＴＲｎ−１、及びＳＴＲｎを含む。ライトヘッド１５Ｗでディスク１０にライトされたトラックＳＴＲ１をライトトラックＷＴ１と称し、ライトヘッド１５Ｗでディスク１０にライトされたトラックＳＴＲ２をライトトラックＷＴ２と称し、ライトヘッド１５Ｗでディスク１０にライトされたトラックＳＴＲ３をライトトラックＷＴ３と称し、ライトヘッド１５Ｗでディスク１０にライトされたトラックＳＴＲｎ−１をライトトラックＷＴｎ−１と称し、ライトヘッド１５Ｗでディスク１０にライトされたトラックＳＴＲｎをライトトラックＷＴｎと称する場合もある。図４には、ライトトラックＷＴ１（トラックＳＴＲ１）のトラックセンタＷＴＣ１、ライトトラックＷＴ２（トラックＳＴＲ２）のトラックセンタＷＴＣ２、ライトトラックＷＴ３（トラックＳＴＲ３）のトラックセンタＷＴＣ３、…、ライトトラックＷＴｎ−１（トラックＳＴＲｎ−１）のトラックセンタＷＴＣｎ−１、ライトトラックＷＴｎ（トラックＳＴＲｎ）のトラックセンタＷＴＣｎを示している。ライトトラックＷＴ１（トラックＳＴＲ１）乃至ライトトラックＷＴｎ（ＳＴＲｎ）は、それぞれ、半径方向にトラックピッチＷＴＰで配置されている。トラックピッチＷＴＰは、例えば、トラックピッチＴＲＰよりも小さい。例えば、ライトトラックＷＴ１のトラックセンタＷＴＣ１とライトトラックＷＴ２のトラックセンタＷＴＣ２とは、半径方向にトラックピッチＷＴＰで離れている。例えば、ライトトラックＷＴ２のトラックセンタＷＴＣ２とライトトラックＷＴ３のトラックセンタＷＴＣ３とは、半径方向にトラックピッチＷＴＰで離れている。また、例えば、ライトトラックＷＴｎ−１のトラックセンタＷＴＣｎ−１とライトトラックＷＴｎのトラックセンタＷＴＣｎとは、半径方向にトラックピッチＷＴＰで離れている。なお、ライトトラックＷＴ１（トラックＳＴＲ１）乃至ライトトラックＷＴｎ（トラックＳＴＲｎ）は、それぞれ、半径方向に異なるトラックピッチで配置されていてもよい。また、ライトトラックＷＴ１（トラックＳＴＲ１）乃至ライトトラックＷＴｎ（トラックＳＴＲｎ）は、前のトラックの半径方向の一部に重ねてライトされている。ライトトラックＷＴ２が重なる領域以外の残りのライトトラックＷＴ１の領域をリードトラックＲＴ１（トラックＳＴＲ１）と称し、ライトトラックＷＴ３が重なる領域以外の残りのライトトラックＷＴ２の領域をリードトラックＲＴ２（トラックＳＴＲ２）と称し、ライトトラックＷＴｎが重なる領域以外の残りのライトトラックＷＴｎ−１の領域をリードトラックＲＴｎ−１（トラックＳＴＲｎ−１）と称する。また、瓦バンド領域ＳＢＡにおいて順方向にシーケンシャルにライトした場合に最後にライトされ、他のライトトラックが重ならないライトトラックＷＴｎをリードトラックＲＴｎ（ＷＴｎ）と称する場合もある。図４には、リードトラックＲＴ１のリードトラック幅ＲＴＷ１、リードトラックＲＴ２のリードトラック幅ＲＴＷ２、…、リードトラックＲＴｎ−１のリードトラック幅ＲＴＷｎ−１、リードトラックＲＴｎのリードトラック幅ＲＴＷｎを示している。図４において、リードトラックＲＴｎのリードトラック幅ＲＴＷｎは、ライトトラックＷＴｎのライトトラック幅ＷＴＷｎと同じである。以下、瓦記録処理において、“ライトトラック”の意味で“トラック”という用語を用いる場合もあるし、“リードトラック”の意味で“トラック”という用語を用いる場合もあるし、“ライトトラック”及び“リードトラック”という意味で“トラック”という用語を用いる場合もある。図４では、説明の便宜上、各トラックを所定のトラック幅で円周方向に延出している長方形状に示しているが、実際には、円周方向に沿って湾曲している。また、各トラックは、半径方向に変動しながら円周方向に延出している波状であってもよい。
図４に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、ライトトラック幅ＷＴＷ１のライトトラックＷＴ１、ライトトラック幅ＷＴＷ２のライトトラックＷＴ２、ライトトラック幅ＷＴＷ３のライトトラックＷＴ３、…、ライトトラック幅ＷＴＷｎ−１のライトトラックＷＴｎ−１、及びライトトラック幅ＷＴＷｎのライトトラックＷＴｎを記載の順に順方向に向かってシーケンシャルに瓦記録する。言い換えると、リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、トラックＳＴＲ１（ライトトラックＷＴ１）、トラックＳＴＲ２（ライトトラックＷＴ２）、トラックＳＴＲ３（ライトトラックＷＴ３）、…、トラックＳＴＲｎ−１（ライトトラックＷＴｎ−１）、及びトラックＳＴＲｎ（ライトトラックＷＴｎ）を記載の順に順方向に重ね書きする。
図４に示した例では、リード／ライト制御部６１０は、ユーザデータ領域１０ａの瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、トラックセンタＷＴＣ１にヘッド１５を位置決めしてライトトラックＷＴ１をライトする。リード／ライト制御部６１０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、ライトトラックＷＴ１のトラックセンタＷＴＣ１から順方向にトラックピッチＷＴＰで離れているトラックセンタＷＴＣ２にヘッド１５を位置決めしてライトトラックＷＴ２をライトトラックＷＴ１に瓦記録する。リード／ライト制御部６１０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、ライトトラックＷＴ２のトラックセンタＷＴＣ２から順方向にトラックピッチＷＴＰで離れているトラックセンタＷＴＣ３にヘッド１５を位置決めしてライトトラックＷＴ３をライトトラックＷＴ２に瓦記録する。リード／ライト制御部６１０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、ライトトラックＷＴｎ−１のトラックセンタＷＴＣｎ−１から順方向にトラックピッチＷＴＰで離れているトラックセンタＷＴＣｎにヘッド１５を位置決めしてライトトラックＷＴｎをライトトラックＷＴｎ−１に瓦記録する。
記録領域管理部６２０は、ホスト１００等からの指示に応じて、ディスク１０の記録領域（以下、単にディスク１０と称する場合もある）を管理する。記録領域管理部６２０は、ホスト１００等からの指示に応じて、ディスク１０のユーザデータ領域１０ａに通常記録領域及び瓦記録領域を設定する。記録領域管理部６２０は、例えば、ユーザデータ領域１０ａにおいて通常記録バンド領域ＣＢＡ毎に通常記録領域を設定する。言い換えると、記録領域管理部６２０は、例えば、ユーザデータ領域１０ａに通常記録バンド領域ＣＢＡを設定する。記録領域管理部６２０は、例えば、ユーザデータ領域１０ａにおいて瓦記録バンド領域ＳＢＡ毎に瓦記録領域を設定する。言い換えると、記録領域管理部６２０は、例えば、ユーザデータ領域１０ａに瓦記録バンド領域ＳＢＡを設定する。記録領域管理部６２０は、ホスト１００等からの指示に応じて、通常記録バンド領域ＣＢＡを瓦記録バンド領域ＳＢＡに変更できる。また、記録領域管理部６２０は、ホスト１００等からの指示に応じて、瓦記録バンド領域ＳＢＡを通常記録バンド領域ＣＢＡに変更できる。
記録領域管理部６２０は、半径方向に隣接するバンド領域の間のギャップを設定し、隣接する２つのバンド領域を設定したギャップ離して設定する。記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向で隣接する２つの通常記録バンド領域の間の所定のギャップ（以下、通常記録バンド間ギャップと称する場合もある）を設定し、半径方向で隣接する２つの通常記録バンド領域を通常記録バンド間ギャップ離して設定する。記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向で隣接する２つの瓦記録バンド領域の間の所定のギャップ（以下、瓦記録バンド間ギャップと称する場合もある）を設定し、半径方向で隣接する２つの瓦記録バンド領域を瓦記録バンド間ギャップ離して設定する。記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向で隣接する通常記録バンド領域と瓦記録バンド領域との間の所定のギャップ（以下、瓦／通常記録バンド間ギャップと称する場合もある）を設定し、半径方向で隣接する通常記録バンド領域と瓦記録バンド領域とを瓦／通常記録バンド間ギャップ離して設定する。
例えば、瓦／通常記録バンド間ギャップは、通常記録バンド間ギャップ及び瓦記録バンド間ギャップよりも大きい。例えば、記録バンド間ギャップは、通常記録バンド間ギャップよりも大きい。なお、瓦／通常記録バンド間ギャップは、通常記録バンド間ギャップと同じであってもよいし、通常記録バンド間ギャップよりも小さくてもよいし、通常記録バンド間ギャップよりも大きくてもよい。瓦／通常記録バンド間ギャップは、瓦記録バンド間ギャップと同じであってもよいし、瓦記録バンド間ギャップよりも小さくてもよいし、瓦記録バンド間ギャップよりも大きくてもよい。“同じ”、“同一”、“一致”、及び“同等”などの用語は、全く同じという意味はもちろん、実質的に同じであると見做せる程度に異なるという意味を含む。
図５は、通常記録バンド領域ＣＢＡと瓦記録バンド領域ＳＢＡとの配置の一例を示す模式図である。図５には、通常記録バンド領域ＣＢＡの半径方向の幅（以下、通常記録バンド幅と称する場合もある）ＣＢＷと、瓦記録バンド領域ＳＢＡの半径方向の幅（以下、瓦記録バンド幅と称する場合もある）ＳＢＷとを示している。例えば、通常記録バンド幅ＣＢＷと瓦記録バンド幅ＳＢＷとは、同じである。なお、通常記録バンド幅ＣＢＷと瓦記録バンド幅ＳＢＷとは、異なっていてもよい。また、例えば、通常記録バンド領域ＣＢＡの面積と瓦記録バンド領域ＳＢＡの面積とは、同じである。なお、通常記録バンド領域ＣＢＡの面積と瓦記録バンド領域ＳＢＡの面積とは、異なっていてもよい。図５には、通常記録バンド間ギャップＣＺＧＰと、瓦記録バンド間ギャップＳＺＧＰと、瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰとを示している。例えば、瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰは、通常記録バンド間ギャップＣＺＧＰ及び瓦記録バンド間ギャップＳＺＧＰよりも大きい。また、例えば、瓦記録バンド間ギャップＳＺＧＰは、通常記録バンド間ギャップＣＺＧＰよりも大きい。図５では、説明の便宜上、通常記録バンド領域ＣＢＡと瓦記録バンド領域ＳＢＡとを円周方向に延出している長方形状に示しているが、実際には、円周方向に沿って湾曲している。
記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向に隣接する２つの通常記録バンド領域ＣＢＡを通常記録バンド間ギャップＣＺＧＰ離して設定（又は配置）する。記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向に隣接する２つの瓦記録バンド領域ＳＢＡを瓦記録バンド間ギャップＳＺＧＰ離して設定（又は配置）する。また、記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、半径方向で隣接する通常記録バンド領域ＣＢＡと瓦記録バンド領域ＳＢＡとを瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰ離して設定（又は配置）する。なお、記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、通常記録バンド領域ＣＢＡ、瓦記録バンド領域ＳＢＡ、及び通常記録バンド領域ＣＢＡを記載の順に半径方向に瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰを置いて並べて設定（又は配置）してもよい。また、記録領域管理部６２０は、ユーザデータ領域１０ａにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ、通常記録バンド領域ＣＢＡ、及び瓦記録バンド領域ＳＢＡを記載の順に半径方向に瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰを置いて並べて設定（又は配置）してもよい。
ライトリトライ制御部６３０は、所定の領域、例えば、所定のトラックにデータのライト処理が完了しなかった際に同じ領域に同じデータを再度ライト処理するライトリトライ（又は、ライトリトライ処理又はリトライ処理と称する場合もある）を制御する。ライトリトライ制御部６３０は、所定の領域、例えば、所定のトラックに対してライトリトライ処理を実行した回数（以下、リトライ回数と称する場合もある）をカウントする。ライトリトライ制御部６３０は、所定の領域、例えば、所定のトラックに対してライトリトライ処理を実行可能な回数の上限値（以下、リトライ閾値と称する場合もある）を設定する。ライトリトライ制御部６３０は、リトライ閾値をテーブルとして所定の領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等に記録する。
ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡと瓦記録バンド領域ＳＢＡとにリトライ閾値をそれぞれ設定する。
ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにリトライ閾値を設定する。ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの各トラックのリトライ閾値（以下、瓦記録リトライ閾値と称する場合もある）と、瓦記録バンド領域ＳＢＡの全てのトラックで実行したライトリトライ処理の合計のリトライ回数（以下、合計リトライ回数と称する場合もある）に対応するリトライ閾値（以下、瓦記録領域閾値と称する場合もある）とを設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、各トラックに同じ瓦記録リトライ閾値を設定する。なお、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、各トラックに異なる瓦記録リトライ閾値を設定してもよい。瓦記録処理では、複数のトラックを重ね書きするために、ライトヘッド１５Ｗからの記録磁界の漏洩（以下、フリンジング、又はフリンジと称する場合がある）による影響が大きい。そのため、ライトリトライ制御部６３０は、例えば、瓦記録リトライ閾値を小さい値に制限する。ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの各トラックの各瓦記録リトライ閾値と瓦記録バンド領域ＳＢＡの瓦記録領域閾値とをテーブルとして所定の領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等に記録する。
ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにリトライ閾値を設定する。ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡの各トラックのリトライ閾値（以下、通常記録リトライ閾値と称する場合もある）を設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各トラックに同じ通常記録リトライ閾値を設定する。なお、ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各トラックに異なる通常記録リトライ閾値を設定してもよい。通常記録した複数のトラックのトラックピッチＴＲＰが瓦記録した複数のトラックのトラックピッチＷＴＰよりも大きいため、ライトヘッド１５Ｗからのフリンジによる影響は、瓦記録処理よりも通常記録処理の方が小さい。そのため、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録リトライ閾値よりも通常記録リトライ閾値を大きい値に設定する。つまり、通常記録リトライ閾値は、瓦記録リトライ閾値よりも大きい。また、ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡの合計リトライ回数に対応するリトライ閾値（以下、通常記録領域閾値と称する場合もある）を設定してもよい。ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡの各トラックの各通常記録リトライ閾値をテーブルとして所定の領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等に記録する。
ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡに隣接する通常記録バンド領域（以下、制限通常記録バンド領域と称する場合もある）ＣＢＡに複数のリトライ閾値を設定する。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側に配置された所定の数（以下、制限トラック数と称する場合もある）のトラック（以下、制限トラックと称する場合もある）と、制限トラック以外の他のトラック（以下、非制限トラックと称する場合もある）とで異なるリトライ閾値を設定する。
ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡに最も近いユーザデータをライトするトラック（以下、近接トラックと称する場合もある）から瓦記録バンド領域ＳＢＡに対して反対向きの半径方向（以下、単に、離隔方向と称する場合もある）に向かって並んでいる所定の制限トラック数のトラックを制限トラックに設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、近接トラックから制限通常記録バンド領域の半径方向の幅（以下、制限バンド幅と称する場合もある）の半分の幅に相当する半径方向の範囲（以下、半径範囲と称する場合もある）に配置されたトラックの数以下の制限トラック数のトラックを制限トラックに設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、近接トラックから瓦記録バンド領域ＳＢＡのトラックにＷＡＴＥ（Wide Area Track Erase）及びフリンジ等の影響を及ぼす瓦記録バンド領域ＳＢＡから最も離れたトラックまでの制限トラック数のトラックを制限トラックに設定する。言い換えると、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡのトラックにＷＡＴＥ及びフリンジ等の影響を及ぼす範囲に配置された制限トラック数のトラックを制限トラックに設定してもよい。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの全トラック、例えば、数百トラックの数％乃至十数％、例えば、１０％の数の瓦記録バンド領域ＳＢＡ側のトラックを制限トラックに設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、ヘッド１５、ディスク１０、ディスク１０の記録密度（例えば、ＴＰＩ（Tracks Per Inch）及びＢＰＩ（Bits per Inch））、瓦記録バンド領域ＳＢＡからの距離、瓦／通常記録バンド間ギャップ、瓦記録領域閾値、及び／又は瓦記録リトライ閾値等に応じて制限トラック数を設定（調整又は変更）できる。
なお、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側の制限通常記録バンド領域ＣＢＡの半径方向の端部（以下、半径端部と称する場合もある）から離隔方向に所定の距離離れた半径位置までの半径領域をこの半径領域以外の領域（以下、非制限領域と称する場合もある）のリトライ閾値に対して異なるリトライ閾値を設定する領域（以下、制限領域と称する場合もある）に設定し、制限領域内に配置された所定の数のトラックを制限トラックに設定してもよい。制限領域の半径方向の幅（以下、制限領域幅と称する場合もある）は、例えば、制限バンド幅の半分以下である。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡのトラックにＷＡＴＥ及びフリンジ等の影響を及ぼす範囲の半径領域を制限領域に設定し、制限領域内に配置された所定の数のトラックを制限トラックに設定してもよい。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、ヘッド１５、ディスク１０、ディスク１０の記録密度（例えば、ＴＰＩ及びＢＰＩ）、瓦記録バンド領域ＳＢＡからの距離、瓦／通常記録バンド間ギャップ、瓦記録領域閾値、及び／又は瓦記録リトライ閾値等に応じて制限領域を設定（調整又は変更）できる。
ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックのリトライ閾値（以下、制限リトライ閾値と称する場合もある）と非制限トラックの通常記録リトライ閾値とそれぞれを設定する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各制限トラックに同じ制限リトライ閾値を設定する。なお、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各制限トラックに異なる制限リトライ閾値を設定してもよい。制限リトライ閾値は、通常記録リトライ閾値よりも小さく、例えば、瓦記録リトライ閾値と同じである。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各非制限トラックに同じ通常記録リトライ閾値を設定する。なお、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、各非制限トラックに異なる通常記録リトライ閾値を設定してもよい。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの各制限トラックの各制限リトライ閾値と、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの各非制限トラックの各通常記録リトライ閾値とをテーブルとして所定の領域、例えば、ディスク１０のシステムエリア１０ｃ、又は不揮発性メモリ８０等に記録する。
ライトリトライ制御部６３０は、所定の領域において、リトライ回数がリトライ閾値を超えた場合、つまり、リトライ回数がリトライ閾値よりも大きい場合、この領域及びリトライ閾値等に応じて、後発欠陥として登録する後発欠陥処理、この領域にライトするデータを所定の領域（以下、退避エリア又はスリップ（Slip）エリアと称する場合もある）に退避させる処理（以下、退避処理又はスリップ処理と称する場合もある）、又はリトライ閾値を変更するリトライ閾値変更処理を実行する。
例えば、ライトリトライ制御部６３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定のトラックのリトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えた場合、このトラックを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに記録されたＧ（グロウン）リスト等に登録し、次のライト処理を実行する。
例えば、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、所定のトラックにおけるリトライ回数が瓦記録リトライ閾値を超えた場合、このトラックの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアにこのトラックにライトするデータを退避する。退避エリアは、例えば、瓦バンド領域ＳＢＡに設けられている。なお、退避エリアは、メディアキャッシュ１０ｂ等に設けられていてもよい。また、“退避する”という用語は、“ライト（記録）する”、“他の領域に移す”、又は“一時的に記録する”等の意味を含む。ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、所定のトラックにおけるリトライ回数が瓦領域リトライ閾値を超え、且つこのトラックにライトする全てのデータを退避エリアに退避できない場合、このトラックにライトするデータの内の退避エリアに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの所定のトラックにおいて、スリップ処理（又は退避処理）が繰り返し発生する場合には、このトラックを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに記録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を実行する。また、例えば、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの合計リトライ回数が瓦記録領域閾値を超えた場合、瓦記録バンド領域ＳＢＡの全てのトラックの瓦記録リトライ閾値及び／又は瓦記録領域閾値を小さくする。
例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の非制限トラックにおけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えた場合、この非制限トラックを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに記録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を実行する。例えば、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、この制限トラックの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアにこの制限トラックにライトするデータを退避する。退避エリアは、例えば、制限通常記録バンド領域ＣＢＡに設けられている。なお、退避エリアは、メディアキャッシュ１０ｂ等に設けられていてもよい。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超え、且つこの制限トラックにライトする全てのデータを退避エリアに退避できない場合、この制限トラックにライトするデータの内の退避エリアに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの所定の制限トラックにおいて、スリップ処理（又は退避処理）が繰り返し発生する場合には、この制限トラックを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに登録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を実行する。
図６は、制限トラックの設定方法の一例を示す模式図である。図６には、制限通常記録バンド領域（通常記録バンド領域）ＣＢＡと、瓦記録バンド領域ＳＢＡとを示している。図６において、制限通常記録バンド領域ＣＢＡは、図３に示した通常記録バンド領域ＣＢＡと相当し、瓦記録バンド領域ＳＢＡは、図４に示した瓦記録バンド領域ＳＢＡに相当する。図６において、制限通常記録バンド領域ＣＢＡと瓦記録バンド領域ＳＢＡとは、瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰで半径方向に離れている。図６では、制限通常記録バンド領域ＣＢＡは、瓦記録バンド領域ＳＢＡの外方向に瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰ離れている。言い換えると、瓦記録バンド領域ＳＢＡは、制限通常記録バンド領域ＣＢＡから内方向に瓦／通常記録バンド間ギャップＤＺＧＰ離れている。図６には、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの制限バンド幅ＣＢＷを示している。制限バンド幅ＣＢＷは、例えば、通常記録バンド幅ＣＢＷと同じである。なお、制限バンド幅ＣＢＷは、例えば、通常記録バンド幅ＣＢＷと異なっていてもよい。図６には、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側の制限通常記録バンド領域ＣＢＡの半径端部ＣＥＧ１と、半径端部ＣＥＧ１と反対側の半径端部ＣＥＧ２と、制限通常記録バンド領域（通常記録バンド領域）ＣＢＡ側の瓦記録バンド領域ＳＢＡの半径端部ＳＥＧ１と、半径端部ＳＥＧ１と反対側の半径端部ＳＥＧ２とを示している。図６において、半径端部ＣＥＧ１と半径端部ＳＥＧ１とは、半径方向において対向している。図６には、半径端部ＣＥＧ１から外方向に制限通常記録バンド領域ＣＢＡの制限バンド幅の半分ＣＢＷ／２に相当する距離離れた半径位置ＣＨＰと、半径端部ＳＥＧ１から内方向に瓦記録バンド領域ＳＢＡの瓦記録バンド幅の半分ＳＢＷ／２に相当する距離離れた半径位置ＳＨＰとを示している。図６において、制限通常記録バンド領域ＣＢＡは、制限領域ＣＲＡを含む。制限領域ＣＲＡは、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、半径端部ＣＥＧ１から半径位置ＣＨＰまでの制限バンド幅の半分ＣＢＷ／２の半径範囲以下の半径領域に相当する。図６において、制限領域ＣＲＡは、例えば、トラックＣＴＲｎ及びＣＴＲｎ−１を含む。
ライトリトライ制御部６３０は、例えば、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、近接トラックＣＴＲｎから離隔方向に離れたトラックＣＴＲｎ−１までの２つのトラックを制限トラックに設定する。なお、ライトリトライ制御部６３０は、例えば、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、半径領域ＣＲＡを制限領域ＣＲＡに設定し、制限領域ＣＲＡ内に配置されたトラックＣＴＲｎ及びＣＴＲｎ−１を制限トラックに設定してもよい。
図７は、本実施形態に係るライトリトライ処理の一例を示す図である。図７には、テーブルＴＢを示している。テーブルＴＢは、バンドと、トラックと、各トラックのリトライ回数と、各トラックのリトライ閾値とを含む。テーブルＴＢにおいて、バンドは、バンド領域の種類及びバンド領域の識別番号を示し、トラックは、トラックの種類及びトラックの識別番号を示し、リトライ回数は、各トラックに対応するライトリトライ処理の回数を示し、リトライ閾値は、各トラックに対応するリトライ閾値を示している。図７のテーブルＴＢのバンドに示す通常記録バンド領域ＣＢＡ１は、識別番号１の通常記録バンド領域ＣＢＡを示し、図７のテーブルＴＢに示す瓦記録バンド領域ＳＢＡ１は、識別番号１の瓦記録バンド領域ＳＢＡを示している。図７のテーブルＴＢにおいて、通常記録バンド領域ＣＢＡ１と瓦記録バンド領域ＳＢＡ１とはディスク１０において隣接している。つまり、通常記録バンド領域ＣＢＡ１は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１に相当する。例えば、図７のテーブルＴＢに示す通常記録バンド領域ＣＢＡ１は、図６に示す通常記録バンド領域（制限通常記録バンド領域）ＣＢＡに相当する。また、図７のテーブルＴＢに示す瓦記録バンド領域ＳＢＡ１は、図６に示す瓦記録バンド領域ＳＢＡに相当する。図７のテーブルＴＢの制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１において、トラックＣＴＲ１及びＣＴＲ２は、非制限トラックに相当し、トラックＣＴＲｎ−１及びＣＴＲｎは、制限トラックに相当する。図７のテーブルＴＢの制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１のリトライ閾値には、通常記録リトライ閾値ＣＴＨ１と、制限リトライ閾値ＣＴＨ２とを示している。図７のテーブルＴＢの瓦記録バンド領域ＳＢＡ１のリトライ閾値には、瓦記録リトライ閾値ＳＴＨ１を示している。例えば、制限リトライ閾値ＣＴＨ２と瓦記録リトライ閾値ＳＴＨ１とは、同じである。なお、テーブルＴＢは、バンド、トラック、各トラックのリトライ回数、及び各トラックのリトライ閾値の内の少なくとも１つを含んでいなくてもよいし、バンド、トラック、各トラックのリトライ回数、及び各トラックのリトライ閾値以外のパラメータを含んでいてもよい。
図７に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１において、非制限トラックＣＴＲ１、ＣＴＲ２、…に通常記録リトライ閾値ＣＴＨ１を設定する。また、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１において、制限トラックＣＴＲｎ−１及びＣＴＲｎに制限リトライ閾値ＣＴＨ２を設定する。
図７に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１において、非制限トラックＣＴＲ１におけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値ＣＴＨ１を超えた場合、非制限トラックＣＴＲ１を後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに記録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を進める。
図７に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡ１において、非制限トラックＣＴＲ２におけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値ＣＴＨ１を超えた場合、非制限トラックＣＴＲ２を後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに記録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を進める。
図７に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎ−１におけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、制限トラックＣＴＲｎ−１の各セクタにライトするデータ毎に退避エリアに制限トラックにライトするデータを退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎ−１におけるリトライ回数が制限リトライ閾値ＣＴＨ２を超え、且つ制限トラックＣＴＲｎ−１にライトする全てのデータを退避エリアに退避できない場合、制限トラックＣＴＲｎ−１にライトするデータの内の退避エリアに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限トラックＣＴＲｎ−１において、スリップ処理が繰り返し発生する場合には、制限トラックＣＴＲｎ−１を後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに登録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を実行する。
図７に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、制限トラックＣＴＲｎの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアに制限トラックにライトするデータを退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値ＣＴＨ２を超え、且つ制限トラックＣＴＲｎにライトする全てのデータを退避エリアに退避できない場合、制限トラックＣＴＲｎにライトするデータの内の退避エリアに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限トラックＣＴＲｎにおいて、スリップ処理が繰り返し発生する場合には、制限トラックＣＴＲｎを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに登録されたＧリスト等に登録し、次のライト処理を実行する。
リフレッシュ制御部６４０は、所定の領域において、リトライ回数がリトライ閾値を超えた場合、この領域から所定の半径範囲の領域にライトされたデータをリードして同じ領域に書き直す処理（以下、リフレッシュ処理と称する場合もある）を実行する。
例えば、リフレッシュ制御部６４０は、通常記録バンド領域ＣＢＡの所定のトラックにおいて、リトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えた場合、このトラックの半径方向に並んでいる幾つかのトラックにリフレッシュ処理を実行する。
例えば、リフレッシュ制御部６４０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの非制限トラックにおいて、リトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えた場合、このトラックの半径方向に並んでいる幾つかのトラックにリフレッシュ処理を実行する。例えば、リフレッシュ制御部６４０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの制限トラックにおいて、リトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、このトラックの半径方向に並んでいる幾つかのトラック及び瓦記録バンド領域ＳＢＡにリフレッシュ処理を実行する。
例えば、リフレッシュ制御部６４０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの所定のトラックにおいて、リトライ回数が瓦記録リトライ閾値を超えた場合、この瓦記録バンド領域の全てのトラックにリフレッシュ処理を実行する。言い換えると、リフレッシュ制御部６４０は、瓦記録バンド領域の所定のトラックにおいて、リトライ回数が瓦記録リトライ閾値を超えた場合、この瓦記録バンド領域を書き直す。
図８は、本実施形態に係るライトリトライ処理の一例を示すフローチャートである。
システムコントローラ１３０は、ユーザデータ領域１０ａに通常記録バンド領域ＣＢＡ及び瓦記録バンド領域ＳＢＡを設定する（Ｂ８０１）。例えば、システムコントローラ１３０は、半径方向で隣接する２つの通常記録バンド領域ＣＢＡを通常記録バンド間ギャップ空けて設定し、半径方向で隣接する２つの瓦記録バンド領域ＳＢＡを瓦記録バンド間ギャップ空けて配置し、半径方向において隣接する瓦記録バンド領域ＳＢＡと通常記録バンド領域（制限通常記録バンド領域）ＣＢＡとを瓦／通常記録バンド間ギャップ空けて配置する。システムコントローラ１３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡの各トラックに通常記録リトライ閾値を設定し、瓦記録バンド領域ＳＢＡの各トラックに瓦記録リトライ閾値を設定する（Ｂ８０２）。システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側に配置された幾つかのトラックを制限トラックに設定する（Ｂ８０３）。例えば、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側に配置された制限通常記録バンド領域ＣＢＡの全てのトラックの数の内の数％乃至十数％の数のトラックを制限トラックに設定する。システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックに制限リトライ閾値を設定し、非制限トラックに通常記録リトライ閾値を設定する（Ｂ８０４）。
システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行する（Ｂ８０５）。例えば、システムコントローラ１３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡ、通常記録バンド領域ＣＢＡ、又は制限通常記録バンド領域ＣＢＡの所定の領域、例えば、所定のトラックにライト処理を実行する。システムコントローラ１３０は、所定のトラックにおけるリトライ回数がリトライ閾値を超えたか超えていないかを判定する（Ｂ８０６）。例えば、システムコントローラ１３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、所定のトラックにおけるリトライ回数が瓦記録リトライ閾値を超えているか超えていないかを判定する。例えば、システムコントローラ１３０は、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定のトラックにおけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えているか超えていないかを判定する。例えば、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えているか超えていないかを判定する。例えば、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の非制限トラックにおけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えているか超えていないかを判定する。
所定のトラックにおけるリトライ回数がリトライ閾値を超えていないと判定した場合（Ｂ８０６のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡであるか瓦記録バンド領域ＳＢＡではないかを判定する（Ｂ８０７）。言い換えると、所定のトラックにおけるリトライ回数がリトライ閾値を超えていないと判定した場合、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡであるか通常記録バンド領域ＣＢＡであるかを判定する。ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡではない、つまり、ライト処理を実行しているバンド領域が通常記録バンド領域ＣＢＡであると判定した場合（Ｂ８０７のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、処理を終了する。ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡであると判定した場合（Ｂ８０７のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの合計リトライ回数が瓦記録領域閾値を超えているか超えていないかを判定する（Ｂ８０８）。瓦記録バンド領域ＳＢＡの合計リトライ回数が瓦記録領域閾値を超えていないと判定した場合（Ｂ８０８のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、処理を終了する。瓦記録バンド領域ＳＢＡの合計リトライ回数が瓦記録領域閾値を超えていると判定した場合（Ｂ８０８のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡの所定のトラックの瓦記録リトライ閾値を低減し（Ｂ８０９）、処理を終了する。
所定のトラックにおけるリトライ回数がリトライ閾値を超えていると判定した場合（Ｂ８０６のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているバンド領域が通常記録バンド領域ＣＢＡであるか通常記録バンド領域ＣＢＡではないかを判定する（Ｂ８１０）。言い換えると、所定のトラックにおけるリトライ回数がリトライ閾値を超えていると判定した場合、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡであるか通常記録バンド領域ＣＢＡであるかを判定する。ライト処理を実行しているバンド領域が通常記録バンド領域ＣＢＡではない、つまり、ライト処理を実行しているバンド領域が瓦記録バンド領域ＳＢＡであると判定した場合（Ｂ８１０のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ８０９の処理に進む。ライト処理を実行しているバンド領域が通常記録バンド領域ＣＢＡであると判定した場合（Ｂ８１０のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡであるか制限通常記録バンド領域ＣＢＡではないかを判定する（Ｂ８１１）。制限通常記録バンド領域ＣＢＡではないと判定した場合（Ｂ８１１のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、Ｂ８１３の処理に進む。制限通常記録バンド領域ＣＢＡであると判定した場合（Ｂ８１１のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているトラックが制限トラックであるか制限トラックではないかを判定する（Ｂ８１２）。言い換えると、制限通常記録バンド領域ＣＢＡであると判定した場合、システムコントローラ１３０は、ライト処理を実行しているトラックが制限トラックであるか非制限トラックであるかを判定する。ライト処理を実行しているトラックが制限トラックではない、つまり、ライト処理を実行しているトラックが非制限トラックであると判定した場合（Ｂ８１２のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、この非制限トラックを後発欠陥として所定の領域、例えば、Ｇリストに登録し（Ｂ８１３）、処理を終了する。ライト処理を実行しているトラックが制限トラックであると判定した場合（Ｂ８１２のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、この制限トラックの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアに退避し（Ｂ８１４）、処理を終了する。例えば、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超え、且つこの制限トラックにライトする全てのデータを退避エリアに退避できない場合、この制限トラックにライトするデータの内の退避エリアに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避し、処理を終了する。また、例えば、システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの所定の制限トラックにおいて、スリップ処理が繰り返し発生する場合には、この制限トラックを後発欠陥としてシステムエリア１０ｃに登録されたＧリスト等に登録し、処理を終了する。
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、ユーザデータ領域１０ａに通常記録バンド領域及び／又は瓦記録バンド領域を設定する。磁気ディスク装置１は、半径方向で隣接する瓦記録バンド領域ＳＢＡと通常記録バンド領域（制限通常記録バンド領域）ＣＢＡとを瓦／通常記録バンド間ギャップ空けて配置する。磁気ディスク装置１は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡ側に配置された幾つかのトラックを制限トラックに設定する。磁気ディスク装置１は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックに制限リトライ閾値を設定し、非制限トラックに通常記録リトライ閾値を設定する。システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の非制限トラックにおけるリトライ回数が通常記録リトライ閾値を超えている場合、後発欠陥として所定の領域、例えば、Ｇリストに登録する。システムコントローラ１３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えている場合、この制限トラックの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアに退避する。磁気ディスク装置１は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの瓦記録バンド領域ＳＢＡ側の幾つかの制限トラックでライトリトライ処理を繰り返すことを抑制することにより、瓦記録バンド領域ＳＢＡの制限通常記録バンド領域ＣＢＡ側の幾つかのトラックに対するＷＡＴＥ及びフリンジ等の影響によるデータイレーズを低減できる。そのため、磁気ディスク装置１は、リフレッシュ処理の実行回数を低減でき、パフォーマンスを向上することができる。また、磁気ディスク装置１は、半径方向において瓦記録バンド領域ＳＢＡと通常記録バンド領域ＣＢＡとを近接して配置することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、ディスク１０にライト可能なデータ容量を増加することができる。したがって、磁気ディスク装置１は、ライト処理の性能を向上することができる。
次に、第１実施形態の変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。第１実施形態の変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
（変形例１）
変形例１に係る磁気ディスク装置１は、バンド領域に退避エリアを有する点が前述する第１実施形態の磁気ディスク装置１と相違する。
通常記録バンド領域ＣＢＡ及び瓦記録バンド領域ＳＢＡは、それぞれ、退避エリアを含む。例えば、通常記録バンド領域ＣＢＡ及び瓦記録バンド領域ＳＢＡは、それぞれ、順方向の端部に退避エリアを含む。なお、メディアキャッシュ１０ｂが、退避エリアを含んでいてもよい。
図９は、変形例１に係る通常記録バンド領域ＣＢＡ及び瓦記録バンド領域ＳＢＡの一例を示す模式図である。図９に示す例では、通常記録バンド領域ＣＢＡは、退避エリアＣＳＬＲを含む。退避エリアＣＳＬＲは、例えば、通常記録バンド領域ＣＢＡの順方向の端部に配置されている。図９では、退避エリアＣＳＬＲは、半径端部ＣＥＧ１と制限トラック（近接トラック）ＣＴＲｎとの間に配置されている。つまり、図９では、退避エリアＣＳＬＲは、通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、瓦記録バンド領域ＳＢＡに最も近い領域に配置されている。図９に示した例では、退避エリアＣＳＬＲは、１トラック分の領域に相当する。なお、退避エリアＣＳＬＲは、１トラック分の領域よりも小さい領域であってもよいし、１トラック分の領域よりも大きい領域であってもよい。図９に示す例では、瓦記録バンド領域ＳＢＡは、退避エリアＳＳＬＲを含む。退避エリアＳＳＬＲは、例えば、瓦記録バンド領域ＳＢＡの順方向の端部に配置されている。図９では、退避エリアＳＳＬＲは、半径端部ＳＥＧ２とトラックＳＴＲｎとの間に配置されている。なお、退避エリアＳＳＬＲは、トラックＳＴＲｎの順方向に重ね書きされていてもよい。図９に示した例では、退避エリアＳＳＬＲは、１トラック分の領域に相当する。なお、退避エリアＳＳＬＲは、１トラック分の領域よりも小さい領域であってもよいし、１トラック分の領域よりも大きい領域であってもよい。例えば、退避エリアＳＳＬＲは、退避エリアＣＳＬＲよりも大きい。つまり、退避エリアＳＳＬＲにライト可能なデータ容量は、退避エリアＣＳＬＲにライト可能なデータ容量よりも大きい。なお、退避エリアＣＳＬＲ及びＳＳＬＲは、同じであってもよい。また、退避エリアＳＳＬＲは、退避エリアＣＳＬＲよりも小さくてもよい。
図９に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、トラックＳＴＲｎにおけるリトライ回数が瓦記録リトライ閾値を超えた場合、トラックＳＴＲｎの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアＳＳＬＲにトラックＳＴＲｎにライトするデータを退避する。ライトリトライ制御部６３０は、瓦記録バンド領域ＳＢＡにおいて、トラックＳＴＲｎにおけるリトライ回数が瓦領域リトライ閾値を超え、且つトラックＳＴＲｎにライトする全てのデータを退避エリアＳＳＬＲに退避できない場合、トラックＳＴＲｎにライトするデータの内の退避エリアＳＳＬＲに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。
図９に示した例では、ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、制限トラックＣＴＲｎの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアＣＳＬＲに制限トラックＣＴＲｎにライトするデータを退避する。ライトリトライ制御部６３０は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、制限トラックＣＴＲｎにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた、且つ制限トラックＣＴＲｎにライトする全てのデータを退避エリアＣＳＬＲに退避できない場合、制限トラックＣＴＲｎにライトするデータの内の退避エリアＣＳＬＲに退避したデータ以外の残りのデータをメディアキャッシュ１０ｂに退避する。
変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、制限通常記録バンド領域ＣＢＡにおいて、所定の制限トラックにおけるリトライ回数が制限リトライ閾値を超えた場合、この制限トラックの各セクタにライトするデータ毎に退避エリアＣＳＬＲにこのトラックにライトするデータを退避する。退避エリアＣＳＬＲは、例えば、制限通常記録バンド領域ＣＢＡの順方向の端部に設けられている。そのため、磁気ディスク装置１は、ライト処理の性能を向上することができる。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…ユーザデータ領域、１０ｂ…メディアキャッシュ、１０ｃ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…不揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。

Claims (9)

  1. 半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録でデータをライトする第１領域と、前記第１領域から前記半径方向にギャップを置いて配置され、前記半径方向に重ねて複数のトラックをライトする瓦記録でデータをライトする第２領域とを有するディスクと、
    前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
    前記第１領域において前記第２領域側に配置された第３領域と前記第１領域の前記第３領域以外の第４領域とで異なるライトリトライ処理を実行可能な回数の閾値を設定し、前記通常記録及び前記瓦記録を選択して実行する、コントローラと、を備える磁気ディスク装置。
  2. 前記第３領域で前記ライトリトライ処理を実行可能な回数の第１閾値は、前記第４領域で前記ライトリトライ処理を実行可能な回数の第２閾値よりも小さい、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記コントローラは、前記第３領域における前記ライトリトライ処理を実行した第１回数が前記第１閾値を超えた場合、前記第３領域にライトする第１データを退避する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記第１領域は、退避エリアを含み、
    前記コントローラは、前記第１データを前記退避エリアに退避する、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
  5. 前記ディスクは、データが一時的にライトされるキャッシュ領域を有し、
    前記コントローラは、前記第１データの一部を前記退避エリアに退避できない場合、前記第１データの一部を前記キャッシュ領域に退避させる、請求項４に記載の磁気ディスク装置。
  6. 前記ディスクは、データが一時的にライトされるキャッシュ領域を有し、
    前記キャッシュ領域は、退避エリアを含み、
    前記コントローラは、前記第１データを前記退避エリアに退避する、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
  7. 前記コントローラは、前記第４領域における前記ライトリトライ処理を実行した第２回数が前記第２閾値を超えた場合、前記第４領域を後発欠陥として登録する、請求項２乃至６のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記コントローラは、前記第２閾値と前記第２領域の前記ライトリトライ処理を実行可能な回数の第３閾値とを同じ値に設定する、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
  9. 半径方向に間隔を置いて複数のトラックをライトする通常記録でデータをライトする第１領域と、前記第１領域から前記半径方向にギャップを置いて配置され、前記半径方向に重ねて複数のトラックをライトする瓦記録でデータをライトする第２領域とを有するディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスク装置に適用されるライトリトライ処理方法であって、
    前記第１領域において前記第２領域側に配置された第３領域と前記第１領域の前記第３領域以外の第４領域とで異なるライトリトライ処理を実行可能な回数の閾値を設定し、
    前記通常記録及び前記瓦記録を選択して実行する、ライトリトライ処理方法。
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